JP3187405B2 - 高温・高圧洗浄方法及び洗浄装置 - Google Patents
高温・高圧洗浄方法及び洗浄装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、例えば半導体工業等を中心とする電子工
業、光学機器工業等で行われている洗浄工程や、それら
の工業等で使用される部品等の洗浄工程で用いるための
高温・高圧洗浄方法及び洗浄装置に関するものである。
業、光学機器工業等で行われている洗浄工程や、それら
の工業等で使用される部品等の洗浄工程で用いるための
高温・高圧洗浄方法及び洗浄装置に関するものである。
［従来の技術］ 以前より、あらゆる産業において、洗浄は広く行われ
てきており、脱脂等の洗浄目的、特性に合わせて種々の
検討が行われてきている。
てきており、脱脂等の洗浄目的、特性に合わせて種々の
検討が行われてきている。
しかし、近年のハイテクノロジー化にともなって、よ
り高清浄な洗浄技術の開発が重要な課題となっている。
また近年産業廃液による公害問題が起こっており、特に
脱脂工程で用いられているフロンやトリクロロエチレン
の環境破壊が問題となっており、これらの薬品は、使用
禁止の方向で検討が進められている。
り高清浄な洗浄技術の開発が重要な課題となっている。
また近年産業廃液による公害問題が起こっており、特に
脱脂工程で用いられているフロンやトリクロロエチレン
の環境破壊が問題となっており、これらの薬品は、使用
禁止の方向で検討が進められている。
しかしこれらの薬品は現在の洗浄工程には必要不可欠
であり、その代替洗浄技術の開発も急務となっている。
であり、その代替洗浄技術の開発も急務となっている。
通常の高温高圧水スプレー洗浄は第５図に示すような
装置で行われることが多く、以下第５図に従い高温高圧
水スプレー洗浄について説明する。
装置で行われることが多く、以下第５図に従い高温高圧
水スプレー洗浄について説明する。
高温高圧水スプレー洗浄の目的は、洗浄面から不純物
を完全に除去することである。第５図において、洗浄水
供給管101によって水槽102に供給された水は、圧送ポン
プ103で加圧され、加熱装置104で加熱され、ノズル106
によってスプレーとして噴射され洗浄に用いられる。噴
射時の洗浄水は、例えば、温度60℃以上、圧力30kg/cm2
以上とされる。この方法は、噴射水の物理的な力によっ
て、被洗浄物表面の汚れを除去することができる有効な
方法である。
を完全に除去することである。第５図において、洗浄水
供給管101によって水槽102に供給された水は、圧送ポン
プ103で加圧され、加熱装置104で加熱され、ノズル106
によってスプレーとして噴射され洗浄に用いられる。噴
射時の洗浄水は、例えば、温度60℃以上、圧力30kg/cm2
以上とされる。この方法は、噴射水の物理的な力によっ
て、被洗浄物表面の汚れを除去することができる有効な
方法である。
この場合、洗浄水供給配管101によって供給される水
は通常は、水道水、または比抵抗が１〜数ｍΩ・cm程度
の純水を用いるのが普通であり、第５図において配管10
1は水道管に接続される。
は通常は、水道水、または比抵抗が１〜数ｍΩ・cm程度
の純水を用いるのが普通であり、第５図において配管10
1は水道管に接続される。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記技術により被洗浄物の洗浄を行っても必
ずしも洗浄な洗浄を行うことができない。
ずしも洗浄な洗浄を行うことができない。
例えば、被洗浄物に指紋、機械油を付し、この指紋あ
るいは機械油が付された被洗浄物を上記技術により洗浄
しても指紋、機械油は完全には除去されず被洗浄物に残
存する。
るいは機械油が付された被洗浄物を上記技術により洗浄
しても指紋、機械油は完全には除去されず被洗浄物に残
存する。
すなわち、上記技術における洗浄効果は良好なもので
はない。
はない。
本発明の目的は、優れた洗浄効果を有する高温・高圧
洗浄方法及び洗浄装置を提供することを目的とする。
洗浄方法及び洗浄装置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明の高温・高圧洗浄方法は、25℃換算で17.0MΩ
・cm以上の比抵抗を有する超純水を、鏡面仕上げした表
面に形成した酸化不動態膜を接水面に有するノズルを介
して被洗浄物に噴射させることにより洗浄を行うことを
特徴とする。
・cm以上の比抵抗を有する超純水を、鏡面仕上げした表
面に形成した酸化不動態膜を接水面に有するノズルを介
して被洗浄物に噴射させることにより洗浄を行うことを
特徴とする。
本発明の高温・高圧洗浄装置は、圧送ポンプ、加熱装
置、ノズル、配管を少なくとも有し、高温・高圧の水を
ノズルより被洗浄物に対し噴射させる洗浄装置におい
て、該ノズルがその接水面に鏡面仕上げした表面に形成
した不動態膜を有していることを特徴とする。
置、ノズル、配管を少なくとも有し、高温・高圧の水を
ノズルより被洗浄物に対し噴射させる洗浄装置におい
て、該ノズルがその接水面に鏡面仕上げした表面に形成
した不動態膜を有していることを特徴とする。
本発明の高温高圧洗浄装置は、圧送ポンプ、加熱装
置、ノズル、配管を少なくとも有し、25℃換算で17.0M
Ω・cm以上の比抵抗を有する超純水をノズルより被洗浄
物に対し噴射させる洗浄装置において、該ノズルがその
接水面に鏡面仕上げした表面に形成した不動態膜を有し
ていることを特徴とする高温・高圧洗浄装置。
置、ノズル、配管を少なくとも有し、25℃換算で17.0M
Ω・cm以上の比抵抗を有する超純水をノズルより被洗浄
物に対し噴射させる洗浄装置において、該ノズルがその
接水面に鏡面仕上げした表面に形成した不動態膜を有し
ていることを特徴とする高温・高圧洗浄装置。
以下に本発明の作用および詳細な構成を本発明をなす
に際して得た知見とともに説明する。
に際して得た知見とともに説明する。
従来高温高圧水スプレー洗浄においては、噴射水の物
理的な力によって、被洗浄物表面の汚れを除去するもの
であると考えられていた。そこで、本発明者は、圧力を
高くすることにより洗浄効果を高めようと試みたが、圧
力を高めた場合であっても必ずしも洗浄効果の向上は認
められなかった。
理的な力によって、被洗浄物表面の汚れを除去するもの
であると考えられていた。そこで、本発明者は、圧力を
高くすることにより洗浄効果を高めようと試みたが、圧
力を高めた場合であっても必ずしも洗浄効果の向上は認
められなかった。
そこで、本発明者は、高温高圧水スプレー洗浄におけ
る洗浄効果に寄与する因子の抜本的見直しを行った。
る洗浄効果に寄与する因子の抜本的見直しを行った。
その結果、高温高圧水スプレー洗浄においては、被洗
浄物にスプレーされる水の純度が洗浄効果に寄与するの
ではないかとの着想を得た。
浄物にスプレーされる水の純度が洗浄効果に寄与するの
ではないかとの着想を得た。
しかし、水の純度が洗浄効果に大きく寄与するのでは
ないかと推測されたとしても、実際にそうであるかどう
か、また、実際そうであっても具体的にどの程度の純度
とすれば洗浄効果が高くなるのかという点については全
く不明であった。そこで、本発明者は多数の実験を重ね
たところ、噴射時における水の純度を25℃換算で17.0M
Ω・cm以上とすれば洗浄効果が急激に向上することをつ
きとめ、本発明をなすにいたった。
ないかと推測されたとしても、実際にそうであるかどう
か、また、実際そうであっても具体的にどの程度の純度
とすれば洗浄効果が高くなるのかという点については全
く不明であった。そこで、本発明者は多数の実験を重ね
たところ、噴射時における水の純度を25℃換算で17.0M
Ω・cm以上とすれば洗浄効果が急激に向上することをつ
きとめ、本発明をなすにいたった。
噴射時における水の純度を、25℃換算で17.0MΩ・cm
以上とすれば洗浄効果が急激に向上する理由はあきらか
ではないが、かかる高純度の水の場合、水の本来持って
いる、多くのものを溶かし込み除去するという性質を発
揮し、また、水の中の不純物やパーティクルが洗浄面に
付着するということもないためではないかと考えられ
る。
以上とすれば洗浄効果が急激に向上する理由はあきらか
ではないが、かかる高純度の水の場合、水の本来持って
いる、多くのものを溶かし込み除去するという性質を発
揮し、また、水の中の不純物やパーティクルが洗浄面に
付着するということもないためではないかと考えられ
る。
次に本発明者は、上記知見に基づき、供給する水とし
て水道水ではなく、比抵抗が25℃換算で18.25MΩ・cmす
なわち不純物濃度が1ppb以下の超純水を用い、装置とし
て前記した従来の装置を用いて実験を行ったところ洗浄
効果の向上は認められなかった。
て水道水ではなく、比抵抗が25℃換算で18.25MΩ・cmす
なわち不純物濃度が1ppb以下の超純水を用い、装置とし
て前記した従来の装置を用いて実験を行ったところ洗浄
効果の向上は認められなかった。
そこで、さらに実験を進めたところ、供給する水とし
て、不純物濃度が1ppb以下の超純水を用いたとしてもノ
ズルより噴射される水には、数100ppb〜数100ppmの不純
物が含まれていることがわかった。
て、不純物濃度が1ppb以下の超純水を用いたとしてもノ
ズルより噴射される水には、数100ppb〜数100ppmの不純
物が含まれていることがわかった。
本発明者は、かかる不純物がどこで混入するかを調査
したところ、圧送ポンプ103、加熱装置104、配管105等
よりの不純物溶出により不純物の混入が生ずることを見
い出した。
したところ、圧送ポンプ103、加熱装置104、配管105等
よりの不純物溶出により不純物の混入が生ずることを見
い出した。
さらに、圧送ポンプ103の摺動部からパーティクルの
発生があることが確認されたが、驚くべきことに配管10
5からも不純物の溶出以外にパーティクルの発生がある
ことが見い出された。これは、高圧水と配管等の表面と
に生ずる摩擦のために発生するのではないかと考えられ
る。高温高圧水スプレー洗浄の時には、パーティクルは
高速で洗浄面に衝突して、洗浄面を傷つけることもわか
った。
発生があることが確認されたが、驚くべきことに配管10
5からも不純物の溶出以外にパーティクルの発生がある
ことが見い出された。これは、高圧水と配管等の表面と
に生ずる摩擦のために発生するのではないかと考えられ
る。高温高圧水スプレー洗浄の時には、パーティクルは
高速で洗浄面に衝突して、洗浄面を傷つけることもわか
った。
この対策として洗浄装置の末端に精製装置やフィルタ
ー等を設置することも行ったが、精製装置やフィルター
等による圧力損失が大きく、圧送ポンプ以降にこれらを
設置した場合には、十分な噴射圧力が得られず、その洗
浄効果も著しく低下していた。
ー等を設置することも行ったが、精製装置やフィルター
等による圧力損失が大きく、圧送ポンプ以降にこれらを
設置した場合には、十分な噴射圧力が得られず、その洗
浄効果も著しく低下していた。
以上のように、洗浄効果を高めるためには、単に供給
水に超純水を用いるだけでは不十分であることを本発明
者は見い出したのであり、結局、洗浄効果を高めるため
には、高温・高圧の超純水をノズルより被洗浄物に対し
噴射させる機能を有する洗浄装置を用いることが必要で
あることを見い出したものである。
水に超純水を用いるだけでは不十分であることを本発明
者は見い出したのであり、結局、洗浄効果を高めるため
には、高温・高圧の超純水をノズルより被洗浄物に対し
噴射させる機能を有する洗浄装置を用いることが必要で
あることを見い出したものである。
しかし、かかる機能を有する洗浄装置は従来存在して
いなかった。
いなかった。
そこで、水への不純物の混入を避けるための手段を探
究したところ、一つの例として接液面（水との接触部）
に加工変質層のない金属表面に、超高純度の（不純物濃
度数ppb以下の）酸化性雰囲気中で形成された不動態膜
で覆われた材料を用いると、不純物の混入を避け得るこ
とがわかった。特に、150℃以上400℃未満の温度におい
て加熱酸化せしめて形成された不動態膜で覆われた材料
を用いることが好ましい。
究したところ、一つの例として接液面（水との接触部）
に加工変質層のない金属表面に、超高純度の（不純物濃
度数ppb以下の）酸化性雰囲気中で形成された不動態膜
で覆われた材料を用いると、不純物の混入を避け得るこ
とがわかった。特に、150℃以上400℃未満の温度におい
て加熱酸化せしめて形成された不動態膜で覆われた材料
を用いることが好ましい。
特に重要なことは、かかる材料を圧送ポンプの摺動部
に用いると、摺動部からのパーティクルの発生を大幅に
抑えることができることがわかったことである。
に用いると、摺動部からのパーティクルの発生を大幅に
抑えることができることがわかったことである。
なお、加熱装置は水温を任意の温度に調整できるもの
を用いることが好ましい。例えば、ランプ加熱装置、電
気ヒーターを用いることが好ましい。
を用いることが好ましい。例えば、ランプ加熱装置、電
気ヒーターを用いることが好ましい。
また、超純水の加熱は、超純水と加熱装置を接触させ
ることなう行うことが好ましい。例えば熱交換器により
超純水の加熱を行えばよい。
ることなう行うことが好ましい。例えば熱交換器により
超純水の加熱を行えばよい。
また、圧送ポンプ、加熱装置、ノズル、配管はその一
部または全部がクリーンルーム内に設置することが不純
物の混入を極力低下させ得ることから好ましい。
部または全部がクリーンルーム内に設置することが不純
物の混入を極力低下させ得ることから好ましい。
なお、本発明における洗浄方法においては、純水中に
界面活性剤等を注入しておいてもよく、この場合には洗
浄効果をより一層高めることができる。
界面活性剤等を注入しておいてもよく、この場合には洗
浄効果をより一層高めることができる。
また、本発明の方法あるいは装置は、ウエハ等の基体
表面の洗浄に有効であることはいうまでもなく、スパッ
タリング装置等の成膜装置等の壁面の洗浄に用いてもよ
い。その場合、壁面の洗浄を極めて単時間で行うことが
可能になるのみならず、洗浄後、装置の再始動までに要
する時間（再立ち上げ時間）を大幅に短縮することが可
能となる。なお、壁面を高温・高圧の超純水で洗浄する
ことは従来行われていない。
表面の洗浄に有効であることはいうまでもなく、スパッ
タリング装置等の成膜装置等の壁面の洗浄に用いてもよ
い。その場合、壁面の洗浄を極めて単時間で行うことが
可能になるのみならず、洗浄後、装置の再始動までに要
する時間（再立ち上げ時間）を大幅に短縮することが可
能となる。なお、壁面を高温・高圧の超純水で洗浄する
ことは従来行われていない。
［実施例］ 本発明の実施例を第１図に示す。第１図において、超
純水供給装置201より水槽203に供給された超純水は、圧
送ポンプ204に供給され、加熱装置205により加熱され、
ノズル207より、スプレー状に洗浄面に吹き付けられ
る。
純水供給装置201より水槽203に供給された超純水は、圧
送ポンプ204に供給され、加熱装置205により加熱され、
ノズル207より、スプレー状に洗浄面に吹き付けられ
る。
本実施例では接液部には以下の処理を行ったステンレ
ス鋼（SUS316L材・JIS規格）を用いた。表面を電界研磨
技術により加工変質層のない鏡面（表面粗度５μmm以
下）に仕上げられたステンレス鋼を不純物（特に水分、
ハイドロカーボン）濃度の非常に少ない（数ppb以下）
高純度な酸化性雰囲気中で酸化処理を行った。酸化温度
380℃で、不動態膜の厚さ70〜80Å程度であった。ま
た、上記の酸化不働態膜は、非常に緻密な膜であり、脱
ガスが少なく、耐熱性、耐薬品性に優れ、超純水中への
不純物溶出が極めて少ないCr2O3酸化不働態表面であっ
た。また、上記のCr2O3酸化不働態が主体となるステン
レス材の他に、超高清浄な雰囲気中で窒化を行うことに
より形成した窒化膜をつけたTi材を用いてもよい。
ス鋼（SUS316L材・JIS規格）を用いた。表面を電界研磨
技術により加工変質層のない鏡面（表面粗度５μmm以
下）に仕上げられたステンレス鋼を不純物（特に水分、
ハイドロカーボン）濃度の非常に少ない（数ppb以下）
高純度な酸化性雰囲気中で酸化処理を行った。酸化温度
380℃で、不動態膜の厚さ70〜80Å程度であった。ま
た、上記の酸化不働態膜は、非常に緻密な膜であり、脱
ガスが少なく、耐熱性、耐薬品性に優れ、超純水中への
不純物溶出が極めて少ないCr2O3酸化不働態表面であっ
た。また、上記のCr2O3酸化不働態が主体となるステン
レス材の他に、超高清浄な雰囲気中で窒化を行うことに
より形成した窒化膜をつけたTi材を用いてもよい。
上記接液部は、超純水供給装置201の内面、水槽203の
内面、圧送ポンプ204の摺動部を含む水の通過面、加熱
装置205の内面、配管の内面、ノズルの内面等である。
内面、圧送ポンプ204の摺動部を含む水の通過面、加熱
装置205の内面、配管の内面、ノズルの内面等である。
なお、本例では、圧送ポンプとして、摺動部からの不
純物やパーティクルを強制的にリジェクト水として系外
に排出する渦流ポンプを用いた。なお、圧送ポンプとし
て、摺動部からの不純物やパーティクルを強制的にリジ
ェクト水として系外に排出する渦巻ポンプを用いてもよ
い。渦流ポンプの代表的な構造例を第２図に示す。軸受
け17と軸16との間の軸受シール14に、外部に連通する孔
が設けてあり、この孔から強制的に、摺動部近傍の水
（摺動部からのパーティクルを含む水）を系外に排出す
る。なお、図面上Ａで示した部分は接液部であり不動態
が形成されている面である。
純物やパーティクルを強制的にリジェクト水として系外
に排出する渦流ポンプを用いた。なお、圧送ポンプとし
て、摺動部からの不純物やパーティクルを強制的にリジ
ェクト水として系外に排出する渦巻ポンプを用いてもよ
い。渦流ポンプの代表的な構造例を第２図に示す。軸受
け17と軸16との間の軸受シール14に、外部に連通する孔
が設けてあり、この孔から強制的に、摺動部近傍の水
（摺動部からのパーティクルを含む水）を系外に排出す
る。なお、図面上Ａで示した部分は接液部であり不動態
が形成されている面である。
またノズルとしては、スプレーパターンや噴角が異な
る各種の物が市販されており、その使用目的に合わせて
扇型、充円錐、直進型等のノズルが使用可能である。し
かし、ノズル噴口では水が高速で流れるために、通常の
ノズルでは、摩耗やパーティクルの発生が起こってしま
う。これに対して、本発明ではパーティクルの発生や摩
耗の少ないノズル噴口の材質として、前記した表面に酸
化不働態膜が形成されているSUS316Lを用た。スプレー
パターンは扇型であり、噴角が12のものを用いたが、そ
のほかのノズルも使用可能である。第１図ではノズルか
ら２個所の例を示している。
る各種の物が市販されており、その使用目的に合わせて
扇型、充円錐、直進型等のノズルが使用可能である。し
かし、ノズル噴口では水が高速で流れるために、通常の
ノズルでは、摩耗やパーティクルの発生が起こってしま
う。これに対して、本発明ではパーティクルの発生や摩
耗の少ないノズル噴口の材質として、前記した表面に酸
化不働態膜が形成されているSUS316Lを用た。スプレー
パターンは扇型であり、噴角が12のものを用いたが、そ
のほかのノズルも使用可能である。第１図ではノズルか
ら２個所の例を示している。
このような接液表面に金属の不働態膜を形成させた高
温高圧超純水スプレー洗浄装置においては、接液面から
の不純物の溶出やパーティクルの発生が抑えられてお
り、洗浄装置に超純水を供給したところノズルから噴射
される超純水は装置入口の比抵抗と一致した。
温高圧超純水スプレー洗浄装置においては、接液面から
の不純物の溶出やパーティクルの発生が抑えられてお
り、洗浄装置に超純水を供給したところノズルから噴射
される超純水は装置入口の比抵抗と一致した。
この不純物を含まず、活性である高温高圧超純水を用
いると、通常の高温高圧水スプレー洗浄より洗浄効果が
高く、SUS316L電解複合研磨表面に意識的に塗布した機
械油や指紋が完全に除去された。
いると、通常の高温高圧水スプレー洗浄より洗浄効果が
高く、SUS316L電解複合研磨表面に意識的に塗布した機
械油や指紋が完全に除去された。
次に通常の薬液洗浄を行った場合と、その後に第１図
に示す装置を用いて高温高圧超純水スプレー洗浄を行っ
た場合の昇温時の被清浄物からの脱ガスをAPIMS（大気
圧イオン化質量分析計）を用いて測定した結果を第２図
及び第３図に示す。
に示す装置を用いて高温高圧超純水スプレー洗浄を行っ
た場合の昇温時の被清浄物からの脱ガスをAPIMS（大気
圧イオン化質量分析計）を用いて測定した結果を第２図
及び第３図に示す。
この実験は、SUS316Lを複合電解研磨した後に、HCl−
H2O2洗浄等の薬液洗浄を行った試験片（比較例）と、さ
らに、それと同じ試験片を第１図に示す装置を用いて、
60℃、10kg/cm2Gの高温高圧超純水スプレーで20分洗浄
と高純度のN2で乾燥した試験片を、別々に、350℃まで
昇温した場合の表面からの脱ガスをAPIMSで測定した。
H2O2洗浄等の薬液洗浄を行った試験片（比較例）と、さ
らに、それと同じ試験片を第１図に示す装置を用いて、
60℃、10kg/cm2Gの高温高圧超純水スプレーで20分洗浄
と高純度のN2で乾燥した試験片を、別々に、350℃まで
昇温した場合の表面からの脱ガスをAPIMSで測定した。
第２図、第３図においてm/Z＝40,41は、APIMS時のキ
ャリアガスであるArによるピークであり、m/Z＝18,19は
水分であり、その他はハイドロカーボン等の不純物によ
るピークである。第２図、第３図を比較すると、高温高
圧超純水スプレー洗浄を行うと、薬液洗浄によって除去
されないハイドロカーボン等の不純物は完全に除去され
ることがわかる。この結果により高温高圧超純水スプレ
ー洗浄の効果は大きいことが確認できた。
ャリアガスであるArによるピークであり、m/Z＝18,19は
水分であり、その他はハイドロカーボン等の不純物によ
るピークである。第２図、第３図を比較すると、高温高
圧超純水スプレー洗浄を行うと、薬液洗浄によって除去
されないハイドロカーボン等の不純物は完全に除去され
ることがわかる。この結果により高温高圧超純水スプレ
ー洗浄の効果は大きいことが確認できた。
（第２実施例） 本例においては、圧送ポンプとして遠心ポンプを用い
た。ただ、その接液部には上記不動態膜の形成されたス
テンレス鋼を用いた。
た。ただ、その接液部には上記不動態膜の形成されたス
テンレス鋼を用いた。
本例においては供給水として超純水（比抵抗18.25MΩ
・cm）を用いた。他の点は第１実施例と同様とした。
・cm）を用いた。他の点は第１実施例と同様とした。
本例では、噴射時における水の比抵抗は、17.0MΩ・c
mであったが、指紋、機械油はきれいに除去されてい
た。
mであったが、指紋、機械油はきれいに除去されてい
た。
（比較例） 本比較例では、噴射時における水の比抵抗が16.0MΩ
・cmとなるように供給水を供給した。本例では、指紋、
機械油の除去が十分ではなかった。
・cmとなるように供給水を供給した。本例では、指紋、
機械油の除去が十分ではなかった。
［発明の効果］ 以上述べたように本発明の洗浄装置によって、従来の
装置でみられた純度低下による洗浄効果の低下を防止
し、高温高圧超純水スプレー洗浄が可能になった。
装置でみられた純度低下による洗浄効果の低下を防止
し、高温高圧超純水スプレー洗浄が可能になった。
すなわち、現在フロン洗浄によって除去されている油
脂分の除去も可能であり、フロン洗浄装置の代替装置と
しても有効である。また上で述べたように、本発明の高
温高圧超純水スプレー洗浄を有効に活用することによっ
て、現在行われている薬品洗浄工程等の削除および代替
として十分対応可能である。また現在まで、洗浄水中の
不純物の問題があるために行われていなかった半導体工
業におけるウエハの洗浄にも十分活用できる。
脂分の除去も可能であり、フロン洗浄装置の代替装置と
しても有効である。また上で述べたように、本発明の高
温高圧超純水スプレー洗浄を有効に活用することによっ
て、現在行われている薬品洗浄工程等の削除および代替
として十分対応可能である。また現在まで、洗浄水中の
不純物の問題があるために行われていなかった半導体工
業におけるウエハの洗浄にも十分活用できる。
第１図は本発明の実施例を示す洗浄装置の概略図、第２
図は本発明の実施例で用いた圧送ポンプの例を示す断面
図、第３図は本発明の実施例による洗浄効果を示すグラ
フ、第４図は比較例の洗浄効果を示すグラフ、第５図は
従来例の洗浄装置の概略図である。 （符号の説明） 101……洗浄水供給管、102,203……水槽、103,204……
圧送ポンプ、104,205……加熱装置、105,206……配管、
106,207……ノズル、201……超純水供給装置、202……
超純水供給管。
図は本発明の実施例で用いた圧送ポンプの例を示す断面
図、第３図は本発明の実施例による洗浄効果を示すグラ
フ、第４図は比較例の洗浄効果を示すグラフ、第５図は
従来例の洗浄装置の概略図である。 （符号の説明） 101……洗浄水供給管、102,203……水槽、103,204……
圧送ポンプ、104,205……加熱装置、105,206……配管、
106,207……ノズル、201……超純水供給装置、202……
超純水供給管。
フロントページの続き (72)発明者 高原 靖 東京都新宿区中井２―25―18 合議体 審判長 高橋 美実 審判官 森 正幸 審判官 辻 徹二 (56)参考文献 特開 昭63−283027（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−51582（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−180946（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−169391（ＪＰ，Ａ)
Claims (14)
- 【請求項１】25℃換算で17.0MΩ・cm以上の比抵抗を有
する超純水を、鏡面仕上げした表面に形成した酸化不動
態を接水面に有するノズルを介して被洗浄物に噴射させ
ることにより洗浄を行うことを特徴とする高温・高圧洗
浄方法。 - 【請求項２】前記超純水を、圧送ポンプの摺動部からの
発塵をリジェクト水として系外に排出した後被洗浄物に
噴射させることを特徴とする請求項１記載の高温・高圧
洗浄方法。 - 【請求項３】前記洗浄をクリンーンルーム内において行
うことを特徴とする請求項１または３に記載の高温・高
圧洗浄方法。 - 【請求項４】界面活性剤を超純水中に注入することを特
徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の高温
・高圧洗浄方法。 - 【請求項５】前記洗浄は、成膜装置の壁面の洗浄である
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の高温・高圧洗
浄方法。 - 【請求項６】前記洗浄は、成膜を行う基体表面の洗浄で
ある請求項１ないし４のいずれか１項に記載の高温・高
圧洗浄方法。 - 【請求項７】超純水を10kg/cm2以上の圧力で噴射させる
ことを特徴とする請求項１ないし６いずれか１項に記載
の高温・高圧洗浄方法。 - 【請求項８】圧送ポンプ、加熱装置、ノズル、配管を少
なくとも有し、25℃換算で17.0MΩ・cm以上の比抵抗を
有する超純水をノズルより被洗浄物に対し噴射させる洗
浄装置において、該ノズルがその接水面に鏡面仕上げし
た表面に形成した不動態膜を有していることを特徴とす
る高温・高圧洗浄装置。 - 【請求項９】前記圧送ポンプとして、摺動部からの発塵
をリジェクト水として、系外に排出し得る圧送ポンプを
用いたことを特徴とする請求項８記載の高温・高圧洗浄
装置。 - 【請求項１０】前記圧送ポンプは流量及び圧力を可変で
きることを特徴とする請求項８または９記載の高温・高
圧洗浄装置。 - 【請求項１１】前記圧送ポンプ、加熱装置、ノズル、配
管はその一部または全部がクリーンルーム内に設置され
ていることを特徴とする請求項８ないし10のいずれか１
項に記載の高温・高圧洗浄装置。 - 【請求項１２】前記加熱装置は、水温を任意の温度に調
整可能な加熱装置である請求項８ないし11のいずれか１
項に記載の高温・高圧洗浄装置。 - 【請求項１３】前記加熱装置は、ランプ加熱炉または電
気ヒータより構成されている請求項８ないし12のいずれ
か１項に記載の高温・高圧洗浄装置。 - 【請求項１４】前記ノズルは複数個設けられている請求
項８ないし13のいずれか１項に記載の高温・高圧洗浄装
置。
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|---|---|---|---|
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| EP19910901639 EP0509097A4 (en) | 1990-01-07 | 1991-01-07 | High-temperature high-pressure washing method and washing apparatus |
| US07/867,692 US5326035A (en) | 1990-01-07 | 1991-01-07 | High purity cleaning system |
| EP95106307A EP0669641A1 (en) | 1990-01-07 | 1991-01-07 | High temperature and high pressure cleaning equipment |
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| JP00087390A Expired - Fee Related JP3187405B2 (ja) | 1990-01-07 | 1990-01-07 | 高温・高圧洗浄方法及び洗浄装置 |
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| JPH08238463A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Ebara Corp | 洗浄方法及び洗浄装置 |
| WO1997044817A1 (en) * | 1996-05-24 | 1997-11-27 | Seh America, Inc. | Hot ultra-pure water dewaxing process |
| JP3369418B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2003-01-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 超音波振動子、超音波洗浄ノズル、超音波洗浄装置、基板洗浄装置、基板洗浄処理システムおよび超音波洗浄ノズル製造方法 |
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| JP4135780B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2008-08-20 | ユーシーティー株式会社 | 薬液定量注入装置および方法 |
| US6321759B1 (en) | 1997-12-26 | 2001-11-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for cleaning a substrate |
| JP3890153B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2007-03-07 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造方法及び製造装置 |
| US6406554B1 (en) | 1997-12-26 | 2002-06-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for producing electrophotographic photosensitive member |
| US5979474A (en) * | 1998-05-12 | 1999-11-09 | Sumitomo Sitix Corporation | Cleaning equipment for semiconductor substrates |
| US7837805B2 (en) * | 2007-08-29 | 2010-11-23 | Micron Technology, Inc. | Methods for treating surfaces |
| WO2011031782A2 (en) * | 2009-09-08 | 2011-03-17 | Georg Fischer Signet Llc | System and method for measuring conductivity/resistivity of water having high purity |
| CN102430537A (zh) * | 2011-12-09 | 2012-05-02 | 山东新华医疗器械股份有限公司 | 蒸汽清洗蒸发器装置 |
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| US10620060B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-04-14 | Georg Fischer Signet, LLC | Combined ultrasonic temperature and conductivity sensor assembly |
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Family Cites Families (14)
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|---|---|---|---|---|
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| GB1573206A (en) * | 1975-11-26 | 1980-08-20 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of trating surfaces of intermediate products obtained in the manufacture of semiconductor devices |
| JPS5271871A (en) * | 1975-12-11 | 1977-06-15 | Nec Corp | Washing apparatus |
| US4361163A (en) * | 1981-01-02 | 1982-11-30 | Seiichiro Aigo | Apparatus for washing semiconductor materials |
| JPS57196520A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Fujitsu Ltd | Rinsing method for epitaxial growing apparatus |
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| JPS61191818A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-26 | Toshiba Corp | 半導体処理装置 |
| JPS6356921A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-03-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板の処理方法 |
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| JPS63283027A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-18 | Toshiba Corp | 半導体の洗浄方法 |
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| JPS63299233A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Hoya Corp | 処理装置 |
| JPH01210092A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Sonitsuku Fueroo Kk | 精密洗浄の乾燥方法 |
| JPH01318775A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-25 | Toyoda Mach Works Ltd | ベーンポンプ |
-
1990
- 1990-01-07 JP JP00087390A patent/JP3187405B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-01-07 WO PCT/JP1991/000002 patent/WO1991011021A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1991-01-07 US US07/867,692 patent/US5326035A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-01-07 EP EP95106307A patent/EP0669641A1/en not_active Withdrawn
- 1991-01-07 EP EP19910901639 patent/EP0509097A4/en not_active Withdrawn
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| JPH03205824A (ja) | 1991-09-09 |
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