JPS61191818A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
- Publication number
- JPS61191818A JPS61191818A JP3229985A JP3229985A JPS61191818A JP S61191818 A JPS61191818 A JP S61191818A JP 3229985 A JP3229985 A JP 3229985A JP 3229985 A JP3229985 A JP 3229985A JP S61191818 A JPS61191818 A JP S61191818A
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- JP
- Japan
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- exhaust
- opening
- reaction chamber
- clean room
- air
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- Pending
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- Ventilation (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体処理装置、特に半導体基板の洗浄、エツ
チング等を行うための半導体処理装置に関する。
チング等を行うための半導体処理装置に関する。
半導体装置製造工程の中でも、半導体基板の洗浄、エツ
チングは歩留りを左右する重要な工程である。第３図に
従来一般に用いられている洗浄、エツチングのための半
導体処理装置を示す。反応室１内には洗浄槽２が設置さ
れ、この洗浄槽２の中には洗浄、又はエツチングすべき
半導体基板３と反応液が入れられる。
チングは歩留りを左右する重要な工程である。第３図に
従来一般に用いられている洗浄、エツチングのための半
導体処理装置を示す。反応室１内には洗浄槽２が設置さ
れ、この洗浄槽２の中には洗浄、又はエツチングすべき
半導体基板３と反応液が入れられる。
反応室１には開閉自在な開口窓４が設けられており、開
口状態は全開状態から全開状態に至るまで自由に調節す
ることができる。一般に反応液は有害な化学物質である
ことが多いため、反応中反応室１内の大気は排気管５、
浄化装Ｍ６を通じて排気ファン７によって外部へ排気さ
れる。この際、開口窓４は適度に同口され、クリーンル
ーム内の清浄な空気が反応室１内に取込まれ循環するよ
うにする。
口状態は全開状態から全開状態に至るまで自由に調節す
ることができる。一般に反応液は有害な化学物質である
ことが多いため、反応中反応室１内の大気は排気管５、
浄化装Ｍ６を通じて排気ファン７によって外部へ排気さ
れる。この際、開口窓４は適度に同口され、クリーンル
ーム内の清浄な空気が反応室１内に取込まれ循環するよ
うにする。
前述のように反応液の多くは有害な化学物質であるため
、開口部８を通って反応室１へ取込まれる空気流速度は
各種法令に厳しく定められている。
、開口部８を通って反応室１へ取込まれる空気流速度は
各種法令に厳しく定められている。
例えば特定化学物質等障害予防規則に規定されている化
学物質を反応液として用いる場合、開口部８の空気流速
度はＱ、５ ｍ／ｓｅｃ以上、有機溶剤中毒予防規則に
規定されている化学物質を反応液として用いる場合、開
口部８の空気流速度は０、４ ｓ／ｓｅｃ以上と定めら
れている。そこで従来装置では開口部８の最大開口時に
この条件を満足させるように排気ファン６の排気量を制
御していた。
学物質を反応液として用いる場合、開口部８の空気流速
度はＱ、５ ｍ／ｓｅｃ以上、有機溶剤中毒予防規則に
規定されている化学物質を反応液として用いる場合、開
口部８の空気流速度は０、４ ｓ／ｓｅｃ以上と定めら
れている。そこで従来装置では開口部８の最大開口時に
この条件を満足させるように排気ファン６の排気量を制
御していた。
しかしながら同じ排気量であっても開口部８の面積によ
って開口部８の空気流速度が異なる。即ち、開口部８の
面積が小さくなるに従って空気流速度は速くなる。この
ため従来装置では開口窓４が全開状態でない限り必要以
上の空気流速度で排気を行うことになり、排気系の負担
が大きく、電力も大きく消費し、経済性が悪いという欠
点があった。
って開口部８の空気流速度が異なる。即ち、開口部８の
面積が小さくなるに従って空気流速度は速くなる。この
ため従来装置では開口窓４が全開状態でない限り必要以
上の空気流速度で排気を行うことになり、排気系の負担
が大きく、電力も大きく消費し、経済性が悪いという欠
点があった。
また、クリーンルーム内の清浄な空気を不必要に排気し
てしまうため、クリーンルーム内の空気の清浄度が低下
するという欠点もある。例えばクリーンルームの大キサ
を３００’ｍ３（１０ｓ ｘｌＧ ｍ×３１）とし、開
口部８の総面積を５ ｍ２とした場合について考える。
てしまうため、クリーンルーム内の空気の清浄度が低下
するという欠点もある。例えばクリーンルームの大キサ
を３００’ｍ３（１０ｓ ｘｌＧ ｍ×３１）とし、開
口部８の総面積を５ ｍ２とした場合について考える。
一般にクリーンルームの清浄度をクラス１０００（１立
法フイートの空気中における粒子径０．５μｍ以上の粉
塵数が１０００以下の清浄度）に保つためにはクリーン
ルームの換気回数を２００回／時とすることが必要とさ
れている。従って１時間あたりクリーンルームに供給さ
れる空気ｍは３００たんい３Ｘ２００＝６００００ｍ３
である。一方、排気される空気ｍは開口部における空気
流速度を０．５ ｍ／ｓｅＣに保ったとすると５ｍ２ｘ
Ｏ，５ｍ／ｓｅｃ ｘ３６００ｓｅｃ＝９０００ｍ３で
（Ｔ） る、従っテ９０００ｍ ／６００００ｍ３−
１５％もの清浄な空気が排気されてしまうことになり、
清浄度にかなり悪影響を与えることになる。
法フイートの空気中における粒子径０．５μｍ以上の粉
塵数が１０００以下の清浄度）に保つためにはクリーン
ルームの換気回数を２００回／時とすることが必要とさ
れている。従って１時間あたりクリーンルームに供給さ
れる空気ｍは３００たんい３Ｘ２００＝６００００ｍ３
である。一方、排気される空気ｍは開口部における空気
流速度を０．５ ｍ／ｓｅＣに保ったとすると５ｍ２ｘ
Ｏ，５ｍ／ｓｅｃ ｘ３６００ｓｅｃ＝９０００ｍ３で
（Ｔ） る、従っテ９０００ｍ ／６００００ｍ３−
１５％もの清浄な空気が排気されてしまうことになり、
清浄度にかなり悪影響を与えることになる。
そこで本発明は排気系運転時の経済性が良く、しかもク
リーンルームに設置したときのクリーンルーム内空気の
清浄度の低下を防止することができる半導体処理装置を
提供することを目的とする。
リーンルームに設置したときのクリーンルーム内空気の
清浄度の低下を防止することができる半導体処理装置を
提供することを目的とする。
本発明の特徴は、半導体基板を収納する反応室と、この
反・応室に設けられた開閉自在な開口窓と、反応室に接
続された排気管と、この排気管を通じて反応室内の気体
を排気する排気ファンと、をそなえた半導体処理装置に
おいて、排気ファンによる排気量を開口窓の開口状態に
応じて制御する制御装置を設け、排気系運転時の経済性
をよくし、しかもクリーンルームに設置したときのクリ
ーンルーム内空気の清浄度の低下を防止した点にある。
反・応室に設けられた開閉自在な開口窓と、反応室に接
続された排気管と、この排気管を通じて反応室内の気体
を排気する排気ファンと、をそなえた半導体処理装置に
おいて、排気ファンによる排気量を開口窓の開口状態に
応じて制御する制御装置を設け、排気系運転時の経済性
をよくし、しかもクリーンルームに設置したときのクリ
ーンルーム内空気の清浄度の低下を防止した点にある。
本発明の別な特徴は、前述の半導体処理装置に、更に、
クリーンルームに空気を供給する供給ファンによる空気
供給量を開口窓の開口状態に応じて制御する制御装置を
設け、排気系運転時の経済性をよくし、しかもクリーン
ルームに設置したときのクリーンルーム内空気の清浄度
の低下を防止した点にある。
クリーンルームに空気を供給する供給ファンによる空気
供給量を開口窓の開口状態に応じて制御する制御装置を
設け、排気系運転時の経済性をよくし、しかもクリーン
ルームに設置したときのクリーンルーム内空気の清浄度
の低下を防止した点にある。
（発明の実施例〕
以下本発明を図示する実施例に基づいて説明する。第１
図は本発明の一実施例の説明図である。
図は本発明の一実施例の説明図である。
反応室としての洗浄ブース９−１．９−２．９−３には
それぞれ排気管１０−１．１０−２．１０−３が設番プ
られており、これらは排気管１０に接続されている。排
気管１０は浄化装置１１を介して排気ファン１２に接続
されている。各洗浄ブースには、それぞれ開口窓が設け
られており（図示されていない。）、各開口窓には開口
窓位置センサ１３−１．１３−２．１３−３が設けられ
ている。このセンサの出力は制御装置１４に与えられる
。制御装置１４は各センサからの出力に基づいて現在の
各洗浄ブースの開口部面積を演算し、開口部総面積を求
める。この開口部総面積に応じて排気ファン１２に制御
信号を送るが、このとき各開口部の空気流速度が一定の
基準値となるように排気量が調整されるようなυＮｉｌ
信号を送る。このように各洗浄ブースの開口窓の開口状
態に応じた最適な排気量を保つことにより、必要以上の
排気を行わずにすみ、排気系運転時の経済性が良くなり
、しかもクリーンルームの清浄度の低下の防止が図れる
。実際に、排気系の運転コストは従来装置に比べて５〜
１０％の節約が達成できた。
それぞれ排気管１０−１．１０−２．１０−３が設番プ
られており、これらは排気管１０に接続されている。排
気管１０は浄化装置１１を介して排気ファン１２に接続
されている。各洗浄ブースには、それぞれ開口窓が設け
られており（図示されていない。）、各開口窓には開口
窓位置センサ１３−１．１３−２．１３−３が設けられ
ている。このセンサの出力は制御装置１４に与えられる
。制御装置１４は各センサからの出力に基づいて現在の
各洗浄ブースの開口部面積を演算し、開口部総面積を求
める。この開口部総面積に応じて排気ファン１２に制御
信号を送るが、このとき各開口部の空気流速度が一定の
基準値となるように排気量が調整されるようなυＮｉｌ
信号を送る。このように各洗浄ブースの開口窓の開口状
態に応じた最適な排気量を保つことにより、必要以上の
排気を行わずにすみ、排気系運転時の経済性が良くなり
、しかもクリーンルームの清浄度の低下の防止が図れる
。実際に、排気系の運転コストは従来装置に比べて５〜
１０％の節約が達成できた。
第２図は本発明の別な一実施例の説明図である。
ここで前述の実施例と同一構成要素については同一符号
を付し説明を省略する。本実施例では洗浄ブース９−１
．９−２．９−３はクリーンルーム１５内に配置されて
おり、このクリーンルーム１５には供給ファン１６によ
って清浄な空気が送り込まれている。供給ファン１６は
制御装＠１４によってυ制御されており、空気供給量が
排気ファン１２による排気量と同程度になるよう調整さ
れる。このようにしてクリーンルーム内の清浄な空気の
流れを一定に保つことにより塵埃の舞い上り等を防止す
ることができる。
を付し説明を省略する。本実施例では洗浄ブース９−１
．９−２．９−３はクリーンルーム１５内に配置されて
おり、このクリーンルーム１５には供給ファン１６によ
って清浄な空気が送り込まれている。供給ファン１６は
制御装＠１４によってυ制御されており、空気供給量が
排気ファン１２による排気量と同程度になるよう調整さ
れる。このようにしてクリーンルーム内の清浄な空気の
流れを一定に保つことにより塵埃の舞い上り等を防止す
ることができる。
（発明の効果）
以上の通り本発明によれば、半導体処理装置において、
反応室の開口窓の開口状態に応じて反応室からの排気量
およびクリーンルームへの空気供給間を制御するように
したため、排気系運転時の経済性がよくなり、しかもク
リーンルームに設置したときのクリーンルーム内空気の
清浄度の低下を防止することができる。
反応室の開口窓の開口状態に応じて反応室からの排気量
およびクリーンルームへの空気供給間を制御するように
したため、排気系運転時の経済性がよくなり、しかもク
リーンルームに設置したときのクリーンルーム内空気の
清浄度の低下を防止することができる。
第１図は本発明の一実施例の説明図、第２図は本発明の
別な一実施例の説明図、第３図は従来の半導体処理装置
の説明図である。 １・・・反応室、２・・・洗浄層、３・・・半導体基板
、４・・・開口窓、５・・・排気管、６・・・浄化装置
、７・・・排気ファン、８・・・開口部、９・・・洗浄
ブース、１０・・・排気管、１１・・・浄化装置、１２
・・・排気ファン、１３・・・開口窓位置センサ、１４
・・・制御装置、１５・・・クリーンルーム、１６・・
・供給ファン。 第３図
別な一実施例の説明図、第３図は従来の半導体処理装置
の説明図である。 １・・・反応室、２・・・洗浄層、３・・・半導体基板
、４・・・開口窓、５・・・排気管、６・・・浄化装置
、７・・・排気ファン、８・・・開口部、９・・・洗浄
ブース、１０・・・排気管、１１・・・浄化装置、１２
・・・排気ファン、１３・・・開口窓位置センサ、１４
・・・制御装置、１５・・・クリーンルーム、１６・・
・供給ファン。 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板を収納する反応室と、前記反応室に設け
られた開閉自在な開口窓と、前記反応室に接続された排
気管と、前記排気管を通じて前記反応室内の気体を排気
する排気ファンと、前記開口窓の開口状態に応じて前記
排気ファンによる排気量を制御する制御装置と、を備え
ることを特徴とする半導体処理装置。 ２、排気量が開口窓の開口面積に比例した量となるよう
な制御を制御装置が行うことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の半導体処理装置。 ３、複数の反応室の排気を単一の排気ファンで行い、前
記複数の反応室の開口窓の開口総面積に応じて前記排気
ファンによる排気量を制御することを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の半導体処理装置。 ４、クリーンルーム内に設置され、半導体基板を収納す
る反応室と、前記反応室に設けられた開閉自在な開口窓
と、前記反応室に接続された排気管と、前記排気管を通
じて前記反応室内の気体を排気する排気ファンと、前記
クリーンルームに空気を供給する供給ファンと、前記開
口窓の開口状態に応じて前記排気ファンによる排気量お
よび前記供給ファンによる供給量を制御する制御装置と
、を備えることを特徴とする半導体処理装置。 ５、排気量および供給量が、開口窓の開口面積に比例し
た量となるような制御を制御装置が行うことを特徴とす
る特許請求の範囲第４項記載の半導体処理装置。 ６、複数の反応室の排気を単一の排気ファンで行い、前
記複数の反応室の開口窓の開口総面積に応じて前記排気
ファンによる排気量を制御することを特徴とする特許請
求の範囲第４項記載の半導体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3229985A JPS61191818A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3229985A JPS61191818A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 半導体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61191818A true JPS61191818A (ja) | 1986-08-26 |
Family
ID=12355071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3229985A Pending JPS61191818A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61191818A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991011021A1 (en) * | 1990-01-07 | 1991-07-25 | Tadahiro Ohmi | High-temperature high-pressure washing method and washing apparatus |
-
1985
- 1985-02-20 JP JP3229985A patent/JPS61191818A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991011021A1 (en) * | 1990-01-07 | 1991-07-25 | Tadahiro Ohmi | High-temperature high-pressure washing method and washing apparatus |
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