JPH06163494A - 半導体洗浄装置の排気ガス制御機構 - Google Patents
半導体洗浄装置の排気ガス制御機構Info
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- JPH06163494A JPH06163494A JP4335096A JP33509692A JPH06163494A JP H06163494 A JPH06163494 A JP H06163494A JP 4335096 A JP4335096 A JP 4335096A JP 33509692 A JP33509692 A JP 33509692A JP H06163494 A JPH06163494 A JP H06163494A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体洗浄装置の排気ガスを円滑に排出でき
る制御機構を提供する。 【構成】 第１の実施例は、筐体１の各扉11b,12b の開
放を検出する扉センサ61,62 と、排出管15の排気ガスの
排出量を制御する排気ダンパ64、および排気ダンパ64の
入出力の圧力差を検出する圧力差センサ63よりなる検出
制御手段６を設ける。また、各扉11b,12b の閉鎖時に
は、入力した圧力差センサ63の検出信号により、排気フ
ァン41の送風量を適量に調整するファン制御信号と、排
気ダンパ64の排出量を一定量に制御するダンパ制御信号
とをそれぞれ出力し、各扉の開放時には、入力した扉セ
ンサ61,62 の検出信号により、排気ファン41の送風量を
倍増する倍増制御信号を出力する制御信号発生部７を設
けて構成される。第２の実施例においては、第１の実施
例に対して、１入力２出力ゲート65と、排気ポンプ66、
および制御回路が追加される。 【効果】 排気ガスは各扉の閉鎖中と開放中に、つねに
円滑に排出されて筐体内に滞留せず、従って筐体の各部
の腐食と壽命の減退が防止される。
る制御機構を提供する。 【構成】 第１の実施例は、筐体１の各扉11b,12b の開
放を検出する扉センサ61,62 と、排出管15の排気ガスの
排出量を制御する排気ダンパ64、および排気ダンパ64の
入出力の圧力差を検出する圧力差センサ63よりなる検出
制御手段６を設ける。また、各扉11b,12b の閉鎖時に
は、入力した圧力差センサ63の検出信号により、排気フ
ァン41の送風量を適量に調整するファン制御信号と、排
気ダンパ64の排出量を一定量に制御するダンパ制御信号
とをそれぞれ出力し、各扉の開放時には、入力した扉セ
ンサ61,62 の検出信号により、排気ファン41の送風量を
倍増する倍増制御信号を出力する制御信号発生部７を設
けて構成される。第２の実施例においては、第１の実施
例に対して、１入力２出力ゲート65と、排気ポンプ66、
および制御回路が追加される。 【効果】 排気ガスは各扉の閉鎖中と開放中に、つねに
円滑に排出されて筐体内に滞留せず、従って筐体の各部
の腐食と壽命の減退が防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体洗浄装置にお
ける有害な排気ガスの制御機構に関する。
ける有害な排気ガスの制御機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体のＩＣは、ウエハの表面に配線パ
ターンを形成して製作される。配線パターンは形成中に
種々の薬剤により汚染されているので、これが形成され
た段階でウエハは洗浄装置により洗浄されている。図３
は、一部を破断した半導体洗浄装置１０の外観図を示
す。洗浄装置１０の筐体１の両側板11,12 にはワークに
対する通過窓（以下単に窓）11a,12a と、各窓に対する
開閉扉（以下単に扉）11b,12b が設けられ、また筐体１
の内部は窓13a を有する仕切板13により左右に区分され
ている。右側には薬剤槽２が設置され、これにアンモニ
ア（ＮＨ4 ＯＨ）または塩酸（ＨＣＬ）に過酸化水（Ｈ
2 Ｏ2）を加えた洗浄薬剤が、さらに純水（Ｈ2 Ｏ）に
混合された混合溶液またはフッ酸等の薬品が充たされ
る。また、左側には純水のみを充たした純水槽３が設置
される。被洗浄のワークは、カセットに収容された複数
枚の半導体ウエハよりなり、図示しないハンドリング機
構により搬送される。まず右側の扉11b を開放し、被洗
浄のワークは窓11a を通って薬剤槽２まで搬送され、混
合溶液に浸漬して薬剤洗浄される。これが終了すると、
ワークは仕切板13の窓13b を通って純水槽３の純水に浸
漬され、仕上げ洗浄がなされる。各洗浄作業中は両側の
扉11a,11b は閉じられて内部が密閉される。仕上げ洗浄
が終了すると、左側の扉12b を開放し、洗浄済みワーク
は窓12a を通って筐体1 の外部に排出される。
ターンを形成して製作される。配線パターンは形成中に
種々の薬剤により汚染されているので、これが形成され
た段階でウエハは洗浄装置により洗浄されている。図３
は、一部を破断した半導体洗浄装置１０の外観図を示
す。洗浄装置１０の筐体１の両側板11,12 にはワークに
対する通過窓（以下単に窓）11a,12a と、各窓に対する
開閉扉（以下単に扉）11b,12b が設けられ、また筐体１
の内部は窓13a を有する仕切板13により左右に区分され
ている。右側には薬剤槽２が設置され、これにアンモニ
ア（ＮＨ4 ＯＨ）または塩酸（ＨＣＬ）に過酸化水（Ｈ
2 Ｏ2）を加えた洗浄薬剤が、さらに純水（Ｈ2 Ｏ）に
混合された混合溶液またはフッ酸等の薬品が充たされ
る。また、左側には純水のみを充たした純水槽３が設置
される。被洗浄のワークは、カセットに収容された複数
枚の半導体ウエハよりなり、図示しないハンドリング機
構により搬送される。まず右側の扉11b を開放し、被洗
浄のワークは窓11a を通って薬剤槽２まで搬送され、混
合溶液に浸漬して薬剤洗浄される。これが終了すると、
ワークは仕切板13の窓13b を通って純水槽３の純水に浸
漬され、仕上げ洗浄がなされる。各洗浄作業中は両側の
扉11a,11b は閉じられて内部が密閉される。仕上げ洗浄
が終了すると、左側の扉12b を開放し、洗浄済みワーク
は窓12a を通って筐体1 の外部に排出される。
【０００３】上記において、混合溶液が含有するアンモ
ニアまたは塩酸は劇物で揮発性があり、薬剤槽２から発
散した揮発ガスは筐体１内の各部を腐食する恐れがある
ので、これを室外に排出するために排気機構が設けられ
ている。前記の図３において、純水槽３の上部に排気フ
ァン41とエアフィルタ42よりなる送風機構４が設けら
れ、クリーンエアＡがダウンフローする。図４は排気ル
ートを示し、(a) は平面図、(b) は正面図である。図４
(a),(b) において、筐体１の背面側板14の薬剤槽２側に
排出管15を設け、開閉バルブ16を通して工場内の共通排
気管５に接続する。共通排気管５には他の多数の洗浄装
置の排出管が接続されている。送風機構４よりダウンフ
ローしたクリーンエアＡは、仕切板13の窓13a を通り、
薬剤槽２より発散した揮発ガスＧと合流して排気ガス
（Ａ＋Ｇ）となり、排出管15を経て共通排気管５に排出
され、室外の所定の場所で無害処理されて大気中に放出
される。
ニアまたは塩酸は劇物で揮発性があり、薬剤槽２から発
散した揮発ガスは筐体１内の各部を腐食する恐れがある
ので、これを室外に排出するために排気機構が設けられ
ている。前記の図３において、純水槽３の上部に排気フ
ァン41とエアフィルタ42よりなる送風機構４が設けら
れ、クリーンエアＡがダウンフローする。図４は排気ル
ートを示し、(a) は平面図、(b) は正面図である。図４
(a),(b) において、筐体１の背面側板14の薬剤槽２側に
排出管15を設け、開閉バルブ16を通して工場内の共通排
気管５に接続する。共通排気管５には他の多数の洗浄装
置の排出管が接続されている。送風機構４よりダウンフ
ローしたクリーンエアＡは、仕切板13の窓13a を通り、
薬剤槽２より発散した揮発ガスＧと合流して排気ガス
（Ａ＋Ｇ）となり、排出管15を経て共通排気管５に排出
され、室外の所定の場所で無害処理されて大気中に放出
される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】さて、上記の排気ガス
の排出力は、送風機構４よりダウンフローするクリーン
エアＡの風圧に依存しており、この風圧は格別に制御さ
れていないため、共通排気管５内のエア圧に左右されて
排出が円滑になされない場合がある。すなわち共通排気
管５のエア圧は、多数の洗浄装置より排出される排気ガ
スにより絶えず変動する。エア圧が低下すると排気機構
の排出力が弱化し、揮発ガスＧが付近に滞留し、または
図４に点線で示すように純水槽３の側に逆流し、送風機
構４や筐体内の各部が漸次に腐食して洗浄装置１０の寿
命が縮まる。さらに、ワークの搬送時には各扉11b,12b
が開放されるので、クリーンエアＡの風圧が大きく低下
して排気ガスの排出が困難になる。このような排出不良
を防止して排気ガスを円滑に排出するには、適当な位置
にエア圧センサと制御機構を設け、センサの検出信号に
より、排気ファン41や排気ルートを制御することが必要
である。この発明は上記に鑑みてなされたもので、半導
体洗浄装置の排気ガスを円滑に排出できる制御機構を提
供することを目的とする。
の排出力は、送風機構４よりダウンフローするクリーン
エアＡの風圧に依存しており、この風圧は格別に制御さ
れていないため、共通排気管５内のエア圧に左右されて
排出が円滑になされない場合がある。すなわち共通排気
管５のエア圧は、多数の洗浄装置より排出される排気ガ
スにより絶えず変動する。エア圧が低下すると排気機構
の排出力が弱化し、揮発ガスＧが付近に滞留し、または
図４に点線で示すように純水槽３の側に逆流し、送風機
構４や筐体内の各部が漸次に腐食して洗浄装置１０の寿
命が縮まる。さらに、ワークの搬送時には各扉11b,12b
が開放されるので、クリーンエアＡの風圧が大きく低下
して排気ガスの排出が困難になる。このような排出不良
を防止して排気ガスを円滑に排出するには、適当な位置
にエア圧センサと制御機構を設け、センサの検出信号に
より、排気ファン41や排気ルートを制御することが必要
である。この発明は上記に鑑みてなされたもので、半導
体洗浄装置の排気ガスを円滑に排出できる制御機構を提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は半導体洗浄装
置の排気ガス制御機構であって、各扉の開放を検出する
扉センサと、排出管に直列に接続され、排気ガスの排出
量を制御する排気ダンパ、および排気ダンパの入出力の
圧力差を検出する圧力差センサよりなる検出制御手段を
設ける。また、各センサの検出信号が入力し、各扉の閉
鎖時には、入力した圧力差センサの検出信号により、排
気ファンの送風量を適量に調整するファン制御信号と、
排気ダンパの排出量を一定量に制御するダンパ制御信号
とをそれぞれ出力し、各扉の開放時には、入力した扉セ
ンサの検出信号により、排気ファンの送風量を倍増する
倍増制御信号を出力する、制御信号発生部を設けて構成
される。上記において、排出管に排気ガスを２方向に切
り替える１入力２出力ゲートを接続し、ゲートの一方の
出力側に上記の排気ダンパと圧力差センサとを接続し、
他方の出力側に、倍増制御信号により動作して一定限度
を越えて増加した排気ファンの送風量を、強制的に排出
する排気ポンプを接続する。
置の排気ガス制御機構であって、各扉の開放を検出する
扉センサと、排出管に直列に接続され、排気ガスの排出
量を制御する排気ダンパ、および排気ダンパの入出力の
圧力差を検出する圧力差センサよりなる検出制御手段を
設ける。また、各センサの検出信号が入力し、各扉の閉
鎖時には、入力した圧力差センサの検出信号により、排
気ファンの送風量を適量に調整するファン制御信号と、
排気ダンパの排出量を一定量に制御するダンパ制御信号
とをそれぞれ出力し、各扉の開放時には、入力した扉セ
ンサの検出信号により、排気ファンの送風量を倍増する
倍増制御信号を出力する、制御信号発生部を設けて構成
される。上記において、排出管に排気ガスを２方向に切
り替える１入力２出力ゲートを接続し、ゲートの一方の
出力側に上記の排気ダンパと圧力差センサとを接続し、
他方の出力側に、倍増制御信号により動作して一定限度
を越えて増加した排気ファンの送風量を、強制的に排出
する排気ポンプを接続する。
【０００６】
【作用】上記の制御機構においては、各扉センサによ
り、それぞれの開放が検出され、また排出管に接続され
た圧力差センサにより、排気ダンパの入出力の圧力差が
検出され、各検出信号は信号処理部に入力する。各扉の
閉鎖時には、入力した圧力差センサの検出信号により、
制御信号発生部より、ファン制御信号とダンパ制御信号
がそれぞれ出力される。ファン制御信号は排気ファンに
入力して送風量が適量に調整され、ダンパ制御信号は排
気ダンパに入力して排気ガスの排出量が一定量に制御さ
れる。また各扉の開放時には、入力した扉センサの検出
信号により、制御信号発生部より出力される倍増制御信
号が、排気ファンと排気ダンパにそれぞれ入力して送風
量と排出量が倍増される。次に、排出管に１入力２出力
ゲートを接続した場合は、上記倍増の程度により送風量
が一定限度を越えて増加して排気ダンパが応じきれない
とき、排気ポンプが倍増制御信号により動作してこれが
強制的に排出される。以上により、各扉を閉鎖してワー
クを洗浄するときには、共通排気管のエア圧にかかわら
ずつねに一定量の排気ガスが排出され、また各扉を開放
してワークを搬送するときは、排気ファンの送風量が倍
増され、これが排気ダンパの制御により円滑に排出され
る。また送風量が一定限度を越えて増加したときは、排
気ガスは排気ポンプにより強制的に排出され、これらの
排出により排気ガスは筐体内に滞留せず、従って筐体の
各部の腐食と寿命の減退が防止される。
り、それぞれの開放が検出され、また排出管に接続され
た圧力差センサにより、排気ダンパの入出力の圧力差が
検出され、各検出信号は信号処理部に入力する。各扉の
閉鎖時には、入力した圧力差センサの検出信号により、
制御信号発生部より、ファン制御信号とダンパ制御信号
がそれぞれ出力される。ファン制御信号は排気ファンに
入力して送風量が適量に調整され、ダンパ制御信号は排
気ダンパに入力して排気ガスの排出量が一定量に制御さ
れる。また各扉の開放時には、入力した扉センサの検出
信号により、制御信号発生部より出力される倍増制御信
号が、排気ファンと排気ダンパにそれぞれ入力して送風
量と排出量が倍増される。次に、排出管に１入力２出力
ゲートを接続した場合は、上記倍増の程度により送風量
が一定限度を越えて増加して排気ダンパが応じきれない
とき、排気ポンプが倍増制御信号により動作してこれが
強制的に排出される。以上により、各扉を閉鎖してワー
クを洗浄するときには、共通排気管のエア圧にかかわら
ずつねに一定量の排気ガスが排出され、また各扉を開放
してワークを搬送するときは、排気ファンの送風量が倍
増され、これが排気ダンパの制御により円滑に排出され
る。また送風量が一定限度を越えて増加したときは、排
気ガスは排気ポンプにより強制的に排出され、これらの
排出により排気ガスは筐体内に滞留せず、従って筐体の
各部の腐食と寿命の減退が防止される。
【０００７】
【実施例】図１はこの発明の第１の実施例を示し、(a)
は検出制御手段６の構成図、(b)は制御信号発生部７の
概略構成図で、前記した図４と同一構成要素は同一番号
とする。図１(a) に示す検出制御手段６は、筐体１の両
側の扉11b,12b に扉センサ61,62 をそれぞれ取り付け、
排出管15に排気ダンパ（ＤＡＭＰ）64を直列に接続し、
これに並列に圧力差センサ63を接続して構成される。
(b) に示す制御信号発生部７は、信号処理回路71と、２
個の制御回路（ＣＯＮＴ）72a,72b よりなる。被洗浄ワ
ークを洗浄するときは各扉センサ61,62 が閉鎖され、送
風機構４よりダウンフローするクリーンエアＡは、純水
槽３の上部と仕切板13の窓13a を通過し、薬剤槽２が発
散する揮発ガスＧと合流して排気ガスとなり、排出管15
を通って排気ダンパ64に入力する。排気ダンパ64の入力
側と出力側の圧力差は、圧力差センサ63により検出さ
れ、その検出信号が信号処理回路71により処理されて、
制御回路72a,72b に対してファン制御信号とダンパ制御
信号がそれぞれ出力され、排気ファン（ＦＡＮ）41の送
風量が適量に調整されるとともに、排出量が一定量とな
るように排気ダンパ64が制御される。この場合、もし共
通排気管５のエア圧が高くて圧力差が小さいときは、排
気ファン41の送風量が増加し、これに対応するように排
気ダンパ64が制御されて排出量がつねに一定量に維持さ
れる。次に、ワークの搬送時には各扉11b,12b が開放さ
れ、筐体内のエア圧が低下する。各扉11b,12b の開放は
各扉センサ61,62 により検出され、その検出信号が信号
処理回路71に入力し、制御回路72a,72b に対して倍増制
御信号が出力され、排気ファン41の送風量が倍増されて
筐体内の低下したエア圧が補われ、排気ダンパ64が制御
されてこれが排出される。
は検出制御手段６の構成図、(b)は制御信号発生部７の
概略構成図で、前記した図４と同一構成要素は同一番号
とする。図１(a) に示す検出制御手段６は、筐体１の両
側の扉11b,12b に扉センサ61,62 をそれぞれ取り付け、
排出管15に排気ダンパ（ＤＡＭＰ）64を直列に接続し、
これに並列に圧力差センサ63を接続して構成される。
(b) に示す制御信号発生部７は、信号処理回路71と、２
個の制御回路（ＣＯＮＴ）72a,72b よりなる。被洗浄ワ
ークを洗浄するときは各扉センサ61,62 が閉鎖され、送
風機構４よりダウンフローするクリーンエアＡは、純水
槽３の上部と仕切板13の窓13a を通過し、薬剤槽２が発
散する揮発ガスＧと合流して排気ガスとなり、排出管15
を通って排気ダンパ64に入力する。排気ダンパ64の入力
側と出力側の圧力差は、圧力差センサ63により検出さ
れ、その検出信号が信号処理回路71により処理されて、
制御回路72a,72b に対してファン制御信号とダンパ制御
信号がそれぞれ出力され、排気ファン（ＦＡＮ）41の送
風量が適量に調整されるとともに、排出量が一定量とな
るように排気ダンパ64が制御される。この場合、もし共
通排気管５のエア圧が高くて圧力差が小さいときは、排
気ファン41の送風量が増加し、これに対応するように排
気ダンパ64が制御されて排出量がつねに一定量に維持さ
れる。次に、ワークの搬送時には各扉11b,12b が開放さ
れ、筐体内のエア圧が低下する。各扉11b,12b の開放は
各扉センサ61,62 により検出され、その検出信号が信号
処理回路71に入力し、制御回路72a,72b に対して倍増制
御信号が出力され、排気ファン41の送風量が倍増されて
筐体内の低下したエア圧が補われ、排気ダンパ64が制御
されてこれが排出される。
【０００８】図２はこの発明の第２の実施例を示し、
(a) は検出制御手段６の構成図、(b)は制御信号発生部
７の概略構成図で、上記の第１の実施例に対して、１入
力２出力ゲート（ＧＡＴＥ）65と、排気ポンプ（ＰＵＭ
Ｐ）66、および制御回路72c,72d を付加して構成され
る。図２(a),(b) において、排出管15にゲート65の入力
側を接続し、一方の出力側に圧力差センサ63と排気ダン
パ64を、他方の出力側に排気ポンプ66を接続する。ま
た、信号処理回路71の出力側に制御回路72c,72d を追加
する。各扉11b,12b が開放されて、排気ファン41の送風
量が一定限度を越えて増加したときは、各扉センサ11b,
12b の検出信号により、信号処理回路71より制御回路72
c,72d に対して倍増制御信号がそれぞれ出力され、ゲー
ト65は出力側が切り替えられて排気ポンプ66に接続され
るとともに、排気ポンプ66が動作して増加した排気ガス
が共通排気管５に強制的に排出される。なお、ワークの
搬送のための各扉11b,12b の開放時間は１０秒程度の短
時間であり、これを通して筐体１の外部に漏れる排気ガ
スの量は僅かであるが、第２の実施例においては、排気
ガスが強制的に排出されるので、外部に漏れる排気ガス
量がさらに軽減される利点がある。
(a) は検出制御手段６の構成図、(b)は制御信号発生部
７の概略構成図で、上記の第１の実施例に対して、１入
力２出力ゲート（ＧＡＴＥ）65と、排気ポンプ（ＰＵＭ
Ｐ）66、および制御回路72c,72d を付加して構成され
る。図２(a),(b) において、排出管15にゲート65の入力
側を接続し、一方の出力側に圧力差センサ63と排気ダン
パ64を、他方の出力側に排気ポンプ66を接続する。ま
た、信号処理回路71の出力側に制御回路72c,72d を追加
する。各扉11b,12b が開放されて、排気ファン41の送風
量が一定限度を越えて増加したときは、各扉センサ11b,
12b の検出信号により、信号処理回路71より制御回路72
c,72d に対して倍増制御信号がそれぞれ出力され、ゲー
ト65は出力側が切り替えられて排気ポンプ66に接続され
るとともに、排気ポンプ66が動作して増加した排気ガス
が共通排気管５に強制的に排出される。なお、ワークの
搬送のための各扉11b,12b の開放時間は１０秒程度の短
時間であり、これを通して筐体１の外部に漏れる排気ガ
スの量は僅かであるが、第２の実施例においては、排気
ガスが強制的に排出されるので、外部に漏れる排気ガス
量がさらに軽減される利点がある。
【０００９】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明による排
気ガス制御機構においては、洗浄装置の各扉を閉鎖して
ワークを洗浄するときは、排気ファンの送風量が適量に
調整され、共通排気管のエア圧にかかわらず、排気ガス
はつねに一定量が排出され、また各扉を開放してワーク
を搬送するときは、排気ファンの送風量が倍増され、こ
れが排気ダンパの制御により円滑に排出される。また送
風量が一定限度を越えて増加されたときは、排気ガスを
排気ポンプにより強制的に排出するもので、これらの排
出により排気ガスが筐体内に滞留せず、従って筐体の各
部の腐食と寿命の減退が防止され、半導体洗浄装置に寄
与するところには大きいものがある。
気ガス制御機構においては、洗浄装置の各扉を閉鎖して
ワークを洗浄するときは、排気ファンの送風量が適量に
調整され、共通排気管のエア圧にかかわらず、排気ガス
はつねに一定量が排出され、また各扉を開放してワーク
を搬送するときは、排気ファンの送風量が倍増され、こ
れが排気ダンパの制御により円滑に排出される。また送
風量が一定限度を越えて増加されたときは、排気ガスを
排気ポンプにより強制的に排出するもので、これらの排
出により排気ガスが筐体内に滞留せず、従って筐体の各
部の腐食と寿命の減退が防止され、半導体洗浄装置に寄
与するところには大きいものがある。
【図１】 この発明の第１の実施例を示す。
【図２】 この発明の第２の実施例を示す。
【図３】 半導体洗浄装置１０の一部を破断した外観図
を示す。
を示す。
【図４】 半導体洗浄装置１０の排気ルートを示す。
１…洗浄装置の筐体、11,12 …両側の側板、13…仕切
板、14…背面の側板、11a,12a,13a …通過窓、窓、11b,
12b …開閉扉、扉、15…排出管、16…開閉バルブ、２…
薬剤槽、３…純水槽、４…送風機構、41…排気ファン
（ＦＡＮ）、42…エアフィルタ、５…共通排気管、６…
検出制御手段、61,62 …扉センサ、63…圧力差センサ、
64…排気ダンパ（ＤＡＭＰ）、65…１入力２出力ゲート
（ＧＡＴＥ）、66…排気ポンプ（ＰＵＭＰ）、７…制御
信号発生部、71…信号処理回路、72a,72b,72c,72d …制
御回路（ＣＯＮＴ）、１０…半導体洗浄装置、Ａ…クリ
ーンエア、Ｇ…揮発ガス。
板、14…背面の側板、11a,12a,13a …通過窓、窓、11b,
12b …開閉扉、扉、15…排出管、16…開閉バルブ、２…
薬剤槽、３…純水槽、４…送風機構、41…排気ファン
（ＦＡＮ）、42…エアフィルタ、５…共通排気管、６…
検出制御手段、61,62 …扉センサ、63…圧力差センサ、
64…排気ダンパ（ＤＡＭＰ）、65…１入力２出力ゲート
（ＧＡＴＥ）、66…排気ポンプ（ＰＵＭＰ）、７…制御
信号発生部、71…信号処理回路、72a,72b,72c,72d …制
御回路（ＣＯＮＴ）、１０…半導体洗浄装置、Ａ…クリ
ーンエア、Ｇ…揮発ガス。
Claims (2)
- 【請求項１】 両側板にそれぞれ通過窓と開閉扉を有す
る筐体に対して、その内部を、通過窓を有する仕切板に
より左右に区分し、純水と揮発性を有する洗浄薬剤の混
合溶液を充たした薬剤槽と、純水のみを充たした純水槽
をそれぞれ配置し、前記各開閉扉を開放して、ハンドリ
ング機構により被洗浄の半導体ワークを前記各通過窓を
通して該筐体内部に搬送し、該搬送が終了したのち前記
各開閉扉を閉鎖して、前記薬剤槽による薬剤洗浄と、前
記純水槽による純水洗浄を行い、かつ、純水槽の上部に
設けられ、前記筐体内にエアを送風する排気ファンと、
前記筐体の背面の側板に設けられ、該エアと前記洗浄薬
剤の揮発ガスの混合した排気ガスを、共通排気管に排出
する排出管よりなる排気機構を具備した半導体洗浄装置
において、前記各開閉扉に取り付けられ、それぞれの開
放を検出する扉センサと、前記排出管に直列に接続さ
れ、前記排気ガスの排出量を制御する排気ダンパ、およ
び該排気ダンパの入出力の圧力差を検出する圧力差セン
サとよりなる検出制御手段と、前記各センサの検出信号
が入力し、前記各開閉扉の閉鎖時には、該入力した圧力
差センサの検出信号により、前記排気ファンの送風量を
適量に調整するファン制御信号と、前記排気ダンパの排
出量を一定量に制御するダンパ制御信号とをそれぞれ出
力し、前記各開閉扉の開放時には、該入力した扉センサ
の検出信号により、前記排気ファンの送風量を倍増する
倍増制御信号を出力する、制御信号発生部とを設けて構
成されたことを特徴とする、半導体洗浄装置の排気ガス
制御機構。 - 【請求項２】 前記排出管に、前記排気ガスを２方向に
切り替える１入力２出力ゲートを接続し、該ゲートの一
方の出力側に前記排気ダンパと圧力差センサとを接続
し、他方の出力側に、前記倍増制御信号により動作し
て、一定限度を越えて増加した前記排気ファンの送風量
を、強制的に排出する排気ポンプを接続したことを特徴
とする、請求項１記載の半導体洗浄装置の排気ガス制御
機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4335096A JPH06163494A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 半導体洗浄装置の排気ガス制御機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4335096A JPH06163494A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 半導体洗浄装置の排気ガス制御機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163494A true JPH06163494A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18284728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4335096A Pending JPH06163494A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 半導体洗浄装置の排気ガス制御機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163494A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4899169A (en) * | 1985-03-22 | 1990-02-06 | Seiko Epson Corporation | Imprinting apparatus |
| JP2002093764A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-29 | Nisso Engineering Co Ltd | ウエハ洗浄装置 |
| JP2002353187A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Tokyo Electron Ltd | 薬液処理装置及び薬液処理方法 |
| KR100433907B1 (ko) * | 2001-06-16 | 2004-06-04 | 삼성전자주식회사 | 다단노즐 이젝터를 이용한 챔버의 압력조절장치 |
| US6907892B2 (en) | 2001-02-07 | 2005-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exhaust apparatus, semiconductor device manufacturing system and method for manufacturing semiconductor device |
| KR100503521B1 (ko) * | 1998-07-10 | 2005-09-30 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 건조시스템 |
| KR100918382B1 (ko) * | 2007-10-05 | 2009-09-22 | 세메스 주식회사 | 반도체 제조 설비의 배기 장치 및 그의 설정 방법, 그리고 배기량 자동 조절 방법 |
| KR101035983B1 (ko) * | 2008-10-28 | 2011-05-23 | 세메스 주식회사 | 매엽식 기판 처리 장치 및 그 장치에서의 배기 방법 |
| CN111968930A (zh) * | 2020-07-02 | 2020-11-20 | 北京烁科精微电子装备有限公司 | 一种晶圆清洗设备 |
| US11967508B2 (en) | 2019-05-30 | 2024-04-23 | Ebara Corporation | Damper control system and damper control method |
-
1992
- 1992-11-20 JP JP4335096A patent/JPH06163494A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4899169A (en) * | 1985-03-22 | 1990-02-06 | Seiko Epson Corporation | Imprinting apparatus |
| KR100503521B1 (ko) * | 1998-07-10 | 2005-09-30 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 건조시스템 |
| JP2002093764A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-29 | Nisso Engineering Co Ltd | ウエハ洗浄装置 |
| JP4565718B2 (ja) * | 2000-09-11 | 2010-10-20 | アプリシアテクノロジー株式会社 | ウエハ洗浄装置 |
| US6907892B2 (en) | 2001-02-07 | 2005-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exhaust apparatus, semiconductor device manufacturing system and method for manufacturing semiconductor device |
| US7329322B2 (en) | 2001-02-07 | 2008-02-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exhaust apparatus, semiconductor device manufacturing system and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2002353187A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Tokyo Electron Ltd | 薬液処理装置及び薬液処理方法 |
| KR100433907B1 (ko) * | 2001-06-16 | 2004-06-04 | 삼성전자주식회사 | 다단노즐 이젝터를 이용한 챔버의 압력조절장치 |
| KR100918382B1 (ko) * | 2007-10-05 | 2009-09-22 | 세메스 주식회사 | 반도체 제조 설비의 배기 장치 및 그의 설정 방법, 그리고 배기량 자동 조절 방법 |
| KR101035983B1 (ko) * | 2008-10-28 | 2011-05-23 | 세메스 주식회사 | 매엽식 기판 처리 장치 및 그 장치에서의 배기 방법 |
| US11967508B2 (en) | 2019-05-30 | 2024-04-23 | Ebara Corporation | Damper control system and damper control method |
| CN111968930A (zh) * | 2020-07-02 | 2020-11-20 | 北京烁科精微电子装备有限公司 | 一种晶圆清洗设备 |
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