KR100918382B1 - 반도체 제조 설비의 배기 장치 및 그의 설정 방법, 그리고 배기량 자동 조절 방법 - Google Patents

반도체 제조 설비의 배기 장치 및 그의 설정 방법, 그리고 배기량 자동 조절 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100918382B1
KR100918382B1 KR1020070100181A KR20070100181A KR100918382B1 KR 100918382 B1 KR100918382 B1 KR 100918382B1 KR 1020070100181 A KR1020070100181 A KR 1020070100181A KR 20070100181 A KR20070100181 A KR 20070100181A KR 100918382 B1 KR100918382 B1 KR 100918382B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
amount
auto damper
damper
auto
motor
Prior art date
Application number
KR1020070100181A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090035104A (ko
Inventor
윤태석
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020070100181A priority Critical patent/KR100918382B1/ko
Publication of KR20090035104A publication Critical patent/KR20090035104A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100918382B1 publication Critical patent/KR100918382B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D53/00Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/74General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조 설비의 배기 장치 및 그의 설정 방법, 그리고 개폐량 자동 조절 방법에 관한 것이다. 반도체 제조 설비는 공정을 처리하기 위하여 다양한 약액들을 이용하는 복수 개의 처리조들과, 처리조들로부터 발생된 가스를 배기하는 배기 장치를 구비한다. 본 발명의 배기 장치는 처리조와 연결되는 배기 배관과, 배기 배관 내부에 설치되어 가스의 배기량을 조절하는 오토 댐퍼 및, 오토 댐퍼의 개폐 위치를 감지하여 단위 이동량을 산출하고, 오토 댐퍼의 실제 개폐량을 조절하는 데이터를 입력받고, 산출된 단위 이동량을 이용하여 오토 댐퍼를 자동으로 조절하는 자동 조절 장치를 포함한다. 본 발명에 의하면, 작업자가 자동 조절 장치에 데이터를 입력함으로써, 오토 댐퍼의 개폐량을 자동으로 조절 가능하다. 따라서 작업자는 오토 댐퍼의 개폐량을 모니터링하기 용이하고, 작업 공수를 최소화할 수 있다.
반도체 제조 설비, 처리조, 배기 장치, 오토 댐퍼, 티칭 설정, 자동 조절

Description

반도체 제조 설비의 배기 장치 및 그의 설정 방법, 그리고 배기량 자동 조절 방법{EXHAUST APPARATUS OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT AND METHOD FOR SETTING THEREOF, AND METHOD FOR AUTO TUNNING IT}
본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 복수 개의 처리조들을 구비하는 반도체 제조 설비의 배기량을 자동 조절하기 위한 배기 장치 및 그의 설정 방법, 그리고 배기량 자동 조절 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정들 중 다양한 약액들을 사용하는 공정(예를 들어, 세정, 식각 공정 등)은 공정 진행 시, 약액들에 의해 반도체 제조 설비 내부에 가스(fume)가 발생된다. 이러한 가스 및 가스에 포함된 불순물은 반도체 기판의 오염시켜서 공정 사고가 발생되는 원인이 된다. 따라서 반도체 제조 설비는 하부에 배기 배관을 연결하여 가스를 배기시키는 배기량을 적절하게 조절하여 공정 사고를 미연에 방지한다.
일반적으로 반도체 제조 공정들 중에 발생하는 불필요한 잔류 물질, 파티클 및, 오염물 등의 불순물을 제거하기 위하여 반도체 기판을 세정하는 공정이 요구된다. 이러한 반도체 세정 공정을 처리하는 반도체 제조 설비는 반도체 기판의 표면 의 청정도를 높게 유지해야 하기 때문에, 여러 가지의 단위 공정의 전후에서 반도체 기판의 표면의 세정한다. 이러한 반도체 제조 설비는 복수 개의 처리조들을 구비하고, 세정, 식각, 린스 및 건조 공정 등을 하나의 시스템에서 처리된다. 예를 들어, 반도체 제조 설비는 웨이퍼 상의 유기물을 제거하기 위해 수산화 암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2), 순수(H2O)의 혼합 용액이 사용되는 처리조, 웨이퍼 상의 무기물을 제거하기 위해 세정액으로 염산(HCL), 과산화수소(H2O2), 순수의 혼합 용액이 사용되는 처리조, 그리고 자연 산화막이나 무기 오염 물질을 제거하기 위해 희석된 불산이 사용되는 처리조, 린스 공정이 수행되는 처리조 및, 건조 공정이 수행되는 처리조 등을 포함한다. 이 때, 각각의 처리조는 다양한 약액들을 이용하여 공정을 처리하므로 약액들에 의해 처리조 및 설비 내부에 퓸(fume)이 발생된다. 이러한 퓸 및 퓸에 포함된 불순물은 설비를 부식시키거나, 공정 처리 결과에 악영향을 미치게 된다.
따라서 반도체 제조 설비는 공정 진행시 발생되는 퓸 또는 그 속에 포함된 불순물을 제거하기 위한 배기 장치를 구비한다. 이러한 배기 장치는 각각의 처리조에 연결되고, 반도체 제조 설비가 설치된 장소의 하부 바닥면을 통해 배기 덕트와 연결되어 외부로 퓸 및 퓸에 포함되는 불순물을 제거한다. 이러한 배기 장치는 배기 배관에 일정 각도로 회전하는 댐퍼(damper)를 구비하고, 댐퍼의 개폐량을 자동 또는 수동으로 조절하여 퓸의 배기량을 조절한다. 또 배기 장치는 약액들을 종류 또는 공정 진행에 따라 퓸의 발생량이 달리하는데, 이를 위해 배기 장치는 실시간으로 배기량을 조절해야만 한다. 특히, 세정, 식각 공정에서 황산 용액을 이용하는 처리조의 경우, 퓸이 많이 발생되기 때문에 배기량을 증가시켜야 한다.
그러나 기존의 배기 장치는 댐퍼 동작을 제어 및 모니터링하기 위하여, 한 명의 작업자가 댐퍼를 조절하고, 다른 한명의 작업자가 육안으로 댐퍼의 동작 상태를 모니터링하기 때문에, 배기 장치의 조절을 위한 작업이 불편하다. 또한 배기 장치를 조절하기 위한 작업 환경을 설정하는 티칭 작업 시, 댐퍼의 초기화, 모터 제어 및 댐퍼의 위치 확인 등의 여러 단계로 처리되어 작업자의 작업 공수가 증가되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 배기량을 자동 조절하기 위한 반도체 제조 설비의 배기 장치 및 그의 설정 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 배기량을 자동 조절하기 위한 반도체 제조 설비의 배기 장치 및 그의 배기량 자동 조절 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 작업자의 작업 공수를 최소화할 수 있는 반도체 제조 설비의 배기 장치 및 그의 설정 방법, 그리고 배기량 자동 조절 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 반도체 제조 설비를 위한 배기 장치는 오토 댐퍼의 단위 이동량을 산출하여 티칭을 설정하고, 단위 이동량을 이용하여 오토 댐퍼의 개폐량을 자동으로 조절하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같이 배기 장치는 오토 댐퍼의 개폐량을 자동으로 조절함으로써, 작업자의 작업 공수를 최소화할 수 있다.
본 발명의 배기 장치는, 다양한 약액들을 사용하는 적어도 하나의 처리조를 구비하는 반도체 제조 설비에 제공된다. 상기 배기 장치는 상기 반도체 제조 설비의 하부에 설치되어 상기 처리조에서 발생된 가스를 배출하는 배기 배관과; 상기 배기 배관에 설치되어 상기 가스의 배기량을 자동으로 조절하는 오토 댐퍼 및; 상기 오토 댐퍼의 이동 범위를 감지하여 상기 오토 댐퍼의 단위 이동량을 산출하고, 실제 개폐량의 데이터를 입력받아서 상기 단위 이동량을 이용하여 상기 오토 댐퍼의 개폐량을 자동으로 조절하는 자동 조절 장치를 포함한다.
한 실시예에 있어서, 상기 자동 조절 장치는; 상기 오토 댐퍼의 이동 범위에 따른 개폐 위치를 감지하는 복수 개의 센서들과; 상기 오토 댐퍼를 회전시키는 모터와; 상기 모터의 회전에 의해 발생된 펄스 신호를 받아서 디지털 신호로 변환하여 출력하는 아날로그/디지털 컨버터와; 상기 모터를 회전시키고, 상기 아날로그/디지털 컨버터로부터 상기 디지털 신호를 받아서 펄스량을 산출하는 구동부 및; 상기 구동부를 제어하여 상기 모터를 회전시키고, 상기 모터의 회전에 의해 발생된 상기 펄스량을 상기 구동부로부터 받아서 상기 단위 이동량을 산출하고, 상기 데이터와 상기 단위 이동량을 이용하여 상기 오토 댐퍼를 자동 조절하도록 상기 구동부를 제어하는 제어부를 포함한다.
다른 실시예에 있어서, 상기 제어부는; 상기 반도체 제조 설비의 제반 동작을 제어하고, 상기 제 1 및 상기 제 2 센서들로부터 감지된 상기 오토 댐퍼의 개폐 위치에 대응하는 감지 신호를 받아들이고, 상기 오토 댐퍼의 티칭 설정 및 개폐량 자동 조절을 위해 상기 구동부를 제어하는 메인 컨트롤러 및, 상기 메인 컨트롤러를 통해 상기 제 1 및 상기 제 2 센서들과 상기 구동부를 제어하여 상기 오토 댐퍼의 개폐 동작을 모니터링하거나, 상기 오토 댐퍼의 개폐량을 조절하기 위한 상기 데이터와 상기 오토 댐퍼의 티칭 설정 및 개폐량을 자동 조절하기 위한 복수 개의 명령들을 입력하는 터치 스크린을 포함한다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 제어부는; 상기 메인 컨트롤러와 전기적으로 연결되어 이동 가능하고, 상기 오토 댐퍼와 상기 메인 컨트롤러 사이를 인터페이스하기 위한 화면을 출력하는 디스플레이 장치를 구비하여, 상기 터치 스크린과 동일한 기능을 처리하는 리모콘을 더 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 다양한 약액들을 이용하는 복수 개의 처리조들을 구비하는 반도체 제조 설비에서, 오토 댐퍼를 구비하여 상기 처리조로부터 발생된 가스를 외부로 배기하는 배기 장치의 상기 오토 댐퍼의 설정 방법이 제공된다. 이 방법에 의하면, 상기 오토 댐퍼의 이동 범위를 감지한다. 감지된 상기 이동 범위 사이에서 상기 오토 댐퍼가 회전하도록 모터를 구동한다. 상기 모터의 회전에 의해 상기 오토 댐퍼를 이동시킨다. 상기 오토 댐퍼의 이동에 대응하는 상기 모터의 회전에 의해 발생된 펄스량을 산출한다. 이어서 상기 펄스량을 이용하여 상기 오토 댐퍼의 단위 이동량을 산출하여 저장한다.
한 실시예에 있어서, 상기 오토 댐퍼의 이동 범위를 감지하는 것은; 상기 오토 댐퍼의 폐쇄 위치와 최대 개방 위치를 감지한다.
다른 실시예에 있어서, 상기 펄스량을 측정하는 것은; 상기 모터의 회전에 의해 발생된 펄스 신호를 디지털 데이터로 변환하여, 상기 디지털 데이터로부터 상기 펄스량을 산출한다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 다양한 약액들을 이용하는 복수 개의 처리조들을 구비하는 반도체 제조 설비에서, 오토 댐퍼를 구비하여 상기 처리조로부터 발생된 가스를 외부로 배기하는 배기 장치의 개폐량 자동 조절 방법이 제공된다. 이 방법에 따르면, 상기 오토 댐퍼의 단위 이동량을 산출하여 저장하여 상기 오토 댐퍼의 티칭을 설정한다. 상기 오토 댐퍼의 실제 개폐량에 대응되는 데이터를 입력받는다. 이어서 상기 단위 이동량을 이용하여 자동으로 상기 오토 댐퍼를 상기 데이터에 대응하는 위치로 이동한다.
한 실시예에 있어서, 상기 티칭을 설정하는 것은; 상기 오토 댐퍼의 이동 범위를 감지하고, 감지된 상기 이동 범위 사이에서 상기 오토 댐퍼가 회전하도록 모터를 구동하고, 상기 모터의 구동에 의해 상기 오토 댐퍼를 이동시키고, 상기 오토 댐퍼의 이동에 대응하는 상기 모터의 회전에 의해 발생된 펄스량을 산출하고, 이어서 상기 펄스량을 이용하여 상기 오토 댐퍼의 상기 단위 이동량을 산출하여 저장한다.
다른 실시예에 있어서, 상기 오토 댐퍼의 이동 범위를 감지하는 것은; 상기 오토 댐퍼의 폐쇄 위치와 최대 개방 위치를 감지한다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 데이터는 상기 오토 댐퍼의 회전 각도 또는 상기 펄스량의 크기이다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 단위 이동량은 상기 오토 댐퍼의 단위 각도에 대한 상기 모터의 회전에 의해 발생되는 펄스 신호의 펄스량이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 배기 장치는 오토 댐퍼의 단위 이동량을 산출하여, 실제 오토 댐퍼의 개폐량에 따른 데이터를 입력받아서, 단위 이동량을 이용하여 자동으로 조절함으로써, 작업자의 작업 공수를 최소화할 수 있다.
또, 본 발명의 배기 장치는 리모콘을 이용하여 데이터 및 명령을 입력함으로 써, 오토 댐퍼의 티칭 설정 및 자동 조절을 위해, 여러 명의 작업자가 필요치 않고, 또 작업자의 오토 댐퍼의 동작 상태를 육안 확인이 필요가 없다.
또한, 본 발명의 배기 장치는 자동으로 티칭 설정 및 개폐량을 조절함으로써, 작업 시간 단축 및 생산성 향상에 기여할 수 있다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
이하 첨부된 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 복수 개의 처리조들을 갖는 반도체 제조 설비의 배기량 자동 조절을 위한 배기 장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 반도체 제조 설비(100)는 공정을 처리하기 위하여 다양한 약액들을 사용하는 복수 개의 처리조(102)들을 구비한다. 예를 들어, 반도체 제조 설비(100)는 세정, 식각 공정 등을 처리한다. 물론, 반도체 제조 설비(100)는 처리조(102)로부터 발생되는 배기 가스(fume)의 배기량을 자동 조절 가능한 모든 제조 설비를 포함할 수 있다.
또 반도체 제조 설비(100)는 각각의 처리조(102)와 연결되어 배기 가스를 배 출하는 배기 배관(104)과, 배기 배관(104) 내부에 설치되어 배기 가스의 배기량을 조절하는 오토 댐퍼(106) 및, 오토 댐퍼(106)의 티칭 설정 및 개폐량 자동 조절을 제어하는 자동 조절 장치(110)를 포함한다.
따라서 본 발명의 배기 장치(104 ~ 120)는 처리조(102)의 배기 가스 발생량에 대응하여 오토 댐퍼(106)의 개폐량을 자동으로 조절하여 배기 가스의 배기량을 증가시키거나 감소시킨다. 예를 들어, 배기 장치(104 ~ 110)는 세정 또는 식각 공정을 처리하는 황산(H2SO4) 용액을 사용하는 처리조(102)의 경우, 배기 가스가 많이 발생된다. 그러므로, 자동 조절 장치(110)는 오토 댐퍼(106)를 90°로 회전시켜서 최대 개방 위치(106b)로 조절하여 배기량을 증가시킨다. 여기서 오토 댐퍼(106a)의 0°는 폐쇄 위치를 나타낸다.
구체적으로, 자동 조절 장치(110)는 도 2에 도시된 바와 같이, 오토 댐퍼(106)의 개폐 위치 예를 들어, 폐쇄 위치(즉 0°)(106a)와, 최대 개방 위치(즉, 90°)(106b)를 감지할 수 있는 위치에 제 1 및 제 2 센서(112, 114)들을 구비한다. 또 자동 조절 장치(110)는 오토 댐퍼(106)를 회전시키는 모터(108)와, 모터(108)를 구동시키는 구동부(118)와, 모터(108)로부터 펄스 신호(PULSE)를 받아서 디지털 데이터(PULSE')로 변환하여 구동부(118)로 출력하는 아날로그/디지털 컨버터(116) 및, 본 발명의 배기 장치(104 ~ 120)의 제반 동작을 제어하는 제어부(120)를 포함한다. 즉, 제어부(120)는 본 발명의 배기 장치(104 ~ 120)의 배기량을 자동 조절하기 위하여, 오토 댐퍼(106)의 이동 범위 즉, 회전 범위에 따른 이동량을 측정하여 단위 이동량을 설정하는 티칭 동작 및 입력된 데이터를 통해 오 토 댐퍼의 개폐량을 자동으로 조절하는 동작을 제어한다.
제 1 및 제 2 센서(112, 114)들은 예를 들어, LED 등의 표시부를 포함하여, 오토 댐퍼(106)의 기준점 즉, 개폐 위치(0° 또는 90°)의 감지 상태에 따라 외부로 점등되고, 이에 대응하여 온(ON)/오프(OFF) 신호를 제어부(120)로 전송한다.
아날로그/디지털 컨버터(116)는 오토 댐퍼(106)의 회전 이동시, 단위 이동량을 산출하기 위해 모터(108)의 회전에 따른 아날로그의 펄스 신호(PULSE)를 받아들여서 디지털 데이터(PULSE')로 변환하여 구동부(118)로 출력한다.
구동부(118)는 제어부(120)의 제어를 받아서 모터(108)를 구동(DRIVE)시키고, 아날로그/디지털 컨버터(116)로부터 디지털 데이터(PULSE')를 받아서 모터(108)의 회전에 따른 오토 댐퍼(106)의 이동량을 나타내는 펄스량(MEASURE)을 제어부(120)로 전송한다.
그리고 제어부(120)는 먼저 오토 댐퍼(106)의 티칭 설정을 위하여, 오토 댐퍼(106)의 회전 범위를 측정하여 단위 이동량(값)을 산출한다. 이를 위해 제어부(120)는 구동부(118)를 제어(CONTROL)하여 오토 댐퍼(106)의 폐쇄 위치(0°)와 최대 개방 위치(90°) 사이를 움직이도록 모터(108)를 통해 오토 댐퍼(106)를 회전시킨다. 이 때, 제 1 및 제 2 센서(112, 114)들 각각은 폐쇄 위치(0°)와 최대 개방 위치(90°)에 오토 댐퍼(106)가 이동되면, 온(ON) 신호를 제어부(120)로 전송한다. 또 아날로그/디지털 컨버터(116)는 오토 댐퍼(106)를 회전시키는 모터(108)의 회전에 따른 아날로그의 펄스 신호(PULSE)를 받아서 디지털 데이터(PULSE')로 변환하여 구동부(118)로 전송한다. 이어서 구동부(118)는 디지털 데이터(PULSE')로부터 측정된 펄스량(MEASURE)을 제어부(120)로 전송한다. 따라서 제어부(120)는 펄스량(MEASURE)을 통해 단위 이동량을 산출, 저장하여 티칭 동작을 처리한다.
또 제어부(120)는 오토 댐퍼(106)의 개폐량을 조절하기 위한 데이터를 입력받아서 산출된 단위 이동량에 대응하여 오토 댐퍼(106)의 개폐량을 조절한다. 즉, 제어부(120)는 모터(108)의 회전 범위에 대한 이동량을 펄스량(MEASURE)으로 받아서 단위 각도(즉, 1°)에 대한 단위 이동량을 산출한다. 이는 오토 댐퍼(106)의 전체 회전 범위(즉, 0°에서 90°까지)를 제 1 및 제 2 센서(112, 114)들을 통해 감지하고, 이 때의 모터(108)의 회전량을 펄스 신호(PULSE)를 통해 측정한다. 따라서 펄스 신호(PULSE)에 의해 측정된 모터 회전량을 90으로 나눈 값이 단위 각도에 대한 모터(108)의 회전량이 되며, 이 모터(108)의 회전량이 오토 댐퍼(106)의 단위 이동량이 된다.
이어서 제어부(120)는 외부로부터 입력된 데이터와 단위 이동량을 곱하여 실제 오토 댐퍼(106)가 회전될 펄스량을 산출하여 구동부(118)를 제어(AUTO)한다. 이 때, 입력된 데이터는 오토 댐퍼(106)의 회전 각도 또는 모터(108)의 회전에 대한 펄스량이 된다. 따라서 제어부(120)는 작업자가 오토 댐퍼(106)의 회전 각도에 대한 데이터를 입력하므로서, 입력된 회전 각도에 대응하여 모터(108)를 통해 자동으로 조절(TUNE) 가능하다.
예를 들어, 제어부(120)는 상술한 오토 댐퍼(106)의 티칭 설정 및 자동 조절을 제어하는 장치로서, 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 제조 설비(100)의 제반 동작을 제어하는 메인 컨트롤러(122)와, 반도체 제조 설비(100)의 일측에 고정 설치되어, 오토 댐퍼(106)의 티칭 설정 및 개폐량을 자동 조절하도록 제어하는 터치 스크린(124) 및, 메인 컨트롤러(122)와 유선(또는 무선)으로 연결되는 리모콘(리모트 컨트롤러)(126)을 포함한다. 리모콘(126) 또한 터치 스크린(124)과 동일한 기능을 처리한다. 따라서 리모콘(126)은 이동 가능하므로 작업자가 배기 장치(104 ~ 120)의 동작 상태 예를 들어, 오토 댐퍼(106)의 개폐량을 모니터링하기 용이하다.
메인 컨트롤러(122)는 반도체 제조 설비(100)의 공정을 처리하기 위한 제반 동작을 제어하는 컴퓨터 등으로 구비되는 상위 컨트롤러로, 구동부(118)와 제 1 및 제 2 센서(122, 114)들과 전기적으로 연결되고, 터치 스크린(124) 및 리모콘(126)과 전기적으로 연결된다.
터치 스크린(124) 및 리모콘(126)은 작업자가 배기 장치(104 ~ 120)와 메인 컨트롤러(122) 사이를 인터페이스하기 위한 하위 컨트롤러로서, 작업자가 오토 댐퍼(106)의 개폐 동작을 모니터링하거나, 오토 댐퍼(106)의 개폐량을 조절하기 위한 데이터와, 오토 댐퍼(106)의 티칭 설정 및 개폐량 조절을 위한 명령을 입력한다. 물론 메인 컨트롤러(122)에서도 동일한 기능의 데이터 및 명령을 입력 가능하다. 특히, 리모콘(126)의 경우, 작업자가 반도체 제조 설비(100)의 주변을 이동하면서 오토 댐퍼(106)의 개폐 상태를 모니터링하거나 데이터 및 명령 입력이 가능하다.
예를 들어, 도 4를 참조하면, 터치 스크린(124) 또는 리모콘(126)은 디스플레이 장치(미도시됨)를 구비하여, 오토 댐퍼(106)의 배기량 자동 조절하기 위한 티칭 설정 및 조절 동작을 제어하기 위한 인터페이스 화면(140)을 출력한다.
이 인터페이스 화면(140)은 오토 댐퍼(140)의 티칭 설정 및 개폐량 자동 조절을 위한 복수 개의 모드 선택 메뉴(150 : 152 ~ 156)들과, 실제 오토 댐퍼(106)의 개폐량을 나타내는 데이터의 입력란(142) 및, 복수 개의 명령 실행 메뉴(146, 148)들을 포함한다.
즉, 모드 선택 메뉴(150)는 오토 댐퍼(106)의 티칭 설정을 위한 기준점 감지(Home) 모드(152)와, 오토 댐퍼(106)의 이동 범위 측정(Jog) 모드(154) 및 개폐량 자동 조절(Auto Tunning) 모드(156)를 포함한다. 기준점 감지 모드(152)는 제 1 및 제 2 센서(112, 114)들로 하여금 오토 댐퍼(106)의 폐쇄 위치(0°)와 최대 개방 위치(90°)를 감지하기 위하여 오토 댐퍼(106)를 각 위치로 이동하도록 처리하여 초기화하는 모드이고, 이동 범위 측정 모드(154)는 오토 댐퍼(106)를 폐쇄 위치(0°)와 최대 개방 위치(90°) 사이를 이동시켜서 모터(108)의 동작을 검사하는 모드이다. 그리고 자동 조절 모드(156)는 입력된 데이터에 대응하여 개폐량이 조절되도록 오토 댐퍼(106)를 자동으로 회전시키는 모드이다.
따라서 기준점 감지 모드(152)는 예를 들어, 오토 댐퍼(106)를 0°로부터 90°사이를 이동시키면서 제 1 및 제 2 센서(112, 114)들로 모터(108)의 회전에 따른 펄스 신호(PULSE)를 검출하여 제어부(120)가 모터(108)의 전체 이동량에 따른 펄스 량(MEASURE)을 산출할 수 있도록 처리한다.
또 화면(140)은 오토 댐퍼(106)의 동작 상태를 나타내는 복수 개의 표시기(144)를 구비한다. 예를 들어, 제 1 표시기는 제 1 센서(112)의 온/오프 동작 상태를 나타내고, 제 2 표시기는 오토 댐퍼(106)의 초기화를 위해 원점 복귀(Dog) 기능의 동작 체크 상태를 나타내며, 그리고 제 3 표시기는 제 2 센서(114)의 온/오프 동작 상태를 나타낸다.
또 화면(140)은 오토 댐퍼(106)의 티칭 설정이 완료되면, 오토 댐퍼(106)의 개폐량을 자동 조절을 위한 데이터 입력란(142)을 구비한다. 데이터 입력란(142)은 오토 댐퍼(106)의 회전 각도 또는 오토 댐퍼(106)의 회전 각도에 대응하는 모터(108)의 펄스량(MEASURE)으로 입력된다. 또 화면(140)은 복수 개의 명령을 지시하는 실행 메뉴(146, 148)를 구비한다. 예를 들어, 0°와 90°의 실행 메뉴(148)는 각각 오토 댐퍼(106)를 0° 및 90°로 이동시키고, 확인(Demand) 실행 메뉴(146)는 선택된 모드들을 각각 실행시킨다.
따라서 터치 스크린(124) 또는 리모콘(126)은 오토 댐퍼(106)의 이동 범위를 감지한 후, 단위 이동량을 측정하여 티칭 설정을 완료한 후, 배기량에 대응하여 오토 댐퍼(106)의 개폐량을 조절하는 데이터를 입력하여 실행함으로써, 작업 공수를 최소화하여 자동으로 오토 댐퍼(106)의 개폐량을 조절한다.
그리고 도 5는 본 발명에 따른 배기 장치의 배기량 자동 조절을 위한 티칭 설정 및 조절 수순을 나타내는 흐름도이다.
도 5를 참조하면, 단계 S200에서 오토 댐퍼(106)의 티칭 설정을 위하여, 제 1 및 제 2 센서(112, 114)들을 통해 오토 댐퍼(106)의 이동 범위를 감지한다. 단계 S202에서 감지된 이동 범위 사이에서 오토 댐퍼(106)가 회전하도록 모터(108)를 구동한다. 단계 S204에서 모터 구동에 의해 오토 댐퍼(106)를 0° 내지 90°사이로 이동시킨다. 단계 S206에서 모터 회전에 따른 펄스량(MEASURE)을 측정하고, 단계 S208에서 펄스량(MEASURE)을 통해 단위 이동량을 산출하여 저장한다. 이로서 오토 댐퍼(106)의 티칭 설정이 완료된다.
그리고 단계 S210에서 오토 댐퍼(106)의 개폐량에 따른 목표값(즉, 데이터)이 입력되면, 단계 S212에서 단위 이동량을 이용하여 목표값으로 오토 댐퍼(106)를 이동한다. 그 결과, 오토 댐퍼(106)는 자동으로 개폐량이 조절된다.
이상에서, 본 발명에 따른 배기 장치의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 복수 개의 처리조들을 갖는 반도체 제조 설비의 배기량 자동 조절을 위한 배기 장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면;
도 2는 도 1에 도시된 자동 조절 장치의 구성을 도시한 블럭도;
도 3은 도 2에 도시된 제어부의 구성을 도시한 블럭도;
도 4는 본 발명에 따른 배기 장치의 배기량 자동 조절을 위한 티칭 및 조절 동작을 설명하기 위한 도면; 그리고
도 5는 본 발명에 따른 배기 장치의 배기량 자동 조절을 위한 티칭 및 조절 수순을 나타내는 흐름도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
100 : 반도체 제조 설비 102 : 처리조
104 : 배기 배관 106 : 오토 댐퍼
108 : 모터 110 : 자동 조절 장치
112, 114 : 센서 116 : 아날로그/디지털 컨버터
118 : 구동부 120 : 제어부
122 : 메인 컨트롤러 124 : 터치 스크린
126 : 리모콘 140 : 인터페이스 화면

Claims (12)

  1. 약액들을 사용하는 적어도 하나의 처리조를 구비하는 반도체 제조 설비의 배기 장치에 있어서:
    상기 반도체 제조 설비의 하부에 설치되어 상기 처리조에서 발생된 가스를 배출하는 배기 배관과;
    상기 배기 배관에 설치되어 상기 가스의 배기량을 자동으로 조절하는 오토 댐퍼 및;
    상기 오토 댐퍼의 폐쇄 위치 및 최대 개방 위치 간의 이동 범위를 감지하여 상기 오토 댐퍼의 상기 이동 범위의 단위 각도에 대한 단위 이동량을 산출하고, 실제 개폐량의 데이터를 입력받아서 상기 단위 이동량을 이용하여 상기 오토 댐퍼의 개폐량을 자동으로 조절하는 자동 조절 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 배기 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 자동 조절 장치는;
    상기 폐쇄 위치 및 상기 최대 개방 위치를 각각 감지하는 제 1 및 제 2 센서들과;
    상기 오토 댐퍼를 회전시키는 모터와;
    상기 모터의 회전에 의해 발생된 펄스 신호를 받아서 디지털 신호로 변환하여 출력하는 아날로그/디지털 컨버터와;
    상기 모터를 회전시키고, 상기 아날로그/디지털 컨버터로부터 상기 디지털 신호를 받아서 상기 모터의 회전에 의해 발생된 펄스량을 산출하는 구동부 및;
    상기 구동부를 제어하여 상기 모터를 회전시키고, 상기 구동부로부터 상기 펄스량을 받아서 상기 단위 이동량을 산출하고, 상기 데이터와 상기 단위 이동량을 이용하여 상기 오토 댐퍼의 개폐량을 자동 조절하도록 상기 구동부를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 배기 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어부는;
    상기 제 1 및 상기 제 2 센서들로부터 감지된 상기 폐쇄 위치 및 상기 최대 개방 위치 각각에 대응하는 감지 신호를 받아들여서 상기 단위 이동량을 산출하고, 상기 데이터를 받아서 상기 오토 댐퍼의 개폐량을 자동 조절하도록 상기 구동부를 제어하는 메인 컨트롤러 및,
    상기 메인 컨트롤러와 전기적으로 연결되어 상기 오토 댐퍼의 개폐 동작을 모니터링하고, 상기 오토 댐퍼의 개폐량을 조절하기 위한 상기 데이터복수 개의 명령들을 입력하여 상기 메인 컨트롤러로 제공하는 터치 스크린을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 배기 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제어부는;
    상기 메인 컨트롤러와 전기적으로 연결되어 이동 가능하고, 상기 오토 댐퍼와 상기 메인 컨트롤러 사이를 인터페이스하기 위한 화면을 출력하는 디스플레이 장치를 구비하여, 상기 터치 스크린과 동일한 기능을 처리하는 리모콘을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 배기 장치.
  5. 다양한 약액들을 이용하는 복수 개의 처리조들을 구비하는 반도체 제조 설비에서, 오토 댐퍼를 구비하여 상기 처리조로부터 발생된 가스를 외부로 배기하는 배기 장치의 상기 오토 댐퍼의 설정 방법에 있어서:
    상기 오토 댐퍼의 폐쇄 위치와 최대 개방 위치 사이를 이동하여 상기 오토 댐퍼의 이동 범위를 감지하고;
    감지된 상기 이동 범위 사이에서 상기 오토 댐퍼가 회전하도록 모터를 구동하고;
    상기 모터의 회전에 의해 상기 오토 댐퍼를 이동시키고;
    상기 오토 댐퍼의 이동에 대응하는 상기 모터의 회전에 의해 발생된 펄스량을 산출하고; 이어서
    상기 펄스량을 이용하여 상기 오토 댐퍼의 상기 이동 범위의 단위 각도에 대한 단위 이동량을 산출하여 저장하는 것을 특징으로 하는 오토 댐퍼의 설정 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 단위 이동량을 산출하는 것은;
    상기 펄스량을 상기 이동 범위의 각도로 나눈 값으로 산출하는 것을 특징으로 하는 오토 댐퍼의 설정 방법.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 펄스량을 측정하는 것은;
    상기 모터의 회전에 의해 발생된 펄스 신호를 디지털 데이터로 변환하여, 상기 디지털 데이터로부터 상기 펄스량을 산출하는 것을 특징으로 하는 오토 댐퍼의 설정 방법.
  8. 다양한 약액들을 이용하는 복수 개의 처리조들을 구비하는 반도체 제조 설비에서, 오토 댐퍼를 구비하여 상기 처리조로부터 발생된 가스를 외부로 배기하는 배기 장치의 개폐량 자동 조절 방법에 있어서:
    상기 오토 댐퍼의 폐쇄 위치와 최대 개방 위치 사이를 이동하여 상기 오토 댐퍼의 이동 범위를 감지하여, 상기 오토 댐퍼의 상기 이동 범위의 단위 각도에 대한 단위 이동량을 산출하고;
    상기 오토 댐퍼의 실제 개폐량에 대응되는 데이터를 입력받고; 이어서
    상기 단위 이동량을 이용하여 자동으로 상기 오토 댐퍼를 상기 데이터에 대응하는 위치로 이동하는 것을 특징으로 하는 배기 장치의 개폐량 자동 조절 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 산출하는 것은;
    상기 오토 댐퍼의 상기 이동 범위를 감지하고,
    감지된 상기 이동 범위 사이에서 상기 오토 댐퍼가 회전하도록 모터를 구동하고,
    상기 모터의 구동에 의해 상기 오토 댐퍼를 이동시키고,
    상기 오토 댐퍼의 이동에 대응하는 상기 모터의 회전에 의해 발생된 펄스량을 산출하고, 이어서
    상기 펄스량을 이용하여 상기 오토 댐퍼의 상기 단위 이동량을 산출하여 저장하는 것을 특징으로 하는 배기 장치의 개폐량 자동 조절 방법.
  10. 삭제
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 데이터는 상기 오토 댐퍼의 회전 각도 또는 펄스량인 것을 특징으로 하는 배기 장치의 개폐량 자동 조절 방법.
  12. 제 9 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 단위 이동량은 상기 모터의 회전에 의해 발생되는 상기 펄스량을 상기 이동 범위의 각도로 나눈 값인 것을 특징으로 하는 배기 장치의 개폐량 자동 조절 방법.
KR1020070100181A 2007-10-05 2007-10-05 반도체 제조 설비의 배기 장치 및 그의 설정 방법, 그리고 배기량 자동 조절 방법 KR100918382B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070100181A KR100918382B1 (ko) 2007-10-05 2007-10-05 반도체 제조 설비의 배기 장치 및 그의 설정 방법, 그리고 배기량 자동 조절 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070100181A KR100918382B1 (ko) 2007-10-05 2007-10-05 반도체 제조 설비의 배기 장치 및 그의 설정 방법, 그리고 배기량 자동 조절 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090035104A KR20090035104A (ko) 2009-04-09
KR100918382B1 true KR100918382B1 (ko) 2009-09-22

Family

ID=40760621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070100181A KR100918382B1 (ko) 2007-10-05 2007-10-05 반도체 제조 설비의 배기 장치 및 그의 설정 방법, 그리고 배기량 자동 조절 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100918382B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101615607B1 (ko) 2014-01-29 2016-04-26 세메스 주식회사 케미컬 공급 장치 및 이를 이용한 케미컬 공급 방법
KR20220160143A (ko) 2021-05-26 2022-12-06 세메스 주식회사 기판 처리 설비의 배기 장치 및 배기 방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210108062A (ko) 2020-02-25 2021-09-02 무진전자 주식회사 밀폐 특성이 향상된 반도체 장치용 오토 댐퍼

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06163494A (ja) * 1992-11-20 1994-06-10 Hitachi Electron Eng Co Ltd 半導体洗浄装置の排気ガス制御機構
KR20000008108A (ko) * 1998-07-10 2000-02-07 윤종용 웨이퍼 건조시스템
KR20040017162A (ko) * 2002-08-20 2004-02-26 삼성전자주식회사 스핀 코터 배기 시스템
KR20060009773A (ko) * 2004-07-26 2006-02-01 삼성전자주식회사 배기조절장치를 갖는 반도체 제조설비

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06163494A (ja) * 1992-11-20 1994-06-10 Hitachi Electron Eng Co Ltd 半導体洗浄装置の排気ガス制御機構
KR20000008108A (ko) * 1998-07-10 2000-02-07 윤종용 웨이퍼 건조시스템
KR20040017162A (ko) * 2002-08-20 2004-02-26 삼성전자주식회사 스핀 코터 배기 시스템
KR20060009773A (ko) * 2004-07-26 2006-02-01 삼성전자주식회사 배기조절장치를 갖는 반도체 제조설비

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101615607B1 (ko) 2014-01-29 2016-04-26 세메스 주식회사 케미컬 공급 장치 및 이를 이용한 케미컬 공급 방법
KR20220160143A (ko) 2021-05-26 2022-12-06 세메스 주식회사 기판 처리 설비의 배기 장치 및 배기 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090035104A (ko) 2009-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6254180B2 (ja) 振動が制御される基板ハンドリングロボット、システム及び方法
US10350765B2 (en) Switching a control of a robot into a manual operating mode
KR100918382B1 (ko) 반도체 제조 설비의 배기 장치 및 그의 설정 방법, 그리고 배기량 자동 조절 방법
JP5430796B2 (ja) ロボット制御装置
CN116880432B (zh) 用于输送设备的健康评估的方法和设备
US9184084B2 (en) Wafer handling traction control system
US20070071310A1 (en) Robot simulation device
JP2008535256A (ja) ロボットを利用したプラズマ処理システムの保守装置
KR20110053450A (ko) 로봇의 브레이크를 검사하기 위한 방법
US20090146601A1 (en) Automation systems diagnostics and predictive failure detection
KR102583402B1 (ko) 학습 완료된 모델 생성 방법, 이상 요인 추정 장치, 기판 처리 장치, 이상 요인 추정 방법, 학습 방법, 학습 장치, 및 학습 데이터 작성 방법
JP2008183680A (ja) 負荷機械の制御装置とその衝突検出しきい値更新方法
US20220348415A1 (en) Automated material handling system (amhs) rail methodology
WO2004095566A1 (ja) 半導体製造システム
US20060235558A1 (en) Method of scavenging intermediate formed by reaction of oxidoreductase with substrate
KR20170011014A (ko) 이동형 불소이온농도 측정용 자동 시료분석장치
JP4258718B2 (ja) ロボット制御装置
JPH08286701A (ja) 複数ロボット制御方法およびシステム
KR20080053085A (ko) 이동 로봇의 이동제어 시스템
CN113614660B (zh) 数控装置及数控方法
CN107610998B (zh) 一种能够调节内外压差的气相腐蚀腔体及利用其进行气相腐蚀的方法
CN1259520C (zh) 可移动的全自动化学清洗设备及其清洗方法
JP2009016743A (ja) ウェーハ搬送装置及びウェーハ搬送装置の気流監視方法
JP6050565B2 (ja) ロボットの制御方法およびロボットの制御装置
WO2023157380A1 (ja) ロボット監視システム、監視装置、監視装置の制御方法およびプログラム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120912

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130913

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140915

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150916

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160906

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170906

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180913

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190905

Year of fee payment: 11