KR101615607B1 - 케미컬 공급 장치 및 이를 이용한 케미컬 공급 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 설비에 케미컬을 공급하는 케미컬 공급 장치 및 이를 이용한 케미컬 공급 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에 따른 케미컬 공급 장치는 하우징과, 상기 하우징 내에 배치되며 케미컬을 저장하는 복수의 케미컬 탱크와, 상기 하우징에 결합되어 상기 케미컬 탱크에서 발생되는 가스를 배출하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은, 상기 하우징 내의 가스를 배출하는 배기 라인과, 상기 배기 라인 내에 설치되어 가스의 배기량을 조절하는 댐퍼와, 상기 하우징 내의 환경 조건에 따라 상기 댐퍼의 개폐량을 상이하게 조절하는 댐퍼 조절부를 갖는다.
본 발명의 실시예에 따른 케미컬 공급 장치 및 이를 이용한 케미컬 공급 방법은 공급 장치 내의 환경 상태에 따라 발생되는 가스의 배기량을 자동 조절할 수 있다.

Description

케미컬 공급 장치 및 이를 이용한 케미컬 공급 방법{CHEMICAL SUPPLYING APPARATUS AND CHEMICAL SUPPLYING METHOD USING THE SAME}
본 발명은 기판 처리 설비에 케미컬을 공급하는 케미컬 공급 장치 및 이를 이용한 케미컬 공급 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에서 기판을 처리하는 설비에는 세정, 식각 공정 등 여러 공정을 수행하기 위해 다양한 케미컬들이 공급된다. 케미컬 공급 장치는 탱크 등에 케미컬을 저장하고 기판 처리 설비에 케미컬을 제공한다. 케미컬 공급 장치 내에는 케미컬 탱크로부터 발생되는 다량의 유해한 가스 또는 퓸이 존재하는데 이를 제거하기 위해 케미컬 공급 장치는 배기 장치를 구비한다.
일반적인 배기 장치는 배기 배관에 개폐부를 두고 사전 입력된 배기량만이 배출되도록 개폐부를 자동 또는 수동으로 조절하였다.
본 발명은 공급 장치 내의 가스를 효율적으로 배기할 수 있는 케미컬 공급 장치 및 이를 이용한 케미컬 공급 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 공급 장치 내의 환경 상태에 따라 발생되는 가스의 배기량을 자동 조절할 수 있는 케미컬 공급 장치 및 이를 이용한 케미컬 공급 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 케미컬 공급 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따라 기판 처리 설비에 케미컬을 공급하는 케미컬 공급 장치는, 하우징과, 상기 하우징 내에 배치되며 케미컬을 저장하는 복수의 케미컬 탱크와, 상기 하우징에 결합되어 상기 케미컬 탱크에서 발생되는 가스를 배출하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은, 상기 하우징 내의 가스를 배출하는 배기 라인과, 상기 배기 라인 내에 설치되어 가스의 배기량을 조절하는 댐퍼와, 상기 하우징 내의 환경 조건에 따라 상기 댐퍼의 개폐량을 상이하게 조절하는 댐퍼 조절부를 갖는다.
일 예에 의하면, 상기 댐퍼 조절부는, 상기 하우징 내의 상기 환경 조건을 측정하는 센서와, 상기 댐퍼를 구동시키는 구동부와, 상기 센서로부터 측정된 데이터를 전송받아 상기 구동부를 제어하는 제어부를 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 센서는, 각각의 상기 케미컬 탱크 내의 케미컬 수위를 감지하는 수위 측정 센서를 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 센서는, 각각의 상기 케미컬 탱크 내 또는 상기 하우징 내의 가스량을 측정하는 가스량 측정 센서를 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 센서는, 상기 케미컬 탱크 또는 상기 하우징 내의 온도를 측정하는 온도 측정 센서를 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 센서는, 각각의 상기 케미컬 탱크로의 유입 및 상기 케미컬 탱크로부터 유출되는 케미컬량을 측정하는 유량 측정 센서를 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 제어부는, 상기 하우징이 개방되는 경우 상기 댐퍼의 개폐량이 최대가 되도록 상기 구동부를 구동시킨다.
일 예에 의하면, 상기 배기 유닛은 상기 하우징의 상부에 위치된다.
또한, 본 발명은 케미컬 공급 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따라 기판 처리 설비에 케미컬을 공급하는 케미컬 공급 방법은, 상기 케미컬 탱크에 저장된 케미컬에서 발생되는 가스를 상기 배기 유닛을 통해 상기 하우징의 외부로 배출시키되, 상기 배기 유닛은 상기 하우징의 환경 조건을 측정하는 센서의 데이터를 이용하여 상기 댐퍼의 개폐량을 조절한다.
일 예에 의하면, 상기 센서는 상기 케미컬 탱크 내의 케미컬 수위를 감지하는 수위 측정 센서를 포함하되, 상기 케미컬 수위가 높을수록 상기 댐퍼의 개폐량을 증가시킨다.
일 예에 의하면, 상기 센서는 상기 상기 케미컬 탱크 내 또는 상기 하우징 내의 가스량을 측정하는 가스량 측정 센서를 포함하되, 상기 가스량이 많을수록 상기 댐퍼의 개폐량을 증가시킨다.
일 예에 의하면, 상기 센서는 상기 케미컬 탱크 또는 상기 하우징 내의 온도를 측정하는 온도 측정 센서를 포함하되, 상기 온도가 높을수록 상기 댐퍼의 개폐량을 증가시킨다.
본 발명의 실시예에 따른 케미컬 공급 장치 및 이를 이용한 케미컬 공급 방법은 공급 장치 내의 가스를 효율적으로 배기할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 케미컬 공급 장치 및 이를 이용한 케미컬 공급 방법은 공급 장치 내의 환경 상태에 따라 발생되는 가스의 배기량을 자동 조절할 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액 공급 장치의 개략적인 모습을 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 댐퍼 조절부의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3 내지 도 6은 케미컬의 양에 따라 댐퍼의 각도가 조절되는 모습을 예시한 도면이다.
도 7은 도 1의 하우징이 개방된 상태의 도면이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액 공급 장치의 개략적인 모습을 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 액 공급 장치의 개략적인 모습을 보여주는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따른 액 공급 장치의 개략적인 모습을 보여주는 도면이다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 각 도면은 명확한 설명을 위해 일부가 간략하거나 과장되게 표현되었다. 각 도면의 구성 요소들에 참조 번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 동일한 부호를 가지도록 도시되었음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액 공급 장치의 개략적인 모습을 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 액 공급 장치(10)는 하우징(100), 케미컬 탱크(200), 그리고 배기 유닛(300)을 포함한다. 이하 첨부된 도면을 참조하여 각 구성에 대하여 상세히 설명한다.
하우징(100)은 내부에 공간을 갖는 직육면체 형상으로 제공될 수 있다. 하우징(100) 내에는 복수의 케미컬 탱크(200)가 배치된다. 복수의 케미컬 탱크(200) 내에는 기판 처리 설비에 공급되는 다양한 케미컬이 저장된다. 각각의 케미컬 탱크(200) 내에는 동일한 종류의 케미컬이 저장될 수 있다. 케미컬은 세정액 또는 식각액 등 기판을 처리함에 필요한 여러 종류의 액일 수 있다. 케미컬 탱크(200)는 원통 형상을 가질 수 있으나 이에 한정될 것은 아니다. 케미컬 탱크(200)는 제1 케미컬 탱크(200a)와 제2 케미컬 탱크(200b)를 포함한다.
배기 유닛(300)은 하우징(100)에 결합되어 복수의 케미컬 탱크(200)에서 발생되는 가스(fume)를 배출한다. 배기 유닛(300)은 하우징(100)의 상부에 위치될 수 있다. 배기 유닛(300)은 배기 라인(310), 댐퍼(320) 및 댐퍼 조절부(330)를 포함한다.
배기 라인(310)은 하우징(100)과 연결되어 하우징(100) 내의 가스(fume)를 배출한다. 댐퍼(320)는 배기 라인(310) 내에 설치되어 가스의 배기량을 조절한다.
도 2는 도 1의 댐퍼 조절부의 구성을 나타내는 도면이다. 댐퍼 조절부(330)는 하우징(100) 내의 환경 조건에 따라 댐퍼(320)의 개폐량을 상이하게 조절한다. 댐퍼 조절부(330)는 센서(331), 구동부(332) 및 제어부(333)를 포함한다.
센서(331)는 하우징(100) 내의 환경 조건을 측정한다. 센서(331)는 수위 측정 센서(331a,331b), 가스량 측정 센서(331c,331d,331e), 온도 측정 센서(331f,331g,331h) 또는 유량 측정 센서(331w,331x,331y,331z)를 포함한다.
도 2를 참조하면, 제어부(333)는 센서(331)로부터 측정된 하우징(100) 내의 환경 조건 데이터(D)(이하, 데이터(D))를 전송받아 구동부(332)를 제어한다. 구동부(332)는 댐퍼(320)를 구동시킨다. 즉, 구동부(332)는 하우징(100) 내의 환경 조건에 따라 댐퍼(320)의 개폐 위치를 변화시킨다. 구동부(332)는 배기 라인(310)을 닫는 폐쇄 위치(즉 0°)와 배기 라인(310)을 완전히 개방하는 최대 개방 위치(즉, 90°) 사이에서 댐퍼(320)의 개방 각도를 변화시킨다. 데이터(D)는 케미컬 탱크(200a,200b) 내의 케미컬 수위 데이터(D1,D2), 케미컬 탱크(200a,200b) 내 또는 하우징(100) 내의 가스량 측정 데이터(D3,D4,D5), 케미컬 탱크(200a,200b) 내 또는 하우징(100) 내의 온도 측정 데이터(D6,D7,D8) 또는 케미컬 탱크(200a,200b)로의 유입 및 케미컬 탱크(200a,200b)로부터 유출되는 케미컬량 측정 데이터(D9,D10,D11,D12)를 포함한다.
도 1을 참조하면, 수위 측정 센서(331a,331b)는 각각의 케미컬 탱크(200a,200b) 내에 배치되어 각각의 케미컬 탱크(200a,200b)의 케미컬 수위를 감지한다. 수위 측정 센서(331a,331b)는 각각의 케미컬 탱크(200a,200b)의 상부에 배치되는 거리 센서일 수 있다. 또한, 수위 측정 센서(331a,331b)는 각각의 케미컬 탱크(200a,200b) 내의 일측에 일정 높이 마다 설치되는 높이 센서일 수 있다. 이와 달리 수위 측정 센서(331a,331b)는 각각의 케미컬 탱크(200a,200b) 내의 케미컬 수위를 감지할 수 있는 여하한 종류의 센서가 동원될 수 있다.
도 3 내지 도 6은 각각의 케미컬 탱크 내의 케미컬의 수위 혹은 양에 따라 댐퍼의 각도가 조절되는 모습을 예시한 도면이다.
도 3 내지 도 6을 참조하면, 제어부(333)는 각각의 케미컬 탱크(200a,200b) 내의 케미컬 수위에 따라서 댐퍼(320)를 통해 배기량을 조절한다.
도 3의 경우, 최초에 케미컬 탱크(200a,200b)에는 각각 거의 가득찰 정도의 케미컬이 저장된다. 따라서 케미컬 탱크(200a,200b)로부터 발생되는 가스량이 많을 것이므로 제어부(333)는 배기량이 많아지도록 댐퍼(320)의 각도를 조절한다. 예를 들어 도 3의 경우 댐퍼의 각도는 약 70도로 설정된다.
도 4는 제1 케미컬 탱크(200a)로부터 우선적으로 기판 처리 설비에 케미컬이 공급되어 처음보다 그 케미컬 수위 또는 케미컬량이 절반 가량 줄어들고 제2 케미컬 탱크(200b)의 케미컬 수위 또는 케미컬량은 그대로인 경우이다. 이때에는 도 3의 경우보다 가스량이 상대적으로 적게 발생할 것이므로 제어부(333)는 이에 맞춰 댐퍼(320)의 각도를 적절하게 조절한다. 예를 들어 도 4의 경우 댐퍼의 각도는 약 55도로 조절될 수 있다.
도 5는 제1 케미컬 탱크(200a)에서 모두 기판 처리 설비에 케미컬이 공급되고 제2 케미컬 탱크(200b)의 케미컬 수위 또는 케미컬량은 그대로인 경우이다. 이때에는 도 4의 경우보다 가스량이 상대적으로 적게 발생할 것이므로 제어부(333)는 이에 대응하여 댐퍼(320)의 각도를 더 낮게 조절한다. 예를 들어 도 5의 경우 댐퍼의 각도는 약 35도로 조절될 수 있다.
도 6과 같이, 각각의 케미컬 탱크(200a,200b)가 모두 비어 있는 경우에는 댐퍼(320)는 폐쇄 위치(즉 0°)에 위치된다.
따라서, 상술한 바와 같이, 제어부(333)는 케미컬 수위 또는 케미컬 양이 각각의 케미컬 탱크(200a,200b) 내에 최대로 비축되어 있는 상태에서 발생되는 가스량에 대응한 댐퍼의 초기 각도 데이터를 제공받는다. 또한, 제어부(333)는 케미컬 수위가 일정 높이씩 낮아질 때마다 조절되어야 하는 변화 각도 데이터를 구비함으로써 댐퍼(320)의 개폐량을 상이하게 조절할 수 있다. 즉, 제어부(333)에는 케미컬 탱크(200a,200b) 내의 케미컬 수위 데이터(D1,D2)에 대응하여 댐퍼(320)의 각도를 조절하는 데이터가 사전 입력 또는 미리 설정되어 있다.
도 7은 도 1의 하우징이 개방된 상태의 도면이다. 도 7을 참조하면, 케미컬 공급 장치(10)의 유지보수(maintenance)를 위해 혹은 임의로 도어(101) 혹은 커버가 오픈되면서 하우징(100)이 개방되는 경우, 제어부(333)는 댐퍼(320)의 개폐량이 최대가 되도록 구동부(332)를 구동시킨다. 즉, 댐퍼(320)는 90도로 수직 개방되어 배기량이 최대가 된다. 이는 유해 가스(fume)로부터 작업자의 안전을 충분히 확보하기 위한 것이다. 이후, 가스(fume)가 충분히 배출된 상황인 경우, 댐퍼(320)를 수동으로 조절할 수 있도록 한다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액 공급 장치의 개략적인 모습을 보여주는 도면이고, 도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 액 공급 장치의 개략적인 모습을 보여주는 도면이고, 도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따른 액 공급 장치의 개략적인 모습을 보여주는 도면이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 액 공급 장치(10)는 가스량 측정 센서(331c,331d,331e)를 포함한다. 가스량 측정 센서(331c,331d,331e)는 각각의 케미컬 탱크(200a,200b) 또는 하우징(100) 내에 설치된다. 각각의 케미컬 탱크(200a,200b)에는 제1 가스량 측정 센서(331c)와 제2 가스량 측정 센서(331d)가 각각 배치된다. 제1 가스량 측정 센서(331c)와 제2 가스량 측정 센서(331d)는 각각의 케미컬 탱크(200a,200b) 내의 가스량을 측정한다. 또한, 하우징(100) 내에는 제3 가스량 측정 센서(331e)가 배치된다. 제3 가스량 측정 센서(331e)는 각각의 케미컬 탱크(200a,200b)로부터 유래되는 하우징(100) 내의 가스량을 측정한다.
제어부(333)는 케미컬 탱크(200a,200b) 내 또는 하우징(100) 내의 가스량 측정 데이터 값이 클수록 구동부(332)를 제어하여 댐퍼(320)의 개폐량을 증가시킨다.
또한, 도 9을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 액 공급 장치(10)는 온도 측정 센서(331f,331g,331h)를 포함한다. 온도 측정 센서(331f,331g,331h)는 각각의 케미컬 탱크(200a,200b) 또는 하우징(100) 내에 설치된다. 각각의 케미컬 탱크(200a,200b)에는 제1 온도 측정 센서(331f)와 제2 온도 측정 센서(331g)가 각각 배치된다. 제1 온도 측정 센서(331f)와 제2 온도 측정 센서(331g)는 각각의 케미컬 탱크(200a,200b) 내의 온도를 측정한다. 또한, 하우징(100) 내에는 제3 온도 측정 센서(331h)가 배치된다. 제3 온도 측정 센서(331h)는 하우징(100) 내의 온도를 측정한다.
제어부(333)는 케미컬 탱크(200a,200b) 내 또는 하우징(100) 내의 온도가 높을수록 구동부(332)를 제어하여 댐퍼(320)의 개폐량을 증가시킨다.
또한, 도 10을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 액 공급 장치(10)는 유량 측정 센서(331w,331x,331y,331z)를 포함한다. 유량 측정 센서(331w,331x,331y,331z)는 각각의 케미컬 탱크(200a,200b)로의 유입 및 각각의 케미컬 탱크(200a,200b)로부터 유출되는 케미컬량을 측정한다. 유량 측정 센서(331w,331x,331y,331z)는 제1 유입량 측정 센서(331w), 제2 유입량 측정 센서(331x), 제1 유출량 측정 센서(33y) 및 제2 유출량 측정 센서(331z)를 포함한다. 제1 유입량 측정 센서(331w)는 제1 케미컬 유입 라인(220a)에 배치되어 제1 케미컬 탱크(200a)로 유입되는 케미컬량을 측정한다. 제2 유입량 측정 센서(331x)는 제2 케미컬 유입 라인(220b)에 배치되어 제2 케미컬 탱크(200b)로 유입되는 케미컬량을 측정한다. 또한, 제1 유출량 측정 센서(331y)는 제1 케미컬 유출 라인(240a)에 배치되어 제1 케미컬 탱크(200a)로부터 유출되는 케미컬량을 측정한다. 제2 유출량 측정 센서(331z)는 제2 케미컬 유출 라인(240b)에 배치되어 제2 케미컬 탱크(200b)로부터 유출되는 케미컬량을 측정한다.
제어부(333)는 제1 유입량 측정 센서(331w)와 제2 유입량 측정 센서(331x)의 측정량이 제1 유출량 측정 센서(33y) 및 제2 유출량 측정 센서(331z)의 측정량보다 클수록 구동부(332)를 제어하여 댐퍼(320)의 개폐량을 증가시킨다. 이와 달리, 제어부(333)는 제1 유입량 측정 센서(331w)와 제2 유입량 측정 센서(331x)의 측정량이 제1 유출량 측정 센서(33y) 및 제2 유출량 측정 센서(331z)의 측정량보다 작을수록 제어부(333)는 구동부(332)를 제어하여 댐퍼(320)의 개폐량을 감소시킨다.
따라서, 제어부(333)는 케미컬 탱크(200a,200b) 내의 가스량 측정 데이터(D3,D4) 또는 하우징(100) 내의 가스량 측정 데이터(D5)에 대응하여 댐퍼(320)의 각도를 조절하는 미리 설정된 데이터를 갖는다.
이는 케미컬 탱크(200a,200b) 내의 온도 측정 데이터(D6,D7) 또는 하우징(100) 내의 온도 측정 데이터(D8)와, 케미컬 탱크(200a,200b)로의 유입되는 케미컬량 측정 데이터(D9,D10) 및 케미컬 탱크(200a,200b)로부터 유출되는 케미컬량 측정 데이터(D11,D12)에 상응하는 댐퍼(320)의 각도 조절 데이터 또한 마찬가지이다.
제어부(333)가 갖는 상기와 같은 데이터들은 모두 각각의 환경 조건에서 최대와 최소의 가스량 발생 조건을 상정하고, 그 사이에서 상기 데이터들의 일정 단위의 증가 또는 감소 구간마다 댐퍼(320)의 각도를 소정의 각도로 조정할 수 있도록 제어하는 것이다.
다만, 발생되는 가스(fume)의 종류와 양, 농도 및 확산 속도 등은 하우징(100) 내에 저장되는 케미컬의 종류에 따라 모두 상이할 수밖에 없다. 따라서 제어부(333)가 구비하는 상기와 같은 데이터들은 반드시 저장되는 케미컬의 종류와 그에 따른 특성이 고려되어 설정되어야 한다.
또한, 본 발명은 케미컬 공급 방법을 제공한다. 본 발명의 케미컬 공급 장치를 이용하여 기판 처리 설비에 케미컬을 공급하는 케미컬 공급 방법은, 케미컬 탱크(200a,200b)에 저장된 케미컬에서 발생되는 가스를 배기 유닛(300)을 통해 하우징(100)의 외부로 배출시키되, 배기 유닛(300)은 하우징(100)의 환경 조건을 측정하는 센서(331)의 데이터를 이용하여 댐퍼(320)의 개폐량을 조절한다.
상기 케미컬 공급 방법에서 센서(331)는 케미컬 탱크(200a,200b) 내의 케미컬 수위를 감지하는 수위 측정 센서(331a,331b)를 포함하되, 상기 케미컬 수위가 높을수록 제어부(333)는 댐퍼(320)의 개폐량을 증가시킨다.
상기 케미컬 공급 방법에서 센서(331)는 케미컬 탱크(200a,200b) 또는 하우징(100) 내의 가스량을 측정하는 가스량 측정 센서(331c,331d,331e)를 포함하되, 상기 가스량이 많을수록 제어부(333)는 댐퍼(320)의 개폐량을 증가시킨다.
상기 케미컬 공급 방법에서 센서(331)는 케미컬 탱크(200a,200b) 또는 하우징(100) 내의 온도를 측정하는 온도 측정 센서(331f,331g,331h)를 포함하되, 상기 온도가 높을수록 제어부(333)는 댐퍼(320)의 개폐량을 증가시킨다.
상기 케미컬 공급 방법에서 센서(331)는 각각의 케미컬 탱크(200a,200b)로의 유입 및 각각의 케미컬 탱크(200a,200b)로부터 유출되는 케미컬량을 측정하는 유량 측정 센서(331w,331x,331y,331z)를 포함하되, 제1 유입량 측정 센서(331w)와 제2 유입량 측정 센서(331x)의 측정량이 제1 유출량 측정 센서(33y) 및 제2 유출량 측정 센서(331z)의 측정량 보다 많을수록 제어부(333)는 댐퍼(320)의 개폐량을 증가시킨다. 물론 이와 달리, 제1 유입량 측정 센서(331w)와 제2 유입량 측정 센서(331x)의 측정량이 제1 유출량 측정 센서(33y) 및 제2 유출량 측정 센서(331z)의 측정량 보다 적을수록 제어부(333)는 댐퍼(320)의 개폐량을 감소시킨다.
상술한 예에서는 케미컬 탱크(200a,200b)가 2개인 경우를 예시하였으나, 케미컬 탱크는 보다 많은 수로 제공될 수 있다. 따라서 이에 따라 각각의 케미컬 탱크에 구비되는 센서들 또한 케미컬 탱크의 개수에 맞춰 제공될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : 케미컬 공급 장치 100 : 하우징
200 : 케미컬 탱크 300 : 배기 유닛
310 : 배기 라인 320 : 댐퍼
330 : 댐퍼 조절부 331 : 센서
332 : 구동부 333 : 제어부

Claims (12)

  1. 기판 처리 설비에 케미컬을 공급하는 장치에 있어서,
    하우징과,
    상기 하우징 내에 배치되며, 상기 기판 처리 설비에 순차적으로 케미컬을 공급하는 복수의 케미컬 탱크와,
    상기 하우징에 결합되어 상기 케미컬 탱크에서 발생되는 가스를 배출하는 배기 유닛을 포함하되,
    상기 배기 유닛은,
    상기 하우징 내의 가스를 배출하는 배기 라인과,
    상기 배기 라인 내에 설치되어 가스의 배기량을 조절하는 댐퍼와,
    상기 하우징 내의 데이터에 따라 상기 댐퍼의 개폐량을 상이하게 조절하는 댐퍼 조절부를 갖고,
    상기 댐퍼 조절부는,
    상기 하우징 내의 상기 데이터를 측정하는 센서와,
    상기 댐퍼를 구동시키는 구동부와,
    상기 센서로부터 측정된 데이터를 전송받아 상기 구동부를 제어하여 가스의 배기량을 상이하게 조절하는 제어부를 포함하는 케미컬 공급 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 센서는,
    각각의 상기 케미컬 탱크 내의 케미컬 수위를 감지하는 수위 측정 센서를 포함하는 케미컬 공급 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 센서는,
    각각의 상기 케미컬 탱크 내 또는 상기 하우징 내의 가스량을 측정하는 가스량 측정 센서를 포함하는 케미컬 공급 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 센서는,
    상기 케미컬 탱크 또는 상기 하우징 내의 온도를 측정하는 온도 측정 센서를 포함하는 케미컬 공급 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 센서는,
    각각의 상기 케미컬 탱크로의 유입 및 상기 케미컬 탱크로부터 유출되는 케미컬량을 측정하는 유량 측정 센서를 포함하는 케미컬 공급 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 하우징이 개방되는 경우 상기 댐퍼의 개폐량이 최대가 되도록 상기 구동부를 구동시키는 케미컬 공급 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 배기 유닛은 상기 하우징의 상부에 위치되는 케미컬 공급 장치.
  9. 제 1항의 케미컬 공급 장치를 이용하여 기판 처리 설비에 케미컬을 공급하는 방법에 있어서, 상기 케미컬 탱크에 저장된 케미컬에서 발생되는 가스를 상기 배기 유닛을 통해 상기 하우징의 외부로 배출시키되, 상기 배기 유닛은, 상기 센서가 측정한 상기 하우징 내부의 데이터를 이용하여 상기 댐퍼의 개폐량을 조절하는 케미컬 공급 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 센서는 상기 케미컬 탱크 내의 케미컬 수위를 감지하는 수위 측정 센서를 포함하되, 상기 케미컬 수위가 높을수록 상기 댐퍼의 개폐량을 증가시키는 케미컬 공급 방법.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 센서는 상기 상기 케미컬 탱크 내 또는 상기 하우징 내의 가스량을 측정하는 가스량 측정 센서를 포함하되, 상기 가스량이 많을수록 상기 댐퍼의 개폐량을 증가시키는 케미컬 공급 방법.
  12. 제 9항에 있어서,
    상기 센서는 상기 케미컬 탱크 또는 상기 하우징 내의 온도를 측정하는 온도 측정 센서를 포함하되, 상기 온도가 높을수록 상기 댐퍼의 개폐량을 증가시키는 케미컬 공급 방법.
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