JPH03205824A - 高温・高圧洗浄方法及び洗浄装置 - Google Patents
高温・高圧洗浄方法及び洗浄装置Info
- Publication number
- JPH03205824A JPH03205824A JP2000873A JP87390A JPH03205824A JP H03205824 A JPH03205824 A JP H03205824A JP 2000873 A JP2000873 A JP 2000873A JP 87390 A JP87390 A JP 87390A JP H03205824 A JPH03205824 A JP H03205824A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- temperature
- pressure
- water
- cleaned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 100
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 31
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 23
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 20
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000010721 machine oil Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 101150000971 SUS3 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 2
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 240000004307 Citrus medica Species 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000002440 industrial waste Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S239/00—Fluid sprinkling, spraying, and diffusing
- Y10S239/19—Nozzle materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
光学機器工業等で行われている洗浄工程や、それらの工
業等で使用される部品等の洗浄工程で用いるための高温
・高圧洗浄方法及び洗浄装置に関するものである。
きており、脱脂等の洗浄目的、特性に合わせて種々の検
討が行われてきている。
高清浄な洗浄技術の開発が重要な課題となっている。ま
た近年産業廃液による公害問題が起こっており、特に脱
脂工程で用いられているフロンやトリクロロエチレンの
環境破壊が問題となっており、これらの薬品は、使用禁
止の方向で検討が進められている。
あり、その代替洗浄技術の開発も急務となっている。
置で行われることが多く、以下第5図に従い高温高圧水
スプレー洗浄について説明する。
完全に除去することである。第5図において、洗浄水供
給管101によって水槽102に供給された水は、圧送
ポンプ103で加圧され、加熱装置104で加熱され、
ノズル106によってスプレーとして噴射され洗浄に用
いられる。噴射時の洗浄水は、例えば、温度60℃以上
、圧力3 0 k g / c rn”以上とされる。
物表面の汚れを除去することができる有効な方法である
。
は通常は、水道水、または比抵抗が1〜数mΩ・cm程
度の純水を用いるのが普通であり、第5図において配管
101は水道管に接続される。
しも清浄な洗浄を行うことができない。
いは機械油が付された被洗浄物を上記技術により洗浄し
ても指紋、機械油は完全には除去されず被洗浄物に残存
する, すなわち、上記技術における洗浄効果は良好なものでは
ない。
浄方法及び洗浄装置を提供することを目的とする。
は、25℃換算で17.OMΩ・cm以上の比抵抗を有
する超純水を被洗浄物に噴射させることにより洗浄を行
うことを特徴とする。
は、圧送ポンプ、加熱装置、ノズル、配管を少なくとも
有し、高温・高圧の水をノズルより被洗浄物に対し噴射
させる洗浄装置において、高温・高圧の超純水をノズル
より被洗浄物に対し噴射させる機能を有していることを
特徴とする。
際して得た知見とともに説明する。
的な力によって、被洗浄物表面の汚れを除去するもので
あると考えられていた。そこで、本発明者は、圧力を高
くすることにより洗浄効果を高めようと試みたが、圧力
を高めた場合であっても必ずしも洗浄効果の向上は記め
られなかった。
洗浄効果に寄与する因子の抜本的見直しを行った。
物にスプレーされる水の純度が洗浄効果に寄与するので
はないかとの着惣を得た。
いかと推測されたとしても、実際にそっであるかどうか
、また、実際そうてあっても具体的にどの程度の純度と
すれば洗浄効果が高くなるのかという点については全く
不明であった。そこで、本発明者は多数の実験を重ねた
ところ、噴射時における水の純度を25℃換算て17.
OMΩ・cm以上とすれは洗浄効果か急激に向上するこ
とをつきとめ、本発明をなすにいたった。
・cm以上とすれば洗浄効果が急激に向上する理由はあ
きらかてはないが、かかる高純度の水の場合、水の木来
持っている、多くのものを溶かし込み除去するという性
質を発揮し、また、水の中の不純物やパーティクルが洗
浄面に付着するということもないためではないかと考え
られる。
水道水ではなく、比抵抗が25℃換算で18.25MΩ
・cmすなわち不純物濃度がIPPb以下の超純水を用
い、装置として前記した従来の装置を用いて実験を行っ
たところ洗浄効果の向上は認められなかった。
、不純物濃度が1 ppb以下の超純水を用いたとして
もノズルより噴射される水に4f、数100ppb〜数
100ppmの不純物か含まれていることがわかった。
したところ、圧送ポンプ103、加熱装置104、配管
105等よりの不純物溶出により不純物の混入が生ずる
ことを見い出した。
発生かあることが確認されたが、驚くへきことに配管1
05からも不純物の溶出以外にパーティクルの発生があ
ることが見い出された。
発生するのではないかと考えられる。高温高圧水スプレ
ー洗浄の時には、パーティクルは高速で洗浄面に衝突し
て、洗浄面を傷つけることもわかった。
等を設置することも行ったが、精製装置やフィルター等
による圧力損失が大きく、圧送ポンプ以降にこれらを設
置した場合には、十分な噴射圧力が得られず、その洗浄
効果も著しく低下していた。
に超純水を用いるたけては不十分であることを本発明者
は見い出したのであり、結局、洗浄効果を高めるために
は、高7品・高圧の超純水をノズルより被洗浄物に対し
噴射させる機能を有する洗浄装置を用いることが必要で
あることを見い出したものである。
なかった。
したところ、一つの例として接液面(水との接触部)に
加工変質層のない金属表面に、超高純度の(不純物濃度
数PPb以下の)酸化性雰囲気中で形成された不動態膜
で覆われた材料を用いると、不純物の混入を避け得るこ
とがわかった。特に、150℃以上400℃未満の温度
において加熱酸化せしめて形成された不動態膜て覆われ
た材料を用いることが好ましい。
いると、 動部からのパーティクルの発生を大幅に抑え
ることができることがわかったことである。
用いることが好ましい。例えば、ランプ加熱装置、電気
ヒーターを用いることが好ましい。
ことなう行うことが好ましい。例えば熱交換器により超
純水の加熱を行えばよい。
または全部がクリーンルーム内に設置することが不純物
の混入を極力低下させ得ることから好ましい。
面活性剤等を注入しでおいてもよく、この場合には洗浄
効果をより一層高めることができる。
面の洗浄に有効であることはいうまでもなく、スパッタ
リング装置等の成膜装置等の壁面の洗浄に用いてもよい
。その場合、壁面の洗浄を極めて単時間で行うことが可
能になるのみならず、洗浄後、装置の再始動までに要す
る時間(再立ち上げ時間)を大幅定短縮することが可能
となる。なお、壁面を高温・高圧の超純水で洗浄するこ
とは従来行われていない。
水供給装置201より水槽203に供給ざれた超純水は
、圧送ポンプ204に供給され、加熱装置205により
加熱され、ノズル20?より、スプレー状に洗浄面に吹
き付けられる。
ス@ (SUS3 1 6L材−JIS規#r)を用い
た。表面を電界研磨技術により加工変質層のない鏡面(
表面粗度5μmm以下)に仕上げられたステンレス鋼を
不純物(特に水分、ハイドロカーボン)濃度の非常に少
ない(数PPb以下)高純度な酸化性雰囲気中で酸化処
理を行った。酸化温度380℃で、不動態膜の厚さ70
〜80人程度であった。また、上記の酸化不働態膜は、
非常に緻密な膜であり、脱ガスが少なく、耐熱性、耐蘂
品性に優れ、超純水中への不純物溶出が極めて少ないC
r203酸化不働態表面であった。また、上記のCr2
03酸化不働態が主体となるステンレス材の他に、一超
高清浄な雰囲気中で窒化を行うことにより形成した窒化
膜をつけたTi材を用いてもよい。
3の内面、圧送ポンプ204の摺動部を含む水の通過面
、加熱装置205の内面、配管の内面、ノズルの内面等
である。
物やパーティクルを強制的にリジエクト水として系外に
排出する渦流ポンプを用いた。なお、圧送ポンプとして
、摺動部からの不純物やパーティクルを往制的にリジエ
クト水として系外に排出する渦巻ポンプを用いてもよい
。渦流ポンプの代表的な構造例を第2図に示す。軸受け
17と軸16との間の軸受シール14に、外部に連通ず
る孔が設けてあり、この孔から強制的に、摺動部近傍の
水(摺動部からのパーティクルを含む水)を系外に排出
する。なお、図面上Aで示した部分は接液部であり不動
態が形成されている面である。
各種の物が市販ざれており、その使用目的に合わせて扇
型、充円錐、直進型等のノズルが使用可能である。しか
し、ノズル噴口では水が高速で流れるために、通常のノ
ズルでは、摩耗やパーティクルの発生が起こってしまう
。これに対して、本発明ではパーティクルの発生や摩耗
の少ないノズル噴口の材質として、前記した表面に酸化
不働態膜が形成されているSUS3 1 6Lを用た。
いたが、そのほかのノズルも使用可能である。第1図で
はノズルが2個所の例を示している。
高圧超純水スプレー洗浄装置においては、接液面からの
不純物の溶出やパーティクルの発生が抑えられており、
洗浄装置に超純水を供給したところノズルから噴射され
る超純水は装置人口の比抵抗と一致した。
ると、通常の高温高圧水スプレー洗浄より洗浄効果が高
く、SUS316L電解複合研磨表面に意識的に塗布し
た機械柚や指紋が完全に除去された。
示す装置を用いて高温高圧超純水スプレー洗浄を行った
場合の昇温時の被清浄物からの脱ガスをAPIMS(大
気圧イオン化質量分析計)を用いて測定した結果を第2
図及び第3図に示す。
に、HCu−H2 o2洗浄等の薬液洗浄を行った試験
片(比較例)と、さらに、それと同じ試験片を第1図に
示す装置を用いて、60℃、10kg/crr?Gの高
温高圧超純水スプレーで20分洗浄と高純度のN2で乾
燥した試験片を、別々に、350℃まで昇温した場合の
表面からの脱ガスをAPIMSで測定した。
IMS時のキャリアガスであるArによるピークであり
、m/Z=18.19は水分であり、その他はハイトロ
カーボン等の不純物によるピークである。第2図、第3
図を比較すると、高温高圧超純水スプレー洗浄を行うと
、薬7夜洗浄によって除去されないハイトロカーボン等
の不純物は完全に除去されることがわかる。この結果に
より高温高圧超純水スプレー洗浄の効果は大きいことが
確認できた。
。ただ、その接液部には上記不動態膜の形成されたステ
ンレス鋼を用いた。
MΩ・cm)を用いた。他の点は第1実施例と同様とし
た。
・cmであったが、指紋、機械油はきれいに除去されて
いた。
Ω・cmとなるように供給水を供給した。本例ては、指
紋、機械油の除去か十分ではなかった。
置でみられた純度低下による洗浄効果の低下を防止し、
高温高圧超純水スプレー洗浄が可能になった。
分の除去も可能であり、フロン洗浄装置の代替装置とし
ても有効である。また上で述べたように、本発明の高温
高圧超純水スプレー洗浄を有効に活用することによって
、現在行われている薬品洗浄工程等の削除および代替と
して十分対応可能である。また現在まて、洗浄水中の不
純物の問題があるために行われていなかった半導体工業
におけるウエハの洗浄にも十分活用できる。
図は本発明の実施例で用いた圧送ポンプの例を示す断面
図、第3図は本発明の実施例による洗浄効果を示すグラ
フ、第4図は比較例の洗浄効果を示すグラフ、第5図は
従来例の洗浄装置の概略図である。 (符号の説明) 101・・・洗浄水供給管、102,203・・・水槽
、103,204・・・圧送ポンプ、104.205・
・・加熱装置、105.206・・・配管、106,2
07・・・ノズル、201・・・超純水供給装置、20
2・・・超純水供給管。 第 2 図 19 ,一覧 旧20
Claims (14)
- (1)25℃換算で17.0MΩ・cm以上の比抵抗を
有する超純水を被洗浄物に噴射させることにより洗浄を
行うことを特徴とする高温・高圧洗浄方法。 - (2)前記洗浄をクリンーンルーム内において行うこと
を特徴とする請求項1記載の高温・高圧洗浄方法。 - (3)界面活性剤を超純水中に注入することを特徴とす
る請求項1記載の高温・高圧洗浄方法。 - (4)前記洗浄は、成膜装置の壁面の洗浄である請求項
1記載の高温・高圧洗浄方法。 - (5)前記洗浄は、成膜を行う基体表面の洗浄である請
求項1記載の高温・高圧洗浄方法。 - (6)圧送ポンプ、加熱装置、ノズル、配管を少なくと
も有し、高温・高圧の水をノズルより被洗浄物に対し噴
射させる洗浄装置において、高温・高圧の超純水をノズ
ルより被洗浄物に対し噴射させる機能を有していること
を特徴とする高温・高圧洗浄装置。 - (7)超高純度の雰囲気中において加熱することにより
形成した不動態膜を、鏡面仕上した金属または合金表面
に有する材料により該装置の接水面を構成したことを特
徴とする請求項6記載の高温・高圧洗浄装置。 - (8)前記ノズルより噴射される超純水が、25℃換算
で17.0MΩ・cm以上の比抵抗を有することを特徴
とする請求項7記載の高温・高圧洗浄装置。 - (9)前記圧送ポンプとして、摺動部からの発塵をリジ
エクト水として、系外に排出し得る圧送ポンプを用いた
ことを特徴とする請求項6ないし8のいずれか1項に記
載の高温・高圧洗浄装置。 - (10)前記圧送ポンプは流量及び圧力を可変できるこ
とを特徴とする請求項6ないし9のいずれか1項に記載
の高温・高圧洗浄装置。 - (11)前記圧送ポンプ、加熱装置、ノズル、配管はそ
の一部または全部がクリーンルーム内に設置されている
ことを特徴とする請求項6ないし10のいずれか1項に
記載の高温・高圧洗浄装置。 - (12)前記加熱装置は、水温を任意の温度に調整可能
な加熱装置である請求項6ないし11のいずれか1項に
記載の高温・高圧洗浄装置。 - (13)前記加熱装置は、ランプ加熱炉または電気ヒー
タより構成されている請求項6ないし12のいずれか1
項に記載の高温・高圧洗浄装置。 - (14)前記ノズルは複数個設けられている請求項6な
いし13のいずれか1項に記載の高温・高圧洗浄装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00087390A JP3187405B2 (ja) | 1990-01-07 | 1990-01-07 | 高温・高圧洗浄方法及び洗浄装置 |
EP19910901639 EP0509097A4 (en) | 1990-01-07 | 1991-01-07 | High-temperature high-pressure washing method and washing apparatus |
US07/867,692 US5326035A (en) | 1990-01-07 | 1991-01-07 | High purity cleaning system |
PCT/JP1991/000002 WO1991011021A1 (en) | 1990-01-07 | 1991-01-07 | High-temperature high-pressure washing method and washing apparatus |
EP95106307A EP0669641A1 (en) | 1990-01-07 | 1991-01-07 | High temperature and high pressure cleaning equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00087390A JP3187405B2 (ja) | 1990-01-07 | 1990-01-07 | 高温・高圧洗浄方法及び洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03205824A true JPH03205824A (ja) | 1991-09-09 |
JP3187405B2 JP3187405B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=11485790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP00087390A Expired - Fee Related JP3187405B2 (ja) | 1990-01-07 | 1990-01-07 | 高温・高圧洗浄方法及び洗浄装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5326035A (ja) |
EP (2) | EP0509097A4 (ja) |
JP (1) | JP3187405B2 (ja) |
WO (1) | WO1991011021A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6103442A (en) * | 1997-12-26 | 2000-08-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for producing electrophotographic photosensitive member |
US6129098A (en) * | 1997-08-29 | 2000-10-10 | Kabushiki Kaisha Ultraclean Technology Research Institute | Apparatus for injecting constant quantitative chemicals and a method thereof |
US6321759B1 (en) | 1997-12-26 | 2001-11-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for cleaning a substrate |
US6348157B1 (en) | 1997-06-13 | 2002-02-19 | Tadahiro Ohmi | Cleaning method |
US6406554B1 (en) | 1997-12-26 | 2002-06-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for producing electrophotographic photosensitive member |
JP2015062956A (ja) * | 2012-09-19 | 2015-04-09 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5482211A (en) * | 1994-04-21 | 1996-01-09 | Hughes Aircraft Company | Supercritical fluid cleaning apparatus without pressure vessel |
JPH08238463A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Ebara Corp | 洗浄方法及び洗浄装置 |
WO1997044817A1 (en) * | 1996-05-24 | 1997-11-27 | Seh America, Inc. | Hot ultra-pure water dewaxing process |
JP3369418B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2003-01-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 超音波振動子、超音波洗浄ノズル、超音波洗浄装置、基板洗浄装置、基板洗浄処理システムおよび超音波洗浄ノズル製造方法 |
US5979474A (en) * | 1998-05-12 | 1999-11-09 | Sumitomo Sitix Corporation | Cleaning equipment for semiconductor substrates |
US7837805B2 (en) * | 2007-08-29 | 2010-11-23 | Micron Technology, Inc. | Methods for treating surfaces |
EP2476000B1 (en) * | 2009-09-08 | 2016-12-07 | Georg Fischer Signet LLC | System and method for measuring conductivity/resistivity of water having high purity |
CN102430537A (zh) * | 2011-12-09 | 2012-05-02 | 山东新华医疗器械股份有限公司 | 蒸汽清洗蒸发器装置 |
US10620060B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-04-14 | Georg Fischer Signet, LLC | Combined ultrasonic temperature and conductivity sensor assembly |
US10302474B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-05-28 | Georg Fischer Signet Llc | Insertion ultrasonic sensor assembly |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3870033A (en) * | 1973-11-30 | 1975-03-11 | Aqua Media | Ultra pure water process and apparatus |
GB1573206A (en) * | 1975-11-26 | 1980-08-20 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of trating surfaces of intermediate products obtained in the manufacture of semiconductor devices |
JPS5271871A (en) * | 1975-12-11 | 1977-06-15 | Nec Corp | Washing apparatus |
US4361163A (en) * | 1981-01-02 | 1982-11-30 | Seiichiro Aigo | Apparatus for washing semiconductor materials |
JPS57196520A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Fujitsu Ltd | Rinsing method for epitaxial growing apparatus |
JPS61156740A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-16 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
JPS61191818A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-26 | Toshiba Corp | 半導体処理装置 |
JPS6356921A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-03-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板の処理方法 |
JPH0691063B2 (ja) * | 1987-03-09 | 1994-11-14 | 富士通株式会社 | 洗浄方法 |
JPS63283027A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-18 | Toshiba Corp | 半導体の洗浄方法 |
US4832753A (en) * | 1987-05-21 | 1989-05-23 | Tempress Measurement & Control Corporation | High-purity cleaning system, method, and apparatus |
JPS63299233A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Hoya Corp | 処理装置 |
JPH01210092A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Sonitsuku Fueroo Kk | 精密洗浄の乾燥方法 |
JPH01318775A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-25 | Toyoda Mach Works Ltd | ベーンポンプ |
-
1990
- 1990-01-07 JP JP00087390A patent/JP3187405B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-01-07 US US07/867,692 patent/US5326035A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-01-07 EP EP19910901639 patent/EP0509097A4/en not_active Withdrawn
- 1991-01-07 EP EP95106307A patent/EP0669641A1/en not_active Withdrawn
- 1991-01-07 WO PCT/JP1991/000002 patent/WO1991011021A1/ja not_active Application Discontinuation
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6348157B1 (en) | 1997-06-13 | 2002-02-19 | Tadahiro Ohmi | Cleaning method |
US6129098A (en) * | 1997-08-29 | 2000-10-10 | Kabushiki Kaisha Ultraclean Technology Research Institute | Apparatus for injecting constant quantitative chemicals and a method thereof |
US6103442A (en) * | 1997-12-26 | 2000-08-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for producing electrophotographic photosensitive member |
US6321759B1 (en) | 1997-12-26 | 2001-11-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for cleaning a substrate |
US6406554B1 (en) | 1997-12-26 | 2002-06-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for producing electrophotographic photosensitive member |
JP2015062956A (ja) * | 2012-09-19 | 2015-04-09 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5326035A (en) | 1994-07-05 |
EP0509097A4 (en) | 1993-09-15 |
WO1991011021A1 (en) | 1991-07-25 |
EP0509097A1 (en) | 1992-10-21 |
EP0669641A1 (en) | 1995-08-30 |
JP3187405B2 (ja) | 2001-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH03205824A (ja) | 高温・高圧洗浄方法及び洗浄装置 | |
US6230720B1 (en) | Single-operation method of cleaning semiconductors after final polishing | |
TWI364327B (en) | Methods for wet cleaning quartz surfaces of components for plasma processing chambers | |
JP2922791B2 (ja) | 液化ガスを使用した安価な洗浄装置 | |
US6509141B2 (en) | Removal of photoresist and photoresist residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process | |
US5660640A (en) | Method of removing sputter deposition from components of vacuum deposition equipment | |
JP3261683B2 (ja) | 半導体の洗浄方法及び洗浄装置 | |
US5990060A (en) | Cleaning liquid and cleaning method | |
CN111534825B (zh) | 去除半导体设备不锈钢部件钛及氮化钛沉积膜的工艺 | |
JP2007216158A (ja) | 過熱蒸気を利用した基板洗浄方法と装置 | |
WO2002050883A1 (fr) | Procede de nettoyage et procede d'attaque | |
US20040055623A1 (en) | Multistep single chamber parts processing method | |
KR20110003556A (ko) | 강판의 산세 처리 방법 및 산세 처리 장치 | |
US5882425A (en) | Composition and method for passivation of a metallization layer of a semiconductor circuit after metallization etching | |
US6360756B1 (en) | Wafer rinse tank for metal etching and method for using | |
KR102149695B1 (ko) | 반도체 부품용 세정장치 | |
KR20070035653A (ko) | 나일론 섬유의 염색성 향상을 위한 플라즈마 표면 개질방법 | |
US6648982B1 (en) | Steam cleaning system and method for semiconductor process equipment | |
JP2018129363A (ja) | 半導体基板の洗浄装置及び半導体基板の洗浄方法 | |
JP2000058494A (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
CN101226873A (zh) | 一种多晶刻蚀腔室中电极表面的清洗方法 | |
JP6020626B2 (ja) | デバイス用Ge基板の洗浄方法、洗浄水供給装置及び洗浄装置 | |
JP2010115642A (ja) | 付着物の除去方法およびこれに用いる付着物の除去装置 | |
US6974505B2 (en) | Tool for cleaning substrates | |
JP2002252199A (ja) | 蒸気によるワークの処理方法及び装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080511 Year of fee payment: 7 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080511 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080511 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |