JP2018129363A - 半導体基板の洗浄装置及び半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 121
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 107
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 59
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 124
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 101
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 45
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 35
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 7
- -1 such as a resist Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 7
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 6
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001580 bacterial effect Effects 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 244000005700 microbiome Species 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 229920002863 poly(1,4-phenylene oxide) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
- B01F23/80—After-treatment of the mixture
- B01F23/802—Cooling the mixture
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
- B01F23/20—Mixing gases with liquids
- B01F23/23—Mixing gases with liquids by introducing gases into liquid media, e.g. for producing aerated liquids
- B01F23/231—Mixing gases with liquids by introducing gases into liquid media, e.g. for producing aerated liquids by bubbling
- B01F23/23105—Arrangement or manipulation of the gas bubbling devices
- B01F23/2312—Diffusers
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- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
- B01F23/70—Pre-treatment of the materials to be mixed
- B01F23/703—Degassing or de-aerating materials; Replacing one gas within the materials by another gas
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- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- C02F2103/346—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated from industrial activities not provided for in groups C02F2103/12 - C02F2103/32 from semiconductor processing, e.g. waste water from polishing of wafers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2201/00—Apparatus for treatment of water, waste water or sewage
- C02F2201/78—Details relating to ozone treatment devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
Description
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体基板の洗浄装置10を示す説明図である。図1に示す洗浄装置10は、脱気手段1、オゾン水生成手段2、冷却手段3、洗浄手段4を主に備える。脱気手段1は、超純水W(18.2MΩ<)を脱気するためのものであって、脱気膜モジュール11と真空ポンプ12とを有する。オゾン水生成手段2は、オゾン水W2を生成するためのものであって、オゾンガスを発生させるオゾン発生装置22と、脱気処理した超純水W1に対してオゾン発生装置22により発生したオゾンガスを溶解させる溶解膜モジュール21とを有する。冷却手段3は、オゾン水W2を冷却するためのものであって、オゾン水W2を0℃以上20℃未満に冷却可能なチラー31を有する。洗浄手段4は、半導体基板を洗浄するためのものであって、チラー31により冷却したオゾン水W3に半導体基板を浸漬して洗浄するための洗浄槽41を有する。
脱気手段1は、超純水W中の溶存酸素や溶存二酸化炭素等を除去するためのものであり、脱気膜モジュール11と真空ポンプ12とを有する。脱気膜モジュール11内は、脱気膜により液相室と気相室とに区画されており、液相室の導入口側から超純水Wが導入され、排出口側からは脱気処理した超純水W1が排出される。脱気膜モジュール11の脱気膜としては、水を透過させず、かつ水に溶解しているガスを透過させるものであれば特に制限はなく、例えば、ポリプロピレン、ポリジメチルシロキサン、ポリカーボネート−ポリジメチルシロキサンブロック共重合体、ポリビニルフェノール−ポリジメチルシロキサン−ポリスルホンブロック共重合体、ポリ(4−メチルペンテン−1)、ポリ(2,6−ジメチルフェニレンオキシド)、ポリテトラフルオロエチレン等の高分子膜等が適用できる。真空ポンプ12は、真空配管L5を介して、脱気膜モジュール11の気相室に接続している。真空ポンプ12としては特に制限はなく、例えば、水封式真空ポンプや水蒸気除去機能を備えたスクロールポンプ等、水蒸気を吸気できるものが適用できる。真空ポンプ12を用いることで、脱気膜モジュール11の気相室側を減圧することにより、超純水の酸化や細菌の繁殖の原因となる溶存気体を、効率的に脱気膜モジュール11の外部に排出できるので、脱気した超純水W1を効率的に得ることができる。
オゾン水生成手段2は、脱気処理した超純水W1にオゾンガスを溶解することによりオゾン水W2を生成するためのものであり、酸素ガスを基にオゾンガスを発生するオゾン発生装置22と、オゾン発生装置22により発生したオゾンガスを脱気処理した超純水W1に溶解する溶解膜モジュール21とを有する。オゾン発生装置22としては特に制限はなく、公知の無声放電方式、紫外線ランプ方式、水電解方式等のものが適用できる。溶解膜モジュール21内は、溶解膜により液相室と気相室とに区画されており、液相室の導入口側から脱気処理した超純水W1が導入され、排出口側からは生成したオゾン水W2が排出される。溶解膜モジュール21の溶解膜としては、水を透過させず、かつ水に溶解しているガスを透過させるものであれば特に制限はなく、例えば、ポリプロピレン、ポリジメチルシロキサン、ポリカーボネート−ポリジメチルシロキサンブロック共重合体、ポリビニルフェノール−ポリジメチルシロキサン−ポリスルホンブロック共重合体、ポリ(4−メチルペンテン−1)、ポリ(2,6−ジメチルフェニレンオキシド)、ポリテトラフルオロエチレン等の高分子膜等が適用できる。溶解膜モジュール21を用いることにより、水中での溶解率が比較的小さいオゾンを、脱気処理した超純水W1に効率的に溶解することができるので、高濃度のオゾン水W2を生成することができる。
冷却手段3は、オゾン水W2を冷却するためのものであり、オゾン水W2を0℃以上20℃未満に冷却可能なチラー31を有する。チラー31としては、オゾン水W2を0℃以上20℃未満に冷却可能であれば特に制限はなく、公知の冷却装置が適用できる。温度を0℃以上20℃未満に制御されたオゾン水W3は溶存オゾンの活性が低下するので、後段の洗浄手段4において、半導体基板表面の酸化膜の形成を抑制することができ、もって、基板材料のロスを低減することができる。
洗浄手段4は、冷却したオゾン水W3により半導体基板を洗浄するためのものであり、0℃以上20℃未満に冷却したオゾン水W3に半導体基板を浸漬して洗浄する洗浄槽41を有する。洗浄槽41としては、被洗浄物である半導体基板全体を浸漬することができれば特に制限はなく、既存のものが適用できる。洗浄槽41を用いることにより、基板全体を冷却したオゾン水W3に浸漬することができるので、静電気発生等の問題が生じず、効率的に洗浄を行うことが可能となる。また、温度を0℃以上20℃未満に制御したオゾン水W3は溶存オゾンの活性が低下するので、半導体基板表面の酸化膜の形成を抑制することができ、もって、半導体基板材料のロスを低減することができ、安定的に半導体基板の洗浄を行うことが可能となる。
次に、上述したような本実施形態の半導体基板の洗浄装置10を用いた洗浄方法について図1を参照しつつ詳説する。
脱気工程においては、まず、脱気膜モジュール11の液相室に、供給配管L1より超純水W(18.2MΩ<)が導入される。このとき、真空ポンプ12により、脱気膜モジュール11の気相室側が減圧されていることにより、超純水W中の酸化や細菌の繁殖の原因となる溶存酸素や溶存二酸化炭素が脱気膜モジュール11の外部に排出される。これにより、脱気処理した超純水W1が得られる。脱気処理した超純水W1は、供給配管L2を経て後段の溶解膜モジュール21に供給される。なお、脱気膜モジュール11のドレン水D1は、廃水配管L6を経てドレンタンク5に貯蔵される。
オゾン水生成工程においては、まず、オゾン発生装置22に、酸素ガス供給配管L8より酸素ガスが導入され、この酸素ガスに基づきオゾンガスが生成される。溶解膜モジュール21の気相室には、この生成されたオゾンガスがオゾンガス供給配管L9より導入され、液相室には、脱気処理した超純水W1が供給配管L2より供給される。溶解膜モジュール21内で、脱気処理した超純水W1にオゾンガスを溶解することにより、高濃度のオゾン水W2が生成される。生成されたオゾン水W2は、供給配管L3を経て後段のチラー31に供給される。なお、溶解膜モジュール21のドレン水D2は、廃水配管L7を経てドレンタンク5に貯蔵される。
次に、冷却工程において、チラー31に供給されたオゾン水W2を0℃以上20℃未満に冷却する。0℃以上20℃未満に冷却されたオゾン水W3は、供給配管L4を経て後段の洗浄槽41に供給される。
洗浄工程においては、まず、洗浄槽41に所定の量の冷却したオゾン水W3が供給されると、不図示の搬送手段により半導体基板が洗浄槽41に搬入される。洗浄槽41に搬入された半導体基板は、冷却したオゾン水W3中に浸漬されて、洗浄される。所定時間が経過すると、搬送手段により洗浄後の半導体基板は洗浄槽41外へ搬出される。なお、搬送手段は、複数の半導体基板を洗浄槽41に搬入及び搬出するものであってもよい。半導体基板の浸漬洗浄後のオゾン水W3は、不図示の廃水配管を経て洗浄槽41外に排出される。そして、次に洗浄すべき半導体基板に対して、洗浄工程が繰り返し行われる。
上記清浄化後の半導体基板を、チラー31により冷却したオゾン水W3に5分間浸漬させて洗浄した後、酸化膜厚をエリプソメーターで測定した。
半導体基板を浸漬洗浄するオゾン水を冷却しなかった以外は実施例1と同様にして、上記清浄化後の半導体基板の浸漬洗浄をした後、酸化膜厚をエリプソメーターで測定した。
1 脱気手段
11 脱気膜モジュール
12 真空ポンプ
2 オゾン水生成手段
21 溶解膜モジュール
22 オゾン発生装置
3 冷却手段
31 チラー
4 洗浄手段
41 洗浄槽
5 ドレンタンク
L1,L2,L3,L4 供給配管
L5 真空配管
L6 ,L7 廃水配管
L8 酸素ガス供給配管
L9 オゾンガス供給配管
W 超純水
W1 脱気処理した超純水
W2 オゾン水
W3 冷却したオゾン水
D1,D2 ドレン水
Claims (6)
- オゾン水を用いて基板を洗浄する基板洗浄装置であって、
20℃以上のオゾン水を所定の温度に冷却する冷却手段と、
前記冷却手段で冷却したオゾン水により基板を洗浄する洗浄手段と
を備える基板洗浄装置。 - 前記洗浄手段が、前記冷却手段により冷却したオゾン水に前記基板を浸漬して洗浄する洗浄槽を有する請求項1に記載の基板洗浄装置。
- 前記冷却手段が、オゾン水を0℃以上20℃未満に冷却可能なチラーを有する請求項1又は請求項2に記載の基板洗浄装置。
- 前記冷却手段に供給するオゾン水を生成するオゾン水生成手段をさらに備え、
前記オゾン水生成手段が、オゾンを発生するオゾン発生装置と、前記オゾン発生装置により発生したオゾンを超純水に溶解する溶解膜モジュールとを有する
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。 - 前記溶解膜モジュールに供給する超純水を脱気処理する脱気手段をさらに備え、
前記脱気手段が、脱気膜モジュールと真空ポンプとを有する
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。 - オゾン水を用いて基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
20℃以上のオゾン水を所定の温度に冷却する冷却工程と、
前記冷却工程で冷却したオゾン水により基板を洗浄する洗浄工程と
を備える基板洗浄方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017020428A JP6428806B2 (ja) | 2017-02-07 | 2017-02-07 | 半導体基板の洗浄装置及び半導体基板の洗浄方法 |
KR1020197021232A KR102433204B1 (ko) | 2017-02-07 | 2017-09-12 | 반도체 기판의 세정 장치 및 반도체 기판의 세정 방법 |
PCT/JP2017/032789 WO2018146847A1 (ja) | 2017-02-07 | 2017-09-12 | 半導体基板の洗浄装置及び半導体基板の洗浄方法 |
US16/484,120 US20190374911A1 (en) | 2017-02-07 | 2017-09-12 | Cleaning apparatus for semiconductor substrates and cleaning method for semiconductor substrates |
CN201780082927.6A CN110168705B (zh) | 2017-02-07 | 2017-09-12 | 半导体基板的清洗装置及半导体基板的清洗方法 |
TW106131344A TWI721213B (zh) | 2017-02-07 | 2017-09-13 | 基板洗淨裝置及基板洗淨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017020428A JP6428806B2 (ja) | 2017-02-07 | 2017-02-07 | 半導体基板の洗浄装置及び半導体基板の洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018129363A true JP2018129363A (ja) | 2018-08-16 |
JP6428806B2 JP6428806B2 (ja) | 2018-11-28 |
Family
ID=63107382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017020428A Active JP6428806B2 (ja) | 2017-02-07 | 2017-02-07 | 半導体基板の洗浄装置及び半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190374911A1 (ja) |
JP (1) | JP6428806B2 (ja) |
KR (1) | KR102433204B1 (ja) |
CN (1) | CN110168705B (ja) |
TW (1) | TWI721213B (ja) |
WO (1) | WO2018146847A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7490060B2 (ja) | 2019-12-23 | 2024-05-24 | ウェイモ エルエルシー | 接触液浸リソグラフィのためのシステムおよび方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111105996B (zh) * | 2020-01-03 | 2021-11-09 | 长江存储科技有限责任公司 | 待清洗工件的清洗方法及清洗设备 |
KR20240041612A (ko) * | 2022-09-23 | 2024-04-01 | 주식회사 플롯퍼실리티스 | 병렬구조 무중단 칠러 시스템 |
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-
2017
- 2017-02-07 JP JP2017020428A patent/JP6428806B2/ja active Active
- 2017-09-12 WO PCT/JP2017/032789 patent/WO2018146847A1/ja active Application Filing
- 2017-09-12 CN CN201780082927.6A patent/CN110168705B/zh active Active
- 2017-09-12 US US16/484,120 patent/US20190374911A1/en not_active Abandoned
- 2017-09-12 KR KR1020197021232A patent/KR102433204B1/ko active IP Right Grant
- 2017-09-13 TW TW106131344A patent/TWI721213B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110168705A (zh) | 2019-08-23 |
TWI721213B (zh) | 2021-03-11 |
KR102433204B1 (ko) | 2022-08-16 |
US20190374911A1 (en) | 2019-12-12 |
KR20190113781A (ko) | 2019-10-08 |
JP6428806B2 (ja) | 2018-11-28 |
CN110168705B (zh) | 2023-11-28 |
TW201840371A (zh) | 2018-11-16 |
WO2018146847A1 (ja) | 2018-08-16 |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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