JP2018129363A - 半導体基板の洗浄装置及び半導体基板の洗浄方法 - Google Patents

半導体基板の洗浄装置及び半導体基板の洗浄方法 Download PDF

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Abstract

【課題】半導体基板をオゾン水に浸漬させることにより、基板表面に残留したレジスト等の有機物や金属異物を洗浄除去するとともに、洗浄工程における基板材料のロスを低減させることができる半導体基板の洗浄装置及び洗浄方法を提供する。【解決手段】オゾン水を用いて半導体基板を洗浄する半導体基板の洗浄装置10であって、20℃以上のオゾン水W2を所定の温度に冷却する冷却手段3と、冷却手段3で冷却したオゾン水W3により基板を洗浄する洗浄手段4とを備える。洗浄手段4は、冷却手段3により冷却されたオゾン水W3に基板を浸漬して洗浄する洗浄槽41を有する。【選択図】図1

Description

本発明は、半導体基板の洗浄装置及び洗浄方法に関し、特に、オゾン水中に半導体基板を浸漬して洗浄する半導体基板の洗浄装置及び洗浄方法に関する。
半導体デバイスの製造において、製造過程で生じるレジスト等の有機物や金属異物の汚染物質は、半導体基板の表面に付着したり残存したりすると、半導体の電気的特性に劣化等を生じさせ、その品質に多大な影響を与える。したがって、半導体デバイスの製造において、半導体基板の洗浄は極めて重要な課題である。
半導体基板の洗浄方法としては、液体を媒体として用いるウェット洗浄方法と乾式で行うドライ洗浄方法とがあり、ウェット洗浄方法には、基板を液体に浸漬する浸漬式と、基板に液体を噴射する枚葉式とがある。従来、半導体デバイスの製造においては、浸漬式のウェット洗浄方法であるRCA洗浄方式を基本として、基板の洗浄が行われている。RCA洗浄後の基板は、表面に形成された酸化膜をフッ酸により除去した後、超純水によりリンスを行う。
RCA洗浄方式は、高濃度薬液を大量に使用することにより、基板表面に付着した有機物や金属異物を除去するものである。したがって、RCA洗浄方式は、洗浄後の高濃度薬液の廃水や、洗浄装置から発生する有毒ガス等を処理するための設備が別途必要であり、処理コストや環境負荷の増大といった課題を持ちながら用いられているのが現状である。
上記課題への対策として、近年では、例えば特許文献1及び2に開示されるような、オゾン水に半導体基板を浸漬させて洗浄する洗浄方法が提案されている。特許文献2に開示される基板処理方法では、比較的低温で製造された純水にオゾンガスを高濃度に溶解させたオゾン水を、約20℃から約40℃の範囲内まで加熱することにより、高い酸化力を維持したままで基板表面の処理を行い、洗浄効果の向上を図っている。高濃度オゾン水は、従来の高濃度薬液に比べて金属不純物が少なく、また、時間の経過と共に無害な物質に変化するため、環境負荷が少ないといった利点を有している。
ところで、最近の半導体デバイスの高集積化や回路パターンの微細化の進行に伴い、基板表面の品質に対する要求がますます厳しくなっていることから、洗浄性能のさらなる向上が要求されており、これに付随して環境負荷の低減の観点から洗浄工程における基板材料のロスの低減が要求されている。しかし、上述の洗浄方法では、基板表面の有機物や金属異物の除去は達成できるが、オゾン水中のオゾン濃度が非常に高いため、基板表面に酸化膜が厚く形成されてしまい、基板材料のロスが増加するという不都合がある。
特許第4054374号 特許第3691985号
本発明は上述のような事情に基づいてなされたものであり、半導体基板をオゾン水に浸漬させることにより、基板表面に残留したレジスト等の有機物や金属異物を洗浄除去するとともに、洗浄工程における基板材料のロスを低減させることができる半導体基板の洗浄装置及び洗浄方法の提供を目的とする。
上記課題を解決するために、第一に本発明は、オゾン水を用いて基板を洗浄する基板洗浄装置であって、20℃以上のオゾン水を所定の温度に冷却する冷却手段と、前記冷却手段で冷却したオゾン水により基板を洗浄する洗浄手段とを備える基板洗浄装置を提供する(発明1)。
かかる発明(発明1)によれば、基板の洗浄に、所定の温度に冷却した低温のオゾン水を用いることにより、溶存オゾンの活性が低下するので、基板表面の酸化膜の形成を抑制することができ、もって、基板材料のロスを低減することが可能となる。
上記発明(発明1)においては、前記洗浄手段が、前記冷却手段により冷却したオゾン水に前記基板を浸漬して洗浄する洗浄槽を有することが好ましい(発明2)。
かかる発明(発明2)によれば、基板全体を冷却したオゾン水に浸漬することができるので、静電気発生等の問題が生じず、効率的に洗浄を行うことが可能となる。
上記発明(発明1,2)においては、前記冷却手段が、オゾン水を0℃以上20℃未満に冷却可能なチラーを有することが好ましい(発明3)。
かかる発明(発明3)によれば、洗浄手段に供給するオゾン水の温度を0℃以上20℃未満に制御することができるので、冷却したオゾン水により安定的に洗浄を行うことが可能となる。
上記発明(発明1−3)においては、前記冷却手段に供給するオゾン水を生成するオゾン水生成手段をさらに備え、前記オゾン水生成手段が、オゾンを発生するオゾン発生装置と、前記オゾン発生装置により発生したオゾンを超純水に溶解する溶解膜モジュールとを有することが好ましい(発明4)。
かかる発明(発明4)によれば、溶解膜モジュールを用いることにより、水中での溶解率が比較的小さいオゾンを、脱気処理した超純水に効率的に溶解することができるので、高濃度のオゾン水を生成することが可能となる。
上記発明(発明1−4)においては、前記溶解膜モジュールに供給する超純水を脱気処理する脱気手段をさらに備え、前記脱気手段が、脱気膜モジュールと真空ポンプとを有することが好ましい(発明5)。
かかる発明(発明5)によれば、真空ポンプを用いることで、脱気膜モジュールの排出口側を真空状態とすることにより、超純水の酸化や細菌の繁殖の原因となる溶存気体を、効率的に脱気膜モジュールの外部に排出できるので、脱気した超純水を効率的に得ることが可能となる。
第二に本発明は、オゾン水を用いて基板を洗浄する基板洗浄方法であって、20℃以上のオゾン水を所定の温度に冷却する冷却工程と、前記冷却工程で冷却したオゾン水により基板を洗浄する洗浄工程とを備える基板洗浄方法を提供する(発明6)。
本発明の洗浄装置及び洗浄方法によれば、基板の洗浄に、所定の温度に冷却した低温のオゾン水を用いることにより、溶存オゾンの活性が低下するので、基板表面の酸化膜の形成を抑制することができ、もって、基板材料のロスを低減することが可能となる。
本発明の一実施形態に係る半導体基板の洗浄装置を示す説明図である。
以下、本発明の半導体基板の洗浄装置及び半導体基板の洗浄方法の実施の形態について、適宜図面を参照して説明する。以下に説明する実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであって、何ら本発明を限定するものではない。
[半導体基板の洗浄装置]
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体基板の洗浄装置10を示す説明図である。図1に示す洗浄装置10は、脱気手段1、オゾン水生成手段2、冷却手段3、洗浄手段4を主に備える。脱気手段1は、超純水W(18.2MΩ<)を脱気するためのものであって、脱気膜モジュール11と真空ポンプ12とを有する。オゾン水生成手段2は、オゾン水W2を生成するためのものであって、オゾンガスを発生させるオゾン発生装置22と、脱気処理した超純水W1に対してオゾン発生装置22により発生したオゾンガスを溶解させる溶解膜モジュール21とを有する。冷却手段3は、オゾン水W2を冷却するためのものであって、オゾン水W2を0℃以上20℃未満に冷却可能なチラー31を有する。洗浄手段4は、半導体基板を洗浄するためのものであって、チラー31により冷却したオゾン水W3に半導体基板を浸漬して洗浄するための洗浄槽41を有する。
また、半導体基板の洗浄装置10には、不図示の原水槽から超純水Wを脱気膜モジュール11に供給する供給配管L1と、脱気膜モジュール11と溶解膜モジュール21とを接続する供給配管L2と、溶解膜モジュール21とチラー31とを接続する供給配管L3と、チラー31と洗浄槽41とを接続する供給配管L4とが設けられている。脱気膜モジュール11には、真空配管L5を介して真空ポンプ12が接続している。脱気膜モジュール11及び溶解膜モジュール21には、ドレン水D1及びD2を排出するための廃水配管L6及びL7がそれぞれ接続しており、廃水配管L6及びL7はドレンタンク5に接続している。溶解膜モジュール21には、オゾン発生装置22で発生したオゾンガスを供給するオゾンガス供給配管L9が接続しており、オゾン発生装置22には、酸素ガスを供給する酸素ガス供給配管L8が接続している。
(脱気手段)
脱気手段1は、超純水W中の溶存酸素や溶存二酸化炭素等を除去するためのものであり、脱気膜モジュール11と真空ポンプ12とを有する。脱気膜モジュール11内は、脱気膜により液相室と気相室とに区画されており、液相室の導入口側から超純水Wが導入され、排出口側からは脱気処理した超純水W1が排出される。脱気膜モジュール11の脱気膜としては、水を透過させず、かつ水に溶解しているガスを透過させるものであれば特に制限はなく、例えば、ポリプロピレン、ポリジメチルシロキサン、ポリカーボネート−ポリジメチルシロキサンブロック共重合体、ポリビニルフェノール−ポリジメチルシロキサン−ポリスルホンブロック共重合体、ポリ(4−メチルペンテン−1)、ポリ(2,6−ジメチルフェニレンオキシド)、ポリテトラフルオロエチレン等の高分子膜等が適用できる。真空ポンプ12は、真空配管L5を介して、脱気膜モジュール11の気相室に接続している。真空ポンプ12としては特に制限はなく、例えば、水封式真空ポンプや水蒸気除去機能を備えたスクロールポンプ等、水蒸気を吸気できるものが適用できる。真空ポンプ12を用いることで、脱気膜モジュール11の気相室側を減圧することにより、超純水の酸化や細菌の繁殖の原因となる溶存気体を、効率的に脱気膜モジュール11の外部に排出できるので、脱気した超純水W1を効率的に得ることができる。
(オゾン水生成手段)
オゾン水生成手段2は、脱気処理した超純水W1にオゾンガスを溶解することによりオゾン水W2を生成するためのものであり、酸素ガスを基にオゾンガスを発生するオゾン発生装置22と、オゾン発生装置22により発生したオゾンガスを脱気処理した超純水W1に溶解する溶解膜モジュール21とを有する。オゾン発生装置22としては特に制限はなく、公知の無声放電方式、紫外線ランプ方式、水電解方式等のものが適用できる。溶解膜モジュール21内は、溶解膜により液相室と気相室とに区画されており、液相室の導入口側から脱気処理した超純水W1が導入され、排出口側からは生成したオゾン水W2が排出される。溶解膜モジュール21の溶解膜としては、水を透過させず、かつ水に溶解しているガスを透過させるものであれば特に制限はなく、例えば、ポリプロピレン、ポリジメチルシロキサン、ポリカーボネート−ポリジメチルシロキサンブロック共重合体、ポリビニルフェノール−ポリジメチルシロキサン−ポリスルホンブロック共重合体、ポリ(4−メチルペンテン−1)、ポリ(2,6−ジメチルフェニレンオキシド)、ポリテトラフルオロエチレン等の高分子膜等が適用できる。溶解膜モジュール21を用いることにより、水中での溶解率が比較的小さいオゾンを、脱気処理した超純水W1に効率的に溶解することができるので、高濃度のオゾン水W2を生成することができる。
なお、高濃度のオゾン水の生成には、オゾンガスを高濃度に溶解させるために、加温された超純水(温超純水)を用いるのが一般的であることから、上記高濃度のオゾン水W2は、20℃以上の水温を有しているのが通常である。半導体基板の洗浄装置10において、供給配管L2には、溶解膜モジュール21に供給する脱気処理した超純水W1の温度制御のための加温装置(不図示)が設けられていてもよい。
(冷却手段)
冷却手段3は、オゾン水W2を冷却するためのものであり、オゾン水W2を0℃以上20℃未満に冷却可能なチラー31を有する。チラー31としては、オゾン水W2を0℃以上20℃未満に冷却可能であれば特に制限はなく、公知の冷却装置が適用できる。温度を0℃以上20℃未満に制御されたオゾン水W3は溶存オゾンの活性が低下するので、後段の洗浄手段4において、半導体基板表面の酸化膜の形成を抑制することができ、もって、基板材料のロスを低減することができる。
なお、冷却手段3は、並列に連結される複数のチラー31を有するチラーユニットを備え、このチラーユニットが、各チラー31の冷却機能の低下の程度に応じて、複数のチラー31の運転状態を切替可能に構成されていてもよい。冷却手段3が、このような構成であることにより、複数のチラー31の運転状態を切り替えることで、使用するチラー31を選択することができるので、例えば微生物等が発生して冷却機能が低下したチラー31がある場合でも、チラーユニット全体の運転を停止せずに継続することができ、冷却したオゾン水W3の製造効率が向上する。
(洗浄手段)
洗浄手段4は、冷却したオゾン水W3により半導体基板を洗浄するためのものであり、0℃以上20℃未満に冷却したオゾン水W3に半導体基板を浸漬して洗浄する洗浄槽41を有する。洗浄槽41としては、被洗浄物である半導体基板全体を浸漬することができれば特に制限はなく、既存のものが適用できる。洗浄槽41を用いることにより、基板全体を冷却したオゾン水W3に浸漬することができるので、静電気発生等の問題が生じず、効率的に洗浄を行うことが可能となる。また、温度を0℃以上20℃未満に制御したオゾン水W3は溶存オゾンの活性が低下するので、半導体基板表面の酸化膜の形成を抑制することができ、もって、半導体基板材料のロスを低減することができ、安定的に半導体基板の洗浄を行うことが可能となる。
[半導体基板の洗浄方法]
次に、上述したような本実施形態の半導体基板の洗浄装置10を用いた洗浄方法について図1を参照しつつ詳説する。
(脱気工程)
脱気工程においては、まず、脱気膜モジュール11の液相室に、供給配管L1より超純水W(18.2MΩ<)が導入される。このとき、真空ポンプ12により、脱気膜モジュール11の気相室側が減圧されていることにより、超純水W中の酸化や細菌の繁殖の原因となる溶存酸素や溶存二酸化炭素が脱気膜モジュール11の外部に排出される。これにより、脱気処理した超純水W1が得られる。脱気処理した超純水W1は、供給配管L2を経て後段の溶解膜モジュール21に供給される。なお、脱気膜モジュール11のドレン水D1は、廃水配管L6を経てドレンタンク5に貯蔵される。
(オゾン水生成工程)
オゾン水生成工程においては、まず、オゾン発生装置22に、酸素ガス供給配管L8より酸素ガスが導入され、この酸素ガスに基づきオゾンガスが生成される。溶解膜モジュール21の気相室には、この生成されたオゾンガスがオゾンガス供給配管L9より導入され、液相室には、脱気処理した超純水W1が供給配管L2より供給される。溶解膜モジュール21内で、脱気処理した超純水W1にオゾンガスを溶解することにより、高濃度のオゾン水W2が生成される。生成されたオゾン水W2は、供給配管L3を経て後段のチラー31に供給される。なお、溶解膜モジュール21のドレン水D2は、廃水配管L7を経てドレンタンク5に貯蔵される。
なお、高濃度のオゾン水の生成には、オゾンガスを高濃度に溶解させるために、加温された超純水(温超純水)を用いるのが一般的であることから、上記高濃度のオゾン水W2は、20℃以上の水温を有しているのが通常である。半導体基板の洗浄装置10において、供給配管L2には、溶解膜モジュール21に供給する脱気処理した超純水W1の温度制御のための加温装置(不図示)が設けられていてもよく、上記オゾン水生成工程は、脱気処理した超純水W1を加温する工程を有していてもよい。
(冷却工程)
次に、冷却工程において、チラー31に供給されたオゾン水W2を0℃以上20℃未満に冷却する。0℃以上20℃未満に冷却されたオゾン水W3は、供給配管L4を経て後段の洗浄槽41に供給される。
なお、冷却工程は、並列に連結される複数のチラー31を有するチラーユニットを用いて、各チラー31の冷却機能の低下の程度に応じて、複数のチラー31の運転状態を切り替えることにより行ってもよい。複数のチラー31の運転状態を切り替えることにより、使用するチラー31を選択することができるので、例えば微生物等が発生して冷却機能が低下したチラー31がある場合でも、チラーユニット全体の運転は停止させずに継続することができ、冷却したオゾン水W3の製造効率が向上する。
(洗浄工程)
洗浄工程においては、まず、洗浄槽41に所定の量の冷却したオゾン水W3が供給されると、不図示の搬送手段により半導体基板が洗浄槽41に搬入される。洗浄槽41に搬入された半導体基板は、冷却したオゾン水W3中に浸漬されて、洗浄される。所定時間が経過すると、搬送手段により洗浄後の半導体基板は洗浄槽41外へ搬出される。なお、搬送手段は、複数の半導体基板を洗浄槽41に搬入及び搬出するものであってもよい。半導体基板の浸漬洗浄後のオゾン水W3は、不図示の廃水配管を経て洗浄槽41外に排出される。そして、次に洗浄すべき半導体基板に対して、洗浄工程が繰り返し行われる。
以上のように、本発明の洗浄方法によれば、半導体基板の洗浄に、所定の温度、特に0℃以上20℃未満の温度に冷却した低温のオゾン水を用いることにより、溶存オゾンの活性が低下するので、基板表面の酸化膜の形成を抑制することができ、もって、基板材料のロスを低減することが可能となる。
以上、本発明について図面を参照にして説明してきたが、本発明は上記実施形態に限定されず、種々の変更実施が可能である。本実施形態においては、洗浄手段4において、洗浄槽41を用いて浸漬式により半導体基板の洗浄を行っているが、0℃以上20℃未満に冷却したオゾン水W3で半導体基板を洗浄することが可能であれば、例えば、半導体基板にオゾン水W3を噴射する枚葉式で洗浄を行ってもよい。
以下、実施例に基づき本発明をさらに詳説するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
図1に示す半導体基板の洗浄装置10を用いて、半導体基板の洗浄処理を行った。まず、半導体基板を常温のオゾン水(15ppm)に5分間浸漬させた後、0.5wt%の希薄フッ酸に5分間浸漬させて、表面を清浄化した。
<実施例1>
上記清浄化後の半導体基板を、チラー31により冷却したオゾン水W3に5分間浸漬させて洗浄した後、酸化膜厚をエリプソメーターで測定した。
<比較例1>
半導体基板を浸漬洗浄するオゾン水を冷却しなかった以外は実施例1と同様にして、上記清浄化後の半導体基板の浸漬洗浄をした後、酸化膜厚をエリプソメーターで測定した。
実施例1及び比較例1について、オゾン水による浸漬洗浄後の酸化膜厚の数値を表1に示す。本結果から分かるように、半導体基板を浸漬させるオゾン水の温度を0℃以上20℃未満に冷却することによって、オゾン水中のオゾンの活性が減少し、同様の浸漬時間でも酸化膜厚を制御することができることが分かった。
Figure 2018129363
以上説明したように、本発明の半導体基板の洗浄装置及び洗浄方法によれば、基板表面に残留したレジスト等の有機物や金属異物を洗浄除去するとともに、洗浄工程における基板材料のロスを低減させることができる。
本発明は、半導体デバイスの製造において、製造過程で生じるレジスト等の有機物や金属異物の汚染物質の洗浄装置及び洗浄方法として有用である。
10 半導体基板の洗浄装置
1 脱気手段
11 脱気膜モジュール
12 真空ポンプ
2 オゾン水生成手段
21 溶解膜モジュール
22 オゾン発生装置
3 冷却手段
31 チラー
4 洗浄手段
41 洗浄槽
5 ドレンタンク
L1,L2,L3,L4 供給配管
L5 真空配管
L6 ,L7 廃水配管
L8 酸素ガス供給配管
L9 オゾンガス供給配管
W 超純水
W1 脱気処理した超純水
W2 オゾン水
W3 冷却したオゾン水
D1,D2 ドレン水

Claims (6)

  1. オゾン水を用いて基板を洗浄する基板洗浄装置であって、
    20℃以上のオゾン水を所定の温度に冷却する冷却手段と、
    前記冷却手段で冷却したオゾン水により基板を洗浄する洗浄手段と
    を備える基板洗浄装置。
  2. 前記洗浄手段が、前記冷却手段により冷却したオゾン水に前記基板を浸漬して洗浄する洗浄槽を有する請求項1に記載の基板洗浄装置。
  3. 前記冷却手段が、オゾン水を0℃以上20℃未満に冷却可能なチラーを有する請求項1又は請求項2に記載の基板洗浄装置。
  4. 前記冷却手段に供給するオゾン水を生成するオゾン水生成手段をさらに備え、
    前記オゾン水生成手段が、オゾンを発生するオゾン発生装置と、前記オゾン発生装置により発生したオゾンを超純水に溶解する溶解膜モジュールとを有する
    請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
  5. 前記溶解膜モジュールに供給する超純水を脱気処理する脱気手段をさらに備え、
    前記脱気手段が、脱気膜モジュールと真空ポンプとを有する
    請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
  6. オゾン水を用いて基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
    20℃以上のオゾン水を所定の温度に冷却する冷却工程と、
    前記冷却工程で冷却したオゾン水により基板を洗浄する洗浄工程と
    を備える基板洗浄方法。
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