JPH11214586A - 電子回路装置 - Google Patents
電子回路装置Info
- Publication number
- JPH11214586A JPH11214586A JP10023854A JP2385498A JPH11214586A JP H11214586 A JPH11214586 A JP H11214586A JP 10023854 A JP10023854 A JP 10023854A JP 2385498 A JP2385498 A JP 2385498A JP H11214586 A JPH11214586 A JP H11214586A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- bare chip
- enclosure
- circuit device
- wiring board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 111
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 111
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 9
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000007480 spreading Effects 0.000 abstract description 4
- 238000003892 spreading Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
- H01L2224/26152—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
- H01L2224/26175—Flow barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/27011—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature
- H01L2224/27013—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature for holding or confining the layer connector, e.g. solder flow barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83009—Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
- H01L2224/83051—Forming additional members, e.g. dam structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83102—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus using surface energy, e.g. capillary forces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
- H01L2224/9212—Sequential connecting processes
- H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
- H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/1579—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19043—Component type being a resistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
とする電子回路装置を提供する。 【解決手段】配線基板10上のベアチップ搭載部13に
ベアチップ14より大形の樹脂流れ防止用の囲い18を
設け、ベアチップ14を囲い18で囲まれたベアチップ
搭載部13にフェースダウン実装する。囲い18の注入
用ゲート18aから封止樹脂16を注入し、ベアチップ
14と配線基板10との隙間に樹脂16を充填する。充
填終了は充填確認溝18bからの樹脂16の流出で確認
できる。
Description
ップをフェースダウン実装してなる電子回路装置に関す
るものである。
配線基板などのエポキシ樹脂等を基材とする配線基板1
に、ベアチップ2をはんだバンプ技術を用いて搭載する
場合、図1に示す方法がとられていた。すなわち、1は
配線基板、2はベアチップであり、配線基板1上に形成
された電極3上にベアチップ2のはんだバンプ4が接合
され、フェースダウン実装されている。配線基板1の電
極3は、はんだの不要な濡れ拡がりを防止するためソル
ダーレジスト膜5によって被覆されている。上記はんだ
バンプ4を接合後、フラックスを洗浄・除去し、封止樹
脂6をディスペンサ7などを用いてベアチップ2の一端
側もしくは一辺ないし二辺に吐出し、毛細管現象によっ
てベアチップ2と配線基板1の隙間に樹脂6を浸透さ
せ、熱硬化ないし光硬化を行なって樹脂封止を行なって
いる(図2参照)。なお、図1,図2では説明を簡単に
するため、配線基板1上にベアチップ2のみが実装され
ているが、実際にはベアチップ2に隣接してチップコン
デンサやチップ抵抗などの他の表面実装部品が実装され
る。
回路では、樹脂6が表面張力によりなだらかなフィレッ
ト6aを形成し、ベアチップ2よりも外側にはみ出すこ
とになる。特に、樹脂6の浸透性を向上させるために、
基板1の加熱を行なったり、低粘度の樹脂6を用いる
と、樹脂6の表面張力が下がり、フィレット6aが大き
くなったり、最初の吐出点において樹脂6が擬円状に拡
がってしまうという現象が生じる。また、ディスペンサ
7の吐出量のばらつきによっても、拡がりが発生するこ
とがある。このように樹脂6がベアチップ2より外側へ
大きく拡がってしまうと、その後に搭載する表面実装部
品の電極表面を樹脂6が覆うことになり、電気的な接続
が行なえず、高密度化を阻害するという不具合が発生し
た。
がりを防止し、高密度化を可能とする電子回路装置を提
供することにある。
め、請求項1に記載の発明は、配線基板上にベアチップ
をフェースダウン実装した電子回路装置において、上記
配線基板上のベアチップ搭載部にベアチップより大形の
樹脂流れ防止用の囲いを設け、上記ベアチップを上記囲
いで囲まれたベアチップ搭載部にフェースダウン実装す
るとともに、ベアチップと配線基板との隙間に封止樹脂
を充填してなることを特徴とする。
封止樹脂を流し込むと、封止樹脂はベアチップと配線基
板との隙間に流れ込んで充填される。このとき、封止樹
脂の一部がベアチップの外側へ流れようとするが、樹脂
流れ防止用囲いが樹脂の流れをせき止めるので、低粘度
の樹脂を使用しても、また樹脂の吐出量が多少多くなっ
ても、囲いが不要な樹脂の拡がりを防止でき、隣接する
他の電子部品の電極を覆うことがない。したがって、高
密度化を保ちつつ、封止樹脂を容易に充填できる。
封止樹脂を流し込む際、ベアチップと囲いとが近接して
いると、樹脂がベアチップ上や囲いの上へ溢れ出やす
い。そこで、請求項2に記載のように、樹脂流れ防止用
の囲いの一部に、外側へ張り出した樹脂注入用ゲートを
設けるのが望ましい。この場合には、樹脂注入部分をゲ
ートで取り囲むことで、樹脂の外側への溢れ出しを防止
できる。
に浸透するには例えば10〜15秒(チップサイズが大
きくなると増す)程度を要するが、樹脂の浸透が終了し
たことを確認するためには、ベアチップの周囲四辺を注
意深く監視しなければならず、工程短縮の障害となって
いる。特に、ベアチップとその周囲に設けられる流れ防
止用の囲いとの間隔が狭くなると、樹脂の充填が終了し
たか否かの判別が難しくなる。そこで、請求項3のよう
に、樹脂流れ防止用の囲いの注入用ゲートから最遠点部
分に、ベアチップと配線基板との隙間に充填された封止
樹脂が流れ出す充填確認溝を設けるのが望ましい。つま
り、樹脂の浸透はゲートの反対側(最遠点側)が最も遅
くなるので、充填確認溝から樹脂が流れ出してきた時に
は樹脂の充填が終了したことを示しており、充填終了を
容易に判別できるからである。
をソルダーレジスト膜で形成するのが望ましい。すなわ
ち、本発明を混成集積回路に適用した場合、ベアチップ
に隣接して他の表面実装部品を配線基板に半田付けする
ことになるが、半田が余分な場所に拡がらないように表
面実装部品の半田付け部の周囲をソルダーレジスト膜で
覆う必要がある。そこで、このソルダーレジスト膜を樹
脂流れ防止用の囲いとして兼用すれば、格別な囲いの形
成作業を省略できる。
の間には所定のクリアランスを設けておく必要があり、
囲いを高い寸法精度で形成する必要がある。通常の熱硬
化性樹脂を用いて印刷法で囲いを形成すると、±0.1
〜0.2mm程度の寸法バラツキが生じるが、請求項5
に記載のように、感光性樹脂材料を用いてフォトリソグ
ラフ法によって形成した場合には±0.05mm以下に
でき、囲いの寸法精度が向上する。
合、バンプ高さは20〜50μmとなるが、これを熱圧
着などの技術を用いて配線基板の電極に接合すると、バ
ンプは押しつぶされ、約10〜30μmの隙間がベアチ
ップと配線基板との間に生じることになる。この隙間に
封止樹脂を注入することになるが、ベアチップと囲いと
の平面方向の間隔は例えば200〜300μm程度と狭
いので、囲いの上面がベアチップの上面より高い位置に
あると、樹脂の浸透性が悪くなり、ベアチップ上や囲い
の上面を樹脂が流れてしまうという問題がある。そのた
め、請求項6に記載のように、樹脂流れ防止用の囲いの
上面を少なくともベアチップの上面よりも低い位置とす
るのが望ましい。
回路装置の一例を示しており、この図にはベアチップ以
外の表面実装部品は省略されている。図において、10
はプリント配線基板であり、その上面には電極11がパ
ターン形成され、その上面はベアチップ搭載部13を残
してソルダーレジスト膜12で覆われている。ソルダー
レジスト膜12の材質としては、例えば熱硬化型のメラ
ミン樹脂,エポキシ樹脂、紫外線硬化型のエポキシ樹
脂,ポリイミド樹脂などを用いることができる。上記ベ
アチップ搭載部13には電極11の一部が露出してお
り、これら電極11の露出部にベアチップ14がフェー
スダウン実装されている。すなわち、ベアチップ14の
下面には複数の金属バンプ15が設けられ、これら金属
バンプ15が電極11の露出部に熱圧着,超音波圧着,
熱/超音波併用による固相拡散接合、導電ペーストによ
る接着、半田付けなどによって接合されている。金属バ
ンプ15としては、Au,Cu,Pb/Snなど公知の
材料が使用される。
ダーレジスト膜12の内壁は樹脂流れ防止用の囲い18
を構成しており、囲い18はベアチップ14より大形に
形成されている。図5に示すように、ベアチップ14の
側面と囲い18の内面との隙間dは200〜300μm
程度に設定されている。また、ソルダーレジスト膜12
の上面は、ベアチップ14の下面より低い位置になるよ
うに薄肉に形成されている。具体的には、ソルダーレジ
スト膜12の厚みをt1 、ベアチップ14の上面と配線
基板10の上面との間隔をt2 とすると、次のように設
定されている。 t1 <t2 この実施例では、例えばt1 =10〜50μm、t2 =
200〜400μmに設定されている。
施例では角部)は、図4に示すように外側へ張り出して
おり、この部分が樹脂注入用ゲート18aとなってい
る。ゲート18aの大きさは、後述するようにディスペ
ンサなどで滴下された樹脂16の点滴が全て入るような
大きさとする必要がある。また、このゲート18aと反
対側(最遠点部)には充填確認溝18bが設けられてい
る。この溝18bの大きさは、溝18bに流れ出た封止
樹脂16を作業者が確認できる程度の大きさであればよ
い。ゲート18aの形状としては、図4のように角部の
一辺側から突出した矩形形状の張り出し部に限らず、図
6に示されるように様々な形状が考えられる。すなわ
ち、(a)は囲い18の一辺の半分強の領域に亘って形
成したもの、(b)は囲い18の一辺全域に亘って形成
したもの、(c)は囲い18の角部に2段状の突起形状
としたもの、(d)は囲い18の角部に丸頭状の突起形
状としたもの、(e)は囲い18の角部の2辺に亘って
矩形状の突起形状としたもの、(f)は囲い18の2辺
全域に亘って形成したものである。なお、ゲート18a
の形状は上記の例に限るものではない。
チップ14と配線基板10との隙間に封止樹脂16が充
填されている。封止樹脂16としては、ベアチップ14
と配線基板10との隙間への浸透性を高めるため、例え
ば20pa・s以下の低粘度の絶縁樹脂(例えばエポキ
シ樹脂)を用いるのが望ましい。
法の一例を説明する。まず、プリント配線基板10の上
面には電極11が予めパターン形成され、その上面全面
に感光性タイプのソルダーレジスト12が塗布される。
液に浸漬してベアチップ搭載部13(ゲート18aおよ
び充填確認溝18bを含む)のみソルダーレジスト12
を除去し、硬化させてソルダーレジスト膜12の形成工
程を終了する。このようにして、樹脂流れ防止用の囲い
18が形成される。
ベアチップ14を、そのバンプ面を基板10側に向けて
ベアチップ搭載部13に熱圧着などの技術を用いてフェ
ースダウン実装する。具体的には、当初のバンプ高さは
20〜50μmであるが、熱圧着によってバンプ15は
約10〜30μmに押し潰される。つまり、これがベア
チップ14と配線基板10との隙間となる。
ィスペンサなどを用いて吐出することにより、樹脂16
をベアチップ14と配線基板10との隙間に浸透させ
る。吐出された樹脂16は涙滴状の形に下が膨らんだ形
状で滴下されることになるので、滴下した場所で樹脂が
拡がってしまう場合があるが、滴下した樹脂16が全て
入るようにゲート18aを設けておくことにより、ゲー
ト18aの範囲内に樹脂16が収まり、不必要な場所に
樹脂16が流れ出すことがない。注入された樹脂16は
粘度が低く、あるいは基板加熱により粘度が低下してい
るので、毛細管現象によってベアチップ2と配線基板1
の隙間に樹脂16が浸透する。樹脂16の浸透は、ゲー
ト18aの反対側が最も遅くなるので、ゲート18aの
最遠点側に設けた充填確認溝18bに樹脂16が流れ出
してきた時には樹脂16の充填作業が終了したことを示
しているので、充填作業の終了を容易に判別できる。樹
脂16の充填後、熱硬化ないし光硬化を行なって樹脂1
6を硬化させる。
を形成しておくことで、滴下した樹脂16の量が多少多
くなっても、囲い18の内側にとどまることになり、デ
ィスペンサの滴下量のばらつきを吸収できる。
適用した一例を示す。図において、20は回路基板、2
1は基板上にパターン形成された電極、22はソルダー
レジスト膜、23はベアチップ、24,25は表面実装
部品である。ソルダーレジスト膜22には、ベアチップ
搭載部および表面実装部品24,25の半田付け部に対
応する箇所に空所26,27,28が形成されている。
ベアチップ搭載部に対応するソルダーレジスト膜22の
空所26が樹脂流れ防止用の囲いを構成している。この
囲い26の角部には樹脂注入用ゲート26aが形成さ
れ、ゲート26aの反対側の角部には充填確認溝26b
が形成されている。そして、ベアチップ23と回路基板
20との隙間に封止樹脂(図示せず)が充填されてい
る。この実施例では、ソルダーレジスト膜22が表面実
装部品24,25の半田24a,25aの流れを防止す
るだけでなく、ベアチップ23の樹脂流れを防止する機
能も有するので、1回の膜形成で両方の機能を兼用でき
る。
8,26をソルダーレジスト膜などの絶縁樹脂で形成し
たが、図9に示すように金属膜で形成することもでき
る。すなわち、図5において、30は基板、31はアー
ス電極、32は入,出力用電極、33は電極31,32
上を覆うソルダーレジスト膜などの絶縁膜、34は絶縁
膜33上に形成された金属膜である。この金属膜34は
メッキなどの公知の方法で厚膜状に形成され、導通部3
5を介してアース電極31と導通している。上記金属膜
34はベアチップ36の周囲を取り囲んでおり、ベアチ
ップ36と基板30との隙間に充填された封止樹脂37
の流れを防止している。この実施例の場合には、金属膜
34が樹脂流れ防止用の囲いとして機能するだけでな
く、シールド効果も発揮している。
樹脂材料、金属材料のほか、ガラスなどを用いることも
できる。また、樹脂流れ防止用の囲いは、実施例のよう
に膜状に形成するものに限らず、ダム状あるいは堰状に
形成してもよい。封止樹脂の供給は、ベアチップのフェ
ースダウン実装後に限らず、実装と同時であってもよ
い。すなわち、配線基板のベアチップ搭載部の中央部に
予め点滴状の樹脂を供給しておき、その上からベアチッ
プをフェースダウン実装することで、樹脂をベアチップ
と配線基板の間に満たし、加熱等によって硬化させて封
止する方法を用いてもよい。
よれば、配線基板上のベアチップ搭載部にベアチップよ
り大形の樹脂流れ防止用の囲いを設け、ベアチップをベ
アチップ搭載部にフェースダウン実装するとともに、ベ
アチップと配線基板との隙間に封止樹脂を充填したの
で、樹脂流れ防止用囲いが不要な樹脂の拡がりを防止
し、隣接する表面実装部品などの電極を覆うことがな
い。そのため、高密度化の達成が可能となる。
面図である。
図である。
ある。
Claims (6)
- 【請求項1】配線基板上にベアチップをフェースダウン
実装した電子回路装置において、 上記配線基板上のベアチップ搭載部にベアチップより大
形の樹脂流れ防止用の囲いを設け、上記ベアチップを上
記囲いで囲まれたベアチップ搭載部にフェースダウン実
装するとともに、ベアチップと配線基板との隙間に封止
樹脂を充填してなることを特徴とする電子回路装置。 - 【請求項2】上記樹脂流れ防止用の囲いの一部に、外側
へ張り出した樹脂注入用ゲートを設けたことを特徴とす
る請求項1に記載の電子回路装置。 - 【請求項3】上記樹脂流れ防止用の囲いの上記注入用ゲ
ートから最遠点部分に、ベアチップと配線基板との隙間
に充填された封止樹脂が流れ出す充填確認溝を設けたこ
とを特徴とする請求項2に記載の電子回路装置。 - 【請求項4】上記樹脂流れ防止用の囲いはソルダーレジ
スト膜で形成されていることを特徴とする請求項1ない
し3の何れかに記載の電子回路装置。 - 【請求項5】上記樹脂流れ防止用の囲いは、感光性樹脂
材料を用いてフォトリソグラフ法によって形成されてい
ることを特徴とする請求項1ないし4の何れかに記載の
電子回路装置。 - 【請求項6】上記樹脂流れ防止用の囲いの上面は、ベア
チップの上面よりも低い位置にあることを特徴とする請
求項1ないし5の何れかに記載の電子回路装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02385498A JP3367886B2 (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | 電子回路装置 |
US09/233,448 US6153930A (en) | 1998-01-20 | 1999-01-20 | Electronic circuit device and method |
US09/686,620 US6368895B1 (en) | 1998-01-20 | 2000-10-12 | Method of producing an electronic circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02385498A JP3367886B2 (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | 電子回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11214586A true JPH11214586A (ja) | 1999-08-06 |
JP3367886B2 JP3367886B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=12122024
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02385498A Expired - Lifetime JP3367886B2 (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | 電子回路装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6153930A (ja) |
JP (1) | JP3367886B2 (ja) |
Cited By (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004114402A1 (ja) * | 2003-06-23 | 2004-12-29 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | 配線基板およびその製造方法、並びに配線基板への半導体チップの実装構造 |
JP2006147652A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Toshiba Corp | モジュール基板およびディスク装置 |
JP2006253315A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2007173361A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Sony Corp | 半導体装置 |
US7355126B2 (en) | 2000-06-16 | 2008-04-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic parts packaging method and electronic parts package |
JP2008124140A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100884038B1 (ko) | 2006-06-22 | 2009-02-17 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 전자부품의 실장구조 |
KR20090063117A (ko) * | 2007-12-12 | 2009-06-17 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 배선 기판 및 반도체 장치 |
JP2009289999A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010050128A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Alps Electric Co Ltd | 半導体チップモジュール |
JP2010050481A (ja) * | 2009-11-04 | 2010-03-04 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR20100033932A (ko) * | 2008-09-22 | 2010-03-31 | 쿄세라 에스엘시 테크놀로지 가부시키가이샤 | 배선 기판 및 그 제조 방법 |
JP2010074032A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板およびその製造方法 |
US7704797B2 (en) | 2006-07-20 | 2010-04-27 | Panasonic Corporation | Module and method of manufacturing the same |
JP2010153495A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2010534410A (ja) * | 2007-07-23 | 2010-11-04 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 半田材料により混成される2つの部材をコーティングするための方法 |
JP2010278480A (ja) * | 2010-09-14 | 2010-12-09 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011018927A (ja) * | 2010-09-07 | 2011-01-27 | Murata Mfg Co Ltd | 回路基板 |
US7919359B2 (en) | 2006-10-18 | 2011-04-05 | Panasonic Corporation | Semiconductor mounting substrate and method for manufacturing the same |
US8405227B2 (en) | 2004-09-28 | 2013-03-26 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
JP2013149680A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Toyota Motor Corp | 半導体パッケージの実装方法 |
US8541891B2 (en) | 2007-03-30 | 2013-09-24 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2013191898A (ja) * | 2013-07-04 | 2013-09-26 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
US8598692B2 (en) | 2011-02-23 | 2013-12-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing same |
JP2013243883A (ja) * | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Minebea Co Ltd | 振動子及び振動発生器 |
JP2014044979A (ja) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
JP2015177098A (ja) * | 2014-03-17 | 2015-10-05 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2016111297A (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-20 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法 |
US9989437B2 (en) | 2013-01-22 | 2018-06-05 | Minebea Co., Ltd. | Vibration generator moving vibrator by magnetic field generated by coil and vibrator-mounted holder used in vibration-generator |
WO2018142856A1 (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 電子部品、カメラモジュール |
US10298106B2 (en) | 2011-09-22 | 2019-05-21 | Minebea Co., Ltd. | Vibration generator moving vibrator by magnetic field generated by coil and holder used in vibration-generator |
JP2020191397A (ja) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | 凸版印刷株式会社 | 複合配線基板及びその製造方法 |
US11842972B2 (en) | 2004-09-28 | 2023-12-12 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
WO2024071069A1 (ja) * | 2022-09-28 | 2024-04-04 | 京セラ株式会社 | 配線基板およびそれを用いた実装構造体 |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6307270B1 (en) * | 1999-08-05 | 2001-10-23 | Ming-Tung Shen | Electro-optic device and method for manufacturing the same |
US6673690B2 (en) * | 2000-04-27 | 2004-01-06 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Method of mounting a passive component over an integrated circuit package substrate |
US6391682B1 (en) * | 2000-06-21 | 2002-05-21 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Method of performing flip-chip underfill in a wire-bonded chip-on-chip ball-grid array integrated circuit package module |
US6562663B2 (en) * | 2001-03-28 | 2003-05-13 | Motorola, Inc. | Microelectronic assembly with die support and method |
JP4659262B2 (ja) * | 2001-05-01 | 2011-03-30 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 電子部品の実装方法及びペースト材料 |
JP3687610B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2005-08-24 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置、回路基板及び電子機器 |
JP4357817B2 (ja) * | 2002-09-12 | 2009-11-04 | パナソニック株式会社 | 回路部品内蔵モジュール |
US20050247761A1 (en) * | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Albanese Patricia M | Surface mount attachment of components |
TWI245597B (en) * | 2003-06-30 | 2005-12-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Printed circuit boards and method for fabricating the same |
JP4198566B2 (ja) | 2003-09-29 | 2008-12-17 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品内蔵基板の製造方法 |
JP4340578B2 (ja) * | 2004-04-09 | 2009-10-07 | 富士通株式会社 | 部品実装基板及び部品実装構造 |
JP4654865B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2011-03-23 | パナソニック株式会社 | 電子部品実装方法 |
JP2007305799A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP5211493B2 (ja) * | 2007-01-30 | 2013-06-12 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 配線基板及び半導体装置 |
KR101111586B1 (ko) * | 2007-10-17 | 2012-03-13 | 파나소닉 주식회사 | 실장 구조체 |
US20100301006A1 (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Nilsson Peter L J | Method of Manufacturing an Electrical Component on a Substrate |
KR101067216B1 (ko) * | 2010-05-24 | 2011-09-22 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 이를 구비하는 반도체 패키지 |
JP5814928B2 (ja) * | 2010-11-04 | 2015-11-17 | アルプス電気株式会社 | 電子部品モジュール |
US20160234941A1 (en) * | 2015-02-10 | 2016-08-11 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Printed circuit board, semiconductor package and method of manufacturing the same |
KR102412611B1 (ko) | 2015-08-03 | 2022-06-23 | 삼성전자주식회사 | 인쇄회로기판(pcb)과 그 제조방법, 및 그 pcb를 이용한 반도체 패키지 제조방법 |
US9972553B1 (en) | 2016-01-06 | 2018-05-15 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | Packaging system with cleaning channel and method of making the same |
US20220028704A1 (en) * | 2018-12-18 | 2022-01-27 | Octavo Systems Llc | Molded packages in a molded device |
DE102023103394A1 (de) | 2023-02-13 | 2024-08-14 | Rolls-Royce Deutschland Ltd & Co Kg | Leiterplattenanordnung |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5242551A (en) * | 1975-10-01 | 1977-04-02 | Hitachi Ltd | Method of molding framed menber with resin |
US4143456A (en) * | 1976-06-28 | 1979-03-13 | Citizen Watch Commpany Ltd. | Semiconductor device insulation method |
KR0181615B1 (ko) * | 1995-01-30 | 1999-04-15 | 모리시다 요이치 | 반도체 장치의 실장체, 그 실장방법 및 실장용 밀봉재 |
DE69621983T2 (de) * | 1995-04-07 | 2002-11-21 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Struktur und Verfahren zur Montage eines Halbleiterchips |
JP3417247B2 (ja) * | 1996-05-28 | 2003-06-16 | 株式会社デンソー | 樹脂封止型電子装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-01-20 JP JP02385498A patent/JP3367886B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-01-20 US US09/233,448 patent/US6153930A/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-10-12 US US09/686,620 patent/US6368895B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7355126B2 (en) | 2000-06-16 | 2008-04-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic parts packaging method and electronic parts package |
WO2004114402A1 (ja) * | 2003-06-23 | 2004-12-29 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | 配線基板およびその製造方法、並びに配線基板への半導体チップの実装構造 |
US8754535B2 (en) | 2004-09-28 | 2014-06-17 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
US9831204B2 (en) | 2004-09-28 | 2017-11-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
US8405227B2 (en) | 2004-09-28 | 2013-03-26 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
US9117774B2 (en) | 2004-09-28 | 2015-08-25 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
US9721865B2 (en) | 2004-09-28 | 2017-08-01 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
US11842972B2 (en) | 2004-09-28 | 2023-12-12 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
US11355462B2 (en) | 2004-09-28 | 2022-06-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
US10818628B2 (en) | 2004-09-28 | 2020-10-27 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
US10522494B2 (en) | 2004-09-28 | 2019-12-31 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner |
JP2006147652A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Toshiba Corp | モジュール基板およびディスク装置 |
JP2006253315A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2007173361A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Sony Corp | 半導体装置 |
JP4760361B2 (ja) * | 2005-12-20 | 2011-08-31 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
KR100884038B1 (ko) | 2006-06-22 | 2009-02-17 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 전자부품의 실장구조 |
US7704797B2 (en) | 2006-07-20 | 2010-04-27 | Panasonic Corporation | Module and method of manufacturing the same |
US8217515B2 (en) | 2006-10-18 | 2012-07-10 | Panasonic Corporation | Semiconductor mounting substrate and method for manufacturing the same |
US7919359B2 (en) | 2006-10-18 | 2011-04-05 | Panasonic Corporation | Semiconductor mounting substrate and method for manufacturing the same |
JP2008124140A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US8541891B2 (en) | 2007-03-30 | 2013-09-24 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2010534410A (ja) * | 2007-07-23 | 2010-11-04 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 半田材料により混成される2つの部材をコーティングするための方法 |
KR20090063117A (ko) * | 2007-12-12 | 2009-06-17 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 배선 기판 및 반도체 장치 |
JP2009147007A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及び半導体装置 |
JP2009289999A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010050128A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Alps Electric Co Ltd | 半導体チップモジュール |
JP4589428B2 (ja) * | 2008-08-19 | 2010-12-01 | アルプス電気株式会社 | 半導体チップモジュール |
JP2010074032A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板およびその製造方法 |
KR20100033932A (ko) * | 2008-09-22 | 2010-03-31 | 쿄세라 에스엘시 테크놀로지 가부시키가이샤 | 배선 기판 및 그 제조 방법 |
JP2010153495A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2010050481A (ja) * | 2009-11-04 | 2010-03-04 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2011018927A (ja) * | 2010-09-07 | 2011-01-27 | Murata Mfg Co Ltd | 回路基板 |
JP2010278480A (ja) * | 2010-09-14 | 2010-12-09 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
US8598692B2 (en) | 2011-02-23 | 2013-12-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing same |
US10298106B2 (en) | 2011-09-22 | 2019-05-21 | Minebea Co., Ltd. | Vibration generator moving vibrator by magnetic field generated by coil and holder used in vibration-generator |
US11336164B2 (en) | 2011-09-22 | 2022-05-17 | Minebea Mitsumi Inc. | Vibration generator moving vibrator by magnetic field generated by coil and holder used in vibration-generator |
US10790735B2 (en) | 2011-09-22 | 2020-09-29 | Minebea Mitsumi Inc. | Vibration generator moving vibrator by magnetic field generated by coil and holder used in vibration-generator |
US10778074B2 (en) | 2011-09-22 | 2020-09-15 | Minebea Mitsumi Inc. | Vibration generator moving vibrator by magnetic field generated by coil and holder used in vibration-generator |
JP2013149680A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Toyota Motor Corp | 半導体パッケージの実装方法 |
US10305357B2 (en) | 2012-05-22 | 2019-05-28 | Minebea Co., Ltd. | Vibration generator having swing unit, frame and elastic member |
US11196327B2 (en) | 2012-05-22 | 2021-12-07 | Minebea Mitsumi Inc. | Vibration generator having swing unit, frame and elastic member |
US11552542B2 (en) | 2012-05-22 | 2023-01-10 | Minebea Mitsumi Inc. | Vibrator generator having swing unit, frame and elastic member |
JP2013243883A (ja) * | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Minebea Co Ltd | 振動子及び振動発生器 |
US9543816B2 (en) | 2012-05-22 | 2017-01-10 | Mineabea Co., Ltd. | Vibration generator having swing unit, frame and elastic member |
US11837936B2 (en) | 2012-05-22 | 2023-12-05 | Minebea Mitsumi, Inc. | Vibrator generator having swing unit, frame and elastic member |
US12095330B2 (en) | 2012-05-22 | 2024-09-17 | Minebea Mitsumi Inc. | Vibrator generator having swing unit, frame and elastic member |
US10848043B2 (en) | 2012-05-22 | 2020-11-24 | Minebea Mitsumi Inc. | Vibration generator having swing unit, frame and elastic member |
JP2014044979A (ja) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
US11904359B2 (en) | 2013-01-22 | 2024-02-20 | Minebea Mitsumi Inc. | Vibration generator moving vibrator by magnetic field generated by coil and vibrator-mounted holder used in vibration-generator |
US10780457B2 (en) | 2013-01-22 | 2020-09-22 | Minebea Mitsumi Inc. | Vibration generator moving vibrator by magnetic field generated by coil and vibrator-mounted holder used in vibration-generator |
US9989437B2 (en) | 2013-01-22 | 2018-06-05 | Minebea Co., Ltd. | Vibration generator moving vibrator by magnetic field generated by coil and vibrator-mounted holder used in vibration-generator |
US10350637B2 (en) | 2013-01-22 | 2019-07-16 | Minebea Co., Ltd. | Vibration generator moving vibrator by magnetic field generated by coil and vibrator-mounted holder used in vibration-generator |
US11642696B2 (en) | 2013-01-22 | 2023-05-09 | Minebea Mitsumi Inc. | Vibration generator moving vibrator by magnetic field generated by coil and vibrator-mounted holder used in vibration-generator |
JP2013191898A (ja) * | 2013-07-04 | 2013-09-26 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2015177098A (ja) * | 2014-03-17 | 2015-10-05 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2016111297A (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-20 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法 |
US11211300B2 (en) | 2017-01-31 | 2021-12-28 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Electronic component and camera module |
WO2018142856A1 (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 電子部品、カメラモジュール |
JP2020191397A (ja) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | 凸版印刷株式会社 | 複合配線基板及びその製造方法 |
WO2024071069A1 (ja) * | 2022-09-28 | 2024-04-04 | 京セラ株式会社 | 配線基板およびそれを用いた実装構造体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6368895B1 (en) | 2002-04-09 |
US6153930A (en) | 2000-11-28 |
JP3367886B2 (ja) | 2003-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3367886B2 (ja) | 電子回路装置 | |
JP4536603B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置用実装基板及び半導体装置 | |
KR101158139B1 (ko) | 반도체 장치 | |
JP4533248B2 (ja) | 電子装置 | |
KR20080060167A (ko) | 전자 부품 내장 기판 | |
JP2003031612A (ja) | 半導体パッケージおよびその製造方法 | |
JP2007059767A (ja) | アンダーフィル材を用いて電子部品を搭載した基板及びその製造方法 | |
JP2006140327A (ja) | 配線基板およびこれを用いた電子部品の実装方法 | |
JP2000200870A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP3353501B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2011108814A (ja) | 面実装電子部品の接合方法及び電子装置 | |
US6475828B1 (en) | Method of using both a non-filled flux underfill and a filled flux underfill to manufacture a flip-chip | |
JP4416776B2 (ja) | パッケージ基板、半導体パッケージ及び半導体パッケージ作製方法 | |
JP3850755B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2004014870A (ja) | 回路モジュール及びその製造方法 | |
JP2008103450A (ja) | モジュールの製造方法 | |
JPH11191673A (ja) | はんだプリコート方法 | |
JP2008243879A (ja) | 電子装置およびその製造方法 | |
JPH0888464A (ja) | フリップチップ実装方法 | |
JP4561969B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH11214449A (ja) | 電子回路装置 | |
WO2005101495A1 (ja) | 半導体チップ実装用可撓性プリント回路基板 | |
KR20150058954A (ko) | 전자소자 패키지 및 그 제조 방법 | |
JPH05243720A (ja) | 混成集積回路装置 | |
JPH11251340A (ja) | 電子部品の封止方法と電子部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071108 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081108 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091108 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101108 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101108 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111108 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111108 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121108 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121108 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131108 Year of fee payment: 11 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |