JP2010050128A - 半導体チップモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】大きさの異なる２個の半導体チップを隣接させてもアンダーフィルの流入量が過不足することを防止する。
【解決手段】本発明の半導体チップモジュール１は、配線板２上に、平面視大小異なる半導体チップ３、４、アンダーフィル５、アンダーフィル５の流出をせき止める１個の囲い６Ａを備える。囲い６Ａはアンダーフィル５の注入口７および半導体チップ３にのみアンダーフィル５を供給する溜池部８を有する。注入口７は、半導体チップ３、４の対向辺３ａ、４ａと囲い６Ａの一部６Ａａにより囲まれた領域からなる。溜池部は、半導体チップ３の対向辺３ａの一部３ｂと囲い６Ａの一部６Ａａにより囲まれた領域からなる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体チップモジュールに係り、特に、大きさの異なる２個以上の半導体チップを配線板にフリップチップ接続してアンダーフィルにより固定することにより形成される半導体チップモジュールに好適に利用できる半導体チップモジュールに関する。

従来の半導体チップモジュール１０１は、その一例として、図１７に示すように、配線板１０２、複数の半導体チップ１０３、１０４およびその他の回路素子（図示せず）を備えている。最近の半導体チップ１０３、１０４はフリップチップ接続されているものが多く、その場合には半導体チップ１０３、１０４の固着力補強のためにアンダーフィル（図示せず）が用いられている。また、アンダーフィルは硬化するまで流動性を有しているため、フリップチップ接続された半導体チップ１０３、１０４の周縁外側を取り囲む壁または溝状の囲い１０６によってアンダーフィルの流出がせき止められていた。

ここで、従来の半導体チップモジュール１０１においては、平面視において同一の大きさに形成された２個の半導体チップ１０３、１０４が隣接する場合、囲い１０６は各々の半導体チップ１０３、１０４の周縁外側をそれぞれ取り囲むように形成されず、２個の半導体チップ１０３、１０４の周縁外側を１個のもので取り囲むように形成されている。そして、囲い１０６の内部における２個の半導体チップ１０３、１０４の間隙を注入口１０７としてアンダーフィルを注入し、各々の半導体チップ１０３、１０４の下方にアンダーフィルをそれぞれ流入していた。

特開２００４−０９５７３０号公報

しかしながら、平面視において大小異なる２個の半導体チップが隣位してフリップチップ接続されており、それらの間からアンダーフィルが注入されて２個の半導体チップの下方にアンダーフィルが流入する場合、従来の半導体チップモジュール１０１においては、注入口１０７の形状特性から大小異なる２個の半導体チップに対するアンダーフィルの各流入量が同程度になってしまうため、大きな半導体チップの下方にアンダーフィルが充填される前に小さな半導体チップの下方にアンダーフィルの充填が完了してしまう。

以上のことから、小さな半導体チップの下方にアンダーフィルが完全に充填された段階で囲い１０６の注入口１０７からのアンダーフィルの注入を終了すると、大きな半導体チップの下方に対するアンダーフィルの流入量が不足し、大きな半導体チップの固着力が低下するという問題があった。それに対し、大きな半導体チップの下方にアンダーフィルが完全に充填された段階で囲い１０６の注入口１０７からのアンダーフィルの注入を終了すると、小さな半導体チップの下方に対するアンダーフィルの流入量が過剰になり、小さな半導体チップに隣位する囲い１０６の一部からアンダーフィルが流出してしまうという問題があった。

そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、大きさの異なる２個の半導体チップを隣接させても、各半導体チップに対してアンダーフィルが過不足なく適正に流入し、各半導体チップを確実に固定することができる半導体チップモジュールを提供することを本発明の目的としている。

前述した目的を達成するため、本発明の半導体チップモジュールは、その第１の態様として、平面視において大小異なる２個の半導体チップと、２個の半導体チップにおける各々の任意の一辺が平面視において部分的または全体的に対向するように２個の半導体チップがフリップチップ接続される配線板と、２個の半導体チップと配線板との間にそれぞれ流入した後に硬化することにより２個の半導体チップを配線板に固定するアンダーフィルと、フリップチップ接続された２個の半導体チップの周縁外側全体を取り囲むことにより、２個の半導体チップと配線板との間に流入したアンダーフィルがその間から流出することをせき止める１個の囲いと、２個の半導体チップにおける対向する二辺と二辺の間隙の延在方向の両端周辺に位置する２箇所の囲いの一部とによって取り囲まれた領域からなるアンダーフィルの注入口と、注入口を取り囲む一部となる大きい半導体チップの一辺の一部分であって注入口を取り囲む他の一部となる小さい半導体チップの一辺と対向しない部分と注入口を取り囲む他の一部となる囲いの一部とによって取り囲まれた領域からなる注入口の溜池部とを備えていることを特徴としている。

本発明の第１の態様の半導体チップモジュールによれば、溜池部に流入したアンダーフィルは大きい半導体チップと配線板との間に流入する傾向にあるので、溜池部の大きさを調整することにより、大きい半導体チップと配線板との間に流入するアンダーフィルの流入量と小さい半導体チップと配線板との間に流入するアンダーフィルの流入量とを適量にすることができる。

本発明の第２の態様の半導体チップモジュールは、第１の態様の半導体チップモジュールにおいて、溜池部を取り囲む一部となる囲いの一部は、注入口の外側に拡張したＬ字形状もしくはＲ形状またはテーパ形状に形成されていることを特徴としている。

本発明の第２の態様の半導体チップモジュールによれば、溜池部に流入したアンダーフィルが溜池部に停滞せずに大きい半導体チップと配線板との間に効率よく流入することができる。

本発明の第３の態様の半導体チップモジュールは、第１または第２の態様の半導体チップモジュールにおいて、囲いは、２個の半導体チップが接続される配線板の表面に形成されたレジスト膜に形成された連続溝であることを特徴としている。

本発明の第３の態様の半導体チップモジュールによれば、連続溝の縁に到達したアンダーフィルは表面張力によって連続溝の内部に流入することなくその縁でせき止められるので、配線板やレジスト膜に深い連続溝を形成せずともアンダーフィルの流出をせき止めることができる。

本発明の第４の態様の半導体チップモジュールは、第１または第２の態様の半導体チップモジュールにおいて、囲いは、２個の半導体チップが接続される配線板の表面または配線板の表面に形成されたレジスト膜の表面から起立する連続壁であることを特徴としている。

本発明の第４の態様の半導体チップモジュールによれば、連続壁の高さを適宜調整することにより、アンダーフィルの注入量が大量であってもアンダーフィルの流出をせき止めることができる。

本発明の第５の態様の半導体チップモジュールは、第１または第２の態様の半導体チップモジュールにおいて、囲いは、２個の半導体チップが接続される配線板の表面または配線板の表面に形成されたレジスト膜の表面に形成されるくぼみもしくは隆起した台の周縁に生じる段差であることを特徴としている。

本発明の第５の態様の半導体チップモジュールによれば、前述の連続溝または連続壁を形成する場合と同様に段差によってアンダーフィルの流出をせき止めることができる。

本発明の第６の態様の半導体チップモジュールは、第１から第５のいずれか１の態様の半導体チップモジュールにおいて、アンダーフィルは、注入口の延在方向に往復移動しながら注入されていることを特徴としている。

本発明の第６の態様の半導体チップモジュールによれば、アンダーフィルが注入口の全領域に適量に注入されるので、各々の半導体チップと配線板との間に流入するアンダーフィルの流入効率を向上させることができる。

本発明の半導体チップモジュールによれば、大きい半導体チップと配線板との間に流入するアンダーフィルの流入量と小さい半導体チップと配線板との間に流入するアンダーフィルの流入量とが適量になるので、大きさの異なる２個の半導体チップを隣接させても、各半導体チップに対してアンダーフィルが過不足なく適正に流入し、各半導体チップを確実に固定することができるという効果を奏する。

以下、本発明の半導体チップモジュールをその４つの実施形態により説明する。

図１は、第１の実施形態の半導体チップモジュール１Ａを示している。第１の実施形態の半導体チップモジュール１Ａは、図１に示すように、配線板２、２個の半導体チップ３、４、アンダーフィル（図４、図９、図１１、図１３および図１５にのみ示す。）５および１個の囲い６Ａを備えている。また、囲い６Ａは、注入口７および溜池部８を有している。

配線板２としては、図示しない配線パターンや電極が形成された平板状の配線板２が用いられており、リジット配線板またはフレキシブル配線板のどちらを用いてもよい。また、配線板２の大きさや形状についても自由に設定することができる。第１の実施形態においては、矩形平板状のリジット配線板が選択されている。

２個の半導体チップ３、４としては、通常用いられているバンプ付の半導体チップがそれぞれ選択されており、かつ、平面視において大小異なるものが選択されている。第１の実施形態においては、小さな半導体チップ４に対して２〜３倍程度の大きさの半導体チップ３が選択されている。なお、第１の実施形態における半導体チップ３、４の大きさの比率に特別な意味はない。これら大小２個の半導体チップ３、４は、配線板２の同一表面にフリップチップ接続されている。第１の実施形態における２個の半導体チップ３、４の位置関係については、平面視において対向する辺同士（以後、それらの各辺を「対向辺」と称する。）３ａ、４ａが平行に配置されており、かつ、小さな半導体チップ４の対向辺４ａが大きな半導体チップ３の対向辺３ａに対して全体的に対向し、大きな半導体チップ３の対向辺３ａが小さな半導体チップ４の対向辺４ａに対して部分的に対向するように配置されている。なお、図２に示すように、各々の半導体チップ３、４の対向辺３ａ、４ａが互いに部分的に対向するように２個の半導体チップ３、４が配置されていても良い。

アンダーフィル５としては、フリップチップ接続に一般的に用いられる接着性液体樹脂が選択されており、それが少なくとも２個の半導体チップ３、４と配線板２との間に流入している。ここで、アンダーフィル５とは、フリップチップ接合補強材であってチップと基板の間に充填し硬化させることで接合信頼性を向上させるものであり、第１の実施形態においては２個の半導体チップ３、４と配線板２との間にそれぞれ流入した後に硬化することにより２個の半導体チップ３、４を配線板２に固定するものである。そのため、アンダーフィル５の役割を果たすものであれば接着性液体樹脂でなくてもよい。

１個の囲い６Ａは、図１に示すように、配線板２にフリップチップ接続された２個の半導体チップ３、４の周縁外側全体を取り囲んでいる。これにより、２個の半導体チップ３、４と配線板２との間に流入したアンダーフィル５がその間から流出することをせき止める役割を果たす。なお、前述の囲い６Ａが「１個」であること、および、半導体チップ３、４の周縁外側「全体」を取り囲んでいることというのは、図１および図２に示すような、２個の半導体チップ３、４の周縁外側を当該１個の囲い６Ａによって取り囲む意味であり、図３に示すように、２個の半導体チップ３、４の周縁外側を２個の囲い６によって１個ずつ取り囲むことを排除する意味である。

ここで、囲い６Ａとしては、アンダーフィル５の流出を防ぐ役割をもつものを採用することができるので、様々なものが考えられる。そのなかでも、第１の実施形態の囲い６Ａとしては、図１および図４に示すように、無端状の溝、すなわち連続溝（６Ａ）が選択されている。具体的に説明すると、図１および図４に示すように、２個の半導体チップ３、４が接続されている配線板２の表面には配線板２を保護するためのレジスト膜２ｒが形成されているが、そのレジスト膜２ｒに対して連続溝（６Ａ）の形成位置のレジスト膜２ｒを部分除去することによりその連続溝（６Ａ）が形成されている。なお、連続溝（６Ａ）の形成対象については、配線板２の表面にレジスト膜２ｒが形成されていることが多いのでレジスト膜２ｒに連続溝（６Ａ）が形成されているが、レジスト膜２ｒが形成されていない場合は配線板２の表面に直接連続溝（６Ａ）を形成しても良い。

前述の囲い６Ａは、図５Ａに示すような大きい半導体チップ３の配置領域９および小さい半導体チップ４の配置領域１０ならびに図５Ｂに示すような注入口７に区分けされている。大きい半導体チップ３の配置領域９または小さい半導体チップ４の配置領域１０は、図５Ａに示すように、大きい半導体チップ３または小さい半導体チップ４を取り囲む領域である。また、注入口７は、図５Ｂに示すように、大きい半導体チップ３および小さい半導体チップ４の間隙に存在する領域であってアンダーフィル５が注入される領域である。境界領域においてはそれら３つの領域のいずれの領域に該当するかの判断をするのが困難であるが、注入口７となる判断基準としては、その領域に対してアンダーフィル５が注入されるか否か、その領域から他の領域にアンダーフィル５を流入させるために存在するか否か、などによって判断すればよい。

第１の実施形態における囲い６Ａの注入口７は、図５Ｂに示すように、２個の半導体チップ３、４におけるそれぞれの対向辺３ａ、４ａとその対向辺３ａ、４ａの間隙の延在方向の両端周辺に位置する２箇所の囲い６Ａの一部６Ａａとによって取り囲まれた領域からなる。ただし、それぞれの対向辺３ａ、４ａおよび当該２箇所の囲い６Ａの一部６Ａａが相互に接触することはないので、それぞれの対向辺３ａ、４ａおよび当該２箇所の囲い６Ａの一部６Ａａの間に隙間がそれぞれ生じている。つまり、それぞれの対向辺３ａ、４ａおよび当該２箇所の囲い６Ａの一部６Ａａのみによってこの注入口７が完全に取り囲まれることはなく、部分的に取り囲まれることになる。なお、このことが大きい半導体チップ３の配置領域９または小さい半導体チップ４の配置領域１０と注入口７とを明確に区分けできない理由となるが、これらを明確に区分けできなくとも第１の実施形態の作用効果、ひいては本発明の作用効果に何ら影響を及ぼさないし、特段重要なことでもない。

また、注入口７の内部の領域には、図５Ｃに示すように、溜池部８となる領域が存在する。この溜池部８は、大きい半導体チップ３における所定の一辺３ａの一部３ｂと囲い６Ａにおける所定の一部６Ａａとによって取り囲まれた領域である。ここで、大きい半導体チップ３における所定の一辺の一部とは、注入口７の一部を取り囲む大きい半導体チップ３の一辺３ａの一部３ｂであって注入口７の他の一部を取り囲む小さい半導体チップ４の一辺と対向しない部分である。第１の実施形態においては、図１および図５Ｃに示すように、大きい半導体チップ３の対向辺３ａにおける小さい半導体チップ４の対向辺４ａと対向しない部分３ｂとなる。また、囲い６Ａにおける所定の一部６Ａａとは、注入口７を取り囲む１箇所または２箇所の囲い６Ａの一部６Ａａのことである。

ここで、第１の実施形態の囲い６Ａの一部６Ａａは、図５Ｃに示すように、注入口７の外側に拡張したＬ字形状に形成されている。この一部６Ａａについては、Ｌ字形状から図６に示すような注入口７の外側に拡張したＲ形状または図７に示すようなテーパ形状に変更されても良い。図５Ｂおよび図５Ｃに示すような注入口７および溜池部８に対してアンダーフィル５を注入する場合、アンダーフィル５の図示しないディスペンサのノズルを溜池部８に向けてアンダーフィル５を一点注入してもよいが（図８の注入点Ｐを参照）、注入口７の延在方向に対して溜池部８を通過するようにそのノズルを往復移動（図８の往復方向ＳＤを参照）させながらアンダーフィル５を往復注入することが好ましい。

次に、第１の実施形態の半導体チップモジュール１Ａの作用を説明する。

第１の実施形態の半導体チップモジュール１Ａにおいては、図１に示すように、大小異なる２個の半導体チップ３、４が１個の囲い６Ａによって取り囲まれている。また、その囲い６Ａには、それら２個の半導体チップ３、４の間に図５Ｂに示すような注入口７が形成され、その注入口７には図５Ｃに示すような溜池部８が形成されている。この溜池部８は、図１および図５Ｃに示すように、大きい半導体チップ３における所定の一辺の一部３ｂと囲い６Ａにおける所定の一部６Ａａとによって取り囲まれた領域であるので、大きな半導体チップ３のみに対向する領域となる。溜池部８に流入したアンダーフィル５は大きい半導体チップ３と配線板２との間に多く流入する傾向にあるので、溜池部８を形成しない場合と比較して、大きい半導体チップ３と配線板２との間に流入するアンダーフィル５の流入量を増量することができる。また、溜池部８の大きさを適切に調整することにより、大きい半導体チップ３と配線板２との間に流入するアンダーフィル５の流入量と小さい半導体チップ４と配線板２との間に流入するアンダーフィル５の流入量とを適量にすることができる。

この溜池部８については、囲い６Ａにおける所定の一部６Ａａの形状によってアンダーフィル５の流入効率が変化する。第１の実施形態においては、囲い６Ａにおける所定の一部６Ａａが、図１に示すようなＬ字形状、図６に示すようなＲ形状、または図７に示すようなテーパ形状に形成されている。これにより、注入口７における溜池部８とそれ以外の部分との間の流入効率や溜池部８と大きな半導体チップ３の配置領域９との間の流入効率がそれら以外の形状と比較して向上するので、溜池部８に流入したアンダーフィル５が溜池部８に停滞せずに大きい半導体チップ３と配線板２との間に効率よく流入することができる。

このような囲い６Ａは前述したように種々のものがあげられる。第１の実施形態においては、図１および図４に示すように、囲い６Ａとして連続溝（６Ａ）を用いている。図９に示すように、一般的に、液体Ｌは平面Ｐから凹部Ｍにさしかかるときに表面張力により凹部の縁Ｍａにせき止められる傾向にある。これは凹部の深さに関係なく生じる現象である。第１の実施形態においてはこの現象を利用しており、連続溝（６Ａ）の縁に到達したアンダーフィル５は表面張力によって連続溝（６Ａ）の内部に流入することなくその縁６Ａｂでせき止められるので、配線板２やレジスト膜２ｒに深い連続溝（６Ａ）を形成せずともアンダーフィル５の流出をせき止めることができる。

また、囲い６Ａの注入口７に注入されるアンダーフィル５は、注入口７の延在方向（図８の往復方向ＳＤ）に往復移動しながら注入されることが好ましい。これにより、アンダーフィル５が注入口７の領域に適量に注入されるので、アンダーフィル５の一点注入と比較して、各々の半導体チップ３、４と配線板２との間に流入するアンダーフィル５の流入効率を向上させることができる。

次に、第２の実施形態の半導体チップモジュール１Ｂを説明する。第１の実施形態と第２の実施形態との相違点は、囲い６Ｂの全体形状の違いである。

図１０は、第２の実施形態の半導体チップモジュール１Ｂを示している。また、図１１は、図１０の１１−１１矢視断面図である。第２の実施形態の半導体チップモジュール１Ｂは、図１０および図１１に示すように、第１の実施形態と同様に、配線板２、２個の半導体チップ３、４、アンダーフィル５および１個の囲い６Ｂを備えている。また、囲い６Ｂは、第１の実施形態と同様に、注入口７および溜池部８を有している。

ここで、第２の実施形態においては、配線板２の表面に台２ｓが形成されている。この台２ｓは配線板２の表面の一部に積層された配線基板と２個の半導体チップ３、４に接続する電極とによって形成されており、その平面視の形状は囲い６Ｂの形状と同一である。そして、第２の実施形態の囲い６Ｂとしては、図１１に示すように、この台２ｓの周縁に生じる段差が用いられている。この段差を利用した囲い６Ｂは、図１０に示すように、平面視において２個の半導体チップ３、４を取り囲んでいる。

このように第２の実施形態の囲い６Ｂとして台２ｓの周縁に生じる段差が選択されると、囲い６Ｂとして連続溝（６Ａ）を採用した第１の実施形態と同様、その段差において表面張力によりアンダーフィル５の流出をせき止めることができる。

次に、第３の実施形態の半導体チップモジュール１Ｃを説明する。第１の実施形態と第３の実施形態との相違点は、囲い６Ｃの全体形状の違いである。

図１２は、第３の実施形態の半導体チップモジュール１Ｃを示している。また、図１３は、図１２の１３−１３矢視断面図である。第３の実施形態の半導体チップモジュール１Ｃは、図１２および図１３に示すように、第１の実施形態と同様に、配線板２、２個の半導体チップ３、４、アンダーフィル５および１個の囲い６Ｃを備えている。また、囲い６Ｃは、第１の実施形態と同様に、注入口７および溜池部８を有している。

ここで、第３の実施形態においては、配線板２の表面にレジスト膜２ｒが形成され、その表面から連続壁２ｗが起立している。この連続壁２ｗは無端状の閉じた環状壁であり、その平面視外形は囲い６Ｃの形状と同一である。そして、第３の実施形態の囲い６Ｃとしては、図１３に示すように、この連続壁２ｗが用いられている。この連続壁２ｗを利用した囲い６Ｃは、図１２に示すように、平面視において２個の半導体チップ３、４を取り囲んでいる。

このように第３の実施形態の囲い６Ｃとして連続壁２ｗが選択されると、連続壁２ｗの内部に流入したアンダーフィル５の高さが連続壁２ｗの高さよりも低い限りアンダーフィル５が連続壁２ｗを越えることができないので、アンダーフィル５の注入量が大量であってもアンダーフィル５の流出をせき止めることができる。

次に、第４の実施形態の半導体チップモジュール１Ｄを説明する。第１の実施形態と第４の実施形態との相違点は、囲い６Ｄの全体形状の違いである。

図１４は、第４の実施形態の半導体チップモジュール１Ｄを示している。また、図１５は、図１４の１５−１５矢視断面図である。第４の実施形態の半導体チップモジュール１Ｄは、図１４および図１５に示すように、第１の実施形態と同様、配線板２、２個の半導体チップ３、４、アンダーフィル５および１個の囲い６Ｄを備えている。また、囲い６Ｄは、第１の実施形態と同様に、注入口７および溜池部８を有している。

ここで、第４の実施形態においては、配線板２の表面にレジスト膜２ｒが形成され、その表面に凹み２ｈが形成されている。この凹み２ｈの平面視外形は囲い６Ｄの形状と同一である。そして、第４の実施形態の囲い６Ｄとしては、図１５に示すように、この凹み２ｈの周縁に生じる段差が用いられている。この段差を利用した囲い６Ｄは、図１４に示すように、平面視において２個の半導体チップ３、４を取り囲んでいる。

このように第４の実施形態の囲い６Ｄとして凹み２ｈの段差が選択されると、凹み２ｈの内部に流入したアンダーフィル５の高さが凹み２ｈの深さよりも小さい限りアンダーフィル５が凹み２ｈの段差を越えることができないので、アンダーフィル５の注入量が大量であってもアンダーフィル５の流出をせき止めることができる。

すなわち、本実施形態の半導体チップモジュール１Ａ〜１Ｄによれば、大きい半導体チップ３と配線板２との間に流入するアンダーフィル５の流入量と小さい半導体チップ４と配線板２との間に流入するアンダーフィル５の流入量とが適量になるので、大きさの異なる２個の半導体チップ３、４を隣接させても、各半導体チップ３、４に対してアンダーフィル５が過不足なく適正に流入し、各半導体チップ３、４を確実に固定することができるという作用効果を奏する。

なお、本発明は、前述した実施形態などに限定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能である。

例えば、各実施形態において半導体チップ３、４の対向辺３ａ、４ａの平行は必須条件ではなく、配線板２に対する半導体チップ３、４の配置効率およびアンダーフィル５の流入効率などの様々な要素を考慮して決められた条件である。したがって、半導体チップ３、４の配置効率を考慮しなければ、図１６に示すように、各々の半導体チップ３、４の対向辺３ａ、４ａが平行ではなく一方が開いた状態（ハの字形の状態）となるように２個の半導体チップ３、４が配置されていても良い。

第１の実施形態の半導体チップモジュールを示す平面図 第１の実施形態において２個の半導体チップの配置が図１と異なる状態を示す平面図 第１の実施形態の囲いとして想定していない状態を示す平面図 図１の４−４矢視断面図 第１の実施形態の囲いに生じる各領域を示す平面図；Ａは大きい半導体チップの配置領域および小さい半導体チップの配置領域を示している。Ｂは、注入口を示している。Ｃは溜池部を示している。 第１の実施形態の溜池部の一部を形成する囲いの一部がＲ形状となっている状態を示す平面図 第１の実施形態の溜池部の一部を形成する囲いの一部がテーパ形状となっている状態を示す平面図 第１の実施形態のアンダーフィルの注入方法を示す平面図 第１の実施形態のアンダーフィルが囲いによってせき止められる状態を示す平面図 第２の実施形態の半導体モジュールを示す平面図 図１０の１１−１１矢視断面図 第３の実施形態の半導体モジュールを示す平面図 図１２の１３−１３矢視断面図 第４の実施形態の半導体モジュールを示す平面図 図１４の１５−１５矢視断面図 他の実施形態の半導体モジュールであって２個の半導体チップが平行に配置されていない状態を示す平面図 従来の半導体チップモジュールの一例を示す平面図

符号の説明

１Ａ〜１Ｄ 半導体チップモジュール
２ 配線板
３ 大きい半導体チップ
４ 小さい半導体チップ
５ アンダーフィル
６Ａ〜６Ｄ 囲い
７ 注入口
８ 溜池部

Claims (6)

1. 平面視において大小異なる２個の半導体チップと、
   前記２個の半導体チップにおける各々の任意の一辺が平面視において部分的または全体的に対向するように前記２個の半導体チップがフリップチップ接続される配線板と、
   前記２個の半導体チップと前記配線板との間にそれぞれ流入した後に硬化することにより前記２個の半導体チップを前記配線板に固定するアンダーフィルと、
   フリップチップ接続された前記２個の半導体チップの周縁外側全体を取り囲むことにより、前記２個の半導体チップと前記配線板との間に流入した前記アンダーフィルがその間から流出することをせき止める１個の囲いと、
   前記２個の半導体チップにおける対向する二辺と前記二辺の間隙の延在方向の両端周辺に位置する２箇所の前記囲いの一部とによって取り囲まれた領域からなる前記アンダーフィルの注入口と、
   前記注入口を取り囲む一部となる大きい半導体チップの一辺の一部分であって前記注入口を取り囲む他の一部となる小さい半導体チップの一辺と対向しない部分と前記注入口を取り囲む他の一部となる前記囲いの一部とによって取り囲まれた領域からなる前記注入口の溜池部と
   を備えていることを特徴とする半導体チップモジュール。
2. 前記溜池部を取り囲む一部となる前記囲いの一部は、前記注入口の外側に拡張したＬ字形状もしくはＲ形状またはテーパ形状に形成されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体チップモジュール。
3. 前記囲いは、前記２個の半導体チップが接続される前記配線板の表面に形成されたレジスト膜に形成された連続溝である
   ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体チップモジュール。
4. 前記囲いは、前記２個の半導体チップが接続される前記配線板の表面または前記配線板の表面に形成されたレジスト膜の表面から起立する連続壁である
   ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体チップモジュール。
5. 前記囲いは、前記２個の半導体チップが接続される前記配線板の表面または前記配線板の表面に形成されたレジスト膜の表面に形成されるくぼみもしくは隆起した台の周縁に生じる段差である
   ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体チップモジュール。
6. 前記アンダーフィルは、前記注入口の延在方向に往復移動しながら注入されている
   ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体チップモジュール。

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