JP2021050943A - 物理量計測装置 - Google Patents

Abstract

【課題】センシング素子の接続にポッティング樹脂を用いても回路基板の大型化を抑制可能な物理量計測装置を提供する。【解決手段】物理量計測装置１０は、被計測流体が流れる主通路２Ａに配置されるハウジング２０と、被計測流体の物理量を検出するセンシング素子４０と、ハウジング２０に配置されてセンシング素子４０が実装される回路基板３０と、を備える。物理量計測装置１０は、回路基板３０およびセンシング素子４０の電気的な接続部を保護するポッティング樹脂と、回路基板３０におけるセンシング素子４０が実装される実装部位の周囲でのポッティング樹脂の濡れ拡がりを制限する制限部５０、６０と、を備える。【選択図】図３

Description

本開示は、被計測流体に係る物理量を計測する物理量計測装置に関する。

従来、物理量計測装置として、被計測流体が流れる主通路内に配置されるハウジングを小型化するために、ハウジングに対して回路基板をインサート成形し、当該回路基板の両面に複数のセンシング素子を実装したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

国際公開第２０１６／１２１１７９号

本発明者らは、物理量計測装置において、回路基板とセンシング素子とを接続の強化や回路基板とセンシング素子との電気的な接続部の保護を図るために、当該接続部にポッティング樹脂を充填することを検討している。

本発明者らの検討によると、センシング素子の接続にポッティング樹脂を用いる場合、ポッティング樹脂の濡れ拡がりや濡れ縁のバラツキを考慮して、他の部品をセンシング素子の近くに配置することができず、回路基板の大型化を避けることが難しいことが判った。回路基板の大型化は、物理量計測装置の大型化に繋がることから好ましくない。

本開示は、センシング素子の接続にポッティング樹脂を用いても回路基板の大型化を抑制可能な物理量計測装置を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明は、
物理量計測装置であって、
被計測流体が流れる主通路（２Ａ）内に配置されるハウジング（２０）と、
前記被計測流体の物理量を検出する少なくとも１つのセンシング素子（４０）と、
前記ハウジングに配置されて前記センシング素子が実装される回路基板（３０）と、
前記回路基板および前記センシング素子の電気的な接続部を保護するポッティング樹脂（４１０、４３０、４４０）と、
前記回路基板における前記センシング素子が実装される実装部位（３３０、３１１、３１２）の周囲の少なくとも一部に設けられて前記ポッティング樹脂の濡れ拡がりを制限する制限部（５０、６０）と、を備える。

これによると、回路基板に設けられる制限部によってポッティング樹脂の濡れ拡がりが制限されるので、ポッティング樹脂の濡れ拡がりや濡れ縁のバラツキに起因する回路基板の大型化が生じない。したがって、本開示の物理量計測装置によれば、センシング素子の接続にポッティング樹脂を用いても回路基板の大型化を抑制することができる。

ここで、「ポッティング樹脂の濡れ拡がり」とは、回路基板に対するポッティング樹脂の濡れ性に応じて変化する濡れ縁の拡がりである。なお、濡れ縁は、ポッティング樹脂のうち回路基板に接する部分の外縁である。

なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。

第１実施形態に係る物理量計測装置を空気流れ上流側から見た模式図である。 図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。 第１実施形態に係る物理量計測装置の内部構造を示す模式図である。 図３のＩＶ−ＩＶ断面図である。 比較例となる物理量計測装置の一部を示す模式的な断面図である。 図３のＶＩ−ＶＩ断面図である。 第１実施形態の物理量計測装置の第１変形例を示す模式的な断面図である。 第１実施形態の物理量計測装置の第２変形例を示す模式的な断面図である。 第１実施形態の物理量計測装置の第３変形例を示す模式的な断面図である。 第２実施形態に係る物理量計測装置の一部を示す模式的な断面図である。 第３実施形態に係る物理量計測装置の一部を示す模式的な断面図である。 第４実施形態に係る物理量計測装置の一部を示す模式的な断面図である。 ポッティング樹脂の濡れ拡がりを説明するための説明図である。 第５実施形態に係る物理量計測装置の一部を示す模式的な断面図である。 第５実施形態の物理量計測装置の変形例を示す模式的な断面図である。 第６実施形態に係る物理量計測装置の一部を示す模式的な断面図である。 第６実施形態の物理量計測装置の変形例を示す模式的な断面図である。 第７実施形態に係る物理量計測装置の内部構造を示す模式図である。 第８実施形態に係る物理量計測装置の内部構造を示す模式図である。

以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の実施形態において、先行する実施形態で説明した事項と同一もしくは均等である部分には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する場合がある。また、実施形態において、構成要素の一部だけを説明している場合、構成要素の他の部分に関しては、先行する実施形態において説明した構成要素を適用することができる。以下の実施形態は、特に組み合わせに支障が生じない範囲であれば、特に明示していない場合であっても、各実施形態同士を部分的に組み合わせることができる。

（第１実施形態）
本実施形態について、図１〜図６を参照して説明する。本実施形態では、内燃機関を制御する内燃機関制御システムに本開示の物理量計測装置１０を適用した例について説明する。本実施形態の物理量計測装置１０は、内燃機関に吸入される吸入空気を被計測流体とし、当該被計測流体の物理量を計測する。内燃機関制御システムは、物理量計測装置１０の計測結果に応じて、図示しないスロットルバルブの開度を調節して内燃機関に供給される被計測流体の流量を制御する。

図１および図２に示すように、物理量計測装置１０は、被計測流体である吸入空気が流れる吸気管２に装着される。吸気管２は、被計測流体が流れる主通路２Ａを形成する円筒状の配管である。なお、吸気管２は、円筒状の配管に限らず、例えば、角筒状の配管で構成されていてもよい。

物理量計測装置１０は、筐体部を構成するハウジング２０を有している。ハウジング２０は、少なくとも一部が主通路２Ａに配置されている。ハウジング２０は、物理量計測装置１０を吸気管２に固定するためのフランジ部２１、フランジ部２１から外部に露出して外部機器との電気的な接続を行うための外部接続部２２、フランジ部２１から主通路２Ａの中心に向けて突出する計測部２３を備える。

フランジ部２１は、吸気管２に設けられた取付穴に嵌め込まれる。フランジ部２１は、その下面側が主通路２Ａに露出している。フランジ部２１は、その下面側が主通路２Ａの熱の影響を受け易い。このため、フランジ部２１は、主通路２Ａに露出する下面側の部位に、主通路２Ａとの間の熱伝達を抑えるための窪み等が設けられていることが望ましい。

外部接続部２２は、フランジ部２１の上面に設けられてフランジ部２１から被計測流体の流れ方向の下流側に向けて突き出ている。外部接続部２２は、物理量計測装置１０を図示しない内燃機関制御システムの制御装置に接続するものである。外部接続部２２を介して物理量計測装置１０から外部に計測結果を示す情報が出力される。また、外部接続部２２を介して物理量計測装置１０を駆動するための電力が供給される。なお、外部接続部２２は、被計測流体の流れ方向の下流側に向けて突き出るものに限らず、上流側に向けて突き出るものや上方に向けて突き出るものであってもよい。

計測部２３は、空気流れ方向から見た正面の形状が、高さよりも幅が狭い略長方形の形状になっている。計測部２３の内側には、被計測流体が流れる流体通路が形成されるとともに、被計測流体の物理量を計測するためのセンシング素子４０が内蔵されている。

図２および図３に示すように、計測部２３には、主通路２Ａを流れる被計測流体の一部が通過する第１副通路２４および第２副通路２５が形成されている。第１副通路２４および第２副通路２５は、例えば、ハウジング２０の本体に形成された溝部と当該溝部を覆う本体カバーとの協働により形成される。計測部２３には、第１副通路２４と第２副通路２５とを仕切る仕切壁２３１が設けられている。なお、第１副通路２４および第２副通路２５は、貫通穴によって形成されていてもよい。

計測部２３は、その先端部に、被計測流体の一部を第１副通路２４に取り込むための第１入口部２４ａと、第１副通路２４から被計測流体を主通路２Ａに戻すための第１出口部２４ｂおよび排出部２４ｃとが形成されている。

第１副通路２４は、第１入口部２４ａから取り込まれた被計測流体が通過する副本通路２４１と、副本通路２４１から分岐して副本通路２４１を流れる被計測流体の一部が通過する副分岐通路２４２とを含んでいる。

副本通路２４１は、計測部２３の側面の一方側に位置する上流通路部２４１ａと、計測部２３の側面の他方側に位置する下流通路部２４１ｂと、上流通路部２４１ａと下流通路部２４１ｂとを連通させる連通部２４１ｃとを有している。

上流通路部２４１ａは、第１入口部２４ａから被計測流体の流れ方向の下流側に向かって移行し、その途中で副分岐通路２４２が分岐している。上流通路部２４１ａは、副分岐通路２４２との分岐部から被計測流体の流れ方向の下流側に向かって移行するにともなって暫時フランジ部２１側に近づくように湾曲して、計測部２３の下流側の壁面近傍で連通部２４１ｃに連通している。すなわち、上流通路部２４１ａは、副分岐通路２４２から離れるようにカーブする曲り部２４１ｄを有している。

連通部２４１ｃは、計測部２３の厚さ方向（すなわち、図２、図３における紙面垂直方向）に延びている。連通部２４１ｃには、回路基板３０の突出部３３が配置されている。突出部３３は、計測部２３の仕切壁２３１を貫通して連通部２４１ｃに突き出ている。

下流通路部２４１ｂは、第１出口部２４ｂから被計測流体の流れ方向の上流側に向かって移行するにともなって暫時フランジ部２１側に近づくように湾曲して、計測部２３の上流側の壁面近傍で連通部２４１ｃに連通している。

このように構成される副本通路２４１は、上流通路部２４１ａ、連通部２４１ｃ、下流通路部２４１ｂを有することで、第１入口部２４ａから流入した被計測流体が略一回転した後に、第１出口部２４ｂから排出される。

副分岐通路２４２は、副本通路２４１との分岐部と排出部２４ｃとを繋ぐ通路である。副分岐通路２４２は、副本通路２４１との分岐部から排出部２４ｃに向けて被計測流体の流れ方向に沿って直線状に延びている。副分岐通路２４２は、第１入口部２４ａから第１副通路２４に侵入した質量の大きな異物（例えば、水、ダスト、油等）を、副分岐通路２４２を介して排出部２４ｃに排出するために設けられている。

第１副通路２４の通路途中には、センシング素子４０の１つを構成する流量検出部４１が配置されている。流量検出部４１は、第１副通路２４のうち曲り部２４１ｄを有する副本通路２４１に配置されている。流量検出部４１の詳細については後述する。

また、計測部２３は、第１副通路２４とフランジ部２１との間の中間部に、被計測流体の一部を第２副通路２５に取り込むための第２入口部２５ａと、第２副通路２５から被計測流体を主通路２Ａに戻すための第２出口部２５ｂとが形成されている。

第２副通路２５の第２入口部２５ａの上流には、センシング素子４０の１つを構成する温度検出部４２が設けられている。温度検出部４２は、主通路２Ａを流れる被計測流体の物理量を検出するセンシング素子４０の１つを構成する。

温度検出部４２は、計測部２３に内蔵された回路基板３０の表面に設けられている。温度検出部４２は、回路基板３０の舌片部３２に設けられている。温度検出部４２は、チップ型の温度センサを有し、回路基板３０に対して電気的に接続されている。図示しないが、温度検出部４２は、回路基板３０との電気的な接続部がポッティング樹脂で被覆されている。ポッティング樹脂は、回路基板３０との電気的な接続部に溶融された状態で塗布され、塗布後に固化することで温度検出部４２を被覆する。これにより、温度検出部４２は、回路基板３０との電気的な接続部がポッティング樹脂により保護されている。なお、ポッティング樹脂は、一般的に液状で取扱いができ、常温で固化するものであり、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。

第２入口部２５ａは、温度検出部４２の下流側に連続して形成されている。これにより、第２入口部２５ａから第２副通路２５に流れ込む被計測流体は、温度検出部４２に接触してから第２入口部２５ａに流れ込み、温度検出部４２に接触した際に温度が検出される。温度検出部４２に接触した被計測流体は、そのまま第２入口部２５ａから第２副通路２５に流れ込み、第２副通路２５を通過して第２出口部２５ｂから主通路２Ａに排出される。

また、第２副通路２５の通路途中には、センシング素子４０を構成する第１圧力検出部４３、第２圧力検出部４４、湿度検出部４５が配置されている。第２副通路２５には、被計測流体の流れ方向の上流側から下流側に向けて湿度検出部４５、第１圧力検出部４３、第２圧力検出部４４が順次配置されている。

第１圧力検出部４３、第２圧力検出部４４、湿度検出部４５は、回路基板３０の表面に設けられている。具体的には、第１圧力検出部４３、第２圧力検出部４４、湿度検出部４５は、回路基板３０のうち、第２副通路２５の第２入口部２５ａおよび第２出口部２５ｂよりも上方側の領域に配置されている。第１圧力検出部４３、第２圧力検出部４４、湿度検出部４５は、例えば、半田付けにより回路基板３０に対して電気的に接続されている。

湿度検出部４５は、チップ型の湿度センサを有し、回路基板３０に対して電気的に接続されている。図示しないが、湿度検出部４５は、回路基板３０との電気的な接続部がポッティング樹脂で被覆されている。ポッティング樹脂は、回路基板３０との電気的な接続部に溶融された状態で塗布され、塗布後に固化することで湿度検出部４５を被覆する。これにより、湿度検出部４５は、回路基板３０との電気的な接続部がポッティング樹脂により保護されている。なお、ポッティング樹脂は、一般的に液状で取扱いができ、常温で固化するものであり、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。

第１圧力検出部４３は、湿度検出部４５よりも第２圧力検出部４４の近くに配置されている。すなわち、第１圧力検出部４３および第２圧力検出部４４は、回路基板３０の本体部３１において並んで配置される。第１圧力検出部４３および第２圧力検出部４４の詳細については後述する。

計測部２３は、その内側に、回路基板３０がインサート成形により一体に設けられている。図２および図３では、回路基板３０を示す部位に対してドット柄のハッチングを付し、回路基板３０とハウジング２０とを区別している。
ている。なお、実際の回路基板３０に対してドット柄が付されているわけではない。

回路基板３０は、主通路２Ａを流れる被計測流体の種々の物理量を計測するためのセンシング素子４０が実装される。図示しないが、回路基板３０は、センシング素子４０で検出した信号を処理するための回路部を有する。

回路基板３０は、計測部２３のうちフランジ部２１に近い位置に設けられている。回路基板３０は、平板形状を有している。回路基板３０は、本体部３１と、本体部３１から被計測流体の流れ方向の上流側に向かって突き出る舌片部３２と、本体部３１から計測部２３の先端側に向けて突き出る突出部３３とを有している。

回路基板３０は、表面にセンシング素子４０が実装され、背面に回路部を構成するマイクロプロセッサ等が実装されている。なお、回路基板３０は、背面にセンシング素子４０の一部が実装されていてもよい。

本体部３１は、平面視での形状が略矩形状になっている。本体部３１は、少なくとも一部が第２副通路２５に位置付けられている。本体部３１は、少なくともセンシング素子４０が実装される箇所が第２副通路２５に露出している。本体部３１には、第１圧力検出部４３、第２圧力検出部４４、湿度検出部４５が実装されている。

舌片部３２は、回路基板３０の一部を構成するもので、本体部３１と一体に構成されている。舌片部３２は、第２副通路２５の第２入口部２５ａから被計測流体の流れ方向の上流側に向かって突き出ている。舌片部３２には、温度検出部４２が実装されている。

ここで、計測部２３は、被計測流体の流れ方向上流側に位置する上流壁部に下流側に向かって窪んだ凹部が形成されている。この凹部の内側に第２入口部２５ａが形成されるとともに、舌片部３２が配置されている。

突出部３３は、回路基板３０の一部を構成するもので、本体部３１と一体に構成されている。突出部３３は、第１副通路２４に位置付けられている。突出部３３は、センシング素子４０が実装される箇所が第１副通路２４に露出している。突出部３３には、流量検出部４１が実装されている。

流量検出部４１は、被計測流体の流量を検出する素子である。流量検出部４１としては、例えば、熱流式流量計を採用することができる。なお、流量検出部４１は、熱流式流量計以外のものが採用されていてもよい。

流量検出部４１は、回路基板３０の表面に設けられている。流量検出部４１は、回路基板３０の突出部３３に設けられている。流量検出部４１は、ワイヤボンディング等により、回路基板３０の突出部３３に対して電気的に接続されている。

図４に示すように、流量検出部４１は、回路基板３０との電気的な接続部４１１がポッティング樹脂４１０で被覆されている。ポッティング樹脂４１０は、回路基板３０との電気的な接続部４１１に溶融された状態で塗布され、塗布後に固化することで流量検出部４１の接続部４１１を被覆する。これにより、流量検出部４１は、回路基板３０との電気的な接続部４１１がポッティング樹脂４１０により保護されている。なお、ポッティング樹脂４１０は、一般的に液状で取扱いができ、常温で固化するものであり、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。

ここで、図５は、本実施形態の比較例となる物理量計測装置ＣＥの流量検出部４１近傍を示す模式的な断面図である。比較例の物理量計測装置ＣＥは、平坦な回路基板３０への流量検出部４１の接続にポッティング樹脂４１０を用いたものである。この種の物理量計測装置ＣＥは、ポッティング樹脂４１０の濡れ縁が外側に拡がり易い。また、ポッティング樹脂４１０の表面張力は、製造時の環境温度の影響を受けるため、ポッティング樹脂４１０の濡れ拡がりや濡れ縁４１０ａのバラツキが生じ易い。

このため、平坦な回路基板３０への流量検出部４１の接続にポッティング樹脂４１０を用いる場合、ポッティング樹脂４１０の濡れ拡がりや濡れ縁４１０ａのバラツキを考慮して、他の部品を流量検出部４１の近くに配置することが困難となる。このことは、回路基板３０の大型化に繋がることから好ましくない。

そこで、本実施形態の物理量計測装置１０は、図４に示すように、回路基板３０に対して、ポッティング樹脂４１０の濡れ拡がりを制限するための第１制限部５０が設けられている。第１制限部５０は、回路基板３０の突出部３３における流量検出部４１が実装される実装部位３３０の周囲に設けられている。すなわち、第１制限部５０は、実装部位３３０の全周を囲むように設けられている。そして、第１制限部５０の内側にポッティング樹脂４１０が充填されている。具体的には、第１制限部５０は、少なくとも一部がポッティング樹脂４１０に接している。

第１制限部５０は、回路基板３０の板面に垂直な板垂直方向ＤＲｖにおける位置を実装部位３３０と実装部位３３０の周囲とで異なるものとする第１段差部５１で構成されている。第１段差部５１は、実装部位３３０の周囲が実装部位３３０よりも板垂直方向ＤＲｖにおいて流量検出部４１側に向けて突き出ることで形成される。すなわち、第１段差部５１は、実装部位３３０の周りを囲む第１凸部５１１で構成されている。

第１段差部５１は、第１凸部５１１の外側と流量検出部４１の側面との距離Ｌ１が、第１凸部５１１が設けられていない場合のポッティング樹脂４１０の濡れ縁４１０ａと流量検出部４１の側面との距離Ｌ２よりも小さくなるように回路基板３０に設けられている。

具体的には、第１凸部５１１は、回路基板３０に対して一体に構成されている。第１凸部５１１は、流量検出部４１と直に接しないように実装部位３３０から所定距離を隔てた位置に形成されている。第１凸部５１１は、例えば、板垂直方向ＤＲｖにおいて流量検出部４１よりも低くなるように高さが設定されている。また、第１凸部５１１は、第１凸部５１１と流量検出部４１との間に介在するポッティング樹脂４１０よりも薄くなるように板幅が設定されている。

ここで、副本通路２４１は、流量検出部４１が副本通路２４１の中心に向けて突き出るように配置されることで、流量検出部４１が配置される配置部位２４１ｅの通路幅Ｈ１が、当該配置部位の上流側の部位２４１ｆの通路幅Ｈ２よりも小さくなっている。これにより、第１副通路２４は、流量検出部４１が配置される配置部位２４１ｅの通路面積Ｓ１が当該配置部位２４１ｅの上流側の部位２４１ｆの通路面積Ｓ２よりも小さくなっている。すなわち、副本通路２４１は、流量検出部４１が配置される配置部位２４１ｅが絞り形状になっている。

続いて、第１圧力検出部４３および第２圧力検出部４４の詳細について図６を参照して説明する。図６に示すように、第１圧力検出部４３および第２圧力検出部４４は、回路基板３０との電気的な接続部４３１、４４１がポッティング樹脂４３０、４４０で被覆されている。ポッティング樹脂４３０、４４０は、回路基板３０との電気的な接続部４３１、４４１に溶融された状態で塗布され、塗布後に固化することで第１圧力検出部４３および第２圧力検出部４４それぞれの接続部４３１、４４１を被覆する。

これにより、第１圧力検出部４３および第２圧力検出部４４は、回路基板３０との電気的な接続部４３１、４４１がポッティング樹脂４３０、４４０により保護されている。なお、ポッティング樹脂４３０、４４０は、一般的に液状で取扱いができ、常温で固化するものであり、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。

本体部３１は、第１圧力検出部４３が実装される第１実装部位３１１と、第２圧力検出部４４が実装される第２実装部位３１２とを有する。第１実装部位３１１と第２実装部位３１２との間には、ポッティング樹脂４３０、４４０の濡れ拡がりを制限するための第２制限部６０が設けられている。第２制限部６０は、第１実装部位３１１の周囲と第２実装部位３１２の周囲のうち、互いに重複する箇所に配置されている。具体的には、第２制限部６０は、少なくとも一部がポッティング樹脂４３０、４４０に接している。

第２制限部６０は、回路基板３０の板面に垂直な板垂直方向ＤＲｖにおける位置を第１実装部位３１１と第２実装部位３１２の周囲とで異なるものとする第２段差部６１を含んで構成されている。第２段差部６１は、第１実装部位３１１と第２実装部位３１２との間の部位が第１実装部位３１１および第２実装部位３１２よりも板垂直方向ＤＲｖにおいて各圧力検出部４３、４４側に向けて突き出る第２凸部６１１で構成されている。

第２段差部６１は、第２凸部６１１の外側と第２圧力検出部４４の側面との距離Ｌ３が、第２凸部６１１がない側のポッティング樹脂４４０の濡れ縁４４０ａと第２圧力検出部４４の側面との距離Ｌ４よりも小さくなるように回路基板３０に設けられている。このことは、第２段差部６１と第１圧力検出部４３との関係においても同様である。

具体的には、第２凸部６１１は、回路基板３０に対して一体に構成されている。第２凸部６１１は、第１実装部位３１１と第２実装部位３１２から同様の距離となる位置に直線状に延びるように形成されている。また、第２凸部６１１は、例えば、板垂直方向ＤＲｖにおいて各圧力検出部４３、４４よりも低くなるように高さが設定されている。

次に、物理量計測装置１０の動作について説明する。物理量計測装置１０は、内燃機関制御システムの制御装置からの要求等に応じてセンシング素子４０で検出した情報を制御装置に出力する。

内燃機関の動作時には、吸気管２の内側の主通路２Ａに被計測流体である吸入空気が流れる。被計測流体は、主通路２Ａを流れる際に、その一部が図２および図３に示すように物理量計測装置１０の第１副通路２４および第２副通路２５を通過する。

具体的には、被計測流体の一部は、第１入口部２４ａを介して第１副通路２４に取り込まれる。第１副通路２４に取り込まれた被計測流体の大部分は、副本通路２４１に流れ、残りが質量の大きい異物とともに副分岐通路２４２を介して排出部２４ｃから排出される。なお、質量の大きい異物は、慣性力によって急激な進路変更が困難なため、直線状に延びる副分岐通路２４２に流れ易い。

副本通路２４１を流れる被計測流体は、上流通路部２４１ａから連通部２４１ｃに流れる。この際、流量検出部４１付近を被計測流体が通過することで、被計測流体の流量が流量検出部４１にて検出される。

ここで、流量検出部４１が配置された配置部位２４１ｅの通路面積Ｓ１が、当該配置部位２４１ｅよりも被計測流体の流れ上流側の通路面積Ｓ２よりも小さくなっている。これによると、流量検出部４１が配置された配置部位２４１ｅで被計測流体の流速が増加することで、高速気流の吸引作用によって上流通路部２４１ａに侵入した異物が被計測流体とともに流量検出部４１の下流側へ排出され易くなる。

その後、連通部２４１ｃを流れる被計測流体は、下流通路部２４１ｂに流れる。そして、被計測流体は、下流通路部２４１ｂを介して第１出口部２４ｂから主通路２Ａに戻る。

また、被計測流体の一部は、第２入口部２５ａを介して第２副通路２５に取り込まれる。物理量計測装置１０は、第２入口部２５ａの上流側に温度検出部４２が配置されている。このため、第２副通路２５に取り込まれる被計測流体の温度が温度検出部４２にて検出される。

第２副通路２５に取り込まれた被計測流体は、その大部分が第２出口部２５ｂに向けて流れた後、第２出口部２５ｂから主通路２Ａに戻る。この際、被計測流体の湿度が湿度検出部４５にて検出される。また、被計測流体の圧力が第１圧力検出部４３および第２圧力検出部４４にて検出される。

ここで、第１圧力検出部４３、第２圧力検出部４４、湿度検出部４５は、回路基板３０において第２副通路２５の第２入口部２５ａおよび第２出口部２５ｂよりも上方側の領域に配置されている。換言すれば、第１圧力検出部４３、第２圧力検出部４４、湿度検出部４５は、温度検出部４２に比べて、回路基板３０において第２副通路２５の第２入口部２５ａおよび第２出口部２５ｂから見え難い位置に配置されている。このため、第２副通路２５に侵入した異物は、第１圧力検出部４３、第２圧力検出部４４、湿度検出部４５が配置された箇所に流れ難い。なお、質量の大きい異物は、慣性力によって急激な進路変更が困難なため、第２入口部２５ａから第２出口部２５ｂに向けて直線的に流れ易い。

以上説明した物理量計測装置１０は、回路基板３０と流量検出部４１との接続部４１１がポッティング樹脂４１０で被覆されるとともに、回路基板３０と各圧力検出部４３、４４との接続部４３１、４４１がポッティング樹脂４３０、４４０で被覆されている。これによると、流量検出部４１および各圧力検出部４３、４４を充分に保護することができ、センシング素子４０による被計測流体の物理量の計測精度向上を図ることができる。

特に、物理量計測装置１０は、回路基板３０における流量検出部４１が実装される実装部位３３０の周囲にポッティング樹脂４１０の濡れ拡がりを制限する第１制限部５０が設けられている。加えて、回路基板３０における各圧力検出部４３、４４が実装される各実装部位３１１、３１２の周囲にポッティング樹脂４３０、４４０の濡れ拡がりを制限する第２制限部６０が設けられている。

これによると、回路基板３０に設けられる第１制限部５０および第２制限部６０によってポッティング樹脂４１０、４３０、４４０の濡れ拡がりが制限される。このため、ポッティング樹脂４１０、４３０、４４０の濡れ拡がりや濡れ縁４１０ａ、４３０ａ、４４０ａのバラツキに起因する回路基板３０の大型化を抑制したり、回路基板３０の小型化を図ったりすることができる。

したがって、本実施形態の物理量計測装置１０によれば、センシング素子４０の接続にポッティング樹脂４１０、４３０、４４０を用いても回路基板３０の大型化を抑制することができる。

回路基板３０を小型化できれば、物理量計測装置１０の小型に実現できるので、物理量計測装置１０による吸気管２の圧力損失を低減することができる。すなわち、本実施形態の物理量計測装置１０によれば、吸気管２の低圧損化を図ることができる。また、回路基板３０を小型化できれば、物理量計測装置１０を構成する材料が少なくて済むので、低コスト化も図ることができる。

具体的には、第１制限部５０は、流量検出部４１が実装される実装部位３３０の周囲が実装部位３３０よりも板垂直方向ＤＲｖにおいて流量検出部４１側に向けて突き出る第１段差部５１で構成されている。そして、第１段差部５１は、第１副通路２４に向けて突き出る第１凸部５１１により構成されている。

また、第２制限部６０は、各圧力検出部４３、４４が実装される各実装部位３１１、３１２の周囲が各実装部位３１１、３１２よりも板垂直方向ＤＲｖにおいて各圧力検出部４３、４４側に向けて突き出る第２段差部６１で構成されている。そして、第２段差部６１は、第２副通路２５に向けて突き出る第２凸部６１１により構成されている。

このように、第１制限部５０および第２制限部６０を回路基板３０に設けた段差により形成すれば、現状の回路基板３０等からの変更が少なくて済むので、安価に実現することができる。

また、各段差部５１、６１が各実装部位３３０、３１１、３１２の周囲を各実装部位３３０、３１１、３１２よりも高くすることで形成される場合、ポッティング樹脂４１０、４３０、４４０の移動が各実装部位３３０、３１１、３１２の周囲によって制限される。このため、各段差部５１、６１によってポッティング樹脂４１０、４３０、４４０の濡れ拡がりを制限することができる。

加えて、各実装部位３３０、３１１、３１２の周囲が各実装部位３３０、３１１、３１２よりも高くなると、ポッティング樹脂４１０、４３０、４４０の通路側への露出が減少し、異物に接し難くなる。この結果、異物によるポッティング樹脂４１０、４３０、４４０の劣化を抑制することができる。

物理量計測装置１０は、流量検出部４１が第１副通路２４に配置されるとともに、各圧力検出部４３、４４が第２副通路２５に配置されている。このように、センシング素子４０を各副通路２４、２５に配置すれば、各副通路２４、２５を流れる被計測流体に係る物理量を計測することができる。

具体的には、第１副通路２４は、被計測流体が通過する副本通路２４１と、副本通路２４１から分岐する副分岐通路２４２と、を含んでいる。副本通路２４１は、副分岐通路２４２から離れるようにカーブする曲り部２４１ｄを有している。そして、センシング素子４０のうち流量検出部４１が、副本通路２４１に配置されている。

第１副通路２４に被計測流体とともに異物が流入すると、当該異物は、その慣性により第１副通路２４を直進するように流れ易く、曲り部２４１ｄを有する副本通路２４１には流れ難い。このため、曲り部２４１ｄを有する副本通路２４１に流量検出部４１を配置すれば、異物による素子の損傷や異物によるポッティング樹脂４１０の劣化等を抑制することができる。

加えて、第１副通路２４は、流量検出部４１が配置される配置部位２４１ｅの通路面積Ｓ１が当該配置部位２４１ｅの上流側の部位２４１ｆの通路面積Ｓ２よりも小さくなっている。これによると、流量検出部４１が配置される配置部位２４１ｅでの被計測流体の流速が増加し、高速の気流の吸引作用によって異物を被計測流体とともに流量検出部４１の下流側へ排出することが可能となる。

また、回路基板３０の本体部３１には、第１圧力検出部４３および第２圧力検出部４４が並んで配置されている。第２制限部６０は、回路基板３０の本体部３１において隣り合う各圧力検出部４３、４４が実装される各実装部位３１１、３１２の間に設けられている。

これによると、隣り合う各圧力検出部４３、４４の各実装部位３１１、３１２の間に第２制限部６０が設けられているので、隣り合う各圧力検出部４３、４４を近接した配置形態とし、各圧力検出部４３、４４の高密度化を図ることが可能となる。

さらに、第１制限部５０は、回路基板３０に対して実装部位３３０の周りを囲むように設けられている。そして、ポッティング樹脂４１０は、第１制限部５０の内側に充填されている。これによると、回路基板３０に設けられる第１制限部５０によってポッティング樹脂４１０の濡れ拡がりが充分に制限することができる。加えて、製造環境の温度が変化しても、ポッティング樹脂４１０の濡れ縁４１０ａを第１制限部５０の内側に制限することができる。この結果、製造環境温度のロバスト性の向上し、製造設備のコストダウンや信頼性の向上を図ることが可能となる。

（第１実施形態の第１変形例）
上述の第１実施形態では、第１圧力検出部４３の接続部４３１および第２圧力検出部４４の接続部４４１それぞれがポッティング樹脂４３０、４４０で被覆されるものを例示したが、物理量計測装置１０はこれに限定されない。物理量計測装置１０は、各圧力検出部４３、４４の一方の接続部だけがポッティング樹脂で保護されていていもよい。例えば、図７に示すように、物理量計測装置１０は第２圧力検出部４４の接続部４４１だけがポッティング樹脂４４０で被覆されていてもよい。

（第１実施形態の第２変形例）
上述の第１実施形態では、第２制限部６０が第１実装部位３１１と第２実装部位３１２との間に形成される第２段差部６１で構成されたものを例示したが、第２制限部６０の配置態様はこれに限定されない。第２制限部６０は、例えば、図８に示すように、第１実装部位３１１および第２実装部位３１２それぞれの全周を囲むように設けられた第２段差部６１Ａで構成されていてもよい。これによると、ポッティング樹脂４３０、４４０の濡れ縁４３０ａ、４４０ａを第２制限部６０の内側に制限することができる。この結果、製造環境温度のロバスト性の向上し、製造設備のコストダウンや信頼性の向上を図ることが可能となる。

（第１実施形態の第３変形例）
上述の第１実施形態では、流量検出部４１が副本通路２４１の中心に向けて突き出るように配置されることで、第１副通路２４における配置部位２４１ｅの通路面積が小さくなっているものを例示したが、第１副通路２４の通路形状はこれに限定されない。第１副通路２４は、例えば、図９に示すように、配置部位２４１ｅに対向する部位に副本通路２４１の中心に向けて突き出る突出部２４３が設けられ、当該突出部２４３および流量検出部４１によって配置部位２４１ｅの通路面積が小さくなっていてもよい。

（第１実施形態の他の変形例）
上述の第１実施形態では、流量検出部４１の一部を被覆するポッティング樹脂４１０と各圧力検出部４３、４４の一部を被覆するポッティング樹脂４３０、４４０の濡れ拡がりを制限する構造について説明したが、物理量計測装置１０はこれに限定されない。

物理量計測装置１０は、少なくとも１つのセンシング素子４０におけるポッティング樹脂の濡れ拡がりが制限される構造になっていればよい。例えば、物理量計測装置１０は、例えば、第１制限部５０および第２制限部６０の一方が省略された構造になっていてもよい。

また、物理量計測装置１０は、例えば、温度検出部４２の一部を覆うポッティング樹脂および湿度検出部４５の一部を覆うポッティング樹脂の濡れ拡がりを制限する制限部が追加されていてもよい。

上述の第１実施形態では、第１制限部５０が実装部位３３０の全周を囲む第１段差部５１で構成されたものを例示したが、第１制限部５０はこれに限らず、実装部位３３０の周囲の一部を囲む第１段差部５１で構成されていてもよい。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態について、図１０を参照して説明する。本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について主に説明する。

図１０に示すように、第１制限部５０を構成する第１段差部５１は、実装部位３３０の周囲が実装部位３３０よりも板垂直方向ＤＲｖにおいて流量検出部４１側に向けて突き出ることで形成される。

具体的には、回路基板３０は、流量検出部４１の実装部位３３０の厚みが、その周囲の厚みに比べて薄くなっている。換言すれば、回路基板３０は、流量検出部４１の実装部位３３０の周囲の厚みが、実装部位３３０の厚みに比べて分厚くなっている。

これにより、回路基板３０には、流量検出部４１の実装部位３３０を底面とする第１凹部５１２が形成されている。そして、第１段差部５１は、回路基板３０に形成される第１凹部５１２によって構成されている。

その他の構成は第１実施形態と同様である。本実施形態の物理量計測装置１０は、第１実施形態と共通の構成および均等な構成から奏される効果を第１実施形態と同様に得ることができる。

特に、本実施形態の第１段差部５１は、回路基板３０に形成される第１凹部５１２によって構成されている。これによると、第１段差部５１を回路基板３０の厚みを変更するだけで形成することができるので、簡易に実現することができる。

加えて、第１凹部５１２に流量検出部４１が配置されることで、流量検出部４１が第１副通路２４の中心側に突き出ることを抑えることができる。すなわち、板垂直方向ＤＲｖにおける流量検出部４１の上面の位置を実装部位３３０の周囲に近づけることができる。これによると、第１副通路２４に流量検出部４１を設けることに伴う被計測流体の乱れを抑制することができる。この結果、被計測流体の流れが高速となる場合でも、流量検出部４１にて被計測流体の流量を精度よく検出することができる。

（第２実施形態の変形例）
上述の第２実施形態では、第２段差部６１について第１実施形態と同様に構成されるとしているが、第２段差部６１はこれに限定されない。第２段差部６１は、例えば、第２実施形態で説明した第１段差部５１と同様に、回路基板３０の第１実装部位３１１および第２実装部位３１２に設けた凹部によって構成されていてもよい。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態について、図１１を参照して説明する。本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について主に説明する。

図１１に示すように、第１制限部５０を構成する第１段差部５１は、回路基板３０と一体ではなく、回路基板３０と別体の突起部材５１３で構成されている。突起部材５１３は、例えば、流量検出部４１の側面を囲むことが可能な略四角形状の枠部材で構成されている。

突起部材５１３は、回路基板３０の実装部位３３０の周囲に形成した嵌合部３３０ａに対して嵌め込まれることで、回路基板３０に対して固定される。なお、突起部材５１３の回路基板３０への固定は、突起部材５１３の嵌合部３３０ａへの嵌め込みに限らず、例えば、接着材による接合や締結部材による締結によって実現されていてもよい。

その他の構成は第１実施形態と同様である。本実施形態の物理量計測装置１０は、第１実施形態と共通の構成および均等な構成から奏される効果を第１実施形態と同様に得ることができる。

特に、本実施形態の第１段差部５１は、回路基板３０と別体の突起部材５１３で構成されている。これによると、回路基板３０側に嵌合部３３０ａを複数設けておけば、仕様によって突起部材５１３の位置を変更することができる。この場合、回路基板３０を汎用化してコストダウンを図ることができる。

（第３実施形態の変形例）
上述の第３実施形態では、第２段差部６１について第１実施形態と同様に構成されるとしているが、第２段差部６１は、例えば、第３実施形態で説明した第１段差部５１と同様に、回路基板３０と別体の組み部品によって構成されていてもよい。この組み部品は、例えば、各圧力検出部４３、４４における互いに対向する側面を覆うことが可能な板部材や枠部材で構成すればよい。

（第４実施形態）
次に、第４実施形態について、図１２、図１３を参照して説明する。本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について主に説明する。

図１２に示すように、第１制限部５０を構成する第１段差部５１は、実装部位３３０が実装部位３３０の周囲よりも板垂直方向ＤＲｖにおいてセンシング素子４０側に向けて突き出ることで形成される。

具体的には、回路基板３０は、流量検出部４１の実装部位３３０の厚みが、その周囲の厚みに比べて分厚くなっている。換言すれば、回路基板３０は、流量検出部４１の実装部位３３０の周囲の厚みが、実装部位３３０の厚みに比べて薄くなっている。

これにより、回路基板３０には、流量検出部４１の実装部位３３０に第１副通路２４の中心側に向けて突き出る隆起部５１４が形成されている。そして、第１段差部５１は、回路基板３０に形成される隆起部５１４によって構成されている。

本実施形態の物理量計測装置１０は、回路基板３０の隆起部５１４に流量検出部４１が実装されるとともに、流量検出部４１の接続部４１１がポッティング樹脂４１０で被覆されている。

ここで、液状のポッティング樹脂４１０を固体の回路基板３０に滴下すると、ポッティング樹脂４１０が自らの表面張力で丸くなるとともに外側に濡れ拡がる。この現象は、図１３に示すＹｏｕｎｇの式に従って、固体の表面張力ｙｓ、液体の表面張力ｙＬ、固体と液体との間の界面張力ｙｓＬのバランスにより決まる。

流量検出部４１の接続部４１１を保護するために、回路基板３０の隆起部５１４にポッティング樹脂４１０を滴下すると、ポッティング樹脂４１０の濡れ縁４１０ａが隆起部５１４の縁に維持される。この際、ポッティング樹脂４１０の液膜の表面エネルギによってポッティング樹脂４１０の液膜高さが増加する。

その他の構成は第１実施形態と同様である。本実施形態の物理量計測装置１０は、第１実施形態と共通の構成および均等な構成から奏される効果を第１実施形態と同様に得ることができる。

本実施形態の第１段差部５１は、流量検出部４１の実装部位３３０が実装部位３３０の周囲よりも板垂直方向ＤＲｖにおいてセンシング素子４０である流量検出部４１側に向けて突き出ることで形成されている。このように、第１段差部５１が実装部位３３０を実装部位３３０の周囲よりも高くすることで形成される場合、第１段差部５１近傍のポッティング樹脂４１０が表面張力によって第１段差部５１の内側に維持される。このため、第１段差部５１によってポッティング樹脂４１０の濡れ拡がりを制限することができる。

（第４実施形態の変形例）
上述の第４実施形態では、第２段差部６１について第１実施形態と同様に構成されるとしているが、第２段差部６１はこれに限定されない。第２段差部６１は、例えば、第２実施形態で説明した第１段差部５１と同様に、回路基板３０の第１実装部位３１１および第２実装部位３１２を隆起させることによって構成されていてもよい。

上述の第４実施形態では、回路基板３０と隆起部５１４とが一体に構成されるものを例示したが、隆起部５１４と回路基板３０との関係はこれに限定されない。隆起部５１４は、例えば、回路基板３０と別体で構成されていてもよい。

（第５実施形態）
次に、第５実施形態について、図１４を参照して説明する。本実施形態では、本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について主に説明する。

図１４に示すように、第１制限部５０は、第１段差部５１に代えて、回路基板３０に径形成された配線パターン５２によって構成されている。配線パターン５２は、流量検出部４１を囲むように回路基板３０に形成されている。

配線パターン５２は、回路基板３０の基材表面よりも表面張力が大きい材料で構成されている。配線パターン５２を構成する材料は、ポッティング樹脂４１０が濡れ拡がり難いものであればよく、例えば、回路基板３０の基材表面よりも摩擦力が大きい材料で構成することができる。なお、配線パターン５２は、ダミーパターンだけでなく、実施に利用さるパターンによって形成されていてもよい。

その他の構成は、第１実施形態と同様である。本実施形態の物理量計測装置１０は、第１実施形態と共通の構成および均等な構成から奏される効果を第１実施形態と同様に得ることができる。

本実施形態の物理量計測装置１０は、第１制限部５０が第１段差部５１ではなく配線パターン５２によって構成されている。この配線パターン５２は、回路基板３０の基材表面よりも表面張力が大きい材料で構成されているので、流量検出部４１近傍におけるポッティング樹脂４１０の濡れ拡がりを制限することができる。

（第５実施形態の変形例）
上述の第５実施形態では、第２制限部６０について第１実施形態と同様に構成されるとしているが、第２制限部６０はこれに限定されない。第２制限部６０は、例えば、第５実施形態で説明した第１制限部５０と同様に、回路基板３０に形成される配線パターンによって構成されていてもよい。

上述の第５実施形態では、第１制限部５０を配線パターン５２で構成したものを例示したが、第１制限部５０はこれに限定されない。第１制限部５０は、配線パターン５２ではなく、回路基板３０の基材表面よりも表面張力が大きい塗料によって構成されていてもよい。

上述の第５実施形態では、第１制限部５０を回路基板３０上に形成した配線パターン５２で構成したものを例示したが、第１制限部５０はこれに限定されない。例えば、図１５に示すように、回路基板３０のうち流量検出部４１の実装部位３３０を囲む周囲部位５３自体を表面張力が大きい材料で構成し、当該周囲部位５３によって第１制限部５０が構成されていてもよい。

（第６実施形態）
次に、第６実施形態について、図１６を参照して説明する。本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について主に説明する。

液体の表面張力は温度が高くなるにともなって低くなる。このため、流量検出部４１の一部をポッティング樹脂４１０で被覆する際に、流量検出部４１の実装部位３３０の周囲の温度を変化させることで、流量検出部４１近傍におけるポッティング樹脂４１０の濡れ拡がりをコントロールすることが可能である。

図１６に示すように、第１制限部５０は、実装部位３３０の周囲の温度を実装部位３３０よりも低下させる冷却部５４によって構成されている。この冷却部５４は、例えば、通電により冷熱を生じさせるペルチェ素子で構成することができる。

その他の構成は、第１実施形態と同様である。本実施形態の物理量計測装置１０は、第１実施形態と共通の構成および均等な構成から奏される効果を第１実施形態と同様に得ることができる。

本実施形態の物理量計測装置１０は、第１制限部５０が第１段差部５１ではなく冷却部５４によって構成されている。これによると、流量検出部４１の一部をポッティング樹脂４１０で被覆する際に、流量検出部４１の実装部位３３０の周囲を冷却部５４で冷却することで、流量検出部４１近傍におけるポッティング樹脂４１０の濡れ拡がりを制限することができる。

（第６実施形態の変形例）
上述の第６実施形態では、第２制限部６０について第１実施形態と同様に構成されるとしているが、第２制限部６０はこれに限定されない。第２制限部６０は、例えば、第６実施形態で説明した第１制限部５０と同様に、第１実装部位３１１の周囲および第２実装部位３１２の周囲を冷却する冷却部によって構成されていてもよい。

上述の第５実施形態では、第１制限部５０を冷却部５４で構成したものを例示したが、第１制限部５０はこれに限定されない。第１制限部５０は、例えば、図１７に示すように、回路基板３０の実装部位３３０の背面に設けられた放熱フィン５５によって構成されていてもよい。また、第１制限部５０は、回路部やヒータ等の発熱を利用してポッティング樹脂４１０を所定の方向に意図的に濡れ拡がり易くして、他の方向への濡れ拡がり制限するように構成されていてもよい。

（第７実施形態）
次に、第７実施形態について、図１８を参照して説明する。本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について主に説明する。

図１８に示すように、計測部２３は、第１実施形態で説明した第２副通路２５が省略され、その先端側に第１副通路２４が設けられている。また、回路基板３０には、第１実施形態で説明した温度検出部４２、各圧力検出部４３、４４、湿度検出部４５が実装されておらず、センシング素子４０を構成する流量検出部４１が実装されている。

その他の構成は、第１実施形態と同様である。本実施形態の物理量計測装置１０は、第１実施形態と共通の構成および均等な構成から奏される効果を第１実施形態と同様に得ることができる。

（第８実施形態）
次に、第８実施形態について、図１９を参照して説明する。本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について主に説明する。

図１９に示すように、計測部２３は、第１実施形態で説明した第１副通路２４が省略され、第２副通路２５が設けられている。また、回路基板３０には、第１実施形態で説明した流量検出部４１が実装されておらず、センシング素子４０を構成する温度検出部４２、各圧力検出部４３、４４、湿度検出部４５が実装されている。

その他の構成は、第１実施形態と同様である。本実施形態の物理量計測装置１０は、第１実施形態と共通の構成および均等な構成から奏される効果を第１実施形態と同様に得ることができる。

（第８実施形態の変形例）
上述の第８実施形態では、回路基板３０に対して温度検出部４２、各圧力検出部４３、４４、湿度検出部４５が実装されているものを例示したが、物理量計測装置１０はこれに限定されない。物理量計測装置１０は、例えば、温度検出部４２、各圧力検出部４３、４４、湿度検出部４５の一部が実装されていてもよい。

（他の実施形態）
以上、本開示の代表的な実施形態について説明したが、本開示は、上述の実施形態に限定されることなく、例えば、以下のように種々変形可能である。

上述の実施形態では、ハウジング２０に形成された各副通路２４、２５にセンシング素子４０が配置されているものを例示したが、センシング素子４０の配置形態はこれに限定されない。例えば、回路基板３０の一部がハウジング２０の外部に露出するように構成されている場合、センシング素子４０の少なくとも一部が、回路基板３０のうちハウジング２０の外部に露出する部位に実装されていてもよい。

上述の実施形態の如く、流量検出部４１が配置される配置部位２４１ｅが絞り形状になっていることが望ましいが、これに限定されない。配置部位２４１ｅは、その通路面積が、配置部位２４１ｅの上流側の部位２４１ｆと同程度になっていてもよい。なお、上述の実施形態では、特に言及していないが、第２副通路２５におけるセンシング素子４０を配置する配置部位が絞り形状になっていてよい。

上述の実施形態の如く、流量検出部４１は、曲り部２４１ｄを有する副本通路２４１に配置されていることが望ましいが、流量検出部４１の配置形態はこれに限定されない。流量検出部４１は、例えば、少なくとも一部が副分岐通路２４２に位置するように配置されていてもよい。また、第１副通路２４は、副分岐通路２４２が省略され、副本通路２４１だけを有する構成になっていてもよい。

上述の実施形態では、流量検出部４１、温度検出部４２、各圧力検出部４３、４４、湿度検出部４５といった５つのセンシング素子４０が実装されたものを例示したが、センシング素子４０の数はこれに限定されない。物理量計測装置１０は、例えば、回路基板３０に対して４つ以下のセンシング素子４０が実装されていたり、５つ以上のセンシング素子４０が実装されていたりしてもよい。

上述の実施形態では、流量検出部４１、温度検出部４２、各圧力検出部４３、４４、湿度検出部４５といった４種のセンシング素子４０が実装されたものを例示したが、センシング素子４０の種類はこれに限定されない。物理量計測装置１０は、例えば、回路基板３０に対して３種以下のセンシング素子４０が実装されていたり、５種以上のセンシング素子４０が実装されていたりしてもよい。

上述の実施形態では、物理量計測装置１０を内燃機関制御システムに適用した例について説明したが、物理量計測装置１０の適用対象は内燃機関制御システム以外の様々なシステムに適用可能である。

上述の実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。

上述の実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されない。

上述の実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されない。

（まとめ）
上述の実施形態の一部または全部で示された第１の観点によれば、物理量計測装置は、ハウジングと、被計測流体の物理量を検出する少なくとも１つのセンシング素子と、ハウジングに配置されてセンシング素子が実装される回路基板と、を備える。物理量計測装置は、回路基板およびセンシング素子の電気的な接続部を保護するポッティング樹脂と、回路基板におけるセンシング素子が実装される実装部位の周囲の少なくとも一部に設けられてポッティング樹脂の濡れ拡がりを制限する制限部と、を備える。

第２の観点によれば、物理量計測装置の制限部は、回路基板の板面に垂直な板垂直方向における位置を実装部位と実装部位の周囲とで異なるものとする段差部を含んで構成されている。

このように、実装部位および実装部位の周囲の板垂直方向の位置を段差部によって変化させることで、ポッティング樹脂の濡れ拡がりを制限することができる。制限部は、回路基板の段差を形成するものであり、現状の回路基板等からの変更が少なくて済むので、実現し易いといったメリットがある。

第３の観点によれば、段差部は、実装部位の周囲が実装部位よりも板垂直方向においてセンシング素子側に向けて突き出ることで形成される。

段差部が実装部位の周囲を実装部位よりも高くすることで形成される場合、ポッティング樹脂の移動が実装部位の周囲によって制限されるので、段差部によってポッティング樹脂の濡れ拡がりを制限することができる。

加えて、実装部位の周囲が実装部位よりも高くなると、ポッティング樹脂の通路側への露出が減少し、異物に接し難くなるので、異物によるポッティング樹脂の劣化を抑制することができる。

第４の観点によれば、段差部は、実装部位が実装部位の周囲よりも板垂直方向においてセンシング素子側に向けて突き出ることで形成される。

段差部が実装部位を実装部位の周囲よりも高くすることで形成される場合、段差部近傍のポッティング樹脂が表面張力によって段差部の内側に維持されるので、段差部によってポッティング樹脂の濡れ拡がりを制限することができる。なお、ポッティング樹脂は、その表面エネルギ分、板垂直方向の高さが増加する。

第５の観点によれば、ハウジングは、主通路を流れる被計測流体の一部が通過する副通路が形成されている。そして、センシング素子は、副通路に配置されている。このように、センシング素子を副通路に配置すれば、副通路を流れる被計測流体に係る物理量を計測することができる。

第６の観点によれば、副通路は、被計測流体が通過する副本通路と、副本通路から分岐する副分岐通路と、を含んでいる。副本通路は、副分岐通路から離れるようにカーブする曲り部を有している。そして、センシング素子は、副本通路に配置されている。

副通路に被計測流体とともに異物が流入すると、当該異物は、その慣性により副通路を直進するように流れ易く、曲り部を有する副本通路には流れ難い。このため、曲り部を有する副本通路にセンシング素子を配置すれば、異物による素子の損傷や異物によるポッティング樹脂の劣化等を抑制することができる。

第７の観点によれば、副通路は、センシング素子が配置される配置部位の通路面積が配置部位の上流側の部位の通路面積よりも小さくなっている。これによると、センシング素子が配置される配置部位で通路面積が減少することで、配置部位での被計測流体の流速が増加し、高速の気流の吸引作用によって異物を被計測流体とともにセンシング素子の下流側へ排出することが可能となる。

第８の観点によれば、制限部は、回路基板において隣り合うセンシング素子が実装される実装部位の間に設けられている。これによると、隣り合うセンシング素子の実装部位の間に制限部が設けられているので、隣り合うセンシング素子を近接した配置形態とし、センシング素子の高密度化を図ることが可能となる。

第９の観点によれば、制限部は、回路基板に対して実装部位の周りを囲むように設けられている。ポッティング樹脂は、制限部の内側に充填されている。これによると、回路基板に設けられる制限部によってポッティング樹脂の濡れ拡がりが充分に制限することができる。

１０ 物理量計測装置
２０ ハウジング
３０ 回路基板
３１１、３１２、３３０ 第１実装部位、第２実装部位、実装部位
４０ センシング素子
４１０、４３０、４４０ ポッティング樹脂
５０ 第１制限部（制限部）
６０ 第２制限部（制限部）

Claims (9)

1. 物理量計測装置であって、
   被計測流体が流れる主通路（２Ａ）に配置されるハウジング（２０）と、
   前記被計測流体の物理量を検出する少なくとも１つのセンシング素子（４０）と、
   前記ハウジングに配置されて前記センシング素子が実装される回路基板（３０）と、
   前記回路基板および前記センシング素子の電気的な接続部を保護するポッティング樹脂（４１０、４３０、４４０）と、
   前記回路基板における前記センシング素子が実装される実装部位（３３０、３１１、３１２）の周囲の少なくとも一部に設けられて前記ポッティング樹脂の濡れ拡がりを制限する制限部（５０、６０）と、
   を備える物理量計測装置。
2. 前記制限部は、前記回路基板の板面に垂直な板垂直方向における位置を前記実装部位と前記実装部位の周囲とで異なるものとする段差部（５１、６１）を含んで構成されている、請求項１に記載の物理量計測装置。
3. 前記段差部は、前記実装部位の周囲が前記実装部位よりも前記板垂直方向において前記センシング素子側に向けて突き出ることで形成される、請求項２に記載の物理量計測装置。
4. 前記段差部は、前記実装部位が前記実装部位の周囲よりも前記板垂直方向において前記センシング素子側に向けて突き出ることで形成される、請求項２に記載の物理量計測装置。
5. 前記ハウジングは、前記主通路を流れる前記被計測流体の一部が通過する副通路（２４、２５）が形成されており、
   前記センシング素子は、前記副通路に配置されている、請求項１ないし４のいずれか１つに記載の物理量計測装置。
6. 前記副通路（２４）は、前記被計測流体が通過する副本通路（２４１）と、前記副本通路から分岐する副分岐通路（２４２）と、を含んでおり、
   前記副本通路は、前記副分岐通路から離れるようにカーブする曲り部（２４１ａ）を有しており、
   前記センシング素子は、前記副本通路に配置されている、請求項５に記載の物理量計測装置。
7. 前記副通路（２４）は、前記センシング素子が配置される配置部位の通路面積が前記配置部位の上流側の部位の前記通路面積よりも小さくなっている、請求項５または６に記載の物理量計測装置。
8. 前記制限部（６０）は、前記回路基板において隣り合う前記センシング素子（４３、４４）が実装される前記実装部位の間に設けられている、請求項１ないし７のいずれか１つに記載の物理量計測装置。
9. 前記制限部（５０）は、前記回路基板に対して前記実装部位の周りを囲むように設けられており、
   前記ポッティング樹脂（４１０）は、前記制限部の内側に充填されている、請求項１ないし８のいずれか１つに記載の物理量計測装置。

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