JP3353501B2 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の製造方法Info
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Description
装置の製造方法に関し、特には配線板に突起電極を介し
て半導体チップをフリップチップ接続してなる半導体装
置及びその製造方法に関する。
ップ接続された配線板101と半導体チップ102との
間に、樹脂103を充填してなる半導体装置10は、例
えば以下のようにして製造する。先ず、図11(1)に
示すように、一枚の板状の配線板101の表面101a
と半導体チップ102の表面102aとを、向かい合わ
せて配置する。配線板101の表面101aには、複数
のランドパッド104がパタニングされ、半導体チップ
102の表面102aには機能領域105と複数の突起
電極106とが配置されている。各ランドパッド104
と各突起電極106とは、上記のように配線板101と
半導体チップ102とが配置された状態でそれぞれ対向
する状態に配置されている。そして、これらのランドパ
ッド104と突起電極106とを、はんだからなる突起
電極106を加熱溶融させることによって接続する。
103を供給することによって、半導体チップ102と
配線板101との間に樹脂103を流し込み、樹脂10
3によって配線板101と半導体チップ102とを固定
する。これによって、図11(2)に示す半導体装置1
0が形成される。
ップ102と配線板101との間に生じる応力が上記樹
脂103中で分散され、半導体チップ102と配線板1
01との接続部分に応力が集中することが防止される。
また、近年半導体装置の高機能化の進展に伴って、伝送
信号の高速化が要求されている。このようななかで、上
記のように半導体チップ102と配線板101とが突起
電極106を介してフリップチップ接続された半導体装
置10は、半導体チップ102と配線板101とが最短
距離で接続されるため高速動作が要求される半導体装置
の構造として適している。
装置及びその製造方法には、以下のような課題があっ
た。すなわち、配線板と半導体チップとは一枚の板状で
あり、上記のようにフリップチップ接続された半導体チ
ップと配線板との間隔には、半導体チップの周辺方向か
らしか樹脂の充填を行うことができない。そして、上記
半導体チップと配線板との間隔は非常に狭く0.1mm
にも満たないことから、半導体チップの周辺部分から流
し込んだ樹脂は、半導体チップと配線板との隙間に入り
込み難く、作業性が悪い。
は、一方向からのみ配線板と半導体チップ102との間
に流れ込むとは限らない。このため、図11(2)に示
すように、半導体装置10の樹脂103中には、ボイド
107が形成される場合がある。上記のように樹脂10
3中にボイド107が形成された半導体装置10に対し
てリフロー処理が行われた場合には、ボイド107中の
雰囲気が膨張してクラックが発生する危険性があり、充
分なリフロー耐性が得られない。
と半導体チップとの間に樹脂を注入する前には、配線板
や半導体チップに付着しているはんだフラックスを除去
する工程を行う。この工程では、洗浄液を用いて樹脂を
充填する前の半導体装置の洗浄を行うが、上記のように
配線板と半導体チップとの間隔は0.1mmにも満たな
いことから、上記洗浄液が半導体チップと配線板との間
に入り込みにくい。したがって、完全にはんだフラック
スを除去することが困難であり、配線の腐食を引き起こ
す要因になる。
機能化に伴い、半導体チップの発熱量が増大している。
このため、上記構造の半導体装置においても、半導体装
置の放熱性をさらに向上させる必要がある。
造の際の作業性が良く信頼性の高い半導体装置と半導体
装置の製造方法とを提供することを目的とする。
の本発明の第1の半導体装置では、フリップチップ接続
された半導体チップと配線板との間に樹脂を充填してな
る半導体装置において、上記配線板に、上記半導体チッ
プと対向する部分に当該配線板の表面と裏面とに通じる
貫通孔を設けた。
順で製造する。先ず、貫通孔を有する配線板の表面側に
当該貫通孔と対向させる状態で上記半導体チップをフリ
ップチップ接続する。次に、上記貫通孔を通して上記配
線板と上記半導体チップとの間に樹脂を加圧注入する。
上記の製造方法では、上記配線板の裏面側から上記樹脂
を加圧注入する際、上記配線板の表面側の雰囲気を減圧
状態に保っても良い。
は、フリップチップ接続した配線板と半導体チップとの
間に樹脂を充填する前に、上記貫通孔を通して上記配線
板と上記半導体チップとの間に洗浄液を注入して洗浄を
行っても良い。
の半導体装置の配線板の裏面側に上記貫通項を覆う状態
で放熱板を接着した。
または第2の半導体装置の配線板の表面側に、上記半導
体チップを覆う状態で内部空間を有するキャップを配置
した。このキャップは、内壁面が上記半導体チップに接
着され、かつ周縁部がその内部を密封する状態で上記配
線板に接着されている。
手順で製造する。先ず、上記第1の方法と同様にして配
線板と半導体チップをフリップチップ接続した後、内部
空間を有するキャップで上記半導体チップを覆い、配線
板とキャップの周縁部との間に隙間が形成される状態で
上記キャップと上記半導体チップとを接着する。次い
で、貫通孔を通して上記配線板と上記半導体チップとの
間及び上記キャップの周縁部と上記配線板との隙間に樹
脂を加圧注入する。これによって、上記半導体チップと
上記配線板との間に樹脂を充填すると共に、上記半導体
チップを収納する内部を密封する状態で上記キャップの
周縁部を上記配線板に接続する。
する配線板部分に貫通孔が設けられていることから、配
線板の裏面側と半導体チップ−配線板間とが貫通孔によ
って繋げられる。したがって、上記樹脂は、配線板の裏
面から貫通孔を通して半導体チップ−配線板間に充填さ
れる。
では、上記配線板の裏面側から上記貫通孔を通して上記
配線板と上記半導体チップとの間に上記樹脂を加圧注入
する。このことから、上記樹脂は、貫通孔の配置位置か
ら半導体チップの周辺部に向かって押し出されて上記配
線板と上記半導体チップとの間に充填される。このた
め、充填された樹脂中にボイドが形成されることが防止
される。また、配線板の表面側を減圧状態に保った状態
では、貫通孔から注入された樹脂が半導体チップの周辺
部に向かって引っ張られるため、樹脂の充填がスムーズ
に行われる。
前に上記貫通孔を通して上記配線板と上記半導体チップ
との間に洗浄液を加圧注入して洗浄を行った場合には、
上記洗浄液が貫通孔の配置位置から半導体チップの周辺
部に向かって流れ出し、配線板と上記半導体チップとの
間が上記洗浄液で洗浄される。
に放熱板が接着されていることから、半導体チップに溜
まった熱は、上記放熱板に伝わって放熱される。また、
この放熱板は、配線板の貫通孔を覆う位置に配置されて
いることから、半導体装置の外部雰囲気中の水分が、貫
通孔と樹脂との隙間から半導体チップと配線板との表面
に入り込むことが防止される。
ップにキャップが接着されていることから、上記半導体
チップに溜まった熱は、当該半導体チップの裏面に接着
するキャップから放熱される。また、上記キャップの周
縁部は、上記半導体チップが収納された内部が密封され
る状態で上記配線板に接着されていることから、上記半
導体チップが外気と遮断される。
線板にフリップチップ接続させた半導体チップを覆うキ
ャップを当該半導体チップに接着した後、上記貫通孔か
ら樹脂を加圧注入することによって上記配線板と上記半
導体チップとの間及び上記キャップの周縁部と上記配線
板との隙間に樹脂が充填される。このことから、配線板
と半導体チップとの間への樹脂の充填及び上記キャップ
の内部の密封とが1つの工程で行われる。
面に基づいて説明する。図1には、第1実施例の半導体
装置1の構成図を示した。この半導体装置1は、図2に
示す以下の手順によって製造される。先ず、図2(1)
に示す第1工程では、貫通孔11を有する配線板12を
用意し、その表面12aを上方向に向けて配置する。こ
の配線板12は例えば多層配線板であり、貫通孔11は
配線板12の内部を通る配線(図示せず)の接続に影響
のない位置に、当該配線板12の表面12a側から裏面
12b側に通じる状態で形成されている。また、配線板
12の表面12aには、複数のランドパッド13がパタ
ニングされている。
14をその表面14aを下に向け、かつ配線板12の貫
通孔11と半導体チップ14の表面14aとを対向させ
る状態に配置する。この半導体チップ14は、表面14
a側に機能領域15が配置され、この機能領域15の周
辺にははんだからなる複数の突起電極16が配置されて
いる。これらの突起電極16は、配線板12のランドパ
ッド13の配列状態に合わせて配置されている。そこ
で、半導体チップ14の表面14aの中央付近に貫通孔
11が位置し、かつ配線板12の各ランドパッド13と
これらに対応する半導体チップ14の突起電極16とが
一致するように、配線板12に対して半導体チップ14
の位置合わせを行う。尚、ここでは図示しないが、上記
突起電極16は、機能領域15の周辺に限定されるもの
ではなく、機能領域15内に配置される場合もある。
16を載置させることによって、半導体チップ14を配
線板12上に載置する。その後、リフロー処理によって
突起電極16を加熱溶融させてランドパッド13と突起
電極16とを接合させ、配線板12と半導体チップ14
とをフリップチップ接続させる。
えば、配線板12の裏面12bを上に向けるように半導
体チップ14が接続された配線板12を上記第1工程の
状態から反転させる。その後、配線板12の裏面12b
側から、貫通孔11内に樹脂注入用のインジェクタ20
の先端を挿入し、インジェクタ20から貫通孔11内を
通して配線板12と半導体チップ14との間に樹脂17
を加圧注入する。ここで、インジェクタ20の先端は貫
通孔11内にすき間なくはまり込むように設定されてい
ることとする。そして、少なくとも配線板12と半導体
チップ14との間に樹脂17が充填され、さらに配線板
12の裏面12bを越えない範囲で貫通孔11内に樹脂
17が充填されるまで樹脂17を加圧注入する。
フリップチップ接続した配線板12と半導体チップ14
との間に樹脂17が充填された半導体装置1が形成され
る。
1を通して配線板12と半導体チップ14との間に樹脂
17が加圧注入される。このため、図2(2)の矢印に
示すように、樹脂17は半導体チップ14の中央付近か
ら周辺方向に向かって押し出されて配線板12と上記半
導体チップ14との間に充填される。したがって、ボイ
ドを形成することなく樹脂17が充填される。また、上
記半導体装置の製造方法は、配線板12に貫通孔11を
開けることによって実施されるため、製造コストを抑え
て上記半導体装置1を形成することができる。また、こ
のようにして形成された半導体装置1では、製造工程中
のリフローの際に貫通孔11から樹脂17中の溶剤が放
出される。
の他の例を図3に基づいて説明する。ここで説明する半
導体装置の製造方法では、上記で示した半導体装置の製
造方法で樹脂17を貫通孔11から加圧注入する際に、
配線板12の表面12a側の雰囲気を減圧状態にする方
法である。
体チップ14がフリップチップ接続された配線板12を
その裏面12bが上に向くように配置する。そして、配
線板12の表面12a側に、配線板12の表面12a部
分と半導体チップ14とを覆うカバー18を配置し、カ
バー18内の雰囲気を例えばエアポンプを用いて排気し
て配線板12の表面12a側の雰囲気を減圧状態にす
る。この状態で、上記図2(2)と同様に、インジェク
タ20を用いて貫通孔11から半導体チップ14と配線
板12との間に樹脂17を加圧注入する。
1から注入された樹脂17が半導体チップ14の周辺方
向に向かって引っ張られるため、樹脂17の充填が上記
図2で示した方法よりもさらにスムーズに行われる。
例の半導体装置の製造工程では、上記第1工程と第2工
程との間に、以下に示す洗浄工程を行っても良い。すな
わち、第1工程で、半導体チップを配線板にフリップチ
ップ実装した後、配線板の裏面側から、貫通孔内に洗浄
液注入用のインジェクタの先端を挿入し、当該インジェ
クタから貫通孔内を通して配線板と半導体チップとの間
に洗浄液を加圧状態で流し込む。この洗浄液は、例えば
フラックス洗浄用のものとする。
体チップと配線板との間に充分に洗浄液が供給される。
このため、例えばフリップチップ実装する際に半導体チ
ップと配線板とに付着したフラックスを、上記洗浄液に
よって充分に除去することが可能になる。
線板と半導体チップとの間に樹脂を充填して当該半導体
チップを配線板に固定する半導体装置の製造方法に限る
ものではない。例えは、配線板にフリップチップ接続し
た半導体チップの裏面に、配線板に固定されるキャップ
を接着することによって、半導体チップを配線板に固定
する半導体装置の製造方法にも有効である。ただしこの
場合、貫通孔を塞ぐことによって、半導体チップが外気
に晒されることを防止する必要が有る。
づいて説明する。第2実施例の半導体装置2は、上記図
1で示した第1実施例の半導体装置において、配線板1
2の裏面12bに放熱板21が接着配置されたものあ
る。配線板12の裏面12bと放熱板21とは、例えば
配線板12と半導体チップ14との間に充填された樹脂
17で接着されている。また、この放熱板21は、例え
ば金属からなり上記配線板12の貫通孔11を覆う位置
に配置される。
体チップ14に蓄積された熱が放熱板21に伝わって放
熱板21から放熱される。また、この放熱板21は、配
線板12の貫通孔11を覆う位置に配置されていること
から、半導体装置2の外部雰囲気中の水分が、貫通孔1
1と樹脂17との隙間から半導体チップ14及び配線板
12に達することが防止される。
貫通孔が設けられていない配線板201に接着させても
良い。このような半導体装置200では、半導体チップ
14に蓄積された熱が放熱板21から放熱される。この
ため、半導体装置200の放熱性を向上させることがで
きる。
づいて説明する。第3実施例の半導体装置3は、上記図
1で示した第1実施例の半導体装置において、配線板1
2の表面12a側から半導体チップ14をキャップ31
で覆ったものである。このキャップ31は、内部空間を
有するもので、例えば金属などの放熱性の高い材質で形
成されたものとする。
す以下の手順で製造される。先ず、図7(1)に示す第
1工程は、上記図2で示した工程と同様にして配線板1
2に半導体チップ14をフリップチップ実装する。次
に、第2工程では、ほぼ半導体チップ14の厚さと同程
度の深さを有し、内部34に半導体チップ14を収納す
るのに充分な大きさのキャップ31を用意する。キャッ
プ31は、その底面31aがほぼ平面形状であり、周縁
部31bが上記底面31aと平行をなすように外方向に
向かって曲げられている。このキャップ31で半導体チ
ップ14を覆うように、配線板12の表面12a側にキ
ャップ31を配置する。そして、キャップ31の底面3
1aの内壁面と半導体チップ14の裏面14bとを、例
えばエポキシ樹脂、銀ペースト等を接着剤32として接
着する。この際、配線板12とキャップ31の周縁部3
1bとの間に隙間31cが形成されるようにする。
記配線板12の裏面12b側から、貫通孔11に樹脂注
入用のインジェクタ33の先端を挿入する。このインジ
ェクタ33の先端は、上記図2(2)及び図3で示した
インジェクタと同様に構成されている。そして、インジ
ェクタ33から貫通孔11内を通して配線板12と半導
体チップ14との間及びキャップ31の周縁部31bと
の隙間31cに樹脂17を加圧注入する。これは、配線
板12と半導体チップ14との間に樹脂17が充填さ
れ、さらに、キャップ31の周縁部31bと配線板12
との隙間にも樹脂17が充填されるまで行う。
プチップ接続された配線板12と半導体チップ14との
間に樹脂17が充填され、半導体チップ14が収納され
ているキャップ31の内部34が密封された半導体装置
3が形成される。
2と半導体チップ14との間への樹脂17の充填及びキ
ャップ31の内部34の密封とが1工程で行われる。ま
た、上記のようにして形成された半導体装置3は、半導
体チップ14の裏面14bに接続されたキャップ31か
ら半導体チップ14に溜まった熱が放熱される。これと
共に、半導体チップ14が周辺雰囲気にさらされること
が防止される。
2実施例の半導体装置に適用しても良い。この場合、上
記と同様の効果が得られる。
ように、貫通孔が設けられていない配線板301にフリ
ップチップ接続される半導体チップ14に接着させても
良い。この場合、配線板301と半導体チップ14との
間への樹脂の充填と、配線板301とキャップ31との
接着とは別々の工程で行われる。このような半導体装置
300では、半導体チップ14に蓄積された熱がキャッ
プ31から放熱される。また、半導体チップ14が周辺
雰囲気にさらされることが防止される。
えば、図9に示すように複数の貫通孔11が配置された
一枚の配線板41に複数の半導体チップ14をフリップ
チップ接続させたマルチチップモジュールタイプの半導
体装置4でも良い。この場合、各半導体チップ14は、
各貫通孔11に対向する位置にフリップチップ接続させ
ることとする。このような半導体装置4においても、配
線板41の裏面側から順次樹脂17を注入することがで
きるため、樹脂充填の際の作業性が確保される。
例で示した放熱板(図示せず)を配線板41の裏面41
b側に接着させる場合には、各貫通孔11毎または複数
の貫通孔11毎に放熱板を配置する。さらに、この半導
体装置9において、上記第3実施例で示したキャップ
(図示せず)内に半導体チップ14を密閉する場合に
は、各半導体チップ14毎またはほぼ同じ高さで隣接す
る複数の半導体チップ14毎にキャップを配置する。上
記によってマルチチップモジュールタイプの半導体装置
4において、その放熱性が確保され、各半導体チップ1
4が周辺雰囲気にさらされることが防止される。
の配線板は、図10に示すようなボールグリッドアレイ
を有する配線板51でも良い。この配線板51は、その
裏面51bに複数の突起端子52がアレイ状に配置され
たものである。このような半導体装置5において、配線
板51の裏面51bに上記第2実施例で示した放熱板
(図示せず)を接着させる場合には、突起端子52が配
置されていない部分に貫通孔11及び上記放熱板が配置
されるようにする。また、この半導体装置5に上記第3
実施例で示したキャップ(図示せず)を配置した半導体
装置や、上記半導体装置5をマルチチップモジュールタ
イプにした半導体装置でも、上記各実施例と同様の効果
を得ることができる。
導体装置によれば、フリップチップ接続させた配線板と
半導体チップとの間に樹脂を充填してなる半導体装置に
おいて、半導体チップと対向する配線板部分に貫通孔を
設けたことによって、配線板の裏面側と半導体チップ−
配線板間とが貫通孔によって繋がるため、半導体チップ
−配線板間に半導体チップに対向する位置から上記樹脂
や洗浄液を注入することが可能になる。
方法では、配線板の貫通孔に対向する状態で配置した半
導体チップを当該配線板にフリップチップ接続すること
によって配線板の裏面側と半導体チップ−配線板間とが
貫通孔によって連通させ、この貫通孔から上記配線板と
上記半導体チップとの間に樹脂を注入することで上記樹
脂を半導体チップの中心付近から周辺方向に向かって押
し出しながら充填することが可能になる。したがって、
半導体チップと配線板との間に樹脂を充填する際の作業
性を向上させることができる。さらに、上記配線板と上
記半導体チップとの間をボイドを含まない状態の樹脂で
充填することが可能になり、製造工程中における上記半
導体装置のリフロー耐性を向上させることが可能にな
る。
に保って上記のように樹脂を注入することで、樹脂の充
填をさらにスムーズに行うことが可能になり、樹脂を充
填する際の作業性をさらに向上させることができる。
脂を充填する前に上記貫通孔から洗浄液を加圧注入して
洗浄を行うことによって、貫通孔の配置位置から半導体
チップの周辺部に向かって洗浄液を強制的に流すことが
できる。したがって、洗浄液によってはんだフラックス
の除去を完全に行うことが可能になり、フラックス残り
による配線の腐食を防止することができる。
体装置において、上記配線板の裏面側に貫通孔を覆う状
態で放熱板を接着することによって、半導体チップに溜
まった熱を放熱板から放熱することが可能になり、高集
積化及び高機能化によって発熱量が増大する半導体装置
においてもその放熱性を確保することができる。また、
貫通孔と樹脂との隙間から半導体チップと配線板との隙
間に半導体装置の外部雰囲気中の水分が入り込むことが
防止される。これによって、半導体チップ表面の封止状
態を確保することが可能になる。
装置において上記半導体チップの裏面にキャップを接着
したものでは、上記半導体チップに溜まった熱を上記キ
ャップから放熱することが可能になり、高集積化及び高
機能化によって発熱量が増大する半導体装置においても
その放熱性を確保することができる。また、上記キャッ
プの周辺部を半導体チップが収納される内部を密封する
状態で配線板に接着することによって、半導体チップ表
面の封止状態を確保することが可能になる。
配線板にフリップチップ接続させた半導体チップの裏面
にキャップを接着した後、上記貫通孔から上記配線板と
上記半導体チップとの間及び上記キャップの周縁部と上
記配線板との間に樹脂を注入する。このため、配線板と
半導体チップとの間への樹脂の充填及び上記キャップの
内部の密封とを1工程で行うことが可能になる。このこ
とから、上記半導体装置を効率良く製造することができ
る。
す図である。
示す図である。
す図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 配線板と、当該配線板の表面に突起電極
を介してフリップチップ接続される半導体チップと、前
記配線板と前記半導体チップとの間に充填され当該配線
板と当該半導体チップとを固定する樹脂とからなる半導
体装置において、 前記配線板には、前記半導体チップと対向する部分に当
該配線板の表面側と裏面側とに通じる貫通孔が設けられ
ており、 前記配線板の裏面には、前記貫通孔を覆う状態で放熱板
が接着されて いることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の 半導体装置において、 前記配線板の表面側には、前記半導体チップを覆う状態
で内部空間を有するキャップが配置され、 前記キャップは、その内壁面が前記半導体チップに接続
され、かつ周縁部が前記半導体チップを収納する内部を
密封する状態で前記配線板に接着されていることを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項3】 配線板と、当該配線板の表面に突起電極
を介してフリップチップ接続される半導体チップと、前
記配線板と前記半導体チップとの間に充填され当該配線
板と当該半導体チップとを固定する樹脂とからなる半導
体装置において、 前記配線板には、前記半導体チップと対向する部分に当
該配線板の表面側と裏面側とに通じる貫通孔が設けられ
ており、 前記配線板の表面側には、前記半導体チップを覆う状態
で内部空間を有するキャップが配置され、 前記キャップは、その内壁面が前記半導体チップに接続
され、かつ周縁部が前記半導体チップを収納する内部を
密封する状態で前記配線板と半導体チップとの間に充填
された樹脂と一体に連なる樹脂によって当該配線板に接
着されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項4】 請求項3記載の半導体装置において、前記配線板の裏面には、前記貫通孔を覆う状態で放熱板
が接着されて いることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項5】 表面側と裏面側とに通じる貫通孔を有す
る配線板の表面側に当該貫通孔と対向させる状態で半導
体チップを配置し、突起電極を介して前記半導体チップ
を前記配線板にフリップチップ接続する工程と、 内部空間を有するキャップで前記半導体チップを覆い、
当該キャップの周縁部と当該配線板の表面との間に隙間
が形成される状態で当該キャップの内壁面と当該半導体
チップとを接着する工程と、 前記配線板の裏面側から前記貫通孔を通して前記配線板
と前記半導体チップとの間及び前記キャップの周縁部と
前記配線板との隙間に樹脂を加圧注入し、前記半導体チ
ップと前記配線板との間に樹脂を充填すると共に、前記
半導体チップが収納された内部を密封する状態で前記キ
ャップの周縁部を前記配線板に接着する工程とを行うこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項6】 表面側と裏面側とに通じる貫通孔を有す
る配線板の表面側に当該貫通孔と対向させる状態で半導
体チップを配置し、突起電極を介して前記半導体チップ
を前記配線板にフリップチップ接続する工程と、 前記配線板の裏面側から前記貫通孔を通して前記配線板
と前記半導体チップとの間に樹脂を加圧注入し、前記半
導体チップと前記配線板との間に樹脂を充填する工程
と、前記樹脂によって前記配線板の裏面に放熱板を接着する
工程とを行う ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP27470594A JP3353501B2 (ja) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP27470594A JP3353501B2 (ja) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH08139129A JPH08139129A (ja) | 1996-05-31 |
JP3353501B2 true JP3353501B2 (ja) | 2002-12-03 |
Family
ID=17545419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP27470594A Expired - Lifetime JP3353501B2 (ja) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3353501B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103068211A (zh) * | 2011-09-05 | 2013-04-24 | 住友电工印刷电路株式会社 | 带屏蔽外壳的印刷配线板及其制造方法 |
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JP2010153561A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Nichia Corp | 発光装置 |
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JP6051577B2 (ja) | 2012-04-20 | 2016-12-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイスおよび電子機器 |
CN105990304A (zh) * | 2015-02-25 | 2016-10-05 | 扬智科技股份有限公司 | 芯片封装结构及其制造方法 |
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CN112382618B (zh) * | 2020-11-09 | 2023-10-27 | 成都海光集成电路设计有限公司 | 一种封装结构及封装方法 |
-
1994
- 1994-11-09 JP JP27470594A patent/JP3353501B2/ja not_active Expired - Lifetime
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