JPH11186231A - エッチング方法 - Google Patents
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- JPH11186231A JPH11186231A JP9350826A JP35082697A JPH11186231A JP H11186231 A JPH11186231 A JP H11186231A JP 9350826 A JP9350826 A JP 9350826A JP 35082697 A JP35082697 A JP 35082697A JP H11186231 A JPH11186231 A JP H11186231A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 下層のＴｉＮ膜のエッチング時に上層のＡｌ
Ｃｕ膜にサイドエッチ(喰われ)が入りやすいのを抑制す
る。 【解決手段】 酸化膜をマスクとしてＡｌＣｕ膜３／Ｔ
ｉＮ膜２の積層膜をエッチングする際に、下層のＴｉＮ
膜２をエッチングするガスとして、塩素原子を含む化合
物ガスを用い、このエッチングガスと添加ガスとの混合
ガスを用い、Ｃｌ2を用いないことにより、ＡｌＣｕ膜
３のエッチングガスの喰われ耐性を向上させる。
Ｃｕ膜にサイドエッチ(喰われ)が入りやすいのを抑制す
る。 【解決手段】 酸化膜をマスクとしてＡｌＣｕ膜３／Ｔ
ｉＮ膜２の積層膜をエッチングする際に、下層のＴｉＮ
膜２をエッチングするガスとして、塩素原子を含む化合
物ガスを用い、このエッチングガスと添加ガスとの混合
ガスを用い、Ｃｌ2を用いないことにより、ＡｌＣｕ膜
３のエッチングガスの喰われ耐性を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化膜をマスクと
してＡｌＣｕ膜／ＴｉＮ膜の積層膜をエッチングする方
法に関するものである。
してＡｌＣｕ膜／ＴｉＮ膜の積層膜をエッチングする方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＡｌＣｕ膜／ＴｉＮ膜の積層膜を
エッチングするには、フォトレジスト（ＰＲ）マスクが
使われていた。このとき、ＰＲ／ＡｌＣｕの選択比は、
１．５〜２程度の低い値である。
エッチングするには、フォトレジスト（ＰＲ）マスクが
使われていた。このとき、ＰＲ／ＡｌＣｕの選択比は、
１．５〜２程度の低い値である。
【０００３】近年、配線の微細化に伴いＰＲの高さ（膜
厚）は解像度を保つために低く（薄く）なってきてい
る。また、デバイスに段差がある場合、ＰＲの薄いとこ
ろがあることや、段差でのエッチング残りをなくすため
の多量のオーバーエッチングが必要となることから、Ｐ
Ｒ消滅によるＡｌＣｕ膜の肩落ちが起こりやすく、ＰＲ
／ＡｌＣｕ選択比の低さは、今後のＡｌＣｕ膜をエッチ
ングする際に致命的要素となる。そのため、ＰＲ（マス
ク）／ＡｌＣｕの選択比が５〜１０程度と高い酸化膜マ
スクが必須となる。
厚）は解像度を保つために低く（薄く）なってきてい
る。また、デバイスに段差がある場合、ＰＲの薄いとこ
ろがあることや、段差でのエッチング残りをなくすため
の多量のオーバーエッチングが必要となることから、Ｐ
Ｒ消滅によるＡｌＣｕ膜の肩落ちが起こりやすく、ＰＲ
／ＡｌＣｕ選択比の低さは、今後のＡｌＣｕ膜をエッチ
ングする際に致命的要素となる。そのため、ＰＲ（マス
ク）／ＡｌＣｕの選択比が５〜１０程度と高い酸化膜マ
スクが必須となる。
【０００４】従来例に係るＡｌＣｕ膜のエッチング方法
を図２に示す。まず、図２（ａ）に示すように、層間絶
縁膜であるＳｉＯ2膜１上にスパッタによりＴｉＮ膜
２、ＡｌＣｕ膜３、ＴｉＮ膜４を順次形成し、ＴｉＮ膜
４上にＳｉＯ2膜５を堆積しする。
を図２に示す。まず、図２（ａ）に示すように、層間絶
縁膜であるＳｉＯ2膜１上にスパッタによりＴｉＮ膜
２、ＡｌＣｕ膜３、ＴｉＮ膜４を順次形成し、ＴｉＮ膜
４上にＳｉＯ2膜５を堆積しする。
【０００５】次に、図２（ｂ）に示すように、ＳｉＯ2
膜５上にレジスト膜６を形成し、レジスト膜６をパター
ニングし、これをマスクとして下層のＳｉＯ2膜５をエ
ッチングする。
膜５上にレジスト膜６を形成し、レジスト膜６をパター
ニングし、これをマスクとして下層のＳｉＯ2膜５をエ
ッチングする。
【０００６】引き続いて図２（ｃ）に示すように、レジ
スト膜６を除去する。ここで、ＳｉＯ2膜５をマスクと
し、配線の形成を行う。
スト膜６を除去する。ここで、ＳｉＯ2膜５をマスクと
し、配線の形成を行う。
【０００７】具体的に説明すると、まず、第一のステッ
プにおいてＡｌＣｕ膜３のエッチングを行う。ここで
は、Ｃｌ2／ＢＣｌ3／Ｎ2／ＣＨＦ3を用いてエッチング
を行う。例えば、ガス流量Ｃｌ2／ＢＣｌ3／Ｎ2／ＣＨ
Ｆ3＝２０ｓｃｃｍ／４０ｓｃｃｍ／５ｓｃｃｍ／５ｓ
ｃｃｍ、圧力２５Ｐａ、ＲＦ Ｐｏｗｅｒ ６５０Ｗなる
条件を用いて、ＡｌＣｕ膜３の側壁にＮ系のデポを供給
し、側壁保護膜を形成しながらＡｌＣｕ膜３をエッチン
グすることにより、電極配線７を形成する（図２
（ｄ））。
プにおいてＡｌＣｕ膜３のエッチングを行う。ここで
は、Ｃｌ2／ＢＣｌ3／Ｎ2／ＣＨＦ3を用いてエッチング
を行う。例えば、ガス流量Ｃｌ2／ＢＣｌ3／Ｎ2／ＣＨ
Ｆ3＝２０ｓｃｃｍ／４０ｓｃｃｍ／５ｓｃｃｍ／５ｓ
ｃｃｍ、圧力２５Ｐａ、ＲＦ Ｐｏｗｅｒ ６５０Ｗなる
条件を用いて、ＡｌＣｕ膜３の側壁にＮ系のデポを供給
し、側壁保護膜を形成しながらＡｌＣｕ膜３をエッチン
グすることにより、電極配線７を形成する（図２
（ｄ））。
【０００８】次に、第二のステップにおいてＴｉＮ2膜
２のエッチングを行う。第二のステップにおいても、第
一のステップ同様にＣｌ2／ＢＣｌ3／Ｎ2／ＣＨＦ3を用
いてエッチングを行う。例えば、ガス流量Ｃｌ2／ＢＣ
ｌ3／Ｎ2／ＣＨＦ3＝５ｓｃｃｍ／４０ｓｃｃｍ／５ｓ
ｃｃｍ／５ｓｃｃｍ、圧力２５Ｐａ、ＲＦ Ｐｏｗｅｒ
４５０Ｗなる条件を用いて、ＴｉＮ2膜２のエッチング
とオーバーエッチングを行い、電極配線７を完成させる
（図２（ｅ））。
２のエッチングを行う。第二のステップにおいても、第
一のステップ同様にＣｌ2／ＢＣｌ3／Ｎ2／ＣＨＦ3を用
いてエッチングを行う。例えば、ガス流量Ｃｌ2／ＢＣ
ｌ3／Ｎ2／ＣＨＦ3＝５ｓｃｃｍ／４０ｓｃｃｍ／５ｓ
ｃｃｍ／５ｓｃｃｍ、圧力２５Ｐａ、ＲＦ Ｐｏｗｅｒ
４５０Ｗなる条件を用いて、ＴｉＮ2膜２のエッチング
とオーバーエッチングを行い、電極配線７を完成させる
（図２（ｅ））。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示す従来例の技術には、第二ステップにおけるＴｉＮ膜
２のエッチング時にＡｌＣｕ膜３にサイドエッチ(喰わ
れ)が入りやすいという問題があった。
示す従来例の技術には、第二ステップにおけるＴｉＮ膜
２のエッチング時にＡｌＣｕ膜３にサイドエッチ(喰わ
れ)が入りやすいという問題があった。
【００１０】その理由は以下の通りである。すなわち、
酸化膜を用いたマスクでは、レジスト膜からのカーボン
系のデポの供給がないことに起因する。ＡｌＣｕ／Ｔｉ
Ｎのエッチングでは、Ｃｌラジカルをメインのエッチャ
ントとしてエッチングを進行させる。また、垂直形状を
得るためにエッチングされたＡｌＣｕ膜３の側壁に側壁
保護膜を形成しつつエッチングを行う。レジスト膜のマ
スクでは、レジストからのカーボンの供給によりＡｌＣ
ｕ膜３の側壁に側壁保護膜が形成されるため、ＡｌＣｕ
膜の喰われを生じさせずにエッチングができる。
酸化膜を用いたマスクでは、レジスト膜からのカーボン
系のデポの供給がないことに起因する。ＡｌＣｕ／Ｔｉ
Ｎのエッチングでは、Ｃｌラジカルをメインのエッチャ
ントとしてエッチングを進行させる。また、垂直形状を
得るためにエッチングされたＡｌＣｕ膜３の側壁に側壁
保護膜を形成しつつエッチングを行う。レジスト膜のマ
スクでは、レジストからのカーボンの供給によりＡｌＣ
ｕ膜３の側壁に側壁保護膜が形成されるため、ＡｌＣｕ
膜の喰われを生じさせずにエッチングができる。
【００１１】これに対して、酸化膜マスクでは、ＡｌＣ
ｕ膜３のエッチング時には添加ガスによる保護膜が形成
されるため、喰われは生じにくいが、ＴｉＮ膜２のエッ
チング時には添加ガスの効果は小さく、カーボンの供給
がないことが大きな要因となり、レジスト膜を用いたマ
スクに比べてＡｌＣｕ膜３の側壁保護効果が弱くなる。
このため、過剰なＣｌラジカルとＡｌＣｕ膜との反応が
進行し、ＡｌＣｕ膜側壁が等方的にエッチングされ、喰
われが発生してしまうためである。
ｕ膜３のエッチング時には添加ガスによる保護膜が形成
されるため、喰われは生じにくいが、ＴｉＮ膜２のエッ
チング時には添加ガスの効果は小さく、カーボンの供給
がないことが大きな要因となり、レジスト膜を用いたマ
スクに比べてＡｌＣｕ膜３の側壁保護効果が弱くなる。
このため、過剰なＣｌラジカルとＡｌＣｕ膜との反応が
進行し、ＡｌＣｕ膜側壁が等方的にエッチングされ、喰
われが発生してしまうためである。
【００１２】本発明の目的は、ＴｉＮ膜のエッチング時
にＡｌＣｕ膜にサイドエッチ(喰われ)が入りやすいのを
抑制するエッチング方法を提供することにある。
にＡｌＣｕ膜にサイドエッチ(喰われ)が入りやすいのを
抑制するエッチング方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るエッチング方法は、酸化膜をマスクと
してＡｌＣｕ膜／ＴｉＮ膜の積層膜をエッチングする方
法であって、下層のＴｉＮ膜をエッチングするガスとし
て、塩素原子を含む化合物ガスを用い、このエッチング
ガスと添加ガスとの混合ガスを用い、Ｃｌ2を用いない
ことにより、ＡｌＣｕ膜のエッチングガスの喰われ耐性
を向上させるものである。
め、本発明に係るエッチング方法は、酸化膜をマスクと
してＡｌＣｕ膜／ＴｉＮ膜の積層膜をエッチングする方
法であって、下層のＴｉＮ膜をエッチングするガスとし
て、塩素原子を含む化合物ガスを用い、このエッチング
ガスと添加ガスとの混合ガスを用い、Ｃｌ2を用いない
ことにより、ＡｌＣｕ膜のエッチングガスの喰われ耐性
を向上させるものである。
【００１４】また、前記エッチングガスとしてＢＣｌ3
を用い、添加ガスとしてＮ2，ＣＨＦ3を用いるものであ
る。
を用い、添加ガスとしてＮ2，ＣＨＦ3を用いるものであ
る。
【００１５】また、前記エッチングガスとして、ＣＨＣ
ｌ3，ＨＣｌを用いるものである。
ｌ3，ＨＣｌを用いるものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
により説明する。
により説明する。
【００１７】（実施形態１）図１は、本発明の形態形態
に係るエッチング方法を工程順に説明する断面図であ
り、本発明のエッチング方法をＡｌＣｕ／ＴｉＮの配線
に適用した場合について説明する。
に係るエッチング方法を工程順に説明する断面図であ
り、本発明のエッチング方法をＡｌＣｕ／ＴｉＮの配線
に適用した場合について説明する。
【００１８】まず図１（ａ）に示すように、層間絶縁膜
であるＳｉＯ2膜１上にスパッタにより、ＴｉＮ膜２、
ＡｌＣｕ膜３、ＴｉＮ膜４を順次形成し、ＴｉＮ膜４上
にＳｉＯ2膜５を堆積する。
であるＳｉＯ2膜１上にスパッタにより、ＴｉＮ膜２、
ＡｌＣｕ膜３、ＴｉＮ膜４を順次形成し、ＴｉＮ膜４上
にＳｉＯ2膜５を堆積する。
【００１９】次に図１（ｂ）に示すように、ＳｉＯ2膜
５上にレジスト膜６を形成し、レジスト膜６をパターニ
ングし、パターニングしたレジスト膜６をマスクとして
ＳｉＯ2膜５をエッチングする。
５上にレジスト膜６を形成し、レジスト膜６をパターニ
ングし、パターニングしたレジスト膜６をマスクとして
ＳｉＯ2膜５をエッチングする。
【００２０】引き続いて図１（ｃ）に示すように、レジ
スト膜６を除去する。ここで、ＳｉＯ2膜５をマスクと
し、本発明を用いて配線の形成を行う。
スト膜６を除去する。ここで、ＳｉＯ2膜５をマスクと
し、本発明を用いて配線の形成を行う。
【００２１】具体的に説明すると、図１（ｄ）に示すよ
うに、まず、第一のステップにおいて、ＳｉＯ2膜５を
マスクとしてＡｌＣｕ膜３のエッチングを行う。ここで
は、従来のエッチング方法と同様にＣｌ2／ＢＣｌ3／Ｎ
2／ＣＨＦ3を用いてエッチングを行う。例えば、ガス流
量Ｃｌ2／ＢＣｌ3／Ｎ2／ＣＨＦ3＝２０ｓｃｃｍ／４０
ｓｃｃｍ／５ｓｃｃｍ／５ｓｃｃｍ、圧力２５Ｐａ、Ｒ
Ｆ Ｐｏｗｅｒ ６５０Ｗなる条件を用いて、ＡｌＣｕ膜
３の側壁にＮ系のデポを供給し、側壁保護膜を形成しな
がらＡｌＣｕ膜３をエッチングすることにより、ＡｌＣ
ｕ膜３からなる電極配線７を形成する（図１（ｄ））。
うに、まず、第一のステップにおいて、ＳｉＯ2膜５を
マスクとしてＡｌＣｕ膜３のエッチングを行う。ここで
は、従来のエッチング方法と同様にＣｌ2／ＢＣｌ3／Ｎ
2／ＣＨＦ3を用いてエッチングを行う。例えば、ガス流
量Ｃｌ2／ＢＣｌ3／Ｎ2／ＣＨＦ3＝２０ｓｃｃｍ／４０
ｓｃｃｍ／５ｓｃｃｍ／５ｓｃｃｍ、圧力２５Ｐａ、Ｒ
Ｆ Ｐｏｗｅｒ ６５０Ｗなる条件を用いて、ＡｌＣｕ膜
３の側壁にＮ系のデポを供給し、側壁保護膜を形成しな
がらＡｌＣｕ膜３をエッチングすることにより、ＡｌＣ
ｕ膜３からなる電極配線７を形成する（図１（ｄ））。
【００２２】次に第二のステップとして本発明を用いて
ＴｉＮ膜２のエッチングを行う。本発明の実施形態で
は、エッチングガスにＣｌ2を用いず、塩素原子を含む
化合物ガスを用いることを特徴とする。本発明の実施形
態では、例えば、エッチングガスとしてＢＣｌ3、添加
ガスとしてＮ2、ＣＨＦ3を用いてエッチングを行う。
ＴｉＮ膜２のエッチングを行う。本発明の実施形態で
は、エッチングガスにＣｌ2を用いず、塩素原子を含む
化合物ガスを用いることを特徴とする。本発明の実施形
態では、例えば、エッチングガスとしてＢＣｌ3、添加
ガスとしてＮ2、ＣＨＦ3を用いてエッチングを行う。
【００２３】従来技術においてはＴｉＮ膜のエッチング
では、Ｃｌラジカルをメインのエッチャントとするた
め、Ｃｌ2ガスを含む混合ガスを用いていた。しかし、
検討を行ったところ、Ｃｌ2ガスを用いなくても、例え
ばＢＣｌ3のようなＣｌ原子を含む化合物ガスでも、Ｔ
ｉＮが十分にエッチングされることがわかった。
では、Ｃｌラジカルをメインのエッチャントとするた
め、Ｃｌ2ガスを含む混合ガスを用いていた。しかし、
検討を行ったところ、Ｃｌ2ガスを用いなくても、例え
ばＢＣｌ3のようなＣｌ原子を含む化合物ガスでも、Ｔ
ｉＮが十分にエッチングされることがわかった。
【００２４】これは、エッチャントであるＣｌラジカル
がＢＣｌ3から十分に発生し、供給されているためであ
ると考えられる。また、Ｃｌ2は解離度が大きいため、
過剰なＣｌラジカルが発生してしまい、これがＡｌＣｕ
膜３の喰われの原因となっていた。これに対し、ＢＣｌ
3では必要以上のＣｌラジカルを放出しないように制御
ができることがわかった。実際のエッチング条件とし
て、例えばガス流量ＢＣｌ3／Ｎ2／ＣＨＦ3＝４０sccm
／５sccm／５sccm、圧力２５Ｐａ、ＲＦ Ｐｏｗｅｒ ４
５０ｗなる条件を用いて、ＡｌＣｕ膜３の喰われを生じ
させずにＴｉＮ膜２のエッチングとオーバーエッチング
を行い、ＡｌＣｕ膜３からなる電極配線７を完成させ
る。
がＢＣｌ3から十分に発生し、供給されているためであ
ると考えられる。また、Ｃｌ2は解離度が大きいため、
過剰なＣｌラジカルが発生してしまい、これがＡｌＣｕ
膜３の喰われの原因となっていた。これに対し、ＢＣｌ
3では必要以上のＣｌラジカルを放出しないように制御
ができることがわかった。実際のエッチング条件とし
て、例えばガス流量ＢＣｌ3／Ｎ2／ＣＨＦ3＝４０sccm
／５sccm／５sccm、圧力２５Ｐａ、ＲＦ Ｐｏｗｅｒ ４
５０ｗなる条件を用いて、ＡｌＣｕ膜３の喰われを生じ
させずにＴｉＮ膜２のエッチングとオーバーエッチング
を行い、ＡｌＣｕ膜３からなる電極配線７を完成させ
る。
【００２５】（実施形態２）次に、本発明に係るエッチ
ング方法をＡｌＣｕ／ＴｉＮの配線に適用した場合を実
施形態２として説明する。
ング方法をＡｌＣｕ／ＴｉＮの配線に適用した場合を実
施形態２として説明する。
【００２６】本発明の実施形態２では、実施形態１と同
様に図１（ｄ）に示す構造までを得る。次にＴｉＮ膜２
のエッチングを行う。
様に図１（ｄ）に示す構造までを得る。次にＴｉＮ膜２
のエッチングを行う。
【００２７】本発明の実施形態２では、実施形態１で用
いたＢＣｌ3の代わりにＣＨＣｌ3やＨＣｌを用いたＨＣ
ｌ／Ｎ2／ＣＨＦ3のようなガス系を用いてエッチングを
行う。エッチング条件として、例えばガス流量ＣＨＣｌ
／Ｎ2／ＣＨＦ3＝４０sccm／５sccm／５sccm、圧力２５
Ｐａ、ＲＦ Ｐｏｗｅｒ ４５０Ｗなる条件を用いて、Ａ
ｌＣｕ膜３の喰われを生じさせずにＴｉＮ膜２のエッチ
ングとオーバーエッチングを行い、電極配線７を完成さ
せる（図１（ｅ））。
いたＢＣｌ3の代わりにＣＨＣｌ3やＨＣｌを用いたＨＣ
ｌ／Ｎ2／ＣＨＦ3のようなガス系を用いてエッチングを
行う。エッチング条件として、例えばガス流量ＣＨＣｌ
／Ｎ2／ＣＨＦ3＝４０sccm／５sccm／５sccm、圧力２５
Ｐａ、ＲＦ Ｐｏｗｅｒ ４５０Ｗなる条件を用いて、Ａ
ｌＣｕ膜３の喰われを生じさせずにＴｉＮ膜２のエッチ
ングとオーバーエッチングを行い、電極配線７を完成さ
せる（図１（ｅ））。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｔ
ｉＮ膜のエッチングに塩素原子を含む化合物ガスと添加
ガスからなる混合ガスを用い、Ｃｌ2を用いないことに
より、Ｃｌラジカルの発生を抑えることができる。これ
により、酸化膜（レジスト）をマスクとして用いた場合
に、レジストからのカーボン系のデポの供給がなくて
も、ＡｌＣｕ膜とＣｌラジカルの反応量を抑制すること
ができ、ＡｌＣｕ膜の喰われ耐性を向上させつつ、塩素
原子を含む化合物ガス(ＢＣｌ3等)から生じるＣｌラジ
カルによりＴｉＮ膜をエッチングすることができる。こ
のため、今後の微細化に伴い必要となる酸化膜マスクに
よるＡｌＣｕ膜／ＴｉＮ膜の積層膜をエッチングする有
効な手段を提供することができる。
ｉＮ膜のエッチングに塩素原子を含む化合物ガスと添加
ガスからなる混合ガスを用い、Ｃｌ2を用いないことに
より、Ｃｌラジカルの発生を抑えることができる。これ
により、酸化膜（レジスト）をマスクとして用いた場合
に、レジストからのカーボン系のデポの供給がなくて
も、ＡｌＣｕ膜とＣｌラジカルの反応量を抑制すること
ができ、ＡｌＣｕ膜の喰われ耐性を向上させつつ、塩素
原子を含む化合物ガス(ＢＣｌ3等)から生じるＣｌラジ
カルによりＴｉＮ膜をエッチングすることができる。こ
のため、今後の微細化に伴い必要となる酸化膜マスクに
よるＡｌＣｕ膜／ＴｉＮ膜の積層膜をエッチングする有
効な手段を提供することができる。
【図１】本発明の実施形態に係るエッチング方法を工程
順に示す断面図である。
順に示す断面図である。
【図２】従来例に係るエッチング方法を工程順に示す断
面図である。
面図である。
１ シリコン酸化膜 ２ 窒化チタン膜 ３ ＡｌＣｕ膜 ４ 窒化チタン膜 ５ シリコン酸化膜 ６ レジスト膜 ７ 電極配線
Claims (3)
- 【請求項１】 酸化膜をマスクとしてＡｌＣｕ膜／Ｔｉ
Ｎ膜の積層膜をエッチングする方法であって、 下層のＴｉＮ膜をエッチングするガスとして、塩素原子
を含む化合物ガスを用い、このエッチングガスと添加ガ
スとの混合ガスを用い、Ｃｌ2を用いないことにより、
ＡｌＣｕ膜のエッチングガスの喰われ耐性を向上させる
ことを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項２】 前記エッチングガスとしてＢＣｌ3を用
い、添加ガスとしてＮ2，ＣＨＦ3を用いることを特徴と
する請求項１に記載のエッチング方法。 - 【請求項３】 前記エッチングガスとして、ＣＨＣ
ｌ3，ＨＣｌを用いることを特徴とする請求項１に記載
のエッチング方法。
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