JP2987977B2 - アルミニウム系金属膜のドライエッチング方法 - Google Patents
アルミニウム系金属膜のドライエッチング方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造プロセス
に用いられるアルミニウム系金属膜のドライエッチング
方法に関する。
に用いられるアルミニウム系金属膜のドライエッチング
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、アルミニウム系金属膜のドライエ
ッチングは、一般に塩素（Ｃｌ）を含む気体（塩素系ガ
ス）をエッチングガスに用いて行なわれている。斯るド
ライエッチングを行なった場合、ウエハにＣｌが残留
し、ウエハを大気中へ取り出したときに、このＣｌが大
気中の水分と反応してＨＣｌが生成され、これによって
腐食する現象（アフターコロージョン）が生ずる問題が
あった。このため、ウエハに残留しているＣｌを、ウエ
ハを大気中に取り出す前に、いかに取り除くかが、信頼
性の高い配線加工を行なう上で重要となっている。斯る
アフターコロージョンを防ぐ方法として以下に説明する
ようなものがある。
ッチングは、一般に塩素（Ｃｌ）を含む気体（塩素系ガ
ス）をエッチングガスに用いて行なわれている。斯るド
ライエッチングを行なった場合、ウエハにＣｌが残留
し、ウエハを大気中へ取り出したときに、このＣｌが大
気中の水分と反応してＨＣｌが生成され、これによって
腐食する現象（アフターコロージョン）が生ずる問題が
あった。このため、ウエハに残留しているＣｌを、ウエ
ハを大気中に取り出す前に、いかに取り除くかが、信頼
性の高い配線加工を行なう上で重要となっている。斯る
アフターコロージョンを防ぐ方法として以下に説明する
ようなものがある。
【０００３】ａ） アルミニウム系金属を塩素系ガスに
てエッチングを行なった後、Ａｌ−Ｃｌ結合よりもＡｌ
−Ｆ結合の方が安定である点を利用して、例えばＣＦ4
等のフッ素系ガスプラズマによるアフタートリートメン
トを行ない、ＦラジカルによりＣｌをＦに置換する。
てエッチングを行なった後、Ａｌ−Ｃｌ結合よりもＡｌ
−Ｆ結合の方が安定である点を利用して、例えばＣＦ4
等のフッ素系ガスプラズマによるアフタートリートメン
トを行ない、ＦラジカルによりＣｌをＦに置換する。
【０００４】ｂ） アルミニウム系金属を塩素系ガスに
てエッチングした後、真空中でベークを行ない残留Ｃｌ
を脱離・排気させる。
てエッチングした後、真空中でベークを行ない残留Ｃｌ
を脱離・排気させる。
【０００５】ｃ） アルミニウム系金属を塩素系ガスに
てエッチングした後、ウエハを大気中に取り出す前に、
Ｃｌを多量に含むレジストと共に側壁のＣｌも、Ｏ2プ
ラズマによるインラインアッシングを施して除去する。
てエッチングした後、ウエハを大気中に取り出す前に、
Ｃｌを多量に含むレジストと共に側壁のＣｌも、Ｏ2プ
ラズマによるインラインアッシングを施して除去する。
【０００６】ｄ） アルミニウム系金属を塩素系ガスに
てエッチングした後、ＣＨＦ3等のプラズマ分解による
炭素系ポリマーでなるパッシベーション膜をアルミニウ
ム系金属上に被着し、大気中の水分の侵入を防止する。
てエッチングした後、ＣＨＦ3等のプラズマ分解による
炭素系ポリマーでなるパッシベーション膜をアルミニウ
ム系金属上に被着し、大気中の水分の侵入を防止する。
【０００７】ｅ） アルミニウム系金属を塩素系ガスに
てエッチングした後、インラインアッシング時にメチル
アルコール（ＣＨ3ＯＨ）を添加し、アルミニウム系金
属表面の反応生成物であるＡｌＯxＣｌyの形で存在して
いる化合物を下記の式に示すように分解して除去する。
てエッチングした後、インラインアッシング時にメチル
アルコール（ＣＨ3ＯＨ）を添加し、アルミニウム系金
属表面の反応生成物であるＡｌＯxＣｌyの形で存在して
いる化合物を下記の式に示すように分解して除去する。
【０００８】
【化１】
【０００９】ｆ） アルミニウム系金属を塩素系ガスで
エッチングした後、イソプロピルアルコール（（Ｃ
Ｈ3）2ＣＨＯＨ）を含むガス系によりレジストのアッシ
ングを行ない、下記の式に示すように、アッシング系金
属表面に存在するＡｌＯxＣｌyを分解・除去する（特願
平３−２０６３５号）。
エッチングした後、イソプロピルアルコール（（Ｃ
Ｈ3）2ＣＨＯＨ）を含むガス系によりレジストのアッシ
ングを行ない、下記の式に示すように、アッシング系金
属表面に存在するＡｌＯxＣｌyを分解・除去する（特願
平３−２０６３５号）。
【００１０】
【化２】
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の従来方法を用いても完全にアフターコロージョンを防
止することが困難であった。これは、図５に示すよう
に、アルミニウム膜１及びバリヤメタルとしてのチタン
ナイトライド（ＴｉＮ）膜２，チタン（Ｔｉ）膜３を、
レジスト４をマスクとして塩素系ガスを含むエッチング
ガス組成によりエッチングした場合、レジスト７の表面
付近や、エッチングされたアルミニウム膜１及びチタン
ナイトライド膜２，チタン膜３の側壁に塩素（Ｃｌ）
や、アルミニウムと塩素等との反応生成物ＡｌＯxＣｌy
が付着したり生成されるため、オーバーエッチング時に
は、これら塩素（Ｃｌ）やＡｌＯxＣｌyは、下地（層間
絶縁膜５）からのスパッタ物によって形成される再付着
膜（ＳｉＯx系）６により封じ込められてしまう。この
再付着膜６は、ＳｉＯx系物質であるためインラインア
ッシング等の酸素（Ｏ2）を主としたプラスマ処理では
除去されず、レジスト４除去後も再付着膜６内側に残留
し（図６）、このウエハを大気中に取り出した場合、図
７に示すように、アルミニウム膜１からアフターコロー
ジョン１ａが発生する。このように、下地の段差及びエ
ッチングレートの不均一性をカバーするため、通常はオ
ーバーエッチングが必須であり、このようなオーバーエ
ッチングを含む塩素系ガスを用いたエッチング後に、上
記した従来の方法ａ）〜ｄ）を施しても根本的な課題解
決には至らないものであった。
の従来方法を用いても完全にアフターコロージョンを防
止することが困難であった。これは、図５に示すよう
に、アルミニウム膜１及びバリヤメタルとしてのチタン
ナイトライド（ＴｉＮ）膜２，チタン（Ｔｉ）膜３を、
レジスト４をマスクとして塩素系ガスを含むエッチング
ガス組成によりエッチングした場合、レジスト７の表面
付近や、エッチングされたアルミニウム膜１及びチタン
ナイトライド膜２，チタン膜３の側壁に塩素（Ｃｌ）
や、アルミニウムと塩素等との反応生成物ＡｌＯxＣｌy
が付着したり生成されるため、オーバーエッチング時に
は、これら塩素（Ｃｌ）やＡｌＯxＣｌyは、下地（層間
絶縁膜５）からのスパッタ物によって形成される再付着
膜（ＳｉＯx系）６により封じ込められてしまう。この
再付着膜６は、ＳｉＯx系物質であるためインラインア
ッシング等の酸素（Ｏ2）を主としたプラスマ処理では
除去されず、レジスト４除去後も再付着膜６内側に残留
し（図６）、このウエハを大気中に取り出した場合、図
７に示すように、アルミニウム膜１からアフターコロー
ジョン１ａが発生する。このように、下地の段差及びエ
ッチングレートの不均一性をカバーするため、通常はオ
ーバーエッチングが必須であり、このようなオーバーエ
ッチングを含む塩素系ガスを用いたエッチング後に、上
記した従来の方法ａ）〜ｄ）を施しても根本的な課題解
決には至らないものであった。
【００１２】例えば、上記した従来方法ａ）〜ｄ）を、
アルミニウム系金属の下地（層間絶縁膜）が露出したジ
ャストエッチ状態で施したとすると、方法ａ）にあって
は、レジスト内に残ったＣｌやＣｌを含む反応生成物を
除去できないばかりか、バリヤメタルにアンダーカット
が生じる問題がある。
アルミニウム系金属の下地（層間絶縁膜）が露出したジ
ャストエッチ状態で施したとすると、方法ａ）にあって
は、レジスト内に残ったＣｌやＣｌを含む反応生成物を
除去できないばかりか、バリヤメタルにアンダーカット
が生じる問題がある。
【００１３】また、方法ｂ）をジャストエッチ状態で施
すと、加熱による塩素（Ｃｌ）除去作用には限界があ
り、非常に長時間の真空ベークを要し、スループットの
低下を来す問題がある。
すと、加熱による塩素（Ｃｌ）除去作用には限界があ
り、非常に長時間の真空ベークを要し、スループットの
低下を来す問題がある。
【００１４】さらに、方法ｃ），ｄ）をジャストエッチ
状態で施すと、ｃ）ではレジストがオーバーエッチング
を行なう前に消失してしまい、ｄ）ではオーバーエッチ
を施すべき部分にもパッシベーション膜が被着されてし
まう問題点が生じる。
状態で施すと、ｃ）ではレジストがオーバーエッチング
を行なう前に消失してしまい、ｄ）ではオーバーエッチ
を施すべき部分にもパッシベーション膜が被着されてし
まう問題点が生じる。
【００１５】本発明は、このような従来の諸問題に着目
して創案されたものであって、アルミニウム系金属の加
工後のアフターコロージョンの発生を顕著に低減させる
アルミニウム系金属膜のドライエッチング方法を得んと
するものである。
して創案されたものであって、アルミニウム系金属の加
工後のアフターコロージョンの発生を顕著に低減させる
アルミニウム系金属膜のドライエッチング方法を得んと
するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、塩素
系ガスを含むエッチングガス組成物によりアルミニウム
系金属膜を下地が露出するまでエッチングした後、希ガ
スを含むガスによりプラズマトリートメントを施し、続
いて塩素系ガスを含むエッチングガス組成物によりオー
バーエッチングを行なうことを、その解決方法としてい
る。
系ガスを含むエッチングガス組成物によりアルミニウム
系金属膜を下地が露出するまでエッチングした後、希ガ
スを含むガスによりプラズマトリートメントを施し、続
いて塩素系ガスを含むエッチングガス組成物によりオー
バーエッチングを行なうことを、その解決方法としてい
る。
【００１７】
【作用】アルミニウム系金属膜を下地が露出するまでエ
ッチング（ジャストエッチ）した時点では、エッチング
されたアルミニウム系金属膜の側壁には下地（例えばＣ
ＶＤシリコン酸化膜）からの再付着膜が形成されておら
ず、露出したアルミニウム系金属膜側壁及びレジストに
塩素（Ｃｌ）が付着し、またアルミニウム系金属膜側壁
には反応生成物（ＡｌＯxＣｌy）が生成された状態とな
っている。
ッチング（ジャストエッチ）した時点では、エッチング
されたアルミニウム系金属膜の側壁には下地（例えばＣ
ＶＤシリコン酸化膜）からの再付着膜が形成されておら
ず、露出したアルミニウム系金属膜側壁及びレジストに
塩素（Ｃｌ）が付着し、またアルミニウム系金属膜側壁
には反応生成物（ＡｌＯxＣｌy）が生成された状態とな
っている。
【００１８】このようなジャストエッチの状態におい
て、希ガス（例えば、アルゴン，ヘリウム，ネオン等）
を含むガスによりプラズマトリートメントを行なうこと
により、レジスト及びアルミニウム系金属膜側壁に付い
た塩素（Ｃｌ）及び塩素化合物を除去することができ
る。この後、オーバーエッチングを行なった場合、下地
からの再付着物が前記側壁に形成されても、塩素（Ｃ
ｌ）及び塩素化合物が再付着物内側に残留することがな
い。このように、アフターコロージョンの発生の原因と
なる塩素及び塩素化合物が除去されるため、アルミニウ
ム系金属配線の信頼性が向上する。
て、希ガス（例えば、アルゴン，ヘリウム，ネオン等）
を含むガスによりプラズマトリートメントを行なうこと
により、レジスト及びアルミニウム系金属膜側壁に付い
た塩素（Ｃｌ）及び塩素化合物を除去することができ
る。この後、オーバーエッチングを行なった場合、下地
からの再付着物が前記側壁に形成されても、塩素（Ｃ
ｌ）及び塩素化合物が再付着物内側に残留することがな
い。このように、アフターコロージョンの発生の原因と
なる塩素及び塩素化合物が除去されるため、アルミニウ
ム系金属配線の信頼性が向上する。
【００１９】
【実施例】以下、本発明に係るアルミニウム系金属膜の
ドライエッチング方法の詳細を図面に示す実施例に基づ
いて説明する。
ドライエッチング方法の詳細を図面に示す実施例に基づ
いて説明する。
【００２０】本実施例は、層間絶縁膜１０の上にチタン
（Ｔｉ）膜１１及び窒化チタン（ＴｉＮ）膜１２で１０
００Å程度のバリヤ層を形成し、さらに、その上にアル
ミニウム系金属膜としてのＡｌ−１％Ｓｉ合金膜１３を
４０００Åの膜厚に形成したウエハにおいて、レジスト
１４をパターニングしてエッチングを行なって配線を形
成する例に本発明を適用したものである。なお、アルミ
ニウム膜１３上に形成される反射防止膜は図示省略す
る。
（Ｔｉ）膜１１及び窒化チタン（ＴｉＮ）膜１２で１０
００Å程度のバリヤ層を形成し、さらに、その上にアル
ミニウム系金属膜としてのＡｌ−１％Ｓｉ合金膜１３を
４０００Åの膜厚に形成したウエハにおいて、レジスト
１４をパターニングしてエッチングを行なって配線を形
成する例に本発明を適用したものである。なお、アルミ
ニウム膜１３上に形成される反射防止膜は図示省略す
る。
【００２１】図１は、レジスト１４をマスクとして下地
であるシリコン基板１０が露出するまでエッチングした
状態（ジャストエッチ）を示している。
であるシリコン基板１０が露出するまでエッチングした
状態（ジャストエッチ）を示している。
【００２２】このエッチングは、ＲＦバイアス印加型Ｅ
ＣＲ装置を用い、エッチングガスとして三塩化ホウ素
（ＢＣｌ3）及び塩素（Ｃｌ2）及び塩化水素（ＨＣｌ）
を用いて行なった。このようなエッチングガスを用いた
ことにより、チタン膜１１及び窒化チタン膜１２の側壁
及びレジスト１４の表面付近には塩素（Ｃｌ）１６が付
着すると共に、アルミニウム膜１３の側壁には塩素１６
及び反応生成物１７が付着・生成されている。
ＣＲ装置を用い、エッチングガスとして三塩化ホウ素
（ＢＣｌ3）及び塩素（Ｃｌ2）及び塩化水素（ＨＣｌ）
を用いて行なった。このようなエッチングガスを用いた
ことにより、チタン膜１１及び窒化チタン膜１２の側壁
及びレジスト１４の表面付近には塩素（Ｃｌ）１６が付
着すると共に、アルミニウム膜１３の側壁には塩素１６
及び反応生成物１７が付着・生成されている。
【００２３】次に、このようなジャストエッチした状態
で、以下に示すような２段階のプラズマトリートメント
を行なう。
で、以下に示すような２段階のプラズマトリートメント
を行なう。
【００２４】＜第１段階のプラズマトリートメント＞ ○雰囲気ガス及びその流量 酸素（Ｏ2）…２００SCCM イソプロピルアルコール（（ＣＨ3）2ＣＨＯＨ）…５０
SCCM ○雰囲気圧力…３０ｍＴｏｒｒ ○マイクロ波パワー…８５０Ｗ ○ＲＦパワー…０Ｗ ○処理時間…２秒 ＜第２段階のプラズマトリートメント＞ ○雰囲気ガス及びその流量 アルゴン（Ａｒ）…５０SCCM イソプロピルアルコール（（ＣＨ3）2ＣＨＯＨ）…５０
SCCM ○雰囲気圧力…１０ｍＴｏｒｒ ○マイクロ波パワー…８５０Ｗ ○ＲＦパワー…０Ｗ ○処理時間…１０秒 上記した第１段階のプラズマエッチング処理によって、
側壁に付いた塩素化合物（ＣＣｌx）の分解が行なわれ
ると共に、アルミニウム膜１３側壁をＡｌ2Ｏ3化し強固
なＡｌ−Ｏ結合を形成することで新たなＡｌ−Ｃｌ結合
が生じるのを防止する。なお、この第１段階の処理時間
を２秒と短時間にしたのは、レジストの消耗を防止する
ためである。
SCCM ○雰囲気圧力…３０ｍＴｏｒｒ ○マイクロ波パワー…８５０Ｗ ○ＲＦパワー…０Ｗ ○処理時間…２秒 ＜第２段階のプラズマトリートメント＞ ○雰囲気ガス及びその流量 アルゴン（Ａｒ）…５０SCCM イソプロピルアルコール（（ＣＨ3）2ＣＨＯＨ）…５０
SCCM ○雰囲気圧力…１０ｍＴｏｒｒ ○マイクロ波パワー…８５０Ｗ ○ＲＦパワー…０Ｗ ○処理時間…１０秒 上記した第１段階のプラズマエッチング処理によって、
側壁に付いた塩素化合物（ＣＣｌx）の分解が行なわれ
ると共に、アルミニウム膜１３側壁をＡｌ2Ｏ3化し強固
なＡｌ−Ｏ結合を形成することで新たなＡｌ−Ｃｌ結合
が生じるのを防止する。なお、この第１段階の処理時間
を２秒と短時間にしたのは、レジストの消耗を防止する
ためである。
【００２５】また、上記した第２段階のプラズマエッチ
ング処理によって、第１段階の処理で除去しきれなかっ
た塩素（Ｃｌ）１６を（ＣＨ3）2ＣＨＯＨの分解で生じ
た水素（Ｈ）でトラップし、ＨＣｌのかたちで排気する
と共に、蒸気圧の低いＡｌＯxＣｌyをＡｌ（ｉ−ＯＣ3
Ｈ7）3のかたちで分解・排気する。なお、ＡｌＯxＣｌy
のイソプロピルアルコール（（ＣＨ3）2ＣＨＯＨ）によ
る分解メカニズムは下記の反応式で表わすことができ
る。
ング処理によって、第１段階の処理で除去しきれなかっ
た塩素（Ｃｌ）１６を（ＣＨ3）2ＣＨＯＨの分解で生じ
た水素（Ｈ）でトラップし、ＨＣｌのかたちで排気する
と共に、蒸気圧の低いＡｌＯxＣｌyをＡｌ（ｉ−ＯＣ3
Ｈ7）3のかたちで分解・排気する。なお、ＡｌＯxＣｌy
のイソプロピルアルコール（（ＣＨ3）2ＣＨＯＨ）によ
る分解メカニズムは下記の反応式で表わすことができ
る。
【００２６】
【化３】
【００２７】このようにして、ジャストエッチの状態で
プラズマ処理が行なわれた後は、再度塩素系ガスを含む
エッチングガス組成物（ＢＣｌ3／Ｃｌ2／ＨＣｌ）を用
いてオーバーエッチングを行う（図３）。このオーバー
エッチングにより側壁には下地（層間絶縁膜１０）のス
パッタ物による再付着膜１５が形成され、オーバーエッ
チングが終了するまで側壁保護膜として機能する。な
お、この再付着膜１５の内側には、上記したプラズマ処
理によりＣｌ及びＣｌ化合物は残留していない。
プラズマ処理が行なわれた後は、再度塩素系ガスを含む
エッチングガス組成物（ＢＣｌ3／Ｃｌ2／ＨＣｌ）を用
いてオーバーエッチングを行う（図３）。このオーバー
エッチングにより側壁には下地（層間絶縁膜１０）のス
パッタ物による再付着膜１５が形成され、オーバーエッ
チングが終了するまで側壁保護膜として機能する。な
お、この再付着膜１５の内側には、上記したプラズマ処
理によりＣｌ及びＣｌ化合物は残留していない。
【００２８】そして、最後に、レジスト１４を除去すれ
ば、アルミニウム配線の形成が完了する。
ば、アルミニウム配線の形成が完了する。
【００２９】以上実施例について説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、構成の要旨に付随する
各種の設計変更が可能である。
これに限定されるものではなく、構成の要旨に付随する
各種の設計変更が可能である。
【００３０】例えば、上記実施例においては、希ガスと
してアルゴン（Ａｒ）を用いたが、他の希ガスを用いて
も勿論よい。
してアルゴン（Ａｒ）を用いたが、他の希ガスを用いて
も勿論よい。
【００３１】また、上記実施例においては、ジャストエ
ッチの状態でプラズマトリートメントを２段階に分けて
行なったが、希ガスを含むガスによるプラズマトリート
メントを１回行なう構成としてもよい。この場合のプラ
ズマトリートメントの例としては、例えば、アルゴン
（Ａｒ）／水素（Ｈ2）＝１００／５０SCCM，圧力３０
ｍＴｏｒｒ，マイクロ波パワー８５０Ｗ，ＲＦパワー０
Ｗ，処理時間１５秒で行ない、水素（Ｈ2）の分解によ
りＣｌをＨＣｌのかたちで排気することが可能である。
ッチの状態でプラズマトリートメントを２段階に分けて
行なったが、希ガスを含むガスによるプラズマトリート
メントを１回行なう構成としてもよい。この場合のプラ
ズマトリートメントの例としては、例えば、アルゴン
（Ａｒ）／水素（Ｈ2）＝１００／５０SCCM，圧力３０
ｍＴｏｒｒ，マイクロ波パワー８５０Ｗ，ＲＦパワー０
Ｗ，処理時間１５秒で行ない、水素（Ｈ2）の分解によ
りＣｌをＨＣｌのかたちで排気することが可能である。
【００３２】さらに、アルミニウム系金属としてはＡｌ
−１％Ｓｉに限定されないことは言うまでもない。
−１％Ｓｉに限定されないことは言うまでもない。
【００３３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係るアルミニウム系金属膜のドライエッチング方法に
よれば、エッチング加工されたアルミニウム系金属膜の
側壁に、塩素及び塩素化合物が残留することがなく、加
工後長時間に亘ってアフターコロージョンの発生を防止
する効果がある。このため、信頼性の高いアルミ配線が
得られる効果がある。
に係るアルミニウム系金属膜のドライエッチング方法に
よれば、エッチング加工されたアルミニウム系金属膜の
側壁に、塩素及び塩素化合物が残留することがなく、加
工後長時間に亘ってアフターコロージョンの発生を防止
する効果がある。このため、信頼性の高いアルミ配線が
得られる効果がある。
【図１】本発明の実施例の工程を示す説明図。
【図２】本発明の実施例の工程を示す説明図。
【図３】本発明の実施例の工程を示す説明図。
【図４】本発明の実施例の工程を示す説明図。
【図５】従来例の説明図。
【図６】従来例の説明図。
【図７】従来例の説明図。
１０…層間絶縁膜（下地）、 １３…アルミニウム膜（アルミニウム系金属膜）。
Claims (1)
- 【請求項１】 塩素系ガスを含むエッチングガス組成物
によりアルミニウム系金属膜を下地が露出するまでエッ
チングした後、希ガスを含むガスによりプラズマトリー
トメントを施し、続いて塩素系ガスを含むエッチングガ
ス組成物によりオーバーエッチングを行なうことを特徴
とするアルミニウム系金属膜のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3071304A JP2987977B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | アルミニウム系金属膜のドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3071304A JP2987977B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | アルミニウム系金属膜のドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04306827A JPH04306827A (ja) | 1992-10-29 |
| JP2987977B2 true JP2987977B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=13456770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3071304A Expired - Fee Related JP2987977B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | アルミニウム系金属膜のドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2987977B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08130206A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Sony Corp | Ａｌ系金属層のプラズマエッチング方法 |
| JP6194515B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2017-09-13 | 豊田合成株式会社 | サファイア基板の製造方法およびｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
-
1991
- 1991-04-04 JP JP3071304A patent/JP2987977B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04306827A (ja) | 1992-10-29 |
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