JP2998173B2 - Ａｌエッチング方法 - Google Patents
Ａｌエッチング方法Info
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- JP2998173B2 JP2998173B2 JP2144701A JP14470190A JP2998173B2 JP 2998173 B2 JP2998173 B2 JP 2998173B2 JP 2144701 A JP2144701 A JP 2144701A JP 14470190 A JP14470190 A JP 14470190A JP 2998173 B2 JP2998173 B2 JP 2998173B2
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- etching
- resist
- plasma
- vacuum chamber
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体製造のAlエッチングに際し、腐食を
防止するAlエッチング方法に関するものである。
防止するAlエッチング方法に関するものである。
従来の技術 半導体素子形成用のAlエッチングを行う場合に、従来
より塩素系のガスプラズマを利用してエッチングを行っ
てきた。たとえばBCl3,CCl4,Cl2,SiCl4等の混合ガスを
真空チャンバー内に導入し、高周波放電を発生させ、所
望のマスクでAl膜をエッチングしていた。ところが近年
Al配線は、配線切れを防止するためにSi,Cu,Ti等の添加
物を混入させるようになりエッチング後の腐食がよりい
っそう問題となってきている。そこで従来エッチング後
の腐食対策としてＦ系のガスプラズマを利用した後処
理、またO2プラズマを利用したレジスト除去などを行っ
ている。
より塩素系のガスプラズマを利用してエッチングを行っ
てきた。たとえばBCl3,CCl4,Cl2,SiCl4等の混合ガスを
真空チャンバー内に導入し、高周波放電を発生させ、所
望のマスクでAl膜をエッチングしていた。ところが近年
Al配線は、配線切れを防止するためにSi,Cu,Ti等の添加
物を混入させるようになりエッチング後の腐食がよりい
っそう問題となってきている。そこで従来エッチング後
の腐食対策としてＦ系のガスプラズマを利用した後処
理、またO2プラズマを利用したレジスト除去などを行っ
ている。
発明が解決しようとする課題 しかしこれらの技術単独では腐食対策が十分ではな
い。またＦ系のガスとO2ガスの混合ガスプラズマを利用
した上記技術を組み合わしたものもAl配線の下地（通常
SiO2）をエッチングするＦ系のガスを考慮しなければな
らない。
い。またＦ系のガスとO2ガスの混合ガスプラズマを利用
した上記技術を組み合わしたものもAl配線の下地（通常
SiO2）をエッチングするＦ系のガスを考慮しなければな
らない。
本発明は、このような従来の問題に鑑み、腐食の極め
て少ないAlエッチング方法を提供することを目的とす
る。
て少ないAlエッチング方法を提供することを目的とす
る。
課題を解決するための手段 本発明は、上記目的を達成するため、真空チャンバー
内でAlをエッチングする工程、Alエッチング後レジスト
を除去する工程、レジスト除去後、N2放電に被処理物を
さらす工程を有することを特徴とする。
内でAlをエッチングする工程、Alエッチング後レジスト
を除去する工程、レジスト除去後、N2放電に被処理物を
さらす工程を有することを特徴とする。
作用 本発明によると、Alエッチング及びレジスト除去後、
N2プラズマにAl表面、及び側面をさらすことにより、Al
の露出している面にAl変質そうが形成され、Clとの反応
を効果的に無くすことができる。
N2プラズマにAl表面、及び側面をさらすことにより、Al
の露出している面にAl変質そうが形成され、Clとの反応
を効果的に無くすことができる。
参 考 例 以下に本発明の第１の参考例を第１図に基づいて説明
する。第１図ａにおいて１は半導体基板であり、２はSi
O2膜である。３はAl,Si,Cu合金膜であり、Si,Cuの含有
量はそれぞれ0.2％である。４は配線用にパターニング
したレジストである。このAl合金膜３をｂに示すよう
に、BCl3＋Cl2＝40＋10sccm、真空度＝100mtorr,RFパワ
ー＝200W、で真空チャンバー内で発生させたCl系による
プラズマ５でエッチングをおこなった。その後ｃに示す
ように、Al合金３のエッチングマスクに使用したレジス
ト４を、O2＋SF6＝50＋6sccm、真空度＝300mtorr、RFパ
ワー＝150Wで真空チャンバー内で発生させたプラズマ６
で除去した。
する。第１図ａにおいて１は半導体基板であり、２はSi
O2膜である。３はAl,Si,Cu合金膜であり、Si,Cuの含有
量はそれぞれ0.2％である。４は配線用にパターニング
したレジストである。このAl合金膜３をｂに示すよう
に、BCl3＋Cl2＝40＋10sccm、真空度＝100mtorr,RFパワ
ー＝200W、で真空チャンバー内で発生させたCl系による
プラズマ５でエッチングをおこなった。その後ｃに示す
ように、Al合金３のエッチングマスクに使用したレジス
ト４を、O2＋SF6＝50＋6sccm、真空度＝300mtorr、RFパ
ワー＝150Wで真空チャンバー内で発生させたプラズマ６
で除去した。
その結果、真空チャンバーより大気に出した時に発生
していた腐食は、24時間放置後も発生することがなかっ
た。
していた腐食は、24時間放置後も発生することがなかっ
た。
実施例 以下に、本発明の第２の実施例を第２図に基づいて説
明する。第２図ａにおいて１は半導体基板であり２はSi
O2膜である。３はAl,Si,Cu合金膜であり、Si,Cuの含有
量はそれぞれ0.2％である。４は配線用パターニングし
たレジストである。このAl合金膜３をｂに示すように、
BCl3＋Cl2＝40＋10sccm、真空度＝100mtorr,RFパワー＝
200W、で真空チャンバー内で発生させたCl系によるプラ
ズマ５でエッチングをおこなった。その後ｃに示すよう
に、Al合金３のエッチングマスクに使用しレジスト４
を、O2＋SF6＝50＋6sccm、真空度＝300mtorr、RFパワー
＝150Wで真空チャンバー内で発生させたプラズマ６で除
去した。その後、ｄに示すように、N2＝50sccm、真空度
＝300mtorr、RFパワー＝200Wで真空チャンバー内で発生
させたプラズマ７にさらし、Al合金表面に変質層８を形
成させた。その結果、真空チャンバーより大気に出した
時に発生していた腐食は、24時間放置後も発生すること
がなかった。
明する。第２図ａにおいて１は半導体基板であり２はSi
O2膜である。３はAl,Si,Cu合金膜であり、Si,Cuの含有
量はそれぞれ0.2％である。４は配線用パターニングし
たレジストである。このAl合金膜３をｂに示すように、
BCl3＋Cl2＝40＋10sccm、真空度＝100mtorr,RFパワー＝
200W、で真空チャンバー内で発生させたCl系によるプラ
ズマ５でエッチングをおこなった。その後ｃに示すよう
に、Al合金３のエッチングマスクに使用しレジスト４
を、O2＋SF6＝50＋6sccm、真空度＝300mtorr、RFパワー
＝150Wで真空チャンバー内で発生させたプラズマ６で除
去した。その後、ｄに示すように、N2＝50sccm、真空度
＝300mtorr、RFパワー＝200Wで真空チャンバー内で発生
させたプラズマ７にさらし、Al合金表面に変質層８を形
成させた。その結果、真空チャンバーより大気に出した
時に発生していた腐食は、24時間放置後も発生すること
がなかった。
なお、上記第1,2の実施例では同じチャンバーを使用
して行ったが、各プラズマを別のチャンバーを利用して
行っても同様の効果が得られた。
して行ったが、各プラズマを別のチャンバーを利用して
行っても同様の効果が得られた。
発明の効果 本発明によれば、真空チャンバー内でAlをエッチング
し、その後Alエッチングで使用したレジストを、O2及び
SF6を含むガスプラズマで除去する工程を有し、さらに
その後、N2放電に被処理物をさらす工程を有することに
よって、エッチング後大気に放置しても腐食を防止する
ことができる。
し、その後Alエッチングで使用したレジストを、O2及び
SF6を含むガスプラズマで除去する工程を有し、さらに
その後、N2放電に被処理物をさらす工程を有することに
よって、エッチング後大気に放置しても腐食を防止する
ことができる。
第１図は本発明の第１の実施例におけるAlドライエッチ
ング方法を示す工程断面図、第２図は本発明の第２の実
施例におけるAlドライエッチング方法を示す工程断面図
である。 １……半導体基板、２……SiO2膜、３……Al,Si,Cu合金
膜。
ング方法を示す工程断面図、第２図は本発明の第２の実
施例におけるAlドライエッチング方法を示す工程断面図
である。 １……半導体基板、２……SiO2膜、３……Al,Si,Cu合金
膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/302
Claims (3)
- 【請求項１】真空チャンバー内でAlをエッチングする工
程と、Alエッチング後レジストを除去する工程と、レジ
スト除去後、N2放電に被処理物をさらす工程とを有する
ことを特徴とするAlエッチング方法。 - 【請求項２】レジストを除去する際、エッチングガスに
O2及びSF6が含まれていることを特徴とする請求項１記
載のAlエッチング方法。 - 【請求項３】Alをエッチングする工程と、レジストを除
去する工程と、N2放電を行う工程を異なるチャンバーに
て行うことを特徴とする請求項１記載のAlエッチング方
法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2144701A JP2998173B2 (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | Ａｌエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2144701A JP2998173B2 (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | Ａｌエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0437128A JPH0437128A (ja) | 1992-02-07 |
| JP2998173B2 true JP2998173B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=15368271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2144701A Expired - Fee Related JP2998173B2 (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | Ａｌエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2998173B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6852636B1 (en) * | 1999-12-27 | 2005-02-08 | Lam Research Corporation | Insitu post etch process to remove remaining photoresist and residual sidewall passivation |
| CN113913823B (zh) * | 2021-09-14 | 2022-04-08 | 赛创电气（铜陵）有限公司 | 半导体制冷器退膜蚀刻方法 |
-
1990
- 1990-06-01 JP JP2144701A patent/JP2998173B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0437128A (ja) | 1992-02-07 |
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