JP3222156B2 - 半導体装置のタングステンポリサイドのエッチング方法 - Google Patents
半導体装置のタングステンポリサイドのエッチング方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子製造におけ
るタングステンポリサイドのエッチング方法に関するも
のである。
るタングステンポリサイドのエッチング方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、ソリッド・ステート・テクノロジー・２７
（４）巻 ，１９８４，６月、Ｐ６９〜７３「Ｓｏｌｉ
ｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｖｏｌ．２７
（４），Ｐ２３５（１９８４）」に記載されるものがあ
った。
例えば、ソリッド・ステート・テクノロジー・２７
（４）巻 ，１９８４，６月、Ｐ６９〜７３「Ｓｏｌｉ
ｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｖｏｌ．２７
（４），Ｐ２３５（１９８４）」に記載されるものがあ
った。
【０００３】上記文献に示されるように、半導体素子に
おける配線（ビットライン、ワードライン）に用いられ
ている材料としてタングステンポリサイドがある。この
タングステンポリサイドのエッチングガスにはＳＦ6 ＋
Ｃ2 ＣｌＦ5 が用いられていた。
おける配線（ビットライン、ワードライン）に用いられ
ている材料としてタングステンポリサイドがある。この
タングステンポリサイドのエッチングガスにはＳＦ6 ＋
Ｃ2 ＣｌＦ5 が用いられていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＳＦ6 ＋Ｃ2 ＣｌＦ5 では、タングステンシリサイドよ
りも多結晶シリコンのエッチング速度の方が速い。この
ような条件で実際のデバイスをエッチングすると、図５
に示すようになる。
ＳＦ6 ＋Ｃ2 ＣｌＦ5 では、タングステンシリサイドよ
りも多結晶シリコンのエッチング速度の方が速い。この
ような条件で実際のデバイスをエッチングすると、図５
に示すようになる。
【０００５】まず、図５（ａ）に示すように、実際のデ
バイスではＳｉ基板１０上の下地に絶縁膜１１の段差が
ある。この上に多結晶シリコン膜１２、タングステンシ
リサイド膜１３を堆積し、エッチングする。
バイスではＳｉ基板１０上の下地に絶縁膜１１の段差が
ある。この上に多結晶シリコン膜１２、タングステンシ
リサイド膜１３を堆積し、エッチングする。
【０００６】次に、図５（ｂ）に示すように、タングス
テンシリサイド膜１３をエッチングする。ここで、平坦
部では、多結晶シリコン膜１２が露出しているが、段差
部ではまだタングステンシリサイド膜１３′が残ってい
る。
テンシリサイド膜１３をエッチングする。ここで、平坦
部では、多結晶シリコン膜１２が露出しているが、段差
部ではまだタングステンシリサイド膜１３′が残ってい
る。
【０００７】次に、図５（ｃ）に示すように、この状態
でエッチングを行なうと、段差部ではタングステンシリ
サイド膜１３′、平坦部では多結晶シリコン膜１２のエ
ッチングを行なうことになる。この時、タングステンシ
リサイド膜１３′より多結晶シリコン膜１２の方がエッ
チングが速いと、段差部でタングステンシリサイド膜１
３′が全部エッチングされる間に、平坦部で多結晶シリ
コン膜１２も全部エッチングされ、段差部での多結晶シ
リコン膜１２′がすべて残ることになる。
でエッチングを行なうと、段差部ではタングステンシリ
サイド膜１３′、平坦部では多結晶シリコン膜１２のエ
ッチングを行なうことになる。この時、タングステンシ
リサイド膜１３′より多結晶シリコン膜１２の方がエッ
チングが速いと、段差部でタングステンシリサイド膜１
３′が全部エッチングされる間に、平坦部で多結晶シリ
コン膜１２も全部エッチングされ、段差部での多結晶シ
リコン膜１２′がすべて残ることになる。
【０００８】この段差部での多結晶シリコン膜１２′を
エッチングすると、平坦部では下地が露出しているた
め、図５（ｄ）に示すように、下地をエッチングしてし
まうことになる。
エッチングすると、平坦部では下地が露出しているた
め、図５（ｄ）に示すように、下地をエッチングしてし
まうことになる。
【０００９】本発明は、以上述べた段差部での多結晶シ
リコン膜のエッチング残りを最少にするため、エッチン
グガスに塩素ガスとフレオンガスの混合ガスを用いた優
れた半導体装置のタングステンポリサイドのエッチング
方法を提供することを目的とする。
リコン膜のエッチング残りを最少にするため、エッチン
グガスに塩素ガスとフレオンガスの混合ガスを用いた優
れた半導体装置のタングステンポリサイドのエッチング
方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、基板上に段差を有する絶縁膜と、多結晶
シリコン膜と、タングステンシリサイド膜が積層される
半導体装置のタングステンポリサイドのエッチング方法
において、前記タングステンシリサイド膜及び前記多結
晶シリコン膜のエッチングを第１のエッチング工程、第
２のエッチング工程から成し、前記第１のエッチング工
程はＳＦ 6 、ＣＨ 2 Ｆ 2 、及びＣｌ 2 の混合ガス、又は
ＳＦ 6 、及びＣＨ 2 Ｆ 2 の混合ガスを用い、前記第２の
エッチング工程は、Ｃｌ 2 、及びＣＨ 2 Ｆ 2 の混合ガス
を用いて行うことを特徴とする。
成するために、基板上に段差を有する絶縁膜と、多結晶
シリコン膜と、タングステンシリサイド膜が積層される
半導体装置のタングステンポリサイドのエッチング方法
において、前記タングステンシリサイド膜及び前記多結
晶シリコン膜のエッチングを第１のエッチング工程、第
２のエッチング工程から成し、前記第１のエッチング工
程はＳＦ 6 、ＣＨ 2 Ｆ 2 、及びＣｌ 2 の混合ガス、又は
ＳＦ 6 、及びＣＨ 2 Ｆ 2 の混合ガスを用い、前記第２の
エッチング工程は、Ｃｌ 2 、及びＣＨ 2 Ｆ 2 の混合ガス
を用いて行うことを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明によれば、上記のように、タングステン
シリサイド膜のエッチングガスに塩素ガス＋フレオンガ
スの混合ガスを用い、しかも前記タングステンシリサイ
ド膜のエッチング速度が、前記多結晶シリコン膜のエッ
チング速度より速い条件でエッチングするようにしたの
で、段差部でのエッチング残りが低減でき、オーバーエ
ッチ時間を短縮することができる。また、下地絶縁膜の
エッチング量の低減を図ることができる。
シリサイド膜のエッチングガスに塩素ガス＋フレオンガ
スの混合ガスを用い、しかも前記タングステンシリサイ
ド膜のエッチング速度が、前記多結晶シリコン膜のエッ
チング速度より速い条件でエッチングするようにしたの
で、段差部でのエッチング残りが低減でき、オーバーエ
ッチ時間を短縮することができる。また、下地絶縁膜の
エッチング量の低減を図ることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。
がら詳細に説明する。
【００１３】図１は本発明の実施例を示す半導体装置の
タングステンポリサイドのエッチング工程断面図であ
る。
タングステンポリサイドのエッチング工程断面図であ
る。
【００１４】まず、図１（ａ）に示すように、Ｓｉ基板
２０上の絶縁膜２１の段差上に多結晶シリコン膜２２、
タングステンシリサイド膜２３を堆積させる。多結晶シ
リコン膜２２はＣＶＤ法により形成し、４０Ｅ２０ｃｍ
- 2 のリンドープを行なった膜である。タングステンシ
リサイド膜２３はスパッタにより形成し、組成比がＷ：
Ｓｉ＝１：２．５の膜である。
２０上の絶縁膜２１の段差上に多結晶シリコン膜２２、
タングステンシリサイド膜２３を堆積させる。多結晶シ
リコン膜２２はＣＶＤ法により形成し、４０Ｅ２０ｃｍ
- 2 のリンドープを行なった膜である。タングステンシ
リサイド膜２３はスパッタにより形成し、組成比がＷ：
Ｓｉ＝１：２．５の膜である。
【００１５】次に、図１（ｂ）に示すように、このタン
グステンシリサイド膜２３のエッチングを行なう。ここ
で、エッチングは、マイクロ波を用いたプラズマエッチ
ング装置で行なう。
グステンシリサイド膜２３のエッチングを行なう。ここ
で、エッチングは、マイクロ波を用いたプラズマエッチ
ング装置で行なう。
【００１６】図２にＣｌ2 ，ＣＨ2 Ｆ2 の混合ガスを用
いた時のタングステンシリサイド膜、多結晶シリコン膜
のエッチング速度とガス混合比の関係を示す。図におい
て、横軸はＣｌ2 ／（Ｃｌ2 ＋ＣＨ2 Ｆ2 ）×１００
（％）、縦軸はエッチング速度（Å／ｍｉｎ）を示して
いる。
いた時のタングステンシリサイド膜、多結晶シリコン膜
のエッチング速度とガス混合比の関係を示す。図におい
て、横軸はＣｌ2 ／（Ｃｌ2 ＋ＣＨ2 Ｆ2 ）×１００
（％）、縦軸はエッチング速度（Å／ｍｉｎ）を示して
いる。
【００１７】エッチング条件は高周波電力が８Ｗ、マイ
クロ波電力が４２０Ｗ、圧力が１０ｍｍＴｏｒｒであ
る。ここで、Ｃｌ2 が１００％の時には、タングステン
シリサイド膜より、多結晶シリコン膜の方がエッチング
速度は速いが、ＣＨ2 Ｆ2 の添加量が１０％以上では、
タングステンシリサイド膜の方がエッチング速度は速く
なり、更に２５％の添加では多結晶シリコン膜のエッチ
ングは起きなくなる。
クロ波電力が４２０Ｗ、圧力が１０ｍｍＴｏｒｒであ
る。ここで、Ｃｌ2 が１００％の時には、タングステン
シリサイド膜より、多結晶シリコン膜の方がエッチング
速度は速いが、ＣＨ2 Ｆ2 の添加量が１０％以上では、
タングステンシリサイド膜の方がエッチング速度は速く
なり、更に２５％の添加では多結晶シリコン膜のエッチ
ングは起きなくなる。
【００１８】そこで、図１（ｂ）に戻って、ＣＨ2 Ｆ2
の添加量が２５％の条件でタングステンシリサイド膜２
３のエッチングを行なう。平坦部でタングステンシリサ
イド膜２３のエッチングが終了しても、図１（ｂ）に示
すように、段差部ではタングステンシリサイド膜２３′
が残っている。
の添加量が２５％の条件でタングステンシリサイド膜２
３のエッチングを行なう。平坦部でタングステンシリサ
イド膜２３のエッチングが終了しても、図１（ｂ）に示
すように、段差部ではタングステンシリサイド膜２３′
が残っている。
【００１９】次に、図１（ｃ）に示すように、エッチン
グを続けると、平坦部の多結晶シリコン膜２２は、エッ
チングはされず、段差部で残ったタングステンシリサイ
ド膜２３′のみエッチングされる。
グを続けると、平坦部の多結晶シリコン膜２２は、エッ
チングはされず、段差部で残ったタングステンシリサイ
ド膜２３′のみエッチングされる。
【００２０】次に、多結晶シリコン膜２２のエッチング
を行なう。エッチングガス条件は、従来法と同様であ
る。図１（ｄ）に示すように、平坦部で多結晶シリコン
膜２２のエッチングが終了した時には、段差部では多少
の多結晶シリコン膜２２′は残るが、従来法に比べて残
る量が少なくなる。
を行なう。エッチングガス条件は、従来法と同様であ
る。図１（ｄ）に示すように、平坦部で多結晶シリコン
膜２２のエッチングが終了した時には、段差部では多少
の多結晶シリコン膜２２′は残るが、従来法に比べて残
る量が少なくなる。
【００２１】次に、残った多結晶シリコン膜２２′を、
図１（ｅ）に示すように、オーバエッチングにより除去
する。
図１（ｅ）に示すように、オーバエッチングにより除去
する。
【００２２】また、Ｃｌ2 ＋ＣＨ2 Ｆ2 でタングステン
シリサイド膜２３をエッチングすると、そのエッチング
速度はＳＦ6 を添加した場合に比べて低下する。
シリサイド膜２３をエッチングすると、そのエッチング
速度はＳＦ6 を添加した場合に比べて低下する。
【００２３】図３にＣＨ2 Ｆ2 の流量を３８ｓｃｃｍ一
定とし、ＳＦ6 ／Ｃｌ2 の割合を変化させた時のタング
ステンシリサイド膜、多結晶シリコン膜のエッチング速
度、選択比（ＷＳｉ／多結晶Ｓｉ）を示す。
定とし、ＳＦ6 ／Ｃｌ2 の割合を変化させた時のタング
ステンシリサイド膜、多結晶シリコン膜のエッチング速
度、選択比（ＷＳｉ／多結晶Ｓｉ）を示す。
【００２４】このグラフから明らかなように、ＳＦ6 の
割合が高い方が選択比は低いが、タングステンシリサイ
ド膜のエッチング速度は速くなる。タングステンシリサ
イド膜と多結晶シリコン膜とで高選択比が必要となるの
は、平坦部で多結晶シリコン膜２２が露出してからの図
１（ｂ）の状態である。
割合が高い方が選択比は低いが、タングステンシリサイ
ド膜のエッチング速度は速くなる。タングステンシリサ
イド膜と多結晶シリコン膜とで高選択比が必要となるの
は、平坦部で多結晶シリコン膜２２が露出してからの図
１（ｂ）の状態である。
【００２５】したがって、図１（ａ）から図１（ｂ）ま
でのタングステンシリサイド膜２３のエッチングには高
選択比は必要なく、ＳＦ6 を添加したＳＦ6 ＋ＣＨ2 Ｆ
2 ＋Ｃｌ2 またはＳＦ6 ＋ＣＨ2 Ｆ2 でエッチングを行
なった方がスループットの向上が図れる。図１（ｂ）か
ら図１（ｃ）にかけてＣｌ2 ＋ＣＨ2 Ｆ2 で、段差部の
タングステンシリサイド膜２３をエッチングする。図１
（ｃ）から図１（ｅ）までは前記説明通り行なう。
でのタングステンシリサイド膜２３のエッチングには高
選択比は必要なく、ＳＦ6 を添加したＳＦ6 ＋ＣＨ2 Ｆ
2 ＋Ｃｌ2 またはＳＦ6 ＋ＣＨ2 Ｆ2 でエッチングを行
なった方がスループットの向上が図れる。図１（ｂ）か
ら図１（ｃ）にかけてＣｌ2 ＋ＣＨ2 Ｆ2 で、段差部の
タングステンシリサイド膜２３をエッチングする。図１
（ｃ）から図１（ｅ）までは前記説明通り行なう。
【００２６】また、図２に示したようにＣＨ2 Ｆ2 の割
合が２０％の時は、多結晶シリコン膜２２のエッチング
が起きる。この条件でタングステンシリサイド膜２３、
多結晶シリコン膜２２を一括でエッチングを行なっても
〔図１（ａ）から図１（ｄ）まで〕エッチング残りは低
減できる。この時の形状は、タングステンシリサイド膜
２３、多結晶シリコン膜２２は、ほぼ垂直形状になる。
合が２０％の時は、多結晶シリコン膜２２のエッチング
が起きる。この条件でタングステンシリサイド膜２３、
多結晶シリコン膜２２を一括でエッチングを行なっても
〔図１（ａ）から図１（ｄ）まで〕エッチング残りは低
減できる。この時の形状は、タングステンシリサイド膜
２３、多結晶シリコン膜２２は、ほぼ垂直形状になる。
【００２７】また、タングステンシリサイド膜２３のエ
ッチングガスをＣｌ2 ＋ＣＨ2 Ｆ2にＯ2 を添加すると
エッチング速度は速くなる。
ッチングガスをＣｌ2 ＋ＣＨ2 Ｆ2にＯ2 を添加すると
エッチング速度は速くなる。
【００２８】図４にＯ2 の添加量を変化させた時のタン
グステンシリサイド膜のエッチング速度を示す。この図
から明らかなように、Ｏ2 の流量を増加するとタングス
テンシリサイド膜のエッチング速度は速くなる。
グステンシリサイド膜のエッチング速度を示す。この図
から明らかなように、Ｏ2 の流量を増加するとタングス
テンシリサイド膜のエッチング速度は速くなる。
【００２９】なお、Ｃｌ2 ＋ＣＨ2 Ｆ2 ＋Ｏ2 で図１
（ａ）または図１（ｂ）の状態から、タングステンシリ
サイド膜２３をエッチングし、図１（ｃ）から図１
（ｅ）までは前記説明通りに行なう。
（ａ）または図１（ｂ）の状態から、タングステンシリ
サイド膜２３をエッチングし、図１（ｃ）から図１
（ｅ）までは前記説明通りに行なう。
【００３０】また、上記のＣＨ2 Ｆ2 以外のフレオンガ
スでも同様の効果が期待できる。他のフレオンガスとし
ては、ＣＦ4 ，Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ，Ｃ4 Ｆ10，ＣＨＦ
3 ，ＣＨ3 Ｆ，ＣＣｌＦ3 ，ＣＣｌ2 Ｆ2 ，ＣＣｌ
3 Ｆ，Ｃ2 ＣｌＦ5 ，Ｃ2 Ｃｌ2Ｆ4 ，Ｃ2 Ｃｌ
3 Ｆ3 ，ＣＨＣｌＦ2 ，ＣＨＣｌ2 Ｆ，Ｃ2 ＨＣｌ2 Ｆ
3 ，Ｃ2ＨＣｌＦ4 などを挙げることができる。
スでも同様の効果が期待できる。他のフレオンガスとし
ては、ＣＦ4 ，Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ，Ｃ4 Ｆ10，ＣＨＦ
3 ，ＣＨ3 Ｆ，ＣＣｌＦ3 ，ＣＣｌ2 Ｆ2 ，ＣＣｌ
3 Ｆ，Ｃ2 ＣｌＦ5 ，Ｃ2 Ｃｌ2Ｆ4 ，Ｃ2 Ｃｌ
3 Ｆ3 ，ＣＨＣｌＦ2 ，ＣＨＣｌ2 Ｆ，Ｃ2 ＨＣｌ2 Ｆ
3 ，Ｃ2ＨＣｌＦ4 などを挙げることができる。
【００３１】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
タングステンシリサイド膜のエッチングガスに、塩素ガ
ス＋フレオンガスの混合ガスを用い、しかも、前記タン
グステンシリサイド膜のエッチング速度が、前記多結晶
シリコン膜のエッチング速度より速い条件でエッチング
するようにしたので、段差部でのエッチング残りが低減
でき、オーバーエッチ時間を短縮することができる。そ
の結果、下地ＳｉＯ2 のエッチング量の低減を図ること
ができる。
タングステンシリサイド膜のエッチングガスに、塩素ガ
ス＋フレオンガスの混合ガスを用い、しかも、前記タン
グステンシリサイド膜のエッチング速度が、前記多結晶
シリコン膜のエッチング速度より速い条件でエッチング
するようにしたので、段差部でのエッチング残りが低減
でき、オーバーエッチ時間を短縮することができる。そ
の結果、下地ＳｉＯ2 のエッチング量の低減を図ること
ができる。
【００３３】また、タングステンシリサイドと多結晶シ
リコンとの高選択比は、多結晶シリコン膜が露出してか
ら必要となる。従って、タングステンシリサイド膜の最
初、つまり、図１（ｂ）の状態までは従来法でエッチン
グし、多結晶シリコン膜が露出してから、つまり、図１
（ｃ）の状態では、本発明のＣｌ2 ／ＣＨ2 Ｆ2 ガスを
用いてエッチングすることにより、前記同様の効果が期
待できる。
リコンとの高選択比は、多結晶シリコン膜が露出してか
ら必要となる。従って、タングステンシリサイド膜の最
初、つまり、図１（ｂ）の状態までは従来法でエッチン
グし、多結晶シリコン膜が露出してから、つまり、図１
（ｃ）の状態では、本発明のＣｌ2 ／ＣＨ2 Ｆ2 ガスを
用いてエッチングすることにより、前記同様の効果が期
待できる。
【００３４】更に、塩素ガス＋フレオンガスにＯ2 を添
加することにより、タングステンシリサイド膜のエッチ
ング速度は高くなり、スループットの向上を図ることが
できる。
加することにより、タングステンシリサイド膜のエッチ
ング速度は高くなり、スループットの向上を図ることが
できる。
【００３５】また、多結晶シリコン膜よりタングステン
シリサイド膜の方がエッチング速度が速く、多結晶シリ
コン膜のエッチングが起きる条件であれば、タングステ
ンシリサイド膜、多結晶シリコン膜を一括でエッチング
しても、段差部でのエッチング残りを低減することがで
きる。
シリサイド膜の方がエッチング速度が速く、多結晶シリ
コン膜のエッチングが起きる条件であれば、タングステ
ンシリサイド膜、多結晶シリコン膜を一括でエッチング
しても、段差部でのエッチング残りを低減することがで
きる。
【図１】本発明の実施例を示す半導体装置のタングステ
ンポリサイドのエッチング工程断面図である。
ンポリサイドのエッチング工程断面図である。
【図２】本発明に係るタングステンシリサイド膜、多結
晶シリコン膜のエッチング速度とＣｌ2 ／ＣＨ2 Ｆ2 ガ
ス混合比との関係を示す図である。
晶シリコン膜のエッチング速度とＣｌ2 ／ＣＨ2 Ｆ2 ガ
ス混合比との関係を示す図である。
【図３】本発明に係る多結晶シリコン膜のエッチング速
度及びタングステンシリサイド膜のエッチング速度と、
タングステンシリサイド膜の選択比（タングステンシリ
サイド／多結晶シリコン）と、ＳＦ6 ／Ｃｌ2 ガス混合
比との関係を示す図である。
度及びタングステンシリサイド膜のエッチング速度と、
タングステンシリサイド膜の選択比（タングステンシリ
サイド／多結晶シリコン）と、ＳＦ6 ／Ｃｌ2 ガス混合
比との関係を示す図である。
【図４】本発明に係るタングステンシリサイド膜のエッ
チング速度と酸素流量との関係を示す図である。
チング速度と酸素流量との関係を示す図である。
【図５】従来の半導体装置のタングステンポリサイドの
エッチング工程断面図である。
エッチング工程断面図である。
２０ Ｓｉ基板 ２１ 絶縁膜 ２２ 多結晶シリコン膜 ２３ タングステンシリサイド膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に段差を有する絶縁膜と、多結晶
シリコン膜と、タングステンシリサイド膜が積層される
半導体装置のタングステンポリサイドのエッチング方法
において、 前記タングステンシリサイド膜及び前記多結晶シリコン
膜のエッチングを第１のエッチング工程、第２のエッチ
ング工程から成し、前記第１のエッチング工程はＳ
Ｆ 6 、ＣＨ 2 Ｆ 2 、及びＣｌ 2 の混合ガス、又はＳ
Ｆ 6 、及びＣＨ 2 Ｆ 2 の混合ガスを用い、前記第２のエ
ッチング工程は、Ｃｌ 2 、及びＣＨ 2 Ｆ 2 の混合ガスを
用いて行うことを特徴とする半導体装置のタングステン
ポリサイドのエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21907791A JP3222156B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 半導体装置のタングステンポリサイドのエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21907791A JP3222156B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 半導体装置のタングステンポリサイドのエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234960A JPH05234960A (ja) | 1993-09-10 |
| JP3222156B2 true JP3222156B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=16729904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21907791A Expired - Fee Related JP3222156B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 半導体装置のタングステンポリサイドのエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3222156B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104719841A (zh) * | 2013-12-20 | 2015-06-24 | 刘艳红 | 一种海鲜酱及其制作方法 |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP21907791A patent/JP3222156B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05234960A (ja) | 1993-09-10 |
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