JPH05304119A - ポリシリコン膜のエッチング方法 - Google Patents
ポリシリコン膜のエッチング方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高段差を有するポリシリコン膜のエッチングに
おいて、段差部での残渣を皆無にし、さらに高異方性・
高選択性のエッチングを行なう。 【構成】高段差を有する第２ポリシリコン膜１５をＨＢ
ｒ＋Ａｒを主成分とするガス（Ａｒの比率は全流量の５
〜２５％）により、リアクティブ・イオン・エッチング
法を用いてエッチングする。高段差上のポリシリコン膜
は、段差部１７に残渣を残すことなく高い選択比で異方
性良くエッチングされる。
おいて、段差部での残渣を皆無にし、さらに高異方性・
高選択性のエッチングを行なう。 【構成】高段差を有する第２ポリシリコン膜１５をＨＢ
ｒ＋Ａｒを主成分とするガス（Ａｒの比率は全流量の５
〜２５％）により、リアクティブ・イオン・エッチング
法を用いてエッチングする。高段差上のポリシリコン膜
は、段差部１７に残渣を残すことなく高い選択比で異方
性良くエッチングされる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はポリシリコン膜のエッ
チング方法に関し、特に半導体装置の製造工程で形成さ
れるポリシリコン膜のドライエッチング方法に関する。
チング方法に関し、特に半導体装置の製造工程で形成さ
れるポリシリコン膜のドライエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化に伴ない、
その構造はより三次元的なものとなってきている。その
ため、高段差を有する部分に膜形成を行う工程が多くな
っている。ポリシリコン膜に関して云えば、ＤＲＡＭ
（Ｄｙｎａｍｉｃ ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓ Ｍｅｍ
ｏｒｙ）用スタックキャパシタの電極として用いられる
ものは、高段差を有する下地上に形成されている。以
下、ポリシリコン膜を用いるスタックキャパシタの下部
電極の形成方法について図４を用いて説明する。
その構造はより三次元的なものとなってきている。その
ため、高段差を有する部分に膜形成を行う工程が多くな
っている。ポリシリコン膜に関して云えば、ＤＲＡＭ
（Ｄｙｎａｍｉｃ ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓ Ｍｅｍ
ｏｒｙ）用スタックキャパシタの電極として用いられる
ものは、高段差を有する下地上に形成されている。以
下、ポリシリコン膜を用いるスタックキャパシタの下部
電極の形成方法について図４を用いて説明する。
【０００３】まず図４（ａ）に示すように、シリコン基
板１１上に選択酸化法により厚さ約３００ｎｍのフィー
ルド酸化膜１２を形成したのち、その端部上にゲート電
極に接続する配線１３を厚さ約５００ｎｍの第１ポリシ
リコン膜で形成する。次に全面に層間絶縁膜として、厚
さ１５０ｎｍのシリコン酸化膜１４を形成したのち、そ
の上にキャパシタの下部電極となる厚さ６００ｎｍの第
２ポリシリコン膜１５を形成する。この時第２ポリシリ
コン膜１５には下地の凹凸により８００ｎｍ程度の段差
部１７が生ずる。
板１１上に選択酸化法により厚さ約３００ｎｍのフィー
ルド酸化膜１２を形成したのち、その端部上にゲート電
極に接続する配線１３を厚さ約５００ｎｍの第１ポリシ
リコン膜で形成する。次に全面に層間絶縁膜として、厚
さ１５０ｎｍのシリコン酸化膜１４を形成したのち、そ
の上にキャパシタの下部電極となる厚さ６００ｎｍの第
２ポリシリコン膜１５を形成する。この時第２ポリシリ
コン膜１５には下地の凹凸により８００ｎｍ程度の段差
部１７が生ずる。
【０００４】次に、上記第１ポリシリコン膜からなる配
線１３上にフォトレジスト膜１６の端部が位置するよう
にしてフィールド酸化膜上の第２ポリシリコン膜１５を
マスクし、露出した第２ポリシリコン膜１５をリアクテ
ィブイオンエッチング（ＲＩＥ）法によりエッチングす
る。第２ポリシリコン膜１５の平坦部のエッチングが終
了した時、配線１３の側面部には、第２ポリシリコン膜
１５が厚く形成されているため、第２ポリシリコン膜の
残り１５Ａが生ずる。この第２ポリシリコン膜の残り１
５Ａを完全に除去するためには約２倍のエッチング時間
を必要とする。
線１３上にフォトレジスト膜１６の端部が位置するよう
にしてフィールド酸化膜上の第２ポリシリコン膜１５を
マスクし、露出した第２ポリシリコン膜１５をリアクテ
ィブイオンエッチング（ＲＩＥ）法によりエッチングす
る。第２ポリシリコン膜１５の平坦部のエッチングが終
了した時、配線１３の側面部には、第２ポリシリコン膜
１５が厚く形成されているため、第２ポリシリコン膜の
残り１５Ａが生ずる。この第２ポリシリコン膜の残り１
５Ａを完全に除去するためには約２倍のエッチング時間
を必要とする。
【０００５】ポリシリコン膜のエッチングにはＲＩＥ法
が主に用いられており、そのエッチング用ガスとして
は、ＣＣｌＦ3 などのフロンガス，ＣＣｌＢｒＦ2 など
のハロゲンガス，Ｃｌ2 系ガスを主成分とするガスが多
く用いられている。
が主に用いられており、そのエッチング用ガスとして
は、ＣＣｌＦ3 などのフロンガス，ＣＣｌＢｒＦ2 など
のハロゲンガス，Ｃｌ2 系ガスを主成分とするガスが多
く用いられている。
【０００６】また、半導体基板上に形成される酸化膜と
の選択性が高いこと及び異方性が高いことから、ポリシ
リコン膜のエッチング用ガスとしてＨＢｒを用いること
が、Ｌ．Ｙ．ソー（Ｔｓｏｕ）によりジャーナル オブ
ザ エレクトロケミカルソサイティ １３６巻（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉ
ｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ Ｖｏｌ．１３６）Ｎｏ．１０
１９８９ Ｐ３００３に報告されている。ＨＢｒガス
を用いてポリシリコン膜をエッチングする際、ＨＢｒガ
スのみを用いる場合やプラズマ放電を安定させるために
Ｈｅを添加する場合があるが、いずれの場合も酸化膜が
エッチングされる速度に対するポリシリコン膜がエッチ
ングされる速度を示す選択比は１００以上である。
の選択性が高いこと及び異方性が高いことから、ポリシ
リコン膜のエッチング用ガスとしてＨＢｒを用いること
が、Ｌ．Ｙ．ソー（Ｔｓｏｕ）によりジャーナル オブ
ザ エレクトロケミカルソサイティ １３６巻（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉ
ｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ Ｖｏｌ．１３６）Ｎｏ．１０
１９８９ Ｐ３００３に報告されている。ＨＢｒガス
を用いてポリシリコン膜をエッチングする際、ＨＢｒガ
スのみを用いる場合やプラズマ放電を安定させるために
Ｈｅを添加する場合があるが、いずれの場合も酸化膜が
エッチングされる速度に対するポリシリコン膜がエッチ
ングされる速度を示す選択比は１００以上である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のポリシリコン膜のエッチング用ガスのうち、Ｃ
Ｃｌ2 Ｆ2 などのフロンガスやＣＣｌＦ3 などのハロゲ
ンガスは、酸化膜との選択比が２０程度と低いため、上
記第２ポリシリコン膜をエッチングし、エッチング残り
をなくすためオーバーエッチングすると、下地の酸化膜
までエッチングされ、ソース・ドレイン拡散層の形成に
支障を生じる。
た従来のポリシリコン膜のエッチング用ガスのうち、Ｃ
Ｃｌ2 Ｆ2 などのフロンガスやＣＣｌＦ3 などのハロゲ
ンガスは、酸化膜との選択比が２０程度と低いため、上
記第２ポリシリコン膜をエッチングし、エッチング残り
をなくすためオーバーエッチングすると、下地の酸化膜
までエッチングされ、ソース・ドレイン拡散層の形成に
支障を生じる。
【０００８】次に、Ｃｌ2 系ガスでは、エッチング時の
側壁保護効果が小さいため、エッチング形状の制御が困
難となる。またＣｌ2 系ガスを用いて異方性エッチング
を行うためには、低圧力でエッチングする必要があるた
め、選択比が低下する。更にＣｌ2 系ガスは、マスクで
あるフォトレジスト膜までエッチングするため、精度の
良いパターンの形成ができないという問題もある。
側壁保護効果が小さいため、エッチング形状の制御が困
難となる。またＣｌ2 系ガスを用いて異方性エッチング
を行うためには、低圧力でエッチングする必要があるた
め、選択比が低下する。更にＣｌ2 系ガスは、マスクで
あるフォトレジスト膜までエッチングするため、精度の
良いパターンの形成ができないという問題もある。
【０００９】最後にＨＢｒガスでは、酸化膜との選択比
も１００以上と高く、かつ高い異方性でエッチングでき
るが、上述したように第２ポリシリコン膜をエッチング
した場合、図４（ａ）に示すように、側壁保護膜１９と
共に、配線１３の側面部にデポジション膜１８が付着す
る。このため、オーバーエッチングの時にこのデポジシ
ョン膜１８がマスクとなって、図４（ｂ）に示すよう
に、第２ポリシリコン膜等からなるフィラメント状の残
渣１８Ａが生じ、配線のショートやごみの発生の原因と
なり、半導体装置の信頼性及び製造歩留りを低下させる
という欠点がある。
も１００以上と高く、かつ高い異方性でエッチングでき
るが、上述したように第２ポリシリコン膜をエッチング
した場合、図４（ａ）に示すように、側壁保護膜１９と
共に、配線１３の側面部にデポジション膜１８が付着す
る。このため、オーバーエッチングの時にこのデポジシ
ョン膜１８がマスクとなって、図４（ｂ）に示すよう
に、第２ポリシリコン膜等からなるフィラメント状の残
渣１８Ａが生じ、配線のショートやごみの発生の原因と
なり、半導体装置の信頼性及び製造歩留りを低下させる
という欠点がある。
【００１０】本発明の目的は、高段差を有するポリシリ
コン膜をＲＩＥ法でエッチングする際に、マスク下のポ
リシリコン膜の形状を異方性に保ち、下地の絶縁膜をほ
とんどエッチングすることなく、段差部での残渣を皆無
にできるポリシリコン膜のエッチング方法を提供するこ
とにある。
コン膜をＲＩＥ法でエッチングする際に、マスク下のポ
リシリコン膜の形状を異方性に保ち、下地の絶縁膜をほ
とんどエッチングすることなく、段差部での残渣を皆無
にできるポリシリコン膜のエッチング方法を提供するこ
とにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のポリシリコン膜
のエッチング方法は、段差を有するポリシリコン膜をＲ
ＩＥ法でエッチングする際のエッチング用ガスとして、
少くともＨＢｒとＡｒとを含む混合ガスまたは少くとも
ＨＢｒとＡｒとＯ2 とを含む混合ガスを用いることを特
徴としている。
のエッチング方法は、段差を有するポリシリコン膜をＲ
ＩＥ法でエッチングする際のエッチング用ガスとして、
少くともＨＢｒとＡｒとを含む混合ガスまたは少くとも
ＨＢｒとＡｒとＯ2 とを含む混合ガスを用いることを特
徴としている。
【００１２】
【作用】ＨＢｒにＡｒを混合したガスを用いた場合、エ
ッチング時、段差部に形成されるデポジション物がＡｒ
イオンにたたかれて除去されるため、従来のように段差
部にフィラメント状の残渣が生じることはなくなる。反
応室に供給する混合ガスの全流量に対するＡｒの比率は
１０乃至２５％が望ましい。２５％より多いと酸化膜と
の選択比が２０以下となり、下地の酸化膜のエッチング
量が多くなる。また５％より少くなると、段差部にフィ
ラメント状の残渣を生じるようになる。
ッチング時、段差部に形成されるデポジション物がＡｒ
イオンにたたかれて除去されるため、従来のように段差
部にフィラメント状の残渣が生じることはなくなる。反
応室に供給する混合ガスの全流量に対するＡｒの比率は
１０乃至２５％が望ましい。２５％より多いと酸化膜と
の選択比が２０以下となり、下地の酸化膜のエッチング
量が多くなる。また５％より少くなると、段差部にフィ
ラメント状の残渣を生じるようになる。
【００１３】またＨＢｒにＡｒとＯ2 を混合したガスを
用いた場合は、酸化膜に対するポリシリコン膜の選択比
が増加するため、ポリシリコン膜をオーバエッチングし
た時、下地酸化膜のエッチング量を極めて少くすること
ができる。全流量に対するＯ2 の比率は２％以下が望ま
しく、２％以上になると段差部にフィラメント状の残渣
を生じる。
用いた場合は、酸化膜に対するポリシリコン膜の選択比
が増加するため、ポリシリコン膜をオーバエッチングし
た時、下地酸化膜のエッチング量を極めて少くすること
ができる。全流量に対するＯ2 の比率は２％以下が望ま
しく、２％以上になると段差部にフィラメント状の残渣
を生じる。
【００１４】
【実施例】次に本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例を
説明するための半導体チップの断面図である。
て説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例を
説明するための半導体チップの断面図である。
【００１５】まず図１（ａ）に示すように、シリコン基
板１１上に厚さ約３００ｎｍのフィールド酸化膜２を形
成する。次でこのフィールド酸化膜１２上にゲート電極
に接続する厚さ５００ｎｍの第１ポリシリコン膜からな
る配線１３を形成したのち、全面に層間絶縁膜として厚
さ１５０ｎｍのシリコン酸化膜１４と、キャパシタの下
部電極となる厚さ６００ｎｍの第２ポリシリコン膜１５
を形成する。この時シリコン酸化膜１４の側面には、配
線１３等による段差部１７が生ずる。その後、全面にフ
ォトレジスト膜１６を形成したのちフォトリソグラフィ
ー技術を用いてパターニングする。
板１１上に厚さ約３００ｎｍのフィールド酸化膜２を形
成する。次でこのフィールド酸化膜１２上にゲート電極
に接続する厚さ５００ｎｍの第１ポリシリコン膜からな
る配線１３を形成したのち、全面に層間絶縁膜として厚
さ１５０ｎｍのシリコン酸化膜１４と、キャパシタの下
部電極となる厚さ６００ｎｍの第２ポリシリコン膜１５
を形成する。この時シリコン酸化膜１４の側面には、配
線１３等による段差部１７が生ずる。その後、全面にフ
ォトレジスト膜１６を形成したのちフォトリソグラフィ
ー技術を用いてパターニングする。
【００１６】次に、図１（ｂ）に示すように、フォトレ
ジスト膜１６をマスクとし、エッチング用ガスとしてＨ
Ｂｒ，Ｈｅ及びＡｒの混合ガスを用いるＲＩＥ法により
第２ポリシリコン膜１５をエッチングする。エッチング
条件は、圧力２５０ｍＴｏｒｒ，ＲＦパワー２５０Ｗ，
ＨＢｒ流量１００ＳＣＣＭ，Ｈｅ流量８０ＳＣＣＭ，Ａ
ｒ流量２０ＳＣＣＭ，オーバーエッチング量は１５０％
である。１５０％のオーバーエッチングを行うことによ
り段差部１７における第２ポリシリコン膜１５は完全に
除去され、しかも下地のシリコン酸化膜１４の減少は３
０ｎｍ以下であり、酸化膜との高い選択性が得られた。
ジスト膜１６をマスクとし、エッチング用ガスとしてＨ
Ｂｒ，Ｈｅ及びＡｒの混合ガスを用いるＲＩＥ法により
第２ポリシリコン膜１５をエッチングする。エッチング
条件は、圧力２５０ｍＴｏｒｒ，ＲＦパワー２５０Ｗ，
ＨＢｒ流量１００ＳＣＣＭ，Ｈｅ流量８０ＳＣＣＭ，Ａ
ｒ流量２０ＳＣＣＭ，オーバーエッチング量は１５０％
である。１５０％のオーバーエッチングを行うことによ
り段差部１７における第２ポリシリコン膜１５は完全に
除去され、しかも下地のシリコン酸化膜１４の減少は３
０ｎｍ以下であり、酸化膜との高い選択性が得られた。
【００１７】また、エッチング用ガスに質量数の大きい
Ａｒを添加することにより、段差部１７にデポジション
物が生じることがなくなるため、従来のように段差部に
フィラメント状の残渣が形成されることはない。更に、
Ａｒを添加してもＨＢｒの特徴である高異方性は損なわ
れることがないため、フォトレジスト膜１６の下の第２
ポリシリコン膜１５を、アンダーカットすることなく精
度よくエッチングできる。
Ａｒを添加することにより、段差部１７にデポジション
物が生じることがなくなるため、従来のように段差部に
フィラメント状の残渣が形成されることはない。更に、
Ａｒを添加してもＨＢｒの特徴である高異方性は損なわ
れることがないため、フォトレジスト膜１６の下の第２
ポリシリコン膜１５を、アンダーカットすることなく精
度よくエッチングできる。
【００１８】添加するＡｒ流量の比率は、混合ガス全流
量の５乃至２５％が望ましい。２５％より多いと、酸化
膜との選択比が２０以下となり、下地酸化膜のエッチン
グ減りが大きくなる。一方、５％未満になると、酸化膜
との選択比は高いが、段差部にフィラメント状の残渣が
生じる。
量の５乃至２５％が望ましい。２５％より多いと、酸化
膜との選択比が２０以下となり、下地酸化膜のエッチン
グ減りが大きくなる。一方、５％未満になると、酸化膜
との選択比は高いが、段差部にフィラメント状の残渣が
生じる。
【００１９】Ａｒ流量の比率の変化に対するエッチング
レートＲの変化を左側の縦軸に、酸化膜に対するポリシ
リコン膜の選択比Ｓの変化を右側の縦軸にとって図２に
それぞれ示す。図２に示したように、Ａｒ流量が２５％
以下の場合、酸化膜との選択比は２０以上であることが
分る。また、Ａｒ流量を変化させても、ポリシリコン膜
のエッチングレートはほとんど変化しない。
レートＲの変化を左側の縦軸に、酸化膜に対するポリシ
リコン膜の選択比Ｓの変化を右側の縦軸にとって図２に
それぞれ示す。図２に示したように、Ａｒ流量が２５％
以下の場合、酸化膜との選択比は２０以上であることが
分る。また、Ａｒ流量を変化させても、ポリシリコン膜
のエッチングレートはほとんど変化しない。
【００２０】尚、上記第１の実施例においては、プラズ
マ放電を安定させるためにＨｅを添加したが、ＨＢｒと
Ａｒの混合ガスを用いても、ほぼ同様の精度でポリシリ
コン膜をエッチングすることができる。
マ放電を安定させるためにＨｅを添加したが、ＨＢｒと
Ａｒの混合ガスを用いても、ほぼ同様の精度でポリシリ
コン膜をエッチングすることができる。
【００２１】次に、第２の実施例について説明する。エ
ッチング対象のポリシリコン膜は、第１の実施例と同じ
図１（ａ）に示した第２ポリシリコン膜１５であり、本
第２の実施例ではエッチング用ガスとして、ＨＢｒ，Ｈ
ｅ，Ａｒ及びＯ2 を用いた。エッチング条件は、圧力２
５０ｍＴｏｒｒ，ＲＦパワー２５０Ｗ，ＨＢｒ流量１０
０ＳＣＣＭ，Ｈｅ流量８０ＳＣＣＭ，Ａｒ流量２０ＳＣ
ＣＭ，Ｏ2 流量１ＳＣＣＭ，オーバーエッチング量は１
５０％である。
ッチング対象のポリシリコン膜は、第１の実施例と同じ
図１（ａ）に示した第２ポリシリコン膜１５であり、本
第２の実施例ではエッチング用ガスとして、ＨＢｒ，Ｈ
ｅ，Ａｒ及びＯ2 を用いた。エッチング条件は、圧力２
５０ｍＴｏｒｒ，ＲＦパワー２５０Ｗ，ＨＢｒ流量１０
０ＳＣＣＭ，Ｈｅ流量８０ＳＣＣＭ，Ａｒ流量２０ＳＣ
ＣＭ，Ｏ2 流量１ＳＣＣＭ，オーバーエッチング量は１
５０％である。
【００２２】本第２の実施例においても、段差部１７に
おける第２ポリシリコン膜１５は完全に除去され、異方
性の高いエッチングが可能であった。エッチング用ガス
に添加するＯ2 流量は、０．５乃至４ＳＣＣＭ、つまり
全流量の２％以下が望ましく、それ以上添加すると、段
差部にフィラメント状の残渣が生じる。
おける第２ポリシリコン膜１５は完全に除去され、異方
性の高いエッチングが可能であった。エッチング用ガス
に添加するＯ2 流量は、０．５乃至４ＳＣＣＭ、つまり
全流量の２％以下が望ましく、それ以上添加すると、段
差部にフィラメント状の残渣が生じる。
【００２３】Ｏ2 流量の変化に対するエッチングレート
Ｒの変化及び酸化膜に対するポリシリコン膜の選択比Ｓ
を、左側および右側の縦軸として図３にそれぞれ示す。
図３から明らかなように、Ｏ2 を添加することにより、
ポリシリコン膜のエッチングレートが増加すると共に、
酸化膜との選択比が大となるため、第１の実施例に比べ
下地酸化膜のエッチング量をより少くできる。
Ｒの変化及び酸化膜に対するポリシリコン膜の選択比Ｓ
を、左側および右側の縦軸として図３にそれぞれ示す。
図３から明らかなように、Ｏ2 を添加することにより、
ポリシリコン膜のエッチングレートが増加すると共に、
酸化膜との選択比が大となるため、第１の実施例に比べ
下地酸化膜のエッチング量をより少くできる。
【００２４】尚、上記第２の実施例においても、プラズ
マ放電を安定化させるためにＨｅを添加したが、Ｈｅを
入れない場合であってもほぼ同様の精度でポリシリコン
膜をエッチングすることができる。
マ放電を安定化させるためにＨｅを添加したが、Ｈｅを
入れない場合であってもほぼ同様の精度でポリシリコン
膜をエッチングすることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、高い段差
を有するポリシリコン膜をＲＩＥ法によりエッチングす
る際に、エッチング用ガスとしてＨＢｒとＡｒの混合ガ
ス、またはＨＢｒとＡｒとＯ2 の混合ガスを用いること
により、段差部における残渣をなくし、しかも下地酸化
膜をほとんどエッチングすることなく、ポリシリコン膜
を高い異方性でエッチングできるという効果を有する。
このため、半導体装置の信頼性及び製造歩留りを向上さ
せることができる。
を有するポリシリコン膜をＲＩＥ法によりエッチングす
る際に、エッチング用ガスとしてＨＢｒとＡｒの混合ガ
ス、またはＨＢｒとＡｒとＯ2 の混合ガスを用いること
により、段差部における残渣をなくし、しかも下地酸化
膜をほとんどエッチングすることなく、ポリシリコン膜
を高い異方性でエッチングできるという効果を有する。
このため、半導体装置の信頼性及び製造歩留りを向上さ
せることができる。
【図１】本明の第１の実施例を説明するための半導体チ
ップの断面図。
ップの断面図。
【図２】全流量に対するＡｒの割合とエッチングレート
及び酸化膜との選択比との関係を示す図。
及び酸化膜との選択比との関係を示す図。
【図３】Ｏ2 流量とエッチングレート及び酸化膜との選
択比との関係を示す図。
択比との関係を示す図。
【図４】従来例を説明するための半導体チップの断面
図。
図。
１１ シリコン基板 １２ フィールド酸化膜 １３ 配線 １４ シリコン酸化膜 １５ 第２ポリシリコン膜 １６ フォトレジスト膜 １７ 段差部 １８ デポジション膜 １８Ａ フィラメント状の残渣 １９ 側壁保護膜
Claims (5)
- 【請求項１】 不純物拡散工程を経た半導体基板の表面
に絶縁膜を介して形成されたポリシリコン膜を所定流量
のエッチング用ガスの雰囲気を有する反応室内でイオン
エッチングする反応性イオンエッチング法によりエッチ
ングする方法において、前記エッチング用ガスとして少
くとも臭化水素（ＨＢｒ）とアルゴン（Ａｒ）を含む混
合ガスを用いることを特徴とするポリシリコン膜のエッ
チング方法。 - 【請求項２】 前記アルゴンの比率を前記流量の１０乃
至２５％とする請求項１記載のポリシリコン膜のエッチ
ング方法。 - 【請求項３】 不純物拡散工程を経た半導体基板の表面
に絶縁膜を介して形成されたポリシリコン膜を所定流量
のエッチング用ガスの雰囲気を有する反応室内でイオン
エッチングする反応性イオンエッチング法によりエッチ
ングする方法において、前記エッチング用ガスとして少
くとも臭化水素とアルゴンと酸素（Ｏ2 ）とを含む混合
ガスを用いることを特徴とするポリシリコン膜のエッチ
ング方法。 - 【請求項４】 前記アルゴンの比率を全流量の５乃至２
５％、酸素の比率を前記流量の０．２乃至２％とする請
求項３記載のポリシリコン膜のエッチング方法。 - 【請求項５】 前記混合ガスにはヘリウム（Ｈｅ）が含
まれる請求項１または請求項３記載のポリシリコン膜の
エッチング方法。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100242990B1 (ko) * | 1996-12-05 | 2000-02-01 | 김영환 | 폴리실리콘 식각방법 |
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| EP1077475A3 (en) * | 1999-08-11 | 2003-04-02 | Applied Materials, Inc. | Method of micromachining a multi-part cavity |
| US6833079B1 (en) | 2000-02-17 | 2004-12-21 | Applied Materials Inc. | Method of etching a shaped cavity |
| JP3891087B2 (ja) | 2002-09-27 | 2007-03-07 | ヤマハ株式会社 | ポリシリコンエッチング方法 |
| US7368392B2 (en) * | 2003-07-10 | 2008-05-06 | Applied Materials, Inc. | Method of fabricating a gate structure of a field effect transistor having a metal-containing gate electrode |
| TWI581304B (zh) | 2011-07-27 | 2017-05-01 | 日立全球先端科技股份有限公司 | Plasma etching apparatus and dry etching method |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6065533A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-04-15 | Hitachi Ltd | ドライエッチング方法 |
| US4490209B2 (en) * | 1983-12-27 | 2000-12-19 | Texas Instruments Inc | Plasma etching using hydrogen bromide addition |
| KR930001500B1 (ko) * | 1988-02-09 | 1993-03-02 | 후지쓰 가부시끼가이샤 | 취화수소 또는 취소로 건식 식각하는 방법 |
| US4818334A (en) * | 1988-03-15 | 1989-04-04 | General Electric Company | Method of etching a layer including polysilicon |
| US5007982A (en) * | 1988-07-11 | 1991-04-16 | North American Philips Corporation | Reactive ion etching of silicon with hydrogen bromide |
| US5013398A (en) * | 1990-05-29 | 1991-05-07 | Micron Technology, Inc. | Anisotropic etch method for a sandwich structure |
| US5160407A (en) * | 1991-01-02 | 1992-11-03 | Applied Materials, Inc. | Low pressure anisotropic etch process for tantalum silicide or titanium silicide layer formed over polysilicon layer deposited on silicon oxide layer on semiconductor wafer |
| JPH04298035A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-21 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマエッチング方法 |
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-
1992
- 1992-03-02 JP JP04044247A patent/JP3088178B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-07 US US07/865,034 patent/US5318665A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-04-16 EP EP19920303434 patent/EP0514013A3/en not_active Withdrawn
- 1992-04-22 KR KR1019920006720A patent/KR970001203B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100242990B1 (ko) * | 1996-12-05 | 2000-02-01 | 김영환 | 폴리실리콘 식각방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0514013A2 (en) | 1992-11-19 |
| US5318665A (en) | 1994-06-07 |
| EP0514013A3 (en) | 1993-08-18 |
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| KR970001203B1 (ko) | 1997-01-29 |
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