JP3383939B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
- Publication number
- JP3383939B2 JP3383939B2 JP2000017685A JP2000017685A JP3383939B2 JP 3383939 B2 JP3383939 B2 JP 3383939B2 JP 2000017685 A JP2000017685 A JP 2000017685A JP 2000017685 A JP2000017685 A JP 2000017685A JP 3383939 B2 JP3383939 B2 JP 3383939B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- gas
- insulating film
- dry etching
- bromine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 92
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 23
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 16
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 56
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- ATDGTVJJHBUTRL-UHFFFAOYSA-N cyanogen bromide Chemical compound BrC#N ATDGTVJJHBUTRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はドライエッチング方
法に係わり、特に半導体ウエハに半導体デバイス構造を
形成する際のドライエッチング方法に関するものであ
る。
法に係わり、特に半導体ウエハに半導体デバイス構造を
形成する際のドライエッチング方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスで絶縁膜として一般的に
用いられている材料はＳｉＯ2 である。特に層間膜とし
て使用されているため、コンタクトホール（ビアホー
ル）や溝配線用の溝の形成など半導体デバイスのドライ
エッチング工程の中で最も用途が多い。
用いられている材料はＳｉＯ2 である。特に層間膜とし
て使用されているため、コンタクトホール（ビアホー
ル）や溝配線用の溝の形成など半導体デバイスのドライ
エッチング工程の中で最も用途が多い。
【０００３】その中でエッチング深さを均一にするため
に用いられるストッパー膜（エッチングの進行を選択的
にそこで止めるための膜）としてはＳｉ3 Ｎ4 （窒化シ
リコン膜）が最も多く用いられる。それは、膜としての
安定性、ＳｉＯ2 膜との相性、耐熱性、絶縁性等、総合
的に見て絶縁膜のエッチングストッパ膜として最も優れ
た膜であるからである。
に用いられるストッパー膜（エッチングの進行を選択的
にそこで止めるための膜）としてはＳｉ3 Ｎ4 （窒化シ
リコン膜）が最も多く用いられる。それは、膜としての
安定性、ＳｉＯ2 膜との相性、耐熱性、絶縁性等、総合
的に見て絶縁膜のエッチングストッパ膜として最も優れ
た膜であるからである。
【０００４】そして、現在一般的にＳｉＯ2 エッチング
で用いられているガスはＣｘＦｙ（ｘ、ｙは正の整数）
主体のガスである。またこの主体のガスに、必要に応じ
てアルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ2 ）、一酸化炭素（Ｃ
Ｏ）等が加えられる。
で用いられているガスはＣｘＦｙ（ｘ、ｙは正の整数）
主体のガスである。またこの主体のガスに、必要に応じ
てアルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ2 ）、一酸化炭素（Ｃ
Ｏ）等が加えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように絶縁膜の
エッチングストッパとして最も多く用いられているのが
Ｓｉ3 Ｎ4 であるが、現在一般的に行われているＳｉＯ
2 エッチングプロセスでは十分な高選択性が得られてい
ない。
エッチングストッパとして最も多く用いられているのが
Ｓｉ3 Ｎ4 であるが、現在一般的に行われているＳｉＯ
2 エッチングプロセスでは十分な高選択性が得られてい
ない。
【０００６】その理由は半導体デバイス構造上から次の
２点が挙げられる。第１の理由は、最近用いられている
コンタクトホールはアスペクト比が極めて高いため、ホ
ール底部ではデポジション成分が侵入しにくく、十分な
保護効果が得られないことである。第２の理由は、Ｓｉ
3 Ｎ4 が絶縁性といってもＳｉＯ2 に比べると誘電率が
高いために、コンタクトホールの外側では絶縁膜の一部
となるＳｉ3 Ｎ4 はできるだけ薄く成膜される（５０ｎ
ｍ程度）からである。そのため要求される選択性は５０
〜１００程度の極めて高い数字になる。これらの理由か
ら、絶縁膜エッチングにおけるＳｉ3 Ｎ4 との選択比は
ほぼ無限大に近い選択比が要求されるが、現状のエッチ
ング方法では達成することが極めて困難である。
２点が挙げられる。第１の理由は、最近用いられている
コンタクトホールはアスペクト比が極めて高いため、ホ
ール底部ではデポジション成分が侵入しにくく、十分な
保護効果が得られないことである。第２の理由は、Ｓｉ
3 Ｎ4 が絶縁性といってもＳｉＯ2 に比べると誘電率が
高いために、コンタクトホールの外側では絶縁膜の一部
となるＳｉ3 Ｎ4 はできるだけ薄く成膜される（５０ｎ
ｍ程度）からである。そのため要求される選択性は５０
〜１００程度の極めて高い数字になる。これらの理由か
ら、絶縁膜エッチングにおけるＳｉ3 Ｎ4 との選択比は
ほぼ無限大に近い選択比が要求されるが、現状のエッチ
ング方法では達成することが極めて困難である。
【０００７】このように従来のエッチング方法において
Ｓｉ3 Ｎ4 に対して高選択性が得られなかったのは、主
要なガスとしてＣｘＦｙガスを用いるためにその活性種
がＳｉ3 Ｎ4 に触れると表面ではまずＣがＮを引き抜
き、フリーになったＳｉにＦが攻撃するというパターン
でエッチングが進んでしまうからであると考えられる。
（ＣＮ）ｘもＳｉＦ4 も高蒸気圧物質であるので反応が
起これば、エッチングは進んでしまう。
Ｓｉ3 Ｎ4 に対して高選択性が得られなかったのは、主
要なガスとしてＣｘＦｙガスを用いるためにその活性種
がＳｉ3 Ｎ4 に触れると表面ではまずＣがＮを引き抜
き、フリーになったＳｉにＦが攻撃するというパターン
でエッチングが進んでしまうからであると考えられる。
（ＣＮ）ｘもＳｉＦ4 も高蒸気圧物質であるので反応が
起これば、エッチングは進んでしまう。
【０００８】したがって本発明の目的はこのような従来
技術の問題点を解決した有効なドライエッチング方法を
提供することである。
技術の問題点を解決した有効なドライエッチング方法を
提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、エッチ
ングストッパとしてＳｉ３ Ｎ４ を有する半導体デバ
イス構造の酸化シリコン膜、フッ素を含有した酸化シリ
コン膜、又は有機ＳＯＧ膜等の酸化シリコン系の絶縁膜
をエッチングしてコンタクトホールを形成するドライエ
ッチング方法において、前記絶縁膜の表面からヨウ素、
塩素、臭素を含まない第１のエッチングガスでエンチン
グを行って前記コンタクトホールの上部分を形成し、そ
の後、前記Ｓｉ ３ Ｎ ４ に達するまで分子中にヨウ素
を含むガスを添加した第２のエッチングガスでエッチン
グを行って前記コンタクトホールの下部分を形成する２
段階エッチング方法を用いるドライエッチング方法にあ
る。但し、含有量としてはエッチングガス中のヨウ素と
炭素の比（Ｉ／Ｃ）が０．３≦（Ｉ／Ｃ）≦１．５であ
るような混合比とする。ここで、前記ヨウ素を含むガス
は、ＨＩガス、若しくはＣｘＨｙＩｚ（ｘ、ｙ、ｚは正
の整数）の構成を有するガスであることができる。
ングストッパとしてＳｉ３ Ｎ４ を有する半導体デバ
イス構造の酸化シリコン膜、フッ素を含有した酸化シリ
コン膜、又は有機ＳＯＧ膜等の酸化シリコン系の絶縁膜
をエッチングしてコンタクトホールを形成するドライエ
ッチング方法において、前記絶縁膜の表面からヨウ素、
塩素、臭素を含まない第１のエッチングガスでエンチン
グを行って前記コンタクトホールの上部分を形成し、そ
の後、前記Ｓｉ ３ Ｎ ４ に達するまで分子中にヨウ素
を含むガスを添加した第２のエッチングガスでエッチン
グを行って前記コンタクトホールの下部分を形成する２
段階エッチング方法を用いるドライエッチング方法にあ
る。但し、含有量としてはエッチングガス中のヨウ素と
炭素の比（Ｉ／Ｃ）が０．３≦（Ｉ／Ｃ）≦１．５であ
るような混合比とする。ここで、前記ヨウ素を含むガス
は、ＨＩガス、若しくはＣｘＨｙＩｚ（ｘ、ｙ、ｚは正
の整数）の構成を有するガスであることができる。
【００１０】本発明の他の特徴は、エッチングストッパ
としてＳｉ３ Ｎ４ を有する半導体デバイス構造の酸
化シリコン膜、フッ素を含有した酸化シリコン膜、又は
有機ＳＯＧ膜等の酸化シリコン系の絶縁膜をエッチング
してコンタクトホールを形成するドライエッチング方法
において、前記絶縁膜の表面からヨウ素、塩素、臭素を
含まない第１のエッチングガスでエンチングを行って前
記コンタクトホールの上部分を形成し、その後、前記Ｓ
ｉ ３ Ｎ ４ に達するまで分子中に塩素、又は臭素を含
むガスを添加した第２のエッチングガスでエッチングを
行って前記コンタクトホールの下部分を形成する２段階
エッチング方法を用いるドライエッチング方法にある。
但し、含有量としてはエッチングガス中の塩素、又は臭
素と炭素の比（Ｃｌ（又はＢｒ）／Ｃ）が０．３≦（Ｃ
ｌ（又はＢｒ）／Ｃ）≦１．５であるような混合比とす
る。ここで、前記塩素、又は臭素を含むガスは、Ｃｌ２
ガス、ＨＣｌガス、Ｂｒ２ ガス、若しくはＨＢｒガス
であることができる。
としてＳｉ３ Ｎ４ を有する半導体デバイス構造の酸
化シリコン膜、フッ素を含有した酸化シリコン膜、又は
有機ＳＯＧ膜等の酸化シリコン系の絶縁膜をエッチング
してコンタクトホールを形成するドライエッチング方法
において、前記絶縁膜の表面からヨウ素、塩素、臭素を
含まない第１のエッチングガスでエンチングを行って前
記コンタクトホールの上部分を形成し、その後、前記Ｓ
ｉ ３ Ｎ ４ に達するまで分子中に塩素、又は臭素を含
むガスを添加した第２のエッチングガスでエッチングを
行って前記コンタクトホールの下部分を形成する２段階
エッチング方法を用いるドライエッチング方法にある。
但し、含有量としてはエッチングガス中の塩素、又は臭
素と炭素の比（Ｃｌ（又はＢｒ）／Ｃ）が０．３≦（Ｃ
ｌ（又はＢｒ）／Ｃ）≦１．５であるような混合比とす
る。ここで、前記塩素、又は臭素を含むガスは、Ｃｌ２
ガス、ＨＣｌガス、Ｂｒ２ ガス、若しくはＨＢｒガス
であることができる。
【００１１】さらに上記した方法を絶縁膜にアスペクト
比が２０以下のコンタクトホールを形成するときに用い
ることが好ましい。
比が２０以下のコンタクトホールを形成するときに用い
ることが好ましい。
【００１２】
【００１３】このような本発明のドライエッチング方法
によれば、エッチングガス中に含まれるヨウ素がＳｉ3
Ｎ4 上でＣＮＩという低蒸気圧物質を形成し、エッチン
グを抑止する。また、塩素或いは臭素を含むガスを用い
た場合にはＣＮＣｌ或いはＣＮＢｒという比較的低蒸気
圧な物質を形成しエッチングを抑止する。
によれば、エッチングガス中に含まれるヨウ素がＳｉ3
Ｎ4 上でＣＮＩという低蒸気圧物質を形成し、エッチン
グを抑止する。また、塩素或いは臭素を含むガスを用い
た場合にはＣＮＣｌ或いはＣＮＢｒという比較的低蒸気
圧な物質を形成しエッチングを抑止する。
【００１４】いずれの場合においても被エッチング材料
であるＳｉＯ2 や酸化シリコンにフッ素を含有させて誘
電率を低下させたＳｉＯＦ、或いは有機ＳＯＧ上では低
蒸気圧物質を生成しないため、高エッチングレートを得
ることができる。
であるＳｉＯ2 や酸化シリコンにフッ素を含有させて誘
電率を低下させたＳｉＯＦ、或いは有機ＳＯＧ上では低
蒸気圧物質を生成しないため、高エッチングレートを得
ることができる。
【００１５】また、最近用いられるようになったＣｘＨ
ｙＦｚ（ｘ、ｙ、ｚは正の整数）ガスを加える系では更
に蒸気圧の高いＮＨ3 が生成するため、Ｓｉ3 Ｎ4 に対
して高選択性を保つことは極めて困難であるが、ヨウ素
を含むガスを用いた場合にはこの系においても蒸気圧の
低いＮＨ4 Ｉを形成しエッチングを抑止する。
ｙＦｚ（ｘ、ｙ、ｚは正の整数）ガスを加える系では更
に蒸気圧の高いＮＨ3 が生成するため、Ｓｉ3 Ｎ4 に対
して高選択性を保つことは極めて困難であるが、ヨウ素
を含むガスを用いた場合にはこの系においても蒸気圧の
低いＮＨ4 Ｉを形成しエッチングを抑止する。
【００１６】含有量としてエッチングガス中のヨウ素と
炭素の比（Ｉ／Ｃ）が０．３≦（Ｉ／Ｃ）≦１．５であ
るという範囲を設定した理由は、その効果にアスペクト
比依存性があり、アスペクト比が大きいものほどＩ／Ｃ
比を高く設定する必要があることによる。すなわち、本
発明の発明者の種々の実験・調査によれば、パッドパタ
ーンのような平坦で大きなパターンをエッチングする際
にはＩ／Ｃ＝０．３で十分なエッチング抑止効果を得た
が、現在用いられている半導体デバイスにおいて最も大
きいアスペクト比であるアスペクト比２０（例えば、ホ
ール径０．１５μｍ／深さ３．０μｍ）のコンタクトホ
ール底部のＳｉ3 Ｎ4 で十分なエッチング抑止効果を得
るにはＩ／Ｃ＝１．５が必要であった。そして、上記エ
ッチング抑止効果はホール径よりもアスペクト比に依存
していることも実験で確認した。このことは実施の形態
において説明する。
炭素の比（Ｉ／Ｃ）が０．３≦（Ｉ／Ｃ）≦１．５であ
るという範囲を設定した理由は、その効果にアスペクト
比依存性があり、アスペクト比が大きいものほどＩ／Ｃ
比を高く設定する必要があることによる。すなわち、本
発明の発明者の種々の実験・調査によれば、パッドパタ
ーンのような平坦で大きなパターンをエッチングする際
にはＩ／Ｃ＝０．３で十分なエッチング抑止効果を得た
が、現在用いられている半導体デバイスにおいて最も大
きいアスペクト比であるアスペクト比２０（例えば、ホ
ール径０．１５μｍ／深さ３．０μｍ）のコンタクトホ
ール底部のＳｉ3 Ｎ4 で十分なエッチング抑止効果を得
るにはＩ／Ｃ＝１．５が必要であった。そして、上記エ
ッチング抑止効果はホール径よりもアスペクト比に依存
していることも実験で確認した。このことは実施の形態
において説明する。
【００１７】また、ヨウ素を含むガスの代わりに同じハ
ロゲン元素である塩素或いは臭素を含むガスを用いても
同様の作用効果を有することを確認した。
ロゲン元素である塩素或いは臭素を含むガスを用いても
同様の作用効果を有することを確認した。
【００１８】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。第１の実施の形態のサンプル
の断面図を図１（Ａ）に示す。すなわち図１（Ａ）は半
導体基板上の下層配線層１１上にＳｉ3 Ｎ4 １２、Ｓｉ
Ｏ2 １３を形成し、ＰＲ（フォトレジスト）１４のパタ
ーンをマスクにし、Ｓｉ3 Ｎ4 １２をエッチングストッ
パとして、下層配線層に達するコンタクトホールを形成
するためにＳｉＯ2 １３に異方性エッチングのドライエ
ッチングを施すサンプルである。
図面を参照して説明する。第１の実施の形態のサンプル
の断面図を図１（Ａ）に示す。すなわち図１（Ａ）は半
導体基板上の下層配線層１１上にＳｉ3 Ｎ4 １２、Ｓｉ
Ｏ2 １３を形成し、ＰＲ（フォトレジスト）１４のパタ
ーンをマスクにし、Ｓｉ3 Ｎ4 １２をエッチングストッ
パとして、下層配線層に達するコンタクトホールを形成
するためにＳｉＯ2 １３に異方性エッチングのドライエ
ッチングを施すサンプルである。
【００１９】ＰＲの膜厚は７００ｎｍ、ＳｉＯ2 の膜厚
は１５００ｎｍ、Ｓｉ3 Ｎ4 の膜厚は５０ｎｍである。
は１５００ｎｍ、Ｓｉ3 Ｎ4 の膜厚は５０ｎｍである。
【００２０】このサンプルを用いて、ドライエッチング
した場合のプロセスガスのＩ／Ｃ比とＳｉ3 Ｎ4 エッチ
レートについて調査した。本サンプルはＫｒＦ露光によ
りホール径０．３μｍに解像しているので、エッチング
後のアスペクト比は５ということになる。
した場合のプロセスガスのＩ／Ｃ比とＳｉ3 Ｎ4 エッチ
レートについて調査した。本サンプルはＫｒＦ露光によ
りホール径０．３μｍに解像しているので、エッチング
後のアスペクト比は５ということになる。
【００２１】プロセスガスのＩ／Ｃ比を変えてホール底
部のＳｉ3 Ｎ4 エッチングレートを測定すると、Ｉ／Ｃ
比を増加させるほどホール底部のＳｉ3 Ｎ4 エッチング
レートは低下し、本構造においてはＩ／Ｃ比０．６５で
エッチングが全く進行しなくなった。プロセスガスのＩ
／Ｃ比とＳｉ3 Ｎ4 エッチングレートの関係は図１
（Ｂ）のようになった。ここで、ホール底部のＳｉ3 Ｎ
4 のエッチレートが０（ゼロ）になるＩ／Ｃ比をＳ値と
定義する。
部のＳｉ3 Ｎ4 エッチングレートを測定すると、Ｉ／Ｃ
比を増加させるほどホール底部のＳｉ3 Ｎ4 エッチング
レートは低下し、本構造においてはＩ／Ｃ比０．６５で
エッチングが全く進行しなくなった。プロセスガスのＩ
／Ｃ比とＳｉ3 Ｎ4 エッチングレートの関係は図１
（Ｂ）のようになった。ここで、ホール底部のＳｉ3 Ｎ
4 のエッチレートが０（ゼロ）になるＩ／Ｃ比をＳ値と
定義する。
【００２２】ＳｉＯ2 の膜厚、ホール径を様々に変え
て、アスペクト比と先述のＳ値との関係を調べると図１
（Ｃ）に示すように、ほぼ正比例の関係（Ｓ値＝０．０
６×アスペクト比＋０．３）にある事が分かった。ここ
で、半導体デバイスで実質的に必要となるアスペクト比
は２０以下であるから、対Ｓｉ3 Ｎ4 高選択エッチング
に有効なＩ／Ｃ比を０．３以上１．５以下であることが
判明した。
て、アスペクト比と先述のＳ値との関係を調べると図１
（Ｃ）に示すように、ほぼ正比例の関係（Ｓ値＝０．０
６×アスペクト比＋０．３）にある事が分かった。ここ
で、半導体デバイスで実質的に必要となるアスペクト比
は２０以下であるから、対Ｓｉ3 Ｎ4 高選択エッチング
に有効なＩ／Ｃ比を０．３以上１．５以下であることが
判明した。
【００２３】次に図２を参照して本発明の第２の実施の
形態について説明する。ＰＲ（レジストマスク）１４に
て幅０．３μｍ溝配線用の溝を形成する場合を示す。エ
ッチング前の形状を図２（Ａ）に示す。
形態について説明する。ＰＲ（レジストマスク）１４に
て幅０．３μｍ溝配線用の溝を形成する場合を示す。エ
ッチング前の形状を図２（Ａ）に示す。
【００２４】エッチングストッパ用に膜厚５０ｎｍのＳ
ｉ3 Ｎ4が形成され、その上に層間膜として膜厚１５０
０ｎｍのＳｉＯ2 が形成されている。
ｉ3 Ｎ4が形成され、その上に層間膜として膜厚１５０
０ｎｍのＳｉＯ2 が形成されている。
【００２５】フォトレジストマスク（ＰＲ）は膜厚７０
０ｎｍで、ＫｒＦ露光により幅０．３μｍに解像した。
フォトレジストは現像処理後のベークで１２０℃の処理
を行った。
０ｎｍで、ＫｒＦ露光により幅０．３μｍに解像した。
フォトレジストは現像処理後のベークで１２０℃の処理
を行った。
【００２６】異方性エッチングに用いた装置は一般的な
平行平板ＲＩＥ装置であり、エッチング条件はＣ4 Ｆ8
／ＣＯ／Ａｒ／ＨＩ＝３０／７０／３００／１２０（ｓ
ｃｃｍ）、圧力２０ｍＴｏｒｒ， ステージ温度２０℃
にて行った。本条件におけるＩ／Ｃ比は０．６３であ
る。本条件によればＳｉＯ2 エッチレート：６２０ｎｍ
／ｍｉｎ、ＳｉＯ2 ／ＰＲ選択比は１２である。
平行平板ＲＩＥ装置であり、エッチング条件はＣ4 Ｆ8
／ＣＯ／Ａｒ／ＨＩ＝３０／７０／３００／１２０（ｓ
ｃｃｍ）、圧力２０ｍＴｏｒｒ， ステージ温度２０℃
にて行った。本条件におけるＩ／Ｃ比は０．６３であ
る。本条件によればＳｉＯ2 エッチレート：６２０ｎｍ
／ｍｉｎ、ＳｉＯ2 ／ＰＲ選択比は１２である。
【００２７】オーバーエッチ量をＳｉＯ2 膜厚に対して
５０％としてエッチング時間を設定した。
５０％としてエッチング時間を設定した。
【００２８】エッチング後形状の模式図を図２（Ｂ）に
示す。ホール底部のＳｉ3 Ｎ4 削れは確認されず、デポ
ジションが１８ｎｍ堆積していた。オーバーエッチ量を
１００％としてエッチング時間を設定しても堆積するデ
ポジション膜厚が増加するだけで、ホール底部のＳｉ3
Ｎ4 削れは確認されなかった。また、エッチング後の寸
法変化量を示すＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓ
ｉｏｎ）差も±４ｎｍ以内と良好であった。尚この後、
底部に露出するＳｉ3 Ｎ4 をウエットエッチング等で除
去して下層配線層１１に達するコンタクトホールが完成
する。
示す。ホール底部のＳｉ3 Ｎ4 削れは確認されず、デポ
ジションが１８ｎｍ堆積していた。オーバーエッチ量を
１００％としてエッチング時間を設定しても堆積するデ
ポジション膜厚が増加するだけで、ホール底部のＳｉ3
Ｎ4 削れは確認されなかった。また、エッチング後の寸
法変化量を示すＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓ
ｉｏｎ）差も±４ｎｍ以内と良好であった。尚この後、
底部に露出するＳｉ3 Ｎ4 をウエットエッチング等で除
去して下層配線層１１に達するコンタクトホールが完成
する。
【００２９】次に図３を参照して本発明の第３の実施の
形態について説明する。この第３の実施の形態は、レジ
ストマスクにてホール寸法が０．２０μｍのＳＡＣ（Ｓ
ｅｌｆ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｎｔａｃｔ）を形成する
場合である。エッチング前の形状を図３（Ａ）に示す。
形態について説明する。この第３の実施の形態は、レジ
ストマスクにてホール寸法が０．２０μｍのＳＡＣ（Ｓ
ｅｌｆ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｎｔａｃｔ）を形成する
場合である。エッチング前の形状を図３（Ａ）に示す。
【００３０】図３（Ａ）において、半導体基板１５上に
ゲート絶縁膜１７を介して、一対のゲート電極が膜厚２
００ｎｍのＰｏｌｙ−Ｓｉを下膜１８とし、その上の膜
厚２００ｎｍのＷＳｉを上膜１９として形成され、ゲー
ト電極間の半導体基板の部分にソース・ドレイン領域１
６が形成されている。
ゲート絶縁膜１７を介して、一対のゲート電極が膜厚２
００ｎｍのＰｏｌｙ−Ｓｉを下膜１８とし、その上の膜
厚２００ｎｍのＷＳｉを上膜１９として形成され、ゲー
ト電極間の半導体基板の部分にソース・ドレイン領域１
６が形成されている。
【００３１】ゲート電極を被覆するＳｉ3 Ｎ4 はゲート
直上で２５０ｎｍ、側壁部で５０ｎｍ程度の膜厚があ
る。ＳｉＯ2 は１２００ｎｍの膜厚に形成されている。
フォトレジストマスクは膜厚６００ｎｍで、ＫｒＦ露光
により径０．２０μｍに解像した。
直上で２５０ｎｍ、側壁部で５０ｎｍ程度の膜厚があ
る。ＳｉＯ2 は１２００ｎｍの膜厚に形成されている。
フォトレジストマスクは膜厚６００ｎｍで、ＫｒＦ露光
により径０．２０μｍに解像した。
【００３２】エッチングに用いた装置は一般的な平行平
板ＲＩＥ装置であり、異方性エッチングであるドライエ
ッチング条件は、Ｃ4 Ｆ8 ／Ａｒ／Ｏ2 ／ＣＨ2 Ｆ2 ／
ＨＩ＝３０／２００／３／５／６０（ｓｃｃｃｍ）、圧
力２０ｍＴｏｒｒ、ステージ温度２０℃にて行った。本
条件におけるＩ／Ｃ比は０．４８である。
板ＲＩＥ装置であり、異方性エッチングであるドライエ
ッチング条件は、Ｃ4 Ｆ8 ／Ａｒ／Ｏ2 ／ＣＨ2 Ｆ2 ／
ＨＩ＝３０／２００／３／５／６０（ｓｃｃｃｍ）、圧
力２０ｍＴｏｒｒ、ステージ温度２０℃にて行った。本
条件におけるＩ／Ｃ比は０．４８である。
【００３３】本条件によればＳｉＯ2 エッチレート：５
６０ｎｍ／ｍｉｎ、ＳｉＯ2 ／ＰＲ選択比は１５であ
る。オーバーエッチ量をＳｉＯ2 膜厚に対して５０％と
してエッチング時間を設定した。エッチング後形状の模
式図を図３（Ｂ）に示す。ゲート電極肩部のＳｉ3 Ｎ4
削れは１０ｎｍ程度確認された。そこで添加するＨＩ流
量を７２ｓｃｃｍとし、Ｉ／Ｃ比を０．５８としたとこ
ろ、ゲート電極肩部のＳｉ3 Ｎ4 削れ量は全く確認され
なくなった。
６０ｎｍ／ｍｉｎ、ＳｉＯ2 ／ＰＲ選択比は１５であ
る。オーバーエッチ量をＳｉＯ2 膜厚に対して５０％と
してエッチング時間を設定した。エッチング後形状の模
式図を図３（Ｂ）に示す。ゲート電極肩部のＳｉ3 Ｎ4
削れは１０ｎｍ程度確認された。そこで添加するＨＩ流
量を７２ｓｃｃｍとし、Ｉ／Ｃ比を０．５８としたとこ
ろ、ゲート電極肩部のＳｉ3 Ｎ4 削れ量は全く確認され
なくなった。
【００３４】ＳＡＣエッチングの際のゲート肩部はスパ
ッタ効率が高く、イオンの物理的作用によりエッチング
されやすいため、エッチング抑止物の生成効率を上げる
必要がある。実験によればＨＩ流量を図１（Ｃ）のＳ値
に対し、少なくとも２０％増加させることによりＳｉ3
Ｎ4 エッチングを完全に抑止することができる。尚この
後、ソース・ドレイン領域１６上のＳｉ3 Ｎ4 をＣＨＦ
3 ／Ｏ2 ／Ａｒの３元素ガスを用いたドライエッチング
で除去してソース・ドレイン領域１６に達するコンタク
トホールが完成する。
ッタ効率が高く、イオンの物理的作用によりエッチング
されやすいため、エッチング抑止物の生成効率を上げる
必要がある。実験によればＨＩ流量を図１（Ｃ）のＳ値
に対し、少なくとも２０％増加させることによりＳｉ3
Ｎ4 エッチングを完全に抑止することができる。尚この
後、ソース・ドレイン領域１６上のＳｉ3 Ｎ4 をＣＨＦ
3 ／Ｏ2 ／Ａｒの３元素ガスを用いたドライエッチング
で除去してソース・ドレイン領域１６に達するコンタク
トホールが完成する。
【００３５】尚、上記した実施の形態ではヨウ素を含む
ガスとしてＨＩガスを例示したが、ＣｘＨｙＩｚ（ｘ、
ｙ、ｚは正の整数）の構成を有するガスの場合も同様で
あった。
ガスとしてＨＩガスを例示したが、ＣｘＨｙＩｚ（ｘ、
ｙ、ｚは正の整数）の構成を有するガスの場合も同様で
あった。
【００３６】また、第１の実施の形態を含む実施の形態
ではエッチングガスとして分子中にヨウ素を含むガスの
場合を例示したが、Ｃｌ2 ガス、ＨＣｌガス、Ｂｒ2 ガ
ス、若しくはＨＢｒガスにより、エッチングガスとして
分子中に塩素、又は臭素を含むガスとした場合も同様で
あった。この場合は、図１（Ｂ）の横軸のＩ／ＣがＣｌ
（又はＢｒ）／Ｃとなる。
ではエッチングガスとして分子中にヨウ素を含むガスの
場合を例示したが、Ｃｌ2 ガス、ＨＣｌガス、Ｂｒ2 ガ
ス、若しくはＨＢｒガスにより、エッチングガスとして
分子中に塩素、又は臭素を含むガスとした場合も同様で
あった。この場合は、図１（Ｂ）の横軸のＩ／ＣがＣｌ
（又はＢｒ）／Ｃとなる。
【００３７】また、ドライエッチングをされる絶縁膜と
してＳｉＯ2 を例示したが、ドライエッチングをされる
絶縁膜がＳｉＯＦの場合も上記実施の形態と同様であっ
た。さらに、ドライエッチングをされる絶縁膜が酸化シ
リコンにメチル基等がついただけの有機ＳＯＧの場合も
エッチングメカニズムが酸化シリコンとほぼ同じである
から、上記実施の形態と同様であった。尚、有機ＳＯＧ
は、ＭＳＱ（Ｍｅｔｙｌｅ Ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａ
ｎｅ）、ＨＯＳＰ（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｏｒｇａｎｏ Ｓ
ｉｌｏｘａｎｅ Ｐｏｌｙｍｅｒ）等である。
してＳｉＯ2 を例示したが、ドライエッチングをされる
絶縁膜がＳｉＯＦの場合も上記実施の形態と同様であっ
た。さらに、ドライエッチングをされる絶縁膜が酸化シ
リコンにメチル基等がついただけの有機ＳＯＧの場合も
エッチングメカニズムが酸化シリコンとほぼ同じである
から、上記実施の形態と同様であった。尚、有機ＳＯＧ
は、ＭＳＱ（Ｍｅｔｙｌｅ Ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａ
ｎｅ）、ＨＯＳＰ（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｏｒｇａｎｏ Ｓ
ｉｌｏｘａｎｅ Ｐｏｌｙｍｅｒ）等である。
【００３８】さらに実施の形態では、絶縁膜１３の表面
からＳｉ3 Ｎ4 １２に達するまで実施の形態に示した本
発明のエッチングガスによるエッチングを行った。
からＳｉ3 Ｎ4 １２に達するまで実施の形態に示した本
発明のエッチングガスによるエッチングを行った。
【００３９】しかし、深いコンタクトホールをエッチン
グすることとＳｉ3 Ｎ4 との選択性をとることとの両立
が困難の場合は、前半のエッチングに、従来より用いら
れているＣ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ／Ｏ2 の４元素ガス等、
ヨウ素、塩素、臭素を含まないエッチングガスを用い、
後半のエッチング、すなわちＳｉ3 Ｎ4 との選択性が問
題となるエッチングに本発明のエッチングガスを用いる
こともできる。
グすることとＳｉ3 Ｎ4 との選択性をとることとの両立
が困難の場合は、前半のエッチングに、従来より用いら
れているＣ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ／Ｏ2 の４元素ガス等、
ヨウ素、塩素、臭素を含まないエッチングガスを用い、
後半のエッチング、すなわちＳｉ3 Ｎ4 との選択性が問
題となるエッチングに本発明のエッチングガスを用いる
こともできる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、ＳｉＯ2 等の絶縁
膜のエッチングガスとして分子中にヨウ素を含むガス
（ＨＩ，或いはＣｘＨｙＩｚの構成を持つガス）をエッ
チングガス中のヨウ素と炭素の比（Ｉ／Ｃ）が０．３≦
（Ｉ／Ｃ）≦１．５になるような混合比で添加し、ドラ
イエッチングを施すことにより、Ｓｉ3 Ｎ4 に対してほ
ぼ無限大に近い選択比を有する絶縁膜エッチングが可能
になる。ここでヨウ素を含むガスの代わりに同じハロゲ
ン元素である塩素或いは臭素を含むガスを用いても同様
の効果が得られる。
膜のエッチングガスとして分子中にヨウ素を含むガス
（ＨＩ，或いはＣｘＨｙＩｚの構成を持つガス）をエッ
チングガス中のヨウ素と炭素の比（Ｉ／Ｃ）が０．３≦
（Ｉ／Ｃ）≦１．５になるような混合比で添加し、ドラ
イエッチングを施すことにより、Ｓｉ3 Ｎ4 に対してほ
ぼ無限大に近い選択比を有する絶縁膜エッチングが可能
になる。ここでヨウ素を含むガスの代わりに同じハロゲ
ン元素である塩素或いは臭素を含むガスを用いても同様
の効果が得られる。
【００４１】本発明の方法ではエッチングガス中に含ま
れるヨウ素がＳｉ3 Ｎ4 上でＣＮＩという低蒸気圧物質
を形成することでエッチングを抑止する。また、塩素或
いは臭素を含むガスを用いた場合にはＣＮＣｌ或いはＣ
ＮＢｒという比較的低蒸気圧な物質を形成しエッチング
を抑止する。
れるヨウ素がＳｉ3 Ｎ4 上でＣＮＩという低蒸気圧物質
を形成することでエッチングを抑止する。また、塩素或
いは臭素を含むガスを用いた場合にはＣＮＣｌ或いはＣ
ＮＢｒという比較的低蒸気圧な物質を形成しエッチング
を抑止する。
【００４２】また、最近用いられるようになったＣｘＨ
ｙＦｚガスを加える系では更に蒸気圧の高いＮＨ3 が生
成するため、Ｓｉ3 Ｎ4 に対して高選択性を保つことは
極めて困難であるが、ヨウ素を含むガスを用いた場合に
はこの系においても蒸気圧の低いＮＨ4 Ｉを形成しエッ
チングを抑止する。
ｙＦｚガスを加える系では更に蒸気圧の高いＮＨ3 が生
成するため、Ｓｉ3 Ｎ4 に対して高選択性を保つことは
極めて困難であるが、ヨウ素を含むガスを用いた場合に
はこの系においても蒸気圧の低いＮＨ4 Ｉを形成しエッ
チングを抑止する。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す図であり、
（Ａ）はサンプル構造の断面図、（Ｂ）はＩ／Ｃ比とＳ
ｉ3 Ｎ4 エッチングレートとの関係を示す図、（Ｃ）は
アスペクト比とＳ値との関係を示す図である。
（Ａ）はサンプル構造の断面図、（Ｂ）はＩ／Ｃ比とＳ
ｉ3 Ｎ4 エッチングレートとの関係を示す図、（Ｃ）は
アスペクト比とＳ値との関係を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態を示す図であり、
（Ａ）はプラズマエッチング前の断面図、（Ｂ）はプラ
ズマエッチング後の断面図である。
（Ａ）はプラズマエッチング前の断面図、（Ｂ）はプラ
ズマエッチング後の断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態を示す図であり、
（Ａ）はプラズマエッチング前の断面図、（Ｂ）はプラ
ズマエッチング後の断面図である。
（Ａ）はプラズマエッチング前の断面図、（Ｂ）はプラ
ズマエッチング後の断面図である。
１１ 下層配線層
１２ Ｓｉ3 Ｎ4
１３ ＳｉＯ2
１４ ＰＲ（フォトレジスト）
１５ 半導体基板
１６ ソース・ドレイン領域
１７ ゲート絶縁膜
１８ Ｐｏｌｙ−Ｓｉによる下膜
１９ ＷＳｉによる上膜
Claims (5)
- 【請求項１】 エッチングストッパとしてＳｉ３ Ｎ４
を有する半導体デバイス構造の絶縁膜をエッチングし
てコンタクトホールを形成するドライエッチング方法に
おいて、前記絶縁膜の表面からヨウ素、塩素、臭素を含
まない第１のエッチングガスでエンチングを行って前記
コンタクトホールの上部分を形成し、その後、前記Ｓｉ
３ Ｎ ４ に達するまで分子中にヨウ素を含むガスを添
加した第２のエッチングガスでエッチングを行って前記
コンタクトホールの下部分を形成する２段階エッチング
方法を用いることを特徴とするドライエッチング方法。
但し、含有量としてはエッチングガス中のヨウ素と炭素
の比（Ｉ／Ｃ）が０．３≦（Ｉ／Ｃ）≦１．５であるよ
うな混合比とする。 - 【請求項２】 前記ヨウ素を含むガスは、ＨＩガス、若
しくはＣｘＨｙＩｚ（ｘ、ｙ、ｚは正の整数）の構成を
有するガスであることを特徴とする請求項１記載のドラ
イエッチング方法。 - 【請求項３】 エッチングストッパとしてＳｉ３ Ｎ４
を有する半導体デバイス構造の絶縁膜をエッチングし
てコンタクトホールを形成するドライエッチング方法に
おいて、前記絶縁膜の表面からヨウ素、塩素、臭素を含
まない第１のエッチングガスでエンチングを行って前記
コンタクトホールの上部分を形成し、その後、前記Ｓｉ
３ Ｎ ４ に達するまで分子中に塩素、又は臭素を含む
ガスを添加した第２のエッチングガスでエッチングを行
って前記コンタクトホールの下部分を形成する２段階エ
ッチング方法を用いることを特徴とするドライエッチン
グ方法。但し、含有量としてはエッチングガス中の塩
素、又は臭素と炭素の比（Ｃｌ（又はＢｒ）／Ｃ）が
０．３≦（Ｃｌ（又はＢｒ）／Ｃ）≦１．５であるよう
な混合比とする。 - 【請求項４】 前記塩素、又は臭素を含むガスは、Ｃｌ
２ ガス、ＨＣｌガス、Ｂｒ２ ガス、若しくはＨＢｒ
ガスであることを特徴とする請求項３記載のドライエッ
チング方法。 - 【請求項５】 前記絶縁膜は酸化シリコン膜、フッ素を
含有した酸化シリコン膜、又は、有機ＳＯＧ膜であるこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
のドライエッチング方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000017685A JP3383939B2 (ja) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | ドライエッチング方法 |
| US09/754,638 US6562721B2 (en) | 2000-01-26 | 2001-01-04 | Dry etching method and method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000017685A JP3383939B2 (ja) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001210618A JP2001210618A (ja) | 2001-08-03 |
| JP3383939B2 true JP3383939B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=18544647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000017685A Expired - Fee Related JP3383939B2 (ja) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | ドライエッチング方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6562721B2 (ja) |
| JP (1) | JP3383939B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4761502B2 (ja) * | 2004-10-07 | 2011-08-31 | 株式会社アルバック | 層間絶縁膜のドライエッチング方法 |
| JP2009252917A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6077429A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Asahi Glass Co Ltd | ドライエツチング方法 |
| US5286344A (en) * | 1992-06-15 | 1994-02-15 | Micron Technology, Inc. | Process for selectively etching a layer of silicon dioxide on an underlying stop layer of silicon nitride |
| US5960270A (en) * | 1997-08-11 | 1999-09-28 | Motorola, Inc. | Method for forming an MOS transistor having a metallic gate electrode that is formed after the formation of self-aligned source and drain regions |
| JPH11186236A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Mitsubishi Electric Corp | エッチング方法 |
| JPH11330046A (ja) * | 1998-05-08 | 1999-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| US6277716B1 (en) * | 1999-10-25 | 2001-08-21 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method of reduce gate oxide damage by using a multi-step etch process with a predictable premature endpoint system |
-
2000
- 2000-01-26 JP JP2000017685A patent/JP3383939B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-01-04 US US09/754,638 patent/US6562721B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6562721B2 (en) | 2003-05-13 |
| US20010016422A1 (en) | 2001-08-23 |
| JP2001210618A (ja) | 2001-08-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5942446A (en) | Fluorocarbon polymer layer deposition predominant pre-etch plasma etch method for forming patterned silicon containing dielectric layer | |
| TW299469B (ja) | ||
| JPH03161930A (ja) | 耐熱金属のエツチング・プロセス | |
| JP5137415B2 (ja) | 半導体素子のリセスチャネル形成方法 | |
| JP2903884B2 (ja) | 半導体装置の製法 | |
| US6569776B2 (en) | Method of removing silicon nitride film formed on a surface of a material with a process gas containing a higher-order fluorocarbon in combination with a lower-order fluorocarbon | |
| US5776832A (en) | Anti-corrosion etch process for etching metal interconnections extending over and within contact openings | |
| KR100311487B1 (ko) | 산화막식각방법 | |
| JPH05304119A (ja) | ポリシリコン膜のエッチング方法 | |
| KR100643570B1 (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| JP3383939B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| US5338395A (en) | Method for enhancing etch uniformity useful in etching submicron nitride features | |
| KR100377174B1 (ko) | 캐패시터의 제조 방법 | |
| JPH08293487A (ja) | エッチング方法 | |
| JPH04237125A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP3371179B2 (ja) | 配線形成方法 | |
| JP3371180B2 (ja) | 配線形成方法 | |
| KR19990011466A (ko) | 반도체소자의 제조를 위한 건식식각방법 | |
| JP2001332510A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3581770B2 (ja) | サイドウォールの形成方法 | |
| KR100562269B1 (ko) | 반도체 소자의 비아 형성 방법 | |
| TW389983B (en) | Improvement of isolation spacing between a self-aligned contacts and gate | |
| JP2006086295A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100236078B1 (ko) | 반도체소자 식각방법 | |
| KR100313944B1 (ko) | 고선택비의 금속배선 식각 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021119 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071227 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081227 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091227 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091227 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101227 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101227 Year of fee payment: 8 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101227 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111227 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111227 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121227 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121227 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131227 Year of fee payment: 11 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |