JP3028306B2 - 半導体素子の多層膜の乾式エッチング方法 - Google Patents
半導体素子の多層膜の乾式エッチング方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の配線
形成方法に係るもので、詳しくは、チタンポリサイド
（ポリシリコン層とチタンシリサイド層との総称であ
る）のような多層膜を乾式エッチングする方法に関す
る。
形成方法に係るもので、詳しくは、チタンポリサイド
（ポリシリコン層とチタンシリサイド層との総称であ
る）のような多層膜を乾式エッチングする方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体素子の配線又はゲート電
極は、ポリシリコンを用いて形成していたが、半導体素
子の微細化及び薄膜化に従い、ポリシリコンを用いる
と、抵抗が問題になってきた。そこで、該抵抗の問題を
改善するため、ポリシリコン層上にタングステンシリサ
イド又はチタンシリサイドを積層したタングステンポリ
サイド及びチタンポリサイドなどを利用しており、それ
らのタングステンポリサイド及びチタンポリサイドのよ
うな多層配線の乾式エッチング方法に関する研究が盛ん
に行われている。
極は、ポリシリコンを用いて形成していたが、半導体素
子の微細化及び薄膜化に従い、ポリシリコンを用いる
と、抵抗が問題になってきた。そこで、該抵抗の問題を
改善するため、ポリシリコン層上にタングステンシリサ
イド又はチタンシリサイドを積層したタングステンポリ
サイド及びチタンポリサイドなどを利用しており、それ
らのタングステンポリサイド及びチタンポリサイドのよ
うな多層配線の乾式エッチング方法に関する研究が盛ん
に行われている。
【０００３】以下、従来のポリサイド多層配線のエッチ
ング方法について説明する。IBM 社が発明したタンタル
ポリサイド又はチタンポリサイドの異方性エッチング方
法が、米国特許５, １６０, ４０７“Low pressure a
nisotropic etchprocess for tantalum silicide
or titanium silicide layer formedover polysil
icon layer deposited on silicon oxide layer
on semiconductor wafer ”に開示されている。該エ
ッチング方法は、まず、多層膜の最上層のタンタルシリ
サイド層又はチタンシリサイド層及びポリシリコン層上
部の一部を低圧、例えば、約１０〜３０mTorr の状態に
し一方側の電極には、高周波数の電圧が印加され、他方
側の電極には接地電圧が印加されるチャンバー内に、Cl
2 ガスのみを導入してプラズマを発生させ、前記タンタ
ルシリサイド層を異方性エッチングする（第１段階）。
つぎに、前記タンタルシリサイド層の下部のポリシリコ
ン層を同様な圧力条件下のチャンバー内で、HBr ガスの
みを導入して異方性エッチングを施す（第２段階）。
ング方法について説明する。IBM 社が発明したタンタル
ポリサイド又はチタンポリサイドの異方性エッチング方
法が、米国特許５, １６０, ４０７“Low pressure a
nisotropic etchprocess for tantalum silicide
or titanium silicide layer formedover polysil
icon layer deposited on silicon oxide layer
on semiconductor wafer ”に開示されている。該エ
ッチング方法は、まず、多層膜の最上層のタンタルシリ
サイド層又はチタンシリサイド層及びポリシリコン層上
部の一部を低圧、例えば、約１０〜３０mTorr の状態に
し一方側の電極には、高周波数の電圧が印加され、他方
側の電極には接地電圧が印加されるチャンバー内に、Cl
2 ガスのみを導入してプラズマを発生させ、前記タンタ
ルシリサイド層を異方性エッチングする（第１段階）。
つぎに、前記タンタルシリサイド層の下部のポリシリコ
ン層を同様な圧力条件下のチャンバー内で、HBr ガスの
みを導入して異方性エッチングを施す（第２段階）。
【０００４】また、チタンポリサイドのエッチング方法
が、開示されている（日本応用物理学会１９９７, p６
０７, “BCl3/Cl2ガスによるTiシリサイドエッチングへ
の検討”参照）。該エッチング方法は、図１に示したよ
うな多層膜の構造をエッチングするために反応性イオン
エッチング（RIE; reactive ion etching）装置を使
用し、BCl3/Cl2ガスを使用してチタンポリサイドをエッ
チングすると、チタンシリサイド層：ポリシリコン層の
エッチング選択比が１：３程度であるため、微細加工が
容易で、エッチングした後、残滓の無いチタンポリサイ
ドをエッチングすることができるという内容である。
が、開示されている（日本応用物理学会１９９７, p６
０７, “BCl3/Cl2ガスによるTiシリサイドエッチングへ
の検討”参照）。該エッチング方法は、図１に示したよ
うな多層膜の構造をエッチングするために反応性イオン
エッチング（RIE; reactive ion etching）装置を使
用し、BCl3/Cl2ガスを使用してチタンポリサイドをエッ
チングすると、チタンシリサイド層：ポリシリコン層の
エッチング選択比が１：３程度であるため、微細加工が
容易で、エッチングした後、残滓の無いチタンポリサイ
ドをエッチングすることができるという内容である。
【０００５】その他に、シリコン酸化膜/ ポリシリコン
層/ チタンシリサイド層の多層膜エッチング方法が、開
示されており（日本応用物理学会, １９９７, p６３
０, “TiSix etching in High Density Plasma ”
参照）、Cl2/N2混合ガス中、N2ガスの含有量を増加させ
ると、アンダーカットを減らすことができるという内容
である。
層/ チタンシリサイド層の多層膜エッチング方法が、開
示されており（日本応用物理学会, １９９７, p６３
０, “TiSix etching in High Density Plasma ”
参照）、Cl2/N2混合ガス中、N2ガスの含有量を増加させ
ると、アンダーカットを減らすことができるという内容
である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のチタンシリサイド/ ポリシリコンの多層膜エ
ッチング方法を施してチタンシリサイドをエッチングす
るとき、塩素系ガスを用いると、アンダーカットが発生
して垂直形状のエッチング側壁（Vertical etchprofil
e ）を得ることが難かしかった。
うな従来のチタンシリサイド/ ポリシリコンの多層膜エ
ッチング方法を施してチタンシリサイドをエッチングす
るとき、塩素系ガスを用いると、アンダーカットが発生
して垂直形状のエッチング側壁（Vertical etchprofil
e ）を得ることが難かしかった。
【０００７】さらに、ポリシリコンをエッチングすると
き、Brガス系のガスを使用すると、ブロム再反応生成物
（Bromide reaction product）が揮発されずに、エッ
チングした後、ウェーハの表面に残滓が残るため、別途
の洗浄工程を必要としていた。その結果、半導体素子の
信頼性が低下し、別途の洗浄工程を要するため、工程が
煩雑になり、半導体素子の生産性を低下させるという不
都合な点があった。
き、Brガス系のガスを使用すると、ブロム再反応生成物
（Bromide reaction product）が揮発されずに、エッ
チングした後、ウェーハの表面に残滓が残るため、別途
の洗浄工程を必要としていた。その結果、半導体素子の
信頼性が低下し、別途の洗浄工程を要するため、工程が
煩雑になり、半導体素子の生産性を低下させるという不
都合な点があった。
【０００８】そこで、本発明は、このような従来の課題
に鑑みてなされたもので、アンダーカットが発生せず、
かつ、エッチングした後、残滓が存在しないチタンシリ
サイド/ ポリシリコンの多層膜をエッチングし得る半導
体素子の多層膜の乾式エッチング方法を提供することを
目的とする。
に鑑みてなされたもので、アンダーカットが発生せず、
かつ、エッチングした後、残滓が存在しないチタンシリ
サイド/ ポリシリコンの多層膜をエッチングし得る半導
体素子の多層膜の乾式エッチング方法を提供することを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
一方側の電極にソースパワーの電圧が印加し、他方側の
電極にバイアスパワーの電圧が印加するチャンバー内
で、半導体基板上にシリコン酸化膜が形成され、該シリ
コン酸化膜上にポリシリコン層とチタンシリサイド層と
が順次形成された多層膜を乾式エッチングする方法にお
いて、Cl 2 :N 2 の流量比を２０：１程に維持したCl2/N2混
合ガスを包含するプラズマにより前記チタンシリサイド
層を異方性エッチングする第１工程と、Cl2/O2混合ガス
を包含するプラズマにより前記ポリシリコン層を異方性
エッチングする第２工程と、を順次行うことを特徴とす
る。
一方側の電極にソースパワーの電圧が印加し、他方側の
電極にバイアスパワーの電圧が印加するチャンバー内
で、半導体基板上にシリコン酸化膜が形成され、該シリ
コン酸化膜上にポリシリコン層とチタンシリサイド層と
が順次形成された多層膜を乾式エッチングする方法にお
いて、Cl 2 :N 2 の流量比を２０：１程に維持したCl2/N2混
合ガスを包含するプラズマにより前記チタンシリサイド
層を異方性エッチングする第１工程と、Cl2/O2混合ガス
を包含するプラズマにより前記ポリシリコン層を異方性
エッチングする第２工程と、を順次行うことを特徴とす
る。
【００１０】請求項２に係る発明は、前記第１及び第２
工程で使用するエッチング装置は、反応性イオンエッチ
ング装置、磁界強化反応性イオンエッチング装置及び高
密度プラズマエッチング装置の内、いずれか一つを利用
することを特徴とする。
工程で使用するエッチング装置は、反応性イオンエッチ
ング装置、磁界強化反応性イオンエッチング装置及び高
密度プラズマエッチング装置の内、いずれか一つを利用
することを特徴とする。
【００１１】請求項３に係る発明は、前記第１工程で使
用するエッチング装置は、ヘリコンタイプのエッチング
装置であり、チャンバー内に印加するソースパワーの範
囲は、１００〜２５００W であることを特徴とする。請
求項４に係る発明は、前記第１工程で使用するエッチン
グ装置は、ヘリコンタイプのエッチング装置であり、チ
ャンバー内に印加するバイアスパワーの範囲は、２０〜
３００W であることを特徴とする。
用するエッチング装置は、ヘリコンタイプのエッチング
装置であり、チャンバー内に印加するソースパワーの範
囲は、１００〜２５００W であることを特徴とする。請
求項４に係る発明は、前記第１工程で使用するエッチン
グ装置は、ヘリコンタイプのエッチング装置であり、チ
ャンバー内に印加するバイアスパワーの範囲は、２０〜
３００W であることを特徴とする。
【００１２】請求項５に係る発明は、前記第１工程で使
用するエッチング装置は、ヘリコンタイプのエッチング
装置であり、チャンバー内の圧力の範囲は、２０mTorr
以下であることを特徴とする。請求項６に係る発明は、
前記第１工程で使用するエッチング装置は、ヘリコンタ
イプのエッチング装置であり、チャンバー内の温度の範
囲は、−１０〜−５０℃であることを特徴とする。
用するエッチング装置は、ヘリコンタイプのエッチング
装置であり、チャンバー内の圧力の範囲は、２０mTorr
以下であることを特徴とする。請求項６に係る発明は、
前記第１工程で使用するエッチング装置は、ヘリコンタ
イプのエッチング装置であり、チャンバー内の温度の範
囲は、−１０〜−５０℃であることを特徴とする。
【００１３】請求項７に係る発明は、前記第２工程で使
用するエッチング装置は、ヘリコンタイプのエッチング
装置であり、総ガス流量に対して、酸素ガス流量が１０
% 以下であることを特徴とする。
用するエッチング装置は、ヘリコンタイプのエッチング
装置であり、総ガス流量に対して、酸素ガス流量が１０
% 以下であることを特徴とする。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、Cl2/N2混合ガスを使用
する異方性エッチング工程と、Cl2/O2混合ガスを使用す
る異方性エッチング工程と、を順次行うようになってい
るので、アンダーカットの発生を防止して垂直形状のエ
ッチング壁を形成し、なおかつ、エッチングした後、残
滓が存在しないため、別途の洗浄工程を必要とせず、そ
の結果、半導体素子の信頼性及び生産性を向上すること
ができるという効果が得られる。
する異方性エッチング工程と、Cl2/O2混合ガスを使用す
る異方性エッチング工程と、を順次行うようになってい
るので、アンダーカットの発生を防止して垂直形状のエ
ッチング壁を形成し、なおかつ、エッチングした後、残
滓が存在しないため、別途の洗浄工程を必要とせず、そ
の結果、半導体素子の信頼性及び生産性を向上すること
ができるという効果が得られる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面に基づいて説明する。図１〜図３は、本発明に係
る半導体素子の多層膜の乾式エッチング方法を示した工
程縦断面図である。まず、図１に示したように、半導体
基板１上にシリコン酸化膜２及びポリシリコン層３を形
成し、該ポリシリコン層３上にチタンシリサイド層４を
形成し、マスク５を施す。その後、前記半導体基板１
に、一方側の電極にはバイアスを調節する電力（以下、
バイアスパワー(bias power)と称す）の電圧が印加し、
他方側の電極にはプラズマ発生を誘導するための高周波
の電力（以下、ソースパワー(source power)と称す）の
電圧が印加するチャンバー内に装着する。
て図面に基づいて説明する。図１〜図３は、本発明に係
る半導体素子の多層膜の乾式エッチング方法を示した工
程縦断面図である。まず、図１に示したように、半導体
基板１上にシリコン酸化膜２及びポリシリコン層３を形
成し、該ポリシリコン層３上にチタンシリサイド層４を
形成し、マスク５を施す。その後、前記半導体基板１
に、一方側の電極にはバイアスを調節する電力（以下、
バイアスパワー(bias power)と称す）の電圧が印加し、
他方側の電極にはプラズマ発生を誘導するための高周波
の電力（以下、ソースパワー(source power)と称す）の
電圧が印加するチャンバー内に装着する。
【００１６】つぎに、前記チャンバー内の両方側の電極
に電圧を印加し、前記チャンバー内にCl2/N2混合ガスを
フローイング（Flowing ）しながら前記チタンシリサイ
ド層４をエッチングして、図２に示したように、エッチ
ング側壁が垂直なチタンシリサイド層パターン４a を形
成する。その後、前記チャンバー内にCl2/O2混合ガスを
フローイングしながら前記ポリシリコン層３をエッチン
グして、図３に示したように、エッチング側壁が垂直な
チタンシリサイド層パターン３a を形成する。
に電圧を印加し、前記チャンバー内にCl2/N2混合ガスを
フローイング（Flowing ）しながら前記チタンシリサイ
ド層４をエッチングして、図２に示したように、エッチ
ング側壁が垂直なチタンシリサイド層パターン４a を形
成する。その後、前記チャンバー内にCl2/O2混合ガスを
フローイングしながら前記ポリシリコン層３をエッチン
グして、図３に示したように、エッチング側壁が垂直な
チタンシリサイド層パターン３a を形成する。
【００１７】なお、前記半導体基板１内には残滓が存在
しないため、別途に洗浄工程を行う必要はない。以下、
本発明に係る半導体素子の多層膜乾式エッチング方法に
ついて詳しく説明する。上記に示したように、本発明で
は、チタンシリサイド層をCl2/N2混合ガスを使用してエ
ッチングする第１工程と、ポリシリコン層をCl2/O2混合
ガスを使用してエッチングする第２工程と、を行うが、
前記第１工程においては、チャンバー内でCl2/N2ガスの
プラズマを発生させると、反応性窒素イオン（Reactive
nigrogen ion ）が形成され、該反応性窒素イオン
は、チタンシリサイドと結合してチタンシリサイド膜の
エッチング側壁にTi−N 及びSi−N 化合物を形成して、
前記エッチング側壁がプラズマによりエッチングされる
ことを防止するため、Cl2/N2混合ガスを利用する。従っ
て、このような前記第１工程を行うと、アンダーカット
の発生を抑制して、垂直形状のエッチング側壁を得るこ
とができる。このとき、混合ガスとしてO2を添加しない
理由は、酸素プラズマがチタンと結合してTiO2を形成
し、該TiO2が、Cl2 プラズマと反応してエッチング側壁
を効率的に保護することができず、アンダーカットが発
生するためである。
しないため、別途に洗浄工程を行う必要はない。以下、
本発明に係る半導体素子の多層膜乾式エッチング方法に
ついて詳しく説明する。上記に示したように、本発明で
は、チタンシリサイド層をCl2/N2混合ガスを使用してエ
ッチングする第１工程と、ポリシリコン層をCl2/O2混合
ガスを使用してエッチングする第２工程と、を行うが、
前記第１工程においては、チャンバー内でCl2/N2ガスの
プラズマを発生させると、反応性窒素イオン（Reactive
nigrogen ion ）が形成され、該反応性窒素イオン
は、チタンシリサイドと結合してチタンシリサイド膜の
エッチング側壁にTi−N 及びSi−N 化合物を形成して、
前記エッチング側壁がプラズマによりエッチングされる
ことを防止するため、Cl2/N2混合ガスを利用する。従っ
て、このような前記第１工程を行うと、アンダーカット
の発生を抑制して、垂直形状のエッチング側壁を得るこ
とができる。このとき、混合ガスとしてO2を添加しない
理由は、酸素プラズマがチタンと結合してTiO2を形成
し、該TiO2が、Cl2 プラズマと反応してエッチング側壁
を効率的に保護することができず、アンダーカットが発
生するためである。
【００１８】一方、垂直形状の側壁を形成するため前記
Cl2/N2混合ガスに対するCl2:N2の流量比を２０：１程に
維持することが好ましい。また、第２工程のポリシリコ
ン層のエッチング工程において、Cl2/O2混合ガスを使用
する理由は、前記Cl2/N2混合ガスプラズマを使用した場
合と比較して、ゲート電極として用いられているポリシ
リコン層３と該ポリシリコン層３の下地膜であるシリコ
ン酸化膜２とのエッチング選択比は、ポリシリコン層３
の方がシリコン酸化膜２と比較して非常に大きいため、
シリコン酸化膜２はエッチングされず、たとえポリシリ
コン層３がオーバーエッチングされても、半導体基板１
の表面がエッチングされるのを防ぎ、同時に、安定的に
ポリシリコン層３をエッチングすることができるので、
エッチングした後、ポリシリコン層３に残滓が存在しな
いためである。
Cl2/N2混合ガスに対するCl2:N2の流量比を２０：１程に
維持することが好ましい。また、第２工程のポリシリコ
ン層のエッチング工程において、Cl2/O2混合ガスを使用
する理由は、前記Cl2/N2混合ガスプラズマを使用した場
合と比較して、ゲート電極として用いられているポリシ
リコン層３と該ポリシリコン層３の下地膜であるシリコ
ン酸化膜２とのエッチング選択比は、ポリシリコン層３
の方がシリコン酸化膜２と比較して非常に大きいため、
シリコン酸化膜２はエッチングされず、たとえポリシリ
コン層３がオーバーエッチングされても、半導体基板１
の表面がエッチングされるのを防ぎ、同時に、安定的に
ポリシリコン層３をエッチングすることができるので、
エッチングした後、ポリシリコン層３に残滓が存在しな
いためである。
【００１９】このとき、前記第１及び第２工程で使用す
る装置は、反応性イオンエッチング装置、磁界強化反応
性イオンエッチング装置（Magnetically enhanced re
active ion etcher ：MERIE ）、高密度プラズマエッ
チング装置（High Densityplasma etcher ）のような
イオンエネルギー及びプラズマの密度を調節し得る装置
を使用するこが好ましい。
る装置は、反応性イオンエッチング装置、磁界強化反応
性イオンエッチング装置（Magnetically enhanced re
active ion etcher ：MERIE ）、高密度プラズマエッ
チング装置（High Densityplasma etcher ）のような
イオンエネルギー及びプラズマの密度を調節し得る装置
を使用するこが好ましい。
【００２０】特に、前記第２工程において、高密度プラ
ズマエッチング装置としてヘリコンタイプのエッチング
装置を使用する場合は、総ガス流量に対する酸素ガスの
流量比を１０% 以下に維持することが好ましい。また、
前記第１工程において、高密度プラズマエッチング装置
としてヘリコンタイプのエッチング装置を使用する場合
は、プラズマ放電を誘導するため一方側の電極に印加す
るソースパワー(source power)の範囲は、１００〜２５
００W であることが好ましく、他方側の電極に印加する
バイアスパワー(bias power)の範囲は、２０〜３００W
であることが好ましい。更に、前記ヘリコンタイプのエ
ッチング装置を使用する場合は、２０mTorr 以下の圧力
及び−１０〜−５０℃の温度条件下のチャンバー内でエ
ッチングを施す方法が、垂直な側壁の形成に最も適合し
た方法である。
ズマエッチング装置としてヘリコンタイプのエッチング
装置を使用する場合は、総ガス流量に対する酸素ガスの
流量比を１０% 以下に維持することが好ましい。また、
前記第１工程において、高密度プラズマエッチング装置
としてヘリコンタイプのエッチング装置を使用する場合
は、プラズマ放電を誘導するため一方側の電極に印加す
るソースパワー(source power)の範囲は、１００〜２５
００W であることが好ましく、他方側の電極に印加する
バイアスパワー(bias power)の範囲は、２０〜３００W
であることが好ましい。更に、前記ヘリコンタイプのエ
ッチング装置を使用する場合は、２０mTorr 以下の圧力
及び−１０〜−５０℃の温度条件下のチャンバー内でエ
ッチングを施す方法が、垂直な側壁の形成に最も適合し
た方法である。
【図１】 本発明に係る半導体素子の多層膜の乾式エッ
チング方法を示した工程縦断面図。
チング方法を示した工程縦断面図。
【図２】 本発明に係る半導体素子の多層膜の乾式エッ
チング方法を示した工程縦断面図。
チング方法を示した工程縦断面図。
【図３】 本発明に係る半導体素子の多層膜の乾式エッ
チング方法を示した工程縦断面図。
チング方法を示した工程縦断面図。
１：半導体基板 ４：チタンシリサイ
ド層 ２：シリコン酸化膜 ４a ：チタンシリサ
イド層パターン ３：ポリシリコン層 ５：マスク ３a ：ポリシリコン層パターン
ド層 ２：シリコン酸化膜 ４a ：チタンシリサ
イド層パターン ３：ポリシリコン層 ５：マスク ３a ：ポリシリコン層パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−82687（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−114225（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−283206（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−239932（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/3205 - 21/3213 H01L 21/768
Claims (7)
- 【請求項１】一方側の電極にソースパワーの電圧が印加
し、他方側の電極にバイアスパワーの電圧が印加するチ
ャンバー内で、半導体基板上にシリコン酸化膜が形成さ
れ、該シリコン酸化膜上にポリシリコン層とチタンシリ
サイド層とが順次形成された多層膜を乾式エッチングす
る方法において、Cl 2 :N 2 の流量比を２０：１程に維持した Cl2/N2混合ガス
を包含するプラズマにより前記チタンシリサイド層を異
方性エッチングする第１工程と、 Cl2/O2混合ガスを包含するプラズマにより前記ポリシリ
コン層を異方性エッチングする第２工程と、を順次行う
ことを特徴とする半導体素子の多層膜の乾式エッチング
方法。 - 【請求項２】前記第１及び第２工程で使用するエッチン
グ装置は、反応性イオンエッチング装置、磁界強化反応
性イオンエッチング装置及び高密度プラズマエッチング
装置の内、いずれか一つを利用することを特徴とする請
求項１に記載の半導体素子の多層膜の乾式エッチング方
法。 - 【請求項３】前記第１工程で使用するエッチング装置
は、ヘリコンタイプのエッチング装置であり、チャンバ
ー内に印加するソースパワーの範囲は、１００〜２５０
０W であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記
載の半導体素子の多層膜の乾式エッチング方法。 - 【請求項４】前記第１工程で使用するエッチング装置
は、ヘリコンタイプのエッチング装置であり、チャンバ
ー内に印加するバイアスパワーの範囲は、２０〜３００
W であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれ
か１つに記載の半導体素子の多層膜の乾式エッチング方
法。 - 【請求項５】前記第１工程で使用するエッチング装置
は、ヘリコンタイプのエッチング装置であり、チャンバ
ー内の圧力の範囲は、２０mTorr 以下であることを特徴
とする 請求項１〜請求項４のいずれか１つに記載の半導
体素子の多層膜の乾式エッチング方法。 - 【請求項６】前記第１工程で使用するエッチング装置
は、ヘリコンタイプのエッチング装置であり、チャンバ
ー内の温度の範囲は、−１０〜−５０℃であることを特
徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１つに記載の半
導体素子の多層膜の乾式エッチング方法。 - 【請求項７】前記第２工程で使用するエッチング装置
は、ヘリコンタイプのエッチング装置であり、総ガス流
量に対して、酸素ガス流量が１０% 以下であることを特
徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体素子の多
層膜の乾式エッチング方法。
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|---|---|---|---|
| KR1019980000364A KR100259351B1 (ko) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 다층막 건식각 방법 |
| KR364/1998 | 1998-01-09 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204533A JPH11204533A (ja) | 1999-07-30 |
| JP3028306B2 true JP3028306B2 (ja) | 2000-04-04 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10297699A Expired - Fee Related JP3028306B2 (ja) | 1998-01-09 | 1998-10-20 | 半導体素子の多層膜の乾式エッチング方法 |
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| JP (1) | JP3028306B2 (ja) |
| KR (1) | KR100259351B1 (ja) |
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| US4734157A (en) * | 1985-08-27 | 1988-03-29 | International Business Machines Corporation | Selective and anisotropic dry etching |
| US5219485A (en) * | 1985-10-11 | 1993-06-15 | Applied Materials, Inc. | Materials and methods for etching silicides, polycrystalline silicon and polycides |
| US5112435A (en) * | 1985-10-11 | 1992-05-12 | Applied Materials, Inc. | Materials and methods for etching silicides, polycrystalline silicon and polycides |
| GB2189903A (en) * | 1986-04-01 | 1987-11-04 | Plessey Co Plc | An etch technique for metal mask definition |
| EP0414372A3 (en) * | 1989-07-21 | 1991-04-24 | Sony Corporation | Dry etching methods |
| US5160407A (en) * | 1991-01-02 | 1992-11-03 | Applied Materials, Inc. | Low pressure anisotropic etch process for tantalum silicide or titanium silicide layer formed over polysilicon layer deposited on silicon oxide layer on semiconductor wafer |
| JPH0883788A (ja) * | 1994-09-14 | 1996-03-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法 |
| JPH08162442A (ja) * | 1994-12-06 | 1996-06-21 | Canon Sales Co Inc | ドライエッチング方法 |
| US5726102A (en) * | 1996-06-10 | 1998-03-10 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method for controlling etch bias in plasma etch patterning of integrated circuit layers |
-
1998
- 1998-01-09 KR KR1019980000364A patent/KR100259351B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-05-04 US US09/071,835 patent/US6090719A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-20 JP JP10297699A patent/JP3028306B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| US6090719A (en) | 2000-07-18 |
| KR19990065186A (ko) | 1999-08-05 |
| KR100259351B1 (ko) | 2000-08-01 |
| JPH11204533A (ja) | 1999-07-30 |
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