JPH11163755A - Up/Downチューナ - Google Patents
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- JPH11163755A JPH11163755A JP9326621A JP32662197A JPH11163755A JP H11163755 A JPH11163755 A JP H11163755A JP 9326621 A JP9326621 A JP 9326621A JP 32662197 A JP32662197 A JP 32662197A JP H11163755 A JPH11163755 A JP H11163755A
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Abstract
なく、アップコンバータおよびダウンコンバータの局部
発振回路による互いの影響と、外部からの流入雑音とを
低減することのできる高品位なUp/Downチューナ
を提供する。 【解決手段】 アップコンバータ部1と、ダウンコンバ
ータ部2とが別々のシャーシに収容され、該アップコン
バータ部1およびダウンコンバータ部2が、同軸遮蔽構
造のIF結合部3によって結合されている。
Description
機、ビデオテープレコーダおよびパーソナルコンピュー
タ等の高周波回路装置に使用されるチューナに関するも
のであり、特に、CATV(cable television)受信機
に使用されるUp/Downチューナ(ダブルコンバー
ジョンチューナ)に関するものである。
ーダおよびパーソナルコンピュータ等の高周波回路装置
に使用されるチューナには、その使用目的等に応じて種
々の形態のものがあるが、CATV(cable televisio
n)受信機においては、Up/Downチューナが使用
される。上記Up/Downチューナは、入力されたR
F(Radio Frequency)信号を、アップコンバータにて周
波数を上げ、次にダウンコンバータにて周波数を下げる
ことにより、外部から混入される電波による妨害等を除
去する方式のチューナである。
構造を図17ないし図19を用いて説明する。
に示すように、アンテナ端子RF−IN、第1のバンド
パスフィルタB.P.F.−1、PINアッテネータPIN−
ATT、RFアンプRF−AMP、アップコンバータ5
0、第2のバンドパスフィルタB.P.F.−2、ダウンコン
バータ60、およびアナログ信号用バンドパスフィルタ
B.P.F.−Aを有している。
バータ用混成回路U−MIX、第1のPLL(Phase Lo
ck Loop)51、および第1の局部発振回路LO−1を有
し、上記ダウンコンバータ60は、第2のPLL61、
第2の局部発振回路LO−2、およびダウンコンバータ
用混成回路D−MIXを有している。
信号は、アンテナ端子RF−INにより拾われ、第1の
バンドパスフィルタB.P.F.−1、PINアッテネータP
IN−ATT、およびRFアンプRF−AMPを介し
て、アップコンバータ50のアップコンバータ用混成回
路U−MIXに入力される。
1のPLL51が、第1の局部発振回路LO−1を制御
し、第1の局部発振信号をアップコンバータ用混成回路
U−MIXに入力する。上記アップコンバータ用混成回
路U−MIXにおいて、RF信号と第1の局部発振信号
とが混合され、IF(Intermediate Frequency) 信号に
変換される。
タB.P.F.−2を介して、ダウンコンバータ60のダウン
コンバータ用混成回路D−MIXに入力される。
2のPLL61が、第2の局部発振回路LO−2を制御
し、第2の局部発振信号をダウンコンバータ用混成回路
D−MIXに入力する。上記ダウンコンバータ用混成回
路D−MIXにおいて、IF信号と第2の局部発振信号
とが混合され、第2のIF信号に変換される。上記第2
のIF信号は、アナログ信号用バンドパスフィルタB.P.
F.−Aを介して出力される。
Tには、受信信号の強さが変わっても、画像のコントラ
ストが一定となるように自動利得調整制御(AGC:Au
to Gain Control)の信号が入力される。
図を図18(a)ないし(e)に示し、斜視図を図19
に示す。図18(a)ないし(e)、および図19に示
すように、上記Up/Downチューナでは、上記各部
が発生する雑音による干渉を防止する必要があるため、
1つのシャーシの中で、各ブロック毎に仕切りが設けら
れている。また、上記図18(a)ないし(e)、およ
び図19においては省略されているが、上記Up/Do
wnチューナの上下には、外部からの流入雑音を防止す
るためのシールド蓋が存在する。
構成では、第1および第2の局部発振信号およびIF信
号等や、これらの信号のn倍の高調波が存在するため、
各ブロック毎に仕切りを設けるのみでは不十分である。
すなわち、上記各信号の互いの影響によるスプリアス、
混変調、その他の妨害性能を抑えるためには、第1およ
び第2の局部発振信号を離す必要があり、これにより、
Up/Downチューナの大型化を招くという問題が生
じる。
ジタル対応とすると、受信範囲の広帯域化により、第1
および第2の局部発振信号、およびIF信号の周波数
が、広帯域かつ高周波数になる。この場合、信号が高周
波になるほど、該信号が回路だけで無く、シャーシを伝
わり易くなるため、第1および第2の局部発振回路の配
置を離すだけでは限界があり、互いの影響による妨害を
抑えるのが難しいという問題が生じる。
なされたもので、その目的は、Up/Downチューナ
の大型化を招くことなく、アップコンバータおよびダウ
ンコンバータの局部発振回路による互いの影響と、外部
からの流入雑音とを低減することのできる高品位なUp
/Downチューナを提供することにある。
nチューナは、上記の課題を解決するために、少なくと
も2つ以上の周波数変換部を有するUp/Downチュ
ーナにおいて、上記各周波数変換部は、それぞれ別のシ
ャーシに収容されると共に、上記各周波数変換部を収容
した各シャーシは、信号伝達手段によって結合されるこ
とを特徴としている。
が、それぞれ別のシャーシに収容される。このため、複
数の周波数変換部が1つのシャーシに収容される従来の
Up/Downチューナに比べて、周波数変換部内の局
部発振回路から出される信号がシャーシを伝わって他の
周波数変換部に与える影響を低減させることができる。
記の課題を解決するために、請求項1の構成に加えて、
上記信号伝達手段は、両面基板の一方の面に形成され、
周波数変換部間での信号伝達経路となる信号ラインの回
りを、アースされた導電材でシールドする構造となって
おり、上記両面基板の、該信号ラインが形成された面と
反対側の導電面は、上記シールドの一部として利用され
ることを特徴としている。
が、信号ラインがアースされた導電材でシールドされる
同軸遮蔽構造となるため、周波数変換部の局部発振回路
の信号等が外部に漏れる不要輻射や、チューナが置かれ
る環境上で外部からチューナに入ってくる流入雑音を低
減させることができる。
面に形成され、上記両面基板の該信号ラインが形成され
た面と反対側の導電面は、該信号ラインのシールドの一
部として利用される。これにより、信号伝達手段のシー
ルド構造を簡略化することができる。すなわち、上記両
面基板の信号ラインと反対側の面では、新たにシールド
を形成する必要がなく、部品点数の削減や製造工程の簡
素化を図ることができる。
求項2の構成に加えて、上記信号伝達手段のシールド
は、上記両面基板の信号ラインが形成された面と反対側
の導電面によってシールドされる部分以外は、該信号伝
達手段によって連結されるシャーシの一部によってシー
ルドされることを特徴としている。
って連結されるシャーシの一部が、信号ラインのシール
ドとして利用される。このため、上記信号ラインをシー
ルドするための新たなシールド部材を用意する必要がな
く、部品点数の削減を図ることができる。また、上記シ
ールドの固定が容易となり、製造工程の簡素化を図るこ
とができる。
求項1の構成に加えて、上記信号伝達手段は、多層基板
の内部の層に形成され、周波数変換部間での信号伝達経
路となる信号ラインの回りを、アースされた導電材でシ
ールドする構造となっており、上記多層基板の最上層お
よび最下層は、上記シールドの一部として利用されるこ
とを特徴としている。
が、信号ラインがアースされた導電材でシールドされる
同軸遮蔽構造となるため、周波数変換部の局部発振回路
の信号等が外部に漏れる不要輻射や、チューナが置かれ
る環境上で外部からチューナに入ってくる流入雑音を低
減させることができる。
層に形成され、上記多層基板の最上層および最下層は、
該信号ラインのシールドの一部として利用される。これ
により、信号伝達手段のシールド構造を簡略化すること
ができる。すなわち、上記多層基板の最上面および最下
面では、新たにシールドを形成する必要がなく、部品点
数の削減や製造工程の簡素化を図ることができる。
1ないし図16に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。
ナは、図2に示すように、アンテナ端子RF−IN、第
1のバンドパスフィルタB.P.F.−1、PINアッテネー
タPIN−ATT、RFアンプRF−AMP、アップコ
ンバータ10、第2のバンドパスフィルタB.P.F.−2、
ダウンコンバータ20、およびアナログ信号用バンドパ
スフィルタB.P.F.−Aを有している。
バータ用混成回路U−MIX、第1のPLL(Phase Lo
ck Loop)11、および第1の局部発振回路LO−1を有
し、上記ダウンコンバータ20は、第2のPLL21、
第2の局部発振回路LO−2、およびダウンコンバータ
用混成回路D−MIXを有している。
の回路構成および動作は、従来のUp/Downチュー
ナと同じである。
wnチューナは、図1および図3に示すように、アップ
コンバータ10を含むアップコンバータ部1と、ダウン
コンバータ20を含むダウンコンバータ部2とが別々の
シャーシに収容され、該アップコンバータ部1およびダ
ウンコンバータ部2が、IF結合部3によって結合され
ている点に特徴がある。
ンコンバータ部2が、特許請求の範囲に記載の周波数変
換部に相当し、IF結合部3が信号伝達手段に相当す
る。また、本実施の形態では、周波数変換部は2つの場
合を例示しているが、本発明は、3つ以上の周波数変換
部を有していてもよい。この場合、各周波数変換部毎に
別々のシャーシに収容される。
ないし(e)に示すように、アップコンバータ10の他
に、アンテナ端子RF−IN、第1のバンドパスフィル
タB.P.F.−1、PINアッテネータPIN−ATT、R
FアンプRF−AMP、および第2のバンドパスフィル
タB.P.F.−2を含んでおり、上記各部は、信号の漏れ等
による互いの影響を防止するため、各ブロック毎に仕切
られている。
(a)ないし(e)に示すように、ダウンコンバータ2
0の他に、アナログ信号用バンドパスフィルタB.P.F.−
Aを含んでおり、上記各部は、信号の漏れ等による互い
の影響を防止するため、各ブロック毎に仕切られてい
る。
1およびダウンコンバータ部2の構成は上記のものに限
定されるものでなく、該アップコンバータ部1およびダ
ウンコンバータ部2には、少なくともアップコンバータ
10およびダウンコンバータ20がそれぞれ含まれてい
ればよい。例えば、回路構成上、アップコンバータ10
とダウンコンバータ20との間に存在する第2のバンド
パスフィルタB.P.F.−2は、ダウンコンバータ部2に含
まれていてもよい。
(e)、および図5(a)ないし(e)においては省略
されているが、上記アップコンバータ部1およびダウン
コンバータ部2は、外部からの流入雑音を防止するため
に、その上下面はシールド蓋によってシールドされてい
る。さらに、上記アップコンバータ部1およびダウンコ
ンバータ部2のシャーシおよびシールド蓋は、導電性材
料によって形成され、かつ接地される。
ダウンコンバータ部2を接続するIF結合部3について
詳細に説明する。
ータ部1とダウンコンバータ部2との間でIF信号を伝
送するためのものであり、その構造例を図6および図7
に示す。図6においては、チューナ回路を形成する部品
を搭載した基板完成品31が、アップコンバータ部1を
囲うように成形されたシャーシ1aと、ダウンコンバー
タ部2を囲うように成形されたシャーシ2aとに固定さ
れて配置されており、該基板完成品31の一部であるブ
リッジ部31aがシールドされることによってIF結合
部3を形成している。尚、上記ブリッジ部31aのシー
ルド構造については、上記図6には図示されていない
が、後に詳細な説明を行う。
は、アップコンバータ部1におけるアップコンバータ側
基板31bと、ダウンコンバータ部2におけるダウンコ
ンバータ側基板31cとに分離されており、該アップコ
ンバータ部1およびダウンコンバータ部2は、貫通コン
デンサもしくはリードフレーム等からなる端子32によ
って接続されている。上記図7の構造では、端子32が
IF結合部3を形成している。
た基板によって形成される場合のシールド構造につい
て、その具体例を以下の実施例1ないし5において説明
する。尚、本発明で用いる基板としては、片面基板およ
び両面基板の何れを使用することも可能である。但し、
片面基板を用いる場合では、該基板の周囲全てがシール
ドされるような構造が必要となるのに対し、両面基板を
用いる場合では、基板表面の一方に信号ラインを形成
し、他方の表面をシールド面とすれば、IF結合部3の
構造を簡略化することができる。すなわち、下面のシー
ルドを不要とすることで部品点数の削減や製造工程を簡
素化することができ、コストダウンを図ることができる
ので望ましい。したがって、以下の実施例1ないし4に
おいては、両面基板を用いてIF結合部3を形成する場
合を例示する。また、実施例5においては、多層基板を
用いてIF結合部3を形成する場合を例示する。
wnチューナの構成を説明する。
(a)ないし(e)に示すアップコンバータ部1と、図
5(a)ないし(e)に示すダウンコンバータ部2との
組み合わせによって構成される。この時、IF結合部3
は、図6に示すように、アップコンバータ部1およびダ
ウンコンバータ部2の両方にかかる単板の基板完成品3
1のブリッジ部31aによって形成される。
(b)に示すように、両面基板が用いられており、その
一方の表面は、3本の導電ラインが形成され、真ん中の
ラインが、アップコンバータ部1からダウンコンバータ
部2へIF信号を伝達するための信号ライン33として
用いられる。一方、上記信号ライン33の両側のライン
は、スルーホール34を導電性材料で充填することによ
り、反対側の表面における導電面と電気的に接続され
る。尚、以下の説明では、基板完成品31において、信
号ライン33が形成された側の表面をおもて面、反対側
の表面を裏面とする。
は、チップジャンパー35、もしくは他の平板状の板等
のシールド部材が、該信号ライン33の両側のラインと
ハンダ36によって取り付けられる。上記チップジャン
パー35は、セラミック基板の周囲に電極となる導電性
膜を形成し、さらにその外部に保護膜37を形成したも
のである。上記チップジャンパー35により、信号ライ
ン33の両側のラインが導通される。
ンパー35ではなく、平板状の板を用いる場合において
も、信号ライン33の上面にはレジストがかかっている
ため、シールド部材と信号ライン33とが接触しても、
これらがショートすることはない。
イン33は、基板完成品31の裏面の導電面、スルーホ
ール34、ハンダ36、およびチップジャンパー35に
よって周囲を絶縁的に囲まれている。ここで、例えば、
裏面の導電面を接地することで、上記IF結合部3は、
信号ライン33の回りをアースで囲んだ同軸遮蔽構造と
することができる。
とすることにより、チューナが置かれる環境上で、外部
から該チューナに入ってくる流入雑音を大幅に軽減する
ことができる。
wnチューナの構成を説明する。
合部3において、信号ライン33のシールドの一部が、
アップコンバータ部1もしくはダウンコンバータ部2の
シャーシの一部を利用して形成される。すなわち、図9
(a)ないし(e)に示すアップコンバータ部1と図5
(a)ないし(e)に示すダウンコンバータ部2とを組
み合わせてUp/Downチューナを構成する場合に
は、上記アップコンバータ部1のシャーシの一部が、シ
ールド部38としてIF結合部3における信号ライン3
3をシールドする。
プコンバータ部1と図10(a)ないし(e)に示すダ
ウンコンバータ部2とを組み合わせてUp/Downチ
ューナを構成する場合には、上記ダウンコンバータ部2
のシャーシの一部が、シールド部38としてIF結合部
3における信号ライン33をシールドする。
11(a)および(b)に示すように、基板完成品31
における構成は実施例1と同様であるが、チップジャン
パー35の代わりに、上記シールド部38によって基板
完成品31のおもて面がシールドされる。
IF結合部3においては、信号ライン33と接すること
なく該信号ライン33を覆っており、これによって、基
板完成品31のおもて面がシールドされる。また、上記
シールド部38の両端部分は、信号ライン33の両側の
ラインとハンダ36によって電気的に接続される。
は、上記信号ライン33は、基板完成品31の裏面の導
電面、スルーホール34、ハンダ36、およびシールド
部38によって周囲を絶縁的に囲まれている。ここで、
例えば、裏面の導電面を接地することで、上記IF結合
部3は、信号ライン33の回りをアースで囲んだ同軸遮
蔽構造とすることができる。
とすることにより、チューナが置かれる環境上で、外部
から該チューナに入ってくる流入雑音を大幅に軽減する
ことができる。
wnチューナの構成を説明する。
合部3において、信号ライン33のシールドの一部が、
アップコンバータ部1およびダウンコンバータ部2のシ
ャーシの一部を利用して形成される。すなわち、図12
(a)ないし(e)に示すアップコンバータ部1と図1
3(a)ないし(e)に示すダウンコンバータ部2とを
組み合わすことによって本実施例に係るUp/Down
チューナが構成される。
部3において、シールド部39(図14参照)の一部と
なるシールド材39aが形成されている。また、上記ダ
ウンコンバータ部2には、同じくIF結合部3におい
て、シールド部39の一部となるシールド材39bが形
成されている。
14(a)および(b)に示すように、基板完成品31
における構成は実施例1とほぼ同様であるが、該基板完
成品31の上方および側方は、上記シールド材39aお
よび39bによって構成されるシールド部39によって
シールドされる。したがって、本実施例3では、上記実
施例1および2とは異なり、信号ライン33の側方が上
記シールド部39によってシールドされているため、ス
ルーホール34に導電性材料を充填する必要はない。
うに形成され、上述したように、IF結合部3におい
て、基板完成品31の上方および側方を囲むようにして
信号ライン33をシールドする。ここで、上記シールド
部39の上面となるシールド材39bは、信号ライン3
3と接することがないように、該信号ライン33とある
程度の距離をとって配置される。また、上記シールド材
39aは、基板の裏面の導電面と、ハンダ36によって
電気的に接続される。
は、上記信号ライン33は、基板完成品31の裏面の導
電面、ハンダ36、およびシールド部39によって周囲
を絶縁的に囲まれている。ここで、例えば、裏面の導電
面を接地することで、上記IF結合部3は、信号ライン
33の回りをアースで囲んだ同軸遮蔽構造とすることが
できる。
とすることにより、チューナが置かれる環境上で、外部
から該チューナに入ってくる流入雑音を大幅に軽減する
ことができる。
wnチューナの構成を説明する。
(a)および(b)に示すように、IF結合部3におい
て、信号ライン33のシールドの一部がシールド部材4
0によって形成される。上記シールド部材40は、アッ
プコンバータ部1またはダウンコンバータ部2のシャー
シの一部によって形成されるものではなく、新たに用い
られる部材である。すなわち、本実施例4に係るUp/
Downチューナは、図4(a)ないし(e)に示すア
ップコンバータ部1と図5(a)ないし(e)に示すダ
ウンコンバータ部2とを組み合わすことによって構成さ
れる。
板完成品31における構成は実施例3と同様である。そ
して、図15(a)および(b)に示すように、該基板
完成品31の上方および側方は、上記シールド部材40
によってシールドされる。
ように形成され、上述したように、IF結合部3におい
て、基板完成品31の上方および側方を囲むようにして
信号ライン33をシールドする。ここで、上記シールド
部材40の上面部は、信号ライン33と接することがな
いように、該信号ライン33とある程度の距離をとって
配置される。また、上記シールド部材40の両端は、基
板の裏面の導電面と、ハンダ36によって電気的に接続
される。
は、上記信号ライン33は、基板完成品31の裏面の導
電面、ハンダ36、およびシールド部材40によって周
囲を絶縁的に囲まれている。ここで、例えば、裏面の導
電面を接地することで、上記IF結合部3は、信号ライ
ン33の回りをアースで囲んだ同軸遮蔽構造とすること
ができる。
とすることにより、チューナが置かれる環境上で、外部
から該チューナに入ってくる流入雑音を大幅に軽減する
ことができる。
wnチューナの構成を説明する。
wnチューナでは、IF結合部3に両面基板を用いてい
るが、本実施例5に係るUp/Downチューナでは、
IF結合部3に多層基板を用いている。この場合、後に
詳細に説明するが、信号ライン33をシールドするため
の新たな部材は必要なく、本実施例5に係るUp/Do
wnチューナは、図4(a)ないし(e)に示すアップ
コンバータ部1と図5(a)ないし(e)に示すダウン
コンバータ部2とを組み合わすことによって構成され
る。
板完成品41は、少なくとも3層以上の多層基板で構成
され、図16(a)および(b)に示すように、信号ラ
イン33は内部の層に形成され、該基板完成品41の最
上層および最下層が、該信号ライン33をシールドする
ための層として使用される。
は、スルーホール34に導電性材料を充填することによ
り電気的に接続され、該スルーホール34は、信号ライ
ン33の側方をシールドする。
は、上記信号ライン33は、基板完成品41の最上層お
よび最下層とスルーホール34とによって周囲を絶縁的
に囲まれている。ここで、例えば、上記基板完成品41
の最上層または最下層を接地することで、上記IF結合
部3は、信号ライン33の回りをアースで囲んだ同軸遮
蔽構造とすることができる。
とすることにより、チューナが置かれる環境上で、外部
から該チューナに入ってくる流入雑音を大幅に軽減する
ことができる。
ナは、以上のように、上記各周波数変換部は、それぞれ
別のシャーシに収容されると共に、上記各周波数変換部
を収容した各シャーシは、信号伝達手段によって結合さ
れる構成である。
れ別のシャーシに収容されるため、複数の周波数変換部
が1つのシャーシに収容される従来のUp/Downチ
ューナに比べて、周波数変換部内の局部発振回路から出
される信号がシャーシを伝わって他の周波数変換部に与
える影響を低減させることができるという効果を奏す
る。
は、以上のように、請求項1の構成に加えて、上記信号
伝達手段は、両面基板の一方の面に形成され、周波数変
換部間での信号伝達経路となる信号ラインの回りを、ア
ースされた導電材でシールドする構造となっており、上
記両面基板の、該信号ラインが形成された面と反対側の
導電面は、上記シールドの一部として利用される構成で
ある。
えて、上記信号伝達手段が、信号ラインがアースされた
導電材でシールドされる同軸遮蔽構造となるため、周波
数変換部の局部発振回路の信号等が外部に漏れる不要輻
射や、チューナが置かれる環境上で外部からチューナに
入ってくる流入雑音を低減させることができる。
面に形成され、上記両面基板の該信号ラインが形成され
た面と反対側の導電面は、該信号ラインのシールドの一
部として利用される。これにより、信号伝達手段のシー
ルド構造を簡略化することができる。すなわち、上記両
面基板の信号ラインと反対側の面では、新たにシールド
を形成する必要がなく、部品点数の削減や製造工程の簡
素化を図ることができるという効果を奏する。
は、以上のように、請求項2の構成に加えて、上記信号
伝達手段のシールドは、上記両面基板の信号ラインが形
成された面と反対側の導電面によってシールドされる部
分以外は、該信号伝達手段によって連結されるシャーシ
の一部によってシールドされる構成である。
えて、該信号伝達手段によって連結されるシャーシの一
部が、信号ラインのシールドとして利用されるため、上
記信号ラインをシールドするための新たなシールド部材
を用意する必要がなく、部品点数の削減を図ることがで
きるという効果を奏する。また、上記シールドの固定が
容易となり、製造工程の簡素化を図ることができるとい
う効果を奏する。
は、以上のように、請求項1の構成に加えて、上記信号
伝達手段は、多層基板の内部の層に形成され、周波数変
換部間での信号伝達経路となる信号ラインの回りを、ア
ースされた導電材でシールドする構造となっており、上
記多層基板の最上層および最下層は、上記シールドの一
部として利用される構成である。
えて、上記信号伝達手段が、信号ラインがアースされた
導電材でシールドされる同軸遮蔽構造となるため、周波
数変換部の局部発振回路の信号等が外部に漏れる不要輻
射や、チューナが置かれる環境上で外部からチューナに
入ってくる流入雑音を低減させることができる。
層に形成され、上記多層基板の最上層および最下層は、
該信号ラインのシールドの一部として利用される。これ
により、信号伝達手段のシールド構造を簡略化すること
ができる。すなわち、上記多層基板の最上面および最下
面では、新たにシールドを形成する必要がなく、部品点
数の削減や製造工程の簡素化を図ることができるという
効果を奏する。
Downチューナの概略構成を示す斜視図である。
ブロック図である。
ある。
アップコンバータ部の一例を示すものであり、図4
(c)は平面図、図4(e)は正面図、図4(a)は背
面図、図4(b)および(d)は側面図である。
ダウンコンバータ部の一例を示すものであり、図5
(c)は平面図、図5(e)は正面図、図5(a)は背
面図、図5(b)および(d)は側面図である。
部の構造の一例を示す説明図である。
部の構造を示すものであり、図6とは別の例を示す説明
図である。
ーナのIF結合部の構造の一例を示す斜視図であり、図
8(b)は、上記IF結合部の断面図である。
アップコンバータ部の他の例を示すものであり、図9
(c)は平面図、図9(e)は正面図、図9(a)は背
面図、図9(b)および(d)は側面図である。
るダウンコンバータ部の他の例を示すものであり、図1
0(c)は平面図、図10(e)は正面図、図10
(a)は背面図、図10(b)および(d)は側面図で
ある。
チューナのIF結合部の構造の他の例を示す斜視図であ
り、図11(b)は、上記IF結合部の断面図である。
るアップコンバータ部のさらに他の例を示すものであ
り、図12(c)は平面図、図12(e)は正面図、図
12(a)は背面図、図12(b)および(d)は側面
図である。
るダウンコンバータ部のさらに他の例を示すものであ
り、図13(c)は平面図、図13(e)は正面図、図
13(a)は背面図、図13(b)および(d)は側面
図である。
チューナのIF結合部の構造のさらに他の例を示す斜視
図であり、図14(b)は、上記IF結合部の断面図で
ある。
チューナのIF結合部の構造のさらに他の例を示す斜視
図であり、図15(b)は、上記IF結合部の断面図で
ある。
チューナのIF結合部の構造のさらに他の例を示す斜視
図であり、図16(b)は、上記IF結合部の断面図で
ある。
示すブロック図である。
示すものであり、図18(c)は平面図、図18(e)
は正面図、図18(a)は背面図、図18(b)および
(d)は側面図である。
示す斜視図である。
Claims (4)
- 【請求項1】少なくとも2つ以上の周波数変換部を有す
るUp/Downチューナにおいて、 上記各周波数変換部は、それぞれ別のシャーシに収容さ
れると共に、 上記各周波数変換部を収容した各シャーシは、信号伝達
手段によって結合されることを特徴とするUp/Dow
nチューナ。 - 【請求項2】上記信号伝達手段は、 両面基板の一方の面に形成され、周波数変換部間での信
号伝達経路となる信号ラインの回りを、アースされた導
電材でシールドする構造となっており、 上記両面基板の、該信号ラインが形成された面と反対側
の導電面は、上記シールドの一部として利用されること
を特徴とする請求項1に記載のUp/Downチュー
ナ。 - 【請求項3】上記信号伝達手段のシールドは、 上記両面基板の信号ラインが形成された面と反対側の導
電面によってシールドされる部分以外は、該信号伝達手
段によって連結されるシャーシの一部によってシールド
されることを特徴とする請求項2記載のUp/Down
チューナ。 - 【請求項4】上記信号伝達手段は、 多層基板の内部の層に形成され、周波数変換部間での信
号伝達経路となる信号ラインの回りを、アースされた導
電材でシールドする構造となっており、 上記多層基板の最上層および最下層は、上記シールドの
一部として利用されることを特徴とする請求項1に記載
のUp/Downチューナ。
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