JPH1093088A - 自己整合接点をもつトランジスタの製造方法 - Google Patents
自己整合接点をもつトランジスタの製造方法Info
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Abstract
酸化物層の厚さに無関係に、接点がフィールド酸化物層
の縁から自動的に分離されるようになつており、トラン
ジスタを小型化するのに有効な方法を提供する。 【解決手段】 自己整合接点を有するトランジスタの製
造方法にして次の段階を有する:基板100上に多重層
を形成し、第1マスクを使用して、多重層の柱状部分を
保存しつつ多重層をエッチングする;柱状部分の側面に
横スペイサを形成し、不純物を注入する;シリコン基板
を注入領域において局部的に酸化させ、横スペイサを除
去する;柱状部分の回りに絶縁材料層130を堆積させ
る;第2マスクに従って柱状部分をエッチングし、第2
側面をもつグリッド構造140を形成し、活性領域を限
定する第3側面を露出させる;自己整合された絶縁スペ
イサ142、143を第2、第3側面に形成し、ソース
150とドレイン152を注入する;接点160、16
2を形成する。
Description
自己整合接点をもつトランジスタの製造方法に関する。
本発明の方法は特に、例えば、MOS(金属−酸化物−
半導体)トランジスタのような隔離グリッド型式の電界
効果トランジスタの製造に関する。本発明は、マイクロ
電子工学の分野において、特に高い集積密度を有する集
積回路の製造に適用される。
効果トランジスタの構造の概略断面を示す。シリコン基
板10内において、活性領域12は番号14で示す1個
または数個のフィールド隔離パッド14により横方向に
限定されている。酸化シリコンで作られたフィールド隔
離パッド14は、基板10に対し、活性領域を取り巻く
領域において、選択的な酸化を加えることにより作られ
る。活性領域は通常、この酸化工程の間、窒化シリコン
のマスクにより保護されている。活性領域12の上方に
形成されるトランジスタグリッド16は、グリッド酸化
物層18により基板10から分離されている。グリッド
16の側面は横スペイサ20により隔離されている。
物を2回注入することにより、ドレイン領域24とソー
ス領域22とが形成される。弱いドージングの第1注入
が、注入マスクとしてグリッド16を使用して簡単に実
行される。ついで、高いドージングの第2注入が、横ス
ペイサを形成した後、実行される。第2注入の間、グリ
ッドと横スペイサを形成された組立体がエッチングマス
クとして使用される。この2回の注入が、漸進的濃度を
もつソース領域とドレイン領域と創り出す。
(22、24)とを形成した後、構造全体が、2酸化シ
リコンを基本とする絶縁材料の厚い層26により覆われ
る。開口30、32が、絶縁材料の層26内に、ソー
ス、ドレイン領域22、24とほぼ整列して形成され
る。最後に開口は、ソース、ドレイン領域と電気的接触
をする電気伝導材料34を充填される。伝導材料が接点
を形成する。
38が電気伝導材料34に連結されている。ラインは同
じ基板上の種々の成分を相互に連絡させる。以上簡単に
説明したような、このタイプの構造とその製造方法と
は、成分や集積回路を小型化しようとする場合、多くの
限界を有している。開口30、32と、その中に形成さ
れる接点が大きく、小型化への主要な障害の一つであ
る。
きさを含むだけでなく、第1に、接点とグリッド16と
の間に、第2に、接点とフィールド絶縁14との間に最
小距離を維持するために必要な寸法をも含んでいる。
作るときのエッチングマスクの画定に使用される写真板
作成工具の解像度に関連する。実際には、工具の解像度
に起因する限界を補償するため、接点が作られる拡散領
域が拡大される。このことは、例えば、本明細書の末尾
に記載した文献(1)の図面に現れている。トランジス
タと、これらトランジスタにより形成される回路を小型
化することは、精密度の高い工具の使用を必要とし、従
って、製造費用が高くなる。
ース領域に対する接点の整合誤差の結果を示している。
図2の例では、接触開口が横絶縁層の方へオフセットさ
れている。図2における説明を簡単にするために、図1
の部分に同一または類似の部分には、同じ参照番号が付
されており、従って上記説明はここにも適用される。
触だけを示しているが、以下述べることはドレイン接点
に対しても同様に適用される。図2に示すように、フィ
ールド酸化物14のソース22に面する上縁が、接触開
口32を絶縁層内にエッチングするとき冒される。層2
6とフィールド酸化物14とは共に、酸化シリコン上に
置かれており、開口と接点とを画定するエッチングはこ
れら部分のいずれか一つを適切に選択することが出来な
い。
口内の伝導材料と、基板10との間の直接接触の危険が
存在する。これは、ソース、ドレイン領域における基板
との組織的短絡回路の危険を生じさせる。
物が部分的にのみ冒された場合においてさえ、絶縁品質
が低下する。接触開口内の非整合と、接触開口がフィー
ルド酸化物領域上に重なることとの負の効果を制限する
ために、接触開口の下方の基板部分にドーピングするこ
とが可能である。このタイプのドーピングが、図2に番
号40として示されている。その効果は、ソース領域を
接触開口32の下方において引き延ばすことである。か
くて、開口が伝導材料で充填されたとき、該材料が基板
10に直接接触することはない。これら方法は複雑であ
り、生じる問題を部分的に解決しているに過ぎない。
は、上記した問題を起こさないトランジスタの製造方法
を提供することである。本発明の主目的の一つは、フィ
ールド酸化物の厚さに関係なく、接点とフィールド酸化
物との間の物理的分離が自動的に行われるトランジスタ
製造方法を提供することである。
ンジスタを、従って、より高度な集積密度を有する回路
を製造する方法を提供することである。他の目的は、写
真板作成工具の解像度に関連する拘束を大幅に克服する
方法を提供することである。
ため、本発明の目的は、基板上に自己整合接点をもつト
ランジスタの製造方法にして、 a) グリッド酸化物層と、グリッド層と、少なくとも
一つの保護層とを、この順で有する多数層の基板を形成
する段階と、 b) 多重層上に、トランジスタの活性領域に対応する
少なくとも1個のパターンを有する第1エッチングマス
クを形成し、この多重層を第1マスクに対応してエッチ
ングし、グリッド酸化物層上において停止し、前記活性
領域対応した少なくとも1個の多重層柱状部分を保存す
る段階と、 c) 柱状部分の側面に横スペイサを形成し、柱状部分
と横スペイサとによりマスクされていないシリコン基板
の領域に、酸化を容易にするドーピング不純物を注入す
る段階と、 d) フィールド酸化物層を形成するため、シリコン基
板の注入された領域を局部的に酸化させ、横スペイサと
保護層とを除去する段階と、 e) 絶縁材料の層を柱状部分の回りに堆積させ、該絶
縁材料の層を研磨し、多重層柱状部分上で停止させる段
階と、 f) グリッドパターンをもつ第2マスクを柱状部分上
に形成し、第2マスクに従って柱状部分をエッチング
し、グリッド酸化物層上で停止させ、第2側面をもつグ
リッド構造を形成し、活性領域を限定する第3側面を露
出させる段階と、 g) 自己整合絶縁横スペイサを前記第2、第3側面上
に形成し、ソースとドレインととを、シリコン基板内の
グリッド構造の各側に、また、柱状部分のエッチングに
よりグリッド酸化物層が露出された領域に注入する段階
と、 h) 露出されたグリッド酸化物層を除去し、ソースと
ドレイン上に、グリッド構造物に自己整合された接点を
形成する段階と、を有する一層精密な方法を提供するこ
とである。
に形成された横スペイサとを局部的に酸化することによ
り、活性領域の両側にフィールド絶縁層を形成する酸化
領域が、ドレイン、ソース領域から分離されている。さ
らに、接点が、グリッド構造と、活性領域を限定する第
3側面とに自己整合しているから、接点とフィールド絶
縁層との間に隙間距離が形成されている。従って、接点
もフィールド絶縁層に対し自己整合している。接点とグ
リッドとの間にも隙間距離が維持される。
ることにより、また、段階c)において、ドーピング不
純物(nまたはp)を注入することにより容易に調整さ
れよう。さらに、隙間距離の調整は、寸法のばらつき、
または、写真板作成器材の整合の欠点等に影響されな
い。
階e)の後、柱状部分のグリッド層と接触し、絶縁材料
層を被覆する“短絡”層を形成する段階を含んでいる。
第2マスクが短絡層の上方に形成され、短絡層もまた、
段階f)において、グリッド構造の一部を形成するため
エッチングされる。短絡層は成形されて、例えば、読み
取り専用記憶装置(文献(1)に示されている)におけ
るワードラインのようなトランジスタグリッド指向ライ
ンを形成する。
第1保護層と、酸化シリコン層を覆う窒化シリコンの第
2保護層とが、段階a)において、多重層の上に形成さ
れ、窒化シリコンの第2保護層が、段階d)において、
除去され、第1保護層が、段階e)において、除去され
る。
され、該電気絶縁層は、段階f)において、短絡層と共
にエッチングされる。段階g)において形成されたスペ
イサも短絡層の側面を被覆していることに注意された
い。かくて、短絡層が頂部を絶縁層により、その側部
を、段階g)において形成された絶縁横スペイサにより
絶縁されている。これら方法により、ソースとドレイン
とに接触するように金属層を整合堆積させることによ
り、接点が容易に形成され、この金属層が研磨され、短
絡層を覆う電気絶縁層上で停止され、金属層を成形す
る。
て、柱状部分の側面に横スペイサを形成する前に、この
側面に酸化物層を形成することが可能であり、柱状部分
に面する側方酸化物層の側面は、段階f)において露出
され、活性領域を限定する第3側面を形成する。この特
性は、シリコンまたはポリシリコンがグリッド材料とし
て使用される場合特に有利である。この場合、側方酸化
物層が、例えば窒化シリコンで作られた横スペイサと、
グリッドとの間に生じる応力を緩和させることが出来
る。これら応力は、例えば、段階e)において堆積され
た絶縁材料のクリープ、または、ソース、ドレインのイ
オン注入を活動的にする焼鈍のような熱処理の際に特に
現れる。酸化シリコン層の役目は機械的緩衝材の役目に
類似している。
形シリコン基板、または、SOT(絶縁材上のシリコ
ン)絶縁材上のシリコンタイプ基板を使用し、埋没層と
呼ばれる酸化シリコン層上に表面シリコン層を有する多
重層を形成することが可能になる。
いて形成された多重層が、本方法においてはシリコン表
面層上に形成される。本発明の他の特性、利点は、添付
図面を参照しての以下の説明から明らかになろう、この
説明は単に説明の目的のためのものであり、本発明を限
定するものではない。
図示のように、グリッド酸化物層102、グリッド材料
を形成する多結晶シリコン(ポリシリコン)グリッド層
104、第1保護層を形成する酸化シリコンの薄い層1
06、グリッド層104のための第2保護層を形成する
窒化シリコン108を有する多重層101がシリコン基
板100上に形成されている。グリッド酸化物層102
は、シリコン基板を熱酸化させることにより直接形成さ
れよう。つぎに、層104、106、108が順次堆積
される。
nmのように非常に薄く、特に、側面を酸化するときの
活性領域にかかる応力を制限し、第2保護層108除去
するときの停止層として働く。図3の参照番号110は
破線により同定された第1エッチングマスクを示す。例
えば、既知の写真板作成技術を使用して形成される感光
性樹脂マスクであってよい。
性領域(ドレイン、チャンネル、ソース)の位置と大き
さとを画定するパターンを形成する。図示の実施例にお
いては、1個のエッチングマスクだけが示されている。
これは単一トランジスタの製造に適用される。しかし同
じ基板上に、同じ多重層内に、非常に多数のトランジス
タを同時に作ることも全く可能であることに注意された
い。
を含む集積回路を作ることが必要な場合である。この場
合、非常に多数のパターンをもつマスクが、多重層10
1の上に形成される。マスクを置いた後、多重層101
がマスクのパターンに従ってエッチングされ、グリッド
酸化物層102上で停止する。エッチングの間、柱状部
分11が図4に示すように、多重層101内に保存され
る。柱状部分の側面112は酸化され、側面を側面酸化
物層114により被覆する。側面酸化物層の利点は図5
から明らかになる。
116を形成し、次に、注入領域118を形成するため
柱状部分111の周囲にドーピング不純物を注入するこ
とを示している。横スペイサ116は、窒化シリコン層
を固形板堆積させ、ついで、柱状部分の側面を覆う部分
を除いて、この層を完全に除去するように異方性エッチ
ングを行うことにより形成される。この段階の間、層1
08は、堆積後の厚みのばらつきに相当する厚みだけ僅
かに冒される。
は、この場合ポリシリコンであるグリッド材料と、横ス
ペイサ内の窒化シリコンとの間の緩衝層を形成する。側
面上の酸化物は、これら二つの材料の間の応力を、特
に、この方法の後で実行される熱処理により生じる応力
を緩和する。
不純物、または、ボロン、インディウムのようなp+ タ
イプの不純物を注入すれば、柱状部分の回りに1個また
は数個のドーピングされたシリコン領域が形成され、該
領域はドーピングされない領域よりも速い酸化速度を有
する。例えば、燐原子を1020cm-3のドージングでn
+ ドーピングをしたとき、ドーピングされたシリコンの
酸化速度の、ドーピングされないものに対する比は3で
ある。同じ濃度のp+ ドーピングの場合、ドーピングさ
れたシリコンとドーピングされないシリコンとの酸化速
度の比は2である。
示されている。注入の間、保護層106と冒された層1
08がグリッド材料を保護する。柱状部分111の全体
がマスクを形成し、注入された不純物が柱状部分の下方
のシリコン層100の部分に達することを阻止してい
る。トランジスタの活性領域に対応するシリコン層の部
分が参照番号120として示されている。
ングされた部分が局部的に酸化される。950°C程度
の温度の水蒸気下のこの注入は、柱状部分111を取り
巻くフィールド酸化物層122を形成することが出来
る。この層が図6に見られる。フィールド酸化物層12
2はグリッド層104内の材料にも、酸化物114にも
達しておらず、横スペイサ116によりこれらから分離
されていることに注意されたい。また、ドーピングされ
た部分と、ドーピングされない部分との間の酸化速度の
差異が、層112の境界線における鳥の嘴状の変形を防
止している。
窒化シリコンで作られた第2保護層118とを除去した
後、図7に示した構造が得られる。図7において、フィ
ールド酸化物層122を柱状部分111の側面114か
ら分離している空間124に注意されたい。空間124
の大きさは、トランジスタ製造パターン(マスク)によ
り決められるのではなく、前に形成された横スペイサ
(図6)の大きさ、イオン注入(図5)、酸化物層12
2を得るに要する酸化時間等に主として依存している。
の層130の形成を示す。層130は、柱状部分111
の頂部と同一面にある平面状の上面132を有する。柱
状部分111の側面とフィールド酸化物層122とは共
に層130により覆われている。層130は、例えば、
PSG(ケイ酸燐ガラス)またはBPSG(ケイ酸硼素
燐ガラス)のようなドーピングされた酸化物層の固形板
堆積をさせ、この層を平坦化し、柱状部分111の多重
層上において停止させることにより形成される。
られるトランジスタを電気的に絶縁する。平面状の上面
を形成し、後の段階で形成される“短絡”層を、トラン
ジスタの活性領域から隔離する。
る。例えば、これは、平面状の上面上に形成された、多
結晶シリコンの層、および/または、ケイ化タングステ
ンのようなケイ化金属の層であってよい。短絡層は、第
1保護層106を除去することにより露出されたグリッ
ド材料層104に接触することになる。短絡層134は
絶縁酸化物層136により有利に被覆される。この層
が、短絡層134の頂部を、次に作られる(以下に説明
する)トランジスタのソース、ドレイン上の接点から電
気的に絶縁する。
後、ワードラインのようなグリッド指向ラインを形成し
よう。短絡層は、グリッド構造が形成されるのと同時に
成形される。グリッド構造は図10に参照番号140で
示されている。図10、図11に、図3〜図9の断面に
垂直な断面が示されている。この断面IX−IXは図9に記
されている。
8を使用してエッチングされ、グリッド酸化物層102
上で停止する。層136上に形成されるマスク138が
図10に破線で示されている。例えば、感光性樹脂のマ
スクであってよい。柱状部分111の上方に形成された
このマスクが、グリッド構造の位置、大きさを画定す
る。
応イオンエッチング)を使用してエッチングされる。エ
ッチングは第1に、グリッド酸化物層102、柱状部分
の側面を被覆する側面酸化物層114(図4〜図9)に
より、また、同様に酸化物層である絶縁層130により
停止される。かくて、グリッド構造が、層130の側面
と側面酸化物114と対して自己整合され、エッチング
された柱状部分から出発しグリッド構造に対向する層1
30の横側面を限定している。本テキストの残余におい
ては、側面114を第3側面と称する。グリッド構造の
自己整合性は、空間124により引っ込められているフ
ィールド酸化物層122の縁に影響されることはない。
2、第3側面と称されるグリッド構造の側面は、窒化シ
リコンスペイサ142、143により被覆されている。
これらのスペイサ、類似のスペイサ116は、窒化シリ
コン層を堆積させ、ついで、この層に異方性エッチング
を行うことにより形成される。第2側面は、スペイサを
形成する前に、緩衝酸化物層144により被覆されるこ
とが有利である。酸化物層144は、グリッド構造を形
成する材料と窒化シリコンスペイサ142との間に、熱
処理の際に生じる応力を緩和する。
砒素イオンのようなイオンを、グリッド構造のエッチン
グの間に、露出されているグリッド酸化物層の部分を通
し注入すれば、活性領域120内にソース領域150、
152が形成される。グリッド構造と絶縁層130とが
この注入に際し、注入マスクの役目となす。
ペイサ142、143と、本方法の初めに形成された酸
化物層114とに整合される。これらは、引き込まれた
フィールド絶縁層122の縁とは整合していない。この
ことが、トランジスタの間の電気的絶縁を改善してい
る。
ンジスタとが図11に示されている。最後の段階は、ソ
ースとドレインとに対する接点160、162の形成で
ある。この段階は、グリッド構造をエッチングする間露
出されているグリッド酸化物102の部分を除去するこ
と、金属層159を同形堆積させること、および、この
層を平坦にし成形すること、を含んでいる。金属層15
9と短絡層134の間の短絡の危険は、グリッド構造の
側面に形成された絶縁横スペイサと、短絡層を被覆する
絶縁酸化物層136とにより防止される。
属は、化学蒸着(CVD)技術を用いて堆積されよう。
層159は例えば機械化学的研磨方式の工程を使用して
平坦化され、この層の成形を継続する前に、トランジス
タのソース、ドレイン領域を互いに隔離するために、層
136において停止される。従来の写真板作成技術とエ
ッチング技術とを同時に使用する成形が、同じ基板上の
集積回路のトランジスタまたは成分の間を連絡させる。
接点160、162がフィールド絶縁層122上に重な
る危険がないことを示している。これは特に空間124
の存在によるのであり、空間の大きさは、作るトランジ
スタのエッチングパターンまたは作られるトランジスタ
の形状、寸法に依存することなく制御され一定に維持さ
れる。
基板上のシリコンの場合の本発明の方法の実施例の変形
を説明する。この方法における段階は実際的には同じで
あり、図12〜図15において、図3〜図11に示した
ものと同じ、または、類似の要素には、同じ参照番号が
付されている。従って、上記の説明はこれら要素に関し
ても適用される。
コン支持層97、“埋没”酸化シリコン層98、シリコ
ン“表面”層99等を有するSOIタイプ基板100で
ある。埋没層98は電気的絶縁層であり、シリコン層9
7、99の間に置かれている。グリッド酸化物層10
2、グリッド材料層104、保護層106、108を有
する多重層101が、SOI基板100上に形成され
る。この点に関しては図3の説明を参照されたい。
物層122を形成するための酸化と、絶縁材料層130
の形成との後に得られる構造を示している。フィールド
酸化物層122を形成する注入、酸化段階が、層122
がSOI基板表面層99の厚さ全体を占めるように、充
分な深さ、充分な厚さを有して実行される。かくて、フ
ィールド酸化物層122が、同様に絶縁層である埋没層
98にまで延びている。柱状部分111の下方に位置す
る層99の部分だけが保存され、トランジスタの活性部
120を形成する。
す。この層のエッチングと柱状部分111のエッチング
とが、グリッドを形成するため、上述したと同じ状況下
で実行される。グリッド酸化物層102がエッチング停
止層を形成している。
0、図11に対応する断面図である。図はソース領域1
50とドレイン領域152との、活性部120に対応し
て柱状部分111の下方(図14参照)に保存された層
99の部分内への注入を示している。ソースとドレイ
ン、150、152は、第2、第3側面上に形成された
側面スペイサ142、143に自己整合されている。
24とを設けることにより、ソースとドレイン、15
0、152がフィールド酸化物層122と直接接触する
ことはない。ソース、ドレイン領域とフィールド酸化物
層との間に、番号170で示された層99の部分が存在
している。部分170が、漏洩電流、特に、層99の底
を通り層98へ向かう漏洩の危険を減少させている。
グラム可能な読み取り専用記憶装置)、FLASH E
PROM技術の現状、傾向、比較、発展」A.Berg
emont,ESSDERC,Greoble 23回
会報,1993年9月: 575〜582頁。
ドレイン)領域との間の整合誤差の結果を示す既知のタ
イプのトランジスタの詳細の概略断面図、
段階の後に得られる構造の概略断面図、
グに対応する第2段階の最後に得られる構造の概略断面
図、
る構造の概略断面図、
概略断面図、
概略断面図、
の活性領域の回りに絶縁材料を堆積させることに対応す
る第5段階の後、得られる構造の概略断面図、
の概略断面図、
リッド構造のエッチングを示す図9の構造の概略断面
図、
のソース、ドレイン領域上の接点の形成を示すトランジ
スタの概略断面図、
れ、多重層がSOIタイプ基板上に形成されている構造
の概略断面図、
略断面図、
略断面図、
の、本発明の方法に従うSOIタイプ基板上に得られる
トランジスタを示す概略断面図、である。
Claims (10)
- 【請求項1】 基板上に自己整合接点をもつトランジス
タの製造方法にして、 a) “グリッド酸化物”層(102)と、グリッド層
(104)と、少なくとも1個の保護層(106、10
8)とを、この順に有する多重層基板(101)を形成
する段階と、 b) 多重層上に、トランジスタの活性領域に対応する
少なくとも1個のパターン(110)を有する第1エッ
チングマスクを形成し、この多重層を第1マスクに従っ
てエッチングし、グリッド酸化物層上において停止し、
前記活性領域対応した少なくとも1個の多重層柱状部分
(111)を保存する段階と、 c) 柱状部分(111)の側面(112)に横スペイ
サ(116)を形成し、柱状部分(111)と横スペイ
サ(116)とによりマスクされていないシリコン基板
の領域に、酸化を容易にするドーピング不純物を注入す
る段階と、 d) フィールド酸化物層(122)を形成するため、
シリコン基板の注入された領域を局部的に酸化させ、横
スペイサと保護層とを除去する段階と、 e) 絶縁材料(130)の層を柱状部分の回りに堆積
させ、該絶縁材料の層を研磨し、多重層柱状部分上で停
止させる段階と、 f) グリッドパターンをもつ第2マスク(138)を
柱状部分(111)上に形成し、第2マスクに従って柱
状部分(111)をエッチングし、グリッド酸化物層
(102)上で停止させ、第2側面をもつグリッド構造
(140)を形成し、活性領域を限定する第3側面を露
出させる段階と、 g) 自己整合絶縁横スペイサ(142、143)を前
記第2、第3側面上に形成し、ソースとドレインと(1
50、152)とを、シリコン基板内のグリッド構造
(140)の各側に、また、柱状部分のエッチングによ
りグリッド酸化物層(102)が露出された領域に注入
する段階と、 h) 露出されたグリッド酸化物層を除去し、ソースと
ドレイン上に、グリッド構造物(140)に自己整合さ
れた接点(160、162)を形成する段階と、を有す
ることを特徴とする方法。 - 【請求項2】 請求項1に記載の方法において、段階
c)において、柱状部分の側面に横スペイサ(116)
を形成する前に、これら側面上に側面酸化物層(11
4)が形成され、段階f)において、側面酸化物層の柱
状部分に面する縁が、活性領域を限定する第3側面を形
成するため露出されていることを特徴とする方法。 - 【請求項3】 請求項2に記載の方法において、グリッ
ド層(104)が多結晶シリコン層であるため、側面酸
化物層が、柱状部分(111)の側面(112)の表面
酸化により形成されることを特徴とする方法。 - 【請求項4】 請求項1に記載の方法において、nタイ
プまたはpタイプのドーピングへ導く不純物が、段階
c)において注入されることを特徴とする方法。 - 【請求項5】 請求項1に記載の方法において、該方法
がさらに、段階e)の後、柱状部分(111)のグリッ
ド層(104)と接触し、絶縁材料層(130)を被覆
する“短絡”層(134)を形成する段階を有し、第2
マスク(138)が短絡層の上方に形成され、短絡層
(134)もまたグリッド構造(14)の一部を形成す
るために、段階f)の間にエッチングされることを特徴
とする方法。 - 【請求項6】 請求項5に記載の方法において、電気絶
縁層(136)が短絡層(134)の上方に形成され、
第2マスク(138)が絶縁層(136)の上方に形成
され、前記電気絶縁層が短絡層(134)と共に、段階
f)においてエッチングされることを特徴とする方法。 - 【請求項7】 請求項6に記載の方法において、接点を
形成する段階が、ソースとドレイン(150、152)
と接触する金属層(159)を堆積させ、該金属層を研
磨し、短絡層(134)を覆う電気絶縁層(136)上
で停止させ、前記金属層を成形する段階を含むことを特
徴とする方法。 - 【請求項8】 請求項1に記載の方法において、段階
a)の間に、酸化シリコンの第1保護層(106)と、
酸化シリコン層(106)を覆う窒化シリコンの第2保
護層(108)とが多重層上に形成され、第2窒化シリ
コン保護層(108)が段階d)において除去され、第
1保護層(106)が段階e)において除去されること
を特徴とする方法。 - 【請求項9】 請求項1に記載の方法において、固形シ
リコン基板(100)が使用されていることを特徴とす
る方法。 - 【請求項10】 請求項1に記載の方法において、絶縁
物上シリコン(SOI)タイプの基板が使用されている
ことを特徴とする方法。
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