JPH1039099A - 放射線情報記録媒体 - Google Patents

放射線情報記録媒体

Info

Publication number
JPH1039099A
JPH1039099A JP19753996A JP19753996A JPH1039099A JP H1039099 A JPH1039099 A JP H1039099A JP 19753996 A JP19753996 A JP 19753996A JP 19753996 A JP19753996 A JP 19753996A JP H1039099 A JPH1039099 A JP H1039099A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
information recording
recording medium
radiation
information
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19753996A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanori Akata
赤田正典
Hironori Kamiyama
上山弘徳
Osamu Shimizu
治 清水
Masahito Okabe
岡部将人
Takehiro Yamashita
山下雄大
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP19753996A priority Critical patent/JPH1039099A/ja
Publication of JPH1039099A publication Critical patent/JPH1039099A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高解像で記録再生が可能な放射線情報記録媒
体及び放射線情報撮像装置を提供する。 【解決手段】 蛍光体層、第1の電極層、光電増幅変換
層、情報記録層、第2の電極層を有し、前記蛍光体層に
入射させた記録対象に対応した放射線情報を、光情報に
変換して情報記録層に記録することができる放射線情報
記録媒体、および、少なくとも、シャッターと、上記放
射線情報記録媒体と、前記放射線情報記録媒体の第lの
電極層と第2の電極層との間に所定の電圧印加を行う手
段とを備えてなる放射線情報撮像装置を特徴としてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は被写体に放射線を照
射して被写体情報を撮像する装置に係り、特に、被写体
の放射線情報を光情報に変換し、さらに光電変換して情
報記録媒体に情報記録する放射線情報撮像装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】ある種の蛍光体に放射線(X線、α線、
β線、γ線、紫外線、電子線等)を照射すると、放射線
が蛍光体に衝突して点状の蛍光を発することは、シンチ
レーションとして知られている。シンチレーションを用
いて放射線を検出し、計数するシンチレーションカウン
ターは、蛍光体、光電子増倍管および付属電子回路で構
成され、放射線の入射で蛍光体が発した光を数えること
によって放射線を検出し計測する装置である。また、シ
ンチレーションカウンターを使い、放射線のエネルギー
分布を測定し分析できるようにつくられた装置はシンチ
レーションスペクトロメーターとして知られている。ま
た、シンチレーションによる蛍光をフォトマルチプライ
ヤ(光電子倍増管)、CCD等の光検出器で検出して適
宜処理し、各種放射線画像を得るための方法及び装置が
近年盛んに提案されており、陽電子放出検出器(トモグ
ラフィー)、X線検出器(X線カメラ)、β線検出器、
γ線検出器、電子線検出器、中性子検出器などが、粒子
物理、核物理、生物、医学、天文等の用途に検討されて
いる。この最終的画像は、ハードコピーとして再生した
り、あるいはCRT上に再生したりすることができる。
また、光情報を情報記録媒体に記録するために、前面に
電極が設けられた光電増幅変換層からなる光センサと、
光センサに対向し、後面に電極が設けられた液晶ー高分
子複合体型液晶記録層からなる情報記録媒体とを光軸上
に配置し、両電極層間に電圧を印加しつつ露光し、入射
光学像に応じて光センサにより形成される電界により液
晶記録層を配向させて情報記録を行い、情報記録の再生
にあたっては透過光あるいは反射光により可視情報とし
て再生する情報記録再生方法が提案されている(例え
ば、特願平4ー3394号、特願平4ー24722号、
特願平5ー266646号)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した情
報記録再生方法は偏向板を使用しなくとも記録された情
報を高解像度に可視化できるものであるが、前述したよ
うな放射線情報を記録再生するシステムに適用された例
はまだない。本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
で、放射線情報の形成能に優れているとともに、高解像
で記録再生が可能な放射線情報記録媒体及び放射線情報
撮像装置を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも、
蛍光体層、第1の電極、光電増幅変換層、情報記録層、
第2の電極を有し、前記蛍光体層に入射させた記録対象
に対応した放射線情報を、光情報に変換して情報記録層
に記録することができる放射線情報記録媒体、および、
少なくとも、シャッターと、上記放射線情報記録媒体
と、前記放射線情報記録媒体の第lの電極と第2の電極
との間に所定の電圧印加を行う手段とを備えてなる放射
線情報撮像装置、さらに前記放射線情報記録媒体に記録
された情報を透過光あるいは反射光により可視情報とし
て再生することにより、放射線情報を高解像度に得るこ
とを特徴とするものである。
【0005】図1は本発明の放射線情報記録及び再生を
説明するための図で、図1(a)は記録装置と再生装置
が一体の装置構成を示す図、図1(b)は記録装置と再
生装置が分離している場合の構成を示す図である。図1
において、1は放射線発生装置、2は被写体、3は放射
線情報記録媒体、4は再生用光源、4aはハーフミラ
ー、5は再生装置、6は表示装置、9はシャッタであ
る。
【0006】図1(a),(b)に示されるように、放
射線発生装置1からの放射線を被写体2に照射し、透過
した放射線をシャッタ9を通して放射線情報記録媒体3
に入射させる。シャッタ9は放射線の放射に合わせる形
で開閉し、放射線を放射線情報記録媒体3へ導く役目を
している。放射線情報記録媒体3は、後述するように蛍
光体層を有しており、放射線が蛍光体に衝突すると蛍光
を発し、この光を光電増幅変換層で電荷あるいは電界に
変換し、この電荷あるいは電界は液晶高分子複合体より
なる情報記録層の液晶を配向させる作用を及ぼし、放射
線情報は情報記録層ヘアナログ可視像として記録され
る。
【0007】記録されたアナログ像の読み取りは、図1
(a)に示すように、組み込まれた装置の再生用光源4
からハーフミラー4aを通して放射線情報記録媒体3へ
再生光を照射し、放射線情報記録媒体3からの反射光を
ハーフミラー4aを通して再生装置5に入射させて電気
信号とする。再生装置5は、例えば、CCDセンサから
なり、入射光像をデジタル信号として取り出すことがで
きるものである。読み取った信号は、例えば、CRT等
からなる表示装置に入力されて表示され、アナログ像が
観察可能となる。なおデジタル情報は、図示しない画像
処理回路で適宜画像処理、画像編集等をして再生するこ
とが可能である。
【0008】また、図1(b)に示すように、アナログ
像が記録された放射線情報記録媒体3を装置から取り外
し、再生用光源4から再生光を照射し、その透過光また
は反射光を再生装置5で電気信号に変換し、変換した電
気信号を表示装置6にアナログ可視像として表示する。
【0009】放射線情報記録媒体3の構成は図2に示す
とおりであり、最も簡単な構成としては、図2(a)に
示すように、蛍光体層31、透明電極層34、光電増幅
変換層32、情報記録層33、電極層35よりなってい
る。
【0010】また、必要に応じて、図2(b)に示すよ
うに、光電増幅変換層32と情報記録層33との間に中
間誘電体層36、あるいは図2(c)に示すように、光
電増幅変換層32と情報記録層33との間に空隙形成層
37を設けるようにしてもよい。
【0011】また、図2(a)の層構成のものに対し
て、図3(a)に示すように、螢光体層31と電極層3
4との間に基材38を設ける、図3(b)に示すように
基材37上に螢光体層を設ける、図3(c)に示すよう
に、螢光体層31と電極層34との間にセパレータ層3
9を設ける、図3(d)に示すように、電極層35上に
オーバーコート層40を設ける、図3(e)に示すよう
に螢光体層31上に保護層41を設けるなどしてもよ
い。また、図3(a)〜図3(e)のものは任意に組み
合わせた層構成としてもよい。なお、図3に示す層構成
は、図2(a)に対するものであるが、全く同様に図2
(b)、図2(c)の層構成のものに対しても図3と同
様に基材、セパレータ層、オーバーコート層、保護層を
設けるようにしてもよく、また任意にそれぞれのものを
組み合わせて媒体を作製するようにしてもよい。なお、
蛍光体層31に用いられる蛍光体としては、 蛍光効率が高いこと、 蛍光スペクトルが光電変換器の光電増幅変換層の特性
と合致すること、 蛍光の減衰時間が短いこと、 透明で安定なものがつくりやすいこと、 蛍光効率の温度係数が小さいこと、 入射放射線のエネルギースペクトルを測定する際のエ
ネルギーと光量の比例性と分解能とがよいこと、 などが要求され、いわゆるシンチレーターと同様のもの
を用いることができる。蛍光体としては、無機化合物、
有機化合物が使用可能であり、無機化合物の結晶は密度
が大きいのでγ線に適し、蛍光効率も大きいが比較的減
衰時間が長く、一方、有機化合物は減衰時間は短いが、
大きな単結晶の製造が困難であるため、大きなシンチレ
ーターを必要とする場合は、有機液体を使用し、また、
有機化合物の重合体を使用したプラスチック分散系のも
のが使用可能である。無機化合物としてはLiI(E
u)、NaI(Tl)、KI(Tl)、CsI(T
l)、CsF、ZnS(Ag)、ZnS(Cu)、Ca
WO3 、CdWO3等が使用される。
【0012】有機化合物では、有機結晶としてアントラ
セン、pーテルフェニル、pークァテルフェニル、tr
ansースチルベン、ナフタリン、ジフェニルアセチレ
ンが使用される。
【0013】有機液体としては、溶媒をトルエンとし、
p−テルフェニルを溶質として5g/lの割合で含有さ
せたもの、溶媒をトルエンとし、2,5ジェフェニルオ
キサゾールを溶質として、3g/lの割合で含有させた
もの、溶媒をトルエン、溶質を5−(4−ビフェニリ
ル)−2−フェニル−1,3,4−オキサジアゾールと
し、8g/lの割合で含有させたもの、溶媒をフェニル
シクロヘキサン、溶質をp−テルフェニルとし、3g/
lの割合で含有させたもの等を挙げることができる。
【0014】プラスチック分散系としては、溶媒をポリ
スチレン、溶質をp−テルフェニルとして36g/lの
割合で含有させたもの、溶媒をポリスチレン、溶質を
1,1,4,4−テトラフェニル−1,3−ブタジエン
とし、16g/lの割合で含有させたもの、溶媒をポリ
ビニルトルエン、溶質を1,1,4,4−テトラフェニ
ル−1,3−ブタジエンとし16g/lの割合で含有さ
せたもの等を挙げることができる。
【0015】なお、ここで挙げた蛍光体はごく一部であ
り、本発明はこれにより他の蛍光体の使用を妨げられる
ものではない。
【0016】放射線情報記録媒体においては、蛍光体層
を外部雰囲気からの化学的刺激、特に水分から保護する
ために、蛍光体層上に更に少なくとも1層以上の保護層
11を設けることが望ましい。
【0017】次に、電極層34と光電増幅変換層2とか
ら構成される光センサについて説明する。本発明の光セ
ンサの光電増幅変換層は単層から構成されている場合と
複数の層から成る積層体から構成されている場合があ
り、ここでは積層型光電増幅変換層について説明する。
積層型光電増幅変換層は電荷発生層及び電荷輸送層から
構成されている。電荷発生層は電荷発生性物質とバイン
ダーからなる。電荷発生性物質としては、ピリリウム系
染料、アズレニウム系染料、スクアリリウム塩系染料、
フタロシアニン系顔料、ペリレン系顔料、多環キノン系
顔料、インジゴ系顔料、ピロール系顔料、アゾ系顔料等
の染料、顔料を単独あるいは複数のものを組み合わせて
使用することができる。
【0018】バインダーとしては、例えばポリカーボネ
イト樹脂、ビニルホルマール樹脂、ビニルアセタール樹
脂、ビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂、アクリ
ル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル
樹脂、塩化ビニルー酢酸ビニル共重合体樹脂等が挙げら
れ、それぞれバインダー樹脂を単独または複数のものを
組み合わせて使用することができる。
【0019】これらの電荷発生剤とバインダーの混合比
は、電荷発生剤1重量部に対してバインダーを0.1〜
10重量部、好ましくは0.2〜1重量部の割合で使用
することが望ましい。電荷発生層は乾燥後膜厚として
0.01〜1μmであり、好ましくは0.1〜0.5μ
mとするとよく、このような膜厚とすることによつて良
好な感度と画質を示す。また、先に示した電荷発生性物
質で蒸着可能なものは、バインダーを用いず、単独で成
膜することもできる。
【0020】電荷輸送層は電荷輸送性物質とバインダー
とからなる。電荷輸送性物質は、電荷発生層で発生した
電荷の輸送特性がよい物質であり、例えば、オキサゾー
ル系、チアゾール系、トリフェニルメタン系、スチリル
系、スチルベン系、ヒドラゾン系、カルバゾール系、エ
ナミン系、芳香族アミン系、トリフェニルアミン系、ブ
タジエン系、多環芳香族化合物系、ビフエニル系等があ
り、ホール輸送特性の良い物質とすることが必要であ
る。
【0021】バインダーとしては、前記した電荷発生層
におけるバインダーと同様のもの、さらにスチレン樹
脂、スチレンーブタジエン共重合体樹脂、ポリアリレー
ト樹脂、フェノキシ樹脂が使用できるが、好ましくはス
チレン樹脂、スチレンブタジエン共重合体樹脂、ポリカ
ーボネイト樹脂である。バインダーは、電荷輸送性物質
1重量部に対して0.1〜l0重量部、好ましくは0.
1〜1重量部の割合で使用することが望ましい。電荷輸
送層は乾燥後膜厚として1〜50μmであり、好ましく
は3〜26μmとするとよく、このような膜厚とするこ
とによって良好な感度と画質が得られる。
【0022】次に、本発明の光センサーにおける光誘起
電流増幅作用について説明する。増幅作用測定用光セン
サーの光電増幅変換層上に0.16cm2 の金電極を積
層する。そして、透明電極層34と金電極間に透明電極
層34を正極として直流の一定電圧を印加すると共に、
電圧印加開始後0.5秒後に基板側から0.033秒間
光照射し、測定時間中の光センサーにおける電流値の挙
動を、光照射開始時(t=0)から測定する。なお、照
射光は、キセノンランプ(浜松ホトニクス社製L227
4)を光源に、グリーンフィルター(日本真空光学社
製)により得られる緑色光を、201xの強度で照射し
た。照射光強度を照度計(ミノルタ社製)で測定し、使
用したフイルターの特性を図4に示す。
【0023】この光強度で光照射した時、透明基材、I
TO膜(電極層34)の光透過率、フィルターの分光特
性を考慮すると、光電増幅変換層32には4.2×10
11個/cm2 秒のフォトンが入射する。そして、入射し
たフォトンが全て光キャリアに変換されると、理論的に
は光電流としては単位面積当たり1.35×10-6A/
cm2 の電流が発生する。ここで、前記測定装置により
測定する場合に、理論的光電流に対して、光センサーで
実際に発生した光誘起電流の割合、すなわち、光センサ
ーにおけるみかけの量子効率を、次のように、 みかけの量子効率=(光センサーで実際に発生する光誘
起電流値/理論的光電流値) として定義する。また光誘起電流とは、光照射部の電流
値から光を照射しない部分で流れる電流(ベース電流)
値を差し引いたものであり、光照射中あるいは光照射後
もベース電流以上の光照射に起因する電流が流れるもの
をいい、いわゆる光電流とは相違する。本発明の光セン
サーにおける光誘起電流増幅作用とは、このような光誘
起電流の挙動のことである。
【0024】本発明における光誘起電流増幅作用を有す
る光センサーと、光誘起電流増幅作用を有さない光セン
サー(以下、比較センサーという)とを、前記測定装置
での測定結果を使用して説明する。
【0025】まず、比較センサーについての測定結果の
一例を図5に示す。図5において、(m)線は、前記理
論値(1.35×10-6A/cm2 )を示す参考線で、
光照射を0.033秒間行い、光照射後も電圧印加を継
続した状態を示す。(n)線は比較センサーの実測線で
光照射中の光電流の増加は小さく、その値も理論値
(1.35×10-6A/cm2 )を超えず、この比較セ
ンサーにおけるみかけの量子効率は最高で約0.5まで
にしかならない。光照射中の量子効率の変化を図6に示
す。
【0026】これに対して、本発明の光センサーは、一
例として図7に示すように光照射時は光誘起電流が増加
し、量子効率との関係を示す図8から明らかなように、
約0.01秒で量子効率は1を超え、その後も量子効率
は増加を続けることがわかる。また、比較センサーでは
光照射終了と同時に光電流が急激に減衰するため、光照
射後継続して電圧印加しても光情報として有効な電流は
得られない。これに対して、本発明の光センサーにおい
ては、光照射後も電圧印加を継続することにより光誘起
電流が徐々に減衰しながらも継続して流れ、引き続いて
光誘起電流を取り出すことができ、光情報を続けて得る
ことができる。本発明における緩和型減衰挙動とは、こ
のような光誘起電流の挙動のことである。
【0027】情報記録層33は液晶一高分子複合体より
なり、液晶記録層とも呼ばれる。液晶記録層は液晶相中
に樹脂粒子が分散した構造を有しているが、液晶材料
は、スメクチック液晶、ネマチック液晶、コレステリッ
ク液晶あるいはこれらの混合物を使用することができ
る。液晶としては、その配向性を保持し、情報を永続的
に保持させる、いわゆるメモリー性の観点から、スメク
チック液晶を使用することが好ましい。スメクチック液
晶としては、液晶性を呈する物質の末端基の炭素基が長
いシアノビフェニル系、シアノターフエニル系、フェニ
ルエステル系、更にフッ素系等のスメクチックA相を呈
する液晶物質、強誘電性液晶として用いられるスメクチ
ックC相を呈する液晶物質、あるいはスメクチックH、
G、E、F等を呈する液晶物質等が挙げられる。
【0028】樹脂粒子を形成する材料としては、例え
ば、紫外線硬化型樹脂であって、モノマ一、オリゴマー
の状態で液晶材料と相溶性を有するもの、あるいはモノ
マー、オリゴマーの状態で液晶材料と共通の溶媒に相溶
性を有するものを好ましく使用できる。このような紫外
線硬化樹脂としては、例えばアクリル酸エステル、メタ
クリル酸エステル等が挙げられ、モノマー、オリゴマー
の状態で、例えばジペンタエリストールヘキサアクリレ
ート、トリメチロールプロパントアクリレート、ポリエ
チレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリ
コールジアクリレート、イソシアヌール酸(エチレンオ
キサイド変性)トリアクリレート、ジペンタエリストー
ルペンタアクリレート、ジペンタエリルトールテトラア
クリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、
へキサンジオールジアクリレート等の多官能性モノマ
ー、或は多官能性ウレタン系、エステル系オリゴマー、
更にノニルフェノール変性アクリレート、Nービニルー
2−ピロリドン、2−ヒドロキシー3−フェノキシブロ
ピルアクリレート等の単官能性モノマー或はオリゴマー
等が挙げられる。平均分子量/平均官能基で示されるパ
ラメータが160以下の多官能性の未硬化の紫外線硬化
樹脂が特に好ましく、情報記録層表面に形成される樹脂
層が耐久性に優れたものとすることができ、情報記録層
における液晶の使用割合を増大しても情報記録層表面へ
の液晶のしみ出しがなく、これによる画像の乱れを無く
すことができ、高品質の画像が得られる。その他、液晶
材料と共通の溶媒に相溶性を有する溶媒可溶型の熱硬性
樹脂、例えばアクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリエス
テル樹脂、ポリスチレン樹脂、およびこれらを主体とし
た共重合体等、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を使用
してもよい。液晶材料と樹脂の使用割合は、液晶の含有
率が10重量部%〜90重量部%、好ましくは40重量
部%〜80重量部%となるようにして使用するとよく、
10重量部%未満であると情報記録により液晶相が配向
しても光透過性が低く、また、90重量%を超えると液
晶のしみ出し等の現象が生じ、画像むらが生じ好ましく
ない。
【0029】情報記録層の膜厚は解像性に影響を与える
ので、乾燥後膜厚0.1μm〜10μm、好ましくは3
μm〜8μmとするとよく、高解像性を維持しつつ、動
作電圧も低くすることができる。膜厚が薄すぎると情報
記録部のコントラストが低く、また、厚すぎると動作電
圧が高くなるので好ましくない。また、情報記録層は、
液晶相の光屈折率と樹脂相の光屈折率とをほぼ同じもの
としておくことにより、電界のかからない状態では光散
乱により不透明であり、電界がかかると液晶相が配向
し、情報記録部を透明状態とすることができるものであ
り、情報再生に際しても偏向板が不用であり、読み取り
に際しての光学系を単純化しうる。
【0030】また、混合液中には、電極層に対する濡れ
性を良くし、また、硬化時に情報記録層表面に樹脂のみ
からなるスキン層を形成させることを目的として弗素系
界面活性剤が添加される。このような弗素系界面活性剤
としては、例えば往友3M(株)製、フロラードFC−
430、同フロラードFC−431、N−(n−プロピ
ル)−N−(ベータアクリロキシエチル)−パーフルオ
ロオクチルスルホン酸アミド〔三菱マテリアル(株)製
EF一125M〕等が挙げられる。弗素系界面活性剤
は、液晶と樹脂形成材料の合計量に対して0.l〜20
重量%の割合で使用される。
【0031】本発明における液晶、未硬化の紫外線硬化
樹脂及び弗素系界面活性剤からなる混合液は、液晶、未
硬化の紫外線硬化樹脂及び弗素系界面活性剤に共通の溶
媒に溶解させた混合溶液を使用するとよい。溶媒は情報
記録層を薄膜に形成するために、好ましく使用される。
このような溶媒としでは、酢酸−n−ブチルに対する相
対蒸発速度が2より小さい溶剤が好ましい.具体的に
は、キシレン(R=0.76)、シクロヘキサノン(R
=0.32)等の蒸発速度の比較的遅いものが好まし
く、またクロロホルム等に代表されるハロゲン化炭化水
素系溶媒、メチルセルソルブ等に代表されるアルコール
誘導体系溶媒、ジオキサン等に代表されるエ−テル系溶
媒等が挙げられる。その他、混合液中には光硬化剤が添
加される。光硬化剤としては、例えば2−ヒドロキシー
2−メチルー1−フェニルプロパンーl−オン(チバガ
イギー社製「ダロキユア1173」)、1一ヒドロキシ
シクロヘキシルフエニルケトン(チバガイギー社製「イ
ルガキュア184」)、l−(4−イソプロピルフエニ
ル)−2−メチルプロパンーオン(チバガイギー社製
「ダロキュア1116」)、ベンジルジメチルケタール
(チパガイギー社製「イルガキユア651」)、2−メ
チルーl−〔4−(メチルメオ)フェニル〕−2−モル
ホリノプロパノンー1(チバガイギー社製「イルガキュ
ア907」)、2,4−ジエチルチオキサントン(日本
化薬社製「カヤキュアDETX」)とp−ジメチルアミ
ノ安息香酸エチル(日本化薬社製「カヤキュアEP
A」)との混合物、イソプロピルチオキサントン(ワー
ドブレキンソップ社製「クンタキュア・ITX」)とp
−ジメチルアミノ安息香酸エチルとの混合物が挙げられ
るが、液状である2−ヒドロキシー2−メチルーl−フ
ェニルプロパンー1−オンが液晶材料、重合体形成性モ
ノマー若しくはオリゴマーとの相溶性の面で特に好まし
い。また、必要に応じて混合液の塗布適性を向上させ、
表面性を良くするためにレベリング剤を添加してもよ
い。
【0032】以上説明した情報記録媒体は、情報露光に
よる記録を液晶の配向により可視化した状態とするもの
であるが、液晶と樹脂との組合せを選ぶことにより、一
旦配向し、可視化した情報は消去せず、メモリ性を付与
することができる。また、等方相転移付近の高温に加熱
すると、メモリ性を消去することができるので、再度の
情報記録に使用することができる。
【0033】情報記録媒体の温度特性について説明す
る。図9は本発明で使用される情報記録媒体の温度特性
の一例を示す図である。図9において、横軸は液晶記録
層に印加される電圧(Volt)であり、縦軸は変調率
(%)を表している。変調率とは、光学的に情報記録媒
体の記録情報を読み出す場合において、最大の光透過状
態における検出器の出力を100%とし、最大の光散乱
状態における検出器の出力を0%としたスケールを、検
出器の出力に与えたものである。図に示すように、電圧
の変化に対して急峻に変調率が変化するのは、感度が極
めて高いことを示している。一方温度に対する変調率の
特性変化は、温度が変化するような環境で使用する場合
に温度、電圧等の制御を行うように構成する必要がある
ことを示している。また、このような特性を利用して記
録された情報を消去することが可能であることも示して
いる。例えば、15℃〜25℃の温度条件では、200
V以下、または350V以上とすることで情報は消去さ
れる。本発明においては、このような情報記録媒体の特
性を考慮して、使用時の温度条件、電圧条件等の具体的
な設定が行われる。
【0034】放射線情報記録媒体の構成の一例として
は、光センサと情報記録層とを中間誘電体層36を介し
て対向配置し、直接積層した一体型としたものである
(図2(b))。この中間誘電体層を介する構成は、光
センサにおける光電増幅変換層が溶媒を使用して塗布形
成される場合に特に適しており、光電増幅変換層上に情
報記録層を直接塗布形成すると、それらの相互作用によ
り情報記録層における液晶が溶出したり、また、情報記
録層形成用の溶媒により光導電材料が溶出することによ
り画像ムラが生ずるが、これを防止することができ、ま
た光センサと情報記録層との一体化を可能とするもので
ある。
【0035】中間誘電体層は、その形成にあたって、光
電増幅変換層形成材料、情報記録層形成材料にいずれに
対しても溶解性を有しないことが必要であり、また導電
性を有しないことが必要である。導電性を有する場合に
は、空間電荷の拡散が生じ、解像度の劣化が生じること
から絶縁性が要求される。また、中間誘電体層は液晶層
にかかる分配電圧を低下させたり、あるいは解像性を悪
化させるので、膜厚は薄い方が好ましく、2μm以下と
するとよいが、逆に薄くすることにより、経時的な相互
作用による画像ノイズの発生ばかりでなく、積層塗布す
る際にピンホール等の欠陥による浸透の問題が生じる。
ピンホール等の欠陥による浸透性は積層塗布する材料の
固形分比率、溶媒の種類、粘度により異なるので、積層
塗布されるものの膜厚は適宜設定されるが、少なくとも
10μm以下の膜厚とするとよく、好ましくは0.1μ
m〜3μmとするとよい。さらに、各層に掛かる電圧分
配を考慮した場合薄膜化と共に誘電率の高い材料が好ま
しい。
【0036】中間誘電体層36を形成する材料として
は、無機材料ではSiO2 、Ti02、CeO2 、Al
2 3 、Si3 4 AiN、TiN、MgF2 、Zn
S、二酸化珪素と二酸化チタンとの組み合わせ、硫化亜
鉛と弗化マグネシウムの組み合わせ、酸化アルミニウム
とゲルマニウムの組み合わせ等を使用し、蒸着法、スパ
ッタ法、化学蒸着(CVD)法等により積層して形成す
るとよい。また、有機溶剤に対して相溶性の少ない水溶
性樹脂、例えばポリビニルアルコール、水系ポリウレタ
ン、水ガラス等の水溶液を使用し、スピンコート法、ブ
レードコート法、ロールコート法等により積層してもよ
い。更に、塗布可能なフッ素樹脂を使用してもよく、こ
の場合にはフッ素系溶剤に溶解し、スピンコート法によ
り塗布するか、またブレードコート法、ロールコート法
等により積層してもよい。塗布可能なフッ素樹脂として
は、例えば、特開平4−24728号公報等に開示され
たフッ素樹脂、更に真空系で膜形成されるポリパラキシ
リレンやポリビニルアルコール等の有機材料を好ましく
使用することができる。
【0037】空隙形成層10は光センサーと情報記録層
との間に10ミクロン前後の一定間隔の空隙を形成する
ように配置される層であり、いわゆるスペーサーのこと
である(図2(c))。空隙形成層を形成する材料とし
ては絶縁性の薄膜が好ましく、例えばポリエステル、ポ
リイミド、ポリエチレン等の高分子樹脂フィルムが好ま
しく用いられる。
【0038】電極は、106 Ω・cm以下の比抵抗を安
定して与える材料、例えば金、白金、亜鉛、チタン、
銅、鉄、錫等の金属薄膜導電膜、酸化錫、酸化インジウ
ム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化タングステン、酸化バ
ナジウム等の金属酸化物導電膜、四級アンモニウム塩等
の有機導電膜等を、単独あるいは二種以上の複合材料と
して用いることができる。なかでも酸化物導電体が好ま
しく、特に酸化インジウム錫(ITO)が好ましい。電
極は蒸着、スパッタリング、CVD、コーティング、メ
ッキ、ディッピング、電界重合等の方法により形成され
る。またその膜厚は電極を構成する材料の電気特性、お
よび情報記録の際の印加電圧により変化させる必要があ
るが、例えばITO膜では10〜300nm程度であ
り、情報記録層との間の全面、あるいは任意のパターン
に合わせて形成される。また、二種類以上の材料を積層
して用いることもできる。
【0039】基材38は、、カード、フィルム、テー
ブ、シート、ディスク等の形状を有し、放射線情報記録
媒体を強度的に支持するものであり、各種高分子材料、
無機材料を用いることができる。例えば可撓性のあるブ
ラスチックフィルム、あるいはガラス、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメ
チルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエ
ステル、ポリカーボネート等のプラスチックシート、カ
ード等の剛体が使用される。なお、基板の電極が設けら
れる面の他方の面には、電極が透明であれば必要に応じ
て反射防止効果を有する層を積層するか、または反射防
止効果を発現し得る膜厚に透明基板を調整するか、更に
両者を組み合わせることにより反射防止性を付与すると
よい。
【0040】次にオーバーコート層9について説明す
る。このオーバーコート層を設けることにより、液晶記
録層の表面からの液晶の滲み出し現象をより防止するこ
とができるとともに、情報記録媒体表面の硬度を高める
ことができ、耐久性が付与される。オーバーコート層を
形成する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタ
レート樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、
ポリエチレン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂等の
樹脂や、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル等
の紫外線硬化樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の
熱硬化型樹脂を使用することができる。また、有機溶媒
に対して相溶性の少ない水溶性樹脂であるポリビニルア
ルコール、水系ポリウレタン、水ガラス等や、フッ素系
樹脂であるサイトップ(旭ガラス(株)製)等を使用す
ることができる。
【0041】特に、紫外線硬化型樹脂を使用すると、情
報記録媒体表面の滲み出し等の現象が抑制され、情報記
録媒体表面への液晶の滲み出しによる画像の乱れや、電
極層における導電性の低下を防止することができる。ま
た表面硬度を非常に高くすることでき、情報記録媒体表
面における情報記録媒体への傷つきによる画像の乱れ
や、情報記録媒体の損傷を防止することができ耐久性を
向上することができる。さらに、情報記録媒体表面に積
層される透明電極層のひび割れ等の発生による画像劣化
も防止できる。オーバーコート層は0.l〜20μm、
好ましくは0.3〜5μm、さらに好ましくは0.5〜
2μmとすると良い。
【0042】セパレータ層39は、蛍光体変換層31と
電極層34を隔てるもので、中間誘電体層やオーバーコ
ート層、空隙形成層、基材に用いる各種材料を用いるこ
とができる。
【0043】次に、再生について説明する。液晶記録媒
体に記録された放射線情報の再生は、図10(a)(透
過型)、図10(b)(反射型)に示すように、光源6
0からの光をフイルタ70を介して波長光を選択し、液
晶記録媒体に読み取り光を照射して行う。入射した光は
液晶記録媒体の液晶の配向により変調され、透過光(ま
たは反射光)は光電変換装置80で電気信号に変換さ
れ、変換された電気信号は必要に応じてプリンタやCR
Tに出力される。光源60としては、キセノンランプ、
ハロゲンランプ等の白色光源やレーザー光が用いられ
る。
【0044】
【実施の形態】以下、本発明の実施の形態について説明
する。 (実施例l) (放射線情報記録媒体の作製)以下に放射線情報記録媒
体の作製を順を追って説明する。まず、積層型光センサ
の作製方法について説明する。充分洗浄した厚さ1.1
mmのガラス基板上に、スパッタリングにより面積抵抗
800/□、膜厚l00nmのITO膜を成膜し、電極
を得た。電極をスクライバー洗浄機(商品名プレートク
リーナーモデル602ウルトラテック社)にて、純水噴
射2秒、スクライバー洗浄20秒、純水リンス15秒、
高速回転による水分の除去25秒、赤外線乾燥55秒の
洗浄処理を2回行った。その電極上に形成する光導電層
の例としては、電荷発生性物質としてジスアゾ系顔料分
散液(DPDD−3、大日精化工業製、顔料:バインダ
ー樹脂=3:1の比率、固形分2重量%)を塗布液と
し、ブレードコーターで塗布し、風乾後100℃、1時
間乾燥して、膜厚0.3μmの電荷発生層を形成した。
【0045】さらに、電荷発生層上に電荷輸送層として
ヒドラゾン系電荷輸送性物質溶液(DPDT−3、大日
精化工業製、電荷輸送性物質:バインダー樹脂=3:2
の比率、固形分17.8重量%)を塗布液とし、ブレー
ドコーターにより塗布し、風乾後、80℃、2時間乾燥
して膜厚10μmの電荷輸送層を形成し、光センサーを
得た。
【0046】光センサーにおける光電増幅変換層上に、
含フッ素樹脂サイトップ(商品名;旭硝子(株)製、吸
水率0.01%、比抵抗1×1018Ω・cm)をパーフ
ルオロ(2−ブチルテトラヒドロフラン)に溶解し、そ
の4.5%溶液をスピンナーで1500rpm、20秒
の条件で塗布し、80℃、1hr乾燥後、膜厚1μmの
中間誘電体層(透明絶縁層)を形成した。次に、中間誘
電体層上に、多官能性モノマー(ジペンタエリストール
ヘキサアクリレート、東亜合成化学製、M−400)4
0重量部、光硬化開始剤(2−ヒドロキシー2−メチル
ーl−フエニルプロパンー1−オン、チバガイギー社
製、ダロキュア1173)2重量部、液晶50重量部
(そのうちスメクチック液晶(メルク社製、S−6)が
90%、ネマチック液晶(メルク社製、E31LV)が
10%)を、界面活性剤(往友スリーエム社製、フロラ
ードFC−430)3重量部キシレン96重量部中に均
一に溶解して得た塗布液を、50μmのギャップを設け
たブレードコーターを用いてコーティングした後、47
℃で3分間乾燥し、次に47℃で2分間減圧乾燥を行
い、直ちに0.3J/cm2 の紫外線照射によって塗布
膜を硬化させ、膜厚6μmの情報記録層を有する情報記
録媒体を得た。
【0047】情報記録層面を熱メタノールを用いて液晶
を抽出し、乾燥させた後、走査型電子顕微鏡(日立製作
所製S一800)で1000倍で内部構造を観測したと
ころ、層の表面は0.6μm紫外線硬化樹脂で覆われ、
層内部には連続層を成す液晶相中に、粒径0.1μmの
樹脂粒子相が充填した構造を有していた。
【0048】更に、この情報記録層上に上部電極として
膜厚500ÅのAu膜を蒸着法により成膜した。ガラス
基板上に、順次、第1の電極、光電増幅変換層、中間誘
電体層、情報記録層を設けたが、そのガラス基板の反対
の面に、ポリスチレン中にP−テルフェニルが分散され
たプラスチックシンチレーターを設け、本発明における
放射線情報記録媒体を作製した。
【0049】(実施例2)実施例1で作製したものと同
様の放射線情報記録媒体を、図4に示すように、第1の
電極を正、第2の電極を負として450Vの直流電圧を
印加した。電圧印加状態で蛍光体変換層側から、X線照
射を階調性を持たせて行ったところ、照射強度の階調性
に応じた像が、情報記録層に記録された。
【0050】記録終了後、図4のように、放射線情報記
録媒体を取り出し、専用スキャナー(ニコンLS−35
10AF改造品)に設置し、このスキャナーを用い、光
源としてキセノンランプを使用し、波長フィルター(5
00nm)を介してその波長光で、透過光で情報を読取
り、昇華転写プリンターにより出力したところ、記録像
に応じた画像が再生できた。
【0051】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、放射線情
報を高解像度でアナログ画像として記録して可視化する
ことができ、例えば、X線撮影のように写真フィルムを
用いて撮像、現像処理する必要がなく、また、画像をデ
ジタルデータとして記憶することが可能であるので、記
憶画像に対していろいろな画像処理を施したり、編集す
ることができるので、各種分野での利用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の放射線情報の記録・再生を説明する
図である。
【図2】 放射線記録媒体を説明する図である。
【図3】 放射線記録媒体を説明する図である。
【図4】 フィルター特性を示す図である。
【図5】 比較センサーについての測定結果の一例を示
す図である。
【図6】 比較センサーについての量子効率を示す図で
ある。
【図7】 本発明の光センサーについての測定結果の例
を示す図である。
【図8】 本発明の光センサーについての量子効率を示
す図である。
【図9】 情報記録媒体の温度特性の一例を示す図であ
る。
【図10】 画像再生を説明する図である。
【符号の説明】
1…放射線発生装置、2…被写体、3…放射線情報記録
媒体、4…再生用光源、4a…ハーフミラー、5…再生
装置、6…表示装置、9…シャッタ、31…螢光体層、
32…光電増幅変換層、33…情報記録層、34,35
…電極層、36…中間層、37…空隙形成層、38…基
材、39…セパレータ層、40…オーバーコート層、4
1…保護層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G11B 9/00 9075−5D G11B 9/00 H01L 27/14 H04N 5/32 H04N 5/32 H01L 27/14 K (72)発明者 岡部将人 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号大 日本印刷株式会社内 (72)発明者 山下雄大 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号大 日本印刷株式会社内

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも、蛍光体層、第1の電極層、
    光電増幅変換層、情報記録層、第2の電極層からなり、
    前記蛍光体層に入射させた記録対象に対応した放射線情
    報を情報記録層に記録するようにした放射線情報記録媒
    体。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の放射線情報記録媒体にお
    いて、該光電増幅変換層と該情報記録層との間に、さら
    に中間誘電体層を有することを特徴とする放射線情報記
    録媒体。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の放射線情報記録媒体にお
    いて、該光電増幅変換層と該情報記録層との間に、さら
    に空隙形成層を有することを特徴とする放射線情報記録
    媒体。
  4. 【請求項4】 請求項1記載の放射線情報記録媒体にお
    いて、該蛍光体層と該第1の電極層との間に、さらに基
    材を有することを特徴とする放射線情報記録媒体。
  5. 【請求項5】 請求項1記載の放射線情報記録媒体にお
    いて、該蛍光体層上に、さらに基材を有することを特徴
    とする放射線情報記録媒体。
  6. 【請求項6】 請求項1記載の放射線情報記録媒体にお
    いて、該蛍光体層と該第1の電極層との間に、さらにセ
    パレータ層を有することを特徴とする放射線情報記録媒
    体。
  7. 【請求項7】 請求項1記載の放射線情報記録媒体にお
    いて、該第2の電極層上にオーバーコート層を有するこ
    とを特徴とする放射線情報記録媒体。
  8. 【請求項8】 請求項1記載の放射線情報記録媒体にお
    いて、該蛍光体層上に、さらに保護層を有することを特
    徴とする放射線情報記録媒体。
  9. 【請求項9】 請求項1〜8のうち何れか1項記載の放
    射線情報記録媒体において、第1の電極層と光電増幅変
    換層で光センサが構成されるとともに、情報記録層と第
    2の電極層がメモリー性を有する液晶記録媒体を構成
    し、前記光センサは、両電極層間に電圧を印加した状態
    で蛍光体層からの光で露光するか、あるいは蛍光体層か
    らの光で露光している状態で両電極層間に電圧を印加す
    ることにより、露光に起因する電流以上に増幅された強
    度の電流が発生するとともに、電圧印加中は露光終了後
    も継続して電流が発生し、前記液晶記録媒体は発生した
    電流に基づいて記録が行われることを特徴とする放射線
    情報記録媒体。
  10. 【請求項10】 請求項1〜9のうち何れか1項記載の
    放射線情報記録媒体において、放射線情報記録媒体がシ
    ート状、フィルム状、テープ状、カード状、プレート
    状、またはディスク状であることを特徴とする放射線情
    報記録媒体。
JP19753996A 1996-07-26 1996-07-26 放射線情報記録媒体 Pending JPH1039099A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19753996A JPH1039099A (ja) 1996-07-26 1996-07-26 放射線情報記録媒体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19753996A JPH1039099A (ja) 1996-07-26 1996-07-26 放射線情報記録媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1039099A true JPH1039099A (ja) 1998-02-13

Family

ID=16376166

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19753996A Pending JPH1039099A (ja) 1996-07-26 1996-07-26 放射線情報記録媒体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1039099A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000105297A (ja) * 1997-08-19 2000-04-11 Fuji Photo Film Co Ltd 静電記録体、静電潜像記録装置および静電潜像読取装置
JP2001264442A (ja) * 2000-03-22 2001-09-26 Fuji Photo Film Co Ltd 画像記録媒体
WO2001075478A1 (fr) * 2000-03-30 2001-10-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Detecteur de rayonnement et son procede de fabrication
JP2002524841A (ja) * 1998-08-11 2002-08-06 トリクセル エス.アー.エス. 寿命が延長された固体放射線検出器
US6614746B1 (en) * 1998-07-07 2003-09-02 Seiko Instruments Inc. Optical recording/reproducing method, recording medium used for optical recording and reproduction, and optical recording/reproducing apparatus
KR100425379B1 (ko) * 2000-11-13 2004-03-30 남상희 디지털 방사선 검출장치 및 방사선 검출방법
KR100483314B1 (ko) * 2002-03-23 2005-04-15 학교법인 인제학원 디지털 엑스레이 이미지 디텍터
JP2011114229A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Fujifilm Corp 放射線センサおよび放射線画像撮影装置
JP2018131476A (ja) * 2017-02-13 2018-08-23 東京インキ株式会社 放射線検出用プラスチックシンチレータ

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000105297A (ja) * 1997-08-19 2000-04-11 Fuji Photo Film Co Ltd 静電記録体、静電潜像記録装置および静電潜像読取装置
US6614746B1 (en) * 1998-07-07 2003-09-02 Seiko Instruments Inc. Optical recording/reproducing method, recording medium used for optical recording and reproduction, and optical recording/reproducing apparatus
JP2002524841A (ja) * 1998-08-11 2002-08-06 トリクセル エス.アー.エス. 寿命が延長された固体放射線検出器
JP4761620B2 (ja) * 1998-08-11 2011-08-31 トリクセル エス.アー.エス. 寿命が延長された固体放射線検出器
JP2001264442A (ja) * 2000-03-22 2001-09-26 Fuji Photo Film Co Ltd 画像記録媒体
WO2001075478A1 (fr) * 2000-03-30 2001-10-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Detecteur de rayonnement et son procede de fabrication
US6949750B2 (en) 2000-03-30 2005-09-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Radiation detecting element and method of manufacturing the same
KR100425379B1 (ko) * 2000-11-13 2004-03-30 남상희 디지털 방사선 검출장치 및 방사선 검출방법
KR100483314B1 (ko) * 2002-03-23 2005-04-15 학교법인 인제학원 디지털 엑스레이 이미지 디텍터
JP2011114229A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Fujifilm Corp 放射線センサおよび放射線画像撮影装置
JP2018131476A (ja) * 2017-02-13 2018-08-23 東京インキ株式会社 放射線検出用プラスチックシンチレータ
JP2022019734A (ja) * 2017-02-13 2022-01-27 東京インキ株式会社 放射線検出用プラスチックシンチレータ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2908098B2 (ja) 情報記録媒体及び情報記録再生方法
JPH1039099A (ja) 放射線情報記録媒体
US5903296A (en) Photoelectric sensor, information recording system and information recording and reproducing method
JPH06260664A (ja) 光センサーの製造方法
JPH089397A (ja) カラー情報記録再生装置
JP3623026B2 (ja) 光センサー、情報記録装置及び情報記録再生方法
JPH08166597A (ja) パッケージング一体型情報記録媒体
JP3153344B2 (ja) 情報記録媒体及び静電情報記録再生方法
JP3372288B2 (ja) 光センサーおよび情報記録システム
JP2866798B2 (ja) 光センサー、情報記録装置および情報記録方法
JP3623027B2 (ja) 光センサー、情報記録装置及び情報記録再生方法
JP2866801B2 (ja) 光センサー、情報記録装置および情報記録方法
JP3351629B2 (ja) 光センサー、情報記録装置及び情報記録再生方法
JP3138251B2 (ja) 情報記録方法及び装置
JP3344765B2 (ja) 光センサーおよび情報記録システム
JP2908189B2 (ja) 情報記録装置および情報記録再生方法
JPH07333641A (ja) 情報記録媒体、情報記録装置及び情報記録再生方法
JPH0943581A (ja) 情報記録媒体および情報記録装置
JPH06252426A (ja) 光センサーの製造方法
JP3352531B2 (ja) 光センサー、情報記録装置および情報記録再生方法
JPH08288534A (ja) 光センサー、情報記録装置および情報記録方法
JPH07333914A (ja) 色分解フィルタ一体型光センサー、カラー情報記録装置およびカラー情報記録再生方法
JPH06309693A (ja) 光センサー、情報記録装置および情報記録再生方法
JPH08167180A (ja) パッケージング一体型情報記録媒体
JPH0831184A (ja) 記録媒体及び記録再生装置