JPH06260664A - 光センサーの製造方法 - Google Patents
光センサーの製造方法Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 画像ノイズのない光センサーおよび情報記録
システムを得る。 【構成】 基板上に、形成した電極層上に光導電層を積
層、または光導電層を電荷発生層、電荷輸送層の二層で
積層した情報記録媒体への情報形成に使用される光導電
層を積層した光センサーと情報記録媒体とを間隔を設け
て光軸上に対向配置し、光センサーおよび情報記録媒体
の両電極層間に電圧印加を可能に結線し、両電極層間に
電圧を印加した状態での情報露光により情報記録媒体へ
の情報記録を行う情報記録装置用の光センサーの製造方
法において、光導電層の塗布液を塗布した基材を加熱下
で乾燥した後の冷却速度を4℃/分以下にして冷却する
こと。 【効果】 光輸送剤成分の結合剤に対する割合が大きな
塗布液を使用して光導電層を形成した場合でも、優れた
光センサーを得ることができ、また画像ノイズのない高
品質の画像を得ることができる。
システムを得る。 【構成】 基板上に、形成した電極層上に光導電層を積
層、または光導電層を電荷発生層、電荷輸送層の二層で
積層した情報記録媒体への情報形成に使用される光導電
層を積層した光センサーと情報記録媒体とを間隔を設け
て光軸上に対向配置し、光センサーおよび情報記録媒体
の両電極層間に電圧印加を可能に結線し、両電極層間に
電圧を印加した状態での情報露光により情報記録媒体へ
の情報記録を行う情報記録装置用の光センサーの製造方
法において、光導電層の塗布液を塗布した基材を加熱下
で乾燥した後の冷却速度を4℃/分以下にして冷却する
こと。 【効果】 光輸送剤成分の結合剤に対する割合が大きな
塗布液を使用して光導電層を形成した場合でも、優れた
光センサーを得ることができ、また画像ノイズのない高
品質の画像を得ることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、情報記録媒体へ光情報
を可視情報または静電情報の形で記録することができる
光センサーの製造方法に関する。
を可視情報または静電情報の形で記録することができる
光センサーの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】前面に電極層が設けられた光導電層から
なる光センサーと、該光センサーに対向し、後面に電極
層が設けられた電荷保持層からなる情報記録媒体とを光
軸上に配置し、両導電層間に電圧を印加しつつ露光し、
入射光学像に応じて、電荷保持層に静電電荷を記録さ
せ、その静電電荷をトナー現像するかまたは電位読み取
りにより再生する方法は、例えば特開平1−29036
6号公報、特開平1−289975号公報に記載されて
いる。また、上記方法における電荷保持層を熱可塑性樹
脂層とし、静電電荷を熱可塑樹脂層表面に記録した後加
熱し、熱可塑性樹脂層表面にフロスト像を形成すること
により記録された静電電荷を可視化する方法は、例えば
特開平3−192288号公報に記載されている。
なる光センサーと、該光センサーに対向し、後面に電極
層が設けられた電荷保持層からなる情報記録媒体とを光
軸上に配置し、両導電層間に電圧を印加しつつ露光し、
入射光学像に応じて、電荷保持層に静電電荷を記録さ
せ、その静電電荷をトナー現像するかまたは電位読み取
りにより再生する方法は、例えば特開平1−29036
6号公報、特開平1−289975号公報に記載されて
いる。また、上記方法における電荷保持層を熱可塑性樹
脂層とし、静電電荷を熱可塑樹脂層表面に記録した後加
熱し、熱可塑性樹脂層表面にフロスト像を形成すること
により記録された静電電荷を可視化する方法は、例えば
特開平3−192288号公報に記載されている。
【0003】更に、本出願人等は、上記情報記録媒体に
おける情報記録層を高分子分散型液晶層として、上記同
様に電圧印加時露光し、光センサーにより形成される電
界により液晶層を配向させて情報記録を行い、情報記録
の再生にあたっては透過光あまいは反射光により可視情
報として再生する情報記録再生方法を、先に出願(特願
平2−186023号、特願平3−10847号)し
た。この情報記録再生方法は偏向板を使用しなくとも記
録された情報を可視化できる。
おける情報記録層を高分子分散型液晶層として、上記同
様に電圧印加時露光し、光センサーにより形成される電
界により液晶層を配向させて情報記録を行い、情報記録
の再生にあたっては透過光あまいは反射光により可視情
報として再生する情報記録再生方法を、先に出願(特願
平2−186023号、特願平3−10847号)し
た。この情報記録再生方法は偏向板を使用しなくとも記
録された情報を可視化できる。
【0004】ところが、光導電層は、一般には光が照射
されると照射部分で光キャリア(電子、正孔)が発生
し、それらのキャリアが層幅を移動することができる機
能を有するものであり、特に電界が存在する場合にその
効果が顕著である層であるが、本発明の光センサーは、
光導電層と電極層とを適宜組合せることにより、光セン
サーへの光照射時において、光センサーに対向して配置
した情報記録媒体に付与される電界強度または電荷量が
光照射につれて増幅され、また光照射を終了した後でも
電圧を印加し続けるとその導電性を持続し、引き続き電
界強度または電荷量を情報記録媒体に付与し続ける作用
があるため高感度である。また、光センサーが電荷のレ
ベルで作動し情報記録媒体への情報を記録し、かつ情報
記録媒体への記録および読み取りは、電荷あるいは液晶
分子のサイズのレベルで行うことができるため、高解像
度を有する。このように、高解像度と高感度であるとい
う特徴を有しているために、通常の光センサーでは問題
とはならない光センサーに起因する画像ノイズが画像の
品質にとって大きな問題となった。
されると照射部分で光キャリア(電子、正孔)が発生
し、それらのキャリアが層幅を移動することができる機
能を有するものであり、特に電界が存在する場合にその
効果が顕著である層であるが、本発明の光センサーは、
光導電層と電極層とを適宜組合せることにより、光セン
サーへの光照射時において、光センサーに対向して配置
した情報記録媒体に付与される電界強度または電荷量が
光照射につれて増幅され、また光照射を終了した後でも
電圧を印加し続けるとその導電性を持続し、引き続き電
界強度または電荷量を情報記録媒体に付与し続ける作用
があるため高感度である。また、光センサーが電荷のレ
ベルで作動し情報記録媒体への情報を記録し、かつ情報
記録媒体への記録および読み取りは、電荷あるいは液晶
分子のサイズのレベルで行うことができるため、高解像
度を有する。このように、高解像度と高感度であるとい
う特徴を有しているために、通常の光センサーでは問題
とはならない光センサーに起因する画像ノイズが画像の
品質にとって大きな問題となった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述のごと
き情報記録媒体への情報形成に使用される情報記録媒体
に電界強度または電荷量がを付与するために使用する、
高解像度と高感度である光センサーにおいて顕著な問題
となる、塗膜の不均一性および塗膜表面のクラック等に
起因する各種の画像ノイズが少なく高品質の画像が得ら
れる情報形成能、情報記録感度に優れた光センサーを製
造する方法の提供を課題とする。
き情報記録媒体への情報形成に使用される情報記録媒体
に電界強度または電荷量がを付与するために使用する、
高解像度と高感度である光センサーにおいて顕著な問題
となる、塗膜の不均一性および塗膜表面のクラック等に
起因する各種の画像ノイズが少なく高品質の画像が得ら
れる情報形成能、情報記録感度に優れた光センサーを製
造する方法の提供を課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、電
極層、光導電層を積層した光センサーと情報記録媒体と
を間隔を設けて光軸上に対向配置し、光センサーおよび
情報記録媒体の両電極層間に電圧印加を可能に結線し、
両電極層間に電圧を印加した状態での情報露光により情
報記録媒体への情報記録を行う情報記録装置用の光セン
サーの製造方法において、光導電層の塗布液を塗布した
基材を加熱下で乾燥した後の冷却速度を4℃/分以下と
して冷却する光センサーの製造方法である。また、光セ
ンサーが、基材上に電極層、光導電層を積層し、情報記
録媒体に付与される電界強度または電荷量が光照射につ
れて増幅され、また光照射を終了した後でも電圧を印加
し続けるとその導電性を持続し、引き続き電界強度また
は電荷量を情報記録媒体に付与し続ける作用を有する光
センサーの製造方法である。また、光導電層が電荷発生
層および電荷輸送層からなり、電荷輸送層の冷却速度を
4℃/分以下として冷却する光センサーの製造方法であ
る。また、光導電層が電荷発生層および電荷輸送層から
なり、電荷輸送層を形成する電荷輸送剤成分と結合剤の
比が5:1よりも大きい光センサーの製造方法である。
極層、光導電層を積層した光センサーと情報記録媒体と
を間隔を設けて光軸上に対向配置し、光センサーおよび
情報記録媒体の両電極層間に電圧印加を可能に結線し、
両電極層間に電圧を印加した状態での情報露光により情
報記録媒体への情報記録を行う情報記録装置用の光セン
サーの製造方法において、光導電層の塗布液を塗布した
基材を加熱下で乾燥した後の冷却速度を4℃/分以下と
して冷却する光センサーの製造方法である。また、光セ
ンサーが、基材上に電極層、光導電層を積層し、情報記
録媒体に付与される電界強度または電荷量が光照射につ
れて増幅され、また光照射を終了した後でも電圧を印加
し続けるとその導電性を持続し、引き続き電界強度また
は電荷量を情報記録媒体に付与し続ける作用を有する光
センサーの製造方法である。また、光導電層が電荷発生
層および電荷輸送層からなり、電荷輸送層の冷却速度を
4℃/分以下として冷却する光センサーの製造方法であ
る。また、光導電層が電荷発生層および電荷輸送層から
なり、電荷輸送層を形成する電荷輸送剤成分と結合剤の
比が5:1よりも大きい光センサーの製造方法である。
【0007】本発明の光センサーは、基材上に電極層、
光導電層を積層したものから構成されている。その光導
電層は単層型のものと電荷発生層及び電荷輸送層を積層
した積層型のものがある。光導電層は、一般には光が照
射されると照射部分で光キャリア(電子、正孔)が発生
し、それらのキャリアが層幅を移動することができる機
能を有するものであり、特に電界が存在する場合にその
効果が顕著である層であるが、本発明の光センサーは、
後述する光導電層と電極層とを適宜組合せることによ
り、光センサーへの光照射時において情報記録媒体に付
与される電界強度または電荷量が光照射につれて増幅さ
れ、また光照射を終了した後でも電圧を印加し続けると
その導電性を持続し、引き続き電界強度または電荷量を
情報記録媒体に付与し続ける作用を有するに到るもので
ある。
光導電層を積層したものから構成されている。その光導
電層は単層型のものと電荷発生層及び電荷輸送層を積層
した積層型のものがある。光導電層は、一般には光が照
射されると照射部分で光キャリア(電子、正孔)が発生
し、それらのキャリアが層幅を移動することができる機
能を有するものであり、特に電界が存在する場合にその
効果が顕著である層であるが、本発明の光センサーは、
後述する光導電層と電極層とを適宜組合せることによ
り、光センサーへの光照射時において情報記録媒体に付
与される電界強度または電荷量が光照射につれて増幅さ
れ、また光照射を終了した後でも電圧を印加し続けると
その導電性を持続し、引き続き電界強度または電荷量を
情報記録媒体に付与し続ける作用を有するに到るもので
ある。
【0008】本発明の光センサーにおける光電流の増幅
作用について説明すると、測定用光センサーとしては、
透明ガラス基材上にITOすなわち酸化インジウム酸化
錫複合酸化物からなる電極層が設けられ、該電極層上に
光導電層が積層されて形成される光センサーにおいて、
その光導電層上に0.16cm2 の金電極層を積層して
形成する。そして、この両電極間に直流の一定電圧を印
加すると共に、電圧印加開始後0.5秒後に基板側から
0.033秒間光照射し、測定時間中の光センサーにお
ける電流値挙動を、光照射開始時(t=0)から測定す
る。なお、照射光は、キセノンランプ(浜松ホトニクス
社製L2274)を光源に、グリーンフィルター(日本
真空光学社製)により、グリーン光を選択して照射し、
照射光強度を照度計(ミノルタ社製)で測定し、20ル
ックスのものとする。図5にそのフイルター特性を示
す。
作用について説明すると、測定用光センサーとしては、
透明ガラス基材上にITOすなわち酸化インジウム酸化
錫複合酸化物からなる電極層が設けられ、該電極層上に
光導電層が積層されて形成される光センサーにおいて、
その光導電層上に0.16cm2 の金電極層を積層して
形成する。そして、この両電極間に直流の一定電圧を印
加すると共に、電圧印加開始後0.5秒後に基板側から
0.033秒間光照射し、測定時間中の光センサーにお
ける電流値挙動を、光照射開始時(t=0)から測定す
る。なお、照射光は、キセノンランプ(浜松ホトニクス
社製L2274)を光源に、グリーンフィルター(日本
真空光学社製)により、グリーン光を選択して照射し、
照射光強度を照度計(ミノルタ社製)で測定し、20ル
ックスのものとする。図5にそのフイルター特性を示
す。
【0009】この光強度で光照射した時、透明基材、I
TO膜の光透過率、フィルターの分光特性を考慮する
と、光導電層には4.2×1011個/cm2 秒のフォト
ンが入射する。そして、入射したフォトンが全て光キャ
リアに変換されると、理論的には光電流としては単位面
積当たり1.35×10-6A/cm2 の電流が発生す
る。
TO膜の光透過率、フィルターの分光特性を考慮する
と、光導電層には4.2×1011個/cm2 秒のフォト
ンが入射する。そして、入射したフォトンが全て光キャ
リアに変換されると、理論的には光電流としては単位面
積当たり1.35×10-6A/cm2 の電流が発生す
る。
【0010】ここで、上記測定系により測定する場合
に、理論的光電流に対して、光センサーで実際に発生し
た光誘起電流の割合(光センサーで実際に発生した光誘
起電流値/理論的光電流値)をその光センサーにおける
量子効率と定義する。また光誘起電流とは、光照射部の
電流値から暗電流値を差し引いたものであり、光照射中
あるいは光照射後も光照射に起因する暗電流以上の電流
が流れるものをいい、所謂光電流とは相違する。本発明
の光センサーにおける光電流の増幅作用とは、このよう
な光誘起電流の挙動のことであると定義する。
に、理論的光電流に対して、光センサーで実際に発生し
た光誘起電流の割合(光センサーで実際に発生した光誘
起電流値/理論的光電流値)をその光センサーにおける
量子効率と定義する。また光誘起電流とは、光照射部の
電流値から暗電流値を差し引いたものであり、光照射中
あるいは光照射後も光照射に起因する暗電流以上の電流
が流れるものをいい、所謂光電流とは相違する。本発明
の光センサーにおける光電流の増幅作用とは、このよう
な光誘起電流の挙動のことであると定義する。
【0011】本発明における光電流増幅作用を有する光
センサーと、光電流増幅作用を有しない光センサー(以
下、比較センサーという)とを、上記測定系での測定結
果を使用して説明する。まず、比較用センサーについて
の測定結果を図6に示す。図6において(m)線は、上
記理論値(1.35×10-6A/cm2 )を示す参考線
で、光照射を0.033秒間行い、光照射後も電圧印加
を継続した状態を示す。(n)線は光電流増幅作用を有
しない光センサーの実測線で光照射中でも光電流の増加
はなく、一定値をとることがわかり、その一定値にして
も理論値(1.35×10-6A/cm2 )を越えない。
この比較用センサーにおける量子効率はほぼ0.4と一
定である。光照射中の量子効率の変化を図7に示す。こ
れに対して、本発明の光センサーは、図8に示すように
光照射時は光電流が増加し、量子効率との関係を示す図
9から明らかなように、約0.01秒で量子効率は1を
越え、その後も量子効率は増加を続けることがわかる。
また、比較用センサーでは光照射終了と同時に光電流が
零となるため、光照射後継続して電圧印加しても電流は
流れない。これに対して、本発明の光センサーにおいて
は、光照射終了後も電圧印加を継続することにより光誘
起電流が継続して流れ、引き続いて光誘起電流を取り出
すことができる。
センサーと、光電流増幅作用を有しない光センサー(以
下、比較センサーという)とを、上記測定系での測定結
果を使用して説明する。まず、比較用センサーについて
の測定結果を図6に示す。図6において(m)線は、上
記理論値(1.35×10-6A/cm2 )を示す参考線
で、光照射を0.033秒間行い、光照射後も電圧印加
を継続した状態を示す。(n)線は光電流増幅作用を有
しない光センサーの実測線で光照射中でも光電流の増加
はなく、一定値をとることがわかり、その一定値にして
も理論値(1.35×10-6A/cm2 )を越えない。
この比較用センサーにおける量子効率はほぼ0.4と一
定である。光照射中の量子効率の変化を図7に示す。こ
れに対して、本発明の光センサーは、図8に示すように
光照射時は光電流が増加し、量子効率との関係を示す図
9から明らかなように、約0.01秒で量子効率は1を
越え、その後も量子効率は増加を続けることがわかる。
また、比較用センサーでは光照射終了と同時に光電流が
零となるため、光照射後継続して電圧印加しても電流は
流れない。これに対して、本発明の光センサーにおいて
は、光照射終了後も電圧印加を継続することにより光誘
起電流が継続して流れ、引き続いて光誘起電流を取り出
すことができる。
【0012】図10に比較用センサー(理論値)の電流
量の積分値(電荷量)の時間変化を示す。図において
は、量子効率1の理論的な光センサーにおける単位面積
当たりの電流量の積分値の時間変化を(O)線で示し、
比較用センサーにおける単位面積当たり電流の積分値の
時間変化を(P)線で示す。図10の電流の積分値Qは Q=∫(IPHOTO −Idark)dt(C) である。図から、比較用センサーは光照射終了後、光電
流が零になることから、積分値の増加は見られない。ま
た、図11に本発明の光センサーにおける単位面積当た
り電流の積分値の時間変化を同様に示す。なお、同様に
量子効率1の理論的な光センサーにおける単位面積当た
り電流の積分値の時間変化を(O)線で示し、本発明の
光センサーにおける電流の積分値の時間変化を(P)線
で示す。図に示すように、本発明の光センサーは、光照
射終了後も増加を続けるため、比較用センサーに比して
大きな効果が得られることがわかる。
量の積分値(電荷量)の時間変化を示す。図において
は、量子効率1の理論的な光センサーにおける単位面積
当たりの電流量の積分値の時間変化を(O)線で示し、
比較用センサーにおける単位面積当たり電流の積分値の
時間変化を(P)線で示す。図10の電流の積分値Qは Q=∫(IPHOTO −Idark)dt(C) である。図から、比較用センサーは光照射終了後、光電
流が零になることから、積分値の増加は見られない。ま
た、図11に本発明の光センサーにおける単位面積当た
り電流の積分値の時間変化を同様に示す。なお、同様に
量子効率1の理論的な光センサーにおける単位面積当た
り電流の積分値の時間変化を(O)線で示し、本発明の
光センサーにおける電流の積分値の時間変化を(P)線
で示す。図に示すように、本発明の光センサーは、光照
射終了後も増加を続けるため、比較用センサーに比して
大きな効果が得られることがわかる。
【0013】次に、本発明の光センサーの光導電層が単
層から構成されている場合の単層型光センサーについて
説明する。図1は単層型光センサーを説明する図であ
る。基板15に電極層13が形成されており、電極層上
には光導電層14が形成されている。基板15は、光セ
ンサーによって得られた情報を記録する情報記録媒体が
不透明であれば透明性を有することが必要であるが、情
報記録媒体が透明性を有する場合には透明、不透明いず
れでもよく、カード、フィルム、テープ、ディスク等の
形状を有し、光センサーの支持体となるものであり、光
センサーを支持することができるある程度の強度を有し
ていれば、その材質、厚みは特に制限がない。例えば可
撓性のあるプラスチックフィルム、あるいは青板ガラ
ス、硼珪酸ガラスガラス、無アルカリガラス等の各種の
ガラス板、ポリエステル、ポリカーボネート等のプラス
チックシート、カード等の剛体が使用される。
層から構成されている場合の単層型光センサーについて
説明する。図1は単層型光センサーを説明する図であ
る。基板15に電極層13が形成されており、電極層上
には光導電層14が形成されている。基板15は、光セ
ンサーによって得られた情報を記録する情報記録媒体が
不透明であれば透明性を有することが必要であるが、情
報記録媒体が透明性を有する場合には透明、不透明いず
れでもよく、カード、フィルム、テープ、ディスク等の
形状を有し、光センサーの支持体となるものであり、光
センサーを支持することができるある程度の強度を有し
ていれば、その材質、厚みは特に制限がない。例えば可
撓性のあるプラスチックフィルム、あるいは青板ガラ
ス、硼珪酸ガラスガラス、無アルカリガラス等の各種の
ガラス板、ポリエステル、ポリカーボネート等のプラス
チックシート、カード等の剛体が使用される。
【0014】基板上には電極層13が形成されている。
電極層13は基板と同様に情報記録媒体が不透明であれ
ば透明性を有することが必要であるが、情報記録媒体が
透明性を有する場合には透明、不透明いずれでもよく、
50〜104 Ω/cm2 の表面抵抗率を安定して与える材
料、例えば亜鉛、チタン、銅、鉄、錫等の金属薄膜から
なる導電膜、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化
チタン、酸化タングステン、酸化バナジウム等の金属酸
化物からなる導電膜、四級アンモニウム塩等の有機導電
膜等であり、これらを単独、あるいは二種以上の複合材
料として用いられる。なかでも酸化物半導体が好まし
く、特に酸化インジウム酸化錫複合酸化物(ITO)が
好ましい。
電極層13は基板と同様に情報記録媒体が不透明であれ
ば透明性を有することが必要であるが、情報記録媒体が
透明性を有する場合には透明、不透明いずれでもよく、
50〜104 Ω/cm2 の表面抵抗率を安定して与える材
料、例えば亜鉛、チタン、銅、鉄、錫等の金属薄膜から
なる導電膜、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化
チタン、酸化タングステン、酸化バナジウム等の金属酸
化物からなる導電膜、四級アンモニウム塩等の有機導電
膜等であり、これらを単独、あるいは二種以上の複合材
料として用いられる。なかでも酸化物半導体が好まし
く、特に酸化インジウム酸化錫複合酸化物(ITO)が
好ましい。
【0015】電極層13は蒸着、スパッタリング、CV
D、コーティング、メッキ、ディッピング、電解重合等
の方法により形成される。またその膜厚は電極を構成す
る材料の電気特性、および情報記録の際の印加電圧によ
り変化させる必要がある。
D、コーティング、メッキ、ディッピング、電解重合等
の方法により形成される。またその膜厚は電極を構成す
る材料の電気特性、および情報記録の際の印加電圧によ
り変化させる必要がある。
【0016】また、基板の電極層13が設けられる面の
他方の面には、電極層13が透明であれば必要に応じて
反射防止効果を有する層を積層するか、また反射防止効
果を発現しうる膜厚に透明基板を調整するか、更に両者
を組み合わせることにより反射防止性を付与するとよ
い。
他方の面には、電極層13が透明であれば必要に応じて
反射防止効果を有する層を積層するか、また反射防止効
果を発現しうる膜厚に透明基板を調整するか、更に両者
を組み合わせることにより反射防止性を付与するとよ
い。
【0017】光導電層は、無機光導電性物質または有機
光導電性物質から形成される。無機光導電性物質として
はSe、Se−Te、ZnO、TiO2、Si、CdS
等が挙げられ、単独または混合して5〜30μm、好ま
しくは20〜30μmの膜厚で積層される。積層はこれ
らの無機光導電体を微粒子として、有機絶縁性合成樹
脂、例えばシリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、スチレン−ブタジエン樹脂、スチレン
樹脂、ポリビニルアセタール樹脂等に分散させて光導電
層とする。この場合樹脂1重量部に対して光導電性微粒
子を0.1〜10重量部、好ましくは1〜5重量部の割
合で分散させたものとするとよい。
光導電性物質から形成される。無機光導電性物質として
はSe、Se−Te、ZnO、TiO2、Si、CdS
等が挙げられ、単独または混合して5〜30μm、好ま
しくは20〜30μmの膜厚で積層される。積層はこれ
らの無機光導電体を微粒子として、有機絶縁性合成樹
脂、例えばシリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、スチレン−ブタジエン樹脂、スチレン
樹脂、ポリビニルアセタール樹脂等に分散させて光導電
層とする。この場合樹脂1重量部に対して光導電性微粒
子を0.1〜10重量部、好ましくは1〜5重量部の割
合で分散させたものとするとよい。
【0018】また、有機光導電性物質は高分子光導電性
物質、及び低分子光導電物質の絶縁性結合剤中への分散
物がある。高分子光導電性物質としては、例えばポリビ
ニルカルバゾール(PVK)、PVKにおけるビニル基
の代わりにアリル基、アクリロキシアルキル基のエチレ
ン性不飽和基が含まれたポリ−N−エチレン性不飽和基
置換カルバゾール類、また、ポリ−N−アクリルフェノ
チアジン、ポリ−N−(β−アクリロキシ)フェノチア
ジン等のポリ−N−エチレン性不飽和基置換フェノチア
ジン類、ポリビニルピレン等がある。なかでもポリ−N
−エチレン性不飽和基置換カルバゾール類、特にポリビ
ニルカルバゾールが好ましく用いられる。
物質、及び低分子光導電物質の絶縁性結合剤中への分散
物がある。高分子光導電性物質としては、例えばポリビ
ニルカルバゾール(PVK)、PVKにおけるビニル基
の代わりにアリル基、アクリロキシアルキル基のエチレ
ン性不飽和基が含まれたポリ−N−エチレン性不飽和基
置換カルバゾール類、また、ポリ−N−アクリルフェノ
チアジン、ポリ−N−(β−アクリロキシ)フェノチア
ジン等のポリ−N−エチレン性不飽和基置換フェノチア
ジン類、ポリビニルピレン等がある。なかでもポリ−N
−エチレン性不飽和基置換カルバゾール類、特にポリビ
ニルカルバゾールが好ましく用いられる。
【0019】また、低分子光導電物質としては、アルキ
ルアミノフェニル基等で置換されたオキサジアゾール
類、トリフェニルメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体、ブ
タジエン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられ、低分
子光導電体1重量部を、例えばシリコーン樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、スチレン−ブタジ
エン共重合体樹脂、スチレン樹脂、ポリビニルアセター
ル樹脂などの電気絶縁性樹脂0.1〜5重量部、好まし
くは0.1〜1重量部中に分散させて、皮膜形成性の有
機光導電物質としてもよい。これらの有機光導電性物質
の乾燥後膜厚は5〜30μm、好ましくは10〜30μ
mで電極上に積層される。
ルアミノフェニル基等で置換されたオキサジアゾール
類、トリフェニルメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体、ブ
タジエン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられ、低分
子光導電体1重量部を、例えばシリコーン樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、スチレン−ブタジ
エン共重合体樹脂、スチレン樹脂、ポリビニルアセター
ル樹脂などの電気絶縁性樹脂0.1〜5重量部、好まし
くは0.1〜1重量部中に分散させて、皮膜形成性の有
機光導電物質としてもよい。これらの有機光導電性物質
の乾燥後膜厚は5〜30μm、好ましくは10〜30μ
mで電極上に積層される。
【0020】また、有機光導電性層には、必要に応じて
持続導電性付与剤が添加される。上述の有機光導電層
は、それ自体持続導電性を有するが、この持続導電性付
与剤は、上述の有機光導電層における持続導電性を強化
させることを目的として添加されるものである。
持続導電性付与剤が添加される。上述の有機光導電層
は、それ自体持続導電性を有するが、この持続導電性付
与剤は、上述の有機光導電層における持続導電性を強化
させることを目的として添加されるものである。
【0021】このような持続導電性付与剤としては、特
願平5−4721号に記載されているようなアリールメ
タン系色素、ジアゾニウム塩類、酸無水物、o−ベンゾ
スルホイミド、ニンヒドリン類、シアノ化合物、ニトロ
化合物、塩化スルホニル類、ジフェニルまたはトリフェ
ニルメタン類、o−ベンゾイル安息香酸、ロイコ色素群
が挙げられる。これらの持続導電性付与剤は、有機光導
電性物質1重量部に対して0.001〜1重量部、好ま
しくは0.001〜0.1重量部の割合で添加される。
持続導電性付与剤の添加量が1重量部を越えると、光セ
ンサーとしての増幅機能が著しく低下するので好ましく
ない。
願平5−4721号に記載されているようなアリールメ
タン系色素、ジアゾニウム塩類、酸無水物、o−ベンゾ
スルホイミド、ニンヒドリン類、シアノ化合物、ニトロ
化合物、塩化スルホニル類、ジフェニルまたはトリフェ
ニルメタン類、o−ベンゾイル安息香酸、ロイコ色素群
が挙げられる。これらの持続導電性付与剤は、有機光導
電性物質1重量部に対して0.001〜1重量部、好ま
しくは0.001〜0.1重量部の割合で添加される。
持続導電性付与剤の添加量が1重量部を越えると、光セ
ンサーとしての増幅機能が著しく低下するので好ましく
ない。
【0022】また、上記持続導電性付与物質は、分光感
度が可視光領域にないものもあり、可視光領域の光情報
を利用する場合には、可視光領域での感度を付与するた
めに電子受容性物質、増感色素等を更に添加することが
できる。電子受容性物質としては、例えばニトロ置換ベ
ンゼン、ジアノ置換ベンゼン、ハロゲン置換ベンゼン、
キノン類、トリニトロフルオレノン等がある。また増感
色素としてはトリフェニルメタン色素、ピリリウム塩色
素、キサンテン色素などが挙げられる。電子受容性物
質、増感色素等は、有機光導電性物質1重量部に対して
0.001〜1重量部、好ましくは0.01〜1重量部
の割合で添加される。同時に光情報が赤外領域にある場
合には、フタロシアニン等の顔料、ピロール系、シアニ
ン系等の色素を同量程度添加するとよく、逆に紫外領域
にあるいはそれ以下の波長域に情報光がある場合には、
それぞれの波長吸収物質を同量添加することで目的が達
成される。
度が可視光領域にないものもあり、可視光領域の光情報
を利用する場合には、可視光領域での感度を付与するた
めに電子受容性物質、増感色素等を更に添加することが
できる。電子受容性物質としては、例えばニトロ置換ベ
ンゼン、ジアノ置換ベンゼン、ハロゲン置換ベンゼン、
キノン類、トリニトロフルオレノン等がある。また増感
色素としてはトリフェニルメタン色素、ピリリウム塩色
素、キサンテン色素などが挙げられる。電子受容性物
質、増感色素等は、有機光導電性物質1重量部に対して
0.001〜1重量部、好ましくは0.01〜1重量部
の割合で添加される。同時に光情報が赤外領域にある場
合には、フタロシアニン等の顔料、ピロール系、シアニ
ン系等の色素を同量程度添加するとよく、逆に紫外領域
にあるいはそれ以下の波長域に情報光がある場合には、
それぞれの波長吸収物質を同量添加することで目的が達
成される。
【0023】次に、積層型光センサーについて説明す
る。図2は積層型の光センサーを説明する図であり、図
中13は電極層、14′は電荷発生層、14″は電荷輸
送層、15は基板である。図2に示すように、積層型光
センサーは電極上の光導電層が電荷発生層、電荷輸送層
の2層を順次積層して形成された光センサーであり、電
荷発生層14′は電荷発生物質と結合剤から構成されて
いる。有機材料系の電荷発生物質としては、特願平5−
4721号に記載されているようなピリリウム系染料、
チアピリリウム系染料、アズレニウム系染料、シアニン
系染料等のカチオン系染料、スクアリリウム塩系染料、
フタロシアニン系顔料、ペリレン系顔料、ピラントロン
系顔料等の多環キノン系顔料、インジゴ系顔料、キナク
リドン系顔料、ピロール系顔料、アゾ系顔料等の染料、
顔料を単独もしくは複数のものを組み合わせて使用する
ことができる。
る。図2は積層型の光センサーを説明する図であり、図
中13は電極層、14′は電荷発生層、14″は電荷輸
送層、15は基板である。図2に示すように、積層型光
センサーは電極上の光導電層が電荷発生層、電荷輸送層
の2層を順次積層して形成された光センサーであり、電
荷発生層14′は電荷発生物質と結合剤から構成されて
いる。有機材料系の電荷発生物質としては、特願平5−
4721号に記載されているようなピリリウム系染料、
チアピリリウム系染料、アズレニウム系染料、シアニン
系染料等のカチオン系染料、スクアリリウム塩系染料、
フタロシアニン系顔料、ペリレン系顔料、ピラントロン
系顔料等の多環キノン系顔料、インジゴ系顔料、キナク
リドン系顔料、ピロール系顔料、アゾ系顔料等の染料、
顔料を単独もしくは複数のものを組み合わせて使用する
ことができる。
【0024】結合剤としては、例えばシリコーン樹脂、
スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、ア
クリル樹脂、飽和または不飽和ポリエステル樹脂、PM
MA樹脂、塩ビ樹脂、酢ビ樹脂、塩ビ−酢ビ混合樹脂等
が挙げられ、上記電荷発生物質を結合剤中に分散して形
成される。電荷発生剤として好ましくはフルオレノンア
ゾ顔料、ビスアゾ顔料であり、また結合剤として好まし
くはポリエステル樹脂、塩ビ−酢ビ混合樹脂が挙げられ
る。これらの電荷発生剤と結合剤の混合比は、電荷発生
剤1重量部に対して結合剤を0.1〜10重量部、好ま
しくは0.1〜1重量部の割合で使用するとことが望ま
しい。電荷発生層は乾燥後膜厚として0.01〜1μm
であり、好ましくは0.1〜0.3μmとするとよい。
スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、ア
クリル樹脂、飽和または不飽和ポリエステル樹脂、PM
MA樹脂、塩ビ樹脂、酢ビ樹脂、塩ビ−酢ビ混合樹脂等
が挙げられ、上記電荷発生物質を結合剤中に分散して形
成される。電荷発生剤として好ましくはフルオレノンア
ゾ顔料、ビスアゾ顔料であり、また結合剤として好まし
くはポリエステル樹脂、塩ビ−酢ビ混合樹脂が挙げられ
る。これらの電荷発生剤と結合剤の混合比は、電荷発生
剤1重量部に対して結合剤を0.1〜10重量部、好ま
しくは0.1〜1重量部の割合で使用するとことが望ま
しい。電荷発生層は乾燥後膜厚として0.01〜1μm
であり、好ましくは0.1〜0.3μmとするとよい。
【0025】電荷輸送層14″は電荷輸送物質と結合剤
とから構成されている。電荷輸送物質は、電荷発生物質
で発生した電荷の輸送特性が良い物質であり、例えば下
記に化学構造を示すオキサジアゾール系、オキサゾール
系、トリアゾール系、チアゾール系、トリフェニルメタ
ン系、スチリル系、ピラゾリン系、ヒドラゾン系、芳香
族アミン系、カルバゾール系、ポリビニルカルバゾール
系、スチルベン系、エナミン系、アジン系、アミン系、
ブタジエン系、オキサゾール系、トリアゾール系、芳香
族アミン系、アミン系、トリフェニルメタン系、ブタジ
エン系、スチルベン系、多環芳香族化合物系等があり、
ホール輸送性の良い物質とすることが必要である。
とから構成されている。電荷輸送物質は、電荷発生物質
で発生した電荷の輸送特性が良い物質であり、例えば下
記に化学構造を示すオキサジアゾール系、オキサゾール
系、トリアゾール系、チアゾール系、トリフェニルメタ
ン系、スチリル系、ピラゾリン系、ヒドラゾン系、芳香
族アミン系、カルバゾール系、ポリビニルカルバゾール
系、スチルベン系、エナミン系、アジン系、アミン系、
ブタジエン系、オキサゾール系、トリアゾール系、芳香
族アミン系、アミン系、トリフェニルメタン系、ブタジ
エン系、スチルベン系、多環芳香族化合物系等があり、
ホール輸送性の良い物質とすることが必要である。
【0026】好ましくは、ブタジエン系、スチルベン系
電荷輸送剤が挙げられ、具体的には特開昭62−287
257号公報、特開昭58−182640号公報、特開
昭48−43942号公報、特公昭34−5466号公
報、特開昭58−198043号公報、特開昭57−1
01844号公報、特開昭59−195660号公報、
特開昭60−69657号公報、特開昭64−6555
5号公報、特開平1−164952号公報、特開昭64
−57263号公報、特開昭64−68761号公報、
特開平1−230055号公報、特開平1−14265
4号公報、特開平1−142655号公報、特開平1−
155358号公報、特開平1−155357号公報、
特開平1−161245号公報、特開平1−14264
3号公報等に記載した電荷輸送材料が挙げられる。これ
らの電荷発生物質と電荷輸送物質の組合せとしては、例
えばフルオレノンアゾ顔料(電荷発生物質)とスチルベ
ン系の電荷輸送剤の組合せ、ビスアゾ系顔料(電荷発生
物質)とブタジエン系、ヒドラゾン系の電荷輸送剤の組
合せ等が良好である。また、以上のように電荷として正
孔を輸送することに代えて電子を輸送する場合には、電
子輸送物質としては、特願平5−4721号に記載の電
子輸送物質を用いることができる。
電荷輸送剤が挙げられ、具体的には特開昭62−287
257号公報、特開昭58−182640号公報、特開
昭48−43942号公報、特公昭34−5466号公
報、特開昭58−198043号公報、特開昭57−1
01844号公報、特開昭59−195660号公報、
特開昭60−69657号公報、特開昭64−6555
5号公報、特開平1−164952号公報、特開昭64
−57263号公報、特開昭64−68761号公報、
特開平1−230055号公報、特開平1−14265
4号公報、特開平1−142655号公報、特開平1−
155358号公報、特開平1−155357号公報、
特開平1−161245号公報、特開平1−14264
3号公報等に記載した電荷輸送材料が挙げられる。これ
らの電荷発生物質と電荷輸送物質の組合せとしては、例
えばフルオレノンアゾ顔料(電荷発生物質)とスチルベ
ン系の電荷輸送剤の組合せ、ビスアゾ系顔料(電荷発生
物質)とブタジエン系、ヒドラゾン系の電荷輸送剤の組
合せ等が良好である。また、以上のように電荷として正
孔を輸送することに代えて電子を輸送する場合には、電
子輸送物質としては、特願平5−4721号に記載の電
子輸送物質を用いることができる。
【0027】電荷輸送層の結合剤としては、上記した電
荷発生層における結合剤と同様のものが使用できるが、
好ましくはポリビニルアセタール樹脂、スチレン樹脂、
スチレン−ブタジエン共重合体樹脂である。結合剤は、
電荷輸送剤1重量部に対して0.1〜10重量部、好ま
しくは0.1〜1重量部の割合で使用することが望まし
く、電荷輸送剤の割合が多くなると、光センサーとして
の性能が向上し、電荷輸送剤1に対して、結合剤は0.
2以下とすることが好ましい。電荷輸送層は乾燥後膜厚
として1〜50μmであり、好ましくは10〜30μm
とするとよい。
荷発生層における結合剤と同様のものが使用できるが、
好ましくはポリビニルアセタール樹脂、スチレン樹脂、
スチレン−ブタジエン共重合体樹脂である。結合剤は、
電荷輸送剤1重量部に対して0.1〜10重量部、好ま
しくは0.1〜1重量部の割合で使用することが望まし
く、電荷輸送剤の割合が多くなると、光センサーとして
の性能が向上し、電荷輸送剤1に対して、結合剤は0.
2以下とすることが好ましい。電荷輸送層は乾燥後膜厚
として1〜50μmであり、好ましくは10〜30μm
とするとよい。
【0028】また、単層型光センサーの項で説明した持
続導電性付与剤、及び電子受容性物をこの積層型光セン
サーにおける電荷発生層、電荷輸送層中にそれぞれ同様
の割合で添加することができるが、好ましくは電荷発生
層中に添加するとよい。
続導電性付与剤、及び電子受容性物をこの積層型光セン
サーにおける電荷発生層、電荷輸送層中にそれぞれ同様
の割合で添加することができるが、好ましくは電荷発生
層中に添加するとよい。
【0029】また、上述した単層型光センサー、積層型
光センサーを有機光導電層とする場合には、溶剤として
ジクロロエタン、1,1,2−トリクロロエタン、モノ
クロロベンゼン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサ
ン、ジオキサン、1,2,3−トリクロロプロパン、エ
チルセルソルブ、1,1,1,−トリクロロエタン、メ
チルエチルケトン、クロロホルム、トルエン等を使用し
て塗布溶液とするとよく、塗布方法としては、ブレード
コーティング法、ディッピング法、スピンナーコーティ
ング法等が挙げられる。
光センサーを有機光導電層とする場合には、溶剤として
ジクロロエタン、1,1,2−トリクロロエタン、モノ
クロロベンゼン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサ
ン、ジオキサン、1,2,3−トリクロロプロパン、エ
チルセルソルブ、1,1,1,−トリクロロエタン、メ
チルエチルケトン、クロロホルム、トルエン等を使用し
て塗布溶液とするとよく、塗布方法としては、ブレード
コーティング法、ディッピング法、スピンナーコーティ
ング法等が挙げられる。
【0030】次に、単層型センサー、積層型センサーに
おける電荷注入制御層について説明する。電荷注入制御
層は、必要に応じて電極13と光導電層14または電荷
発生層14′間に設けられるもので、光センサーにおけ
る電極13から光導電層14または電荷発生層14′へ
の電荷注入性を制御して情報記録媒体に実質的に印加さ
れる電圧を調節するために設けられるものである。この
ような電荷注入制御層は、情報記録媒体における情報記
録層が、特に、後述するような高分子分散型液晶層であ
る場合に、液晶の動作電圧領域に光センサーの感度を設
定することが必要である。つまり、露光部において情報
記録媒体に印加される電位(明電位)と未露光部におい
て情報記録媒体に印加される電位(暗電位)との差(コ
ントラスト電位)を情報記録媒体における液晶の動作領
域において大きく取ることが必要であるからである。
おける電荷注入制御層について説明する。電荷注入制御
層は、必要に応じて電極13と光導電層14または電荷
発生層14′間に設けられるもので、光センサーにおけ
る電極13から光導電層14または電荷発生層14′へ
の電荷注入性を制御して情報記録媒体に実質的に印加さ
れる電圧を調節するために設けられるものである。この
ような電荷注入制御層は、情報記録媒体における情報記
録層が、特に、後述するような高分子分散型液晶層であ
る場合に、液晶の動作電圧領域に光センサーの感度を設
定することが必要である。つまり、露光部において情報
記録媒体に印加される電位(明電位)と未露光部におい
て情報記録媒体に印加される電位(暗電位)との差(コ
ントラスト電位)を情報記録媒体における液晶の動作領
域において大きく取ることが必要であるからである。
【0031】そのため、例えば光センサーの未露光部に
対応する液晶層に印加される暗電位は液晶の動作開始電
位程度に設定する必要がある。そのために光センサーバ
ルクに105 V/cm〜106 V/cmの電界が与えら
れた状態で10-4〜10-8A/cm2 の暗電流が生じる
程度の導電性が要求され、好ましくは10-5〜10-6A
/cm2 の範囲が好ましい。暗電流が10-8A/cm2
以下の光センサーでは液晶層が露光状態でも配向せず、
また10-4A/cm2 以上の暗電流の光センサーでは未
露光状態でも電圧印加と同時に電流が多く流れ、液晶が
配向し露光したとしても露光による透過率の差が得られ
ない。電荷注入制御層は、このような情報記録媒体の特
性との関係で適宜設けられる。
対応する液晶層に印加される暗電位は液晶の動作開始電
位程度に設定する必要がある。そのために光センサーバ
ルクに105 V/cm〜106 V/cmの電界が与えら
れた状態で10-4〜10-8A/cm2 の暗電流が生じる
程度の導電性が要求され、好ましくは10-5〜10-6A
/cm2 の範囲が好ましい。暗電流が10-8A/cm2
以下の光センサーでは液晶層が露光状態でも配向せず、
また10-4A/cm2 以上の暗電流の光センサーでは未
露光状態でも電圧印加と同時に電流が多く流れ、液晶が
配向し露光したとしても露光による透過率の差が得られ
ない。電荷注入制御層は、このような情報記録媒体の特
性との関係で適宜設けられる。
【0032】光サンサーにおける暗電位を低く抑えるこ
とが必要な場合には、電荷注入制御層は電荷注入防止性
を有する層とされる。電荷注入防止層は、いわゆるトン
ネル効果を利用した層と整流効果を利用した層との二種
類のものがある。トンネル効果を利用した層の膜厚は電
荷の注入を一定程度防止する絶縁性とトンネル効果の点
を考慮して使用される材質ごとに決められるが、本発明
の光センサーの特性を考慮し、適当な絶縁性とする必要
がある。膜厚は、厚くとも1μm以下とする必要があ
り、1μm以上であると本発明における光センサーの特
徴を有しないものとなる。
とが必要な場合には、電荷注入制御層は電荷注入防止性
を有する層とされる。電荷注入防止層は、いわゆるトン
ネル効果を利用した層と整流効果を利用した層との二種
類のものがある。トンネル効果を利用した層の膜厚は電
荷の注入を一定程度防止する絶縁性とトンネル効果の点
を考慮して使用される材質ごとに決められるが、本発明
の光センサーの特性を考慮し、適当な絶縁性とする必要
がある。膜厚は、厚くとも1μm以下とする必要があ
り、1μm以上であると本発明における光センサーの特
徴を有しないものとなる。
【0033】このような電荷注入性を一定程度防止する
層は、例えば無機絶縁性膜、有機絶縁性高分子膜、絶縁
性単分子膜等の単層、或いはこれらを積層して形成さ
れ、無機絶縁性膜としては、例えばAs2O3 、B2O3、Bi2O
3 、CdS 、CaO 、CeO2、Cr2O3、CoO 、GeO2、HfO2、Fe2
O3 、La2O3 、MgO 、MnO2、Nd2O3 、Nb2O5 、PbO 、Sb2
O3 、SiO2、SeO2、Ta2O5 、TiO2、WO3 、V2O5、Y2O5、Y
2O3、ZrO2、BaTiO3、Al2O3 、Bi2TiO5 、CaO-SrO 、CaO
-Y2O3、Cr-SiO、LiTaO3、PbTiO3、PbZrO3、ZrO2-Co 、Z
rO2-SiO2 、AlN 、BN、NbN 、Si3N4 、TaN 、TiN 、V
N、ZrN 、SiC 、TiC 、WC、Al4C3 等をグロー放電、蒸
着、スパッタリング等により形成される。
層は、例えば無機絶縁性膜、有機絶縁性高分子膜、絶縁
性単分子膜等の単層、或いはこれらを積層して形成さ
れ、無機絶縁性膜としては、例えばAs2O3 、B2O3、Bi2O
3 、CdS 、CaO 、CeO2、Cr2O3、CoO 、GeO2、HfO2、Fe2
O3 、La2O3 、MgO 、MnO2、Nd2O3 、Nb2O5 、PbO 、Sb2
O3 、SiO2、SeO2、Ta2O5 、TiO2、WO3 、V2O5、Y2O5、Y
2O3、ZrO2、BaTiO3、Al2O3 、Bi2TiO5 、CaO-SrO 、CaO
-Y2O3、Cr-SiO、LiTaO3、PbTiO3、PbZrO3、ZrO2-Co 、Z
rO2-SiO2 、AlN 、BN、NbN 、Si3N4 、TaN 、TiN 、V
N、ZrN 、SiC 、TiC 、WC、Al4C3 等をグロー放電、蒸
着、スパッタリング等により形成される。
【0034】また、整流効果を利用した電荷注入防止層
は、整流効果を利用して電極基板の極性と逆極性の電荷
輸送能を有する電荷輸送層を設ける。すなわち、このよ
うな電荷注入防止層は無機光導電層、有機光導電層、有
機無機複合型光導電層で形成され、その膜厚は、厚くと
も5μm以下とする必要があり、5μm以上であると本
発明における光センサーの特徴を有しないものとなる。
は、整流効果を利用して電極基板の極性と逆極性の電荷
輸送能を有する電荷輸送層を設ける。すなわち、このよ
うな電荷注入防止層は無機光導電層、有機光導電層、有
機無機複合型光導電層で形成され、その膜厚は、厚くと
も5μm以下とする必要があり、5μm以上であると本
発明における光センサーの特徴を有しないものとなる。
【0035】具体的には、電極に負の電圧が印加される
場合はB、Al、Ga、In等をドープしたアモルファ
スシリコン光導電層、アモルファスセレン、またはオキ
サジアゾール、ピラゾリン、ポリビニルカルバゾール、
スチルベン、アントラセン、ナフタレン、トリジフェニ
ルメタン、トリフェニルメタン、アジン、アミン、芳香
族アミン等を合成樹脂中に分散して形成した有機光導電
層、電極に正の電圧が印加される場合は、P、N、A
s、Sb、Bi等をドープしたアモルファスシリコン光
導電層、ZnO光導電層等をグロー放電、蒸着、スパッ
タリング、CVD、コーティング等の方法により形成さ
れる。これらの光導電層は、電極側の極性を同じ極性の
キャリアーを発生する光導電性材料により形成する必要
がある。電極を負とする場合はB、Al、Ga、In等
をドープしたシリコン光導電層、電極が正の場合は、
P、N、As、Sb、Bi等をドープしたシリコン光導
電層、セレン光導電層、有機光導電層等をグロー放電、
蒸着、スパッタリング、CVD、コーティング等の方法
により形成される。
場合はB、Al、Ga、In等をドープしたアモルファ
スシリコン光導電層、アモルファスセレン、またはオキ
サジアゾール、ピラゾリン、ポリビニルカルバゾール、
スチルベン、アントラセン、ナフタレン、トリジフェニ
ルメタン、トリフェニルメタン、アジン、アミン、芳香
族アミン等を合成樹脂中に分散して形成した有機光導電
層、電極に正の電圧が印加される場合は、P、N、A
s、Sb、Bi等をドープしたアモルファスシリコン光
導電層、ZnO光導電層等をグロー放電、蒸着、スパッ
タリング、CVD、コーティング等の方法により形成さ
れる。これらの光導電層は、電極側の極性を同じ極性の
キャリアーを発生する光導電性材料により形成する必要
がある。電極を負とする場合はB、Al、Ga、In等
をドープしたシリコン光導電層、電極が正の場合は、
P、N、As、Sb、Bi等をドープしたシリコン光導
電層、セレン光導電層、有機光導電層等をグロー放電、
蒸着、スパッタリング、CVD、コーティング等の方法
により形成される。
【0036】本発明の光センサーの製造工程について説
明する。 (1)基板の処理 光センサーの基板に凹凸が形成されていると、光センサ
ーの特性に悪影響を及ぼすので、基材となる青板ガラス
等の基板の表面をサンドブラスト等によって表面研磨
し、表面を±0.1μm以下に平滑にする。平滑化した
基材を、アルカリ洗浄剤、中性洗浄剤等の洗浄剤、有機
溶剤等によって基材表面に付着している油脂やその他の
汚染物質を除去し、スクラバー洗浄機等によって、表面
の清浄化を行う。スクラバー洗浄では、ブラシ等によっ
て表面の異物を除去したのちに、純水を噴射し、次いで
乾燥を行う。乾燥は基板を高速で回転して水分の除去の
後に赤外線等によって完全に水分を除去する。
明する。 (1)基板の処理 光センサーの基板に凹凸が形成されていると、光センサ
ーの特性に悪影響を及ぼすので、基材となる青板ガラス
等の基板の表面をサンドブラスト等によって表面研磨
し、表面を±0.1μm以下に平滑にする。平滑化した
基材を、アルカリ洗浄剤、中性洗浄剤等の洗浄剤、有機
溶剤等によって基材表面に付着している油脂やその他の
汚染物質を除去し、スクラバー洗浄機等によって、表面
の清浄化を行う。スクラバー洗浄では、ブラシ等によっ
て表面の異物を除去したのちに、純水を噴射し、次いで
乾燥を行う。乾燥は基板を高速で回転して水分の除去の
後に赤外線等によって完全に水分を除去する。
【0037】(2)電極層の成膜 充分に清浄化された基板上に、電極層の導電膜を形成す
る。導電膜の形成は、蒸着、スパッタリング、CVD、
めっき、ディッピング、該当する化合物の熱分解等によ
って金属、あるいはITO膜等の金属酸化物膜を形成す
る。形成する導電膜は50〜104 Ω/□の表面抵抗を
示す膜が好ましい。また、膜厚は例えばITO膜では1
0〜300nm程度であり、光透過率が80%以上のも
のが好ましい。導電膜は、光センサーの情報記録層に対
向する全面、或いは光導電層の形成パターンに合わせて
形成される。
る。導電膜の形成は、蒸着、スパッタリング、CVD、
めっき、ディッピング、該当する化合物の熱分解等によ
って金属、あるいはITO膜等の金属酸化物膜を形成す
る。形成する導電膜は50〜104 Ω/□の表面抵抗を
示す膜が好ましい。また、膜厚は例えばITO膜では1
0〜300nm程度であり、光透過率が80%以上のも
のが好ましい。導電膜は、光センサーの情報記録層に対
向する全面、或いは光導電層の形成パターンに合わせて
形成される。
【0038】(3)電極層のスクラブ処理 ついで、基材の電極層をスクラブ処理する。本発明にお
けるスクラブ処理とは、ナイロン、アクリル等のブラシ
あるいは多孔性合成樹脂等から形成されたロール等によ
る電極層表面の処理方法である。本発明の光センサーの
スクラブ処理は、市販のスクラバー洗浄装置を使用する
ことができる。スクラブ処理工程では、電極層上に純水
を噴射した後に、ブラシによって処理を行った後に、電
極層上に純水を噴射して洗浄し、次いで基板にスピンを
与えて基板上の水分を除去し、次いで赤外線乾燥を行っ
ている。また、スクラブ処理工程は、複数回繰り返し行
っても良い。
けるスクラブ処理とは、ナイロン、アクリル等のブラシ
あるいは多孔性合成樹脂等から形成されたロール等によ
る電極層表面の処理方法である。本発明の光センサーの
スクラブ処理は、市販のスクラバー洗浄装置を使用する
ことができる。スクラブ処理工程では、電極層上に純水
を噴射した後に、ブラシによって処理を行った後に、電
極層上に純水を噴射して洗浄し、次いで基板にスピンを
与えて基板上の水分を除去し、次いで赤外線乾燥を行っ
ている。また、スクラブ処理工程は、複数回繰り返し行
っても良い。
【0039】(4)電荷発生層の作製 電極層上に形成される光導電層が電荷発生層と電荷輸送
層の2層で形成されている場合について述べる。電荷発
生層は、無機光導電性物質、有機光導電性物質を結合剤
とともに有機溶剤中に分散する。とくに有機光導電性物
質として顔料を使用する場合には、サンドグラインダ
ー、高強度剪断分散機、コロイドミル、超音波分散装置
等によって顔料の微粒子の分散性を高めることが必要と
なる。有機光導電層の厚さは5〜30μmであるが、有
機光導電層が電荷発生層と電荷輸送層の2層で形成され
ているような本発明の光センサーの場合には、電荷発生
層の厚さは0.3μm程度の非常に薄いものである。し
たがって、基板の温度、機器類、材料の温度を所定の範
囲内に保持したり、塗布後は溶媒蒸気の雰囲気中に静置
して表面状態の調整を行ったり、さらに、塗布膜の表面
に被膜が形成されるまでの乾燥雰囲気の気流も塗布膜の
均一性に悪影響を及ぼすので、無風状態とすることが行
われる。
層の2層で形成されている場合について述べる。電荷発
生層は、無機光導電性物質、有機光導電性物質を結合剤
とともに有機溶剤中に分散する。とくに有機光導電性物
質として顔料を使用する場合には、サンドグラインダ
ー、高強度剪断分散機、コロイドミル、超音波分散装置
等によって顔料の微粒子の分散性を高めることが必要と
なる。有機光導電層の厚さは5〜30μmであるが、有
機光導電層が電荷発生層と電荷輸送層の2層で形成され
ているような本発明の光センサーの場合には、電荷発生
層の厚さは0.3μm程度の非常に薄いものである。し
たがって、基板の温度、機器類、材料の温度を所定の範
囲内に保持したり、塗布後は溶媒蒸気の雰囲気中に静置
して表面状態の調整を行ったり、さらに、塗布膜の表面
に被膜が形成されるまでの乾燥雰囲気の気流も塗布膜の
均一性に悪影響を及ぼすので、無風状態とすることが行
われる。
【0040】(5)電荷輸送層の作製 本発明の光センサーでは、光導電層の厚みが均一性と、
光導電層の表面を形成する電荷輸送層の表面状態が画質
に大きく影響をする。電荷輸送層の形成においても、電
荷輸送層用の塗布液を塗布した後に、電荷輸送層の塗布
液の良溶媒の蒸気の雰囲気中に放置した後に乾燥するこ
とことが好ましく、電荷発生層について適用する方法と
同様にすることが好ましい。また、本発明の光センサー
を高性能化するためには、電荷輸送層中の電荷輸送剤成
分の結合剤に対する重量比を大きくすることが好まし
く、とくに5:1以上とすることが好ましいが、電荷輸
送剤成分の割合が多くなると塗膜強度が低下し、乾燥過
程においてひび割れが発生し、ゴム系の結合剤を使用し
た場合にその影響が大きい。そこで、本発明では電荷輸
送層を80℃で加熱乾燥した後に、80℃から室温まで
1分間に4℃以下の冷却速度で冷却するものであり、と
くに好ましくは、1分間に2℃以下の冷却速度で冷却を
行う。
光導電層の表面を形成する電荷輸送層の表面状態が画質
に大きく影響をする。電荷輸送層の形成においても、電
荷輸送層用の塗布液を塗布した後に、電荷輸送層の塗布
液の良溶媒の蒸気の雰囲気中に放置した後に乾燥するこ
とことが好ましく、電荷発生層について適用する方法と
同様にすることが好ましい。また、本発明の光センサー
を高性能化するためには、電荷輸送層中の電荷輸送剤成
分の結合剤に対する重量比を大きくすることが好まし
く、とくに5:1以上とすることが好ましいが、電荷輸
送剤成分の割合が多くなると塗膜強度が低下し、乾燥過
程においてひび割れが発生し、ゴム系の結合剤を使用し
た場合にその影響が大きい。そこで、本発明では電荷輸
送層を80℃で加熱乾燥した後に、80℃から室温まで
1分間に4℃以下の冷却速度で冷却するものであり、と
くに好ましくは、1分間に2℃以下の冷却速度で冷却を
行う。
【0041】(6)保存 本乾燥を行った光センサーは、保存時の明暗、温度、湿
度、雰囲気等を調整して保存する。 (7)切断および電極出し 得られた光センサーは、所定の大きさに切断するととも
に、露光時の電圧印加用の電極の接続部を形成する。
度、雰囲気等を調整して保存する。 (7)切断および電極出し 得られた光センサーは、所定の大きさに切断するととも
に、露光時の電圧印加用の電極の接続部を形成する。
【0042】次に、本発明の情報記録システムについて
説明する。図3は、第1の情報記録システムの態様をそ
の断面により模式的に説明するための図で、情報記録層
11、電極層13′を順次積層した情報記録媒体3と上
述した光センサー1とをスペーサー19を介して対向配
置し、積層して構成される。なお、以下の情報記録シス
テムにおいて、光センサーとして積層型光センサーでも
って例示するが、単層型光センサーも同様に使用され
る。
説明する。図3は、第1の情報記録システムの態様をそ
の断面により模式的に説明するための図で、情報記録層
11、電極層13′を順次積層した情報記録媒体3と上
述した光センサー1とをスペーサー19を介して対向配
置し、積層して構成される。なお、以下の情報記録シス
テムにおいて、光センサーとして積層型光センサーでも
って例示するが、単層型光センサーも同様に使用され
る。
【0043】情報記録媒体3について説明する。まず、
本発明における情報記録媒体としては、その情報記録層
が高分子分散型液晶とする場合が挙げられる。本発明に
おける高分子分散型液晶は液晶相中に合成樹脂粒子が分
散した構造を有しているが、液晶材料は、スメクチック
液晶、ネマチック液晶、コレステリック液晶あるいはこ
れらの混合物を使用することができる。液晶としては、
その配向性を保持し、情報を永続的に保持させるメモリ
ー性の観点から、スメクチック液晶を使用するのが好ま
しい。
本発明における情報記録媒体としては、その情報記録層
が高分子分散型液晶とする場合が挙げられる。本発明に
おける高分子分散型液晶は液晶相中に合成樹脂粒子が分
散した構造を有しているが、液晶材料は、スメクチック
液晶、ネマチック液晶、コレステリック液晶あるいはこ
れらの混合物を使用することができる。液晶としては、
その配向性を保持し、情報を永続的に保持させるメモリ
ー性の観点から、スメクチック液晶を使用するのが好ま
しい。
【0044】スメクチック液晶としては、液晶性を呈す
る物質の末端基の炭素鎖が長いシアノビフェニル系、シ
アノターフェニル系、フェニルエステル系、更にフッ素
系等のスメクチックA相を呈する液晶物質、強誘電性液
晶として用いられるスメクチックC相を呈する液晶物
質、或いはスメクチックH、G、E、F等を呈する液晶
物質等が挙げられる。
る物質の末端基の炭素鎖が長いシアノビフェニル系、シ
アノターフェニル系、フェニルエステル系、更にフッ素
系等のスメクチックA相を呈する液晶物質、強誘電性液
晶として用いられるスメクチックC相を呈する液晶物
質、或いはスメクチックH、G、E、F等を呈する液晶
物質等が挙げられる。
【0045】又、ネマチック液晶を使用してもよく、ス
メクチック或いはコレステリック液晶と混合することに
よりメモリー性を向上させることができ、例えば、シッ
フ塩基系、アゾキシ系、アゾ系、安息香酸フェニルエス
テル系、シクロヘキシル酸フェニルエステル系、ビフェ
ニル系、ターフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、
フェニルピリジン系、フェニルオキサジン系、多環エタ
ン系、フェニルシクロヘキセン系、シクロヘキシルピリ
ミジン系、フェニル系、トラン系等の公知のネマチック
液晶を使用できる。又、ポリビニルアルコール等と液晶
材料を混合してマイクロカプセル化したものも使用でき
る。なお、液晶材料を選ぶ際には、屈折率の異方向性の
大きい材料の方がコントラストがとれるので好ましい。
メクチック或いはコレステリック液晶と混合することに
よりメモリー性を向上させることができ、例えば、シッ
フ塩基系、アゾキシ系、アゾ系、安息香酸フェニルエス
テル系、シクロヘキシル酸フェニルエステル系、ビフェ
ニル系、ターフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、
フェニルピリジン系、フェニルオキサジン系、多環エタ
ン系、フェニルシクロヘキセン系、シクロヘキシルピリ
ミジン系、フェニル系、トラン系等の公知のネマチック
液晶を使用できる。又、ポリビニルアルコール等と液晶
材料を混合してマイクロカプセル化したものも使用でき
る。なお、液晶材料を選ぶ際には、屈折率の異方向性の
大きい材料の方がコントラストがとれるので好ましい。
【0046】合成樹脂粒子を形成する材料としては、例
えば、紫外線硬化型樹脂であって、モノマー、オリゴマ
ーの状態で液晶材料と相溶性を有するもの、或いはモノ
マー、オリゴマーの状態で液晶材料と共通の溶媒に相溶
性を有するものを好ましく使用できる。このような紫外
線硬化型樹脂としては、例えばアクリル酸エステル、メ
タクリル酸エステル等が挙げられ、モノマー、オリゴマ
ーの状態で、例えばジペンタエリスリトールヘキサアク
リレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、
ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリプロピレ
ングリコールジアクリレート、イソシアヌール酸(エチ
レンオキサイド変性)トリアクリレート、ジペンタエリ
スリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトー
ルテトラアクリレート、ネオペンチルグリコールジアク
リレート、ヘキサンジオールジアクリレート等の多官能
性モノマー或いは多官能性ウレタン系、エステル系オリ
ゴマー、更にノニルフェノール変性アクリレート、N−
ビニル−2−ピロリドン、2−ヒドロキシ−3−フェノ
キシプロピルアクリレート等の単官能性モノマー或いは
オリゴマー等が挙げられる。
えば、紫外線硬化型樹脂であって、モノマー、オリゴマ
ーの状態で液晶材料と相溶性を有するもの、或いはモノ
マー、オリゴマーの状態で液晶材料と共通の溶媒に相溶
性を有するものを好ましく使用できる。このような紫外
線硬化型樹脂としては、例えばアクリル酸エステル、メ
タクリル酸エステル等が挙げられ、モノマー、オリゴマ
ーの状態で、例えばジペンタエリスリトールヘキサアク
リレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、
ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリプロピレ
ングリコールジアクリレート、イソシアヌール酸(エチ
レンオキサイド変性)トリアクリレート、ジペンタエリ
スリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトー
ルテトラアクリレート、ネオペンチルグリコールジアク
リレート、ヘキサンジオールジアクリレート等の多官能
性モノマー或いは多官能性ウレタン系、エステル系オリ
ゴマー、更にノニルフェノール変性アクリレート、N−
ビニル−2−ピロリドン、2−ヒドロキシ−3−フェノ
キシプロピルアクリレート等の単官能性モノマー或いは
オリゴマー等が挙げられる。
【0047】溶媒としては、共通の溶媒であれば特に問
題はなく、例えばキシレン等に代表される炭化水素系溶
媒、クロロホルム等に代表されるハロゲン化炭化水素系
溶媒、メチルセロソルブ等に代表されるアルコール誘導
体系溶媒、ジオキサン等に代表されるエーテル系溶媒等
が挙げられる。
題はなく、例えばキシレン等に代表される炭化水素系溶
媒、クロロホルム等に代表されるハロゲン化炭化水素系
溶媒、メチルセロソルブ等に代表されるアルコール誘導
体系溶媒、ジオキサン等に代表されるエーテル系溶媒等
が挙げられる。
【0048】紫外線硬化型樹脂を硬化させる光硬化剤と
しては、例えば2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェ
ニルプロパン−1−オン(メルク社製 ダロキュア11
73)、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
(チバ・ガイギー社製 イルガキュア184)、1−
(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−
メチルプロパン−1−オン(メルク社製 ダロキュア1
116)、ベンジルジメチルケタール(チバ・ガイギー
社製 イルガキュア651)、2−メチル−1−〔4−
(メチルチオ)フェニル〕−2−モルホリノプロパノン
−1(チバ・ガイギー社製 イルガキュア907)、
2,4−ジエチルチオキサントン(日本化薬社製 カヤ
キュアDETX)とp−ジメチルアミノ安息香酸エチル
(日本化薬社製カヤキュアEPA)との混合物、イソプ
ロピルチオキサントン(ワードブレキンソップ社製 ク
ンタキュア・ITX)とp−ジメチルアミノ安息香酸エ
チルとの混合物等が挙げられるが、液状である2−ヒド
ロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン
が液晶材料、重合体形成性モノマー若しくはオリゴマー
との相溶性の面で特に好ましい。
しては、例えば2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェ
ニルプロパン−1−オン(メルク社製 ダロキュア11
73)、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
(チバ・ガイギー社製 イルガキュア184)、1−
(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−
メチルプロパン−1−オン(メルク社製 ダロキュア1
116)、ベンジルジメチルケタール(チバ・ガイギー
社製 イルガキュア651)、2−メチル−1−〔4−
(メチルチオ)フェニル〕−2−モルホリノプロパノン
−1(チバ・ガイギー社製 イルガキュア907)、
2,4−ジエチルチオキサントン(日本化薬社製 カヤ
キュアDETX)とp−ジメチルアミノ安息香酸エチル
(日本化薬社製カヤキュアEPA)との混合物、イソプ
ロピルチオキサントン(ワードブレキンソップ社製 ク
ンタキュア・ITX)とp−ジメチルアミノ安息香酸エ
チルとの混合物等が挙げられるが、液状である2−ヒド
ロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン
が液晶材料、重合体形成性モノマー若しくはオリゴマー
との相溶性の面で特に好ましい。
【0049】液晶材料と合成樹脂の使用割合は、液晶の
含有量が10重量%〜90重量%、好ましくは40重量
%〜80重量%となるように使用するとよく、10重量
%未満であると情報記録により液晶相が配向しても光透
過性が低く、また、90重量%を越えると液晶の滲み出
し等の現象が生じ、画像ムラが生じ好ましくない。液晶
は情報記録相中に多く存在させることにより、コントラ
スト比を向上させ、動作電圧を低くすることができる。
含有量が10重量%〜90重量%、好ましくは40重量
%〜80重量%となるように使用するとよく、10重量
%未満であると情報記録により液晶相が配向しても光透
過性が低く、また、90重量%を越えると液晶の滲み出
し等の現象が生じ、画像ムラが生じ好ましくない。液晶
は情報記録相中に多く存在させることにより、コントラ
スト比を向上させ、動作電圧を低くすることができる。
【0050】情報記録層の形成方法は、合成樹脂形成用
材料と液晶、光硬化剤等を溶媒に溶解または分散させた
混合溶液を、電極層上にブレードコーター、ロールコー
ター、或いはスピンコーター等の塗布方法により塗布
し、光または熱により合成樹脂形成用材料を硬化させる
ことにより形成される。なお、必要に応じて、溶液の塗
布適性を向上させ、表面性を良くするためにレベリング
剤を添加してもよい。
材料と液晶、光硬化剤等を溶媒に溶解または分散させた
混合溶液を、電極層上にブレードコーター、ロールコー
ター、或いはスピンコーター等の塗布方法により塗布
し、光または熱により合成樹脂形成用材料を硬化させる
ことにより形成される。なお、必要に応じて、溶液の塗
布適性を向上させ、表面性を良くするためにレベリング
剤を添加してもよい。
【0051】情報記録層形成にあたっては、液晶が等方
相を保持する温度以上に混合溶液を加熱し、液晶と紫外
線硬化型樹脂形成材料とを完全に相溶させることが必要
であり、これにより、合成樹脂相と液晶相とが均一に分
散した情報記録層とすることができる。液晶が等方相を
示す温度以下で紫外線硬化させると、液晶と紫外線硬化
型樹脂材料との相分離が大きくなるという問題が生じ
る。すなわち、液晶ドメインが成長しすぎ、情報記録層
表面にスキン層が完全に形成されず、液晶の滲み出し現
象が生じたり、また紫外線硬化型樹脂がマット化し、正
確に情報を取り込むことが困難となり、好ましくなく、
紫外線硬化型樹脂が液晶を保持できず、情報記録層を形
成されないことすらある。他方、溶媒を蒸発させる際
に、等方相を保持するために加熱が必要な場合には、特
に電極層に対する濡れ性が低下し、均一な情報記録層が
得られないという問題がある。
相を保持する温度以上に混合溶液を加熱し、液晶と紫外
線硬化型樹脂形成材料とを完全に相溶させることが必要
であり、これにより、合成樹脂相と液晶相とが均一に分
散した情報記録層とすることができる。液晶が等方相を
示す温度以下で紫外線硬化させると、液晶と紫外線硬化
型樹脂材料との相分離が大きくなるという問題が生じ
る。すなわち、液晶ドメインが成長しすぎ、情報記録層
表面にスキン層が完全に形成されず、液晶の滲み出し現
象が生じたり、また紫外線硬化型樹脂がマット化し、正
確に情報を取り込むことが困難となり、好ましくなく、
紫外線硬化型樹脂が液晶を保持できず、情報記録層を形
成されないことすらある。他方、溶媒を蒸発させる際
に、等方相を保持するために加熱が必要な場合には、特
に電極層に対する濡れ性が低下し、均一な情報記録層が
得られないという問題がある。
【0052】電極層に対する濡れ性を維持するとともに
合成樹脂の表面に被膜を形成することを目的として、情
報記録層にフッ素系界面活性剤を添加するとよい。この
ようなフッ素系界面活性剤としては、例えば住友スリー
エム(株)製、フロラードFC−430、同フロラード
FC−431、N−(n−プロピル)−N−(β−アク
リロキシエチル)−パーフルオロオクチルスルホン酸ア
ミド(三菱マテリアル(株)製EF−125M)、N−
(n−プロピル)−N−(β−メタクリロキシエチル)
−パーフルオロオクチルスルホン酸アミド(三菱マテリ
アル(株)製EF−135M)、パーフルオロオクタン
スルホン酸(三菱マテリアル(株)製EF−101)、
パーフルオロカプリル酸(三菱マテリアル(株)製EF
−201)、N−(n−プロピル)−N−パーフルオロ
オクタンスルホン酸アミドエタノール(三菱マテリアル
(株)製EF−121)等の特願平5−4721号に記
載のものが挙げられる。フッ素系界面活性剤は、液晶と
合成樹脂形成材料との合計量に対して0.1〜20重量
%の割合で添加される。
合成樹脂の表面に被膜を形成することを目的として、情
報記録層にフッ素系界面活性剤を添加するとよい。この
ようなフッ素系界面活性剤としては、例えば住友スリー
エム(株)製、フロラードFC−430、同フロラード
FC−431、N−(n−プロピル)−N−(β−アク
リロキシエチル)−パーフルオロオクチルスルホン酸ア
ミド(三菱マテリアル(株)製EF−125M)、N−
(n−プロピル)−N−(β−メタクリロキシエチル)
−パーフルオロオクチルスルホン酸アミド(三菱マテリ
アル(株)製EF−135M)、パーフルオロオクタン
スルホン酸(三菱マテリアル(株)製EF−101)、
パーフルオロカプリル酸(三菱マテリアル(株)製EF
−201)、N−(n−プロピル)−N−パーフルオロ
オクタンスルホン酸アミドエタノール(三菱マテリアル
(株)製EF−121)等の特願平5−4721号に記
載のものが挙げられる。フッ素系界面活性剤は、液晶と
合成樹脂形成材料との合計量に対して0.1〜20重量
%の割合で添加される。
【0053】また、情報記録層形成における塗布溶液に
おける固形分濃度は10〜60重量%とするとよく、硬
化に際して、合成樹脂の種類、濃度、塗布層温度、また
紫外線照射条件等の硬化条件を適宜に設定することによ
り、外表皮層として液晶相を有しない合成樹脂層のみか
らなるスキン層を良好に形成させることができ、これに
より情報記録層における液晶の使用割合を増大すること
ができ、また液晶の滲み出しを無くすることができる。
おける固形分濃度は10〜60重量%とするとよく、硬
化に際して、合成樹脂の種類、濃度、塗布層温度、また
紫外線照射条件等の硬化条件を適宜に設定することによ
り、外表皮層として液晶相を有しない合成樹脂層のみか
らなるスキン層を良好に形成させることができ、これに
より情報記録層における液晶の使用割合を増大すること
ができ、また液晶の滲み出しを無くすることができる。
【0054】以上、合成樹脂材料として紫外線硬化型樹
脂について説明したが、その他、液晶材料と共通の溶媒
に相溶性を有する溶媒可溶型の熱硬化性樹脂、例えばア
クリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ
スチレン樹脂、及びこれらを主体とした共重合体等、エ
ポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を使用してもよい。
脂について説明したが、その他、液晶材料と共通の溶媒
に相溶性を有する溶媒可溶型の熱硬化性樹脂、例えばア
クリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ
スチレン樹脂、及びこれらを主体とした共重合体等、エ
ポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を使用してもよい。
【0055】情報記録層の膜厚は解像性に影響を与える
ので、乾燥後膜厚0.1μm〜10μm、好ましくは3
μm〜8μmとするとよく、高解像性を維持しつつ、動
作電圧も低くすることができる。膜厚が薄すぎると情報
記録部のコントラストが低く、また、厚すぎると動作電
圧が高くなるので好ましくない。
ので、乾燥後膜厚0.1μm〜10μm、好ましくは3
μm〜8μmとするとよく、高解像性を維持しつつ、動
作電圧も低くすることができる。膜厚が薄すぎると情報
記録部のコントラストが低く、また、厚すぎると動作電
圧が高くなるので好ましくない。
【0056】なお、情報記録層がそれ自体支持性を有
し、支持体を省略する場合には、情報記録層の表面には
スキン層が形成されているので、例えばITO膜を蒸着
法、スパッタ法等により積層してもひび割れが生じな
く、導電性の低下のないものとすることができる。この
場合、仮支持体上に設けた情報記録層上に電極層を設け
た後、仮支持体を剥離して情報記録媒体とするとよい。
し、支持体を省略する場合には、情報記録層の表面には
スキン層が形成されているので、例えばITO膜を蒸着
法、スパッタ法等により積層してもひび割れが生じな
く、導電性の低下のないものとすることができる。この
場合、仮支持体上に設けた情報記録層上に電極層を設け
た後、仮支持体を剥離して情報記録媒体とするとよい。
【0057】情報記録媒体における電極層13′は、上
述の光センサーにおける電極層13と同様の材料、及び
同様の積層方法で基板15上に設けられる。この情報記
録媒体は、図3に示すように上述した光センサーとスペ
ーサー19を介して、対向配置し、両電極層13、1
3′を電圧源Vを介して結線して第1の情報記録システ
ムとされる。このシステムにおける電極層13、13′
は、いずれか一方、または両方が透明性であればよい。
述の光センサーにおける電極層13と同様の材料、及び
同様の積層方法で基板15上に設けられる。この情報記
録媒体は、図3に示すように上述した光センサーとスペ
ーサー19を介して、対向配置し、両電極層13、1
3′を電圧源Vを介して結線して第1の情報記録システ
ムとされる。このシステムにおける電極層13、13′
は、いずれか一方、または両方が透明性であればよい。
【0058】スペーサーとしては、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル、ポリイミド、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアクリ
ロニトリル、ポリアミド、ポリプロピレン、酢酸セルロ
ース、エチルセルロース、ポリカーボネート、ポリスチ
レン、ポリテトラフルオロエチレン等の樹脂フィルムを
使用して形成するとよく、また、上記各樹脂溶液を塗
布、乾燥させて形成してもよい。また、アルミニウム、
セレン、テルル、金、白金等の金属材料又は無機或いは
有機化合物を蒸着して形成してもよい。スペーサーの膜
厚は、光センサーと情報記録媒体との空隙距離となり、
情報記録層に印加される電圧配分に影響を与えるので、
少なくとも100μm以下とするとよく、好ましくは3
μm〜30μmとするとよい。
タレート等のポリエステル、ポリイミド、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアクリ
ロニトリル、ポリアミド、ポリプロピレン、酢酸セルロ
ース、エチルセルロース、ポリカーボネート、ポリスチ
レン、ポリテトラフルオロエチレン等の樹脂フィルムを
使用して形成するとよく、また、上記各樹脂溶液を塗
布、乾燥させて形成してもよい。また、アルミニウム、
セレン、テルル、金、白金等の金属材料又は無機或いは
有機化合物を蒸着して形成してもよい。スペーサーの膜
厚は、光センサーと情報記録媒体との空隙距離となり、
情報記録層に印加される電圧配分に影響を与えるので、
少なくとも100μm以下とするとよく、好ましくは3
μm〜30μmとするとよい。
【0059】次に、第2の情報記録システムについて説
明する。図4は、本発明の第2の情報記録システムを断
面図により示す図であり、図中20は誘電体層であり、
また、図2と同一符号は同一内容を示す。第2の情報記
録システムは、第1の情報記録システムにおける光セン
サーと情報記録媒体とを誘電体層20を介して対向配置
し、直接積層したものである。第2の情報記録システム
は、光センサーにおける光導電層が溶媒を使用して塗布
形成される場合に特に適しており、光導電層上に情報記
録層を直接塗布形成すると、それらの相互作用により情
報記録層における液晶が溶出したり、又、情報記録層形
成用の溶媒により光導電材料が溶出することによる画像
ムラを防止することができ、また光センサーと情報記録
媒体との一体化を可能とするものである。
明する。図4は、本発明の第2の情報記録システムを断
面図により示す図であり、図中20は誘電体層であり、
また、図2と同一符号は同一内容を示す。第2の情報記
録システムは、第1の情報記録システムにおける光セン
サーと情報記録媒体とを誘電体層20を介して対向配置
し、直接積層したものである。第2の情報記録システム
は、光センサーにおける光導電層が溶媒を使用して塗布
形成される場合に特に適しており、光導電層上に情報記
録層を直接塗布形成すると、それらの相互作用により情
報記録層における液晶が溶出したり、又、情報記録層形
成用の溶媒により光導電材料が溶出することによる画像
ムラを防止することができ、また光センサーと情報記録
媒体との一体化を可能とするものである。
【0060】誘電体層20は、その形成にあたって、光
導電層形成材料、情報記録層形成材料のいずれに対して
も溶解性を有しないことが必要であり、また導電性を有
しないことが必要である。導電性を有する場合には、空
間電荷の拡散が生じ、解像度の劣化が生じることから絶
縁性が要求される。また、誘電体層は液晶層にかかる分
配電圧を低下させたり、或いは解像性を悪化させるの
で、膜厚は薄い方が好ましく、2μm以下とするとよい
が、逆に薄くすることにより、経時的な相互作用による
画像ノイズの発生ばかりでなく、積層塗布する際にピン
ホール等の欠陥による浸透の問題が生じる。ピンホール
等の欠陥による浸透性は積層塗布する材料の固形分比
率、溶媒の種類、粘度により異なるので、積層塗布され
るものの膜厚は適宜設定されるが、少なくとも10μm
以下の膜厚とするとよく、好ましくは0.1〜3μmと
するとよい。さらに、各層に掛かる電圧分配を考慮した
場合、薄膜化と共に誘電率の高い材料が好ましい。
導電層形成材料、情報記録層形成材料のいずれに対して
も溶解性を有しないことが必要であり、また導電性を有
しないことが必要である。導電性を有する場合には、空
間電荷の拡散が生じ、解像度の劣化が生じることから絶
縁性が要求される。また、誘電体層は液晶層にかかる分
配電圧を低下させたり、或いは解像性を悪化させるの
で、膜厚は薄い方が好ましく、2μm以下とするとよい
が、逆に薄くすることにより、経時的な相互作用による
画像ノイズの発生ばかりでなく、積層塗布する際にピン
ホール等の欠陥による浸透の問題が生じる。ピンホール
等の欠陥による浸透性は積層塗布する材料の固形分比
率、溶媒の種類、粘度により異なるので、積層塗布され
るものの膜厚は適宜設定されるが、少なくとも10μm
以下の膜厚とするとよく、好ましくは0.1〜3μmと
するとよい。さらに、各層に掛かる電圧分配を考慮した
場合、薄膜化と共に誘電率の高い材料が好ましい。
【0061】誘電体層を形成する材料としては、無機材
料では SiO2 、TiO2、CeO2、Al2O3、GeO2、Si3N4 、AlN
、TiN 等を使用し、蒸着法、スパッタ法、化学蒸着
(CVD)法等により積層して形成するとよい。また、
有機溶剤に対して相溶性の少ない水溶性合成樹脂、例え
ばポリビニルアルコール、水系ポリウレタン、水ガラス
等の水溶液を使用し、スピンコート法、ブレードコート
法、ロールコート法等により積層してもよい。更に、塗
布可能なフッ素樹脂を使用してもよく、この場合にはフ
ッ素系溶剤に溶解し、スピンコート法により塗布する
か、またブレードコート法、ロールコート法等により積
層してもよい。塗布可能なフッ素樹脂としては、例えば
特開平1−131215号公報等に開示されたフッ素樹
脂、更に真空系で膜形成されるポリパラキシリレン等の
有機材料を好ましく使用することができる。
料では SiO2 、TiO2、CeO2、Al2O3、GeO2、Si3N4 、AlN
、TiN 等を使用し、蒸着法、スパッタ法、化学蒸着
(CVD)法等により積層して形成するとよい。また、
有機溶剤に対して相溶性の少ない水溶性合成樹脂、例え
ばポリビニルアルコール、水系ポリウレタン、水ガラス
等の水溶液を使用し、スピンコート法、ブレードコート
法、ロールコート法等により積層してもよい。更に、塗
布可能なフッ素樹脂を使用してもよく、この場合にはフ
ッ素系溶剤に溶解し、スピンコート法により塗布する
か、またブレードコート法、ロールコート法等により積
層してもよい。塗布可能なフッ素樹脂としては、例えば
特開平1−131215号公報等に開示されたフッ素樹
脂、更に真空系で膜形成されるポリパラキシリレン等の
有機材料を好ましく使用することができる。
【0062】次に、本発明の第1及び第2の情報記録シ
ステムにおける情報記録方法について説明する。図12
は、本発明の第1の情報記録システムにおける情報記録
方法を説明するための図である。第2の情報記録システ
ムにおいても同様である。図中11は情報記録層、13
は光センサー電極、13′は情報記録媒体電極、14は
光導電層、21は光源、22は駆動機構を有するシャッ
ター、23はパルスジェネレーター(電源)、24は暗
箱を示す。まず、電源により電極13、13′間に電圧
を印加する。なお、この情報記録媒体への記録に際し
て、情報記録媒体を例えばその支持体中に埋設した抵抗
加熱(図示せず)により加熱し、液晶を液晶相を示す温
度まで加熱すると、より液晶におけるメモリー性を向上
させることができる。電極13、13′間に、パルスジ
ェネレーター23により電圧を印加しつつ、光源21か
ら情報光を入射させると、光が入射した部分の光導電層
14で発生した光キャリアは、両電極により形成される
電界により情報記録層11側の界面まで移動し、電圧の
再配分が行われ、情報記録層11における液晶相が配向
し、情報光のパターンに応じた記録が行なわれる。
ステムにおける情報記録方法について説明する。図12
は、本発明の第1の情報記録システムにおける情報記録
方法を説明するための図である。第2の情報記録システ
ムにおいても同様である。図中11は情報記録層、13
は光センサー電極、13′は情報記録媒体電極、14は
光導電層、21は光源、22は駆動機構を有するシャッ
ター、23はパルスジェネレーター(電源)、24は暗
箱を示す。まず、電源により電極13、13′間に電圧
を印加する。なお、この情報記録媒体への記録に際し
て、情報記録媒体を例えばその支持体中に埋設した抵抗
加熱(図示せず)により加熱し、液晶を液晶相を示す温
度まで加熱すると、より液晶におけるメモリー性を向上
させることができる。電極13、13′間に、パルスジ
ェネレーター23により電圧を印加しつつ、光源21か
ら情報光を入射させると、光が入射した部分の光導電層
14で発生した光キャリアは、両電極により形成される
電界により情報記録層11側の界面まで移動し、電圧の
再配分が行われ、情報記録層11における液晶相が配向
し、情報光のパターンに応じた記録が行なわれる。
【0063】また、本発明の情報記録方法においては、
電極13、13′間に電圧を印加する前に、光センサー
における光キャリヤーを発生させるために、例えば10
00ルックスの光を30秒以上の強露光を行う前処理を
行い、ついで暗室下での電圧印加露光してもよい。これ
により、光センサーにおける増幅機能を強化することが
できる。
電極13、13′間に電圧を印加する前に、光センサー
における光キャリヤーを発生させるために、例えば10
00ルックスの光を30秒以上の強露光を行う前処理を
行い、ついで暗室下での電圧印加露光してもよい。これ
により、光センサーにおける増幅機能を強化することが
できる。
【0064】また、液晶によって動作電圧及び範囲が異
なるものもあるので、印加電圧及び印加電圧時間を設定
するにあたっては、情報記録媒体における電圧配分を適
宜設定し、情報記録層にかかる電圧配分を液晶の動作電
圧領域に設定するとよい。
なるものもあるので、印加電圧及び印加電圧時間を設定
するにあたっては、情報記録媒体における電圧配分を適
宜設定し、情報記録層にかかる電圧配分を液晶の動作電
圧領域に設定するとよい。
【0065】本発明の情報記録方法は、面状アナログ記
録が可能であり、液晶レベルでの記録が得られるので、
高解像度の記録となり、また露光パターンは液晶相の配
向により可視像化されて保持される。
録が可能であり、液晶レベルでの記録が得られるので、
高解像度の記録となり、また露光パターンは液晶相の配
向により可視像化されて保持される。
【0066】情報記録システムの形態としては、カメラ
による方法、またレーザーによる記録方法がある。カメ
ラによる方法としては、通常のカメラに使用されている
写真フィルムの代わりに情報記録媒体が使用され、記録
部材とするもので、光学的なシャッタも使用しうるし、
また電気的なシャッタも使用しうるものである。また、
プリズム及びカラーフィルターにより光情報を、R、
G、B光成分に分離し、平行光として取り出しR、G、
B分解した情報記録媒体3セットで1コマを形成する
か、または1平面上にR、G、B像を並べて1セットで
1コマとすることにより、カラー撮影することもでき
る。
による方法、またレーザーによる記録方法がある。カメ
ラによる方法としては、通常のカメラに使用されている
写真フィルムの代わりに情報記録媒体が使用され、記録
部材とするもので、光学的なシャッタも使用しうるし、
また電気的なシャッタも使用しうるものである。また、
プリズム及びカラーフィルターにより光情報を、R、
G、B光成分に分離し、平行光として取り出しR、G、
B分解した情報記録媒体3セットで1コマを形成する
か、または1平面上にR、G、B像を並べて1セットで
1コマとすることにより、カラー撮影することもでき
る。
【0067】また、レーザーによる記録方法としては、
光源としてはアルゴンレーザー(514.488n
m)、ヘリウム−ネオンレーザー(633nm)、半導
体レーザー(780nm、810nm等)が使用でき、
画像信号、文字信号、コード信号、線画信号に対応した
レーザー露光をスキャニングにより行うものである。画
像のようなアナログ的な記録は、レーザーの光強度を変
調して行い、文字、コード、線画のようなデジタル的な
記録は、レーザー光のON−OFF制御により行う。ま
た画像において網点形成されるものには、レーザー光に
ドットジェネレーターON−OFF制御をかけて形成す
るものである。なお、光センサーにおける光導電層の分
光特性は、パンクロマティックである必要はなく、レー
ザー光源の波長に感度を有していればよい。
光源としてはアルゴンレーザー(514.488n
m)、ヘリウム−ネオンレーザー(633nm)、半導
体レーザー(780nm、810nm等)が使用でき、
画像信号、文字信号、コード信号、線画信号に対応した
レーザー露光をスキャニングにより行うものである。画
像のようなアナログ的な記録は、レーザーの光強度を変
調して行い、文字、コード、線画のようなデジタル的な
記録は、レーザー光のON−OFF制御により行う。ま
た画像において網点形成されるものには、レーザー光に
ドットジェネレーターON−OFF制御をかけて形成す
るものである。なお、光センサーにおける光導電層の分
光特性は、パンクロマティックである必要はなく、レー
ザー光源の波長に感度を有していればよい。
【0068】情報記録媒体に記録された露光情報は、図
3に示すように第1の情報記録システムの場合には情報
記録媒体を分離して、また第2の情報記録システムの場
合にはそのまま透過光により情報を再生すると、情報記
録部では液晶が電界方向に配向するために光Aは透過す
るのに対して、情報を記録していない部位においては光
Bは散乱し、情報記録部とのコントラストがとれる。ま
た、光反射層を介して反射光により読み取ってもよい。
3に示すように第1の情報記録システムの場合には情報
記録媒体を分離して、また第2の情報記録システムの場
合にはそのまま透過光により情報を再生すると、情報記
録部では液晶が電界方向に配向するために光Aは透過す
るのに対して、情報を記録していない部位においては光
Bは散乱し、情報記録部とのコントラストがとれる。ま
た、光反射層を介して反射光により読み取ってもよい。
【0069】この積層体を組み込んだ、図12に示す情
報記録系において、光センサーと情報記録媒体における
両電極層間に850Vの直流電圧を0.05秒印加する
と同時に、撮像用カメラ(マミヤ社製RB67)にて、
グレースケールを1/30秒間、光センサー側から投影
露光した。露光後、情報記録媒体を取り出した。図13
に示すように透過光により情報記録媒体を観察したとこ
ろ、情報記録層にはグレースケールに応じた光透過部か
らなる記録部が観察された。
報記録系において、光センサーと情報記録媒体における
両電極層間に850Vの直流電圧を0.05秒印加する
と同時に、撮像用カメラ(マミヤ社製RB67)にて、
グレースケールを1/30秒間、光センサー側から投影
露光した。露光後、情報記録媒体を取り出した。図13
に示すように透過光により情報記録媒体を観察したとこ
ろ、情報記録層にはグレースケールに応じた光透過部か
らなる記録部が観察された。
【0070】次いで、情報記録媒体における記録情報
を、図14に示すように構築した情報出力系により再生
した。図中、41はフィルムスキャナー、42はパソコ
ン、43はプリンターである。
を、図14に示すように構築した情報出力系により再生
した。図中、41はフィルムスキャナー、42はパソコ
ン、43はプリンターである。
【0071】情報記録媒体を、フィルムスキャナー(ニ
コン社製、LS−3500)51にかけて記録情報を読
み取り、その情報を昇華転写プリンター(JVC社製、
SP−5500)を使用して情報出力した結果、グレー
スケールに応じた良好な印刷物が得られた。
コン社製、LS−3500)51にかけて記録情報を読
み取り、その情報を昇華転写プリンター(JVC社製、
SP−5500)を使用して情報出力した結果、グレー
スケールに応じた良好な印刷物が得られた。
【0072】液晶の配向により記録された情報は、目視
による読み取りが可能な可視情報であるが、投影機によ
り拡大して読み取ることもでき、レーザースキャニン
グ、或いはCCDを用いて高精度で情報を読み取ること
ができる。なお必要に応じてシュリーレン光学系を用い
ることにより散乱光を防ぐことができる。
による読み取りが可能な可視情報であるが、投影機によ
り拡大して読み取ることもでき、レーザースキャニン
グ、或いはCCDを用いて高精度で情報を読み取ること
ができる。なお必要に応じてシュリーレン光学系を用い
ることにより散乱光を防ぐことができる。
【0073】以上、情報記録媒体として、情報露光によ
る記録を液晶の配向により可視化した状態とするもので
あるが、液晶と合成樹脂との組合せを選ぶことにより、
一旦配向し、可視化した情報は消去せず、メモリ性を付
与することができる。また、等方相転移付近の高温に加
熱すると、メモリーを消去することができるので、再度
の情報記録に使用することができる。
る記録を液晶の配向により可視化した状態とするもので
あるが、液晶と合成樹脂との組合せを選ぶことにより、
一旦配向し、可視化した情報は消去せず、メモリ性を付
与することができる。また、等方相転移付近の高温に加
熱すると、メモリーを消去することができるので、再度
の情報記録に使用することができる。
【0074】情報記録システムにおける情報記録媒体と
しては、例えば特開平3−7942号公報等に記載され
る電荷保持層を情報記録層とする静電情報記録媒体を使
用してもよく、この場合には情報は情報記録媒体におい
て静電荷の形で蓄積されるので、その静電電荷をトナー
現像するか、またはその静電電荷を例えば特開平1−2
90366号公報等に記載されるように電位読み取りに
より再生することができる。
しては、例えば特開平3−7942号公報等に記載され
る電荷保持層を情報記録層とする静電情報記録媒体を使
用してもよく、この場合には情報は情報記録媒体におい
て静電荷の形で蓄積されるので、その静電電荷をトナー
現像するか、またはその静電電荷を例えば特開平1−2
90366号公報等に記載されるように電位読み取りに
より再生することができる。
【0075】また、特開平4−46347号公報等に記
載される、熱可塑性樹脂層を情報記録層とする情報記録
媒体を使用してもよく、この場合には、上記同様に情報
を静電荷の形で表面に蓄積した後、熱可塑性樹脂層が加
熱されることにより、情報をフロスト像として蓄積し、
可視情報として情報再生することが可能である。
載される、熱可塑性樹脂層を情報記録層とする情報記録
媒体を使用してもよく、この場合には、上記同様に情報
を静電荷の形で表面に蓄積した後、熱可塑性樹脂層が加
熱されることにより、情報をフロスト像として蓄積し、
可視情報として情報再生することが可能である。
【0076】
【作用】基板上に、形成した電極層上に光導電層を積
層、または光導電層を電荷発生層、電荷輸送層の二層で
積層した情報記録媒体への情報形成に使用される光導電
層を積層した光センサーと情報記録媒体とを間隔を設け
て光軸上に対向配置し、光センサーおよび情報記録媒体
の両電極層間に電圧印加を可能に結線し、両電極層間に
電圧を印加した状態での情報露光により情報記録媒体へ
の情報記録を行う情報記録装置用の光センサーの製造方
法において、光導電層の塗布液を塗布した基材を加熱下
で乾燥した後の冷却速度を4℃/分以下にして冷却する
ことによって、性能が優れ、光導電層にひび割れ等が生
じない光センサーが得られ、その結果画像ノイズのない
高品質の画像が得られることを見いだしたものである。
層、または光導電層を電荷発生層、電荷輸送層の二層で
積層した情報記録媒体への情報形成に使用される光導電
層を積層した光センサーと情報記録媒体とを間隔を設け
て光軸上に対向配置し、光センサーおよび情報記録媒体
の両電極層間に電圧印加を可能に結線し、両電極層間に
電圧を印加した状態での情報露光により情報記録媒体へ
の情報記録を行う情報記録装置用の光センサーの製造方
法において、光導電層の塗布液を塗布した基材を加熱下
で乾燥した後の冷却速度を4℃/分以下にして冷却する
ことによって、性能が優れ、光導電層にひび割れ等が生
じない光センサーが得られ、その結果画像ノイズのない
高品質の画像が得られることを見いだしたものである。
【0077】
【実施例】以下に、本発明の実施例を示し、本発明を詳
細に説明する。 実施例1 充分に洗浄した厚さ1.1mmのガラス基板上に、スパ
ッタリングによって膜厚100nmのITO膜を成膜し
透明電極層を形成した。電極層をスクラバー洗浄機(商
品名 プレートクリーナー モデル602 ウルトラテ
ック社)にて、純水噴射2秒、スクラバー洗浄20秒、
純水リンス15秒、高速回転による水分の除去25秒、
赤外線乾燥55秒のスクラブ処理を2回行った。スクラ
ブ処理の後に、電荷発生物質として下記構造
細に説明する。 実施例1 充分に洗浄した厚さ1.1mmのガラス基板上に、スパ
ッタリングによって膜厚100nmのITO膜を成膜し
透明電極層を形成した。電極層をスクラバー洗浄機(商
品名 プレートクリーナー モデル602 ウルトラテ
ック社)にて、純水噴射2秒、スクラバー洗浄20秒、
純水リンス15秒、高速回転による水分の除去25秒、
赤外線乾燥55秒のスクラブ処理を2回行った。スクラ
ブ処理の後に、電荷発生物質として下記構造
【0078】
【化1】
【0079】を有するフルオレノンアゾ顔料3重量部と
ポリエステル樹脂(東洋紡績製、バイロン200)1重
量部と、1,4−ジオキサン98重量部、シクロヘキサ
ノン98重量部を混合し、ペイントシェーカーによって
6時間分散を行った後に、スピンナーによって1400
rpm、0.4秒間で塗布した。塗布膜が半乾燥状態と
なるまで1時間放置した。その後、100℃、1時間乾
燥して膜厚0.3μmの電荷発生層を形成した。
ポリエステル樹脂(東洋紡績製、バイロン200)1重
量部と、1,4−ジオキサン98重量部、シクロヘキサ
ノン98重量部を混合し、ペイントシェーカーによって
6時間分散を行った後に、スピンナーによって1400
rpm、0.4秒間で塗布した。塗布膜が半乾燥状態と
なるまで1時間放置した。その後、100℃、1時間乾
燥して膜厚0.3μmの電荷発生層を形成した。
【0080】次に、電荷輸送物質として下記構造
【0081】
【化2】
【0082】のパラジメチルスチルベン720重量部と
ポリスチレン樹脂(商品名 デンカスチロール HRM
−3 電気化学工業(株)製)72重量部とを、クロロ
ベンゼン180重量部、1,1,2−トリクロロエタン
451重量部、ジクロロメタン1353重量部の混合溶
媒に溶解した塗布液をスピンナーによって350rp
m、0.3秒間で塗布した。80℃で2時間乾燥して膜
厚20μmの光導電層を形成した後に、0.5℃/分の
冷却速度で20℃まで冷却した。得られた光センサーの
光導電層の表面は滑らかであり、ひび割れ等は観察され
なかった。
ポリスチレン樹脂(商品名 デンカスチロール HRM
−3 電気化学工業(株)製)72重量部とを、クロロ
ベンゼン180重量部、1,1,2−トリクロロエタン
451重量部、ジクロロメタン1353重量部の混合溶
媒に溶解した塗布液をスピンナーによって350rp
m、0.3秒間で塗布した。80℃で2時間乾燥して膜
厚20μmの光導電層を形成した後に、0.5℃/分の
冷却速度で20℃まで冷却した。得られた光センサーの
光導電層の表面は滑らかであり、ひび割れ等は観察され
なかった。
【0083】次いで、ジペンタエリスリトールヘキサア
クリレート4重量部、スメクチック液晶S6(メルク社
製)6重量部、フッ素系界面活性剤フロラードFC−4
30(住友スリーエム社製)0.2重量部、光重合開始
剤ダロキュア1173(メルク社製)0.2部の混合物
をキシレンにて固形分30重量%に調整した。この溶液
を、ガラス基板上にスパッタリングによって形成した膜
厚50nm、表面抵抗値80Ω/□のITOからなる透
明電極層上に、50μmの間隔に設定したブレードコー
ターで塗布し、これを50℃に保持し、0.3mJ/c
m2 の紫外線光を照射して、膜厚6μmの高分子分散型
液晶よりなる情報記録媒体を作製した。この情報記録媒
体から、熱メタノールを用いて、液晶を抽出し、乾燥の
後に走査型電子顕微鏡(日立製作所製、S−800)に
よって1万倍で断面構造を観察したところ、層の表面は
0.6μm厚の紫外線硬化型樹脂で覆われ、層内部は粒
径0.1μmの合成樹脂粒子が充填している構造を有し
ていることがわかった。
クリレート4重量部、スメクチック液晶S6(メルク社
製)6重量部、フッ素系界面活性剤フロラードFC−4
30(住友スリーエム社製)0.2重量部、光重合開始
剤ダロキュア1173(メルク社製)0.2部の混合物
をキシレンにて固形分30重量%に調整した。この溶液
を、ガラス基板上にスパッタリングによって形成した膜
厚50nm、表面抵抗値80Ω/□のITOからなる透
明電極層上に、50μmの間隔に設定したブレードコー
ターで塗布し、これを50℃に保持し、0.3mJ/c
m2 の紫外線光を照射して、膜厚6μmの高分子分散型
液晶よりなる情報記録媒体を作製した。この情報記録媒
体から、熱メタノールを用いて、液晶を抽出し、乾燥の
後に走査型電子顕微鏡(日立製作所製、S−800)に
よって1万倍で断面構造を観察したところ、層の表面は
0.6μm厚の紫外線硬化型樹脂で覆われ、層内部は粒
径0.1μmの合成樹脂粒子が充填している構造を有し
ていることがわかった。
【0084】保存後の光センサーおよび情報記録媒体を
対向させて、両者の周辺部には膜厚9μmのポリイミド
フィルムをスペーサーとして配置し、光センサーと情報
記録媒体との間に9μmの空隙を形成して接地した。次
いで、光センサー側からグレースケールを露光量0.1
〜10ルクスで投影露光すると同時に、直流電圧750
Vを光センサー側電極層を正、情報記録媒体側電極層を
負として0.1秒間印加した。その結果、グレースケー
ルに対応した透過像が情報記録層に形成され、グレース
ケールの低露光量側でも十分なコントラストが得られる
像が透過光により確認できた。更に、この情報記録媒体
をCCDラインセンサーを用いたスキャナーにより読み
取り、昇華プリンターで出力した結果、階調性を有し、
高解像度のハードコピーが得られた。また、画像全体に
ノイズが見られず高品質の画像が得られた。
対向させて、両者の周辺部には膜厚9μmのポリイミド
フィルムをスペーサーとして配置し、光センサーと情報
記録媒体との間に9μmの空隙を形成して接地した。次
いで、光センサー側からグレースケールを露光量0.1
〜10ルクスで投影露光すると同時に、直流電圧750
Vを光センサー側電極層を正、情報記録媒体側電極層を
負として0.1秒間印加した。その結果、グレースケー
ルに対応した透過像が情報記録層に形成され、グレース
ケールの低露光量側でも十分なコントラストが得られる
像が透過光により確認できた。更に、この情報記録媒体
をCCDラインセンサーを用いたスキャナーにより読み
取り、昇華プリンターで出力した結果、階調性を有し、
高解像度のハードコピーが得られた。また、画像全体に
ノイズが見られず高品質の画像が得られた。
【0085】実施例2 電荷輸送層を80℃で乾燥の後、4.0℃/分で20℃
まで冷却した点を除いて実施例1と同様にして冷却し
た。得られた光導電層の表面は滑らかで、ひび割れ等は
観察されなかった。
まで冷却した点を除いて実施例1と同様にして冷却し
た。得られた光導電層の表面は滑らかで、ひび割れ等は
観察されなかった。
【0086】比較例1 電荷輸送層を80℃において2時間乾燥した後に、20
℃/分の冷却速度で、20℃に冷却したところ、光導電
層上にはひび割れが生じた。また、実施例1と同様の方
法で情報記録媒体を製造するとともに、得られた光セン
サーを使用して情報記録媒体に記録した像を実施例1と
同様に昇華プリンターで画像を出力したところ、画像ノ
イズがあり高品質の画像を得ることができなかった。
℃/分の冷却速度で、20℃に冷却したところ、光導電
層上にはひび割れが生じた。また、実施例1と同様の方
法で情報記録媒体を製造するとともに、得られた光セン
サーを使用して情報記録媒体に記録した像を実施例1と
同様に昇華プリンターで画像を出力したところ、画像ノ
イズがあり高品質の画像を得ることができなかった。
【0087】
【発明の効果】基板上に、形成した電極層上に光導電層
を積層、または光導電層を電荷発生層、電荷輸送層の二
層で積層した情報記録媒体への情報形成に使用される光
導電層を積層した光センサーと情報記録媒体とを間隔を
設けて光軸上に対向配置し、光センサーおよび情報記録
媒体の両電極層間に電圧印加を可能に結線し、両電極層
間に電圧を印加した状態での情報露光により情報記録媒
体への情報記録を行う情報記録装置用の光センサーの製
造方法において、光輸送層の塗布液として光輸送剤成分
を結合剤に対して大量に混合しても、光導電層の塗布液
を塗布した基材を加熱下で乾燥した後の冷却速度を4℃
/分以下として冷却することによって、光導電層にひび
割れ等が生じていない光センサーを得ることができ、情
報記録に使用した場合にはより高品質の画像が得られ
る。とくに、光センサーとして、情報記録媒体に付与さ
れる電界強度または電荷量が光照射につれて増幅され、
また光照射を終了した後でも電圧を印加し続けるとその
導電性を持続し、引き続き電界強度または電荷量を情報
記録媒体に付与し続ける作用を有する光センサーに効果
が大きい。
を積層、または光導電層を電荷発生層、電荷輸送層の二
層で積層した情報記録媒体への情報形成に使用される光
導電層を積層した光センサーと情報記録媒体とを間隔を
設けて光軸上に対向配置し、光センサーおよび情報記録
媒体の両電極層間に電圧印加を可能に結線し、両電極層
間に電圧を印加した状態での情報露光により情報記録媒
体への情報記録を行う情報記録装置用の光センサーの製
造方法において、光輸送層の塗布液として光輸送剤成分
を結合剤に対して大量に混合しても、光導電層の塗布液
を塗布した基材を加熱下で乾燥した後の冷却速度を4℃
/分以下として冷却することによって、光導電層にひび
割れ等が生じていない光センサーを得ることができ、情
報記録に使用した場合にはより高品質の画像が得られ
る。とくに、光センサーとして、情報記録媒体に付与さ
れる電界強度または電荷量が光照射につれて増幅され、
また光照射を終了した後でも電圧を印加し続けるとその
導電性を持続し、引き続き電界強度または電荷量を情報
記録媒体に付与し続ける作用を有する光センサーに効果
が大きい。
【図1】本発明における光センサーをその断面図により
模式的に説明するための図である。
模式的に説明するための図である。
【図2】本発明における他の光センサーをその断面図に
より模式的に説明するための図である。
より模式的に説明するための図である。
【図3】本発明の第1の情報記録システムの態様を模式
的に説明するための図である。
的に説明するための図である。
【図4】本発明の第2の情報記録システムの態様を模式
的に説明するための図である。
的に説明するための図である。
【図5】本発明の光センサーの光電流の増幅作用を説明
するために使用した測定系で使用したグリーンフィルタ
ーの分光特性を示す図である。
するために使用した測定系で使用したグリーンフィルタ
ーの分光特性を示す図である。
【図6】比較用センサーの光電流増幅作用の測定結果を
示す図である。
示す図である。
【図7】比較用センサーの光照射中における量子効率の
変化を示す図である。
変化を示す図である。
【図8】本発明の光センサーにおける光電流増幅作用の
測定結果を示す図である。
測定結果を示す図である。
【図9】本発明の光センサーの光照射中における量子効
率の変化を示す図である。
率の変化を示す図である。
【図10】比較用センサーにおける電流量の積分値(電
荷量)の時間変化を示す図である。
荷量)の時間変化を示す図である。
【図11】本発明の光センサーにおける電流量の積分値
(電荷量)の時間変化を示す図である。
(電荷量)の時間変化を示す図である。
【図12】本発明の情報記録方法を説明するための図で
ある。
ある。
【図13】本発明の情報記録システムにおける記録情報
の再生方法を説明するための図である。
の再生方法を説明するための図である。
【図14】本発明の情報記録システムにおける記録情報
の他の再生方法を説明するための図である。
の他の再生方法を説明するための図である。
1…光センサー、3…情報記録媒体、11…情報記録
層、13、13′…電極層、14…光導電層、14′…
電荷発生層、14″…電荷輸送層、15…基板、19…
スペーサー、20…誘電体層、21…光源、22…駆動
機構を有するシャッター、23…パルスジェネレーター
(電源)、24…暗箱、41…フィルムスキャナー、4
2…パソコン、43…プリンター
層、13、13′…電極層、14…光導電層、14′…
電荷発生層、14″…電荷輸送層、15…基板、19…
スペーサー、20…誘電体層、21…光源、22…駆動
機構を有するシャッター、23…パルスジェネレーター
(電源)、24…暗箱、41…フィルムスキャナー、4
2…パソコン、43…プリンター
Claims (4)
- 【請求項1】 基板上に、電極層、光導電層を積層した
光センサーと情報記録媒体とを間隔を設けて光軸上に対
向配置し、光センサーおよび情報記録媒体の両電極層間
に電圧印加を可能に結線し、両電極層間に電圧を印加し
た状態での情報露光により情報記録媒体への情報記録を
行う情報記録装置用の光センサーの製造方法において、
光導電層の塗布液を塗布した基材を加熱下で乾燥した後
の冷却速度を4℃/分以下として冷却することを特徴と
する光センサーの製造方法。 - 【請求項2】 光センサーが、基材上に電極層、光導電
層を積層し、情報記録媒体に付与される電界強度または
電荷量が光照射につれて増幅され、また光照射を終了し
た後でも電圧を印加し続けるとその導電性を持続し、引
き続き電界強度または電荷量を情報記録媒体に付与し続
ける作用を有することを特徴とする請求項1記載の光セ
ンサーの製造方法。 - 【請求項3】 光導電層が電荷発生層および電荷輸送層
からなり、電荷輸送層の冷却速度を4℃/分以下として
冷却することを特徴とする請求項1記載の光センサーの
製造方法。 - 【請求項4】 光導電層が電荷発生層および電荷輸送層
からなり、電荷輸送層を形成する電荷輸送剤成分と結合
剤の比が5:1よりも大きいことを特徴とする光センサ
ーの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5045182A JPH06260664A (ja) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | 光センサーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5045182A JPH06260664A (ja) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | 光センサーの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06260664A true JPH06260664A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12712133
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5045182A Pending JPH06260664A (ja) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | 光センサーの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06260664A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008166539A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Fujifilm Corp | 光電変換素子の製造方法、光電変換素子、固体撮像素子 |
JP2009088154A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 放射線検出器 |
JP2011060953A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Murata Mfg Co Ltd | 光センサ |
JP2013503481A (ja) * | 2009-08-31 | 2013-01-31 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 半導体結晶による放射線検出器、及びこの検出器を製造する方法 |
WO2013018508A1 (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | シャープ株式会社 | 機能性有機材料 |
JP2020154130A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
-
1993
- 1993-03-05 JP JP5045182A patent/JPH06260664A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008166539A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Fujifilm Corp | 光電変換素子の製造方法、光電変換素子、固体撮像素子 |
JP2009088154A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 放射線検出器 |
JP2013503481A (ja) * | 2009-08-31 | 2013-01-31 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 半導体結晶による放射線検出器、及びこの検出器を製造する方法 |
JP2011060953A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Murata Mfg Co Ltd | 光センサ |
WO2013018508A1 (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | シャープ株式会社 | 機能性有機材料 |
JP2020154130A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
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