JP2002524841A - 寿命が延長された固体放射線検出器 - Google Patents
寿命が延長された固体放射線検出器Info
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 56
- 239000007787 solid Substances 0.000 title description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 53
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 28
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 14
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 3
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 239000003570 air Substances 0.000 description 4
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 4
- -1 rare earth oxysulfide Chemical class 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100033007 Carbonic anhydrase 14 Human genes 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000867862 Homo sapiens Carbonic anhydrase 14 Proteins 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100219325 Phaseolus vulgaris BA13 gene Proteins 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] Chemical compound [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- UPIZSELIQBYSMU-UHFFFAOYSA-N lanthanum;sulfur monoxide Chemical compound [La].S=O UPIZSELIQBYSMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009607 mammography Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】
本発明は、固体感光センサ（１）と、検出したい放射線を感光センサ（１）が感受性を有する放射線に変換するための変換器（２）との組合わせによる固体放射線検出器に関するものである。感光センサ（１）は、導体（６、７）に接続された１つ又は複数の感光素子（５）及び感光素子（５）と導体（６，７）を覆い、保護するための不活性化層（８）を有する。不活性化層（８）と変換器（２）との間に、少なくとも１つの化学反応の際に変換器（２）によって放出され得る、センサ（１）に対する腐食性を有する少なくとも１つの化学種に対して不透過性であるバリア（１０）が設けてある。本発明は特に放射線医学用の放射線検出器へ応用が可能である。
Description
【０００１】 本発明は放射線変換器に接続された複数の個体感光素子からなる感光センサを
有する種類の固体放射線検出器に関するものである。変換器は、受取った放射線
を変換してセンサが利用できるようにする。この種の検出器の利用分野として特
に放射線医学がある。
有する種類の固体放射線検出器に関するものである。変換器は、受取った放射線
を変換してセンサが利用できるようにする。この種の検出器の利用分野として特
に放射線医学がある。
【０００２】 固体感光センサは、例えばＸ線のような非常に短い波長に対する反応が鈍い。
この用途における放射線変換器は、Ｘ線によって励起された場合、より長い波長
の範囲、即ち可視領域又はその近辺の波長を放出する特性を有する物質からなる
シンチレータスクリーンである。
この用途における放射線変換器は、Ｘ線によって励起された場合、より長い波長
の範囲、即ち可視領域又はその近辺の波長を放出する特性を有する物質からなる
シンチレータスクリーンである。
【０００３】 このようにして発生した可視光はセンサの感光素子に伝送され、感光素子は受
けた光エネルギーを光電変換することで適切な電子回路によって利用可能な電気
信号とする。
けた光エネルギーを光電変換することで適切な電子回路によって利用可能な電気
信号とする。
【０００４】 他の用途では、変換器は蛍光スクリーンであり、可視線を他の形式の可視線に
変換するか、近可視線を可視線に変換する。
変換するか、近可視線を可視線に変換する。
【０００５】 よって、変換器は紫外線を、センサの感光素子が感受性を有する可視線に変換
することができる。他に、赤外線を可視線に変換する変換器もある。
することができる。他に、赤外線を可視線に変換する変換器もある。
【０００６】 感光素子は、通常結晶性又は非結晶性のシリコン等の半導体からなる。感光素
子は少なくとも１つの光ダイオード、１つの光トランジスタ又は１つの光抵抗器
を有する。この感光素子はアドレッシングのために列導体と行導体の間に実装さ
れる。導体と感光素子は好ましくはガラス製の絶縁基板上に形成される。
子は少なくとも１つの光ダイオード、１つの光トランジスタ又は１つの光抵抗器
を有する。この感光素子はアドレッシングのために列導体と行導体の間に実装さ
れる。導体と感光素子は好ましくはガラス製の絶縁基板上に形成される。
【０００７】 この構造体は、半導体分野では一般的な方法により、特にセンサを水分から保
護するために設けてある不活性化層で被覆される。この層は、通常では窒化シリ
コン又は酸化シリコンからなるものである。
護するために設けてある不活性化層で被覆される。この層は、通常では窒化シリ
コン又は酸化シリコンからなるものである。
【０００８】 ここで挙げる例は、変換器としてシンチレータスクリーンを使用したＸ線結像
の分野に関連する。計画された用途によって、例えばテルビウムドープ酸硫化ガ
ドリニウム（Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ）又はタリウムドープ沃化セシウム（ＣｓＩ：Ｔ
ｌ）等の様々な構成のシンチレーション性物質が使用できる。
の分野に関連する。計画された用途によって、例えばテルビウムドープ酸硫化ガ
ドリニウム（Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ）又はタリウムドープ沃化セシウム（ＣｓＩ：Ｔ
ｌ）等の様々な構成のシンチレーション性物質が使用できる。
【０００９】 結晶性シリコンは表面積の比較的小さい寸法の個所でしか用いられないが、電
荷結合素子（ＣＣＤ）等の感光センサを作成するために使用されることが多い。
このようなＣＣＤ型感光センサは特に歯科結像や乳房撮影に使用される。
荷結合素子（ＣＣＤ）等の感光センサを作成するために使用されることが多い。
このようなＣＣＤ型感光センサは特に歯科結像や乳房撮影に使用される。
【００１０】 水素添加非結晶性シリコンを使用することでより大きな感光センサ（例えば５
０ｃｍ×５０ｃｍ）を作成することができるが、一般的には薄膜形成方法等によ
り光ダイオード又は光トランジスタを作成するために使用される。従来の放射線
医学のあらゆる分野においても様々な大きさの検出マトリックスが利用可能であ
る。
０ｃｍ×５０ｃｍ）を作成することができるが、一般的には薄膜形成方法等によ
り光ダイオード又は光トランジスタを作成するために使用される。従来の放射線
医学のあらゆる分野においても様々な大きさの検出マトリックスが利用可能であ
る。
【００１１】 シンチレータスクリーンと半導体物質からなる感光センサを併用するこの種の
放射線検出器は、例えば次の文献等から周知である：J. Chabbal et al., "Amor
phous Silicon X-Ray Image Sensor", SPIE 2708, pp. 499-510, 1996、L. E. A
ntonuk et al., "Development of a High Resolution, Active Matrix, Flat Pa
nel Imager with Enhanced Fill Factor", SPIE 3032, pp. 2-13, 1997及び米国
特許第５２７６３２９号。
放射線検出器は、例えば次の文献等から周知である：J. Chabbal et al., "Amor
phous Silicon X-Ray Image Sensor", SPIE 2708, pp. 499-510, 1996、L. E. A
ntonuk et al., "Development of a High Resolution, Active Matrix, Flat Pa
nel Imager with Enhanced Fill Factor", SPIE 3032, pp. 2-13, 1997及び米国
特許第５２７６３２９号。
【００１２】 更に、フランス国特許出願第ＦＲ−２６０５１６６号には、シンチレータスク
リーン及び非結晶性シリコンからなる光ダイオードのマトリックスを用いた放射
線検出器と、その動作に関する記載がある。
リーン及び非結晶性シリコンからなる光ダイオードのマトリックスを用いた放射
線検出器と、その動作に関する記載がある。
【００１３】 変換器は感光センサ上に直接形成することができる。しかし、一般的には変換
器と感光センサを別個に形成し、透明接着剤の層で結合する方法が採用されてい
る。特に、変換器が例えばＧｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂからなる増強スクリーン型のもので
ある場合に多い。但し、この構造は例えば感光センサが耐えられない熱及び化学
処理を行うために別々に作成する必要があるタリウムドープ沃化セシウムＣｓＩ
：Ｔｌ製のシンチレータ等、蒸発により得られる種類のシンチレータスクリーン
にも適用することができる。
器と感光センサを別個に形成し、透明接着剤の層で結合する方法が採用されてい
る。特に、変換器が例えばＧｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂからなる増強スクリーン型のもので
ある場合に多い。但し、この構造は例えば感光センサが耐えられない熱及び化学
処理を行うために別々に作成する必要があるタリウムドープ沃化セシウムＣｓＩ
：Ｔｌ製のシンチレータ等、蒸発により得られる種類のシンチレータスクリーン
にも適用することができる。
【００１４】 一般的に使用される接着剤は、その接着特性と共に、その柔軟性や光特性等に
よって選択される。放射線検出器は振動や衝撃等の機械的ストレスに耐える必要
があるため、接着剤も機械的ストレスに耐性を有する必要がある。変換器が発生
する光に対して透明である必要もある。
よって選択される。放射線検出器は振動や衝撃等の機械的ストレスに耐える必要
があるため、接着剤も機械的ストレスに耐性を有する必要がある。変換器が発生
する光に対して透明である必要もある。
【００１５】 変換器が別々に作成される場合、例えばアルミ箔等により検出される放射線の
ための入射ウィンドウを形成する支持体上に形成されることが多い。このアルミ
ニウム合金は、取り扱いに充分耐えられるほどの厚さであっても検出すべき入射
放射線の吸収率が低い特徴を有するものである。一般の放射線医学において、箔
の大きさは５０ｃｍ×５０ｃｍである。厚さ１００ミクロンの支持体の場合、米
国のＲＱＡ５規格による標準のスペクトルに対する吸収率が約１％であれば良い
。
ための入射ウィンドウを形成する支持体上に形成されることが多い。このアルミ
ニウム合金は、取り扱いに充分耐えられるほどの厚さであっても検出すべき入射
放射線の吸収率が低い特徴を有するものである。一般の放射線医学において、箔
の大きさは５０ｃｍ×５０ｃｍである。厚さ１００ミクロンの支持体の場合、米
国のＲＱＡ５規格による標準のスペクトルに対する吸収率が約１％であれば良い
。
【００１６】 支持体は、検出器の蒸着や焼鈍に必要な温度に耐えられる必要がある。沃化セ
シウムの場合、この温度は約３００℃である。更に、防湿性であり、価格も低廉
である必要がある。
シウムの場合、この温度は約３００℃である。更に、防湿性であり、価格も低廉
である必要がある。
【００１７】 変換器に導電性の支持体を有するこの構成では、支持体を浮遊電位に保持した
場合に感光素子間に容量結合が発生する。これにより、感光素子間でスミアリン
グ現象が生じる。非常に明るい照射を受けた感光素子による信号は照射を受けな
かったか非常に弱かった近隣の感光素子に伝達される。その結果、長距離ではコ
ントラストが低くなる。よって、接地するか又は適切な電圧を供給するか等して
導電支持体の電位を一定に保持する必要がある。
場合に感光素子間に容量結合が発生する。これにより、感光素子間でスミアリン
グ現象が生じる。非常に明るい照射を受けた感光素子による信号は照射を受けな
かったか非常に弱かった近隣の感光素子に伝達される。その結果、長距離ではコ
ントラストが低くなる。よって、接地するか又は適切な電圧を供給するか等して
導電支持体の電位を一定に保持する必要がある。
【００１８】 場合によってこの検出器構造の寿命が短くなることが確認されている。
【００１９】 このような放射線検出器の寿命は、実装された放射線型又は他の種類の装置の
劣化期間と一致することが好ましい。放射線検出器は、装置の価格の大部分を占
めるので、交換する必要がないのが好ましい。
劣化期間と一致することが好ましい。放射線検出器は、装置の価格の大部分を占
めるので、交換する必要がないのが好ましい。
【００２０】 よって、本発明の目的は、固体放射線検出器の寿命を延長することである。
【００２１】 本発明者等は、使用済みの固体放射線検出器をいくつか調査した結果、センサ
の導体及び／又は感光素子が腐食していることを確認した。
の導体及び／又は感光素子が腐食していることを確認した。
【００２２】 更なる検討の末、変換器の構成物質が環境空気及び／又は水分によって部分的
に分解し、感光センサに対する腐食性を有する化学種が発生するせいであるとの
結論に至った。これらの種は特にセンサの導体と支持体間の電界の影響で、不活
性化層の存在にも係らず、感光素子や導体に向かって移動する。
に分解し、感光センサに対する腐食性を有する化学種が発生するせいであるとの
結論に至った。これらの種は特にセンサの導体と支持体間の電界の影響で、不活
性化層の存在にも係らず、感光素子や導体に向かって移動する。
【００２３】 このような放射線検出器の寿命を改善するために、本発明は、センサに対して
腐食性を有する少なくとも１つの化学種には不透過性であり、変換器における少
なくとも１つの化学反応中に放出され得る物質からなるバリアを、変換器と感光
センサの間に配置することを提案する。
腐食性を有する少なくとも１つの化学種には不透過性であり、変換器における少
なくとも１つの化学反応中に放出され得る物質からなるバリアを、変換器と感光
センサの間に配置することを提案する。
【００２４】 より具体的には、本発明による放射線検出器は、固体感光センサと、検出した
い放射線を感光センサが感受性を有する放射線に変換するための変換器との組合
わせによるものであって、感光センサが、導体に接続された１つ又は複数の感光
素子及び感光素子と導体を覆い、保護するための不活性化層（８）を有し、更に
不活性化層と変換器との間に、少なくとも１つの化学反応の際に変換器によって
放出され得る、センサに対する腐食性を有する少なくとも１つの化学種に対して
不透過性であるバリアを含むことを特徴とする固体感光検出器である。
い放射線を感光センサが感受性を有する放射線に変換するための変換器との組合
わせによるものであって、感光センサが、導体に接続された１つ又は複数の感光
素子及び感光素子と導体を覆い、保護するための不活性化層（８）を有し、更に
不活性化層と変換器との間に、少なくとも１つの化学反応の際に変換器によって
放出され得る、センサに対する腐食性を有する少なくとも１つの化学種に対して
不透過性であるバリアを含むことを特徴とする固体感光検出器である。
【００２５】 化学反応は、酸化反応及び／又は加水分解反応及び／又は電解反応である可能
性が高い。
性が高い。
【００２６】 好ましくは、バリアは、直接センサ上に形成された場合に腐食を防ぐため、そ
して劣化や移動等を促進しないように、疎水性のものを選択する。
して劣化や移動等を促進しないように、疎水性のものを選択する。
【００２７】 バリアの屈折率は、不活性化層の屈折率とできるだけ近く設定される。
【００２８】 バリアは、形成された表面に対して、特にその表面に突起等が存在すれば、密
着させる。
着させる。
【００２９】 バリアの基板が十分に平坦であれば、表面上に、例えばフッ素系の化学的に不
活性の保護層を有することが可能である。
活性の保護層を有することが可能である。
【００３０】 バリアは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂又はベンゾシクロブテン系の樹脂等
の樹脂基体からなるものであっても良い。
の樹脂基体からなるものであっても良い。
【００３１】 重合処理後に含まれた溶媒の量が可能な限り少ない二成分シリコーンエラスト
マであっても良い。
マであっても良い。
【００３２】 バリアはポリパラキシレン又はポリテトラフルオロパラキシレン等のそのハロ
ゲン化誘導体からなるものであっても良い。
ゲン化誘導体からなるものであっても良い。
【００３３】 熱帯用のワニス又は少なくとも１つのシリカ等の鉱化合物のゾル−ゲルであっ
ても良い。
ても良い。
【００３４】 バリアは、可溶性の珪酸系の溶液又は少なくとも１つの接着されたポリエステ
ル薄膜からなるものであっても良い。
ル薄膜からなるものであっても良い。
【００３５】 蒸着されたダイヤモンド状炭素によっても良い結果が得られる。
【００３６】 保護性を更に向上させるため、バリアを積層構造からなるものとすることが好
ましい。
ましい。
【００３７】 図１を参照すると、標準の固体センサは変換器２に付属した固体感光センサ１
を有する。この例において、センサ１と変換器２は光結合も発生させる接着剤３
によって互いに接着される。
を有する。この例において、センサ１と変換器２は光結合も発生させる接着剤３
によって互いに接着される。
【００３８】 固体感光センサ１は、一般的にはガラス製の絶縁基板４上の感光素子５を有す
る。このような感光素子５は通常は光ダイオード、光トランジスタ又は光抵抗器
からなり、第一に列導体６に、第二に行導体７に接続される。図１において、行
導体７と感光素子５の間の接続は、断面の平面上には現れない個所にあるため、
示されていない。
る。このような感光素子５は通常は光ダイオード、光トランジスタ又は光抵抗器
からなり、第一に列導体６に、第二に行導体７に接続される。図１において、行
導体７と感光素子５の間の接続は、断面の平面上には現れない個所にあるため、
示されていない。
【００３９】 感光素子５とその列導体６及び行導体７は、特に水分から保護するための同一
の不活性化層８によって被覆される。非結晶性シリコンからなる感光素子は、洩
れ電流を増加させる水分には非常に敏感である。
の不活性化層８によって被覆される。非結晶性シリコンからなる感光素子は、洩
れ電流を増加させる水分には非常に敏感である。
【００４０】 図示の例において、放射線検出器が放射線医学用の結像検出器であり、Ｘ線を
受けるための設計であるとする。
受けるための設計であるとする。
【００４１】 ここで、変換器２は、例えば希土類の酸硫化物又は沃化セシウムからなるシン
チレータスクリーンである。導電支持体９上に形成されたものとする。
チレータスクリーンである。導電支持体９上に形成されたものとする。
【００４２】 既に述べたように、本発明者は、このような変換器２が空気中及び／又は水分
の存在下で劣化することを確認した。
の存在下で劣化することを確認した。
【００４３】 環境空気による悪影響は解消し難い。水分に関しては、環境空気又はポリマー
接着剤の場合は重合処理によって、使用される接着剤が微量に含んでいることが
多い。
接着剤の場合は重合処理によって、使用される接着剤が微量に含んでいることが
多い。
【００４４】 シンチレータスクリーンが希土類の酸硫化物からなるものであれば、分解は加
水分解であり、腐食性が高い硫化水素が放出される。例えば、酸硫化ランタンに
よる反応は以下の通りである。 Ｌａ2Ｏ2Ｓ＋Ｈ2Ｏ→Ｌａ2Ｏ3＋Ｈ2Ｓ
水分解であり、腐食性が高い硫化水素が放出される。例えば、酸硫化ランタンに
よる反応は以下の通りである。 Ｌａ2Ｏ2Ｓ＋Ｈ2Ｏ→Ｌａ2Ｏ3＋Ｈ2Ｓ
【００４５】 シンチレータスクリーンが沃化セシウム製であれば、その分解により水酸化セ
シウムＣｓ+ＯＨ-及び遊離要素Ｉ2’が発生し、これは沃素イオンと結合し、Ｉ3 - 複合体を形成する。即ち、次の反応が起きる。 ２ＣｓＩ＋１／２Ｏ2＋Ｈ2Ｏ→２Ｃｓ+ＯＨ-＋Ｉ2 Ｉ2＋Ｉ-＋１／２Ｏ2＋Ｈ2Ｏ→Ｉ3 -＋２ＯＨ-
シウムＣｓ+ＯＨ-及び遊離要素Ｉ2’が発生し、これは沃素イオンと結合し、Ｉ3 - 複合体を形成する。即ち、次の反応が起きる。 ２ＣｓＩ＋１／２Ｏ2＋Ｈ2Ｏ→２Ｃｓ+ＯＨ-＋Ｉ2 Ｉ2＋Ｉ-＋１／２Ｏ2＋Ｈ2Ｏ→Ｉ3 -＋２ＯＨ-
【００４６】 本発明者は、活性化層８が、特に感光素子５と列電極６間及び行電極７と基板
４間の段に、亀裂等の欠陥があることが非常に多いことを確認した。上記のよう
にして放出された化学種はこれらの欠陥において不活性化層８を腐食し、感光素
子５及び導体６、７まで到達し、破壊する。
４間の段に、亀裂等の欠陥があることが非常に多いことを確認した。上記のよう
にして放出された化学種はこれらの欠陥において不活性化層８を腐食し、感光素
子５及び導体６、７まで到達し、破壊する。
【００４７】 変換器２が導電支持体９上に設けられており、操作中に支持体９の電位が行導
体７の電位ＶL以下及び／又は列導体６の電位ＶC以下の固定電位ＶSとなると、
腐食の進行が速くなる。
体７の電位ＶL以下及び／又は列導体６の電位ＶC以下の固定電位ＶSとなると、
腐食の進行が速くなる。
【００４８】 実に、変換器２には可変電界が現れ、水分が存在すれば加水分解が促進される
。シンチレータスクリーンの分解により放出されるＯＨ-、Ｉ-、Ｉ3 -等のマイナ
スイオンは直ぐに感光センサ１に移動する。不活性化層８を攻撃し、感光素子５
及び導体６、７を溶解する。
。シンチレータスクリーンの分解により放出されるＯＨ-、Ｉ-、Ｉ3 -等のマイナ
スイオンは直ぐに感光センサ１に移動する。不活性化層８を攻撃し、感光素子５
及び導体６、７を溶解する。
【００４９】 プラスイオンＣｓ+は、支持体９に移動し、ｐＨを上げ、孔を開けてしまうこ
ともある。
ともある。
【００５０】 電位ＶSが電位ＶL又は電位ＶCより高い場合、イオンの移動は逆方向に進行す
るが、同様に腐食が起きる。
るが、同様に腐食が起きる。
【００５１】 図２に示す放射線検出器は図１のものに類似しているが、本発明に従って、変
換器２内で起こり得る少なくとも１つの化学反応の際に放出される少なくとも１
つの化学種に対して不透過性を有するバリア１０が設けられている。このバリア
１０は、センサ１の不活性化層８と変換器２の間に位置する。反応は、酸化及び
／又は加水分解及び／又は電解反応である。
換器２内で起こり得る少なくとも１つの化学反応の際に放出される少なくとも１
つの化学種に対して不透過性を有するバリア１０が設けられている。このバリア
１０は、センサ１の不活性化層８と変換器２の間に位置する。反応は、酸化及び
／又は加水分解及び／又は電解反応である。
【００５２】 この形態では、変換器２とセンサ１は接着剤により結合されている。接着剤層
は符号３により示す。バリア１０はセンサ１の不活性化層８と接着剤層３の間に
位置する。
は符号３により示す。バリア１０はセンサ１の不活性化層８と接着剤層３の間に
位置する。
【００５３】 又、図４に示すように、逆の構造、即ちバリア１０が変換器２と接着剤層３の
間に位置する構造も可能である。
間に位置する構造も可能である。
【００５４】 バリア１０は、変換器２から放出される腐食性の化学種に対する不透過性の外
、変換器２から放射される光に対して高い透明度を有することが好ましい。屈折
率は、不活性化層８とできるだけ近いものとし、例えば窒化シリコンの場合は１
．８である。感光センサ１上に直接形成される場合、バリア１０はセンサに対し
て不活性であることを条件に選択される。ここで述べる例において、非結晶性シ
リコン製のセンサであれば、バリア１０は特に疎水性となる。
、変換器２から放射される光に対して高い透明度を有することが好ましい。屈折
率は、不活性化層８とできるだけ近いものとし、例えば窒化シリコンの場合は１
．８である。感光センサ１上に直接形成される場合、バリア１０はセンサに対し
て不活性であることを条件に選択される。ここで述べる例において、非結晶性シ
リコン製のセンサであれば、バリア１０は特に疎水性となる。
【００５５】 バリア１０は、感光センサの技術に対応した製法による物質からなる。この感
光センサが非結晶性シリコンからなるものであれば、バリア１０は溶媒を放出し
ないものとすることが好ましい。帯電することも防止する必要がある。
光センサが非結晶性シリコンからなるものであれば、バリア１０は溶媒を放出し
ないものとすることが好ましい。帯電することも防止する必要がある。
【００５６】 放出された化学種に対して確実な障害となるように、バリア１０は形成された
面に密着している必要があり、突起等も含めて全て覆う必要がある。ここで、不
活性化層８上に形成され、感光素子５、列導体６及び行導体７による段の側面も
覆わなくてはならない。
面に密着している必要があり、突起等も含めて全て覆う必要がある。ここで、不
活性化層８上に形成され、感光素子５、列導体６及び行導体７による段の側面も
覆わなくてはならない。
【００５７】 各感光素子５間の容量結合を防止するため、バリア１０の電気抵抗は、例えば
単位面積辺り１０6Ωと高く設定される。
単位面積辺り１０6Ωと高く設定される。
【００５８】 一般的に、感光センサ１の縁には、アドレッシング用に行導体７及び列導体６
の端部に接触する端子（図示せず）が設けられている。バリア１０は端子の作成
に対応できる物質からなることが好ましい。例えば、マスクを用いて形成でき、
エッチング可能であることが必要である。
の端部に接触する端子（図示せず）が設けられている。バリア１０は端子の作成
に対応できる物質からなることが好ましい。例えば、マスクを用いて形成でき、
エッチング可能であることが必要である。
【００５９】 適当な物質として、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂及びベンゾシクロブ
テン（ＢＣＢ）系の樹脂等がある。これらの樹脂は、メッキ、シルクスクリーン
印刷、ロール塗装又はスプレー塗装により形成することができる。
テン（ＢＣＢ）系の樹脂等がある。これらの樹脂は、メッキ、シルクスクリーン
印刷、ロール塗装又はスプレー塗装により形成することができる。
【００６０】 重合後の溶媒含有量ができるだけ低くしてある二成分シリコーンエラストマも
使用することが可能である。これは薄い層に形成される。ゲル状のものは、細網
化が低く、隙間が多いため、化学種が移動し易いので適用することができない。
使用することが可能である。これは薄い層に形成される。ゲル状のものは、細網
化が低く、隙間が多いため、化学種が移動し易いので適用することができない。
【００６１】 非常に有用な物質としてポリパラキシレン及びポリテトラフルオロパラキシレ
ン等そのハロゲン誘導体がある。この物質は気相で積層することができ、突起等
の被覆に関しては特に好ましい結果が得られる。
ン等そのハロゲン誘導体がある。この物質は気相で積層することができ、突起等
の被覆に関しては特に好ましい結果が得られる。
【００６２】 更に、疎水性の高い熱帯用ワニスを使用することもできる。
【００６３】 ゾル−ゲル状の鉱物成分、特にシリカ成分も使用することができる。これらは
浸漬コーティングし、乾燥炉により乾燥することで付着させることができる。こ
うして得られた層は、気孔率が非常に低い。
浸漬コーティングし、乾燥炉により乾燥することで付着させることができる。こ
うして得られた層は、気孔率が非常に低い。
【００６４】 溶性珪酸、即ち所謂「液体ガラス」による方法も採用することができる。これ
らはスプレーし、焼鈍することで付着させることができる。
らはスプレーし、焼鈍することで付着させることができる。
【００６５】 更に、１つ以上の結合ポリエステル薄膜を使用することも可能である。このよ
うな物質は特に不透過性が高いが、気泡を防ぐ必要があるので結合は難しい。光
特性についても適しない場合が多い。
うな物質は特に不透過性が高いが、気泡を防ぐ必要があるので結合は難しい。光
特性についても適しない場合が多い。
【００６６】 化学蒸着（ＣＶＤ）によるダイヤモンド炭素の層も、突起を覆うので、特に有
用である。
用である。
【００６７】 使用する物質は決してここに挙げたものに限られない。
【００６８】 バリア１０を複数の層１０１、１０２によって形成すると、ほぼ完全な不透過
性が得られるので好ましい。複数の層を積層すると、層１０１、１０２の欠陥が
一致する可能性が非常に低い。
性が得られるので好ましい。複数の層を積層すると、層１０１、１０２の欠陥が
一致する可能性が非常に低い。
【００６９】 感光センサ１の保護を増強させるためには、バリア１０の表面を、バリア１０
の下地１００が十分に平坦であれば、特に化学的に不活性な物質からなる保護層
１１とすることが可能である。図４におけるバリア１０の下地１００は層１０１
、１０２に相当する。
の下地１００が十分に平坦であれば、特に化学的に不活性な物質からなる保護層
１１とすることが可能である。図４におけるバリア１０の下地１００は層１０１
、１０２に相当する。
【００７０】 このような保護層１１はフッ素系のものであることが好ましい。例えば、フッ
化マグネシウムＭｇＦ2であっても良い。これの積層は、光処理における周知の
方法によって真空下で行うことができる。
化マグネシウムＭｇＦ2であっても良い。これの積層は、光処理における周知の
方法によって真空下で行うことができる。
【００７１】 このような真空蒸着による保護層１１は、真空蒸着に伴う陰影効果のため、蒸
着する基板が比較的平坦でなくてはならない。基板にオーバーハングを有する突
起等が存在すれば、オーバーハング部の直下に位置する領域は被覆されない。平
坦な面であれば、被覆はほぼ完璧である。
着する基板が比較的平坦でなくてはならない。基板にオーバーハングを有する突
起等が存在すれば、オーバーハング部の直下に位置する領域は被覆されない。平
坦な面であれば、被覆はほぼ完璧である。
【００７２】 図３において、バリア１０は保護層１１を有する。パラキシレンやベンゾシク
ロブテン系の樹脂によるものであれば、平坦性は非常に良い。
ロブテン系の樹脂によるものであれば、平坦性は非常に良い。
【００７３】 図４において、バリア１０は直接変換器２上に形成される。変換器２と接着剤
３の間に位置する。積み重ねられた２つの層１０１、１０２と表面保護層１１を
有する。接着剤３はセンサ１の不活性化層８とバリア１０との間に位置する。よ
って、バリア１０の表面上に配置された保護層１１は接着剤３側にある。
３の間に位置する。積み重ねられた２つの層１０１、１０２と表面保護層１１を
有する。接着剤３はセンサ１の不活性化層８とバリア１０との間に位置する。よ
って、バリア１０の表面上に配置された保護層１１は接着剤３側にある。
【００７４】 図５に示す最後の例は、接着剤がない構成を示す。変換器２は、センサ１にも
接触するバリア１０上に直接蒸着によって形成される。バリア１０が、変換器２
側に位置する保護層１１を有する構成を示す。この構成では、バリア１０は、例
えば沃化セシウムの場合は約３００℃である変換器２の蒸着温度に耐えなくては
ならない。この構成では、センサ１に対して不活性となる。
接触するバリア１０上に直接蒸着によって形成される。バリア１０が、変換器２
側に位置する保護層１１を有する構成を示す。この構成では、バリア１０は、例
えば沃化セシウムの場合は約３００℃である変換器２の蒸着温度に耐えなくては
ならない。この構成では、センサ１に対して不活性となる。
【図１】 図１は、固体感光センサの破壊現象を説明するための従来の放射線検出器を示
した断面図である。
した断面図である。
【図２】 図２は、感光センサと放射線変換器が接着剤により結合された本発明による放
射線検出器を示した断面図である。
射線検出器を示した断面図である。
【図３】 図３は、付加保護層を有する本発明による放射線検出器を示した断面図である
。
。
【図４】 図４は、感光センサと放射線変換器が接着剤により結合された他の実施形態に
よる放射線検出器を示した断面図である。
よる放射線検出器を示した断面図である。
【図５】 図５は、センサを変換器に結合させるための接着剤層を有しない本発明による
放射線検出器の断面図である。
放射線検出器の断面図である。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年６月７日（２０００．６．７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 Ｚ．Ｉ． Ｃｅｎｔｒ’Ａｌｐ，38430 Ｍｏｉｒａｎｓ，Ｆｒａｎｃｅ (72)発明者 モナン， ディディエ フランス国 38960 サン テチエンヌ ドゥ クロッセイ， シュマン ドゥ ラ ブールティエール 711 (72)発明者 フェロン， オディール フランス国 38800 シャンパニエ， ド メーヌ ドゥ ロシャニョン 29 Ｆターム(参考） 2G088 EE01 FF02 GG19 JJ05 JJ09 4M118 AA10 AB01 BA05 CA02 CA09 CA14 CA19 CA32 CA33 CB06 CB11 FB03 FB09 GA10 5F088 BA11 BA13 BB03 BB07 EA04 HA15 LA08
Claims (20)
- 【請求項１】 固体感光センサ（１）と、検出したい放射線を感光センサ（
１）が感受性を有する放射線に変換するための変換器（２）との組合わせによる
ものであって、感光センサ（１）が、導体（６、７）に接続された１つ又は複数
の感光素子（５）及び感光素子（５）と導体（６，７）を覆い、保護するための
不活性化層（８）を有し、更に不活性化層（８）と変換器（２）との間に、化学
反応の際に変換器（２）によって放出され得る、センサ（１）に対する腐食性を
有する少なくとも１つの化学種に対して不透過性であるバリア（１０）を少なく
とも１つ含むことを特徴とする固体感光検出器。 - 【請求項２】 化学反応が、酸化反応及び／又は加水分解反応及び／又は電
解反応であることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出器。 - 【請求項３】 変換器（２）が、接着剤によってセンサ（１）に結合され、
バリア（１０）が、接着剤（３）に対して変換器（２）側又はセンサ（１）側に
位置することを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線検出器。 - 【請求項４】 変換器（２）が、蒸着によってバリア（１０）上に形成され
ることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線検出器。 - 【請求項５】 バリア（１０）が、センサ（１）に直接接触している場合、
センサ（１）に対して不活性であることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに
記載の放射線検出器。 - 【請求項６】 バリア（１０）の屈折率が、不活性化層（８）の屈折率とで
きるだけ近く設定されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の
放射線検出器。 - 【請求項７】 バリア（１０）が疎水性であることを特徴とする請求項１乃
至６の何れかに記載の放射線検出器。 - 【請求項８】 バリア（１０）が形成された表面に密着していることを特徴
とする請求項１乃至７の何れかに記載の放射線検出器。 - 【請求項９】 バリア（１０）が、基板（１００）が十分に平坦である場合
、表面に化学的に不活性な保護層（１１）を有することを特徴とする請求項１乃
至８の何れかに記載の放射線検出器。 - 【請求項１０】 保護層（１１）が、フッ化マグネシウム等のフッ素系のも
のであることを特徴とする請求項９に記載の放射線検出器。 - 【請求項１１】 バリア（１０）の電気抵抗が大きく、単位面積当り約１０ 6 Ωを遥かに超えることを特徴とする請求項１乃至１０の何れかに記載の放射線
検出器。 - 【請求項１２】 バリア（１０）が複数の層（１０１、１０２、１１）の重
ね合わせからなることを特徴とする請求項１乃至１１に記載の放射線検出器。 - 【請求項１３】 バリア（１０）がアクリル樹脂又はベンゾシクロブテン系
の樹脂からなることを特徴とする請求項１乃至１２の何れかに記載の放射線検出
器。 - 【請求項１４】 バリア（１０）が重合処理後に含まれた溶媒の量が可能な
限り低い二成分シリコーンエラストマからなることを特徴とする請求項１乃至１
２の何れかに記載の放射線検出器。 - 【請求項１５】 バリア（１０）がポリパラキシレン又はポリテトラフルオ
ロパラキシレン等のそのハロゲン化誘導体からなることを特徴とする請求項１乃
至１２の何れかに記載の放射線検出器。 - 【請求項１６】 バリア（１０）が熱帯用のワニスからなることを特徴とす
る請求項１乃至１２の何れかに記載の放射線検出器。 - 【請求項１７】 バリア（１０）が少なくとも１つのシリカ等の鉱化合物の
ゾル−ゲルからなることを特徴とする請求項１乃至１２の何れかに記載の放射線
検出器。 - 【請求項１８】 バリア（１０）が可溶性の珪酸系の溶液からなることを特
徴とする請求項１乃至１２の何れかに記載の放射線検出器。 - 【請求項１９】 バリア（１０）が少なくとも１つの接着されたポリエステ
ル薄膜からなることを特徴とする請求項１乃至１２の何れかに記載の放射線検出
器。 - 【請求項２０】 バリア（１０）が蒸着されたダイヤモンド状の炭素からな
ることを特徴とする請求項１乃至１２の何れかに記載の放射線検出器。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9810305A FR2782388B1 (fr) | 1998-08-11 | 1998-08-11 | Detecteur de rayonnement a l'etat solide a duree de vie accrue |
| FR98/10305 | 1998-08-11 | ||
| PCT/FR1999/001817 WO2000010194A2 (fr) | 1998-08-11 | 1999-07-23 | Detecteur de rayonnement a l'etat solide a duree de vie accrue |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002524841A true JP2002524841A (ja) | 2002-08-06 |
| JP4761620B2 JP4761620B2 (ja) | 2011-08-31 |
Family
ID=9529601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000565559A Expired - Fee Related JP4761620B2 (ja) | 1998-08-11 | 1999-07-23 | 寿命が延長された固体放射線検出器 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6583419B1 (ja) |
| EP (1) | EP1177581B1 (ja) |
| JP (1) | JP4761620B2 (ja) |
| CA (1) | CA2339903C (ja) |
| FR (1) | FR2782388B1 (ja) |
| WO (1) | WO2000010194A2 (ja) |
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| WO2000010194A2 (fr) | 2000-02-24 |
| FR2782388A1 (fr) | 2000-02-18 |
| EP1177581A2 (fr) | 2002-02-06 |
| EP1177581B1 (fr) | 2015-05-06 |
| FR2782388B1 (fr) | 2000-11-03 |
| CA2339903C (fr) | 2009-11-03 |
| WO2000010194A3 (fr) | 2001-11-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060405 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091030 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100202 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100506 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100513 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100602 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100713 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101112 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110302 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110325 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110510 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110607 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |