JP4443421B2 - 固体x線検出器 - Google Patents

固体x線検出器 Download PDF

Info

Publication number
JP4443421B2
JP4443421B2 JP2004560515A JP2004560515A JP4443421B2 JP 4443421 B2 JP4443421 B2 JP 4443421B2 JP 2004560515 A JP2004560515 A JP 2004560515A JP 2004560515 A JP2004560515 A JP 2004560515A JP 4443421 B2 JP4443421 B2 JP 4443421B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor
scintillator
substrate
window
detector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004560515A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006510022A (ja
Inventor
モニ、ディディエール
コメール、ブルノ
ヴィオ、ジェラール
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Trixell SAS
Original Assignee
Trixell SAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Trixell SAS filed Critical Trixell SAS
Publication of JP2006510022A publication Critical patent/JP2006510022A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4443421B2 publication Critical patent/JP4443421B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20188Auxiliary details, e.g. casings or cooling
    • G01T1/20189Damping or insulation against damage, e.g. caused by heat or pressure
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20188Auxiliary details, e.g. casings or cooling

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

本発明は、放射線変換器と結合された感光センサを含む固体X線検出器に関する。この種の検出器の適用分野は、特に放射線学すなわち放射線写真法、蛍光透視法、乳房X線撮影法であるが、非破壊検査にもまた適用される。
このような放射線検出器は、たとえば仏国特許FR 2 605 166号明細書から周知であるが、この発明では、アモルファスシリコンフォトダイオードから形成された感光センサが、放射線変換器と結合されている。
このような放射線検出器の動作および構造を簡単に振り返る。
感光センサは、一般に、マトリックスに配列された固体感光素子から作製される。感光素子は、通常はCCDかまたはCMOSタイプのセンサ用の単結晶シリコンか、多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンの半導体材料から作製される。感光素子には、少なくとも1つのフォトダイオード、フォトトランジスタまたはフォトレジスタが含まれる。これらの素子は、基板、一般的にはガラス板に被着される。
一般に、これらの素子は、X線またはガンマ線などの非常に波長の短い放射線を直接的には感受しない。そのような理由で、感光センサは、シンチレーション物質の層を含む放射線変換器と結合されている。この物質には、上記のような放射線によって励起されたときに、たとえば可視光または近可視光など、センサが感受できる、波長のより長い放射線を放射する特性がある。放射線変換器が放射する光が、センサの感光素子を照射し、感光素子が、光電変換を行なって、しかるべき回路で利用可能な電気信号を送出する。本記載の他の部分においては、放射線変換器をシンチレータと称する。
アルカリ金属ハロゲン化物類または希土類酸硫化物類の一定のシンチレーション物質が、その良好な性能特性のために頻繁に用いられる。
アルカリ金属ハロゲン化物中では、所望する放射がそれぞれ約400ナノメートルかまたは約550ナノメートルかどうかに依存してナトリウムまたはタリウムでドープされたヨウ化セシウムが、その強力なX線吸収性と優れた蛍光収率で知られている。それは、支持体上に成長する細針形状をしている。これらの針は、その支持体にほぼ垂直で、センサ方向へ放射される光を部分的に拘束する。その微細さによって、検出器の分解能が決定される。ランタンおよびガドリニウム酸硫化物もまた、同じ理由で非常に広範に用いられている。
しかしながら、これらのシンチレーション物質の中には、安定性に欠けるという欠点を有するものもある。すなわち、それらは、水分に曝されると部分的に分解し、その分解により、センサへ向かってかまたはセンサから離れる方へ移動する化学種が放出される。これらの種は、非常に腐食性が強い。ヨウ化セシウムおよびランタン酸硫化物には、特にこの欠点がある。
ヨウ化セシウムについては、その分解によって水酸化セシウムCsOHおよび遊離ヨウ素Iがもたらされ、次に、これらは、ヨウ化物イオンと結合して、錯体I をもたらす。
ランタン酸硫化物については、その分解によって、化学的に非常に腐食性が強い硫化水素HSがもたらされる。
シンチレーション物質の分解は、特に、光検出マトリクス構造におけるリーク電流出現の原因となる可能性があり、このリーク電流によって、検出器が作成する画像の目につく、加えて、進展する悪化が引き起こされる。
水分は、排除するのが極めて難しい。周囲空気および検出器の組み立てに用いられる接着剤には、常に水分が含まれている。接着剤に水分が存在するのは、周囲空気のためか、またはよくあることだが、接着剤が2つの化学種の縮合の結果である場合には、重合反応のためである。
これらの検出器を作製するときの重要な態様の1つは、検出器の内部に最初から存在してシンチレータと接触する水分量を最小限にすること、およびこの水分がセンサの動作中にセンサの中へ拡散するのを防ぐことである。
放射線検出器には、シンチレータの上流のX線が通過する入射窓がある。さらに、シンチレーション物質は、一般に、金属基板に被着される。かくして、基板およびシンチレーション物質が、シンチレータを形成する。さらに、入射窓として基板を用いることが周知である。
次にセンサに接着されるシンチレータを形成するために、シンチレーション物質が入射窓に直接被着されるときには、入射窓は、被着から生じる熱応力およびシンチレータの処置に、破損されることなく耐えなければならず、好ましくは、その膨張係数は、シンチレータの膨張係数、およびセンサ、特にその基板の膨張係数と大きさが同程度でなければならない。また窓が低弾性係数を有するような対処をして、それによって、一方では窓とシンチレータとの間の、他方では窓とセンサ、または特にセンサ基板との間の差ひずみを除去できるようにしてもよい。かくして、これによって、シンチレータのひび割れおよびセンサ基板破損の危険が除かれる。
また、検出器を封止する機能だけを提供する追加入射窓を付加することによって、入射窓の機能とシンチレータ基板の機能とを分離することが求められた。かくしてシンチレータ基板が曝された応力が、基板と追加入射窓との間で分配される。シンチレータ基板は、先行技術と同様に、シンチレータ被着のために、同じ反射性および表面仕上げの制約を受けている。しかしながら、それはもはや、封止することおよびシールを支持することの制約は受けない。これらの制約は、追加入射窓に移される。このような構成は、本出願人の名義において、2001年10月26日に出願された特許出願FR 01/13899号明細書に開示されている。
検出器の封止を改善するためのこれらの予防措置は、シンチレーション物質の分解を完全に止めるためには十分ではない。イオン種の移動が、検出器の動作中に、感光素子のマトリックスとシンチレータ基板との間で誘導される電界の存在によって促進されることが理解されている。
本発明の目的は、シンチレーション物質の分解を制限することである。この目的のために、本発明の主題は、感光センサと、X線をセンサが感受できる放射線に変換するシンチレータと、を含む固体X線検出器であり、当該検出器には、検出器の動作中に、感光素子のマトリックスとシンチレータ基板との間に誘導される電界を除去するための手段が含まれる。
言いかえれば、本発明の主題は、感光センサと、X線をセンサが感受できる放射線に変換するシンチレータと、シンチレータの上流のX線が通過する入射窓とを含む固体X線検出器であって、当該検出器が、入射窓と感光センサとの間に電圧を印加するための手段を含むことを特徴とする。
本発明は、シンチレータとセンサを組み立てる方法により、2つの構成で具体化が可能である。
接着シンチレータ構成と呼ばれる第1の構成において、シンチレーション物質は、検出すべき放射線が、センサに達する前に通過しなければならない基板に、被着される。基板は、検出器の入射窓を形成する。次に、このアセンブリが、センサに接着される。
直接被着構成と呼ばれる第2の構成において、センサがシンチレーション物質の基板としての役を果たし、よってシンチレーション物質は、センサと直接かつ密接に接触する。次に、シンチレーション物質は、検出器の入射窓を形成する保護ホイルで覆われる。これら2つの構成には、それぞれ利点と欠点がある。
第1の構成によって、シンチレータとセンサを別々に最適化することが可能になる。したがって、熱処理がセンサに合わない場合でも、シンチレータは熱処理を受けることができる。ヨウ化セシウムが、被着のために加熱気化され、基板上に凝結することによって基板に被着される。次に、最適な蛍光収率を達成するために、約300℃でアニール処理を実行する。直接被着構成と呼ばれる第2の構成において、シンチレーション物質がセンサに直接被着されるときには、センサを損傷しないように、アニール温度に関して妥協しなければならない。
第1の構成の別の利点として、センサとシンチレータは、それらが検査に合格した場合にのみ組み立てられ、それによって、全体的な製造歩留まりの改善が可能となる。第1の構成では、2つの素子、すなわち一方では自身の基板を備えたシンチレータと、他方ではセンサとを別々に製造することによって、よりよい生産流れ制御が可能となる。直接被着構成と呼ばれる第2の構成においては、シンチレータに欠陥があるたびに、センサは、それを再利用する危険は冒せないので、廃棄される。第1の構成で説明した基板のコストは、第2の構成においてシンチレーション物質用基板としての役を果たすセンサのコストよりも低い。したがって、欠陥のあるシンチレーション物質を被着し、シンチレータとその基板の除去に帰着する場合に生じる損失は、より小さいことになる。
第1の構成において、組立工程用の接着剤の厚さによって、X線検出器の空間分解能および集光の点で、いくらか損失がもたらされる。それとは異なり、センサにシンチレータを直接被着することによって、最適な光学的結合状態が得られる。
最後に、第1の構成は、たとえばFR 2 758 654号明細書およびFR 2 758 656号明細書として公開された仏国特許に説明されているような、共に接合されたいくつかの素子のアレイからなる感光素子に適用可能である。第2の構成は、共に接合されたいくつかの素子からなるこのような感光アレイには適用できないが、その理由は、このようなアレイの寸法的安定性が、300℃の温度(この温度は、シンチレーション物質がそれ自身の基板に被着された後、その動作のために必要である)において不十分だからである。
例として提供される、本発明のいくつかの実施形態の詳細な説明を読むことによって、本発明はより明白に理解され、他の特徴および利点が明らかとなるであろう。説明は、添付の図面によって例証される。
見やすいように、これらの図面は一定の縮尺で作図されてはいない。
接着シンチレータ構成と呼ばれる第1の構成を図1に示す。放射線センサは、参照符号1である。このセンサには、感光素子3を支持する、原則としてガラス板の基板2が含まれる。各感光素子3は、アドレス指定が可能となるように、横列導体と縦列導体の間に取り付けられる。簡略化のために、導体は図示していない。感光素子3および導体は、一般に、それらを水分から保護するように意図された保護層4で覆われている。この構成のおいて、センサ1は、この例では、光学接着剤6を介してセンサ1に光学的に結合されているシンチレータ5と協働する。シンチレータ5には、針形状構造で示された、基板8に被着されたシンチレーション物質7が含まれる。したがって、基板8は、シンチレーション物質7を担持する。シンチレーション物質7は、たとえば、湿式酸化に特に敏感なヨウ化セシウムなどのアルカリ金属ハロゲン化物類に属するが、それはまた、ランタン酸硫化物などの一定の員がやはりあまり安定していない希土類酸硫化物類に属することもある。基板8は、検出器の入射窓を形成する。
直接被着構造と呼ばれる、図2に示す第2の構成においては、図1に示すように、シンチレーション物質7を基板8に被着して、シンチレータ5を形成するこのアセンブリをセンサ1に接着する代わりに、シンチレーション物質7は、センサ1に直接被着され、ホイル9が、シンチレーション物質7を覆う。ホイル9は、シンチレーション物質7を保護する役目をし、検出器の入射窓を形成する。簡略化のために、第2の構成において、シンチレーション物質7およびホイル9によって形成されるアセンブリは、参照符号5とし、第1の構成におけるように、シンチレータと称する。
図1および2に示すX線検出器において、追加入射窓10が、シンチレータ5上に配置されているが、それに固定されてはいない。不透過性シール11が、入射窓10をセンサ1に、またはより正確には、その基板2に固定する。
本発明によれば、電圧12が、採用される構成に応じて入射窓8または9と感光センサ1との間に印加される。
検出器の動作中に、正電荷が、たとえば感光素子3で増加し、入射窓8または9から感光センサ1に向かう電界を生じがちである。電圧12を印加することによって、この電界は、理想的には除去されやすくなる。必要に応じて、電圧12を変調して、感光センサ1から入射窓8または9に向かう非ゼロの電界を生成するようにしてもよい。その理由は、感光センサには一般に、シンチレータ5によって放射される光子に感受性のあるフォトダイオードかまたはフォトトランジスタに属するpn接合が含まれるからである。pn接合における正電荷の増加は、pn接合の空乏ゾーンを変更し、結果として、センサ1のリーク電流を増加し、それによって、センサの感度を弱める傾向がある。
電圧12を入射窓8または9に印加することによって、シンチレータ5の分解に起因するイオン種の、センサ1方向への移動を低減することが可能である。
電圧12を印加することには、別の利点がある。その理由は、検出器および特にセンサ1が高インピーダンスで動作し、したがって内部または外部の電磁干渉によって容易に妨害される可能性があるからである。入射窓8または9は、それに電圧が印加されると、電磁干渉に対するシールドを形成し、したがって、検出器を保護する。
本発明の実施は非常に簡単である。その理由は、検出器が、一般に、その動作に必要な少なくとも1つのDC電圧発生器を含む電子回路(図示せず)によって制御されるからである。本発明の実施は、単に、DC電圧発生器を入射窓8または9に接続することであり得る。本発明を実施することにより消費された電力はほとんどゼロであるので、電圧発生器を変更する必要がない。この利点によって、本発明を、この目的のために設計されていない検出器で簡単に実施することが可能になる。言いかえれば、本発明を実施するために、既存の検出器を改良するのが容易である。
入射窓8または9に印加される電圧は、DC電圧にするか、または経時的に変調して、センサ1に印加される電位の値にできる限り近似して従うようにしてもよく、またこの電位は、センサ1の内部にあり、センサ1の動作段階に従って変化する。センサ1の2つの段階、すなわち取得段階および読み出し段階が、主として検知可能である。センサ1の動作に関するさらなる詳細については、たとえば仏国特許出願公開第2 760 585号明細書を参照されたい。
有利なことに、検出器には、電圧を入射窓8および9にほぼ均一に印加するための手段が含まれる。
より正確には、電圧は、入射窓8または9の作製に用いられる材料の導電率に応じて1つまたは複数の接続部を介して、入射窓8または9に印加される。たとえば、第1の構成において、基板8がアルミニウム板の場合には、基板8が、化学堆積または溶射によって作製可能な金属層で覆われたポリマー基板によって作製される場合よりも、必要な接続部の数はより少ないであろう。
図3、4および5は、入射窓8または9が追加窓10で覆われている場合に、入射窓8または9がどのように電気接続されるかの例を示す。これら3つの図は、単一の電気接続部だけを表わす。もちろん、同じ入射窓8または9のためにいくつか類似の接続部を作製し、電圧によって入射窓8または9に印加される電位の均一性を改善するようにすることが可能である。
図3aおよび3bにおいて、電圧を印加するための手段には、追加窓10を通過する電気接合部20が含まれる。図3aは、斜視図で電気接合部20を示し、図3bは、断面図で、この同じ接合部20を示す。
より正確には、電気接合部20には、たとえば導電接着剤によって、入射窓8または9に接続される導電材料が含まれる。この材料は、追加窓10に作られたホール21を満たし、そして追加窓10の表面22では検出器の外側に現れ、反対側では、入射窓8または9と接触する表面23に至る。材料は、その熱膨脹係数が追加窓10のそれと近くなるような方法で、有利に選択される。たとえば、追加窓がガラスで作製されている場合には、採用される材料は、たとえばディルバ(dilver)またはコバールなど、鉄、ニッケルおよびコバルトの合金であってもよい。追加窓10を通る電気接合部20の通過部は、封止される。封止は、たとえば接着剤によって施される。
図4aおよび4bにおいて、電圧を印加するための手段には、シール11を通過する、導電路(conducting passage)30が含まれる。
図4aは、斜視図で導電路30を示し、図4bは、断面図で、この同じ通過部30を示す。より正確には、導電路30は、導電材料で作製され、シール11へのその接続部が封止されている。導電路は、たとえば接着によって、検出器の内部で入射窓8または9に接続される。電圧は、検出器の外側を経て、導電路30に印加される。
図5aおよび5bにおいて、電圧を印加するための手段には、感光センサ1上に作製されるトラック40が含まれる。図5aは、斜視図でトラック40を示し、図5bは、断面図で同じトラック40を示す。より正確には、トラック40は、たとえばセンサ1上に直接作製されるか、またはより正確にはセンサの基板に作製される。トラック40は、導電パッド41によって、検出器の内部で入射窓8または9に接続されるが、このパッド41は、トラック40および入射窓8または9の両方に接着してもよい。前述のように、電圧は、検出器の外側を経て、トラック40に印加される。トラック40の回りの封止は、シール11によって施される。
第1の構成による放射線検出器を示す。 第2の構成による放射線検出器を示す。 追加窓を通過する、入射窓の接続部の例を示す。 追加窓を通過する、入射窓の接続部の例を示す。 シールを通過する、入射窓の接続部の例を示す。 シールを通過する、入射窓の接続部の例を示す。 感光センサの基板を介した、入射窓の接続部の例を示す。 感光センサの基板を介した、入射窓の接続部の例を示す。

Claims (9)

  1. 感光素子がマトリックスに配列された感光センサ(1)と、X線を前記センサが感受できる放射線に変換するシンチレータ(5)と、前記シンチレータ(5)の上流のX線が通過する入射窓(8、9)とを含む固体X線検出器であって、
    動作中に前記感光センサ(1)のマトリックスと前記シンチレータ(5)の基板との間に誘導される電界を除去するための手段であり、前記入射窓(8、9)と前記感光センサ(1)との間で電圧を印加するための手段を含むことを特徴とする固体X線検出器。
  2. 前記シンチレータ(5)が基板(8)およびシンチレーション物質(7)を含むことと、前記基板(8)が前記センサ(1)と別個であることと、前記基板(8)が前記センサ(1)の前記入射窓を形成することとを特徴とする、請求項1に記載のX線検出器。
  3. 前記シンチレータ(5)がシンチレーション物質(7)を含むことと、前記センサ(1)が前記シンチレーション物質(7)用の基板として用いられることと、前記シンチレータ(5)を保護するためのホイル(9)が前記シンチレーション物質(7)を覆うことと、前記ホイル(9)が前記センサ(1)の前記入射窓を形成することとを特徴とする、請求項1に記載のX線検出器。
  4. 前記検出器が、前記電圧を前記入射窓(8、9)にほぼ均一に印加するための手段を含むことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の検出器。
  5. 前記電圧が経時的に変調されることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の検出器。
  6. 追加窓(10)が、前記シンチレータ(5)に固定されることなく、前記シンチレータ(5)に配置されることと、不透湿性シール(11)が、前記追加窓(10)および前記センサ(1)を固定することとを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の検出器。
  7. 前記電圧をほぼ均一に印加するための前記手段が、前記追加窓(10)を通過する電気接合部(20)を含むことを特徴とする、請求項6に記載の検出器。
  8. 前記電圧をほぼ均一に印加するための前記手段が、前記シール(11)を通過する導電路(30)を含むことを特徴とする、請求項6に記載の検出器。
  9. 前記電圧をほぼ均一に印加するための前記手段が、前記感光センサ(1)に作製されたトラック(40)を含むことを特徴とする、請求項6に記載の検出器。
JP2004560515A 2002-12-17 2003-12-16 固体x線検出器 Expired - Fee Related JP4443421B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0215995A FR2848677B1 (fr) 2002-12-17 2002-12-17 Detecteur de rayonnement x a l'etat solide
PCT/EP2003/051016 WO2004055549A1 (fr) 2002-12-17 2003-12-16 Détecteur de rayonnement x à l'état solide

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006510022A JP2006510022A (ja) 2006-03-23
JP4443421B2 true JP4443421B2 (ja) 2010-03-31

Family

ID=32338882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004560515A Expired - Fee Related JP4443421B2 (ja) 2002-12-17 2003-12-16 固体x線検出器

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7291843B2 (ja)
EP (1) EP1573363B1 (ja)
JP (1) JP4443421B2 (ja)
CN (1) CN1726408A (ja)
AU (1) AU2003299241A1 (ja)
CA (1) CA2510192C (ja)
FR (1) FR2848677B1 (ja)
WO (1) WO2004055549A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7389013B2 (en) * 2004-09-30 2008-06-17 Stmicroelectronics, Inc. Method and system for vertical optical coupling on semiconductor substrate
US20060071149A1 (en) * 2004-09-30 2006-04-06 Stmicroelectronics, Inc. Microlens structure for opto-electric semiconductor device, and method of manufacture
US7214947B2 (en) * 2005-03-25 2007-05-08 General Electric Company Detector assembly and method of manufacture
US7684545B2 (en) * 2007-10-30 2010-03-23 Rigaku Innovative Technologies, Inc. X-ray window and resistive heater
JP5343970B2 (ja) * 2008-07-25 2013-11-13 コニカミノルタ株式会社 放射線画像検出装置
JP2012177623A (ja) * 2011-02-25 2012-09-13 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置、及び放射線画像検出装置の製造方法
US10126433B2 (en) 2014-11-10 2018-11-13 Halliburton Energy Services, Inc. Energy detection apparatus, methods, and systems
WO2018213076A1 (en) * 2017-05-19 2018-11-22 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. System for fastening a scintillator device, a scintillator thereof, and a method thereof
JP2019152595A (ja) * 2018-03-06 2019-09-12 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置
DE102018130510A1 (de) * 2018-11-30 2020-06-04 Vishay Semiconductor Gmbh Strahlungssensor und Herstellungsverfahren hierfür

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2605166B1 (fr) * 1986-10-09 1989-02-10 Thomson Csf Dispositif photosensible a l'etat solide, procede de lecture et procede de fabrication
US5932880A (en) * 1996-05-09 1999-08-03 Hitachi, Ltd. Scintillator device and image pickup apparatus using the same
FR2758656B1 (fr) * 1997-01-21 1999-04-09 Thomson Tubes Electroniques Procede de realisation d'un detecteur de rayonnement par assemblage de dalles elementaires et detecteur ainsi obtenu
FR2758654B1 (fr) * 1997-01-21 1999-04-09 Thomson Tubes Electroniques Procede de realisation d'un detecteur de rayonnement a ecran plat et detecteur obtenu par ce procede
FR2760585B1 (fr) * 1997-03-07 1999-05-28 Thomson Tubes Electroniques Procede de commande d'un dispositif photosensible a faible remanence, et dispositif photosensible mettant en oeuvre le procede
US6455855B1 (en) * 2000-04-20 2002-09-24 Ge Medical Systems Global Technology Company Llc Sealed detector for a medical imaging device and a method of manufacturing the same
FR2831671B1 (fr) * 2001-10-26 2004-05-28 Trixell Sas Detecteur de rayonnement x a l'etat solide

Also Published As

Publication number Publication date
EP1573363B1 (fr) 2011-09-21
AU2003299241A1 (en) 2004-07-09
US20060153334A1 (en) 2006-07-13
FR2848677A1 (fr) 2004-06-18
WO2004055549A1 (fr) 2004-07-01
US7291843B2 (en) 2007-11-06
CA2510192C (fr) 2013-03-19
CN1726408A (zh) 2006-01-25
CA2510192A1 (fr) 2004-07-01
EP1573363A1 (fr) 2005-09-14
FR2848677B1 (fr) 2005-04-15
JP2006510022A (ja) 2006-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7402814B2 (en) Solid-state x-ray detector
US8044480B2 (en) Production of a radiation detector
Kasap et al. Direct-conversion flat-panel X-ray image sensors for digital radiography
JP4455534B2 (ja) 放射線検出器およびその製造方法
CN104285162A (zh) 具有设置在至少两个闪烁体阵列层之间的至少一个薄光传感器阵列层的多层水平计算机断层摄影(ct)探测器阵列
JP2016524152A (ja) Tftフラットパネルにcmosセンサを埋設したx線イメージャ
JP2008244251A (ja) アモルファスシリコンフォトダイオード及びその製造方法ならびにx線撮像装置
JP4443421B2 (ja) 固体x線検出器
CN112531116B (zh) 一种钙钛矿超快x射线探测器及其制备方法
JP4761620B2 (ja) 寿命が延長された固体放射線検出器
JP4388601B2 (ja) 放射線検出装置の製造方法
Zou et al. Pixellated perovskite photodiode on IGZO thin film transistor backplane for low dose indirect X-ray detection
CN109782330B (zh) X射线探测器及显像设备
JP2004505252A (ja) 耐用期間が伸びた放射線検出器
JP6576064B2 (ja) 放射線検出装置、放射線撮像システム及び放射線検出装置の製造方法
CN109860330B (zh) 感光元件、x射线探测器及显示装置
CN217588958U (zh) 光电二极管及其阵列、放射性探测器及其阵列及检测装置
EP1801877B1 (en) Method for manufacturing X-ray detector
JP2007192807A (ja) X線検出器の製造方法およびx線検出器
JP2019158532A (ja) 放射線検出パネル、放射線検出器、および放射線検出パネルの製造方法
JP2004333381A (ja) 放射線検出装置、及びその製造方法
KR102286375B1 (ko) 광학적 와이핑을 가능하게 하는 광의 발생기를 소유하는 디지털 검출기
JP2011058964A (ja) X線平面検出器及びその製造方法
JPH0763859A (ja) 放射線2次元検出器
JP2008089459A (ja) X線検出器、シンチレータパネル、x線検出器の製造方法およびシンチレータパネルの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090616

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090915

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090928

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20091016

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20091105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091113

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091215

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100112

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4443421

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees