KR102286375B1 - 광학적 와이핑을 가능하게 하는 광의 발생기를 소유하는 디지털 검출기 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 매트릭스로 조직되는 감광 엘리먼트들 (16) 을 포함하는 감광 센서 (13), 및 그의 목적이 상기 감광 엘리먼트들 (16) 을 광학적으로 와이핑하는 것인 광 발생기 (14) 를 포함하는 솔리드-스테이트 방사선 검출기 (10) 에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 광 발생기 (14) 는:
센서 (13) 의 표면 위에 분포되는 전기발광층 (21);
전기발광층 (21) 을 연속적으로 커버하고, 전자들이 자유롭게 유동할 수도 있는 적어도 하나의 전극 (22, 23) 으로서, 전기발광층 (21) 에 의해 방출된 광은 전극 (22, 23) 을 통과할 수 있는, 적어도 하나의 전극 (22, 23);
전극 (22, 23) 과 전기적 접촉하고 있는 추가적인 전기 전도체들 (24, 36) 로서, 추가적인 전기 전도체들 (24, 35) 은 전극 (22, 23) 의 표면 위로 연장되는 브랜치들을 형성하고, 전극 (22, 23) 의 표면을 가로질러 공간적으로 분포되는, 추가적인 전기 전도체들 (24, 36) 을 포함한다.
Description
본 발명은 방사선 변환기와 결합될 수 있는 감광 센서를 포함하는 솔리드-스테이트 X-방사선 검출기에 관한 것이다. 이러한 타입의 검출기의 적용의 분야들은 특히 영상의학: 방사선 촬영, 투시조영촬영, 유방조영술이지만, 또한 비파괴 검사이다.
그러한 방사선 검출기들은 예를 들어 아모르퍼스 실리콘 포토다이오드들로부터 형성된 센서가 방사선 변환기와 결합되는 프랑스 특허 FR 2 803 081 에 기술되어 있다.
그러한 방사선 검출기의 동작 및 구조가 간략하게 요약될 것이다.
감광 센서는 일반적으로 매트릭스로 배열되는 솔리스-스테이트 감광 엘리먼트들로부터 제조된다. 감광 엘리먼트들은 반도체 재료들, 보통 CCD 또는 CMOS 타입 센서들을 위해 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 아모르퍼스 실리콘으로부터 제조된다. 감광 엘리먼트는 적어도 하나의 포토다이오드, 포토트랜지스터 또는 포토레지스터를 포함한다. 이들 엘리먼트들은 기판, 일반적으로 유리 기판 상에 배치된다.
이들 엘리먼트들은 일반적으로 X-방사선 또는 감마 방사선과 같은 매우 짧은 파장 방사선에 직접적으로 민감하지 않다. 이러한 이유로, 감광 센서는 섬광 물질의 층을 포함하는 방사선 변환기와 결합된다. 이러한 물질은, 그것이 그러한 방사선에 의해 여기될 때, 센서가 민감한 더 긴 파장의 방사선, 예를 들어 가시광 또는 근가시광을 방출하는 특성을 갖는다. 방사선 변환기에 의해 방출된 광은 광전 변환을 수행하고 적합한 회로들에 의해 사용가능한 전기 신호들을 산출하는, 센서의 감광 엘리먼트들을 조명한다. 방사선 변환기는 상세한 설명의 나머지에서 신틸레이터 (scintillator) 로서 칭해질 것이다.
유용한 이미지의 품질을 향상시키기 위해, 그 유용한 이미지의 정정이, 일반적으로 동작 사이클의 시작에서 촬상되고 저장되는 "오프셋 이미지", 또는 "다크 (dark) 이미지" 로 불리는 이미지에 기초하여 수행된다. 이러한 오프셋 이미지는 감광 디바이스가 제로-강도에 노출될 때 획득된 이미지이고 일종의 배경 이미지에 대응한다. 오프셋 이미지는 감광 엘리먼트들의 컴포넌트들의 전기적 상태 및 그들의 전기적 특성들에서의 분산에 따라 변한다. 유용한 이미지는 감광 디바이스가 X-방사선에의 노출에 대응하는 유용한 신호에 노출되었을 때 판독되는 것이다. 그것은 오프셋 이미지를 포함한다. 정정은 유용한 이미지로부터 오프셋 이미지를 감산하는 것에 있다.
유용한 이미지 또는 오프셋 이미지를 생성하기 위해, 이미지 사이클, 즉 특허 출원 FR-A-2 760 585 에서 설명된 바와 같은 독출 (readout) 페이지가 후속되는 촬상 페이지, 그 후 와이프 및 리셋 페이즈에 의해 형성된 시퀀스가 행해진다. 촬상 페이즈 동안, 감광 엘리먼트들은 검출될 신호가 최대 조도인지 다크니스 (darkness) 인지에 관계 없이, 검출될 신호에 노출된다. 독출 페이즈 동안, 이미지가 촬상되고 있었을 동안 축적된 전하의 양을 판독하기 위해 어드레싱된 행 도전체들에 판독 펄스가 인가된다. 와이프 페이즈 동안, 감광 엘리먼트들은 모든 감광 포인트들에 걸쳐 균일하게 분포되는 광의 플래시에 의해 광학적으로 와이핑된다. 리셋 페이즈 동안, 감광 엘리먼트들은 그들이 새로운 이미지를 촬상하는 것에 수용적인 상태로 복구된다. 이러한 복구는 일시적으로 스위치를 행하고, 행 도전체들을 통해 전송된 전기 펄스에 의해 다이오드 또는 트랜지스터 엘리먼트를 도전적으로 스위칭하고, 매트릭스가 어드레싱되는 것을 허용함으로써 수행된다.
현재, 광의 플래시는 검출기의 후면에 배치되는 발광 다이오드들의 매트릭스로부터 형성되는 광 발생기에 의해 획득된다. 관례상, 검출기의 전면은 X-방사선에 노출되는 면으로서 지칭되고, 후면은 전면에 반대인 면으로서 지칭된다. 광의 플래시 동안, 발광 다이오드들의 매트릭스는 감광 센서의 기판을 형성하는 유리판을 통과하고, 그 후 감광 엘리먼트들에 도달하기 전에 감광 센서 (13) 의 상류측에 위치된 면들로부터 반사되는 가시 방사선을 방출한다. 광 발생기는 또한 다시 검출기의 후면에 배치되는 램프들에 의해 생성될 수도 있다.
검출기가 단층덴시토메트리와 같은 검사 동안 움직이고 있는 소정의 의학적 촬상 애플리케이션들에서, 예를 들어, 광 발생기와 검출기 사이에 존재하는 공기의 얇은 층은 검출기의 이동들에 따라 두께가 변할 수도 있다. 이러한 공기의 층에서의 변동은 검출기에 의해 이슈된 이미지들에서의 광 발생기의 고스트 (ghost) 이미지의 형성을 초래할 수도 있다. 이러한 고스트 이미지는 용어 "그리드 효과" 로서 문헌에서 알려져 있다.
발광 다이오드들 또는 램프들에 의해 생성된 광 발생기들의 다른 단점은 그러한 발생기들의 두께에 있다.
검출기의 후면 상에, 이하에 OLED 들로서 지칭되는 유기 발광 다이오드들의 층의 배치가 또한 시도되었다. 이러한 타입의 다이오드는 2 개의 전극들 사이에 위치된 발광 재료의 형태로 제조되며, 이들 2 개의 전극들 중 적어도 하나는 광이 그 층 밖에서 방출되는 것을 허용하기 위해 투명하다. OLED 들의 경우, "인듐 주석 산화물" 의 약자인 ITO 로서 이하에서 지칭되는 주석 도핑된 인듐 산화물로 제조된 투명 전극을 사용하는 프랙티스가 알려져 있다. 이러한 타입의 전극은 특히 작은 표면적들을 갖는 OLED 층들에 대해 적합하다. 구체적으로는, ITO 가 높은 저항률을 갖는 것이 관찰되었다. 큰 표면적을 갖는 OLED 층의 경우, 광도가 균질적이지 않다. 휘도는 층의 중심에서보다 에지들에서 더 크다. X-방사선 검출기들은 그의 높은 에너지로 인하여 이러한 타입의 방사선을 포커싱하는 것이 실제로 불가능하기 때문에 반드시 큰 사이즈이다. 의학적 영상의학에서, 그의 치수들이 과거에 사용된 은 필름들의 치수들과 유사하게 될 수도 있는 디지털 검출기들이 제조되었다. 현재, 그의 치수들이 변 (side) 당 400 mm 를 초과하는 검출기들이 존재한다. 그러한 치수들에서, ITO 전극을 갖는 OLED 층의 사용은 광의 균질적인 플래시가 생성되는 것을 허용하지 않을 것이다.
본 발명은 광의 균일하게 분포된 플래시가 화소들이 리셋되는 것을 허용하는 솔리드-스테이트 디지털 방사선 검출기를 제안함으로써 상술된 문제들의 전부 또는 일부를 극복하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 X-방사선의 검출에 대해 상당히 관심이 있다. 그럼에도 불구하고, 예를 들어 감마 방사선과 같은 다른 타입들의 방사선에 대해 본 발명을 구현하는 것이 가능하다.
이러한 목적을 위해, 본 발명의 주제는 입사 방사선을 검출하는 솔리드-스테이트 디지털 검출기이며, 그 검출기는 매트릭스로 조직되는 감광 엘리먼트들을 포함하는 감광 센서 및 그의 목적이 감광 엘리먼트들을 광학적으로 와이핑하는 것인 광 발생기를 포함하며, 그 광 발생기:
을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그 설명이 첨부된 도면에 의해 도시되는, 예시로써 주어지는 여러 실시형태들의 상세한 설명을 읽을 때 본 발명은 더 잘 이해될 것이고 추가의 이점들이 명백해질 것이다.
도 1a, 도 1b, 및 도 1c 는 본 발명에 따른 디지털 검출기의 다수의 구성들을 단면도로 개략적으로 도시한다.
도 2a 는 본 발명에 따른 디지털 검출기에 속하는 예시적인 광 발생기 (14) 를 단면도로 개략적으로 도시한다.
도 2b 는 광 발생기 (14) 의 전극 및 추가적인 전기 전도체들을 사시도로 도시한다.
도 3 은 도 1b 의 구성에서의 검출기를 확대 단면도로 개략적으로 도시한다.
도 4 는 도 1a 의 구성에서의 검출기를 확대 단면도로 개략적으로 도시한다.
도 5 는 검출기의 추가적인 전기 전도체들의 예시적인 분포를 도시한다.
도 6 은 도 1b 의 구성에서의 검출기의 변형을 확대 단면도로 개략적으로 도시한다.
명확성을 위해, 도면들은 일정한 비율이 아니다. 추가적으로, 동일한 엘리먼트들은 여러 도면들에서 동일한 참조부호들을 갖는다.
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도 3 은 도 1b 의 구성에서의 검출기를 확대 단면도로 개략적으로 도시한다.
도 4 는 도 1a 의 구성에서의 검출기를 확대 단면도로 개략적으로 도시한다.
도 5 는 검출기의 추가적인 전기 전도체들의 예시적인 분포를 도시한다.
도 6 은 도 1b 의 구성에서의 검출기의 변형을 확대 단면도로 개략적으로 도시한다.
명확성을 위해, 도면들은 일정한 비율이 아니다. 추가적으로, 동일한 엘리먼트들은 여러 도면들에서 동일한 참조부호들을 갖는다.
본 발명에 따른 솔리드-스테이트 디지털 검출기 (10) 는, 예를 들어 X-방사선 (11) 과 같은, 그것이 민감한 입사 방사선에 의해 이미지가 형성되는 것을 허용한다. 검출기 (10) 는 X-방사선 (11) 이 가시 방사선으로 변환되는 것을 허용하는 신틸레이터 (12), 신틸레이터 (12) 에 의해 이슈된 가시 방사선이 이미지를 형성하는 전기 신호들로 변환되는 것을 허용하는 감광 센서 (13), 및 그의 목적이 센서 (13) 의 감광 엘리먼트들을 광학적으로 와이핑하는 것인 광 발생기 (14) 를 포함한다. 물론, 검출기 (10) 는 다른 컴포넌트들을 포함할 수도 있다. 본 발명은 신틸레이터가 없는 그리고 그의 센서가 방사선 (11) 의 전기 신호로의 직접적인 변환을 수행하는 디지털 검출기에서 구현될 수도 있다. 이러한 목적을 위해, 감광 센서 (13) 는 입사 방사선에 직접적으로 민감한 광도전체를 포함한다.
더욱 상세하게는, 이미지를 획득하기 위한 검출기 (10) 의 동작 동안, 동작들의 시퀀스가 수행되며, 그 시퀀스는 감광 엘리먼트들 각각에 의해 이슈된 전기 신호들이 판독되는 독출 페이즈가 후속되는, 검출기 (10) 가 X-방사선을 받는 촬상 페이즈, 그 후 모든 감광 엘리먼트들이 균일하게 조명되는 광학적 와이프 페이즈, 및 마지막으로 모든 감광 포인트들을 전기적으로 리셋하는 페이즈에 의해 형성된다.
도 1a, 도 1b 및 도 1c 는 본 발명이 예시적으로 구현될 수도 있는 3 개의 구성들을 허용한다. 관례상, 검출기 (10) 의 전면은 먼저 X-방사선을 수용하는 면으로서 정의되고, 후면은 전면에 반대이다. 서로에 대한 검출기의 여러 컴포넌트들의 위치들이 또한 X-방사선의 전파의 방향에 대해 정의된다. 예를 들어, 신틸레이터 (12) 는 감광 센서 (13) 전에 X-방사선을 수용하기 때문에 신틸레이터 (12) 는 감광 센서 (13) 의 상류에 위치된다고 언급될 것이다. 실제로, X-방사선이 신틸레이터 (12) 에 의해 가시 방사선으로 거의 전체적으로 변환되기 때문에 감광 센서 (13) 는 단지 매우 적은 X-방사선을 수용한다. 상류 및 하류의 표시는 또한 센서 (13) 의 방향에서 신틸레이터 (12) 에 의해 방출되는 가시 방사선의 전파의 방향으로 연장될 수도 있다.
도 1a 에서, 상류에서 하류로: 신틸레이터 (12), 센서 (13) 및 광 발생기 (14) 가 위치된다. 다르게 말하면, 광 발생기 (14) 는 검출기 (10) 의 후면상에 위치된다. 감광 센서 (13) 는 기판 (15) 및 감광 엘리먼트들 (16) 을 포함한다. 이러한 구성에서, 감광 포인트들 (16) 을 광학적으로 와이핑하기 위해 광 발생기 (14) 에 의해 방출된 광의 플래시가 기판 (15) 을 통과하고, 감광 엘리먼트들 (16) 사이를 통과하며, 감광 엘리먼트들 (16) 의 상류 면에 도달하기 전에 감광 센서 (13) 의 상류에 위치된 면들로부터 반사된다. 더욱 구체적으로는, 광의 플래시는 신틸레이터 (12) 의 기판으로부터 및/또는 옵티컬 인덱스 (optical index) 불연속성이 발생하는 면들상의 신틸레이터 (12) 와 감광 센서 (13) 사이의 계면에서 반사될 수도 있다. 기판 (15) 은 광 발생기 (14) 에 의해 방출된 광에 대해 투명해야 한다. 이것은 유리판이 기판 (15) 을 제조하는데 사용되는 경우이다. 다르게 말하면, 감광 센서 (13) 는 감광 엘리먼트들 (16) 이 위치되는 기판 (15) 을 포함한다. 광 발생기 (14) 는 기판 (15) 의 하류에 위치된다. 광 발생기 (14) 에 의해 방출된 광은 기판 (15) 을 통과할 수 있다.
광의 플래시를 위한 이러한 루트는 복잡하고, 광 발생기 (14) 에 의해 방출된 광의 일부만이 실제로 감광 엘리먼트들 (16) 을 광학적으로 와이핑하기 위해 사용된다. 감광 엘리먼트들 (16) 의 후면에 직접 도달하는 방출된 광은 감광 엘리먼트들 (16) 의 불투명으로 인해 와이프에 기여하지 않는다. 이러한 구성에서, 감광 엘리먼트들 (16) 에 도달하는 광의 프랙션 (fraction) 은 낮고 화소 내의 재료의 부재에 대응한다. 게다가, 감광 엘리먼트들 (16) 에 도달하기 전에, 광은 감광 센서 (13) 의 상류에 위치되는 면들로부터 반사되어야 하고, 이로 인해 추가적인 손실들을 초래한다. 10% 정도의 유용한 광을 획득하는 것이 보통이다. 광의 손실된 부분은 광도를 증가시키는 것 그리고 이리하여 광 발생기 (14) 의 전기적 소비를 증기시키는 것에 의해 보상되어야 한다. 그럼에도 불구하고, 이러한 구성은 광 발생기 (14) 가 감광 엘리먼트들 (16) 의 상류에 배치되지 않도록 허용하기 때문에 유용할 수도 있다.
도 1b 에서, 상류에서 하류로: 신틸레이터 (12), 광 발생기 (14) 및 센서 (13) 가 위치된다. 다르게 말하면, 광 발생기 (14) 는 신틸레이터 (12) 와 감광 센서 (13) 사이에 위치된다. 이러한 구성은 광 발생기 (14) 에 의해 방출된 광의 전체가 광 발생기 (14) 와 감광 엘리먼트들 (16) 사이의 직접적인 루트를 통해, 또는 신틸레이터 (12) 로부터 광 발생기 (14) 에 의해 방출된 광의 반사 후에 광학적 와이프를 위해 사용되는 것이 허용된다. 도 1b 의 구성에서, 등가의 결과를 위해 도 1a 의 구성에 대해 광 발생기 (14) 의 광도를 실질적으로 감소시키는 것이 가능하다. 이것은 광 발생기 (14) 의 전기 소비이 감소되는 것을 허용한다. 그러나, 신틸레이터 (12) 와 센서 (13) 사이의 광 발생기 (14) 의 존재는 센서 (13) 로부터 신틸레이터 (12) 를 떨어지게 하여, 이렇게 구성된 검출기 (10) 에 의해 이슈된 이미지의 품질에 부정적인 영향을 미친다. 그러나, 이러한 단점은 광 발생기 (14) 의 낮은 두께에 의해 완화된다. 전기 소비에서의 절약은 광 발생기 (14) 의 두께에서의 절약에 기여한다.
도 1a 및 도 1b 는 또한 그의 감광 센서 (13) 가 입사 방사선에 직접적으로 민감한 신틸레이터가 없는 방사선 검출기를 도시할 수도 있다. 이를 위해, 도 1a 및 도 1b 로부터 신틸레이터를 제거하는 것은 충분하다. 감광 센서 (13) 는 그 후 입사 방사선 (11) 에 직접적으로 민감한 광도전체를 포함한다.
도 1c 는 상류에서 하류로: 광 발생기 (14), 신틸레이터 (12), 및 센서 (13) 가 위치된다. 다르게 말하면, 광 발생기 (14) 는 신틸레이터 (12) 의 상류에 위치된다. 이러한 구성에서, 신틸레이터 (12) 는 광 발생기 (14) 에 의해 방출된 광의 일부를 흡수한다. 광 발생기 (14) 에 의해 방출된 광의 일부는 도 1a 의 구성에서와 같이 손실된다. 도 1c 의 구성은, 그러나, 센서 (13) 에 의해 수용된 광의 균질성이 향상된다는 점에서 관심이 있다. 구체적으로는, 수신된 광은 감광 엘리먼트들 (16) 에 의해 방해받지 않는다. 이러한 향상된 균질성으로 인해, 도 1c 의 구성은 광 발생기 (14) 가 예를 들어 화소들을 교정하기 위한 것과 같은 다른 사용들을 위해 채용되는 것을 허용한다.
도 1b 및 도 1c 의 구성들을 비교함에 있어서, 신틸레이터 (12) 와 센서 (13) 사이에 광 발생기 (14) 를 배치함으로써, X-방사선이 신틸레이터 (12) 에 의해 흡수되기 때문에 광 발생기 (14) 는 X-방사선과 상호작용하지 않는다. 광 발생기 (14) 를 너무 이르게 에이징 (aging) 하는 것의 위험이 감소되며, 에이징은 X-방사선이 광 발생기 (14) 를 통과하는 도 1c 의 구성에서 발생할 수 있다.
도 2 는 본 발명에 따른 예시적인 광 발생기 (14) 를 단면도로 도시한다. 광 발생기 (14) 는 전기발광층 (21) 을 포함한다. 이러한 층은 전기 에너지를 광으로 변환할 수 있는 재료로 이루어진다. 이러한 층은 예를 들어 유기 발광 다이오드 (21) 에 의해 형성된다. 오늘날, 예를 들어 이하에 OLED 들로서 지칭되는 유기 발광 다이오드들과 같은, 유기 발광 다이오드들의 다수의 패밀리들이 알려져 있고, 본 발명에서 구현될 수도 있다. 예를 들어 폴리머 발광 다이오드들 (PLEDs) 의 층과 같은 다른 타입들의 층이 구현될 수도 있다. OLED 들 및 PLED 들은 유기 층들이다. 본 발명을 구현하기 위해, 전기발광층이 유기서인 것이 필요하지 않다. 상세한 설명의 나머지에서, 용어 "OLED" 는 임의의 전기발광층에 대해 사용될 것이다.
추가적으로, 광 발생기 (14) 는 광 발생기 (14) 에 의해 방출된 광이 센서 (13) 에 도달하기 전에 통과할 수 있는 전극 (22) 을 포함한다. 전극 (22) 은 투명하거나 반투명할 수도 있다. 전극 (22) 은 OLED 층의 면들 중 하나 상에 그것을 연속적인 방식으로 커버함으로써 위치된다. 제 2 전극 (23) 은 OLED 층의 다른 면에 위치된다. 신틸레이터 (12) 에 의해 방출된 광이 광 발생기 (14) 를 통과할 수 있도록 하는 도 1b 의 구성의 경우를 제외하고, 발생기 (14) 에 의해 방출된 광은 반드시 제 2 전극 (23) 을 통과할 수 있는 것은 아니다. 광 발생기 (14) 에 의해 그리고 신틸레이터에 의해 방출된 광들은 일반적으로 가시광선에 위치된 이웃하는 파장들이다. 전극들 (22 및 23) 은 전자들이 자유롭게 유동할 수도 있는 전기 전도체들이다. 전극들은 각각 예를 들어 연결 패드에 의해 전기 전위에 연결된다. 전극들 (22 및 23) 은 연속적인 전압을 인가하고 유동하는 전류를 측정함으로써 문제의 전극의 2 개의 떨어진 포인트들 사이에서 측정될 수도 있는 (Ω-1 로 표현되는) 그들의 전기 전도성을 특징으로 한다. 직사각형 전극의 표면 전도성은 직사각형의 표면적에 의해 직사각형의 2 개의 대향하는 코너들 사이에서 측정된 전도성을 나눔으로써 정의될 수도 있다.
OLED 층은 예를 들어 다수의 층들: 정공들을 수송하는 층, 방출층 및 전자들을 수송하는 층의 스택에 의해 제조된다. 수송층들은 예를 들어 반도체 재료로 형성된다. 전극들 (22 및 23) 사이에 전압을 인가함으로써, 전자들 및 정공들은 방출층을 관통한다. 전자들 및 정공들은 루미네선스의 원리에 따라 광자들을 방출하면서 결합한다.
도 1a 및 도 1c 의 구성들에서, 제 2 전극 (23) 은 발생기 (14) 에 의해 방출된 광에 불투명할 수도 있다. 그것은 예를 들어 금속 또는 합금으로 제조될 수도 있다. 광 발생기 (14) 가 신틸레이터 (12) 의 상류측에 위치되는 도 1c 의 구성에서, 제 2 전극 (23) 은 예를 들어 X-방사선에 양호한 투명성을 갖는 알루미늄 합금으로 제조될 수도 있고, 또한 센서 (10) 의 입구 윈도우 및 시일 (seal) 의 역할을 할 수도 있다. 알루미늄 합금은 양호한 시일을 보장할 수 있어, 신틸레이터 (12) 가 임의의 외부 공격으로부터 보호되는 것을 허용한다. 신틸레이터 (12) 는 예를 들어 습기에 민감한 요오드화세슘으로 제조될 수도 있다. 제 2 전극 (23) 의 알루미늄 합금은 따라서 신틸레이터 (12) 를 캡슐화하고 습기로부터 그것을 보호하는 것을 위해 사용될 수도 있다.
전극 (22) 은 예를 들어 "인듐 주석 산화물" 을 나타내는 그것의 축약어 ITO 에 의해 통상 알려진 주석 도핑된 인듐 산화물을 포함한다. 이러한 재료는 그것이 얇은 층으로 구현될 때 그것의 광학적 투명성 특성들로 잘 알려져 있다. ITO 는 또한 양호한 전기 전도성 특성들을 가진다. 그러나, 양호한 투명성을 보유하기 위해, 그것의 두께를 감소시키는 것이 필요하고, 이것에 의해 그의 전기 전도성을 열화시킨다. 예를 들어 그의 축약어 AZO 에 의해 통상 알려진 알루미늄 도핑된 아연 산화물과 같은 다른 금속 산화물들이 구현될 수도 있다. 투명한 전극을 제조하기 위해, 그의 두께가 나노미터 정도인 금속층, 또는 심지어 탄소 나노튜브들이 또한 구현될 수도 있다. 전극 (22) 이 제조되는 것을 허용하는 모든 이들 재료들의 공통 특징은 그들이 자유롭게, 즉 수동적으로 그리고 임의의 특정의 여기 없이 전자들을 전도시킬 수도 있다는 것이다. 이들 재료들은 금지 대역을 갖지 않는다. 다르게 말하면, 반도체 재료들에서와 달리, 가전자 대역 및 전도 대역이 중첩한다.
센서 (10) 의 감광 엘리먼트들 (16) 를 광학적으로 와이핑하기 위해 광 발생기 (14) 를 사용할 때, 단일의 전극, 각각 22 및 23 은 OLED 층 (21) 의 각 면상에 위치되고, OLED 층 (21) 의 전체를 커버한다.
광 발생기 (14) 로의 전력의 공급은 그것의 에지들을 통해 행해진다. 큰 표면적을 갖는 발생기 (14) 의 경우, OLED 층 (21) 으로 전력을 공급하기 위해 전극 (22) 내의 전류에 의해 이동되는 거리는 발생기 (14) 의 에지들로부터 더 멀수록 더 커진다. 이것은 발생기 (14) 의 에지들에서 획득된 광도에 대해 그것의 중심에서의 광도에서의 저하를 야기한다.
이러한 문제를 극복하기 위해, 본 발명에 따른 광 발생기 (14) 는 전극 (22) 과 전기적 접촉에 있고 전극 (22) 의 표면 위에 연장되는 브랜치들을 형성하는 추가적인 전기 전도체들 (24) 을 포함한다. 추가적인 전기 전도체들 (24) 은 전극 (22) 의 표면에 걸쳐 공간적으로 분포된다. 추가적인 전기 전도체들 (24) 의 전도성은 전극 (22) 의 전도성에 가산되어, 전극 (22) 및 추가적인 전기 전도체들 (24) 에 의해 형성된 어셈블리의 전체 전도성을 향상시킨다.
도 2b 는 전극 (22) 및 추가적인 전기 전도체들 (24) 을 사시도로 도시한다. 추가적인 전기 전도체들 (24) 을 형성하는 브랜치들은 실질적으로 전극 (22) 의 에지 (22a) 와 반대 에지 (22b) 사이에 서로에 평행하게 연장된다. 직사각형 전극 (22) 의 경우, 브랜치들은 그 직사각형의 하나의 변 (22c) 에 평행하고, 그 에지 (22c) 는 변들 (22a 및 22b) 에 수직이다. 전기 전도체 (25) 는 브랜치들 (24) 에 전기적으로 연결될 수도 있다. 전기 전도체 (25) 는 에지 (22b) 를 따라 그리고 광 발생기 (14) 의 유용한 표면 밖에 위치된다. 전극 (22) 및 추가적인 전기 전도체들 (24) 은 전극 (22) 의 코너에 위치되는 연결 패드 (26) 에 의해 전위 소스에 링크된다. 대안적으로, 연결 패드의 기능은 전기 전도체 (25) 에 의해 충족될 수도 있다.
이롭게도, 추가적인 전기 전도체들 (24) 의 공간적 분포는 전극 (22) 의 표면에 걸쳐 규칙적인 방식으로 실행되어, 광 발생기 (14) 에 의해 이슈된 광의 균일성이 향상되는 것을 허용한다.
추가적인 전기 전도체들 (24) 의 규칙적인 분포는 광 발생기 (14) 의 전체 광도가 균질화되는 것을 허용한다. 광도에서의 저하가 각 브랜치 사이에서 획득된다. 광도에서의 저하들은 발생기 (14) 의 표면에 걸쳐 분포된다. 광도에서의 이들 저하들은 추가적인 전기 전도체들 (24) 의 부재 시에 획득된 광도에서의 저하보다 작다. 추가적인 전기 전도체들 (24) 의 수, 및 이리하여 그들의 간격은 균질성의 원하는 레벨에 따라 선택된다.
추가적인 전기 전도체들 (24) 은 예를 들어 광 발생기 (14) 에 의해 방출된 광에 불투명하여, 이들 전도체들을 제조하는 가능한 재료들의 선택이 증가되는 것을 허용한다. 추가적인 전기 전도체들 (24) 은 예를 들어 금속 또는 금속 합금으로 제조될 수도 있고, 이것에 의해 전극 (22) 의 전도성보다 훨씬 큰 전도성이 획득되는 것을 허용한다. 예로써, 추가적인 전기 전도체들은 알루미늄, 금, 백금, 또는 이들 금속들의 합금으로 제조될 수도 있다. 불투명한 전도체들 (24) 의 전도성은 전체 전도성에 있어서 지배적이게 되고, 광도에서의 감소는 각각의 불투명한 추가적인 전기 전도체 (24) 사이에서만 발생한다.
의학적 방사선학에서, 변당 430 mm 의 정사각형 형상 검출기를 구현하는 것이 통상적이다. 금속, 5 내지 10 ㎛ 너비 추가적인 전기 전도체 (24) 에 의해, 그것의 430 mm 길이에 대해 3 ㏀ 미만의 전기 저항이 이러한 전도체에 대해 획득될 수도 있다. 내부 테스트들은, 그러한 추가적인 전도체들에 의해, 80% 초과의 공간 광 균질성이 획득될 수도 있다는 것을 보여주었다.
전기 전도체들 (24, 25) 및 패드 (26) 은 동일한 재료로 제조될 수도 있다.
도 3 은 광 발생기 (14) 가 센서 (13) 와 신틸레이터 (12) 사이에 위치되는 도 1b 의 구성의 검출기를 확대 단면도로 도시한다. 이러한 구성의 도움으로 도시된 광 발생기 (14) 의 구조는 도 1a 및 도 1c 의 도움으로 기술된 다른 구성들에 적용될 수도 있다. 감광 센서 (13) 는 매트릭스로 조직되는 감광 엘리먼트들을 포함한다. 도 3 에서, 3 개의 감광 엘리먼트들 (16) 이 보인다. 실제로, 감광 센서 (13) 는 예를 들어 밀리온들의 정도의 다수의 감광 엘리먼트들 (16) 을 포함할 수도 있다. 감광 엘리먼트들 (16) 은 감광 센서 (13) 의 표면의 전체를 커버하지 않는다. 공극들 (interstices) (31) 이 이웃하는 감광 엘리먼트들 (16) 사이에 형성된다. 컴포넌트들 (32) 은 공극들 (31) 내에 위치될 수도 있다. 컴포넌트들 (32) 은 감광 엘리먼트들 (16) 이 동작하는 것을 허용한다. 예를 들어, 감광 엘리먼트들 (16) 각각과 연관되는 팔로워 트랜지스터, 독출 트랜지스터 및 리셋 트랜지스트가 존재한다. 용어 "화소" 는 감광 엘리먼트 및 연관된 컴포넌트들 (32) 에 의해 형성된 어셈블리를 지칭한다. 전기 전도체들 (33) 이 또한 공극들 (31) 내에 배치되어, 여러 감광 엘리먼트들 (16) 이 전력이 공급되고, 제어되며, 컴포넌트들 (32) 을 통해 판독되는 것을 허용한다.
도 1b 및 도 1c 의 도움으로 기술된 구성들의 경우, 즉 광 발생기 (14) 가 방사선 (11) 의 전파의 방향으로 감광 센서 (13) 의 상류에 위치되는 경우, 추가적인 전기 전도체들 (24) 은 이롭게도 감광 엘리먼트들 (16) 을 분리하는 공극들 (31) 과 마주하여 위치된다. 추가적인 전기 전도체들 (24) 은 감광 엘리먼트들 (16) 에 관한 발생기 (14) 의 효율을 방해하지 않고 발생기 (14) 에 의해 방출된 광의 전달을 감소시킬 수도 있다. 심지어 임의의 방해 없이 불투명한 추가적인 전기 전도체들 (24) 을 구현하는 것도 가능하다.
도 3 에 도시된 예에서, 추가적인 전기 전도체들 (24) 은 감광 엘리먼트들 (16) 을 커버하지 않는다. 대안적으로, 추가적인 전기 전도체들 (24) 에 의해 감광 엘리먼트들 (16) 의 부분적 커버리지를 수용하는 것이 가능하다. 이러한 커버리지는 공극들 (31) 의 치수들에 기인할 수도 있다. 이들 치수들은 감광 엘리먼트들 (16) 의 주변에서 반드시 일정할 필요는 없다. 도 1b 의 구성에서, 추가적인 전기 전도체들 (24) 은 신틸레이터 (12) 에 의해 방출된 광의 전달을 방해할 수도 있고, 그 부분적 커버리지는 감광 엘리먼트들 (16) 에 의한 신틸레이터 (12) 에 의해 방출된 광의 수집을 손상시킨다. 그러나, 이러한 문제는 도 1a 및 도 1b 의 다른 구성들에서는 존재하지 않는다.
커버리지의 레벨은 감광 엘리먼트들 (16) 에 관한 발생기 (14) 의 효율과 전극 (22) 및 추가적인 전기 전도체들 (24) 에 의해 형성된 어셈블리의 전기 전도성에서의 향샹 사이의 타협에 따라 결정된다.
광 발생기가 신틸레이터 (12) 와 센서 (13) 사이에 배치되는 도 1b 의 구성에서, 광 발생기 (14) 는 센서 (13) 의 방향에서 신틸레이터 (12) 에 의해 방출된 광에 완전히 투명하다. 추가적인 전기 전도체들 (24) 의 존재는 전극 (22) 의 두께가 감소되는 것을 허용하며, 이로 인해 신틸레이터 (12) 에 의해 방출된 광에 관한 광 발생기의 투명성을 향상시킨다.
도 4 는 광 발생기 (14) 가 감광 센서 (13) 의 후면 사이에 위치되는 도 1a 의 구성의 검출기를 확대 단면도로 도시한다. 다르게 말하면, 광 발생기 (14) 는 방사선 (11) 의 전파의 방향에서 감광 센서 (13) 의 하류에 위치된다.
이러한 구성에서, 추가적인 전기 전도체들 (24) 은 이롭게도 감광 센서 (13) 의 불투명한 영역들에 마주하여 위치된다. 특히, 그 불투명한 영역들은 감광 엘리먼트들 (16) 이 위치되는 영역들이다. 감광 센서 (13) 는 특히 공극들 (31) 내에, 그리고 보다 구체적으로는 컴포넌트들 (32) 사이에 투명한 영역들을 갖는다. 추가적인 전기 전도체들 (24) 은 감광 센서 (13) 의 투명한 영역들을 향한 광 발생기 (14) 에 의해 방출된 광의 전달을 방해하지 않는다.
감광 엘리먼트들 (16) 은 센서 (13) 의 표면을 가로질러 규칙적으로 분포된다. 이롭게도, 추가적인 전기 전도체들 (24) 의 분포의 규칙성은 감광 엘리먼트들 (16) 의 분포의 규칙성의 배수이다. 추가적인 전기 전도체들 (24) 은 도 3 의 변형에서 각 공극 (31) 과 마주하여, 또는 도 4 의 변형에서 각 감광 엘리먼트 (16) 와 마주하여 배치될 수도 있다. 추가적인 전기 전도체들 (24) 을 이격시키고 N 개의 공극들 (31) 또는 감광 엘리먼트들 (16) 중 단지 하나만을 커버하는 것도 또한 가능하며, N 은 1 보다 큰 정수이다. 이러한 수 N 은 2 개의 추가적인 전기 전도체들 (24) 사이의 광도에서의 수용가능한 감소에 따라 선택된다.
도 5 는 공극들 (31) 과 마주하는 추가적인 전기 전도체들 (24) 의 예시적인 분포를 도시한다. 도면에 과도한 부담을 주지 않기 위해, 단지 감광 엘리먼트들 (16) 및 추가적인 전기 전도체들 (24) 만이 사시도로 도시된다. 감광 엘리먼트들 (16) 은 수직 방향들 (x 및 y) 을 따라 매트릭스로 조직된다. 방향 (z) 은 방향들 (x 및 y) 에 수직이다. 공극들 (31a) 은 방향 (x) 을 따라 감광 엘리먼트들 (16) 을 분리하고, 공극들 (31b) 은 방향 (y) 을 따라 감광 엘리먼트들 (16) 을 분리한다. 추가적인 전기 전도체들 (24a) 은 공극들 (31a) 과 마주하여 위치되고, 추가적인 전기 전도체들 (24b) 은 공극들 (31b) 과 마주하여 위치된다. 다르게 말하면, 추가적인 전기 전도체들 (24a) 은 공극들 (31a) 과 x 축을 따라 동일한 가로 좌표를 가지며, 추가적인 전기 전도체들 (24b) 은 공극들 (31b) 과 y 축을 따라 동일한 세로 좌표를 갖는다. 공극들 및 추가적인 전기 전도체들과 연관된 인덱스들 (a 및 b) 은 2 개의 방향들 (x 및 y) 을 분리하기 위해서만 존재한다. 인덱싱된 오브젝트들은 물론 인덱스들이 없이 상술된 것들과 동일한 특징들을 갖는다.
도 5 에 도시된 예에서, 추가적인 전기 전도체들 (24a 또는 24b) 은 공극들 (31a 또는 31b) 의 모두를 커버한다. 상술된 바와 같이, 단지 모든 N 개의 공극들 (31a 또는 31b) 만을 위해 추가적인 전기 전도체들을 갖는 것이 가능하다. 모든 N 개의 공극들 (31a) 에 대해 추가적인 전기 전도체들 (24a) 을 갖고, 모든 M 개의 공극들 (31b) 에 대해 추가적인 전기 전도체들 (24b) 을 갖는 것이 가능하고, 여기서 N 은 M 과 상이하다.
추가적인 전도체들의 이러한 크로싱된 분포는 물론 도 4 의 변형으로 이동가능하다. 추가적인 전기 전도체들 (24a 또는 24b) 은 그 후 감광 엘리먼트들 (16) 을 커버한다. 다르게 말하면, 추가적인 전기 전도체들은 서로 평행한 브랜치들 (24a) 의 제 1 시리즈 및 서로 병렬인 브랜치들 (24b) 의 제 2 시리즈를 포함한다. 제 1 시리즈 (24a) 및 제 2 시리즈 (24b) 는 교차한다.
더욱이, 2 개의 방향들 (x 및 y) 중 단지 하나에서만 추가적인 전기 전도체들을 갖는 것이 가능하다.
검출기 (10) 는 감광 센서 (13) 와 광 발생기 (14) 사이에 위치되는 패시베이션 층 (34) 을 포함할 수도 있다. 이러한 층은 예를 들어 질화규소로 제조된다. 신틸레이터 (12) 와 센서 (13) 사이의 광 발생기 (14) 의 부재 시에, 신틸레이터 (12) 의 잠재적인 분해 산물들로부터 센서 (13) 를 보호하기 위해 패시베이션 층과 신틸레이터 사이에 배리어 층을 위치시키는 것이 유용하다. 신틸레이터 (12) 와 센서 (13) 사이의 광 발생기 (14) 의 존재는 이러한 배리어 층이 생략되는 것을 허용한다.
광 발생기 (14) 는 이롭게도 캡슐화된다. 구체적으로, OLED 층 (21) 은 대기로부터 격리되어야 한다. 구체적으로, OLED 층 (21) 은 습기을 받는 경우 심각하게 열화된다. 그 캡슐화는 제 2 전극 (23) 및 광 발생기 (14) 의 측표면들을 커버하는 층 (35) 에 의해 생성된다. 그 캡슐화는 유리의 2 개의 시트들 사이에서 생성될 수도 있고, 이것은 광 발생기가 감광 센서 (13) 및 신틸레이터 (12) 에 의해 형성된 어셈블리 밖에 위치되는 도 1a 및 도 1c 의 구성들에서 달성가능하다. 광 발생기가 감광 센서 (13) 와 신틸레이터 (12) 사이에 위치되는 도 1b 의 구성의 경우, OLED 층들에서 통상 구현되는 배리어 막이 바람직하게 사용된다.
패시베이션 층 (34) 을 생략하고 센서 (13) 상에 광 발생기 (14) 를 직접 제조하는 것이 가능하다. 캡슐화 층 (35) 은 그 후 광 발생기 (14) 및 감광 엘리먼트들 (16) 을 커버한다.
신틸레이터 (12) 에 의해 방출된 광이 광 발생기 (14) 를 통과하지 않는 도 1a 및 도 1c 의 구성들에서, 제 2 전극 (23) 은 가시광에 대해 완전히 불투명할 수도 있다. 이들 구성들에서, 전극 (23) 의 두께에 대한 제약들이 거의 존재하지 않고, 검출기 (10) 의 표면의 전체 위에 금속 시트, 예를 들어 전기 전도성이 충분히 높은 알루미늄 합금이 사용될 수도 있다. 한편, 신틸레이터 (12) 에 의해 방출된 광이 광 발생기 (14) 를 통과하는 도 1b 의 구성에서, 제 2 전극 (23) 은 충분히 투명해야 한다. 오늘날, 반투명 금속 전극들이 존재한다. 그들의 투명성은 70% 정도이다. 이러한 전극의 투명성을 향상시키는 것이 바람직하다. 이것은 그의 두께를 감소시킴으로써 달성될 수도 있지만, 이러한 감소는 전기 전도성을 감소시키는 것에 있어서 전극 (22) 과 동일한 문제를 제기한다. 반투명 금속 전극에 대한 대안으로서, ITO 의 제 2 전극을 제조하는 것이 가능하다.
전극 (22) 에 대해서와 같이, 전극 (23) 과 전기적 접촉하고 있는 추가적인 전기 전도체들 (36) 을 전극 (23) 에 추가하는 것이 가능하다. 전극 (22) 에 대해서와 같이, 추가적인 전기 전도체들 (36) 은 전극 (23) 의 표면을 가로질러 규칙적으로 공간적으로 분포된다. 그들의 분포는 이롭게도 추가적인 전기 전도체들 (24) 의 분포와 동일하다.
추가적인 전기 전도체들 (24 및 36) 은 예를 들어 알루미늄 또는 크롬 합금과 같은 두꺼운 금속 재료로 제조될 수도 있다. OLED 층 (21) 내부 또는 외부에 추가적인 전기 전도체들 (24 및 36) 을 위치시키는 것이 가능하다.
2 개의 전극들 (22 및 23) 의 전기적 연결은 광 발생기 (14) 의 에지들에서 행해진다. 도 3 에서 더욱 상세히 도시된 도 1b 의 구성에서, 전극 (22) 은 센서 (13) 의 바로 근처에 위치된다. 기판 (15) 을 통한 전극 (22) 에 대한 연결을 보장하는 것이 가능하다. 이러한 기판은 이미 감광 엘리먼트들, 컴포넌트들 (32) 및 전기 전도체들 (33) 을 지니고 있다. 이러한 목적을 위해, 검출기 (10) 는 기판 상에 생성되는 전도체 (38) 에 전극 (22) 을 연결하는 비아 (37) 를 포함한다. 비아 (37) 는 패시베이션 층 (34) 을 통과한다. 이러한 연결 방법은 또한 광 발생기 (14) 가 검출기 (10) 의 후면에 위치되는 도 4 에서 더욱 상세히 도시된 도 1a 의 구성에서 구현될 수도 있다. 이러한 구성에서, 비아 (37) 는 기판 (15) 을 통과한다. 기판 (15) 을 통해 전기적 연결을 보장하는 것은 기판 (15) 의 별개의 기판들 상에 위치될 수도 있는 검출기 (10) 를 제어하고 판독하는 회로들에 센서 (13) 를 연결함으로써 현존하는 연결 수단이 사용되는 것을 허용한다.
전극 (23) 의 전기적 연결은 도 3 및 도 4 에 대해 캡슐화 층 (35) 을 통과하는 다른 비아 (39) 에 의해 행해질 수도 있다. 비아 (39) 는 예를 들어 금속 증착에 의해 캡슐화 층 (35) 상에 생성되는 패드 (40) 및 전극 (23) 을 연결한다. 검출기 (10) 를 제어하는 회로들에 대한 패드 (40) 의 연결은 예를 들어 유연성 인쇄 회로 보드 (도시하지 않음) 에 의해 달성된다.
OLED 층 (21) 은 도 3 및 도 4 에 도시된 바와 같이, 그것의 전체 표면 상에서 연속적일 수도 있다. 대안적으로, OLED 층 (21) 은 불연속적일 수도 있다. OLED 층 (21) 은 예를 들어 추가적인 전기 전도체들 (24) 의 레벨에서 중단된다. 구체적으로는, 이들 전도체들은 불투명하거나, 또는 적어도 통과하는 광의 전달을 감소시킬 수도 있기 때문에, 추가적인 전기 전도체들 (24) 과 마주하는 발광 재료가 생략될 수도 있다. 이것은 OLED 층 (21) 에 인가된 전압의 향상된 분포, 및 이리하여 광의 향상된 균일성이 획득되는 것을 허용한다.
도 6 은 OLED 층 (21) 이 불연속적인 센서 (10) 의 예시적인 실시형태를 도시한다. 도 6 은 도 1b 및 도 3 의 구성에 대응한다. 도 3 에서와 같이, 도 6 에 도시된 전극 (22) 은 패시베이션 층 (34) 상에 위치된다. 패시베이션 층 (34) 은 선택적이라는 것이 상기된다. 전극 (22) 은 연속적이고, 추가적인 전기 전도체들 (24) 은 감광 엘리먼트들 (16) 을 분리하는 공극들 (31) 과 마주하는 위치에 위치된다. OLED 층 (21) 은 감광 엘리먼트들 (16) 과 마주하여 증착되고, 공극들 (31) 과 마주할 때 중단된다.
전극 (23) 은 불연속적일 수도 있고, 도 4 에 도시된 바와 같이, 다시 OLED 층 (21) 의 전체 표면 상에서 연속일 수도 있다.
광 발생기 (14) 가 센서 (13) 의 상류에 위치되는 도 1b 및 도 1c 의 구성들에서, OLED 층 (21) 에서의 불연속성들은 감광 엘리먼트들 (16) 을 분리하는 공극들 (31) 과 마주하여 위치된다. 광 발생기 (14) 가 센서 (13) 의 하류에 위치되는 도 1a 의 구성에서, OLED 층 (21) 에서의 불연속성들은 센서 (13) 의 불투명한 영역들과 마주하여, 특히 감광 엘리먼트들 (16) 과 마주하여 위치된다.
Claims (16)
- 입사 방사선 (11) 을 검출하는 솔리드-스테이트 디지털 검출기로서,
상기 검출기 (10) 는 매트릭스로 조직되는 감광 엘리먼트들 (16) 을 포함하는 감광 센서 (13), 상기 감광 엘리먼트들 (16) 을 광학적으로 와이핑하는 것이 목적인 광 발생기 (14) 를 포함하며,
상기 광 발생기 (14) 는:
상기 센서 (13) 의 표면 위에 분포되는 전기발광층 (21);
상기 전기발광층 (21) 을 연속적으로 커버하고, 전자들이 자유롭게 유동할 수도 있는 적어도 하나의 전극 (22, 23) 으로서, 상기 전기발광층 (21) 에 의해 방출된 광은 상기 전극 (22, 23) 을 통과할 수 있는, 상기 적어도 하나의 전극 (22, 23); 및
상기 전극 (22, 23) 과 전기적 접촉하고 있는 추가적인 전기 전도체들 (24, 36) 로서, 상기 추가적인 전기 전도체들 (24, 36) 은 상기 전극 (22, 23) 의 표면 위로 연장되는 브랜치들을 형성하고, 상기 전극 (22, 23) 의 표면을 가로질러 공간적으로 분포되는, 상기 추가적인 전기 전도체들 (24, 36); 을 포함하고,
상기 감광 엘리먼트들 (16) 은 상기 감광 센서 (13) 의 표면을 가로질러 규칙적으로 분포되고, 상기 추가적인 전기 전도체들 (24) 의 분포는 규칙적이고 상기 감광 엘리먼트들 (16) 의 분포의 배수인 것을 특징으로 하는 입사 방사선 (11) 을 검출하는 솔리드-스테이트 디지털 검출기. - 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 추가적인 전기 전도체들은 서로 평행한 브랜치들 (24a) 의 제 1 시리즈 및 서로 병렬인 브랜치들 (24b) 의 제 2 시리즈를 포함하고, 상기 제 1 시리즈 (24a) 및 상기 제 2 시리즈 (24b) 는 교차하는 것을 특징으로 하는 입사 방사선 (11) 을 검출하는 솔리드-스테이트 디지털 검출기. - 제 1 항에 있어서,
상기 입사 방사선 (11) 을 상기 센서 (13) 가 민감한 제 2 타입의 방사선으로 변환하는 신틸레이터 (12) 를 포함하는 것을 특징으로 하는 입사 방사선 (11) 을 검출하는 솔리드-스테이트 디지털 검출기. - 제 1 항에 있어서,
상기 감광 센서 (13) 는 상기 입사 방사선 (11) 에 직접적으로 민감한 광도전체를 포함하는 것을 특징으로 하는 입사 방사선 (11) 을 검출하는 솔리드-스테이트 디지털 검출기. - 제 1 항에 있어서,
상기 추가적인 전기 전도체들 (24) 은 상기 광 발생기 (14) 에 의해 방출된 광에 대해 불투명한 것을 특징으로 하는 입사 방사선 (11) 을 검출하는 솔리드-스테이트 디지털 검출기. - 제 1 항 및 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광 발생기 (14) 는 제 1 타입의 상기 방사선 (11) 의 전파의 방향에서 상기 감광 센서 (13) 의 상류에 위치되고,
공극들 (31) 이 이웃하는 감광 엘리먼트들 (16) 사이에 형성되며,
상기 추가적인 전기 전도체들 (24) 은 상기 감광 엘리먼트들 (16) 을 분리하는 공극들 (31) 과 마주하여 위치되는 것을 특징으로 하는 입사 방사선 (11) 을 검출하는 솔리드-스테이트 디지털 검출기. - 제 8 항에 있어서,
상기 추가적인 전기 전도체들 (24) 은 상기 감광 엘리먼트들 (16) 과 중첩하지 않는 것을 특징으로 하는 입사 방사선 (11) 을 검출하는 솔리드-스테이트 디지털 검출기. - 제 5 항에 있어서,
상기 광 발생기 (14) 는 제 1 타입의 상기 방사선 (11) 의 전파의 방향에서 상기 감광 센서 (13) 의 상류에 위치되고,
공극들 (31) 이 이웃하는 감광 엘리먼트들 (16) 사이에 형성되며,
상기 추가적인 전기 전도체들 (24) 은 상기 감광 엘리먼트들 (16) 을 분리하는 공극들 (31) 과 마주하여 위치되고,
상기 광 발생기 (14) 는 상기 신틸레이터 (12) 와 상기 감광 센서 (13) 사이에 위치되는 것을 특징으로 하는 입사 방사선 (11) 을 검출하는 솔리드-스테이트 디지털 검출기. - 제 10 항에 있어서,
상기 감광 센서 (13) 와 상기 광 발생기 (14) 사이에 위치되는 패시베이션 층 (34) 을 포함하는 것을 특징으로 하는 입사 방사선 (11) 을 검출하는 솔리드-스테이트 디지털 검출기. - 제 5 항에 있어서,
상기 광 발생기 (14) 는 제 1 타입의 상기 방사선 (11) 의 전파의 방향에서 상기 감광 센서 (13) 의 상류에 위치되고,
공극들 (31) 이 이웃하는 감광 엘리먼트들 (16) 사이에 형성되며,
상기 추가적인 전기 전도체들 (24) 은 상기 감광 엘리먼트들 (16) 을 분리하는 공극들 (31) 과 마주하여 위치되고,
상기 광 발생기 (14) 는 제 1 타입의 상기 방사선 (11) 의 전파의 방향에서 상기 신틸레이터 (12) 의 상류에 위치되는 것을 특징으로 하는 입사 방사선 (11) 을 검출하는 솔리드-스테이트 디지털 검출기. - 제 1 항 및 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광 발생기 (14) 는 제 1 타입의 상기 방사선 (11) 의 전파의 방향에서 상기 감광 센서 (13) 의 하류에 위치되고,
상기 추가적인 전기 전도체들 (24) 은 상기 감광 센서 (13) 의 불투명한 영역들 (16) 과 마주하여 위치되는 것을 특징으로 하는 입사 방사선 (11) 을 검출하는 솔리드-스테이트 디지털 검출기. - 제 13 항에 있어서,
상기 감광 센서 (13) 는 상기 감광 엘리먼트들 (16) 이 위치되는 기판 (15) 을 포함하고,
상기 광 발생기 (14) 는 상기 기판 (15) 의 하류에 위치되며,
상기 광 발생기 (14) 에 의해 방출된 광은 상기 기판 (15) 을 통과할 수 있는 것을 특징으로 하는 입사 방사선 (11) 을 검출하는 솔리드-스테이트 디지털 검출기. - 제 1 항 및 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전기발광층 (21) 은 상기 추가적인 전기 전도체들 (24, 36) 의 레벨에서 중단되는 것을 특징으로 하는 입사 방사선 (11) 을 검출하는 솔리드-스테이트 디지털 검출기. - 제 1 항 및 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 추가적인 전기 전도체들 (24) 은 금속 또는 금속 합금으로 제조되는 것을 특징으로 하는 입사 방사선 (11) 을 검출하는 솔리드-스테이트 디지털 검출기.
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