JPH0755947A - 固体作像装置、放射線作像装置、及び非晶質シリコン作像装置に耐湿障壁を作成する方法 - Google Patents
固体作像装置、放射線作像装置、及び非晶質シリコン作像装置に耐湿障壁を作成する方法Info
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- JPH0755947A JPH0755947A JP6098316A JP9831694A JPH0755947A JP H0755947 A JPH0755947 A JP H0755947A JP 6098316 A JP6098316 A JP 6098316A JP 9831694 A JP9831694 A JP 9831694A JP H0755947 A JPH0755947 A JP H0755947A
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ａ−Ｓｉ部品を湿気のような環境条件から保
護することのできる放射線作像装置を提供する。 【構成】 放射線作像装置１００が、非晶質シリコン光
センサ配列１２０とシンチレータ１８０との間に配設さ
れている光センサ障壁層１５０を含んでいる。障壁層１
５０は２つの層１５２、１５６を含んでおり、第１の層
１５２は、光センサ配列１２０の上側導電層１３６の上
に配設されている酸化シリコンであり、第２の層１５６
は、第１の層１５２の上に配設されている窒化シリコン
である。光センサ障壁層１５０は、その下方にある上側
導電層１３６の形状と実質的に一致した形状を有してい
ると共に、約３ミクロンの最大の厚さを有している。酸
化シリコン及び窒化シリコンは、シリコン源ガスとして
テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を用いて、約２５０
℃未満の温度で気相成長法で沈積されている。
護することのできる放射線作像装置を提供する。 【構成】 放射線作像装置１００が、非晶質シリコン光
センサ配列１２０とシンチレータ１８０との間に配設さ
れている光センサ障壁層１５０を含んでいる。障壁層１
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に配設されている酸化シリコンであり、第２の層１５６
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である。光センサ障壁層１５０は、その下方にある上側
導電層１３６の形状と実質的に一致した形状を有してい
ると共に、約３ミクロンの最大の厚さを有している。酸
化シリコン及び窒化シリコンは、シリコン源ガスとして
テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を用いて、約２５０
℃未満の温度で気相成長法で沈積されている。
Description
【０００１】
【関連出願との関係】本出願のパリ条約による優先権主
張の基礎とされた出願は、１９９２年６月１日にＲ．
Ｆ．クワスニック及びＪ．Ｄ．キングズレイによって出
願され、本発明の被譲渡人に譲渡された係属中の米国特
許出願番号第０７／８９１１１７号（出願人控え番号Ｒ
Ｄ−２１７２１）、発明の名称「２層不活性化被覆を有
している感光素子」の部分継続出願である。
張の基礎とされた出願は、１９９２年６月１日にＲ．
Ｆ．クワスニック及びＪ．Ｄ．キングズレイによって出
願され、本発明の被譲渡人に譲渡された係属中の米国特
許出願番号第０７／８９１１１７号（出願人控え番号Ｒ
Ｄ−２１７２１）、発明の名称「２層不活性化被覆を有
している感光素子」の部分継続出願である。
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、非晶質（アモルファ
ス）シリコン（ａ−Ｓｉ）部品を湿気のような環境条件
から保護することが可能な固体作像装置、放射線作像装
置、及び非晶質シリコン作像装置に耐湿障壁を作成する
方法に関する。
ス）シリコン（ａ−Ｓｉ）部品を湿気のような環境条件
から保護することが可能な固体作像装置、放射線作像装
置、及び非晶質シリコン作像装置に耐湿障壁を作成する
方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】固体作像装置は典型的には、シンチレー
ション媒質に結合されている光センサ配列を含んでい
る。シンチレータで吸収された放射線が光子を発生し、
発生された光子は、光ダイオードのような光センサ内を
通過し、この光センサ内で光子は吸収され、入射した光
子束に対応する電気信号が発生される。光センサを製造
する際、非晶質（アモルファス）シリコン（ａ−Ｓｉ）
の有利な光電特性のため、及びこのような装置は相対的
に製造し易いため、実質的に水素添加されたａ−Ｓｉが
用いられることが普通である。特に、比較的大型の配列
として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のような必要な制
御素子又はスイッチング素子と関連して、光ダイオード
のような感光素子を形成することができる。このような
配列では、ＴＦＴ及び光ダイオードのいずれもが、ａ−
Ｓｉで構成されていることが典型的である。
ション媒質に結合されている光センサ配列を含んでい
る。シンチレータで吸収された放射線が光子を発生し、
発生された光子は、光ダイオードのような光センサ内を
通過し、この光センサ内で光子は吸収され、入射した光
子束に対応する電気信号が発生される。光センサを製造
する際、非晶質（アモルファス）シリコン（ａ−Ｓｉ）
の有利な光電特性のため、及びこのような装置は相対的
に製造し易いため、実質的に水素添加されたａ−Ｓｉが
用いられることが普通である。特に、比較的大型の配列
として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のような必要な制
御素子又はスイッチング素子と関連して、光ダイオード
のような感光素子を形成することができる。このような
配列では、ＴＦＴ及び光ダイオードのいずれもが、ａ−
Ｓｉで構成されていることが典型的である。
【０００４】非晶質シリコンを基本とした作像装置の性
能は、例えば湿気に対する露出（これは、ａ−Ｓｉ光ダ
イオードの漏れが非可逆的に増加する原因になることが
ある。）、製造過程に用いられる溶媒のような材料に対
する露出によって、ａ−Ｓｉ光ダイオードの電気特性が
劣化したり、若しくは重合体誘電体材料を損傷させたり
することがあり、即ち、ａ−Ｓｉ沈積方法の温度よりも
高い温度（例えば、約２５０℃よりも高い温度）に対す
る露出を含む多数の因子によって劣化することがある。
そのため、作像装置の製造の際及び動作中のいずれにお
いてもその劣化を最小限に抑えるために、悪い環境状態
を生じないような製造方法を用いると共に、ａ−Ｓｉ部
品に対する保護用の境界を設けることが有利である。作
像装置内の光センサ配列のａ−Ｓｉ部品とシンチレータ
との間に配設されている保護境界は、（１）シンチレー
タ媒体による汚染からの光センサ配列の保護（、及び光
センサ配列による汚染からのシンチレータ媒体の保
護）、（２）シンチレータ材料が接着し得る良好な面、
（３）シンチレータと作像装置の配列内でその下方にあ
る画素との間の良好な光学的結合（即ち、光子の透過の
度合が高く、光子の散乱が最小限であること）、並びに
（４）特に湿気から光センサ配列を保護するために良好
な環境障壁をもたらすことが望ましい。
能は、例えば湿気に対する露出（これは、ａ−Ｓｉ光ダ
イオードの漏れが非可逆的に増加する原因になることが
ある。）、製造過程に用いられる溶媒のような材料に対
する露出によって、ａ−Ｓｉ光ダイオードの電気特性が
劣化したり、若しくは重合体誘電体材料を損傷させたり
することがあり、即ち、ａ−Ｓｉ沈積方法の温度よりも
高い温度（例えば、約２５０℃よりも高い温度）に対す
る露出を含む多数の因子によって劣化することがある。
そのため、作像装置の製造の際及び動作中のいずれにお
いてもその劣化を最小限に抑えるために、悪い環境状態
を生じないような製造方法を用いると共に、ａ−Ｓｉ部
品に対する保護用の境界を設けることが有利である。作
像装置内の光センサ配列のａ−Ｓｉ部品とシンチレータ
との間に配設されている保護境界は、（１）シンチレー
タ媒体による汚染からの光センサ配列の保護（、及び光
センサ配列による汚染からのシンチレータ媒体の保
護）、（２）シンチレータ材料が接着し得る良好な面、
（３）シンチレータと作像装置の配列内でその下方にあ
る画素との間の良好な光学的結合（即ち、光子の透過の
度合が高く、光子の散乱が最小限であること）、並びに
（４）特に湿気から光センサ配列を保護するために良好
な環境障壁をもたらすことが望ましい。
【０００５】米国特許番号第４９０６８５０号では、窒
化シリコン又は酸化シリコンのような誘電体の厚手の層
が光センサ配列の上に沈積され、多数のアイランドを形
成するようにパターン決めすることができるようにし
て、これらのアイランドの上にシンチレータを気相沈積
して、シンチレータがアイランドの上面から成長するよ
うにしている。この米国特許の装置では、アイランドを
形成するために酸化シリコン又は窒化シリコン層に切り
込まれる溝は、幅が約１０μｍ〜２０μｍで、深さが１
０μｍ〜２０μｍであり、これは必然的に、全体的な保
護層がかなり厚手になる（即ち、少なくとも１０μｍよ
りも厚くなる）ことを意味する。同様に、このような大
きな面積（即ち、酸化シリコン又は窒化シリコンに形成
されたアイランドの比較的大きな上面）からの成長しつ
つあるシンチレータの柱体（コラム）は、高温（例え
ば、約２５０℃）のシンチレータ沈積法を用いることを
必要とするが、これによって、ａ−Ｓｉ配列の部品及び
誘電体材料は、同じ高い温度にさらされる。厚手の酸化
シリコン層又は窒化シリコン層は、作像装置の配列内に
おけるこの他の問題を生ずる。例えば、このような厚手
の層は、（垂直方向にも水平方向にも）ひび割れを生じ
易く、ひび割れのチャンネルによって起こる光の散乱の
ような不良の光伝達特性を生じさせ、厚手の層は又、剥
離を生じ易く、作像装置の構造的な劣化の原因になる。
化シリコン又は酸化シリコンのような誘電体の厚手の層
が光センサ配列の上に沈積され、多数のアイランドを形
成するようにパターン決めすることができるようにし
て、これらのアイランドの上にシンチレータを気相沈積
して、シンチレータがアイランドの上面から成長するよ
うにしている。この米国特許の装置では、アイランドを
形成するために酸化シリコン又は窒化シリコン層に切り
込まれる溝は、幅が約１０μｍ〜２０μｍで、深さが１
０μｍ〜２０μｍであり、これは必然的に、全体的な保
護層がかなり厚手になる（即ち、少なくとも１０μｍよ
りも厚くなる）ことを意味する。同様に、このような大
きな面積（即ち、酸化シリコン又は窒化シリコンに形成
されたアイランドの比較的大きな上面）からの成長しつ
つあるシンチレータの柱体（コラム）は、高温（例え
ば、約２５０℃）のシンチレータ沈積法を用いることを
必要とするが、これによって、ａ−Ｓｉ配列の部品及び
誘電体材料は、同じ高い温度にさらされる。厚手の酸化
シリコン層又は窒化シリコン層は、作像装置の配列内に
おけるこの他の問題を生ずる。例えば、このような厚手
の層は、（垂直方向にも水平方向にも）ひび割れを生じ
易く、ひび割れのチャンネルによって起こる光の散乱の
ような不良の光伝達特性を生じさせ、厚手の層は又、剥
離を生じ易く、作像装置の構造的な劣化の原因になる。
【０００６】従って、本発明の目的は、ａ−Ｓｉ部品が
湿気のような環境条件から保護される作像装置配列を提
供することである。本発明の他の目的は、環境条件から
の高度に保護されていると共に機械的に頑丈であって、
作像装置配列とシンチレータとの間の良好な接着をもた
らす作像装置配列を提供することである。
湿気のような環境条件から保護される作像装置配列を提
供することである。本発明の他の目的は、環境条件から
の高度に保護されていると共に機械的に頑丈であって、
作像装置配列とシンチレータとの間の良好な接着をもた
らす作像装置配列を提供することである。
【０００７】本発明の更に他の目的は、保護層を作成す
るための作像装置配列を作成する方法であって、配列が
製造過程において高い温度に露出されることを最小限に
抑えるような、作像装置配列を作成する方法を提供する
ことである。
るための作像装置配列を作成する方法であって、配列が
製造過程において高い温度に露出されることを最小限に
抑えるような、作像装置配列を作成する方法を提供する
ことである。
【０００８】
【発明の要約】本発明によれば、固体作像装置が、光セ
ンサ配列と、光センサ配列に光学的に結合されているシ
ンチレータと、光センサ配列とシンチレータとの間に配
設されている光センサ配列障壁層とを備えている。光セ
ンサ障壁層は、光センサ配列の上側導電層の上に配設さ
れていると共に比較的薄手であり、最大の厚さが約３μ
ｍ又はそれ以下であると共に典型的な厚さは約１μｍで
ある。配列障壁層の形状は上側導電層の輪郭と一致して
おり、配列障壁層は窒化シリコンで構成されている。配
列障壁層は典型的には、第１及び第２の層を含んでお
り、第１の層は、光センサ配列の上側導電層の上に配設
されていると共に、酸化シリコンで構成されており、酸
化シリコンは、約０．５μｍから１．５μｍまでの範囲
内の厚さを有している。第２の層は、第１の層の上に配
設されていると共に、約０．０５μｍから０．１５μｍ
までの厚さを有している。本発明の一実施例では、不活
性化層がａ−Ｓｉ光センサ本体と上側導電層との間に配
設されており、この不活性化層は、無機の耐湿障壁層
と、有機の誘電体層とを含んでいる。
ンサ配列と、光センサ配列に光学的に結合されているシ
ンチレータと、光センサ配列とシンチレータとの間に配
設されている光センサ配列障壁層とを備えている。光セ
ンサ障壁層は、光センサ配列の上側導電層の上に配設さ
れていると共に比較的薄手であり、最大の厚さが約３μ
ｍ又はそれ以下であると共に典型的な厚さは約１μｍで
ある。配列障壁層の形状は上側導電層の輪郭と一致して
おり、配列障壁層は窒化シリコンで構成されている。配
列障壁層は典型的には、第１及び第２の層を含んでお
り、第１の層は、光センサ配列の上側導電層の上に配設
されていると共に、酸化シリコンで構成されており、酸
化シリコンは、約０．５μｍから１．５μｍまでの範囲
内の厚さを有している。第２の層は、第１の層の上に配
設されていると共に、約０．０５μｍから０．１５μｍ
までの厚さを有している。本発明の一実施例では、不活
性化層がａ−Ｓｉ光センサ本体と上側導電層との間に配
設されており、この不活性化層は、無機の耐湿障壁層
と、有機の誘電体層とを含んでいる。
【０００９】本発明による作像装置配列を作成する方法
は、上側導電層を有している光センサ配列を形成する工
程と、障壁層が上側導電層の形状と実質的に一致すると
共に最大の厚さが約３μｍになるように、光センサ配列
の上に障壁層を沈積する工程とを含んでいる。障壁層を
形成する工程は更に、酸化シリコンから成る第１の層
と、第１の層の上に窒化シリコンから成る第２の層とを
沈積する工程を含んでおり、酸化シリコンは、約２５０
℃未満の温度で沈積される。酸化シリコンを沈積する工
程は更に、シリコン源ガスとしてテトラエトキシシラン
（ＴＥＯＳ）を用いて酸化シリコンを適用する工程を含
んでいる。
は、上側導電層を有している光センサ配列を形成する工
程と、障壁層が上側導電層の形状と実質的に一致すると
共に最大の厚さが約３μｍになるように、光センサ配列
の上に障壁層を沈積する工程とを含んでいる。障壁層を
形成する工程は更に、酸化シリコンから成る第１の層
と、第１の層の上に窒化シリコンから成る第２の層とを
沈積する工程を含んでおり、酸化シリコンは、約２５０
℃未満の温度で沈積される。酸化シリコンを沈積する工
程は更に、シリコン源ガスとしてテトラエトキシシラン
（ＴＥＯＳ）を用いて酸化シリコンを適用する工程を含
んでいる。
【００１０】本発明の新規と考えられる特徴は、特許請
求の範囲に具体的に記載してあるが、本発明自体の構
成、作用、並びにその他の目的及び利点は、以下図面に
ついて説明するところから最もよく理解されよう。図面
に全体にわたり、同様な部分には同じ参照番号を用いて
いる。
求の範囲に具体的に記載してあるが、本発明自体の構
成、作用、並びにその他の目的及び利点は、以下図面に
ついて説明するところから最もよく理解されよう。図面
に全体にわたり、同様な部分には同じ参照番号を用いて
いる。
【００１１】
【実施例】図１に示す放射線作像装置１００が、その上
に光センサ配列１２０が設けられている基板１１０と、
光センサ配列１２０に光学的に結合されているシンチレ
ータ１８０と、本発明に従って、光センサ配列１２０と
シンチレータ１８０との間に配設されている光センサ配
列障壁層１５０とを備えている。
に光センサ配列１２０が設けられている基板１１０と、
光センサ配列１２０に光学的に結合されているシンチレ
ータ１８０と、本発明に従って、光センサ配列１２０と
シンチレータ１８０との間に配設されている光センサ配
列障壁層１５０とを備えている。
【００１２】光センサ配列１２０は、基板１１０上に典
型的には行及び列を成して配設されている複数の感光素
子を含んでいる。この代わりに、他の部品が光センサ配
列の下方で基板１１０上に配設されている場合のよう
に、基板１１０を覆っている誘電体層（図面に示してい
ない）の上に光センサ配列１２０を配設してもよい。こ
の明細書で用いる「下側」又は「底部」は、作像装置配
列１００のうち、基板１１０に一層接近している部分の
相対位置を指す、互換性をもって用いられる用語であ
り、「上側」又は「頂部」は又、作像装置配列のうち、
基板１１０から一層遠く離れている部分の相対位置を指
す、互換性をもって用いられる用語であり、作像装置配
列の向きについての動作上又は機能上の制約を何等意味
するものではない。各々の感光素子は典型的には、光ダ
イオード１３０で構成されている。光ダイオード１３０
は、下側接触パッド１３４の上に配設されている光セン
サ・アイランド１３２を含んでおり、アセンブリ（下側
接触パッド１３４、及びその上に配設されている光セン
サ・アイランド１３２）の上に配設されている上側導電
層１３６を有している。上側導電層１３６は、酸化イン
ジウム錫等のような実質的に透明な導電材料で構成され
ている。
型的には行及び列を成して配設されている複数の感光素
子を含んでいる。この代わりに、他の部品が光センサ配
列の下方で基板１１０上に配設されている場合のよう
に、基板１１０を覆っている誘電体層（図面に示してい
ない）の上に光センサ配列１２０を配設してもよい。こ
の明細書で用いる「下側」又は「底部」は、作像装置配
列１００のうち、基板１１０に一層接近している部分の
相対位置を指す、互換性をもって用いられる用語であ
り、「上側」又は「頂部」は又、作像装置配列のうち、
基板１１０から一層遠く離れている部分の相対位置を指
す、互換性をもって用いられる用語であり、作像装置配
列の向きについての動作上又は機能上の制約を何等意味
するものではない。各々の感光素子は典型的には、光ダ
イオード１３０で構成されている。光ダイオード１３０
は、下側接触パッド１３４の上に配設されている光セン
サ・アイランド１３２を含んでおり、アセンブリ（下側
接触パッド１３４、及びその上に配設されている光セン
サ・アイランド１３２）の上に配設されている上側導電
層１３６を有している。上側導電層１３６は、酸化イン
ジウム錫等のような実質的に透明な導電材料で構成され
ている。
【００１３】光センサ・アイランド１３２は、実質的に
真性の水素添加した非晶質（アモルファス）シリコン
（ａ−Ｓｉ）のような光吸収性の半導体材料で構成され
ており、下側接触パッド１３４及び上側導電層１３６に
対するそれぞれ所望の電気接点となるように選択された
導電率（即ち、ｎ型又はｐ型）を有するようにドープさ
れたシリコンのバンド（図面に示していない）で構成し
てもよい。光センサ・アイランドが上側導電層１３６と
下側接触パッド１３４との間に配設されており、光セン
サ本体の両端に選択されたバイアス電圧が印加されるよ
うにする。こうして、半導体材料内で光子が吸収された
ことによって発生される電荷が、選択された電極で収集
され、収集された電荷は、周期的に「読み出され」又は
測定される。このときに、光ダイオードの両端のバイア
ス電圧は選択された値にリセットされる。
真性の水素添加した非晶質（アモルファス）シリコン
（ａ−Ｓｉ）のような光吸収性の半導体材料で構成され
ており、下側接触パッド１３４及び上側導電層１３６に
対するそれぞれ所望の電気接点となるように選択された
導電率（即ち、ｎ型又はｐ型）を有するようにドープさ
れたシリコンのバンド（図面に示していない）で構成し
てもよい。光センサ・アイランドが上側導電層１３６と
下側接触パッド１３４との間に配設されており、光セン
サ本体の両端に選択されたバイアス電圧が印加されるよ
うにする。こうして、半導体材料内で光子が吸収された
ことによって発生される電荷が、選択された電極で収集
され、収集された電荷は、周期的に「読み出され」又は
測定される。このときに、光ダイオードの両端のバイア
ス電圧は選択された値にリセットされる。
【００１４】各々の光ダイオード１３０は、光ダイオー
ドに収集された電荷を読み出すことかできるようにする
ために、回路に結合されている。典型的には、各々の光
ダイオードは、それぞれの薄膜トランジスタ（図面に示
していない）によってデータ線１２５に選択的に結合さ
れている。誘電体層１２２が典型的には、複数のＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）及びデータ線１２５に重なってお
り、これらの部品と光ダイオード１３０のようにそれに
重なっている部品との間を電気的に絶縁している。
ドに収集された電荷を読み出すことかできるようにする
ために、回路に結合されている。典型的には、各々の光
ダイオードは、それぞれの薄膜トランジスタ（図面に示
していない）によってデータ線１２５に選択的に結合さ
れている。誘電体層１２２が典型的には、複数のＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）及びデータ線１２５に重なってお
り、これらの部品と光ダイオード１３０のようにそれに
重なっている部品との間を電気的に絶縁している。
【００１５】光センサ配列１２０は不活性化層１４０を
有していることが有利である。不活性化層１４０は、上
側導電層１３６が光センサ・アイランド１３２の上面と
電気的に接触して設けられている点を除いて、上側導電
層１３６の下方に配設されている。不活性化層１４０
は、無機の耐湿障壁層１４２と、有機の誘電体層１４４
とを含んでいる。無機層１４２は典型的には、窒化シリ
コンで構成されていると共に比較的薄手であり、約０．
０１ミクロンから０．５ミクロンまでの厚さである。有
機誘電体層１４４は典型的には、ポリイミド、好ましく
はチバ−ガイギー（商標）２００シリーズのような予め
イミド化したポリイミドで構成されていると共に、厚さ
は約０．５ミクロンから２．５ミクロンまでである。不
活性化層についての詳しいことは、１９９２年６月１日
に出願された係属中の米国特許出願番号第０７／８９１
１１７号に記載されている。
有していることが有利である。不活性化層１４０は、上
側導電層１３６が光センサ・アイランド１３２の上面と
電気的に接触して設けられている点を除いて、上側導電
層１３６の下方に配設されている。不活性化層１４０
は、無機の耐湿障壁層１４２と、有機の誘電体層１４４
とを含んでいる。無機層１４２は典型的には、窒化シリ
コンで構成されていると共に比較的薄手であり、約０．
０１ミクロンから０．５ミクロンまでの厚さである。有
機誘電体層１４４は典型的には、ポリイミド、好ましく
はチバ−ガイギー（商標）２００シリーズのような予め
イミド化したポリイミドで構成されていると共に、厚さ
は約０．５ミクロンから２．５ミクロンまでである。不
活性化層についての詳しいことは、１９９２年６月１日
に出願された係属中の米国特許出願番号第０７／８９１
１１７号に記載されている。
【００１６】本発明によれば、光センサ障壁層１５０
が、上側導電層１３６の上に同形に配設されており、最
大の厚さは約３ミクロン又はそれ以下である。本明細書
で用いる「同形に配設される」、「同形」等の用語は、
光センサ障壁層１５０が上側導電層１３６の輪郭と実質
的に同様の形状を有しており、不活性化層１５０が上側
導電層１３６の上に配設されていると共に、その長さに
沿って実質的に一様な厚さを有していることを意味す
る。シンチレータ１８０が障壁層１５０の上に配設され
ていると共に、障壁層１５０を介して光センサ配列１２
０に光学的に結合されている。障壁層１５０は、シンチ
レータ１８０と光センサ配列１２０との間で光子の良好
な光学的結合（即ち、ひび割れのない透明な誘電体材料
によって得られるように、高度の透過率を有していると
共に光子の散乱が殆んど又は全くない光学的結合）をも
たらすように構成されている。障壁層１５０は更に、シ
ンチレータ材料が障壁層の上面によく接着して、作像装
置の通常の動作状態の下で、シンチレータ１８０と障壁
層１５０との間の結合の機械的な劣化が殆んど又は全く
ないように構成されている。例えば、この構造は、（公
知のように、この構造に接着テープを適用して引っ張
る）標準的なテープ引っ張り試験に剥離せずに合格すべ
きものである。更に、障壁層１５０は比較的薄手であ
り、作像装置が用いられる通常の動作環境では、障壁層
が実質的にひび割れがない状態にとどまって、剥離しな
いようになっている。通常、障壁層１５０の厚さは約１
μｍである。
が、上側導電層１３６の上に同形に配設されており、最
大の厚さは約３ミクロン又はそれ以下である。本明細書
で用いる「同形に配設される」、「同形」等の用語は、
光センサ障壁層１５０が上側導電層１３６の輪郭と実質
的に同様の形状を有しており、不活性化層１５０が上側
導電層１３６の上に配設されていると共に、その長さに
沿って実質的に一様な厚さを有していることを意味す
る。シンチレータ１８０が障壁層１５０の上に配設され
ていると共に、障壁層１５０を介して光センサ配列１２
０に光学的に結合されている。障壁層１５０は、シンチ
レータ１８０と光センサ配列１２０との間で光子の良好
な光学的結合（即ち、ひび割れのない透明な誘電体材料
によって得られるように、高度の透過率を有していると
共に光子の散乱が殆んど又は全くない光学的結合）をも
たらすように構成されている。障壁層１５０は更に、シ
ンチレータ材料が障壁層の上面によく接着して、作像装
置の通常の動作状態の下で、シンチレータ１８０と障壁
層１５０との間の結合の機械的な劣化が殆んど又は全く
ないように構成されている。例えば、この構造は、（公
知のように、この構造に接着テープを適用して引っ張
る）標準的なテープ引っ張り試験に剥離せずに合格すべ
きものである。更に、障壁層１５０は比較的薄手であ
り、作像装置が用いられる通常の動作環境では、障壁層
が実質的にひび割れがない状態にとどまって、剥離しな
いようになっている。通常、障壁層１５０の厚さは約１
μｍである。
【００１７】光センサ配列障壁層１５０は典型的には、
上側導電層１３６に隣接して配設されている第１の層１
５２と、第１の層１５２上に配設されている第２の層１
５６とを含んでおり、シンチレータ１８０は第２の層１
５６上に配設されている。第１の層１５２は酸化シリコ
ンで構成されており、酸化シリコンの典型的な厚さは、
約０．５ミクロンから１．５ミクロンまでの範囲内であ
り、通常は約０．７ミクロンの厚さを有している。第１
の層１５２を構成している酸化シリコンは、約２５０℃
未満の温度で、シリコン源ガスとしてテトラエトキシシ
ラン（ＴＥＯＳ）を用いたプラズマ強化化学反応気相成
長（ＰＥＣＶＤ）法によって沈積するのが典型的であ
る。このとき、１．５≦ｘ≦２として、酸化シリコンは
ＳｉＯx の組成を有しており、水素含有量は原子の約５
％未満である。この方法で沈積された酸化シリコンは、
約２１０℃の沈積温度を維持している間でも、その下方
にある層に対して良好に同形になる（即ち、上側導電層
１３６の輪郭にわたって段のカバーは良好である）。更
に、この酸化シリコンは頑丈な耐湿障壁になると共に、
ポリイミドの沈積によって配列内に存在しているかもし
れないガンマ・ブチルラクトンのような溶媒に対して抵
抗力がある。
上側導電層１３６に隣接して配設されている第１の層１
５２と、第１の層１５２上に配設されている第２の層１
５６とを含んでおり、シンチレータ１８０は第２の層１
５６上に配設されている。第１の層１５２は酸化シリコ
ンで構成されており、酸化シリコンの典型的な厚さは、
約０．５ミクロンから１．５ミクロンまでの範囲内であ
り、通常は約０．７ミクロンの厚さを有している。第１
の層１５２を構成している酸化シリコンは、約２５０℃
未満の温度で、シリコン源ガスとしてテトラエトキシシ
ラン（ＴＥＯＳ）を用いたプラズマ強化化学反応気相成
長（ＰＥＣＶＤ）法によって沈積するのが典型的であ
る。このとき、１．５≦ｘ≦２として、酸化シリコンは
ＳｉＯx の組成を有しており、水素含有量は原子の約５
％未満である。この方法で沈積された酸化シリコンは、
約２１０℃の沈積温度を維持している間でも、その下方
にある層に対して良好に同形になる（即ち、上側導電層
１３６の輪郭にわたって段のカバーは良好である）。更
に、この酸化シリコンは頑丈な耐湿障壁になると共に、
ポリイミドの沈積によって配列内に存在しているかもし
れないガンマ・ブチルラクトンのような溶媒に対して抵
抗力がある。
【００１８】第２の層１５６は窒化シリコンで構成され
ており、窒化シリコンの典型的な厚さは、約０．０５μ
ｍから０．１５μｍまでの範囲内であり、通常は約０．
１μｍの厚さを有している。第２の層を構成している窒
化シリコンは、約２１０℃の温度でＰＥＣＶＤ法によっ
て沈積され、（極く普通に用いられる１３．５６ＭＨｚ
のＰＥＣＶＤ周波数とは対照的に、）約５０ｋＨｚの低
い周波数で沈積される。この方法で沈積された窒化シリ
コンは、１．０≦ｙ≦１．３３として、ＳｉＮ y の組成
を有しており、水素含有量は原子の約１０％未満であ
る。第２の層１５６の窒化シリコンは更に、その上に沈
積されるシンチレータ媒質に対して良好な接着性を有す
るように構成された面を形成する。
ており、窒化シリコンの典型的な厚さは、約０．０５μ
ｍから０．１５μｍまでの範囲内であり、通常は約０．
１μｍの厚さを有している。第２の層を構成している窒
化シリコンは、約２１０℃の温度でＰＥＣＶＤ法によっ
て沈積され、（極く普通に用いられる１３．５６ＭＨｚ
のＰＥＣＶＤ周波数とは対照的に、）約５０ｋＨｚの低
い周波数で沈積される。この方法で沈積された窒化シリ
コンは、１．０≦ｙ≦１．３３として、ＳｉＮ y の組成
を有しており、水素含有量は原子の約１０％未満であ
る。第２の層１５６の窒化シリコンは更に、その上に沈
積されるシンチレータ媒質に対して良好な接着性を有す
るように構成された面を形成する。
【００１９】本発明の他の実施例（図面に示していな
い）では、光センサ障壁層は、窒化シリコンで構成され
ている１つの層のみを含んでいる。この層は典型的に
は、約０．２μｍから１μｍまでの厚さを有している。
特に断わる場合を除いて、この他の実施例の装置は、２
層の光センサ障壁層を有している装置について本明細書
で述べるものと、他の点では同じである。
い）では、光センサ障壁層は、窒化シリコンで構成され
ている１つの層のみを含んでいる。この層は典型的に
は、約０．２μｍから１μｍまでの厚さを有している。
特に断わる場合を除いて、この他の実施例の装置は、２
層の光センサ障壁層を有している装置について本明細書
で述べるものと、他の点では同じである。
【００２０】２層障壁層では、典型的には酸化シリコン
の第１の層の光屈折率は、１．４から１．５までの範囲
内であり、窒化シリコンの光屈折率は、約１．８から
２．３までの範囲内であって、典型的には約２．０であ
る。２層障壁層１５０を介してのシンチレータ１８０と
光センサ配列１２０との間の光学的結合を測定したとこ
ろ、窒化シリコンの１層を用いて達成される光学的結合
と匹敵し得ることがわかった。
の第１の層の光屈折率は、１．４から１．５までの範囲
内であり、窒化シリコンの光屈折率は、約１．８から
２．３までの範囲内であって、典型的には約２．０であ
る。２層障壁層１５０を介してのシンチレータ１８０と
光センサ配列１２０との間の光学的結合を測定したとこ
ろ、窒化シリコンの１層を用いて達成される光学的結合
と匹敵し得ることがわかった。
【００２１】シンチレータ１８０は、作像しようとする
種類の入射放射線を吸収したことに応答して、光子を放
出するように構成されているシンチレータ媒質を含んで
いる。例えば、Ｘ線作像装置では、タリウムでドープさ
れた沃化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）が通常用いられてい
る。ＣｓＩ：Ｔｌは針１８５の形状で蒸着によって光セ
ンサ障壁層１５０上に沈積することが有利である。各々
の針は典型的には、直径が数ミクロンであると共に、長
さが数百ミクロンである。針が比較的短い直径に比べて
比較的長い縦軸を有しているこの縦横比により、このシ
ンチレータでは、大部分の光子はシンチレータの底部
（光センサ配列に近い方）から出て来て、これらの光子
は光センサ配列に効率よく光学的に結合される。即ち、
大多数の光子は十分に大きな入射角で光センサ障壁層に
入射し、このため、実質的にすべての光子が光センサ配
列１２０へ入り込み、シンチレータ材料と第２の層１５
６内の窒化シリコンとの間、窒化シリコンと第１の層１
５２内の酸化シリコンとの間、及び酸化シリコンと上側
導電層１３６との間の界面のいずれでも反射されること
がない。
種類の入射放射線を吸収したことに応答して、光子を放
出するように構成されているシンチレータ媒質を含んで
いる。例えば、Ｘ線作像装置では、タリウムでドープさ
れた沃化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）が通常用いられてい
る。ＣｓＩ：Ｔｌは針１８５の形状で蒸着によって光セ
ンサ障壁層１５０上に沈積することが有利である。各々
の針は典型的には、直径が数ミクロンであると共に、長
さが数百ミクロンである。針が比較的短い直径に比べて
比較的長い縦軸を有しているこの縦横比により、このシ
ンチレータでは、大部分の光子はシンチレータの底部
（光センサ配列に近い方）から出て来て、これらの光子
は光センサ配列に効率よく光学的に結合される。即ち、
大多数の光子は十分に大きな入射角で光センサ障壁層に
入射し、このため、実質的にすべての光子が光センサ配
列１２０へ入り込み、シンチレータ材料と第２の層１５
６内の窒化シリコンとの間、窒化シリコンと第１の層１
５２内の酸化シリコンとの間、及び酸化シリコンと上側
導電層１３６との間の界面のいずれでも反射されること
がない。
【００２２】本発明によれば、製造過程において、光セ
ンサ障壁層１５０の酸化シリコン層及び窒化シリコン層
は、同じ真空減圧の間に沈積することができる。更に、
第１の層１５２の酸化シリコン及び第２の層１５６の窒
化シリコンをシャドウ・マスクを介して沈積し、それを
上側導電層１３６の所望の部分の上のみに選択的に沈積
して、酸化シリコン及び窒化シリコンが接点フィンガの
ような区域に沈積されないようにすることが望ましい。
このような接点フィンガのような区域からは、後でそれ
をエッチング過程によって取り除かなければならない
が、この過程によって、作像装置配列１００内の他の部
品の一部を形成している酸化シリコン又は窒化シリコン
の他の層の望ましくない除去が起こるおそれがある。
ンサ障壁層１５０の酸化シリコン層及び窒化シリコン層
は、同じ真空減圧の間に沈積することができる。更に、
第１の層１５２の酸化シリコン及び第２の層１５６の窒
化シリコンをシャドウ・マスクを介して沈積し、それを
上側導電層１３６の所望の部分の上のみに選択的に沈積
して、酸化シリコン及び窒化シリコンが接点フィンガの
ような区域に沈積されないようにすることが望ましい。
このような接点フィンガのような区域からは、後でそれ
をエッチング過程によって取り除かなければならない
が、この過程によって、作像装置配列１００内の他の部
品の一部を形成している酸化シリコン又は窒化シリコン
の他の層の望ましくない除去が起こるおそれがある。
【００２３】本発明による放射線作像装置を作成する方
法は、基板上に光センサ配列を形成する工程を含んでい
る。光センサ配列の上には上側導電層が沈積される。更
に、この方法は、上側導電層の上に光センサ障壁を沈積
して、前に述べたように、障壁層が上側導電層と同形に
なって、約３μｍ又はそれ以下の最大の厚さを有するよ
うにする工程を含んでいる。障壁層は、シリコン源ガス
としてＴＥＯＳを用いて、約２５０℃未満（典型的には
約２１０℃）の温度で沈積された酸化シリコンで構成さ
れている第１の層を有している。この第１の層の上に、
シラン、アンモニア及び窒素のガス混合物を用いて、Ｐ
ＥＣＶＤ法で、窒化シリコンから成る第２の層が沈積さ
れる。酸化シリコン及び窒化シリコンは、製造する配列
の１回の真空減圧の間に沈積することが有利であり、Ｔ
ＥＯＳを酸化シリコンに対するシリコン源ガスとして利
用することが有利である。光センサ配列を形成する工程
は、複数の非晶質シリコンの感光体を形成する工程と、
複数の感光体の上に、無機の耐湿障壁層と有機の誘電体
層とを含んでいる不活性化層を形成する工程と、不活性
化層及び感光体の上に上側導電層を沈積する工程とを含
んでいることが有利である。
法は、基板上に光センサ配列を形成する工程を含んでい
る。光センサ配列の上には上側導電層が沈積される。更
に、この方法は、上側導電層の上に光センサ障壁を沈積
して、前に述べたように、障壁層が上側導電層と同形に
なって、約３μｍ又はそれ以下の最大の厚さを有するよ
うにする工程を含んでいる。障壁層は、シリコン源ガス
としてＴＥＯＳを用いて、約２５０℃未満（典型的には
約２１０℃）の温度で沈積された酸化シリコンで構成さ
れている第１の層を有している。この第１の層の上に、
シラン、アンモニア及び窒素のガス混合物を用いて、Ｐ
ＥＣＶＤ法で、窒化シリコンから成る第２の層が沈積さ
れる。酸化シリコン及び窒化シリコンは、製造する配列
の１回の真空減圧の間に沈積することが有利であり、Ｔ
ＥＯＳを酸化シリコンに対するシリコン源ガスとして利
用することが有利である。光センサ配列を形成する工程
は、複数の非晶質シリコンの感光体を形成する工程と、
複数の感光体の上に、無機の耐湿障壁層と有機の誘電体
層とを含んでいる不活性化層を形成する工程と、不活性
化層及び感光体の上に上側導電層を沈積する工程とを含
んでいることが有利である。
【００２４】本発明に従って作成された放射線作像装置
は、機械的な劣化に対する耐力を有すると共に湿気の侵
食に対する耐力を有する頑丈な構造を呈する。例えば、
１００時間までの期間にわたって湿度の高い環境（約６
０％〜８０％の相対湿度（ＲＨ））で動作させた作像装
置配列における不良画素の数の増加の比較から、本発明
に従って作成された障壁層を有している（但し、その上
にシンチレータは配設されていない）光センサは、障壁
層のない作像装置よりも、この不利な動作環境内での劣
化がずっと少ないことがわかった。劣化は、試験環境に
露出した後に配列内に現れる新たな不良画素の数によっ
て特徴付けられる。不良画素は、光ダイオードに約６ボ
ルトの逆バイアスをかけた状態で、漏れが１ｐＡを超え
たものである。
は、機械的な劣化に対する耐力を有すると共に湿気の侵
食に対する耐力を有する頑丈な構造を呈する。例えば、
１００時間までの期間にわたって湿度の高い環境（約６
０％〜８０％の相対湿度（ＲＨ））で動作させた作像装
置配列における不良画素の数の増加の比較から、本発明
に従って作成された障壁層を有している（但し、その上
にシンチレータは配設されていない）光センサは、障壁
層のない作像装置よりも、この不利な動作環境内での劣
化がずっと少ないことがわかった。劣化は、試験環境に
露出した後に配列内に現れる新たな不良画素の数によっ
て特徴付けられる。不良画素は、光ダイオードに約６ボ
ルトの逆バイアスをかけた状態で、漏れが１ｐＡを超え
たものである。
【００２５】下記の表１は、シンチレータ被覆を設けず
に、種々のダイオード不活性化及び障壁層方式を用いた
作像装置配列で行った試験から得られた代表的なデータ
を示している。各々の配列は４００００個の画素（各画
素は約４×１０-4ｃｍ2 の面積を有している）を有して
おり、これらの画素を約８ボルトの逆バイアスの下で光
ダイオードで走査して、約７０°Ｆの周囲温度で高い湿
度（約６０％ＲＨ〜８０％ＲＨ）内での動作状態を模擬
した。
に、種々のダイオード不活性化及び障壁層方式を用いた
作像装置配列で行った試験から得られた代表的なデータ
を示している。各々の配列は４００００個の画素（各画
素は約４×１０-4ｃｍ2 の面積を有している）を有して
おり、これらの画素を約８ボルトの逆バイアスの下で光
ダイオードで走査して、約７０°Ｆの周囲温度で高い湿
度（約６０％ＲＨ〜８０％ＲＨ）内での動作状態を模擬
した。
【００２６】ポリイミド（ＰＩ）以外の光ダイオードの
不活性化層を有していない場合（Ａ−１、−２、−３で
示す）、ポリイミドの下に窒化シリコンを有している場
合（Ｂ−１、−２で示す）、２層障壁層を有している場
合（Ｃ−１、−２、−３で示す）、及び１層の障壁層を
有している場合（Ｄ−１、−２、−３、−４、−５、−
６で示す）の配列に対するデータが示されている。
不活性化層を有していない場合（Ａ−１、−２、−３で
示す）、ポリイミドの下に窒化シリコンを有している場
合（Ｂ−１、−２で示す）、２層障壁層を有している場
合（Ｃ−１、−２、−３で示す）、及び１層の障壁層を
有している場合（Ｄ−１、−２、−３、−４、−５、−
６で示す）の配列に対するデータが示されている。
【００２７】
【表１】
【００２８】表注 ＊ ４０時間〜５０時間の時間枠内にロットＣ−２では
データが得られなかった。 ＊＊ ロットＣ−３では、９４時間の後、そして湿気を
媒介とする線の間の漏れの影響を避けるための乾燥の
後、高湿度環境に対する露出により、２つ又はそれ以下
の画素が劣化したことがわかった。従って、７９時間後
に認められた不良画素の数は、湿気の浸透及び画素の劣
化ではなく、湿気を媒介とする線の間の漏れによるもの
と考えられる。
データが得られなかった。 ＊＊ ロットＣ−３では、９４時間の後、そして湿気を
媒介とする線の間の漏れの影響を避けるための乾燥の
後、高湿度環境に対する露出により、２つ又はそれ以下
の画素が劣化したことがわかった。従って、７９時間後
に認められた不良画素の数は、湿気の浸透及び画素の劣
化ではなく、湿気を媒介とする線の間の漏れによるもの
と考えられる。
【００２９】本発明のある特徴のみを図面に示して説明
したが、当業者には種々の改変及び変更が考えられよ
う。従って、特許請求の範囲は、本発明の範囲内に含ま
れるすべての改変及び変更を包括するものと承知された
い。
したが、当業者には種々の改変及び変更が考えられよ
う。従って、特許請求の範囲は、本発明の範囲内に含ま
れるすべての改変及び変更を包括するものと承知された
い。
【図１】本発明の一実施例に従って形成された作像装置
配列の断面図である。
配列の断面図である。
１００ 放射線作像装置 １１０ 基板 １２０ 光センサ配列 １２２ 誘電体層 １３０ 光ダイオード １３２ 光センサ・アイランド １３６ 上側導電層 １４０ 不活性化層 １４２ 耐湿障壁層 １４４ 誘電体層 １５０ 光センサ配列障壁層 １５２ 酸化シリコン層 １５６ 窒化シリコン層 １８０ シンチレータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チン−イェウ・ウェイ アメリカ合衆国、ニューヨーク州、スケネ クタデイ、ローズヒル・ブールバード、 1416番 (72)発明者 ジャック・ディーン・キングズレイ アメリカ合衆国、ニューヨーク州、スケネ クタデイ、オーチャード・パーク・ドライ ブ、2121番
Claims (27)
- 【請求項１】 実質的にその上に設けられている上側導
電層を有している光センサ配列と、 前記上側導電層の上に設けられている窒化シリコンを含
んでおり、その下方にある前記導電層と一致した形状を
有していると共に約３μｍ未満の最大の厚さを有してい
る光センサ配列障壁層と、 該光センサ配列障壁層の上に設けられていると共に、該
障壁層を介して前記光センサ配列に光学的に結合されて
いるシンチレータとを備えた固体作像装置。 - 【請求項２】 前記光センサ配列は、非晶質シリコンを
含んでいる請求項１に記載の固体作像装置。 - 【請求項３】 前記配列障壁層は、前記導電層の上に設
けられていると共に第１の材料を含んでいる第１の層
と、該第１の層の上に設けられていると共に第２の材料
を含んでいる第２の層を備えている請求項１に記載の固
体作像装置。 - 【請求項４】 前記第１の層は、酸化シリコンを含んで
おり、前記第２の層は、窒化シリコンを含んでいる請求
項３に記載の固体作像装置。 - 【請求項５】 前記酸化シリコンの層の厚さは、約０．
５μｍから１．５μｍまでの範囲内である請求項４に記
載の固体作像装置。 - 【請求項６】 前記窒化シリコンの層の厚さは、約０．
０５μｍから０．１５μｍまでの範囲内である請求項４
に記載の固体作像装置。 - 【請求項７】 前記光センサ配列は、複数の光センサ本
体と、前記上側導電層と各々の光センサ本体との間に設
けられている不活性化層とを含んでおり、該不活性化層
は、無機耐湿障壁層と、有機誘電体層とを含んでいる請
求項４に記載の固体作像装置。 - 【請求項８】 前記無機耐湿障壁層は、窒化シリコンを
含んでおり、前記有機誘電体層は、ポリイミドを含んで
いる請求項７に記載の固体作像装置。 - 【請求項９】 前記障壁層の厚さは、約１μｍ以下であ
る請求項４に記載の固体作像装置。 - 【請求項１０】 前記上側導電層は、酸化インジウム錫
を含んでいる請求項４に記載の固体作像装置。 - 【請求項１１】 前記第１の層内の前記酸化シリコン
は、１．５≦ｘ≦２として、ＳｉＯx を含んでいる請求
項４に記載の固体作像装置。 - 【請求項１２】 前記第２の層内の前記窒化シリコン
は、１≦ｙ≦１．３３として、ＳｉＮy を含んでいる請
求項４に記載の固体作像装置。 - 【請求項１３】 前記第１の層内の前記酸化シリコン
は、約１．４から１．５までの光屈折率を有している請
求項４に記載の固体作像装置。 - 【請求項１４】 前記第２の層内の前記窒化シリコン
は、約１．８から２．３までの光屈折率を有している請
求項４に記載の固体作像装置。 - 【請求項１５】 前記シンチレータは、沃化セシウムを
含んでおり、該沃化セシウムは、前記上側導電層の上に
設けられている複数の針形構造として設けられている請
求項４に記載の固体作像装置。 - 【請求項１６】 入射Ｘ線の吸収により発生された光子
を検出する放射線作像装置であって、 基板上に設けられている複数の非晶質シリコンの感光体
と、該感光体の上に設けられている上側導電層とを有し
ている光センサ配列であって、該配列は更に、前記上側
導電層と前記複数の感光体との間に設けられている不活
性化層を含んでおり、該不活性化層は、無機耐湿障壁層
と、有機誘電体層とを含んでいる、光センサ配列と、 当該シンチレータ内で発生された光子が前記光センサ配
列内を通過するように前記光センサ配列に光学的に結合
されている針構造シンチレータと、 前記光センサ配列と前記シンチレータとの間に同形に設
けられている光センサ配列障壁層であって、該配列障壁
層は、約３μｍ未満の最大の厚さを有しており、湿気に
対して実質的に不透過であると共に光学的に非拡散性で
あるように構成されている、光センサ配列障壁層とを備
えた放射線作像装置。 - 【請求項１７】 前記配列障壁層は、窒化シリコンを含
んでいる請求項１６に記載の放射線作像装置。 - 【請求項１８】 前記配列障壁層は、第１及び第２の層
を含んでおり、前記配列障壁層の前記第１の層は、前記
上側導電層に隣接して設けられていると共に、前記第２
の層は、前記第１の層の上に設けられており、前記第１
の層は、酸化シリコンを含んでいると共に、前記第２の
層は、窒化シリコンを含んでいる請求項１７に記載の放
射線作像装置。 - 【請求項１９】 前記第１の層は、約０．５μｍから
１．５μｍまでの範囲内の厚さを有している請求項１８
に記載の放射線作像装置。 - 【請求項２０】 前記第２の層は、約０．０５μｍから
０．１５μｍまでの範囲内の厚さを有している請求項１
９に記載の放射線作像装置。 - 【請求項２１】 前記上側導電層は、酸化インジウム錫
を含んでいる請求項２０に記載の放射線作像装置。 - 【請求項２２】 非晶質シリコン作像装置に耐湿障壁を
作成する方法であって、 その上に沈積された上側導電層を有している光センサ配
列を基板上に形成する工程と、 前記上側導電層の上に光センサ配列障壁層を沈積する工
程であって、前記障壁層が３μｍ未満の最大の厚さを有
するようにすると共に前記障壁層が前記上側導電層の形
状と実質的に一致するようにする、光センサ配列障壁層
を沈積する工程とを備えており、 前記配列障壁層を沈積する工程は、 酸化シリコンを含んでいる第１の層を形成する工程であ
って、前記酸化シリコンは、約２５０℃未満の温度で沈
積される、第１の層を形成する工程と、 前記第１の層の上に窒化シリコンを含んでいる第２の層
を形成する工程とを含んでいる、非晶質シリコン作像装
置に耐湿障壁を作成する方法。 - 【請求項２３】 前記第１の層を形成する工程は、シリ
コン源ガスとしてテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を
用いて前記酸化シリコンを適用する工程を更に含んでい
る請求項２２に記載の方法。 - 【請求項２４】 前記第２の層を形成する工程は、プラ
ズマ強化化学反応気相成長法で前記窒化シリコンを適用
する工程を更に含んでいる請求項２３に記載の方法。 - 【請求項２５】 前記第１の層は、前記酸化シリコンが
約０．５μｍから１．５μｍまでの範囲内の厚さを有す
るように沈積される請求項２３に記載の方法。 - 【請求項２６】 前記第２の層は、前記窒化シリコンが
約０．０５μｍから０．１５μｍまでの範囲内の厚さを
有するように沈積される請求項２５に記載の方法。 - 【請求項２７】 前記光センサ配列を形成する工程は、 複数の非晶質シリコン感光体を形成する工程と、 前記複数の感光体の上に、無機耐湿障壁層と、有機誘電
体層とを含んでいる不活性化層を形成する工程と、 前記不活性化層の上に前記上側導電層を沈積する工程と
を更に含んでいる請求項２４に記載の方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US099370 | 1993-07-29 | ||
| US08/099,370 US5463225A (en) | 1992-06-01 | 1993-07-29 | Solid state radiation imager with high integrity barrier layer and method of fabricating |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0755947A true JPH0755947A (ja) | 1995-03-03 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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| EP (1) | EP0637084B1 (ja) |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002524841A (ja) * | 1998-08-11 | 2002-08-06 | トリクセル エス．アー．エス． | 寿命が延長された固体放射線検出器 |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5641984A (en) * | 1994-08-19 | 1997-06-24 | General Electric Company | Hermetically sealed radiation imager |
| JPH0964325A (ja) * | 1995-08-23 | 1997-03-07 | Sony Corp | 固体撮像素子とその製造方法 |
| US5892222A (en) * | 1996-04-18 | 1999-04-06 | Loral Fairchild Corporation | Broadband multicolor photon counter for low light detection and imaging |
| US5827757A (en) * | 1996-07-16 | 1998-10-27 | Direct Radiography Corp. | Fabrication of large area x-ray image capturing element |
| US6037609A (en) | 1997-01-17 | 2000-03-14 | General Electric Company | Corrosion resistant imager |
| US5895936A (en) * | 1997-07-09 | 1999-04-20 | Direct Radiography Co. | Image capture device using a secondary electrode |
| US6031234A (en) * | 1997-12-08 | 2000-02-29 | General Electric Company | High resolution radiation imager |
| US6143638A (en) * | 1997-12-31 | 2000-11-07 | Intel Corporation | Passivation structure and its method of fabrication |
| US6066566A (en) * | 1998-01-28 | 2000-05-23 | International Business Machines Corporation | High selectivity collar oxide etch processes |
| US6172371B1 (en) | 1998-06-15 | 2001-01-09 | General Electric Company | Robust cover plate for radiation imager |
| CN1272639C (zh) * | 1998-06-18 | 2006-08-30 | 浜松光子学株式会社 | 闪烁体面板 |
| US6130422A (en) * | 1998-06-29 | 2000-10-10 | Intel Corporation | Embedded dielectric film for quantum efficiency enhancement in a CMOS imaging device |
| US6146489A (en) * | 1998-11-19 | 2000-11-14 | General Electric Company | Method and apparatus for depositing scintillator material on radiation imager |
| US6348693B1 (en) * | 1999-09-16 | 2002-02-19 | Xerox Corporation | X-ray imager and its method of fabrication |
| US6414315B1 (en) * | 1999-10-04 | 2002-07-02 | General Electric Company | Radiation imaging with continuous polymer layer for scintillator |
| US6384461B1 (en) * | 1999-10-15 | 2002-05-07 | Xerox Corporation | Dual dielectric structure for suppressing lateral leakage current in high fill factor arrays |
| US6465824B1 (en) * | 2000-03-09 | 2002-10-15 | General Electric Company | Imager structure |
| US7141803B2 (en) | 2000-09-11 | 2006-11-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel, radiation image sensor and methods of producing them |
| JP4731791B2 (ja) * | 2000-09-11 | 2011-07-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線イメージセンサおよびその製造方法 |
| SE519875C2 (sv) * | 2000-11-02 | 2003-04-15 | Xcounter Ab | Scintillatorbaserad metod och detektor med två-dimensionell matris av detektorelement |
| US6541774B1 (en) * | 2000-11-03 | 2003-04-01 | General Electric Company | Radiation imager cover |
| US6483115B1 (en) * | 2000-11-08 | 2002-11-19 | General Electric Company | Method for enhancing scintillator adhesion to digital x-ray detectors |
| US6657201B2 (en) | 2001-06-29 | 2003-12-02 | General Electric Company | Cover plate having spacer lip with hermetic barrier for radiation imager and method of manufacturing same |
| US6770885B2 (en) * | 2001-08-29 | 2004-08-03 | General Electric Company | Systems and methods for detecting ionizing radiation with an imaging system |
| US7473903B2 (en) * | 2003-02-12 | 2009-01-06 | General Electric Company | Method and apparatus for deposited hermetic cover for digital X-ray panel |
| US7339177B2 (en) * | 2003-06-19 | 2008-03-04 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Radiation detector |
| US7205716B2 (en) * | 2003-10-20 | 2007-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US6898265B1 (en) * | 2003-11-20 | 2005-05-24 | Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc | Scintillator arrays for radiation detectors and methods of manufacture |
| US20060127817A1 (en) * | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Eastman Kodak Company | In-line fabrication of curved surface transistors |
| DE102010004890A1 (de) * | 2010-01-18 | 2011-07-21 | Siemens Aktiengesellschaft, 80333 | Photodiodenarray, Strahlendetektor und Verfahren zur Herstellung eines solchen Photodiodenarrays und eines solchen Strahlendetektors |
| US9031195B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-05-12 | General Electric Company | Imaging detector and methods for image detection |
| JP2014003183A (ja) * | 2012-06-19 | 2014-01-09 | Canon Inc | 検出装置及び放射線検出システム |
| TWI659223B (zh) * | 2018-04-12 | 2019-05-11 | 晶相光電股份有限公司 | Ｘ射線感測裝置及其製造方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55129782A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-07 | Hitachi Medical Corp | Radiant ray detector |
| JPS59122988A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-16 | Shimadzu Corp | 放射線計測素子 |
| NL8602021A (nl) * | 1986-08-07 | 1988-03-01 | Optische Ind De Oude Delft Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een beeldopneeminrichting voor radiografische toepassingen. |
| DE3789846T2 (de) * | 1986-10-07 | 1994-09-22 | Canon Kk | Bildablesesystem. |
| US4982095A (en) * | 1987-09-04 | 1991-01-01 | Hitachi, Ltd. | Multi-element type radiation detector |
| JPH0658440B2 (ja) * | 1987-11-17 | 1994-08-03 | コニカ株式会社 | 保護層を有する蛍光体パネル |
| US5101285A (en) * | 1989-07-24 | 1992-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device having an improved illuminating system and information processing apparatus mounting the device |
| US5153438A (en) * | 1990-10-01 | 1992-10-06 | General Electric Company | Method of forming an x-ray imaging array and the array |
| US5187369A (en) * | 1990-10-01 | 1993-02-16 | General Electric Company | High sensitivity, high resolution, solid state x-ray imaging device with barrier layer |
| JPH05152210A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-18 | Toshiba Ceramics Co Ltd | サセプタ |
| US5254480A (en) * | 1992-02-20 | 1993-10-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for producing a large area solid state radiation detector |
| US5233181A (en) * | 1992-06-01 | 1993-08-03 | General Electric Company | Photosensitive element with two layer passivation coating |
| US5401668A (en) * | 1993-09-02 | 1995-03-28 | General Electric Company | Method for fabrication solid state radiation imager having improved scintillator adhesion |
-
1993
- 1993-07-29 US US08/099,370 patent/US5463225A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-05-12 JP JP09831694A patent/JP3635105B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-07-25 DE DE69417317T patent/DE69417317T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-07-25 EP EP94305466A patent/EP0637084B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-06-02 US US08/459,223 patent/US5585280A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002524841A (ja) * | 1998-08-11 | 2002-08-06 | トリクセル エス．アー．エス． | 寿命が延長された固体放射線検出器 |
| JP4761620B2 (ja) * | 1998-08-11 | 2011-08-31 | トリクセル エス．アー．エス． | 寿命が延長された固体放射線検出器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5585280A (en) | 1996-12-17 |
| EP0637084A1 (en) | 1995-02-01 |
| US5463225A (en) | 1995-10-31 |
| DE69417317D1 (de) | 1999-04-29 |
| JP3635105B2 (ja) | 2005-04-06 |
| DE69417317T2 (de) | 1999-10-14 |
| EP0637084B1 (en) | 1999-03-24 |
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