KR100483314B1

KR100483314B1 - 디지털 엑스레이 이미지 디텍터

Info

Publication number: KR100483314B1
Application number: KR10-2002-0015917A
Authority: KR
Inventors: 남상희; 이형원; 안상호; 조흥래; 박지군; 강상식; 석대우; 조성호
Original assignee: 학교법인 인제학원; 남상희
Priority date: 2002-03-23
Filing date: 2002-03-23
Publication date: 2005-04-15
Also published as: KR20020035052A; WO2003081281A1; US20040200972A1; AU2002367796A1

Abstract

본 발명은 디지털 X-레이 이미지 디텍터에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는 X-레이 이미지 디텍터에 있어서, 방사선에 반응하여 전자, 정공쌍을 발생시키는 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층을 X-레이 리셉터로 하는 것을 특징으로 하는 디지털 X-레이 이미지 디텍터에 관한 것이다.

이를 위해 본 발명은 방사선을 검출하는 장치에 있어서, 기존의 광도전체 물질인 a-Se을 대체한 유기 전도성 폴리머를 이용하고 X-레이의 입사에 의해, 폴리머의 흡수 파장대인 가시광 영역의 빛을 발산하는 형광층을 접합하여 광도전체적 특성을 가진 폴리머의 전기적 신호를 검출하는 X-레이 이미지 디텍터를 특징으로 한다.

Description

디지털 엑스레이 이미지 디텍터{DIGITAL X-RAY IMAGE DETECTOR}

상기 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층은 폴리파라페닐렌비닐렌유도체, 폴리티오펜유도체, 폴리파라페닐렌유도체, 폴리실란유도체, 폴리아세틸렌유도체, 폴리비닐카르바졸 등 폴리플루오렌유도체로 구성되는 고분자계인 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 디텍터이다.

특히 상기 X-레이 이미지 디텍터는 방사선에 감응하여 빛을 발생시키는 텅스텐산 칼슘 또는 희토류계 형광물질 그리고 CsI:Na, CsI:Tl 또는 ZnS:Ag,Cl ZnS:Cu,Al Y2O2S:Eu ZnS:Ag,Cl+CoO,Al2O3 Y2O2S:Eu+Fe2O3 Y2O3:Eu ZnS:Ag,Al Zn2SiO5:Mn Y2O2S:Tb 물질을 상기 제2전극층 위에 형광층으로 위치시키는 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 디텍터에 관한 것이다.

일반적으로 디지털 X-레이 이미지 디텍터는, 인체를 투과한 방사선을 검출하여 영상정보를 획득하는 방사선 검출장치에 있어서, 방사선의 영상정보를 전기신호로 변환시키고, 이를 검출하는 검출장치를 의미한다.

종래기술방식에 있어서, X-레이 이미지 디텍터는 무기물인 a-Se, PbI2, HgI2, CdZnTe, TlBr 등을 X-레이 리셉터로 사용하고 있으며, 물리적 지지체인 기판상에 제1 전극을 형성시키고, 상기 제1 전극상에 무기 X-레이 리셉터인 셀레늄 등을 형성시키며, 다시 상기 X-레이 리셉터상에 제2 전극을 형성시킨 구조를 가진다.

일반적으로 이용되는 X-레이 이미지 디텍터의 종류는 전기적 신호의 변환 방식에 따라 직접 방식과 간접 방식으로 구분되는데, 적은 방사선량에 의해 전기적 신호 발생량을 증가시킴으로써 디지털 방사선 검출 장치를 개발하기 위한 방법인 직접방식의 경우 입사되는 방사선의 흡수량을 증가시키기 위해 X선 리셉터인 광도전체 층을 수 백㎛ 이상 형성시킴으로써 수행하고 있다. 하지만 이는 광도전층에서 발생된 전기적 신호 발생량을 검출하기 위해 인가하는 전압에 있어 수 kV DC 정도의 고전장을 형성해야 함으로, 광도전체의 절연 파괴 및 고전압에 의한 Readout을 위한 IC Chip의 고장 등의 문제점이 있다.

자세하게는 종래기술방식의 무기 X-레이 리셉터층에서 발생된 전기적 신호를 검출하기 위하여 일반적으로 인가하는 전압은 10V/㎛의 고전압을 인가한다. X-레이 리셉터의 두께가 수 백 ㎛라고 가정할 때 수 kV DC 정도의 고전압을 인가시켜야한다. 리셉터 내부에 defect가 존재하거나 두께가 얇은 부분에서 electric field concentration(전기장 집중)이 일어나 회로단의 pixel이 파손되거나 검출기 panel 자체가 파손되는 가능성이 있다. 고전압을 인가함으로 인해 검출기 panel의 수명 또한 줄어들게 되는 문제점이 있다.

또한 셀레늄 등의 종래기술방식의 X-레이 리셉터들은 무기물이어서 증착이 어렵고, 증착 후 고형화되어 유연성이 없으며, 큰 면적의 X-레이 이미지 디텍터를 제조하기가 힘들다는 문제점이 있다.

즉, 일반적으로 널리 이용되고 있는 디지털 방사선 검출 장치에서 엑스선 리셉터로서 사용되는 무기 광도전체 물질은 진공 상태에서 열 증착 공정 또는 crystal growing이 필수적인데, 방사선 검출 장치의 엑스선 리셉터 두께의 균일성은 영상의 화질과 직접적으로 관련이 있을 뿐 아니라 전기장을 형성하기 위해 인가한 고전압을 견디기 위해서도 엑스선 리셉터 두께는 균일해야 함에도 불구하고, 이러한 열 진공 증착 방법에서는 엑스선 리셉터의 두께를 균일하게 제작하는 것이 어렵다는 문제점이 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 Passive matrix 패널 베이스 및 Active matrix TFT 패널 베이스의 디지털 방사선 검출장치의 개발에 있어, 광민감도(photosensitivity)가 좋으며 다이나믹 레인지(dynamic range)가 넓을 뿐 아니라 대면적 도포가 가능하고 인체에 무해한 유기물 전도성 폴리머를 X-레이 리셉터로 사용한 디지털 X-레이 이미지 디텍터를 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한 가시광 영역의 파장대에서 그 흡수효율이 높으며 흡수한 빛에 의해 광전류를 흐르게 하는 유기 전도성 폴리머의 특성에 따라, 입사되는 방사선에 의해 가시광을 발생시키는 형광층을 접합시켜 상기 유기 전도성 폴리머층의 방사선 검출특성을 향상시킨 X-레이 이미지 디텍터를 제공하는 것을 목적으로 한다.

그리고, 유기 전도성 폴리머의 낮은 인가전원 특성을 이용한 X-레이 이미지 디텍터를 제공하는 것을 목적으로 한다.

이에 따라 X-레이 리셉터층의 절연파괴 및 고전압에 의한 TFT 소자의 파손이 방지되는 X-레이 이미지 디텍터를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위하여 안출된 것으로써 , X-레이 이미지 디텍터에 있어서, 물리적인 지지체인 절연성 기판과, 상기 기판상면에 형성된 전하수집전극인 제 1전극층과, 상기 제 1전극층상면에 형성되고 방사선 또는 가시광선에 의하여 전자, 정공쌍을 발생시키는 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층과, 상기 유기 전도성 폴리머층 상면에 형성된 제 2전극층과, 상기 제 2전극상면 또는 상기 기판하면에 위치한 형광층과, 상기 기판에서 상기 제 1전극과 접속되어 상기 유기 전도성 폴리머층에서 방사선에 의하여 발생된 전기적 영상 신호를 검출하는 리드아웃(Readout) 장치로 구성되는 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 디텍터를 기술적 요지로 한다.

그리고 상기 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층은, 폴리파라페닐렌비닐렌유도체, 폴리티오펜유도체, 폴리파라페닐렌유도체, 폴리실란유도체, 폴리아세틸렌유도체, 폴리비닐카르바졸 등 폴리플루오렌유도체로 구성되는 고분자계인 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 디텍터로 되는 것이 바람직하다.

또한 상기 유기 전도성 폴리머층은, 입사되는 방사선에 의해 형광층에서 생성된 빛 광자를 흡수하여 발생시킨 전자,정공쌍을 검출수율을 향상시키기 위하여 +극이 인가되는 전극에 접하여 형성되며 전자친화력이 큰 물질인 C60, CN-PPV, perylene로 구성된 전자억셉터층과, -극이 인가되는 전극에 접하여 정공을 끌어당기는 정공억셉트층이; 상하에 형성되는 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 디텍터로 되는 것이 바람직하다.

그리고 상기 형광층은 방사선에 감응하여 가시광 영역 파장의 빛을 발생시키는 CsI:Na, CsI:Tl 물질 또는 ZnS:Ag,Cl ZnS:Cu,Al Y2O2S:Eu ZnS:Ag,Cl+CoO,Al2O3 Y2O2S:Eu+Fe2O3 Y2O3:Eu ZnS:Ag,Al Zn2SiO5:Mn Y2O2S:Tb 로 형성되는 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 디텍터로 되는 것 역시 바람직하다.

또한 상기 제 1전극은, 음극 전극이 인가되며 전자를 잘 공급하는 ITO로 구성되는 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 디텍터로 되는 것이 바람직하다.

뿐만 아니라 상기 제 2전극은, 양극 전극이 인가되며 정공를 잘 공급하는 Al, Ca, Mg, Au, Ba, In등의 일함수가 낮은 금속으로 구성되는 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 디텍터로 되는 것이 바람직하다.

또한 상기 리드아웃 장치는 TFT패널 또는 패시브 매트릭스 패널인 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 디텍터로 되는 것이 바람직하다.

이하 도면과 함께 본 발명의 상세한 설명을 하기로 한다.

도 1은 본 발명에 따른 디지털 X-레이 이미지 디텍터 중 TFT panel을 read-out 장치로 이용한 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 디지털 X-레이 이미지 디텍터 중 Passive matrix panel을 read-out 장치로 이용한 구조도이며, 도 3는 본 발명에 따른 디지털 X-레이 이미지 디텍터의 2차전극 상면에 형광체과 형성된 구조도이고, 도 4는 본 발명에 따른 디지털 X-레이 이미지 디텍터의 기판 하면에 형광체가 형성된 구조도이며, 도 5는 본 발명에 따른 디지털 X-레이 이미지 디텍터의 유기 전도성 폴리머층의 적층구조도이고, 도 6은 본 발명에 따른 디지털 X-레이 이미지 디텍터의 유기 전도성 폴리머인 MEH-PPV:C60의 파장대별 광민감도를 측정한 그래프이고, 도 7은 대표적 형광층 물질인 ZnS:Ag의 파장별 발광 스펙트럼이다.

도1은 본 발명에 의한 X-레이 이미지 디텍터의 층상구조의 일례로서, 능동소자(Active matrix) TFT 패널(150)을 베이스로 구성된 X-레이 이미지 디텍터의 단면구조도이다.

도1에 도시된 바와 같이 본 발명은, 크게 절연성 기판(100)과, 제1 전극층(400)과, 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층(200)과, 제2 전극층(300) 그리고 형광층(500)으로 구성된다.

상기 절연성 기판(100)은 TFT(150)셀 배열에 의한 패널이 형성되고 상기 제1 전극층(400), 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층(200), 제2 전극층(300)의 물리적인 지지체가 된다.

상기 절연성 기판(100)의 TFT(150) 패널구조나 기능, 재료는 종래의 무기 X-레이 리셉터를 이용한 X-레이 이미지 디텍터의 TFT 패널기판과 다를 바 없으므로 자세한 설명을 생략하기로 한다.

도2는 또 다른 리드아웃장치인 패시브 매트릭스(Passive matrix) 패널 베이스에 형성된 X-레이 이미지 디텍터의 단면구조도이다.

도2에서 도시된 바와 같이 패시브 매트릭스 패널에서는 제1 전극층(400)과 제2 전극층(300)은 유기 전도성 폴리머층(200)을 가운데 둔 샌드위치 구조를 가지며 각각의 전극들은 스트립 형태로 서로 교차하여 위치한다.

상기 제1 전극층(400)과 상기 제2 전극층(300)에 전원이 인가될 때, 서로 교차하는 지점이 X-레이 이미지를 검출하는 단위 픽셀이 되고, X-레이의 강약에 따른 영상의 전기적 신호를 발생시킨다.

도3과 도4는 형광층(500) 위치에 따른 유기 전도성 폴리머 X-레이 이미지 디텍터의 단면도이다.

도면에 도시된 바와 같이 상기 형광층(500)은 상기 제2 전극층(300) 상면 또는 상기 기판(100) 하면에 위치되어 형성된다.

상기 제1 전극층(400)은 전하를 수집하는 TFT(150)의 수집전극으로 형성된다.

한편, 상기 제1 전극층(400)은 상기 기판(100)과 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층(200) 사이에 형성되고, 전자 인젝터(electron injector)의 기능을 하도록, 일함수가 높고 투명한 ITO(indium tin oxide)와 같은 물질로 이루어진다.

상기 제2 전극층(300)은 상기 유기 전도성 고분자층(200) 상면에 형성되고 정공 인젝터(hole injector)의 기능을 하며 일함수가 낮은 알루미늄 또는 인듐, 칼슘, 바륨, 마그네슘등의 금속 또는 이들의 합금으로 이루어진다.

상기 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층(200)은 방사선에 의하여 전자와 정공을 발생시키는 X-레이 리셉터이다.

상기 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층(200)은 폴리파라페닐렌비닐렌유도체, 폴리티오펜유도체, 폴리파라페닐렌유도체, 폴리실란유도체, 폴리아세틸렌유도체, 폴리비닐카르바졸 등 폴리플루오렌유도체로 구성되는 유기고분자로 되는 것이 바람직하다.

즉, 상기 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층(200)은 방사선에 의해 전자와 정공쌍을 발생시키는 유기 고분자 물질로서, 상기 발생된 전자와 정공쌍은 TFT의 수집전극을 통하여 포집되어 TFT를 통한 전자신호로 검출된다.

상기 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층은 종래기술의 무기물 X-레이 리셉터인 a-Se(비정질 셀레늄)등의 대체 물질인데, 하나 또는 그 이상의 CONJUGATED POLYMER(중합체)로 구성된다.

상기 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층은 광의 파장에 따라 반응특성을 달리하나 주로 가시광선의 영역에서 가장 민감하게 반응하고 있으며 X-레이의 파장대에서는 반응성이 약하다.

또한 상기 유기 전도성 폴리머층(200)은 단일물 단층구조일 때에는 발생된 전자 정공쌍의 흡수수율이 낮다.

따라서 본 발명에서는 도 5의 구조에서 보듯이 유기 전도성 폴리머층(200)을 다시 여러 층으로 구조화하여 수율을 향상시킨다.

즉, C60이라는 전자 친화력이 강한 물질을 (+)전극이 인가되는 제 2전극 하단에 전자억셉터로 형성시켜 폴리머층(200)에서 발생된 전자를 (+)극으로 잘 전달되게 한다.

C60과 같은 역할을 하는 전자 친화력이 강한 전자 억셉터 물질의 종류에는 CN-PPV, C60 폴리머, perylene 등이 있다.

한편 유기 전도성 폴리머 자체로는 정공억셉터층이 된다.

뿐만 아니라, 상기 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층(200)은 전자억셉터층을 형성시키는 고분자 물질과 정공억셉터층을 형성시키는 고분자물질을 혼합하여 층상 구조가 아닌 X-레이 리셉터로 구성시킬 수도 있다.

X-레이 리셉터를 구성하는 유기 전도성 폴리머의 대표적인 CONJUGATED POLYMER의 종류에는 상기 POLYACETYLENE, POLYISOTHIANAPHENE, POLY(PARAPHENYLENE), POLY(PHENYLENE VINYLENE) ("PPV")등이 있다.

상기 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층을 구성하는 유기고분자의 대표물질인 PPV는 다시 PPV 의 alkoxy 유도체에 따라 다음과 같은 종류가 있다.

poly(2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenylene vinylene)("MEH-PPV")

poly(2,5-dimethoxy-p-phenylene vinylene)("PDMPV")

poly(2,5-bis(c-holestanoxy)-1,4-phenylene vinylene)("BCHA-PPV")

polythiophene

poly(3-alkylthiophenes)("P3AT")

polycarbazone

poly(1,6-hep-tadiyne)

polyquinoline

polyanilines("PANI")

본 발명에 이용되는 상기 유기 전도성 고분자들은 용매에 녹일 수 있어서 X-레이 리셉터층의 제조가 용이해진다.

유기 고분자의 성형방법으로는 공지의 spin-coating 방법이 있으며, spin-coating 방법으로 층을 형성시킴으로써, X-레이 리셉터의 두께를 균일하게 제작할 수 있다는 큰 장점을 지니고 있다.

도 6은 본 발명에 따른 디지털 X-레이 이미지 디텍터의 유기 전도성 폴리머인 MEH-PPV:C60의 파장대별 광민감도를 측정한 그래프이다.

도6에 나타난 바와 같이 상기 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층(200)의 반응특성을 살펴보면, 기존 디지털 방사선 검출 장치에서 엑스선 리셉터로 사용된 비정질 셀레늄과 마찬가지로 방사선에 의하여 전자와 정공쌍을 발생시키기도 하나, 가시광선의 영역에서 더욱 많은 전자와 정공쌍을 발생시킨다.

유기 전도성 폴리머(POLYMER)층(200)을 디지털 X-레이 리셉터로 사용하는 본 발명의 또 다른 특성은 상기 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층(200)의 가시광선 영역의 우수한 반응 특성을 이용하는 것으로써, 영상정보를 내포한 방사선을 가시광선으로 변환시키고 이 가시광선에 대한 X-레이 리셉터 (유기 전도성 폴리머층)의 전기적 변화량을 검출하여 X-레이 이미지 디텍터로 제작하는 것이다.

즉, 상기 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층(200)의 반응성은 가시광선 영역에서 더 우수한 특성을 가지므로 상기 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층(200)의 상면 또는 하면에 방사선에 반응하여 가시광선을 발생시키는 형광층(500)을 형성시키고, 상기 형광층(500)에서 발생된 가시광선에 대한 상기 유기 전도성 폴리머층(200)의 반응을 TFT(150)등의 리드아웃 장치를 통하여 검출한다.

도7은 상기 형광층(500)을 형성시키는 대표적인 물질인 ZnS:Ag의 파장별 발광 스펙트럼을 나타내고 있다.

도7에 따르면 블루 영역의 가시광을 가장 잘 발산한다.

상기 형광층(500)은 상기 유기 전도성 폴리머층(200)의 흡수 파장대 혹은 반응 파장대와 동일한 파장대의 빛을 방출하는 것이 바람직하며, 이에는 X-레이 필름의 증감지 주 원료인 CaWO4, Rare earth 계열인 Gd 계열, La 계열 형광물질이 있다.

뿐만 아니라, CsI:Na, CsI:Tl ZnS:Ag,Cl ZnS:Cu,Al Y2O2S:Eu ZnS:Ag,Cl+CoO,Al2O3 Y2O2S:Eu+Fe2O3 Y2O3:Eu ZnS:Ag,Al Zn2SiO5:Mn Y2O2S:Tb 물질 역시 상기 제2전극층 위에 형광층으로 형성시키는데 바람직한 특성을 가진다.

본 발명의 구성은 상기와 같이 이루어지는데, 상기 유기 전도성 폴리머층(200)은 종래의 발광체의 재료로 사용되는 유기 전도성 폴리머층(200)로서, 발광소자로서 구동전압이 수V에서 수십V에 불과하다는 특성은 공지된 내용이다.

따라서 감광특성을 이용하는 본 발명에 있어서도 상기 구동전압은 다를 바가 없어서 구동전압이 수V에서 수십V에 불과하다.

종래의 무기 X-레이 디텍터의 경우 X-레이 리셉터인 셀렌(Se)이 발생시킨 전자, 정공쌍을 검출하기 위하여 양단의 전극에 인가되는 전압은 10V/㎛의 고전압이어서, X-레이 리셉터의 두께가 수 백 ㎛라고 가정할 때 수 kV DC 정도의 고전압을 인가시켜야 하였다.

따라서 방사선의 감지특성을 높이기 위한 X-레이 리셉터의 두께의 상승은 지나친 고전압을 요구하여 리셉터 내부에 defect가 존재하거나 두께가 불균일하여 얇은 부분에서 electric field concentration(전기장 집중)이 일어나 회로단의 pixel이 파손되거나 검출기 panel 자체가 파손되어 X-레이 디텍터 설계에 있어서 큰 장애요소로 대두되었었다.

본 발명에 의한 유기 전도성 폴리머층(200)의 구동 전압은 무기 X-레이 리셉터에 비하여 매우 낮고, 대면적 제조가 가능하여 X-레이 디텍터의 설계 시 상기와 같은 장애요소가 해소된다.

이상 설명한 본 발명에 의하면, 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층을 X-레이 리셉터로 이용함으로써, 기존 디지털 방사선 검출 장치 제조 과정에서 큰 문제점으로 대두되었던 x-ray 리셉터 제작상의 어려움, 그리고 고전압 인가에 따른 문제점이 해결되는 이점이 있다.

또한 본 발명에 사용된 X-레이 리셉터 층은 무기물인 a-Se, PbI2, HgI2, CdZnTe, TlBr과 비교하여 값싼 유기 전도성 폴리머를 유기 용매에 액상으로 녹여 spin-coating 방법으로 제조되므로 리셉터의 두께를 균일하게 제작할 수 있고, 대면적의 제조가 가능하며, 유연성이 있는 X-레이 이미지 디텍터를 제조할 수 있어 CT와 같은 곡면 디텍터에 적용할 수 있다는 이점이 있다.

또한 X-레이 리셉터층에서 발생된 전기적 신호을 검출하기 위하여 X-레이 리셉터 양단에 인가시키는 전압을 낮게 유지시킬 수 있어 X-레이 리셉터 및 TFT 소자를 보호할 수 있는 이점이 있다.

도 1은 본 발명에 따른 디지털 X-레이 이미지 디텍터 중 TFT panel을 read-out 장치로 이용한 단면도.

도 2는 본 발명에 따른 디지털 X-레이 이미지 디텍터 중 Passive matrix panel을 read-out 장치로 이용한 구조도.

도 3는 본 발명에 따른 디지털 X-레이 이미지 디텍터의 제 2차전극 상면에 형광체가 형성된 구조도.

도 4는 본 발명에 따른 디지털 X-레이 이미지 디텍터의 기판 하면에 형광체가 형성된 구조도.

도 5는 본 발명에 따른 디지털 X-레이 이미지 디텍터의 유기 전도성 폴리머층의 적층구조도.

도 6은 본 발명에 따른 디지털 X-레이 이미지 디텍터의 유기 전도성 폴리머인 MEH-PPV:C60의 파장대별 광민감도를 측정한 그래프.

도 7은 대표적 형광층 물질인 ZnS:Ag의 파장별 발광 스펙트럼.

*도면의 주요부분에 관한 부호의 설명*

100 : 기판 200 : 유기 전도성 폴리머

300 : 제2 전극층 400 : 제1 전극층

500 : 형광층 600 : X-레이

Claims

X-레이 이미지 디텍터에 있어서,

물리적인 지지체인 절연성 기판과;

상기 기판 상면에 형성된 전하수집전극인 제 1전극층과;

상기 제 1전극층 상면에 형성되고 방사선 또는 가시광선에 의하여 전자, 정공쌍을 발생시키는 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층과;

상기 유기 전도성 폴리머층 상면에 형성된 제 2전극층과:

상기 제 2전극층 상면 또는 상기 기판 하면에 위치한 형광층과;

상기 기판에서 상기 제 1전극층과 접속되어 상기 유기 전도성 폴리머층에서 방사선에 의하여 발생된 전기적 영상 신호를 검출하는 리드아웃(Readout) 장치로 구성되는 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 디텍터.
상기 제1항에 있어서 상기 유기 전도성 폴리머(POLYMER)층은,

폴리파라페닐렌비닐렌유도체, 폴리티오펜유도체, 폴리파라페닐렌유도체, 폴리실란유도체, 폴리아세틸렌유도체, 폴리비닐카르바졸 등 폴리플루오렌유도체로 구성되는 고분자계인 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 디텍터.
상기 제 1 항에 있어서 상기 유기 전도성 폴리머층은,

입사되는 방사선에 의해 형광층에서 생성된 빛 광자를 흡수하여 발생시킨 전자,정공쌍을 검출수율을 향상시키기 위하여 +극이 인가되는 전극에 접하여 형성되며 전자친화력이 큰 물질인 C60, CN-PPV, perylene로 구성된 전자억셉터층과;

-극이 인가되는 전극에 접하여 정공을 끌어당기는 정공억셉트층이; 상하에 형성되는 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 디텍터.
상기 제1항 또는 제2항 또는 제3항에 있어서 상기 형광층은

방사선에 감응하여 가시광 영역 파장의 빛을 발생시키는 형광체를 말하며, 이는 CsI:Na, CsI:Tl 물질 또는 ZnS:Ag,Cl ZnS:Cu,Al Y2O2S:Eu ZnS:Ag,Cl+CoO,Al2O3 Y2O2S:Eu+Fe2O3 Y2O3:Eu ZnS:Ag,Al Zn2SiO5:Mn Y2O2S:Tb 로 형성되는 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 디텍터.
상기 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서 상기 제 1전극은,

음극 전극이 인가되며 전자를 잘 공급하는 ITO로 구성되는 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 디텍터
상기 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서 상기 제2 전극은,

양극 전극이 인가되며 정공를 잘 공급하는 Al, Ca, Mg, Au, Ba, In등의 일함수가 낮은 금속으로 구성되는 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 디텍터
제1항에 있어서 리드아웃 장치는, TFT패널 또는 패시브 매트릭스 패널인 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 디텍터