KR100687512B1

KR100687512B1 - Ｘ 선 검출판 및 ｘ 선 검출장치

Info

Publication number: KR100687512B1
Application number: KR1020010016249A
Authority: KR
Inventors: 시마카즈히코; 사토마사히토; 우치다나오키; 시무라요이치로; 사토켄지; 키시모토히데토시
Original assignee: 신덴겐코교 가부시키가이샤; 신덴겐 센서데바이스 가부시키가이샤; 가부시키가이샤 시마즈세이사쿠쇼
Priority date: 2000-03-29
Filing date: 2001-03-28
Publication date: 2007-02-27
Also published as: JP2001284628A; EP1139429A3; CA2342648A1; KR20010093745A; CN1157796C; CN1336785A; US20010032942A1; EP1139429A2; US6642534B2

Abstract

(과제) X 선 검출장치의 화상품질을 향상시킨다.

(해결수단) 기판 (11) 상에 배치된 제 1 전극막 (12) 의 표면에, 삼황화이안티몬을 주성분으로 하는 전하이동층 (13), 무정형 셀렌을 주성분으로 하는 X 선 검출층 (14), 및 제 2 전극막 (15) 을 순차로 형성하고, 제 1 전극막 (12) 측이 양극, 제 2 전극막 (15) 측이 음극으로 되는 극성으로 전압을 인가하고, 제 2 전극막 (15) 표면에 X 선을 조사하면, X 선 검출층 (14) 내에서 생성된 캐리어가 제 1, 제 2 전극막에 수집된다. 이 X 선 검출장치 (31) 에서는, X 선 검출층 (14) 과 전하이동층 (13) 의 계면에서 X 선 검출층 (14) 측을 애노드로 하고, 전하이동층 (13) 측을 캐소드로 하는 다이오드가 형성되어 있기 때문에, 제 1 전극막 (12) 측에서 X 선 검출층 (14) 내로 정공이 주입되지 않으므로 화상이 열화되는 일은 없다.

기판, 제 1 전극막, 전하수송층, X 선 검출층, X 선 검출판, X 선 검출장치

Description

Ｘ 선 검출판 및 Ｘ 선 검출장치{X-RAY DETECTING PLATE AND X-RAY DETECTING DEVICE}

도 1 은 본 발명의 X 선 검출판의 일례를 나타낸 도면.

도 2 는 비교예의 X 선 검출판을 나타낸 도면.

도 3 은 본 발명의 X 선 검출판의 전기적 특성을 나타낸 그래프.

도 4 는 비교예의 X 선 검출판의 전기적 특성을 나타낸 그래프.

도 5 는 다른 비교예의 X 선 검출판의 전기적 특성을 나타낸 그래프.

도 6 은 다른 비교예의 X 선 검출판의 전기적 특성을 나타낸 그래프.

도 7 는 본 발명의 X 선 검출판과 비교예의 X 선 검출판의 등가회로를 나타낸 도면.

도 8 은 본 발명의 2 차원 X 선 검출장치의 개략단면도.

도 9 는 본 발명의 2 차원 X 선 검출장치의 개략동작도.

도 10 은 본 발명의 2 차원 X 선 검출장치의 전하축적소자의 등가회로를 나타낸 도면.

도 11 은 본 발명의 2 차원 X 선 검출장치와 비교예의 MTF 측정예를 나타낸 도면.

※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

11, 81 : 기판 12, 82 : 제 1 전극막

13, 83 : 전하수송층 14, 84 : X 선 검출층

15, 85 : 제 2 전극막 31, 32, 33, 34, 40 : X 선 검출판

57 : X 선 검출장치 86 : 전하축적소자

87 : 콘덴서 88 : 트랜지스터

본 발명은 X 선 검출장치에 관한 것으로서, 특히 셀렌 (Se) 을 사용한 X 선 검출장치의 기술분야에 관한 것이다.

최근, 의료용 및 산업용의 넓은 영역에 걸쳐 X 선이나 γ선과 같은 방사선을 사용한 X 선 검출장치의 역할이 커지고 있다. 의료용에서는, 진단에 있어서의 디지털화상의 이용확대는 X 선 CT 로 대표된다. 그 외, 아날로그계 사진으로부터의 이행으로서는 DSA (디지털 서명 알고리즘) 나 막대한 수요를 갖는 일반 단순사진에 있어서의 CR (DR) 이나, 최근에는 초음파장치에 있어서도 적극적으로 디지털화가 이루어져 왔다. 거의 모든 화상영역에서 디지털화가 진행되기 시작한 배경에는 아날로그계에 필적하는 화질을 얻을 수 있게 된 점이나, 촬상기기류의 가격저하, 화상보관이나 전송시스템의 이용에 의해 얻어지는 여러 이점 등을 들 수 있다.

그 중에서 X 선 화상기록ㆍ판독방법의 확립은, 디지털화된 화상정보의 다면적 이용이나, 화상 네트워크로의 접속에 의한 진단의 효율화나 품질의 향상, 경비절감 등의 많은 이점을 들 수 있어서 시장요구가 높은 분야이다.

X 선 화상의 기록ㆍ검출에는 은염필름, 유기고분자 필름 혹은 휘진성 (輝盡性) 형광필름, 반도체소자가 이용되고 있다. 그러나, 디지털화에 대한 상술한 시장요구에 대하여, 예컨대 휘진성 형광체의 경우, X 선 에너지가 일단 축적되고, 나중에 가시광조사로 형광을 발하는 현상을 이용한 것으로서, 화상처리의 시간지연이 있기 때문에 실시간에 있어서의 화상처리에 미흡한 상황에 있다.

이와 같은 과제를 해결하기 위하여, TFT (박막 트랜지스터) 패널상의 직접변환형으로 대표되는 X 선 이미지 센서 및 주사레이저, LED 에 의한 간접형 화상판독센서에 의한 화상처리시스템 등이 개발되어 있다. 그 중에서, X 선 이미지센서용 수광체인 무정형 Se 의 특이성질을 이용한 개발이 이루어지고 있다.

Se 막의 형성기술은 진공증착법에 의한 형성기술이 일반적이며 박막형성기술로서 정착되어 있다. X 선 검출장치의 검출부분인 X 선 검출판에 요구되는 기능으로서는, X 선 미조사 (未照射) 시에 흐르는 전류량 (전하량) 이 적은 점 및 X 선 조사에 의한 전류량 (전하량) 이 많은 점, 미조사와 조사의 전환시의 응답성이 높은 점, 반복사용에 의한 전하량의 변동이 작은 점을 들 수 있다. 또한, 특히 X 선 화상검출기로서는 해상도가 좋을 것이 필수조건으로 된다.

본 발명은 상술한 X 선 검출장치에 사용되는 X 선 검출판 중, 특히 무정형 Se 를 사용한 X 선 검출판과, 이 X 선 검출판을 사용한 X 선 검출장치의 성능을 향 상시키는 것을 목적으로 한다. 종래의 무정형 Se 를 사용한 X 선 검출판은, X 선 조사에 의한 전류량 (전하량), 즉 감도를 높이는 것을 주 목표로 하여 여러 가지 구조가 고안되어 있다. 그러나, 감도상승과는 이율배반적으로 X 선 미조사시에 흐르는 전류량 (전하량), 즉 다크노이즈가 증가하거나 2 차원 X 선 검출기에 있어서는 해상도가 열화되는 현상이 발생하여, 요구되는 성능을 모두 만족시킨 X 선 검출판을 얻을 수 없는 상태에 있다.

본 발명의 제 1 의 X 선 검출판은, 절연성 기판; 상기 기판상에 형성된 제 1 전극막; 상기 제 1 전극막상에 형성된 전하수송층; 무정형 셀렌을 주성분으로 하고, 상기 전하수송층에 접하여 형성된 X 선 검출층; 및 상기 X 선 검출층상에 형성된 제 2 전극막을 갖는 X 선 검출판으로서, 상기 전하수송층은 비저항의 값이 10⁶Ωㆍ㎝ 이상 10¹²Ωㆍ㎝ 이하인 반절연성 저항체이고, 또한 상기 전하수송층과 상기 X 선 검출층 사이의 접합은 상기 전하수송층측을 캐소드로 하고, 상기 X 선 검출층측을 애노드로 하는 다이오드특성을 갖는 X 선 검출판이다.

또한, 본 발명의 제 2 의 X 선 검출판은, 절연성 기판; 상기 절연성 기판상에 형성된 복수개의 전하축적소자; 상기 복수개의 전하축적소자상에 형성되고, 상기 복수개의 전하축적소자와 각각 전기적으로 접속된 복수개의 제 1 전극막; 상기 제 1 전극막상에 형성된 전하수송층; 무정형 셀렌을 주성분으로 하고, 상기 전하수송층에 접하여 형성된 X 선 검출층; 상기 X 선 검출층상에 형성된 제 2 전하막을 갖고, 상기 복수개의 전하축적소자에 축적된 전하신호를 시계열로 차례로 판독하는 수단을 구비한 X 선 검출판으로서, 상기 전하수송층은 비저항의 값이 10⁶Ωㆍ㎝ 이상 10¹²Ωㆍ㎝ 이하인 반절연성 저항체인 X 선 검출판이다.

이 제 2 의 X 선 검출판에는, 상기 전하수송층과 상기 X 선 검출층 사이의 접합은 상기 전하수송층측을 캐소드로 하고, 상기 X 선 검출층측을 애노드로 하는 다이오드특성을 갖는 X 선 검출판이 포함된다.

본 발명의 제 1, 제 2 의 X 선 검출판은, 상기 전하수송층의 막두께는 0.01 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하이고, 상기 X 선 검출층중의 셀렌 함유율은 90 Wt% 이상인 X 선 검출판이 포함된다.

또한, 본 발명의 제 1, 제 2 의 X 선 검출판에는, 상기 전하수송층이 삼황화이안티몬 (Sb₂S₃) 을 주성분으로 하는 반절연성 저항체인 X 선 검출판이 포함된다.

또한, 본 발명의 제 1, 제 2 의 X 선 검출판에는, 상기 제 2 전극막이 금을 주성분으로 하는 금속막인 X 선 검출판이 포함된다.

또한, 본 발명의 제 1, 제 2 의 X 선 검출판에는, 상기 제 1 전극막이 투명성을 갖는 X 선 검출판이 포함된다.

또한, 본 발명의 제 1, 제 2 의 X 선 검출판에는, 투명성을 갖는 상기 제 1 전극막에 ITO (인듐ㆍ주석산화물) 막을 사용한 X 선 검출판이 포함된다.

또한, 본 발명의 제 1, 제 2 의 X 선 검출판의 상기 제 1 전극막이 투명한 경우, 상기 기판이 투명성을 갖는 X 선 검출판이 포함된다.

또한, 본 발명의 제 1 의 X 선 검출장치는, X 선 검출판, 전원, 및 X 선 조사장치를 갖고, 상기 전원으로 상기 X 선 검출판에 전압을 공급하고, 상기 X 선 조사장치로 X 선을 방사시키고, 측정대상물을 투과한 상기 X 선이 상기 X 선 검출판에 조사되어 상기 X 선 검출판에 이미지가 생성되도록 구성된 X 선 검출장치로서, 상기 X 선 검출판은, 절연성 기판; 상기 기판상에 형성된 제 1 전극막; 상기 제 1 전극막상에 형성된 전하수송층; 무정형 셀렌을 주성분으로 하고, 상기 전하수송층에 접하여 형성된 X 선 검출층; 상기 X 선 검출층상에 형성된 제 2 전극막을 갖고, 상기 전하수송층은 비저항의 값이 10⁶Ωㆍ㎝ 이상 10¹²Ωㆍ㎝ 이하인 반절연성 저항체이고, 또한 상기 전하수송층과 상기 X 선 검출층 사이의 접합이 상기 전하수송층측을 캐소드로 하고, 상기 X 선 검출층측을 애노드로 하는 다이오드특성을 갖는 X 선 검출판이고, 상기 전원은 상기 X 선이 조사될 때에 상기 제 2 전극막에 대하여 상기 제 1 전극막보다 낮은 전압을 인가하도록 구성된 X 선 검출장치이다.

본 발명의 제 2 의 X 선 검출장치는, X 선 검출판, 전원, 및 X 선 조사장치를 갖고, 상기 전원으로 상기 X 선 검출판에 전압을 공급한 상태에서 상기 X 선 조사장치로 X 선을 방사시키고, 측정대상물을 투과한 상기 X 선이 상기 X 선 검출판에 조사되어 상기 X 선 검출판에 이미지가 생성되도록 구성된 X 선 검출장치로서, 상기 X 선 검출판은, 절연성 기판; 상기 절연성 기판상에 형성된 복수개의 전하축적소자; 상기 복수개의 전하축적소자상에 형성되고, 상기 복수개의 전하축적소자와 각각 전기적으로 접속된 복수개의 제 1 전극막; 상기 제 1 전극막상에 형성된 전하 수송층; 무정형 셀렌을 주성분으로 하고, 상기 전하수송층에 접하여 형성된 X 선 검출층; 상기 X 선 검출층상에 형성된 제 2 전극막을 갖고, 상기 복수개의 전하축적소자에 축적된 전하신호를 시계열로 차례로 판독하는 수단을 구비하고, 상기 전하수송층은 비저항의 값이 10⁶Ωㆍ㎝ 이상 10¹²Ωㆍ㎝ 이하인 반절연성 저항체인 X 선 검출판이고, 상기 전원은 상기 X 선이 조사될 때에 상기 제 2 전극막에 대하여 상기 제 1 전극막보다 낮은 전압을 인가하도록 구성된 X 선 검출장치이다.

또한, 본 발명의 제 1, 제 2 의 X 선 검출장치에는, 상기 X 선 검출판에 생성된 이미지를 표시하는 표시장치를 갖는 X 선 검출장치가 포함된다.

발명의 실시형태

본 발명의 발명자들은 전류량이나 응답속도 등의 성능을 향상시키기 위하여, 기판상에 형성된 제 1 전극막과 무정형 셀렌을 주성분으로 하는 X 선 검출층 사이의 확산전위나, X 선 검출층상에 형성된 제 2 전극과 X 선 검출층 사이의 확산전위를 제 1 전극의 재료와 함께 검토하고, 장벽의 높이, 공간전하밀도를 최적화하는 기술을 연구하였다.

또한, 2 차원 매트릭스형상으로 콘덴서, 박막 트랜지스터 (TFT), 제 1 전극막이 복수개 형성된 TFT 패널상에 다른 막두께의 반절연성 전하수송층을 형성하고, 그 위에 무정형 셀렌을 주성분으로 하는 X 선 검출층과 제 2 전극을 형성한 2 차원 X 선 검출판을 제작하여, 반절연성 전하수송층의 막두께에 대한 X 선 화상의 해상도를 비교하였다.

먼저, 본 발명의 X 선 검출판의 실시예를 설명한다. 일례로서, 유리기판상에 제 1 전극막으로서 ITO 를, 전하수송층으로서 삼황화이안티몬을, X 선 검출층으로서 무정형 셀렌을, 제 2 전극막으로서 금을 각각 적용한 X 선 검출장치를 사용하였다. 단, 본 발명은 이 예로 한정되는 것은 아니다.

진공증착장치의 진공조내에 삼황화이안티몬을 실은 스테인리스 보드, 셀렌을 실은 스테인리스 보드, 및 금이 실린 스테인리스 보드를 배치하고, 미리 ITO 로 이루어지는 제 1 전극막이 형성된 유리제 기판을 진공조내 반입하고, 소정 압력까지 진공배기한 후, 저항발열체에 의해 삼황화이안티몬을 가열하여 진공조내에 삼황화이안티몬의 증기를 방출시키고, 제 1 전극막 표면에 막두께 3 ㎛ 의 삼황화이안티몬 박막으로 이루어지는 전하수송층을 형성하였다.

이어서, 삼황화이안티몬의 증기방출을 정지시키고, 마찬가지로 셀렌을 가열하여 진공조내로 셀렌증기를 방출시키고, 막두께 500 ㎛ 의 무정형 셀렌박막으로 이루어지는 X 선 검출층을 전하검출층의 표면에 형성하였다.

이어서, 셀렌증기의 방출을 정지시키고, 금을 가열하여 진공조내로 금증기를 방출시키고, 막두께 0.1 ㎛ 의 금박막으로 이루어지는 제 2 전극막을 X 선 검출층의 표면에 형성하여 진공조 밖으로 꺼낸다.

도 1 의 부호 31 은 상기 공정에 의해 얻어진 본 발명의 제 1 실시예의 X 선 검출판을 나타내며, 기판 (11) 상에 제 1 전극막 (12), 전하수송층 (13), X 선 검출층 (14), 및 제 2 전극막 (15) 이 순차로 형성되어 있다.

이 X 선 검출판 (31) 의 제 1 전극막 (12) 과 제 2 전극막 (15) 사이에 전원 (22) 을 접속하고, 전압을 인가하여 전기적 특성을 측정하였다. 그 측정결과를 도 3 에 나타내었다. 제 2 전극막에 음전압을 인가한 경우에는 전류가 흐르지 않고, 양전압을 인가한 경우에 전류가 흐름을 알 수 있다.

비교를 위하여, ITO 로 이루어지는 제 1 전극막 (12) 의 표면에 무정형 셀렌으로 이루어지는 X 선 검출층 (14) 을 직접 형성하고, 이어서 이 X 선 검출층 (14) 의 표면에 금속막으로 이루어지는 제 2 전극막 (15) 을 직접 형성하고, 도 2a 에 나타낸 바와 같은 구조의 X 선 검출판 (32) 을 제작하였다. 이 X 선 검출판 (32) 은 전하수송층을 갖고 있지 않다.

이 소자 (32) 의 전기적 특성을 측정한 결과, 도 4 에 나타낸 바와 같이 양음의 어느 방향으로나 전류가 흘렀다. 이 전류의 파형으로부터, 도 2a 에 나타낸 X 선 검출판 (32) 은 도 7b 에 나타낸 바와 같이 2 개의 다이오드 (41,42) 를 역병렬접속한 등가회로로 나타낼 수 있다. 이 다이오드 (41,42) 의 역병렬 접속회로는 무정형 셀렌 내부의 물성 (物性) 으로 생각된다.

이어서, 유리제 기판 (11) 상에 ITO 로 이루어지는 제 1 전극막 (12), 삼황화이안티몬을 주성분으로 하는 전하수송층 (13), 및 금박막으로 이루어지는 제 2 전극막 (15) 을 순차로 형성하고, 도 2b 에 나타낸 바와 같이 X 선 검출층을 갖지 않는 구조의 X 선 검출판 (33) 을 제작하였다.

이 X 선 검출판 (33) 의 전기적 특성을 측정하면, 도 5 에 나타낸 바와 같이 저항특성을 나타내었다. 비저항의 값은 10⁸Ωㆍ㎝ 였다. 따라서, 도 2b 에 나타낸 X 선 검출판 (33) 의 등가회로는, 도 7c 에 나타낸 바와 같이 저항성분 (44) 으로 나타낼 수 있다. 이 저항성분 (44) 은 삼황화이안티몬층 내부의 물성으로 생각된다.

제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 은, 무정형 셀렌으로 이루어지는 X 선 검출층 (14) 과 삼황화이안티몬을 주성분으로 하는 전하수송층 (13) 이 적층되어 있기 때문에, 도 7b 의 2 개의 다이오드 (41,42) 가 역병렬접속된 회로와 도 7c 의 저항성분 (44) 을 갖고 있다.

또한 도 3 에 나타낸 바와 같이, 제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 전체에서 다이오드특성이 관찰되기 때문에, 결국 X 선 검출판 (31) 은 도 7a 에 나타낸 바와 같이 다이오드 (41,42) 의 역병렬 접속회로, 저항성분 (44), 및 역저지 다이오드 (43) 가 직렬접속된 등가회로를 갖고 있다.

이 역저지 다이오드 (43) 의 애노드는 제 2 전극막 (15) 측을 향하고 있고, 캐소드는 제 1 전극막측을 향하고 있다.

도 1 의 제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 의 구조 및 도 2a, 2b 의 X 선 검출판 (32,33) 의 구조를 비교하면, 이 역저지 다이오드 (43) 는 X 선 검출층 (14) 과 전하수송층 (13) 의 계면의 전기특성이 나타난 것으로 생각된다.

비교를 위하여, ITO 로 이루어지는 제 1 전극막 (12) 상에 무정형 셀렌층으로 이루어지는 X 선 검출층 (14) 을 형성하고, 그 표면에 삼황화이안티몬을 주성분으로 하는 전하수송층 (13) 을 형성하였다. 전하수송층 (13) 의 표면에는 금박막으로 이루어지는 제 2 전극막 (15) 을 형성하고, 도 2c 에 나타낸 바와 같은 X 선 검출판 (34) 을 제작하였다. 이 구조의 X 선 검출판 (34) 의 전기특성은 도 6 에 나타낸 바와 같이 다이오드특성을 나타내고 있으나, X 선 검출층 (14) 과 전하수송층 (13) 의 형성순서가 본 발명의 X 선 검출판 (31) 과는 반대로 되어 있기 때문에, 본 발명의 X 선 검출판 (31) 과는 전류의 흐름 방향이 반대방향으로 되어 있다. 이 X 선 검출판 (34) 의 등가회로는 도 7d 에 나타내었다.

이어서, 본 발명의 X 선 검출장치를 설명한다. 도 9 의 부호 57 은 본 발명의 일례의 X 선 검출장치를 나타낸다.

이 X 선 검출장치 (57) 는 본 발명의 일례의 X 선 검출판 (40) 을 갖고 있다. 이 X 선 검출판 (40) 의 단면도를 도 8 에 나타낸다.

이 X 선 검출장치 (40) 은 절연성 기판 (81) 을 갖고 있으며, 이 절연성 기판 (81) 상에는 복수개의 컨덴서 (87) 와, 복수개의 박막 트랜지스터 (TFT) (88) 로 이루어지는 복수개의 전하축적소자 (86) 가 형성되어 있다.

전하축적소자 (86) 상에는 복수개의 제 1 전극막 (82) 이 형성되어 있다. 각 제 1 전극막 (82) 은 상기 복수개의 컨덴서 (87) 와 각각 전기적으로 접속되어 있다.

각 제 1 전극막 (82) 은 서로 절연되어 있으며, 그 위에 삼황화이안티몬박막으로 이루어지는 전하수송층 (83) 이 형성되어 있다.

또한, 상기 전하수송층 (83) 상에는 무정형 셀렌박막으로 이루어지는 X 선 검출층 (84) 이 형성되어 있고, X 선 검출층 (84) 의 표면에 금을 주성분으로 하는 제 2 전극막 (85) 이 더 형성되어 있다. 그리고, 상기 전하수송층 (83) 은 비저항의 값이 10⁶Ωㆍ㎝ 이상 10¹²Ωㆍ㎝ 이하인 반절연성 저항체이면, 삼황화이안티몬 이외의 물질이어도 된다.

도 10 은 상기 전하축적소자 (86) 의 등가회로를 나타낸 도면이다.

본 발명의 X 선 검출장치 (57) 는 전원 (55), X 선 조사장치 (50), 및 게이트 드라이버 (90) 를 갖고 있으며, 게이트 드라이버 (90) 에 의해 박막 트랜지스터 (88) 를 OFF 시킴과 동시에, 전원 (55) 에 의해 제 2 전극막 (85) 에 음전압을 인가한 상태에서 X 선 조사장치 (50) 로부터 X 선 (51) 을 방사시키고, 측정대상물을 투과시킨 후, 제 2 전극막 (85) 상에 조사하면, X 선 검출층 (84) 내에 측정대상물에 대응한 신호전하가 발생한다. 이 신호전하는 양전하의 홀과, 음전하의 전자로 이루어진다.

전원 (55) 이 인가하는 전압에 의해, 제 1, 제 2 전압막 (82,85) 사이에는 X 선 검출층 (84) 의 막두께방향으로 구배(句配)를 갖는 바이어스전계가 형성되어 있고, X 선 검출층 (84) 내에 발생한 신호전하는 바이어스전계에 의해 그 극성에 따라 제 1 전극막 (82) 과 제 2 전극막 (85) 으로 이동한다.

콘덴서 (87) 의 일단은 각각 제 1 전극막 (82) 에 접속되어 있고, 타단은 접지전위에 접속되어 있다. 또한, 박막 트랜지스터 (88) 는 OFF 되어 있기 때문에, 콘덴서 (87) 는 신호전하의 이동을 따라 흐르는 전류에 의해 충전된다.

본 발명의 X 선 검출장치 (57) 는, 전하-전압 변환회로 (89) 와 표시장치 (93) 를 갖고 있으며, 게이트 드라이버 (90) 에 의해 각 박막 트랜지스터 (88) 를 도통시키면, 각 콘덴서 (87) 의 고전압측의 단자는 전하-전압 변환회로 (89) 에 접속되고, 전하-전압 변환회로 (89) 에 의해 전압신호로 변환되어 표시장치 (93) 에 의해 표시된다.

도 9 는 도 8 에 나타난 X 선 검출장치 (57) 의 구성의 개략을 설명하기 위한 도면이다. 화소마다 설치된 박막 트랜지스터 (88) 의 게이트단자는 매트릭스의 행마다 공통으로 게이트 드라이버 (90) 에 접속되어 있다. 전하-전압 변환회로 (89) 내에는 복수개의 매트릭스의 열과 동수의 증폭회로 (91) 가 설치되어 있고, 박막 트랜지스터 (88) 의 드레인단자는 매트릭스의 열마다 각 증폭회로 (91) 에 접속되어 있다. 각 증폭회로 (91) 에 입력된 신호전하는 전압으로 변환되어 증폭회로 (91) 마다 멀티플렉서 (92) 로 출력된다.

멀티플렉서 (92) 에 의해 각 증폭회로 (91) 가 출력하는 신호는, 소정 시간간격으로 행열마다 1 화소씩 화상표시장치 (93) 로 보내진다. 이 화상표시장치 (93) 내에는 노이즈제거 등의 화상개선을 실행하는 화상개선회로가 설치되어 있고, 그 화상개선회로에 의해 적절한 화상처리가 실행됨과 동시에 2 차원 화상으로 재구성된 후, 화상표시장치 (93) 의 표시부분에 표시된다.

이어서, 제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 에 대하여 하기「암(暗)전류」,「신호전류」,「하강시간」,「상승시간」을 측정하였다. 측정조건은 다음과 같다.

1. 암전류

제 2 전극막 (15) 에 X 선 검출판 (31) 내부에 10 V/㎛ 의 전계가 발생하는 음전압을 인가하고, 이 상태에서 암소(暗所)에 10 분간 방치한 후의 전류값을「암전류」로서 측정하였다. 암전류값은 100 pA/㎠ 이하이면 바람직하다.

2. 신호전류

상기 암전류를 측정한 후, 암전류의 측정시와 동일한 크기의 음전압을 인가한 상태에서, 제 2 전극막 (15) 상에서 소정 강도의 X 선을 조사하고, X 선을 조사한 상태에서의 X 선 검출장치 (31) 로 흐르는 전류값을 측정하였다. 신호전류값은 70 pA/㎠ 이면 바람직하다.

전류값을 안정시키기 위하여, X 선의 조사개시부터 1 분이 경과하였을 때의 전류값을 측정하여「신호전류」로 하였다.

이 때의 X 선 조사조건은 X 선관에 인가하는 전압을 80 ㎸ 로 설정하고, X 선 검출장치 (31) 로 조사되는 X 선량을 1.8 R/min 으로 하였다.

3. 하강시간

신호전류의 측정 후, X 선의 조사를 정지하면, 흐르는 전류값은 감소한다. X 선의 조사정지시부터 흐르는 전류가「암전류」값의 10 % 로 될 때까지의 시간을「하강시간」이라 하였다. 하강시간은 0.1 sec 이하이면 바람직하다.

4. 상승시간

암전류를 측정한 후, X 선을 조사하여 신호전류를 측정하는 경우, X 선의 조사개시 후, 전류값이 증가하여 일정치 (신호전류의 크기) 로 안정된다.

이 때, X 선의 조사개시부터 흐르는 전류가 신호전류 크기의 90 % 로 될 때까지의 시간을「상승시간」이라 하였다. 상승시간은 0.1 sec 이하이면 바람직하다.

제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 의 측정결과와 후술하는 제 2 ∼ 제 7 실시예 및 제 1 ∼ 제 5 비교예의 측정결과를 아래 기재한 표에 나타낸다.

〈실시예 2〉

제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 의 제 1 전극막 (12) 을 ITO 박막이 아니라 금속막으로 구성시킨 것 이외에는, 상기 제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 과 동일한 구조인 본 발명의 제 2 실시예의 X 선 검출판을 제작하여 제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 과 동일한 내용의 측정을 실시하였다.

〈실시예 3〉

제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 의 제 1 전극막 (12) 을 ITO 박막이 아니라 알루미늄박막으로 구성시킨 것 이외에는, 상기 제 1 실시예와 동일한 구조의 제 3 실시예의 X 선 검출판을를 제작하여 실시예 1 과 동일한 내용의 측정을 실시하였다.

〈실시예 4〉

제 1 실시예의 X 선 검출장치 (31) 의 무정형 셀렌을 주성분으로 하는 X 선 검출층 (14) 의 막두께를 500 ㎛ 가 아니라 1000 ㎛ 로 한 것 이외에는, 제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 과 동일한 구조의 제 4 실시예의 X 선 검출판을 제작하여 제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 과 동일한 내용의 측정을 실시하였다.

〈실시예 5〉

제 1 실시예의 X 선 검출장치 (31) 의 삼황화이안티몬을 주성분으로 하는 전하수송층 (13) 의 박막을 3 ㎛ 가 아니라 0.01 ㎛ 로 한 것 이외에는, 제 1 실시예와 동일한 구조의 제 5 실시예의 X 선 검출판을 제작하여 실시예 1 과 동일한 방법으로 측정하였다.

〈실시예 6〉

제 1 실시예의 X 선 검출장치 (31) 의 삼황화이안티몬을 주성분으로 하는 전하수송층 (13) 의 막두께를 3 ㎛ 가 아니라 40 ㎛ 로 한 것 이외에는, 제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 과 동일한 구조의 제 6 실시예의 X 선 검출판을 제작하여 제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 과 동일한 내용의 측정을 실시하였다.

〈실시예 7〉

제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 에서는 전하수송층의 재료에 삼황화이안티몬을 사용하였으나, 제 7 실시예의 X 선 검출판에서는 삼황화이안티몬이 아니라 막두께 3 ㎛ 의 텔루르화아연카드뮴박막을 형성하여 전하수송층으로 하였다.

제 7 실시예의 X 선 검출판은 이 전하수송층을 구성하는 재료가 다른 것 이외에는, 제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 과 동일한 구조이며, 제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 과 동일한 내용의 측정을 실시하였다.

〈비교예 1〉

ITO 로 이루어지는 제 1 전극막 (12) 이 형성된 유리제 기판 (11) 을 사용하고, 제 1 전극막 (12) 표면에 전하수송층 (13) 을 형성하지 않고, 무정형 셀렌으로 이루어지는 X 선 검출층 (14) 을 직접 형성하고, 이어서 그 표면에 막두께 0.2 ㎛ 의 금박막으로 이루어지는 제 2 전극막 (15) 을 형성하여 제 1 비교예의 X 선 검출판을 제작하였다. 이 제 1 비교예의 X 선 검출판은 전하수송층 (13) 을 형성하지 않은 것 이외에는, 제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 과 동일한 구조이다. 또한, 이 제 1 비교예의 X 선 검출판에도 제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 에 실시한 것과 동일한 내용의 측정을 실시하였다.

〈비교예 2〉

ITO 가 아니라 제 1 전극막을 금속막으로 구성한 것 이외에는, 제 1 비교예의 X 선 검출판과 동일한 구조의 제 2 비교예의 X 선 검출판을 제작하여 제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 에 실시한 것과 동일한 내용의 측정을 실시하였다.

〈비교예 3〉

ITO 가 아니라 제 1 전극막을 알루미늄박막으로 구성한 것 이외에는, 비교예 1 의 X 선 검출판과 동일한 구조의 제 3 비교예의 X 선 검출판을 제작하여 제 1 실 시예의 X 선 검출판 (31) 에 실시한 것과 동일한 내용의 측정을 실시하였다.

〈비교예 4〉

삼황화이안티몬이 아니라 막두께 3 ㎛ 의 황화카드뮴박막에 의해 전하수송층을 형성한 것 이외에는, 제 1 실시예와 동일한 구조의 제 4 비교예의 X 선 검출판을 제작하여 제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 에 실시한 것과 동일한 내용의 측정을 실시하였다.

〈비교예 5〉

삼황화이안티몬이 아니라 막두께 3 ㎛ 의 산화셀륨박막에 의해 전하수송층을 형성한 것 이외에는, 제 1 실시예와 동일한 구조의 제 5 비교예의 X 선 검출판을 제작하여 제 1 실시예의 X 선 검출판 (31) 에 실시한 것과 동일한 내용의 측정을 실시하였다.

〈평가 1〉

표 1 에서 알 수 있는 바와 같이, 전하수송층을 갖지 않는 제 1 ∼ 제 3 비교예의 X 선 검출판에서는, 제 1 전극측으로부터의 정공을 저지할 수 없고 센서노이즈인 암전류의 값이 매우 높아서 실용적이지 못하다.

제 4 비교예의 X 선 검출판은 황화카드뮴으로 구성된 전하수송층을 갖고 있다. 황화카드뮴은 비저항이 80Ωㆍ㎝ 로서, 10⁶Ωㆍ㎝ 보다 대폭으로 작기 때문에, 제 1 전극막측에서 주입되는 정공을 저지하는 기능이 없어서 암전류의 값이 커진다.

제 5 비교예의 X 선 검출판은 산화셀륨으로 구성된 전하수송층을 갖고 있다. 산화셀륨은 다이오드특성을 나타내지만 비저항이 10⁵Ωㆍ㎝ 로서, 10⁶Ωㆍ㎝ 이하이기 때문에, 제 1 전극막층에서 주입되는 정공을 저지하는 기능이 약해서 암전류의 값이 커진다.

이상의 제 1 ∼ 제 5 비교예에 비하여 제 1 ∼ 제 6 실시예의 X 선 검출판에서는, 삼황화이안티몬을 주성분으로 하는 전하수송층과 무정형 셀렌으로 이루어지는 X 선 검출층의 계면에 형성된 다이오드가, X 선 검출층내로의 제 1 전극측으로부터의 정공주입을 저지하는 한편, X 선 검출층측에서 전하수송층내로 주입되는 정공이나 전하수송층에서 X 선 검출층내로 주입되는 전자는 저지하지 않기 때문에, 노이즈성분의 저감이나 응답성의 향상을 실현할 수 있다.

또한 제 7 실시예에 나타낸 바와 같이, 삼황화이안티몬 대신에 텔루르화아연카드뮴을 사용한 경우에도 양호한 결과를 나타낸다. 따라서, 삼황화이안티몬 이외의 물질이라도 전하수송층의 비저항의 값이 10⁶Ωㆍ㎝ 이상 10¹²Ωㆍ㎝ 이하인 반절연성 저항체이고, 전하수송층과 X 선 검출층 사이의 접합이 상기 전하수송층측을 캐소드로 하고, 상기 X 선 검출층측을 애노드로 하는 다이오드특성을 갖고 있으면, 본 발명의 X 선 검출판을 제작할 수 있다.

그리고, 본 발명의 전하이동층의 삼황화이안티몬의 함유율에 대해서는, 91 중량% 이하인 경우에 역저지 다이오드가 형성되지 않음이 확인되었다. 실험에서는 전하이송층내의 삼황화이안티몬이 95 중량% 이상 함유되는 경우에 도 3 에 나 타낸 전기적 특성을 얻을 수 있었다. 이 경우의 X 선 검출층중의 셀렌의 순도는 99.99 중량% 였다.

X 선 검출층내의 셀렌 이외의 불순물에 대해서는 As, Te, Mg, Si, Fe, Al, Cu, Ag, Cl, Na 의 존재가 확인되었다. As, Te 에 대해서는 10 중량% 이하의 범위에서 함유되어 있어도 전기적 특성에 영향은 없다.

따라서, X 선 검출층을 구성하는 셀렌은, 고순도의 셀렌을 증착원으로 하여도 되고, 셀렌과 텔루르의 합금이나 셀렌과 비소의 합금을 증착원으로 하고, 셀렌을 주성분으로 하여 무정형의 텔루르 함유 X 선 검출층이나 비소 함유 X 선 검출층을 구성시켜도 된다. X 선 검출층내의 다른 불순물에 대해서는 1 중량% 이하의 함유율이라면, 전기적 특성에 영향이 없는 것으로 추정된다.

〈실시예 8〉

도 8, 도 9 에 나타낸 2 차원 X 선 검출판을 제작하여, 해상도의 지표가 되는 공간주파수특성 MTF (Modulation Transfer Function) 의 값을 측정하였다. 제 1 전극막은 ITO 를, 전하수송층은 막두께 3.0 ㎛ 의 삼황화이안티몬을, X 선 검출층은 막두께 500 ㎛ 의 무정형 셀렌을, 제 2 전극층은 금을 각각 사용하고 있다. 2 차원 X 선 검출장치의 화소사이즈는 150 ㎛ 이다. MTF 측정시에 사용한 납제 슬릿의 슬릿폭은 10 ㎛ ∼ 20 ㎛ 이고, 2 차원 X 선 검출장치의 열방향과 약 1°∼ 2°기울어져서 측정데이터를 취득하였다.

〈비교예 6〉

삼황화이안티몬의 막두께가 0.07 ㎛ 인 것 이외에는, 실시예 8 과 동일한 구조의 2 차원 X 선 검출판을 제작하여 MTF 의 값을 측정하였다.

〈평가 2〉

도 11 에 나타낸 바와 같이, 실시예 8 의 샘플의 MTF 는 이론치와 가까운 값을 나타내고 있으며, 해상도가 열화되지 않았음을 나타낸다. 이에 비하여, 비교예 6 의 샘플의 MTF 는 이론치보다 크게 저하되어 해상도가 열화되어 있음을 나타내고 있다.

그리고, 비교예 4, 5 에 나타낸 구조를 실시예 8 과 동일한 방법으로 2 차원 X 선 검출판을 제작하여 X 선 화상을 촬영하면, 얻어진 영상은 농담이 불선명해져서 잔상이 발생하고, 선명한 화상을 얻을 수 없음이 확인되었다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 X 선 검출판의 제 2 전극막상에 X 선이 조사되면, 그 X 선은 제 2 전극막을 투과하여 무정형 셀렌을 주성분으로 하는 X 선 검출층내로 입사하고, X 선 검출층내에서 X 선의 에너지에 의해 전자ㆍ정공의 쌍으로 된 캐리어가 생성된다.

이 경우, 제 1 전극막과 제 2 전극막 사이에 전압을 인가한 상태에서 X 선을 조사하면, X 선 검출층내에서 생성된 캐리어가 각각 전계에 의해 이동되어 제 1 전극막과 제 2 전극막에 수집된다.

제 1, 제 2 전극막에 인가하는 전압의 극성으로서, 제 2 전극막에 제 1 전극막보다 낮은 전압을 인가하면, 전계에 의해 전자가 제 1 전극막에 수집되고, 정공이 제 2 전극막측에 수집된다. 본 발명의 X 선 검출판에서는 양전압측의 제 1 전극막과 음전압측의 X 선 검출층의 사이에 반절연성 저항체로 이루어지는 전하수송층이 배치되어 있다.

이 전하수송층은 무정형 셀렌을 주성분으로 한 X 선 검출층과 접촉하고 있으며, 전하수송층과 X 선 검출층의 사이에는 전하수송층의 물성에 따라 X 선 검출층측을 애노드로 하고, 전하수송층측을 캐소드로 하는 다이오드가 형성되어 있다.

다이오드는 정류특성을 갖고 있기 때문에, 제 1 전극막에서 전하수송층내로 정공이 주입된 경우에, 그 정공이 다이오드에 의해 저지되어 X 선 검출층내로 침입하지 않도록 되어 있다. 그 결과, 이동도 및 캐리어수명을 낮추는 일 없이 다크노이즈로 되는 암전류값을 2 자리수 저감할 수 있다.

한편, 이 다이오드는 X 선 검출층내에서 생성된 정공이 제 2 전극막으로 이동하는 것을 방해하지 않는다. 또한, 제 1 전극막측에서 전하수송층내로의 전자의 이동도 방해하지 않는다. 따라서, 노이즈성분만의 저감을 도모할 수 있고, 반복수명의 향상, 응답성의 향상을 실현할 수 있으며, 그 결과 X 선 검출장치의 감도가 향상되게 된다.

본 발명의 X 선 검출기판에 있어서, 전하수송층을 반절연성으로 한 경우, 전하수송층내로 이동해 온 캐리어의 확산이 방해되어 해상도를 열화시키는 일이 없다는 큰 효과를 얻을 수 있다.

반절연성 전하수송층의 막두께는 하한으로서 0.01 ㎛ 이상 필요하며, 또한 상한으로서는 막의 박리 등의 문제로 50 ㎛ 가 한계임을 실험에 의해 확인되었다. 그리고, 0.1 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하의 범위로 하면 공간주파수특성이 우수하여 특히 바람직하다.

본 발명의 X 선 검출판과, 이 X 선 검출판을 사용한 X 선 검출장치에 의하면, S/N 비가 높은 X 선 검출이 가능하다.

또한, 본 발명의 2 차원 X 선 검출장치에 의하면, 해상도가 높은 고품질의 화상을 얻을 수 있으므로, 의료용 뿐만 아니라 각종 산업용 2 차원 X 선 촬상장치로서 유효하다.

Claims

절연성 기판;

상기 기판상에 형성된 제 1 전극막;

상기 제 1 전극막상에 형성된 전하수송층;

무정형 셀렌을 주성분으로 하고, 상기 전하수송층에 접하여 형성된 X 선 검출층; 및

상기 X 선 검출층상에 형성된 제 2 전극막을 갖는 X 선 검출판으로서,

상기 전하수송층은 비저항의 값이 10⁶Ωㆍ㎝ 이상 10¹²Ωㆍ㎝ 이하인 반절연성 저항체이고,

상기 전하수송층과 상기 X 선 검출층 사이의 접합은 상기 전하수송층측을 캐소드로 하고, 상기 X 선 검출층측을 애노드로 하는 다이오드특성을 갖는 것을 특징으로 하는 X 선 검출판.
절연성 기판;

상기 절연성 기판상에 형성된 복수개의 전하축적소자;

상기 복수개의 전하축적소자상에 형성되고, 상기 복수개의 전하축적소자와 각각 전기적으로 접속된 복수개의 제 1 전극막;

상기 제 1 전극막상에 형성된 전하수송층;

무정형 셀렌을 주성분으로 하고, 상기 전하수송층에 접하여 형성된 X 선 검출층; 및

상기 X 선 검출층상에 형성된 제 2 전하막을 갖고, 상기 복수개의 전하축적소자에 축적된 전하신호를 시계열(時系列)로 차례로 판독하는 수단을 구비한 X 선 검출판으로서,

상기 전하수송층은 비저항의 값이 10⁶Ωㆍ㎝ 이상 10¹²Ωㆍ㎝ 이하인 반절연성 저항체인 것을 특징으로 하는 X 선 검출판.
제 2 항에 기재된 X 선 검출판에 있어서, 상기 전하수송층과 상기 X 선 검출층 사이의 접합은 상기 전하수송층측을 캐소드로 하고, 상기 X 선 검출층측을 애노드로 하는 다이오드특성을 갖는 것을 특징으로 하는 X 선 검출판.
제 1 항에 있어서, 상기 전하수송층의 막두께는 0.01 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하이고, 상기 X 선 검출층중의 셀렌 함유율은 90 Wt% 이상인 것을 특징으로 하는 X 선 검출판.
제 2 항에 있어서, 상기 전하수송층의 막두께는 0.01 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하이고, 상기 X 선 검출층내의 셀렌 함유율은 90 Wt% 이상인 것을 특징으로 하는 X 선 검출판.
제 3 항에 있어서, 상기 전하수송층의 막두께는 0.01 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하이고, 상기 X 선 검출층내의 셀렌 함유율은 90 Wt% 이상인 것을 특징으로 하는 X 선 검출판.
제 1 항에 있어서, 상기 전하수송층은 삼황화이안티몬을 주성분으로 하는 반절연성 저항체인 것을 특징으로 하는 X 선 검출판.
제 2 항에 있어서, 상기 전하수송층은 삼황화이안티몬을 주성분으로 하는 반절연성 저항체인 것을 특징으로 하는 X 선 검출판.
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전극막은 금을 주성분으로 하는 금속막인 것을 특징으로 하는 X 선 검출판.
제 2 항에 있어서, 상기 제 2 전극막은 금을 주성분으로 하는 금속막인 것을 특징으로 하는 X 선 검출판.
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극막은 투명성을 갖는 것을 특징으로 하는 X 선 검출판.
제 2 항에 있어서, 상기 제 1 전극막은 투명성을 갖는 것을 특징으로 하는 X 선 검출판.
제 11 항에 있어서, 상기 제 1 전극막은 ITO (인듐ㆍ주석산화물) 막인 것을 특징으로 하는 X 선 검출판.
제 12 항에 있어서, 상기 제 1 전극막은 ITO (인듐ㆍ주석산화물) 막인 것을 특징으로 하는 X 선 검출판.
제 11 항에 있어서, 상기 기판은 투명성을 갖는 것을 특징으로 하는 X 선 검출판.
제 12 항에 있어서, 상기 기판은 투명성을 갖는 것을 특징으로 하는 X 선 검출판.
X 선 검출판, 전원, 및 X 선 조사장치를 갖고, 상기 전원으로 상기 X 선 검출판에 전압을 공급하고, 상기 X 선 조사장치로 X 선을 방사시키고, 측정대상물을 투과한 상기 X 선이 상기 X 선 검출판에 조사되어 상기 X 선 검출판에 이미지가 생성되도록 구성된 X 선 검출장치로서,

상기 X 선 검출판은,

절연성 기판;

상기 기판상에 형성된 제 1 전극막;

상기 제 1 전극막상에 형성된 전하수송층;

무정형 셀렌을 주성분으로 하고, 상기 전하수송층에 접하여 형성된 X 선 검출층; 및

상기 X 선 검출층상에 형성된 제 2 전극막을 포함하며,

상기 전하수송층은 비저항의 값이 10⁶Ωㆍ㎝ 이상 10¹²Ωㆍ㎝ 이하인 반절연성 저항체이고,

상기 전하수송층과 상기 X 선 검출층 사이의 접합은 상기 전하수송층측을 캐소드로 하고, 상기 X 선 검출층측을 애노드로 하는 다이오드특성을 갖는 X 선 검출판이고,

상기 전원은 상기 X 선이 조사될 때에 상기 제 2 전극막에 대하여 상기 제 1 전극막보다 낮은 전압을 인가하도록 구성된 것을 특징으로 하는 X 선 검출장치.
X 선 검출판, 전원, 및 X 선 조사장치를 갖고, 상기 전원으로 상기 X 선 검출판에 전압을 공급한 상태에서 상기 X 선 조사장치로 X 선을 방사시키고, 측정대상물을 투과한 상기 X 선이 상기 X 선 검출판에 조사되어 상기 X 선 검출판에 이미지가 생성되도록 구성된 X 선 검출장치로서,

상기 X 선 검출판은,

절연성 기판;

상기 절연성 기판상에 형성된 복수개의 전하축적소자;

상기 복수개의 전하축적소자상에 형성되고, 상기 복수개의 전하축적소자와 각각 전기적으로 접속된 복수개의 제 1 전극막;

상기 제 1 전극막상에 형성된 전하수송층;

무정형 셀렌을 주성분으로 하고, 상기 전하수송층에 접하여 형성된 X 선 검출층; 및

상기 X 선 검출층상에 형성된 제 2 전극막을 갖고, 상기 복수개의 전하축적소자에 축적된 전하신호를 시계열로 차례로 판독하는 수단을 포함하며,

상기 전하수송층은 비저항의 값이 10⁶Ωㆍ㎝ 이상 10¹²Ωㆍ㎝ 이하인 반절연성 저항체인 X 선 검출판이고,

상기 전원은 상기 X 선이 조사될 때에 상기 제 2 전극막에 대하여 상기 제 1 전극막보다 낮은 전압을 인가하도록 구성된 것을 특징으로 하는 X 선 검출장치.
제 17 항에 있어서, 상기 X 선 검출판에 생성된 이미지를 표시하는 표시장치를 갖는 것을 특징으로 하는 X 선 검출장치.
제 18 항에 있어서, 상기 X 선 검출판에 생성된 이미지를 표시하는 표시장치를 갖는 것을 특징으로 하는 X 선 검출장치.