JPH103798A - 冗長デコード回路 - Google Patents
冗長デコード回路Info
- Publication number
- JPH103798A JPH103798A JP8175618A JP17561896A JPH103798A JP H103798 A JPH103798 A JP H103798A JP 8175618 A JP8175618 A JP 8175618A JP 17561896 A JP17561896 A JP 17561896A JP H103798 A JPH103798 A JP H103798A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- address
- signal
- column
- addresses
- predecode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/05—Digital input using the sampling of an analogue quantity at regular intervals of time, input from a/d converter or output to d/a converter
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
- G11C29/84—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
- G11C29/84—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability
- G11C29/844—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability by splitting the decoders in stages
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
- G11C29/785—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with redundancy programming schemes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1015—Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
- G11C7/1018—Serial bit line access mode, e.g. using bit line address shift registers, bit line address counters, bit line burst counters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Dram (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
号が確定するには、プリデコードプリアドレスが生成さ
れたのち冗長デコーダによる判定信号が生成されるまで
の時間を必要としているという問題点を解消した冗長デ
コーダの提供。 【解決手段】多重選択する2つのアドレスの最初に読み
出されるべきアドレス信号とバースト長を示す情報を受
けて同時に読み出すべき次のアドレス信号に対する被置
換アドレスの判定を可能とする手段を備え、この手段に
は予め用意されたアドレスの下位ビットの組み合わせ論
理をバースト長を示す信号により切り換える。それぞれ
のアドレスが被置換アドレスであるかどうかは、最初に
読み出されるべきアドレス信号により判定され、冗長デ
コーダによる判定信号が生成されるまでの時間を短縮す
る。
Description
に関し、特に多ビットプリフェッチによる連続アクセス
を行うメモリ選択回路に対する冗長デコーダ回路に関す
る。
いで向上している。一方でDRAM(ダイナミックラン
ダムアクセスメモリ)等の主記憶装置の動作速度はCP
Uの動作速度よりも遅いため、CPUと主記憶装置との
間に高速メモリであるキャッシュメモリを挿入する方式
が一般に用いられている。キャッシュメモリを用いた場
合、ヒット率は例えば90%程度まで可能であるので、
CPUが主記憶装置アクセスしなければならない割合、
ミスヒット率は10%程度となり高速な命令の読み出し
が可能となる。
るのは、使用した命令が格納されたアドレスの近辺に格
納された命令は、その後すぐに使用する確率が高いとい
う経験則に基づき、現在必要とされる命令を最初に読み
出した後に、連続してそのアドレスの下位数ビットのみ
が異なるアドレスに格納された命令をも読み出して、こ
れらをまとめてキャッシュメモリに格納するようにして
していることによる。このため、キャッシュメモリを用
いる場合、主記憶装置は上記のようなアクセス、すなわ
ち、まず必要とするデータを最初に出力し、つづいてそ
のデータの格納されたアドレスの下位数ビットのみが異
なるアドレスのデータを連続して出力することを可能と
した構成のものが必要とされる。
として、DRAMにおけるニブルモードアクセス、ある
いは2ビットプリフェッチによる連続アクセスがある。
しかしながら、これらの方式は、データのラッチ回路や
バスを多く必要とし、また奇数アドレスからのシーケン
シャルアクセスが困難であるというような問題点を有し
ている。
公報に提案されるような、nビットプリフェッチによる
連続アクセスを行うメモリ選択回路において、1回の出
力タイミングで出力するデータのアドレスのみを選択す
るカラム選択線を多重選択する手段を有する方式が用い
られている。
て出力するデータの長さ(「バースト長」という)を示
す情報を受けて、入力アドレスに対応するカラム選択線
と、続けて出力すべきデータのアドレスに対応するカラ
ム選択線とを同時に多重選択するものである。
カラム選択線は1回の出力タイミングで出力するデータ
のアドレスのみを選択し、これを複数同時に選択してい
るので、出力するデータを複数回にわけて読み出すプリ
フェッチ方式を用いた場合でも、プリフェッチするデー
タの組み合わせは任意であり、出力する順番に制限がな
くなる。このため、バスやラッチ回路を増やすことな
く、奇数アドレスからのシーケンシャルアクセスが可能
になる。
レスの下位ビットをデコードするプリフェッチプリデコ
ーダを備え、このプリフェッチプリデコーダはアドレス
の他にバースト長を示す情報を受けて、これらをもと
に、アドレスの2つのビットがアクティブレベルとなる
プリデコードアドレスをカラムデコーダに供給する。カ
ラムデコーダは、プリデコードアドレスとカラムアドレ
スの残りの上位ビットを受けて、同時に読み出すべきメ
モリセルにつながる2本のカラム選択線(「CSL」と
いう)を同時に選択し、これにより2出力分のデータを
同時に読み出している。
示す図であり、図中、1000は16M(メガ)DRA
Mの全体図で、半導体チップ上に集積されている。10
1は16Mビットのメモリセルアレイであり、4096
本のワード線と512本のCSL(CSL0〜CSL5
11)を持つ。したがって、1アドレスは8個のメモリ
セルに対応するので、1入出力(データ幅)は8ビット
である。
デコーダである。1004はプリフェッチプリデコーダ
であり、CSLの多重選択を制御する。105はプリデ
コーダ、106はカラムデコーダである。107はクロ
ックジェネレータであり、外部からの信号を受け、プリ
フェッチプリデコーダ1004等のタイミングを制御す
る信号を発生している。108はI/Oスイッチ、10
9は出力バッファ、111はラッチ回路である。
み出し動作を例に説明する。まず、外部から与えられる
入力アドレスA0〜A11を受けたアドレスバッファ1
02は、ロウアドレスとしてA0〜A11をロウデコー
ダ103に供給し、カラムアドレスとしてA0〜A8を
プリフェッチプリデコーダ1004に供給する。
コーダ103はこれをデコードし、4096本あるワー
ド線の1本を選択する。一方、カラムアドレスA0〜A
8を受けたプリフェッチプリデコーダ1004は、カラ
ムアドレスの上位ビットであるYAD3〜YAD8をプ
リデコーダ105に供給すると共に、下位ビットである
A0〜A2をプリデコードし、プリデコードアドレスY
0〜Y7として出力する。
は、クロックジェネレータ107からの信号LOAD
0、LOAD1、LOAD2、およびCOUNT、CO
UNT2によって制御されている。
ネレータ107にて、外部からのクロック信号CLKの
立ち上がりに応答して発生される信号であり、LOAD
1、LOAD2信号は外部から与えられる信号が読み出
し、または書き込みコマンドである場合に、クロック信
号CLKに同期して発生される信号である。
LOAD1、LOAD2信号が発生した後、バースト長
に応じて発生される信号である。なお、クロックジェネ
レータ107からはさらに他の制御信号も出力されてい
るが、これらは本発明に直接関わるものでないためその
説明は省略する。
よびプリフェッチプリデコーダ1004からのプリデコ
ードアドレスは、ともにカラムデコーダ106に供給さ
れ、これらによりカラム選択線CSLが選択される。
バースト長を示すバースト信号B4、B8がさらに供給
されており、プリフェッチプリデコーダ1004はこれ
らバースト信号にもとづき、入力アドレスに対応するア
ドレスと、次に出力すべきデータに相当するアドレスと
が選択されるように、アドレスの2つのビットがアクテ
ィブレベルであるプリデコードアドレスを出力する。こ
のため、カラムデコーダ106はプリデコーダ105か
らのデコード出力と、アドレスの2つのビットがアクテ
ィブレベルであるプリデコードアドレスとを受けること
により、CSLを2本同時に選択することになる。
奇数アドレス冗長デコーダ1113は、選択されたアド
レスのメモリセルに欠陥がある場合、冗長メモリに置き
換えるための回路である。
ングによりプログラミングされており、入力するアドレ
ス信号が被置換アドレスであるか否かを判定し、被置換
アドレスである場合には、CSLの選択を禁止する信号
RED0、RED1を発生し、一方、冗長セルを選択す
る冗長カラム選択線RYS0、RYS1を活性化する。
位ビットであるYAD3〜YAD8とプリフェッチプリ
デコーダ1004により下位ビットであるA0〜A2を
プリデコードしたプリデコードプリアドレスY0P〜Y
7Pが入力される。但し、偶数アドレス冗長デコーダ1
112には、偶数プリデコードプリアドレスY0P、Y
2P、Y4P、Y6Pが、奇数アドレス冗長デコーダ1
113には奇数プリデコードプリアドレスY1P、Y3
P、Y5P、Y7Pが入力される。
れぞれが8個のメモリセルに接続されているため、これ
が2本同時に選択されることにより、16個のメモリセ
ルが同時に読み出されることになる。
ータは、すべてラッチ回路111にラッチされ、I/O
スイッチ108に供給される。
4からは、2本同時に選択されたCSLのうち、どちら
のCSLにつながるセルを読み出すのかを示す信号CI
Oが、I/Oスイッチ108に供給されており、この信
号CIOにも基づいて、ラッチ回路111にラッチされ
たデータのうち、一方のCSLにつながるメモリセルの
データを出力バッファ109に出力し、信号CIOの変
化に応答して、他方のCSLにつながるメモリセルのデ
ータを出力バッファ109に出力する。
S1が、活性化の禁止されたCSLの代わりに選択され
た場合にも、同様に、セルデータを読み出す。
は、16MDRAMの出力データD0〜D7として外部
に出力される。そして、これらのデータが出力されてい
る間に、クロックジェネレータ107からのCOUNT
2信号によりプリデコードアドレスが変化し、CSLの
選択が変えられ、さらに他のデータがアクセスされる。
が、以下に各部の構成および動作をさらに詳細に説明す
る。
04の内部を詳細に示す図である。プリフェッチプリデ
コーダ1004は、アドレスラッチジェネレータブロッ
ク280と、プリデコードクロック290と、からな
る。
0は、カラムアドレスA0〜A8を受けて、そのうちの
下位ビットA0〜A2から内部アドレス信号YAD0〜
YAD2を、A3〜A8から内部アドレス信号YAD3
〜YAD8を生成する。なお、図10においてAiはA
3〜A8を示している。
レス信号YAD0〜YAD2を受けてプリデコードアド
レスY0〜Y7およびプリデコードプリアドレスY0P
〜Y7Pを生成する。図10において、600〜602
はそれぞれラッチ回路、603は選択信号生成回路であ
る。
00−0〜600−8からなるが、図10では、それぞ
れカラムアドレスA3〜A8を受けるラッチ回路600
−3〜600−8については参照符号600−iとして
まとめて示している。同様に、ラッチ回路601は、9
つのラッチ回路601−0〜601−8からなるが、ラ
ッチ回路601−3〜601−8については601−i
としてまとめて示している。
れぞれ、LOAD0信号、LOAD1信号、LOAD2
信号がアクティブレベルとなるとデータを取り込む。
OUNT2信号が供給されており、内蔵するカウンター
回路がCOUNT2信号に応答してLOAD2信号のア
クティブレベルに応答して取り込んだA1、A2のデー
タをカウントアップする。
ル)のときにバースト長が「8」であることを示す信号
である。ラッチ回路602−1から602−2、すなわ
ちA1からA2への桁上げはバースト信号B8が“1”
(ハイレベル)のときに、ラッチ回路602−1の出力
信号INT1との論理に従って行われる。
イレベル)のときにバースト長が「4」であることを示
す信号である。バースト信号B4およびB8がともに
“0”(ロウレベル)であるときは、バースト長が
「2」であることを示している。
に供給されており、選択信号生成回路603に格納され
たデータは、COUNT信号がアクティブとなる毎に反
転する。
示す図である。カラムデコーダ106は64個のスイッ
チ回路106−0〜106−63からなり、それぞれの
スイッチ回路にはプリフェッチプリデコーダ1004か
らのプリデコードアドレスY0〜Y7が共通に供給され
ている。さらに、それぞれのスイッチ回路にはプリデコ
ーダ105からのデコード出力が供給されている。
す図であり、図において、YADXおよびYADYはカ
ラムアドレスYAD3およびYAD4、またはカラムア
ドレスYAD5およびYAD6、またはカラムアドレス
YAD7およびYAD8である。これら3組のカラムア
ドレスはそれぞれデコードされて、図示のとおり、AX
0AY0、AX1AY0、AX0AY1、AX1AY1
となる。これらのデコード信号がカラムデコーダ106
に、図14に示すように入力され、カラムデコーダ10
6はこのデコード信号と、プリデコードアドレスY0〜
Y7とを受けて、カラム選択信号CSLを選択する。
構成するスイッチ回路のひとつ106−kの回路構成を
示したものである。図15において、1500〜150
3、1507はそれぞれPチャネルのMOSトランジス
タ、1504〜1506、1508、1509はそれぞ
れNチャネルのMOSトランジスタである。
リデコーダ105からのデコード出力A3xA4y、A
5xA6y、A7xA8yは、それぞれトランジスタ1
502と1504、1501と1505、1500と1
506のゲートに入力されている。このため、これらデ
コード出力A3xA4y、A5xA6y、A7xA8y
がすべて“1”(ハイレベル)となると、Nチャネルの
MOSトランジスタ1504〜1506が共にオン状態
となり、接点1530の電位がVSS(0)となる。
レスY0〜Y7は、バッファ回路1521−0〜152
1−7を介してCSLとして出力することとなる。
y、A7xA8yの少なくともひとつが“0”(ローレ
ベル)であれば、バッファ回路1521−0〜1521
−7は常に“0”を出力する。
12の回路構成を示す図である。偶数アドレス冗長デコ
ーダ1112では、偶数のアドレスすなわちカラムアド
レスの最下位ビットYAD0の論理値が“0”である被
置換アドレスに対するプログラミングがなされる。
−15はヒューズ素子でレーザトリミングにより切断さ
れ、被置換アドレスがプログラミングされる。
はカラムアドレスの上位ビットであるYAD3〜YAD
8に対するプログラミング用のヒューズである。各ヒュ
ーズ1200−4〜1200−15は、それぞれのアド
レス信号、あるいはその反転信号がゲート端子に供給さ
れるnチャネルMOSトランジスタ1201−4〜12
01−15のドレイン端子に接続し、たとえば被置換ア
ドレスのYAD3に対するアドレス論理値が“1”であ
る場合にはヒューズ1200−5を、アドレス論理値が
“0”である場合にはヒューズ1200−4を切断す
る。同様にして、YAD4〜YAD8までのアドレスが
プログラミングされる。
レスの下位ビットであるYAD0〜YAD2に対するプ
ログラミング用のヒューズである。各ヒューズはそれぞ
れプリフェッチプリデコーダ1004からのプリデコー
ドプリアドレスY0P、Y2P、Y4P、Y6Pがゲー
ト端子に供給されるnチャネルMOSトランジスタ12
01−0〜1201−3のドレイン端子に接続し、たと
えば被置換アドレスのカラムアドレスの下位ビットがY
0Pに対応する場合には、ヒューズ1201−0を切断
する。同様にY2P、Y4P、Y6Pに対応するアドレ
スがプログラミングされる。
じてクロックジェネレータ107から発生されるプリチ
ャージ信号であり、アクティブレベルはロウレベルでP
チャネルMOSトランジスタ1219をオンさせ、新た
なカラムアドレス信号YAD0〜YAD8の入力に対し
て被置換アドレスであるかどうかの判定動作を行う。
したアドレス信号YAD3〜YAD8、およびプリデコ
ードプリアドレスY0P、Y2P、Y4P、Y6Pが被
置換アドレスと一致した場合には、それぞれのアドレス
ビットの論理値に相当するフェーズが切断されているた
め、節点1220を放電する電流経路がオフする。
0が充電され、ハイレベルとなりCSLの選択を禁止す
る信号RED0をロウレベルとし、一方、冗長セルを選
択する冗長カラム選択線RYS0をハイレベルとする。
ずれかのアドレスビットに対するヒューズが切断されて
いないので、節点1220を放電する電流経路がオンし
ている。したがって、信号PREにより節点1220が
充電されても節点1220のレベルがロウレベルとな
り、CSLの選択を禁止する信号RED0はハイレベル
となり、一方、冗長セルを選択する冗長カラム選択線R
YS0はロウレベルとなる。
13の回路構成を示す図である。奇数アドレス冗長デコ
ーダ1113では、奇数のアドレスすなわちカラムアド
レスの最下位ビットYAD0の論理値が“1”である被
置換アドレスに対するプログラミングが同様になされ、
CSLの選択を禁止する信号RED1と、冗長セルを選
択する冗長カラム選択線RYS1を制御する。
ム選択線RYS0、RYS1とビット線との接続関係を
示す図である。図示のとおり、それぞれのCSLは一つ
のビット線対にのみ接続されている。また、1600、
1601はI/Oバス対であり、隣り合うビット線は互
いに異なるI/Oバス対に接続されていることが分か
る。
で、同時に選択される2本のビット線対はI/Oバス対
1600に接続されたものとI/Oバス対1601に接
続されたものであり、このように2本のビット線対が選
択されて2ビットのデータがデータラッチ回路111に
ラッチされる。
図16に示すとおり、それぞれひとつのビット線対にの
み接続され、互いに異なるI/Oバス対に接続されてい
る。図16においては、CSL8k、CSL8k+2、
CSL8k+4、CSL8k+6に対する冗長カラム選
択線がRYS0であり、CSL8k+1、CSL8k+
3、CSL8k+5、CSL8k+7に対する冗長カラ
ム選択線がRYS1とされている。なお、実際には、デ
ータ幅は「8」で入出力端子が8つある。図16には、
I/Oバス対が2対(1600、1601)だけが示さ
れているが、これは1入出力端子分であり、実際にはI
/Oバス対は16対あることになる。また図16では、
CSLはひとつのビット線対にのみ接続されているが、
他の入出力端子につながるビット線、すなわち他のI/
Oバス対につながるビット線にも接続されているので、
実際は8対のビット線に接続されていることになる。
コーダ1004の動作を中心として、入力されるアドレ
スA2、A1、A0がそれぞれ“0”、“1”、“1”
(アドレス=3)である場合を例に、バースト長が2、
4、8それぞれの場合に分けてさらに具体的に読み出し
動作を説明する。
10および図18のタイミング図を参照して説明する。
れるカラムアドレスA0〜A8はLOAD0信号の発生
に応答してラッチ回路600にラッチされる。すなわち
ラッチ回路600−2、600−1、600−0には、
アドレスA2、A1、A0がラッチされ、それぞれ
“0”、“1”、“1”が格納され、内部アドレス信号
IA2、IA1、IA0にそれぞれ“0”、“1”、
“1”が与えられる。
ト)、RASB(ロウアドレスストローブ)、CASB
(カラムアドレスストローブ)、WEB(ライトイネー
ブル)信号の組み合わせによるREADコマンドが供給
されると、信号LOAD1、2が発生し(アクティブと
なり)、内部アドレス信号IA0〜IAiはLOAD1
によりラッチ回路601、602、603にラッチされ
る。
例を示す図である。バースト信号B4、B8はともに
“0”であるので、ORゲート700の出力は“0”
で、LOAD1信号が発生しても、YAD0は“0”と
なっている。
は、LOAD1により、出力INT0に与えられる。I
NTA0の論理値“1”はLOAD2により選択信号生
成回路603に格納される。
1の構成の一例を示す図である。内部アドレス信号IA
1の論理値“1”は、LOAD1、LOAD2によりそ
れぞれのラッチ回路に格納され、カラムアドレス信号Y
AD1に1が与えられる。
2の構成の一例を示す図である。内部アドレス信号IA
2の論理値“0”は、LOAD1、LOAD2によりそ
れぞれラッチ回路に格納され、カラムアドレス信号YA
D2に0が与えられる。
おいて、629、630はスイッチを示すが、バースト
信号B4、B8はともに“0”であるので、スイッチ6
29、630はともにオフし、節点633、634はと
もに“1”に固定されている。
0にそれぞれ論理値“0”、“1”、“0”が与えられ
るので、プリデコードプリアドレスはY2P、Y3Pが
“1”、その他は“0”となる。
ス冗長デコーダ1112、および奇数アドレス冗長デコ
ーダ1113で被置換アドレスであるか否かが判定され
る。
したように、カラム選択線CSLの選択を禁止する信号
RED0、あるいはRED1が“0”となり、プリデコ
ードアドレスY0、Y2、Y4、Y6、あるいはY1、
Y3、Y5、Y7は“1”となる。
ブレベルとされることから、カラム選択線CSLの選択
が禁止されることになる。
ED0、RED1は“1”となっているので、プリデコ
ードアドレスY2、Y3が“0”で、その他は“1”と
なる。
により、前述のとおり対応するCSLあるいはRYS
0、1が2本選択され、16ビットのデータがラッチ回
路111にラッチされ、I/Oスイッチ108に供給さ
れる。
め、I/Oスイッチ108に供給された16ビットのデ
ータのうち、プリデコードプリアドレスのY3Pに対応
するCSLあるいはRYS1が読み出した8ビットのデ
ータが選択され、出力バッファ109に出力される。
AD1信号が発生した後、クロックジェネレータ107
からCOUNT信号がクロックに同期して1回発生す
る。
号CIOが反転して“0”となり、プリデコードプリア
ドレスのY2Pに対応するCSLあるいはRYS0が読
み出した8ビットのデータが選択され、出力バッファ1
09に出力される。
ば、“…011”(=3)、“…010”(=2)の順
に出力されたことになる。
10および図19のタイミング図を参照して説明する。
この場合には、バースト信号B4が“1”、B8が
“0”であるので、図10のスイッチ629、631が
オン、スイッチ630、632がオフしている。
ースト信号B4が“1”であるので、内部アドレス信号
IA0の論理値“1”がカラムアドレス信号YAD0に
与えられる。選択信号生成回路603やその他のラッチ
回路にはバースト長が「2」である場合と同じデータが
格納されている。
はY0P、Y3Pが“1”、その他は“0”となる。プ
リデコードプリアドレスはバースト長が「2」である場
合と同様に、偶数アドレス冗長デコーダ1112、およ
び奇数アドレス冗長デコーダ1113で被置換アドレス
であるかどうかが判定されRED0、RED1およびR
YS0、RYS1のレベルが供給される。
データは、ラッチ回路111にラッチされ、前述のとお
り、I/Oスイッチ108に供給される選択信号CIO
によって、まずプリデコードプリアドレスY3Pに対応
するカラム選択線CSLあるいは冗長カラム選択線RY
S1が読み出した8ビットのデータが選択され、出力バ
ッファ109に出力される。
AD1、LOAD2信号が発生した後、クロックジェネ
レータ107からCOUNT信号がクロックに同期して
3回発生する。また2クロック後にCOUNT2信号が
1回発生する。
によって、選択信号CIOが“0”に反転し、プリデコ
ードプリアドレスY0Pに対応するCSLあるいはRY
S0が読み出した8ビットのデータへ、出力が切り換え
られる。
信号が発生すると、図8に示すラッチ回路602−1で
フリップフロップ回路840により、YAD1の論理値
が反転し“0”が与えられる。
ースト信号B8が“0”であるので、ANDゲート92
6の出力が“0”で、YAD2の論理値は反転しない。
はY1P、Y2Pが“1”、その他は“0”となる。こ
の時、選択信号CIOは合計2回反転し、“1”に戻っ
ているので、I/Oスイッチ108はプリデコードプリ
アドレスのY1Pに対応するCSLあるいはRYS1が
読み出した8ビットのデータを選択し出力する。
と、同様にして、選択信号CIOが“0”に反転し、プ
リデコードプリアドレスY2Pに対応するCSLあるい
はRYS0が読み出した8ビットのデータへ、出力が切
り換えられる。
アドレスはY0PとY3Pが“1”であり、次のCOU
NT2信号が発生すると“1”となるのは、Y1PとY
2Pとなる。
ずY3Pに対応するカラム選択線が読み出したデータが
出力され、COUNT信号が発生する毎に、Y0P、Y
1P、Y2Pに対応するカラム選択線が読み出したデー
タが出力されることになる。
ば、“…011”(=3)、“…000”(=0)、
“…001”(=1)、“…010”(=2)の順に出
力されたことになる。
るが、バースト長が「8」である場合、バースト信号B
8が“1”とされ、図10において、スイッチ629、
631がオフ、スイッチ630、632がオンしてい
る。プリデコードプリアドレスはY3P、Y4Pが
“1”、その他は“0”となる。
アドレス信号INT1の論理値が“1”のときには、ラ
ッチ回路602−2でCOUNT2信号の発生に応じて
フリップフロップ回路940(図9参照)により、YA
D2の論理値も反転し、カウントアップする。
1、2信号が発生した後、クロックジェネレータ107
からはCOUNT信号がクロックに同期して7回発生
し、COUNT2信号が2クロック毎に3回発生する。
COUNT2信号が発生する毎に“1”となるプリデコ
ードプリアドレスは、Y5PとY6P、Y7PとY0
P、Y1PとY2Pと変化する。
ずY3Pに対応するカラム選択線が読み出したデータが
出力され、COUNT信号が発生する毎にY4P、Y5
P、Y6P、Y7P、Y0P、Y1P、Y2Pに対応す
るカラム選択線が読み出したデータが出力されることに
なる。
“…011”(=3)、“…100”(=4)、“…1
01”(=5)、“…110”(=6)、“…111”
(=7)、“…000”(=0)、“…001”(=
1)、“…010”(=2)の順に出力されたことにな
る。
2、4、8の場合それぞれについて、プリフェッチプリ
デコーダ1004が入力アドレスA0〜A2に対し、ど
のようなプリデコードプリアドレスを出力するのかを示
す。なお、図21に示したプリデコードプリアドレス
は、“1”となるアドレスを示している。
この従来の方式によると、多重選択する2つのアドレス
は最初に読み出されるべきアドレス信号をプリフェッチ
プリデコーダに供給することにより、バースト長を示す
情報を受けて、同時に読み出すべき次のアドレス信号を
生成する。それぞれは偶数アドレスと奇数アドレスの組
み合わせであり、バースト長により、その組み合わせが
決められる。
アドレスであるかどうかは、プリフェッチプリデコーダ
から出力されるプリデコード信号により、偶数アドレス
冗長デコーダおよび奇数アドレス冗長デコーダにて判定
される。
ードプリアドレスとCSL選択用のプリデコードアドレ
スのタイミング図を示す。図22は、入力されるアドレ
スA2、A1、A0がそれぞれ“0”、“1”、“1”
(=3)、バースト長が「4」の場合を示している。
0が供給されると、前述したように、プリデコードプリ
アドレスY3P、Y0Pが“1”となる。ここでは、Y
0Pに対応する偶数アドレスが被置換アドレス、奇数ア
ドレスが前状態でY1Pが選択され被置換状態で、Y3
Pに対応する奇数アドレスが被置換アドレスでない場合
を示す。
号Y0は一旦アクティブレベルである“0”となり、そ
の後、偶数アドレス冗長デコーダにて、前述したよう
に、被置換アドレスであることが判定され、CSLの禁
止信号RED0が“0”となり、Y0は再び“1”に戻
る。
長デコーダにて、前述したように、被置換アドレスでな
いことが判定され、CSLの禁止信号RED1が“1”
となり、Y3がアクティブレベルである“0”となる。
めのプリデコード信号が確定するには、プリデコードプ
リアドレスが生成されたのち冗長デコーダによる判定信
号が生成されるまでのΔtの時間を必要とする。
るDRAMにおいては1〜2nsを要し、このためタイ
ミング遅れが生じアクセススピードを律速している。
であって、その目的は、CSLを選択するためのプリデ
コード信号が確定するまでの時間を短縮しアクセスを高
速化するためのメモリ選択回路に対する冗長デコーダ回
路を提供することにある。
め、本発明に係る冗長デコーダ回路は、多重選択する2
つのアドレスの最初に読み出されるべきアドレス信号と
バースト長を示す情報を受けて、同時に読み出すべき次
のアドレス信号に対する被置換アドレスの判定を可能と
する手段を有している。かかる手段は、あらかじめ用意
されたアドレスの下位ビットの組み合わせ論理をバース
ト長を示す信号により切り換えることによるものであ
る。
アドレスが被置換アドレスであるかどうかは、プリフェ
ッチプリデコーダから出力されるプリデコード信号によ
り判定されるのではなく、最初に読み出されるべきアド
レス信号により判定されるので冗長デコーダによる判定
信号が生成されるまでの時間を短縮することが可能にな
る。
を参照して以下に説明する。本発明の実施の形態に係る
冗長デコーダは、多重選択する2つのアドレスの最初に
読み出されるべきアドレス信号とバースト長を示す情報
を受けて同時に読み出すべき次のアドレス信号に対する
被置換アドレスの判定を可能とする手段を有している。
この冗長デコーダに入力するアドレス信号はプリフェッ
チプリデコーダにより生成されるカラムアドレス信号Y
AD0〜YAD8とされる。
Mの全体構成を示す図である。図1において、図11に
示した要素と同等の機能を有する要素には同一の参照符
号が付されている。図1を参照すると、本発明の実施の
形態が、上記従来技術と相違する点は、偶数アドレス冗
長デコーダ112、および奇数アドレス冗長デコーダ1
13に入力するカラムアドレスの下位ビットのアドレス
信号は、プリデコードアドレスではなく、カラムアドレ
ス信号YAD0〜YAD2となっていることである。し
たがって、冗長デコーダ以外の回路ブロックの動作は、
上記従来技術と変わらない。
フェッチプリデコーダ104の構成を示す図である。
それぞれについて、プリフェッチプリデコーダ104が
入力アドレスA0〜A2に対し、どのようなプリデコー
ドプリアドレスを出力するのかを示している。図21か
らわかるように、多重選択されるカラムアドレスは、常
に偶数アドレスと奇数アドレスの組み合わせである。
レス信号が偶数アドレスである場合には、同時に読み出
すべき次のアドレス信号は必ずカラムアドレスの最下位
YAD0のみが異なり、YAD1、YAD2は同じアド
レス信号となる。
号が奇数アドレスである場合には、同時に読み出すべき
次のアドレス信号はバースト長により異なり、アドレス
信号との組み合わせにより生成されている。
レスのうち、奇数アドレスのYAD1、YAD2に相当
するビットの論理値は常に、供給されるカラムアドレス
のYAD1、YAD2と同じである。
ドレスが偶数アドレスの場合には、YAD1、YAD2
に相当するビットの論理値は、供給されるカラムアドレ
スのYAD1、YAD2と同じであるが、供給されるカ
ラムアドレスが偶数アドレスの場合には、バースト長と
そのアドレス値により決まる。
アドレス冗長デコーダ113の構成を示す図である。前
述したように、多重選択される2つのアドレスのうち、
奇数アドレスのYAD1、YAD2に相当するビットの
論理値は常に、供給されるカラムアドレスのYAD1、
YAD2と同じであるから、被置換アドレスであるかど
うかの判定はアドレス信号YAD1、YAD2により行
われる。
はヒューズ素子であり、例えばレーザトリミングにより
切断され被置換アドレスがプログラミングされる。各ヒ
ューズ500−0〜500−15はそれぞれのアドレス
信号、あるいはその反転信号がゲート端子に供給される
nチャネルMOSトランジスタ501−0〜501−1
5のドレイン端子に接続し、たとえば被置換アドレスの
YAD1に対するアドレス論理値が“1”である場合に
は、ヒューズ500−1を、アドレス論理値が“0”で
ある場合にはヒューズ500−0を切断する。同様にY
AD2〜YAD8までのアドレスがプログラミングされ
る。
応じてクロックジェネレータ107から発生されるプリ
チャージ信号であり、アクティブレベルはロウレベルで
PチャネルMOSトランジスタ523をオンさせ、新た
なカラムアドレス信号YAD0〜YAD8の入力に対し
て被置換アドレスであるかどうかの判定動作を行う。
たアドレス信号YAD1〜YAD8が被置換アドレスと
一致した場合には、それぞれのアドレスビットの論理値
に相当するヒューズが切断されているため、節点530
を放電する電流経路がオフする。したがって、信号PR
Eにより、節点530が充電され、ハイレベルとなりC
SLの選択を禁止する信号RED1をロウレベルとし、
また冗長セルを選択する冗長カラム選択線RYS1をハ
イレベルとする。
は、いずれかのアドレスビットに対するヒューズが切断
されていないので、節点530を放電する電流経路がオ
ンしている。したがって、信号PREにより接点530
が充電されても接点530のレベルがロウレベルとな
り、CSLの選択を禁止する信号RED1はハイレベル
となり、冗長セルを選択する冗長カラム選択線RYS1
はロウレベルとなる。
アドレス冗長デコーダ112の構成を示す図である。図
4を参照すると、本発明の実施の形態における偶数アド
レス冗長デコーダ112は、アドレス信号変換部400
と、ヒューズ回路部401と、を備えて構成されてい
る。前述したように、多重選択される2つのアドレスの
うち偶数アドレスのYAD1、YAD2に相当するビッ
トの論理値に対しては、供給されるカラムアドレスが偶
数アドレスであるか、奇数アドレスであるか、すなわち
YAD0の論理値とバースト信号B4、B8によって、
カラムアドレス信号YAD1、YAD2の論理値を変換
して被置換アドレスであるかどうかの判定動作を行う。
行う回路部である。Y1N2N、Y1T2N、Y1N2
T、Y1T2Tはそれぞれ被置換アドレスのYAD1、
YAD2に相当するアドレスの論理値の組み合わせが、
それぞれ(0、0)、(1、0)、(0、1)、(1、
1)のときに、ヒューズ回路部401に対して放電する
電流経路を供給する出力端子である。
N2N、Y1T2N、Y1N2T、Y1T2Tと、カラ
ムアドレスの上位ビットであるYAD3〜YAD8に対
するプログラミング用のヒューズ回路部である。
す図である。図3において、300−0〜300−15
はヒューズ素子であり、例えばレーザプログラミングに
より切断され、被置換アドレスがプログラミングされ
る。このうち、300−4〜300−15はカラムアド
レスの上位ビットであるYAD3〜YAD8に対するプ
ログラミング用のヒューズである。
それぞれのアドレス信号、あるいはその反転信号がゲー
ト端子に供給されるnチャネルMOSトランジスタ30
1−0〜301−11のドレイン端子に接続し、たとえ
ば被置換アドレスのYAD3に対するアドレス論理値が
“1”である場合には、ヒューズ300−5を、アドレ
ス論理値が“0”である場合にはヒューズ300−4を
切断する。同様にして、YAD4〜YAD8までのアド
レスがプログラミングされる。
の下位ビットであるYAD1、YAD2に対するプログ
ラミング用のヒューズである。
1T2Tに接続するヒューズ300−0〜300−3
は、それぞれ被置換アドレスのYAD1、YAD2に相
当するアドレスの論理値の組み合わせが、それぞれ
(0、0)、(1、0)、(0、1)、(1、1)のと
きに、そのヒューズのみを残して残りの3つのヒューズ
を切断する。
レス冗長デコーダ113と同様であるが、入力したアド
レス信号が被置換アドレスと一致した場合には、それぞ
れのアドレスビットの論理値に相当するヒューズが切断
されているため、節点330を放電する電流経路がオフ
する。したがって、信号PREにより、節点330が充
電されハイレベルとなり、CSLの選択を禁止する信号
RED0をロウレベルとし、冗長セルを選択する冗長カ
ラム選択線RYS0をハイレベルとする。
ずれかのアドレスビットに対するヒューズが切断されて
いないので、節点330を放電する電流経路がオンして
いる。したがって、信号PREにより、節点330が充
電されても節点330のレベルがロウレベルとなり、C
SLの選択を禁止する信号RED1はハイレベルとな
り、冗長セルを選択する冗長カラム選択線RYS0はロ
ウレベルとなる。
アドレス冗長デコーダ112のアドレス信号変換部40
0の構成の一例を示す図である。アドレス信号変換部4
00は、信号YAD0〜YAD2及びB4、B8を入力
し、Y1N2N、Y1T2N、Y1N2T、Y1T2T
を出力するもので、200〜217はnチャネルMOS
トランジスタである。
2に相当する論理値が(0、0)の場合を例に、アドレ
ス信号変換部400およびヒューズ回路部401の動作
を説明する。
0−1〜300−3のヒューズが切断され、300−0
のヒューズのみがアドレスの下位ビットYAD1、YA
D2に対する節点330を放電する電流経路となってい
る。
ドレスである場合には、YAD0が“0”となるので、
インバータ220の出力レベルは“1”となり、インバ
ータ220の出力をゲート入力とするnチャネルMOS
トランジスタ208がオンし、またANDゲート21
9、218の出力をゲート入力とするnチャネルMOS
トランジスタ209、210はオフしている。
るカラムアドレスが偶数アドレスの場合には、YAD
1、YAD2に相当するビットの論理値は、供給される
カラムアドレスのYAD1、YAD2と同じであるの
で、YAD1、YAD2の論理値が(0、0)の時に、
nチャネルMOSトランジスタ200、201がオフし
放電する電流経路がオフするので、被置換アドレスと判
定される。バースト長が「2」の場合には、前述したよ
うに、YAD0は常に“0”に固定されている。
アドレスで、バースト長が「4」の場合には、YAD0
が“1”、B4が“1”、B8は“0”となるので、Y
AD0とB4を入力とするANDゲート219の出力が
“1”となり、nチャネルトランジスタ209がオン
し、nチャネルトランジスタ208、210がオフして
いる。
2に相当するビットの論理値が(0、0)となるのは、
供給されるカラムアドレスのYAD2、YAD1、YA
D0の論理値が、“0”、“1”、“1”(=3)のと
きである。
02、203がオフし、放電する電流経路がオフするの
で、被置換アドレスと判定される。
アドレスで、バースト長が「8」の場合には、YAD0
が“1”、B4が“0”、B8は“1”となるので、A
NDゲート218の出力が“1”となり、nチャネルト
ランジスタ210がオンし、nチャネルトランジスタ2
08、209がオフしている。
2に相当するビットの論理値が(0、0)となるのは、
供給されるカラムアドレスのYAD2、YAD1、YA
D0の論理値が“1”、“1”、“1”(=7)のとき
である。
06、207がオフし放電する電流経路がオフするので
被置換アドレスと判定される。
リデコードプリアドレスとCSL選択用のプリデコード
アドレスのタイミング図を示す。入力されるアドレスA
2、A1、A0がそれぞれ“0”、“1”、“1”
(3)、バースト長が「4」の場合を示している。
0が供給されると、前述したように、プリデコードプリ
アドレスY3P、Y1Pが“1”となる。ここでは、Y
0Pに対応する偶数アドレスが被置換アドレス、奇数ア
ドレスが前状態でY1Pが選択され被置換状態で、Y3
Pに対応する奇数アドレスが被置換アドレスでない場合
を示す。
0は偶数アドレス冗長デコーダおよび奇数アドレス冗長
デコーダにも供給され、それぞれ被置換アドレスである
かどうか判定される。
のタイミングを示す。YAD0は図7に示したラッチ回
路601−0に示されるように、LOAD1信号の発生
により供給される。しかるに、YAD1は、図8に示し
たラッチ回路601−1、602−1に示されるよう
に、LOAD1信号の発生により、内部アドレス信号I
A1の論理値が、ラッチ回路601−1からラッチ回路
602−1に供給されたのち、LOAD2信号により供
給される。
の発生とYAD1の発生にて、ΔTskewの時間差が
ある。
2信号の発生により、YAD1と同じタイミングで供給
される。
および被冗長アドレスであるかどうか判定されるタイミ
ングは、アドレス信号YAD1、YAD2の供給タイミ
ングにより決まっている。
0が偶数アドレス冗長デコーダ112に供給されると、
前述したように、被置換アドレスであることが判定され
CSLの禁止信号RED0が“0”となり、Y0Pは
“1”となっているが、Y0はアクティブレベルの
“0”となることが禁止され、“1”が保持される。
0が、奇数アドレス冗長デコーダ113に供給される
と、前述したように、被置換アドレスであることが判定
され、CSLの禁止信号RED1が“1”となり、Y3
はアクティブレベルである“0”となる。
判定信号は、アドレス信号YAD0、YAD1、YAD
2により生成されるため、プリデコードプリアドレスが
生成されるタイミングとほぼ同時となる。
は、CSLを選択するためのプリデコード信号が判定す
るのに、プリデコードプリアドレスが生成されてから、
冗長デコーダによる判定信号が生成されるまでの時間を
待つ必要がない。
冗長デコーダによる判定信号はアドレス信号YAD0、
YAD1、YAD2により生成されるため、プリデコー
ドプリアドレスが生成されるタイミングとほぼ同時とな
り、カラム選択線CSLを選択するためのプリデコード
信号が確定するまでの時間を短縮し、アクセスを高速化
することが可能となる。
示す図である。
デコーダ回路のアドレス信号変換部400を示す図であ
る。
デコーダ回路のヒューズ回路部401を示す図である。
デコーダ回路112の構成を示す図である。
デコーダ回路113の構成を示す図である。
デコーダ104の構成を示す図である。
1−0の構成を示す図である。
1−1、602−1の構成を示す図である。
1−2、602−2の構成を示す図である。
4を示す図である。
る。
112の構成を示す図である。
113の構成を示す図である。
ある。
す図である。
である。
2)を示す図である。
4)を示す図である。
8)を示す図である。
図である。
とCSL選択用のプリデコードアドレスのタイミング図
である。
プリアドレスとCSL選択用のプリデコードアドレスの
タイミング図である。
AD1、YAD2のタイミングを示す図である。
OUNT2、PREタイミング信号
Claims (3)
- 【請求項1】多重選択する2つのアドレスの最初にアク
セスすべきアドレス信号とバースト長を示す情報とを受
けて、同時にアクセスすべき次のアドレス信号に対する
被置換アドレスの判定を行う手段を備えたことを特徴と
する冗長デコーダ回路。 - 【請求項2】前記手段が、予め用意されたアドレスの下
位ビットの組み合わせ論理を、前記バースト長を示す信
号により切り換えることを特徴とする請求項1記載の冗
長デコーダ回路。 - 【請求項3】多ビットプリフェッチ方式によりカラム選
択線を多重選択して所望のアドレスから連続アクセスを
開始する半導体記憶装置において、冗長デコーダ回路が
アドレス信号とバースト長の組み合わせによる論理変換
手段を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8175618A JP2848339B2 (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 冗長デコード回路 |
KR1019970025104A KR100248694B1 (ko) | 1996-06-14 | 1997-06-14 | 중복 디코더 회로 및 반도체 기억 장치 |
US08/876,293 US5905681A (en) | 1996-06-14 | 1997-06-16 | Redundant decoder utilizing address signal and burst length |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8175618A JP2848339B2 (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 冗長デコード回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH103798A true JPH103798A (ja) | 1998-01-06 |
JP2848339B2 JP2848339B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=15999243
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8175618A Expired - Fee Related JP2848339B2 (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 冗長デコード回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5905681A (ja) |
JP (1) | JP2848339B2 (ja) |
KR (1) | KR100248694B1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6542422B1 (en) | 2002-04-08 | 2003-04-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device performing high speed coincidence comparison operation with defective memory cell address |
WO2005081257A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Spansion Llc | 半導体記憶装置および半導体記憶装置の制御方法 |
WO2007023545A1 (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-01 | Spansion Llc | 冗長救済機能を備える記憶装置 |
US7359264B2 (en) | 2005-08-05 | 2008-04-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3204384B2 (ja) * | 1997-12-10 | 2001-09-04 | エヌイーシーマイクロシステム株式会社 | 半導体記憶回路 |
JP2002043427A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置のトリミング方法と半導体装置のトリミング装置および半導体装置のトリミングテーブルの作成方法 |
KR20000059195A (ko) * | 2000-07-21 | 2000-10-05 | 안병주 | 소형 배터리와 열선을 이용한 의류용 방한 보온장치 |
JP2002073129A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | レーザトリミング用プログラム作成装置、方法、記録媒体およびレーザトリミング装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2570589B2 (ja) * | 1993-08-26 | 1997-01-08 | 日本電気株式会社 | ロールコール回路 |
JPH07272480A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US5621690A (en) * | 1995-04-28 | 1997-04-15 | Intel Corporation | Nonvolatile memory blocking architecture and redundancy |
US5673227A (en) * | 1996-05-14 | 1997-09-30 | Motorola, Inc. | Integrated circuit memory with multiplexed redundant column data path |
-
1996
- 1996-06-14 JP JP8175618A patent/JP2848339B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-14 KR KR1019970025104A patent/KR100248694B1/ko active IP Right Grant
- 1997-06-16 US US08/876,293 patent/US5905681A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6542422B1 (en) | 2002-04-08 | 2003-04-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device performing high speed coincidence comparison operation with defective memory cell address |
WO2005081257A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Spansion Llc | 半導体記憶装置および半導体記憶装置の制御方法 |
US7359264B2 (en) | 2005-08-05 | 2008-04-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
WO2007023545A1 (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-01 | Spansion Llc | 冗長救済機能を備える記憶装置 |
JPWO2007023545A1 (ja) * | 2005-08-25 | 2009-03-26 | スパンション エルエルシー | 記憶装置、および記憶装置の制御方法 |
JP4652409B2 (ja) * | 2005-08-25 | 2011-03-16 | スパンション エルエルシー | 記憶装置、および記憶装置の制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR980003981A (ko) | 1998-03-30 |
KR100248694B1 (ko) | 2000-03-15 |
JP2848339B2 (ja) | 1999-01-20 |
US5905681A (en) | 1999-05-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3304893B2 (ja) | メモリ選択回路及び半導体メモリ装置 | |
JP3376998B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US6507532B1 (en) | Semiconductor memory device having row-related circuit operating at high speed | |
JPH0877794A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR100278901B1 (ko) | 반도체 기억 장치 | |
KR19980087078A (ko) | 반도체 기억장치 | |
JP2000030463A (ja) | 同期型半導体記憶装置 | |
JP2848339B2 (ja) | 冗長デコード回路 | |
KR100279230B1 (ko) | 반도체기억장치 및 그의 액세스방법 | |
KR100380777B1 (ko) | 반도체 기억 장치 | |
JP2982618B2 (ja) | メモリ選択回路 | |
JP3552882B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP3279787B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR100283630B1 (ko) | 디코드 신호 비교 회로 | |
JP2004288347A (ja) | 連想メモリ | |
JP4125448B2 (ja) | 半導体メモリ装置 | |
JP4031067B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR20030038318A (ko) | 반도체 기억 장치 및 그 제어 방법 | |
JP2001256793A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
KR100390238B1 (ko) | 뱅크 어드레스를 이용한 반도체 메모리 소자의 어드레스제어 장치 | |
KR100400312B1 (ko) | 로오 리페어회로를 가진 반도체 메모리 장치 | |
JP2008198355A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2000260178A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR20000051037A (ko) | 소비전력을 최소화하는 프리디코더 회로 | |
KR100306906B1 (ko) | 반도체메모리 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19981006 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071106 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081106 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081106 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091106 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101106 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111106 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131106 Year of fee payment: 15 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |