JPH103798A - 冗長デコード回路 - Google Patents

冗長デコード回路

Info

Publication number
JPH103798A
JPH103798A JP8175618A JP17561896A JPH103798A JP H103798 A JPH103798 A JP H103798A JP 8175618 A JP8175618 A JP 8175618A JP 17561896 A JP17561896 A JP 17561896A JP H103798 A JPH103798 A JP H103798A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
signal
column
addresses
predecode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8175618A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2848339B2 (ja
Inventor
Yoshinori Matsui
義徳 松井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP8175618A priority Critical patent/JP2848339B2/ja
Priority to KR1019970025104A priority patent/KR100248694B1/ko
Priority to US08/876,293 priority patent/US5905681A/en
Publication of JPH103798A publication Critical patent/JPH103798A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2848339B2 publication Critical patent/JP2848339B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/05Digital input using the sampling of an analogue quantity at regular intervals of time, input from a/d converter or output to d/a converter
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/84Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/84Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability
    • G11C29/844Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability by splitting the decoders in stages
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/785Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with redundancy programming schemes
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1015Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
    • G11C7/1018Serial bit line access mode, e.g. using bit line address shift registers, bit line address counters, bit line burst counters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Dram (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】カラム選択線を選択するためのプリデコード信
号が確定するには、プリデコードプリアドレスが生成さ
れたのち冗長デコーダによる判定信号が生成されるまで
の時間を必要としているという問題点を解消した冗長デ
コーダの提供。 【解決手段】多重選択する2つのアドレスの最初に読み
出されるべきアドレス信号とバースト長を示す情報を受
けて同時に読み出すべき次のアドレス信号に対する被置
換アドレスの判定を可能とする手段を備え、この手段に
は予め用意されたアドレスの下位ビットの組み合わせ論
理をバースト長を示す信号により切り換える。それぞれ
のアドレスが被置換アドレスであるかどうかは、最初に
読み出されるべきアドレス信号により判定され、冗長デ
コーダによる判定信号が生成されるまでの時間を短縮す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、冗長デコーダ回路
に関し、特に多ビットプリフェッチによる連続アクセス
を行うメモリ選択回路に対する冗長デコーダ回路に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、CPUの動作速度はめざましい勢
いで向上している。一方でDRAM(ダイナミックラン
ダムアクセスメモリ)等の主記憶装置の動作速度はCP
Uの動作速度よりも遅いため、CPUと主記憶装置との
間に高速メモリであるキャッシュメモリを挿入する方式
が一般に用いられている。キャッシュメモリを用いた場
合、ヒット率は例えば90%程度まで可能であるので、
CPUが主記憶装置アクセスしなければならない割合、
ミスヒット率は10%程度となり高速な命令の読み出し
が可能となる。
【0003】一方、このような高いヒット率が実現され
るのは、使用した命令が格納されたアドレスの近辺に格
納された命令は、その後すぐに使用する確率が高いとい
う経験則に基づき、現在必要とされる命令を最初に読み
出した後に、連続してそのアドレスの下位数ビットのみ
が異なるアドレスに格納された命令をも読み出して、こ
れらをまとめてキャッシュメモリに格納するようにして
していることによる。このため、キャッシュメモリを用
いる場合、主記憶装置は上記のようなアクセス、すなわ
ち、まず必要とするデータを最初に出力し、つづいてそ
のデータの格納されたアドレスの下位数ビットのみが異
なるアドレスのデータを連続して出力することを可能と
した構成のものが必要とされる。
【0004】従来、このような連続アクセスを行うもの
として、DRAMにおけるニブルモードアクセス、ある
いは2ビットプリフェッチによる連続アクセスがある。
しかしながら、これらの方式は、データのラッチ回路や
バスを多く必要とし、また奇数アドレスからのシーケン
シャルアクセスが困難であるというような問題点を有し
ている。
【0005】そこで、例えば特開平6−146349号
公報に提案されるような、nビットプリフェッチによる
連続アクセスを行うメモリ選択回路において、1回の出
力タイミングで出力するデータのアドレスのみを選択す
るカラム選択線を多重選択する手段を有する方式が用い
られている。
【0006】この方式では、入力アドレスおよび連続し
て出力するデータの長さ(「バースト長」という)を示
す情報を受けて、入力アドレスに対応するカラム選択線
と、続けて出力すべきデータのアドレスに対応するカラ
ム選択線とを同時に多重選択するものである。
【0007】このように、この従来の方式では、1本の
カラム選択線は1回の出力タイミングで出力するデータ
のアドレスのみを選択し、これを複数同時に選択してい
るので、出力するデータを複数回にわけて読み出すプリ
フェッチ方式を用いた場合でも、プリフェッチするデー
タの組み合わせは任意であり、出力する順番に制限がな
くなる。このため、バスやラッチ回路を増やすことな
く、奇数アドレスからのシーケンシャルアクセスが可能
になる。
【0008】以下、この方式について説明する。
【0009】この方式のメモリ選択回路は、カラムアド
レスの下位ビットをデコードするプリフェッチプリデコ
ーダを備え、このプリフェッチプリデコーダはアドレス
の他にバースト長を示す情報を受けて、これらをもと
に、アドレスの2つのビットがアクティブレベルとなる
プリデコードアドレスをカラムデコーダに供給する。カ
ラムデコーダは、プリデコードアドレスとカラムアドレ
スの残りの上位ビットを受けて、同時に読み出すべきメ
モリセルにつながる2本のカラム選択線(「CSL」と
いう)を同時に選択し、これにより2出力分のデータを
同時に読み出している。
【0010】図11は、この従来方式のメモリの全体を
示す図であり、図中、1000は16M(メガ)DRA
Mの全体図で、半導体チップ上に集積されている。10
1は16Mビットのメモリセルアレイであり、4096
本のワード線と512本のCSL(CSL0〜CSL5
11)を持つ。したがって、1アドレスは8個のメモリ
セルに対応するので、1入出力(データ幅)は8ビット
である。
【0011】102はアドレスバッファ、103はロウ
デコーダである。1004はプリフェッチプリデコーダ
であり、CSLの多重選択を制御する。105はプリデ
コーダ、106はカラムデコーダである。107はクロ
ックジェネレータであり、外部からの信号を受け、プリ
フェッチプリデコーダ1004等のタイミングを制御す
る信号を発生している。108はI/Oスイッチ、10
9は出力バッファ、111はラッチ回路である。
【0012】図11に示した16MDRAMについて読
み出し動作を例に説明する。まず、外部から与えられる
入力アドレスA0〜A11を受けたアドレスバッファ1
02は、ロウアドレスとしてA0〜A11をロウデコー
ダ103に供給し、カラムアドレスとしてA0〜A8を
プリフェッチプリデコーダ1004に供給する。
【0013】ロウアドレスA0〜A11を受けたロウデ
コーダ103はこれをデコードし、4096本あるワー
ド線の1本を選択する。一方、カラムアドレスA0〜A
8を受けたプリフェッチプリデコーダ1004は、カラ
ムアドレスの上位ビットであるYAD3〜YAD8をプ
リデコーダ105に供給すると共に、下位ビットである
A0〜A2をプリデコードし、プリデコードアドレスY
0〜Y7として出力する。
【0014】プリフェッチプリデコーダ1004の動作
は、クロックジェネレータ107からの信号LOAD
0、LOAD1、LOAD2、およびCOUNT、CO
UNT2によって制御されている。
【0015】ここで、LOAD0信号は、クロックジェ
ネレータ107にて、外部からのクロック信号CLKの
立ち上がりに応答して発生される信号であり、LOAD
1、LOAD2信号は外部から与えられる信号が読み出
し、または書き込みコマンドである場合に、クロック信
号CLKに同期して発生される信号である。
【0016】また、COUNT、COUNT2信号は、
LOAD1、LOAD2信号が発生した後、バースト長
に応じて発生される信号である。なお、クロックジェネ
レータ107からはさらに他の制御信号も出力されてい
るが、これらは本発明に直接関わるものでないためその
説明は省略する。
【0017】プリデコーダ105からのデコード出力お
よびプリフェッチプリデコーダ1004からのプリデコ
ードアドレスは、ともにカラムデコーダ106に供給さ
れ、これらによりカラム選択線CSLが選択される。
【0018】プリフェッチプリデコーダ1004には、
バースト長を示すバースト信号B4、B8がさらに供給
されており、プリフェッチプリデコーダ1004はこれ
らバースト信号にもとづき、入力アドレスに対応するア
ドレスと、次に出力すべきデータに相当するアドレスと
が選択されるように、アドレスの2つのビットがアクテ
ィブレベルであるプリデコードアドレスを出力する。こ
のため、カラムデコーダ106はプリデコーダ105か
らのデコード出力と、アドレスの2つのビットがアクテ
ィブレベルであるプリデコードアドレスとを受けること
により、CSLを2本同時に選択することになる。
【0019】偶数アドレス冗長デコーダ1112および
奇数アドレス冗長デコーダ1113は、選択されたアド
レスのメモリセルに欠陥がある場合、冗長メモリに置き
換えるための回路である。
【0020】各冗長デコーダは、例えばヒューズトリミ
ングによりプログラミングされており、入力するアドレ
ス信号が被置換アドレスであるか否かを判定し、被置換
アドレスである場合には、CSLの選択を禁止する信号
RED0、RED1を発生し、一方、冗長セルを選択す
る冗長カラム選択線RYS0、RYS1を活性化する。
【0021】各冗長デコーダには、カラムアドレスの上
位ビットであるYAD3〜YAD8とプリフェッチプリ
デコーダ1004により下位ビットであるA0〜A2を
プリデコードしたプリデコードプリアドレスY0P〜Y
7Pが入力される。但し、偶数アドレス冗長デコーダ1
112には、偶数プリデコードプリアドレスY0P、Y
2P、Y4P、Y6Pが、奇数アドレス冗長デコーダ1
113には奇数プリデコードプリアドレスY1P、Y3
P、Y5P、Y7Pが入力される。
【0022】カラム選択線CSLは、前述のように、そ
れぞれが8個のメモリセルに接続されているため、これ
が2本同時に選択されることにより、16個のメモリセ
ルが同時に読み出されることになる。
【0023】これら同時に読み出された16ビットのデ
ータは、すべてラッチ回路111にラッチされ、I/O
スイッチ108に供給される。
【0024】さらに、プリフェッチプリデコーダ100
4からは、2本同時に選択されたCSLのうち、どちら
のCSLにつながるセルを読み出すのかを示す信号CI
Oが、I/Oスイッチ108に供給されており、この信
号CIOにも基づいて、ラッチ回路111にラッチされ
たデータのうち、一方のCSLにつながるメモリセルの
データを出力バッファ109に出力し、信号CIOの変
化に応答して、他方のCSLにつながるメモリセルのデ
ータを出力バッファ109に出力する。
【0025】ここで、冗長カラム選択線RYS0、RY
S1が、活性化の禁止されたCSLの代わりに選択され
た場合にも、同様に、セルデータを読み出す。
【0026】出力バッファ109に供給されたデータ
は、16MDRAMの出力データD0〜D7として外部
に出力される。そして、これらのデータが出力されてい
る間に、クロックジェネレータ107からのCOUNT
2信号によりプリデコードアドレスが変化し、CSLの
選択が変えられ、さらに他のデータがアクセスされる。
【0027】以上が16MDRAMの動作の概要である
が、以下に各部の構成および動作をさらに詳細に説明す
る。
【0028】図10は、プリフェッチプリデコーダ10
04の内部を詳細に示す図である。プリフェッチプリデ
コーダ1004は、アドレスラッチジェネレータブロッ
ク280と、プリデコードクロック290と、からな
る。
【0029】アドレスラッチジェネレータブロック28
0は、カラムアドレスA0〜A8を受けて、そのうちの
下位ビットA0〜A2から内部アドレス信号YAD0〜
YAD2を、A3〜A8から内部アドレス信号YAD3
〜YAD8を生成する。なお、図10においてAiはA
3〜A8を示している。
【0030】プリデコードブロック290は、内部アド
レス信号YAD0〜YAD2を受けてプリデコードアド
レスY0〜Y7およびプリデコードプリアドレスY0P
〜Y7Pを生成する。図10において、600〜602
はそれぞれラッチ回路、603は選択信号生成回路であ
る。
【0031】ラッチ回路600は、9つのラッチ回路6
00−0〜600−8からなるが、図10では、それぞ
れカラムアドレスA3〜A8を受けるラッチ回路600
−3〜600−8については参照符号600−iとして
まとめて示している。同様に、ラッチ回路601は、9
つのラッチ回路601−0〜601−8からなるが、ラ
ッチ回路601−3〜601−8については601−i
としてまとめて示している。
【0032】ラッチ回路600、601、602は、そ
れぞれ、LOAD0信号、LOAD1信号、LOAD2
信号がアクティブレベルとなるとデータを取り込む。
【0033】ラッチ回路602−1、602−2にはC
OUNT2信号が供給されており、内蔵するカウンター
回路がCOUNT2信号に応答してLOAD2信号のア
クティブレベルに応答して取り込んだA1、A2のデー
タをカウントアップする。
【0034】バースト信号B8は、“1”(ハイレベ
ル)のときにバースト長が「8」であることを示す信号
である。ラッチ回路602−1から602−2、すなわ
ちA1からA2への桁上げはバースト信号B8が“1”
(ハイレベル)のときに、ラッチ回路602−1の出力
信号INT1との論理に従って行われる。
【0035】同様に、バースト信号B4は、“1”(ハ
イレベル)のときにバースト長が「4」であることを示
す信号である。バースト信号B4およびB8がともに
“0”(ロウレベル)であるときは、バースト長が
「2」であることを示している。
【0036】COUNT信号は選択信号生成回路603
に供給されており、選択信号生成回路603に格納され
たデータは、COUNT信号がアクティブとなる毎に反
転する。
【0037】図14は、カラムデコーダ106の構成の
示す図である。カラムデコーダ106は64個のスイッ
チ回路106−0〜106−63からなり、それぞれの
スイッチ回路にはプリフェッチプリデコーダ1004か
らのプリデコードアドレスY0〜Y7が共通に供給され
ている。さらに、それぞれのスイッチ回路にはプリデコ
ーダ105からのデコード出力が供給されている。
【0038】図17は、プリデコーダ105の一部を示
す図であり、図において、YADXおよびYADYはカ
ラムアドレスYAD3およびYAD4、またはカラムア
ドレスYAD5およびYAD6、またはカラムアドレス
YAD7およびYAD8である。これら3組のカラムア
ドレスはそれぞれデコードされて、図示のとおり、AX
0AY0、AX1AY0、AX0AY1、AX1AY1
となる。これらのデコード信号がカラムデコーダ106
に、図14に示すように入力され、カラムデコーダ10
6はこのデコード信号と、プリデコードアドレスY0〜
Y7とを受けて、カラム選択信号CSLを選択する。
【0039】また、図15は、カラムデコーダ106を
構成するスイッチ回路のひとつ106−kの回路構成を
示したものである。図15において、1500〜150
3、1507はそれぞれPチャネルのMOSトランジス
タ、1504〜1506、1508、1509はそれぞ
れNチャネルのMOSトランジスタである。
【0040】スイッチ回路106−kに入力される、プ
リデコーダ105からのデコード出力A3xA4y、A
5xA6y、A7xA8yは、それぞれトランジスタ1
502と1504、1501と1505、1500と1
506のゲートに入力されている。このため、これらデ
コード出力A3xA4y、A5xA6y、A7xA8y
がすべて“1”(ハイレベル)となると、Nチャネルの
MOSトランジスタ1504〜1506が共にオン状態
となり、接点1530の電位がVSS(0)となる。
【0041】これにより、入力されるプリデコードアド
レスY0〜Y7は、バッファ回路1521−0〜152
1−7を介してCSLとして出力することとなる。
【0042】デコード出力A3xA4y、A5xA6
y、A7xA8yの少なくともひとつが“0”(ローレ
ベル)であれば、バッファ回路1521−0〜1521
−7は常に“0”を出力する。
【0043】図12は、偶数アドレス冗長デコーダ11
12の回路構成を示す図である。偶数アドレス冗長デコ
ーダ1112では、偶数のアドレスすなわちカラムアド
レスの最下位ビットYAD0の論理値が“0”である被
置換アドレスに対するプログラミングがなされる。
【0044】図12において、1200−0〜1200
−15はヒューズ素子でレーザトリミングにより切断さ
れ、被置換アドレスがプログラミングされる。
【0045】このうち、1200−4〜1200−15
はカラムアドレスの上位ビットであるYAD3〜YAD
8に対するプログラミング用のヒューズである。各ヒュ
ーズ1200−4〜1200−15は、それぞれのアド
レス信号、あるいはその反転信号がゲート端子に供給さ
れるnチャネルMOSトランジスタ1201−4〜12
01−15のドレイン端子に接続し、たとえば被置換ア
ドレスのYAD3に対するアドレス論理値が“1”であ
る場合にはヒューズ1200−5を、アドレス論理値が
“0”である場合にはヒューズ1200−4を切断す
る。同様にして、YAD4〜YAD8までのアドレスが
プログラミングされる。
【0046】1200−0〜1200−3はカラムアド
レスの下位ビットであるYAD0〜YAD2に対するプ
ログラミング用のヒューズである。各ヒューズはそれぞ
れプリフェッチプリデコーダ1004からのプリデコー
ドプリアドレスY0P、Y2P、Y4P、Y6Pがゲー
ト端子に供給されるnチャネルMOSトランジスタ12
01−0〜1201−3のドレイン端子に接続し、たと
えば被置換アドレスのカラムアドレスの下位ビットがY
0Pに対応する場合には、ヒューズ1201−0を切断
する。同様にY2P、Y4P、Y6Pに対応するアドレ
スがプログラミングされる。
【0047】信号PREは内部アドレス信号の変化に応
じてクロックジェネレータ107から発生されるプリチ
ャージ信号であり、アクティブレベルはロウレベルでP
チャネルMOSトランジスタ1219をオンさせ、新た
なカラムアドレス信号YAD0〜YAD8の入力に対し
て被置換アドレスであるかどうかの判定動作を行う。
【0048】偶数アドレス冗長デコーダ1112に入力
したアドレス信号YAD3〜YAD8、およびプリデコ
ードプリアドレスY0P、Y2P、Y4P、Y6Pが被
置換アドレスと一致した場合には、それぞれのアドレス
ビットの論理値に相当するフェーズが切断されているた
め、節点1220を放電する電流経路がオフする。
【0049】したがって、信号PREにより節点122
0が充電され、ハイレベルとなりCSLの選択を禁止す
る信号RED0をロウレベルとし、一方、冗長セルを選
択する冗長カラム選択線RYS0をハイレベルとする。
【0050】被置換アドレスと一致しない場合には、い
ずれかのアドレスビットに対するヒューズが切断されて
いないので、節点1220を放電する電流経路がオンし
ている。したがって、信号PREにより節点1220が
充電されても節点1220のレベルがロウレベルとな
り、CSLの選択を禁止する信号RED0はハイレベル
となり、一方、冗長セルを選択する冗長カラム選択線R
YS0はロウレベルとなる。
【0051】図13は、奇数アドレス冗長デコーダ11
13の回路構成を示す図である。奇数アドレス冗長デコ
ーダ1113では、奇数のアドレスすなわちカラムアド
レスの最下位ビットYAD0の論理値が“1”である被
置換アドレスに対するプログラミングが同様になされ、
CSLの選択を禁止する信号RED1と、冗長セルを選
択する冗長カラム選択線RYS1を制御する。
【0052】図16は、カラム選択線CSL、冗長カラ
ム選択線RYS0、RYS1とビット線との接続関係を
示す図である。図示のとおり、それぞれのCSLは一つ
のビット線対にのみ接続されている。また、1600、
1601はI/Oバス対であり、隣り合うビット線は互
いに異なるI/Oバス対に接続されていることが分か
る。
【0053】すなわち、2ビットプリフェッチを行うの
で、同時に選択される2本のビット線対はI/Oバス対
1600に接続されたものとI/Oバス対1601に接
続されたものであり、このように2本のビット線対が選
択されて2ビットのデータがデータラッチ回路111に
ラッチされる。
【0054】冗長カラム選択線RYS0、RYS1は、
図16に示すとおり、それぞれひとつのビット線対にの
み接続され、互いに異なるI/Oバス対に接続されてい
る。図16においては、CSL8k、CSL8k+2、
CSL8k+4、CSL8k+6に対する冗長カラム選
択線がRYS0であり、CSL8k+1、CSL8k+
3、CSL8k+5、CSL8k+7に対する冗長カラ
ム選択線がRYS1とされている。なお、実際には、デ
ータ幅は「8」で入出力端子が8つある。図16には、
I/Oバス対が2対(1600、1601)だけが示さ
れているが、これは1入出力端子分であり、実際にはI
/Oバス対は16対あることになる。また図16では、
CSLはひとつのビット線対にのみ接続されているが、
他の入出力端子につながるビット線、すなわち他のI/
Oバス対につながるビット線にも接続されているので、
実際は8対のビット線に接続されていることになる。
【0055】再び図10に戻って、プリフェッチプリデ
コーダ1004の動作を中心として、入力されるアドレ
スA2、A1、A0がそれぞれ“0”、“1”、“1”
(アドレス=3)である場合を例に、バースト長が2、
4、8それぞれの場合に分けてさらに具体的に読み出し
動作を説明する。
【0056】まず、バースト長が「2」である場合を図
10および図18のタイミング図を参照して説明する。
【0057】まず、アドレスバッファ102から供給さ
れるカラムアドレスA0〜A8はLOAD0信号の発生
に応答してラッチ回路600にラッチされる。すなわち
ラッチ回路600−2、600−1、600−0には、
アドレスA2、A1、A0がラッチされ、それぞれ
“0”、“1”、“1”が格納され、内部アドレス信号
IA2、IA1、IA0にそれぞれ“0”、“1”、
“1”が与えられる。
【0058】その後、外部からCSB(チップセレク
ト)、RASB(ロウアドレスストローブ)、CASB
(カラムアドレスストローブ)、WEB(ライトイネー
ブル)信号の組み合わせによるREADコマンドが供給
されると、信号LOAD1、2が発生し(アクティブと
なり)、内部アドレス信号IA0〜IAiはLOAD1
によりラッチ回路601、602、603にラッチされ
る。
【0059】図7は、ラッチ回路601−0の構成の一
例を示す図である。バースト信号B4、B8はともに
“0”であるので、ORゲート700の出力は“0”
で、LOAD1信号が発生しても、YAD0は“0”と
なっている。
【0060】内部アドレス信号IA0の論理値“1”
は、LOAD1により、出力INT0に与えられる。I
NTA0の論理値“1”はLOAD2により選択信号生
成回路603に格納される。
【0061】図8は、ラッチ回路601−1、602−
1の構成の一例を示す図である。内部アドレス信号IA
1の論理値“1”は、LOAD1、LOAD2によりそ
れぞれのラッチ回路に格納され、カラムアドレス信号Y
AD1に1が与えられる。
【0062】図9は、ラッチ回路601−2、602−
2の構成の一例を示す図である。内部アドレス信号IA
2の論理値“0”は、LOAD1、LOAD2によりそ
れぞれラッチ回路に格納され、カラムアドレス信号YA
D2に0が与えられる。
【0063】図10に示すプリフェッチプリデコーダに
おいて、629、630はスイッチを示すが、バースト
信号B4、B8はともに“0”であるので、スイッチ6
29、630はともにオフし、節点633、634はと
もに“1”に固定されている。
【0064】以上のようにYAD2、YAD1、YAD
0にそれぞれ論理値“0”、“1”、“0”が与えられ
るので、プリデコードプリアドレスはY2P、Y3Pが
“1”、その他は“0”となる。
【0065】プリデコードプリアドレスは、偶数アドレ
ス冗長デコーダ1112、および奇数アドレス冗長デコ
ーダ1113で被置換アドレスであるか否かが判定され
る。
【0066】その際、被置換アドレスの場合には、前述
したように、カラム選択線CSLの選択を禁止する信号
RED0、あるいはRED1が“0”となり、プリデコ
ードアドレスY0、Y2、Y4、Y6、あるいはY1、
Y3、Y5、Y7は“1”となる。
【0067】プリデコードアドレスは“0”がアクティ
ブレベルとされることから、カラム選択線CSLの選択
が禁止されることになる。
【0068】一方、被置換アドレスでない場合には、R
ED0、RED1は“1”となっているので、プリデコ
ードアドレスY2、Y3が“0”で、その他は“1”と
なる。
【0069】こうして生成されたプリデコードアドレス
により、前述のとおり対応するCSLあるいはRYS
0、1が2本選択され、16ビットのデータがラッチ回
路111にラッチされ、I/Oスイッチ108に供給さ
れる。
【0070】この時、選択信号CIOは“1”であるた
め、I/Oスイッチ108に供給された16ビットのデ
ータのうち、プリデコードプリアドレスのY3Pに対応
するCSLあるいはRYS1が読み出した8ビットのデ
ータが選択され、出力バッファ109に出力される。
【0071】また、バースト長が「2」の場合は、LO
AD1信号が発生した後、クロックジェネレータ107
からCOUNT信号がクロックに同期して1回発生す
る。
【0072】このCOUNT信号の発生により、選択信
号CIOが反転して“0”となり、プリデコードプリア
ドレスのY2Pに対応するCSLあるいはRYS0が読
み出した8ビットのデータが選択され、出力バッファ1
09に出力される。
【0073】結局、この場合、カラムアドレスで言え
ば、“…011”(=3)、“…010”(=2)の順
に出力されたことになる。
【0074】次に、バースト長が「4」である場合を図
10および図19のタイミング図を参照して説明する。
この場合には、バースト信号B4が“1”、B8が
“0”であるので、図10のスイッチ629、631が
オン、スイッチ630、632がオフしている。
【0075】図7に示すラッチ回路601−0では、バ
ースト信号B4が“1”であるので、内部アドレス信号
IA0の論理値“1”がカラムアドレス信号YAD0に
与えられる。選択信号生成回路603やその他のラッチ
回路にはバースト長が「2」である場合と同じデータが
格納されている。
【0076】これらにより、プリデコードプリアドレス
はY0P、Y3Pが“1”、その他は“0”となる。プ
リデコードプリアドレスはバースト長が「2」である場
合と同様に、偶数アドレス冗長デコーダ1112、およ
び奇数アドレス冗長デコーダ1113で被置換アドレス
であるかどうかが判定されRED0、RED1およびR
YS0、RYS1のレベルが供給される。
【0077】プリデコードアドレスにより読み出された
データは、ラッチ回路111にラッチされ、前述のとお
り、I/Oスイッチ108に供給される選択信号CIO
によって、まずプリデコードプリアドレスY3Pに対応
するカラム選択線CSLあるいは冗長カラム選択線RY
S1が読み出した8ビットのデータが選択され、出力バ
ッファ109に出力される。
【0078】また、バースト長が「4」の場合は、LO
AD1、LOAD2信号が発生した後、クロックジェネ
レータ107からCOUNT信号がクロックに同期して
3回発生する。また2クロック後にCOUNT2信号が
1回発生する。
【0079】まず、COUNT信号が1回発生すること
によって、選択信号CIOが“0”に反転し、プリデコ
ードプリアドレスY0Pに対応するCSLあるいはRY
S0が読み出した8ビットのデータへ、出力が切り換え
られる。
【0080】つづいて、COUNT信号とCOUNT2
信号が発生すると、図8に示すラッチ回路602−1で
フリップフロップ回路840により、YAD1の論理値
が反転し“0”が与えられる。
【0081】図9に示すラッチ回路602−2では、バ
ースト信号B8が“0”であるので、ANDゲート92
6の出力が“0”で、YAD2の論理値は反転しない。
【0082】これらにより、プリデコードプリアドレス
はY1P、Y2Pが“1”、その他は“0”となる。こ
の時、選択信号CIOは合計2回反転し、“1”に戻っ
ているので、I/Oスイッチ108はプリデコードプリ
アドレスのY1Pに対応するCSLあるいはRYS1が
読み出した8ビットのデータを選択し出力する。
【0083】そして、最後のCOUNT信号が発生する
と、同様にして、選択信号CIOが“0”に反転し、プ
リデコードプリアドレスY2Pに対応するCSLあるい
はRYS0が読み出した8ビットのデータへ、出力が切
り換えられる。
【0084】まとめると、まず初めにプリデコードプリ
アドレスはY0PとY3Pが“1”であり、次のCOU
NT2信号が発生すると“1”となるのは、Y1PとY
2Pとなる。
【0085】これに応じ、出力バッファ109へは、ま
ずY3Pに対応するカラム選択線が読み出したデータが
出力され、COUNT信号が発生する毎に、Y0P、Y
1P、Y2Pに対応するカラム選択線が読み出したデー
タが出力されることになる。
【0086】したがって、カラムアドレスについていえ
ば、“…011”(=3)、“…000”(=0)、
“…001”(=1)、“…010”(=2)の順に出
力されたことになる。
【0087】バースト長が「8」である場合も同様であ
るが、バースト長が「8」である場合、バースト信号B
8が“1”とされ、図10において、スイッチ629、
631がオフ、スイッチ630、632がオンしてい
る。プリデコードプリアドレスはY3P、Y4Pが
“1”、その他は“0”となる。
【0088】バースト信号B8が“1”であると、内部
アドレス信号INT1の論理値が“1”のときには、ラ
ッチ回路602−2でCOUNT2信号の発生に応じて
フリップフロップ回路940(図9参照)により、YA
D2の論理値も反転し、カウントアップする。
【0089】バースト長が「8」の場合には、LOAD
1、2信号が発生した後、クロックジェネレータ107
からはCOUNT信号がクロックに同期して7回発生
し、COUNT2信号が2クロック毎に3回発生する。
COUNT2信号が発生する毎に“1”となるプリデコ
ードプリアドレスは、Y5PとY6P、Y7PとY0
P、Y1PとY2Pと変化する。
【0090】これに伴い、出力バッファ109へは、ま
ずY3Pに対応するカラム選択線が読み出したデータが
出力され、COUNT信号が発生する毎にY4P、Y5
P、Y6P、Y7P、Y0P、Y1P、Y2Pに対応す
るカラム選択線が読み出したデータが出力されることに
なる。
【0091】したがって、カラムアドレスでいえば、
“…011”(=3)、“…100”(=4)、“…1
01”(=5)、“…110”(=6)、“…111”
(=7)、“…000”(=0)、“…001”(=
1)、“…010”(=2)の順に出力されたことにな
る。
【0092】まとめとして、図21に、バースト長が
2、4、8の場合それぞれについて、プリフェッチプリ
デコーダ1004が入力アドレスA0〜A2に対し、ど
のようなプリデコードプリアドレスを出力するのかを示
す。なお、図21に示したプリデコードプリアドレス
は、“1”となるアドレスを示している。
【0093】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
この従来の方式によると、多重選択する2つのアドレス
は最初に読み出されるべきアドレス信号をプリフェッチ
プリデコーダに供給することにより、バースト長を示す
情報を受けて、同時に読み出すべき次のアドレス信号を
生成する。それぞれは偶数アドレスと奇数アドレスの組
み合わせであり、バースト長により、その組み合わせが
決められる。
【0094】したがって、それぞれのアドレスが被置換
アドレスであるかどうかは、プリフェッチプリデコーダ
から出力されるプリデコード信号により、偶数アドレス
冗長デコーダおよび奇数アドレス冗長デコーダにて判定
される。
【0095】図22に、この従来の方式での、プリデコ
ードプリアドレスとCSL選択用のプリデコードアドレ
スのタイミング図を示す。図22は、入力されるアドレ
スA2、A1、A0がそれぞれ“0”、“1”、“1”
(=3)、バースト長が「4」の場合を示している。
【0096】アドレス信号YAD2、YAD1、YAD
0が供給されると、前述したように、プリデコードプリ
アドレスY3P、Y0Pが“1”となる。ここでは、Y
0Pに対応する偶数アドレスが被置換アドレス、奇数ア
ドレスが前状態でY1Pが選択され被置換状態で、Y3
Pに対応する奇数アドレスが被置換アドレスでない場合
を示す。
【0097】Y0Pが“1”となると、プリデコード信
号Y0は一旦アクティブレベルである“0”となり、そ
の後、偶数アドレス冗長デコーダにて、前述したよう
に、被置換アドレスであることが判定され、CSLの禁
止信号RED0が“0”となり、Y0は再び“1”に戻
る。
【0098】Y3Pが“1”となると、奇数アドレス冗
長デコーダにて、前述したように、被置換アドレスでな
いことが判定され、CSLの禁止信号RED1が“1”
となり、Y3がアクティブレベルである“0”となる。
【0099】図22に示すように、CSLを選択するた
めのプリデコード信号が確定するには、プリデコードプ
リアドレスが生成されたのち冗長デコーダによる判定信
号が生成されるまでのΔtの時間を必要とする。
【0100】この時間Δtとしては、現在開発されてい
るDRAMにおいては1〜2nsを要し、このためタイ
ミング遅れが生じアクセススピードを律速している。
【0101】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であって、その目的は、CSLを選択するためのプリデ
コード信号が確定するまでの時間を短縮しアクセスを高
速化するためのメモリ選択回路に対する冗長デコーダ回
路を提供することにある。
【0102】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る冗長デコーダ回路は、多重選択する2
つのアドレスの最初に読み出されるべきアドレス信号と
バースト長を示す情報を受けて、同時に読み出すべき次
のアドレス信号に対する被置換アドレスの判定を可能と
する手段を有している。かかる手段は、あらかじめ用意
されたアドレスの下位ビットの組み合わせ論理をバース
ト長を示す信号により切り換えることによるものであ
る。
【0103】すなわち、本発明においては、それぞれの
アドレスが被置換アドレスであるかどうかは、プリフェ
ッチプリデコーダから出力されるプリデコード信号によ
り判定されるのではなく、最初に読み出されるべきアド
レス信号により判定されるので冗長デコーダによる判定
信号が生成されるまでの時間を短縮することが可能にな
る。
【0104】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を参照して以下に説明する。本発明の実施の形態に係る
冗長デコーダは、多重選択する2つのアドレスの最初に
読み出されるべきアドレス信号とバースト長を示す情報
を受けて同時に読み出すべき次のアドレス信号に対する
被置換アドレスの判定を可能とする手段を有している。
この冗長デコーダに入力するアドレス信号はプリフェッ
チプリデコーダにより生成されるカラムアドレス信号Y
AD0〜YAD8とされる。
【0105】図1は、本発明の実施の形態に係るDRA
Mの全体構成を示す図である。図1において、図11に
示した要素と同等の機能を有する要素には同一の参照符
号が付されている。図1を参照すると、本発明の実施の
形態が、上記従来技術と相違する点は、偶数アドレス冗
長デコーダ112、および奇数アドレス冗長デコーダ1
13に入力するカラムアドレスの下位ビットのアドレス
信号は、プリデコードアドレスではなく、カラムアドレ
ス信号YAD0〜YAD2となっていることである。し
たがって、冗長デコーダ以外の回路ブロックの動作は、
上記従来技術と変わらない。
【0106】図6は、本発明の実施の形態におけるプリ
フェッチプリデコーダ104の構成を示す図である。
【0107】図21に、バースト長が2、4、8の場合
それぞれについて、プリフェッチプリデコーダ104が
入力アドレスA0〜A2に対し、どのようなプリデコー
ドプリアドレスを出力するのかを示している。図21か
らわかるように、多重選択されるカラムアドレスは、常
に偶数アドレスと奇数アドレスの組み合わせである。
【0108】したがって、最初に読み出されるべきアド
レス信号が偶数アドレスである場合には、同時に読み出
すべき次のアドレス信号は必ずカラムアドレスの最下位
YAD0のみが異なり、YAD1、YAD2は同じアド
レス信号となる。
【0109】一方、最初に読み出されるべきアドレス信
号が奇数アドレスである場合には、同時に読み出すべき
次のアドレス信号はバースト長により異なり、アドレス
信号との組み合わせにより生成されている。
【0110】言い換えると、多重選択される2つのアド
レスのうち、奇数アドレスのYAD1、YAD2に相当
するビットの論理値は常に、供給されるカラムアドレス
のYAD1、YAD2と同じである。
【0111】一方、偶数アドレスは供給されるカラムア
ドレスが偶数アドレスの場合には、YAD1、YAD2
に相当するビットの論理値は、供給されるカラムアドレ
スのYAD1、YAD2と同じであるが、供給されるカ
ラムアドレスが偶数アドレスの場合には、バースト長と
そのアドレス値により決まる。
【0112】図5は、本発明の実施の形態における奇数
アドレス冗長デコーダ113の構成を示す図である。前
述したように、多重選択される2つのアドレスのうち、
奇数アドレスのYAD1、YAD2に相当するビットの
論理値は常に、供給されるカラムアドレスのYAD1、
YAD2と同じであるから、被置換アドレスであるかど
うかの判定はアドレス信号YAD1、YAD2により行
われる。
【0113】図5において、500−0〜500−15
はヒューズ素子であり、例えばレーザトリミングにより
切断され被置換アドレスがプログラミングされる。各ヒ
ューズ500−0〜500−15はそれぞれのアドレス
信号、あるいはその反転信号がゲート端子に供給される
nチャネルMOSトランジスタ501−0〜501−1
5のドレイン端子に接続し、たとえば被置換アドレスの
YAD1に対するアドレス論理値が“1”である場合に
は、ヒューズ500−1を、アドレス論理値が“0”で
ある場合にはヒューズ500−0を切断する。同様にY
AD2〜YAD8までのアドレスがプログラミングされ
る。
【0114】信号PREは、内部アドレス信号の変化に
応じてクロックジェネレータ107から発生されるプリ
チャージ信号であり、アクティブレベルはロウレベルで
PチャネルMOSトランジスタ523をオンさせ、新た
なカラムアドレス信号YAD0〜YAD8の入力に対し
て被置換アドレスであるかどうかの判定動作を行う。
【0115】奇数アドレス冗長デコーダ113に入力し
たアドレス信号YAD1〜YAD8が被置換アドレスと
一致した場合には、それぞれのアドレスビットの論理値
に相当するヒューズが切断されているため、節点530
を放電する電流経路がオフする。したがって、信号PR
Eにより、節点530が充電され、ハイレベルとなりC
SLの選択を禁止する信号RED1をロウレベルとし、
また冗長セルを選択する冗長カラム選択線RYS1をハ
イレベルとする。
【0116】一方、被置換アドレスと一致しない場合に
は、いずれかのアドレスビットに対するヒューズが切断
されていないので、節点530を放電する電流経路がオ
ンしている。したがって、信号PREにより接点530
が充電されても接点530のレベルがロウレベルとな
り、CSLの選択を禁止する信号RED1はハイレベル
となり、冗長セルを選択する冗長カラム選択線RYS1
はロウレベルとなる。
【0117】図4は、本発明の実施の形態における偶数
アドレス冗長デコーダ112の構成を示す図である。図
4を参照すると、本発明の実施の形態における偶数アド
レス冗長デコーダ112は、アドレス信号変換部400
と、ヒューズ回路部401と、を備えて構成されてい
る。前述したように、多重選択される2つのアドレスの
うち偶数アドレスのYAD1、YAD2に相当するビッ
トの論理値に対しては、供給されるカラムアドレスが偶
数アドレスであるか、奇数アドレスであるか、すなわち
YAD0の論理値とバースト信号B4、B8によって、
カラムアドレス信号YAD1、YAD2の論理値を変換
して被置換アドレスであるかどうかの判定動作を行う。
【0118】アドレス信号変換部400は、この変換を
行う回路部である。Y1N2N、Y1T2N、Y1N2
T、Y1T2Tはそれぞれ被置換アドレスのYAD1、
YAD2に相当するアドレスの論理値の組み合わせが、
それぞれ(0、0)、(1、0)、(0、1)、(1、
1)のときに、ヒューズ回路部401に対して放電する
電流経路を供給する出力端子である。
【0119】ヒューズ回路部401は、4つの端子Y1
N2N、Y1T2N、Y1N2T、Y1T2Tと、カラ
ムアドレスの上位ビットであるYAD3〜YAD8に対
するプログラミング用のヒューズ回路部である。
【0120】図3は、ヒューズ回路部401を構成を示
す図である。図3において、300−0〜300−15
はヒューズ素子であり、例えばレーザプログラミングに
より切断され、被置換アドレスがプログラミングされ
る。このうち、300−4〜300−15はカラムアド
レスの上位ビットであるYAD3〜YAD8に対するプ
ログラミング用のヒューズである。
【0121】各ヒューズ300−0〜300−15は、
それぞれのアドレス信号、あるいはその反転信号がゲー
ト端子に供給されるnチャネルMOSトランジスタ30
1−0〜301−11のドレイン端子に接続し、たとえ
ば被置換アドレスのYAD3に対するアドレス論理値が
“1”である場合には、ヒューズ300−5を、アドレ
ス論理値が“0”である場合にはヒューズ300−4を
切断する。同様にして、YAD4〜YAD8までのアド
レスがプログラミングされる。
【0122】300−0〜300−3はカラムアドレス
の下位ビットであるYAD1、YAD2に対するプログ
ラミング用のヒューズである。
【0123】Y1N2N、Y1T2N、Y1N2T、Y
1T2Tに接続するヒューズ300−0〜300−3
は、それぞれ被置換アドレスのYAD1、YAD2に相
当するアドレスの論理値の組み合わせが、それぞれ
(0、0)、(1、0)、(0、1)、(1、1)のと
きに、そのヒューズのみを残して残りの3つのヒューズ
を切断する。
【0124】ヒューズ回路部401の動作は、奇数アド
レス冗長デコーダ113と同様であるが、入力したアド
レス信号が被置換アドレスと一致した場合には、それぞ
れのアドレスビットの論理値に相当するヒューズが切断
されているため、節点330を放電する電流経路がオフ
する。したがって、信号PREにより、節点330が充
電されハイレベルとなり、CSLの選択を禁止する信号
RED0をロウレベルとし、冗長セルを選択する冗長カ
ラム選択線RYS0をハイレベルとする。
【0125】被置換アドレスと一致しない場合には、い
ずれかのアドレスビットに対するヒューズが切断されて
いないので、節点330を放電する電流経路がオンして
いる。したがって、信号PREにより、節点330が充
電されても節点330のレベルがロウレベルとなり、C
SLの選択を禁止する信号RED1はハイレベルとな
り、冗長セルを選択する冗長カラム選択線RYS0はロ
ウレベルとなる。
【0126】図2は、本発明の実施の形態における偶数
アドレス冗長デコーダ112のアドレス信号変換部40
0の構成の一例を示す図である。アドレス信号変換部4
00は、信号YAD0〜YAD2及びB4、B8を入力
し、Y1N2N、Y1T2N、Y1N2T、Y1T2T
を出力するもので、200〜217はnチャネルMOS
トランジスタである。
【0127】以下、被置換アドレスのYAD1、YAD
2に相当する論理値が(0、0)の場合を例に、アドレ
ス信号変換部400およびヒューズ回路部401の動作
を説明する。
【0128】この時、ヒューズ回路部401では、30
0−1〜300−3のヒューズが切断され、300−0
のヒューズのみがアドレスの下位ビットYAD1、YA
D2に対する節点330を放電する電流経路となってい
る。
【0129】まず、供給されるカラムアドレスが偶数ア
ドレスである場合には、YAD0が“0”となるので、
インバータ220の出力レベルは“1”となり、インバ
ータ220の出力をゲート入力とするnチャネルMOS
トランジスタ208がオンし、またANDゲート21
9、218の出力をゲート入力とするnチャネルMOS
トランジスタ209、210はオフしている。
【0130】前述したように、偶数アドレスは供給され
るカラムアドレスが偶数アドレスの場合には、YAD
1、YAD2に相当するビットの論理値は、供給される
カラムアドレスのYAD1、YAD2と同じであるの
で、YAD1、YAD2の論理値が(0、0)の時に、
nチャネルMOSトランジスタ200、201がオフし
放電する電流経路がオフするので、被置換アドレスと判
定される。バースト長が「2」の場合には、前述したよ
うに、YAD0は常に“0”に固定されている。
【0131】つぎに、供給されるカラムアドレスが奇数
アドレスで、バースト長が「4」の場合には、YAD0
が“1”、B4が“1”、B8は“0”となるので、Y
AD0とB4を入力とするANDゲート219の出力が
“1”となり、nチャネルトランジスタ209がオン
し、nチャネルトランジスタ208、210がオフして
いる。
【0132】この時、偶数アドレスのYAD1、YAD
2に相当するビットの論理値が(0、0)となるのは、
供給されるカラムアドレスのYAD2、YAD1、YA
D0の論理値が、“0”、“1”、“1”(=3)のと
きである。
【0133】この場合には、nチャネルトランジスタ2
02、203がオフし、放電する電流経路がオフするの
で、被置換アドレスと判定される。
【0134】つぎに、供給されるカラムアドレスが奇数
アドレスで、バースト長が「8」の場合には、YAD0
が“1”、B4が“0”、B8は“1”となるので、A
NDゲート218の出力が“1”となり、nチャネルト
ランジスタ210がオンし、nチャネルトランジスタ2
08、209がオフしている。
【0135】この時、偶数アドレスのYAD1、YAD
2に相当するビットの論理値が(0、0)となるのは、
供給されるカラムアドレスのYAD2、YAD1、YA
D0の論理値が“1”、“1”、“1”(=7)のとき
である。
【0136】この場合には、nチャネルトランジスタ2
06、207がオフし放電する電流経路がオフするので
被置換アドレスと判定される。
【0137】図23に、本発明の実施の形態におけるプ
リデコードプリアドレスとCSL選択用のプリデコード
アドレスのタイミング図を示す。入力されるアドレスA
2、A1、A0がそれぞれ“0”、“1”、“1”
(3)、バースト長が「4」の場合を示している。
【0138】アドレス信号YAD2、YAD1、YAD
0が供給されると、前述したように、プリデコードプリ
アドレスY3P、Y1Pが“1”となる。ここでは、Y
0Pに対応する偶数アドレスが被置換アドレス、奇数ア
ドレスが前状態でY1Pが選択され被置換状態で、Y3
Pに対応する奇数アドレスが被置換アドレスでない場合
を示す。
【0139】アドレス信号YAD2、YAD1、YAD
0は偶数アドレス冗長デコーダおよび奇数アドレス冗長
デコーダにも供給され、それぞれ被置換アドレスである
かどうか判定される。
【0140】図24に、YAD0、YAD1、YAD2
のタイミングを示す。YAD0は図7に示したラッチ回
路601−0に示されるように、LOAD1信号の発生
により供給される。しかるに、YAD1は、図8に示し
たラッチ回路601−1、602−1に示されるよう
に、LOAD1信号の発生により、内部アドレス信号I
A1の論理値が、ラッチ回路601−1からラッチ回路
602−1に供給されたのち、LOAD2信号により供
給される。
【0141】このため、図24に示すように、YAD0
の発生とYAD1の発生にて、ΔTskewの時間差が
ある。
【0142】YAD2も、図9に示すように、LOAD
2信号の発生により、YAD1と同じタイミングで供給
される。
【0143】すなわち、プリデコードアドレスの生成、
および被冗長アドレスであるかどうか判定されるタイミ
ングは、アドレス信号YAD1、YAD2の供給タイミ
ングにより決まっている。
【0144】アドレス信号YAD2、YAD1、YAD
0が偶数アドレス冗長デコーダ112に供給されると、
前述したように、被置換アドレスであることが判定され
CSLの禁止信号RED0が“0”となり、Y0Pは
“1”となっているが、Y0はアクティブレベルの
“0”となることが禁止され、“1”が保持される。
【0145】アドレス信号YAD2、YAD1、YAD
0が、奇数アドレス冗長デコーダ113に供給される
と、前述したように、被置換アドレスであることが判定
され、CSLの禁止信号RED1が“1”となり、Y3
はアクティブレベルである“0”となる。
【0146】図23に示すように、冗長デコーダによる
判定信号は、アドレス信号YAD0、YAD1、YAD
2により生成されるため、プリデコードプリアドレスが
生成されるタイミングとほぼ同時となる。
【0147】このように、本発明の実施の形態において
は、CSLを選択するためのプリデコード信号が判定す
るのに、プリデコードプリアドレスが生成されてから、
冗長デコーダによる判定信号が生成されるまでの時間を
待つ必要がない。
【0148】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
冗長デコーダによる判定信号はアドレス信号YAD0、
YAD1、YAD2により生成されるため、プリデコー
ドプリアドレスが生成されるタイミングとほぼ同時とな
り、カラム選択線CSLを選択するためのプリデコード
信号が確定するまでの時間を短縮し、アクセスを高速化
することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係るメモリの全体構成を
示す図である。
【図2】本発明の実施の形態における偶数アドレス冗長
デコーダ回路のアドレス信号変換部400を示す図であ
る。
【図3】本発明の実施の形態における偶数アドレス冗長
デコーダ回路のヒューズ回路部401を示す図である。
【図4】本発明の実施の形態における偶数アドレス冗長
デコーダ回路112の構成を示す図である。
【図5】本発明の実施の形態における奇数アドレス冗長
デコーダ回路113の構成を示す図である。
【図6】本発明の実施の形態におけるプリフェッチプリ
デコーダ104の構成を示す図である。
【図7】プリフェッチデコーダにおけるラッチ回路60
1−0の構成を示す図である。
【図8】プリフェッチデコーダにおけるラッチ回路60
1−1、602−1の構成を示す図である。
【図9】プリフェッチデコーダにおけるラッチ回路60
1−2、602−2の構成を示す図である。
【図10】従来技術のプリフェッチプリデコーダ100
4を示す図である。
【図11】従来技術のメモリの全体構成を示す図であ
る。
【図12】従来技術の偶数アドレス冗長デコーダ回路1
112の構成を示す図である。
【図13】従来技術の奇数アドレス冗長デコーダ回路1
113の構成を示す図である。
【図14】カラムデコーダ106の全体構成を示す図で
ある。
【図15】カラムデコーダ106の回路構成の一部を示
す図である。
【図16】カラム選択線とビット線の接続関係を示す図
である。
【図17】プリデコーダ105の一部を示す図である。
【図18】読み出しタイミングを示す図(バースト長=
2)を示す図である。
【図19】読み出しタイミングを示す図(バースト長=
4)を示す図である。
【図20】読み出しタイミングを示す図(バースト長=
8)を示す図である。
【図21】YAD0、YAD1、YAD2のタイミング
図である。
【図22】従来技術におけるプリデコードプリアドレス
とCSL選択用のプリデコードアドレスのタイミング図
である。
【図23】本発明の実施の形態における、プリデコード
プリアドレスとCSL選択用のプリデコードアドレスの
タイミング図である。
【図24】本発明の実施の形態における、YAD0、Y
AD1、YAD2のタイミングを示す図である。
【符号の説明】
100 16MDRAMの全体図 101 16Mビットメモリセル 102 アドレスバッファ 103 ロウデコーダ 104、1004 プリフェッチプリデコーダ 105 プリデコーダ 106 カラムデコーダ 107 クロックジェネレータ 108 I/Oスイッチ 109 出力バッファ 110 入力バッファ 111、600、601、602 ラッチ回路 112、1112 偶数アドレス冗長デコーダ 113、1113 奇数アドレス冗長デコーダ 603 選択信号生成回路 218、219、701、921 アンドゲート 811、911、1510 バッファ回路 700 オアゲート 300、500 ヒューズ 400 アドレス信号変換部 401 ヒューズ回路部 629、630、631、632 スイッチ A0〜A11 入力アドレス YAD0〜YAD8 内部アドレス信号 Y0〜Y7 プリデコードアドレス Y0P〜Y7P プリデコードプリアドレス B4、B8 バースト信号 LOAD0、LOAD1、LOAD2、COUNT、C
OUNT2、PREタイミング信号

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】多重選択する2つのアドレスの最初にアク
    セスすべきアドレス信号とバースト長を示す情報とを受
    けて、同時にアクセスすべき次のアドレス信号に対する
    被置換アドレスの判定を行う手段を備えたことを特徴と
    する冗長デコーダ回路。
  2. 【請求項2】前記手段が、予め用意されたアドレスの下
    位ビットの組み合わせ論理を、前記バースト長を示す信
    号により切り換えることを特徴とする請求項1記載の冗
    長デコーダ回路。
  3. 【請求項3】多ビットプリフェッチ方式によりカラム選
    択線を多重選択して所望のアドレスから連続アクセスを
    開始する半導体記憶装置において、冗長デコーダ回路が
    アドレス信号とバースト長の組み合わせによる論理変換
    手段を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
JP8175618A 1996-06-14 1996-06-14 冗長デコード回路 Expired - Fee Related JP2848339B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8175618A JP2848339B2 (ja) 1996-06-14 1996-06-14 冗長デコード回路
KR1019970025104A KR100248694B1 (ko) 1996-06-14 1997-06-14 중복 디코더 회로 및 반도체 기억 장치
US08/876,293 US5905681A (en) 1996-06-14 1997-06-16 Redundant decoder utilizing address signal and burst length

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8175618A JP2848339B2 (ja) 1996-06-14 1996-06-14 冗長デコード回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH103798A true JPH103798A (ja) 1998-01-06
JP2848339B2 JP2848339B2 (ja) 1999-01-20

Family

ID=15999243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8175618A Expired - Fee Related JP2848339B2 (ja) 1996-06-14 1996-06-14 冗長デコード回路

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5905681A (ja)
JP (1) JP2848339B2 (ja)
KR (1) KR100248694B1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6542422B1 (en) 2002-04-08 2003-04-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device performing high speed coincidence comparison operation with defective memory cell address
WO2005081257A1 (ja) * 2004-02-20 2005-09-01 Spansion Llc 半導体記憶装置および半導体記憶装置の制御方法
WO2007023545A1 (ja) * 2005-08-25 2007-03-01 Spansion Llc 冗長救済機能を備える記憶装置
US7359264B2 (en) 2005-08-05 2008-04-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3204384B2 (ja) * 1997-12-10 2001-09-04 エヌイーシーマイクロシステム株式会社 半導体記憶回路
JP2002043427A (ja) * 2000-07-21 2002-02-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置のトリミング方法と半導体装置のトリミング装置および半導体装置のトリミングテーブルの作成方法
KR20000059195A (ko) * 2000-07-21 2000-10-05 안병주 소형 배터리와 열선을 이용한 의류용 방한 보온장치
JP2002073129A (ja) * 2000-08-30 2002-03-12 Mitsubishi Electric Corp レーザトリミング用プログラム作成装置、方法、記録媒体およびレーザトリミング装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2570589B2 (ja) * 1993-08-26 1997-01-08 日本電気株式会社 ロールコール回路
JPH07272480A (ja) * 1994-03-30 1995-10-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US5621690A (en) * 1995-04-28 1997-04-15 Intel Corporation Nonvolatile memory blocking architecture and redundancy
US5673227A (en) * 1996-05-14 1997-09-30 Motorola, Inc. Integrated circuit memory with multiplexed redundant column data path

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6542422B1 (en) 2002-04-08 2003-04-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device performing high speed coincidence comparison operation with defective memory cell address
WO2005081257A1 (ja) * 2004-02-20 2005-09-01 Spansion Llc 半導体記憶装置および半導体記憶装置の制御方法
US7359264B2 (en) 2005-08-05 2008-04-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2007023545A1 (ja) * 2005-08-25 2007-03-01 Spansion Llc 冗長救済機能を備える記憶装置
JPWO2007023545A1 (ja) * 2005-08-25 2009-03-26 スパンション エルエルシー 記憶装置、および記憶装置の制御方法
JP4652409B2 (ja) * 2005-08-25 2011-03-16 スパンション エルエルシー 記憶装置、および記憶装置の制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR980003981A (ko) 1998-03-30
KR100248694B1 (ko) 2000-03-15
JP2848339B2 (ja) 1999-01-20
US5905681A (en) 1999-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3304893B2 (ja) メモリ選択回路及び半導体メモリ装置
JP3376998B2 (ja) 半導体記憶装置
US6507532B1 (en) Semiconductor memory device having row-related circuit operating at high speed
JPH0877794A (ja) 半導体記憶装置
KR100278901B1 (ko) 반도체 기억 장치
KR19980087078A (ko) 반도체 기억장치
JP2000030463A (ja) 同期型半導体記憶装置
JP2848339B2 (ja) 冗長デコード回路
KR100279230B1 (ko) 반도체기억장치 및 그의 액세스방법
KR100380777B1 (ko) 반도체 기억 장치
JP2982618B2 (ja) メモリ選択回路
JP3552882B2 (ja) 半導体記憶装置
JP3279787B2 (ja) 半導体記憶装置
KR100283630B1 (ko) 디코드 신호 비교 회로
JP2004288347A (ja) 連想メモリ
JP4125448B2 (ja) 半導体メモリ装置
JP4031067B2 (ja) 半導体記憶装置
KR20030038318A (ko) 반도체 기억 장치 및 그 제어 방법
JP2001256793A (ja) 半導体集積回路装置
KR100390238B1 (ko) 뱅크 어드레스를 이용한 반도체 메모리 소자의 어드레스제어 장치
KR100400312B1 (ko) 로오 리페어회로를 가진 반도체 메모리 장치
JP2008198355A (ja) 半導体集積回路装置
JP2000260178A (ja) 半導体記憶装置
KR20000051037A (ko) 소비전력을 최소화하는 프리디코더 회로
KR100306906B1 (ko) 반도체메모리

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19981006

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071106

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081106

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081106

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091106

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101106

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111106

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131106

Year of fee payment: 15

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees