JPH10275702A - チップ抵抗器 - Google Patents
チップ抵抗器Info
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- JPH10275702A JPH10275702A JP9080601A JP8060197A JPH10275702A JP H10275702 A JPH10275702 A JP H10275702A JP 9080601 A JP9080601 A JP 9080601A JP 8060197 A JP8060197 A JP 8060197A JP H10275702 A JPH10275702 A JP H10275702A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 不良原因を排除して品質及び信頼性の高いチ
ップ抵抗器を提供すること。 【解決手段】 引出電極７ａの端縁に該端縁から絶縁素
子７ａの端面に沿って下向きに延びる導通片７ｃ１を形
成し、該端縁及び導通片７ｃ１を介して引出電極７ｃと
外部電極８とを接続しているので、引出電極７ｃの端縁
の露出面積が小さい場合でも、外部電極８との接続面積
を引出電極７ｃに形成した導通片７ｃ１によって確保し
て、引出電極７ｃと外部電極８との導通不良を防止でき
る。
ップ抵抗器を提供すること。 【解決手段】 引出電極７ａの端縁に該端縁から絶縁素
子７ａの端面に沿って下向きに延びる導通片７ｃ１を形
成し、該端縁及び導通片７ｃ１を介して引出電極７ｃと
外部電極８とを接続しているので、引出電極７ｃの端縁
の露出面積が小さい場合でも、外部電極８との接続面積
を引出電極７ｃに形成した導通片７ｃ１によって確保し
て、引出電極７ｃと外部電極８との導通不良を防止でき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ抵抗器に関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のチップ抵抗器は、絶縁素
子，抵抗膜，一対の引出電極，保護膜及び一対の外部電
極を備えており、長方形状を成す抵抗膜の長手方向端部
に引出電極を接続し、絶縁素子の端面に露出する引出電
極の端縁に外部電極を接続している。また、抵抗膜には
トリミング用のカット溝が形成され抵抗値調整が図られ
ている。
子，抵抗膜，一対の引出電極，保護膜及び一対の外部電
極を備えており、長方形状を成す抵抗膜の長手方向端部
に引出電極を接続し、絶縁素子の端面に露出する引出電
極の端縁に外部電極を接続している。また、抵抗膜には
トリミング用のカット溝が形成され抵抗値調整が図られ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この種のチップ抵抗器
の不良原因には、抵抗膜のクラックや、抵抗膜の絶縁素
子からの剥離や、引出電極と外部電極との導通不良が主
として挙げられる。抵抗膜のクラックは、トリミング時
に形成されるカット溝の部品幅方向に沿う長さが長くな
って、同方向の非カット部分の強度が低下する場合に生
じ易い。また、抵抗膜の絶縁素子からの剥離は、材料及
び面積の関係から両者の密着性が低い場合に生じ易く、
抵抗膜が剥離するとその上の保護膜も一緒に剥がれてし
まいかねない。さらに、引出電極と外部電極との導通不
良は、引出電極の端縁に充分な露出面積が得られず、両
者の接続面積が低下する場合に生じ易い。
の不良原因には、抵抗膜のクラックや、抵抗膜の絶縁素
子からの剥離や、引出電極と外部電極との導通不良が主
として挙げられる。抵抗膜のクラックは、トリミング時
に形成されるカット溝の部品幅方向に沿う長さが長くな
って、同方向の非カット部分の強度が低下する場合に生
じ易い。また、抵抗膜の絶縁素子からの剥離は、材料及
び面積の関係から両者の密着性が低い場合に生じ易く、
抵抗膜が剥離するとその上の保護膜も一緒に剥がれてし
まいかねない。さらに、引出電極と外部電極との導通不
良は、引出電極の端縁に充分な露出面積が得られず、両
者の接続面積が低下する場合に生じ易い。
【０００４】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、不良原因を排除して品質
及び信頼性の高いチップ抵抗器を提供することにある。
で、その目的とするところは、不良原因を排除して品質
及び信頼性の高いチップ抵抗器を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、絶縁素子，抵抗膜，一対の引出
電極，保護膜及び一対の外部電極を備え、絶縁素子の端
面に露出する引出電極の端縁に外部電極を接続したチッ
プ抵抗器において、引出電極の端縁に該端縁から絶縁素
子の端面に沿って延びる導通片を形成し、該端縁及び導
通片を介して引出電極と外部電極とを接続した、ことを
その特徴としている。
め、請求項１の発明は、絶縁素子，抵抗膜，一対の引出
電極，保護膜及び一対の外部電極を備え、絶縁素子の端
面に露出する引出電極の端縁に外部電極を接続したチッ
プ抵抗器において、引出電極の端縁に該端縁から絶縁素
子の端面に沿って延びる導通片を形成し、該端縁及び導
通片を介して引出電極と外部電極とを接続した、ことを
その特徴としている。
【０００６】この請求項１の発明によれば、引出電極の
端縁に該端縁から絶縁素子の端面に沿って延びる導通片
を形成し、該端縁及び導通片を介して引出電極と外部電
極とを接続しているので、引出電極の端縁の露出面積が
小さい場合でも、外部電極との接続面積を引出電極に形
成した導通片によって確保できる。
端縁に該端縁から絶縁素子の端面に沿って延びる導通片
を形成し、該端縁及び導通片を介して引出電極と外部電
極とを接続しているので、引出電極の端縁の露出面積が
小さい場合でも、外部電極との接続面積を引出電極に形
成した導通片によって確保できる。
【０００７】請求項２の発明は、絶縁素子，抵抗膜，一
対の引出電極，保護膜及び一対の外部電極を備え、抵抗
膜の長手方向端部に引出電極を接続したチップ抵抗器に
おいて、抵抗膜の形状を、長手方向中央に向かって徐々
に幅が大きくなる形状とした、ことをその特徴としてい
る。
対の引出電極，保護膜及び一対の外部電極を備え、抵抗
膜の長手方向端部に引出電極を接続したチップ抵抗器に
おいて、抵抗膜の形状を、長手方向中央に向かって徐々
に幅が大きくなる形状とした、ことをその特徴としてい
る。
【０００８】この請求項２の発明によれば、抵抗膜の形
状を、長手方向中央に向かって徐々に幅が大きくなる形
状としているので、トリミング時に形成されるカット溝
の部品幅方向に沿う長さに対する許容範囲を大きくでき
ると共に、抵抗値調整幅を大きく取れる。
状を、長手方向中央に向かって徐々に幅が大きくなる形
状としているので、トリミング時に形成されるカット溝
の部品幅方向に沿う長さに対する許容範囲を大きくでき
ると共に、抵抗値調整幅を大きく取れる。
【０００９】請求項３の発明は、絶縁素子，抵抗膜，一
対の引出電極，保護膜及び一対の外部電極を備え、抵抗
膜にトリミング用のカット溝を形成したチップ抵抗器に
おいて、絶縁素子のカット溝下側位置に溝部を形成し、
抵抗膜上の保護膜の一部を抵抗膜のカット溝を介して絶
縁素子の溝部に侵入させた、ことをその特徴としてい
る。
対の引出電極，保護膜及び一対の外部電極を備え、抵抗
膜にトリミング用のカット溝を形成したチップ抵抗器に
おいて、絶縁素子のカット溝下側位置に溝部を形成し、
抵抗膜上の保護膜の一部を抵抗膜のカット溝を介して絶
縁素子の溝部に侵入させた、ことをその特徴としてい
る。
【００１０】この請求項３の発明によれば、絶縁素子の
カット溝下側位置に溝部を形成し、抵抗膜上の保護膜の
一部を抵抗膜のカット溝を介して絶縁素子の溝部に侵入
させているので、該侵入によって保護膜と絶縁素子とを
直接接続して抵抗膜の密着性を補うことができる。
カット溝下側位置に溝部を形成し、抵抗膜上の保護膜の
一部を抵抗膜のカット溝を介して絶縁素子の溝部に侵入
させているので、該侵入によって保護膜と絶縁素子とを
直接接続して抵抗膜の密着性を補うことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１乃至図６は本発明の一実施形
態を示すもので、以下図を参照して本実施形態に係るチ
ップ抵抗器の製造方法とチップ抵抗器の構造について説
明する。
態を示すもので、以下図を参照して本実施形態に係るチ
ップ抵抗器の製造方法とチップ抵抗器の構造について説
明する。
【００１２】チップ抵抗器の製造に際しては、まず、図
１に示すような絶縁基板１を用意する。この絶縁基板１
はアルミナ等の絶縁材料から成り、所定の厚みと取り数
に応じた外形寸法を有している。尚、図面には便宜上１
２個取りのものを示してあるが、実際にはこれよりも多
くの取り数が得られるものが絶縁基板１として使用され
る。
１に示すような絶縁基板１を用意する。この絶縁基板１
はアルミナ等の絶縁材料から成り、所定の厚みと取り数
に応じた外形寸法を有している。尚、図面には便宜上１
２個取りのものを示してあるが、実際にはこれよりも多
くの取り数が得られるものが絶縁基板１として使用され
る。
【００１３】そして、この絶縁基板１の上面に、図１に
示すように、取り数に応じた配列及び数で引出電極用導
体膜２を形成する。この引出電極用導体膜２は銀，ニッ
ケル等の金属材料から成り、所定幅の帯状を成してい
る。また、この引出電極用導体膜２は、金属材料粉を含
有する電極ペーストをスクリーン印刷等の厚膜法によっ
て塗工し、これを乾燥して所定の温度で焼成することに
よって形成される。勿論、不要部分をマスキングしなが
ら蒸着やスパッタリング等の薄膜法により同様の導体膜
を形成するようにしてもよい。
示すように、取り数に応じた配列及び数で引出電極用導
体膜２を形成する。この引出電極用導体膜２は銀，ニッ
ケル等の金属材料から成り、所定幅の帯状を成してい
る。また、この引出電極用導体膜２は、金属材料粉を含
有する電極ペーストをスクリーン印刷等の厚膜法によっ
て塗工し、これを乾燥して所定の温度で焼成することに
よって形成される。勿論、不要部分をマスキングしなが
ら蒸着やスパッタリング等の薄膜法により同様の導体膜
を形成するようにしてもよい。
【００１４】次に、図２に示すように、導体膜形成後の
絶縁基板１の上面に、長手方向両端部が引出電極用導体
膜２と重なるように、取り数に応じた配列及び数で抵抗
膜３を形成する。この抵抗膜３は酸化ルテニウム，Ｓｉ
Ｏ2 等の抵抗材料から成り、長手方向中央に向かって徐
々に幅が大きくなる太鼓形状を成している。この抵抗膜
３は、抵抗材料粉を含有する電極ペーストをスクリーン
印刷等の厚膜法によって塗工し、これを乾燥して所定の
温度で焼成することによって形成される。勿論、不要部
分をマスキングしながら蒸着やスパッタリング等の薄膜
法により同様の抵抗膜を形成するようにしてもよい。
絶縁基板１の上面に、長手方向両端部が引出電極用導体
膜２と重なるように、取り数に応じた配列及び数で抵抗
膜３を形成する。この抵抗膜３は酸化ルテニウム，Ｓｉ
Ｏ2 等の抵抗材料から成り、長手方向中央に向かって徐
々に幅が大きくなる太鼓形状を成している。この抵抗膜
３は、抵抗材料粉を含有する電極ペーストをスクリーン
印刷等の厚膜法によって塗工し、これを乾燥して所定の
温度で焼成することによって形成される。勿論、不要部
分をマスキングしながら蒸着やスパッタリング等の薄膜
法により同様の抵抗膜を形成するようにしてもよい。
【００１５】次に、図３に示すように、各抵抗膜３にカ
ット溝４を形成してトリミングしその抵抗値調整を行
う。具体的には、引出電極用導体膜２を検出電極として
各抵抗膜３の抵抗値を検出しながら、該抵抗膜３にＹＡ
Ｇレーザ光を照射し、レーザ光照射部分を連続的に消失
させてＬ字状や直線状のカット溝４を形成する。
ット溝４を形成してトリミングしその抵抗値調整を行
う。具体的には、引出電極用導体膜２を検出電極として
各抵抗膜３の抵抗値を検出しながら、該抵抗膜３にＹＡ
Ｇレーザ光を照射し、レーザ光照射部分を連続的に消失
させてＬ字状や直線状のカット溝４を形成する。
【００１６】抵抗値調整の観点からすればカット溝４は
抵抗膜のみに形成されていればよいが、ここでは絶縁基
板１のカット溝下側位置に同時に溝部５（図５（ｄ）参
照）を形成できるように、照射レーザ光の出力及び照射
時間を設定する。
抵抗膜のみに形成されていればよいが、ここでは絶縁基
板１のカット溝下側位置に同時に溝部５（図５（ｄ）参
照）を形成できるように、照射レーザ光の出力及び照射
時間を設定する。
【００１７】次に、図４に示すように、抵抗膜トリミン
グ後の絶縁基板１の上面全体に、保護膜６を形成する。
この保護膜６はホウケイ酸鉛，Ｓｉ2Ｏ3 等のガラス材
料、またはエポキシ樹脂等の樹脂材料から成り、その表
面は平らである。この保護膜６は、ガラス材料を含有す
るガラスペーストをスクリーン印刷等の厚膜法によって
塗工し、これを乾燥して所定の温度で焼成、または樹脂
ペーストをスクリーン印刷等の厚膜法によって塗工し、
これを乾燥，硬化することによって形成される。また、
保護膜形成時には、保護膜材料の一部が抵抗膜３のカッ
ト溝４を介して絶縁基板１の溝部５に流れ込み、そのま
まの状態で固まる（図５（ｄ）参照）。
グ後の絶縁基板１の上面全体に、保護膜６を形成する。
この保護膜６はホウケイ酸鉛，Ｓｉ2Ｏ3 等のガラス材
料、またはエポキシ樹脂等の樹脂材料から成り、その表
面は平らである。この保護膜６は、ガラス材料を含有す
るガラスペーストをスクリーン印刷等の厚膜法によって
塗工し、これを乾燥して所定の温度で焼成、または樹脂
ペーストをスクリーン印刷等の厚膜法によって塗工し、
これを乾燥，硬化することによって形成される。また、
保護膜形成時には、保護膜材料の一部が抵抗膜３のカッ
ト溝４を介して絶縁基板１の溝部５に流れ込み、そのま
まの状態で固まる（図５（ｄ）参照）。
【００１８】次に、保護膜形成後の絶縁基板１を、図４
に２点鎖線で示した仮想切断ラインＬに沿って切断し、
図５（ａ）に示すような単位チップ７を得る。この切断
には、ダイヤモンドホイール等の回転ブレードを有する
周知のダイシング装置が利用される。
に２点鎖線で示した仮想切断ラインＬに沿って切断し、
図５（ａ）に示すような単位チップ７を得る。この切断
には、ダイヤモンドホイール等の回転ブレードを有する
周知のダイシング装置が利用される。
【００１９】図５（ｂ）に単位チップの縦断面図を示す
ように、該単位チップ７は、平角状の絶縁素子７ａの上
面に抵抗膜７ｂを有し、その長手方向両側に引出電極７
ｃを有すると共に、抵抗膜７ｂ及び引出電極７ｃを表面
が平らな保護膜７ｄによって覆われている。また、単位
チップ７の長手方向端面それぞれには、引出電極７ｃの
端縁が露出している。
ように、該単位チップ７は、平角状の絶縁素子７ａの上
面に抵抗膜７ｂを有し、その長手方向両側に引出電極７
ｃを有すると共に、抵抗膜７ｂ及び引出電極７ｃを表面
が平らな保護膜７ｄによって覆われている。また、単位
チップ７の長手方向端面それぞれには、引出電極７ｃの
端縁が露出している。
【００２０】また、図５（ｃ）に示すように、引出電極
７ｃの端縁には、ダイシング装置による切断によって該
端縁部分に生じる塑性変形によって、該端縁から絶縁素
子７ａの端面に沿って下向き延びる導通片７ｃ１が形成
される。
７ｃの端縁には、ダイシング装置による切断によって該
端縁部分に生じる塑性変形によって、該端縁から絶縁素
子７ａの端面に沿って下向き延びる導通片７ｃ１が形成
される。
【００２１】さらに、図５（ｄ）に示すように、トリミ
ング時に形成された絶縁素子７ａの溝部５には、抵抗膜
７ｂ上の保護膜７ｄの一部が抵抗膜７ｂのカット溝４を
介して侵入している。
ング時に形成された絶縁素子７ａの溝部５には、抵抗膜
７ｂ上の保護膜７ｄの一部が抵抗膜７ｂのカット溝４を
介して侵入している。
【００２２】次に、単位チップ７を多数個一括でバレル
研磨する。この研磨によって単位チップ７の角及び稜線
に丸みが形成されると共に、絶縁素子７ａ及び引出電極
７ｃに比べて研磨され易い保護膜７ｄが全体的に研磨さ
れ、引出電極７ｃの端縁の露出が顕著なものとなる。
研磨する。この研磨によって単位チップ７の角及び稜線
に丸みが形成されると共に、絶縁素子７ａ及び引出電極
７ｃに比べて研磨され易い保護膜７ｄが全体的に研磨さ
れ、引出電極７ｃの端縁の露出が顕著なものとなる。
【００２３】次に、図６（ａ）（ｂ）に示すように、研
磨後の単位チップ７の長手方向両端部に外部電極８を形
成して、引出電極７ｃの端縁及び導通片７ｃ１と接続す
る。この外部電極８は銀，ニッケル等の金属材料から成
り、その表面が平らである。この外部電極８は、金属材
料粉を含有する電極ペーストをディップ法等の厚膜法に
よって塗工し、これを乾燥して所定の温度で焼成するこ
とによって形成される。勿論、不要部分をマスキングし
ながら蒸着やスパッタリングや無電解・電解メッキ等の
薄膜法により同様の電極膜を形成するようにしてもよ
い。
磨後の単位チップ７の長手方向両端部に外部電極８を形
成して、引出電極７ｃの端縁及び導通片７ｃ１と接続す
る。この外部電極８は銀，ニッケル等の金属材料から成
り、その表面が平らである。この外部電極８は、金属材
料粉を含有する電極ペーストをディップ法等の厚膜法に
よって塗工し、これを乾燥して所定の温度で焼成するこ
とによって形成される。勿論、不要部分をマスキングし
ながら蒸着やスパッタリングや無電解・電解メッキ等の
薄膜法により同様の電極膜を形成するようにしてもよ
い。
【００２４】以上で所定の抵抗値を有するチップ抵抗器
が製造される。外部電極８の表面には必要に応じて半田
膜を外部電極８と同様の手法で形成するようにしてもよ
い。また、保護層７ｄを形成する工程を２度繰り返すこ
とで、２層構造の保護膜、例えば下層がガラス膜で上層
が樹脂膜の保護膜を形成するようにしてもよい。
が製造される。外部電極８の表面には必要に応じて半田
膜を外部電極８と同様の手法で形成するようにしてもよ
い。また、保護層７ｄを形成する工程を２度繰り返すこ
とで、２層構造の保護膜、例えば下層がガラス膜で上層
が樹脂膜の保護膜を形成するようにしてもよい。
【００２５】このように上述のチップ抵抗器によれば、
引出電極７ａの端縁に該端縁から絶縁素子７ａの端面に
沿って下向きに延びる導通片７ｃ１を形成し、該端縁及
び導通片７ｃ１を介して引出電極７ｃと外部電極８とを
接続しているので、引出電極７ｃの端縁の露出面積が小
さい場合でも、外部電極８との接続面積を引出電極７ｃ
に形成した導通片７ｃ１によって確保して、引出電極７
ｃと外部電極８との導通不良を確実に防止できる。
引出電極７ａの端縁に該端縁から絶縁素子７ａの端面に
沿って下向きに延びる導通片７ｃ１を形成し、該端縁及
び導通片７ｃ１を介して引出電極７ｃと外部電極８とを
接続しているので、引出電極７ｃの端縁の露出面積が小
さい場合でも、外部電極８との接続面積を引出電極７ｃ
に形成した導通片７ｃ１によって確保して、引出電極７
ｃと外部電極８との導通不良を確実に防止できる。
【００２６】また、抵抗膜７ｂ（３）の形状を、長手方
向中央に向かって徐々に幅が大きくなる太鼓形状として
いるので、トリミング時に形成されるカット溝４の部品
幅方向に沿う長さに対する許容範囲を大きくでき、同方
向の非カット部分の強度が低下することを防止して、同
部分にクラックが発生することを確実に防止できる。し
かも、長手方向中央の幅が大きいことから、抵抗値調整
幅を大きく取ることができる。
向中央に向かって徐々に幅が大きくなる太鼓形状として
いるので、トリミング時に形成されるカット溝４の部品
幅方向に沿う長さに対する許容範囲を大きくでき、同方
向の非カット部分の強度が低下することを防止して、同
部分にクラックが発生することを確実に防止できる。し
かも、長手方向中央の幅が大きいことから、抵抗値調整
幅を大きく取ることができる。
【００２７】さらに、絶縁素子７ａのカット溝下側位置
に溝部５を形成し、抵抗膜７ｂ上の保護膜７ｄの一部を
抵抗膜７ｂのカット溝４を介して絶縁素子７ａの溝部５
に侵入させているので、該侵入によって保護膜７ｄと絶
縁素子７ａとを直接接続して抵抗膜７ｂの密着性を補う
ことが可能であり、材料及び面積の関係から抵抗膜７ｂ
と絶縁素子７ａの密着性が低い場合でも抵抗膜７ｂの剥
離を確実に防止することができ、しかも抵抗膜７ｂの剥
離によってその上の保護膜７ｄも一緒に剥がれてしまう
ことをも未然に防止できる。
に溝部５を形成し、抵抗膜７ｂ上の保護膜７ｄの一部を
抵抗膜７ｂのカット溝４を介して絶縁素子７ａの溝部５
に侵入させているので、該侵入によって保護膜７ｄと絶
縁素子７ａとを直接接続して抵抗膜７ｂの密着性を補う
ことが可能であり、材料及び面積の関係から抵抗膜７ｂ
と絶縁素子７ａの密着性が低い場合でも抵抗膜７ｂの剥
離を確実に防止することができ、しかも抵抗膜７ｂの剥
離によってその上の保護膜７ｄも一緒に剥がれてしまう
ことをも未然に防止できる。
【００２８】さらにまた、保護膜６を全面に形成した後
にこれを個々のチップに切断しているので、抵抗膜単位
で保護膜を形成する場合のような表面張力による膨らみ
を解消して、表面が平らな保護膜７ｄを抵抗膜７ｂ上に
形成することができ、この平らな面を利用して吸着ノズ
ル等による部品吸着を良好、且つ安定して行うことがで
きる。
にこれを個々のチップに切断しているので、抵抗膜単位
で保護膜を形成する場合のような表面張力による膨らみ
を解消して、表面が平らな保護膜７ｄを抵抗膜７ｂ上に
形成することができ、この平らな面を利用して吸着ノズ
ル等による部品吸着を良好、且つ安定して行うことがで
きる。
【００２９】尚、上記実施形態では、抵抗膜として太鼓
形状のものを例示したが、抵抗膜の形状を図７（ａ）に
示すような楕円形状（符号７ｂ１）としても上記と同様
にクラック防止を図ることができる。
形状のものを例示したが、抵抗膜の形状を図７（ａ）に
示すような楕円形状（符号７ｂ１）としても上記と同様
にクラック防止を図ることができる。
【００３０】また、抵抗膜の形状を、図７（ｂ）に示す
ような長手方向中央に向かって徐々に幅が小さくなる鼓
形状（符号７ｂ２）とすれば、クラック防止の利点は損
なわれる反面、カット溝の長さが短くても高抵抗値を得
ることができるので、トリミング時間を短縮して生産効
率を高めることができる。
ような長手方向中央に向かって徐々に幅が小さくなる鼓
形状（符号７ｂ２）とすれば、クラック防止の利点は損
なわれる反面、カット溝の長さが短くても高抵抗値を得
ることができるので、トリミング時間を短縮して生産効
率を高めることができる。
【００３１】さらに、絶縁基板として、１０μｍ前後の
多数の空孔をランダムに有する絶縁基板を用いれば、チ
ップ抵抗器の単位重量を軽減できると共に、抵抗膜で発
生した熱を絶縁素子を通じて効果的に放熱することがで
きる。
多数の空孔をランダムに有する絶縁基板を用いれば、チ
ップ抵抗器の単位重量を軽減できると共に、抵抗膜で発
生した熱を絶縁素子を通じて効果的に放熱することがで
きる。
【００３２】さらにまた、絶縁素子７ａと保護膜７ｄの
少なくとも一方の露出面に微細凹凸を設けて露出面積の
増加を図れば、抵抗膜で発生した熱をこれら露出面から
効果的に放熱して、発熱による抵抗値変動を抑制でき
る。
少なくとも一方の露出面に微細凹凸を設けて露出面積の
増加を図れば、抵抗膜で発生した熱をこれら露出面から
効果的に放熱して、発熱による抵抗値変動を抑制でき
る。
【００３３】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１の発明に
よれば、引出電極の端縁に該端縁から絶縁素子の端面に
沿って延びる導通片を形成し、該端縁及び導通片を介し
て引出電極と外部電極とを接続しているので、引出電極
の端縁の露出面積が小さい場合でも、外部電極との接続
面積を引出電極に形成した導通片によって確保して、引
出電極と外部電極との導通不良を確実に防止できる。
よれば、引出電極の端縁に該端縁から絶縁素子の端面に
沿って延びる導通片を形成し、該端縁及び導通片を介し
て引出電極と外部電極とを接続しているので、引出電極
の端縁の露出面積が小さい場合でも、外部電極との接続
面積を引出電極に形成した導通片によって確保して、引
出電極と外部電極との導通不良を確実に防止できる。
【００３４】請求項２の発明によれば、抵抗膜の形状
を、長手方向中央に向かって徐々に幅が大きくなる形状
としているので、トリミング時に形成されるカット溝の
部品幅方向に沿う長さに対する許容範囲を大きくでき、
同方向の非カット部分の強度が低下することを防止し
て、同部分にクラックが発生することを確実に防止でき
る。しかも、長手方向中央の幅が大きいことから、抵抗
値調整幅を大きく取ることができる。
を、長手方向中央に向かって徐々に幅が大きくなる形状
としているので、トリミング時に形成されるカット溝の
部品幅方向に沿う長さに対する許容範囲を大きくでき、
同方向の非カット部分の強度が低下することを防止し
て、同部分にクラックが発生することを確実に防止でき
る。しかも、長手方向中央の幅が大きいことから、抵抗
値調整幅を大きく取ることができる。
【００３５】請求項３の発明によれば、絶縁素子のカッ
ト溝下側位置に溝部を形成し、抵抗膜上の保護膜の一部
を抵抗膜のカット溝を介して絶縁素子の溝部に侵入させ
ているので、該侵入によって保護膜と絶縁素子とを直接
接続して抵抗膜の密着性を補うことが可能であり、材料
及び面積の関係から抵抗膜と絶縁素子の密着性が低い場
合でも抵抗膜の剥離を確実に防止することができ、しか
も抵抗膜の剥離によってその上の保護膜も一緒に剥がれ
てしまうことをも未然に防止できる。
ト溝下側位置に溝部を形成し、抵抗膜上の保護膜の一部
を抵抗膜のカット溝を介して絶縁素子の溝部に侵入させ
ているので、該侵入によって保護膜と絶縁素子とを直接
接続して抵抗膜の密着性を補うことが可能であり、材料
及び面積の関係から抵抗膜と絶縁素子の密着性が低い場
合でも抵抗膜の剥離を確実に防止することができ、しか
も抵抗膜の剥離によってその上の保護膜も一緒に剥がれ
てしまうことをも未然に防止できる。
【図１】内部電極用導体膜を形成する工程を示す図
【図２】抵抗膜を形成する工程を示す図
【図３】トリミング工程を示す図
【図４】保護膜を形成する工程を示す図
【図５】単位チップを形成する工程を示す図と、単位チ
ップの縦断面図及び要部拡大縦断面図
ップの縦断面図及び要部拡大縦断面図
【図６】外部電極を形成する工程を示す図と、チップ抵
抗器の縦断面図
抗器の縦断面図
【図７】抵抗膜の他の形状例を示す図
１…絶縁基板、２…内部電極用導体膜、３…抵抗膜、４
…カット溝、５…溝部、６…保護膜、７…単位チップ、
７ａ…絶縁素子、７ｂ…抵抗膜、７ｃ…引出電極、７ｃ
１…導通片、７ｄ…保護膜、８…外部電極、７ｂ１，７
ｂ２…抵抗膜。
…カット溝、５…溝部、６…保護膜、７…単位チップ、
７ａ…絶縁素子、７ｂ…抵抗膜、７ｃ…引出電極、７ｃ
１…導通片、７ｄ…保護膜、８…外部電極、７ｂ１，７
ｂ２…抵抗膜。
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁素子，抵抗膜，一対の引出電極，保
護膜及び一対の外部電極を備え、絶縁素子の端面に露出
する引出電極の端縁に外部電極を接続したチップ抵抗器
において、 引出電極の端縁に該端縁から絶縁素子の端面に沿って延
びる導通片を形成し、該端縁及び導通片を介して引出電
極と外部電極とを接続した、 ことを特徴とするチップ抵抗器。 - 【請求項２】 絶縁素子，抵抗膜，一対の引出電極，保
護膜及び一対の外部電極を備え、抵抗膜の長手方向端部
に引出電極を接続したチップ抵抗器において、 抵抗膜の形状を、長手方向中央に向かって徐々に幅が大
きくなる形状とした、 ことを特徴とするチップ抵抗器。 - 【請求項３】 絶縁素子，抵抗膜，一対の引出電極，保
護膜及び一対の外部電極を備え、抵抗膜にトリミング用
のカット溝を形成したチップ抵抗器において、 絶縁素子のカット溝下側位置に溝部を形成し、抵抗膜上
の保護膜の一部を抵抗膜のカット溝を介して絶縁素子の
溝部に侵入させた、 ことを特徴とするチップ抵抗器。 - 【請求項４】 絶縁素子と保護膜の少なくとも一方の露
出面に微細凹凸を設けた、 ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項記載のチ
ップ抵抗器。
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|---|---|---|---|
| JP08060197A JP3466411B2 (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | チップ抵抗器 |
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| JP08060197A JP3466411B2 (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | チップ抵抗器 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275702A true JPH10275702A (ja) | 1998-10-13 |
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-
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- 1997-03-31 JP JP08060197A patent/JP3466411B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2017057248A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | Koa株式会社 | チップ抵抗器 |
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