JP2003086408A - チップ抵抗器の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 形状寸法に誤差を生じない。 【解決手段】 絶縁性基板３０の表面３０Ａ及び裏面３
０Ｂに対して一次スリット３１及び二次スリット３２を
形成するスリット形成工程を、一次スリット３１に沿っ
て絶縁性基板３０を分割する一次分割工程の直前に行
う。スリット形成工程では、レーザスクライバから発生
させられるレーザ光によって絶縁性基板３０の表面３０
Ａ及び裏面３０Ｂに一次スリット３１及び二次スリット
３２を形成する。レーザスクライバから発生させられる
レーザ光の波長を１９０ｎｍ〜３６０ｎｍの範囲に設定
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品として用
いられるチップ抵抗器の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、チップ抵抗器は、例えば、図５
及び図６に示すようにして製造されるものであり、ま
ず、図５（ａ）に示すように、略等間隔かつ略平行な複
数の一次スリット１１と、この一次スリット１１に直交
して交差するとともに略等間隔かつ略平行な複数の二次
スリット１２とが、表面１０Ａ及び裏面にそれぞれ形成
されて各区画領域に区画された絶縁性基板１０を用意す
る。

【０００３】次に、絶縁性基板１０の裏面に、一次スリ
ット１１に沿って、一次スリット１１と二次スリット１
２とを跨ぐような帯状の裏電極を印刷して焼成し、か
つ、図５（ｂ）に示すように、絶縁性基板１０の表面１
０Ａに、二次スリット１２から離間するとともに一次ス
リット１１を跨ぐようにして、隣接して対となる複数の
第一表電極１４を印刷して焼成する。

【０００４】そして、図５（ｃ）に示すように、対とな
る第一表電極１４，１４の一部に積層する抵抗体１５を
印刷して焼成し、次いで、図５（ｄ）に示すように、こ
の抵抗体１５を被覆するような一次保護膜１６を印刷し
て焼成した後、図６（ｅ）に示すように、一次保護膜１
６とともに抵抗体１５をレーザ光によってトリミング
し、その抵抗値を調整する。

【０００５】さらに、図６（ｆ）に示すように、このト
リミングされた抵抗体１５を一次保護膜１６とともに被
覆するようにして、二次スリット１２を跨ぐような帯状
の二次保護膜１７を形成した後、図６（ｇ）に示すよう
に、露出する第一表電極１４を被覆するようにして、一
次スリット１１に沿って、一次スリット１１と二次スリ
ット１２とを跨ぐような帯状の第二表電極１８を形成す
る。

【０００６】その後、図６（ｈ）に示すように、一次ス
リット１１に沿って絶縁性基板１０を分割して短冊状と
し、その分割面である絶縁性基板１０の端面にスパッタ
リングで端面電極を形成し、次いで、この短冊状に分割
された絶縁性基板１０を二次スリット１２に沿って分割
してチップ状としてから、端面電極，裏電極及び第二表
電極１４を被覆するようにメッキを施してメッキ層を形
成することにより、チップ抵抗器が製造される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、表面１０Ａ
及び裏面に、互いに直交して交差する一次スリット１１
と二次スリット１２とが形成された絶縁性基板１０は、
図７に示すように、鋭い谷状の刃１０１が複数条形成さ
れた刃型１００を、グリーンシートＧの表面側及び裏面
側から押し当てて一次スリット１１と二次スリット１２
とを形成した後、このグリーンシートＧを焼成すること
によって得られるものである。しかしながら、このよう
な一次スリット１１及び二次スリット１２を事前に形成
したグリーンシートＧを焼成すると、図８に示すよう
に、これら一次スリット１１及び二次スリット１２に、
焼成時の収縮に起因する歪みが生じてしまうことにな
る。

【０００８】そうすると、絶縁性基板１０において、一
次スリット１１及び二次スリット１２によって区画され
て個々のチップ抵抗器となる各区画領域の形状にバラつ
きが生じ、その後の電極，抵抗体，保護膜などをスクリ
ーン印刷する工程で所定位置に印刷を行うことができな
いといった問題が生じる。このため、従来では、印刷に
用いられるスクリーンを多数用意して、この各区画領域
の形状寸法の誤差に対応したスクリーンを用いなけれ
ば、このような形状寸法に誤差の生じた絶縁性基板１０
に対して正確に印刷を行うことができなかった。

【０００９】また、最初から一次スリット１１及び二次
スリット１２が形成された絶縁性基板１０に対して、上
述のように、電極，抵抗体，保護膜などを形成していく
と、例えば、一次スリット１１に沿って絶縁性基板１０
を分割するときには、図９（ａ）に示すように、この一
次スリット１１を跨ぐようにして形成される第一表電極
１４，第二表電極１８や裏電極１３が、毛細管現象によ
って、一次スリット１１内に入り込んで堆積している状
態となり、さらに、例えば、二次スリット１２に沿って
絶縁性基板１０を分割するときには、図９（ｂ）に示す
ように、この二次スリット１２を跨ぐようにして形成さ
れる二次保護膜１７（第二表電極１８）や裏電極１３
が、同じく毛細管現象によって、二次スリット１２内に
入り込んで堆積している状態となってしまう。

【００１０】そうすると、これら一次スリット１１ある
いは二次スリット１２に沿って絶縁性基板１０を分割す
る際、図９に示すように、絶縁性基板１０の表面１０Ａ
側に形成された一次スリット１１あるいは二次スリット
１２から、絶縁性基板１０の裏面側に形成された一次ス
リット１１あるいは二次スリット１２に向かって生じて
いく亀裂がうまく誘導されず、分割面形状がいびつとな
り、形状寸法の精度を低下させてしまうことが多々あっ
た。

【００１１】また、グリーンシートＧに刃型１００を押
し当てて一次スリット１１及び二次スリット１２を形成
しているから、図７における打点領域で示すように、こ
れら一次スリット１１及び二次スリット１２が形成され
る部分の密度が高くなり、この状態でグリーンシートＧ
が焼成されると、この密度の高い部分が高い硬度を呈す
ることとなって、絶縁性基板１０の表面１０Ａ側に形成
された一次スリット１１及び二次スリット１２から生じ
る亀裂がうまく裏面側に誘導されない一因となり、これ
によっても、分割面形状が悪化して、形状寸法の精度低
下を招いてしまう。そして、形状寸法の精度に誤差が生
じた状態で形成されたチップ抵抗器は、最終工程におけ
るチェックで不良品とみなされ、歩留まりを大きく低下
させてしまう要因となっていた。

【００１２】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
で、形状寸法に誤差の生じないチップ抵抗器の製造方法
を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決して、
このような目的を達成するために、本発明は、グリーン
シートを焼成して絶縁性基板を製造する絶縁性基板製造
工程と、絶縁性基板の表面に少なくとも一対の表電極を
印刷・焼成する電極形成工程と、対となる表電極の一部
に積層する抵抗体を印刷・焼成する抵抗体形成工程と、
抵抗体をトリミングしてその抵抗値を調整する抵抗値調
整工程と、トリミングされた抵抗体を被覆する保護膜を
形成する保護膜形成工程と、絶縁性基板をこの絶縁性基
板に形成されたスリットに沿って分割する分割工程とを
備えたチップ抵抗器の製造方法であって、絶縁性基板に
スリットを形成するスリット形成工程を、絶縁性基板製
造工程よりも後に行うことを特徴とする。このような製
造方法では、絶縁性基板製造工程よりも後にスリット形
成工程を行うことから、グリーンシートを焼成して絶縁
性基板を製造する際、絶縁性基板を各区画領域に区画す
るスリットが形成されていないので、焼成時の収縮に起
因するスリットの歪みが生じない。これにより、後で形
成されるスリットで区画される絶縁性基板の各区画領域
の形状寸法の精度を向上させることが可能になる。

【００１４】また、スリット形成工程を、電極形成工程
よりも後に行うならば、表電極を絶縁性基板の表面に印
刷するときに、この表面にはスリットが形成されていな
い状態となるので、表電極がスリット内に入り込んで堆
積することがなくなり、これにより、後で形成されるス
リットに沿って絶縁性基板を分割する際に、スリットか
ら生じる亀裂をうまく誘導することが可能となり、その
分割面形状を精度良く保つことができる。とくに、スリ
ット形成工程を、保護膜形成工程よりも後に行うなら
ば、表電極がスリット内に入り込んで堆積することがな
くなるとともに、保護膜がスリット内に入り込んで堆積
してしまうこともなくなり、このスリットに沿った絶縁
性基板の分割工程において、とくに精度の良い分割面形
状を得ることができる。

【００１５】また、スリット形成工程では、レーザスク
ライバから発生させられるレーザ光によって絶縁性基板
にスリットを形成するようにすれば、グリーンシートに
対して刃型によってスリットを形成してから焼成するこ
とで得られる従来の絶縁性基板のように、スリットの形
成された部分の密度が高くなって高い硬度を呈すること
がなく、分割工程における絶縁性基板の分割をより円滑
に行って、分割面形状のさらなる精度向上を図ることが
できる。とくに、レーザスクライバから発生させられる
レーザ光を、その波長が３６０ｎｍ以下となるようにす
れば、例えば、発生させられるレーザ光の波長が１０６
４ｎｍに設定された一般的なＹＡＧレーザスクライバを
用いた場合のように、スリットを形成したい位置の周囲
にまで熱影響を与えてしまうことによる不具合が生じ
ず、しかも、鋭い断面形状のスリットを形成することが
できて、このスリットによる分割面形状の精度をより向
上させることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を、添付
した図面を参照しながら工程順に説明する。 〔絶縁性基板製造工程〕平坦な略四角形平板状をなすグ
リーンシートを焼成することにより、図１（ａ）に示す
ように、例えばアルミナからなる絶縁性基板３０を得
る。なお、図面における二点鎖線は、後の工程で一次ス
リット３１が形成されるべき位置（一次スリット形成予
定位置３１Ａ）と、二次スリット３２が形成されるべき
位置（二次スリット形成予定位置３２Ａ）を示すもので
ある。

【００１７】〔電極形成工程〕絶縁性基板３０の裏面に
対し、一次スリット形成予定位置３１Ａに沿って、一次
スリット形成予定位置３１Ａと二次スリット形成予定位
置３２Ａとを跨ぐようにして、裏電極としての例えばＡ
ｇ−Ｐｄ系電極ペーストを帯状にスクリーン印刷し、さ
らに、図１（ｂ）に示すように、絶縁性基板３０の表面
３０Ａに対し、一次スリット形成予定位置３１Ａを跨
ぎ、かつ、この一次スリット形成予定位置３１Ａに直交
して交差する二次スリット形成予定位置３２Ａから離間
するようにして、第一表電極３４としての例えばＡｇ−
Ｐｄ系電極ペーストを複数対スクリーン印刷してから、
これら印刷されたＡｇ−Ｐｄ系電極ペーストを例えば８
５０゜Ｃで焼成することにより、第一表電極３４及び裏
電極を形成する。なお、本実施形態では、裏電極を、絶
縁性基板３０の裏面の一次スリット形成予定位置３１Ａ
に沿って帯状に印刷するようにしたが、第一表電極３４
と同様にして、絶縁性基板３０の裏面に対し、その一次
スリット形成予定位置３１Ａを跨ぎ、かつ、二次スリッ
ト形成予定位置３２Ａから離間するように印刷してもよ
い。

【００１８】〔抵抗体形成工程〕図１（ｃ）に示すよう
に、絶縁性基板３０の表面３０Ａに形成された対となる
第一表電極３４，３４、すなわち、一次スリット形成予
定位置３１Ａと二次スリット形成予定位置３２Ａとによ
って矩形状に区画される一の区画領域内に設けられる第
一表電極３４，３４の一部に積層するように、例えばＲ
ｕＯ₂系ペーストをスクリーン印刷して８５０゜Ｃで焼
成することにより抵抗体３５を形成する。

【００１９】〔一次保護膜形成工程〕図１（ｄ）に示す
ように、抵抗体３５を被覆するようにして、例えばガラ
スペーストをスクリーン印刷して６００゜Ｃで焼成する
ことにより、一次保護膜３６を形成する。この一次保護
膜３６は、次の抵抗値調整工程におけるトリミング時の
レーザエネルギー等による抵抗体３５へのダメージを軽
減するために形成されるものであり、場合によっては省
略することも可能である。

【００２０】〔抵抗値調整工程〕プローブ装置を用い
て、対となる表電極３４，３４を接続する抵抗体３５の
抵抗値を計測しながら、例えば波長１０６４ｎｍのレー
ザ光を用いて、図２（ｅ）に示すように、この抵抗体３
５を一次保護膜３６とともに徐々にトリミングしてトリ
ミング溝３５Ａを形成してゆき、その抵抗値を調整す
る。

【００２１】〔二次保護膜形成工程（保護膜形成工
程）〕図２（ｆ）に示すように、トリミングされた抵抗
体３５に対して、トリミング溝３５Ａ及び一次保護膜３
６の上から被覆し、かつ、二次スリット形成予定位置３
２Ａを跨ぐように、例えばエポキシ系樹脂を帯状に塗布
して２００゜Ｃで硬化させることにより、二次保護膜３
７（保護膜）を形成する。ここで、樹脂を硬化させる際
の温度が２００゜Ｃに設定されていて、上記の裏電極，
第一表電極３４，抵抗体３５及び一次保護膜３６を印刷
して焼成する際の温度よりも低くなっているのは、抵抗
値調整工程において抵抗値が調整された抵抗体３５に、
熱影響による抵抗値の変動が生じてしまうのを防止する
ためである。

【００２２】〔第二表電極形成工程〕図２（ｇ）に示す
ように、絶縁性基板３０の表面３０Ａに形成された第一
表電極３４において、二次保護膜３７によって被覆され
ていない露出部分を少なくとも被覆し、一次スリット形
成予定位置３１Ａに沿って、一次スリット形成予定位置
３１Ａと二次スリット形成予定位置３２Ａとを跨ぐよう
に、例えばＡｇを含む樹脂を帯状に塗布して２００゜Ｃ
で硬化させることにより、第二表電極３８を形成する。
この樹脂を硬化させる際の温度を２００゜Ｃの低温に設
定したのも、上述したように、熱影響によって抵抗体３
５の抵抗値の変動が生じるのを防止するためである。ま
た、場合によっては、この第二表電極３８は形成されて
いなくてもよい。

【００２３】〔スリット形成工程〕図２（ｈ）に示すよ
うに、絶縁性基板３０の表面３０Ａ及び裏面における一
次スリット形成予定位置３１Ａと二次スリット形成予定
位置３２Ａとに対して、波長が１９０〜３６０ｎｍの範
囲に設定された紫外線領域の固体レーザ光をレーザスク
ライバから発生させて照射することにより、一次スリッ
ト３１及び二次スリット３２を形成していく。ここで、
本実施形態では、上記のレーザ光についての照射条件等
は、例えば、以下のように設定されている。 ・出力 ２Ｗ ・Ｑ−ｒａｔｅ １０ｋＨｚ ・波長 ２６６ｎｍ ・加工深さ（後述する。） 約５０μｍ（表面） 約
２５μｍ（裏面） ・加工速度 １０ｍｍ／ｓ ・スクライブ回数 ２回（表面） １回（裏面）

【００２４】このとき、絶縁性基板３０の表面３０Ａに
おける一次スリット形成予定位置３１Ａには、第二表電
極３８、あるいは第一表電極３４及び第二表電極３８が
積層している状態となっているため、例えば、図２
（ｈ）におけるＡ−Ａ線断面では、図３（ｉ）に示すよ
うに、第一表電極３４及び第二表電極３８がレーザ光に
よって切断されながら、絶縁性基板３０の表面３０Ａに
対して断面Ｕ字溝状の一次スリット３１が形成されてい
く。また、絶縁性基板３０の表面３０Ａにおける二次ス
リット形成予定位置３２Ａには、二次保護膜３７、ある
いは第二表電極３８が積層している状態となっているた
め、例えば、図２（ｈ）におけるＢ−Ｂ線断面では、図
３（ｊ）に示すように、第二表電極３８がレーザ光によ
って切断されながら、絶縁性基板３０の表面３０Ａに対
して断面Ｕ字溝状の二次スリット３２が形成されてい
く。

【００２５】さらに、絶縁性基板３０の裏面３０Ｂにお
ける一次スリット形成予定位置３１Ａ、及び二次スリッ
ト形成予定位置３２Ａの一部には、裏電極３３が積層さ
れた状態となっているため、図３（ｉ），（ｊ）に示す
ように、裏電極３３がレーザ光によって切断されなが
ら、絶縁性基板３０の裏面３０Ｂに対して断面Ｕ字溝状
の一次スリット３１及び二次スリット３２が形成されて
いく。このようにして、略等間隔かつ略平行な複数の一
次スリット３１と、この一次スリット３１に直交して交
差するとともに略等間隔かつ略平行な複数の二次スリッ
ト３２とが、絶縁性基板３０の表面３０Ａ及び裏面３０
Ｂに対して、それぞれ同一位置で形成される。

【００２６】なお、絶縁性基板３０の裏面３０Ｂ側に形
成された一次スリット３１及び二次スリット３２より
も、表面３０Ａ側に形成された一次スリット３１及び二
次スリット３２の方が深く形成されており、本実施形態
においては、例えば、絶縁性基板３０の厚みが２００μ
ｍ程度であるのに対し、絶縁性基板３０の表面３０Ａ側
に形成された一次スリット３１の深さが５０μｍ程度と
なるとともに、これに対向して裏面３０Ｂ側に形成され
た一次スリット３１の深さが２５μｍ程度となってお
り、また、絶縁性基板３０の表面３０Ａ側に形成された
二次スリット３２の深さが５０μｍ程度となるととも
に、これに対向して裏面３０Ｂ側に形成された二次スリ
ット３２の深さが２５μｍ程度となっている。

【００２７】〔一次分割工程（分割工程）〕絶縁性基板
３０の表面３０Ａ及び裏面３０Ｂに形成された一次スリ
ット３１に対してテンションを加えることで、図３
（ｉ）に示すように、表面３０Ａ側の第一表電極３４や
第二表電極３８が堆積していない一次スリット３１から
生じる亀裂が、裏面３０Ｂ側の裏電極３３が堆積してい
ない一次スリット３１まで誘導されることにより、図３
（ｋ）に示すように、一次スリット３１に沿って短冊状
に分割された絶縁性基板３０を得る。

【００２８】〔端面電極形成工程〕短冊状となった絶縁
性基板３０を複数積み重ね、この積み重ねられた絶縁性
基板３０の端面、すなわち、一次スリット３１による分
割面に対して、例えばＣｕ−Ｎｉ系金属をスパッタリン
グすることによって、端面電極３９を形成し、この端面
電極３９が第二表電極３８と裏電極３３とを接続する。

【００２９】〔二次分割工程（分割工程）〕端面電極３
９が形成された短冊状の絶縁性基板３０の表面３０Ａ及
び裏面３０Ｂに形成された二次スリット３２に対してテ
ンションを加えることで、図３（ｊ）に示すように、表
面３０Ａ側の二次保護膜３７や第二表電極３８が堆積し
ていない二次スリット３２から生じる亀裂が、裏面３０
Ｂ側の裏電極３３が堆積していない二次スリット３２ま
で誘導されることにより、図４（ｌ）に示すように、二
次スリット３２に沿って分割されてチップ状となった絶
縁性基板３０を得る。

【００３０】〔メッキ層形成工程〕図４（ｍ）に示すよ
うに、チップ状となった絶縁性基板３０の端面電極３
９，裏電極３３及び第二表電極３８とを被覆するよう
に、例えば、Ｎｉメッキを施した後、はんだあるいはす
ずメッキを施すことにより、端面電極３９から裏面３０
Ｂ側に位置する裏電極３３及び表面３０Ａ側に位置する
第二表電極３８まで廻り込むようなメッキ層４０が形成
される。

【００３１】そして、最後に形状の選別など各種のチェ
ックを行い、このチェックに合格したものが製品として
のチップ抵抗器となる。

【００３２】以上説明したように、本実施形態によるチ
ップ抵抗器の製造方法では、絶縁性基板製造工程よりも
後にスリット形成工程を行うことにより、グリーンシー
トを焼成して絶縁性基板３０を製造する際、この絶縁性
基板３０を各区画領域に区画する一次スリット３１及び
二次スリット３２が形成されていないので、これら一次
スリット３１及び二次スリット３２に、焼成時の収縮に
起因する歪みをなくすことができる。すると、後の工程
で形成される一次スリット３１及び二次スリット３２に
よって区画される絶縁性基板３０の各区画領域ごとの形
状寸法に誤差が生じるのを抑制でき、ひいては、従来の
ように多数のスクリーンを用意する必要をなくすことが
できる。

【００３３】また、本実施形態では、スリット形成工程
を、第二表電極形成工程の直後、すなわち、１次分割工
程の直前に行うことから、電極形成工程における裏電極
３３及び表電極３４の印刷時には、この裏電極３３が一
次スリット３１及び二次スリット３２内に入り込んで堆
積することがないとともに、表電極３４が一次スリット
３１内に入り込んで堆積することがなく、また、二次保
護膜形成工程における二次保護膜３７の印刷時には、こ
の二次保護膜３７が二次スリット３２内に入り込んで堆
積してしまうことがなく、さらに、第二表電極形成工程
における第二表電極３８の印刷時には、この第二表電極
３８が一次スリット３１及び二次スリット３２内に入り
込んで堆積してしまうことがない。

【００３４】これにより、スリット形成工程で形成され
た一次スリット３１に沿って絶縁性基板３０を分割する
一次分割工程では、内部に堆積物のない表面３０Ａ側の
一次スリット３１から生じる亀裂を、同じく内部に堆積
物のない裏面３０Ｂ側の一次スリット３１まで断面直線
状をなすようにうまく誘導することができ、その一次ス
リット３１による分割面形状の精度を良好に保つことが
可能になる。同様に、スリット形成工程で形成された二
次スリット３２に沿って絶縁性基板３０を分割する二次
分割工程においても、内部に堆積物のない表面３０Ａ側
の二次スリット３２から生じる亀裂を、同じく内部に堆
積物のない裏面３０Ｂ側の二次スリット３２まで断面直
線状をなすようにうまく誘導することができ、その二次
スリット３２による分割面形状の精度を良好に保つこと
が可能となる。

【００３５】すると、チップ抵抗器を製造する際の最終
工程における形状の選別など各種のチェックにおいて
も、本実施形態によって製造されたチップ抵抗器は、そ
の優れた形状特性ゆえに不良品となる割合が少なくな
り、歩留まりを高く保つことができる。

【００３６】また、とくに、絶縁性基板３０の表面３０
Ａに形成された二次スリット３２内に、二次保護膜３７
が入り込んで堆積していないことから、この二次スリッ
ト３２に沿って絶縁性基板３０を分割したときに、従来
では、毛細管現象によって二次保護膜３７が二次スリッ
ト３２内に入り込んでしまって、二次スリット３２によ
る分割面に二次保護膜３７が付着して美観を損ねていた
のに対し、本実施形態では、二次スリット３２による分
割面に二次保護膜３７がまったく付着せず、外観を美麗
に保つことができる。

【００３７】さらに、本実施形態では、スリット形成工
程で、一次スリット３１及び二次スリット３２を形成す
るために、固体レーザ光を発生させるレーザスクライバ
を用いているから、グリーンシートの状態で刃型によっ
て一次スリット及び二次スリットを形成してから焼成し
た従来の絶縁性基板のように、これらスリットの形成さ
れる部分の密度が上昇して高い硬度を呈することがなく
なり、一次スリット３１及び二次スリット３２に沿った
絶縁性基板３０の分割時に無理な力が加わることがな
く、絶縁性基板３０の分割をより円滑に行って、分割面
形状のさらなる精度向上を図ることができる。

【００３８】とくに、レーザスクライバから発生させら
れる固体レーザ光の波長が１９０ｎｍ〜３６０ｎｍの紫
外線領域の範囲に設定されていることから、例えば、発
生させられるレーザ光の波長が１０６４ｎｍに設定され
た一般的なＹＡＧレーザスクライバを用いた場合のよう
に、一次スリット形成予定位置３１Ａ及び二次スリット
形成予定位置３２Ａの周囲にまで熱影響を与えてしまう
ことがなくなり、不具合が生じることがない。

【００３９】すなわち、本実施形態のように、第二表電
極形成工程の直後に、スリット形成工程を行うような場
合には、樹脂を塗布して硬化させることにより形成され
た二次保護膜３７上にレーザ光を照射することになる
が、上述したような波長を有するレーザ光を用いると、
二次スリット形成予定位置３２Ａの周囲の樹脂が熱影響
によって炭化してしまうことがなく、この部分にメッキ
の付着するおそれをなくすことができる。また、このと
き、ガラスペーストを印刷して焼成することにより二次
保護層３７を形成したのであれば、この二次保護層３７
にクラックが生じるのを防止することができる。

【００４０】さらに、例えば、絶縁性基板製造工程の直
後に、スリット形成工程を行うような場合には、上述し
たような波長のレーザ光を用いると、一次スリット形成
予定位置３１Ａ及び二次スリット形成予定位置３２Ａの
周囲に焦げ付きが生じるのを防止でき、また、電極形成
工程の直後に、スリット形成工程を行うような場合に
は、同じく上述したような波長のレーザ光を用いると、
裏電極３３及び第一表電極３４としての電極ペースト中
に含まれるガラス成分が表面に浮き出して、メッキ層が
付き難くなるのを防止できる。なお、波長が１９０ｎｍ
より小さいレーザ光を発生させるレーザスクライバを用
いようすると、このようなレーザスクライバは非常に高
価であるため、コスト面での問題が生じてしまう。

【００４１】また、波長が１９０ｎｍ〜３６０ｎｍの範
囲のレーザ光によって一次スリット３１及び二次スリッ
ト３２を形成すると、これら一次スリット３１及び二次
スリット３２の断面形状を鋭いＵ字溝状にすることが可
能となるので、上述したような効果とも相俟って、一次
スリット３１及び二次スリット３２による分割面形状の
精度をより向上させることができる。

【００４２】なお、本実施形態においては、スリット形
成工程を、第二表電極形成工程と一次分割工程との間
で、絶縁性基板３０の表面３０Ａ及び裏面３０Ｂに一次
スリット３１及び二次スリット３２を形成する工程とし
て説明したが、これに限定されることなく、このスリッ
ト形成工程を、一次スリット形成工程と、二次スリット
形成工程とに分け、これら一次スリット形成工程と二次
スリット形成工程とを、それぞれ絶縁性基板製造工程よ
りも後、かつ、分割工程よりも前で任意に行うようにし
てもよい。さらには、スリット形成工程を、絶縁性基板
３０の表面３０Ａ側に一次スリット３１あるいは二次ス
リット３２を形成する表面側スリット形成工程と、裏面
３０Ｂ側に一次スリット３１あるいは二次スリット３２
を形成する裏面側スリット形成工程とに分け、これら表
面側スリット形成工程と裏面側スリット形成工程とを、
それぞれ絶縁性基板製造工程よりも後、かつ、分割工程
よりも前で任意に行うようにしてもよい。

【００４３】例えば、絶縁性基板３０の表面３０Ａ側に
一次スリット３１を形成する表面側一次スリット形成工
程を、電極形成工程よりも後で行えば、表面３０Ａ側の
一次スリット３１内に第一表電極３４が入り込んで堆積
してしまうことがなく、第二表電極形成工程よりも後で
行えば、表面３０Ａ側の一次スリット３１内に第一表電
極３４及び第二表電極３８が入り込んで堆積してしまう
ことがない。また、絶縁性基板３０の表面３０Ａ側に二
次スリット３１を形成する表面側二次スリット形成工程
を、二次保護膜形成工程よりも後で行えば、表面３０Ａ
側の二次スリット３２内に二次保護膜３７が入り込んで
堆積してしまうことがなく、第二表電極形成工程よりも
後で行えば、表面３０Ａ側の二次スリット３１内に二次
保護膜３７及び第二表電極３８が入り込んで堆積してし
まうことがない。さらに、絶縁性基板３０の裏面３０Ｂ
側に一次スリット３１，二次スリット３２を形成する裏
面側一次スリット形成工程，裏面側二次スリット形成工
程を、電極形成工程よりも後で行えば、一次スリット３
１や二次スリット３２内に、裏電極３３が入り込んで堆
積してしまうことがない。これらを考慮して、表面側一
次スリット形成工程，表面側二次スリット形成工程，裏
面側一次スリット形成工程，裏面側二次スリット形成工
程を、絶縁性基板製造工程よりも後、かつ、分割工程よ
りも前で、それぞれ任意に行うようにしても構わない。

【００４４】

【発明の効果】本発明によれば、絶縁性基板製造工程よ
りも後にスリット形成工程を行うことから、グリーンシ
ートを焼成して絶縁性基板を製造する際、絶縁性基板を
各区画領域に区画するスリットが形成されていないの
で、このスリットに、焼成時の収縮に起因する歪みが生
じない。これにより、後で形成されるスリットで区画さ
れる絶縁性基板の各区画領域の形状寸法の精度を向上さ
せることが可能になるとともに、従来のように多数のス
クリーンを用意する必要をなくすことができる。また、
スリット形成工程を、保護膜形成工程よりも後に行うこ
とから、表電極や保護膜がスリット内に入り込んで堆積
することがなくなり、後で形成されるスリットに沿って
絶縁性基板を分割する際に、スリットから生じる亀裂を
うまく誘導することが可能となり、その分割面形状を精
度良く保つことができる。そうすると、チップ抵抗器を
製造する際の最終工程における形状の選別など各種のチ
ェックにおいても、本発明によって製造されたチップ抵
抗器は、その優れた形状特性ゆえに不良品が出にくく、
歩留まりを高く保つことができる。

【００４５】また、スリット形成工程では、レーザスク
ライバから発生させられるレーザ光を用いて絶縁性基板
にスリットを形成するから、従来の絶縁性基板のよう
に、スリットの形成された部分の密度が高くなって高い
硬度を呈することがなく、分割工程における絶縁性基板
の分割をより円滑に行って、分割面形状のさらなる精度
向上を図ることができる。とくに、このレーザ光の波長
が３６０ｎｍ以下となるようにしたから、スリットを形
成したい位置の周囲にまで熱影響を与えてしまうことが
なくなって、これに起因する不具合が生じず、また、ス
リットの断面形状を鋭く形成することが可能となり、ス
リットによる分割面形状の精度をより向上させることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本実施形態によるチップ抵抗器の製造方法
を工程順に示す平面説明図である。

【図２】 本実施形態によるチップ抵抗器の製造方法
を工程順に示す平面説明図である。

【図３】 本実施形態によるチップ抵抗器の製造方法
を工程順に示す断面及び平面説明図である。

【図４】 本実施形態によるチップ抵抗器の製造方法
を工程順に示す平面及び断面説明図である。

【図５】 従来のチップ抵抗器の製造方法を工程順に
示す平面説明図である。

【図６】 従来のチップ抵抗器の製造方法を工程順に
示す平面説明図である。

【図７】 従来の絶縁性基板を製造する工程を示す断
面説明図である。

【図８】 従来の絶縁性基板を製造する工程を示す平
面説明図である。

【図９】 従来のチップ抵抗器の製造方法における絶
縁性基板の分割の様子を示す断面説明図である。

【符号の説明】

３０ 絶縁性基板 ３０Ａ 表面 ３０Ｂ 裏面 ３１ 一次スリット ３１Ａ 一次スリット形成予定位置 ３２ 二次スリット ３２Ａ 二次スリット形成予定位置 ３３ 裏電極 ３４ 第一表電極 ３５ 抵抗体 ３６ 一次保護膜 ３７ 二次保護膜 ３８ 第二表電極 ３９ 端面電極 ４０ メッキ層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠山 英 北海道空知郡奈井江町字奈井江955−１ 釜屋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5E032 BA07 BB01 CA02 CC03 CC06 CC16

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 グリーンシートを焼成して絶縁性基板
   を製造する絶縁性基板製造工程と、 前記絶縁性基板の表面に少なくとも一対の表電極を印刷
   ・焼成する電極形成工程と、 前記対となる表電極の一部に積層する抵抗体を印刷・焼
   成する抵抗体形成工程と、 前記抵抗体をトリミングしてその抵抗値を調整する抵抗
   値調整工程と、 前記トリミングされた抵抗体を被覆する保護膜を形成す
   る保護膜形成工程と、 前記絶縁性基板をこの絶縁性基板に形成されたスリット
   に沿って分割する分割工程とを備えたチップ抵抗器の製
   造方法であって、 前記絶縁性基板に前記スリットを形成するスリット形成
   工程を、前記絶縁性基板製造工程よりも後に行うことを
   特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のチップ抵抗器の製造
   方法において、 前記スリット形成工程を、前記保護膜形成工程よりも後
   に行うことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２のいずれかに
   記載のチップ抵抗器の製造方法において、 前記スリット形成工程では、レーザスクライバから発生
   させられるレーザ光によって前記絶縁性基板に前記スリ
   ットを形成することを特徴とするチップ抵抗器の製造方
   法。
4. 【請求項４】 請求項３に記載のチップ抵抗器の製造
   方法において、 前記レーザスクライバから発生させられるレーザ光は、
   その波長が３６０ｎｍ以下に設定されていることを特徴
   とするチップ抵抗器の製造方法。