JPH0786012A - 角形チップ抵抗器の製造方法 - Google Patents
角形チップ抵抗器の製造方法Info
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- JPH0786012A JPH0786012A JP5227048A JP22704893A JPH0786012A JP H0786012 A JPH0786012 A JP H0786012A JP 5227048 A JP5227048 A JP 5227048A JP 22704893 A JP22704893 A JP 22704893A JP H0786012 A JPH0786012 A JP H0786012A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 角形チップ抵抗器の製造方法で、端面電極を
形成する面を露出させることによる工数の悪化および分
割での不良品発生による工程歩留悪化となるという問題
を解決することを目的とする。 【構成】 絶縁基板１の表面に一対の上面電極層２と抵
抗体層３からなる抵抗素子を一定間隔で縦，横方向に複
数個形成し、抵抗体層３を保護膜５覆い、表裏面の電極
層２以外のレジスト膜６を形成し、スクライブ工法によ
り基板表面に抵抗素子の整列方向と平行な複数の分割溝
８を形成し、前記分割溝８と直交するように表裏面を貫
通する溝９を形成し、溝９の露出面に対し上面電極層２
と裏面電極層とを接続する薄膜端面電極層１０を形成
し、その後分割して個片の角形チップ抵抗器を製造す
る。
形成する面を露出させることによる工数の悪化および分
割での不良品発生による工程歩留悪化となるという問題
を解決することを目的とする。 【構成】 絶縁基板１の表面に一対の上面電極層２と抵
抗体層３からなる抵抗素子を一定間隔で縦，横方向に複
数個形成し、抵抗体層３を保護膜５覆い、表裏面の電極
層２以外のレジスト膜６を形成し、スクライブ工法によ
り基板表面に抵抗素子の整列方向と平行な複数の分割溝
８を形成し、前記分割溝８と直交するように表裏面を貫
通する溝９を形成し、溝９の露出面に対し上面電極層２
と裏面電極層とを接続する薄膜端面電極層１０を形成
し、その後分割して個片の角形チップ抵抗器を製造す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子回路に一般に使用さ
れる角形チップ抵抗器の製造方法に関するものである。
れる角形チップ抵抗器の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の角形チップ抵抗器の製造方法の一
例について図１１により説明する。図１１は従来の角形
チップ抵抗器の製造方法を示す工程図である。まず、複
数個の抵抗要素が構成されるように表面に一定間隔で設
けた縦方向及び横方向の分割用スリットを有する絶縁基
板を受け入れる基板受け入れ工程を行う。次に、絶縁基
板の上面に横方向の分割用スリットをまたがるように上
面電極を形成し、かつ絶縁基板の裏面に上面電極と対応
させて裏面電極を形成する電極ペースト印刷・焼成工程
を行う。次に、上面電極と接続されるように絶縁基板上
に抵抗体を形成する抵抗ペースト印刷・焼成工程を行
う。
例について図１１により説明する。図１１は従来の角形
チップ抵抗器の製造方法を示す工程図である。まず、複
数個の抵抗要素が構成されるように表面に一定間隔で設
けた縦方向及び横方向の分割用スリットを有する絶縁基
板を受け入れる基板受け入れ工程を行う。次に、絶縁基
板の上面に横方向の分割用スリットをまたがるように上
面電極を形成し、かつ絶縁基板の裏面に上面電極と対応
させて裏面電極を形成する電極ペースト印刷・焼成工程
を行う。次に、上面電極と接続されるように絶縁基板上
に抵抗体を形成する抵抗ペースト印刷・焼成工程を行
う。
【０００３】次に抵抗体の抵抗値を所定の抵抗値に揃え
るためにレーザートリミングによる抵抗値修正工程を行
う。次に、前記レーザートリミング修正済みの抵抗体を
完全に覆うように保護コートガラスを形成する保護コー
ト形成工程を行う。次に、電極部以外の部分にレジスト
膜を形成するレジスト膜形成工程を行う。
るためにレーザートリミングによる抵抗値修正工程を行
う。次に、前記レーザートリミング修正済みの抵抗体を
完全に覆うように保護コートガラスを形成する保護コー
ト形成工程を行う。次に、電極部以外の部分にレジスト
膜を形成するレジスト膜形成工程を行う。
【０００４】次に、横方向のスリットにより絶縁基板を
分割する一次分割工程を行う。次に、一次分割された短
冊状の絶縁基板を整列させる基板整列工程を行った後、
絶縁基板の分割面に上面電極と裏面電極を接続する薄膜
端面電極を例えばスパッタ工法により形成する電極スパ
ッタ工程を行う。次に、エッチング処理によりレジスト
膜とともにその表面に被着されていた薄膜電極膜をリフ
トオフするレジスト膜剥離工程を行う。次に、薄膜端面
電極形成済み絶縁基板を縦方向のスリットにより個片状
に分割する二次分割工程を行う。以上のような工程によ
り従来の角形チップ抵抗器を製造していた。
分割する一次分割工程を行う。次に、一次分割された短
冊状の絶縁基板を整列させる基板整列工程を行った後、
絶縁基板の分割面に上面電極と裏面電極を接続する薄膜
端面電極を例えばスパッタ工法により形成する電極スパ
ッタ工程を行う。次に、エッチング処理によりレジスト
膜とともにその表面に被着されていた薄膜電極膜をリフ
トオフするレジスト膜剥離工程を行う。次に、薄膜端面
電極形成済み絶縁基板を縦方向のスリットにより個片状
に分割する二次分割工程を行う。以上のような工程によ
り従来の角形チップ抵抗器を製造していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この角
形チップ抵抗器の製造方法では、薄膜端面電極を形成す
る面を露出させるために絶縁基板を短冊状に一次分割し
なければならず、これらを１本ずつスパッタするのでは
生産性が悪いため、短冊状基板を整列させ基板端面の一
端を何らかの治具で保持した後に一括処理をするのが一
般的である。
形チップ抵抗器の製造方法では、薄膜端面電極を形成す
る面を露出させるために絶縁基板を短冊状に一次分割し
なければならず、これらを１本ずつスパッタするのでは
生産性が悪いため、短冊状基板を整列させ基板端面の一
端を何らかの治具で保持した後に一括処理をするのが一
般的である。
【０００６】したがって、分割とスパッタ工程の間にこ
のように基板を整列させる工程が付加され、工程が煩雑
になり、工数の悪化が発生する。
のように基板を整列させる工程が付加され、工程が煩雑
になり、工数の悪化が発生する。
【０００７】また、絶縁基板の表面にあらかじめ分割用
スリットを形成しているため、一次分割した際に短冊状
基板の途中で二次分割用スリットに沿って割れが発生し
やすく、前述のように治具で保持する場合、短冊の長さ
が不一致のために治具に掛からないという工程不良品を
発生し、工程歩留が悪化するという課題があった。
スリットを形成しているため、一次分割した際に短冊状
基板の途中で二次分割用スリットに沿って割れが発生し
やすく、前述のように治具で保持する場合、短冊の長さ
が不一致のために治具に掛からないという工程不良品を
発生し、工程歩留が悪化するという課題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の角形チップ抵抗器の製造方法は、絶縁基板の
表面に一対の上面電極層とこの上面電極層に電気的に接
続する抵抗体層からなる抵抗素子を一定間隔で前記絶縁
基板の縦方向及び横方向に複数個形成する工程と、前記
絶縁基板の裏面に前記上面電極層と相対するように裏面
電極層を形成する工程と、前記抵抗体層を完全に覆うよ
うに保護膜を形成する工程と、前記表面および裏面電極
層以外の部分にレジスト膜を形成する工程と、前記抵抗
素子間に抵抗素子と平行になるよう前記絶縁基板の縦ま
たは横方向に分割溝を形成する工程と、前記分割溝と直
交するように前記絶縁基板の表裏面を貫通する溝を形成
する工程と、前記溝の露出端面に対し前記上面電極層と
裏面電極層とに電気的に接続するようにスパッタ工法ま
たはイオンプレーティングまたは蒸着法により薄膜端面
電極を形成する工程と、前記レジストを除去する工程
と、前記分割溝で分割し個々の抵抗器に分離する工程と
から構成される。
に本発明の角形チップ抵抗器の製造方法は、絶縁基板の
表面に一対の上面電極層とこの上面電極層に電気的に接
続する抵抗体層からなる抵抗素子を一定間隔で前記絶縁
基板の縦方向及び横方向に複数個形成する工程と、前記
絶縁基板の裏面に前記上面電極層と相対するように裏面
電極層を形成する工程と、前記抵抗体層を完全に覆うよ
うに保護膜を形成する工程と、前記表面および裏面電極
層以外の部分にレジスト膜を形成する工程と、前記抵抗
素子間に抵抗素子と平行になるよう前記絶縁基板の縦ま
たは横方向に分割溝を形成する工程と、前記分割溝と直
交するように前記絶縁基板の表裏面を貫通する溝を形成
する工程と、前記溝の露出端面に対し前記上面電極層と
裏面電極層とに電気的に接続するようにスパッタ工法ま
たはイオンプレーティングまたは蒸着法により薄膜端面
電極を形成する工程と、前記レジストを除去する工程
と、前記分割溝で分割し個々の抵抗器に分離する工程と
から構成される。
【０００９】
【作用】本発明によれば、抵抗素子が完全に形成された
後基板分割工程に入るので、１枚の絶縁基板の状態で複
数の抵抗素子形成を行うことができるため、薄膜端面電
極が一括形成でき工程処理能力が向上するとともに基板
分割工程での基板割れなどの分割不良の発生もなく、歩
留を向上させることができる。
後基板分割工程に入るので、１枚の絶縁基板の状態で複
数の抵抗素子形成を行うことができるため、薄膜端面電
極が一括形成でき工程処理能力が向上するとともに基板
分割工程での基板割れなどの分割不良の発生もなく、歩
留を向上させることができる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の一実施例による角形チップ抵抗
器の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
器の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例である角形チップ
抵抗器の製造方法を示す工程図である。
抵抗器の製造方法を示す工程図である。
【００１２】まず、図２に示すような分割溝のない５０
×６０ｍｍ、厚み０．３ｍｍの大版の９６％アルミナ基
板１を受け入れる基板受け入れ工程を行った。次に図３
に示すように、９６％アルミナ基板１の表面にＡｇ系厚
膜グレーズによる一対の上面電極層２と酸化ルテニウム
系厚膜グレーズによる抵抗体層３からなる抵抗素子をス
クリーン印刷法により、一定間隔で縦方向及び横方向に
複数個同時に印刷し、ベルト式連続焼成炉でピーク温度
８５０℃で焼成した後、９６％アルミナ基板１の裏面に
表面の上面電極層２と相対するように同様にＡｇ系厚膜
グレーズによる裏面電極層を印刷焼成して形成する電極
ペースト印刷・焼成工程および抵抗ペースト印刷・焼成
工程を行った。
×６０ｍｍ、厚み０．３ｍｍの大版の９６％アルミナ基
板１を受け入れる基板受け入れ工程を行った。次に図３
に示すように、９６％アルミナ基板１の表面にＡｇ系厚
膜グレーズによる一対の上面電極層２と酸化ルテニウム
系厚膜グレーズによる抵抗体層３からなる抵抗素子をス
クリーン印刷法により、一定間隔で縦方向及び横方向に
複数個同時に印刷し、ベルト式連続焼成炉でピーク温度
８５０℃で焼成した後、９６％アルミナ基板１の裏面に
表面の上面電極層２と相対するように同様にＡｇ系厚膜
グレーズによる裏面電極層を印刷焼成して形成する電極
ペースト印刷・焼成工程および抵抗ペースト印刷・焼成
工程を行った。
【００１３】次に図４に示すように、抵抗体層３を目的
の抵抗値が得られるようレーザートリミングにより抵抗
値修正溝４を形成する抵抗値修正工程を行った。次に図
５に示すように、抵抗値修正済み抵抗体層３を完全に覆
うように、エポキシ樹脂ペーストをスクリーン印刷し、
２００℃雰囲気のＢＯＸ乾燥機で乾燥硬化して保護膜５
を形成する保護コート形成工程を行った。次に図６に示
すように、表裏面の電極層２以外の部分にフェノール系
のレジストをスクリーン印刷して、８０℃で乾燥硬化さ
せてレジスト膜６を形成するレジスト膜形成工程を行っ
た。
の抵抗値が得られるようレーザートリミングにより抵抗
値修正溝４を形成する抵抗値修正工程を行った。次に図
５に示すように、抵抗値修正済み抵抗体層３を完全に覆
うように、エポキシ樹脂ペーストをスクリーン印刷し、
２００℃雰囲気のＢＯＸ乾燥機で乾燥硬化して保護膜５
を形成する保護コート形成工程を行った。次に図６に示
すように、表裏面の電極層２以外の部分にフェノール系
のレジストをスクリーン印刷して、８０℃で乾燥硬化さ
せてレジスト膜６を形成するレジスト膜形成工程を行っ
た。
【００１４】次に図７に示すように、９６％アルミナ基
板１をシート状態に保ちながら、隣接する抵抗素子を独
立させ、かつ均一な外形寸法を有する個片状に分割する
ために、まず粘着タイプのダイシングテープ７に９６％
アルミナ基板１を固定した後、スクライブ工法によりダ
イアモンド回転ディスク刃で基板表面に抵抗素子の整列
方向と平行に０．５ｍｍピッチで溝深さ０．０５ｍｍの
複数の分割溝８を形成し、次にダイシング工法により分
割溝８と直交しかつ１．０ｍｍピッチで溝幅０．０５ｍ
ｍの表裏面を貫通する溝９を形成する二次分割用溝形成
工程および貫通溝形成工程を行った。この時溝９はアル
ミナ基板の周辺部約１０ｍｍを残すようにダイアモンド
刃を位置決めして加工した。
板１をシート状態に保ちながら、隣接する抵抗素子を独
立させ、かつ均一な外形寸法を有する個片状に分割する
ために、まず粘着タイプのダイシングテープ７に９６％
アルミナ基板１を固定した後、スクライブ工法によりダ
イアモンド回転ディスク刃で基板表面に抵抗素子の整列
方向と平行に０．５ｍｍピッチで溝深さ０．０５ｍｍの
複数の分割溝８を形成し、次にダイシング工法により分
割溝８と直交しかつ１．０ｍｍピッチで溝幅０．０５ｍ
ｍの表裏面を貫通する溝９を形成する二次分割用溝形成
工程および貫通溝形成工程を行った。この時溝９はアル
ミナ基板の周辺部約１０ｍｍを残すようにダイアモンド
刃を位置決めして加工した。
【００１５】次に、ダイシングテープ７から９６％アル
ミナ基板１を取り外した後、２００℃で１０分基板加熱
し、図８に示すように、Ｎｉ−Ｃｒ系の金属ターゲット
と９６％アルミナ基板１の平面部とが平行となるように
配置し、インライン式スパッタ装置を用いて９６％アル
ミナ基板１の表裏全面と同時に溝９の側面に薄膜端面電
極１０を形成する工程を行った。これは、９６％アルミ
ナ基板１の表裏面へスパッタされる時に溝９の側面へタ
ーゲット粒子が廻り込むという性質を利用するものであ
る。
ミナ基板１を取り外した後、２００℃で１０分基板加熱
し、図８に示すように、Ｎｉ−Ｃｒ系の金属ターゲット
と９６％アルミナ基板１の平面部とが平行となるように
配置し、インライン式スパッタ装置を用いて９６％アル
ミナ基板１の表裏全面と同時に溝９の側面に薄膜端面電
極１０を形成する工程を行った。これは、９６％アルミ
ナ基板１の表裏面へスパッタされる時に溝９の側面へタ
ーゲット粒子が廻り込むという性質を利用するものであ
る。
【００１６】ここでは、側面へのスパッタを目的とし、
側面の薄膜端面電極１０は後のめっき時の下地となるた
め、スパッタ条件はある程度粗くても十分である。本実
施例では、Ａｒガス圧を約０．３Ｐａにして実施した。
また、得られた側面部でのＮｉ−Ｃｒの膜厚は約１００
０Åであった。
側面の薄膜端面電極１０は後のめっき時の下地となるた
め、スパッタ条件はある程度粗くても十分である。本実
施例では、Ａｒガス圧を約０．３Ｐａにして実施した。
また、得られた側面部でのＮｉ−Ｃｒの膜厚は約１００
０Åであった。
【００１７】次に、レジスト膜除去処理によりレジスト
膜６とともにその表面に被着されていたＮｉ−Ｃｒ系薄
膜端面電極１０をリフトオフする工程の後、９６％アル
ミナ基板１において抵抗素子が形成されている部分以外
の枠部（アルミナ基板をシート状に保持している部分）
を取り除くことにより、図９に示す短冊状の薄膜端面電
極形成済み９６％アルミナ基板１１を得た。
膜６とともにその表面に被着されていたＮｉ−Ｃｒ系薄
膜端面電極１０をリフトオフする工程の後、９６％アル
ミナ基板１において抵抗素子が形成されている部分以外
の枠部（アルミナ基板をシート状に保持している部分）
を取り除くことにより、図９に示す短冊状の薄膜端面電
極形成済み９６％アルミナ基板１１を得た。
【００１８】次に図１０に示すように、前記端面電極形
成済み９６％アルミナ基板１１を分割溝８により外形寸
法が０．９５×０．５×０．３５ｍｍの直方体の個片状
アルミナ基板１１１となるように分割溝８で分割する分
割を行った。最後に露出した電極部のはんだ付け時の信
頼性を確保するため、Ｎｉめっきおよびはんだめっきを
形成する工程を行って、本発明による角形チップ抵抗器
を製造した。
成済み９６％アルミナ基板１１を分割溝８により外形寸
法が０．９５×０．５×０．３５ｍｍの直方体の個片状
アルミナ基板１１１となるように分割溝８で分割する分
割を行った。最後に露出した電極部のはんだ付け時の信
頼性を確保するため、Ｎｉめっきおよびはんだめっきを
形成する工程を行って、本発明による角形チップ抵抗器
を製造した。
【００１９】このように、本実施例の角形チップ抵抗器
の製造方法によれば、端面電極の形成を１枚のシート状
のアルミナ基板の状態で処理することができ、工程中で
の基板割れの発生がなく、量産性に富み歩留が向上し、
従来の製造方法よりも安定で安価に角形チップ抵抗器を
製造することができた。
の製造方法によれば、端面電極の形成を１枚のシート状
のアルミナ基板の状態で処理することができ、工程中で
の基板割れの発生がなく、量産性に富み歩留が向上し、
従来の製造方法よりも安定で安価に角形チップ抵抗器を
製造することができた。
【００２０】なお、本実施例では抵抗体および電極を厚
膜材料により形成したが、この材料に限定するものでは
なく、抵抗素子の材料の如何によらず、端面電極を薄膜
技術により形成するもの全てに適用できることはいうま
でもない。
膜材料により形成したが、この材料に限定するものでは
なく、抵抗素子の材料の如何によらず、端面電極を薄膜
技術により形成するもの全てに適用できることはいうま
でもない。
【００２１】またさらに、本実施例ではスパッタリング
により端面電極層を形成したが、イオンプレーティング
あるいは蒸着法などの薄膜技術でも、同様に形成できる
こともいうまでもない。
により端面電極層を形成したが、イオンプレーティング
あるいは蒸着法などの薄膜技術でも、同様に形成できる
こともいうまでもない。
【００２２】また、絶縁基板として、９６％アルミナ基
板を使用したが、アルミナ基板よりも硬度が小さくアル
ミナ基板と同等の熱伝導度を有する低温焼成セラミック
基板（ガラスアルミナ基板；ホウケイ酸鉛系ガラスが５
０〜６０％含まれる）を使用すれば、基板をスクライブ
あるいはダイシングする際の刃の寿命を延長することが
でき、さらに安価に角形チップ抵抗器を製造できる。
板を使用したが、アルミナ基板よりも硬度が小さくアル
ミナ基板と同等の熱伝導度を有する低温焼成セラミック
基板（ガラスアルミナ基板；ホウケイ酸鉛系ガラスが５
０〜６０％含まれる）を使用すれば、基板をスクライブ
あるいはダイシングする際の刃の寿命を延長することが
でき、さらに安価に角形チップ抵抗器を製造できる。
【００２３】またさらに、本発明は本実施例で示した工
程順序に限定されるものではない。
程順序に限定されるものではない。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の角形チップ抵抗器の製造方法によれば、抵抗素子が完
全に形成された後基板分割工程に入るので、１枚の絶縁
基板の状態で複数の抵抗素子形成を行うことができるた
め、薄膜端面電極が一括形成でき、量産性に富みかつ工
数の低減が可能となり従来の製造方法の分割工程での分
割不良の発生をなくし歩留を向上させることができる。
の角形チップ抵抗器の製造方法によれば、抵抗素子が完
全に形成された後基板分割工程に入るので、１枚の絶縁
基板の状態で複数の抵抗素子形成を行うことができるた
め、薄膜端面電極が一括形成でき、量産性に富みかつ工
数の低減が可能となり従来の製造方法の分割工程での分
割不良の発生をなくし歩留を向上させることができる。
【図１】本発明の一実施例における角形チップ抵抗器の
製造工程図
製造工程図
【図２】同実施例における角形チップ抵抗器の基板受入
状態図
状態図
【図３】同角形チップ抵抗器の製造工程を示す平面図
【図４】同角形チップ抵抗器の製造工程を示す平面図
【図５】同角形チップ抵抗器の製造工程を示す平面図
【図６】同角形チップ抵抗器の製造工程を示す平面図
【図７】同角形チップ抵抗器の製造工程を示す平面図
【図８】同角形チップ抵抗器の製造工程を示す平面図
【図９】同角形チップ抵抗器の製造工程を示す斜視図
【図１０】同角形チップ抵抗器の製造工程を示す斜視図
【図１１】従来の角形チップ抵抗器の製造工程図
１，１１，１１１ ９６％アルミナ基板 ２ 上面電極層 ３ 抵抗体層 ４ トリミング溝 ５ 保護膜 ６ レジスト膜 ８ 分割溝 ９ 溝 １０ 薄膜端面電極
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁基板の表面に一対の上面電極層とこ
の上面電極層に電気的に接続する抵抗体層からなる抵抗
素子を一定間隔で前記絶縁基板の縦方向及び横方向に複
数個形成する工程と、前記絶縁基板の裏面に前記上面電
極層と相対するように裏面電極層を形成する工程と、前
記抵抗体層を完全に覆うように保護膜を形成する工程
と、前記表面および裏面電極層以外の部分にレジスト膜
を形成する工程と、前記抵抗素子間に抵抗素子と平行に
なるよう前記絶縁基板の縦または横方向に分割溝を形成
する工程と、前記分割溝と直交するように前記絶縁基板
の表裏面を貫通する溝を形成する工程と、前記溝の露出
端面に対し前記上面電極層と裏面電極層とに電気的に接
続するようにスパッタ工法またはイオンプレーティング
または蒸着法により薄膜端面電極を形成する工程と、前
記レジストを除去する工程と、前記分割溝で分割し個々
の抵抗器に分離する工程とを有する角形チップ抵抗器の
製造方法。 - 【請求項２】 絶縁基板が低温焼成セラミック基板であ
る請求項１記載の角形チップ抵抗器の製造方法。 - 【請求項３】 分割溝をスクライブ工法で形成し貫通す
る溝をダイシング工法により形成する請求項１記載の角
形チップ抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5227048A JPH0786012A (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 角形チップ抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5227048A JPH0786012A (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 角形チップ抵抗器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786012A true JPH0786012A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16854716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5227048A Pending JPH0786012A (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 角形チップ抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786012A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1255256A1 (en) * | 2000-01-17 | 2002-11-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resistor and method for fabricating the same |
| JP2003086408A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Mitsubishi Materials Corp | チップ抵抗器の製造方法 |
| JP2006024767A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Koa Corp | チップ抵抗器の製造方法 |
| JP2006352020A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 小型電子部品の製造方法 |
| JP2007194595A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜チップ抵抗器、薄膜チップコンデンサおよび薄膜チップインダクタの製造方法 |
| JP2011029414A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法 |
-
1993
- 1993-09-13 JP JP5227048A patent/JPH0786012A/ja active Pending
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