JP2887581B2 - チップ型電子部品 - Google Patents

チップ型電子部品

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JP2887581B2
JP2887581B2 JP8155706A JP15570696A JP2887581B2 JP 2887581 B2 JP2887581 B2 JP 2887581B2 JP 8155706 A JP8155706 A JP 8155706A JP 15570696 A JP15570696 A JP 15570696A JP 2887581 B2 JP2887581 B2 JP 2887581B2
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眞人 土井
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】この発明は、保護コーティング層
による抵抗被膜表面の保護安定性を飛躍的に高めるとと
もに、コーティング面の平滑性を担保して実装操作時で
の吸着ミスを低減できるように改良したチップ型抵抗器
およびその製造方法に関する。 【0002】 【従来の技術】回路基板への実装密度の向上および電気
的特性の向上を目的として、種々の電子部品がチップ型
に置き換えられつつある。このようなチップ型電子部品
の代表的なものとしてのチップ型抵抗器は、次のような
製造工程を経て作製される。 【0003】まず、割り溝(スリット)を格子状に形成
しながら焼成したセラミック基板の上面における、上記
スリットで囲まれる複数行複数列の各矩形の領域の両端
部に、電極被膜を一括印刷形成した後、各矩形の単位領
域に所定形状の抵抗被膜を一括印刷形成する。これによ
り、各矩形の領域に、その両端に配された電極被膜と、
これらの電極被膜間に導通されるように形成された抵抗
被膜とからなる各単位チップ抵抗器の基本部分が形成さ
れる。この後、各矩形の単位領域における抵抗被膜の表
面にアンダーコートガラスをコーティングする。次に、
電極間の抵抗を測定しつつ抵抗被膜にトリミング溝を入
れて目標抵抗値をうるためのトリミング工程が行なわれ
る。 【0004】この種の小型のチップ抵抗器における抵抗
被膜のトリミングは、レーザ光によって抵抗被膜を加熱
・蒸発させて溝を形成するレーザトリミングが一般的で
あり、このレーザトリミングは、上記のようにアンダー
コートガラスでコーティングされた抵抗被膜に対して行
なわれる。このようにすると、レーザによる熱で飛散す
る抵抗被膜材料が印刷被膜上あるいはすでに形成された
溝上に再付着することが少なくなるので、不具合品の発
生が少なくなり、かつより正確に目標抵抗値とすること
ができる。 【0005】そうして、上記トリミングによって溝内に
露出する抵抗被膜を保護するために、上記アンダーコー
トガラスの表面をオーバーコートガラスでコーティング
する。なお、上記アンダーコートガラスによるコーティ
ング、および、オーバーコートガラスによるコーティン
グは、基板上の各矩形の領域に対して、上記電極被膜お
よび抵抗被膜の形成と同様の手法で、一括印刷により行
なわれる。すわなち、コーティング材料として低融点鉛
ガラスなどを使用し、ペースト状に溶融したガラスを印
刷材料として印刷することにより行なう。 【0006】こうして、オーバーコーティング工程まで
終了した基板は、列方向に延びるスリットに沿って分割
して一列棒状の基板片を得、その側縁面ないし側縁に近
い裏面に電極被膜を塗布焼成して形成した後、行方向に
延びるスリットに沿って各単位チップ抵抗器毎に分割さ
れ、最後に、各分割されたチップ抵抗器の電極部にメッ
キが施される。 【0007】 【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なチップ型抵抗器は、そのガラスコートによる保護安定
性が厳しく要求されることから、図9に厚さ方向の寸法
を強調して断面を示すように、オーバーコートの厚みを
比較的厚くせざるをえない事情がある。そうすると、比
較的小さい(1mm角あるいはそれ以下)領域に一度に比
較的量の多いガラスを塗布することとなり、塗布後の表
面張力の作用により、オーバーコートの表面は図9に示
すように凸曲面状となってしまう。 【0008】一方、基板に対してこの種の小型の電子装
置を実装するにあたり、部品ストッカから基板までの電
子装置の搬送を図10に示すような真空チャックで吸着
することにより行なうことが多いのであるが、上記のよ
うに表面が凸曲面状となった電子部品を正しく吸着し、
かつ基板上の正確な位置に搬送することが困難であり、
実装不良を来たす確率が高いという問題があった。 【0009】さらには、上記のようなチップ型抵抗器
は、積層状として実装装置の供給機構に装填されること
と関連して、その厚み方向の寸法にも厳しい精度が要求
されるが、上記のように一度に比較的量の多いガラスを
塗布することによって形成されるオーバコートの厚みH
を厳しく管理することが困難であるという問題もあっ
た。 【0010】この発明は、以上のような従来の問題を解
決し、保護コーティングによる保護安定性を高度に維持
しつつ、部品の厚み方向の精度の管理が容易であり、し
かも保護コーティングの表面をより平滑にして真空チャ
ックによる吸着ミスの問題をも解決しうる構造をもった
チップ型抵抗器およびその製造方法を提供することをそ
の課題とする。 【0011】 【問題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、この発明では、次の技術的手段を講じている。 【0012】すなわち、本発明に係るチップ型抵抗器
は、平面視矩形状をした基板上に、その一方方向両端部
に形成された電極被膜と、これらの電極被膜間を導通さ
せ、かつ基板他方方向両端部が基板の他方方向両側縁よ
りも内側に退避するように形成した抵抗被膜とを備える
チップ型抵抗器において、上記抵抗被膜上には、保護コ
ーティングが施されており、この保護コーティングは、
トリミング前に形成され、かつ上記抵抗被膜を覆うとと
もに基板他方方向両端部が基板の他方方向両側縁よりも
内側に退避するように形成された第1のコート層と、ト
リミング後に形成され、かつ基板他方方向両端部が基板
の他方方向両側縁までのびるように形成された第2のコ
ート層と、この第2のコート層の上層に形成される第3
のコート層を含んでいることを特徴としている。 【0013】なお、上記において、基板一方方向とは、
矩形状の基板における、二辺が対向する方向をいい、基
板他方方向とは、残りの二辺が対向する方向をいう。 【0014】 【作用および効果】本発明では、従来のこの種のチップ
型電子部品においてトリミング後に形成されるコート層
が、第2のコート層と第3のコート層の二層に分けられ
ている。したがって、第2のコート層と第3のコート層
を各薄状に形成しつつ、最終的に十分な厚みの保護コー
ティングを形成し、この保護コーティングによる高い保
護安定性を達成することができる。 【0015】そうして、第2のコート層および第3のコ
ート層をそれぞれ薄状に形成することができるから、各
コート層の塗布時においてその表面が凸曲面状となるこ
とがなく、したがって比較的厚いコーティング層を一度
に形成する必要のあった従来例のように保護コーティン
グの表面が凸曲面状となることがなく、平滑面状とな
る。したがって、真空チャックによる吸着も正しく行な
われ、従来のように実装不良が起こる確率も著しく低減
される。 【0016】そうして、各コート層を薄くできることか
ら、塗布時での表面張力の影響も少なく、したがって、
各コート層の厚みの管理を正確に行なうことができる。
このことは、最終的な電子部品の厚み寸法の精度の著し
い向上につながる。 【0017】また、抵抗被膜が、その基板他方方向両端
部が基板の他方方向両側縁よりも内側に退避するように
形成されるとともに、第1のコート層が上記抵抗被膜を
覆うとともに、基板他方方向両端部が基板の他方方向両
側縁よりも内側に退避するように形成され、しかも、第
2のコート層がその基板他方方向両端部が基板の他方方
向両側縁までのびるように形成されているので、第2の
コート層の形成を厳しい位置決めをすることなく行うこ
とができ、しかも、抵抗体被膜およびその上層の第1の
コート層全体を第2のコート層によって確実に覆うこと
ができ、このことによっても、保護コーティングによる
保護安定性を高度に維持できる。 【0018】 【実施例の説明】以下、本発明の実施例を図面を参照し
つつ具体的に説明する。なお、実施例は、チップ型抵抗
器に本発明を適用したものである。チップ型抵抗器は次
のような手順で作製され、かつその途中の工程である保
護コーティング形成工程において本発明構造が採用され
る。 【0019】まず、図6および図1に示すように、等間
隔複数本の横スリット1a…と等間隔複数本の縦スリッ
ト1b…とからなる格子状の割り溝が表面に形成された
セラミック基板1における、上記各スリット1a…,1
b…で囲まれた矩形の各単位領域A…に、図1に詳示す
るようにしてその両端部の電極被膜2…および抵抗被膜
3…が、つづいて一括印刷形成される。これにより、一
対の電極被膜2,2と、これらの間に導通配置される抵
抗被膜3とを備える単位チップ抵抗器Cの基本形が、単
一のセラミック基板上に複数行複数列に一括形成される
こととなる。上記電極被膜2…および抵抗被膜3は、そ
れぞれペースト状とした電極材料および抵抗材料を印刷
によってセラミック基板上に所定形状に塗布し、そうし
て焼成・固化するなどして形成される。 【0020】こうして得られたセラミック基板上に、ま
ず、図2に示すように、第1のコート層であるアンダー
コート層4を形成する。このアンダーコート層4は、平
面視において上記抵抗被膜3を各別に覆う独立した平面
視矩形状に塗布・形成される。このアンダーコート層4
の形成も、上記電極被膜および抵抗被膜の形成と同様、
印刷手法によって行なわれる。すなわち、低融点ガラス
をペースト状に溶融したものなどを印刷手法によって各
領域A…に一括塗布し、かつ焼成・固化させる。 【0021】このようにアンダーコート層4が形成され
た状態において、各電極被膜2に測定プローブをあてて
抵抗値を計測しつつ、レーザ光によって抵抗被膜3…に
図示しない溝を入れて所望の抵抗値をうるレーザ・トリ
ミングが行なわれる。 【0022】続いて、図3に示すように、各抵抗被膜3
およびアンダーコート層4の上に、第2のコート層であ
るミディアムコート層5が形成される。本例ではこれ
を、列方向(各図において縦方向)に並ぶ単位チップ抵
抗器群に対して列方向に連続する帯状に形成している。
もちろん、帯の幅は、アンダーコート層4を十分覆うこ
とができる寸法とされる。この結果、各単位チップ抵抗
器Cにおいてミディアムコート層5は、列方向に対向す
る、図3の上下両側縁間いっぱいに形成される。なお、
このミディアムコート層5の形成手法も上記と同様であ
る。 【0023】さらに続いて、図4に示すように、上記ミ
ディアムコート層5の上に、第3のコート層であるオー
バーコート層6…が形成される。本例では、各オーバー
コート層6…は、上記平面視矩形のアンダーコート層4
を覆う大きさの独立した矩形平面視形状としている。上
述のように列方向に帯状に形成したミディアムコート層
5の上に各矩形形状をしたオーバーコート層6を形成す
る結果、各単位チップ抵抗器毎に見れば、列方向の縁に
おいて、オーバーコート層6の下からミディアムコート
層5がチップの側端縁まで露出することとなる。 【0024】そうして、上記各コート層の形成工程によ
る保護コーティングの形成を終えた後、セラミック基板
1を、縦スリット1b…にそって分割して図示しない基
板棒状片を得て、その側縁面ないし側縁面近傍の裏面に
電極被膜を塗布焼成して電極部7を形成する。そして、
最後に、上記基板棒状片を、横スリット1a…で分離し
て各単位領域A…ごとの基板片1cに分割し、図5に示
すような単位チップ毎に分割されたチップ抵抗器Cを得
る。電極部7には通常、ハンダメッキが施される。 【0025】上述の工程を経て得られる本発明のチップ
型電子装置は、図7および図8にその厚み方向の寸法を
強調して示す断面図から明らかなように、抵抗被膜3上
の保護コーティングが、アンダーコート層4、ミディア
ムコート層5、および、オーバーコート層6の三層構造
となっている。したがって、保護コーティング高い安定
性を得るために比較的厚い合計コーティング厚みを必要
としても、各コート層を薄く形成することができ、した
がって全体としての保護コーティングの厚みの管理が容
易となって、とくに厚み方向の寸法精度が従来に比して
飛躍的に向上するとともに、一度に分量の多い溶融ガラ
スを塗布して所定の厚みを得る従来例のように表面張力
の影響による表面の凸曲面化傾向がなくなり、コーティ
ング表面を平滑面とすることができる。その結果、真空
チャックによる吸着ミスが少なく、かつ寸法精度がよ
く、しかも保護コーティングの信頼性のすぐれたチップ
型電子装置が達成される。 【0026】しかも、本発明においては、ミディアムコ
ート層5を列方向の帯状に形成していることから、その
下層の抵抗被膜3…およびアンダーコート層4全体を確
実に覆うことができるので、このことも保護コーティン
グによる保護安定性の向上に寄与する。また、ミディア
ムコート層の印刷の列方向の位置決めがラフで良くて印
刷効率が向上するとともに、オーバーコート層5を粘り
のある性質のガラス等によって各チップにおいて独立し
た矩形状とすると、かりにチップの側縁に外物が当たっ
てミディアムコート層5に欠けが生じてもこの欠けがオ
ーバーコート層5の領域内まで進行することがなく、保
護コートの信頼性が依然として維持されるという効果も
期待できる。
【図面の簡単な説明】 【図1】図1は、電極被膜および抵抗被膜の形成を終え
た時点でのセラミック基板の部分平面図。 【図2】図2はアンダーコート層(第1のコート層)の
形成を終えた時点でのセラミック基板の拡大部分平面
図。 【図3】図3はミディアムコート層(第2のコート層)
の形成を終えた時点でのセラミック基板の拡大部分平面
図。 【図4】図4はオーバーコート層(第3のコート層)の
形成を終えた時点でのセラミック基板の拡大部分平面
図。 【図5】図5はチップ型抵抗器の完成品の平面図。 【図6】図6はセラミック基板それ自体の平面図。 【図7】図7は図5のVII −VII 線拡大断面図。 【図8】図8は図5のVIII−VIII線拡大断面図。 【図9】図9は従来例を示す拡大断面図。 【図10】図10は従来例の説明図。 【符号の説明】 1 セラミック基板 2 電極基板 3 抵抗被膜 4 (第1のコート層)アンダーコート層 5 (第2のコート層)ミディアムコート層 6 (第3のコート層)オーバーコート層

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 1.平面視矩形状をした基板上に、その一方方向両端部
    に形成された電極被膜と、これらの電極被膜間を導通さ
    せ、かつ基板他方方向両端部が基板の他方方向両側縁よ
    りも内側に退避するように形成した抵抗被膜とを備える
    チップ型抵抗器において、 上記抵抗被膜上には、保護コーティングが施されてお
    り、この保護コーティングは、トリミング前に形成さ
    れ、かつ上記抵抗被膜を覆うとともに基板他方方向両端
    部が基板の他方方向両側縁よりも内側に退避するように
    形成された第1のコート層と、トリミング後に形成さ
    れ、かつ基板他方方向両端部が基板の他方方向両側縁ま
    でのびるように形成された第2のコート層と、この第2
    のコート層の上層に形成される第3のコート層を含んで
    いることを特徴とする、チップ型抵抗器。
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JP4813862B2 (ja) * 2005-09-30 2011-11-09 ローム株式会社 チップ型抵抗器

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