JP2979290B2 - チップ型抵抗器およびその製造方法 - Google Patents
チップ型抵抗器およびその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、保護コーティング層
による抵抗被膜表面の保護安定性を飛躍的に高めるとと
もに、コーティング面の平滑性を担保して実装操作時で
の吸着ミスを低減できるように改良したチップ型抵抗器
およびその製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】回路基板への実装密度の向上および電気
的特性の向上を目的として、種々の電子部品がチップ型
に置き換えられつつある。このようなチップ型電子部品
の代表的なものとしてのチップ型抵抗器は、次のような
製造工程を経て作製される。 【０００３】まず、割り溝（スリット）を格子状に形成
しながら焼成したセラミック基板の上面における、上記
スリットで囲まれる複数行複数列の各矩形の領域の両端
部に、電極被膜を一括印刷形成した後、各矩形の単位領
域に所定形状の抵抗被膜を一括印刷形成する。これによ
り、各矩形の領域に、その両端に配された電極被膜と、
これらの電極被膜間に導通されるように形成された抵抗
被膜とからなる各単位チップ抵抗器の基本部分が形成さ
れる。この後、各矩形の単位領域における抵抗被膜の表
面にアンダーコートガラスをコーティングする。次に、
電極間の抵抗を測定しつつ抵抗被膜にトリミング溝を入
れて目標抵抗値をうるためのトリミング工程が行なわれ
る。 【０００４】この種の小型のチップ抵抗器における抵抗
被膜のトリミングは、レーザ光によって抵抗被膜を加熱
・蒸発させて溝を形成するレーザトリミングが一般的で
あり、このレーザトリミングは、上記のようにアンダー
コートガラスでコーティングされた抵抗被膜に対して行
なわれる。このようにすると、レーザによる熱で飛散す
る抵抗被膜材料が印刷被膜上あるいはすでに形成された
溝上に再付着することが少なくなるので、不具合品の発
生が少なくなり、かつより正確に目標抵抗値とすること
ができる。 【０００５】そうして、上記トリミングによって溝内に
露出する抵抗被膜を保護するために、上記アンダーコー
トガラスの表面をオーバーコートガラスでコーティング
する。なお、上記アンダーコートガラスによるコーティ
ング、および、オーバーコートガラスによるコーティン
グは、基板上の各矩形の領域に対して、上記電極被膜お
よび抵抗被膜の形成と同様の手法で、一括印刷により行
なわれる。すわなち、コーティング材料として低融点鉛
ガラスなどを使用し、ペースト状に溶融したガラスを印
刷材料として印刷することにより行なう。 【０００６】こうして、オーバーコーティング工程まで
終了した基板は、列方向に延びるスリットに沿って分割
して一列棒状の基板片を得、その側縁面ないし側縁に近
い裏面に電極被膜を塗布焼成して形成した後、行方向に
延びるスリットに沿って各単位チップ抵抗器毎に分割さ
れ、最後に、各分割されたチップ抵抗器の電極部にメッ
キが施される。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なチップ型抵抗器は、そのガラスコートによる保護安定
性が厳しく要求されることから、図９に厚さ方向の寸法
を強調して断面を示すように、オーバーコートの厚みを
比較的厚くせざるをえない事情がある。そうすると、比
較的小さい（１mm角あるいはそれ以下）領域に一度に比
較的量の多いガラスを塗布することとなり、塗布後の表
面張力の作用により、オーバーコートの表面は図９に示
すように凸曲面状となってしまう。 【０００８】一方、基板に対してこの種の小型の電子装
置を実装するにあたり、部品ストッカから基板までの電
子装置の搬送を図１０に示すような真空チャックで吸着
することにより行なうことが多いのであるが、上記のよ
うに表面が凸曲面状となった電子部品を正しく吸着し、
かつ基板上の正確な位置に搬送することが困難であり、
実装不良を来たす確率が高いという問題があった。 【０００９】さらには、上記のようなチップ型抵抗器
は、積層状として実装装置の供給機構に装填されること
と関連して、その厚み方向の寸法にも厳しい精度が要求
されるが、上記のように一度に比較的量の多いガラスを
塗布することによって形成されるオーバコートの厚みＨ
を厳しく管理することが困難であるという問題もあっ
た。 【００１０】この発明は、以上のような従来の問題を解
決し、保護コーティングによる保護安定性を高度に維持
しつつ、部品の厚み方向の精度の管理が容易であり、し
かも保護コーティングの表面をより平滑にして真空チャ
ックによる吸着ミスの問題をも解決しうる構造をもった
チップ型抵抗器およびその製造方法を提供することをそ
の課題とする。 【００１１】 【問題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、この発明では、次の技術的手段を講じている。 【００１２】すなわち、本願の第１発明に係るチップ型
抵抗器の製造方法は、縦スリットと横スリットとによっ
て格子状の割り溝が形成された基板における上記割り溝
で囲まれた各矩形の単位領域に対し、各単位領域の両端
部に位置する電極被膜と、両電極被膜にまたがる抵抗被
膜とを形成し、次いで各単位領域に対して各抵抗被膜を
覆うアンダーコート層を形成し、次いで上記アンダーコ
ート層の上から各抵抗被膜に対してレーザ・トリミング
を行い、次いで各単位領域に対して１層からなるミディ
アムコート層を形成し、次いで各単位領域に対して１層
からなるオーバーコート層を形成する工程を含み、最終
的に各割り溝で分割して単位チップを得ることを特徴と
する。 【００１３】この発明方法の好ましい実施例において
は、上記ミディアムコート層は、縦方向に並ぶ各単位領
域にわたって連続するように、帯状に形成する一方、上
記オーバーコート層は、各単位領域に対し、独立した矩
形平面視形状に形成する。 【００１４】本願の第２発明に係るチップ型抵抗器は、
平面視矩形状をした基板上に、その一方方向両端部に形
成された電極被膜と、これらの電極被膜間を導通するよ
うに形成された抵抗被膜とを備えるチップ型抵抗器にお
いて、上記抵抗被膜上には、トリミング前に形成される
１層からなるアンダーコート層と、トリミング後に形成
される１層からなるミディアムコート層と、その上層に
形成される１層からなるオーバーコート層との三層のコ
ート層からなる保護コーティングが施されており、上記
ミディアムコート層は、その基板他方方向両端部が基板
の他方方向両側縁までのびるように形成されているとと
もに、上記オーバーコート層は、その基板他方方向両端
部が基板の他方方向両側縁よりも内側に退避するように
形成されていることを特徴とする。 【００１５】なお、上記において、基板一方方向とは、
矩形状の基板における、二辺が対向する方向をいい、基
板他方方向とは、残りの二辺が対向する方向をいう。 【００１６】 【作用および効果】本発明では、従来のこの種のチップ
型電子部品においてトリミング後に形成されるオーバー
コート層が、ミディアムコート層とオーバーコート層の
二層に分けられている。したがって、ミディアムコート
層およびオーバーコート層を各薄状に形成しつつ、最終
的に十分な厚みの保護コーティングを形成することがで
きる。 【００１７】そうして、ミディアムコート層およびオー
バーコート層をそれぞれ薄状に塗布することができるか
ら、各コート層の塗布時においてその表面が凸曲面状と
なることがなく、したがって比較的厚いコーティング層
を一度に形成する必要のあった従来例のように保護コー
ティングの表面が凸曲面状となることがなく、平滑面状
となる。したがって、真空チャックによる吸着も正しく
行なわれ、従来のように実装不良が起こる確率も著しく
低減される。 【００１８】そうして、各コート層を薄くできることか
ら、塗布時での表面張力の影響も少なく、したがって、
各コート層の厚みの管理を正確に行なうことができる。
このことは、最終的な電子部品の厚み寸法の精度の著し
い向上につながる。 【００１９】また、ミディアムコート層の形成を縦方向
に連続するように形成すると、このミディアムコート層
の形成を厳しい位置決めをすることなく行うことができ
るので、工程が簡略化され、製造コストが低減される。
そして、少なくともこのミディアムコート層の縦方向の
位置ずれが問題となって不良品が発生することが少なく
なる。また、オーバーコート層の形成を、その基板他方
方向両端部が基板他方方向両側縁よりも内側に退避する
ようにしているので、ミディアムコート層の基板他方方
向両端縁が基板の他方方向側縁に露出することになる
が、上記ミディアムコート層の端縁が外物に接触して損
傷しても、その損傷が内部に進行することが、オーバー
コート層によって阻止され、保護コーティングの安定性
は、依然高度に維持される。 【００２０】 【実施例の説明】以下、本発明の実施例を図面を参照し
つつ具体的に説明する。なお、実施例は、チップ型抵抗
器に本発明を適用したものである。チップ型抵抗器は次
のような手順で作製され、かつその途中の工程である保
護コーティング形成工程において本発明構造が採用され
る。 【００２１】まず、図６および図１に示すように、等間
隔複数本の横スリット１ａ…と等間隔複数本の縦スリッ
ト１ｂ…とからなる格子状の割り溝が表面に形成された
セラミック基板１における、上記各スリット１ａ…，１
ｂ…で囲まれた矩形の各単位領域Ａ…に、図１に詳示す
るようにしてその両端部の電極被膜２…および抵抗被膜
３…が、つづいて一括印刷形成される。これにより、一
対の電極被膜２，２と、これらの間に導通配置される抵
抗被膜３とを備える単位チップ抵抗器Ｃの基本形が、単
一のセラミック基板上に複数行複数列に一括形成される
こととなる。上記電極被膜２…および抵抗被膜３は、そ
れぞれペースト状とした電極材料および抵抗材料を印刷
によってセラミック基板上に所定形状に塗布し、そうし
て焼成・固化するなどして形成される。 【００２２】こうして得られたセラミック基板上に、ま
ず、図２に示すように、アンダーコート層４を形成す
る。このアンダーコート層４は、平面視において上記抵
抗被膜３を各別にに覆う平面視矩形状に塗布・形成され
る。このアンダーコート層４の形成も、上記電極被膜お
よび抵抗被膜の形成と同様、印刷手法によって行なわれ
る。すなわち、低融点ガラスをペースト状に溶融したも
のなどを印刷手法によって各領域Ａ…に一括塗布し、か
つ焼成・固化させる。 【００２３】このようにアンダーコート層４が形成され
た状態において、各電極被膜２に測定プローブをあてて
抵抗値を計測しつつ、レーザ光によって抵抗被膜３…に
図示しない溝を入れて所望の抵抗値をうるレーザ・トリ
ミングが行なわれる。 【００２４】続いて、図３に示すように、各抵抗被膜３
およびアンダーコート層４の上に、ミディアムコート層
５が形成される。本例ではこれを、列方向（各図におい
て縦方向）に並ぶ単位チップ抵抗器群に対して列方向に
連続する帯状に形成している。もちろん、帯の幅は、ア
ンダーコート層４を十分覆うことができる寸法とされ
る。この結果、各単位チップ抵抗器Ｃにおいてミディア
ムコート層５は、列方向に対向する、図３の上下両側縁
間いっぱいに形成される。なお、このミディアムコート
層５の形成手法も上記と同様である。 【００２５】さらに続いて、図４に示すように、上記ミ
ディアムコート層５の上に、オーバーコート層６…が形
成される。本例では、各オーバーコート層６…は、上記
平面視矩形のアンダーコート層４を覆う大きさの独立し
た矩形平面視形状としている。上述のように列方向に帯
状に形成したミディアムコート層５の上に各矩形形状を
したオーバーコート層６を形成する結果、各単位チップ
抵抗器毎に見れば、列方向の縁において、オーバーコー
ト層６の下からミディアムコート層５がチップの側端縁
まで露出することとなる。 【００２６】そうして、上記各コート層の形成工程によ
る保護コーティングの形成を終えた後、セラミック基板
１を、縦スリット１ｂ…にそって分割して図示しない基
板棒状片を得て、その側縁面ないし側縁面近傍の裏面に
電極被膜を塗布焼成して電極部７を形成する。そして、
最後に、上記基板棒状片を、横スリット１ａ…で分離し
て各単位領域Ａ…ごとの基板片１ｃに分割し、図５に示
すような単位チップ毎に分割されたチップ抵抗器Ｃを得
る。電極部７には通常、ハンダメッキが施される。 【００２７】上述の工程を経て得られる本発明のチップ
型電子装置は、図７および図８にその厚み方向の寸法を
強調して示す断面図から明らかなように、抵抗被膜３上
の保護コーティングが、アンダーコート層４、ミディア
ムコート層５、および、オーバーコート層６の三層構造
となっている。したがって、保護コーティング高い安定
性を得るために比較的厚い合計コーティング厚みを必要
としても、各コート層を薄く形成することができ、した
がって全体としての保護コーティング厚みの管理が容易
となって、とくに厚み方向の寸法精度が従来に比して飛
躍的に向上するとともに、一度に分量の多い溶融ガラス
を塗布して所定の厚みを得る従来例のように表面張力の
影響による表面の凸曲面化傾向がなくなり、コーティン
グ表面を平滑面とすることができる。その結果、真空チ
ャックによる吸着ミスが少なく、かつ寸法精度がよく、
しかも保護コーティングの信頼性のすぐれたチップ型電
子装置が達成される。 【００２８】しかも、本例においては、ミディアムコー
ト層５を列方向の帯状に形成していることから、この印
刷の列方向の位置決めがラフで良くて印刷効率が向上す
るとともに、オーバーコート層５を粘りのある性質のガ
ラス等によって各チップにおいて独立した矩形状とする
と、かりにチップの側縁に外物が当たってミディアムコ
ート層５に欠けが生じてもこの欠けがオーバーコート層
５の領域内まで進行することがなく、保護コーティング
の信頼性が依然として維持されるという効果も期待でき
る。
による抵抗被膜表面の保護安定性を飛躍的に高めるとと
もに、コーティング面の平滑性を担保して実装操作時で
の吸着ミスを低減できるように改良したチップ型抵抗器
およびその製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】回路基板への実装密度の向上および電気
的特性の向上を目的として、種々の電子部品がチップ型
に置き換えられつつある。このようなチップ型電子部品
の代表的なものとしてのチップ型抵抗器は、次のような
製造工程を経て作製される。 【０００３】まず、割り溝（スリット）を格子状に形成
しながら焼成したセラミック基板の上面における、上記
スリットで囲まれる複数行複数列の各矩形の領域の両端
部に、電極被膜を一括印刷形成した後、各矩形の単位領
域に所定形状の抵抗被膜を一括印刷形成する。これによ
り、各矩形の領域に、その両端に配された電極被膜と、
これらの電極被膜間に導通されるように形成された抵抗
被膜とからなる各単位チップ抵抗器の基本部分が形成さ
れる。この後、各矩形の単位領域における抵抗被膜の表
面にアンダーコートガラスをコーティングする。次に、
電極間の抵抗を測定しつつ抵抗被膜にトリミング溝を入
れて目標抵抗値をうるためのトリミング工程が行なわれ
る。 【０００４】この種の小型のチップ抵抗器における抵抗
被膜のトリミングは、レーザ光によって抵抗被膜を加熱
・蒸発させて溝を形成するレーザトリミングが一般的で
あり、このレーザトリミングは、上記のようにアンダー
コートガラスでコーティングされた抵抗被膜に対して行
なわれる。このようにすると、レーザによる熱で飛散す
る抵抗被膜材料が印刷被膜上あるいはすでに形成された
溝上に再付着することが少なくなるので、不具合品の発
生が少なくなり、かつより正確に目標抵抗値とすること
ができる。 【０００５】そうして、上記トリミングによって溝内に
露出する抵抗被膜を保護するために、上記アンダーコー
トガラスの表面をオーバーコートガラスでコーティング
する。なお、上記アンダーコートガラスによるコーティ
ング、および、オーバーコートガラスによるコーティン
グは、基板上の各矩形の領域に対して、上記電極被膜お
よび抵抗被膜の形成と同様の手法で、一括印刷により行
なわれる。すわなち、コーティング材料として低融点鉛
ガラスなどを使用し、ペースト状に溶融したガラスを印
刷材料として印刷することにより行なう。 【０００６】こうして、オーバーコーティング工程まで
終了した基板は、列方向に延びるスリットに沿って分割
して一列棒状の基板片を得、その側縁面ないし側縁に近
い裏面に電極被膜を塗布焼成して形成した後、行方向に
延びるスリットに沿って各単位チップ抵抗器毎に分割さ
れ、最後に、各分割されたチップ抵抗器の電極部にメッ
キが施される。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なチップ型抵抗器は、そのガラスコートによる保護安定
性が厳しく要求されることから、図９に厚さ方向の寸法
を強調して断面を示すように、オーバーコートの厚みを
比較的厚くせざるをえない事情がある。そうすると、比
較的小さい（１mm角あるいはそれ以下）領域に一度に比
較的量の多いガラスを塗布することとなり、塗布後の表
面張力の作用により、オーバーコートの表面は図９に示
すように凸曲面状となってしまう。 【０００８】一方、基板に対してこの種の小型の電子装
置を実装するにあたり、部品ストッカから基板までの電
子装置の搬送を図１０に示すような真空チャックで吸着
することにより行なうことが多いのであるが、上記のよ
うに表面が凸曲面状となった電子部品を正しく吸着し、
かつ基板上の正確な位置に搬送することが困難であり、
実装不良を来たす確率が高いという問題があった。 【０００９】さらには、上記のようなチップ型抵抗器
は、積層状として実装装置の供給機構に装填されること
と関連して、その厚み方向の寸法にも厳しい精度が要求
されるが、上記のように一度に比較的量の多いガラスを
塗布することによって形成されるオーバコートの厚みＨ
を厳しく管理することが困難であるという問題もあっ
た。 【００１０】この発明は、以上のような従来の問題を解
決し、保護コーティングによる保護安定性を高度に維持
しつつ、部品の厚み方向の精度の管理が容易であり、し
かも保護コーティングの表面をより平滑にして真空チャ
ックによる吸着ミスの問題をも解決しうる構造をもった
チップ型抵抗器およびその製造方法を提供することをそ
の課題とする。 【００１１】 【問題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、この発明では、次の技術的手段を講じている。 【００１２】すなわち、本願の第１発明に係るチップ型
抵抗器の製造方法は、縦スリットと横スリットとによっ
て格子状の割り溝が形成された基板における上記割り溝
で囲まれた各矩形の単位領域に対し、各単位領域の両端
部に位置する電極被膜と、両電極被膜にまたがる抵抗被
膜とを形成し、次いで各単位領域に対して各抵抗被膜を
覆うアンダーコート層を形成し、次いで上記アンダーコ
ート層の上から各抵抗被膜に対してレーザ・トリミング
を行い、次いで各単位領域に対して１層からなるミディ
アムコート層を形成し、次いで各単位領域に対して１層
からなるオーバーコート層を形成する工程を含み、最終
的に各割り溝で分割して単位チップを得ることを特徴と
する。 【００１３】この発明方法の好ましい実施例において
は、上記ミディアムコート層は、縦方向に並ぶ各単位領
域にわたって連続するように、帯状に形成する一方、上
記オーバーコート層は、各単位領域に対し、独立した矩
形平面視形状に形成する。 【００１４】本願の第２発明に係るチップ型抵抗器は、
平面視矩形状をした基板上に、その一方方向両端部に形
成された電極被膜と、これらの電極被膜間を導通するよ
うに形成された抵抗被膜とを備えるチップ型抵抗器にお
いて、上記抵抗被膜上には、トリミング前に形成される
１層からなるアンダーコート層と、トリミング後に形成
される１層からなるミディアムコート層と、その上層に
形成される１層からなるオーバーコート層との三層のコ
ート層からなる保護コーティングが施されており、上記
ミディアムコート層は、その基板他方方向両端部が基板
の他方方向両側縁までのびるように形成されているとと
もに、上記オーバーコート層は、その基板他方方向両端
部が基板の他方方向両側縁よりも内側に退避するように
形成されていることを特徴とする。 【００１５】なお、上記において、基板一方方向とは、
矩形状の基板における、二辺が対向する方向をいい、基
板他方方向とは、残りの二辺が対向する方向をいう。 【００１６】 【作用および効果】本発明では、従来のこの種のチップ
型電子部品においてトリミング後に形成されるオーバー
コート層が、ミディアムコート層とオーバーコート層の
二層に分けられている。したがって、ミディアムコート
層およびオーバーコート層を各薄状に形成しつつ、最終
的に十分な厚みの保護コーティングを形成することがで
きる。 【００１７】そうして、ミディアムコート層およびオー
バーコート層をそれぞれ薄状に塗布することができるか
ら、各コート層の塗布時においてその表面が凸曲面状と
なることがなく、したがって比較的厚いコーティング層
を一度に形成する必要のあった従来例のように保護コー
ティングの表面が凸曲面状となることがなく、平滑面状
となる。したがって、真空チャックによる吸着も正しく
行なわれ、従来のように実装不良が起こる確率も著しく
低減される。 【００１８】そうして、各コート層を薄くできることか
ら、塗布時での表面張力の影響も少なく、したがって、
各コート層の厚みの管理を正確に行なうことができる。
このことは、最終的な電子部品の厚み寸法の精度の著し
い向上につながる。 【００１９】また、ミディアムコート層の形成を縦方向
に連続するように形成すると、このミディアムコート層
の形成を厳しい位置決めをすることなく行うことができ
るので、工程が簡略化され、製造コストが低減される。
そして、少なくともこのミディアムコート層の縦方向の
位置ずれが問題となって不良品が発生することが少なく
なる。また、オーバーコート層の形成を、その基板他方
方向両端部が基板他方方向両側縁よりも内側に退避する
ようにしているので、ミディアムコート層の基板他方方
向両端縁が基板の他方方向側縁に露出することになる
が、上記ミディアムコート層の端縁が外物に接触して損
傷しても、その損傷が内部に進行することが、オーバー
コート層によって阻止され、保護コーティングの安定性
は、依然高度に維持される。 【００２０】 【実施例の説明】以下、本発明の実施例を図面を参照し
つつ具体的に説明する。なお、実施例は、チップ型抵抗
器に本発明を適用したものである。チップ型抵抗器は次
のような手順で作製され、かつその途中の工程である保
護コーティング形成工程において本発明構造が採用され
る。 【００２１】まず、図６および図１に示すように、等間
隔複数本の横スリット１ａ…と等間隔複数本の縦スリッ
ト１ｂ…とからなる格子状の割り溝が表面に形成された
セラミック基板１における、上記各スリット１ａ…，１
ｂ…で囲まれた矩形の各単位領域Ａ…に、図１に詳示す
るようにしてその両端部の電極被膜２…および抵抗被膜
３…が、つづいて一括印刷形成される。これにより、一
対の電極被膜２，２と、これらの間に導通配置される抵
抗被膜３とを備える単位チップ抵抗器Ｃの基本形が、単
一のセラミック基板上に複数行複数列に一括形成される
こととなる。上記電極被膜２…および抵抗被膜３は、そ
れぞれペースト状とした電極材料および抵抗材料を印刷
によってセラミック基板上に所定形状に塗布し、そうし
て焼成・固化するなどして形成される。 【００２２】こうして得られたセラミック基板上に、ま
ず、図２に示すように、アンダーコート層４を形成す
る。このアンダーコート層４は、平面視において上記抵
抗被膜３を各別にに覆う平面視矩形状に塗布・形成され
る。このアンダーコート層４の形成も、上記電極被膜お
よび抵抗被膜の形成と同様、印刷手法によって行なわれ
る。すなわち、低融点ガラスをペースト状に溶融したも
のなどを印刷手法によって各領域Ａ…に一括塗布し、か
つ焼成・固化させる。 【００２３】このようにアンダーコート層４が形成され
た状態において、各電極被膜２に測定プローブをあてて
抵抗値を計測しつつ、レーザ光によって抵抗被膜３…に
図示しない溝を入れて所望の抵抗値をうるレーザ・トリ
ミングが行なわれる。 【００２４】続いて、図３に示すように、各抵抗被膜３
およびアンダーコート層４の上に、ミディアムコート層
５が形成される。本例ではこれを、列方向（各図におい
て縦方向）に並ぶ単位チップ抵抗器群に対して列方向に
連続する帯状に形成している。もちろん、帯の幅は、ア
ンダーコート層４を十分覆うことができる寸法とされ
る。この結果、各単位チップ抵抗器Ｃにおいてミディア
ムコート層５は、列方向に対向する、図３の上下両側縁
間いっぱいに形成される。なお、このミディアムコート
層５の形成手法も上記と同様である。 【００２５】さらに続いて、図４に示すように、上記ミ
ディアムコート層５の上に、オーバーコート層６…が形
成される。本例では、各オーバーコート層６…は、上記
平面視矩形のアンダーコート層４を覆う大きさの独立し
た矩形平面視形状としている。上述のように列方向に帯
状に形成したミディアムコート層５の上に各矩形形状を
したオーバーコート層６を形成する結果、各単位チップ
抵抗器毎に見れば、列方向の縁において、オーバーコー
ト層６の下からミディアムコート層５がチップの側端縁
まで露出することとなる。 【００２６】そうして、上記各コート層の形成工程によ
る保護コーティングの形成を終えた後、セラミック基板
１を、縦スリット１ｂ…にそって分割して図示しない基
板棒状片を得て、その側縁面ないし側縁面近傍の裏面に
電極被膜を塗布焼成して電極部７を形成する。そして、
最後に、上記基板棒状片を、横スリット１ａ…で分離し
て各単位領域Ａ…ごとの基板片１ｃに分割し、図５に示
すような単位チップ毎に分割されたチップ抵抗器Ｃを得
る。電極部７には通常、ハンダメッキが施される。 【００２７】上述の工程を経て得られる本発明のチップ
型電子装置は、図７および図８にその厚み方向の寸法を
強調して示す断面図から明らかなように、抵抗被膜３上
の保護コーティングが、アンダーコート層４、ミディア
ムコート層５、および、オーバーコート層６の三層構造
となっている。したがって、保護コーティング高い安定
性を得るために比較的厚い合計コーティング厚みを必要
としても、各コート層を薄く形成することができ、した
がって全体としての保護コーティング厚みの管理が容易
となって、とくに厚み方向の寸法精度が従来に比して飛
躍的に向上するとともに、一度に分量の多い溶融ガラス
を塗布して所定の厚みを得る従来例のように表面張力の
影響による表面の凸曲面化傾向がなくなり、コーティン
グ表面を平滑面とすることができる。その結果、真空チ
ャックによる吸着ミスが少なく、かつ寸法精度がよく、
しかも保護コーティングの信頼性のすぐれたチップ型電
子装置が達成される。 【００２８】しかも、本例においては、ミディアムコー
ト層５を列方向の帯状に形成していることから、この印
刷の列方向の位置決めがラフで良くて印刷効率が向上す
るとともに、オーバーコート層５を粘りのある性質のガ
ラス等によって各チップにおいて独立した矩形状とする
と、かりにチップの側縁に外物が当たってミディアムコ
ート層５に欠けが生じてもこの欠けがオーバーコート層
５の領域内まで進行することがなく、保護コーティング
の信頼性が依然として維持されるという効果も期待でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、電極被膜および抵抗被膜の形成を終え
た時点でのセラミック基板の部分平面図。 【図２】図２はアンダーコート層の形成を終えた時点で
のセラミック基板の拡大部分平面図。 【図３】図３はミディアムコート層の形成を終えた時点
でのセラミック基板の拡大部分平面図。 【図４】図４はオーバーコート層の形成を終えた時点で
のセラミック基板の拡大部分平面図。 【図５】図５はチップ型抵抗器の完成品の平面図。 【図６】図６はセラミック基板それ自体の平面図。 【図７】図７は図５のVII −VII 線拡大断面図。 【図８】図８は図５のVIII−VIII線拡大断面図。 【図９】図９は従来例を示す拡大断面図。 【図１０】図１０は従来例の説明図。 【符号の説明】 １ セラミック基板 ２ 電極基板 ３ 抵抗被膜 ４ アンダーコート層 ５ ミディアムコート層 ６ オーバーコート層
た時点でのセラミック基板の部分平面図。 【図２】図２はアンダーコート層の形成を終えた時点で
のセラミック基板の拡大部分平面図。 【図３】図３はミディアムコート層の形成を終えた時点
でのセラミック基板の拡大部分平面図。 【図４】図４はオーバーコート層の形成を終えた時点で
のセラミック基板の拡大部分平面図。 【図５】図５はチップ型抵抗器の完成品の平面図。 【図６】図６はセラミック基板それ自体の平面図。 【図７】図７は図５のVII −VII 線拡大断面図。 【図８】図８は図５のVIII−VIII線拡大断面図。 【図９】図９は従来例を示す拡大断面図。 【図１０】図１０は従来例の説明図。 【符号の説明】 １ セラミック基板 ２ 電極基板 ３ 抵抗被膜 ４ アンダーコート層 ５ ミディアムコート層 ６ オーバーコート層
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．縦スリットと横スリットとによって格子状の割り溝
が形成された基板における上記割り溝で囲まれた各矩形
の単位領域に対し、各単位領域の両端部に位置する電極
被膜と、両電極被膜にまたがる抵抗被膜とを形成し、次
いで各単位領域に対して各抵抗被膜を覆う１層からなる
アンダーコート層を形成し、次いで上記アンダーコート
層の上から各抵抗被膜に対してレーザ・トリミングを行
い、次いで各単位領域に対して１層からなるミディアム
コート層を形成し、次いで各単位領域に対して１層から
なるオーバーコート層を形成し、最終的に各割り溝で分
割して単位チップを得ることを特徴とする、チップ型抵
抗器の製造方法。 ２．上記ミディアムコート層は、縦方向に並ぶ各単位領
域にわたって連続するように、帯状に形成する一方、上
記オーバーコート層は、各単位領域に対し、独立した矩
形平面視形状に形成する、請求項１に記載のチップ型抵
抗器の製造方法。 ３．平面視矩形状をした基板上に、その一方方向両端部
に形成された電極被膜と、これらの電極被膜間を導通す
るように形成された抵抗被膜とを備えるチップ型抵抗器
において、 上記抵抗被膜上には、トリミング前に形成される１層か
らなるアンダーコート層と、トリミング後に形成される
１層からなるミディアムコート層と、その上層に形成さ
れる１層からなるオーバーコート層との三層のコート層
からなる保護コーティングが施されており、上記ミディ
アムコート層は、その基板他方方向両端部が基板の他方
方向両側縁までのびるように形成されているとともに、
上記オーバーコート層は、その基板他方方向両端部が基
板の他方方向両側縁よりも内側に退避するように形成さ
れていることを特徴とする、チップ型抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8155702A JP2979290B2 (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | チップ型抵抗器およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8155702A JP2979290B2 (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | チップ型抵抗器およびその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62313248A Division JPH0770365B2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | チップ型電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08321403A JPH08321403A (ja) | 1996-12-03 |
| JP2979290B2 true JP2979290B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=15611657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8155702A Expired - Lifetime JP2979290B2 (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | チップ型抵抗器およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2979290B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6231192A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-10 | 株式会社 ニフコ | ハイブリツド集積回路 |
| JPS62120301U (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-30 |
-
1996
- 1996-06-17 JP JP8155702A patent/JP2979290B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08321403A (ja) | 1996-12-03 |
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