JPH10190232A - 多層配線基板及びその製造方法 - Google Patents
多層配線基板及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導体パターンの更なる高密度化を図ることが
でき、且つ製造工程を簡略化し得る配線基板及を提案す
る。 【解決手段】 樹脂層１４の一面側に導体パターン１０
が形成された複数枚の樹脂基板１２、１２・・が積層さ
れて一体化された多層配線基板であって、該樹脂層１４
を介して積層された導体パターン１０、１０・・を相互
に接続するヴィア１８が、樹脂層１４の一面側に形成さ
れた導体パターン１０が底面に露出するように、樹脂層
１４を貫通して形成された凹部１６に、樹脂層１４の他
面側表面と実質的に同一面となるように、めっきによっ
て金属が充填されて形成され、且つ樹脂層１４の他面側
に露出するヴィア１８の露出面が、他の樹脂基板に形成
された導体パターン１０に電気的に接続されていること
を特徴とする。
でき、且つ製造工程を簡略化し得る配線基板及を提案す
る。 【解決手段】 樹脂層１４の一面側に導体パターン１０
が形成された複数枚の樹脂基板１２、１２・・が積層さ
れて一体化された多層配線基板であって、該樹脂層１４
を介して積層された導体パターン１０、１０・・を相互
に接続するヴィア１８が、樹脂層１４の一面側に形成さ
れた導体パターン１０が底面に露出するように、樹脂層
１４を貫通して形成された凹部１６に、樹脂層１４の他
面側表面と実質的に同一面となるように、めっきによっ
て金属が充填されて形成され、且つ樹脂層１４の他面側
に露出するヴィア１８の露出面が、他の樹脂基板に形成
された導体パターン１０に電気的に接続されていること
を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層配線基板及びそ
の製造方法に関し、更に詳細には一面側に導体パターン
が形成された複数枚の樹脂基板を積層し加熱処理して一
体化した多層配線基板及びその製造方法に関する。
の製造方法に関し、更に詳細には一面側に導体パターン
が形成された複数枚の樹脂基板を積層し加熱処理して一
体化した多層配線基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】導体パターンが絶縁層を介して多層に積
層された多層配線基板には、導体パターン相互を電気的
に接続するヴィアを形成することが必要であるが、従
来、ヴィアは絶縁層にドリル等の工作具を用いて穿設し
た透孔にスルーホールめっきを施し、更に必要に応じて
導電性接着剤を充填して形成していた。かかる従来のヴ
ィアを具備する多層配線基板は、ヴィア径等がドリル等
の工作具の大きさで決定されるために限界があり、導体
パターンを形成し得る密度にも限界が存在する。この様
な、ドリル等の工作具を用いる従来の多層配線基板の製
造方法に対し、図１３に示すビルドアップ法が提案され
ている。かかるビルドアップ法では、樹脂層１００の両
面に接合された金属箔としての銅箔１０１、１０１に、
フォトリソ法等によってパターニングを施して所望の導
体パターン１０２、１０２・・を形成する〔図１３
（ａ）（ｂ）の工程〕。更に、形成した導体パターン１
０２、１０２・・上に絶縁層としての樹脂層１０４、１
０４を形成した後、エッチング等により所定箇所にヴィ
ア形成用の凹部１０４、１０４・・を形成する〔図１３
（ｃ）の工程〕。この凹部１０４の底面には導体パター
ン１０２が露出している。次いで、凹部１０４、１０４
・・を形成した樹脂層１０４、１０４の両面の全面（凹
部１０４、１０４・・の各々の内壁面を含む）に無電解
めっき又はスパッタリングによって銅層１０５、１０５
を形成した後、銅銅１０５、１０５にフォトリソ法等に
よって所望の導体パターン１０６、１０６・・を形成す
る〔図１３（ｄ）（ｅ）の工程〕。導体パターン１０６
は、凹部１０４の内壁に沿って銅層１０５が形成された
ヴィア１０７によって、導体パターン１０２と接続され
ている。その後、導体パターン１０６、１０６・・上に
樹脂層１０８、１０８を形成した後、エッチング等によ
り所定箇所にヴィア形成用の凹部１０９、１０９・・を
形成し〔図１３（ｆ）〕、更に図１３（ｄ）（ｅ）の工
程を繰り返すことによって、多層配線基板を形成でき
る。
層された多層配線基板には、導体パターン相互を電気的
に接続するヴィアを形成することが必要であるが、従
来、ヴィアは絶縁層にドリル等の工作具を用いて穿設し
た透孔にスルーホールめっきを施し、更に必要に応じて
導電性接着剤を充填して形成していた。かかる従来のヴ
ィアを具備する多層配線基板は、ヴィア径等がドリル等
の工作具の大きさで決定されるために限界があり、導体
パターンを形成し得る密度にも限界が存在する。この様
な、ドリル等の工作具を用いる従来の多層配線基板の製
造方法に対し、図１３に示すビルドアップ法が提案され
ている。かかるビルドアップ法では、樹脂層１００の両
面に接合された金属箔としての銅箔１０１、１０１に、
フォトリソ法等によってパターニングを施して所望の導
体パターン１０２、１０２・・を形成する〔図１３
（ａ）（ｂ）の工程〕。更に、形成した導体パターン１
０２、１０２・・上に絶縁層としての樹脂層１０４、１
０４を形成した後、エッチング等により所定箇所にヴィ
ア形成用の凹部１０４、１０４・・を形成する〔図１３
（ｃ）の工程〕。この凹部１０４の底面には導体パター
ン１０２が露出している。次いで、凹部１０４、１０４
・・を形成した樹脂層１０４、１０４の両面の全面（凹
部１０４、１０４・・の各々の内壁面を含む）に無電解
めっき又はスパッタリングによって銅層１０５、１０５
を形成した後、銅銅１０５、１０５にフォトリソ法等に
よって所望の導体パターン１０６、１０６・・を形成す
る〔図１３（ｄ）（ｅ）の工程〕。導体パターン１０６
は、凹部１０４の内壁に沿って銅層１０５が形成された
ヴィア１０７によって、導体パターン１０２と接続され
ている。その後、導体パターン１０６、１０６・・上に
樹脂層１０８、１０８を形成した後、エッチング等によ
り所定箇所にヴィア形成用の凹部１０９、１０９・・を
形成し〔図１３（ｆ）〕、更に図１３（ｄ）（ｅ）の工
程を繰り返すことによって、多層配線基板を形成でき
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図１３に示すビルドア
ップ法によって得た多層配線基板は、ドリル等の工作具
を使用してヴィアを形成した多層配線基板よりも導体パ
ターンを高密度に形成できる。しかし、その製造工程は
複雑であり、得られる多層配線基板は従来の多層配線基
板よりも高価となる。このため、本発明者等は、多層配
線基板の製造工程の簡略化を図るべく、図１４に示す様
に、熱可塑性樹脂又は半硬化された熱硬化樹脂から成
り、加熱処理によって接着性を呈し得る樹脂層（以下、
Ｂステージの樹脂層と称することがある）の一面側に銅
箔が接合されて成るフィルムを用いることを試みた。図
１４においては、図１３に示すビルドアップ法と同様
に、樹脂層１００の両面に接合された銅箔１０１、１０
１をフォトリソ法等によって所望の導体パターン１０
２、１０２・・に形成した後、Ｂステージの樹脂層２０
０の一面側に銅箔２０１が接合されたフィルムを、樹脂
層１００の両面に接合する〔図１４（ａ）の工程〕。こ
の接合は、樹脂層１００の導体パターン形成面に樹脂層
２００を押圧しつつ加熱処理することによって、Ｂステ
ージの樹脂層２００の接着能を発言させることにより接
合できる。尚、図１４においては、樹脂層１００の片面
側に導体パターンを積層する状態を示す。
ップ法によって得た多層配線基板は、ドリル等の工作具
を使用してヴィアを形成した多層配線基板よりも導体パ
ターンを高密度に形成できる。しかし、その製造工程は
複雑であり、得られる多層配線基板は従来の多層配線基
板よりも高価となる。このため、本発明者等は、多層配
線基板の製造工程の簡略化を図るべく、図１４に示す様
に、熱可塑性樹脂又は半硬化された熱硬化樹脂から成
り、加熱処理によって接着性を呈し得る樹脂層（以下、
Ｂステージの樹脂層と称することがある）の一面側に銅
箔が接合されて成るフィルムを用いることを試みた。図
１４においては、図１３に示すビルドアップ法と同様
に、樹脂層１００の両面に接合された銅箔１０１、１０
１をフォトリソ法等によって所望の導体パターン１０
２、１０２・・に形成した後、Ｂステージの樹脂層２０
０の一面側に銅箔２０１が接合されたフィルムを、樹脂
層１００の両面に接合する〔図１４（ａ）の工程〕。こ
の接合は、樹脂層１００の導体パターン形成面に樹脂層
２００を押圧しつつ加熱処理することによって、Ｂステ
ージの樹脂層２００の接着能を発言させることにより接
合できる。尚、図１４においては、樹脂層１００の片面
側に導体パターンを積層する状態を示す。
【０００４】図１４（ａ）の工程で導体パターン１０２
に積層した樹脂層２００には、ヴィア形成箇所の銅箔部
分をエッチング等で除去した後、銅箔２０１から露出し
た樹脂層部分をレーザー等で除去してヴィア形成用の凹
部２０２・・を形成する〔図１４（ｂ）〕。かかる凹部
２０２・・の内壁面及び銅箔２０１の全面に、無電解め
っき又はスパッタリング等によって銅層２０３を形成し
た後、銅層２０３が積層された銅箔２０１にフォトリソ
法等によって所望の導体パターン２０４・・を形成する
〔図１４（ｃ）（ｄ）の工程〕。導体パターン２０４
は、凹部２０２の内壁に沿って銅層２０３が形成された
ヴィア２０５によって、導体パターン１０２と接続され
ている。その後、図１４（ａ）〜（ｄ）の工程を繰り返
すことによって多層配線基板を得ることができる。
に積層した樹脂層２００には、ヴィア形成箇所の銅箔部
分をエッチング等で除去した後、銅箔２０１から露出し
た樹脂層部分をレーザー等で除去してヴィア形成用の凹
部２０２・・を形成する〔図１４（ｂ）〕。かかる凹部
２０２・・の内壁面及び銅箔２０１の全面に、無電解め
っき又はスパッタリング等によって銅層２０３を形成し
た後、銅層２０３が積層された銅箔２０１にフォトリソ
法等によって所望の導体パターン２０４・・を形成する
〔図１４（ｃ）（ｄ）の工程〕。導体パターン２０４
は、凹部２０２の内壁に沿って銅層２０３が形成された
ヴィア２０５によって、導体パターン１０２と接続され
ている。その後、図１４（ａ）〜（ｄ）の工程を繰り返
すことによって多層配線基板を得ることができる。
【０００５】この様な、図１４に示す方法によれは、図
１３に示すビルドアップ法に比較して製造工程を簡略化
できる。しかしながら、銅箔２０１上に更に銅層２０３
を形成するため、導体パターン２０４を形成するために
エッチング等を施す金属層が厚くなる。このため、図１
４の方法で得られる多層配線基板の導体パターンは、図
１３に示すビルドアップ法で形成し得る導体パターンの
形成密度よりも低密度となることが判明した。しかも、
図１３及び図１４に示す方法のいずれにおいても、ヴィ
アの直上にヴィアを形成できず、導体パターンの更なる
高密度化を図る上では問題となる。また、ヴィア形成用
の凹部に樹脂を充填するため、樹脂の収縮等に因って多
層配線基板の表面が凹凸面となり易いことも併せて判明
した。そこで、本発明の課題は、導体パターンの更なる
高密度化を図ることができ、且つ製造工程を簡略化し得
る多層配線基板及びその製造方法を提案することにあ
る。
１３に示すビルドアップ法に比較して製造工程を簡略化
できる。しかしながら、銅箔２０１上に更に銅層２０３
を形成するため、導体パターン２０４を形成するために
エッチング等を施す金属層が厚くなる。このため、図１
４の方法で得られる多層配線基板の導体パターンは、図
１３に示すビルドアップ法で形成し得る導体パターンの
形成密度よりも低密度となることが判明した。しかも、
図１３及び図１４に示す方法のいずれにおいても、ヴィ
アの直上にヴィアを形成できず、導体パターンの更なる
高密度化を図る上では問題となる。また、ヴィア形成用
の凹部に樹脂を充填するため、樹脂の収縮等に因って多
層配線基板の表面が凹凸面となり易いことも併せて判明
した。そこで、本発明の課題は、導体パターンの更なる
高密度化を図ることができ、且つ製造工程を簡略化し得
る多層配線基板及びその製造方法を提案することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は前記課題を
解決すべく種々検討を重ねた結果、導体パターンが底面
に露出する凹部に、めっきによって金属を満に充填して
成るヴィアを形成した樹脂基板を積層して多層配線基板
を製造することによって、多層配線基板の製造工程を簡
略化できることを見出し、本発明に到達した。すなわ
ち、本発明は、絶縁層としての樹脂層の一面側に導体パ
ターンが形成された複数枚の樹脂基板が積層されて一体
化された多層配線基板であって、該樹脂層を介して積層
された導体パターンを相互に接続するヴィアが、前記樹
脂層の一面側に形成された導体パターンが底面に露出す
るように樹脂層を貫通して形成された凹部に、前記樹脂
層の他面側表面と実質的に同一面となるように、めっき
によって金属が充填されて形成され、且つ前記樹脂層の
他面側に露出するヴィアの露出面が、他の樹脂基板に形
成された導体パターンに電気的に接続されていることを
特徴とする多層配線基板にある。
解決すべく種々検討を重ねた結果、導体パターンが底面
に露出する凹部に、めっきによって金属を満に充填して
成るヴィアを形成した樹脂基板を積層して多層配線基板
を製造することによって、多層配線基板の製造工程を簡
略化できることを見出し、本発明に到達した。すなわ
ち、本発明は、絶縁層としての樹脂層の一面側に導体パ
ターンが形成された複数枚の樹脂基板が積層されて一体
化された多層配線基板であって、該樹脂層を介して積層
された導体パターンを相互に接続するヴィアが、前記樹
脂層の一面側に形成された導体パターンが底面に露出す
るように樹脂層を貫通して形成された凹部に、前記樹脂
層の他面側表面と実質的に同一面となるように、めっき
によって金属が充填されて形成され、且つ前記樹脂層の
他面側に露出するヴィアの露出面が、他の樹脂基板に形
成された導体パターンに電気的に接続されていることを
特徴とする多層配線基板にある。
【０００７】また、本発明は、樹脂層の一面側に接合さ
れた金属箔にパターニングを施して導体パターンを形成
して得た複数枚の樹脂基板を、積層して一体化した多層
配線基板を製造する際に、該金属箔が底面に露出するよ
うに前記樹脂層を貫通して形成された凹部に、前記樹脂
層の他面側表面と実質的に同一面となるように、めっき
によって金属を充填してヴィアを形成した後、前記金属
箔にパターニングを施して所望の導体パターンを具備す
る樹脂基板を得、次いで、複数枚の前記樹脂基板を積層
して加熱処理を施し一体化することを特徴とする多層配
線基板の製造方法でもある。
れた金属箔にパターニングを施して導体パターンを形成
して得た複数枚の樹脂基板を、積層して一体化した多層
配線基板を製造する際に、該金属箔が底面に露出するよ
うに前記樹脂層を貫通して形成された凹部に、前記樹脂
層の他面側表面と実質的に同一面となるように、めっき
によって金属を充填してヴィアを形成した後、前記金属
箔にパターニングを施して所望の導体パターンを具備す
る樹脂基板を得、次いで、複数枚の前記樹脂基板を積層
して加熱処理を施し一体化することを特徴とする多層配
線基板の製造方法でもある。
【０００８】かかる本発明において、ヴィアを形成する
金属として、複数枚の樹脂基板を積層して一体化する際
の加熱処理温度よりも低融点の低融点金属を用いること
によって、樹脂基板を積層して加熱処理する際に、ヴィ
アの露出面と導体パターンとの接続を容易に行うことが
できる。ここで、ヴィアを主として形成する金属とし
て、複数枚の樹脂基板を積層して一体化する際の加熱処
理温度よりも高融点の高融点金属とし、且つ前記ヴィア
の露出面を含むヴィアの一端部を形成する金属として、
前記加熱処理温度よりも低融点の低融点金属とすること
によって、加熱処理によりヴィアの露出面と導体パター
ンとの接続を容易に行うことができ、且つ加熱処理時に
ヴィア全体が流動体とならずヴィアの寸法精度や位置決
め精度等を向上できる。更に、高融点金属として銅を用
いた場合には、ヴィアの電気抵抗値を、はんだのみで形
成したヴィアに比較して低下することができる。
金属として、複数枚の樹脂基板を積層して一体化する際
の加熱処理温度よりも低融点の低融点金属を用いること
によって、樹脂基板を積層して加熱処理する際に、ヴィ
アの露出面と導体パターンとの接続を容易に行うことが
できる。ここで、ヴィアを主として形成する金属とし
て、複数枚の樹脂基板を積層して一体化する際の加熱処
理温度よりも高融点の高融点金属とし、且つ前記ヴィア
の露出面を含むヴィアの一端部を形成する金属として、
前記加熱処理温度よりも低融点の低融点金属とすること
によって、加熱処理によりヴィアの露出面と導体パター
ンとの接続を容易に行うことができ、且つ加熱処理時に
ヴィア全体が流動体とならずヴィアの寸法精度や位置決
め精度等を向上できる。更に、高融点金属として銅を用
いた場合には、ヴィアの電気抵抗値を、はんだのみで形
成したヴィアに比較して低下することができる。
【０００９】また、ヴィアを主として形成する金属とし
て、複数枚の樹脂基板を積層して一体化する際の加熱処
理温度よりも高融点の高融点金属とし、且つ前記ヴィア
の露出面を含むヴィアの一端部を形成する金属を、前記
加熱処理温度よりも低融点の低融点金属とすると共に、
前記ヴィアの他端部を形成する金属を、前記導体パター
ンを形成する際に用いられるエッチング液に対して耐食
性を有する金属とすることによって、ヴィアが接続され
る導体パターンの接続部の幅を導体パターン本体と略同
一幅にでき、導体パターンを更に一層高密度に形成でき
る。この様な、本発明において、一面側に導体パターン
が形成された樹脂層が、複数枚の樹脂基板を積層して一
体化する際の加熱処理温度に対して実質的に硬質状態を
保持し得る硬質層であり、且つ前記硬質層の他面側に接
合されている樹脂層が、前記加熱処理温度で軟化して接
着性を呈し得る接着層である、複合樹脂基板を用いるこ
とにより、樹脂基板を積層した際に、ヴィア等の寸法精
度や位置決め精度等を向上できる。
て、複数枚の樹脂基板を積層して一体化する際の加熱処
理温度よりも高融点の高融点金属とし、且つ前記ヴィア
の露出面を含むヴィアの一端部を形成する金属を、前記
加熱処理温度よりも低融点の低融点金属とすると共に、
前記ヴィアの他端部を形成する金属を、前記導体パター
ンを形成する際に用いられるエッチング液に対して耐食
性を有する金属とすることによって、ヴィアが接続され
る導体パターンの接続部の幅を導体パターン本体と略同
一幅にでき、導体パターンを更に一層高密度に形成でき
る。この様な、本発明において、一面側に導体パターン
が形成された樹脂層が、複数枚の樹脂基板を積層して一
体化する際の加熱処理温度に対して実質的に硬質状態を
保持し得る硬質層であり、且つ前記硬質層の他面側に接
合されている樹脂層が、前記加熱処理温度で軟化して接
着性を呈し得る接着層である、複合樹脂基板を用いるこ
とにより、樹脂基板を積層した際に、ヴィア等の寸法精
度や位置決め精度等を向上できる。
【００１０】本発明によれば、樹脂層に形成された凹部
内にめっきによって金属を満に充填してヴィアを形成し
ているため、凹部の内壁面に沿って金属層を形成したヴ
ィアの如く、凹部の中空箇所を樹脂等で充填することを
要せず、表面が平坦な多層配線基板を容易に得ることが
できる。更に、ヴィアの直上にヴィアの形成が可能であ
るため、ヴィアの直上にヴィアが形成できない従来の多
層配線基板に比較して、導体パターンの設計の自由度が
増加し且つ導体パターンも高密度とすることが可能であ
る。また、本発明では、予め導体パターン及びヴィアが
形成された樹脂基板を積層して加熱処理することによっ
て多層配線基板を製造できる。このため、従来の多層配
線基板の製造方法に比較して製造工程の簡略化を図るこ
とが可能である。
内にめっきによって金属を満に充填してヴィアを形成し
ているため、凹部の内壁面に沿って金属層を形成したヴ
ィアの如く、凹部の中空箇所を樹脂等で充填することを
要せず、表面が平坦な多層配線基板を容易に得ることが
できる。更に、ヴィアの直上にヴィアの形成が可能であ
るため、ヴィアの直上にヴィアが形成できない従来の多
層配線基板に比較して、導体パターンの設計の自由度が
増加し且つ導体パターンも高密度とすることが可能であ
る。また、本発明では、予め導体パターン及びヴィアが
形成された樹脂基板を積層して加熱処理することによっ
て多層配線基板を製造できる。このため、従来の多層配
線基板の製造方法に比較して製造工程の簡略化を図るこ
とが可能である。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明を図面により更に詳細に説
明する。図１は、本発明に係る多層配線基板の一例を説
明するための断面図である。図１に示す多層配線基板
は、一面側に銅から成る導体パターン１０、１０・・が
形成された複数枚の樹脂基板１２、１２・・を、表面に
導体パターン１０が形成された樹脂基板５０上に積層し
て一体化した多層配線基板である。この樹脂基板１２の
各々には、一面側に形成された導体パターン１０が底面
に露出するように、ポリイミド等の樹脂から成る樹脂層
１４を貫通して形成された凹部１６に、樹脂層１４の他
面側表面と実質的に同一面となるように、めっきによっ
てはんだが満に充填されて成るヴィア１８が形成されて
いる。かかるヴィア１８は、樹脂層１４の他面側に露出
する露出面が他の樹脂基板１２に形成された導体パター
ン１０に電気的に接続されている。このため、図１に示
す多層配線基板においては、積層された導体パターン１
０、１０・・を相互に電気的に接続できる。
明する。図１は、本発明に係る多層配線基板の一例を説
明するための断面図である。図１に示す多層配線基板
は、一面側に銅から成る導体パターン１０、１０・・が
形成された複数枚の樹脂基板１２、１２・・を、表面に
導体パターン１０が形成された樹脂基板５０上に積層し
て一体化した多層配線基板である。この樹脂基板１２の
各々には、一面側に形成された導体パターン１０が底面
に露出するように、ポリイミド等の樹脂から成る樹脂層
１４を貫通して形成された凹部１６に、樹脂層１４の他
面側表面と実質的に同一面となるように、めっきによっ
てはんだが満に充填されて成るヴィア１８が形成されて
いる。かかるヴィア１８は、樹脂層１４の他面側に露出
する露出面が他の樹脂基板１２に形成された導体パター
ン１０に電気的に接続されている。このため、図１に示
す多層配線基板においては、積層された導体パターン１
０、１０・・を相互に電気的に接続できる。
【００１２】かかる図１に示す多層配線基板は、図２
（ａ）に示すフィルムを用いて製造する。このフィルム
は、エポキシ系、ポリイミド系、又はポリフェニレン系
の熱硬化樹脂が半硬化された樹脂層（Ｂステージの樹脂
層）２０の一面側に銅箔２１が接合されたものである。
Ｂステージの樹脂層２０は、加熱処理された際に軟化し
て接着性を呈し得る接着層でもある。先ず、図２（ａ）
に示すフィルムの所定箇所にレーザー等によって、Ｂス
テージの樹脂層２０を貫通して銅箔２１が底面に露出す
る凹部１６を形成した後〔図２（ｂ）〕、銅箔２１を電
極として電解めっきを施し、樹脂層２０の他面側表面と
実質的に同一面となるように、はんだを凹部１６に満に
充填してヴィア１８を形成する〔図２（ｃ）〕。更に、
金属箔２１をフォトリソ法等によって導体パターン１
０、１０・・に形成して樹脂基板１２を形成する〔図２
（ｄ）〕。次いで、図３（ａ）に示す様に、種々のパタ
ーンの導体パターン１０、１０・・が形成された樹脂基
板１２、１２・・を形成した後、樹脂基板１２、１２・
・を積層して押圧しつつ加熱処理し、Ｂステージの樹脂
層２０の接着能を発現させて樹脂基板１２の各々を相互
に接合する。かかる加熱処理の際に、通常、ヴィア１８
を形成するはんだは加熱処理温度よりも低融点であり、
他の樹脂基板１２を形成する導体パターン１０と接触す
るヴィア１８の露出面は、溶融されて導体パターン１０
に接合されるため、ヴィア１８と導体パターン１０とを
電気的に確実に接合できる。この様に、図１〜３に示す
多層配線基板によれば、所望の導体パターン１０が形成
され且つ所定位置にヴィア１８が形成された樹脂基板１
２、１２・・を積層して加熱処理することによって、ヴ
ィア１８の露出面を他の樹脂基板１２に形成された導体
パターン１０に容易に接続できる。このため、上面が平
坦な多層配線基板を得ることができ、且つ多層配線基板
の製造工程も簡略化できる。ここで、図１〜３に示す多
層配線基板において、加熱処理温度よりも低融点のはん
だによってヴィア１８を形成しているが、はんだ以外に
も加熱処理温度よりも低融点である低融点金属、具体的
には錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、インジウム
等の単体又は二種以上の金属から成る合金であって、融
点が４００℃以下の金属によってヴィア１８を形成して
もよい。また、導体パターン１０には、表面の保護やは
んだとの濡れ性向上のため、ニッケルや金等のめっきを
施してもよい。
（ａ）に示すフィルムを用いて製造する。このフィルム
は、エポキシ系、ポリイミド系、又はポリフェニレン系
の熱硬化樹脂が半硬化された樹脂層（Ｂステージの樹脂
層）２０の一面側に銅箔２１が接合されたものである。
Ｂステージの樹脂層２０は、加熱処理された際に軟化し
て接着性を呈し得る接着層でもある。先ず、図２（ａ）
に示すフィルムの所定箇所にレーザー等によって、Ｂス
テージの樹脂層２０を貫通して銅箔２１が底面に露出す
る凹部１６を形成した後〔図２（ｂ）〕、銅箔２１を電
極として電解めっきを施し、樹脂層２０の他面側表面と
実質的に同一面となるように、はんだを凹部１６に満に
充填してヴィア１８を形成する〔図２（ｃ）〕。更に、
金属箔２１をフォトリソ法等によって導体パターン１
０、１０・・に形成して樹脂基板１２を形成する〔図２
（ｄ）〕。次いで、図３（ａ）に示す様に、種々のパタ
ーンの導体パターン１０、１０・・が形成された樹脂基
板１２、１２・・を形成した後、樹脂基板１２、１２・
・を積層して押圧しつつ加熱処理し、Ｂステージの樹脂
層２０の接着能を発現させて樹脂基板１２の各々を相互
に接合する。かかる加熱処理の際に、通常、ヴィア１８
を形成するはんだは加熱処理温度よりも低融点であり、
他の樹脂基板１２を形成する導体パターン１０と接触す
るヴィア１８の露出面は、溶融されて導体パターン１０
に接合されるため、ヴィア１８と導体パターン１０とを
電気的に確実に接合できる。この様に、図１〜３に示す
多層配線基板によれば、所望の導体パターン１０が形成
され且つ所定位置にヴィア１８が形成された樹脂基板１
２、１２・・を積層して加熱処理することによって、ヴ
ィア１８の露出面を他の樹脂基板１２に形成された導体
パターン１０に容易に接続できる。このため、上面が平
坦な多層配線基板を得ることができ、且つ多層配線基板
の製造工程も簡略化できる。ここで、図１〜３に示す多
層配線基板において、加熱処理温度よりも低融点のはん
だによってヴィア１８を形成しているが、はんだ以外に
も加熱処理温度よりも低融点である低融点金属、具体的
には錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、インジウム
等の単体又は二種以上の金属から成る合金であって、融
点が４００℃以下の金属によってヴィア１８を形成して
もよい。また、導体パターン１０には、表面の保護やは
んだとの濡れ性向上のため、ニッケルや金等のめっきを
施してもよい。
【００１３】図１〜図３の多層配線基板においては、は
んだ等の加熱処理温度よりも低融点の低融点金属によっ
てヴィア１８全体を形成している。また、樹脂基板１
２、１２・・を積層して一体化する際の加熱処理は、積
層した樹脂基板１２、１２・・を押圧しつつ行われる。
このため、加熱処理中に、ヴィア１８を形成する低融点
金属が溶融して流動化すると共に、Ｂステージの樹脂層
２０も一旦軟化して硬化するため、ヴィア１８の寸法精
度や位置決め精度が低下することがある。この点、図４
に示す多層配線基板によれば、かかるヴィア１８の寸法
精度や位置決め精度を向上できる。図４に示す多層配線
基板においても、ヴィア１８はめっきによって形成され
たものであるが、ヴィア１８を主として形成する部分が
銅部２２である共に、ヴィア１８の露出面を含む一端部
がはんだ部２３である。尚、図４に示す多層配線基板に
おいて、図１に示す多層配線基板と同一部分には図１と
同一番号を付与して詳細な説明は省略した。
んだ等の加熱処理温度よりも低融点の低融点金属によっ
てヴィア１８全体を形成している。また、樹脂基板１
２、１２・・を積層して一体化する際の加熱処理は、積
層した樹脂基板１２、１２・・を押圧しつつ行われる。
このため、加熱処理中に、ヴィア１８を形成する低融点
金属が溶融して流動化すると共に、Ｂステージの樹脂層
２０も一旦軟化して硬化するため、ヴィア１８の寸法精
度や位置決め精度が低下することがある。この点、図４
に示す多層配線基板によれば、かかるヴィア１８の寸法
精度や位置決め精度を向上できる。図４に示す多層配線
基板においても、ヴィア１８はめっきによって形成され
たものであるが、ヴィア１８を主として形成する部分が
銅部２２である共に、ヴィア１８の露出面を含む一端部
がはんだ部２３である。尚、図４に示す多層配線基板に
おいて、図１に示す多層配線基板と同一部分には図１と
同一番号を付与して詳細な説明は省略した。
【００１４】かかる図４に示す多層配線基板は、図５
（ａ）に示す熱硬化樹脂等が半硬化された樹脂層（Ｂス
テージの樹脂層）２０の一面に銅箔２１が接合されたフ
ィルムを用い、このフィルムの所定箇所にレーザー等に
よって、樹脂層２０を貫通して銅箔２１が底面に露出す
る凹部１６を形成する〔図５（ｂ）〕。次いで、銅箔２
１を電極として電解めっきを施し、銅を凹部１６に充填
して銅部２２を形成する〔図５（ｃ）〕。かかる銅部２
２は、凹部１６の大部分を占める。更に、銅部２２上
に、電解めっきによってはんだ部２３を積層してヴィア
１８を形成する〔図５（ｄ）〕。次いで、金属箔２１を
フォトリソ法等によって所望の導体パターン１０、１０
・・に形成し、図６（ａ）に示す様に、種々のパターン
の導体パターン１０、１０・・が形成された樹脂基板１
２、１２・・を形成する。更に、樹脂基板１２、１２・
・を、図６（ｂ）に示す様に、積層した後、押圧しつつ
加熱処理してＢステージの樹脂層２０が有する接着能を
発現させて樹脂基板１２の各々を相互に接合する。
（ａ）に示す熱硬化樹脂等が半硬化された樹脂層（Ｂス
テージの樹脂層）２０の一面に銅箔２１が接合されたフ
ィルムを用い、このフィルムの所定箇所にレーザー等に
よって、樹脂層２０を貫通して銅箔２１が底面に露出す
る凹部１６を形成する〔図５（ｂ）〕。次いで、銅箔２
１を電極として電解めっきを施し、銅を凹部１６に充填
して銅部２２を形成する〔図５（ｃ）〕。かかる銅部２
２は、凹部１６の大部分を占める。更に、銅部２２上
に、電解めっきによってはんだ部２３を積層してヴィア
１８を形成する〔図５（ｄ）〕。次いで、金属箔２１を
フォトリソ法等によって所望の導体パターン１０、１０
・・に形成し、図６（ａ）に示す様に、種々のパターン
の導体パターン１０、１０・・が形成された樹脂基板１
２、１２・・を形成する。更に、樹脂基板１２、１２・
・を、図６（ｂ）に示す様に、積層した後、押圧しつつ
加熱処理してＢステージの樹脂層２０が有する接着能を
発現させて樹脂基板１２の各々を相互に接合する。
【００１５】かかる加熱処理の際に、他の樹脂基板１２
の導体パターン１０と接触するヴィア１８の露出面を形
成するはんだ部２３は、溶融されて導体パターン１０に
接合されるため、ヴィア１８と導体パターン１０とを電
気的に確実に接合できる。また、ヴィア１８を主として
形成する銅部２２は、加熱処理温度よりも高融点の高融
点金属である銅によって形成されているため、加熱処理
中に、はんだ部２３が流動化し且つＢステージの樹脂層
２０が軟化しても、ヴィア１８の位置は銅部２２によっ
て保持される。このため、得られた多層配線基板におい
て、ヴィア１８の寸法精度や位置決め精度を向上でき
る。尚、図３〜図６に示す多層配線基板においても、所
望の導体パターン１０が形成され且つ所定位置にヴィア
１８が形成された樹脂基板１２、１２・・を積層して加
熱処理することによって、ヴィア１８と導体パターン１
０とを容易に接続でき、表面が平坦な多層配線基板を製
造できると共に、その製造工程を簡略化できることは勿
論のことである。
の導体パターン１０と接触するヴィア１８の露出面を形
成するはんだ部２３は、溶融されて導体パターン１０に
接合されるため、ヴィア１８と導体パターン１０とを電
気的に確実に接合できる。また、ヴィア１８を主として
形成する銅部２２は、加熱処理温度よりも高融点の高融
点金属である銅によって形成されているため、加熱処理
中に、はんだ部２３が流動化し且つＢステージの樹脂層
２０が軟化しても、ヴィア１８の位置は銅部２２によっ
て保持される。このため、得られた多層配線基板におい
て、ヴィア１８の寸法精度や位置決め精度を向上でき
る。尚、図３〜図６に示す多層配線基板においても、所
望の導体パターン１０が形成され且つ所定位置にヴィア
１８が形成された樹脂基板１２、１２・・を積層して加
熱処理することによって、ヴィア１８と導体パターン１
０とを容易に接続でき、表面が平坦な多層配線基板を製
造できると共に、その製造工程を簡略化できることは勿
論のことである。
【００１６】図１〜図６に示す多層配線基板において、
図７に示す様に、ヴィア１８と接続される導体パターン
１０の接続部１１は、導体パターン本体１０ａよりも幅
広に形成されている。ヴィア１８や導体パターン本体１
０ａの加工精度等の影響によって多少のずれが発生して
も、ヴィア１８の端面が露出しないようにするためであ
る。しかし、図７の様に、導体パターン１０に幅広の接
続部１１を形成することによって、導体パターン１０に
接続部１１を形成しない部分に比較して、導体パターン
１０間の間隙を広く取らざる得ず、導体パターン１０を
高密度で形成し難い傾向にある。一方、導体パターン本
体１０ａに接続部１１を形成しない場合には、導体パタ
ーン１０を高密度で形成し得るが、ヴィア１８や導体パ
ターン本体１０ａの加工精度等の影響に因り多少のずれ
が発生し、ヴィア１８の端面が、図８に示す様に、導体
パターン本体１０ａから外れることがある。かかる図８
に示す状態では、ヴィア１８がエッチング液等でエッチ
ングされる懸念がある。
図７に示す様に、ヴィア１８と接続される導体パターン
１０の接続部１１は、導体パターン本体１０ａよりも幅
広に形成されている。ヴィア１８や導体パターン本体１
０ａの加工精度等の影響によって多少のずれが発生して
も、ヴィア１８の端面が露出しないようにするためであ
る。しかし、図７の様に、導体パターン１０に幅広の接
続部１１を形成することによって、導体パターン１０に
接続部１１を形成しない部分に比較して、導体パターン
１０間の間隙を広く取らざる得ず、導体パターン１０を
高密度で形成し難い傾向にある。一方、導体パターン本
体１０ａに接続部１１を形成しない場合には、導体パタ
ーン１０を高密度で形成し得るが、ヴィア１８や導体パ
ターン本体１０ａの加工精度等の影響に因り多少のずれ
が発生し、ヴィア１８の端面が、図８に示す様に、導体
パターン本体１０ａから外れることがある。かかる図８
に示す状態では、ヴィア１８がエッチング液等でエッチ
ングされる懸念がある。
【００１７】かかる懸念は、図９に示す多層配線基板に
よって解消できる。図９に示す多層配線基板において、
ヴィア１８を主として形成する部分が銅部２２であり、
ヴィア１８の露出面を含む一端部がはんだ部２３である
と共に、ヴィア１８の他端部が錫部２４である。この様
に、ヴィア１８の他端部を形成する錫部２４は、銅箔２
１をエッチングして導体パターン１０等を形成するエッ
チング液に対して耐食性を有するため、図８に示す様
に、ヴィア１８の端面の一部が導体パターン本体１０ａ
から露出しても、ヴィア１８の銅部２２等がエッチング
液でエッチングされることを防止できる。尚、図９に示
す多層配線基板においても、図１に示す多層配線基板と
同一部分には図１と同一番号を付与して詳細な説明は省
略した。
よって解消できる。図９に示す多層配線基板において、
ヴィア１８を主として形成する部分が銅部２２であり、
ヴィア１８の露出面を含む一端部がはんだ部２３である
と共に、ヴィア１８の他端部が錫部２４である。この様
に、ヴィア１８の他端部を形成する錫部２４は、銅箔２
１をエッチングして導体パターン１０等を形成するエッ
チング液に対して耐食性を有するため、図８に示す様
に、ヴィア１８の端面の一部が導体パターン本体１０ａ
から露出しても、ヴィア１８の銅部２２等がエッチング
液でエッチングされることを防止できる。尚、図９に示
す多層配線基板においても、図１に示す多層配線基板と
同一部分には図１と同一番号を付与して詳細な説明は省
略した。
【００１８】かかる図９に示す多層配線基板は、図５
（ａ）に示すフィルムと同様に、熱硬化樹脂等が半硬化
された樹脂層（Ｂステージの樹脂層）２０の一面側に銅
箔２１が接合されたフィルムを用い、この銅箔２１の所
定箇所にレーザー等によって、樹脂層２０を貫通して銅
箔２１が底面に露出する凹部１６を形成する〔図１０
（ａ）〕。次いで、銅箔２１を電極として電解めっきを
施し、錫(Sn)を凹部１６の底部に充填して錫部２４を形
成した後〔図１０（ｂ）〕、錫部２４の上面に電解めっ
きにより銅を充填して形成した銅部２２は、凹部１６の
大部分を占める〔図１０（ｃ）〕。更に、銅部２２上
に、電解めっきによりはんだを充填してはんだ部２３を
積層しヴィア１８を形成する〔図１０（ｄ）〕。その
後、金属箔２１にフォトリソ法等によって所望の導体パ
ターン１０、１０・・を形成し、図１１（ａ）に示す様
に、種々のパターンの導体パターン１０、１０・・が形
成された樹脂基板１２、１２・・を形成する。更に、樹
脂基板１２、１２・・を、図１１（ｂ）に示す様に、積
層した後、押圧しつつ加熱処理してＢステージの樹脂層
２０が有する接着能を発現させて樹脂基板１２の各々を
相互に接合する。
（ａ）に示すフィルムと同様に、熱硬化樹脂等が半硬化
された樹脂層（Ｂステージの樹脂層）２０の一面側に銅
箔２１が接合されたフィルムを用い、この銅箔２１の所
定箇所にレーザー等によって、樹脂層２０を貫通して銅
箔２１が底面に露出する凹部１６を形成する〔図１０
（ａ）〕。次いで、銅箔２１を電極として電解めっきを
施し、錫(Sn)を凹部１６の底部に充填して錫部２４を形
成した後〔図１０（ｂ）〕、錫部２４の上面に電解めっ
きにより銅を充填して形成した銅部２２は、凹部１６の
大部分を占める〔図１０（ｃ）〕。更に、銅部２２上
に、電解めっきによりはんだを充填してはんだ部２３を
積層しヴィア１８を形成する〔図１０（ｄ）〕。その
後、金属箔２１にフォトリソ法等によって所望の導体パ
ターン１０、１０・・を形成し、図１１（ａ）に示す様
に、種々のパターンの導体パターン１０、１０・・が形
成された樹脂基板１２、１２・・を形成する。更に、樹
脂基板１２、１２・・を、図１１（ｂ）に示す様に、積
層した後、押圧しつつ加熱処理してＢステージの樹脂層
２０が有する接着能を発現させて樹脂基板１２の各々を
相互に接合する。
【００１９】図９〜図１１に示す多層配線基板において
も、図４〜図６に示す多層配線基板と同様に、加熱処理
の際に、他の樹脂基板１２の導体パターン１０と接触す
るヴィア１８の露出面を形成するはんだ部２３は、溶融
されて導体パターン１０に接合されるため、ヴィア１８
と導体パターン１０とを確実に接合できる。また、ヴィ
ア１８を主として形成する銅部２２は、加熱処理温度よ
りも高融点の高融点金属である銅によって形成されてい
るため、加熱処理中に、はんだ部２３が流動化し且つＢ
ステージの樹脂層２０が軟化しても、ヴィア１８の位置
は銅部２２によって保持される。このため、得られた多
層配線基板において、ヴィア１８の寸法精度や位置決め
精度を向上できる。尚、図９〜図１１に示す多層配線基
板においても、所望の導体パターン１０が形成され且つ
所定位置にヴィア１８が形成された樹脂基板１２、１２
・・を積層して加熱処理することによって、ヴィア１８
と導体パターン１０とを容易に接続できるため、上面が
平坦な多層配線基板を製造でき、且つその製造工程を簡
略化できることは勿論のことである。
も、図４〜図６に示す多層配線基板と同様に、加熱処理
の際に、他の樹脂基板１２の導体パターン１０と接触す
るヴィア１８の露出面を形成するはんだ部２３は、溶融
されて導体パターン１０に接合されるため、ヴィア１８
と導体パターン１０とを確実に接合できる。また、ヴィ
ア１８を主として形成する銅部２２は、加熱処理温度よ
りも高融点の高融点金属である銅によって形成されてい
るため、加熱処理中に、はんだ部２３が流動化し且つＢ
ステージの樹脂層２０が軟化しても、ヴィア１８の位置
は銅部２２によって保持される。このため、得られた多
層配線基板において、ヴィア１８の寸法精度や位置決め
精度を向上できる。尚、図９〜図１１に示す多層配線基
板においても、所望の導体パターン１０が形成され且つ
所定位置にヴィア１８が形成された樹脂基板１２、１２
・・を積層して加熱処理することによって、ヴィア１８
と導体パターン１０とを容易に接続できるため、上面が
平坦な多層配線基板を製造でき、且つその製造工程を簡
略化できることは勿論のことである。
【００２０】図１〜図１１に示す多層配線基板において
は、樹脂基板１２として、Ｂステージの樹脂層２０の一
面側に銅箔２１が接合されたフィルムを用いて形成して
いるが、フィルムとして樹脂層２０を形成する熱硬化性
樹脂を完全硬化させた樹脂層（以下、Ｃステージの樹脂
層と称することがある）３０ａとＢステージの樹脂層３
０ｂとを複合した複合フィルムを用いてもよい。このＣ
ステージの樹脂層３０ａは、積層した樹脂基板１２、１
２・・を一体化する加熱処理温度では軟化しない硬質層
である。かかる複合フィルムを用いて得られた多層配線
基板を図１２（ａ）〜（ｃ）に示す。図１２（ａ）は、
図１に示す多層配線基板に対応し、はんだによってヴィ
ア１８が形成された多層配線基板である。また、図１２
（ｂ）は、図４に示す多層配線基板に対応し、ヴィア１
８を主として形成する部分が銅部２２であり、ヴィア１
８の露出面を含む一端部がはんだ部２３である多層配線
基板である。更に、図１２（ｃ）は、図９に示す多層配
線基板に対応し、ヴィア１８を主として形成する部分が
銅部２２であり、且つヴィア１８の露出面を含む一端部
がはんだ部２３であると共に、ヴィア１８の他端部が錫
部２４である多層配線基板である。尚、Ｂステージの樹
脂層３０ｂに代えて、加熱処理温度で軟化して接着性を
呈し得るポリイミイド系やポリフェニレン系等の熱可塑
性樹脂から成る樹脂層としてもよい。
は、樹脂基板１２として、Ｂステージの樹脂層２０の一
面側に銅箔２１が接合されたフィルムを用いて形成して
いるが、フィルムとして樹脂層２０を形成する熱硬化性
樹脂を完全硬化させた樹脂層（以下、Ｃステージの樹脂
層と称することがある）３０ａとＢステージの樹脂層３
０ｂとを複合した複合フィルムを用いてもよい。このＣ
ステージの樹脂層３０ａは、積層した樹脂基板１２、１
２・・を一体化する加熱処理温度では軟化しない硬質層
である。かかる複合フィルムを用いて得られた多層配線
基板を図１２（ａ）〜（ｃ）に示す。図１２（ａ）は、
図１に示す多層配線基板に対応し、はんだによってヴィ
ア１８が形成された多層配線基板である。また、図１２
（ｂ）は、図４に示す多層配線基板に対応し、ヴィア１
８を主として形成する部分が銅部２２であり、ヴィア１
８の露出面を含む一端部がはんだ部２３である多層配線
基板である。更に、図１２（ｃ）は、図９に示す多層配
線基板に対応し、ヴィア１８を主として形成する部分が
銅部２２であり、且つヴィア１８の露出面を含む一端部
がはんだ部２３であると共に、ヴィア１８の他端部が錫
部２４である多層配線基板である。尚、Ｂステージの樹
脂層３０ｂに代えて、加熱処理温度で軟化して接着性を
呈し得るポリイミイド系やポリフェニレン系等の熱可塑
性樹脂から成る樹脂層としてもよい。
【００２１】図１２に示す多層配線基板においては、樹
脂基板１２、１２・・を積層して加熱処理し一体化する
際に、樹脂層３０ｂが軟化してもＣステージの樹脂層３
０ａは実質的に硬質状態を保持できるため、ヴィア１８
等の寸法精度や位置精度等を向上できる。尚、図１〜１
２に示す樹脂層には、アルミナ、シリカ、ムライト、窒
化アルミニウム、炭酸カルシウム等の無機粉末が６０重
量％以上混合されいてもよい。
脂基板１２、１２・・を積層して加熱処理し一体化する
際に、樹脂層３０ｂが軟化してもＣステージの樹脂層３
０ａは実質的に硬質状態を保持できるため、ヴィア１８
等の寸法精度や位置精度等を向上できる。尚、図１〜１
２に示す樹脂層には、アルミナ、シリカ、ムライト、窒
化アルミニウム、炭酸カルシウム等の無機粉末が６０重
量％以上混合されいてもよい。
【００２２】
実施例１ 図２（ａ）に示すフィルムを用いて多層配線基板を作成
した。図２（ａ）のフィルムは、厚さ１２μｍの銅箔２
１上に、エポキシ系の熱硬化樹脂を塗布して半硬化させ
て厚さ６０μｍのＢステージの樹脂層２０を形成したも
のである。先ず、このフィルムの樹脂層２０に紫外線レ
ーザーによって、径が約５０μｍの凹部１６を所定ピッ
チで形成した〔図２（ｂ）〕。形成した凹部１６は、底
面に銅箔２１が露出しているものである。次いで、銅箔
２１を電極とする電解めっきによって、樹脂層２０の表
面まで凹部１６内にはんだを充填してヴィア１８を形成
した〔図２（ｃ）〕。更に、アンモニウムイオン、塩素
イオン、及び銅錯体を主成分とするエッチング液を用い
て、銅箔２１にエッチングを施して所望の導体パターン
１０、１０・・を形成して樹脂基板１２を得た〔図２
（ｄ）〕。その後、所定箇所にヴィア１８が形成され且
つ所望の導体パターン１０、１０・・が形成された複数
枚の樹脂基板１２、１２・・を積層し〔図３（ａ）
（ｂ）〕、約１５０℃でプリフラックス処理した後、真
空プレスで７ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で押圧しつつ１８０
℃で３０分間の加熱処理を行った。かかる加熱処理によ
って、積層した樹脂基板１２、１２、１２・・を一体化
することができ、表面が平坦な多層配線基板を得ること
ができた。尚、樹脂基板１２ごとに導体パターン１０や
ヴィア１８の接続状態等を検査し、検査に合格した樹脂
基板１２のみを積層した。
した。図２（ａ）のフィルムは、厚さ１２μｍの銅箔２
１上に、エポキシ系の熱硬化樹脂を塗布して半硬化させ
て厚さ６０μｍのＢステージの樹脂層２０を形成したも
のである。先ず、このフィルムの樹脂層２０に紫外線レ
ーザーによって、径が約５０μｍの凹部１６を所定ピッ
チで形成した〔図２（ｂ）〕。形成した凹部１６は、底
面に銅箔２１が露出しているものである。次いで、銅箔
２１を電極とする電解めっきによって、樹脂層２０の表
面まで凹部１６内にはんだを充填してヴィア１８を形成
した〔図２（ｃ）〕。更に、アンモニウムイオン、塩素
イオン、及び銅錯体を主成分とするエッチング液を用い
て、銅箔２１にエッチングを施して所望の導体パターン
１０、１０・・を形成して樹脂基板１２を得た〔図２
（ｄ）〕。その後、所定箇所にヴィア１８が形成され且
つ所望の導体パターン１０、１０・・が形成された複数
枚の樹脂基板１２、１２・・を積層し〔図３（ａ）
（ｂ）〕、約１５０℃でプリフラックス処理した後、真
空プレスで７ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で押圧しつつ１８０
℃で３０分間の加熱処理を行った。かかる加熱処理によ
って、積層した樹脂基板１２、１２、１２・・を一体化
することができ、表面が平坦な多層配線基板を得ること
ができた。尚、樹脂基板１２ごとに導体パターン１０や
ヴィア１８の接続状態等を検査し、検査に合格した樹脂
基板１２のみを積層した。
【００２３】実施例２ 実施例１において、厚さ９μｍの銅箔２１上に、熱硬化
が完了した熱硬化性ポリイミドから成る厚さ４０μｍの
Ｃステージの樹脂層３０ａが形成されていると共に、樹
脂層３０ａ上に熱可塑性ポリイミドから成る厚さ４０μ
ｍの樹脂層３０ｂが形成されたフィルムを用い、且つ複
数枚の樹脂基板１２、１２・・・を積層して施す加熱処
理条件を、真空プレスで２０ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で押
圧しつつ３９０℃で５分間の加熱処理条件とした他は、
実施例１と同様にして多層配線基板を得た。かかる加熱
処理条件では、樹脂層３０ｂを形成する熱可塑性ポリイ
ミドは軟化して接着性を呈するが、樹脂層３０ａを形成
する熱硬化が完了した熱硬化性ポリイミドは軟化するこ
とがなかった。得られた多層配線基板は、表面が平坦で
且つヴィア１８の寸法精度や位置精度が良好なものであ
った。
が完了した熱硬化性ポリイミドから成る厚さ４０μｍの
Ｃステージの樹脂層３０ａが形成されていると共に、樹
脂層３０ａ上に熱可塑性ポリイミドから成る厚さ４０μ
ｍの樹脂層３０ｂが形成されたフィルムを用い、且つ複
数枚の樹脂基板１２、１２・・・を積層して施す加熱処
理条件を、真空プレスで２０ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で押
圧しつつ３９０℃で５分間の加熱処理条件とした他は、
実施例１と同様にして多層配線基板を得た。かかる加熱
処理条件では、樹脂層３０ｂを形成する熱可塑性ポリイ
ミドは軟化して接着性を呈するが、樹脂層３０ａを形成
する熱硬化が完了した熱硬化性ポリイミドは軟化するこ
とがなかった。得られた多層配線基板は、表面が平坦で
且つヴィア１８の寸法精度や位置精度が良好なものであ
った。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、導体パターンやヴィア
が予め形成された複数枚の樹脂基板を積層するため、導
体パターンを一層づつ絶縁層を介して積層して形成する
従来の多層配線基板の如く、誤差の累積を防止でき、ヴ
ィア等の寸法精度や位置精度を向上できる。このため、
導体パターンが高密度に形成された多層配線基板を容易
に得ることができ、多層配線基板を半導体装置の基板に
用いる場合には、半導体素子の高集積化に対して充分に
対応できる。
が予め形成された複数枚の樹脂基板を積層するため、導
体パターンを一層づつ絶縁層を介して積層して形成する
従来の多層配線基板の如く、誤差の累積を防止でき、ヴ
ィア等の寸法精度や位置精度を向上できる。このため、
導体パターンが高密度に形成された多層配線基板を容易
に得ることができ、多層配線基板を半導体装置の基板に
用いる場合には、半導体素子の高集積化に対して充分に
対応できる。
【図１】本発明に係る多層配線基板の一例を示す部分断
面図である。
面図である。
【図２】図１に示す多層配線基板の製造方法の一部を説
明する工程図である。
明する工程図である。
【図３】図１に示す多層配線基板の製造方法の一部を説
明する工程図である。
明する工程図である。
【図４】本発明に係る多層配線基板の他の例を示す部分
断面図である。
断面図である。
【図５】図４に示す多層配線基板の製造方法の一部を説
明する工程図である。
明する工程図である。
【図６】図４に示す多層配線基板の製造方法の一部を説
明する工程図である。
明する工程図である。
【図７】導体パターンに幅広の接続部を形成した場合に
おける、導体パターンとヴィアとの接続状態を説明する
説明図である。
おける、導体パターンとヴィアとの接続状態を説明する
説明図である。
【図８】導体パターンに幅広の接続部を形成しなかった
場合における、導体パターンとヴィアとの接続状態を説
明する説明図である。
場合における、導体パターンとヴィアとの接続状態を説
明する説明図である。
【図９】本発明に係る多層配線基板の他の例を示す部分
断面図である。
断面図である。
【図１０】図９に示す多層配線基板の製造方法の一部を
説明する工程図である。
説明する工程図である。
【図１１】図９に示す多層配線基板の製造方法の一部を
説明する工程図である。
説明する工程図である。
【図１２】本発明に係る多層配線基板の他の例を示す部
分断面図である。
分断面図である。
【図１３】従来の多層配線基板の製造方法を説明するた
めの工程図である。
めの工程図である。
【図１４】改良された多層配線基板の製造方法を説明す
るための工程図である。
るための工程図である。
１０ 導体パターン １２ 樹脂基板 １４、２０、３０ 樹脂層 １６ 凹部 １８ ヴィア ２２ 銅層 ２３ はんだ層 ２４ 錫層
Claims (10)
- 【請求項１】 絶縁層としての樹脂層の一面側に導体パ
ターンが形成された複数枚の樹脂基板が積層されて一体
化された多層配線基板であって、 該樹脂層を介して積層された導体パターンを相互に接続
するヴィアが、前記樹脂層の一面側に形成された導体パ
ターンが底面に露出するように樹脂層を貫通して形成さ
れた凹部に、前記樹脂層の他面側表面と実質的に同一面
となるように、めっきによって金属が充填されて形成さ
れ、 且つ前記樹脂層の他面側に露出するヴィアの露出面が、
他の樹脂基板に形成された導体パターンに電気的に接続
されていることを特徴とする多層配線基板。 - 【請求項２】 ヴィアを形成する金属が、複数枚の樹脂
基板を積層して一体化する際の加熱処理温度よりも低融
点の低融点金属である請求項１記載の多層配線基板。 - 【請求項３】 ヴィアを主として形成する金属が、複数
枚の樹脂基板を積層して一体化する際の加熱処理温度よ
りも高融点の高融点金属であり、 且つ前記ヴィアの露出面を含むヴィアの一端部を形成す
る金属が、前記加熱処理温度よりも低融点の低融点金属
である請求項１記載の多層配線基板。 - 【請求項４】 ヴィアを主として形成する金属が、複数
枚の樹脂基板を積層して一体化する際の加熱処理温度よ
りも高融点の高融点金属であり、 且つ前記ヴィアの露出面を含むヴィアの一端部を形成す
る金属が、前記加熱処理温度よりも低融点の低融点金属
であると共に、 前記ヴィアの他端部を形成する金属が、前記導体パター
ンを形成する際に用いられるエッチング液に対して耐食
性を有する金属である請求項１記載の多層配線基板。 - 【請求項５】 樹脂基板が複合樹脂基板であって、一面
側に導体パターンが形成されている樹脂層が、複数枚の
樹脂基板を積層して一体化する際の加熱処理温度に対し
て実質的に硬質状態を保持し得る硬質層であり、 且つ前記硬質層の他面側に接合されている樹脂層が、前
記加熱処理温度で接着性を呈し得る接着層である請求項
１〜４のいずれか一項記載の多層配線基板。 - 【請求項６】 樹脂層の一面側に接合された金属箔にパ
ターニングを施して導体パターンを形成して得た複数枚
の樹脂基板を、積層して一体化した多層配線基板を製造
する際に、 該金属箔が底面に露出するように前記樹脂層を貫通して
形成された凹部に、前記樹脂層の他面側表面と実質的に
同一面となるように、めっきによって金属を充填してヴ
ィアを形成した後、 前記金属箔にパターニングを施して所望の導体パターン
を具備する樹脂基板を得、 次いで、複数枚の前記樹脂基板を積層して加熱処理を施
し一体化することを特徴とする多層配線基板の製造方
法。 - 【請求項７】 ヴィアを形成する金属として、複数枚の
樹脂基板を積層して一体化する際の加熱処理温度よりも
低融点の低融点金属を用いる請求項６記載の多層配線基
板の製造方法。 - 【請求項８】 ヴィアを主として形成する金属を、複数
枚の樹脂基板を積層して一体化する際の加熱処理温度よ
りも高融点の高融点金属とし、 且つヴィアの露出面を含むヴィアの一端部を形成する金
属を、前記加熱処理温度よりも低融点の低融点金属とす
る請求項６記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項９】 ヴィアを主として形成する金属を、複数
枚の樹脂基板を積層して一体化する際の加熱処理温度よ
りも高融点の高融点金属とし、 且つ前記ヴィアの露出面を含むヴィアの一端部を形成す
る金属を、前記加熱処理温度よりも低融点の低融点金属
とすると共に、 前記ヴィアの他端部を形成する金属を、前記導体パター
ンを形成する際に用いられるエッチング液に対して耐食
性を有する金属とする請求項６記載の多層配線基板の製
造方法。 - 【請求項１０】 樹脂基板として、一面側に導体パター
ンが形成された樹脂層が、複数枚の樹脂基板を積層して
一体化する際の加熱処理温度に対して実質的に硬質状態
を保持し得る硬質層であり、 且つ前記硬質層の他面側に接合されている樹脂層が、前
記加熱処理温度で接着性を呈し得る接着層である、複合
樹脂基板を用いる請求項６〜１０のいずれか一項記載の
多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35081196A JP3299679B2 (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 多層配線基板及びその製造方法 |
| KR1019970067405A KR100315588B1 (ko) | 1996-12-27 | 1997-12-10 | 다층배선기판의제조방법 |
| EP97310481A EP0851725A1 (en) | 1996-12-27 | 1997-12-23 | Multi-layer wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35081196A JP3299679B2 (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 多層配線基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10190232A true JPH10190232A (ja) | 1998-07-21 |
| JP3299679B2 JP3299679B2 (ja) | 2002-07-08 |
Family
ID=18413042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35081196A Expired - Fee Related JP3299679B2 (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 多層配線基板及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0851725A1 (ja) |
| JP (1) | JP3299679B2 (ja) |
| KR (1) | KR100315588B1 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001217550A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-08-10 | Ibiden Co Ltd | 多層回路基板および半導体装置 |
| JP2002185142A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
| JP2003324283A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板 |
| JP2006521708A (ja) * | 2003-03-28 | 2006-09-21 | ジョージア テック リサーチ コーポレーション | ３次元全有機相互接続構造体の作製方法 |
| WO2018079198A1 (ja) * | 2016-10-28 | 2018-05-03 | 株式会社村田製作所 | 樹脂回路基板 |
| KR20190044418A (ko) * | 2017-10-20 | 2019-04-30 | 삼성전기주식회사 | 다층 인쇄회로기판 |
| WO2022202322A1 (ja) * | 2021-03-26 | 2022-09-29 | 株式会社村田製作所 | 配線基板、積層基板及び配線基板の製造方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000036301A (ko) * | 1999-11-17 | 2000-07-05 | 배영하 | 홀 플러깅 랜드 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
| US6759600B2 (en) | 2001-04-27 | 2004-07-06 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Multilayer wiring board and method of fabrication thereof |
| JP3840921B2 (ja) | 2001-06-13 | 2006-11-01 | 株式会社デンソー | プリント基板のおよびその製造方法 |
| JP2003023250A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Denso Corp | 多層基板のおよびその製造方法 |
| JP2003332749A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-11-21 | Denso Corp | 受動素子内蔵基板、その製造方法及び受動素子内蔵基板形成用素板 |
| JP3835381B2 (ja) | 2002-09-04 | 2006-10-18 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品 |
| DE102014104137B4 (de) * | 2014-03-25 | 2021-05-06 | Boardtek Electronics Corporation | Galvanisierte Platinenanordnung und Herstellungsverfahren dafür |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1430640A (en) * | 1973-05-15 | 1976-03-31 | Minnesota Mining & Mfg | Printed circuits and their manufacture |
| AU565755B2 (en) * | 1982-05-05 | 1987-09-24 | Hughes Aircraft Company | High density printed wiring board |
| US5046238A (en) * | 1990-03-15 | 1991-09-10 | Rogers Corporation | Method of manufacturing a multilayer circuit board |
| JP3059568B2 (ja) * | 1992-01-23 | 2000-07-04 | 古河電気工業株式会社 | 多層プリント回路基板の製造方法 |
| US5401913A (en) * | 1993-06-08 | 1995-03-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Electrical interconnections between adjacent circuit board layers of a multi-layer circuit board |
| JP3087152B2 (ja) * | 1993-09-08 | 2000-09-11 | 富士通株式会社 | 樹脂フィルム多層回路基板の製造方法 |
| JPH0864964A (ja) * | 1994-08-17 | 1996-03-08 | Tomoji Watanabe | 電子部品搭載用多層配線板の製造法 |
-
1996
- 1996-12-27 JP JP35081196A patent/JP3299679B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-12-10 KR KR1019970067405A patent/KR100315588B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-12-23 EP EP97310481A patent/EP0851725A1/en not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001217550A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-08-10 | Ibiden Co Ltd | 多層回路基板および半導体装置 |
| JP2002185142A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
| JP2003324283A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板 |
| JP2006521708A (ja) * | 2003-03-28 | 2006-09-21 | ジョージア テック リサーチ コーポレーション | ３次元全有機相互接続構造体の作製方法 |
| WO2018079198A1 (ja) * | 2016-10-28 | 2018-05-03 | 株式会社村田製作所 | 樹脂回路基板 |
| KR20190044418A (ko) * | 2017-10-20 | 2019-04-30 | 삼성전기주식회사 | 다층 인쇄회로기판 |
| WO2022202322A1 (ja) * | 2021-03-26 | 2022-09-29 | 株式会社村田製作所 | 配線基板、積層基板及び配線基板の製造方法 |
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| KR100315588B1 (ko) | 2002-04-24 |
| KR19980063999A (ko) | 1998-10-07 |
| EP0851725A1 (en) | 1998-07-01 |
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