JPH10126004A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4088318B2 (ja) * 1996-08-27 2008-05-21 株式会社リコー 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法及び光ファイバー通信システム
JP4088319B2 (ja) * 1996-08-27 2008-05-21 株式会社リコー 半導体発光素子の製造方法
JP4219010B2 (ja) * 1997-06-23 2009-02-04 シャープ株式会社 半導体レーザ装置
US6657233B2 (en) 1998-08-19 2003-12-02 Ricoh Company, Ltd. Light emitting devices with layered III-V semiconductor structures, and modules and systems for computer, network and optical communication, using such device
US6207973B1 (en) 1998-08-19 2001-03-27 Ricoh Company, Ltd. Light emitting devices with layered III-V semiconductor structures
JP2008098682A (ja) * 1998-11-09 2008-04-24 Ricoh Co Ltd 半導体発光素子
JP2008098680A (ja) * 1998-11-09 2008-04-24 Ricoh Co Ltd 半導体発光素子
JP4084506B2 (ja) * 1998-11-09 2008-04-30 株式会社リコー 半導体発光素子の製造方法
WO2000042685A1 (en) * 1999-01-11 2000-07-20 The Furukawa Electric Co., Ltd. n-TYPE MODULATION DOPE MULTIPLE QUANTUM WELL SEMICONDUCTOR LASER
US6396861B1 (en) 1999-01-11 2002-05-28 The Furukawa Electric Co., Ltd. N-type modulation-doped multi quantum well semiconductor laser device
JP2001044572A (ja) * 1999-08-02 2001-02-16 Canon Inc 窒素を含むiii−v族半導体を用いた半導体レーザ
US6472680B1 (en) * 1999-12-31 2002-10-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor structures using a group III-nitride quaternary material system with reduced phase separation
JP2001320134A (ja) * 2000-05-01 2001-11-16 Ricoh Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法並びに光送信モジュールおよび光送受信モジュールおよび光通信システムおよびコンピュータシステムおよびネットワークシステム
JP4931304B2 (ja) * 2000-09-21 2012-05-16 株式会社リコー 面発光型半導体レーザ素子の製造方法
US6674785B2 (en) 2000-09-21 2004-01-06 Ricoh Company, Ltd. Vertical-cavity, surface-emission type laser diode and fabrication process thereof
JP2002252426A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Ricoh Co Ltd 長波長帯面発光レーザ素子を用いた光通信システム
US7590159B2 (en) 2001-02-26 2009-09-15 Ricoh Company, Ltd. Surface-emission laser diode operable in the wavelength band of 1.1-1.7 micrometers and optical telecommunication system using such a laser diode
JP2002261388A (ja) * 2001-02-27 2002-09-13 Ricoh Co Ltd 面発光型半導体レーザ素子チップおよび光通信システム
JP2002261400A (ja) * 2001-02-27 2002-09-13 Ricoh Co Ltd レーザ、レーザ装置および光通信システム
JP2002329928A (ja) * 2001-02-27 2002-11-15 Ricoh Co Ltd 光通信システム
JP2002280667A (ja) * 2001-03-15 2002-09-27 Ricoh Co Ltd 半導体レーザおよびその製造方法および面発光型半導体レーザおよびその製造方法
US7968362B2 (en) 2001-03-27 2011-06-28 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system
US6765232B2 (en) 2001-03-27 2004-07-20 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system
US7180100B2 (en) 2001-03-27 2007-02-20 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system
JP4864014B2 (ja) * 2001-03-27 2012-01-25 株式会社リコー 面発光型半導体レーザ素子の製造方法
JP2008034889A (ja) * 2001-07-11 2008-02-14 Ricoh Co Ltd 半導体発光素子
JP5067813B2 (ja) * 2001-09-21 2012-11-07 株式会社リコー 半導体発光素子およびその製造方法および光伝送モジュールおよび光交換装置および光伝送システム
US6927412B2 (en) 2002-11-21 2005-08-09 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light emitter
JP2007250896A (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体光素子
JP2008166571A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
JP2008022040A (ja) * 2007-10-05 2008-01-31 Ricoh Co Ltd 半導体発光素子および光送信モジュールおよび光送受信モジュールおよび光通信システムおよびコンピュータシステムおよびネットワークシステム

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3425185B2 (ja) * 1993-03-26 2003-07-07 日本オプネクスト株式会社 半導体素子
JPH08195522A (ja) * 1994-11-16 1996-07-30 Hitachi Ltd 半導体レーザ
JPH09219563A (ja) * 1996-02-09 1997-08-19 Hitachi Ltd 半導体光素子とそれを用いた応用システム

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