JP2008166571A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体レーザ装置は、活性層6と、活性層6を挟んで設けられた一組のガイド層4,8と、活性層6およびガイド層4,8を挟んで設けられた一組のクラッド層3,9とを有する。ガイド層4,8は、いずれもGaAsに格子整合するInGaAsPである。クラッド層3,9には、いずれもAlGaAsが用いられている。AlGaAsのAl組成比は、0.4以下で、且つ、AlGaAsの屈折率をInGaAsPの屈折率より小さくする値以上である。
【選択図】図1
Description
活性層と、該活性層を挟んで設けられた一組のガイド層と、該活性層および該一組のガイド層を挟んで設けられた一組のクラッド層とを有する半導体レーザ装置において、
前記一組のガイド層は、いずれもGaAsに格子整合するInGaAsPであり、
前記一組のクラッド層には、いずれもAlGaAsが用いられていて、
前記AlGaAsのAl組成比は、0.4以下で、且つ、前記AlGaAsの屈折率を前記InGaAsPの屈折率より小さくする値以上であることを特徴とするものである。
活性層と、該活性層を挟んで設けられた一組のガイド層と、該活性層および該一組のガイド層を挟んで設けられた一組のクラッド層とを有する半導体レーザ装置において、
前記一組のガイド層は、いずれもGaAsに格子整合するInGaAsPであり、
前記一組のクラッド層には、いずれもAs組成比が前記一組のガイド層のうち近い方のガイド層のAs組成比以下であるInGaAsPが用いられていることを特徴とするものである。
図1は、本実施の形態にかかる半導体レーザ装置の斜視図の一例である。図1において、1はn電極、2はn型GaAs基板、3はn型AlxGa1−xAs(x≦0.40)クラッド層、4はn側In1−zGazAsyP1−y(0.6≦y≦0.8)ガイド層、5はn側GaAs0.88P0.12エンハンス層、6はIn0.07Ga0.93As活性層、7はp側GaAs0.88P0.12エンハンス層、8はp側In1−zGazAsyP1−y(0.6≦y≦0.8)ガイド層、9はp型AlxGa1−xAs(x≦0.40)クラッド層、10はp型GaAsコンタクト層、11はp電極、12はプロトン注入領域である。
z=(0.2155+0.1896y)/(0.4176−0.0125y)
の関係が成立することが報告されている(N.Shin−ichiら、「液相エピタキシーによって成長したAlGaAs充填層を有するInGaAsP/GaAs可視光レーザの組み立て方法」(Fabrication methods for InGaAsP/GaAs visible laser structure with AlGaAs burying layers grown by liquid−phase epitaxy),J.Appl.Phys.1986年2月1日、第59巻、第3号、p.761−768)。したがって、n側In1−zGazAsyP1−yガイド層4およびp側In1−zGazAsyP1−yガイド層8においても、yとzの間には上記関係が成立するものとする。
x=−0.4215y+0.4231
の関係が成立する。尚、関係式を求める手法については、非特許文献(伊賀健一著、「応用物理学シリーズ 半導体レーザ」第1版、株式会社オーム社、平成6年10月25日、p.34−39)を参照した。
x=−0.4215y+0.4231
から求めることができる。すなわち、As組成比(y)が0.70であるInGaAsPガイド層の屈折率と、AlGaAsクラッド層の屈折率とを一致させるためには、AlGaAsクラッド層のAl組成比(x)を0.128とすればよい。AlGaAsクラッド層におけるAl組成比(x)が0.128より小さくなると、AlGaAs層の屈折率は、上記のInGaAsPガイド層の屈折率よりも大きくなってしまう。それ故、InGaAsPガイド層中に光を有効に閉じ込めることができなくなる。したがって、この例におけるAlGaAsクラッド層のAl組成比(x)は、0.128が下限値になる。
x=−0.4215y+0.4231
から求めることができる。すなわち、As組成比(y)が0.80であるInGaAsPガイド層の屈折率と、AlGaAsクラッド層の屈折率とを一致させるためには、AlGaAsクラッド層のAl組成比(x)を0.086とすればよい。AlGaAsクラッド層におけるAl組成比(x)が0.086より小さくなると、AlGaAs層の屈折率は、上記のInGaAsPガイド層の屈折率よりも大きくなってしまう。それ故、InGaAsPガイド層中に光を有効に閉じ込めることができなくなる。したがって、この例におけるAlGaAsクラッド層のAl組成比(x)は、0.086が下限値になる。
図7は、本実施の形態にかかる半導体レーザ装置の斜視図の一例である。図7で、図1と同じ符号を付した部分は同じものであることを示している。すなわち、1はn電極、2はn型GaAs基板、5はn側GaAs0.88P0.12エンハンス層、6はIn0.07Ga0.93As活性層、7はp側GaAs0.88P0.12エンハンス層、10はp型GaAsコンタクト層、11はp電極、12はプロトン注入領域である。
2 n型GaAs基板
3 n型AlxGa1−xAsクラッド層
4 n側In1−zGazAsyP1−yガイド層
5 n側GaAs0.88P0.12エンハンス層
6 In0.07Ga0.93As活性層
7 p側GaAs0.88P0.12エンハンス層
8 p側In1−zGazAsyP1−yガイド層
9 p型AlxGa1−xAsクラッド層
10 p型GaAsコンタクト層
11 p電極
12 プロトン注入領域
13 n型In1−tGatAssP1−sクラッド層
14 n側In1−zGazAsyP1−yガイド層
15 p側In1−z′Gaz′Asy′P1−y′ガイド層
16 p型In1−t′Gat′Ass′P1−s′クラッド層
Claims (6)
- 活性層と、該活性層を挟んで設けられた一組のガイド層と、該活性層および該一組のガイド層を挟んで設けられた一組のクラッド層とを有する半導体レーザ装置において、
前記一組のガイド層は、いずれもGaAsに格子整合するInGaAsPであり、
前記一組のクラッド層には、いずれもAlGaAsが用いられていて、
前記AlGaAsのAl組成比は、0.4以下で、且つ、前記AlGaAsの屈折率を前記InGaAsPの屈折率より小さくする値以上であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記InGaAsPにおけるAs組成比は、0.6以上で0.8以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記一組のガイド層は、いずれも100nm以上の厚みを有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体レーザ装置。
- 活性層と、該活性層を挟んで設けられた一組のガイド層と、該活性層および該一組のガイド層を挟んで設けられた一組のクラッド層とを有する半導体レーザ装置において、
前記一組のガイド層は、いずれもGaAsに格子整合するInGaAsPであり、
前記一組のクラッド層には、いずれもAs組成比が前記一組のガイド層のうち近い方のガイド層のAs組成比以下であるInGaAsPが用いられていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記一組のガイド層のAs組成比は、いずれも0.6以上で0.8以下であることを特徴とする請求項4に記載の半導体レーザ装置。
- 前記一組のガイド層は、いずれも100nm以上の厚みを有することを特徴とする請求項4または5に記載の半導体レーザ装置。
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