JP3566476B2 - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、GaN系半導体発光素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
発光ディスプレイ等における多色化の要求や、通信・記録等におけるデータ密度を向上させるとの要求から、近時、高輝度の青色発光が可能な半導体素子を製造することが強く要求されている。青色発光する半導体素子の製造に用いられる材料として、GaN系の化合物が注目されている。
GaN系化合物は、直接遷移型バンド構造を有するため高効率の発光が可能であり、かつ室温でのバンドギャップが大きいため、上記の要求に応え得る青色発光素子用に好適な材料である。しかしGaN系化合物は融点が高く、また融点付近での窒素の蒸気圧が高いため、融液からバルク結晶を成長させることは極めて困難である。このためGaN系化合物の製造は、サファイア基板上、または該サファイア基板上にAlN、ZnOのようなGaN系物質との格子整合性の良好な物質からなるバッファー層を形成し、その上にGaN系化合物の結晶薄膜を成長させているのが現状である。
【0003】
ところが、サファイア基板は絶縁体であるために、電極の設置が特定の位置に限定され、つぎに説明するように発光素子の構造設計上の自由度が制限されるという問題がある。
図1は、GaNを用いた従来のLEDの断面構造図例である。同図において、1はp側電極、2はn側電極、4はn型GaN系半導体、6はp型GaN系半導体である。p側電極1とn側電極2とは、サファイア基板Sが絶縁体であるために導電性の基板を用いたLEDのように基板を挟んで互いに対向設置することができない。このため図示するように、両電極は、共にサファイア基板Sの同一面側に設けざるを得なくなっている。この両電極の形成構造は、発光素子の製造面や実装面において種々の問題があり、また発光面積の点で不利でもある。
またGaN系のLDを製造する場合においても、電極形成位置において上記LEDと同様の問題があり、またサファイアは劈開性がないために劈開による共振器面が作製できない不利もある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記に鑑みて、本発明の課題は、サファイア基板を用いた従来のGaN系半導体発光素子が有する上記の諸問題、特に小発光面積や劈開による共振器面作製不可の問題など、が解決されたGaN系半導体発光素子の製造方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、つぎの特徴を有する。
(1) 種基板の上にInX GaY AlZ N(ここに0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)からなる発光部が積層される発光部積層工程、発光部の上にInX GaY AlZ N(ここに0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)からなる基板用層を形成する基板積層工程、および種基板を除去する種基板除去工程とからなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
(2) 発光部のn層がp層より先に積層される上記(1) 記載の半導体発光素子の製造方法。
(3) バッファー層が周期律表の第二族元素の酸化物にて構成されており、且つ発光部のp層がn層より先に積層される上記(1) 記載の半導体発光素子の製造方法。
(4) 種基板がサファイアまたはSiCからなるものである上記(1) 〜(3) のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。
【0006】
【作用】
発光部と基板用層は、共に良導電性のInX GaY AlZ Nから構成されているので格子不整合の問題がなく、しかして発光部の上に結晶性の良好な導電性の基板用層を積層形成することができる。ついで種基板除去工程において最初に用いた種基板を除去すると、上記した導電性基板を有するGaN系半導体発光素子が得られる。
【0007】
【発明の実施の形態】
種基板としては、サファイア、SiC、GaAs、Si、MgAl2 O4 、ZnO、MnO、CaO、MgO、LiGaO3 、LiAlO3 など、種々の材料からなる基板を用いることができる。
【0008】
本発明において発光部と基板用層とは、共に下記の一般式(1)で示される各種半導体化合物の少なくとも1種にて構成される。以下において、一般式(1)で示される各種半導体化合物をGaN系化合物と略称する。
InX GaY AlZ N (1)
(ここに0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)。
GaN系化合物の例を示すと、GaN、GaAlN、InGaAlNなどである。
【0009】
発光部の形態としては、ホモ接合型、シングルヘテロやダブルヘテロなどのヘテロ構造、多重量子井戸構造(MQW)、あるいは単一量子井戸構造(SQW)などであってもよい。就中、ダブルヘテロ構造が特に好ましい。
発光部に含まれる各層並びに基板用層の各構成材料は、GaN系化合物である限り、互いに同じ材料であってもよく異なっていてもよい。
【0010】
本発明の発光部積層工程において、種基板の上に発光部が積層される。上記したように発光部は、通常、二層以上の多層からなるので、それらの多層が順次、積層されて行くが、その第1層目の層は、可能であれば種基板上に直接積層してもよく、必要に応じて格子不整合を緩和する適当なバッファー層を種基板上に先ず設けてその上に積層してもよい。発光部の第二層目以降から基板用層の積層に到るまで、いずれの層も既形成層と格子不整合の問題がないのでバッファー層などを介することなく既形成層上に積層することができる。
【0011】
バッファー層、発光部の各層、および基板用層の積層形成方法に関しては、いずれも特に制限はない。バッファー層の成長方法としては、例えばスパッタ法、MOCVD法(有機金族気相成長法)、HVPE法(ハイドライド気相成長法)、MBE法(分子エピタキシャル法)、P−CVD法(プラズマ−化学気相堆積法)などが例示できる。発光部の各層および基板用層の積層形成方法としては、HVPE法、MOCVD法、MBE法などが例示でき、就中HVPE法が好ましい。
【0012】
種基板としてサファイア、SiC、GaAs、Si、LiGaO3 、LiAlO3 などを用いた場合、バッファー層の構成材料としては、従来周知のもの、例えば周期律表第二族元素の酸化物類、AlN、GaN、AlGaN、InGaNなどが例示できる。就中、後記する種基板除去工程上から、エッチング除去の容易な第二族元素酸化物類が好ましい。該第二族元素酸化物類の例を挙げると、ZnO、MgO、MnO、CaOのような酸化物、MgAlO、LiGaO3 、LiAlO3 のような複乃至複合酸化物が示される。
バッファー層の厚みは、0.001〜5μm程度、特に0.01〜0.5μm程度である。
【0013】
発光部を積層する場合、種基板上またはバッファー層上にp型層、n型層のいずれの層から積層を開始してもよいが、一般的にはn型層を先にp型層を後とする順が好ましい。その理由は、n型層はp型層と比較して一般に種基板上への形成が容易であること、およびp型層は層形成後に加熱や電子線照射処理などによる活性化処理が必要であって、この処理上p型層は外部にあった方が好都合となるためである。一方、バッファー層が前記した第二族元素酸化物類である場合には、p型層を先にn型層を後とする順が好ましい。その理由は、n型層を先に該バッファー層上に成長させると、この成長中の高温度により該酸化物が分解して第二族原子が遊離し、これがn型層中に混入して同層のドーパントを補償し、n型層のドーパント量を減少せしめる問題があるためである。これに対してp型層を先に該バッファー層上に成長させると、たとえ第二族原子が遊離しても、n型層は既成のp型層が防御の作用をなして第二族原子の混入問題から保護される。しかも第二族原子のp型層中への混入は、該層にとって少なくとも無害であり、一部の二族原子特にMgやZnはp型層の主要なドーパントであるので、寧ろ混入が歓迎される。発光部に続いて基板用層を成長させる場合、厚膜の結晶性の良いものが得られる点からは、p型層を先に成長させn型層をその後とする方法が好ましい。
【0014】
発光部のp型層は、発光部全層の形成後において、後記する基板積層工程の前後、基板除去工程の前後などの任意の段階で通常の方法により活性処理されてよいが、特に基板除去工程の後にそれを行うことが好ましい。
【0015】
基板積層工程において、発光部の最上部の層上に基板用層が形成される。基板用層の厚みは、該層が種基板に代わって本発明の製造目的物たるGaN系半導体発光素子の基板として機能し得る厚さとされる。例えば10〜1000μm程度、特に50〜300μm程度が適当である。
【0016】
基板積層工程の後、種基板は除去される。種基板の除去は、適当な方法で種基板を消去する、あるいは発光部の最先積層層から分離するなどの方法で行われる。消去方法としては、例えばダイアモンドペーストによる機械的研磨、種基板を溶解し得る化学薬剤によるエッチングなどが挙げられる。
種基板と発光部との間にバッファー層、特に前記二族酸化物からなるバッファー層が介在している場合には、該バッファー層を化学的エッチングにて除去して種基板を発光部から分離することが、除去能率並びに除去後の発光部面の清浄性や結晶状態などから好ましい。その際のバッファー層のエッチング除去は、例えば塩酸、硝酸、硫酸、などの酸によるウェットエッチングなどの方法で行うことができる。
【0017】
種基板を除去された後、新たに基板として機能するGaN系化合物の基板の表面と種基板の除去によって露出した発光部の表面のそれぞれに、通常の方法にて電極を形成することによりGaN系LEDを製造することができる。またGaN系化合物基板を劈開して形成した劈開面を利用してGaN系LDを製造することもできる。
【0018】
【実施例】
以下、本発明を実施例により一層詳細に説明する。
【0019】
実施例1
2インチφのサファイアC面上に、スパッタ法によりバッファー層としてのMgO膜を約0.05μm成長させた。この際、MgOの酸素欠損を少なくするために、通常のアルゴンガス導入に加えて酸素ガスの導入も併せて行った。MgO膜を有するサファイア種基板を通常のMOCVD装置内に設置し、窒素を20SLMで流しながら500℃まで昇温した。つぎにアンモニア10SLM、水素10SLM、窒素10SLMを流しながら、そこへトリメチルガリウム50μモル/分、およびシクロぺンタジエニルマグネシウム1μモル/分を流し、厚さ0.1μmのp−GaN薄層を成長させた。この後1000℃まで昇温し、上記と全く同じ材料につき各同流量を流して厚さ1μmのp−GaNクラッド層を成長させた。
つぎに、アンモニア10SLMと窒素10SLMとを流した状態で800℃まで降温し、トリメチルガリウム25μモル/分とトリメチルインジウム25μモル/分とを流して厚さ0.2μmのInGaN活性層を成長させた。
つぎに、窒素10SLMとアンモニア10SLMとを流した状態で1000℃まで昇温し、トリメチルガリウム50μモル/分とシラン(SiH4 )20ppmを5ccを流して厚さ2μmのn−GaNクラッド層を成長させた。
その後、窒素20SLMを流した状態で700℃まで降温し、700℃で20分間保持し、p−GaNクラッド層の活性化処理した。
さらにこの発光部を有するサファイア種基板を通常のHVPE装置内に設置し、窒素10SLMとアンモニア10SLMとを流した状態で800℃まで昇温し、800℃において窒素とアンモニアとを引き続き流した状態でさらに塩化水素20SCCMとシラン10SCCMとを流して厚さ100μmのn−GaN基板用層を成長させた。
かくして得た発光部と基板用層とを有するサファイア種基板を塩酸中に20分間浸漬してMgOバッファー層を完全に除去して、サファイア種基板をGaN薄層から分離した。
最後にGaN薄層の上にp側電極を、一方基板用層の上にn側電極を、それぞれ通常の方法で形成し、かくして青色LEDを製造した。
【0020】
実施例2
MgO膜に代えて、バッファー層として約0.05μm厚のZnO膜をスパッタ法によりサファイア種基板上に成長させた以外は、実施例1と同様にして青色LEDを製造した。
【0021】
実施例3
実施例1で作製したn、p側両電極を有するウエハーをそのa面に沿って劈開し、青色LDを製造した。上記ウエハーは、その全層がGaNにて形成されているので、綺麗な劈開が高歩留りにて達成された。
【0022】
実施例4
実施例2で作製したn、p側両電極を有するウエハーをそのa面に沿って劈開し、青色LDを製造した。上記ウエハーは、その全層がGaNにて形成されているので、綺麗な劈開が高歩留りにて達成された。
【0023】
実施例5
実施例1とはp、n両クラッド層の成長順序を逆にして、n−GaNクラッド層を先にp−GaNクラッド層を後にし、さらにこの発光部を有するサファイア種基板を通常のHVPE装置内に設置し、窒素10SLMとアンモニア10SLMとを流した状態で800℃まで昇温し、800℃において窒素とアンモニアとを引き続き流した状態でさらに塩化水素20SCCMとシクロペンタジエニルマグネシウム1μモル/分とを流して厚さ100μmのp−GaN基板用層を成長させ、その後700℃で20分間熱処理を行った点のみ異なり、他は実施例1と同様にして青色LEDを製造した。
【0024】
【発明の効果】
本発明によれば、導電性のGaN系基板を有するLED、LDが製造し得る。基板が導電性であるので、該基板を貫通して電流が流れるように基板の上下面側にp、n両電極を対向形成することができ、このために発光面積を大きく取ることが可能となって高輝度のLED、LDが得られる。またGaN系基板の劈開性を利用して高性能のLDを容易に製造することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の青色LED構造の断面図例である。
【符号の説明】
1 p側電極
2 n側電極
4 n型GaN系半導体
6 p型GaN系半導体
S サファイア基板
Claims (4)
- 種基板の上にInX GaY AlZ N(ここに0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)からなる発光部が積層される発光部積層工程、発光部の上にInX GaY AlZ N(ここに0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)からなる基板用層を形成する基板積層工程、および種基板を除去する種基板除去工程とからなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
- 発光部のn層がp層より先に積層される請求項1記載の半導体発光素子の製造方法。
- バッファー層が周期律表の第二族元素の酸化物にて構成されており、且つ発光部のp層がn層より先に積層される請求項1記載の半導体発光素子の製造方法。
- 種基板がサファイアまたはSiCからなるものである請求項1〜3のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33844396A JP3566476B2 (ja) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33844396A JP3566476B2 (ja) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10178201A JPH10178201A (ja) | 1998-06-30 |
JP3566476B2 true JP3566476B2 (ja) | 2004-09-15 |
Family
ID=18318210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33844396A Expired - Fee Related JP3566476B2 (ja) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3566476B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6858882B2 (en) | 2000-09-08 | 2005-02-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light-emitting device and optical device including the same |
US6608328B2 (en) * | 2001-02-05 | 2003-08-19 | Uni Light Technology Inc. | Semiconductor light emitting diode on a misoriented substrate |
US6773504B2 (en) * | 2001-04-12 | 2004-08-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Oxygen doping method to gallium nitride single crystal substrate and oxygen-doped N-type gallium nitride freestanding single crystal substrate |
JP4581080B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2010-11-17 | 独立行政法人国立高等専門学校機構 | 半導体基板上にモノリシックに集積化された光電子集積回路 |
JP4604189B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2010-12-22 | 独立行政法人国立高等専門学校機構 | 半導体基板上にモノリシック集積化された三波長半導体レーザアレイ装置 |
JP5464057B2 (ja) * | 2010-06-02 | 2014-04-09 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウエーハの製造方法 |
-
1996
- 1996-12-18 JP JP33844396A patent/JP3566476B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10178201A (ja) | 1998-06-30 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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