JP4604189B2 - 半導体基板上にモノリシック集積化された三波長半導体レーザアレイ装置 - Google Patents
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
12、32、321…バッファ層
33…第1のn−InAlGaNクラッド層
34、341…InGaN活性層
35…第1のp−InAlGaNクラッド層
36…n−InAlGaNブロック層
37、40、45、48、53、56、57…SiO2膜
38…第2のp−InAlGaNクラッド層
39…p−GaNコンタクト層
41…n−AlGaInPクラッド層
42…GaInPからなるTQW活性層
43…第1のp−AlGaInPクラッド層
44…n−AlInPブロック層
46…第2のp−AlGaInPクラッド層
47…p−GaAsコンタクト層
49…n−AlGaAsクラッド層
50…AlGaAsからなるTQW活性層
51…第1のp−AlGaAsクラッド層
52…n−AlGaAsブロック層
54…第2のp−AlGaAsクラッド層
55…p−GaAsコンタクト層
58…電極層
581〜583…アノードリード線
59…Au−Ge−Ni合金電極
60…Cu放熱体
61…カソードリード線
621〜623…アノードリード線
Claims (3)
- 半導体基板上にモノリシックに赤色レーザ素子、赤外レーザ素子および青色レーザ素子が集積化された三波長半導体レーザアレイ装置において、前記半導体基板と前記青色レーザ素子との間にバッファ層を設け、前記バッファ層は、CuGaS 2 とGaAlNの組み合わせ、またはCuGaS 2 とZnIn 2 S 4 の組み合わせにより構成される超格子構造を有することを特徴とする三波長半導体レーザアレイ装置。
- 半導体基板上にモノリシックに赤色レーザ素子、赤外レーザ素子および青色レーザ素子が集積化された三波長半導体レーザアレイ装置において、前記半導体基板と前記青色レーザ素子との間にバッファ層を設け、前記バッファ層は、CuGaS 2 とGaAlNとの交互の層、またはCuGaS 2 とZnIn 2 S 4 との交互の層を含み、前記CuGaS 2 層の厚さは、前記半導体基板から青色レーザ素子に向かうにつれて薄くなり、前記GaAlN層またはZnIn 2 S 4 層の厚さは、前記青色レーザ素子から前記半導体基板に向かうにつれて薄くなる構造を有することを特徴とする三波長半導体レーザアレイ装置。
- 前記半導体基板が、シリコンまたはGaAsを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の三波長半導体レーザアレイ装置。
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