JPH10104836A - ポリマー組成物、ポリマーの架橋又は鎖延長方法及び光硬化可能ポリマー組成物の製造方法 - Google Patents
ポリマー組成物、ポリマーの架橋又は鎖延長方法及び光硬化可能ポリマー組成物の製造方法Info
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Abstract
特性に優れ、ポリマー中の感光性供与基の置換度が均一
な、マイクロエレクトロニクスの用途に適した光パター
ン形成可能ポリマーの組成物、並びにその製造方法を提
供する。 【解決手段】 感光性供与基としては、アクリロイル
基、メタクリロイル基、不飽和エステル基、ハロメチル
基、不飽和アンモニウム基、不飽和ホスホニウム基、不
飽和エーテル基等が挙げられ、化学線を用いる露光によ
って、ポリマーが架橋、鎖延長される。ポリマーには感
光性供与基の他に水溶性強化基(又は水分散性供与基)
を導入することができ、感光性供与基の置換度が異なる
ポリマーを混合することもできる。感光性供与基はポリ
マーに直接導入してもよく、中間体を経て導入してもよ
い。
Description
能な組成物に関する。より詳細には、本発明は、硬化可
能なポリマーを含有する組成物及びその製造を可能にす
る方法に関する。この組成物は、均一な重量平均分子量
を有し、硬化性の基による均一な置換度を有する。
層間の誘電層として、及びマイクロエレクトロニック回
路要素を保護するパッシベーション層として使用するた
めに、誘電率が低く、ガラス転移温度が高く、熱的に安
定で光パターン形成可能なポリマーが非常に必要とされ
ている。ポリイミドはこれらの必要性を満足させるため
に広く使用されるが、これらの材料は、水の収着が比較
的高く、加水分解に不安定であるといった不利な特性を
有する。従って、高解像度で有効に光パターン形成及び
現像されることの可能な高性能ポリマーが必要とされ
る。
て、インクジェットプリントヘッドの製造がある。
他のマイクロエレクトロニクス応用、プリント回路ボー
ド、リソグラフィ印刷プロセス、層間誘電体等をはじめ
とする他のホトレジストの用途にも適する。
る目的には好適であるが、マイクロエレクトロニクスの
用途に好適な改良された材料が依然として必要である。
また、改良されたインクジェットプリントヘッドも必要
である。更に、熱に対して安定性があり、電気的に絶縁
性であり、かつ機械的に強固な光によるパターン形成可
能ポリマー材料が必要である。また、インクジェット用
のインク組成物に用いられうる材料に対して化学的に不
活性である光パターン形成可能ポリマー材料が必要であ
る。マイクロエレクトロニックデバイスの製造プロセス
の後硬化工程中に収縮が少ない光パターン形成可能ポリ
マー材料も必要である。更に、比較的長い保存寿命を示
す光パターン形成可能ポリマー材料が依然として必要で
ある。更に、比較的低い露光エネルギーによってパター
ン形成できる光パターン形成可能ポリマー材料が必要で
ある。その上、硬化した状態で良好な耐溶剤性を示す光
パターン形成可能ポリマー材料が依然として必要であ
る。また、スピンキャスティング技法によってマイクロ
エレクトロニックデバイスに塗布し硬化させた際に、エ
ッジビードを減少すると共に明白なリップ及びディップ
(窪みや突出部分)を示さない光パターン形成可能ポリ
マー材料も必要である。更に、前述の利点を有する光パ
ターン形成可能ポリマー材料の製造方法が依然として必
要である。更には、光パターン形成可能ポリマー材料の
バッチを製造する際にばらつきのない均一な画像形成品
質を維持する方法が必要である。更に、感光性供与基で
置換された光パターン形成可能ポリマーを含有するホト
レジスト組成物中の感光性供与基の置換度を制御する方
法が必要である。更に、画像形成、現像及び熱的エージ
ング後のパターン形成特性において流れ(フロー)及び
損失がない光パターン形成可能ポリマー材料が必要であ
る。また、誘電率が比較的低い光パターン形成可能ポリ
マー材料が必要である。更に、水の収着が低減された光
パターン形成可能ポリマー材料が必要である。更に、特
にアルカリ性溶液にさらしたときに改良された加水分解
安定性を示す光パターン形成可能ポリマー材料が必要で
ある。また、高温、通常では約150℃より高い温度で
安定性がある光パターン形成可能ポリマー材料も必要で
ある。また、高いガラス転移温度を有するか、又は露光
の後に低温の相転移が生じない程度で十分に架橋される
光パターン形成可能ポリマー材料も必要である。更に、
熱膨張率の低い光パターン形成可能ポリマー材料が必要
である。また、異なるベース樹脂から一貫した処理条件
でホトレジスト組成物を製造する方法が必要である。更
に、再現性の優れた処理特性を有するホトレジスト組成
物が必要である。熱的に安定性があり、約30μm又は
それ以上の厚さの膜としてパターン形成可能であり、露
光前に低いTgを示し、低い誘電率を有し、水の吸収が
低く、低い膨張率を有し、所望の機械特性及び接着特性
を有し、高温での用途を含む層間誘電層の用途に概して
望ましく、また光パターン形成可能なポリマーが必要で
ある。また、良好〜優れた処理特性を有するホトレジス
ト組成物も必要である。
の顕著な利点を有するポリマー材料を提供することであ
る。
び他の目的(又はその特定の実施例)は、下記の(A)
及び(B)の混合物を含む組成物を提供することによっ
て達成することができる:(A)モノマー繰り返し単位
の少なくともいくつかが少なくとも1個の感光性供与基
を有するポリマーを含む第1の成分であり、該ポリマー
は1g当たりの感光性供与基のミリ当量で測定される第
1の感光性供与基置換度を有すると共に以下の一般式か
らなる;(B) 下記の(1)又は(2)のいずれかを含
む第2の成分である: (1)第1の感光性供与基置換度
よりも小さい1g当たりの感光性供与基のミリ当量で測
定される第2の感光性供与基置換度を有するポリマーで
あって、該第2の感光性供与基置換度は0である場合が
あり、第1の成分及び第2の成分の混合物は第1の感光
性供与基置換度よりも小さく第2の感光性供与基置換度
よりも大きい1g当たりの感光性供与基のミリ当量で測
定される第3の感光性供与基置換度を有する;(2)1
分子当たり少なくとも1つの感光性供与基を有し、1g
当たりの感光性供与基のミリ当量で測定される第4の感
光性供与基置換度を有する反応性稀釈剤であって、第1
の成分及び第2の成分の混合物は、第1の感光性供与基
置換度よりも大きく第4の感光性供与基置換度よりも小
さい1g当たりの感光性供与基のミリ当量で測定される
第5の感光性供与基置換度を有し、これらの混合物の重
量平均分子量は約10,000〜約50,000であ
り、第3又は第5の感光性供与基置換度は混合物1g当
たり感光性供与基約0.25〜約2ミリ当量である。 一般式
し単位の数を表す整数であり、Aは以下の構造式又はこ
れらの混合物であり、
の上記の実施の形態に従ったポリマー組成物を提供する
ステップと、(b)前記感光性供与基によって前記第1
の成分ポリマーを架橋又は鎖延長させるステップと、を
含むポリマーの架橋又は鎖延長方法である。
均分子量及び均一な不飽和エステル置換度を有する光硬
化可能ポリマー組成物の製造方法であって、(a)モノ
マー繰り返し単位の少なくともいくつかが少なくとも1
個の感光性供与基を有するポリマーを含む第1の成分を
提供するステップであって、前記ポリマーは1g当たり
の感光性供与基のミリ当量で測定される第1の感光性供
与基置換度を有すると共に以下の一般式からなるステッ
プと、(b)(1)又は(2)を含む第2の成分を提供
するステップであって、前記(1)は、前記第1の感光
性供与基置換度よりも小さい1g当たりの感光性供与基
のミリ当量で測定され、かつ0である場合がある第2の
感光性供与基置換度を有するポリマーであって、前記
(2)は、1分子当たり少なくとも1つの感光性供与基
を有し、1g当たりの感光性供与基のミリ当量で測定さ
れる第4の感光性供与基置換度を有する反応性稀釈剤で
あるステップと、(c)前記第1の成分及び前記第2の
成分を相対量で混合して(1)又は(2)を得るステッ
プであって、前記(1)は、前記第1の成分と第2の感
光性供与基置換度を有するポリマーとの混合物であっ
て、前記混合物は前記第1の感光性供与基置換度よりも
小さく前記第2の感光性供与基置換度よりも大きい第3
の感光性供与基置換度を有し、前記(2)は、前記第1
の成分と、1分子当たり少なくとも1つの感光性供与基
を有すると共に第4の感光性供与基置換度を有する前記
反応性稀釈剤との混合物であって、前記混合物は、前記
第1の感光性供与基置換度よりも大きく前記第4の感光
性供与基置換度よりも小さい1g当たりの感光性供与基
のミリ当量で測定される第5の感光性供与基置換度を有
し、前記混合物の重量平均分子量は約10,000〜約
50,000であり、前記第3又は前記第5の感光性供
与基置換度は混合物1g当たり感光性供与基約0.25
〜約2ミリ当量であるステップと、を含む。一般式
し単位の数を表す整数であり、Aは以下の構造式又はこ
れらの混合物であり、
方の表面上に加熱素子と端子を有するアドレス電極との
アレイが形成された下部基板に、上記構造のポリマー含
有組成物からなる層を形成するステップであって、該ポ
リマーを加熱素子及びアドレス電極を有する表面上に設
けるステップと、(b)露光領域のポリマーが架橋又は
鎖延長され、未露光領域のポリマーは架橋又は鎖延長さ
れないように、該層を化学線によって画像パターン状に
露光するステップであって、未露光領域は加熱素子及び
アドレス電極の端子を有する下部基板の領域に対応する
ステップと、(c)未露光領域のポリマーを除去し、こ
れによって層に凹部を形成するステップであって、該凹
部は加熱素子及びアドレス電極の端子を露出させるステ
ップと、(d)後でインクチャネルとして使用するため
の一式の平行な溝と、後でマニホルドとして使用するた
めの凹部とを有する上部基板を提供するステップであっ
て、該溝は、液滴放出ノズルとして機能するために一端
が解放されているステップと、(e)上部基板及び下部
基板を互いに位置合わせし、対にし、接合して、上部基
板の溝が下部基板の加熱素子と位置合わせされて液滴放
出ノズルが形成されたプリントヘッドを形成し、これに
よりサーマルインクジェットプリントヘッドを形成する
ステップと、を含むプロセスに関する。
及び均一な置換度を有する感光性供与基置換ポリマー混
合物の製造を可能にする組成物及び方法に関する。
マーから製造される。 一般式
し単位の数を表す整数であり、Aは以下の構造式又はこ
れらの混合物であり、
導体又はこれらの混合物であり、
あり、
あり、
あり、
あり、
000〜約100,000、好ましくは約1,000〜
約65,000、より好ましくは約1,000〜約4
0,000、更に好ましくは約3,000〜25,00
0であるような値であるが、重量平均分子量はこれらの
範囲外であってもよい。好ましくはnは約2〜約70の
整数であり、より好ましくは約5〜約70であり、更に
好ましくは約8〜約50であるが、nの値はこれらの範
囲外であってもよい。B基の酸素基に対してオルトの位
置に2以上の置換基が存在すると置換が困難になるかも
しれないが、フェニル基並びにA及び/又はB基は置換
されていてもよい。置換基は、感光性供与官能基をポリ
マーに配置する前にポリマーに存在していてもよいし、
感光性供与官能基の配置後にポリマーに導入してもよ
い。置換基を、感光性供与官能基の配置工程中にポリマ
ーに配置してもよい。適切な置換基の例には、好ましく
は1〜約6個の炭素原子を有する飽和、不飽和及び環状
アルキル基をはじめとするアルキル基、好ましくは1〜
約6個の炭素原子を有する飽和、不飽和及び環状の置換
アルキル基を含む置換アルキル基、好ましくは6〜約2
4個の炭素原子を有するアリール基、好ましくは6〜約
24個の炭素原子を有する置換アリール基、好ましくは
7〜約30個の炭素原子を有するアリールアルキル基、
好ましくは7〜約30個の炭素原子を有する置換アリー
ルアルキル基、好ましくは1〜約6個の炭素原子を有す
るアルコキシ基、好ましくは1〜約6個の炭素原子を有
する置換アルコキシ基、好ましくは6〜約24個の炭素
原子を有するアリーロキシ基、好ましくは6〜約24個
の炭素原子を有する置換アリーロキシ基、好ましくは7
〜約30個の炭素原子を有するアリールアルキロキシ
基、好ましくは7〜約30個の炭素原子を有する置換ア
リールアルキロキシ基、水酸基、アミン基、イミン基、
アンモニウム基、ピリジン基、ピリジニウム基、エーテ
ル基、エステル基、アミド基、カルボニル基、チオカル
ボニル基、硫酸エステル基、スルホン酸エステル基、ス
ルフィド基、スルホキシド基、ホスフィン基、ホスホニ
ウム基、リン酸エステル基、メルカプト基、ニトロソ
基、スルホン基、アシル基、酸無水物基、及びアジド基
等が含まれる(が、これらに限定はされない)。ここ
で、2以上の置換基は互いに結合して環を形成すること
ができる。また、置換アルキル基、置換アリール基、置
換アリールアルキル基、置換アルコキシ基、置換アリー
ロキシ基及び置換アリールアルキロキシ基上の置換基
は、水酸基、アミン基、イミン基、アンモニウム基、ピ
リジン基、ピリジニウム基、エーテル基、アルデヒド
基、ケトン基、エステル基、アミド基、カルボン酸基、
カルボニル基、チオカルボニル基、硫酸エステル基、ス
ルホン酸エステル基、スルフィド基、スルホキシド、ホ
スフィン基、ホスホニウム基、リン酸エステル基、シア
ノ基、ニトリル基、メルカプト基、ニトロソ基、ハロゲ
ン原子、ニトロ基、スルホン基、アシル基、酸無水物
基、アジド基、及びその混合物等である(が、これらに
限定はされない)。ここで、2以上の置換基は互いに結
合して環を形成することができる。これらの材料の製造
方法は既知であり、例えば、ハーゲンロザー(P.M. Her
genrother)のJ. Macromol. Sci. Rev. Macromol. Che
m.、C19(1)、1-34 (1980) 、ハーゲンロザー、イェンセ
ン(B.J. Jensen)及びヘブンズ(S.J. Havens)の Polym
er、29、358 (1988)、イェンセン及びハーゲンロザーの
"High Performance Polymers"、第1巻(No. 1) 31頁
(1989) 、"Effect of Molecular Weight on Poly(aryle
neether ketone) Properties" 、パーセク(V. Percec)
及びオーマン(B.C. Auman) の Makromol. Chem. 185、
2319 (1984) 、コロン(I. Colon) 及びカイアトコスキ
ー(G.T. Kwaiatkowski)の"High Molecular Weight Pol
ymers by Nickel Coupling of Aryl Polychlorides”、
J. of Polymer Science 、Part A、PolymerChemistry
、28、367 (1990)、ウエダ(M. Ueda)及びイトウ(T.
Ito) の Polymer J. 、23(4) 、297 (1991)、ヘブンズ
及びハーゲンロザーの"Ethynyl-Terminated Polyarylat
es: Synthesis and Characterization”、J. of Polyme
r Science: Polymer Chemistry Edition、22、3011 (19
84) 、ハーゲンロザーの"Ethynyl-Terminated Polysulf
ones: Synthesis and Characterization”、J. of Poly
mer Science: Polymer Chemistry Edition、20、3131
(1982) 、デュークス(K.E.Dukes)、ホーブス(M.D. Fo
rbes)、ジーバラジャン(A.S. Jeevarajan)、ベル(A.
M. Belu)、デディモン(J.M. DeDimone)、リントン(R.
W. Linton)及びシアレス(V.V. Sheares) の Macromole
cules 、29、3081 (1996) 、ホーハム(G. Hougham) 、
テソロ(G. Tesoro)及びショー(J. Shaw)の Polym. Ma
ter. Sci. Eng.、61、369 (1989)、パーセク及びオーマ
ンの Makromol. Chem. 185, 617 (1984)、マツオ(S. M
atsuo)、ヤコウ(N. Yakoh) 、チノ(S. Chino) 、ミタ
ニ(M. Mitani)及びタガミ(S. Tagami)の"Synthesis a
nd characterization of New Fluorescent Poly(arylen
e ethers)"、Journal of Polymer Science: Part A: Po
lymer Chemistry 、32、1071 (1994) 、マミオウノ(Ma
mi Ohno)、トシカズタカタ(Toshikazu Takata) 及びタ
ケシエンドウ(Takeshi Endo) の"Synthesis of aNovel
Naphthalene-Based Poly(arylene ether ketone) with
High Solubilityand Thermal Stability"、Macromolec
ules、27、3447(1994)、メルセー(F.W. Mercer)、マッ
ケンジー(M.T. Mckenzie)、メリノ(G. Merlino) 及び
フォーン(M.M. Fone)の"Synthesis and Characterizat
ion of New Aromatic Poly(ether ketones)"、J. of Ap
plied Polymer Science 、56、1397 (1995) 、ツァン
(H.C.Zhang)、チェン(T.L. Chen)、ヤン(Y.G. Yuan)
の中国特許第 CN85108751 号 (1991) 、ウー(C. Wu)、
ボー(S. Bo)、シディク(M. Siddiq)、ヤン(G. Yang)
及びチェン(T. Chen)の"Static and laser light scat
tering study of novelthermoplastics、1.Phenolpht
halein poly(aryl ether ketone)"、Macromolecules、2
9、2989 (1996) 、ウエダ(M. Ueda)、セイノ(Y. Sein
o) 、ハネダ(Y.Haneda) 、ヨネダ(M. Yoneda)及びス
ギヤマ(J.I. Sugiyama)の"Synthesis oft-Butyl-Subst
ituted Poly(ether ketone) by Nickel-Catalyzed Coup
ling Polymerization of Aromatic Dichloride"、Journ
al of Polymer Science: Part A:Polymer Chemistry 、
32、675 (1994)、パーセク、リナルディ(P.L. Rinald
i)及びオーマンの"Reaction Mechanisms: Comb-Like Po
lymers and Graft Copolymers from Macromers 2. Synt
hesis, Characterization and Homopolymerizationof a
Styrene Macromer of Poly(2,6-dimethyl-1,4-phenyle
ne Oxide) ”、Polymer Bulletin、10、397 (1983)、Ha
ndbook of Polymer Synthesis Part A、クリチェルドル
フ(Hans R. Kricheldorf)編、マルセルデッカー社、ニ
ューヨーク−バーゼル−ホンコン(1992)、並びにハリソ
ン(C.R. Harrison)、ホッジ(P. Hodge) 、ケンプ(J.
Kemp)及びペリー(G.M. Perry) の"Introduction of C
arboxyl Groups into Crosslinked Polystyrene"、Die
Makromolekulare Chemie、176,267 (1975) に開示され
る。高性能ポリマーの更なる背景は、例えば、米国特許
第2,822,351号、米国特許第3,065,20
5号、英国特許第1,060,546号、英国特許第9
71,227号、英国特許第1,078,234号、米
国特許第4,175,175号、ヨウダ(N. Yoda)及び
ヒラモト(H. Hiramoto)の J. Macromol、Sci.-Chem.、
A21(13&14) pp.1641 (1984)(東レ工業株式会社、大津、
日本) 、シリオン(B. Sillion) 及びベルデット(L. V
erdet)の"Polyimides and other High-Temperature pol
ymers"、アバディ(M.J.M. Abadie)及びシリオンにより
編集、エルゼビアサイエンス出版 B.V. (アムステルダ
ム 1991)、ジン(Q. Jin) 、ヤマシタ(T. Yamashita)
及びホリエ(K. Horie) の"Polyimides with Alicyclic
Diamines. II. Hydrogen Abstraction and Photocross
linking Reactions of Benzophenone Type Polyimide
s"、J. of Polymer Science: Part A: Polymer Chemist
ry、32、503(1994) 、 Probimide(商品名) 300、製品
公報、チバ−ガイギーマイクロエレクトロニクスケミカ
ルズ、"Photosensitive Polyimide System" 、High Per
formance Polymer and Composites 、(クロシュビッツ
(J.I. Kroschwitz)(編)、ジョンウィリー&サンズ
(ニューヨーク1991))並びにアトウッド(T.E. Atwoo
d)、バール(D.A. Barr)、キング(T.A. King)、ニュー
トン(B. Newton)及びローズ(B.J. Rose)の Polymer、
29、358(1988) に開示される。放射線硬化についての更
なる情報は、例えば、"Radiation Curing: Science and
Technology(ピータパッパス(S. Peter Pappas)編、プ
レナム出版、ニューヨーク、1992)に開示される。
クジェットプリントヘッドの層として使用される用途に
対して、光官能化ポリマーは好ましくは約3,000〜
約20,000ドルトンの重量平均分子量を有し、さら
に好ましくは約3,000〜約10,000ドルトンの
数平均分子量を有し、さらにより好ましくは約3,50
0〜約6,500の数平均分子量を有するが、分子量は
これらの範囲外でもよい。
その少なくともいくつかのモノマー繰り返し単位の中
に、化学線にさらされるとポリマーの架橋又は鎖延長を
可能にする感光性供与置換基を含む。架橋又は鎖延長を
活性化させる放射は、あらゆる所望の線源及びあらゆる
所望の波長からなることが可能であり、(これらに限定
されないが)可視光、赤外光、紫外光、電子ビーム放
射、X線放射などが挙げられる。適切な感光性供与基の
例は、アクリロイル基、メタクリロイル基、シンナモイ
ル基、クロトノイル基、エタクリロイル基、オレオイル
基、リノレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、イ
タコノイル基、シトラコノイル基、フェニルマレオイル
基、3−ヘキセン−1,6−ジカルボン酸のエステルな
どの不飽和エステル基を含む。また、アルキルカルボキ
シメチレン及びエーテル基も好適である。電子ビーム、
遠紫外線又はX線放射による画像形成などの一定の条件
下では、ハロメチル基も光活性である。エポキシ基、ア
リルエーテル基、ヒドロキシアルキル基、不飽和アンモ
ニウム、不飽和ホスホニウム及び不飽和エーテル基も好
適な光活性基である。
ポリマーは、あらゆる適切な又は所望の方法によって製
造が可能である。例えば、所望の官能基をポリマーに直
接導入することができる。あるいは、1つ又はそれより
多くの中間材料を製造することもできる。例えば、ヒド
ロキシル基、カルボキシル基、クロロメチル基などのハ
ロアルキル基、ヒドロキシメチル基などのヒドロキシア
ルキル基、アルコキシメチル基、アルキルカルボキシメ
チレン基など、ポリマー主鎖を容易に誘導できる置換基
によってポリマーの主鎖を官能基化することができる。
飽和エステル基をポリマー主鎖に配置することができ
る。例えば、ポリマーの置換は、(a)適切な不飽和酸
(アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、
エタクリル酸、オレイン酸、リノール酸、マレイン酸、
フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、フェニルマレイ
ン酸、3−ヘキセン−1,6−ジカルボン酸等)、及び
(b)ホルムアルデヒド源(即ち、ホルムアルデヒド
か、あるいは、反応条件下でホルムアルデヒドを発生す
る物質のいずれかである。ホルムアルデヒド源の例に
は、ホルムアルデヒドのほかに、パラホルムアルデヒ
ド、トリオキサン、メチラール、ジメトキシメタン等が
含まれる)と、ポリマーとを溶液中で反応させることに
よって達成できる。反応は直接酸で触媒され、ポリマー
を適切な溶媒に溶解し、触媒量のパラトルエンスルホン
酸の存在下、約105℃でホルムアルデヒド源と反応さ
せる。反応に適する溶媒の例には、1,1,2,2−テ
トラクロロエタンと、適切な加圧反応器が使用される場
合には塩化メチレンと、が含まれる。典型的には、反応
物は、ポリマー約10部、ホルムアルデヒド源約5部、
パラトルエンスルホン酸約1部、適切な酸(即ちアクリ
ル酸、、又はメタクリル酸等)約15.8部、ヒドロキ
ノンメチルエーテル約0.2部、及び1,1,2,2−
テトラクロロエタン約162部という互いに関する相対
量(重量による)で存在する。
が)一般的な反応機構は次の通りである。
は4の整数であるが、ただし、a、b、c及びdのうち
の少なくとも1つは、ポリマーの少なくともいくつかの
モノマー繰返し単位において1以上である。nはモノマ
ー繰返し単位の数を示す整数である。メタクリル酸が使
用される場合、反応は、次の点を除いて前述のように進
行する。
述のように進行する。
の、置換は一般的にランダムであり、与えられた任意の
モノマー繰返し単位は置換基を全く有さないか、1つの
置換基を有するか、あるいは2以上の置換基を有するで
あろう。最も起こり得る反応結果は、モノマー繰返し単
位が0又は1個の置換基を有することである。
あり、好ましくは約105℃であるが、温度はこの範囲
外であってもよい。典型的な反応時間は約1〜約6時間
であり、好ましくは約2〜約4時間であるが、時間はこ
れらの範囲外であってもよい。反応時間が長くなると、
一般的に、置換度が高くなる。置換度が高くなると、一
般的に、ポリマーの感光性が大きくなる。用途が異なる
場合には置換度が異なることが好ましい。置換度が高す
ぎると感度が過剰になり、その結果、材料が化学線に像
様にさらされたときに、露光及び未露光のポリマー材料
の両方が架橋又は鎖延長される。置換度が低すぎると、
結果的に不必要に長い露光時間又は不必要に高い露光エ
ネルギが必要とされるので望ましくないであろう。光パ
ターン形成可能なポリマーがサーマルインクジェットプ
リントヘッドの層として使用される用途では、置換度
(即ち、モノマー繰返し単位当たりの不飽和エステル基
の平均数)は、好ましくは約0.25〜約1.2であ
り、更に好ましくは約0.65〜約0.8であるが、置
換度はインクジェットプリントヘッド用途のためのこれ
らの範囲から外れてもよい。この置換度は、一般的に、
樹脂1g当たり約0.5〜約1.3ミリ当量の不飽和エ
ステル基に相当する。
に少なくともいくつかのハロアルキル基を不飽和エステ
ル、エーテル又はアルキルカルボキシメチレン基で置換
することによって、上記一般式のポリマーを不飽和エス
テル基、エーテル基又はアルキルカルボキシメチレン基
などの感光性供与基で置換することもできる。例えば、
ハロアルキル化ポリマーを不飽和エステル、アルコキシ
ド、又はアルキルカルボン酸塩と溶液中で反応させるこ
とによって、ハロアルキル化ポリマーを不飽和エステ
ル、エーテル又はアルキルカルボキシメチレン基で置換
することができる。適切な反応物の例には、アクリル
酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、エタクリル
酸、オレイン酸、リノール酸、マレイン酸、フマル酸、
イタコン酸、シトラコン酸、フェニルマレイン酸、及び
3−ヘキセン−1,6−ジカルボン酸等のエステル塩の
ような、適切な不飽和エステル、適切なアルコキシド又
は適切なアルキルカルボン酸塩と、周期表のIA族、II
B族、 IIIB族、IVB族、VB族、VIB族、VIIB
族、VIII B族、IB族、IIB族、 IIIA族、及びIV
A等との選択された塩が含まれ、特定の例には、アクリ
ル酸エステル、メタクリル酸エステル、ケイ皮酸エステ
ル、メトキシド及び酢酸エステル等のナトリウム、カリ
ウム、第4級アンモニウム及びホスホニウム等の塩が含
まれる。反応に適する溶媒の例には、N,N−ジメチル
アセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロ
リジノン、ジメチルホルムアミド等の極性の非プロトン
性溶媒が含まれる。典型的には、反応物は、ハロアルキ
ル化ポリマー約10部、溶媒約66.5部、及び不飽和
エステル塩約5.7部という互いに関する相対量(重量
による)で存在する。
化として説明しているが)一般的な反応機構は次の通り
である。
ンである。a、b、c、d、e、f、g、h、i、j、
k及びmはそれぞれ0、1、2、3又は4の整数である
が、ただし、i+eの和は4以下であり、j+fの和は
4以下であり、k+gの和は4以下であり、m+hの和
は4以下であり、a、b、c及びdのうちの少なくとも
1つは、ポリマーの少なくともいくつかのモノマー繰返
し単位において1以上であり、e、f、g及びhのうち
の少なくとも1つは、ポリマーの少なくともいくつかの
モノマー繰返し単位において1以上である。nは、モノ
マー繰返し単位の数を示す整数である。メタクリル酸エ
ステル塩との対応の反応では、反応は、次の点を除いて
前述のように進行する。
ル又はアルコキシド塩が反応物として使用される点を除
いて、不飽和エステル基をハロアルキル化ポリマー上に
配置するために使用される方法と類似の方法によって、
エーテル基及びアルキルカルボキシメチレン基をハロア
ルキル化ポリマー上に配置することができる。アルコキ
シド塩との対応の反応では、反応は、次の点を除いて前
述のように進行する。
炭素原子、より好ましくは1〜約15個の炭素原子、ま
た最も好ましくは1個の炭素原子を有するアルキル基で
あるものが含まれる。アルキルカルボン酸エステル塩と
の対応の反応では、反応は、次の点を除いて前述のよう
に進行する。
に好ましくは1〜約6個の炭素原子を有するアルキル基
(飽和、不飽和及び環状アルキル基を含む)、置換アル
キル基、好ましくは6〜約30個の炭素原子、更に好ま
しくは6〜約18個の炭素原子を有するアリール基、置
換アリール基、好ましくは7〜約35個の炭素原子、更
に好ましくは7〜約15個の炭素原子を有するアリール
アルキル基、又は置換アリールアルキル基である。ここ
で、置換アルキル、置換アリール及び置換アリールアル
キル基の置換基は、好ましくは1〜約6個の炭素原子を
有するアルコキシ基、好ましくは6〜約24個の炭素原
子を有するアリーロキシ基、好ましくは7〜約30個の
炭素原子を有するアリールアルキロキシ基、水酸基、ア
ミン基、イミン基、アンモニウム基、ピリジン基、ピリ
ジニウム基、エーテル基、エステル基、アミド基、カル
ボニル基、チオカルボニル基、硫酸エステル基、スルホ
ン酸エステル基、スルフィド基、スルホキシド基、ホス
フィン基、ホスホニウム基、リン酸エステル基、メルカ
プト基、ニトロソ基、スルホン基、アシル基、酸無水物
基、アジド基等でよい(が、これらに限定はされな
い)。ここで、2以上の置換基は互いに結合して環を形
成することができる。
に、不飽和エステル、エーテル及び/又はアルキルカル
ボキシメチレン基による置換度を高くすることができ、
これにより、ポリマーの感光性を大きくすることが可能
である。用途が異なる場合には、不飽和エステル、エー
テル及び/又はアルキルカルボキシメチレン基による置
換度は異なることが望ましい。置換度が高すぎると感度
が過剰になり、その結果、材料が化学線に像様にさらさ
れたときに、露光及び未露光のポリマー材料の両方が架
橋又は鎖延長される。これに反して置換度が低すぎる
と、結果的に、不必要に長い露光時間又は不必要に高い
露光エネルギが必要とされるので望ましくないであろ
う。光パターン形成可能なポリマーがサーマルインクジ
ェットプリントヘッドの層として使用される用途では、
置換度(即ち、モノマー繰返し単位当たりの不飽和エス
テル、エーテル及び/又はアルキルカルボキシメチレン
基の平均数)は、好ましくは約0.5〜約1.2であ
り、更に好ましくは約0.65〜約0.8であるが、置
換度はインクジェットプリントヘッド用途のためのこれ
らの範囲から外れてもよい。不飽和エステル、エーテル
及び/又はアルキルカルボキシメチレン基による置換の
最適量は、樹脂1g当たり約0.8〜約1.3ミリ当量
の不飽和エステル、エーテル及び/又はアルキルカルボ
キシメチレン基である。
は、不飽和エステル、エーテル及び/又はアルキルカル
ボキシメチレン置換基で置き換えることができる。反応
時間が長くなると、一般的に、不飽和エステル、エーテ
ル及び/又はアルキルカルボキシメチレン置換基による
ハロアルキル基の置換度が大きくなる。
り、好ましくは約25℃であるが、温度はこの範囲外で
あってもよい。典型的な反応時間は約30分〜約15日
であり、好ましくは約2時間〜約2日であるが、時間は
これらの範囲外であってもよい。反応時間は、アドゲン
(Adogen)464(アルドリッチケミカル社(Aldrich
Chemical Co.) 、ウィスコンシン州、ミルウォーキー又
はアシュランドオイル社(Ashland Oil Co.)から入手で
きる)、又は長鎖の第4級アンモニウムクロリド塩等の
触媒の使用により短縮することができる。アドゲン46
4は樹脂固体に関して約0.4重量%で使用され、この
触媒は、結果的に、反応速度を2倍にする。アドゲン4
64は、水及びメタノールで数回洗浄した後でも生成物
から除去するのが困難なことがある。従って、この触媒
は、濁ったホトレジスト溶液をもたらすことがある。反
応は、0.4重量%の水の添加により僅かに促進され、
同量のメタノールの添加により抑制される。
ル塩等の不飽和アルコール塩と溶液中で反応させること
によって、ハロアルキル化ポリマーをアリルエーテルで
置換するか又はエポキシ化することができる。適切な不
飽和アルコール塩及びアリルアルコール塩の例には、ナ
トリウム2−アリルフェノラート、ナトリウム4−アリ
ルフェノラート、ナトリウムアリルアルコラート、並び
にリチウム、カリウム、セシウム、ルビジウム、アンモ
ニウム、第4級アルキルアンモニウム化合物の対応の塩
が含まれる。不飽和アルコール塩は、アルコールと水素
化ナトリウムや水酸化ナトリウム等の塩基との反応によ
り生じる。塩は約25℃と約100℃の間で、ハロアル
キル基のハロゲン化物を置換する。反応に適する溶媒の
例には、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
ホキシド、N−メチルピロリジノン、ジメチルホルムア
ミド、及びテトラヒドロフラン等の極性の非プロトン性
溶媒が含まれる。典型的には、反応物は、置換されるべ
きハロアルキル基につき不飽和アルコール塩約1〜約5
0モル当量という互いに関する相対量で存在するが、相
対量はこの範囲外であってもよい。典型的には、反応物
は、溶液中に固形分約5〜約50重量%、好ましくは固
形分約10重量%の量で存在するが、相対量はこの範囲
外であってもよい。
あり、好ましくは約25〜約50℃であるが、温度はこ
れらの範囲外であってもよい。典型的な反応時間は約4
〜約24時間であり、好ましくは約16時間であるが、
時間はこの範囲外であってもよい。
コラート塩を用いて説明しているが)一般的な反応機構
は次の通りである。
ンである。a、b、c、d、e、f、g、h、i、j、
k及びmはそれぞれ0、1、2、3又は4の整数である
が、ただし、i+eの和は4以下であり、j+fの和は
4以下であり、k+gの和は4以下であり、m+hの和
は4以下であり、a、b、c及びdのうちの少なくとも
1つは、ポリマーの少なくともいくつかのモノマー繰返
し単位において1以上であり、e、f、g及びhのうち
の少なくとも1つは、ポリマーの少なくともいくつかの
モノマー繰返し単位において少なくとも1である。nは
モノマー繰返し単位の数を示す整数である。2−アリル
フェノラート塩との対応の反応では、反応は、次の点を
除いて前述のように進行する。
反応に適する。あるいは、アリルエーテル置換ポリマー
(又は不飽和エーテル置換ポリマー)は、エポキシ化ポ
リマーの合成で中間体として使用できる。このアリルエ
ーテル又は不飽和エーテル置換された中間生成物を、そ
の後、過酸化水素、m−クロロペルオキシ安息香酸、及
び過酸化アセチル等の過酸化物やその混合物と反応させ
て、エポキシ化ポリマーを生成する。典型的には、反応
物は、過酸化物とエポキシド基へ転換されることが所望
される不飽和基の数とがほぼ同等のモル量から、過酸化
物が10〜100モル%過剰という、互いに関する相対
量で存在する。反応は、架橋を防止するために、固形分
約1重量%以下の希薄溶液中で生じるのが好ましい。
しているが)一般的な反応機構は次の通りである。
及びsはそれぞれ0、1、2、3又は4の整数である
が、ただし、a+e+pの和は4以下であり、b+f+
qの和は4以下であり、c+g+rの和は4以下であ
り、d+h+sの和は4以下であり、p、q、r及びs
のうちの少なくとも1つは、ポリマーの少なくともいく
つかのモノマー繰返し単位において1以上であり、nは
モノマー繰返し単位の数を示す整数である。
は、アリルエーテル又はエポキシ置換基で置き換えるこ
とができる。反応時間が長くなると、一般的に、アリル
エーテル又はエポキシ置換基によるハロアルキル基の置
換度が大きくなる。1つの好ましい実施の形態では、ハ
ロアルキル基の幾つかはポリマー上に残存する(即ち、
a、b、c又はdのうちの少なくとも1つは、ポリマー
の少なくともいくつかのモノマー繰返し単位において、
少なくとも1である)。この実施の形態では、所望され
るなら、ハロアルキル基を例えば不飽和エステル基など
へ転換させるためにポリマーを更に反応させてもよい。
るための典型的な反応温度は、約0〜約50℃であり、
好ましくは約0〜約25℃であるが、温度はこれらの範
囲外であってもよい。典型的な反応時間は約1〜約24
時間であり、好ましくは約4〜約16時間であるが、時
間はこれらの範囲外であってもよい。この反応のための
典型的な溶媒には、塩化メチレン、クロロホルム、及び
四塩化炭素等がある。
下で、(不飽和アルコール塩又はエポキシ基含有アルコ
ール塩に対して)水素化ナトリウム、水酸化ナトリウ
ム、炭酸カリウム、又は第4級アルキルアンモニウム塩
等の過剰モルの塩基の存在下、ハロアルキル化ポリマー
と、グリシドラート塩等のエポキシ基含有アルコール塩
や上記で説明したような不飽和アルコール塩と、の反応
によっても調製することができる。適切なグリシドラー
ト塩の例には、ナトリウムグリシドラートが含まれる。
典型的には、反応物は、アルコールとエポキシド基への
転換が所望される不飽和基の数とがほぼ同等のモル量と
いう互いに関する相対量で存在する。典型的には、反応
物は固形分約1〜約10重量%の量で溶液中に存在する
が、他の濃度が使用されてもよい。水酸化ナトリウム及
び炭酸カリウム等の塩基との反応は、典型的には、約2
5〜約100℃で起こる。グリシドール又は不飽和アル
コールと水素化ナトリウムの反応は、一般に氷浴温度で
生じる。典型的な反応時間は約16時間であるが、他の
時間が用いられてもよい。適切な溶媒の例には、ジメチ
ルアセトアミド、テトラヒドロフラン、及びその混合物
等が含まれる。
基を、グリニャール反応やウィッティヒ反応等の他の方
法によって、ハロアルキル化ポリマー上に配置すること
もできる。
一般式で表される不飽和アミン、ホスフィン又はアルコ
ールとを反応させることによって、ハロアルキル化ポリ
マーを、感光性を供与する水溶性強化(又は水分散性強
化)基で置換することができる。一般式
はそれぞれ独立して、水素原子、好ましくは1〜約30
個の炭素原子、更に好ましくは1〜約8個の炭素原子、
最も好ましくは1又は2個の炭素原子を有する飽和、不
飽和及び環状アルキル基をはじめとするアルキル基、好
ましくは1〜約30個の炭素原子、更に好ましくは1〜
約8個の炭素原子、最も好ましくは1又は2個の炭素原
子を有する置換アルキル基、好ましくは6〜約30個の
炭素原子、更に好ましくは6〜約18個の炭素原子、最
も好ましくは6個の炭素原子を有するアリール基、好ま
しくは6〜約30個の炭素原子、更に好ましくは6〜約
18個の炭素原子、最も好ましくは6個の炭素原子を有
する置換アリール基、好ましくは7〜約30個の炭素原
子、更に好ましくは7〜約19個の炭素原子、最も好ま
しくは7〜約14個の炭素原子を有するアリールアルキ
ル基、又は、好ましくは7〜約30個の炭素原子、更に
好ましくは7〜約19個の炭素原子、最も好ましくは7
〜約14個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基
である(が、これに限定はされない)。ここで、R1 及
びR2 は結合して環を形成することができる。R3 は、
好ましくは1〜約30個の炭素原子、更に好ましくは1
〜約8個の炭素原子、最も好ましくは1又は2個の炭素
原子を有する飽和、不飽和及び環状アルキル基をはじめ
とするアルキル基、好ましくは1〜約30個の炭素原
子、更に好ましくは1〜約8個の炭素原子、最も好まし
くは1又は2個の炭素原子を有する置換アルキル基、好
ましくは6〜約30個の炭素原子、更に好ましくは6〜
約18個の炭素原子、最も好ましくは6個の炭素原子を
有するアリール基、好ましくは6〜約30個の炭素原
子、更に好ましくは6〜約18個の炭素原子、最も好ま
しくは6個の炭素原子を有する置換アリール基、好まし
くは7〜約30個の炭素原子、更に好ましくは7〜約1
9個の炭素原子、最も好ましくは7〜約14個の炭素原
子を有するアリールアルキル基、又は、好ましくは7〜
約30個の炭素原子、更に好ましくは7〜約19個の炭
素原子、最も好ましくは7〜約14個の炭素原子を有す
る置換アリールアルキル基である(が、これに限定はさ
れない)。R4 、R5 及びR 6 はそれぞれ独立して、水
素原子、好ましくは1〜約30個の炭素原子、更に好ま
しくは1〜約8個の炭素原子、最も好ましくは1又は2
個の炭素原子を有する飽和、不飽和及び環状アルキル基
をはじめとするアルキル基、好ましくは1〜約30個の
炭素原子、更に好ましくは1〜約8個の炭素原子、最も
好ましくは1又は2個の炭素原子を有する置換アルキル
基、好ましくは6〜約30個の炭素原子、更に好ましく
は6〜約18個の炭素原子、最も好ましくは6個の炭素
原子を有するアリール基、好ましくは6〜約30個の炭
素原子、更に好ましくは6〜約18個の炭素原子、最も
好ましくは6個の炭素原子を有する置換アリール基、好
ましくは7〜約30個の炭素原子、更に好ましくは7〜
約19個の炭素原子、最も好ましくは7〜約14個の炭
素原子を有するアリールアルキル基、又は、好ましくは
7〜約30個の炭素原子、更に好ましくは7〜約19個
の炭素原子、最も好ましくは7〜約14個の炭素原子を
有する置換アリールアルキル基であり、最も好ましいの
は水素原子である。ここで、R4 、R5 及びR6 のうち
の2以上が互いに結合して環を形成することができる。
R7 及びR8 はそれぞれ独立して、水素原子、好ましく
は1〜約30個の炭素原子、更に好ましくは1〜約8個
の炭素原子、最も好ましくは1又は2個の炭素原子を有
する飽和、不飽和及び環状アルキル基をはじめとするア
ルキル基、好ましくは1〜約30個の炭素原子、更に好
ましくは1〜約8個の炭素原子、最も好ましくは1又は
2個の炭素原子を有する置換アルキル基、好ましくは6
〜約30個の炭素原子、更に好ましくは6〜約18個の
炭素原子、最も好ましくは6個の炭素原子を有するアリ
ール基、好ましくは6〜約30個の炭素原子、更に好ま
しくは6〜約18個の炭素原子、最も好ましくは6個の
炭素原子を有する置換アリール基、好ましくは7〜約3
0個の炭素原子、更に好ましくは7〜約19個の炭素原
子、最も好ましくは7〜約14個の炭素原子を有するア
リールアルキル基、又は、好ましくは7〜約30個の炭
素原子、更に好ましくは7〜約19個の炭素原子、最も
好ましくは7〜約14個の炭素原子を有する置換アリー
ルアルキル基である(が、これに限定はされない)。置
換アルキル基、置換アリール基及び置換アリールアルキ
ル基の適切な置換基の例は、水酸基、アミン基、イミン
基、アンモニウム基、ピリジン基、ピリジニウム基、エ
ーテル基、アルデヒド基、ケトン基、エステル基、アミ
ド基、カルボン酸基、カルボニル基、チオカルボニル
基、硫酸エステル基、スルホン酸エステル基、スルフィ
ド基、スルホキシド基、ホスフィン基、ホスホニウム
基、リン酸エステル基、シアノ基、ニトリル基、メルカ
プト基、ニトロソ基、ハロゲン原子、ニトロ基、スルホ
ン基、アシル基、酸無水物基、アジド基、及びその混合
物等である(が、これに限定はされない)。ここで、2
以上の置換基は互いに結合して環を形成することができ
る。あるいは、R3 及びXの組合せは、次式の基であっ
てもよい。
り、yは1〜約50、好ましくは1〜約20の整数であ
る。R及びR′はそれぞれ独立して、水素原子、好まし
くは1〜2個の炭素原子を有するアルキル基等である
(が、これに限定はされない)。これらの式の適切な反
応物の例には、メタクリル酸N,N−ジメチルエチル、
アクリル酸N,N−ジメチルエチル、及び次式の化合物
等が含まれる。
数である。反応に適切な溶媒の例には、N,N−ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピ
ロリジノン、ジメチルホルムアミド等の極性の非プロト
ン性溶媒が含まれる。典型的には、反応物は、ハロアル
キル化ポリマー約10重量部、溶媒約23重量部、及び
不飽和アミン、ホスフィン又はアルコール約0.1〜約
5.5重量部という互いに関する相対量で存在する。
の反応について説明しているが)不飽和アンモニウム又
はホスホニウム基をポリマーに配置するための一般的な
反応機構は、次の通りである。
及びmはそれぞれ0、1、2、3又は4の整数である
が、ただし、i+eの和は4以下であり、j+fの和は
4以下であり、k+gの和は4以下であり、m+hの和
は4以下であり、a、b、c及びdのうちの少なくとも
1つは、ポリマーの少なくともいくつかのモノマー繰返
し単位において1以上であり、e、f、g及びhのうち
の少なくとも1つは、ポリマーの少なくともいくつかの
モノマー繰返し単位において少なくとも1である。nは
モノマー繰返し単位の数を示す整数である。
は、感光性供与、水溶性向上(又は水分散性向上)置換
基で置き換えることができる。反応時間が長くなると、
一般的に、感光性供与、水溶性向上(又は水分散性向
上)置換基によるハロアルキル基の置換度が大きくな
る。
り、好ましくは約10〜約25℃であるが、温度はこれ
らの範囲外であってもよい。典型的な反応時間は約1〜
約16時間であり、好ましくは約1〜約4時間である
が、時間はこれらの範囲外であってもよい。
ーを2つの異なる官能基で置換する。このうちの一方は
感光性をポリマーに供与し、もう一方は水溶性又は水分
散性をポリマーに供与する。どちらかの置換基がまずポ
リマー上に配置され、次に他の置換基を配置する反応が
行われる。いくつかの例では、まず不飽和エステル基等
の感光性供与基を配置することが好まれる。何故なら、
次に行われる感光性供与基の置換度の測定は、水溶性供
与基又は水分散性供与基等の他の置換基が存在しないほ
うが容易だからである。適切な水溶性向上基又は水分散
性向上基でポリマーを置換するためにポリマーと反応さ
せる反応物の例には、第3級アミン、第3級ホスフィ
ン、アルキルチオエーテルが含まれる。第3級アミンは
式(I)の一般式で表され、式(II)の一般式で表され
る第4級アンモニウム基をポリマーに付加する。第3級
ホスフィンは式(III)の一般式で表され、式(IV)の一
般式で表される第4級ホスホニウム基をポリマーに付加
する。アルキルチオエーテルは式(V)の一般式で表さ
れ、式(VI) の一般式で表されるスルホニウム基をポリ
マーに付加する。
的には1〜約30個の炭素原子を有するアルキル基、置
換アルキル基、典型的には6〜約18個の炭素原子を有
するアリール基、置換アリール基、典型的には7〜約1
9個の炭素原子を有するアリールアルキル基、及び置換
アリールアルキル基である(が、これに限定はされな
い)。Xはフッ素、塩素、臭素、又はヨウ素等のハロゲ
ン原子を示す。
的には1〜約30個の炭素原子を有するアルキル基、置
換アルキル基、典型的には6〜約18個の炭素原子を有
するアリール基、置換アリール基、典型的には7〜約1
9個の炭素原子を有するアリールアルキル基、及び置換
アリールアルキル基である(が、これに限定はされな
い)。Xはフッ素、塩素、臭素、又はヨウ素等のハロゲ
ン原子を示す。
1〜約6個の炭素原子、好ましくは1個の炭素原子を有
するアルキル基及び置換アルキル基である(が、これに
限定はされない)。Xはフッ素、塩素、臭素、又はヨウ
素等のハロゲン原子を示す。ここで、置換アルキル、置
換アリール及び置換アリールアルキル基の置換基は、水
酸基、アミン基、イミン基、アンモニウム基、ピリジン
基、ピリジニウム基、エーテル基、アルデヒド基、ケト
ン基、エステル基、アミド基、カルボン酸基、カルボニ
ル基、チオカルボニル基、硫酸エステル基、スルホン酸
エステル基、スルフィド基、スルホキシド基、ホスフィ
ン基、ホスホニウム基、リン酸エステル基、シアノ基、
ニトリル基、メルカプト基、ニトロソ基、ハロゲン原
子、ニトロ基、スルホン基、アシル基、酸無水物基、ア
ジド基、及びその混合物等である(が、これに限定はさ
れない)。ここで、2以上の置換基は互いに結合して環
を形成することができる。
与置換基は、任意の適切な又は所望される方法でポリマ
ー上に配置することができる。例えば、2当量の求核試
薬(アミン、ホスフィン又はチオエーテル)を、ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピ
ロリジノン、ジメチルホルムアミド等の極性の非プロト
ン性溶媒中で、1当量のハロアルキル化ポリマーと25
℃で反応させる。反応物は固形分約30重量%の濃度で
溶媒中に存在する。反応時間は典型的には約1〜約24
時間であり、2時間が典型的である。
基は、次式の基のように非イオン性であってもよい。 −〔(CRR′)x O〕y R″ ここで、xは1〜約6、好ましくは1〜約3の整数であ
り、yは1〜約50、好ましくは1〜約20の整数であ
る。R、R′及びR″はそれぞれ独立して、水素原子、
好ましくは1〜2個の炭素原子を有するアルキル基、置
換アルキル基、好ましくは6〜約12個の炭素原子を有
するアリール基、置換アリール基、好ましくは7〜約1
3個の炭素原子を有するアリールアルキル基、及び置換
アリールアルキル基等である(が、これに限定はされな
い)。ここで、置換アルキル、置換アリール及び置換ア
リールアルキル基の置換基は、水酸基、アミン基、イミ
ン基、アンモニウム基、ピリジン基、ピリジニウム基、
エーテル基、アルデヒド基、ケトン基、エステル基、ア
ミド基、カルボン酸基、カルボニル基、チオカルボニル
基、硫酸エステル基、スルホン酸エステル基、スルフィ
ド基、スルホキシド基、ホスフィン基、ホスホニウム
基、リン酸エステル基、シアノ基、ニトリル基、メルカ
プト基、ニトロソ基、ハロゲン原子、ニトロ基、スルホ
ン基、アシル基、酸無水物基、アジド基、及びその混合
物等である(が、これに限定はされない)。ここで、2
以上の置換基は互いに結合して環を形成することができ
る。この式の置換基は、例えば、約80℃で約16時
間、少なくとも約2当量の水酸化ナトリウム又は少なく
とも約1当量の水素化ナトリウム等の塩基の存在下、テ
トラヒドロフラン、ジメチルアセトアミド、ジメチルス
ルホキシド、N−メチルピロリジノン、ジメチルホルム
アミド等の極性の非プロトン性溶媒中で、約2〜約10
ミリ当量の−〔(CRR′)x O〕y R″基の塩(アル
カリ金属塩等)を1当量のハロアルキル化ポリマーと反
応させることによってポリマー上に配置できる。ポリエ
ーテル鎖が長くなると、ポリマーに供与される親水性特
性が大きくなる傾向がある。ポリエーテル鎖を有するポ
リ(塩化ビニルベンジルクロリド)ポリマーの置換は、
例えば、特開昭53−79833号及び Chem. Abstr.
、89、180603(1978)に更に詳細に開示
されており、これらの開示内容は本文中に全て援用され
て、本発明の一部とする。
に、水溶性供与基又は水分散性供与基による置換度を高
くすることが可能である。用途が異なる場合には置換度
が異なることが好ましい。置換度(即ち、モノマー繰返
し単位当たりの水溶性供与基又は水分散性供与基の平均
数)は、典型的には約0.25〜約4.0であり、好ま
しくは約0.5〜約2であるが、置換度はこれらの範囲
外であってもよい。最適な置換量は、樹脂1g当たり約
0.8〜約2ミリ当量の水溶性供与基又は水分散性供与
基であり、好ましくは樹脂1g当たり約1〜約1.5ミ
リ当量の水溶性供与基又は水分散性供与基である。
ドと水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシ
ウム、水酸化アンモニウム、水酸化テトラメチルアンモ
ニウム等の塩基とを溶液中でポリマーと反応させること
によって、上記構造式のポリマーのヒドロキシメチル化
を達成することができる。ポリマーを、1,1,2,2
−テトラクロロエタン等の適切な溶媒に溶解し、ホルム
アルデヒド又はパラホルムアルデヒドと反応させる。反
応に適する溶媒の例には、1,1,2,2−テトラクロ
ロエタン及び塩化メチレン(適切な加圧反応器が使用さ
れれば)が含まれる。典型的には、反応物は、パラホル
ムアルデヒド約44.5重量部又はホルムアルデヒド3
7重量部、塩基約1重量部、1,1,2,2−テトラク
ロロエタン約200重量部、及びポリマー約100重量
部という相対量で存在する。
は4の整数であるが、ただし、a、b、c及びdのうち
の少なくとも1つは、ポリマーの少なくともいくつかの
モノマー繰返し単位において1以上である。nはモノマ
ー繰返し単位の数を示す整数である。置換基はB基に対
して選択性を示し、またB基の酸素のオルトの位置に対
して特別の選択性を示すことが多いが、置換は一般的に
ランダムであり、与えられた任意のモノマー繰返し単位
はヒドロキシメチル置換基を全く有さないか、1つのヒ
ドロキシメチル置換基を有するか、あるいは2以上のヒ
ドロキシメチル置換基を有する。最も一般的には、各芳
香環は、ヒドロキシメチル基を全く有さないか、1つの
ヒドロキシメチル基を有するかのいずれかであろう。
あり、好ましくは約85〜約110℃であるが、温度は
これらの範囲外であってもよい。典型的な反応時間は約
4〜約24時間であり、好ましくは約4〜約6時間であ
るが、時間はこれらの範囲外であってもよい。反応時間
が長くなると、一般的に、ヒドロキシメチル化の度合い
が高くなる。用途が異なる場合にはヒドロキシメチル化
度が異なることが好ましい。置換度が高すぎると感度が
過剰になり、その結果、材料が化学線に像様にさらされ
たときに、露光及び未露光のポリマー材料の両方が架橋
又は鎖延長される。これに反して置換度が低すぎると、
結果的に不必要に長い露光時間又は不必要に高い露光エ
ネルギーが必要とされるので望ましくないであろう。光
パターン形成可能ポリマーがサーマルインクジェットプ
リントヘッドの層として使用される用途では、置換度
(即ち、モノマー繰返し単位当たりのヒドロキシメチル
基の平均数)は、好ましくは約0.25〜約2.0であ
り、更に好ましくは約0.5〜約0.8であるが、置換
度はインクジェットプリントヘッド用途のためのこれら
の範囲から外れてもよい。この置換量は、樹脂1g当た
り約0.8〜約1.3ミリ当量のヒドロキシメチルに相
当する。
ルキル化誘導体を調製した後、少なくともいくつかのハ
ロアルキル基をヒドロキシアルキル基で置き換えること
によって、ヒドロキシアルキル化できる。例えば、ハロ
アルキル化ポリマーは、ハロアルキル化ポリマーのアル
カリ加水分解によりヒドロキシアルキル化できる。水酸
基はポリマーのハロアルキル基のハライド原子に取って
代わる。従って、ハロアルキル基の炭素原子の数は、一
般的に、ヒドロキシアルキル基の炭素原子の数と一致す
る。適切な反応物の例には、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、水酸化カルシウム、水酸化アンモニウム、水
酸化テトラブチルアンモニウムのような水酸化テトラア
ルキルアンモニウム等が含まれる。反応に適する溶媒の
例には、1,1,2,2−テトラクロロエタン、塩化メ
チレン及び水が含まれる。典型的には、反応物は、ハロ
アルキル化ポリマー約13.8重量部、溶媒約50重量
部、及び塩基(水に23部の水酸化テトラブチルアンモ
ニウムを含む)約30.6重量部という互いに関する相
対量で存在する。透明溶液が得られた後、30mlの水
酸化ナトリウム(50%水溶液)を添加する。約25℃
で16時間後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾
燥させ、メタノール(1ガロン)に注いでポリマーを沈
殿させる。
ているが)一般的な反応機構は次の通りである。
及びmはそれぞれ0、1、2、3又は4の整数である
が、ただし、i+eの和は4以下であり、j+fの和は
4以下であり、k+gの和は4以下であり、m+hの和
は4以下であり、a、b、c及びdのうちの少なくとも
1つは、ポリマーの少なくともいくつかのモノマー繰返
し単位において1以上であり、e、f、g及びhのうち
の少なくとも1つは、ポリマーの少なくともいくつかの
モノマー繰返し単位において少なくとも1である。nは
モノマー繰返し単位の数を示す整数である。
に、ヒドロキシアルキル基による置換度が高くなり、こ
れにより、ポリマーの感光性を大きくすることが可能で
ある。用途が異なる場合には置換度が異なることが好ま
しい。置換度が高すぎると感度が過剰になり、その結
果、材料が化学線に像様にさらされたときに、露光及び
未露光のポリマー材料の両方が架橋又は鎖延長される。
これに反して置換度が低すぎると、結果的に不必要に長
い露光時間又は不必要に高い露光エネルギーが必要とさ
れるので望ましくないであろう。光パターン形成可能ポ
リマーがサーマルインクジェットプリントヘッドの層と
して使用される用途では、置換度(即ち、モノマー繰返
し単位当たりのヒドロキシアルキル基の平均数)は、好
ましくは約0.25〜約2.0であり、更に好ましくは
約0.5〜約0.8であるが、置換度はインクジェット
プリントヘッド用途のためのこれらの範囲から外れても
よい。置換の最適量は、樹脂1g当たり約0.8〜約
1.3ミリ当量のヒドロキシアルキル基である。
は、ヒドロキシアルキル置換基で置き換えることができ
る。反応時間が長くなると、一般的に、ヒドロキシアル
キル置換基によるハロアルキル基の置換度が大きくな
る。
あり、好ましくは約25〜約50℃であるが、温度はこ
の範囲外であってもよい。典型的な反応時間は約1〜約
24時間であり、好ましくは約10〜約16時間である
が、時間はこれらの範囲外であってもよい。
間誘導体を製造することも可能である。例えば、ポリマ
ーをハロアルキル化する好適な方法として、一般的にル
イス酸触媒の存在下でホルムアルデヒド及び塩酸、ビス
クロロメチルエーテル、クロロメチルメチルエーテル、
オクチルクロロメチルエーテルなどをポリマーと反応さ
せることが挙げられる。ポリマーのメチル基の臭素化
は、例えば過酸化物開始剤又は光によって開始されるフ
リーラジカルプロセスにより、元素臭素を用いて達成す
ることができる。例えば、適切なハロゲン化水素酸又は
ハロゲン化物塩との反応によって、ハロゲン原子は既に
ハロメチル基上にある他のハロゲンと置換させることが
できる。ポリマーをハロアルキル化する方法は、例えば
デイリーら(W. H. Daly et al.)の "Chloromethylatio
n of Condensation Polymers Containing an Oxy-1,4-P
henylene Backbone"、Polymer Preprints 、第20巻、
第1号、835(1979) にも開示されており、この開示内容
は本明細書中に全て援用されて、本発明の一部とする。
1つの特定の方法は、次の一般式で表されるようなハロ
ゲン含有ルイス酸触媒の存在下、塩化アセチル等のハロ
ゲン化アセチル及びジメトキシメタンとポリマーを反応
させることを必要とする。
ホウ素原子、又はスズ、アルミニウム、亜鉛、アンチモ
ン、鉄(III )、ガリウム、インジウム、ヒ素、水銀、
銅、白金、パラジウム等の金属原子である。Xはフッ
素、塩素、臭素又はヨウ素のようなハロゲン原子を示
す。特定の例には、SnCl4 、AlCl3 、ZnCl
2 、AlBr3 、BF3 、SbF5 、FeI3 、GaB
r3 、InCl 3 、AsI5 、HgBr2 、CuCl、
PdCl2 、PtBr2 等が含まれる。ハロアルキル化
ポリマーの架橋を避けるために注意が払われなければな
らない。典型的には、反応物は、ハロゲン化アセチル約
35.3重量部、ジメトキシメタン約37重量部、メタ
ノール約1.2重量部、ルイス酸触媒約0.3重量部、
1,1,2,2−テトラクロロエタン約446重量部、
及びポリマー約10〜20重量部という相対量で存在す
る。1,1,2,2−テトラクロロエタンは適切な反応
溶媒である。ジクロロメタンは沸点が低く、従って、適
切な加圧装置が使用されない限りこの溶媒中では反応は
遅い。
好ましくは1〜約11個の炭素原子を有する飽和、不飽
和及び環状アルキル基をはじめとするアルキル基、好ま
しくは1〜約11個の炭素原子を有する置換アルキル
基、好ましくは6〜約11個の炭素原子を有するアリー
ル基、好ましくは6〜約11個の炭素原子を有する置換
アリール基、好ましくは7〜約11個の炭素原子を有す
るアリールアルキル基、及び好ましくは7〜約11個の
炭素原子を有する置換アリールアルキル基等である
(が、これに限定はされない)。得られる物質は次の一
般式で表される。
は、好ましくは1〜約11個の炭素原子、より好ましく
は1〜約5個の炭素原子、更に好ましくは1〜約3個の
炭素原子、最も好ましくは1個の炭素原子を有する飽
和、不飽和、線状、分枝、及び環状アルキル基をはじめ
とするアルキル基、置換アルキル基、好ましくは7〜約
29個の炭素原子、より好ましくは7〜約17個の炭素
原子、更に好ましくは7〜約13個の炭素原子、最も好
ましくは7〜約9個の炭素原子を有するアリールアルキ
ル基、又は、置換アリールアルキル基である。Xはフッ
素、塩素、臭素又はヨウ素のようなハロゲン原子であ
る。a、b、c及びdはそれぞれ0、1、2、3又は4
の整数であるが、ただし、a、b、c及びdのうちの少
なくとも1つは、ポリマーの少なくともいくつかのモノ
マー繰返し単位において1以上である。nはモノマー繰
返し単位の数を示す整数である。置換アルキル基、置換
アリール及び置換アリールアルキル基の適切な置換基の
例には、好ましくは1〜約6個の炭素原子を有する飽
和、不飽和、線状、分枝及び環状アルキル基をはじめと
するアルキル基、好ましくは1〜約6個の炭素原子を有
する置換アルキル基、好ましくは6〜約24個の炭素原
子を有するアリール基、好ましくは6〜約24個の炭素
原子を有する置換アリール基、好ましくは7〜約30個
の炭素原子を有するアリールアルキル基、好ましくは7
〜約30個の炭素原子を有する置換アリールアルキル
基、好ましくは1〜約6個の炭素原子を有するアルコキ
シ基、好ましくは1〜約6個の炭素原子を有する置換ア
ルコキシ基、好ましくは6〜約24個の炭素原子を有す
るアリーロキシ基、好ましくは6〜約24個の炭素原子
を有する置換アリーロキシ基、好ましくは7〜約30個
の炭素原子を有するアリールアルキロキシ基、好ましく
は7〜約30個の炭素原子を有する置換アリールアルキ
ロキシ基、アミン基、イミン基、アンモニウム基、ピリ
ジン基、ピリジニウム基、エーテル基、エステル基、ア
ミド基、カルボニル基、チオカルボニル基、硫酸エステ
ル基、スルホン酸エステル基、スルフィド基、スルホキ
シド基、ホスフィン基、ホスホニウム基、リン酸エステ
ル基、メルカプト基、ニトロソ基、スルホン基、アシル
基、酸無水物基、アジド基、等が含まれる(が、これに
限定はされない)。ここで、置換アルキル基、置換アリ
ール基、置換アリールアルキル基、置換アルコキシ基、
置換アリーロキシ基、及び置換アリールアルキロキシ基
の置換基は、水酸基、アミン基、イミン基、アンモニウ
ム基、ピリジン基、ピリジニウム基、エーテル基、アル
デヒド基、ケトン基、エステル基、アミド基、カルボン
酸基、カルボニル基、チオカルボニル基、硫酸エステル
基、スルホン酸エステル基、スルフィド基、スルホキシ
ド基、ホスフィン基、ホスホニウム基、リン酸エステル
基、シアノ基、ニトリル基、メルカプト基、ニトロソ
基、ハロゲン原子、ニトロ基、スルホン基、アシル基、
酸無水物基、アジド基、及びその混合物等である(が、
これに限定はされない)。ここで、2以上の置換基は互
いに結合して環を形成することができる。置換基はB基
に対して選択性を示すことが多いが、置換は一般的にラ
ンダムであり、与えられた任意のモノマー繰返し単位は
ハロアルキル置換基を全く有さないか、1つのハロアル
キル置換基を有するか、あるいは2以上のハロアルキル
置換基を有する。ここで、a、b、c及びdはそれぞれ
0、1、2、3又は4の整数であるが、ただし、a、
b、c及びdのうちの少なくとも1つは、ポリマーの少
なくともいくつかのモノマー繰返し単位において1以上
である。nはモノマー繰返し単位の数を示す整数であ
る。置換基はB基に対して選択性を示すことが多いが、
置換は一般的にランダムであり、与えられた任意のモノ
マー繰返し単位はハロアルキル置換基を全く有さない
か、1つのハロアルキル置換基を有するか、あるいは2
以上のハロアルキル置換基を有する。
あり、好ましくは約80〜約110℃であるが、温度は
これらの範囲外であってもよい。典型的な反応時間は約
1〜約10時間であり、好ましくは約2〜約4時間であ
るが、時間はこれらの範囲外であってもよい。反応時間
が長くなると、一般的に、ハロアルキル化の度合いが高
くなる。不飽和エステル基等の光活性基で置換されたポ
リマーの合成で中間物質としてハロアルキル化ポリマー
が使用される場合、ハロアルキル化度が高くなると、一
般的に、光活性基による置換度を高くでき、これによ
り、ポリマーの感光性を大きくすることが可能である。
用途が異なる場合にはハロアルキル化度が異なることが
好ましい。不飽和エステル基で置換されたポリマーの合
成で材料が中間体として使用される場合、置換度が高す
ぎると感度が過剰になり、その結果、材料が化学線に像
様にさらされたときに、露光及び未露光のポリマー材料
の両方が架橋又は鎖延長される。これに反して置換度が
低すぎると、結果的に不必要に長い露光時間又は不必要
に高い露光エネルギーが必要とされるので望ましくない
であろう。光パターン形成可能ポリマーがサーマルイン
クジェットプリントヘッドの層として使用される用途で
は、置換度(即ち、モノマー繰返し単位当たりの不飽和
エステル基の平均数)は、好ましくは約0.5〜約1.
2であり、更に好ましくは約0.7〜約0.8である
が、置換度はインクジェットプリントヘッド用途のため
のこれらの範囲から外れてもよい。また、電子ビームや
遠紫外光等のエネルギー源が使用される場合には、ハロ
メチル化ポリマーをそれ自身の資質によりホトレジスト
として使用することができる。
リマー合成の化学量論によって選択できる。例えば、
N,N−ジメチルアセトアミド中で炭酸カリウムの存在
下、4,4′−ジクロロベンゾフェノンとビスフェノー
ルAの反応によってポリマーを調製する場合、ビスフェ
ノールAが約7.5〜8モル%過剰に存在すれば、得ら
れるポリマーは一般的にビスフェノールA末端であり
(ここでビスフェノールA部分は1以上の水酸基を有し
てもよいし、有さなくてもよい)、得られるポリマー
は、典型的には、約2〜約3.5の多分散度(Mw/M
n)を有する。ハロアルキル基等の官能基を配置するた
め、及び/又はハロアルキル基等の1つの種類の官能基
を不飽和エステル基等の別の種類の官能基へ転換するた
めに、ビスフェノールA末端ポリマーを更に反応させた
場合、ポリマーの多分散度は約4〜約6の範囲へ上昇す
る。これに反して、4,4′−ジクロロベンゾフェノン
が約7.5〜8モル%過剰に存在する場合、反応時間は
ビスフェノールA過剰の反応で必要とされる時間のほぼ
半分であり、得られるポリマーは一般的にベンゾフェノ
ン末端であり(ここでベンゾフェノン部分は1以上の塩
素原子を有してもよいし、有さなくてもよい)、得られ
るポリマーは典型的には約2〜約3.5の多分散度を有
する。ハロアルキル基等の官能基を配置するため、及び
/又はハロアルキル基等の1つの種類の官能基を不飽和
エステル基等の別の種類の官能基へ転換するために、ベ
ンゾフェノン末端ポリマーを更に反応させた場合、ポリ
マーの多分散度は、典型的には、約2〜約3.5の範囲
のままである。同様に、N,N−ジメチルアセトアミド
中で炭酸カリウムの存在下、4,4′−ジフルオロベン
ゾフェノンと9,9′−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)フルオレン又はビスフェノールAのいずれかとの反
応によってポリマーを調製する場合、4,4′−ジフル
オロベンゾフェノン反応物が過剰に存在すれば、得られ
るポリマーは一般的にベンゾフェノン末端基を有する
(1以上のフッ素原子を有してもよいし、有さなくても
よい)。よく知られたカラザーズ(Carothers)の式を使
用して、所望の分子量を得るのに必要とされる化学量論
的なオフセットを計算することができる。(例えば、カ
ラザーズ(William H. Carothers) の"An Introduction
to the General Theory of Condensation Polymers"、
Chem. Rev.、8 、353 (1931)及び J. Amer. Chem. So
c., 51、2548 (1929) を参照。また、フローリィ(P.J.
Flory) のPrinciples of Polymer Chemistry 、コーネ
ル大学出版、イタキ(Ithaca)、ニューヨーク (1953) を
参照。)
製では、ポリマー合成反応の化学量論は、ポリマーの末
端基が「A」基から誘導される、あるいは「B」基から
誘導されるように調整できる。また、これらの末端
「A」基又は「B」基には、エチニル基又は他の感熱性
の基、「A」又は「B」基の芳香環に付いてフェノール
部分を形成する水酸基、「A」又は「B」基に結合され
るハロゲン原子等の特定の官能基が存在してもよい。
ェノン基等の「A」基から誘導される末端基を有するポ
リマーは、幾つかの用途ではより好まれる。何故なら、
置換基を配置するためのこれらの材料の合成及び幾つか
の反応は、ビスフェノールA基(1以上の水酸基をその
芳香環に有する)又は他のフェノール基等の「B」基か
ら誘導される末端基を有するポリマーと比較して、制御
するのがより容易であり、例えばコスト、分子量、分子
量範囲及び多分散度(Mw/Mn)に関してより良い結
果を与えることができるからである。特定の理論に制限
されないが、ポリマーがビスフェノールA末端である場
合、ハロアルキル化反応は特にフェノール末端上で最も
急速に進行すると考えられる。更に、フェノール末端ポ
リマー上のハロメチル化基は、次の架橋又は鎖延長に対
して特に反応性であると考えられる。これに対して、一
般的に、ハロメチル化は、ベンゾフェノン、ハロゲン化
ベンゾフェノン等の電子吸引性置換基を有する末端芳香
族基上では起こらないと考えられる。また、「A」基末
端材料は接着剤としての役割も果たし、サーマルインク
ジェットプリントヘッド等の応用では、架橋された
「A」基末端ポリマーの使用は、ヒータプレートをチャ
ネルプレートへ接着するためのエポキシ接着剤の必要性
を削減又は省くことができる。
制御が難しく、感光性供与基置換ポリマーはバッチが異
なると、同様の条件下で製造されたとしても多少異なる
置換度を有する場合がある。感光性供与基の置換度が変
化するポリマーを含むホトレジスト組成物は、光感度、
画像形成エネルギー要件、感光性、保存寿命などの特
性、膜形成特性、現像特性などのばらつきを示す。従っ
て、感光性供与基置換ポリマーを含むホトレジスト組成
物を本発明に従って製造する。
ように製造することができる。本発明の1つの実施の形
態では、第2の成分は、第1のポリマーよりも小さい程
度で感光性供与基で置換されるか又は感光性供与基置換
基を含まないポリマーである。広範囲のポリマーから第
2のポリマーを選択することができる。例えば、本発明
の1つの実施の形態では、一方が他方よりも大きい置換
度を有する2つの異なる感光性供与基置換ポリマーを共
に混合する。本発明の別の実施の形態では、第2のポリ
マーは、例えば、ポリマー出発物質のように上記一般式
のポリマーであるが感光性供与基置換基をもたないポリ
マー(そして、遠紫外線、X線又は電子ビーム放射が露
光に使用されない場合は、前述のように製造されるハロ
アルキル化ポリマー)である。本発明の更に別の実施の
形態では、第2のポリマーは必ずしも上記一般式のポリ
マーでなくてもよく、エポキシ類、ポリカーボネート
類、ジアリルフタレート類、クロロメチル化ビス−フル
オレノン類、ポリフェニレン類、フェノキシ樹脂類、ポ
リアリレンエーテル類、ポリ(エーテルイミド)類、ポ
リアリーレンエーテルケトン類、ポリフェニレンスルフ
ィド類、ポリスルホン類、ポリ(エーテルスルホン)
類、ポリフェニルトリアジン類、ポリイミド類、ポリフ
ェニルキノクサリン類、他のポリヘテロ環系及びこれら
の混合物など、所望の特徴を有する望ましいホトレジス
ト混合物を得るのに好適なあらゆる広範囲の他の高性能
ポリマーから選択される。典型的に、高性能ポリマーは
その使用が意図される温度よりも高い温度で成形可能で
あり、高温における構造的用途に有用である。殆どの高
性能ポリマーは熱可塑性であるが、フェノール樹脂など
のいくつかのポリマーは熱硬化性の傾向がある。上記一
般式の感光性供与基置換ポリマー、感光性供与基置換基
をもたないが上記一般式に属するポリマー、及び/又は
上記一般式の範囲外の他のポリマーのあらゆる組み合わ
せを本発明の第2のポリマーとして使用することができ
る。例えば、本発明の1つの実施の形態では、ホトレジ
ストを以下から製造する:(a)モノマー繰り返し単位
当たりクロロメチル基1個及びモノマー繰り返し単位当
たりアクリレート基1個を有し、数平均分子量が60,
000である上記一般式に含まれるポリアリーレンエー
テルケトン60重量部;(b)上記一般式に含まれるが
置換基をもたず、数平均分子量が2,800であり多分
散性(Mw/Mn)が約2.5であるポリアリーレンエ
ーテルケトン樹脂40重量部;及び(c)EPON 100
1 接着樹脂(シェルケミカル社(Shell Chemical Compa
ny) 、テキサス州ヒューストン)10重量部。この混合
物は、樹脂固形物1g当たりアクリレート約1.1ミリ
当量のアクリロイル化度を有し、重量平均分子量は3
4,000である。通常は、上記一般式の不飽和エステ
ル置換ポリマーと不飽和エステル基をもたない第2のポ
リマーとの混合物からホトレジストを製造する場合、ポ
リマー固形物約40重量%を含有するホトレジスト溶液
は、不飽和エステル置換基を有するポリマー10〜約2
5重量部と、不飽和エステル置換基をもたないポリマー
約10〜約25重量部とを含む。
成分は反応性稀釈剤である。いくつかの実施の形態で
は、反応性稀釈剤は液体であり、光パターン形成可能ポ
リマーの粘度が高すぎて溶剤がないと硬化できない場合
に溶剤と置き換えることができる。他の実施の形態で
は、反応性稀釈剤は固体である。反応性稀釈剤は、光パ
ターン形成可能ポリマーにおいて架橋又は鎖延長を誘起
することができるエネルギー又は波長レベルで反応性稀
釈剤が化学線にさらされたときに重合が可能な官能基を
有する。反応性稀釈剤はモノマー又はオリゴマーであ
り、(これらに限定されないが)単官能、2官能、3官
能及び多官能不飽和エステルモノマーなどを含むことが
好ましい。好適な反応性稀釈剤の例として、シクロヘキ
シルアクリレート、2−エトキシエチルアクリレート、
2−メトキシエチルアクリレート、2(2−エトキシエ
トキシ)エチルアクリレート、ステアリルアクリレー
ト、テトラヒドロフルフリルアクリレート、オクチルア
クリレート、ラウリルアクリレート、ベヘニルアクリレ
ート、2−フェノキシエチルアクリレート、第3ブチル
アクリレート、グリシジルアクリレート、イソデシルア
クリレート、ベンジルアクリレート、ヘキシルアクリレ
ート、イソオクチルアクリレート、イソボルニルアクリ
レート、ブタンジオールモノアクリレート、エトキシル
化フェノールモノアクリレート、オキシエチル化フェノ
ールアクリレート、モノメトキシヘキサンジオールアク
リレート、β−カルボキシエチルアクリレート、ジシク
ロペンチルアクリレート、カルボニルアクリレート、オ
クチルデシルアクリレート、エトキシル化ノニルフェノ
ールアクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒ
ドロキシエチルメタクリレートなどのモノアクリレー
ト、1,3−ブチレングリコールジアクリレート、1,
4−ブタンジオールジアクリレート、ジエチレングリコ
ールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアク
リレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、
トリエチレングリコールジアクリレート、トリプロピレ
ングリコールジアクリレート、ポリブタンジオールジア
クリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、
プロポキシル化ネオペンチルグリコールジアクリレー
ト、エトキシル化ネオペンチルグリコールジアクリレー
ト、ポリブタジエンジアクリレートなどのジアクリレー
ト、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタ
エリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリト
ールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ
アクリレート、グリセロールプロポキシトリアクリレー
ト、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌラート
トリアクリレート、ペンタアクリレートエステルなどの
ポリアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステ
ルアクリレート、ポリエーテルポリオールアクリレー
ト、ウレタンアクリレート、アミンアクリレート、アク
リルアクリレートなどが挙げられる。2つ又はそれより
多くの物質を反応性稀釈剤として用いることもできる。
好適な反応性稀釈剤は、例えばサートマー社(Sartomer
Co., Inc.) 、ヘンケル社(Henkel Corp.) 、ラドキュ
アスペシャルティーズ(Radcure Specialties)などから
市販されている。第2の成分が反応性稀釈剤である場
合、通常は、第1及び第2の成分は反応性稀釈剤(第2
の成分)約5〜約50重量%及びポリマー(第1の成
分)約50〜約95重量%の相対量、好ましくは反応性
稀釈剤(第2の成分)約10〜約20重量%及びポリマ
ー(第1の成分)約80〜約90重量%の相対量で存在
するが、相対量はこれらの範囲外でもよい。
約10,000〜約50,000、好ましくは約10,
000〜約35,000、より好ましくは約10,00
0〜約25,000の重量平均分子量を有するが、混合
物の重量平均分子量はこれらの範囲外でもよい。第1及
び第2の成分を含む混合物は、通常は混合物1g当たり
感光性供与基約0.25〜約2ミリ当量、好ましくは混
合物1g当たり感光性供与基約0.8〜約1.4ミリ当
量の感光性供与基置換度を有するが、置換度はこれらの
範囲外でもよい。
延長を起こすことのできる波長及び/又はエネルギーレ
ベルで化学線へ均一にさらすことによって、光パターン
形成可能ポリマーを硬化することができる。あるいは、
感光性供与基が感応する波長及び/又はエネルギーレベ
ルの放射で材料を像様に露光することによって、光パタ
ーン形成可能ポリマーを現像する。典型的には、ホトレ
ジスト組成物は、光パターン形成可能ポリマー、光パタ
ーン形成可能ポリマーのための任意の溶媒、任意の増感
剤、及び任意の光開始剤を含む。未架橋の光パターン形
成可能ポリマーが高いTgを有する場合には、溶媒は特
に望ましい。溶媒及び光パターン形成可能ポリマーは、
典型的には、溶媒0〜約99重量%及びポリマー約1〜
100重量%という相対量で存在する。好ましくは、溶
媒約20〜約60重量%及びポリマー約40〜約80重
量%という相対量で存在する。更に好ましくは、溶媒約
30〜約60重量%及びポリマー約40〜約70重量%
という相対量で存在するが、相対量はこれらの範囲外で
あってもよい。
合へのエネルギーの伝達を容易にし、こ れにより不飽
和結合が反応して樹脂を架橋又は鎖延長させることがで
きる。増感剤は露光のために有用なエネルギー波長範囲
を拡大することが多く、典型的には、芳香族の光吸収発
色団である。また、増感剤は、フリーラジカル又はイオ
ン性である光開始剤の形成を導くことができる。増感剤
が存在する場合、任意の増感剤及び光パターン形成可能
ポリマーは、典型的には、増感剤約0.1〜約20重量
%及び光パターン形成可能ポリマー約80〜約99.9
重量%という相対量で存在する。好ましくは、増感剤約
1〜約10重量%及び光パターン形成可能ポリマー約9
0〜約99重量%という相対量で存在するが、相対量は
これらの範囲外であってもよい。
重合を開始させるイオン又はフリーラジカルを発生させ
る。光開始剤が存在する場合、任意の光開始剤及び光パ
ターン形成可能ポリマーは、典型的には、光開始剤約
0.1〜約20重量%及び光パターン形成可能ポリマー
約80〜約99.9重量%という相対量で存在する。好
ましくは、光開始剤約1〜約10重量%及び光パターン
形成可能ポリマー約90〜約99重量%という相対量で
存在するが、相対量はこれらの範囲外であってもよい。
両方の役割を果たしてもよい。
ラーのケトン(アルドリッチケミカル社)、ダロキュア
(Darocure)1173、ダロキュア4265、イルガキ
ュア(Irgacure)184、イルガキュア261、及びイ
ルガキュア907(チバガイギー、ニューヨーク州、ア
ーズレーから入手可能)、並びにその混合物が含まれ
る。ベンゾフェノン及びその誘導体は、光増感剤として
機能することができる。トリフェニルスルホニウム及び
ジフェニルヨードニウム塩は、典型的なカチオン光開始
剤の例である。
マーを含むホトレジスト中に任意に存在できる。適切な
抑制剤の例には、下記式(VII)のヒドロキノンのメチル
エーテルMEHQ、下記式(VIII) のt−ブチルカテコ
ール、下記式(IX)のヒドロキノン等が含まれる。抑制
剤は、典型的には、約40重量%のポリマー固形分を含
むホトレジスト溶液の重量の約500〜約1,500p
pmの量で存在するが、量はこの範囲外であってもよ
い。
リロイル官能基を有する不飽和エステル置換ポリマーに
ついて以下に示される(ここで、アクリロイル基のエチ
レン性結合は結合を形成するために開放される)よう
に、例えば紫外放射への露光により、一般的に、「長
い」結合部位で架橋又は鎖延長が起こると考えられる。
合の開裂に類似した開裂が生じる。アルキルカルボキシ
メチレン及びエーテル置換ポリマーは、好ましくは熱及
び1以上のカチオン開始剤(トリアリールスルホニウム
塩、ジアリールヨードニウム塩、及び他の開始剤等)の
存在下、紫外光への露光により硬化可能である。特定の
理論に制限されないが、カチオンメカニズムは、メチル
カルボキシメチレン置換ポリマーについて以下に示され
る通りであると考えられる。ここでは、酢酸が放出さ
れ、「長い」結合は架橋又は鎖延長部位を示す。
ノールが放出される点を除いて同様である。
特定の理論に制限されないが、例えば紫外放射への露光
は、一般的に、以下に示されるように、アリルエーテル
基のエチレン性結合を開放し、「長い」結合部位で架橋
又は鎖延長を起こすと考えられる。
理論に制限されないが、例えば紫外放射への露光は、一
般的に、開始剤による酸性種の発生を引き起こし、続い
て酸性種とエポキシ基とが反応して、以下に示されるよ
うに「長い」結合部位で開環及び架橋又は鎖延長が起き
ると考えられる。
可能であり、硬化は熱の適用で発生する。特定の理論に
制限されないが、1つの例の硬化機構は次の通りである
と考えられる。
理論に制限されないが、例えば電子ビーム、遠紫外又は
x線放射への露光は、一般的に、メチル基からハロゲン
原子のフリーラジカルの開裂を起こし、ベンジルラジカ
ルを形成すると考えられる。次いで架橋又は鎖延長が、
以下に示されるように「長い」結合部位で発生する。
ム又はエーテル置換ポリマーに関しては、特定の理論に
制限されないが、例えば紫外放射への露光は、一般的
に、以下に示されるように、感光性供与基のエチレン性
結合を開放し、「長い」結合部位で架橋又は鎖延長を起
こすと考えられる。
キル化及びアリル置換ポリマーに関しては、好適な増感
剤又は開始剤の種類の1つの特定の例は、次の一般式の
ビス(アジド)の種類である。
水素原子、好ましくは1〜約30個の炭素原子、更に好
ましくは1〜約6個の炭素原子を有する飽和、不飽和及
び環状アルキル基をはじめとするアルキル基、置換アル
キル基、好ましくは6〜約18個の炭素原子、更に好ま
しくは6個の炭素原子を有するアリール基、置換アリー
ル基、好ましくは7〜約48個の炭素原子、更に好まし
くは約7〜約8個の炭素原子を有するアリールアルキル
基、又は置換アリールアルキル基であり、xは0又は1
である。ここで、置換アルキル、置換アリール及び置換
アリールアルキル基の置換基は、好ましくは1〜約6個
の炭素原子を有する飽和、不飽和、線状、分枝 及び環
状アルキル基をはじめとするアルキル基、好ましくは1
〜約6個の炭素原子を有する置換アルキル基、好ましく
は6〜約24個の炭素原子を有するアリール基、好まし
くは6〜約24個の炭素原子を有する置換アリール基、
好ましくは7〜約30個の炭素原子を有するアリールア
ルキル基、好ましくは7〜約30個の炭素原子を有する
置換アリールアルキル基、好ましくは1〜約6個の炭素
原子を有するアルコキシ基、好ましくは1〜約6個の炭
素原子を有する置換アルコキシ基、好ましくは6〜約2
4個の炭素原子を有するアリーロキシ基、好ましくは6
〜約24個の炭素原子を有する置換アリーロキシ基、好
ましくは7〜約30個の炭素原子を有するアリールアル
キロキシ基、好ましくは7〜約30個の炭素原子を有す
る置換アリールアルキロキシ基、アミン基、イミン基、
アンモニウム基、ピリジン基、ピリジニウム基、エーテ
ル基、エステル基、アミド基、カルボニル基、チオカル
ボニル基、硫酸エステル基、スルホン酸エステル基、ス
ルフィド基、スルホキシド基、ホスフィン基、ホスホニ
ウム基、リン酸エステル基、メルカプト基、ニトロソ
基、スルホン基、アシル基、酸無水物基、アジド基、等
である(が、これに限定はされない)。ここで、置換ア
ルキル基、置換アリール基、置換アリールアルキル基、
置換アルコキシ基、置換アリーロキシ基、及び置換アリ
ールアルキロキシ基の置換基は、水酸基、アミン基、イ
ミン基、アンモニウム基、ピリジン基、ピリジニウム
基、エーテル基、アルデヒド基、ケトン基、エステル
基、アミド基、カルボン酸基、カルボニル基、チオカル
ボニル基、硫酸エステル基、スルホン酸エステル基、ス
ルフィド基、スルホキシド基、ホスフィン基、ホスホニ
ウム基、リン酸エステル基、シアノ基、ニトリル基、メ
ルカプト基、ニトロソ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ス
ルホン基、アシル基、酸無水物基、アジド基、及びその
混合物等である(が、これに限定はされない)。ここ
で、2以上の置換基は互いに結合して環を形成すること
ができる。
(X)の4,4′−ジアジドスチルベン、下記式(XI)
の4,4′−ジアジドベンゾフェノン、下記式(XII)の
2,6−ジ−(4′−アジドベンザル)−4−メチルシ
クロヘキサノン、下記式(XIII)の4,4′−ジアジド
ベンザルアセトン等が含まれる。
マーについて以下に示されるように、例えば紫外放射へ
の露光は硬化を可能にすると考えられる。
H(あるいは、ハロアルキル化ポリマーの場合には−H
又はハロゲン原子)である。
硬化反応過程は以下のようであると考えられる。
は、その感光性をより高めるために更に反応させること
ができる。例えば、下記式(XIV)のヒドロキシメチル化
ポリマーは、下記式(XV)のメタクリル酸イソシアナト
−エチル(ポリサイエンスイズ(Polysciences) 、ペン
シルバニア州、ワーリントンから入手可能)と反応し
て、下記式(XVI)の光活性ポリマーを形成することがで
きる。
ナト−エチル1重量部、及び塩化メチレン50重量部を
用いて、25℃の塩化メチレン中で行うことができる。
典型的な反応温度は約0〜約50℃であり、10〜25
℃が好ましい。典型的な反応時間は約1時間と約24時
間の間であり、約16時間が好ましい。例えば紫外放射
への露光中に、エチレン性結合が開いて、その部位で架
橋又は鎖延長が起こる。
れるように、熱硬化も水酸基の引き抜き及び「長い」結
合部位における架橋又は鎖延長を起こすと考えられる。
又は鎖延長を可能にすることができると上記に示される
感光性供与基の多くは、高温にさらされた場合にもポリ
マーの架橋又は鎖延長ができる。従って、本発明のポリ
マーは、所望されるなら、熱硬化が用いられる用途にお
いても使用できる。
説明した反応及び置換のすべてにおいて、類似の反応及
び置換が下記式(XVIII)のポリマーでも起こることは理
解できるであろう。
るホトレジスト又は他の組成物中の残留ハロゲンの量を
減少させ、これによって後に続く熱硬化ステップの際の
ハロゲン化水素酸の生成を低減するか又は取り除くため
に、上記に開示される方法と、例えば英国特許第86
3,702号及びChem Abstr. 第55巻、18667b (1961)
に開示されるような方法を含むあらゆる所望の方法によ
って、光パターン形成可能ポリマーのあらゆる残留ハロ
アルキル基をメトキシ基、ヒドロキシド基、アセトキシ
基、アミン基などに変換することができる。
ン形成可能ポリマーを、インクジェットプリントヘッド
内の構成要素として使用することができる。本発明のプ
リントヘッドはどの適切な構成であってもよい。サーマ
ルインクジェット印刷用のプリントヘッドの適切な構成
の一例が図1に概略で説明される。図1は、液滴放出ノ
ズル27のアレイを示すプリントヘッド10の正面29
の拡大略等角図を示す。また図2を参照すると、後述す
るように、下部電気絶縁性基板又は加熱素子プレート2
8は、その表面30上にパターン形成された加熱素子3
4及びアドレス電極33を有する。一方、上部基板又は
チャネルプレート31は、一方向に延びて上部基板の正
面エッジ29を貫通する平行溝20を有する。溝20の
他端は傾斜壁21で終端しており、キャピラリー充填イ
ンクチャネル20のためのインク供給マニホルドとして
使用される内部凹部24の床41は、インク充填孔とし
て使用するための開口25を有する。溝を有するチャネ
ルプレートの表面は、複数の加熱素子34のそれぞれ1
つが溝及び下部基板又はヒータプレートにより形成され
る各チャネル内に配置されるように、ヒータプレート2
8へ位置合わせ及び接合される。インクは、充填孔25
を通って凹部24及び下部基板28により形成されるマ
ニホルドへ入り、キャピラリー作用によって、厚膜絶縁
層18に形成された細長い凹部38から流れ出して、チ
ャネル20を充填する。各ノズルのインクはメニスカス
を形成し、その表面張力はインクがそこから垂れるのを
防止する。下部基板又はチャネルプレート28のアドレ
ス電極33は端子32で終端する。電極端子32が露出
されて、プリントヘッド10が永久的に搭載される娘ボ
ード19上の電極へのワイヤボンディングに利用できる
ように、上部基板又はチャネルプレート31は下部基板
よりも小さい。後述するように、層18は厚膜パッシベ
ーション層であり、上部基板及び下部基板の間に挟持さ
れる。この層は、加熱素子を露出させ、これによりこれ
らを穴の中に配置するためにエッチングされる。また、
マニホルド24及びインクチャネル20間のインクの流
れを可能にする前記細長い凹部を形成するためにエッチ
ングされる。さらに、厚膜絶縁層は、電極端子を露出さ
せるためにエッチングされる。
−2に沿って作成され、図2に示される。図2は、矢印
23に示されるように、インクがマニホルド24から溝
20の端部21付近にどのように流れるかを示す。開示
内容が本文中に全て援用されて、本発明の一部とする米
国特許第4,638,337号、同第4,601,77
7号及び米国再発行特許第32,572号に開示される
ように、複数セットの気泡発生加熱素子34及びそのア
ドレス電極33を、片面が研摩された(100)シリコ
ンウェハ上にパターン形成することができる。多数セッ
トのプリントヘッド電極33、加熱素子34として働く
抵抗性材料、及び共通帰線35をパターン形成する前
に、ウェハの研摩表面を二酸化シリコン等の下塗り層3
9でコーティングする。層39の典型的な厚さは約5,
000Å〜約2μmであるが、厚さはこの範囲外であっ
てもよい。抵抗性材料は、ドープされた多結晶シリコン
(化学蒸着(CVD)により蒸着できる)、又はホウ化
ジルコニウム(ZrB2 )等の他のよく知られた抵抗性
材料でよい。共通帰線及びアドレス電極は、典型的に
は、下塗り層上及び加熱素子エッジ上に蒸着されたアル
ミニウムリード線である。共通帰線端部又は端子37及
びアドレス電極端子32は所定の位置に配置され、これ
によりプリントヘッドを製造するためにチャネルプレー
ト31が取り付けられた後、娘ボード19の電極(図示
せず)へのワイヤボンディング用のクリアランスが形成
される。共通帰線35及びアドレス電極33は、典型的
には約0.5〜約3μmの厚さに蒸着されるが、厚さは
この範囲外であってもよく、好ましい厚さは1.5μm
である。
ポリシリコンの一部をSiO2 へ転換するために、アル
ミニウムリード線の蒸着の前に、典型的には約50〜約
80分の間(時間はこの範囲外であってもよい)、典型
的には約1,100℃(温度はこの値の上でも下でもよ
い)の比較的高温で、引き続きポリシリコン加熱素子を
蒸気又は酸素中で酸化してもよい。このような場合、加
熱素子を熱的に酸化して、典型的には約500Å〜約1
μmの厚さ(厚さはこの範囲外であってもよい)で、保
全性が良好で実質的にピンホールのないSiO2 上塗り
層(図示せず)を達成する。
素子が使用され、任意の二酸化シリコン熱酸化物層17
を高温蒸気中でポリシリコンから成長させる。熱酸化物
層を、典型的には、約0.5〜約1μmの厚さに成長さ
せ(厚さはこの範囲外であってもよい)、加熱素子を導
電性インクから保護及び絶縁する。アドレス電極及び共
通帰線の取り付けのためにポリシリコン加熱素子のエッ
ジでは熱酸化物を除去し、次にアドレス電極及び共通帰
線をパターン形成及び蒸着させる。加熱素子にホウ化ジ
ルコニウム等の抵抗性材料を使用する場合、よく知られ
た他の適切な絶縁材料を保護層として使用できる。電極
のパッシベーションの前に、プリントヘッド操作中にイ
ンク蒸気の気泡が壊れて発生する空洞化力から更に保護
するために、タンタル(Ta)層(図示せず)を、典型
的には約1μmの厚さ(厚さはこの値より上でも下でも
よい)で加熱素子保護層17上に任意に蒸着できる。タ
ンタル層は、例えばCF4 /O2 プラズマエッチングを
用いて、加熱素子の直接上の保護層17を除いて全てエ
ッチング除去される。ポリシリコン加熱素子では、アル
ミニウム共通帰線及びアドレス電極を、典型的には、下
塗り層上と、共通帰線及び電極の接続のために酸化物が
除去されたポリシリコン加熱素子の対向するエッジ上
と、に蒸着させる。
を、複数セットの加熱素子及びアドレス電極を含むウェ
ハ表面全体に蒸着させる。パッシベーション膜16は、
露出した電極をインクから保護するイオン障壁を提供す
る。パッシベーション膜16に適切なイオン障壁材料の
例には、ポリイミド、プラズマ窒化物、リンドープ二酸
化シリコン、及び絶縁層18に適するとして本文中に開
示される材料等、並びにその任意の組合せが含まれる。
有効なイオン障壁層は、その厚さが約1,000Å〜約
10μmの場合に達成されるのが一般的であるが、厚さ
はこの範囲外であってもよい。300dpiのプリント
ヘッドでは、パッシベーション層16は、好ましくは約
3μmの厚さを有するが、厚さはこの値の上でも下でも
よい。600dpiのプリントヘッドでは、パッシベー
ション層16の厚さは、層16及び層18の合わせた厚
さが約25μmになるような厚さであるのが好ましい
が、厚さはこの値の上でも下でもよい。娘ボード電極と
後でワイヤボンディングするために、共通帰線及びアド
レス電極の末端部のパッシベーション膜又は層16がエ
ッチング除去される。この二酸化シリコン膜のエッチン
グは、湿式又は乾式エッチング法のいずれかによる。あ
るいは、電極パッシベーションは、プラズマ蒸着窒化シ
リコン(Si3 N4 )によることもできる。
材料から成る厚膜タイプの絶縁層18を、パッシベーシ
ョン層16上に形成する。その典型的な厚さは約10〜
約100μmであり、好ましくは約25〜約50μmの
範囲であるが、厚さはこれらの範囲外であってもよい。
更により好ましくは、300dpiプリントヘッドで
は、層18の厚さは約30μmであるのが好ましく、6
00dpiプリントヘッドでは、層18の厚さは約20
〜約22μmであるのが好ましいが、他の厚さでもよ
い。各加熱素子(凹部26を形成する)上、マニホルド
24からインクチャネル20へのインク通路を提供する
細長い凹部38上、及び各電極端子32、37上の層1
8部分のエッチング及び除去を可能にするように絶縁層
18をホトリソグラフィー的に処理する。細長い凹部3
8は、厚膜層18のこの部分の除去により形成される。
従って、パッシベーション層16は、この細長い凹部3
8内では、電極33がインクへさらされるのを単独で防
ぐ。任意的に、所望されるならば、同様の組成又は異な
る組成の一連の薄層として絶縁層18を付与することが
できる。典型的には、薄層を蒸着し、露光し、部分的に
硬化させた後、次の薄層の蒸着、露光、部分硬化等を行
う。厚膜絶縁層18を構成するこれらの薄層は、上記に
示された式のポリマーを含む。本発明の1つの実施の形
態では、第1薄層は接触層16へ形成され、該第1薄層
は上記の式のポリマーとエポキシポリマーの混合物を含
む。次に、露光、部分硬化を行い、続いて、上記の式の
ポリマーを含む1以上の連続薄層を形成する。
9の形成、並びに加熱素子34、電極33及び共通帰線
35のパターニングの前に、シリコンであるヒータプレ
ートに異方性エッチングされた浅い溝40を有する。こ
の凹部40は、厚膜絶縁層18のみの使用を可能にし、
通常の電極パッシベーション層16の必要性を排除す
る。厚膜層18は水を通さず、且つ、比較的厚い(典型
的には約20〜約40μmであるが、厚さはこの範囲外
であってもよい)ので、当該技術でよく知られる比較的
薄いパッシベーション層16のみを有する場合よりも回
路要素に導入される汚染は、はるかに少ないであろう。
ヒータプレートは集積回路にとってかなり不利な環境で
ある。市販用のインクでは一般的に、純度に対する配慮
が低い。その結果、ヒータプレートの活性部分は、移動
性イオンを間違いなく多く含む汚染されたインク水溶液
に高温で隣接する。更に、実質的な電場が存在するよう
に、ヒータプレートを約30〜約50Vの電圧で操作す
るのが一般的に望ましい。従って、厚膜絶縁層18は活
性装置に改良された保護を提供し、結果的にヒータプレ
ートの動作寿命を長くすることにつながる改良された保
護を提供する。
ハから製造する場合、下塗り層の蒸着後の都合のよい時
点で、少なくとも2つの位置合わせマーキング(図示せ
ず)をシリコンウェハを構成する下部基板28上の所定
位置にホトリソグラフィー的に製造するのが好ましい。
これらの位置合わせマーキングは、インクチャネルを含
む複数の上部基板31の位置合わせに使用される。複数
セットの加熱素子を含む片面ウェハの表面を、位置合わ
せに続いて、複数のインクチャネルを有する上部基板を
含むウェハの表面へ接合する。
4,638,337号に開示されるように、プリントヘ
ッド用の複数の上部基板31を製造するために、チャネ
ルプレートを両面研摩された(100)シリコンウェハ
から形成する。ウェハを化学洗浄した後、熱分解CVD
窒化シリコン層(図示せず)を両面に蒸着する。従来の
ホトリソグラフィーを用いて、複数のチャネルプレート
31のそれぞれの充填孔25用のヴィア、及び所定位置
の位置合わせ開口(図示せず)のための少なくとも2つ
のヴィアを、一方のウェハ面にプリントする。充填孔及
び位置合わせ開口を示すパターン形成されたヴィアの窒
化シリコンをプラズマエッチング除去する。水酸化カリ
ウム(KOH)異方性エッチングを使用して、充填孔及
び位置合わせ開口をエッチングすることができる。この
場合、(100)ウェハの〔111〕面は、典型的に
は、ウェハ表面と約54.7度の角度を成す。充填孔は
小さい四角の表面パターンであり、一般的には一辺が約
20ミル(500μm)であるが、寸法はこの値の上で
も下でもよい。位置合わせ開口は約60〜約80ミル
(1.5〜3mm)平方であるが、寸法はこの範囲外で
あってもよい。従って、位置合わせ開口は20ミル
(0.5mm)厚のウェハを通して完全にエッチングさ
れるが、充填孔はウェハの約半分〜4分の3の終端点ま
でエッチングされる。比較的小さい四角の充填孔は連続
エッチングにより更にサイズ増大しようとしても変化し
ないので、位置合わせ開口及び充填孔のエッチングはあ
まり時間制限されない。
された位置合わせ孔をリファレンスとして用いてホトリ
ソグラフィー的にパターン形成し、最後にはプリントヘ
ッドのインクマニホルド及びチャネルになる比較的大き
い矩形凹部24及び細長い平行チャネル凹部セットを形
成する。マニホルド及びチャネル凹部を含むウェハ表面
22は、複数セットの加熱素子を含む基板へ接合するた
めに熱硬化性エポキシ等の接着剤が後で付与されるオリ
ジナルウェハ表面(窒化シリコン層で被覆された)の部
分である。接着剤は、溝又は他の凹部に流れたり広がっ
たりしないような方法で付与される。チャネルウェハを
加熱素子及びアドレス電極ウェハ上に位置合わせするた
めに、位置合わせマーキングを例えば真空チャックマス
ク位置合わせ器と共に使用することができる。2つのウ
ェハを正確にかみ合わせ、接着剤の部分硬化によって仮
留めすることができる。あるいは、加熱素子及びチャネ
ルウェハに精密にさいの目にされたエッジを与え、次
に、加熱素子及びチャネルウェハを精密ジグに手動又は
自動的に位置合わせする。また、赤外アライナ−ボンダ
(aligner-bonder)や、位置合わせされるべき各ウェハ
上の赤外不透明マーキングを用いる赤外顕微鏡等を用い
て位置合わせすることもできる。次に2つのウェハを、
互いに永久的に接合するためにオーブン又はラミネータ
中で硬化する。次に、チャネルウェハを切断して、個々
の上部基板を製造することができる。端部面29を製造
する最終的なさいの目カットにより、ノズル27を形成
する細長い溝20の一方の端部を開放する。チャネル溝
の他端は端部21により閉鎖されたままである。しかし
ながら、チャネルプレートのヒータプレートへの位置合
わせ及びボンディングにより、チャネル20の端部21
が、図2に示されるように厚膜絶縁層18の細長い凹部
38上に直接配置され、又は、図3に示されるように凹
部40の上に直接配置されて、矢印23で示されるよう
にマニホルドからチャネル内へのインクの流れが可能に
なる。最終的なさいの目カットにより製造される複数の
個々のプリントヘッドを娘ボードへ接合し、プリントヘ
ッド電極端子を娘ボード電極へワイヤボンディングす
る。
ガラス層を有するヒータウェハを、Z6020 接着促進剤の
溶液(0.01重量%、メタノール95部及び水5部、
ダウコーニング (Dow Corning))と共に3,000回転
/分で10秒間スピンコーティングし、100℃で2〜
10分間乾燥させた。次に、ウェハを25℃で5分間冷
却し、1,000〜3,000回転/分で30〜60秒
間ホトレジストをウェハ上にスピンコーティングした。
繰り返し単位当たりアクリロイル基0.75個及びクロ
ロメチル基0.75個を有し、重量平均分子量が25,
000であるポリアリーレンエーテルケトンを、ミヒラ
ーケトン(固形分40重量%のポリマー溶液各10部当
たりケトン1.2部)と共に固形分40重量%のN−メ
チルピロリジノン中に溶解することによって、ホトレジ
スト溶液を調製した。膜をオーブンに入れ、70℃で1
0〜15分間加熱した(ソフトベークした)。25℃ま
で5分かけて冷却した後、マスクで膜を覆い、これを1
50〜1,500mJ/cm2 に達する365nmの紫
外光で露光した。次に、露光したウェハを露光後ベーク
のため70℃で2分間加熱し、続いて25℃まで5分か
けて冷却した。60:40のクロロホルム/シクロヘキ
サノン現像剤で膜を現像し、90:10のヘキサン/シ
クロヘキサノンで洗浄し、次に70℃で2分間乾燥させ
た。きれいなウェハを得るのに必要であれば、第2の現
像/洗浄サイクルを行う。処理したウェハを25℃のオ
ーブンに移し、オーブン温度を2℃/分の割合で25℃
から90℃に上昇させる。温度を2時間90℃に維持
し、次に2℃/分の割合で260℃まで上昇させる。オ
ーブン温度を2時間260℃に維持し、次にオーブンの
スイッチを切って温度を25℃まで徐々に下げる。窒素
又はアルゴン、ネオン、クリプトン、キセノンなどの希
ガスのうちの1つのような不活性雰囲気下でホトレジス
ト膜の熱硬化を行うと、現像した膜の酸化を著しく低減
し、得られるデバイスの熱安定性及び加水分解安定性を
改良する。更に、現像したホトレジスト膜の下層基板へ
の密着を改良する。第2層を第1層の上にスピンコーテ
ィングする場合、第2層を第1層上にスピンコーティン
グする前に第1の現像された層の熱硬化を80〜260
℃の間で停止することができる。上記手順を再び繰り返
すことによって、より厚い第2層を付着させる。このプ
ロセスは指針であって、膜の厚さ及びホトレジストの分
子量によって手順が指定の条件外でも適用できるという
ことを意図するものである。600dpiのきれいな面
を有する30μmの膜が現像された。
関する最良の結果のために、本発明のホトレジスト組成
物は、基板上へコーティングする前には粒子を含まな
い。1つの好ましい実施の形態では、光パターン形成可
能ポリマーを含むホトレジスト組成物を2μmのナイロ
ンフィルタ布(テトコ(Tetko)から入手可能)により濾
過する。圧縮空気(約60psiまで)及び加圧濾過用
漏斗を用いて、約30〜約60重量%の固形分を含む溶
液として、黄色光の下又は暗所でホトレジスト溶液を布
により濾過する。ホトレジスト溶液の希釈は必要とされ
ず、抑制剤(例えばMEHQ等)の濃度は、貯蔵寿命に
影響を与えないようにするには、例えば500重量pp
m以下のように低くてよい。この濾過処理中に、光パタ
ーン形成可能ポリマーの分子量の増大は観察されない。
特定の理論に制限されないが、光重合可能なポリマー上
に不飽和エステル基が存在する場合等の幾つかの場合に
は、圧縮空気中の酸素がアクリル酸エステル及びメタク
リル酸エステル等の不飽和エステル基のフリーラジカル
重合に有効な抑制剤として働くので、圧縮空気は不活性
雰囲気で得られる結果よりも優れた結果をもたらすと考
えられる。
形成可能ポリマーを、光パターン形成可能ポリマー約7
5重量部及びエポキシ樹脂約25重量部から光パターン
形成可能ポリマー約90重量部及びエポキシ樹脂約10
重量部までの相対量でエポキシ樹脂と混合する。適切な
エポキシ樹脂の例には、次の式で表されると考えられる
EPON1001F(シェルケミカル社、テキサス州、
ヒューストンから入手可能)等及びその混合物が含まれ
る。
混合物のような硬化剤を使用して、エポキシ樹脂固体1
g当たり硬化剤約10重量%の典型的な相対量でエポキ
シ樹脂を硬化することができる。光パターン形成可能ポ
リマーとブレンドされたエポキシ樹脂の処理条件は、一
般的に、エポキシ樹脂がない場合のホトレジストを処理
するために使用される条件と同様である。エポキシ又は
エポキシブレンドを、その硬化条件が光パターン形成ポ
リマーの付与、画像形成、現像及び硬化のために使用さ
れる条件とは異なるように選択することが好ましい。選
択的な段階的硬化により、エポキシ樹脂の硬化前にホト
レジストの現像が可能になり、装置上の望ましくないエ
ポキシ残渣が防止される。光パターン形成可能ポリマー
材料にエポキシ樹脂を組み入れると、光パターン形成可
能な層のヒータプレートへの接着が改良される。画像形
成に続いて、光パターン形成可能ポリマーの硬化中に、
エポキシがヒータ層と反応して、その層と強力な化学結
合を形成し、界面の接着強度及び耐溶剤性を改良する。
また、エポキシの存在により光パターン形成可能ポリマ
ーの親水性が改良され、このため層の湿潤特性が改良さ
れ、これにより、プリントヘッドの再補充特性が改良さ
れる。
本発明の特定の実施の形態を構成する。本発明のプリン
トヘッドを形成するために、ここに開示される材料と共
に、プリントヘッド表面のノズル内で終端するインク運
搬チャネルを有する他の任意の適切なプリントヘッド構
成を使用することもできる。
ッドを用いる印刷方法も含む。本発明の1つの実施の形
態は、(1)インク供給源からのインクで充填されるこ
とが可能でプリントヘッドの一方の表面上のノズルで終
端する複数のチャネルを含むインクジェットプリントヘ
ッドを、本発明の方法に従って製造するステップと、
(2)チャネルをインクで充填するステップと、(3)
ノズルから受取シート上へインク滴を画像パターン状に
排出するステップと、を含むインクジェット印刷方法に
関する。この方法の特定の実施の形態はサーマルインク
ジェット印刷方法に関し、インク滴は、画像パターン状
に選択されたチャネルを加熱することによりノズルから
排出される。液滴を、布、ゼロックス(Xerox 、商標
名) 4024又は4010等の普通紙、コート紙、又は
透明材料等の適切な受取シート上へ排出することができ
る。
酸エステル基とモノマー繰返し単位当たり1個のクロロ
メチル基とを有し、約60,000の重量平均分子量を
有する第1のアクリロイル化ポリアリーレンエーテルケ
トン樹脂を次のように調製した。ディーン−スターク
(バレット)トラップ、冷却器、メカニカルスターラ、
アルゴン注入口、及び栓が備えつけられた1リットルの
三つ口丸底フラスコをシリコーンオイルバス中に配置し
た。4,4′−ジクロロベンゾフェノン(アルドリッチ
11370、アルドリッチケミカル社、ウィスコンシン
州、ミルウォーキー、50g)、ビスフェノールA(ア
ルドリッチ23965−8、48.96g)、炭酸カリ
ウム(65.56g)、無水N,N−ジメチルアセトア
ミド(300ml)及びトルエン(55ml)をフラス
コに添加して175℃(オイルバス温度)に加熱し、揮
発性トルエン成分を捕集及び除去した。連続的に攪拌し
ながら175℃で48時間加熱した後、反応混合物を濾
過して炭酸カリウムを除去し、メタノール(2ガロン)
中へ沈澱させた。濾過及び真空乾燥後に、ポリマー(ポ
リ(4−CPK−BPA))を分離した。ゲル浸透クロ
マトグラフィー(GPC)(溶離溶媒はテトラヒドロフ
ラン)分析は次の通りであった:Mn3,360、Mpe
ak9,139、Mw5,875、Mz19,328及び
Mz+1 29,739。塩化メチレンからの溶液キャスト
膜は、透明、強靱且つ柔軟であった。反応で使用された
化学量論の結果、このポリマーはビスフェノールAから
誘導される末端基を有するものと考えられる。こうして
調製したポリマーを次のようにクロロメチル化した。メ
カニカルスターラ、アルゴン注入口、還流冷却器、及び
添加漏斗を装備した5リットルの3つ口丸底フラスコ中
で、282.68g(256ml)の塩化アセチルをジ
メトキシメタン(313.6g、366.8ml)及び
メタノール(10ml)の混合物へ添加することによっ
てクロロメチルエーテルの酢酸メチル溶液を製造した。
この溶液を1066.8mlの1,1,2,2−テトラ
クロロエタンで希釈し、次に、耐ガス構造のシリンジに
よって四塩化スズ(2.4ml)を添加すると共に、添
加漏斗を用いて1,1,2,2−テトラクロロエタン
(133.2ml)を添加した。反応溶液を500℃ま
で加熱した。その後、ポリ(4−CPK−BPA)(1
60.8g)の1,000mlのテトラクロロエタン溶
液をすばやく添加した。次に反応混合物を110℃に設
定したオイルバスで加熱還流した。連続的に攪拌しなが
ら4時間還流した後、加熱を停止し、混合物を25℃ま
で冷却した。反応混合物を2リットルの丸底フラスコへ
段階的に移し、液体窒素でトラップされた真空ポンプで
減圧を維持しながら、50℃までの緩やかな加熱でロー
タリーエバポレータを用いて濃縮した。濃縮物をメタノ
ール(4ガロン)へ添加し、ワーリングブレンダを用い
てポリマーを沈殿させた。ポリマーを濾過により分離
し、真空乾燥させて、繰返し単位当たり2個のクロロメ
チル基を有するポリ(4−CPK−BPA)を得た( 1
H−NMR分光法を用いて同定)。塩化メチレン(50
0g)中のポリマー(75g)をメタノール(3ガロ
ン)中へ再沈殿させた後、濾過及び真空乾燥して無溶媒
ポリマーを得ることができた。ゲル浸透クロマトグラフ
ィー(GPC)(溶離溶媒はテトラヒドロフラン)分析
は次の通りであった:Mn4,527、Mpeak12,9
64、Mw12,179、Mz21,824及びMz+1
30,612。次に、クロロメチル化ポリマーを以下の
ようにアクリロイル化した。繰返し単位当たり2個のク
ロロメチル基を有する90gのクロロメチル化ポリマー
を639ml(558.5g)のN,N−ジメチルアセ
トアミド中に含む溶液を調製し、この溶液をアクリル酸
ナトリウム(51.39g)と共に25℃で1週間、磁
気的に攪拌した。次に、反応混合物を遠心分離し、上澄
みを、メタノール0.75リットルにつきポリマー溶液
25mlという相対量で、ワーリングブレンダを用いて
メタノール(4.8ガロン)へ添加した。沈殿した白色
粉体を濾過し、湿ったフィルタケーキを水(3ガロン)
で洗浄し、次にメタノール(3ガロン)で洗浄した。次
にポリマーを濾過により分離し、真空乾燥させて、白色
粉体を得た。ポリマーは、モノマー繰返し単位毎に1個
のアクリル酸エステル基と、モノマー繰返し単位毎に1
個のクロロメチル基とを有していた。ゲル浸透クロマト
グラフィー(GPC)(溶離溶媒はテトラヒドロフラ
ン)分析は次の通りであった:Mn10,922、Mpe
ak24,895、Mw62,933、Mz210,54
6及びM z+1 411,394。
つのモノマー繰返し単位毎に1個のアクリル酸エステル
基と、8つのモノマー繰返し単位毎に1個のクロロメチ
ル基とを有する第2のアクリロイル化ポリアリーレンエ
ーテルケトン樹脂を次のように調製した。ディーン−ス
ターク(バレット)トラップ、冷却器、メカニカルスタ
ーラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけられた1リッ
トルの三つ口丸底フラスコをシリコーンオイルバス中に
配置した。4,4′−ジクロロベンゾフェノン(アルド
リッチ11370、アルドリッチケミカル社、ウィスコ
ンシン州、ミルウォーキー、50g)、ビスフェノール
A(アルドリッチ23965−8、48.96g)、炭
酸カリウム(65.56g)、無水N,N−ジメチルア
セトアミド(300ml)及びトルエン(55ml)を
フラスコに添加して175℃(オイルバス温度)に加熱
し、揮発性トルエン成分を捕集及び除去した。連続的に
攪拌しながら175℃で24時間加熱した後、メタノー
ル中に沈澱させた反応生成物のアリコートをゲル浸透ク
ロマトグラフィー(GPC)(溶離溶媒はテトラヒドロ
フラン)により分析し、結果は次の通りであった:Mn
4,464、Mpeak7,583、Mw7,927、Mz
12,331及びMz+1 16,980。反応で使用され
た化学量論の結果、このポリマーはビスフェノールAか
ら誘導される末端基を有するものと考えられる。このポ
リマーは7モル%のN,N−ジメチルアセトアミドを残
留溶媒として含んでいた。残留N,N−ジメチルアセト
アミドがポリマーの5モル%を越える場合、次のステッ
プのクロロメチル化反応は、4つのモノマー繰返し単位
毎に1個のクロロメチル基を最大値として進行するだけ
である。メカニカルスターラ、アルゴン注入口、還流冷
却器、及び添加漏斗を装備した500mlの3つ口丸底
フラスコ中で、35.3gの塩化アセチルをジメトキシ
メタン(45ml)及びメタノール(1.25ml)の
混合物へ添加することによってクロロメチルエーテルの
酢酸メチル溶液を製造した。この溶液を150mlの
1,1,2,2−テトラクロロエタンで希釈し、次に、
四塩化スズ(0.3ml)をシリンジによって添加し
た。溶液を110℃に設定したオイルバスで加熱還流し
た。その後、125mlの1,1,2,2−テトラクロ
ロエタン中の残留溶媒を含むポリ(4−CPK−BP
A)(10gのポリマー)溶液を8分かけて添加した。
連続的に攪拌しながら2時間還流した後、加熱を停止
し、混合物を25℃まで冷却した。反応混合物をロータ
リーエバポレータへ移し、50℃と55℃の間の温度で
緩やかに加熱した。一時間後、揮発分のほとんどが除去
されたときに、反応混合物をメタノールへ添加し(0.
75リットルのメタノールに対してそれぞれ25mlの
溶液を添加した)、ワーリングブレンダを用いてポリマ
ーを沈殿させた。沈殿させたポリマーを濾過により捕集
し、メタノールで洗浄し、空気乾燥させて、13gのオ
フホワイトの粉体を得た。ポリマーは4つの繰返し単位
毎に約1.0個のCH2 Cl基を有していた。次に、1
00ml(87.4g)のN,N−ジメチルアセトアミ
ド中に11gのクロロメチル化ポリマーを含む溶液を調
製し、この溶液をアクリル酸ナトリウム(30g)と共
に25℃で1週間、磁気的に攪拌した。次に、反応混合
物を濾過し、メタノール0.75リットル当たりポリマ
ー溶液25mlという相対量でワーリングブレンダを用
いてメタノールへ添加した。沈殿した白色粉体を固形分
20重量%の塩化メチレン溶液からメタノール中へ再沈
殿させ、次に、空気乾燥させて、7.73gの白色粉体
を得た。ポリマーは、8つの繰返し単位毎に1個のアク
リル酸エステル基と、8つの繰返し単位毎に1個のクロ
ロメチル基と、を有していた。
第2ポリマーと混合し、両方のポリマーを等しい重量部
含む混合物を得た。N−メチルピロリドン中に固形分4
0重量%のポリマーを含む溶液を調製した。その後、増
感剤(ミヒラーのケトン)を溶液の約0.75重量%の
量で溶液へ添加し、更に溶媒を添加して、溶液の固形分
含有率を37重量%にした。得られたブレンドは約3
4,000の重量平均分子量を有し、アクリロイル化度
は樹脂1g当たりアクリロイル基約0.78ミリ当量で
あった。
ン処理したシリコンウェハ上をコーティングし、被覆し
たウェハを70℃で5分間加熱した。次にウェハを25
℃まで冷却した後、ウェハをマスクで覆い、2,500
mJ/cm2 に達するまで365nmの波長の紫外光で
露光した。次に露光した膜を5分間の後露光ベークのた
めに70℃に加熱した後、25℃まで冷却した。膜を6
0:40のクロロホルム/シクロヘキサノン現像剤で現
像し、90:10のヘキサン/シクロヘキサノンで洗浄
し、次に70℃で乾燥させた。処理したウェハを25℃
のオーブンへ移し、後硬化を達成するために、オーブン
温度を2℃/分で260℃まで上げた。後硬化の間に、
熱安定性で耐溶剤性の部位が形成された。後硬化され、
架橋されたポリマーは熱安定性であり、サーマルインク
ジェットインクに対して化学的に不活性であり(例えば
pH9.6であるキャノン株式会社から入手可能なブラ
ックインク、65℃で5週間インクにさらした)、電気
絶縁性であり、機械的に強固であり、且つ後硬化中の収
縮が少なかった。300及び600dpiの解像度にお
いて、清浄な外観が現像された。
調製した、重量平均分子量が約60,000であり、繰
返し単位当たり1個のアクリロイル基及び繰返し単位当
たり1個のクロロメチル基を有する下記式(XIX)のアク
ルロイル化ポリ(4−CPK−BPA)(7g)と、1
75℃の加熱が48時間の代わりに30時間である点を
除いて実施例IにMw5,875のポリ(4−CPK−
BPA)の調製について記載したのと同様の方法で調製
した、重量平均分子量が5,600の下記式(XX)のポ
リ(4−CPK−BPA)(3g)とを合わせて、N−
メチルピロリジノン(15g)で固形分37重量%に希
釈する。
現像するための露光の前に、樹脂固体の約0.3〜約
0.5重量%の量で添加した。得られたブレンドは約4
4,000の重量平均分子量を有し、アクリロイル化度
は樹脂1g当たりアクリロイル基約1.31ミリ当量で
あった。ホスホシリケートガラス層を有するヒータウェ
ハを、3,000回転/分で10秒間、Z6020接着
促進剤溶液(メタノール(95部)及び水(5部)中に
0.01重量%、ダウコーニングから入手可能)でスピ
ンコーティングし、100℃で2〜10分間乾燥させ
た。次に、1,000〜3,000回転/分で30〜6
0秒間、ポリアリーレンエーテルケトンブレンドホトレ
ジスト溶液でウェハ上をスピンコーティングする前に、
ウェハを25℃で5分以上冷却した。膜を70℃で10
〜15分間オーブン中で加熱(ソフトベーキング)し
た。5分かけて25℃まで冷却した後、膜をマスクで覆
い、150及び1,500mJ/cm2 に達するまで3
65nmの紫外光で露光した。次に露光したウェハを2
分間の後露光ベークのために70℃で加熱した後、5分
かけて25℃まで冷却した。膜を6:4のクロロホルム
/シクロヘキサノン現像剤で現像し、9:1のヘキサン
/シクロヘキサノンで洗浄し、次に70℃で2分間乾燥
させた。清浄な外観のウェハを得るために必要であれば
第2の現像/洗浄サイクルを行った。処理したウェハを
25℃のオーブンへ移し、オーブン温度を2℃/分で2
5から90℃まで上げた。温度を90℃で2時間維持
し、次に2℃/分で260℃まで上げた。オーブン温度
を260℃で2時間維持し、次にオーブンのスイッチを
切って、温度を徐々に25℃まで下げた。ホトレジスト
膜の熱硬化をアルゴン又は窒素等の不活性雰囲気中で行
う場合、現像膜の酸化は著しく低減され、得られる装置
の熱及び加水分解安定性が改良された。更に、下部基板
への接着が改良された。所望されるなら、第2層を上面
にスピンコーティングする前に、第1現像層の熱硬化を
80及び260℃の間で停止してもよい。第2のより厚
い層を上記手順を再び繰り返すことにより付着させた。
この方法は、膜厚及びホトレジストの分子量によって手
順は特定の条件から外れ得るという点で指針である。3
0μmの膜は600dpiで清浄な外観を有して現像さ
れた。光パターン形成可能ポリマーブレンド溶液を、更
に、ポリマー約90重量部及びエポキシ樹脂EPON1
001F(シェルケミカル社、テキサス州、ヒュースト
ンから入手可能、次式を有すると考えられる)約10重
量部という相対量でエポキシ樹脂と混合させた。
て、エポキエシ樹脂固体1g当たり10重量%の硬化剤
の添加で、エポキシ樹脂を硬化させた。エポキシ樹脂材
料がない場合と同一のスピン条件、ソフトベーク、露光
及び現像条件を、エポキシブレンドの場合に使用した。
光パターン形成可能ポリマー材料にエポキシ樹脂を組み
入れると、光パターン形成可能な層のヒータプレートへ
の接着が改良された。画像形成に続いて、光パターン形
成可能ポリマーの硬化中に、エポキシがヒータ層と反応
して、その層と強力な化学結合を形成し、界面の接着強
度及び耐溶剤性を改良した。また、エポキシの存在は光
パターン形成可能ポリマーの親水性を改良し、層の湿潤
特性を改良し、これにより、プリントヘッドの再補充特
性が改良される。スルホランベースのインクジェット組
成物、並びに、N−シクロヘキシルピロリジノン及びイ
ミダゾールを含むpH8のアルカリ性インクに耐性の上
記組成物を用いてサーマルインクジェットプリントヘッ
ド装置を製造した。
5,000であり、繰返し単位当たり0.75個のアク
リロイル基及び0.75個のクロロメチル基を有する次
の構造のアクリロイル化ポリ(4−CPK−BPA)を
以下のように調製した。
カニカルスターラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけ
られた1リットルの三つ口丸底フラスコをシリコーンオ
イルバス中に配置した。4,4′−ジクロロベンゾフェ
ノン(アルドリッチ11370、アルドリッチケミカル
社、ウィスコンシン州、ミルウォーキー、53.90
g)、ビスフェノールA(アルドリッチ23965−
8、45.42g)、炭酸カリウム(65.56g)、
無水N,N−ジメチルアセトアミド(300ml)及び
トルエン(55ml)をフラスコに添加して175℃
(オイルバス温度)に加熱し、揮発性トルエン成分を捕
集及び除去した。連続的に攪拌しながら175℃で24
時間加熱した後、反応混合物を濾過して炭酸カリウムを
除去し、メタノール(2ガロン)中へ沈澱させた。濾過
及び真空乾燥後に、ポリマー(ポリ(4−CPK−BP
A))は収率86%で分離された。反応で使用された化
学量論の結果、このポリマーは4,4−ジクロロベンゾ
フェノンから誘導される末端基を有するものと考えられ
る。ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)(溶離溶媒
はテトラヒドロフラン)分析は次の通りである:Mn
4,334、Mpeak10,214、Mw11,068、
Mz10,214及びMz+1 28,915。塩化メチレ
ンからの溶液キャスト膜は、透明、強靱且つ柔軟であっ
た。こうして調製したポリマーを次のようにクロロメチ
ル化した。メカニカルスターラ、アルゴン注入口、還流
冷却器、及び添加漏斗を装備した5リットルの3つ口丸
底フラスコ中で、282.68g(256ml)の塩化
アセチルをジメトキシメタン(313.6g、366.
8ml)及びメタノール(10ml)の混合物へ添加す
ることによってクロロメチルエーテルの酢酸メチル溶液
を製造した。この溶液を1066.8mlの1,1,
2,2−テトラクロロエタンで希釈し、次に、四塩化ス
ズ(2.4ml)を耐ガス構造のシリンジによって添加
すると共に、添加漏斗を用いて1,1,2,2−テトラ
クロロエタン(133.2ml)を添加した。反応溶液
を500℃へ加熱した。その後、ポリ(4−CPK−B
PA)(160.8g)の1,000mlのテトラクロ
ロエタン溶液をすばやく添加した。次に反応混合物を1
10℃に設定したオイルバスで加熱還流した。連続的に
攪拌しながら4時間還流した後、加熱を停止し、混合物
を25℃まで冷却した。反応混合物を2リットルの丸底
フラスコへ段階的に移し、液体窒素でトラップされた真
空ポンプで減圧を維持しながら、50℃までの緩やかな
加熱でロータリーエバポレータを用いて濃縮した。濃縮
物をメタノール(4ガロン)へ添加し、ワーリングブレ
ンダを用いてポリマーを沈殿させた。ポリマーを濾過に
より分離し、真空乾燥させて、繰返し単位当たり1.5
個のクロロメチル基を有する200gのポリ(4−CP
K−BPA)を得た( 1H−NMR分光法を用いて同
定)。塩化メチレン(500g)中のポリマー(75
g)をメタノール(3ガロン)中へ再沈殿させた後、濾
過及び真空乾燥して無溶媒ポリマーを得た。ゲル浸透ク
ロマトグラフィー(GPC)(溶離溶媒はテトラヒドロ
フラン)分析は次の通りであった:Mn5,580、M
peak15,242、Mw17,169、Mz36,83
7及びMz+1 57,851。次に、クロロメチル化ポリ
マーを次のようにアクリロイル化した。繰返し単位当た
り2個のクロロメチル基を有する90gのクロロメチル
化ポリマーを639ml(558.5g)のN,N−ジ
メチルアセトアミド中に含む溶液を調製し、この溶液を
アクリル酸ナトリウム(51.39g)と共に25℃で
1週間、磁気的に攪拌した。次に、反応混合物を遠心分
離し、上澄みを、メタノール0.75リットルにつきポ
リマー溶液25mlという相対量で、ワーリングブレン
ダを用いてメタノール(4.8ガロン)へ添加した。沈
殿した白色粉体を濾過し、湿ったフィルタケーキを水
(3ガロン)で洗浄し、次にメタノール(3ガロン)で
洗浄した。次にポリマーを濾過により分離し、真空乾燥
させて、白色粉体を得た。ポリマーは、モノマー繰返し
単位毎に0.75個のアクリル酸エステル基と、モノマ
ー繰返し単位毎に0.75個のクロロメチル基とを有し
ていた。ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)(溶離
溶媒はテトラヒドロフラン)分析は次の通りであった:
Mn7,000、Mpeak17,376、Mw22,29
5、Mz50,303及びMz+1 80,995。
返し単位当たり2個のクロロメチル基を有する次の構造
のポリ(4−CPK−BPA)を、実施例Iに記載した
ように調製した。
リロイル化及びクロロメチル化ポリマーと、重量平均分
子量が約11,000の3gのクロロメチル化ポリマー
とを合わせて、N−メチルピロリジノン(15g)で固
形分37重量%に希釈した。次式のミヒラーのケトン
を、30μm厚膜を現像するための露光の前に、樹脂固
体の約0.3〜約0.5重量%の量で添加した。
クリロイル化度は約1.05ミリ当量/gであった。ホ
スホシリケートガラス層を有するヒータウェハを、3,
000回転/分で10秒間、Z6020接着促進剤溶液
(メタノール(95部)及び水(5部)中に0.01重
量%、ダウコーニングから入手可能)でスピンコーティ
ングし、100℃で2〜10分間乾燥させた。次に、ポ
リアリーレンエーテルケトンブレンドホトレジスト溶液
で、1,000〜3,000回転/分で30〜60秒
間、ウェハ上をスピンコーティングする前に、ウェハを
25℃で5分以上冷却した。膜を70℃で10〜15分
間オーブン中で加熱(ソフトベーキング)した。5分か
けて25℃まで冷却した後、膜をマスクで覆い、150
及び1,500mJ/cm2 の間に達するまで365n
mの紫外光で露光した。次に露光したウェハを2分間の
後露光ベークのために70℃で加熱した後、5分かけて
25℃まで冷却した。膜を6:4のクロロホルム/シク
ロヘキサノン現像剤で現像し、9:1のヘキサン/シク
ロヘキサノンで洗浄し、次に70℃で2分間乾燥させ
た。清浄な外観のウェハを得るために必要であれば第2
の現像/洗浄サイクルを行った。処理したウェハを25
℃のオーブンへ移し、オーブン温度を2℃/分で25か
ら90℃まで上げた。温度を90℃で2時間維持し、次
に2℃/分で260℃まで上げた。オーブン温度を26
0℃で2時間維持し、次にオーブンのスイッチを切っ
て、温度を徐々に25℃まで下げた。ホトレジスト膜の
熱硬化をアルゴン又は窒素等の不活性雰囲気中で行う場
合、現像膜の酸化は著しく低減され、得られる装置の熱
及び加水分解安定性が改良された。更に、下部基板への
接着が改良された。所望されるなら、第2層を上面にス
ピンコーティングする前に、第1現像層の熱硬化を80
及び260℃の間で停止してもよい。第2のより厚い層
を上記手順を再び繰り返すことにより付着させた。この
方法は、膜厚及びホトレジストの分子量によって手順は
特定の条件から外れ得るという点で指針である。30μ
mの膜は600dpiで清浄な外観を有して現像され
た。光パターン形成可能ポリマーブレンド溶液を、更
に、ポリマー約90重量部及びエポキシ樹脂EPON1
001F(シェルケミカル社、テキサス州、ヒュースト
ンから入手可能、次式を有すると考えられる)約10重
量部という相対量で、エポキシ樹脂と混合させた。
て、エポキシ樹脂固体1g当たり10重量%の硬化剤の
添加で、エポキシ樹脂を硬化させた。エポキシ樹脂材料
がない場合と同一のスピン条件、ソフトベーク、露光及
び現像条件を、エポキシブレンドの場合に使用した。光
パターン形成可能ポリマー材料にエポキシ樹脂を組み入
れると、光パターン形成可能な層のヒータプレートへの
接着が改良された。画像形成に続いて、光パターン形成
可能ポリマーの硬化中に、エポキシはヒータ層と反応し
て、その層と強力な化学結合を形成し、界面の接着強度
及び耐溶剤性を改良した。また、エポキシの存在は光パ
ターン形成可能ポリマーの親水性を改良し、層の湿潤特
性を改良し、これにより、プリントヘッドの再補充特性
が改良される。スルホランベースのインクジェット組成
物、並びに、N−シクロヘキシルピロリジノン及びイミ
ダゾールを含むpH8のアルカリ性インクに耐性の上記
組成物を用いてサーマルインクジェットプリントヘッド
装置を製造した。
00であり、繰返し単位当たり0.75個のアクリロイ
ル基及び0.75個のクロロメチル基を有する次の一般
構造のアクリロイル化ポリ(4−CPK−BPA)を、
以下のように調製した。
カニカルスターラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけ
られた1リットルの三つ口丸底フラスコをシリコーンオ
イルバス中に配置する。4,4′−ジクロロベンゾフェ
ノン(アルドリッチ11370、アルドリッチケミカル
社、ウィスコンシン州、ミルウォーキー、50g)、ビ
スフェノールA(アルドリッチ23965−8、48.
96g)、炭酸カリウム(65.56g)、無水N,N
−ジメチルアセトアミド(300ml)及びトルエン
(55ml)をフラスコに添加して175℃(オイルバ
ス温度)に加熱し、揮発性トルエン成分を捕集及び除去
する。連続的に攪拌しながら175℃で24時間加熱し
た後、メタノール中に沈澱させた反応生成物をゲル浸透
クロマトグラフィー(GPC)(溶離溶媒はテトラヒド
ロフラン)により分析すれば、おおよそ以下の結果を有
するであろうと考えられる:Mn3,100、Mw6,
250。反応で使用される化学量論の結果、このポリマ
ーはビスフェノールAから誘導される末端基を有するも
のと考えられる。このポリマーは7モル%のN,N−ジ
メチルアセトアミドを残留溶媒として含む。残留N,N
−ジメチルアセトアミドがポリマーの5モル%を越える
場合、次のステップのクロロメチル化反応は、4つのモ
ノマー繰返し単位毎に1個のクロロメチル基を最大値と
して進行するだけである。メカニカルスターラ、アルゴ
ン注入口、還流冷却器、及び添加漏斗を装備した500
mlの3つ口丸底フラスコ中で、35.3gの塩化アセ
チルをジメトキシメタン(45ml)及びメタノール
(1.25ml)の混合物へ添加することによってクロ
ロメチルエーテルの酢酸メチル溶液を製造する。この溶
液を150mlの1,1,2,2−テトラクロロエタン
で希釈し、次に、四塩化スズ(0.3ml)をシリンジ
によって添加する。溶液を110℃に設定したオイルバ
スで加熱還流する。その後、125mlの1,1,2,
2−テトラクロロエタン中の残留溶媒を含むポリ(4−
CPK−BPA)(10gのポリマー)の溶液を8分か
けて添加する。連続的に攪拌しながら2時間還流した
後、加熱を停止し、混合物を25℃まで冷却する。反応
混合物をロータリーエバポレータへ移し、50℃と55
℃の間の温度で緩やかに加熱する。一時間後、揮発分の
ほとんどが除去されたときに、反応混合物をメタノール
へ添加し(0.75リットルのメタノールに対してそれ
ぞれ25mlの溶液を添加する)、ワーリングブレンダ
を用いてポリマーを沈殿させる。沈殿したポリマーを濾
過により捕集し、メタノールで洗浄し、空気乾燥させ
て、オフホワイトの粉体を得た。ポリマーは4つの繰返
し単位毎に約1個のCH2 Cl基を有するであろうと考
えられる。次に、100ml(87.4g)のN,N−
ジメチルアセトアミド中に11gのクロロメチル化ポリ
マーを含む溶液を調製し、この溶液をアクリル酸ナトリ
ウム(30g)と共に25℃で1週間、磁気的に攪拌す
る。次に、反応混合物を濾過し、メタノール0.75リ
ットル当たりポリマー溶液25mlという相対量で、ワ
ーリングブレンダを用いてメタノールへ添加する。沈殿
した白色粉体を固形分20重量%の塩化メチレン溶液か
らメタノール中へ再沈殿させ、次に空気乾燥させて、白
色粉体を得る。ポリマーは8つの繰返し単位毎に1個の
アクリル酸エステル基と、8つの繰返し単位毎に1個の
クロロメチル基とを有するであろうと考えられる。
ロピレングリコールジメタクリレート(分子量512)
を、例えば、"Bis-Methacryloxy Bisphenol-A Epoxy Ne
tworks: Synthesis, Characterization, Thermal and M
echanical Properties"(バンシアら(A. Banthia et a
l. 、Polymer Preprints 、 22(1)、209(1981) )に開
示されたように調製する。
ー(8g)及びビスフェノールAビスプロピレングリコ
ールジメタクリレートを合わせて、N−メチルピロリジ
ノン(15g)で固形分37重量%に希釈する。得られ
たブレンドは約20,000の重量平均分子量を有し、
アクリロイル化度はブレンド1g当たりアクリロイル基
約1.27ミリ当量である。ミヒラーのケトンを、30
μm厚膜を現像するための露光の前に、樹脂固体の約
0.3〜約0.5重量%の量で添加する。ホスホシリケ
ートガラス層を有するヒータウェハを、3,000回転
/分で10秒間、Z6020接着促進剤溶液(メタノー
ル(95部)及び水(5部)中に0.01重量%、ダウ
コーニングから入手可能)でスピンコーティングし、1
00℃で2〜10分間乾燥させる。次に、ポリアリーレ
ンエーテルケトンブレンドホトレジスト溶液で、1,0
00〜3,000回転/分で30〜60秒間、ウェハ上
をスピンコーティングする前に、ウェハを25℃で5分
以上冷却する。膜を70℃で10〜15分間オーブン中
で加熱(ソフトベーキング)する。5分かけて25℃ま
で冷却した後、膜をマスクで覆い、150〜1,500
mJ/cm2 に達するまで365nmの紫外光で露光す
る。次に露光したウェハを2分間の後露光ベークのため
に70℃で加熱した後、5分かけて25℃まで冷却す
る。膜を6:4のクロロホルム/シクロヘキサノン現像
剤で現像し、9:1のヘキサン/シクロヘキサノンで洗
浄し、次に70℃で2分間乾燥させる。清浄な外観のウ
ェハを得るために必要であれば第2の現像/洗浄サイク
ルを行う。処理したウェハを25℃のオーブンへ移し、
オーブン温度を2℃/分で25から90℃まで上げる。
温度を90℃で2時間維持し、次に2℃/分で260℃
まで上げる。オーブン温度を260℃で2時間維持し、
次にオーブンのスイッチを切って、温度を徐々に25℃
まで下げる。ホトレジスト膜の熱硬化をアルゴン又は窒
素等の不活性雰囲気中で行う場合、現像膜の酸化は著し
く低減され、得られる装置の熱及び加水分解安定性が改
良される。更に、下部基板への接着が改良される。所望
されるなら、第2層を上面にスピンコーティングする前
に、第1現像層の熱硬化を80及び260℃の間で停止
してもよい。第2のより厚い層を上記手順を再び繰り返
すことにより付着させる。この方法は、膜厚及びホトレ
ジストの分子量によって手順は特定の条件から外れ得る
という点で指針である。30μmの膜は600dpiで
清浄な外観を有して現像できる。
0であり、繰返し単位当たり0.75個のアクリロイル
基及び0.75個のクロロメチル基を有し、実施例II
Iに記載したように調製した次式の構造のアクリロイル
化ポリ(4−CPK−BPA)(80重量部)と、重量
平均分子量が15,000のポリメタクリル酸メチル
(シグマケミカル社(Sigma Chemical Co.) 、ミズーリ
州、セントルイスから得られる)(20重量部)とを合
わせて、N−メチルピロリジノン(150g)で固形分
37重量%に希釈する。
有し、アクリロイル化度は約1.20ミリ当量/gであ
った。ミヒラーのケトンを、30μm厚膜を現像するた
めの露光の前に、樹脂固体の約1.5重量%の量で添加
する。ホスホシリケートガラス層を有するヒータウェハ
を、3,000回転/分で10秒間、Z6020接着促
進剤溶液(メタノール(95部)及び水(5部)中に
0.01重量%、ダウコーニングから入手可能)でスピ
ンコーティングし、100℃で2〜10分間乾燥させ
る。次に、ポリアリーレンエーテルケトンブレンドホト
レジスト溶液で、1,000〜3,000回転/分で3
0〜60秒間、ウェハ上をスピンコーティングする前
に、ウェハを25℃で5分以上冷却する。膜を70℃で
10〜15分間オーブン中で加熱(ソフトベーキング)
する。5分かけて25℃まで冷却した後、膜をマスクで
覆い、150及び1500mJ/cm2 の間に達するま
で365nmの紫外光で露光する。次に露光したウェハ
を2分間の後露光ベークのために70℃で加熱した後、
5分かけて25℃まで冷却する。膜を6:4のクロロホ
ルム/シクロヘキサノン現像剤で現像し、9:1のヘキ
サン/シクロヘキサノンで洗浄し、次に70℃で2分間
乾燥させる。清浄な外観のウェハを得るために必要であ
れば第2の現像/洗浄サイクルを行う。処理したウェハ
を25℃のオーブンへ移し、オーブン温度を2℃/分で
25から90℃まで上げる。温度を90℃で2時間維持
し、次に2℃/分で260℃まで上げる。オーブン温度
を260℃で2時間維持し、次にオーブンのスイッチを
切って、温度を徐々に25℃まで下げる。ホトレジスト
膜の熱硬化をアルゴン又は窒素等の不活性雰囲気中で行
う場合、現像膜の酸化は著しく低減され、得られる装置
の熱及び加水分解安定性が改良されると考えられる。更
に、下部基板への接着が改良されると考えられる。所望
されるなら、第2層を上面にスピンコーティングする前
に、第1現像層の熱硬化を80及び260℃の間で停止
してもよい。第2のより厚い層を上記手順を再び繰り返
すことにより付着させる。この方法は、膜厚及びホトレ
ジスト分子量によって手順は特定の条件から外れ得ると
いう点で指針である。30μmの膜は600dpiで清
浄な外観を有して現像できると考えられる。
約30である)のポリアリーレンエーテルケトン(以
下、ポリ(4−CPK−BPA)と称す)を次のように
調製した。
カニカルスターラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけ
られた1リットルの三つ口丸底フラスコをシリコーンオ
イルバス中に配置した。4,4′−ジクロロベンゾフェ
ノン(アルドリッチ11370、アルドリッチケミカル
社、ウィスコンシン州、ミルウォーキー、53.90
g)、ビスフェノールA(アルドリッチ23965−
8、45.42g)、炭酸カリウム(65.56g)、
無水N,N−ジメチルアセトアミド(300ml)及び
トルエン(55ml)をフラスコに添加して175℃
(オイルバス温度)に加熱し、揮発性トルエン成分を捕
集及び除去した。連続的に攪拌しながら175℃で24
時間加熱した後、反応混合物を濾過して炭酸カリウムを
除去し、メタノール(2ガロン)中へ沈澱させた。濾過
及び真空乾燥後に、ポリマー(ポリ(4−CPK−BP
A))は収率86%で分離された。GPC分析は次の通
りである:Mn4,239、Mpeak9,164、Mw1
0,238、Mz18,195及びMz+1 25,91
6。塩化メチレンからの溶液キャスト膜は、透明、強靱
且つ柔軟であった。反応で使用された化学量論の結果、
このポリマーは4,4−ジクロロベンゾフェノンから誘
導される末端基を有するものと考えられる。
〜約30である)のポリアリーレンエーテルケトン(以
下、ポリ(4−CPK−BPA)と称す)を以下のよう
に調製した。
カニカルスターラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけ
られた1リットルの三つ口丸底フラスコをシリコーンオ
イルバス中に配置した。4,4′−ジクロロベンゾフェ
ノン(アルドリッチ11370、アルドリッチケミカル
社、ウィスコンシン州、ミルウォーキー、50g)、ビ
スフェノールA(アルドリッチ23965−8、48.
96g)、炭酸カリウム(65.56g)、無水N,N
−ジメチルアセトアミド(300ml)及びトルエン
(55ml)をフラスコに添加して175℃(オイルバ
ス温度)に加熱し、揮発性トルエン成分を捕集及び除去
した。連続的に攪拌しながら175℃で24時間加熱し
た後、メタノール中に沈殿させた反応生成物のアリコー
トをゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)(溶離溶媒
はテトラヒドロフラン)により分析し、次の結果を得
た:Mn4,464,Mpeak7,583、Mw7,92
7、Mz12,331及びMz+1 16,980。連続的
に攪拌しながら175℃で48時間後、反応混合物を濾
過して炭酸カリウムを除去し、メタノール(2ガロン)
中に沈殿させた。ポリマー(ポリ(4−CPK−BP
A))は、濾過及び真空乾燥後に、86%の収率で分離
された。GPC分析は次の通りであった:Mn5,34
7、Mpeak16,126、Mw15,596、Mz2
9,209及びMz+1 42,710。ポリマーのガラス
転移温度は約120±10℃であった(20℃/分の加
熱速度で示差走査熱量測定法を用いた)。塩化メチレン
からの溶液キャスト膜は、透明、強靱且つ柔軟であっ
た。反応で使用された化学量論の結果、このポリマーは
ビスフェノールAから誘導される末端基を有するものと
考えられる。
2〜約30である)のポリアリーレンエーテルケトン
(以下、ポリ(4−CPK−BPA)と称す)を以下の
ように調製した。
カニカルスターラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけ
られた5リットルの三つ口丸底フラスコをシリコーンオ
イルバス中に配置した。4,4′−ジクロロベンゾフェ
ノン(アルドリッチ11370、アルドリッチケミカル
社、ウィスコンシン州、ミルウォーキー、250g)、
ビスフェノールA(アルドリッチ23965−8、24
4.8g)、炭酸カリウム(327.8g)、無水N,
N−ジメチルアセトアミド(1500ml)及びトルエ
ン(275ml)をフラスコに添加して175℃(オイ
ルバス温度)に加熱し、揮発性トルエン成分を捕集及び
除去した。連続的に攪拌しながら175℃で48時間加
熱した後、反応混合物を濾過して不溶性塩を除去し、得
られた溶液をメタノール(5ガロン)へ添加してポリマ
ーを沈殿させた。ポリマーを濾過により分離し、湿った
フィルタケーキを水(3ガロン)で洗浄した後、メタノ
ール(3ガロン)で洗浄した。360gの真空乾燥した
生成物が得られた。ポリマーの分子量をゲル浸透クロマ
トグラフィー(GPC)(溶離溶媒はテトラヒドロフラ
ン)により決定し、次の結果を得た:Mn3,601、
Mpeak5,377、Mw4,311、Mz8,702及
びMz+1 12,951。ポリマーのガラス転移温度は分
子量に応じて125〜155℃であった(20℃/分の
加熱速度で示差走査熱量測定法を用いた)。塩化メチレ
ンからの溶液キャスト膜は、透明、強靱且つ柔軟であっ
た。反応で使用された化学量論の結果、このポリマーは
ビスフェノールAから誘導される末端基を有するものと
考えられる。
うに調製したポリ(4−CPK−BPA)(10g)の
1,1,2,2−テトラクロロエタン(100ml、1
61.9g)溶液、p−トルエンスルホン酸一水和物
(1g)、アクリル酸(15.8g)、及び破砕された
4−メトキシ−フェノール(MEHQ、0.2g)を、
マグネティックスターラが備えつけられた6.5液量オ
ンスの飲料ボトルに装入した。ボトルにゴム隔壁で栓を
し、次に、ボトル内を針状の差し込みを用いてアルゴン
下で、シリコーンオイルバス中で105℃に加熱した。
オイルバスが90℃に達したときにアルゴンの針状の差
し込みを除去した。105℃での加熱を、絶えず磁気的
に攪拌しながら1.5時間継続した。次に、更にMEH
Q(0.2g)を1,1,2,2−テトラクロロエタン
1mlに溶かした溶液をシリンジにより添加し、105
℃での加熱を攪拌しながらさらに1.5時間継続した。
反応混合物は始めは濁った懸濁液であったが、加熱によ
り透明になった。反応容器の冷えた表面でのパラホルム
アルデヒドの凝縮を防止するために反応容器を熱いオイ
ルバス中にできるだけ浸した。反応混合物を25℃に戻
した後、25〜50μmの焼結ガラスブフナー漏斗によ
り濾過した。反応溶液をメタノール(1ガロン)へ添加
して次式(ここで、nは約6〜約50である)のポリ
(アクリロイルメチル−4−CPK−BPA)で示され
るポリマーを沈殿させた。
(4−CPK−BPA)繰返し単位毎にほぼ1個のアク
リロイルメチル基(即ち、0.25のアクリロイル化
度)を同定した。次に、ポリ(アクリロイルメチル−4
−CPK−BPA)を塩化メチレンに溶解し、メタノー
ル(1ガロン)中に再沈殿させ、10gのふわふわした
白色固体を生成した。
ン注入口、還流冷却器、及び添加漏斗を装備した5リッ
トルの3つ口丸底フラスコ中で、282.68g(25
6ml)の塩化アセチルをジメトキシメタン(313.
6g、366.8ml)及びメタノール(10ml)の
混合物へ添加することによってクロロメチルエーテルの
酢酸メチル溶液を製造した。この溶液を1,066.8
mlの1,1,2,2−テトラクロロエタンで希釈し、
次に、四塩化スズ(2.4ml)を耐ガス構造のシリン
ジによって添加すると共に、添加漏斗を用いて1,1,
2,2−テトラクロロエタン(133.2ml)を添加
した。反応溶液を500℃まで加熱した。その後、実施
例VIIIで記載したように調製したポリ(4−CPK
−BPA)(160.8g)の1,000mlのテトラ
クロロエタン溶液をすばやく添加した。次いで反応混合
物を110℃に設定したオイルバスで加熱還流した。連
続的に攪拌しながら4時間還流した後、加熱を停止し、
混合物を25℃まで冷却した。反応混合物を2リットル
の丸底フラスコへ段階的に移し、液体窒素でトラップさ
れた真空ポンプを用いて減圧を維持しながら、50℃ま
での緩やかな加熱でロータリーエバポレータを用いて濃
縮した。濃縮物をメタノール(4ガロン)へ添加して、
ワーリングブレンダを用いてポリマーを沈殿させた。ポ
リマーを濾過により分離し、真空乾燥させて、繰返し単
位当たり1.5個のクロロメチル基を有するポリ(4−
CPK−BPA)200gを得た( 1H−NMR分光測
定法を用いて同定)。同一の反応を1、2、3及び4時
間で行った場合、繰返し単位当たりのクロロメチル基の
量は、それぞれ、0.76、1.09、1.294及び
1.496であった。
g)中のポリマー(75g)をメタノール(3ガロン)
中へ再沈殿させた後、濾過及び真空乾燥して得ることが
でき、70.5g(理論収率99.6%)の無溶媒ポリ
マーを生成した。
(4−CPK−BPA)を使用する点を除いて同様の条
件下(他の試薬の量は上記と同一)で反応を行い、11
0℃(オイルバス温度)で1、2、3及び4時間で、繰
返し単位当たりそれぞれ1.31、1.50、1.75
及び2個のクロロメチル基を有するポリマーが形成され
た。
わりに241.2gのポリ(4−CPK−BPA)を使
用した場合、110℃(オイルバス温度)で1、2、
3、4、5及び6時間で、繰返し単位当たりそれぞれ
0.79、0.90、0.98、1.06、1.22及
び1.38個のクロロメチル基を有するポリ(CPK−
BPA)が形成された。
わりに321.6gのポリ(4−CPK−BPA)を使
用した場合、110℃(オイルバス温度)で1、2、
3、4、5、6、7及び8時間で、繰返し単位当たりそ
れぞれ0.53、0.59、0.64、0.67、0.
77、0.86、0.90及び0.97個のクロロメチ
ル基を有するポリ(CPK−BPA)が形成された。
テルケトンを、実施例VIIで記載したように調製し
た。
び添加漏斗を装備した500mlの3つ口丸底フラスコ
中で、35.3gの塩化アセチルをジメトキシメタン
(45ml)及びメタノール(1.25ml)の混合物
へ添加することによってクロロメチルエーテルの酢酸メ
チル溶液を製造した。この溶液を150mlの1,1,
2,2−テトラクロロエタンで希釈し、次に、四塩化ス
ズ(0.3ml)をシリンジによって添加した。この溶
液を110℃に設定したオイルバスで加熱還流した。そ
の後、125mlの1,1,2,2−テトラクロロエタ
ン中のポリ(4−CPK−BPA)(10g)の溶液を
8分かけて添加した。連続的に攪拌しながら2時間還流
した後、加熱を停止し、混合物を25℃まで冷却した。
反応混合物をロータリーエバポレータへ移し、50℃と
55℃の間の温度で緩やかに加熱した。一時間後、揮発
分のほとんどが除去されたとき、反応混合物をメタノー
ルへ添加し(0.75リットルのメタノールに対してそ
れぞれ25mlの溶液を添加した)、ワーリングブレン
ダを用いてポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを
濾過により捕集し、メタノールで洗浄し、空気乾燥させ
て、13gのオフホワイトの粉体を得た。ポリマーは繰
返し単位当たり約1.5個のCH2Cl基を有してい
た。
ミド639ml(558.5g)中に、実施例Xに記載
のように調製した繰り返し単位当たりクロロメチル基
1.5個を有するクロロメチル化ポリマー90gを含有
する溶液を調製し、この溶液をアクリレートナトリウム
(51.39g)と共に25℃で一週間電磁攪拌した。
次に、得られた反応混合物を遠心分離し、この上澄液
を、ウェアリング(Waring) ブレンダーを使用して、メ
タノール0.75リットル当たりポリマー溶液25ml
の相対量でメタノール(4.8ガロン)に添加した。沈
殿した白色粉体をろ過し、湿潤したフィルタケークを水
(3ガロン)及び次にメタノール(3ガロン)で洗浄し
た。次に、ろ過によってポリマーを単離し、真空乾燥し
て白色粉体73.3gを得た。このポリマーは、モノマ
ー繰り返し単位4個当たりアクリレート基3個と、モノ
マー繰り返し単位4個当たりクロロメチル基3個を有
し、重量平均分子量は約25,000であった。
有するポリ(4−CPK−BPA)を用い、他の試薬は
同じにしたままで反応を繰り返した場合、繰り返し単位
当たりアクリレート基0.76個及び繰り返し単位当た
りクロロメチル基1.24個を得るのにこの反応は4日
かかった。
個を有するポリ(4−CPK−BPA)を用い、他の試
薬は同じにしたままで反応を繰り返した場合、繰り返し
単位当たりアクリレート基0.75個及び繰り返し単位
当たりクロロメチル基2.5個を得るのにこの反応は1
4日かかった。
リーレンエーテルケトンを、実施例XIに記載のように
調製した。次に、N,N−ジメチルアセタミド100m
l(87.4g)中にクロロメチル化ポリマー11gを
含有する溶液を調製し、この溶液をアクリレートナトリ
ウム(30g)と共に25℃で一週間電磁攪拌した。次
に、得られた反応混合物をろ過し、ウェアリング(Wari
ng) ブレンダーを使用して、メタノール0.75リット
ル当たりポリマー溶液25mlの相対量でこれをメタノ
ール(4.8ガロン)に添加した。沈殿した白色粉体を
塩化メチレン中の20重量%固形分を含む溶液からメタ
ノール中で再び沈殿させ、次に自然乾燥して白色粉体
7.73gを得た。このポリマーは、モノマー繰り返し
単位4個当たりアクリレート基3個と、モノマー繰り返
し単位4個当たりクロロメチル基3個を有していた。
マー繰返し単位の数を示す)のポリマーを次のように調
製した。
カニカルスターラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけ
られた500mlの三つ口丸底フラスコをシリコーンオ
イルバス中に配置した。4,4′−ジクロロベンゾフェ
ノン(アルドリッチ11370、アルドリッチケミカル
社、ウィスコンシン州、ミルウォーキー、16.32
g、0.065モル)、ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)メタン(アルドリッチ、14.02g、0.07モ
ル)、炭酸カリウム(21.41g)、無水N,N−ジ
メチルアセトアミド(100ml)及びトルエン(10
0ml)をフラスコに添加して175℃(オイルバス温
度)に加熱し、揮発性トルエン成分を捕集及び除去し
た。連続的に攪拌しながら175℃で48時間加熱した
後、反応混合物を濾過し、メタノールへ添加してポリマ
ーを沈澱させ、このポリマーを濾過により捕集し、水洗
し、次にメタノールで洗浄した。真空乾燥した生成物ポ
リ(4−CPK−BPM)の収量は24gであった。ポ
リマーは、N−メチルピロリジノン、N,N−ジメチル
アセトアミド及び1,1,2,2−テトラクロロエタン
に加熱により溶解した。ポリマーは溶液が25℃まで冷
却した後でも溶解したままであった。
うに調製したポリマー、ポリ(4−CPK−BPM)
を、実施例VIIIで記載した方法によって、パラホル
ムアルデヒドでアクリロイル化した。同様の結果が得ら
れた。
ように調製したポリマー、ポリ(4−CPK−BPM)
を次のようにクロロメチル化した。塩化アセチル(3
5.3g)をジメトキシメタン(45ml)及びメタノ
ール(1.25ml)の混合物へ添加することによって
クロロメチルメチルエーテルの酢酸メチル溶液(6ミリ
モル/ml)を製造した。この溶液を150mlの1,
1,2,2−テトラクロロエタンで希釈し、次に、四塩
化スズ(0.3ml)を添加した。110℃に設定した
オイルバスを用いて混合物を還流させた後、125ml
の1,1,2,2−テトラクロロエタン中のポリ(4−
CPK−BPM)(10g)の溶液を添加した。還流を
2時間維持し、次に、5mlのメタノールを添加して反
応を停止させた。反応溶液をワーリングブレンダを用い
て1ガロンのメタノールへ添加し、生成物、クロロメチ
ル化ポリ(4−CPK−BPM)を沈澱させ、このポリ
マーを濾過により捕集し、真空乾燥させた。ポリマーの
繰返し単位当たり2個のクロロメチル基を有するポリ
(4−CPK−BPM)9.46gが得られた。ポリマ
ーは次の構造を有していた。
トアミド20ml中の、繰返し単位当たり2個のクロロ
メチル基を有するポリ(4−CPK−BPM)(1g、
実施例XVIで記載したように調製する)をアクリル酸
ナトリウムと共に25℃で112時間磁気的に攪拌し
た。溶液をワーリングブレンダを用いてメタノールへ添
加してポリマーを沈澱させ、このポリマーを濾過及び真
空乾燥させた。58〜69%のクロロメチル基がアクリ
ロイル基で置換された。生成物は次の式で表された。
モノマー繰返し単位の数を示す)のポリマーを次のよう
に調製した。
カニカルスターラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけ
られた500mlの三つ口丸底フラスコをシリコーンオ
イルバス中に配置した。4,4′−ジクロロベンゾフェ
ノン(アルドリッチ11370、アルドリッチケミカル
社、ウィスコンシン州、ミルウォーキー、16.32
g、0.065モル)、ヘキサフルオロビスフェノール
A(アルドリッチ、23.52g、0.07モル)、炭
酸カリウム(21.41g)、無水N,N−ジメチルア
セトアミド(100ml)及びトルエン(100ml)
をフラスコに添加して175℃(オイルバス温度)に加
熱し、揮発性トルエン成分を捕集及び除去した。連続的
に攪拌しながら175℃で48時間加熱した後、反応混
合物を濾過し、メタノールへ添加してポリマーを沈澱さ
せ、このポリマーを濾過により捕集し、水洗し、次にメ
タノールで洗浄した。真空乾燥した生成物ポリ(4−C
PK−HFBPA)の収量は20gであった。ポリマー
をゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)(溶離溶媒は
テトラヒドロフラン)により分析し、次の結果を得た:
Mn1,975、Mpeak2,281、Mw3,588、
及びMz+18,918。
のように調製したポリマーであるポリ(4−CPK−H
FBPA)を、実施例VIIIに記載の方法によってパ
ラホルムアルデヒドを用いてアクリロイル化した。同様
の結果を得た。
ように調製したポリマーであるポリ(4−CPK−HF
BPA)を、実施例XVIに記載の方法によってクロロ
メチル化する。同様の結果を得るであろうと考えられ
る。
に調製したクロロメチル化ポリマーであるポリ(4−C
PK−HFBPA)を、実施例XVIIに記載の方法に
よってアクリロイル化する。同様の結果を得るであろう
と考えられる。
ノマー繰返し単位の数を示す)のポリマーを以下のよう
に調製した。
カニカルスターラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけ
られた1リットルの三つ口丸底フラスコをシリコーンオ
イルバス中に配置した。4,4′−ジフルオロベンゾフ
ェノン(アルドリッチケミカル社、ウィスコンシン州、
ミルウォーキー、43.47g、0.1992モル)、
9,9′−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレノ
ン(ケンセイカ(Ken Seika)、ニュージャージー州、ラ
ムソン、75.06g、0.2145モル)、炭酸カリ
ウム(65.56g)、無水N,N−ジメチルアセトア
ミド(300ml)及びトルエン(52ml)をフラス
コに添加して175℃(オイルバス温度)に加熱し、揮
発性トルエン成分を捕集及び除去した。連続的に攪拌し
ながら175℃で5時間加熱した後、反応混合物を25
℃に冷却した。凝固した塊を酢酸(酢)で処理し、塩化
メチレンで抽出し、濾過し、メタノールへ添加してポリ
マーを沈澱させ、このポリマーを濾過により捕集し、水
洗し、次にメタノールで洗浄した。真空乾燥した生成物
ポリ(4−FPK−FBPA)の収量は71.7gであ
った。ポリマーをゲル浸透クロマトグラフィー(GP
C)(溶離溶媒はテトラヒドロフラン)により分析し、
次の結果を得た:Mn59,100、Mpeak144,0
00、Mw136,100、Mz211,350、及び
Mz+ 1 286,100。
モノマー繰返し単位の数を示す)のポリマーを以下のよ
うに調製した。
カニカルスターラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけ
られた1リットルの三つ口丸底フラスコをシリコーンオ
イルバス中に配置した。4,4′−ジクロロベンゾフェ
ノン(アルドリッチケミカル社、ウィスコンシン州、ミ
ルウォーキー、50.02g、0.1992モル)、
9,9′−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレノ
ン(ケンセイカ、ニュージャージー州、ラムソン、7
5.04g、0.2145モル)、炭酸カリウム(6
5.56g)、無水N,N−ジメチルアセトアミド(3
00ml)及びトルエン(52ml)をフラスコに添加
して175℃(オイルバス温度)に加熱し、揮発性トル
エン成分を捕集及び除去した。連続的に攪拌しながら1
75℃で24時間加熱した後、反応混合物を25℃に冷
却した。反応混合物を濾過し、メタノールへ添加してポ
リマーを沈澱させ、このポリマーを濾過により捕集し、
水洗し、次にメタノールで洗浄した。真空乾燥した生成
物ポリ(4−CPK−FBP)の収量は60gであっ
た。
載したように調製したポリマー、ポリ(4−CPK−F
BP)を次のようにクロロメチル化した。塩化アセチル
(38.8g)をジメトキシメタン(45ml)及びメ
タノール(1.25ml)の混合物へ添加することによ
ってクロロメチルメチルエーテルの酢酸メチル溶液(6
ミリモル/ml)を製造した。この溶液を100mlの
1,1,2,2−テトラクロロエタンで希釈し、次に、
四塩化スズ(0.5ml)を50mlの1,1,2,2
−テトラクロロエタン中で添加した。100℃に設定し
たオイルバスを用いて混合物を還流した後、125ml
の1,1,2,2−テトラクロロエタン中のポリ(4−
CPK−FBP)(10g)の溶液を添加した。反応温
度を100℃で1時間維持し、次に、5mlのメタノー
ルを添加して反応を停止させた。反応溶液をワーリング
ブレンダを用いて1ガロンのメタノールへ添加し、生成
物、クロロメチル化ポリ(4−CPK−FBP)を沈澱
させ、このポリマーを濾過により捕集し、真空乾燥させ
た。ポリマーの繰返し単位当たり1.5個のクロロメチ
ル基を有するポリ(4−CPK−FBP)9.5gが得
られた。反応を110℃(オイルバス設定温度)で行っ
た場合、ポリマーは80分以内にゲル化した。ポリマー
は次の構造を有していた。
アミド20ml中の、繰返し単位当たり1.5個のクロ
ロメチル基を有するポリ(4−CPK−FBP)(1
g、実施例XXIVで記載したように調製する)をアク
リル酸ナトリウムと共に、25℃で112時間磁気的に
攪拌した。溶液をワーリングブレンダを用いてメタノー
ルへ添加してポリマーを沈澱させ、このポリマーを濾過
及び真空乾燥させた。約50%のクロロメチル基がアク
リロイル基で置換された。生成物は次の式で表された。
ノマー繰返し単位の数を示す)のポリマーを以下のよう
に調製した。
カニカルスターラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけ
られた1リットルの三つ口丸底フラスコをシリコーンオ
イルバス中に配置した。4,4′−ジフルオロベンゾフ
ェノン(アルドリッチケミカル社、ウィスコンシン州、
ミルウォーキー、16.59g)、ビスフェノールA
(アルドリッチ、14.18g、0.065モル)、炭
酸カリウム(21.6g)、無水N,N−ジメチルアセ
トアミド(100ml)及びトルエン(30ml)をフ
ラスコに添加して175℃(オイルバス温度)に加熱
し、揮発性トルエン成分を捕集及び除去した。連続的に
攪拌しながら175℃で4時間加熱した後、反応混合物
を25℃に冷却した。凝固した塊を酢酸(酢)で処理
し、塩化メチレンで抽出し、濾過し、メタノールへ添加
してポリマーを沈澱させ、このポリマーを濾過により捕
集し、水洗し、次にメタノールで洗浄した。真空乾燥し
た生成物ポリ(4−FPK−BPA)の収量は12.2
2gであった。ポリマーをゲル浸透クロマトグラフィー
(GPC)(溶離溶媒はテトラヒドロフラン)により分
析し、次の結果を得た:Mn5,158、Mpeak15,
080、Mw17,260及びMz+1 39,287。よ
り低い分子量を得るには、反応を化学量論では15モル
%差し引いて繰り返すことができる。
ベンゾイル−2,4−ジクロロベンゼンを以下のように
調製した。
クトラップ、冷却器及び栓を備え、オイルバス中に配置
された2リットルのフラスコへ、トルエン(152g)
を添加した。オイルバス温度を130℃まで上げ、1
2.5gのトルエンが除去された。水の徴候はなかっ
た。フラスコをオイルバスから取り出し、25℃に冷却
した。塩化2,4−ジクロロベンゾイル(0.683モ
ル、143g)を添加して溶液を形成した。その後、無
水塩化アルミニウム(0.8175モル、109g)を
15分かけて少しずつ添加し、塩酸ガスが激しく発生し
た(臭気で確認)。溶液はオレンジ−黄色になり、次に
赤色になった。反応系をアルゴン下で16時間攪拌し、
溶媒を除去して固体の塊を得た。塊を塩化メチレン(1
リットル)で抽出し、次に炭酸カリウムで乾燥させ、濾
過した。濾液をロータリーエバポレータ及び真空ポンプ
を用いて濃縮し、オイルを得た。オイルは冷えて、固体
の結晶塊になった。−15℃におけるメタノール(1リ
ットル)からの再結晶により、第1群の82.3gの
4′−メチルベンゾイル−2,4−ジクロロベンゼン
(融点55−56℃)と、第2群の32gの生成物(メ
タノール500mlから)と、第3群の16.2gの生
成物とを得た。全回収生成物は134.7gであり、収
率65.6%であった。
−2,4−ジクロロベンゼンを以下のように調製した。
クトラップ、冷却器及び栓を備え、オイルバス中に配置
された2リットルのフラスコへ、ベンゼン(200g)
を添加した。オイルバス温度を100℃まで上げ、19
gのベンゼンが除去された。水の徴候はなかった。フラ
スコをオイルバスから取り出し、25℃に冷却した。塩
化2,4−ジクロロベンゾイル(0.683モル、14
3g)を添加して溶液を形成した。その後、無水塩化ア
ルミニウム(0.8175モル、109g)を15分か
けて少しずつ添加し、ガスが激しく発生した。多量の塩
酸が発生した(臭気で確認)。溶液はオレンジ−黄色に
なり、次に赤色になった。反応系をアルゴン下で16時
間攪拌し、次に2リットルビーカー中で1リットルの氷
水へ添加した。混合物を、白色になるまで攪拌し、次に
塩化メチレン(1リットル)で抽出した。塩化メチレン
層を炭酸水素ナトリウムで乾燥させ、濾過した。濾液を
ロータリーエバポレータ及び真空ポンプを用いて濃縮
し、オイルを得た。オイルは冷えて、固体の結晶塊(1
54.8g)になった。メタノールからの再結晶によ
り、第1群に133.8gのベンゾイル−2,4−ジク
ロロベンゼンを白色の針状結晶として得た(融点41−
43℃)。
ベンゾイルを次のように調製した。氷浴中に配置され、
アルゴン注入口、冷却器及びメカニカルスターラを備え
た2リットルの三つ口丸底フラスコへ、400mlのジ
クロロメタン中の2,5−ジクロロ安息香酸(93.1
g)を添加し、スラリーを形成した。次に、68gのジ
クロロメタン中の塩化チオニル(85g)を添加し、混
合物を25℃で攪拌した。次に、混合物を徐々に加熱
し、16時間還流を維持した。次に、塩化チオニルを8
0℃より高温に加熱しながら、クライゼン蒸留取り出し
ヘッドを用いて除去した。反応残渣を500mlの一つ
口丸底フラスコへ移した後、0.1〜0.3mmHg及
び70〜100℃で、クゲルロア(Kugelrohr)装置及び
真空ポンプを用いて蒸留し、氷浴冷却でトラップされた
82.1gの塩化2,5−ジクロロベンゾイルを黄色−
白色固体として得た。
5−ジクロロベンゼンを以下のように調製した。
クトラップ、冷却器及び栓を備え、オイルバス中に配置
された2リットルのフラスコへ、ベンゼン(140g)
を添加した。オイルバス温度を100℃まで上げ、19
gのベンゼンが除去された。水の徴候はなかった。フラ
スコをオイルバスから取り出し、25℃に冷却した。実
施例XXIXで記載したように調製した塩化2,5−ジ
クロロベンゾイル(92.6g)を添加して溶液を形成
した。その後、無水塩化アルミニウム(0.8175モ
ル、109g)を15分かけて少しずつ慎重に添加し、
ガスが激しく発生した。多量の塩酸が発生した(臭気で
確認)。溶液はオレンジ−黄色になり、次に赤色になっ
た。反応系をアルゴン下で16時間攪拌し、次に2リッ
トルビーカー中で1リットルの氷水へ添加した。混合物
を、白色になるまで攪拌し、次に塩化メチレン(1リッ
トル)で抽出した。塩化メチレン層を炭酸水素ナトリウ
ム上で乾燥させ、濾過した。濾液をロータリーエバポレ
ータ及び真空ポンプを用いて濃縮し、結晶(103.2
g)を得た。メタノールからの再結晶により、ベンゾイ
ル−2,5−ジクロロベンゼンを白色の針状結晶として
得た(融点85−87℃)。
ンゾイル−2,5−ジクロロベンゼンを以下のように調
製した。
クトラップ、冷却器及び栓を備え、オイルバス中に配置
された2リットルのフラスコへ、トルエン(200g)
を添加した。その後、無水塩化アルミニウム(64g)
を15分かけて少しずつ慎重に添加し、ガスが激しく発
生した。多量の塩酸が発生した(臭気で確認)。溶液は
オレンジ−黄色になり、次に赤色になった。反応系をア
ルゴン下で16時間攪拌し、次に2リットルビーカー中
で1リットルの氷水へ添加した。混合物を、白色になる
まで攪拌し、次に塩化メチレン(1リットル)で抽出し
た。塩化メチレン層を炭酸水素ナトリウム上で乾燥さ
せ、濾過した。濾液をロータリーエバポレータ及び真空
ポンプを用いて濃縮し、結晶を得た。メタノールからの
再結晶により、37.6gの4′−メチルベンゾイル−
2,5−ジクロロベンゼンを淡黄色の針状結晶として得
た(融点107−108℃)。
モノマー繰返し単位の数を示す)のポリマーを以下のよ
うに調製した。
カニカルスターラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけ
られた250mlの三つ口丸底フラスコをシリコーンオ
イルバス中に配置した。4′−メチルベンゾイル−2,
4−ジクロロベンゼン(0.0325モル、8.612
5g、実施例XXVIIで記載したように調製する)、
ビスフェノールA(アルドリッチ23965−8、0.
035モル、7.99g)、炭酸カリウム(10.7
g)、無水N,N−ジメチルアセトアミド(60ml)
及びトルエン(60ml、49.1g)をフラスコに添
加して175℃(オイルバス温度)に加熱し、揮発性ト
ルエン成分を捕集及び除去した。連続的に攪拌しながら
175℃で24時間加熱した後、反応生成物を濾過し、
濾液をメタノールへ添加してポリマーを沈澱させた。湿
ったポリマーケーキを濾過により分離し、水で洗浄し、
次にメタノールで洗浄した後、真空乾燥させた。ポリマ
ー(7.70g、収率48%)をゲル浸透クロマトグラ
フィー(GPC)(溶離溶媒はテトラヒドロフラン)に
より分析し、次の結果を得た:Mn1,898、Mpeak
2,154、Mw2,470、Mz3,220及びM
z+1 4,095。
(nはモノマー繰返し単位の数を示す)を、4′−メチ
ルベンゾイル−2,4−ジクロロベンゼン出発物質の代
わりに実施例XXVIIIで記載したように調製した
8.16g(0.0325モル)のベンゾイル−2,4
−ジクロロベンゼンを使用し、オイルバスを170℃で
24時間加熱した点を除いて、実施例XXXIIの方法
を繰り返して調製した。
HFBPA)を実施例XXVIに記載のように調製した
ポリマーと置換すること以外は、実施例XIIのプロセ
スを繰り返す。同様の結果を得るであろうと考えられ
る。
FBPA)を実施例XXVIIに記載のように調製した
ポリマーと置換すること以外は、実施例XIIのプロセ
スを繰り返す。同様の結果を得るであろうと考えられ
る。
果、当業者が本発明の他の実施の形態及び変更を見出す
可能性がある。これらの実施の形態及び変更並びにその
均等物もまた、本発明の範囲内に含まれる。
リントヘッドの一例の拡大概要等角投影図である。
ン、及びマニホルドとインクチャネルとの間のインク流
路を示す拡大断面図である。
の他の実施の形態の拡大断面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 (A)及び(B)の混合物を含む組成物
であって、前記(A)は、モノマー繰り返し単位の少な
くともいくつかが少なくとも1個の感光性供与基を有す
るポリマーを含む第1の成分であり、前記ポリマーは1
g当たりの感光性供与基のミリ当量で測定される第1の
感光性供与基置換度を有すると共に以下の一般式からな
り、前記(B)は(1)又は(2)を含む第2の成分で
あり、前記(1)は、前記第1の感光性供与基置換度よ
りも小さい1g当たりの感光性供与基のミリ当量で測定
される第2の感光性供与基置換度を有するポリマーであ
って、前記第2の感光性供与基置換度は0である場合が
あり、前記第1の成分及び第2の成分の混合物は前記第
1の感光性供与基置換度よりも小さく前記第2の感光性
供与基置換度よりも大きい1g当たりの感光性供与基の
ミリ当量で測定される第3の感光性供与基置換度を有
し、前記(2)は、1分子当たり少なくとも1つの感光
性供与基を有し、1g当たりの感光性供与基のミリ当量
で測定される第4の感光性供与基置換度を有する反応性
稀釈剤であって、前記第1の成分及び第2の成分の混合
物は、前記第1の感光性供与基置換度よりも大きく前記
第4の感光性供与基置換度よりも小さい1g当たりの感
光性供与基のミリ当量で測定される第5の感光性供与基
置換度を有し、これらの混合物の重量平均分子量は約1
0,000〜約50,000であり、前記第3又は前記
第5の感光性供与基置換度は混合物1g当たり感光性供
与基約0.25〜約2ミリ当量であるポリマー組成物。 一般式 【化1】 式中、xは0又は1の整数であり、nはモノマー繰り返
し単位の数を表す整数であり、 Aは以下の構造式又はこれらの混合物であり、 【化2】 【化3】 【化4】 Bは以下の構造式又はこれらの混合物であり、 【化5】 【化6】 【化7】 式中、vは1〜約20の整数であり、 【化8】 式中、zは2〜約20の整数であり、 【化9】 式中、uは1〜約20の整数であり、 【化10】 式中、wは1〜約20の整数であり、 【化11】 【化12】 - 【請求項2】 (a)請求項1に従ったポリマー組成物
を提供するステップと、(b)前記感光性供与基によっ
て前記第1の成分ポリマーを架橋又は鎖延長させるステ
ップと、を含むポリマーの架橋又は鎖延長方法。 - 【請求項3】 均一な重量平均分子量及び均一な不飽和
エステル置換度を有する光硬化可能ポリマー組成物の製
造方法であって、 (a)モノマー繰り返し単位の少なくともいくつかが少
なくとも1個の感光性供与基を有するポリマーを含む第
1の成分を提供するステップであって、前記ポリマーは
1g当たりの感光性供与基のミリ当量で測定される第1
の感光性供与基置換度を有すると共に以下の一般式から
なるステップと、 (b)(1)又は(2)を含む第2の成分を提供するス
テップであって、前記(1)は、前記第1の感光性供与
基置換度よりも小さい1g当たりの感光性供与基のミリ
当量で測定され、かつ0である場合がある第2の感光性
供与基置換度を有するポリマーであって、前記(2)
は、1分子当たり少なくとも1つの感光性供与基を有
し、1g当たりの感光性供与基のミリ当量で測定される
第4の感光性供与基置換度を有する反応性稀釈剤である
ステップと、 (c)前記第1の成分及び前記第2の成分を相対量で混
合して(1)又は(2)を得るステップであって、前記
(1)は、前記第1の成分と第2の感光性供与基置換度
を有するポリマーとの混合物であって、前記混合物は前
記第1の感光性供与基置換度よりも小さく前記第2の感
光性供与基置換度よりも大きい第3の感光性供与基置換
度を有し、前記(2)は、前記第1の成分と、1分子当
たり少なくとも1つの感光性供与基を有すると共に第4
の感光性供与基置換度を有する前記反応性稀釈剤との混
合物であって、前記混合物は、前記第1の感光性供与基
置換度よりも大きく前記第4の感光性供与基置換度より
も小さい1g当たりの感光性供与基のミリ当量で測定さ
れる第5の感光性供与基置換度を有し、前記混合物の重
量平均分子量は約10,000〜約50,000であ
り、前記第3又は前記第5の感光性供与基置換度は混合
物1g当たり感光性供与基約0.25〜約2ミリ当量で
あるステップと、を含む光硬化可能ポリマー組成物の製
造方法。 一般式 【化13】 式中、xは0又は1の整数であり、nはモノマー繰り返
し単位の数を表す整数であり、 Aは以下の構造式又はこれらの混合物であり、 【化14】 【化15】 【化16】 Bは以下の構造式又はこれらの混合物であり、 【化17】 【化18】 【化19】 式中、vは1〜約20の整数であり、 【化20】 式中、zは2〜約20の整数であり、 【化21】 式中、uは1〜約20の整数であり、 【化22】 式中、wは1〜約20の整数であり、 【化23】 【化24】
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5889077A (en) * | 1996-08-29 | 1999-03-30 | Xerox Corporation | Process for direct substitution of high performance polymers with unsaturated ester groups |
US6124372A (en) * | 1996-08-29 | 2000-09-26 | Xerox Corporation | High performance polymer compositions having photosensitivity-imparting substituents and thermal sensitivity-imparting substituents |
US6273985B1 (en) | 1998-06-26 | 2001-08-14 | Xerox Corporation | Bonding process |
US6260956B1 (en) * | 1998-07-23 | 2001-07-17 | Xerox Corporation | Thermal ink jet printhead and process for the preparation thereof |
JP2000114204A (ja) * | 1998-10-01 | 2000-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハシート及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体製造装置 |
GB2344104B (en) * | 1998-11-27 | 2004-04-07 | Hyundai Electronics Ind | Photoresist composition comprising a cross-linker |
US6139920A (en) * | 1998-12-21 | 2000-10-31 | Xerox Corporation | Photoresist compositions |
US6806033B2 (en) | 2002-01-08 | 2004-10-19 | International Business Machines Corporation | Photoimaged dielectric, its manufacture and use in electronics |
US7118837B2 (en) * | 2002-01-08 | 2006-10-10 | International Business Machines Corporation | Photoimaged dielectric polymer and film, and circuit package containing the same |
US6927273B2 (en) | 2002-12-17 | 2005-08-09 | Xerox Corporation | Process for preparing substituted polyarylene ethers |
US7001978B2 (en) * | 2003-11-19 | 2006-02-21 | Xerox Corporation | Unsaturated ester substituted polymers with reduced halogen content |
US7067608B2 (en) * | 2003-11-25 | 2006-06-27 | Xerox Corporation | Process for preparing branched polyarylene ethers |
US7396895B2 (en) * | 2003-11-25 | 2008-07-08 | Xerox Corporation | Branched polyarylene ethers and processes for the preparation thereof |
US20060221115A1 (en) * | 2005-04-01 | 2006-10-05 | Lexmark International, Inc. | Methods for bonding radiation curable compositions to a substrate |
JP2009098681A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-05-07 | Fujifilm Corp | 感光性樹脂組成物、高分子化合物、パターンの製造法、および電子デバイス |
EP2457964B1 (en) * | 2009-07-21 | 2015-09-09 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition forming thermoset film having photo alignment |
KR101796954B1 (ko) | 2010-04-08 | 2017-11-13 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 광배향성을 가지는 열경화막 형성 조성물 |
US9801277B1 (en) | 2013-08-27 | 2017-10-24 | Flextronics Ap, Llc | Bellows interconnect |
US10466118B1 (en) | 2015-08-28 | 2019-11-05 | Multek Technologies, Ltd. | Stretchable flexible durable pressure sensor |
CN108538799B (zh) * | 2017-03-02 | 2024-02-27 | 弗莱克斯有限公司 | 互连部件和互连组件 |
US10426029B1 (en) | 2018-01-18 | 2019-09-24 | Flex Ltd. | Micro-pad array to thread flexible attachment |
US10687421B1 (en) | 2018-04-04 | 2020-06-16 | Flex Ltd. | Fabric with woven wire braid |
US10575381B1 (en) | 2018-06-01 | 2020-02-25 | Flex Ltd. | Electroluminescent display on smart textile and interconnect methods |
RU2717549C1 (ru) * | 2019-06-03 | 2020-03-24 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ) | Способ получения термо- и теплостойких полимеров на основе бис-(1-галогенметил-2-метакрилоксиэтокси)-(1-галогенметил-2-феноксиэтокси)фосфинов |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2125968A (en) * | 1935-08-21 | 1938-08-09 | Ernst T Theimer | Manufacture of aromatic alcohols |
US3367914A (en) * | 1964-06-29 | 1968-02-06 | Dow Chemical Co | Poly(aminomethyl)diphenyl ether-aldehyde thermoset resin and process of making same |
US3455868A (en) * | 1964-11-24 | 1969-07-15 | Union Carbide Corp | Friction composition and friction element thereof |
US3914194A (en) * | 1973-04-02 | 1975-10-21 | Dow Chemical Co | Unsaturated formaldehyde copolymer resins derived from diaryl oxides, sulfides, dibenzofuran or dibenzothiophene |
DE2507381C3 (de) * | 1974-02-21 | 1980-07-03 | Teijin Ltd., Osaka (Japan) | Verfahren zur Herstellung von linearen, primäre Aminogruppen enthaltenden aromatischen Polymeren, deren weitere Umsetzung und Verwendung |
US4110279A (en) * | 1974-02-25 | 1978-08-29 | The Dow Chemical Company | High temperature polymers from methoxy functional ether aromatic monomers |
JPS5379A (en) | 1976-06-23 | 1978-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of mos semiconductor device |
JPS6026130B2 (ja) * | 1976-12-24 | 1985-06-21 | 株式会社クラレ | 新規重合体の製造法 |
JPS606024B2 (ja) | 1979-06-14 | 1985-02-15 | ソニー株式会社 | テ−プレコ−ダのモ−ド切換機構 |
JPS5650929A (en) * | 1979-10-03 | 1981-05-08 | Teijin Ltd | Polysulfone having carbon-carbon double bond on its side chain and its manufacture |
JPS5650928A (en) * | 1979-10-03 | 1981-05-08 | Teijin Ltd | Polysulfone having (meth)acrylate group on its side chain and its manufacture |
JPS5657826A (en) * | 1979-10-18 | 1981-05-20 | Teijin Ltd | Polyether sulfone containing azido group and its preparation |
US4435496A (en) * | 1982-09-22 | 1984-03-06 | American Hoechst Corporation | Photopolymer cleavage imaging system |
EP0112650B1 (en) | 1982-12-06 | 1991-01-02 | Imperial Chemical Industries Plc | Aromatic oligomers and resins |
EP0157732B1 (de) * | 1984-03-07 | 1988-06-01 | Ciba-Geigy Ag | Vernetzbare, lineare Polyätherharze |
JPS6180A (ja) | 1984-06-11 | 1986-01-06 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | トリオキサン製造法 |
JPS6180242A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 放射線硬化型のレジスト材料 |
DE3500180A1 (de) | 1985-01-04 | 1986-07-10 | Ernst Prof. Dr. 7400 Tübingen Bayer | Pfropfcopolymerisate aus vernetzten polymeren und polyoxyethylen, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
US4623558A (en) * | 1985-05-29 | 1986-11-18 | W. R. Grace & Co. | Reactive plastisol dispersion |
DE3850689D1 (de) * | 1987-03-12 | 1994-08-25 | Siemens Ag | Strahlungsvernetzbares Polymersystem zur Anwendung als Photoresist und Dielektrikum für Mikroverdrahtungen. |
JPH0813286B2 (ja) | 1989-05-28 | 1996-02-14 | コクヨ株式会社 | ワゴン |
JPH0311350A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-18 | Tosoh Corp | ネガ型感光性塗膜材 |
US5091287A (en) * | 1990-04-10 | 1992-02-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photoreactive oligomer composition and printing plate |
JPH04294148A (ja) * | 1991-03-25 | 1992-10-19 | Canon Inc | 液体噴射記録ヘッド |
US5336720A (en) * | 1991-06-05 | 1994-08-09 | Rohm And Haas Company | Impact resistant polymers |
JP3011350B2 (ja) | 1992-06-11 | 2000-02-21 | 株式会社竹中工務店 | 機器・配管類の取付方法およびそれに用いる吊上げ型揚重機 |
EP0574791B1 (de) * | 1992-06-13 | 1999-12-22 | Aventis Research & Technologies GmbH & Co. KG | Polymerelektrolyt-Membran und Verfahren zu ihrer Herstellung |
JPH0773475B2 (ja) | 1992-06-19 | 1995-08-09 | 信二 吉岡 | ニンニク等の刺激臭食品の漬物の製造方法 |
US5268444A (en) * | 1993-04-02 | 1993-12-07 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Phenylethynyl-terminated poly(arylene ethers) |
JP3281473B2 (ja) * | 1994-01-17 | 2002-05-13 | 日本化薬株式会社 | フレキシブルプリント配線板用レジストインキ組成物及びその硬化物 |
US5607824A (en) * | 1994-07-27 | 1997-03-04 | International Business Machines Corporation | Antireflective coating for microlithography |
TW318857B (ja) * | 1995-01-20 | 1997-11-01 | Sumitomo Chemical Co | |
US5761809A (en) * | 1996-08-29 | 1998-06-09 | Xerox Corporation | Process for substituting haloalkylated polymers with unsaturated ester, ether, and alkylcarboxymethylene groups |
US5739254A (en) * | 1996-08-29 | 1998-04-14 | Xerox Corporation | Process for haloalkylation of high performance polymers |
-
1996
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6716956B2 (en) | 2002-01-09 | 2004-04-06 | Xerox Corporation | Process for preparing polyarylene ethers |
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Publication number | Publication date |
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EP0827031A3 (en) | 1998-06-17 |
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