JPS6180242A - 放射線硬化型のレジスト材料 - Google Patents

放射線硬化型のレジスト材料

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JPS6180242A
JPS6180242A JP20340284A JP20340284A JPS6180242A JP S6180242 A JPS6180242 A JP S6180242A JP 20340284 A JP20340284 A JP 20340284A JP 20340284 A JP20340284 A JP 20340284A JP S6180242 A JPS6180242 A JP S6180242A
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JP
Japan
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radiation
methylol group
acid ester
acrylic acid
monomer unit
Prior art date
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Pending
Application number
JP20340284A
Other languages
English (en)
Inventor
Takako Kabayama
樺山 貴子
Hiroshi Hasegawa
洋 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6180242A publication Critical patent/JPS6180242A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0388Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は紫外線あるいは電子線等の放射線に対し、良好
な感度を有しその硬化膜が優れた耐ドライエツチング性
を示す、放射線硬化型のレジスト材料に関するものであ
る。
従来例の構成とその問題点 従来主に放射線レジストとして市販されていたところの
材料としては、グリシジルメタクリレート−エチルアク
リレート共重合体などがある。この材料は放射線、例え
ば電子線感度としては高く、約8 X 10  C/c
riの感度を持っている。しかし、この材料を使用しド
ライエツチングする場合、レジストのエツチング速度が
非常に早い。つまり耐ドライエツチング性が劣っており
十分に目的を達することができない。一方、ドライエツ
チングに強いポリスチレン系ポリジアリルオルソフタレ
ートなどの放射線レジスト材料が市販されているが1=
度は1O−5C/lslで悪いものである。耐ドライエ
ツチング性レジストを作ろうとすると、一般には芳香族
系材料を用いることになり、芳香族化合物は放射線に強
いので感度は低くなりがちである。
発明の目的 本発明は紫外線あるいは電子線等の放射線に対して;良
好な感度を有し、その硬化膜が優れた耐ドライエツチン
グ性を示す放射線硬化型のレジスト材料を提供すること
を目的とするものである。
発明の構成 上記目的を達成するために本発明にかかる放射線硬化型
のレジスト材料は、下記に示す構造をモノマ単位として
有することを特徴とするものである。
ここでRはメチロール基、メチロール基のアクリル酸エ
ステル、またはメタクリル酸エステルであって、上記モ
ノマ単位中、メチロール基のアクリル酸エステル、また
はメタクリル酸エステルが1個以上含まれているもので
ある。1個以下である場合、本発明の目的である感度の
向上に効果が少なくなる。
本発明にかかる構造をモノマ単位として有する樹脂ハビ
スフェノールA1モルにアルカリ溶液中でホルムアルデ
ヒド4モルを反応させて得られるテトラメチロールビス
フェノールAとアクリル酸メタクリル酸あるいはそれら
の低級アルコールエステルとを反応させて作ることがで
きる。ビスフェノールA−ホルムアルデヒド縮金物は従
来公知(例えば東その他:工化誌、 e 1.439 
(195B) )であるが、本発明者等は上記縮合物中
のメチロール基を特定の割合でアクリル酸捷たはメタク
リル酸エステル化することにより、放射線に対して非常
に高い感度を有し、優れた耐ドライエツチング性とを兼
ね備えた放射線硬化型のレジスト材料が得られることを
見い出した。
本発明にかかる放射線硬化型のレジスト材料は、実施例
に示すように、紫外線、電子線などの放射線に対し、良
好な感度を示し、また耐エツチング性に優れた塗膜を与
えるものである。
実施例の説明 以下本発明を実施例により説明する。
実施例1 温度計、かき壕ぜ機、還流冷却器2滴下ロートを設けた
470フラスコにビスフェノールA1モルと38%ホル
マリン4.5モルを入れ、滴下ロートより6Nカセーソ
ーダ水溶液2.2モルを60℃を越えないようにしなが
ら滴下する。滴下終了後6o±1℃で2時間反応させて
後6N硫酸水溶液で中和し、水洗後減圧濃縮してテトラ
メチロール化ビスフェノールAを主体とする85チ溶液
を製造する。この溶液9重量部に対してイソホロン8重
量部を加えて完全に溶解した後、アクリル酸8重量部、
P−)ルエンスルホン酸0.02重量部を加え、60±
2 ttrm H,j9に減圧しつつ、60℃±1℃で
2時間反応する。反応後、系を40℃に冷却してから未
反応のアクリル酸を減圧除去しニス“チル溶液20重量
部を得る。
ここに得られた樹脂の赤外線吸収スペクトルを第1図体
)に、中間体であるテトラメチロール化ビスフェノール
Aの同スペクトルを第1図(b)に示す。
同スペクトルにおける1486crn−1のベンゼン環
および1405cIn−1のビニルの吸収の比から本実
施例における樹脂は上記モノマ単位中2.2個のアクリ
ル酸エステルを含むことが確認された。
ここKmられた溶液を、トルエン:キシレン−1:1混
合溶液で樹脂分26%になるように希釈し、スピンナー
でガラス基板上に300 Or p mで、30秒間塗
布し膜厚1.0μの塗膜を形成し60℃の熱風乾燥機中
で15分間乾燥した後、塗布面に20KVの加速電圧で
電子照射を行い、アセトンで現像した。現像後の残膜率
とそれぞれの照射量との関係(感度曲線)を第2図の曲
線1にプロットした。比較のため同様にしてグリシジル
メタクリレート−エチルアクリレート共重合体の感度曲
線を第2図の2に、ポリスチレン系市販樹脂の感度曲線
を第2図の3に示した。
また、上記電子線硬化膜を200℃で5分間ポストベー
クしたのち、円筒型のプラズマリアクターを使用し、数
饅の酸素を含むCF4ガスを60〜200 cc/mi
 nの流量で流しながら1oO〜100゜WのRF電力
(13,56MHz)を印加してプラズマエツチングを
行った。第1表はポリスチレン系市販樹脂のエツチング
速度を1としたときのグリシジルメタクリレート−エチ
ルアクリレート共重合体と、本発明にかかるレジストの
エツチング速度を示したものである。
第1表 実施例2 実施例1において、アクリル酸に代えて8.5重量部の
メタクリル酸を使用し、60′C±1℃で6時間反応す
ることによりモノマ単位中2.4個のメタクリル酸エス
テルを含有する樹脂溶液2.2重量部が得られた。エス
テルの含有量は1480cm ’のベンゼン環および1
295cm のビニルの吸収の比から決定された。本樹
脂の赤外吸収スペクトルを第3図に示す。
同様に電子線硬化膜を作成し、感度曲線を第4図の曲線
1に示し、比較のため実施例1と同様にグリシジルメタ
クリレート−エチルアクリレート共重合体のそれを曲線
2に、ポリスチレン系市販樹脂のそれを曲線3に示す。
また相対エツチング速度を第2表に示す。
第2表 実施例3 実施例1において作成した樹脂溶液にベンゾインエチル
エーテルを樹脂分に対して2%添加し、トルエン:キシ
レン−1=1混合溶液で樹脂分26%になるように希釈
し、スピンナーでガラス基板上に300Orpmで30
秒間塗布し膜厚1.0μの塗膜を形成し、60℃の熱風
乾燥機中で16分間乾燥した後、塗布面に120W/c
rnのエネルギの高圧水銀灯から10crrLの距離で
紫外線露光し、ア七トンで現像した。現像後の残膜率と
露光時間との関係を、第6図の曲線1にプロットした。
比較のためポリメチルメタクリレートを同様に硬化させ
、残膜率と露光時間の関係を第6図の曲線2にプロット
した。また上記紫外線硬化膜を200°Cで6分間ポス
トベークしたのち実施例1と同様にして、プラズマエツ
チングを行った。第3表にポリメチルメタクリレートの
エツチング速度を1としたときの本発明にかかるレジス
トのエツチング速度を示す。
第3表 実施例4 実施例1において、アクリル酸エステル製造時のアクリ
ル酸仕込量を4重量部とし反応時間を2時間にした場合
は、モノマ単位中1個のアクリル酸エステルを含むこと
が確認された。ここで得られた樹脂を実施例1と同様に
電子線硬化膜を作成し、感度曲線を第6図の曲線1に示
し、比較のため実施例1と同様に、グリシジルメタクリ
レート−エチルアクリレート共重合体と、ポリスチレン
系市販樹脂のそれを、それぞれ曲線2,3に示す。
また相対エツチング速度を第4表に示す。
第4表 発明の効果 以上の実施例に見られるごとく、本発明にかかる放射線
硬化型レジスト材料は従来のレジストにはない各種放射
線に対する良好な感度と、優れた耐ドライエツチング性
をかね備えるものであり、産業上の効果大なるも′ので
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図fatおよび第3図は、本発明にかかる放射線硬
化型のレジスト材料の赤外分光分析における透過率を、
第1図(b)は中間体の透過率を各々示す特性図、第2
図、第4図、第6図の曲線1,2゜3はそれぞれ本発明
にかかる放射線硬化型レジストと、グリシジルメタクリ
レート−エチルアクリレート共重合体と、ポリスチレン
系市販樹脂の電子線に対する感度を示す特性図、第5図
の曲線1゜2はそれぞれ本願発明にかかる放射線硬化型
レジストと、ポリメチルメタクリレートの紫外線に対す
る感度を示す特性図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名−憎
嘔@−ピ ー@ 咀析さ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 下記の構造式で示される構造をモノマ単位として有して
    なることを特徴とする放射線硬化型のレジスト材料。 ▲数式、化学式、表等があります▼ (ただし、Rはメチロール基、メチロール基のアクリル
    酸エステルまたはメタクリル酸エステルであって、上記
    モノマ単位中、メチロール基のアクリル酸エステル、ま
    たはメタクリル酸エステルを1個以上含むもの)。
JP20340284A 1984-09-28 1984-09-28 放射線硬化型のレジスト材料 Pending JPS6180242A (ja)

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