JPS61156255A - 放射線硬化型レジスト材料 - Google Patents

放射線硬化型レジスト材料

Info

Publication number
JPS61156255A
JPS61156255A JP28042784A JP28042784A JPS61156255A JP S61156255 A JPS61156255 A JP S61156255A JP 28042784 A JP28042784 A JP 28042784A JP 28042784 A JP28042784 A JP 28042784A JP S61156255 A JPS61156255 A JP S61156255A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radiation
resin
monomer unit
catechol
methylol group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28042784A
Other languages
English (en)
Inventor
Takako Kabayama
樺山 貴子
Hiroshi Hasegawa
洋 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP28042784A priority Critical patent/JPS61156255A/ja
Publication of JPS61156255A publication Critical patent/JPS61156255A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0388Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 2ベーソ 産業上の利用分野 本発明は紫外線あるいは電子線などの放射線に対し良好
な感度を示し、その硬化膜が優れたドライエツチング耐
性を示す放射線硬化型レジスト材料に関するものである
従来の技術 従来、主に放射線レジストとして市販されていたところ
の材料としては、グリシジルメタクリレート−エチルア
クリレート共重合体などがある。
この材料は放射線、例えば電子線感度としては高く、約
0.8μc/crd  の感度を持っている。しかし、
的を達することができない。一方、ドライエツチングに
強いポリスチレン系ポリジアリルオルソフタレートなど
の放射線レジスト材料が市販されているが、感度は10
μC肩 で悪いものである。。
発明が解決しようとする問題点 ドライエツチング耐性に優れたレジストを作ろうとする
と、一般には芳香族系材料を用いること3/、−ノ になるが、芳香族化合物は放射線に強いので感度は低く
なりがちである。
故に、本発明はこのよう表問題点を解決するものであり
、紫外線あるいは電子線等の放射線に対して良好な感度
を有し、その硬化膜が優れたドライエツチング耐性を示
す放射線硬化型のレジスト材料を提供することを目的と
するものである。
問題点を解決するための手段 この問題を解決するために、本発明にかかる放射線硬化
型レジスト材料は、下記に示す構造をモノマ単位として
有し、加えてカテコール、ピロガロール、またはその誘
導体を110000pp以上添加して構成したことを特
徴とするものである。
ただし、Rはメチロール基、メチロール基のアクリル酸
エステルまたはメタクリル酸エステル−Tlって、上記
モノマ単位中、メチロール基のアクリル酸エステル、ま
たはメタクリル酸エステルが1個以上含まれているもの
である。1個以下である場合、感度の向上に効果が少な
くなり、従来の問題点を解決できない。
本発明にかかる構造をモノマ単位として有する樹脂ハ、
ビスフェノールA1モルにアルカリ溶液中でホルムアル
デヒド4モルを反応させて得られるテトラメチロールビ
スフェノール八とアクリル酸、メタクリル酸あるいはそ
れらの低級アルコールエステルとを反応させて作ること
ができる。また、カテコールの誘導体にはメチルカテコ
ール。
ブチルカテコールなどがあることが知られているが、ピ
ロガロールも含めて、これらは強い酸化防止2重合禁止
作用がある。通常の添加量は100〜200 ppm程
度で、それ以上添加すると、ラジカル重合させる場合、
重合阻止作用が大きくなり過ぎると考えられてきた。し
かし、本発明にかかる構造をモノマ単位として有する樹
脂は、感度が高く、重合禁止剤を通常の100倍程度添
加し6ベーノ ても影響がなく、プリベーク時の熱による硬化を阻止す
るだめ、かえって現像が容易となり感度が向上し、また
ドライエツチング耐性の向上も見られることを発見した
作  用 ビスフェノールA−ホルムアルデヒド縮合物ハ従来公知
(例えば東その他:王化誌、61.439(1958)
)であるが、上記縮合物中のメチロール基を特定の割合
でアクリル酸、またはメタクリル酸エステル化し、カテ
コール、ピロガロ−じしまたは、その誘導体を1ooo
oppm以上添加することにより、放射線に対して非常
に高い感度を有し、優れたドライエツチング耐性とを兼
ね備えた放射線硬化型レジスト材料が得られる。
実施例 実施例1 温度計、かきまぜ機、還流冷却器、滴下ロートを設けた
4つロフラスコに、ビスフェノールA1モルと38チホ
ルマリン4.6モルを入し、滴下ロートより6Nカセー
ソーダ水溶液2.2’モhを6ペーノ 60℃を越えない様にしながら滴下する。滴下終了後6
o±1℃で2時間反応させた後、6N流酸水溶液で中和
し、水洗後減圧濃縮してテトラメチロール化ビスフェノ
ールAを主体とする86%溶液を製造する。この溶液9
重量部に対してイソホロンを8重量部加えて完全に溶解
した後、アクリル酸” 重量部j p  ’ Fルエン
スルホン酸0.02重量部を加え、60±2mmHgに
減圧しつつ、60±1℃で2時間反応させる。反応後、
系を40’Cに冷却してから未反応のアクリル酸を減圧
除去しエステル溶液20重量部を得る。
ここに得られた樹脂の赤外線吸収スペクトルを第1図a
に、中間体であるテトラメチロール化ビスフェノールA
の同スペクトルを第1図すに示す。
同スペクトルにおける148’5m−’  のベンゼン
環及び1405crn−’  のビニルの吸収の比から
本実施例における樹脂は、上記モノマ単位中2.2個の
アクリル酸エステルを含むことが確認された。
ここ文に得られた溶液に、樹脂固型分に対して1重量%
の割合でカテコールを添加し、トルエン7・\ノ :キシレン−1=1混合溶液で樹脂分25q6になるよ
うに希釈した。
この溶液をスピンナーでガラス基板上に3000r、p
、m で30秒間塗布し、膜厚約1.0μの塗膜を形成
し、60℃の熱風乾燥機中で15分間乾率とそれぞれの
照射線量との関係(感度曲線)を第2図の曲線1にプロ
ットした。比較のため、同様にしてグリシジルメタクリ
レート−エチルアクリレート共重合体の感度曲線を第2
図の2に、ポリスチレン系市販樹脂の感度曲線を第2図
の3に示した。
また、上記電子線硬化膜を200℃で6分間ポストベー
クしたのち、円筒型のプラズマアクタ−を使用し、NF
3 ガス:Arガス=1:1の混合ガスを26〜50 
cc /minの流量で流しながら、0.1Torr 
 の減圧下で100WのRF電力を印加してプラズマエ
ツチングを行なった。第1表はポリスチレン系市販樹脂
のエツチング速度を1としたときのグリシジルメタクリ
レート−エチルアクリレート共重合体と、本発明にかか
るレジストのエツチング速度を示したものである。
第1表 実施例2 実施例1においてアクリル酸に代えて8.6重量部のメ
タクリル酸を使用し、60℃±1℃で6時間反応するこ
とによりモノマ単位中2.4個のメタクリル酸エステル
を含有する樹脂溶液20重量部が得られた。エステルの
含有量は1480cIn”9ベーノ のベンゼン環および1295crn のビニルの吸収の
比から決定される。本樹脂の赤外吸収スペクトルを第3
図に示す。この樹脂の樹脂分に対し1%の割合でカテコ
ールを加え実施例1と同様に電子線硬化膜を作成し、感
度曲線を第4図の曲線1に示し、比較のため、グリシジ
ルメタクリレート−エチルアクリレート共重合体とポリ
スチレン系市販樹脂のそれを曲線2,3にそれぞれ示し
た。また、相対エツチング速度を第2表に示した。
第2表 10ページ 実施例3 実施例1においてカテコールに代えてピロガロールを添
加した樹脂溶液を作った。
実施例1と同様電子線硬化膜を作成し、感度曲線を第5
図の曲線1に示し、比較のため、グリシジルメタクリレ
ート−エチルアクリレート共重合体とポリスチレン系市
販樹脂のそれを曲線2,3にそれぞれ示した。また、相
対エツチング速度を第3表に示した。
第3表 11、+−−ノ 実施例4 実施例1において作成した樹脂固型分26チの樹脂溶液
にベンゾインエチルエーテルを樹脂分に対してへ2チ添
加した。スピンナーで、ガラス基を 板上に300Or、p、mで30秒間塗布し膜厚約1.
0μの塗膜を形成し、60℃の熱風乾燥型中で16分間
乾燥した後、塗布面に120 W / (yHのエネル
ギーの高圧水銀灯から10crnの距離で紫外線露光し
、アセトンで現像した。現像後の残膜率と露光時間との
関係を第6図の曲線1にプロットした。比較のためポリ
メチルメタクリレートを同様に硬化させ、残膜率と露光
時間の関係を第6図の曲線2にプロットした。また上記
紫外線硬化膜を2oo℃で6分間ポストベークしたのち
、実施例1と同様にして、プラズマエツチングを行なっ
た。第4表にポリメチルメタクリレートのエツチング速
度を1としたときの本発明にかかるレジストのエツチン
グ速度を示した。
第4表 実施例6 実施例1においてアクリル酸エステル製造時のアクリル
酸仕込量を4重量部とし反応時間を2時間とした場合は
、モノマ単位中1個のアクリル酸エステルを含むことが
確認された。ここで得られた樹脂を実施例1と同様に電
子線硬化膜を作成し、感度曲線を第7図の曲線1に示し
、比較のため、実施例1と同様にグリシジルメタクリレ
ート−エチルアクリレート共重合体と、ポリスチレン系
市販樹脂のそれを、それぞれ曲線2,3に示した。
また、相対エツチング速度を第6表に示した。
13ベーノ 第6表 発明の効果 以上のように、本発明にかかる放射線硬化型レジスト材
料は、従来のレジストにはない各種放射線に対する良好
な感度と、優れたドライエツチング耐性を兼ね備えるも
のであシ、産業上の効果大なるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図a及び第3図は本発明にかかる放射線硬化型レジ
スト材料の内、樹脂のみの赤外分光分析における透過率
を示す図、第1図すは中間体の赤外分光分析における透
過率を示す図、第2図、第   −4図、第6図、第7
図はそれぞれ本発明にかかる放射線硬化型レジストと、
グリシジルメタクリレート−エチルアクリレート共重合
体とポリスチレン系市販樹脂の電子線に対する感度曲線
を示す図、第6図はそれぞれ本発明にかかる放射線硬化
型レジストと、ポリメチルメタクリレートの紫外線に対
する感度を示す図である。 代理人の氏名弁理士 中 尾 敏男 ほか1名3<1#
軒 碩咳@−呈 1   蒙 蓼枡淫

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 下記の構造式で示される構造をモノマ単位として有して
    なる放射線硬化型樹脂に、カテコール、ピロガロールま
    たは、その誘導体を10000ppm以上を添加して構
    成したことを特徴とする放射線硬化型レジスト材料。 ▲数式、化学式、表等があります▼ (ただし、Rはメチロール基、メチロール基のアクリル
    酸エステルまたはメタクリル酸エステルであって、上記
    モノマ単位中、メチロール基のアクリル酸エステル、ま
    たは、メタクリル酸エステルを1個以上含むもの。)
JP28042784A 1984-12-28 1984-12-28 放射線硬化型レジスト材料 Pending JPS61156255A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28042784A JPS61156255A (ja) 1984-12-28 1984-12-28 放射線硬化型レジスト材料

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28042784A JPS61156255A (ja) 1984-12-28 1984-12-28 放射線硬化型レジスト材料

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61156255A true JPS61156255A (ja) 1986-07-15

Family

ID=17624899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28042784A Pending JPS61156255A (ja) 1984-12-28 1984-12-28 放射線硬化型レジスト材料

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61156255A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05158238A (ja) * 1991-09-24 1993-06-25 Toppan Printing Co Ltd 電子線架橋型レジストの現像スカム発生防止方法
JP2012522861A (ja) * 2009-04-01 2012-09-27 アイディー バイオケム インコーポレイテッド 有機リン系難燃剤及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05158238A (ja) * 1991-09-24 1993-06-25 Toppan Printing Co Ltd 電子線架橋型レジストの現像スカム発生防止方法
JP2012522861A (ja) * 2009-04-01 2012-09-27 アイディー バイオケム インコーポレイテッド 有機リン系難燃剤及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100729995B1 (ko) 반사방지피복조성물
TW304235B (ja)
US5073474A (en) Radiation-sensitive mixture containing acid labile groups and production of relief patterns
JPH0653734B2 (ja) トリクロルメチル基を有する感光性化合物を含有する感光性混合物
JPH02226149A (ja) 光重合性化合物、それを含む光重合性混合物及びそれから製造された光重合性複写材料
JP2759079B2 (ja) 高エネルギー照射線硬化可能な組成物及び高エネルギー照射線記録法
JPH0218565A (ja) 感放射線混合物及びレリーフパターンの製造方法
US5354643A (en) Oligomeric compounds with acid-labile protective groups useful in positive-working radiation-sensitive mixture
US5719008A (en) Photoresist composition comprising a polyfunctional vinyl ether compound
JPH0796584B2 (ja) 放射線感能性混合物及び放射線感能性記録材料
JP4773037B2 (ja) 耐エッチング性反射防止コーティング組成物
JPS5934293B2 (ja) 感光性組成物
EP0502819A1 (de) Säurekatalytisch vernetzbare Copolymere
JPH0155445B2 (ja)
US5356752A (en) Compounds with acid-labile protective groups useful in positive-working radiation-sensitive mixtures
JP2001158810A (ja) 有機反射防止膜用組成物とその製造方法
JP2001092137A (ja) 有機反射防止膜用組成物とその製造方法
JPS61156255A (ja) 放射線硬化型レジスト材料
JPH0212152A (ja) 感光性コーティング材料用の放射線感応混合物及びレリーフパターン形成方法
JPS6180242A (ja) 放射線硬化型のレジスト材料
JPS63156812A (ja) o−ニトロカルビノールエステル基を有する共重合体及びその製造方法
EP0307752B1 (en) Poly(3-mono- and 3,5-disubstituted-4-acetoxystyrenes and 4-hydroxy-styrenes)and their use
US5039596A (en) Deep u.v. photoresist process utilizing compositions containing polycyclic cyclopentane 2-diazo-1,3-dione
JPH0488346A (ja) レジスト組成物
JPH0594018A (ja) 感放射線性組成物