JPH10120743A - 組成物及びポリマーの架橋又は鎖延長方法 - Google Patents

組成物及びポリマーの架橋又は鎖延長方法

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JPH10120743A
JPH10120743A JP9233811A JP23381197A JPH10120743A JP H10120743 A JPH10120743 A JP H10120743A JP 9233811 A JP9233811 A JP 9233811A JP 23381197 A JP23381197 A JP 23381197A JP H10120743 A JPH10120743 A JP H10120743A
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ジェイ.ルカ デイビッド
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エー.モシャー ラルフ
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高解像度で光パターン化及び現像できる高性
能ポリマーを得る。 【解決手段】 感光性供与置換基を有する少なくともい
くつかのモノマー繰返し単位を含む光パターン化可能な
ポリマー。適切なポリマーは、例えば、ポリ(アリーレ
ンエーテルケトン)、ポリ(アリーレンエーテル)、ポ
リ(アリーレンエーテルスルホン)及びポリ(アリーレ
ンエーテルヘテロ環)等である。感光性供与置換基は光
活性化放射に露光された場合にポリマーの架橋又は鎖延
長を可能にし、例えば、アクリロイル基やメタクリロイ
ル基等の不飽和エステル基、アルキルカルボキシメチレ
ン基、エーテル基、エポキシ基、アリルエーテル基、ヒ
ドロキシアルキル基等である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は改良された特性を有
する硬化可能な組成物に関する。また、本発明は、改良
されたホトレジスト組成物、及び改良されたサーマルイ
ンクジェット印刷ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】マイクロエレクトロニクスの応用では、
層間の誘電層として、及びマイクロエレクトロニック回
路要素を保護するパッシベーション層として使用するた
めに、誘電率が低く、ガラス転移温度が高く、熱的に安
定で光パターン形成可能なポリマーが非常に必要とされ
ている。ポリイミドはこれらの必要性を満足させるため
に広く使用されるが、これらの材料は、水の収着が比較
的高く、加水分解に不安定であるといった不利な特性を
有する。従って、高解像度で有効に光パターン形成及び
現像されることの可能な高性能ポリマーが必要とされ
る。
【0003】このような材料の1つの特定の用途とし
て、インクジェット印刷ヘッドの製造がある。
【0004】本発明の光パターン形成可能なポリマー
は、他のマイクロエレクトロニクス応用、プリント回路
ボード、リソグラフィ印刷プロセス、層間誘電体等をは
じめとする他のホトレジストの用途にも適する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】既知の組成物及びプロ
セスはその意図された目的には適しているが、マイクロ
エレクトロニクス応用に適する改良された材料は依然と
して必要とされている。また、改良されたインクジェッ
ト印刷ヘッドも依然として必要とされている。更に、熱
に安定であり、電気的に絶縁性で且つ機械的に強固であ
り、光パターン形成可能なポリマー材料が必要とされて
いる。更に、インクジェットインク組成物で使用され得
る材料に対して化学的に不活性な光パターン形成可能な
ポリマー材料が必要である。また、マイクロエレクトロ
ニック装置の製造方法の後硬化行程中の収縮が少ない光
パターン形成可能なポリマー材料も必要とされている。
更に、比較的長い保存寿命を示す光パターン形成可能な
ポリマー材料に対する必要性も残されている。更には、
比較的低い露光エネルギでパターン形成できる光パター
ン形成可能なポリマー材料が必要とされている。また更
に、硬化された状態で良好な耐溶剤性を示す光パターン
形成可能なポリマー材料も未だ必要とされている。ま
た、スピンキャスティング技法によりマイクロエレクト
ロニック装置へ適用され硬化された場合に、エッジビー
ドの減少を示すと共に、明白なリップ(lip)及びデ
ィプ(dip)を全く示さない光パターン形成可能なポ
リマー材料も必要である。更に、比較的低い誘電率を有
する光パターン形成可能なポリマー材料が依然として必
要である。更には、水の収着が低減された光パターン形
成可能なポリマー材料が必要である。更に、特にアルカ
リ性溶液にさらした場合に改良された加水分解安定性を
示す光パターン形成可能なポリマー材料が依然として必
要である。高温、典型的には約150℃より高い温度で
安定な光パターン形成可能なポリマー材料もなお必要と
されている。また、高いガラス転移温度を有するか、あ
るいは露光の後に低温相転移が起こらない程度に十分に
架橋される光パターン形成可能なポリマー材料が必要で
ある。更に、熱膨張率の低い光パターン形成可能なポリ
マー材料の必要が残されている。熱に安定で、約30ミ
クロン以上の厚さの膜としてパターン形成可能であり、
露光前に低いTgを示し、誘電率が低く、水の吸収が低
く、膨張率が低く、所望の機械特性及び接着特性を有
し、高温での用途を含む層間誘電体の用途に概ね望まし
く、また光パターン形成可能であるポリマーが必要であ
る。また、優れた処理特性を有するホトレジスト組成物
も必要である。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明(又はその特定の
実施の形態)のこれらの及び他の目的は、(a)化学線
にさらされたときにポリマーの架橋又は鎖延長を可能に
する感光性供与置換基を有する少なくともいくつかのモ
ノマー繰返し単位を含み且つ以下の式で表されるポリマ
ーを提供するステップと、(b)この感光性供与基によ
ってポリマーを架橋又は鎖延長させるステップと、を含
むプロセスを提供することによって達成することができ
る。
【0007】
【化19】
【0008】式中、xは0又は1の整数であり、nはモ
ノマー繰返し単位の数を示す整数であり、Aは以下の構
造式又はこれらの混合であり、
【0009】
【化20】
【0010】Bは以下の構造式又はこれらの混合であ
る。
【0011】
【化21】
【0012】
【化22】
【0013】
【化23】
【0014】
【化24】
【0015】本発明のもう1つの実施の形態は、上記の
式で表されるポリマーを含む組成物に関する。本発明の
更にもう1つの実施の形態は、上記式の架橋又は鎖延長
されたポリマーで、架橋又は鎖延長が感光性供与基によ
って生じるポリマーに関する。本発明の更にもう1つの
実施の形態は、(a)一方の表面上に加熱素子と端子を
有するアドレス電極とのアレイが形成された下部基板上
へ、上記式のポリマーを含む層を付着させるステップで
あって、前記ポリマーは加熱素子及びアドレス電極を有
する表面上へ付着されるステップと、(b)露光領域の
ポリマーが架橋又は鎖延長され、未露光領域のポリマー
は架橋又は鎖延長されないように、前記層を画像パター
ン状で化学線へさらすステップであって、未露光領域は
加熱素子及びアドレス電極の端子を有する下部基板の領
域に対応するステップと、(c)未露光領域のポリマー
を除去し、それにより層に凹部を形成するステップであ
って、前記凹部は加熱素子及びアドレス電極の端子を露
出させるステップと、(d)後でインクチャネルとして
使用するための一式の平行な溝と後でマニホルドとして
使用するための凹部とを有する上部基板を提供するステ
ップであって、前記溝は、液滴放出ノズルとして機能す
るために一端が開放されているステップと、(e)上部
基板及び下部基板を互いに位置合わせし、かみあわせ、
接合し、液滴放出ノズルを形成するために上部基板の溝
が下部基板の加熱素子と位置合わせされた印刷ヘッドを
形成し、これによりサーマルインクジェット印刷ヘッド
を形成するステップと、を含むプロセスに関する。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明は、光パターン形成可能な
ポリマーを含む改良された組成物に関する。適切なポリ
マーの例には、ポリ(アリーレンエーテルケトン)、ポ
リ(アリーレンエーテル)、ポリ(アリーレンエーテル
スルホン)、及びポリ(アリーレンエーテルヘテロ環)
等が含まれる。光パターン形成可能なポリマーは次の式
で表される。
【0017】
【化25】
【0018】式中、xは0又は1の整数であり、nはモ
ノマー繰返し単位の数を示す整数であり、Aは以下の構
造式又はこれらの混合であり、
【0019】
【化26】
【0020】Bは以下の構造式、他の同様のビスフェノ
ール誘導体又はこれらの混合である。
【0021】
【化27】
【0022】
【化28】
【0023】
【化29】
【0024】
【化30】
【0025】nの値は、材料の重量平均分子量が約10
00乃至約100000、好ましくは約1000乃至約
65000、より好ましくは約1000乃至約4000
0、更に好ましくは約3000乃至約25000である
ような値であるが、重量平均分子量はこれらの範囲外で
あってもよい。好ましくはnは約2乃至約70の整数で
あり、より好ましくは約5乃至約70であり、更に好ま
しくは約8乃至約50であるが、nの値はこれらの範囲
外であってもよい。B基の酸素基に対してオルトの位置
に2以上の置換基が存在すると置換が困難になるかもし
れないが、フェニル基並びにA及び/又はB基は置換さ
れていてもよい。置換基は、感光性供与官能基をポリマ
ーに配置する前にポリマーに存在していてもよいし、感
光性供与官能基の配置後にポリマーに導入してもよい。
置換基を、感光性供与官能基の配置工程中にポリマーに
配置してもよい。適切な置換基の例には、好ましくは1
乃至約6個の炭素原子を有する飽和、不飽和及び環状ア
ルキル基をはじめとするアルキル基、好ましくは1乃至
約6個の炭素原子を有する飽和、不飽和及び環状の置換
アルキル基を含む置換アルキル基、好ましくは6乃至約
24個の炭素原子を有するアリール基、好ましくは6乃
至約24個の炭素原子を有する置換アリール基、好まし
くは7乃至約30個の炭素原子を有するアリールアルキ
ル基、好ましくは7乃至約30個の炭素原子を有する置
換アリールアルキル基、好ましくは1乃至約6個の炭素
原子を有するアルコキシ基、好ましくは1乃至約6個の
炭素原子を有する置換アルコキシ基、好ましくは6乃至
約24個の炭素原子を有するアリーロキシ基、好ましく
は6乃至約24個の炭素原子を有する置換アリーロキシ
基、好ましくは7乃至約30個の炭素原子を有するアリ
ールアルキロキシ基、好ましくは7乃至約30個の炭素
原子を有する置換アリールアルキロキシ基、水酸基、ア
ミン基、イミン基、アンモニウム基、ピリジン基、ピリ
ジニウム基、エーテル基、エステル基、アミド基、カル
ボニル基、チオカルボニル基、硫酸エステル基、スルホ
ン酸エステル基、スルフィド基、スルホキシド基、ホス
フィン基、ホスホニウム基、リン酸エステル基、メルカ
プト基、ニトロソ基、スルホン基、アシル基、酸無水物
基、及びアジド基等が含まれる(が、これらに限定はさ
れない)。ここで、2以上の置換基は互いに結合して環
を形成することができる。また、置換アルキル基、置換
アリール基、置換アリールアルキル基、置換アルコキシ
基、置換アリーロキシ基及び置換アリールアルキロキシ
基上の置換基は、水酸基、アミン基、イミン基、アンモ
ニウム基、ピリジン基、ピリジニウム基、エーテル基、
アルデヒド基、ケトン基、エステル基、アミド基、カル
ボン酸基、カルボニル基、チオカルボニル基、硫酸エス
テル基、スルホン酸エステル基、スルフィド基、スルホ
キシド、ホスフィン基、ホスホニウム基、リン酸エステ
ル基、シアノ基、ニトリル基、メルカプト基、ニトロソ
基、ハロゲン原子、ニトロ基、スルホン基、アシル基、
酸無水物基、アジド基、及びその混合物等である(が、
これらに限定はされない)。ここで、2以上の置換基は
互いに結合して環を形成することができる。これらの材
料の製造方法は既知であり、例えば、P.M.ハーゲンロザ
ーの「J. Macromol. Sci. Rev. Macromol. Chem., C19
(1), 1-34 (1980) 」、P.M.ハーゲンロザー、B.J.イェ
ンセン及びS.J.ヘブンズの「Polymer, 29, 358(1988)
」、B.J.イェンセン及びP.M.ハーゲンロザーの「”高
性能ポリマー”第1巻(No. 1) 31頁 (1989) ”ポリ(ア
リーレンエーテルケトン)の特性に対する分子量の影
響”」、V.パーセク及びB.C.オーマンの「Makromol. Ch
em. 185, 2319 (1984)」、I.コロン及びG.T.カイアトコ
スキーの「”アリールポリクロリドのニッケルカップリ
ングによる高分子量ポリマー”、J. of Polymer Scienc
e, Part A, Polymer Chemistry, 28, 367 (1990)」、M.
ウエダ及びT.イトウの「Polymer J., 23(4), 297 (199
1) 」、S.J.ヘブンズ及びP.M.ハーゲンロザーの「”エ
チニル末端ポリアリーレート:合成及びキャラクタリゼ
ーション”、J. of Polymer Science: Polymer Chemist
ry Edition, 22, 3011 (1984) 」、P.M.ハーゲンロザー
の「”エチニル末端ポリスルホン:合成及びキャラクタ
リゼーション”、J.of Polymer Science: Polymer Chem
istry Edition, 20, 3131 (1982) 」、K.E.デューク
ス、M.D.ホーブス、A.S.ジーバラジャン、A.M.ベル、J.
M.デディモン、R.W.リントン及びV.V.シアレスの「Macr
omolecules, 29, 3081 (1996) 」、G.ホーハム、G.テソ
ロ及びJ.ショーの「Polym. Mater. Sci. Eng., 61, 369
(1989)」、V.パーセク及びB.C.オーマンの「Makromol.
Chem. 185, 617 (1984) 」、S.マツオ、N.ヤコウ、S.
チノ、M.ミタニ及びS.タガミの「”新しい蛍光ポリ(ア
リーレンエーテル)の合成及びキャラクタリゼーショ
ン”、Journal of Polymer Science: Part A: Polymer
Chemistry, 32, 1071 (1994)」、マミオウノ、トシカズ
タカタ及びタケシエンドウの「”高溶解度及び熱安定性
を有する新規なナフタレンベースのポリ(アリーレンエ
ーテルケトン)の合成”、Macromolecules, 27, 3447(1
994)」、F.W.メルセー、M.T.マッケンジー、G.メリノ及
びM.M.フォーンの「”新しい芳香族ポリ(エーテルケト
ン)の合成及びキャラクタリゼーション”、J. of Appl
ied Polymer Science, 56, 1397 (1995)」、H.C.ツァ
ン、T.L.チェン、Y.G.ヤンの「中国特許第 CN85108751
号 (1991) 」、C.ウー、S.ボー、M.シディク、G.ヤン及
びT.チェンの「”新規な熱可塑性樹脂の静的及びレーザ
光散乱研究、1.フェノールフタレインポリ(アリール
エーテルケトン)”、Macromolecules, 29, 2989 (199
6) 」、M.ウエダ、Y.セイノ、Y.ハネダ、M.ヨネダ及び
J.I.スギヤマの「”芳香族ジクロリドのニッケル触媒カ
ップリング重合によるt-ブチル置換ポリ(エーテルケト
ン)の合成”、Journal of Polymer Science: Part A:
Polymer Chemistry, 32, 675 (1994) 」、V.パーセク、
P.L.リナルディ及びB.C.オーマンの「”反応機構:マク
ロマーからの櫛状ポリマー及びグラフトコポリマー、
2.ポリ(2,6-ジメチル-1,4- フェニレンオキシド) の
スチレンマクロマーの合成、キャラクタリゼーション及
び単独重合”、Polymer Bulletin, 10, 397 (1983)」、
「ポリマー合成のハンドブック、パートA、ハンス R.
クリチェルドルフ編、マルセルデッカー社、ニューヨー
ク−バーゼル−ホンコン(1992)」、並びにC.R.ハリソ
ン、P.ホッジ、J.ケンプ及びG.M.ペリーの「”架橋ポリ
スチレンへのカルボキシル基の導入”、Die Makromolek
ulare Chemie, 176, 267 (1975) 」に開示される。高性
能ポリマーの更なる背景は、例えば、米国特許第2、8
22、351号、米国特許第3、065、205号、英
国特許第1、060、546号、英国特許第971、2
27号、英国特許第1、078、234号、米国特許第
4、175、175号、N.ヨウダ及びH.ヒラモトの「J.
Macromol, Sci.-Chem., A21(13&14) pp.1641 (1984)(東
レ工業株式会社、大津、日本) 」、B.シリオン及びL.ベ
ルデットの「”ポリイミド及び他の高温ポリマー”、M.
J.M.アバディ及びB.シリオンにより編集、エルゼビアサ
イエンス出版B.V. (アムステルダム 1991)」、Q.ジン、
T.ヤマシタ及びK.ホリエの「”脂環式ジアミンを有する
ポリイミド、II、ベンゾフェノン型ポリイミドの水素引
抜き及び光架橋反応”、J. of Polymer Science: Part
A: Polymer Chemistry, 32, 503(1994) 」、「 Probimi
deTM 300、製品公報、チバ−ガイギーマイクロエレクト
ロニクスケミカルズ、" 感光性ポリイミド系" 」、「高
性能ポリマー及び複合体(J.I.クロシュビッツ(編)、
ジョンウィリー&サンズ(ニューヨーク1991))」並び
にT.E.アトウッド、D.A.バール、T.A.キング、B.ニュー
トン及びB.J.ローズの「Polymer, 29, 358(1988)」に開
示される。放射線硬化についての更なる情報は、例え
ば、「放射線硬化: サイエンス及びテクノロジ(S.ピー
タパッパス編、プレナム出版、ニューヨーク、1992)」
に開示される。
【0026】本発明の光パターン形成可能なポリマー
は、その少なくともいくつかのモノマー繰返し単位中
に、化学線にさらされたときにポリマーの架橋又は鎖延
長を可能にする感光性供与置換基を含む。架橋又は鎖延
長を活性化する放射は、可視光、赤外光、紫外光、電子
ビーム放射、又はx線放射等をはじめとする(が、これ
に限定はされない)任意の所望の放射源及び所望の波長
を有することができる。適切な感光性供与基の例には、
アクリロイル基、メタクリロイル基、シンナモイル基、
クロトノイル基、エタクリロイル基、オレオイル基、リ
ノレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、イタコノ
イル基、シトラコノイル基、フェニルマレオイル基、及
び3−ヘキセン−1、6−ジカルボン酸エステル等の不
飽和エステル基が含まれる。また、アルキルカルボキシ
メチレン及びエーテル基も適切である。電子ビーム、深
(ディープ)紫外、又はx線放射による画像形成等のあ
る条件下では、ハロメチル基も光活性である。エポキシ
基、アリルエーテル基、ヒドロキシアルキル基、並びに
不飽和アンモニウム、ホスホニウム、及びエーテル基も
適切な光活性基である。
【0027】これらの基を含む光パターン形成可能なポ
リマーは、任意の適切な又は所望の方法によって調製で
きる。例えば、所望の1以上の官能基をポリマーへ直接
付加することができる。あるいは、1以上の中間物質を
調製してもよい。例えば、ポリマー骨格は、水酸基、カ
ルボキシル基、クロロメチル基等のハロアルキル基、ヒ
ドロキシメチル基等のヒドロキシアルキル基、メトキシ
メチル基、アルキルカルボキシメチレン基等のようなポ
リマー骨格の容易な誘導体化を可能にする置換基で官能
基化できる。
【0028】任意の適切な又は所望の方法によって不飽
和エステル基をポリマー骨格上に配置することができ
る。例えば、ポリマーの置換は、(a)適切な不飽和酸
(アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、
エタクリル酸、オレイン酸、リノール酸、マレイン酸、
フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、フェニルマレイ
ン酸、3−ヘキセン−1、6−ジカルボン酸等)、及び
(b)ホルムアルデヒド源(即ち、ホルムアルデヒド
か、あるいは、反応条件下でホルムアルデヒドを発生す
る物質のいずれかである。ホルムアルデヒド源の例に
は、ホルムアルデヒドのほかに、パラホルムアルデヒ
ド、トリオキサン、メチラール、ジメトキシメタン等が
含まれる)と、ポリマーとを溶液中で反応させることに
よって達成できる。反応は直接酸で触媒され、ポリマー
を適切な溶媒に溶解し、触媒量のパラトルエンスルホン
酸の存在下、約105℃でホルムアルデヒド源と反応さ
せる。反応に適する溶媒の例には、1、1、2、2−テ
トラクロロエタンと、適切な加圧反応器が使用される場
合には塩化メチレンと、が含まれる。典型的には、反応
物は、ポリマー約10部、ホルムアルデヒド源約5部、
パラトルエンスルホン酸約1部、適切な酸(即ちアクリ
ル酸、、又はメタクリル酸等)約15.8部、ヒドロキ
ノンメチルエーテル約0.2部、及び1、1、2、2−
テトラクロロエタン約162部という互いに関する相対
量(重量による)で存在する。
【0029】(アクリル酸との反応として説明している
が)一般的な反応機構は次の通りである。
【0030】
【化31】
【0031】
【化32】
【0032】得られる物質は以下の一般式で表される。
【0033】
【化33】
【0034】ここで、a、b、c及びdはそれぞれ0、
1、2、3又は4の整数であるが、ただし、a、b、c
及びdのうちの少なくとも1つは、ポリマーの少なくと
もいくつかのモノマー繰返し単位において1以上であ
る。nはモノマー繰返し単位の数を示す整数である。メ
タクリル酸が使用される場合、反応は、次の点を除いて
前述のように進行する。
【0035】
【化34】
【0036】ケイ皮酸が使用される場合、反応は、次の
点を除いて前述のように進行する。
【0037】
【化35】
【0038】置換基がB基に対して選択性を示す可能性
があるものの、置換は一般的にランダムであり、与えら
れた任意のモノマー繰返し単位は置換基を全く有さない
か、1つの置換基を有するか、あるいは2以上の置換基
を有するであろう。最も起こり得る反応結果は、モノマ
ー繰返し単位が0又は1個の置換基を有することであ
る。
【0039】典型的な反応温度は約25乃至約145℃
であり、好ましくは約105℃であるが、温度はこの範
囲外であってもよい。典型的な反応時間は約1乃至約6
時間であり、好ましくは約2乃至約4時間であるが、時
間はこれらの範囲外であってもよい。反応時間が長くな
ると、一般的に、置換度が高くなる。置換度が高くなる
と、一般的に、ポリマーの感光性が大きくなる。用途が
異なる場合には置換度が異なることが好ましい。置換度
が高すぎると感度が過剰になり、その結果、材料が化学
線に像様にさらされたときに、露光及び未露光のポリマ
ー材料の両方が架橋又は鎖延長される。置換度が低すぎ
ると、結果的に不必要に長い露光時間又は不必要に高い
露光エネルギが必要とされるので望ましくないであろ
う。光パターン形成可能なポリマーがサーマルインクジ
ェット印刷ヘッドの層として使用される用途では、置換
度(即ち、モノマー繰返し単位当たりの不飽和エステル
基の平均数)は、好ましくは約0.25乃至約1.2で
あり、更に好ましくは約0.65乃至約0.8である
が、置換度はインクジェット印刷ヘッド用途のためのこ
れらの範囲から外れてもよい。この置換度は、一般的
に、樹脂1グラム当たり約0.5乃至約1.3ミリ当量
の不飽和エステル基に相当する。
【0040】また、まずハロアルキル化誘導体を調製
し、次に少なくともいくつかのハロアルキル基を不飽和
エステル基で置き換えることによって、上記の一般式の
ポリマーを不飽和エステル基等の感光性供与基で置換す
ることができる。例えば、ハロアルキル化ポリマーを不
飽和エステル塩と溶液中で反応させることによって、ハ
ロアルキル化ポリマーを不飽和エステル基で置換するこ
とができる。適切な反応物の例には、アクリル酸、メタ
クリル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、エタクリル酸、オレ
イン酸、リノール酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン
酸、シトラコン酸、フェニルマレイン酸、及び3−ヘキ
セン−1、6−ジカルボン酸等のエステル塩のような、
適切な不飽和エステルと、周期表のIA族、IIB族、 I
IIB族、IVB族、VB族、VIB族、VIIB族、VII
I B族、IB族、IIB族、 IIIA族、及びIVA等との
選択された塩が含まれ、特定の例には、アクリル酸エス
テル、メタクリル酸エステル及びケイ皮酸エステル等の
ナトリウム、カリウム、第4級アンモニウム及びホスホ
ニウム等の塩が含まれる。反応に適する溶媒の例には、
N、N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシ
ド、N−メチルピロリジノン、ジメチルホルムアミド等
の極性の非プロトン性溶媒が含まれる。典型的には、反
応物は、ハロアルキル化ポリマー約10部、溶媒約6
6.5部、及び不飽和エステル塩約5.7部という互い
に関する相対量(重量による)で存在する。
【0041】(クロロメチル化ポリマーのアクリロイル
化として説明しているが)一般的な反応機構は次の通り
である。
【0042】
【化36】
【0043】ここで、Xはナトリウム又はカリウム等の
適切なカチオンである。a、b、c、d、e、f、g、
h、i、j、k及びmはそれぞれ0、1、2、3又は4
の整数であるが、ただし、i+eの和は4以下であり、
j+fの和は4以下であり、k+gの和は4以下であ
り、m+hの和は4以下であり、a、b、c及びdのう
ちの少なくとも1つは、ポリマーの少なくともいくつか
のモノマー繰返し単位において1以上であり、e、f、
g及びhのうちの少なくとも1つは、ポリマーの少なく
ともいくつかのモノマー繰返し単位において1以上であ
る。nは、モノマー繰返し単位の数を示す整数である。
メタクリル酸エステル塩との対応の反応では、反応は、
次の点を除いて前述のように進行する。
【0044】
【化37】
【0045】また、対応するアルキルカルボン酸エステ
ル又はアルコキシド塩が反応物として使用される点を除
いて、不飽和エステル基をハロアルキル化ポリマー上に
配置するために使用される方法と類似の方法によって、
エーテル基及びアルキルカルボキシメチレン基をハロア
ルキル化ポリマー上に配置することができる。アルコキ
シド塩との対応の反応では、反応は、次の点を除いて前
述のように進行する。
【0046】
【化38】
【0047】適切なエーテル基には、Rが好ましくは1
乃至約30個の炭素原子、より好ましくは1乃至約15
個の炭素原子、また最も好ましくは1個の炭素原子を有
するアルキル基であるものが含まれる。アルキルカルボ
ン酸エステル塩との対応の反応では、反応は、次の点を
除いて前述のように進行する。
【0048】
【化39】
【0049】ここで、Rは、好ましくは1乃至約30個
の炭素原子、更に好ましくは1乃至約6個の炭素原子を
有するアルキル基(飽和、不飽和及び環状アルキル基を
含む)、置換アルキル基、好ましくは6乃至約30個の
炭素原子、更に好ましくは6乃至約18個の炭素原子を
有するアリール基、置換アリール基、好ましくは7乃至
約35個の炭素原子、更に好ましくは7乃至約15個の
炭素原子を有するアリールアルキル基、又は置換アリー
ルアルキル基である。ここで、置換アルキル、置換アリ
ール及び置換アリールアルキル基の置換基は、好ましく
は1乃至約6個の炭素原子を有するアルコキシ基、好ま
しくは6乃至約24個の炭素原子を有するアリーロキシ
基、好ましくは7乃至約30個の炭素原子を有するアリ
ールアルキロキシ基、水酸基、アミン基、イミン基、ア
ンモニウム基、ピリジン基、ピリジニウム基、エーテル
基、エステル基、アミド基、カルボニル基、チオカルボ
ニル基、硫酸エステル基、スルホン酸エステル基、スル
フィド基、スルホキシド基、ホスフィン基、ホスホニウ
ム基、リン酸エステル基、メルカプト基、ニトロソ基、
スルホン基、アシル基、酸無水物基、アジド基等でよい
(が、これらに限定はされない)。ここで、2以上の置
換基は互いに結合して環を形成することができる。
【0050】ハロアルキル化度が高くなると、一般的
に、不飽和エステル、エーテル又はアルキルカルボキシ
メチレン基による置換度を高くすることができ、これに
より、ポリマーの感光性を大きくすることが可能であ
る。用途が異なる場合には、不飽和エステル、エーテル
又はアルキルカルボキシメチレン基による置換度は異な
ることが望ましい。置換度が高すぎると感度が過剰にな
り、その結果、材料が化学線に像様にさらされたとき
に、露光及び未露光のポリマー材料の両方が架橋又は鎖
延長される。これに反して置換度が低すぎると、結果的
に、不必要に長い露光時間又は不必要に高い露光エネル
ギが必要とされるので望ましくないであろう。光パター
ン形成可能なポリマーがサーマルインクジェット印刷ヘ
ッドの層として使用される用途では、置換度(即ち、モ
ノマー繰返し単位当たりの不飽和エステル、エーテル又
はアルキルカルボキシメチレン基の平均数)は、好まし
くは約0.5乃至約1.2であり、更に好ましくは約
0.65乃至約0.8であるが、置換度はインクジェッ
ト印刷ヘッド用途のためのこれらの範囲から外れてもよ
い。不飽和エステル基による置換の最適量は、樹脂1グ
ラム当たり約0.8乃至約1.3ミリ当量の不飽和エス
テル、エーテル又はアルキルカルボキシメチレン基であ
る。
【0051】ハロアルキル基のうちのいくつか又は全て
は、不飽和エステル、エーテル又はアルキルカルボキシ
メチレン置換基で置き換えることができる。反応時間が
長くなると、一般的に、不飽和エステル、エーテル又は
アルキルカルボキシメチレン置換基によるハロアルキル
基の置換度が大きくなる。
【0052】典型的な反応温度は約20乃至約35℃で
あり、好ましくは約25℃であるが、温度はこの範囲外
であってもよい。典型的な反応時間は約30分乃至約1
5日であり、好ましくは約2時間乃至約2日であるが、
時間はこれらの範囲外であってもよい。反応時間は、ア
ドゲン(Adogen)464(アルドリッチケミカル社、ミ
ルウォーキー、ウィスコンシン州、又はアシュランドオ
イル社から入手できる)、又は長鎖の第4級アンモニウ
ムクロリド塩等の触媒の使用により短縮することができ
る。アドゲン464は樹脂固体に関して約0.4重量パ
ーセントで使用され、この触媒は、結果的に、反応速度
を2倍にする。アドゲン464は、水及びメタノールで
数回洗浄した後でも生成物から除去するのが困難なこと
がある。従って、この触媒は、濁ったホトレジスト溶液
をもたらすことがある。反応は、0.4重量パーセント
の水の添加により僅かに促進され、同量のメタノールの
添加により抑制される。
【0053】ハロアルキル化ポリマーは、まずハロアル
キル化ポリマーをアリルアルコール塩等の不飽和アルコ
ール塩と溶液中で反応させることによって、アリルエー
テル置換又はエポキシ化できる。適切な不飽和アルコー
ル塩及びアリルアルコール塩の例には、ナトリウム2−
アリルフェノラート、ナトリウム4−アリルフェノラー
ト、ナトリウムアリルアルコラート、並びにリチウム、
カリウム、セシウム、ルビジウム、アンモニウム、第4
級アルキルアンモニウム化合物の対応の塩が含まれる。
不飽和アルコール塩は、アルコールと水素化ナトリウム
や水酸化ナトリウム等の塩基との反応により生じる。塩
は約25℃と約100℃の間で、ハロアルキル基のハロ
ゲン化物を置換する。反応に適する溶媒の例には、N、
N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N
−メチルピロリジノン、ジメチルホルムアミド、及びテ
トラヒドロフラン等の極性の非プロトン性溶媒が含まれ
る。典型的には、反応物は、置換されるべきハロアルキ
ル基につき不飽和アルコール塩約1乃至約50モル当量
という互いに関する相対量で存在するが、相対量はこの
範囲外であってもよい。典型的には、反応物は、溶液中
に固形分約5乃至約50重量パーセント、好ましくは固
形分約10重量パーセントの量で存在するが、相対量は
この範囲外であってもよい。
【0054】典型的な反応温度は約25乃至約100℃
であり、好ましくは約25乃至約50℃であるが、温度
はこれらの範囲外であってもよい。典型的な反応時間は
約4乃至約24時間であり、好ましくは約16時間であ
るが、時間はこの範囲外であってもよい。
【0055】(クロロメチル化ポリマー及びアリルアル
コラート塩を用いて説明しているが)一般的な反応機構
は次の通りである。
【0056】
【化40】
【0057】ここで、Xはナトリウム又はカリウム等の
適切なカチオンである。a、b、c、d、e、f、g、
h、i、j、k及びmはそれぞれ0、1、2、3又は4
の整数であるが、ただし、i+eの和は4以下であり、
j+fの和は4以下であり、k+gの和は4以下であ
り、m+hの和は4以下であり、a、b、c及びdのう
ちの少なくとも1つは、ポリマーの少なくともいくつか
のモノマー繰返し単位において1以上であり、e、f、
g及びhのうちの少なくとも1つは、ポリマーの少なく
ともいくつかのモノマー繰返し単位において少なくとも
1である。nはモノマー繰返し単位の数を示す整数であ
る。2−アリルフェノラート塩との対応の反応では、反
応は、次の点を除いて前述のように進行する。
【0058】
【化41】
【0059】アリルエーテル置換ポリマーは光誘導硬化
反応に適する。あるいは、アリルエーテル置換ポリマー
(又は不飽和エーテル置換ポリマー)は、エポキシ化ポ
リマーの合成で中間体として使用できる。このアリルエ
ーテル又は不飽和エーテル置換された中間生成物を、そ
の後、過酸化水素、m−クロロペルオキシ安息香酸、及
び過酸化アセチル等の過酸化物やその混合物と反応させ
て、エポキシ化ポリアリーレンエーテルを生成する。典
型的には、反応物は、過酸化物とエポキシド基へ転換さ
れることが所望される不飽和基の数とがほぼ同等のモル
量から、過酸化物が10乃至100モルパーセント過剰
という、互いに関する相対量で存在する。反応は、架橋
を防止するために、固形分約1重量パーセント以下の希
薄溶液中で生じるのが好ましい。
【0060】(アリルアルコラート置換基を用いて説明
しているが)一般的な反応機構は次の通りである。
【0061】
【化42】
【0062】ここで、a、b、c、d、e、f、g、
h、p、q、r及びsはそれぞれ0、1、2、3又は4
の整数であるが、ただし、a+e+pの和は4以下であ
り、b+f+qの和は4以下であり、c+g+rの和は
4以下であり、d+h+sの和は4以下であり、p、
q、r及びsのうちの少なくとも1つは、ポリマーの少
なくともいくつかのモノマー繰返し単位において1以上
であり、nはモノマー繰返し単位の数を示す整数であ
る。
【0063】ハロアルキル基のうちのいくつか又は全て
は、アリルエーテル又はエポキシ置換基で置き換えるこ
とができる。反応時間が長くなると、一般的に、アリル
エーテル又はエポキシ置換基によるハロアルキル基の置
換度が大きくなる。1つの好ましい実施の形態では、ハ
ロアルキル基の幾つかはポリマー上に残存する(即ち、
a、b、c又はdのうちの少なくとも1つは、ポリマー
の少なくともいくつかのモノマー繰返し単位において、
少なくとも1である)。この実施の形態では、所望され
るなら、ハロアルキル基を例えば不飽和エステル基など
へ転換させるためにポリマーを更に反応させてもよい。
【0064】不飽和エーテル基をエポキシ基へ転換させ
るための典型的な反応温度は、約0乃至約50℃であ
り、好ましくは約0乃至約25℃であるが、温度はこれ
らの範囲外であってもよい。典型的な反応時間は約1乃
至約24時間であり、好ましくは約4乃至約16時間で
あるが、時間はこれらの範囲外であってもよい。この反
応のための典型的な溶媒には、塩化メチレン、クロロホ
ルム、及び四塩化炭素等がある。
【0065】また、エポキシ化ポリマーは、相転移条件
下で、(不飽和アルコール塩又はエポキシ基含有アルコ
ール塩に対して)水素化ナトリウム、水酸化ナトリウ
ム、炭酸カリウム、又は第4級アルキルアンモニウム塩
等の過剰モルの塩基の存在下、ハロアルキル化ポリマー
と、グリシドラート塩等のエポキシ基含有アルコール塩
や上記で説明したような不飽和アルコール塩と、の反応
によっても調製することができる。適切なグリシドラー
ト塩の例には、ナトリウムグリシドラートが含まれる。
典型的には、反応物は、アルコールとエポキシド基への
転換が所望される不飽和基の数とがほぼ同等のモル量と
いう互いに関する相対量で存在する。典型的には、反応
物は固形分約1乃至約10重量パーセントの量で溶液中
に存在するが、他の濃度が使用されてもよい。水酸化ナ
トリウム及び炭酸カリウム等の塩基との反応は、典型的
には、約25乃至約100℃で起こる。グリシドール又
は不飽和アルコールと水素化ナトリウムの反応は、一般
に氷浴温度で生じる。典型的な反応時間は約16時間で
あるが、他の時間が用いられてもよい。適切な溶媒の例
には、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、及
びその混合物等が含まれる。一般的な反応機構は次の通
りである。
【0066】
【化43】
【0067】また、不飽和又はアリルエーテル基を、グ
リニャール反応やウィッティヒ反応等の他の方法によっ
て、ハロアルキル化ポリマー上に配置することもでき
る。
【0068】ハロアルキル化ポリマーを、ハロアルキル
化ポリマーと典型的には次の一般式で表される不飽和ア
ミン、ホスフィン又はアルコールとを反応させることに
よって、感光性を供与し、水溶性を向上させる(又は水
分散性を向上させる)基で置換することができる。
【0069】
【化44】
【0070】ここでXは以下のものである。
【0071】
【化45】
【0072】また、Yは窒素原子又はリン原子である。
1 及びR2 はそれぞれ独立して、水素原子、好ましく
は1乃至約30個の炭素原子、更に好ましくは1乃至約
8個の炭素原子、最も好ましくは1若しくは2個の炭素
原子を有する飽和、不飽和及び環状アルキル基をはじめ
とするアルキル基、好ましくは1乃至約30個の炭素原
子、更に好ましくは1乃至約8個の炭素原子、最も好ま
しくは1若しくは2個の炭素原子を有する置換アルキル
基、好ましくは6乃至約30個の炭素原子、更に好まし
くは6乃至約18個の炭素原子、最も好ましくは6個の
炭素原子を有するアリール基、好ましくは6乃至約30
個の炭素原子、更に好ましくは6乃至約18個の炭素原
子、最も好ましくは6個の炭素原子を有する置換アリー
ル基、好ましくは7乃至約30個の炭素原子、更に好ま
しくは7乃至約19個の炭素原子、最も好ましくは7乃
至約14個の炭素原子を有するアリールアルキル基、又
は、好ましくは7乃至約30個の炭素原子、更に好まし
くは7乃至約19個の炭素原子、最も好ましくは7乃至
約14個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基で
ある(が、これに限定はされない)。ここで、R1 及び
2 は結合して環を形成することができる。R3 は、好
ましくは1乃至約30個の炭素原子、更に好ましくは1
乃至約8個の炭素原子、最も好ましくは1若しくは2個
の炭素原子を有する飽和、不飽和及び環状アルキル基を
はじめとするアルキル基、好ましくは1乃至約30個の
炭素原子、更に好ましくは1乃至約8個の炭素原子、最
も好ましくは1若しくは2個の炭素原子を有する置換ア
ルキル基、好ましくは6乃至約30個の炭素原子、更に
好ましくは6乃至約18個の炭素原子、最も好ましくは
6個の炭素原子を有するアリール基、好ましくは6乃至
約30個の炭素原子、更に好ましくは6乃至約18個の
炭素原子、最も好ましくは6個の炭素原子を有する置換
アリール基、好ましくは7乃至約30個の炭素原子、更
に好ましくは7乃至約19個の炭素原子、最も好ましく
は7乃至約14個の炭素原子を有するアリールアルキル
基、又は、好ましくは7乃至約30個の炭素原子、更に
好ましくは7乃至約19個の炭素原子、最も好ましくは
7乃至約14個の炭素原子を有する置換アリールアルキ
ル基である(が、これに限定はされない)。R4 、R5
及びR6 はそれぞれ独立して、水素原子、好ましくは1
乃至約30個の炭素原子、更に好ましくは1乃至約8個
の炭素原子、最も好ましくは1若しくは2個の炭素原子
を有する飽和、不飽和及び環状アルキル基をはじめとす
るアルキル基、好ましくは1乃至約30個の炭素原子、
更に好ましくは1乃至約8個の炭素原子、最も好ましく
は1若しくは2個の炭素原子を有する置換アルキル基、
好ましくは6乃至約30個の炭素原子、更に好ましくは
6乃至約18個の炭素原子、最も好ましくは6個の炭素
原子を有するアリール基、好ましくは6乃至約30個の
炭素原子、更に好ましくは6乃至約18個の炭素原子、
最も好ましくは6個の炭素原子を有する置換アリール
基、好ましくは7乃至約30個の炭素原子、更に好まし
くは7乃至約19個の炭素原子、最も好ましくは7乃至
約14個の炭素原子を有するアリールアルキル基、又
は、好ましくは7乃至約30個の炭素原子、更に好まし
くは7乃至約19個の炭素原子、最も好ましくは7乃至
約14個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基で
あり、最も好ましいのは水素原子である。ここで、
4 、R5 及びR6 のうちの2以上が互いに結合して環
を形成することができる。R7 及びR8 はそれぞれ独立
して、水素原子、好ましくは1乃至約30個の炭素原
子、更に好ましくは1乃至約8個の炭素原子、最も好ま
しくは1若しくは2個の炭素原子を有する飽和、不飽和
及び環状アルキル基をはじとするアルキル基、好ましく
は1乃至約30個の炭素原子、更に好ましくは1乃至約
8個の炭素原子、最も好ましくは1若しくは2個の炭素
原子を有する置換アルキル基、好ましくは6乃至約30
個の炭素原子、更に好ましくは6乃至約18個の炭素原
子、最も好ましくは6個の炭素原子を有するアリール
基、好ましくは6乃至約30個の炭素原子、更に好まし
くは6乃至約18個の炭素原子、最も好ましくは6個の
炭素原子を有する置換アリール基、好ましくは7乃至約
30個の炭素原子、更に好ましくは7乃至約19個の炭
素原子、最も好ましくは7乃至約14個の炭素原子を有
するアリールアルキル基、又は、好ましくは7乃至約3
0個の炭素原子、更に好ましくは7乃至約19個の炭素
原子、最も好ましくは7乃至約14個の炭素原子を有す
る置換アリールアルキル基である(が、これに限定はさ
れない)。置換アルキル基、置換アリール基及び置換ア
リールアルキル基の適切な置換基の例は、水酸基、アミ
ン基、イミン基、アンモニウム基、ピリジン基、ピリジ
ニウム基、エーテル基、アルデヒド基、ケトン基、エス
テル基、アミド基、カルボン酸基、カルボニル基、チオ
カルボニル基、硫酸エステル基、スルホン酸エステル
基、スルフィド基、スルホキシド基、ホスフィン基、ホ
スホニウム基、リン酸エステル基、シアノ基、ニトリル
基、メルカプト基、ニトロソ基、ハロゲン原子、ニトロ
基、スルホン基、アシル基、酸無水物基、アジド基、及
びその混合物等である(が、これに限定はされない)。
ここで、2以上の置換基は互いに結合して環を形成する
ことができる。あるいは、R3 及びXの組合せは、次式
の基であってもよい。
【0073】−〔(CRR′)x O〕y ここで、xは1乃至約6、好ましくは1乃至約3の整数
であり、yは1乃至約50、好ましくは1乃至約20の
整数である。R及びR′はそれぞれ独立して、水素原
子、好ましくは1乃至2個の炭素原子を有するアルキル
基等である(が、これに限定はされない)。これらの式
の適切な反応物の例には、メタクリル酸N、N−ジメチ
ルエチル、アクリル酸N、N−ジメチルエチル、及び次
式の化合物等が含まれる。
【0074】
【化46】
【0075】ここで、RはH又はCH3 であり、nは1
乃至約50の整数である。反応に適切な溶媒の例には、
N、N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシ
ド、N−メチルピロリジノン、ジメチルホルムアミド等
の極性の非プロトン性溶媒が含まれる。典型的には、反
応物は、ハロアルキル化ポリマー約10重量部、溶媒約
23重量部、及び不飽和アミン、ホスフィン又はアルコ
ール約0.1乃至約5.5重量部という互いに関する相
対量で存在する。
【0076】(メタクリル酸N、N−ジメチルエチルと
の反応について説明しているが)不飽和アンモニウム又
はホスホニウム基をポリマーに配置するための一般的な
反応機構は、次の通りである。
【0077】
【化47】
【0078】
【化48】
【0079】ここで、a、b、c、d、e、f、g、
h、i、j、k及びmはそれぞれ0、1、2、3又は4
の整数であるが、ただし、i+eの和は4以下であり、
j+fの和は4以下であり、k+gの和は4以下であ
り、m+hの和は4以下であり、a、b、c及びdのう
ちの少なくとも1つは、ポリマーの少なくともいくつか
のモノマー繰返し単位において1以上であり、e、f、
g及びhのうちの少なくとも1つは、ポリマーの少なく
ともいくつかのモノマー繰返し単位において少なくとも
1である。nはモノマー繰返し単位の数を示す整数であ
る。
【0080】ハロアルキル基のうちのいくつか又は全て
は、感光性供与、水溶性向上又は水分散性向上の置換基
で置き換えることができる。反応時間が長くなると、一
般的に、感光性供与、水溶性向上(又は水分散性向上)
置換基によるハロアルキル基の置換度が大きくなる。
【0081】典型的な反応温度は、約0乃至約40℃で
あり、好ましくは約10乃至約25℃であるが、温度は
これらの範囲外であってもよい。典型的な反応時間は約
1乃至約16時間であり、好ましくは約1乃至約4時間
であるが、時間はこれらの範囲外であってもよい。
【0082】もう1つの実施の形態では、上記の式のポ
リマーは2つの異なる官能基で置換され、そのうち1つ
はポリマーへ感光性を供与し、もう1つはポリマーへ水
溶性又は水分散性を供与する。どちらかの置換基がまず
ポリマー上に配置され、次に他の置換基を配置する反応
が行われる。いくつかの例では、まず不飽和エステル基
等の感光性供与基を配置することが好まれる。何故な
ら、次に行われる感光性供与基の置換度の測定は、水溶
性供与基又は水分散性供与基等の他の置換基が存在しな
いほうが容易だからである。適切な水溶性向上基又は水
分散性向上基でポリマーを置換するためにポリマーと反
応させる反応物の例には、第3級アミン、第3級ホスフ
ィン、アルキルチオエーテルが含まれる。第3級アミン
は式(A)の一般式で表され、式(B)の一般式で表さ
れる第4級アンモニウム基をポリマーに付加する。第3
級ホスフィンは式(C)の一般式で表され、式(D)の
一般式で表される第4級ホスホニウム基をポリマーに付
加する。アルキルチオエーテルは式(E)の一般式で表
され、式(F)の一般式で表されるスルホニウム基をポ
リマーに付加する。
【0083】
【化49】
【0084】ここで、R1 、R2 及びR3 はそれぞれ独
立して、典型的には1乃至約30個の炭素原子を有する
アルキル基、置換アルキル基、典型的には6乃至約18
個の炭素原子を有するアリール基、置換アリール基、典
型的には7乃至約19個の炭素原子を有するアリールア
ルキル基、及び置換アリールアルキル基である(が、こ
れに限定はされない)。Xはフッ素、塩素、臭素、又は
ヨウ素等のハロゲン原子を示す。
【0085】
【化50】
【0086】ここで、R1 、R2 及びR3 はそれぞれ独
立して、典型的には1乃至約30個の炭素原子を有する
アルキル基、置換アルキル基、典型的には6乃至約18
個の炭素原子を有するアリール基、置換アリール基、典
型的には7乃至約19個の炭素原子を有するアリールア
ルキル基、及び置換アリールアルキル基である(が、こ
れに限定はされない)。Xはフッ素、塩素、臭素、又は
ヨウ素等のハロゲン原子を示す。
【0087】
【化51】
【0088】ここで、R1 及びR2 はそれぞれ独立し
て、典型的には1乃至約6個の炭素原子、好ましくは1
個の炭素原子を有するアルキル基及び置換アルキル基で
ある(が、これに限定はされない)。Xはフッ素、塩
素、臭素、又はヨウ素等のハロゲン原子を示す。ここ
で、置換アルキル、置換アリール及び置換アリールアル
キル基の置換基は、水酸基、アミン基、イミン基、アン
モニウム基、ピリジン基、ピリジニウム基、エーテル
基、アルデヒド基、ケトン基、エステル基、アミド基、
カルボン酸基、カルボニル基、チオカルボニル基、硫酸
エステル基、スルホン酸エステル基、スルフィド基、ス
ルホキシド基、ホスフィン基、ホスホニウム基、リン酸
エステル基、シアノ基、ニトリル基、メルカプト基、ニ
トロソ基、ハロゲン原子、ニトロ基、スルホン基、アシ
ル基、酸無水物基、アジド基、及びその混合物等である
(が、これに限定はされない)。ここで、2以上の置換
基は互いに結合して環を形成することができる。
【0089】これらの水溶性供与置換基又は水分散性供
与置換基は、任意の適切な又は所望される方法でポリマ
ー上に配置することができる。例えば、2当量の求核試
薬(アミン、ホスフィン又はチオエーテル)を、ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピ
ロリジノン、ジメチルホルムアミド等の極性の非プロト
ン性溶媒中で、1当量のハロアルキル化ポリマーと25
℃で反応させる。反応物は固形分約30重量パーセント
の濃度で溶媒中に存在する。反応時間は典型的には約1
乃至約24時間であり、2時間が典型的である。
【0090】あるいは、水溶性供与基又は水分散性供与
基は、次式の基のように非イオン性であってもよい。
【0091】−〔(CRR′)x O〕y R″ ここで、xは1乃至約6、好ましくは1乃至約3の整数
であり、yは1乃至約50、好ましくは1乃至約20の
整数である。R、R′及びR″はそれぞれ独立して、水
素原子、好ましくは1乃至2個の炭素原子を有するアル
キル基、置換アルキル基、好ましくは6乃至約12個の
炭素原子を有するアリール基、置換アリール基、好まし
くは7乃至約13個の炭素原子を有するアリールアルキ
ル基、及び置換アリールアルキル基等である(が、これ
に限定はされない)。ここで、置換アルキル、置換アリ
ール及び置換アリールアルキル基の置換基は、水酸基、
アミン基、イミン基、アンモニウム基、ピリジン基、ピ
リジニウム基、エーテル基、アルデヒド基、ケトン基、
エステル基、アミド基、カルボン酸基、カルボニル基、
チオカルボニル基、硫酸エステル基、スルホン酸エステ
ル基、スルフィド基、スルホキシド基、ホスフィン基、
ホスホニウム基、リン酸エステル基、シアノ基、ニトリ
ル基、メルカプト基、ニトロソ基、ハロゲン原子、ニト
ロ基、スルホン基、アシル基、酸無水物基、アジド基、
及びその混合物等である(が、これに限定はされな
い)。ここで、2以上の置換基は互いに結合して環を形
成することができる。この式の置換基は、例えば、約8
0℃で約16時間、少なくとも約2当量の水酸化ナトリ
ウム又は少なくとも約1当量の水素化ナトリウム等の塩
基の存在下、テトラヒドロフラン、ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリジノン、
ジメチルホルムアミド等の極性の非プロトン性溶媒中
で、約2乃至約10ミリ当量の−〔(CRR′)x O〕
y R″基の塩(アルカリ金属塩等)を1当量のハロアル
キル化ポリマーと反応させることによってポリマー上に
配置できる。ポリエーテル鎖が長くなると、ポリマーに
供与される親水性特性が大きくなる傾向がある。ポリエ
ーテル鎖を有するポリ(塩化ビニルベンジルクロリド)
ポリマーの置換は、例えば、特開昭53−79833号
及びケミカルアブストラクト、89、180603(1
978)に更に詳細に開示されている。
【0092】ハロアルキル化度が高くなると、一般的
に、水溶性供与基又は水分散性供与基による置換度を高
くすることが可能である。用途が異なる場合には置換度
が異なることが好ましい。置換度(即ち、モノマー繰返
し単位当たりの水溶性供与基又は水分散性供与基の平均
数)は、典型的には約0.25乃至約4.0であり、好
ましくは約0.5乃至約2であるが、置換度はこれらの
範囲外であってもよい。最適な置換量は、樹脂1グラム
当たり約0.8乃至約2ミリ当量の水溶性供与基又は水
分散性供与基であり、好ましくは樹脂1グラム当たり約
1乃至約1.5ミリ当量の水溶性供与基又は水分散性供
与基である。
【0093】上記の式のポリマーのヒドロキシメチル化
は、ホルムアルデヒド又はパラホルムアルデヒドと水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水
酸化アンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム等
の塩基とを溶液中でポリマーと反応させることによって
達成することができる。ポリマーを、1、1、2、2−
テトラクロロエタン等の適切な溶媒に溶解し、ホルムア
ルデヒド又はパラホルムアルデヒドと反応させる。反応
に適する溶媒の例には、1、1、2、2−テトラクロロ
エタン及び塩化メチレン(適切な加圧反応器が使用され
れば)が含まれる。典型的には、反応物は、パラホルム
アルデヒド約44.5重量部又はホルムアルデヒド37
重量部、塩基約1重量部、1、1、2、2−テトラクロ
ロエタン約200重量部、及びポリマー約100重量部
という相対量で存在する。
【0094】一般的な反応機構は次の通りである。
【0095】
【化52】
【0096】ここで、a、b、c及びdはそれぞれ0、
1、2、3又は4の整数であるが、ただし、a、b、c
及びdのうちの少なくとも1つは、ポリマーの少なくと
もいくつかのモノマー繰返し単位において1以上であ
る。nはモノマー繰返し単位の数を示す整数である。置
換基はB基に対して選択性を示し、またB基の酸素のオ
ルトの位置に対して特別の選択性を示すことが多いが、
置換は一般的にランダムであり、与えられた任意のモノ
マー繰返し単位はヒドロキシメチル置換基を全く有さな
いか、1つのヒドロキシメチル置換基を有するか、ある
いは2以上のヒドロキシメチル置換基を有する。最も一
般的には、各芳香環は、ヒドロキシメチル基を全く有さ
ないか、1つのヒドロキシメチル基を有するかのいずれ
かであろう。
【0097】典型的な反応温度は約50乃至約125℃
であり、好ましくは約85乃至約110℃であるが、温
度はこれらの範囲外であってもよい。典型的な反応時間
は約4乃至約24時間であり、好ましくは約4乃至約6
時間であるが、時間はこれらの範囲外であってもよい。
反応時間が長くなると、一般的に、ヒドロキシメチル化
の度合いが高くなる。用途が異なる場合にはヒドロキシ
メチル化度が異なることが好ましい。置換度が高すぎる
と感度が過剰になり、その結果、材料が化学線に像様に
さらされたときに、露光及び未露光のポリマー材料の両
方が架橋又は鎖延長される。これに反して置換度が低す
ぎると、結果的に不必要に長い露光時間又は不必要に高
い露光エネルギが必要とされるので望ましくないであろ
う。光パターン形成可能なポリマーがサーマルインクジ
ェット印刷ヘッドの層として使用される用途では、置換
度(即ち、モノマー繰返し単位当たりのヒドロキシメチ
ル基の平均数)は、好ましくは約0.25乃至約2.0
であり、更に好ましくは約0.5乃至約0.8である
が、置換度はインクジェット印刷ヘッド用途のためのこ
れらの範囲から外れてもよい。この置換量は、樹脂1グ
ラム当たり約0.8乃至約1.3ミリ当量のヒドロキシ
メチルに相当する。
【0098】また、上記の式のポリマーは、まずハロア
ルキル化誘導体を調製した後、少なくともいくつかのハ
ロアルキル基をヒドロキシアルキル基で置き換えること
によって、ヒドロキシアルキル化できる。例えば、ハロ
アルキル化ポリマーは、ハロアルキル化ポリマーのアル
カリ加水分解によりヒドロキシアルキル化できる。水酸
基はポリマーのハロアルキル基のハライド原子に取って
代わる。従って、ハロアルキル基の炭素原子の数は、一
般的に、ヒドロキシアルキル基の炭素原子の数と一致す
る。適切な反応物の例には、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、水酸化カルシウム、水酸化アンモニウム、水
酸化テトラブチルアンモニウムのような水酸化テトラア
ルキルアンモニウム等が含まれる。反応に適する溶媒の
例には、1、1、2、2−テトラクロロエタン、塩化メ
チレン及び水が含まれる。典型的には、反応物は、ハロ
アルキル化ポリマー約13.8重量部、溶媒約50重量
部、及び塩基(水に23部の水酸化テトラブチルアンモ
ニウムを含む)約30.6重量部という互いに関する相
対量で存在する。透明溶液が得られた後、30ミリリッ
トルの水酸化ナトリウム(50%水溶液)を添加する。
約25℃で16時間後、有機層を水洗し、硫酸マグネシ
ウムで乾燥させ、メタノール(1ガロン)に注いでポリ
マーを沈殿させる。
【0099】(クロロメチル化ポリマーについて説明し
ているが)一般的な反応機構は次の通りである。
【0100】
【化53】
【0101】ここで、a、b、c、d、e、f、g、
h、i、j、k及びmはそれぞれ0、1、2、3又は4
の整数であるが、ただし、i+eの和は4以下であり、
j+fの和は4以下であり、k+gの和は4以下であ
り、m+hの和は4以下であり、a、b、c及びdのう
ちの少なくとも1つは、ポリマーの少なくともいくつか
のモノマー繰返し単位において1以上であり、e、f、
g及びhのうちの少なくとも1つは、ポリマーの少なく
ともいくつかのモノマー繰返し単位において少なくとも
1である。nはモノマー繰返し単位の数を示す整数であ
る。
【0102】ハロアルキル化度が高くなると、一般的
に、ヒドロキシアルキル基による置換度が高くなり、こ
れにより、ポリマーの感光性を大きくすることが可能で
ある。用途が異なる場合には置換度が異なることが好ま
しい。置換度が高すぎると感度が過剰になり、その結
果、材料が化学線に像様にさらされたときに、露光及び
未露光のポリマー材料の両方が架橋又は鎖延長される。
これに反して置換度が低すぎると、結果的に不必要に長
い露光時間又は不必要に高い露光エネルギが必要とされ
るので望ましくないであろう。光パターン形成可能なポ
リマーがサーマルインクジェット印刷ヘッドの層として
使用される用途では、置換度(即ち、モノマー繰返し単
位当たりのヒドロキシアルキル基の平均数)は、好まし
くは約0.25乃至約2.0であり、更に好ましくは約
0.5乃至約0.8であるが、置換度はインクジェット
印刷ヘッド用途のためのこれらの範囲から外れてもよ
い。置換の最適量は、樹脂1グラム当たり約0.8乃至
約1.3ミリ当量のヒドロキシアルキル基である。
【0103】ハロアルキル基のうちのいくつか又は全て
は、ヒドロキシアルキル置換基で置き換えることができ
る。反応時間が長くなると、一般的に、ヒドロキシアル
キル置換基によるハロアルキル基の置換度が大きくな
る。
【0104】典型的な反応時間は約25乃至約120℃
であり、好ましくは約25乃至約50℃であるが、温度
はこの範囲外であってもよい。典型的な反応時間は約1
乃至約24時間であり、好ましくは約10乃至約16時
間であるが、時間はこれらの範囲外であってもよい。
【0105】また、中間誘導体は、任意の適切な又は所
望の方法によって調製できる。例えば、ポリマーをハロ
アルキル化するのに適する方法には、ホルムアルデヒド
及び塩酸、ビスクロロメチルエーテル、クロロメチルメ
チルエーテル、オクチルクロロメチルエーテル等を、一
般的にはルイス酸触媒の存在下でポリマーと反応させる
方法がある。また、ポリマーのメチル基の臭素化は、例
えば過酸化物開始剤又は光で開始されるフリーラジカル
方法によって臭素元素で達成することができる。例え
ば、適切なハロゲン化水素酸又はハロゲン化物塩との反
応によって、既にハロメチル基上にあるハロゲンを他の
ハロゲン原子で置換することができる。また、ポリマー
のハロアルキル化の方法は、例えば、W.H.ディリーらの
「オキシ−1、4−フェニレン骨格を含む縮合ポリマー
のクロロメチル化」(Polymer Preprints, Vol.20, No.
1, 835 (1979) 、その開示は参照によってここに完全に
組み込まれる)に開示されている。
【0106】ポリマーをハロアルキル化するのに適切な
1つの特定方法は、次の一般式で表されるようなハロゲ
ン含有ルイス酸触媒の存在下、塩化アセチル等のハロゲ
ン化アセチル及びジメトキシメタンとポリマーを反応さ
せることを必要とする。
【0107】
【化54】
【0108】ここで、nは1、2、3、4又は5の整数
であり、Mはホウ素原子、又はスズ、アルミニウム、亜
鉛、アンチモン、鉄(III )、ガリウム、インジウム、
ヒ素、水銀、銅、白金、パラジウム等の金属原子であ
る。Xはフッ素、塩素、臭素又はヨウ素のようなハロゲ
ン原子を示す。特定の例には、SnCl4 、AlC
3、ZnCl2 、AlBr3 、BF3 、SbF5 、F
eI3 、GaBr3 、InCl3 、AsI5 、HgBr
2 、CuCl、PdCl2 、PtBr2 等が含まれる。
ハロアルキル化ポリマーの架橋を避けるために注意が払
われなければならない。典型的には、反応物は、ハロゲ
ン化アセチル約35.3重量部、ジメトキシメタン約3
7重量部、メタノール約1.2重量部、ルイス酸触媒約
0.3重量部、1、1、2、2−テトラクロロエタン約
446重量部、及びポリマー約10乃至20重量部とい
う相対量で存在する。1、1、2、2−テトラクロロエ
タンは適切な反応溶媒である。ジクロロメタンは沸点が
低く、従って、適切な加圧装置が使用されない限りこの
溶媒中では反応は遅い。一般的な反応機構は次の通りで
ある。
【0109】
【化55】
【0110】ここで、R′及びR″はそれぞれ独立し
て、水素原子、好ましくは1乃至約11個の炭素原子を
有する飽和、不飽和及び環状アルキル基をはじめとする
アルキル基、好ましくは1乃至約11個の炭素原子を有
する置換アルキル基、好ましくは6乃至約11個の炭素
原子を有するアリール基、好ましくは6乃至約11個の
炭素原子を有する置換アリール基、好ましくは7乃至約
11個の炭素原子を有するアリールアルキル基、及び好
ましくは7乃至約11個の炭素原子を有する置換アリー
ルアルキル基等である(が、これに限定はされない)。
得られる物質は次の一般式で表される。
【0111】
【化56】
【0112】ここで、nは1、2、3、4又は5の整数
であり、Rは、好ましくは1乃至約11個の炭素原子、
より好ましくは1乃至約5個の炭素原子、更に好ましく
は1乃至約3個の炭素原子、最も好ましくは1個の炭素
原子を有する飽和、不飽和、線状、分枝、及び環状アル
キル基をはじめとするアルキル基、置換アルキル基、好
ましくは7乃至約29個の炭素原子、より好ましくは7
乃至約17個の炭素原子、更に好ましくは7乃至約13
個の炭素原子、最も好ましくは7乃至約9個の炭素原子
を有するアリールアルキル基、又は、置換アリールアル
キル基である。Xはフッ素、塩素、臭素又はヨウ素のよ
うなハロゲン原子である。a、b、c及びdはそれぞれ
0、1、2、3又は4の整数であるが、ただし、a、
b、c及びdのうちの少なくとも1つは、ポリマーの少
なくともいくつかのモノマー繰返し単位において1以上
である。nはモノマー繰返し単位の数を示す整数であ
る。置換アルキル基、置換アリール及び置換アリールア
ルキル基の適切な置換基の例には、好ましくは1乃至約
6個の炭素原子を有する飽和、不飽和、線状、分枝及び
環状アルキル基をはじめとするアルキル基、好ましくは
1乃至約6個の炭素原子を有する置換アルキル基、好ま
しくは6乃至約24個の炭素原子を有するアリール基、
好ましくは6乃至約24個の炭素原子を有する置換アリ
ール基、好ましくは7乃至約30個の炭素原子を有する
アリールアルキル基、好ましくは7乃至約30個の炭素
原子を有する置換アリールアルキル基、好ましくは1乃
至約6個の炭素原子を有するアルコキシ基、好ましくは
1乃至約6個の炭素原子を有する置換アルコキシ基、好
ましくは6乃至約24個の炭素原子を有するアリーロキ
シ基、好ましくは6乃至約24個の炭素原子を有する置
換アリーロキシ基、好ましくは7乃至約30個の炭素原
子を有するアリールアルキロキシ基、好ましくは7乃至
約30個の炭素原子を有する置換アリールアルキロキシ
基、アミン基、イミン基、アンモニウム基、ピリジン
基、ピリジニウム基、エーテル基、エステル基、アミド
基、カルボニル基、チオカルボニル基、硫酸エステル
基、スルホン酸エステル基、スルフィド基、スルホキシ
ド基、ホスフィン基、ホスホニウム基、リン酸エステル
基、メルカプト基、ニトロソ基、スルホン基、アシル
基、酸無水物基、アジド基、等が含まれる(が、これに
限定はされない)。ここで、置換アルキル基、置換アリ
ール基、置換アリールアルキル基、置換アルコキシ基、
置換アリーロキシ基、及び置換アリールアルキロキシ基
の置換基は、水酸基、アミン基、イミン基、アンモニウ
ム基、ピリジン基、ピリジニウム基、エーテル基、アル
デヒド基、ケトン基、エステル基、アミド基、カルボン
酸基、カルボニル基、チオカルボニル基、硫酸エステル
基、スルホン酸エステル基、スルフィド基、スルホキシ
ド基、ホスフィン基、ホスホニウム基、リン酸エステル
基、シアノ基、ニトリル基、メルカプト基、ニトロソ
基、ハロゲン原子、ニトロ基、スルホン基、アシル基、
酸無水物基、アジド基、及びその混合物等である(が、
これに限定はされない)。ここで、2以上の置換基は互
いに結合して環を形成することができる。置換基はB基
に対して選択性を示すことが多いが、置換は一般的にラ
ンダムであり、与えられた任意のモノマー繰返し単位は
ハロアルキル置換基を全く有さないか、1つのハロアル
キル置換基を有するか、あるいは2以上のハロアルキル
置換基を有する。ここで、a、b、c及びdはそれぞれ
0、1、2、3又は4の整数であるが、ただし、a、
b、c及びdのうちの少なくとも1つは、ポリマーの少
なくともいくつかのモノマー繰返し単位において1以上
である。nはモノマー繰返し単位の数を示す整数であ
る。置換基はB基に対して選択性を示すことが多いが、
置換は一般的にランダムであり、与えられた任意のモノ
マー繰返し単位はハロアルキル置換基を全く有さない
か、1つのハロアルキル置換基を有するか、あるいは2
以上のハロアルキル置換基を有する。
【0113】典型的な反応温度は約60乃至約120℃
であり、好ましくは約80乃至約110℃であるが、温
度はこれらの範囲外であってもよい。典型的な反応時間
は約1乃至約10時間であり、好ましくは約2乃至約4
時間であるが、時間はこれらの範囲外であってもよい。
反応時間が長くなると、一般的に、ハロアルキル化の度
合いが高くなる。不飽和エステル基等の光活性基で置換
されたポリマーの合成で中間物質としてハロアルキル化
ポリマーが使用される場合、ハロアルキル化度が高くな
ると、一般的に、光活性基による置換度を高くでき、こ
れにより、ポリマーの感光性を大きくすることが可能で
ある。用途が異なる場合にはハロアルキル化度が異なる
ことが好ましい。不飽和エステル基で置換されたポリマ
ーの合成で材料が中間体として使用される場合、置換度
が高すぎると感度が過剰になり、その結果、材料が化学
線に像様にさらされたときに、露光及び未露光のポリマ
ー材料の両方が架橋又は鎖延長される。これに反して置
換度が低すぎると、結果的に不必要に長い露光時間又は
不必要に高い露光エネルギが必要とされるので望ましく
ないであろう。光パターン形成可能なポリマーがサーマ
ルインクジェット印刷ヘッドの層として使用される用途
では、置換度(即ち、モノマー繰返し単位当たりの不飽
和エステル基の平均数)は、好ましくは約0.5乃至約
1.2であり、更に好ましくは約0.7乃至約0.8で
あるが、置換度はインクジェット印刷ヘッド用途のため
のこれらの範囲から外れてもよい。また、電子線や深
(ディープ)紫外光等のエネルギ源が使用される場合に
は、ハロメチル化ポリマーをそれ自身の資質によりホト
レジストとして使用することができる。
【0114】いくつかの例では、ポリマーの末端基はポ
リマー合成の化学量論によって選択できる。例えば、
N、N−ジメチルアセトアミド中で炭酸カリウムの存在
下、4、4′−ジクロロベンゾフェノンとビスフェノー
ルAの反応によってポリマーを調製する場合、ビスフェ
ノールAが約7.5乃至8モルパーセント過剰に存在す
れば、得られるポリマーは一般的にビスフェノールA末
端であり(ここでビスフェノールA部分は1以上の水酸
基を有してもよいし、有さなくてもよい)、得られるポ
リマーは、典型的には、約2乃至約3.5の多分散度
(Mw /Mn )を有する。ハロアルキル基等の官能基を
配置するため、及び/又はハロアルキル基等の1つの種
類の官能基を不飽和エステル基等の別の種類の官能基へ
転換するために、ビスフェノールA末端ポリマーを更に
反応させた場合、ポリマーの多分散度は約4乃至約6の
範囲へ上昇する。これに反して、4、4′−ジクロロベ
ンゾフェノンが約7.5乃至8モルパーセント過剰に存
在する場合、反応時間はビスフェノールA過剰の反応で
必要とされる時間のほぼ半分であり、得られるポリマー
は一般的にベンゾフェノン末端であり(ここでベンゾフ
ェノン部分は1以上の塩素原子を有してもよいし、有さ
なくてもよい)、得られるポリマーは典型的には約2乃
至約3.5の多分散度を有する。ハロアルキル基等の官
能基を配置するため、及び/又はハロアルキル基等の1
つの種類の官能基を不飽和エステル基等の別の種類の官
能基へ転換するために、ベンゾフェノン末端ポリマーを
更に反応させた場合、ポリマーの多分散度は、典型的に
は、約2乃至約3.5の範囲のままである。同様に、
N、N−ジメチルアセトアミド中で炭酸カリウムの存在
下、4、4′−ジフルオロベンゾフェノンと9、9′−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン又はビスフ
ェノールAのいずれかとの反応によってポリマーを調製
する場合、4、4′−ジフルオロベンゾフェノン反応物
が過剰に存在すれば、得られるポリマーは一般的にベン
ゾフェノン末端基を有する(1以上のフッ素原子を有し
てもよいし、有さなくてもよい)。よく知られたカラザ
ーズの式を使用して、所望の分子量を得るのに必要とさ
れる化学量論的なオフセットを計算することができる。
(例えば、ウィリアム H. カラザーズの「縮合ポリマー
の一般理論入門」 Chem.Rev., 8, 353 (1931) 及び J.
Amer. Chem. Soc., 51, 2548 (1929) を参照。また、P.
J.フローリィの高分子化学の原理、コーネル大学出版、
イタキ、ニューヨーク (1953) を参照。)より一般的に
言って、次式のポリマーの調製では、ポリマー合成反応
の化学量論は、ポリマーの末端基が「A」基から誘導さ
れる、あるいは「B」基から誘導されるように調整でき
る。また、これらの末端「A」基又は「B」基には、エ
チニル基又は他の感熱性の基、「A」又は「B」基の芳
香環に付いてフェノール部分を形成する水酸基、「A」
又は「B」基に結合されるハロゲン原子等の特定の官能
基が存在してもよい。
【0115】
【化57】
【0116】ベンゾフェノン基又はハロゲン化ベンゾフ
ェノン基等の「A」基から誘導される末端基を有するポ
リマーは、幾つかの用途ではより好まれる。何故なら、
置換基を配置するためのこれらの材料の合成及び幾つか
の反応は、ビスフェノールA基(1以上の水酸基をその
芳香環に有する)又は他のフェノール基等の「B」基か
ら誘導される末端基を有するポリマーと比較して、制御
するのがより容易であり、例えばコスト、分子量、分子
量範囲及び多分散度(Mw /Mn )に関してより良い結
果を与えることができるからである。特定の理論に制限
されないが、ポリマーがビスフェノールA末端である場
合、ハロアルキル化反応は特にフェノール末端上で最も
急速に進行すると考えられる。更に、フェノール末端ポ
リマー上のハロメチル化基は、次の架橋又は鎖延長に対
して特に反応性であると考えられる。これに対して、一
般的に、ハロメチル化は、ベンゾフェノン、ハロゲン化
ベンゾフェノン等の電子吸引性置換基を有する末端芳香
族基上では起こらないと考えられる。また、「A」基末
端材料は接着剤としての役割も果たし、サーマルインク
ジェット印刷ヘッド等の応用では、架橋された「A」基
末端ポリマーの使用は、ヒータプレートをチャネルプレ
ートへ接着するためのエポキシ接着剤の必要性を削減又
は省くことができる。
【0117】感光性供与基によるポリマーの架橋又は鎖
延長を起こすことのできる波長及び/又はエネルギレベ
ルで化学線へ均一にさらすことによって光パターン形成
可能なポリマーを硬化することができる。あるいは、感
光性供与基が感応する波長及び/又はエネルギレベルの
放射で材料を像様に露光することによって光パターン形
成可能なポリマーを現像する。典型的には、ホトレジス
ト組成物は、光パターン形成可能なポリマー、光パター
ン形成可能なポリマーのための任意の溶媒、任意の増感
剤、及び任意の光開始剤を含む。未架橋の光パターン形
成可能なポリマーが高いTg を有する場合には、溶媒は
特に望ましい。溶媒及び光パターン形成可能なポリマー
は、典型的には、溶媒0乃至約99重量パーセント及び
ポリマー約1乃至100重量パーセントという相対量で
存在する。好ましくは、溶媒約20乃至約60重量パー
セント及びポリマー約40乃至約80重量パーセントと
いう相対量で存在する。更に好ましくは、溶媒約30乃
至約60重量パーセント及びポリマー約40乃至約70
重量パーセントという相対量で存在するが、相対量はこ
れらの範囲外であってもよい。
【0118】増感剤は光エネルギを吸収し、不飽和結合
へのエネルギの伝達を容易にし、これにより不飽和結合
が反応して樹脂を架橋又は鎖延長させることができる。
増感剤は露光のために有用なエネルギ波長範囲を拡大す
ることが多く、典型的には、芳香族の光吸収発色団であ
る。また、増感剤は、フリーラジカル又はイオン性であ
る光開始剤の形成を導くことができる。増感剤が存在す
る場合、任意の増感剤及び光パターン形成可能なポリマ
ーは、典型的には、増感剤約0.1乃至約20重量パー
セント及び光パターン形成可能なポリマー約80乃至約
99.9重量パーセントという相対量で存在する。好ま
しくは、増感剤約1乃至約10重量パーセント及び光パ
ターン形成可能なポリマー約90乃至約99重量パーセ
ントという相対量で存在するが、相対量はこれらの範囲
外であってもよい。
【0119】光開始剤は、一般的に化学線への露光時に
重合を開始させるイオン又はフリーラジカルを発生させ
る。光開始剤が存在する場合、任意の光開始剤及び光パ
ターン形成可能なポリマーは、典型的には、光開始剤約
0.1乃至約20重量パーセント及び光パターン形成可
能なポリマー約80乃至約99.9重量パーセントとい
う相対量で存在する。好ましくは、光開始剤約1乃至約
10重量パーセント及び光パターン形成可能なポリマー
約90乃至約99重量パーセントという相対量で存在す
るが、相対量はこれらの範囲外であってもよい。
【0120】また、単一の物質が増感剤及び光開始剤の
両方の役割を果たしてもよい。
【0121】特定の増感剤及び光開始剤の例には、ミヒ
ラーのケトン(アルドリッチケミカル社)、ダロキュア
(Darocure)1173、ダロキュア4265、イルガキ
ュア(Irgacure)184、イルガキュア261、及びイ
ルガキュア907(チバガイギー、アーズレー、ニュー
ヨークから入手可能)、並びにその混合物が含まれる。
ベンゾフェノン及びその誘導体は、光増感剤として機能
することができる。トリフェニルスルホニウム及びジフ
ェニルヨードニウム塩は、典型的なカチオン光開始剤の
例である。
【0122】また、抑制剤は、光パターン形成可能なポ
リマーを含むホトレジスト中に任意に存在できる。適切
な抑制剤の例には、式(G)のヒドロキノンのメチルエ
ーテルMEHQ、式(H)のt−ブチルカテコール、式
(I)のヒドロキノン等が含まれる。抑制剤は、典型的
には、約40重量パーセントのポリマー固形分を含むホ
トレジスト溶液の重量の約500乃至約1500ppm
の量で存在するが、量はこの範囲外であってもよい。
【0123】
【化58】
【0124】特定の理論に制限されないが、例えばアク
リロイル官能基を有する不飽和エステル置換ポリマーに
ついて以下に示される(ここで、アクリロイル基のエチ
レン性結合は結合を形成するために開放される)よう
に、例えば紫外放射への露光により、一般的に、「長
い」結合部位で架橋又は鎖延長が起こると考えられる。
【0125】
【化59】
【0126】エチレン性結合の類似の開放は他の不飽和
基でも起こる。アルキルカルボキシメチレン及びエーテ
ル置換ポリマーは、好ましくは熱及び1以上のカチオン
開始剤(トリアリールスルホニウム塩、ジアリールヨー
ドニウム塩、及び他の開始剤等)の存在下、紫外光への
露光により硬化可能である。特定の理論に制限されない
が、カチオンメカニズムは、メチルカルボキシメチレン
ポリマーについて以下に示される通りであると考えられ
る。ここでは、酢酸が放出され、「長い」結合は架橋又
は鎖延長部位を示す。
【0127】
【化60】
【0128】エーテル置換ポリマーについての反応は、
対応のアルカノールが放出される点を除いて同様であ
る。
【0129】アリルエーテル置換ポリマーを含むホトレ
ジストは、材料が感応する波長の放射で材料を画像露光
することによって現像される。特定の理論に制限されな
いが、例えば紫外放射への露光は、一般的に、以下に示
されるように、アリルエーテル基のエチレン性結合を開
放し、「長い」結合部位で架橋又は鎖延長を起こすと考
えられる。
【0130】
【化61】
【0131】エポキシ置換ポリマーでは、特定の理論に
制限されないが、例えば紫外放射への露光は、一般的
に、開始剤による酸性種の発生を引き起こし、続いて酸
性種とエポキシ基とが反応して、以下に示されるように
「長い」結合部位で開環及び架橋又は鎖延長が起きると
考えられる。
【0132】
【化62】
【0133】また、エポキシ化ポリマーのアミン硬化も
可能であり、硬化は熱の適用で発生する。特定の理論に
制限されないが、1つの例の硬化機構は次の通りである
と考えられる。
【0134】
【化63】
【0135】ハロメチル化ポリマーでは、特定の理論に
制限されないが、例えば電子線、深紫外又はx線放射へ
の露光は、一般的に、メチル基からハロゲン原子のフリ
ーラジカルの開裂を起こし、ベンジルラジカルを形成す
ると考えられる。次いで架橋又は鎖延長が、以下に示さ
れるように「長い」結合部位で発生する。
【0136】
【化64】
【0137】本発明の不飽和アンモニウム又は不飽和ホ
スホニウム置換ポリマーでは、特定の理論に制限されな
いが、例えば紫外放射への露光は、一般的に、以下に示
されるように、感光性供与基のエチレン性結合を開放
し、「長い」結合部位で架橋又は鎖延長を起こすと考え
られる。
【0138】
【化65】
【0139】本発明のヒドロキシアルキル化、ハロアル
キル化及びアリル置換ポリマーでは、適切な増感剤又は
開始剤の類の1つの特定例は、次の一般式のビス(アジ
ド)類である。
【0140】
【化66】
【0141】ここで、Rは以下のとおりである。
【0142】
【化67】
【0143】また、R1 、R2 、R3 及びR4 はそれぞ
れ独立して、水素原子、好ましくは1乃至約30個の炭
素原子、更に好ましくは1乃至約6個の炭素原子を有す
る飽和、不飽和及び環状アルキル基をはじめとするアル
キル基、置換アルキル基、好ましくは6乃至約18個の
炭素原子、更に好ましくは6個の炭素原子を有するアリ
ール基、置換アリール基、好ましくは7乃至約48個の
炭素原子、更に好ましくは約7乃至約8個の炭素原子を
有するアリールアルキル基、又は置換アリールアルキル
基であり、xは0又は1である。ここで、置換アルキ
ル、置換アリール及び置換アリールアルキル基の置換基
は、好ましくは1乃至約6個の炭素原子を有する飽和、
不飽和、線状、分枝 及び環状アルキル基をはじめとす
るアルキル基、好ましくは1乃至約6個の炭素原子を有
する置換アルキル基、好ましくは6乃至約24個の炭素
原子を有するアリール基、好ましくは6乃至約24個の
炭素原子を有する置換アリール基、好ましくは7乃至約
30個の炭素原子を有するアリールアルキル基、好まし
くは7乃至約30個の炭素原子を有する置換アリールア
ルキル基、好ましくは1乃至約6個の炭素原子を有する
アルコキシ基、好ましくは1乃至約6個の炭素原子を有
する置換アルコキシ基、好ましくは6乃至約24個の炭
素原子を有するアリーロキシ基、好ましくは6乃至約2
4個の炭素原子を有する置換アリーロキシ基、好ましく
は7乃至約30個の炭素原子を有するアリールアルキロ
キシ基、好ましくは7乃至約30個の炭素原子を有する
置換アリールアルキロキシ基、アミン基、イミン基、ア
ンモニウム基、ピリジン基、ピリジニウム基、エーテル
基、エステル基、アミド基、カルボニル基、チオカルボ
ニル基、硫酸エステル基、スルホン酸エステル基、スル
フィド基、スルホキシド基、ホスフィン基、ホスホニウ
ム基、リン酸エステル基、メルカプト基、ニトロソ基、
スルホン基、アシル基、酸無水物基、アジド基、等であ
る(が、これに限定はされない)。ここで、置換アルキ
ル基、置換アリール基、置換アリールアルキル基、置換
アルコキシ基、置換アリーロキシ基、及び置換アリール
アルキロキシ基の置換基は、水酸基、アミン基、イミン
基、アンモニウム基、ピリジン基、ピリジニウム基、エ
ーテル基、アルデヒド基、ケトン基、エステル基、アミ
ド基、カルボン酸基、カルボニル基、チオカルボニル
基、硫酸エステル基、スルホン酸エステル基、スルフィ
ド基、スルホキシド基、ホスフィン基、ホスホニウム
基、リン酸エステル基、シアノ基、ニトリル基、メルカ
プト基、ニトロソ基、ハロゲン原子、ニトロ基、スルホ
ン基、アシル基、酸無水物基、アジド基、及びその混合
物等である(が、これに限定はされない)。ここで、2
以上の置換基は互いに結合して環を形成することができ
る。適切なビス(アジド)の例には、式(J)の4、
4′−ジアジドスチルベン、式(K)の4、4′−ジア
ジドベンゾフェノン、式(L)の2、6−ジ−(4′−
アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン、式
(M)の4、4′−ジアジドベンザルアセトン等が含ま
れる。
【0144】
【化68】
【0145】特定の理論に制限されないが、ヒドロキシ
メチル化ポリマーについて以下に示されるように、例え
ば紫外放射への露光は硬化を可能にすると考えられる。
【0146】
【化69】
【0147】
【化70】
【0148】ここで、X及びX′はそれぞれ独立して、
−H又は−OH(あるいは、ハロアルキル化ポリマーの
場合には−H又はハロゲン原子)である。同様に、アリ
ル置換ポリマーでは、硬化反応機構は次の通りであると
考えられる。
【0149】
【化71】
【0150】あるいは、ヒドロキシアルキル化ポリマー
は、その感光性をより高めるために更に反応させること
ができる。例えば、式(N)のヒドロキシメチル化ポリ
マーは、式(O)のメタクリル酸イソシアナト−エチル
(ポリサイエンスイズ、ワーリントン、ペンシルバニア
州から入手可能)と反応して、式(P)の光活性ポリマ
ーを形成することができる。
【0151】
【化72】
【0152】この反応は、ポリマー1重量部、メタクリ
ル酸イソシアナト−エチル1重量部、及び塩化メチレン
50重量部を用いて、25℃の塩化メチレン中で行うこ
とができる。典型的な反応温度は約0乃至約50℃であ
り、10乃至25℃が好ましい。典型的な反応時間は約
1時間と約24時間の間であり、約16時間が好まし
い。例えば紫外放射への露光中に、エチレン性結合が開
いて、その部位で架橋又は鎖延長が起こる。
【0153】特定の理論に制限されないが、以下に示さ
れるように、熱硬化も水酸基の引き抜き及び「長い」結
合部位における架橋又は鎖延長を起こすと考えられる。
【0154】
【化73】
【0155】化学線へさらされたときたポリマーの架橋
又は鎖延長を可能にすることができると上記に示される
感光性供与基の多くは、高温にさらされた場合にもポリ
マーの架橋又は鎖延長ができる。従って、本発明のポリ
マーは、所望されるなら、熱硬化が用いられる用途にお
いても使用できる。
【0156】式(Q)のポリマーについて上記に説明し
た反応及び置換のすべてにおいて、類似の反応及び置換
が式(R)のポリマーでも起こることは理解できるであ
ろう。
【0157】
【化74】
【0158】本発明の光パターン形成可能なポリマー材
料は、インクジェット印刷ヘッドの構成要素として使用
できる。本発明の印刷ヘッドはどの適切な構成であって
もよい。サーマルインクジェット印刷用の印刷ヘッドの
適切な構成の一例が図1に概略で説明される。図1は、
液滴放出ノズル27のアレイを示す印刷ヘッド10の正
面29の拡大略等角図を示す。また図2を参照すると、
後述するように、下部電気絶縁性基板又は加熱素子プレ
ート28は、その表面30上にパターン形成された加熱
素子34及びアドレス電極33を有する。一方、上部基
板又はチャネルプレート31は、一方向に延びて上部基
板の正面エッジ29を貫通する平行溝20を有する。溝
20の他端は傾斜壁21で終端しており、キャピラリー
充填インクチャネル20のためのインク供給マニホルド
として使用される内部凹部24の床41は、インク充填
孔として使用するための開口25を有する。溝を有する
チャネルプレートの表面は、複数の加熱素子34のそれ
ぞれ1つが溝及び下部基板又はヒータプレートにより形
成される各チャネル内に配置されるように、ヒータプレ
ート28へ位置合わせ及び接合される。インクは、充填
孔25を通って凹部24及び下部基板28により形成さ
れるマニホルドへ入り、キャピラリー作用によって、厚
膜絶縁層18に形成された細長い凹部38から流れ出し
て、チャネル20を充填する。各ノズルのインクはメニ
スカスを形成し、その表面張力はインクがそこから垂れ
るのを防止する。下部基板又はチャネルプレート28の
アドレス電極33は端子32で終端する。電極端子32
が露出されて、印刷ヘッド10が永久的に搭載される娘
ボード19上の電極へのワイヤボンディングに利用でき
るように、上部基板又はチャネルプレート31は下部基
板よりも小さい。後述するように、層18は厚膜パッシ
ベーション層であり、上部基板及び下部基板の間に挟持
される。この層は、加熱素子を露出させ、これによりこ
れらを穴の中に配置するためにエッチングされる。ま
た、マニホルド24及びインクチャネル20間のインク
の流れを可能にする前記細長い凹部を形成するためにエ
ッチングされる。さらに、厚膜絶縁層は、電極端子を露
出させるためにエッチングされる。
【0159】図1の断面図は1つのチャネルを通る線2
−2に沿って作成され、図2に示される。図2は、矢印
23に示されるように、インクがマニホルド24から溝
20の端部21付近にどのように流れるかを示す。米国
特許第4、638、337号、同第4、601、777
号及び米国再発行特許第32、572号に開示されるよ
うに、複数セットの気泡発生加熱素子34及びそのアド
レス電極33を、片面が研摩された(100)シリコン
ウェハ上にパターン形成することができる。多数セット
の印刷ヘッド電極33、加熱素子34として働く抵抗性
材料、及び共通帰線35をパターン形成する前に、ウェ
ハの研摩表面を二酸化シリコン等の下塗り層39でコー
ティングする。層39の典型的な厚さは約5000オン
グストローム乃至約2ミクロンであるが、厚さはこの範
囲外であってもよい。抵抗性材料は、ドープされた多結
晶シリコン(化学蒸着(CVD)により蒸着できる)、
又はホウ化ジルコニウム(ZrB2 )等の他のよく知ら
れた抵抗性材料でよい。共通帰線及びアドレス電極は、
典型的には、下塗り層上及び加熱素子エッジ上に蒸着さ
れたアルミニウムリード線である。共通帰線端部又は端
子37及びアドレス電極端子32は所定の位置に配置さ
れ、これにより印刷ヘッドを製造するためにチャネルプ
レート31が取り付けられた後、娘ボード19の電極
(図示せず)へのワイヤボンディング用のクリアランス
が形成される。共通帰線35及びアドレス電極33は、
典型的には約0.5乃至約3ミクロンの厚さに蒸着され
るが、厚さはこの範囲外であってもよく、好ましい厚さ
は1.5ミクロンである。
【0160】ポリシリコン加熱素子が使用される場合、
ポリシリコンの一部をSiO2 へ転換するために、アル
ミニウムリード線の蒸着の前に、典型的には約50乃至
約80分の間(時間はこの範囲外であってもよい)、典
型的には約1100℃(温度はこの値の上でも下でもよ
い)の比較的高温で、引き続きポリシリコン加熱素子を
蒸気又は酸素中で酸化してもよい。このような場合、加
熱素子を熱的に酸化して、典型的には約500オングス
トローム乃至約1ミクロンの厚さ(厚さはこの範囲外で
あってもよい)で、保全性が良好で実質的にピンホール
のないSiO2上塗り層(図示せず)を達成する。
【0161】1つの実施の形態では、ポリシリコン加熱
素子が使用され、任意の二酸化シリコン熱酸化物層17
を高温蒸気中でポリシリコンから成長させる。熱酸化物
層を、典型的には、約0.5乃至約1ミクロンの厚さに
成長させ(厚さはこの範囲外であってもよい)、加熱素
子を導電性インクから保護及び絶縁する。アドレス電極
及び共通帰線の取り付けのためにポリシリコン加熱素子
のエッジでは熱酸化物を除去し、次にアドレス電極及び
共通帰線をパターン形成及び蒸着させる。加熱素子にホ
ウ化ジルコニウム等の抵抗性材料を使用する場合、よく
知られた他の適切な絶縁材料を保護層として使用でき
る。電極のパッシベーションの前に、印刷ヘッド操作中
にインク蒸気の気泡が壊れて発生する空洞化力から更に
保護するために、タンタル(Ta)層(図示せず)を、
典型的には約1ミクロンの厚さ(厚さはこの値より上で
も下でもよい)で加熱素子保護層17上に任意に蒸着で
きる。タンタル層は、例えばCF4 /O2 プラズマエッ
チングを用いて、加熱素子の直接上の保護層17を除い
て全てエッチング除去される。ポリシリコン加熱素子で
は、アルミニウム共通帰線及びアドレス電極を、典型的
には、下塗り層上と、共通帰線及び電極の接続のために
酸化物が除去されたポリシリコン加熱素子の対向するエ
ッジ上と、に蒸着させる。
【0162】電極のパッシベーションのために、膜16
を、複数セットの加熱素子及びアドレス電極を含むウェ
ハ表面全体に蒸着させる。パッシベーション膜16は、
露出した電極をインクから保護するイオン障壁を提供す
る。パッシベーション膜16に適切なイオン障壁材料の
例には、ポリイミド、プラズマ窒化物、リンドープ二酸
化シリコン、及び絶縁層18に適するとして以下に開示
される材料等、並びにその任意の組合せが含まれる。有
効なイオン障壁層は、その厚さが約1000オングスト
ローム乃至約10ミクロンの場合に達成されるのが一般
的であるが、厚さはこの範囲外であってもよい。300
dpiの印刷ヘッドでは、パッシベーション層16は、
好ましくは約3ミクロンの厚さを有するが、厚さはこの
値の上でも下でもよい。600dpiの印刷ヘッドで
は、パッシベーション層16の厚さは、層16及び層1
8の合わせた厚さが約25ミクロンになるような厚さで
あるのが好ましいが、厚さはこの値の上でも下でもよ
い。娘ボード電極と後でワイヤボンディングするため
に、共通帰線及びアドレス電極の末端部のパッシベーシ
ョン膜又は層16がエッチング除去される。この二酸化
シリコン膜のエッチングは、湿式又は乾式エッチング法
のいずれかによる。あるいは、電極パッシベーション
は、プラズマ蒸着窒化シリコン(Si3 4 )によるこ
ともできる。
【0163】次に、ここで更に詳細に説明するポリマー
材料から成る厚膜タイプの絶縁層18を、パッシベーシ
ョン層16上に形成する。その典型的な厚さは約10乃
至約100ミクロンであり、好ましくは約25乃至約5
0ミクロンの範囲であるが、厚さはこれらの範囲外であ
ってもよい。更により好ましくは、300dpi印刷ヘ
ッドでは、層18の厚さは約30ミクロンであるのが好
ましく、600dpi印刷ヘッドでは、層18の厚さは
約20乃至約22ミクロンであるのが好ましいが、他の
厚さでもよい。各加熱素子(凹部26を形成する)上、
マニホルド24からインクチャネル20へのインク通路
を提供する細長い凹部38上、及び各電極端子32、3
7上の層18部分のエッチング及び除去を可能にするよ
うに絶縁層18をホトリソグラフィ的に処理する。細長
い凹部38は、厚膜層18のこの部分の除去により形成
される。従って、パッシベーション層16は、この細長
い凹部38内では、電極33がインクへさらされるのを
単独で防ぐ。任意的に、所望されるならば、同様の組成
又は異なる組成の一連の薄層として絶縁層18を付与す
ることができる。典型的には、薄層を蒸着し、露光し、
部分的に硬化させた後、次の薄層の蒸着、露光、部分硬
化等を行う。厚膜絶縁層18を構成するこれらの薄層
は、上記に示された式のポリマーを含む。本発明の1つ
の実施の形態では、第1薄層は接触層16へ形成され、
該第1薄層は上記の式のポリマーとエポキシポリマーの
混合物を含む。次に、露光、部分硬化を行い、続いて、
上記の式のポリマーを含む1以上の連続薄層を形成す
る。
【0164】図3は図2と同様の図であり、下塗り層3
9の形成、並びに加熱素子34、電極33及び共通帰線
35のパターニングの前に、シリコンであるヒータプレ
ートに異方性エッチングされた浅い溝40を有する。こ
の凹部40は、厚膜絶縁層18のみの使用を可能にし、
通常の電極パッシベーション層16の必要性を排除す
る。厚膜層18は水を通さず、且つ、比較的厚い(典型
的には約20乃至約40ミクロンであるが、厚さはこの
範囲外であってもよい)ので、当該技術でよく知られる
比較的薄いパッシベーション層16のみを有する場合よ
りも回路要素に導入される汚染は、はるかに少ないであ
ろう。ヒータプレートは集積回路にとってかなり不利な
環境である。市販用のインクでは一般的に、純度に対す
る配慮が低い。その結果、ヒータプレートの活性部分
は、移動性イオンを間違いなく多く含む汚染されたイン
ク水溶液に高温で隣接する。更に、実質的な電場が存在
するように、ヒータプレートを約30乃至約50ボルト
の電圧で操作するのが一般的に望ましい。従って、厚膜
絶縁層18は活性装置に改良された保護を提供し、結果
的にヒータプレートの動作寿命を長くすることにつなが
る改良された保護を提供する。
【0165】複数の下部基板28を単一のシリコンウェ
ハから製造する場合、下塗り層の蒸着後の都合のよい時
点で、少なくとも2つの位置合わせマーキング(図示せ
ず)をシリコンウェハを構成する下部基板28上の所定
位置にホトリソグラフィ的に製造するのが好ましい。こ
れらの位置合わせマーキングは、インクチャネルを含む
複数の上部基板31の位置合わせに使用される。複数セ
ットの加熱素子を含む片面ウェハの表面を、位置合わせ
に続いて、複数のインクチャネルを有する上部基板を含
むウェハの表面へ接合する。
【0166】米国特許第4、601、777号及び同第
4、638、337号に開示されるように、印刷ヘッド
用の複数の上部基板31を製造するために、チャネルプ
レートを両面研摩された(100)シリコンウェハから
形成する。ウェハを化学洗浄した後、熱分解CVD窒化
シリコン層(図示せず)を両面に蒸着する。従来のホト
リソグラフィを用いて、複数のチャネルプレート31の
それぞれの充填孔25用のヴィア、及び所定位置の位置
合わせ開口(図示せず)のための少なくとも2つのヴィ
アを、一方のウェハ面に印刷する。充填孔及び位置合わ
せ開口を示すパターン形成されたヴィアの窒化シリコン
をプラズマエッチング除去する。水酸化カリウム(KO
H)異方性エッチングを使用して、充填孔及び位置合わ
せ開口をエッチングすることができる。この場合、(1
00)ウェハの〔111〕面は、典型的には、ウェハ表
面と約54.7度の角度を成す。充填孔は小さい四角の
表面パターンであり、一般的には一辺が約20ミル(5
00ミクロン)であるが、寸法はこの値の上でも下でも
よい。位置合わせ開口は約60乃至約80ミル(1.5
乃至3ミリメートル)平方であるが、寸法はこの範囲外
であってもよい。従って、位置合わせ開口は20ミル
(0.5ミリメートル)厚のウェハを通して完全にエッ
チングされるが、充填孔はウェハの約半分乃至4分の3
の終端点までエッチングされる。比較的小さい四角の充
填孔は連続エッチングにより更にサイズ増大しようとし
ても変化しないので、位置合わせ開口及び充填孔のエッ
チングはあまり時間制限されない。
【0167】次に、ウェハの反対面を、既にエッチング
された位置合わせ孔をリファレンスとして用いてホトリ
ソグラフィ的にパターン形成し、最後には印刷ヘッドの
インクマニホルド及びチャネルになる比較的大きい矩形
凹部24及び細長い平行チャネル凹部セットを形成す
る。マニホルド及びチャネル凹部を含むウェハ表面22
は、複数セットの加熱素子を含む基板へ接合するために
熱硬化性エポキシ等の接着剤が後で付与されるオリジナ
ルウェハ表面(窒化シリコン層で被覆された)の部分で
ある。接着剤は、溝又は他の凹部に流れたり広がったり
しないような方法で付与される。チャネルウェハを加熱
素子及びアドレス電極ウェハ上に位置合わせするため
に、位置合わせンマーキングを例えば真空チャックマス
ク位置合わせ器と共に使用することができる。2つのウ
ェハを正確にかみ合わせ、接着剤の部分硬化によって仮
留めすることができる。あるいは、加熱素子及びチャネ
ルウェハに精密にさいの目にされたエッジを与え、次
に、加熱素子及びチャネルウェハを精密ジグに手動又は
自動的に位置合わせする。また、赤外アライナ−ボンダ
(aligner-bonder)や、位置合わせされるべき各ウェハ
上の赤外不透明マーキングを用いる赤外顕微鏡等を用い
て位置合わせすることもできる。次に2つのウェハを、
互いに永久的に接合するためにオーブン又はラミネータ
中で硬化する。次に、チャネルウェハを切断して、個々
の上部基板を製造することができる。端部面29を製造
する最終的なさいの目カットにより、ノズル27を形成
する細長い溝20の一方の端部を開放する。チャネル溝
の他端は端部21により閉鎖されたままである。しかし
ながら、チャネルプレートのヒータプレートへの位置合
わせ及びボンディングにより、チャネル20の端部21
が、図2に示されるように厚膜絶縁層18の細長い凹部
38上に直接配置され、又は、図3に示されるように凹
部40の上に直接配置されて、矢印23で示されるよう
にマニホルドからチャネル内へのインクの流れが可能に
なる。最終的なさいの目カットにより製造される複数の
個々の印刷ヘッドを娘ボードへ接合し、印刷ヘッド電極
端子を娘ボード電極へワイヤボンディングする。
【0168】1つの実施の形態では、ホスホシリケート
ガラス層を有するヒータウェハを、3000回転/分で
10秒間、Z6020接着促進剤溶液(メタノール95
部及び水5部の中に0.01重量パーセント、ダウコー
ニング)でスピンコーティングし、100℃で2乃至1
0分間乾燥させる。次に、光パターン形成可能なポリマ
ーを含むホトレジストで、1000乃至3000回転/
分で30乃至60秒間、ウェハ上をスピンコーティング
する前に、ウェハを25℃で5分間冷却する。繰返し単
位当たり0.75個のアクリロイル基及び0.75個の
クロロメチル基を有し、重量平均分子量が25000の
ポリアリーレンエーテルケトンを、ミヒラーのケトン
(固形分40重量パーセントのポリマー溶液の10部ご
とに1.2部のケトン)と共に、固形分40重量パーセ
ントでN−メチルピロリジノン中に溶解してホトレジス
ト溶液を製造する。膜を70℃で10乃至15分間、オ
ーブン中で加熱する(ソフトベーキングする)。5分か
けて25℃まで冷却した後、膜をマスクで覆い、150
乃至1500ミリジュール/cm2 に達するまで、36
5ナノメートルの紫外光で露光する。次に、露光したウ
ェハを2分間の後露光ベークのために70℃で加熱し、
次に5分かけて25℃まで冷却する。膜を60:40の
クロロホルム/シクロヘキサノン現像剤で現像し、9
0:10のヘキサン/シクロヘキサノンで洗浄した後、
70℃で2分間乾燥させる。清浄な外観を有するウェハ
を得るために必要であれば第2の現像/洗浄サイクルを
行う。処理したウェハを25℃のオーブンへ移し、オー
ブン温度を、2℃/分で25から90℃まで上げる。温
度を90℃で2時間維持した後、2℃/分で260℃ま
で上げる。オーブン温度を260℃で2時間維持した
後、オーブンのスイッチを切って、温度を徐々に25℃
まで下げる。ホトレジスト膜の熱硬化を、窒素、又はア
ルゴン、ネオン、クリプトン若しくはキセノン等の希ガ
スのうちの1つのような不活性雰囲気下で行う場合、現
像膜の酸化が著しく低減され、結果的に得られる装置の
熱及び加水分解安定性が改良される。更に、現像したホ
トレジスト膜の下部基板への接着が改良される。第一層
の上に第2層をスピンコーティングする場合、第2層を
第1層上にスピンコーティングする前に、第1現像層の
熱硬化を80乃至260℃で停止することができる。上
記手順を再び繰り返すことによって第2のより厚い層を
付着させる。この方法は、膜厚及びホトレジストの分子
量によって手順が特定の条件から外れ得るという点で指
針である。30ミクロンの膜は、600dpiにおい
て、清浄な外観を有して現像された。
【0169】良好な解像度の外観及び高アスペクト比に
関する最良の結果のために、本発明のホトレジスト組成
物は、基板上へコーティングする前には粒子を含まな
い。1つの好ましい実施の形態では、光パターン形成可
能なポリマーを含むホトレジスト組成物を2ミクロンの
ナイロンフィルタ布(テトコから入手可能)により濾過
する。圧縮空気(約60psiまで)及び加圧濾過用漏
斗を用いて、約30乃至約60重量パーセントの固形分
を含む溶液として、黄色光の下又は暗所でホトレジスト
溶液を布により濾過する。ホトレジスト溶液の希釈は必
要とされず、抑制剤(例えばMEHQ等)の濃度は、貯
蔵寿命に影響を与えないようにするには、例えば500
重量ppm以下のように低くてよい。この濾過処理中
に、光パターン形成可能なポリマーの分子量の増大は観
察されない。特定の理論に制限されないが、光重合可能
なポリマー上に不飽和エステル基が存在する場合等の幾
つかの場合には、圧縮空気中の酸素がアクリル酸エステ
ル及びメタクリル酸エステル等の不飽和エステル基のフ
リーラジカル重合に有効な抑制剤として働くので、圧縮
空気は不活性雰囲気で得られる結果よりも優れた結果を
もたらすと考えられる。
【0170】特に好ましい実施の形態では、光パターン
形成可能なポリマーを、光パターン形成可能なポリマー
約75重量部及びエポキシ樹脂約25重量部から光パタ
ーン形成可能なポリマー約90重量部及びエポキシ樹脂
約10重量部までの相対量でエポキシ樹脂と混合する。
適切なエポキシ樹脂の例には、次の式で表されると考え
られるEPON1001F(シェルケミカル社、ヒュー
ストン、テキサス州から入手可能)等及びその混合物が
含まれる。
【0171】
【化75】
【0172】「Y」硬化剤(メタ−フェニレンジアミ
ン)等及びその混合物のような硬化剤を使用して、エポ
キシ樹脂固体1グラム当たり硬化剤約10重量パーセン
トの典型的な相対量でエポキシ樹脂を硬化することがで
きる。光パターン形成可能なポリマーとブレンドされた
エポキシ樹脂の処理条件は、一般的に、エポキシ樹脂が
ない場合のホトレジストを処理するために使用される条
件と同様である。エポキシ又はエポキシブレンドを、そ
の硬化条件が光パターン形成ポリマーの付与、画像形
成、現像及び硬化のために使用される条件とは異なるよ
うに選択することが好ましい。選択的な段階的硬化によ
り、エポキシ樹脂の硬化前にホトレジストの現像が可能
になり、装置上の望ましくないエポキシ残渣が防止され
る。光パターン形成可能なポリマー材料にエポキシ樹脂
を組み入れると、光パターン形成可能な層のヒータプレ
ートへの接着が改良される。画像形成に続いて、光パタ
ーン形成可能なポリマーの硬化中に、エポキシがヒータ
層と反応して、その層と強力な化学結合を形成し、界面
の接着強度及び耐溶剤性を改良する。また、エポキシの
存在により光パターン形成可能なポリマーの親水性が改
良され、このため層の湿潤特性が改良され、これによ
り、印刷ヘッドの再補充特性が改良される。
【0173】図1乃至図3に示される印刷ヘッドは、本
発明の特定の実施の形態を構成する。本発明の印刷ヘッ
ドを形成するために、ここに開示される材料と共に、印
刷ヘッド表面のノズル内で終端するインク運搬チャネル
を有する他の任意の適切な印刷ヘッド構成を使用するこ
ともできる。
【0174】また、本発明は、本発明に従う印刷ヘッド
を用いる印刷方法も含む。本発明の1つの実施の形態
は、(1)インク供給源からのインクで充填されること
が可能で印刷ヘッドの一方の表面上のノズルで終端する
複数のチャネルを含むインクジェット印刷ヘッドであっ
て、(i)液滴放出ノズルとして機能するために一端が
開放し且つ後でインクチャネルとして使用するための平
行溝と後でマニホルドとして使用するための凹部とのセ
ットを有する上部基板と、(ii)その一方の表面上に加
熱素子及びアドレス電極のアレイが形成された下部基板
と、(iii )下部基板の表面上並びに加熱素子及びアド
レス電極上に付着し、加熱素子及びアドレス電極端子を
露出させる貫通凹部を形成するためにパターン形成され
る厚膜層であって、上記の式の架橋又は鎖延長された光
パターン形成可能なポリマーを含む前記厚膜層と、を備
えた印刷ヘッドであって、且つ液滴放出ノズルを形成す
るように上部基板の溝が下部基板の加熱素子と位置合わ
せされた印刷ヘッドを形成するために上部及び下部基板
を互いに位置合わせ、かみ合わせ、及び接合させた印刷
ヘッドを提供するステップと、(2)チャネルをインク
で充填するステップと、(3)ノズルから受取シート上
へインク滴を画像パターン状に排出するステップと、を
含むインクジェット印刷方法に関する。この方法の特定
の実施の形態はサーマルインクジェット印刷方法に関
し、インク滴は、画像パターン状に選択されたチャネル
を加熱することによりノズルから排出される。液滴を、
布、ゼロックス4024又は4010等の普通紙、コー
ト紙、又は透明材料等の適切な受取シート上へ排出する
ことができる。
【0175】
【実施例】
【0176】実施例I 次式(ここで、nは約6乃至約30である)のポリアリ
ーレンエーテルケトン(以下、ポリ(4−CPK−BP
A)と称す)を以下のように調製した。
【0177】
【化76】
【0178】ディーン−スターク(バレット)トラッ
プ、冷却器、メカニカルスターラ、アルゴン注入口、及
び栓が備えつけられた1リットルの三つ口丸底フラスコ
をシリコーンオイルバス中に配置した。4、4′−ジク
ロロベンゾフェノン(アルドリッチ11370、アルド
リッチケミカル社、ミルウォーキー、ウィスコンシン
州、50グラム)、ビスフェノールA(アルドリッチ2
3965−8、48.96グラム)、炭酸カリウム(6
5.56グラム)、無水N、N−ジメチルアセトアミド
(300ミリリットル)及びトルエン(55ミリリット
ル)をフラスコに添加して175℃(オイルバス温度)
に加熱し、揮発性トルエン成分を捕集及び除去した。連
続的に攪拌しながら175℃で24時間加熱した後、メ
タノール中に沈殿させた反応生成物のアリコートをゲル
浸透クロマトグラフィ(GPC)(溶離溶媒はテトラヒ
ドロフラン)により分析し、次の結果を得た:Mn 44
64,Mpeak7583、Mw 7927、Mz 12331
及びMz+1 16980。連続的に攪拌しながら175℃
で48時間後、反応混合物を濾過して炭酸カリウムを除
去し、メタノール(2ガロン)中に沈殿させた。ポリマ
ー(ポリ(4−CPK−BPA))は、濾過及び真空乾
燥後に、86%の収率で分離された。GPC分析は次の
通りであった:Mn 5347、Mpeak16126、Mw
15596、Mz29209及びMz+1 42710。ポ
リマーのガラス転移温度は約120±10℃であった
(20℃/分の加熱速度で示差走査熱量測定法を用い
た)。塩化メチレンからの溶液キャスト膜は、透明、強
靱且つ柔軟であった。反応で使用された化学量論の結
果、このポリマーはビスフェノールAから誘導される末
端基を有するものと考えられる。
【0179】実施例II 次式(ここで、nは約2乃至約30である)のポリアリ
ーレンエーテルケトン(以下、ポリ(4−CPK−BP
A)と称す)を以下のように調製した。
【0180】
【化77】
【0181】ディーン−スターク(バレット)トラッ
プ、冷却器、メカニカルスターラ、アルゴン注入口、及
び栓が備えつけられた5リットルの三つ口丸底フラスコ
をシリコーンオイルバス中に配置した。4、4′−ジク
ロロベンゾフェノン(アルドリッチ11370、アルド
リッチケミカル社、ミルウォーキー、ウィスコンシン
州、250グラム)、ビスフェノールA(アルドリッチ
23965−8、244.8グラム)、炭酸カリウム
(327.8グラム)、無水N、N−ジメチルアセトア
ミド(1500ミリリットル)及びトルエン(275ミ
リリットル)をフラスコに添加して175℃(オイルバ
ス温度)に加熱し、揮発性トルエン成分を捕集及び除去
した。連続的に攪拌しながら175℃で48時間加熱し
た後、反応混合物を濾過して不溶性塩を除去し、得られ
た溶液をメタノール(5ガロン)へ添加してポリマーを
沈殿させた。ポリマーを濾過により分離し、湿ったフィ
ルタケーキを水(3ガロン)で洗浄した後、メタノール
(3ガロン)で洗浄した。360グラムの真空乾燥した
生成物が得られた。ポリマーの分子量をゲル浸透クロマ
トグラフィ(GPC)(溶離溶媒はテトラヒドロフラ
ン)により決定し、次の結果を得た:Mn 3601、M
peak5377、Mw 4311、Mz 8702及びMz+ 1
12951。ポリマーのガラス転移温度は分子量に応じ
て125乃至155℃であった(20℃/分の加熱速度
で示差走査熱量測定法を用いた)。塩化メチレンからの
溶液キャスト膜は、透明、強靱且つ柔軟であった。反応
で使用された化学量論の結果、このポリマーはビスフェ
ノールAから誘導される末端基を有するものと考えられ
る。
【0182】実施例III 実施例Iで説明したように調製したポリ(4−CPK−
BPA)(10グラム)の1、1、2、2−テトラクロ
ロエタン(100ミリリットル、161.9グラム)溶
液、p−トルエンスルホン酸一水和物(1グラム)、ア
クリル酸(15.8グラム)、及び破砕された4−メト
キシ−フェノール(MEHQ、0.2グラム)を、マグ
ネティックスターラが備えつけられた6.5液量オンス
の飲料ボトルに装入した。ボトルにゴム隔壁で栓をし、
次に、ボトル内を針状の差し込みを用いてアルゴン下
で、シリコーンオイルバス中で105℃に加熱した。オ
イルバスが90℃に達したときにアルゴンの針状の差し
込みを除去した。105℃での加熱を、絶えず磁気的に
攪拌しながら1.5時間継続した。次に、更にMEHQ
(0.2グラム)を1、1、2、2−テトラクロロエタ
ン1ミリリットルに溶かした溶液をシリンジにより添加
し、105℃での加熱を攪拌しながらさらに1.5時間
継続した。反応混合物は始めは濁った懸濁液であった
が、加熱により透明になった。反応容器の冷えた表面で
のパラホルムアルデヒドの凝縮を防止するために反応容
器を熱いオイルバス中にできるだけ浸した。反応混合物
を25℃に戻した後、25乃至50ミクロンの焼結ガラ
スブフナー漏斗により濾過した。反応溶液をメタノール
(1ガロン)へ添加して次式(ここで、nは約6乃至約
50である)のポリ(アクリロイルメチル−4−CPK
−BPA)で示されるポリマーを沈殿させた。
【0183】
【化78】
【0184】1H−NMR分光測定法を使用して、4つ
のモノマー(4−CPK−BPA)繰返し単位毎にほぼ
1個のアクリロイルメチル基(即ち、0.25のアクリ
ロイル化度)を同定した。次に、ポリ(アクリロイルメ
チル−4−CPK−BPA)を塩化メチレンに溶解し、
メタノール(1ガロン)中に再沈殿させ、10グラムの
ふわふわした白色固体を生成した。ポリマーは塩素化溶
媒及び極性の非プロトン性溶媒に可溶性であるが、アセ
トン及びアルコールには不溶性であった。ポリマー膜を
250℃になるまで0.2℃/分で熱昇温硬化した後、
膜を25℃に冷却する前に250℃で3時間維持した。
架橋又は鎖延長された膜は、試験された全てのサーマル
インクジェットインクに耐性であった。
【0185】過剰の塩化メチレンを揮発性希釈剤として
使用して(10ミクロンフィルタによる溶液の濾過を容
易にするため)、固形分50重量パーセントのN−メチ
ルピロリドン溶液を調製して光活性組成物を製造した。
塩化メチレンを後で除去した。次式のミヒラーのケトン
を、樹脂固体の0.5乃至1重量パーセントで配合物へ
添加した。
【0186】
【化79】
【0187】溶液を濾過し、塩化メチレンをロータリー
エバポレータを用いて除去した。固形分約37重量パー
セントの溶液を、予めシラン接着促進剤で処理し且つ7
0℃で10分間加熱したシリコンウェハ上に、30ミク
ロンの乾燥したポリマー膜をキャストするために使用し
た。紫外光へ露光する前に、湿った膜を80℃で20分
間乾燥させた。理想的な露光条件は約2500ミリジュ
ール/cm2 であった。露光後、スピン現像器を用いて
1:1のN−メチルピロリジノン及びシクロヘキサノン
で現像する前に、膜を80℃へ5分間加熱し、次にメタ
ノールで洗浄した。20ミクロンの厚膜は、1インチ当
たり300ドットの解像度で現像できた。熱硬化膜は、
スルホラン及びエチレングリコール等の典型的なサーマ
ルインクジェットインク溶媒に耐性であった。
【0188】実施例IV メカニカルスターラ、アルゴン注入口、還流冷却器、及
び添加漏斗を装備した5リットルの3つ口丸底フラスコ
中で、282.68グラム(256ミリリットル)の塩
化アセチルをジメトキシメタン(313.6グラム、3
66.8ミリリットル)及びメタノール(10ミリリッ
トル)の混合物へ添加することによってクロロメチルエ
ーテルの酢酸メチル溶液を製造した。この溶液を106
6.8ミリリットルの1、1、2、2−テトラクロロエ
タンで希釈し、次に、四塩化スズ(2.4ミリリット
ル)を耐ガス構造のシリンジによって添加すると共に、
添加漏斗を用いて1、1、2、2−テトラクロロエタン
(133.2ミリリットル)を添加した。反応溶液を5
00℃まで加熱した。その後、実施例IIで記載したよう
に調製したポリ(4−CPK−BPA)(160.8グ
ラム)の1000ミリリットルのテトラクロロエタン溶
液をすばやく添加した。次いで反応混合物を110℃に
設定したオイルバスで加熱還流した。連続的に攪拌しな
がら4時間還流した後、加熱を停止し、混合物を25℃
まで冷却した。反応混合物を2リットルの丸底フラスコ
へ段階的に移し、液体窒素でトラップされた真空ポンプ
を用いて減圧を維持しながら、50℃までの緩やかな加
熱でロータリーエバポレータを用いて濃縮した。濃縮物
をメタノール(4ガロン)へ添加して、ワーリングブレ
ンダを用いてポリマーを沈殿させた。ポリマーを濾過に
より分離し、真空乾燥させて、繰返し単位当たり1.5
個のクロロメチル基を有するポリ(4−CPK−BP
A)200グラムを得た( 1H−NMR分光測定法を用
いて同定)。同一の反応を1、2、3及び4時間で行っ
た場合、繰返し単位当たりのクロロメチル基の量は、そ
れぞれ、0.76、1.09、1.294及び1.49
6であった。
【0189】無溶媒ポリマーは、塩化メチレン(500
グラム)中のポリマー(75グラム)をメタノール(3
ガロン)中へ再沈殿させた後、濾過及び真空乾燥して得
ることができ、70.5グラム(理論収率99.6%)
の無溶媒ポリマーを生成した。
【0190】160.8グラムの代わりに80.4グラ
ムのポリ(4−CPK−BPA)を使用する点を除いて
同様の条件下(他の試薬の量は上記と同一)で反応を行
い、110℃(オイルバス温度)で1、2、3及び4時
間で、繰返し単位当たりそれぞれ1.31、1.50、
1.75及び2個のクロロメチル基を有するポリマーが
形成された。
【0191】他の試薬はそのままで、160.8グラム
の代わりに241.2グラムのポリ(4−CPK−BP
A)を使用した場合、110℃(オイルバス温度)で
1、2、3、4、5及び6時間で、繰返し単位当たりそ
れぞれ0.79、0.90、0.98、1.06、1.
22及び1.38個のクロロメチル基を有するポリ(C
PK−BPA)が形成された。
【0192】他の試薬はそのままで、160.8グラム
の代わりに321.6グラムのポリ(4−CPK−BP
A)を使用した場合、110℃(オイルバス温度)で
1、2、3、4、5、6、7及び8時間で、繰返し単位
当たりそれぞれ0.53、0.59、0.64、0.6
7、0.77、0.86、0.90及び0.97個のク
ロロメチル基を有するポリ(CPK−BPA)が形成さ
れた。
【0193】実施例V 次式のポリアリーレンエーテルケトンを実施例Iで記載
したように調製した。
【0194】
【化80】
【0195】メカニカルスターラ、アルゴン注入口、還
流冷却器、及び添加漏斗を装備した500ミリリットル
の3つ口丸底フラスコ中で、35.3グラムの塩化アセ
チルをジメトキシメタン(45ミリリットル)及びメタ
ノール(1.25ミリリットル)の混合物へ添加するこ
とによってクロロメチルエーテルの酢酸メチル溶液を製
造した。この溶液を150ミリリットルの1、1、2、
2−テトラクロロエタンで希釈し、次に、四塩化スズ
(0.3ミリリットル)をシリンジによって添加した。
この溶液を110℃に設定したオイルバスで加熱還流し
た。その後、125ミリリットルの1、1、2、2−テ
トラクロロエタン中のポリ(4−CPK−BPA)(1
0グラム)の溶液を8分かけて添加した。連続的に攪拌
しながら2時間還流した後、加熱を停止し、混合物を2
5℃まで冷却した。反応混合物をロータリーエバポレー
タへ移し、50℃と55℃の間の温度で緩やかに加熱し
た。一時間後、揮発分のほとんどが除去されたとき、反
応混合物をメタノールへ添加し(0.75リットルのメ
タノールに対してそれぞれ25ミリリットルの溶液を添
加した)、ワーリングブレンダを用いてポリマーを沈殿
させた。沈殿したポリマーを濾過により捕集し、メタノ
ールで洗浄し、空気乾燥させて、13グラムのオフホワ
イトの粉体を得た。ポリマーは繰返し単位当たり約1.
5個のCH2 Cl基を有していた。
【0196】実施例VI 繰返し単位当たり1.5個のクロロメチル基を有し、実
施例IVで記載したように調製したクロロメチル化ポリ
マー90グラムを639ミリリットル(558.5グラ
ム)のN、N−ジメチルアセトアミド中に含む溶液を調
製し、この溶液をアクリル酸ナトリウム(51.39グ
ラム)と共に25℃で1週間、磁気的に攪拌した。次
に、反応混合物を遠心分離し、上澄みを、メタノール
0.75リットルにつきポリマー溶液25ミリリットル
という相対量で、ワーリングブレンダを用いてメタノー
ル(4.8ガロン)へ添加した。沈殿した白色粉体を濾
過し、湿ったフィルタケーキを水(3ガロン)で洗浄
し、次にメタノール(3ガロン)で洗浄した。次にポリ
マーを濾過により分離し、真空乾燥させて、73.3グ
ラムの白色粉体を得た。ポリマーは4つのモノマー繰返
し単位毎に3個のアクリル酸エステル基と、4つのモノ
マー繰返し単位毎に3個のクロロメチル基とを有し、約
25000の重量平均分子量を有した。
【0197】繰返し単位当たり2個のクロロメチル基を
有するポリ(4−CPK−BPA)を用い、他の試薬は
同一のままで反応を繰り返した場合、繰返し単位当たり
0.76個のアクリル酸エステル基及び繰返し単位当た
り1.24個のクロロメチル基を達成するのに反応は4
日かかった。
【0198】繰返し単位当たり1.0個のクロロメチル
基を有するポリ(4−CPK−BPA)を用い、他の試
薬は同一のままで反応を繰り返した場合、繰返し単位当
たり0.75個のアクリル酸エステル基及び繰返し単位
当たり2.5個のクロロメチル基を達成するのに反応は
14日かかった。
【0199】30ミクロンの厚膜を、1インチ当たり6
00ドットの解像度でパターン形成した。硬化した膜
は、典型的なサーマルインクジェット溶媒に耐性であっ
た。光活性アクリロイル化ポリアリーレンエーテルケト
ンが繰返し単位当たり約0.75個のアクリル酸エステ
ル基と、繰返し単位当たり0.75個と1.25個の間
のクロロメチル基とを有する場合、並びにゲル浸透クロ
マトグラフィにより決定された重量平均分子量が150
00と25000の間である場合に、600dpiにお
ける300ミクロン膜の最良の解像度が達成された。
【0200】実施例VII 繰返し単位当たり1.5個のクロロメチル基を有するク
ロロメチル化ポリアリーレンエーテルケトンを実施例I
Vで記載したように調製した。N、N−ジメチルアセト
アミド71ミリリットル中に10グラムのクロロメチル
化ポリマーを含む溶液を、5.71グラムの酢酸ナトリ
ウム(アルドリッチケミカル社、ミルウォーキー、ウィ
スコンシン州から得られる)と共に磁気的に攪拌した。
反応を1週間続行した。次に、反応混合物を遠心分離
し、上澄みをメタノール(0.5ガロン)へ添加してポ
リマーを沈殿させた。次に、ポリマーを濾過し、水(2
リットル)で洗浄し、続いてメタノール(0.5ガロ
ン)で洗浄した。クロロメチル基のほぼ半分がメチルカ
ルボキシメチレン基で置換された。ポリマーは次の式で
表されると考えられる。
【0201】
【化81】
【0202】約2週間続行したことを除いて同様の条件
下でこの方法を繰り返した場合、ほとんど全てのクロロ
メチル基がメチルカルボキシメチレン基で置換された。
得られたポリマーは次の式で表されると考えられた。
【0203】
【化82】
【0204】実施例VIII 5.71グラムの酢酸ナトリウムの代わりに5.71グ
ラムのナトリウムメトキシド(アルドリッチケミカル
社、ミルウォーキー、ウィスコンシン州から得られる)
を用いた点を除いて実施例VIIの方法を繰り返した。約
2時間後、クロロメチル基上の塩素原子のほぼ半分がメ
トキシ基で置換された。このポリマーは次の式で表され
ると考えられる。
【0205】
【化83】
【0206】約2週間続行したことを除いて同様の条件
下でこの方法を繰り返した場合、クロロメチル基上の塩
素原子のほとんど全てがメトキシ基で置換された。得ら
れたポリマーは次の式で表されると考えられた。
【0207】
【化84】
【0208】実施例IX 繰返し単位当たり0.75個のクロロメチル基と、繰返
し単位当たり0.75個のアクリロイル基とを有するア
クリロイル化ポリアリーレンエーテルケトンを、ポリマ
ーが約7000の数平均分子量及び約25000の重量
平均分子量を有する点を除いて、実施例VIに記載した
ように調製した。約2重量部のアクリロイル化ポリマー
及び約3重量部のN−メチルピロリジノンを含む溶液を
調製した。モノマー繰返し単位当たり2.0個のクロロ
メチル基を有し、数平均分子量が約5000、重量平均
分子量が約10000のクロロメチル化ポリマーを実施
例IVに記載したように調製した。約2重量部のクロロ
メチル化ポリマー及び約3重量部のN−メチルピロリジ
ノンを含む溶液を調製した。2つの溶液を混合し、50
重量パーセントのアクリロイル化ポリマー及び50重量
パーセントのクロロメチル化ポリマーを含む固形分約4
0重量パーセントの混合物を含む溶液を形成した。固形
分が75重量パーセントのアクリロイル化ポリマー及び
25重量パーセントのクロロメチル化ポリマーを含む点
を除いて、固形分40重量パーセントを含む第2の混合
溶液を同様に調製した。固形分が90重量パーセントの
アクリロイル化ポリマー及び10重量パーセントのクロ
ロメチル化ポリマーを含む点を除いて、固形分40重量
パーセントを含む第3の混合溶液を同様に調製した。N
−メチルピロリドン中に固形分40重量パーセントを含
み、且つ固形分が100重量パーセントのアクリロイル
化ポリマーを含む第1の対照溶液を調製した。ミヒラー
のケトンを溶液中の樹脂固体の3重量パーセントの量で
溶液に添加した点を除いて、第2の対照溶液を第1の対
照溶液と同様の組成で調製した。
【0209】5つの溶液でそれぞれ、1000rpmで
30秒間、ガラススライド(1インチ×1インチ、メタ
ノール95部及び水5部中の0.01重量パーセントの
Z6020接着促進剤(ダウコーニングから得られる)
で予め処理し、100℃で10分間乾燥させた)上をス
ピンコーティングした。膜を70℃で10分間、オーブ
ン内でソフトベーキングした。25℃まで冷却した後、
膜をマスクで覆い、平方センチメートル当たり100乃
至1000ミリジュールになるまでの種々の時間、36
5ナノメートルのUV光で露光した。次に、露光した膜
を70℃で2分間後露光加熱し、5分かけて25℃まで
冷却し、次に、60重量パーセントのクロロホルム及び
40重量パーセントのシクロヘキサノンを含む現像剤で
現像した。次いで、膜を90重量パーセントのヘキサン
及び10重量パーセントのシクロヘキサノンを含む溶液
で洗浄した後、70℃で2分間乾燥させた。最低のエネ
ルギで最も清浄な外観が達成され、ホトレジスト溶液は
最良から最悪まで次の順序であった。
【0210】1.50重量パーセントのアクリロイル化
ポリマー、50重量パーセントのクロロメチル化ポリマ
ー 2.75重量パーセントのアクリロイル化ポリマー、2
5重量パーセントのクロロメチル化ポリマー 3.ミヒラーのケトンを含む対照溶液 4.90重量パーセントのアクリロイル化ポリマー、1
0重量パーセントのクロロメチル化ポリマー 5.100重量パーセントのアクリロイル化ポリマー
(表示された条件下では重合しなかった)
【0211】これらの結果は、クロロメチル化ポリアリ
ーレンエーテルケトンがアクリロイル基の重合のための
促進剤として働くことを示している。特定の理論に制限
されないが、1つの可能性のあるメカニズムは、クロロ
メチル化ポリアリーレンエーテルケトン上における、ア
クリロイル化ポリアリーレンエーテルケトン上のアクリ
ロイル基へ付加できるフリーラジカルの発生である。
【0212】実施例X クロロメチル化ポリアリーレンエーテルケトンを実施例
Vに記載したように調製した。次に、100ミリリット
ル(87.4グラム)のN、N−ジメチルアセトアミド
中に11グラムのクロロメチル化ポリマーを含む溶液を
調製し、溶液をアクリル酸ナトリウム(30グラム)と
共に25℃で1週間、磁気的に攪拌した。次に、反応混
合物を濾過し、メタノール0.75リットル当たりポリ
マー溶液25ミリリットルという相対量でワーリングブ
レンダを用いてメタノールへ添加した。沈殿した白色粉
体を固形分20重量パーセントの塩化メチレン溶液から
メタノール中へ再沈殿させ、次に、空気乾燥させて、
7.73グラムの白色粉体を得た。ポリマーは、4つの
モノマー繰返し単位毎に3個のアクリル酸エステル基
と、4つのモノマー繰返し単位毎に3個のクロロメチル
基とを有していた。30ミクロンの厚膜を前述のように
1インチ当たり600ドットの解像度でパターン形成し
た。硬化した膜は、典型的なサーマルインクジェットイ
ンク溶媒に耐性であった。
【0213】実施例XI 4つのモノマー繰返し単位毎に3個のアクリル酸エステ
ル基と、モノマー繰返し単位当たり3個のクロロメチル
基とを有し、重量平均分子量が約25000であるポリ
アリーレンエーテルケトンを実施例VIに記載したよう
に調製した。クロロメチル化及びアクリロイルメチル化
ポリアリーレンエーテルケトンポリマーをN−メチルピ
ロリドンに固形分20重量パーセントで溶解することに
よってホトレジスト溶液を調製した。この溶液100グ
ラムに、N−メチルピロリドン10グラム中に2グラム
のEPON1001接着剤を含む第2溶液と、N−メチ
ルピロリドン10グラム中に1グラムの「Y」硬化剤
(m−フェニレンジアミン)及び1グラムのミヒラーの
ケトンを含む第3溶液とを添加した。
【0214】ホスホシリケートガラス層を、3000回
転/分で10秒間、Z6020接着促進剤溶液(95部
のメタノール及び5部の水中に0.01重量パーセン
ト、ダウコーニング)でスピンコーティングし、100
℃で2乃至10分間乾燥させた。次に、上記で調製した
ホトレジスト溶液で、1000乃至3000回転/分で
30乃至60秒間、ウェハ上をスピンコーティングする
前に、ウェハを25℃で5分間冷却した。膜を70℃で
10乃至15分間オーブン中で加熱(ソフトベーキン
グ)した。5分かけて25℃まで冷却した後、膜をマス
クで覆い、150乃至1500ミリジュール/cm2
達するまで365ナノメートルの紫外光で露光した。露
光したウェハを次に2分間の後露光ベークのために70
℃で加熱した後、5分間かけて25℃まで冷却した。膜
を60:40のクロロホルム/シクロヘキサノン現像剤
で現像し、90:10のヘキサン/シクロヘキサノンで
洗浄し、次に70℃で2分間乾燥させた。処理したウェ
ハの半分を通常の部屋の空気を含む25℃のオーブンへ
移し、処理ウェハのもう半分を不活性窒素雰囲気を含む
25℃のオーブンへ移した。オーブン温度を2℃/分の
速度で25℃から120℃まで上げた。その後、オーブ
ン中のウェハを、7.5重量パーセントのBASFバス
アシッドブラックX−34染料、10.5重量パーセン
トのスルホラン、15重量パーセントのイミダゾール、
1重量パーセントのイミダゾール塩酸塩、及び66重量
パーセントの水を含むインクに120℃で2時間浸漬
し、次に、オーブン中のウェハを2℃/分の速度で12
0℃から260℃まで加熱し、ウェハを260℃で2時
間インクに浸漬し、ウェハを25℃まで冷却した。フー
リエ変換赤外分光法は、光活性ポリアリーレンエーテル
ケトンが通常の部屋の空気の下で熱硬化中に実質的に酸
化されることを示した。ポリアリーレンエーテルケトン
を不活性雰囲気中で硬化させる場合には、この酸化メカ
ニズムは実質的に低減され又はなくなる。更に、不活性
雰囲気で硬化させたポリアリーレンエーテルケトンのヒ
ータウェハへの接着は、高温でインクに浸漬させた場
合、空気中で硬化させたポリアリーレンエーテルケトン
のヒータウェハへの接着よりも実質的に優れていた。特
に、インク組成物〔10.0重量パーセントのプロジェ
ットシアン1染料(10重量パーセント染料固体、ゼネ
カから得られる)、25.0重量パーセントのバスアシ
ッドブラックNBX−34染料(30重量パーセント染
料固体、BASFから得られる)、21.0重量パーセ
ントのスルホラン(95重量パーセントのスルホラン及
び5重量パーセントの水を含む、フィリップス66から
得られる)、3.0重量パーセントのトリメチロールプ
ロパン(アルドリッチケミカル社から得られる)、2.
0重量パーセントのポリアクリル酸(MW2000、ア
ルドリッチケミカル社から得られる)、1.0重量パー
セントの水酸化アンモニウム(フィッシャーサイエンテ
イフィックから得られる)、0.05重量パーセントの
ポリエチレンオキシド(MW18500、ポリサイエン
スイズから得られる)、及び37.95重量パーセント
の脱イオン水を含む〕に60℃で浸漬させた場合、空気
中で硬化させた膜は、1000psi以下の剥離強度で
10日以内にヒータウェハから持ち上がった。一方、窒
素中で硬化させた膜は、膜のヒータウェハへの接着に顕
著な影響を与えることなく、インク中で21日間持ちこ
たえた。不活性雰囲気中で硬化させた層上の膜コーティ
ングもそのままで保たれ、窒素中で硬化させたポリアリ
ーレンエーテルケトン層への優れた接着を示した。
【0215】実施例XII 繰返し単位当たり1.0個のクロロメチル基を有するク
ロロメチル化ポリマーを実施例IVに記載したように調
製した。メカニカルスターラ、アルゴン注入口、及び添
加漏斗を装備した1リットルの3つ口フラスコに、17
5ミリリットルの新たに蒸留したテトラヒドロフランを
装入した。水素化ナトリウム(6グラム、アルドリッチ
ケミカル社、ミルウォーキー、ウィスコンシン州から得
られる)を添加した後、2−アリルフェノール(5グラ
ム)を滴加し、その結果、水素ガスが激しく発生した。
その後、50ミリリットルのテトラヒドロフラン中に5
グラムのクロロメチル化ポリアリーレンエーテルケトン
を含む溶液を添加した。25℃で48時間、攪拌を続け
た。得られたポリマーを濾過し、上澄み液をロータリー
エバポレータを用いて濃縮した。次に、濃縮物をメタノ
ールへ添加してポリマーを沈澱させた後、ポリマーを真
空乾燥させた。
【0216】次に、塩化メチレン(100ミリリット
ル)中の乾燥させたポリマー(0.2グラム)を1グラ
ムのm−クロロペルオキシ安息香酸(アルドリッチケミ
カル社、ミルウォーキー、ウィスコンシン州から得られ
る)で処理し、200ミリリットルボトル中で2時間磁
気的に攪拌した。次にポリマーを炭酸水素ナトリウムの
飽和水溶液(200ミリリットル)へ添加し、ロータリ
ーエバポレータを用いて塩化メチレンを除去した。得ら
れたエポキシ化ポリマーを濾過し、メタノール(3カッ
プ)で洗浄し、真空乾燥させた。
【0217】イルガキュア(Irgacure)261(チバガ
イギー、アーズレー、ニューヨーク州から得られる)を
ポリマーの4重量パーセントの量で溶液に添加すること
によって、N−メチルピロリジノン中のエポキシ化ポリ
マー(40重量パーセントポリマー固体)を光化学的に
活性化した。紫外光への露光の後、70℃に加熱し、シ
クロヘキサノン−メチルエチルケトン混合物で現像し、
マイクロリソグラフィパターンを得た。続いての260
℃への熱硬化はポリマーを完全に架橋させ、ポリマーを
N−メチルピロリジノン、塩化メチレン、アセトン及び
ヘキサン等の溶媒に対して耐性にした。
【0218】実施例XIII 実施例XIIの方法を2−アリルフェノールの代わりに5
グラムのアリルアルコールを使用した点を除いて繰り返
した。同様の結果が得られた。
【0219】実施例XIV 繰返し単位当たり約1.5個のクロロメチル基を有する
クロロメチル化ポリマーを実施例IVに記載したように
調製した。ホスホシリケートガラス層を有するヒータウ
ェハを、3000回転/分で10秒間、Z6020接着
促進剤溶液(95部のメタノール及び5部の水中に0.
01重量パーセント、ダウコーニング)でスピンコーテ
ィングし、100℃で2乃至10分間乾燥させた。次
に、クロロメチル化ポリアリーレンエーテルケトンホト
レジストで、1000乃至3000回転/分で30乃至
60秒間、ウェハ上をスピンコーティングする前に、ウ
ェハを25℃で5分間冷却した。繰返し単位当たり1個
のクロロメチル基を有し、重量平均分子量が11000
のポリアリーレンエーテルケトンを固形分40重量パー
セントでN−メチルピロリジノンに溶解することによっ
て、ホトレジスト溶液を製造した。膜を80℃で15分
の間オーブン中で加熱(ソフトベーキング)した後、室
温まで冷却した。その後、膜をマスクで覆い、1セット
の被覆ガラススライドを、約8乃至約40KV(約12
乃至約22KVが好ましい)で操作される日立走査型電
子顕微鏡(SEM)(モデルS−2300)の電子ビー
ムで露光した。第2セットの被覆ガラススライドを1パ
ルス当たり15ナノ秒以下で10キロヘルツまでのパル
スで、1パルス当たり1ジュールまでのモレクトロン社
の10ワットYAGレーザからの260ナノメートルの
紫外レーザビームで露光した。画像露光に続いて、両方
のセットのガラススライドを80℃で2分間オーブン中
でアニールし、その後、室温まで冷却して、60体積パ
ーセントのシクロヘキサノン及び40体積パーセントの
クロロホルムを含む混合物で洗浄して現像した。次に、
現像したスライドをヘキサンで洗浄し、レジストの完全
な重合を保証するために250℃で2時間オーブン中で
硬化させた。現像したレジストは非常に良く画定された
外観を示した。
【0220】実施例XV 次式(ここで、nは約2乃至約30である)のポリアリ
ーレンエーテルケトン(以下、ポリ(4−CPK−BP
A)と称す)を次のように調製した。
【0221】
【化85】
【0222】ディーン−スターク(バレット)トラッ
プ、冷却器、メカニカルスターラ、アルゴン注入口、及
び栓が備えつけられた5リットルの三つ口丸底フラスコ
をシリコーンオイルバス中に配置した。4、4′−ジク
ロロベンゾフェノン(アルドリッチ11370、アルド
リッチケミカル社、ミルウォーキー、ウィスコンシン
州、250グラム)、ビスフェノールA(アルドリッチ
23965−8、244.8グラム)、炭酸カリウム
(327.8グラム)、無水N、N−ジメチルアセトア
ミド(1500ミリリットル)及びトルエン(275ミ
リリットル)をフラスコに添加して175℃(オイルバ
ス温度)に加熱し、揮発性トルエン成分を捕集及び除去
した。連続的に攪拌しながら175℃で30時間加熱し
た後、反応混合物を濾過して不溶性塩を除去し、得られ
た溶液をメタノール(5ガロン)へ添加してポリマーを
沈澱させた。ポリマーを濾過により分離し、湿ったフィ
ルタケーキを水(3ガロン)で洗浄した後、メタノール
(3ガロン)で洗浄した。360グラムの真空乾燥した
ポリマーが得られた。ポリマーの分子量をゲル浸透クロ
マトグラフィ(GPC)(溶離溶媒はテトラヒドロフラ
ン)により決定し、次の結果を得た:Mn 2800,M
peak5800、Mw 6500、Mz 12000及びM
z+1 17700。反応で使用された化学量論の結果、こ
のポリマーはビスフェノールAから誘導される末端基を
有するものと考えられる。反応を175℃で35、40
及び48時間行った場合、形成されたポリ(4−CPK
−BPA)のM n のそれぞれの値は、3000、330
0及び4000であった。
【0223】こうして調製した2800のMn を有する
ポリアリーレンエーテルケトン100重量部と、パラホ
ルムアルデヒド44.5重量部と、水酸化ナトリウム1
重量部と、水酸化テトラメチルアンモニウム1重量部
と、を200重量部の1、1、2、2−テトラクロロエ
タン中に含む溶液を100℃で加熱した。激しい攪拌及
び加熱を16時間続けた。得られた混合物を水で抽出
し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。メタノー
ル中に沈澱させた後、濾過したポリマーを真空乾燥させ
て、繰返し単位当たり1.0個のヒドロキシメチル基を
有するヒドロキシメチル化ポリアリーレンエーテルケト
ン100重量部を得た。
【0224】その後、こうして形成された1重量部のヒ
ドロキシメチル化ポリマーを、25℃で16時間以内、
20重量部の塩化メチレン中で1重量部のメタクリル酸
イソシアナトエチルと反応させて、アクリロイル化及び
ヒドロキシメチル化ポリマーを形成した。得られたポリ
マーは繰返し単位当たり約0.7個のアクリロイル基を
有していた。
【0225】実施例XVI ヒドロキシメチル化ポリアリーレンエーテルケトンを実
施例XVに記載したように調製した。1重量部のヒドロ
キシメチル化ポリマーを、1重量部のトリエチルアミン
の存在下、30重量部の塩化メチレン中で1重量部の塩
化アクリロイルと反応させた。反応混合物を氷浴中で冷
却し、反応混合物を25℃で16時間攪拌し、その間に
氷浴を溶解させた。得られたポリマーは繰返し単位当た
り0.6個のアクリロイル基を有していた。
【0226】実施例XVII 繰返し単位当たり1.5個のクロロメチル基を有するク
ロロメチル化ポリアリーレンエーテルケトンを実施例I
Vに記載したように調製する。13.8重量部のクロロ
メチル化ポリマー、23重量部の水酸化テトラブチルア
ンモニウム、7.6重量部の水、及び50重量部の塩化
メチレンを含む溶液を、30重量部の水酸化ナトリウム
水溶液(50重量パーセントの水酸化ナトリウム)を添
加しながら、25℃で攪拌する。25℃の攪拌を16時
間継続し、その時点で、有機層を分離し、水で洗浄し、
硫酸マグネシウムで乾燥させ、メタノール(1ガロン)
へ添加してワーリングブレンダを用いてポリマーを沈澱
させる。濾過したポリマーを真空乾燥させ、繰返し単位
当たり1個のヒドロキシメチル基を含む12重量部のヒ
ドロキシメチル化ポリマーを得る。反応混合物を還流す
ると、結果的に、ヒドロキシメチル基によってクロロメ
チル基がほぼ完全に置換される。
【0227】次に、ヒドロキシメチル化ポリマーを実施
例XVに記載したように塩化アクリロイル及びメタクリ
ル酸イソシアナトエチルと反応させる。
【0228】実施例XVIII 次式(ここで、nは約6乃至約30である)のポリアリ
ーレンエーテルケトン(以下、ポリ(4−CPK−BP
A)と称す)を次のように調製した。
【0229】
【化86】
【0230】ディーン−スターク(バレット)トラッ
プ、冷却器、メカニカルスターラ、アルゴン注入口、及
び栓が備えつけられた1リットルの三つ口丸底フラスコ
をシリコーンオイルバス中に配置した。4、4′−ジク
ロロベンゾフェノン(アルドリッチ11370、アルド
リッチケミカル社、ミルウォーキー、ウィスコンシン
州、53.90グラム)、ビスフェノールA(アルドリ
ッチ23965−8、45.42グラム)、炭酸カリウ
ム(65.56グラム)、無水N、N−ジメチルアセト
アミド(300ミリリットル)及びトルエン(55ミリ
リットル)をフラスコに添加して175℃(オイルバス
温度)に加熱し、揮発性トルエン成分を捕集及び除去し
た。連続的に攪拌しながら175℃で24時間加熱した
後、反応混合物を濾過して炭酸カリウムを除去し、メタ
ノール(2ガロン)中へ沈澱させた。濾過及び真空乾燥
後に、ポリマー(ポリ(4−CPK−BPA))は収率
86%で分離された。GPC分析は次の通りである:M
n 4239、Mpeak9164、Mw 10238、Mz
8195及びMz+1 25916。塩化メチレンからの溶
液キャスト膜は、透明、強靱且つ柔軟であった。反応で
使用された化学量論の結果、このポリマーは4、4−ジ
クロロベンゾフェノンから誘導される末端基を有するも
のと考えられる。
【0231】実施例XIX 実施例XVIII に記載したように調製したベンゾフェノ
ン末端ポリアリーレンエーテルケトンは、実施例IVに
記載したようにクロロメチル置換され、結果的に、繰返
し単位当たり0.5個のクロロメチル基を有するベンゾ
フェノン末端クロロメチル化ポリマーが得られた。
【0232】こうして調製したベンゾフェノン末端クロ
ロメチル化ポリアリーレンエーテルケトンを33.7重
量パーセントポリマー固体の濃度でN−メチルピロリジ
ノン中に含む溶液を調製した。この溶液に、ポリマー溶
液の6.21重量パーセントの量でメタクリル酸N、N
−ジメチルエチル(アルドリッチケミカル社、ミルウォ
ーキー、ウィスコンシン州から得られる)を添加し、得
られた溶液を2時間攪拌した。クロロメチル基とメタク
リル酸N、N−ジメチルエチルとの反応は急速に起こ
り、その結果、モノマー繰返し単位当たり0.5個のメ
タクリル酸N、N−ジメチルエチル基を有するポリマー
が形成された。
【0233】こうして形成した溶液は40重量パーセン
トのポリマー固体を含んでいた。この溶液に、固形分4
0重量パーセント溶液の10重量部につき1重量部のミ
ヒラーのケトンを添加した。得られたホトレジスト溶液
でスピニングシラン処理したシリコンウェハ上をコーテ
ィングし、被覆したウェハを70℃で10分間加熱し
た。次にウェハを25℃まで冷却した後、ウェハをマス
クで覆い、200ミリジュール/cm2 に達するまで3
65ナノメートルの波長の紫外光で露光した。次に、露
光した膜を5分間の後露光ベークのために70℃に加熱
した後、25℃まで冷却した。膜を50:50のメタノ
ール/水現像剤で現像し、次に70℃で乾燥させた。処
理したウェハを25℃のオーブンへ移し、後硬化を達成
するために、オーブン温度を2℃/分で90℃まで上
げ、90℃で2時間維持し、2℃/分で260℃まで上
げ、260℃で2時間維持し、次に25℃まで下げた。
後硬化の間に、熱安定性で耐溶剤性の部位が形成され
た。後硬化され、架橋されたポリアリーレンエーテルケ
トンは熱安定性であり、サーマルインクジェットインク
に対して化学的に不活性であり、電気絶縁性であり、機
械的に強固であり、且つ後硬化中の収縮が少なかった。
300及び600dpiの解像度において、清浄な外観
が現像された。
【0234】実施例XX 実施例VIに記載したように調製し、繰返し単位当たり
0.75個のアクリル酸エステル基と、繰返し単位当た
り0.75個のクロロメチル基とを有するポリマー50
グラムを117ミリリットルのN、N−ジメチルアセト
アミドに溶解し、30ミリリットルのトリメチルアミン
と共に氷浴中5℃で磁気的に攪拌する。反応混合物を2
時間かけて25℃に戻し、更に2時間の間攪拌を継続す
る。次に未反応のトリメチルアミンをロータリーエバポ
レータを用いて除去し、その結果得られたアクリル酸エ
ステル置換基及び塩化トリメチルアンモニウム置換基の
両方を有するポリマーを次のようにホトレジストとして
使用する。
【0235】ホスホシリケートガラス層を有するヒータ
ウェハを、3000回転/分で10秒間、Z6020接
着促進剤溶液(95部のメタノール及び5部の水中に
0.01重量パーセント、ダウコーニング)でスピンコ
ーティングし、100℃で2乃至10分間乾燥させた。
次に、光パターン形成可能なポリマーを含むホトレジス
トで、1000乃至3000回転/分で30乃至60秒
間、ウェハ上をスピンコーティングする前に、ウェハを
25℃で5分間冷却する。固形分30重量パーセントの
上記溶液をミヒラーのケトンと合わせる(固形分40重
量パーセントのポリマー溶液の40部毎に1.2部のケ
トン)ことによって、ホトレジスト溶液を製造する。膜
を70℃で10乃至15分間オーブン中で加熱(ソフト
ベーキング)する。5分かけて25℃まで冷却した後、
膜をマスクで覆い、200ミリジュール/cm2 に達す
るまで365ナノメートルの紫外光で露光する。次に露
光したウェハを2分間の後露光ベークのために70℃で
加熱した後、5分かけて25℃まで冷却した。膜を5
0:50の水/メタノール現像剤で現像し、次に70℃
で2分間乾燥させた。清浄な外観のウェハを得るために
必要であれば第2の現像/洗浄サイクルを行う。処理し
たウェハを25℃のオーブンへ移し、オーブン温度を2
℃/分で25から90℃まで上げる。温度を90℃で2
時間維持し、次に2℃/分で260℃まで上げる。オー
ブン温度を260℃で2時間維持し、次にオーブンのス
イッチを切って、温度を徐々に25℃まで冷却する。ホ
トレジスト膜の熱硬化を窒素もしくはアルゴン、ネオ
ン、クリプトン又はキセノン等の希ガスのうちの1つの
ような不活性雰囲気下で行う場合、現像膜の酸化は著し
く低減され、得られる装置の熱及び加水分解安定性が改
良される。更に、現像したホトレジスト膜の下部基板へ
の接着が改良される。第1層の上に第2の層をスピンコ
ーティングする場合、第2層を第1層上へスピンコーテ
ィングする前に、第1現像層の熱硬化を80と260℃
の間で停止してもよい。第2のより厚い層を上記手順を
再び繰り返すことにより付着させる。15ミクロンの膜
は600dpiで清浄な外観を有して現像できると考え
られる。
【0236】実施例XXI モノマー繰返し単位当たり1個のアクリル酸エステル基
とモノマー繰返し単位当たり1個のクロロメチル基とを
有し、約60000の重量平均分子量を有する第1のア
クリロイル化ポリアリーレンエーテルケトン樹脂を次の
ように調製した。ディーン−スターク(バレット)トラ
ップ、冷却器、メカニカルスターラ、アルゴン注入口、
及び栓が備えつけられた1リットルの三つ口丸底フラス
コをシリコーンオイルバス中に配置した。4、4′−ジ
クロロベンゾフェノン(アルドリッチ11370、アル
ドリッチケミカル社、ミルウォーキー、ウィスコンシン
州、50グラム)、ビスフェノールA(アルドリッチ2
3965−8、48.96グラム)、炭酸カリウム(6
5.56グラム)、無水N、N−ジメチルアセトアミド
(300ミリリットル)及びトルエン(55ミリリット
ル)をフラスコに添加して175℃(オイルバス温度)
に加熱し、揮発性トルエン成分を捕集及び除去した。連
続的に攪拌しながら175℃で48時間加熱した後、反
応混合物を濾過して炭酸カリウムを除去し、メタノール
(2ガロン)中へ沈澱させた。濾過及び真空乾燥後に、
ポリマー(ポリ(4−CPK−BPA))を分離した。
ゲル浸透クロマトグラフィ(GPC)(溶離溶媒はテト
ラヒドロフラン)分析は次の通りであった:Mn 336
0、Mpeak9139、Mw 5875、Mz 19328及
びMz+1 29739。塩化メチレンからの溶液キャスト
膜は、透明、強靱且つ柔軟であった。反応で使用された
化学量論の結果、このポリマーはビスフェノールAから
誘導される末端基を有するものと考えられる。こうして
調製したポリマーを次のようにクロロメチル化した。メ
カニカルスターラ、アルゴン注入口、還流冷却器、及び
添加漏斗を装備した5リットルの3つ口丸底フラスコ中
で、282.68グラム(256ミリリットル)の塩化
アセチルをジメトキシメタン(313.6グラム、36
6.8ミリリットル)及びメタノール(10ミリリット
ル)の混合物へ添加することによってクロロメチルエー
テルの酢酸メチル溶液を製造した。この溶液を106
6.8ミリリットルの1、1、2、2−テトラクロロエ
タンで希釈し、次に、耐ガス構造のシリンジによって四
塩化スズ(2.4ミリリットル)を添加すると共に、添
加漏斗を用いて1、1、2、2−テトラクロロエタン
(133.2ミリリットル)を添加した。反応溶液を5
00℃まで加熱した。その後、ポリ(4−CPK−BP
A)(160.8グラム)の1000ミリリットルのテ
トラクロロエタン溶液をすばやく添加した。次に反応混
合物を110℃に設定したオイルバスで加熱還流した。
連続的に攪拌しながら4時間還流した後、加熱を停止
し、混合物を25℃まで冷却した。反応混合物を2リッ
トルの丸底フラスコへ段階的に移し、液体窒素でトラッ
プされた真空ポンプで減圧を維持しながら、50℃まで
の緩やかな加熱でロータリーエバポレータを用いて濃縮
した。濃縮物をメタノール(4ガロン)へ添加し、ワー
リングブレンダを用いてポリマーを沈殿させた。ポリマ
ーを濾過により分離し、真空乾燥させて、繰返し単位当
たり2個のクロロメチル基を有するポリ(4−CPK−
BPA)を得た( 1H−NMR分光法を用いて同定)。
塩化メチレン(500グラム)中のポリマー(75グラ
ム)をメタノール(3ガロン)中へ再沈殿させた後、濾
過及び真空乾燥して無溶媒ポリマーを得ることができ
た。ゲル浸透クロマトグラフィ(GPC)(溶離溶媒は
テトラヒドロフラン)分析は次の通りであった:Mn
527、Mpeak12964、Mw 12179、Mz 21
824及びMz+1 30612。次に、クロロメチル化ポ
リマーを以下のようにアクリロイル化した。繰返し単位
当たり2個のクロロメチル基を有する90グラムのクロ
ロメチル化ポリマーを639ミリリットル(558.5
グラム)のN、N−ジメチルアセトアミド中に含む溶液
を調製し、この溶液をアクリル酸ナトリウム(51.3
9グラム)と共に25℃で1週間、磁気的に攪拌した。
次に、反応混合物を遠心分離し、上澄みを、メタノール
0.75リットルにつきポリマー溶液25ミリリットル
という相対量で、ワーリングブレンダを用いてメタノー
ル(4.8ガロン)へ添加した。沈殿した白色粉体を濾
過し、湿ったフィルタケーキを水(3ガロン)で洗浄
し、次にメタノール(3ガロン)で洗浄した。次にポリ
マーを濾過により分離し、真空乾燥させて、白色粉体を
得た。ポリマーは、モノマー繰返し単位毎に1個のアク
リル酸エステル基と、モノマー繰返し単位毎に1個のク
ロロメチル基とを有していた。ゲル浸透クロマトグラフ
ィ(GPC)(溶離溶媒はテトラヒドロフラン)分析は
次の通りであった:Mn 10922、Mpeak2489
5、Mw 62933、Mz 210546及びMz+1 41
1394。
【0237】重量平均分子量が約8000であり、8つ
のモノマー繰返し単位毎に1個のアクリル酸エステル基
と、8つのモノマー繰返し単位毎に1個のクロロメチル
基とを有する第2のアクリロイル化ポリアリーレンエー
テルケトン樹脂を次のように調製した。ディーン−スタ
ーク(バレット)トラップ、冷却器、メカニカルスター
ラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけられた1リット
ルの三つ口丸底フラスコをシリコーンオイルバス中に配
置した。4、4′−ジクロロベンゾフェノン(アルドリ
ッチ11370、アルドリッチケミカル社、ミルウォー
キー、ウィスコンシン州、50グラム)、ビスフェノー
ルA(アルドリッチ23965−8、48.96グラ
ム)、炭酸カリウム(65.56グラム)、無水N、N
−ジメチルアセトアミド(300ミリリットル)及びト
ルエン(55ミリリットル)をフラスコに添加して17
5℃(オイルバス温度)に加熱し、揮発性トルエン成分
を捕集及び除去した。連続的に攪拌しながら175℃で
24時間加熱した後、メタノール中に沈澱させた反応生
成物のアリコートをゲル浸透クロマトグラフィ(GP
C)(溶離溶媒はテトラヒドロフラン)により分析し、
結果は次の通りであった:Mn 4464、Mpeak758
3、Mw 7927、Mz 12331及びMz+1 1698
0。反応で使用された化学量論の結果、このポリマーは
ビスフェノールAから誘導される末端基を有するものと
考えられる。このポリマーは7モル%のN、N−ジメチ
ルアセトアミドを残留溶媒として含んでいた。残留N、
N−ジメチルアセトアミドがポリマーの5モル%を越え
る場合、次のステップのクロロメチル化反応は、4つの
モノマー繰返し単位毎に1個のクロロメチル基を最大値
として進行するだけである。メカニカルスターラ、アル
ゴン注入口、還流冷却器、及び添加漏斗を装備した50
0ミリリットルの3つ口丸底フラスコ中で、35.3グ
ラムの塩化アセチルをジメトキシメタン(45ミリリッ
トル)及びメタノール(1.25ミリリットル)の混合
物へ添加することによってクロロメチルエーテルの酢酸
メチル溶液を製造した。この溶液を150ミリリットル
の1、1、2、2−テトラクロロエタンで希釈し、次
に、四塩化スズ(0.3ミリリットル)をシリンジによ
って添加した。溶液を110℃に設定したオイルバスで
加熱還流した。その後、125ミリリットルの1、1、
2、2−テトラクロロエタン中の残留溶媒を含むポリ
(4−CPK−BPA)(10グラムのポリマー)溶液
を8分かけて添加した。連続的に攪拌しながら2時間還
流した後、加熱を停止し、混合物を25℃まで冷却し
た。反応混合物をロータリーエバポレータへ移し、50
℃と55℃の間の温度で緩やかに加熱した。一時間後、
揮発分のほとんどが除去されたときに、反応混合物をメ
タノールへ添加し(0.75リットルのメタノールに対
してそれぞれ25ミリリットルの溶液を添加した)、ワ
ーリングブレンダを用いてポリマーを沈殿させた。沈殿
させたポリマーを濾過により捕集し、メタノールで洗浄
し、空気乾燥させて、13グラムのオフホワイトの粉体
を得た。ポリマーは4つの繰返し単位毎に約1.0個の
CH2 Cl基を有していた。次に、100ミリリットル
(87.4グラム)のN、N−ジメチルアセトアミド中
に11グラムのクロロメチル化ポリマーを含む溶液を調
製し、この溶液をアクリル酸ナトリウム(30グラム)
と共に25℃で1週間、磁気的に攪拌した。次に、反応
混合物を濾過し、メタノール0.75リットル当たりポ
リマー溶液25ミリリットルという相対量でワーリング
ブレンダを用いてメタノールへ添加した。沈殿した白色
粉体を固形分20重量パーセントの塩化メチレン溶液か
らメタノール中へ再沈殿させ、次に、空気乾燥させて、
7.73グラムの白色粉体を得た。ポリマーは、8つの
繰返し単位毎に1個のアクリル酸エステル基と、8つの
繰返し単位毎に1個のクロロメチル基と、を有してい
た。
【0238】50重量部の第1ポリマーを50重量部の
第2ポリマーと混合し、両方のポリマーを等しい重量部
含む混合物を得た。N−メチルピロリドン中に固形分4
0重量パーセントのポリマーを含む溶液を調製した。そ
の後、増感剤(ミヒラーのケトン)を溶液の約0.75
重量パーセントの量で溶液へ添加し、更に溶媒を添加し
て、溶液の固形分含有率を37重量パーセントにした。
得られたブレンドは約34000の重量平均分子量を有
し、アクリロイル化度は樹脂1グラム当たりアクリロイ
ル基約0.78ミリ当量であった。
【0239】こうして形成した溶液で、スピニングシラ
ン処理したシリコンウェハ上をコーティングし、被覆し
たウェハを70℃で5分間加熱した。次にウェハを25
℃まで冷却した後、ウェハをマスクで覆い、2500ミ
リジュール/cm2 に達するまで365ナノメートルの
波長の紫外光で露光した。次に露光した膜を5分間の後
露光ベークのために70℃に加熱した後、25℃まで冷
却した。膜を60:40のクロロホルム/シクロヘキサ
ノン現像剤で現像し、90:10のヘキサン/シクロヘ
キサノンで洗浄し、次に70℃で乾燥させた。処理した
ウェハを25℃のオーブンへ移し、後硬化を達成するた
めに、オーブン温度を2℃/分で260℃まで上げた。
後硬化の間に、熱安定性で耐溶剤性の部位が形成され
た。後硬化され、架橋されたポリマーは熱安定性であ
り、サーマルインクジェットインクに対して化学的に不
活性であり(例えばpH9.6であるキャノン株式会社
から入手可能なブラックインク、65℃で5週間インク
にさらした)、電気絶縁性であり、機械的に強固であ
り、且つ後硬化中の収縮が少なかった。300及び60
0dpiの解像度において、清浄な外観が現像された。
【0240】実施例XXII 実施例XXIに記載したように調製した、重量平均分子
量が約60000であり、繰返し単位当たり1個のアク
リロイル基及び繰返し単位当たり1個のクロロメチル基
を有する式(S)のアクルロイル化ポリ(4−CPK−
BPA)(7グラム)と、175℃の加熱が48時間の
代わりに30時間である点を除いて実施例IにMw 58
75のポリ(4−CPK−BPA)の調製について記載
したのと同様の方法で調製した、重量平均分子量が56
00の式(T)のポリ(4−CPK−BPA)(3グラ
ム)とを合わせて、N−メチルピロリジノン(15グラ
ム)で固形分37重量パーセントに希釈する。
【0241】
【化87】
【0242】式(U)のミヒラーのケトンを、30ミク
ロン厚膜を現像するための露光の前に、樹脂固体の約
0.3乃至約0.5重量パーセントの量で添加した。得
られたブレンドは約44000の重量平均分子量を有
し、アクリロイル化度は樹脂1グラム当たりアクリロイ
ル基約1.31ミリ当量であった。ホスホシリケートガ
ラス層を有するヒータウェハを、3000回転/分で1
0秒間、Z6020接着促進剤溶液(メタノール(95
部)及び水(5部)中に0.01重量パーセント、ダウ
コーニングから入手可能)でスピンコーティングし、1
00℃で2乃至10分間乾燥させた。次に、1000乃
至3000回転/分で30乃至60秒間、ポリアリーレ
ンエーテルケトンブレンドホトレジスト溶液でウェハ上
をスピンコーティングする前に、ウェハを25℃で5分
以上冷却した。膜を70℃で10乃至15分間オーブン
中で加熱(ソフトベーキング)した。5分かけて25℃
まで冷却した後、膜をマスクで覆い、150及び150
0ミリジュール/cm2 に達するまで365ナノメート
ルの紫外光で露光した。次に露光したウェハを2分間の
後露光ベークのために70℃で加熱した後、5分かけて
25℃まで冷却した。膜を6:4のクロロホルム/シク
ロヘキサノン現像剤で現像し、9:1のヘキサン/シク
ロヘキサノンで洗浄し、次に70℃で2分間乾燥させ
た。清浄な外観のウェハを得るために必要であれば第2
の現像/洗浄サイクルを行った。処理したウェハを25
℃のオーブンへ移し、オーブン温度を2℃/分で25か
ら90℃まで上げた。温度を90℃で2時間維持し、次
に2℃/分で260℃まで上げた。オーブン温度を26
0℃で2時間維持し、次にオーブンのスイッチを切っ
て、温度を徐々に25℃まで下げた。ホトレジスト膜の
熱硬化をアルゴン又は窒素等の不活性雰囲気中で行う場
合、現像膜の酸化は著しく低減され、得られる装置の熱
及び加水分解安定性が改良された。更に、下部基板への
接着が改良された。所望されるなら、第2層を上面にス
ピンコーティングする前に、第1現像層の熱硬化を80
及び260℃の間で停止してもよい。第2のより厚い層
を上記手順を再び繰り返すことにより付着させた。この
方法は、膜厚及びホトレジストの分子量によって手順は
特定の条件から外れ得るという点で指針である。30ミ
クロンの膜は600dpiで清浄な外観を有して現像さ
れた。光パターン形成可能なポリマーブレンド溶液を、
更に、ポリマー約90重量部及びエポキシ樹脂EPON
1001F(シェルケミカル社、ヒューストン、テキサ
ス州から入手可能、次式を有すると考えられる)約10
重量部という相対量でエポキシ樹脂と混合させた。
【0243】
【化88】
【0244】「Y」硬化剤(メタ−フェニレンジアミ
ン)を使用して、エポキエシ樹脂固体1グラム当たり1
0重量パーセントの硬化剤の添加で、エポキシ樹脂を硬
化させた。エポキシ樹脂材料がない場合と同一のスピン
条件、ソフトベーク、露光及び現像条件を、エポキシブ
レンドの場合に使用した。光パターン形成可能なポリマ
ー材料にエポキシ樹脂を組み入れると、光パターン形成
可能な層のヒータプレートへの接着が改良された。画像
形成に続いて、光パターン形成可能なポリマーの硬化中
に、エポキシがヒータ層と反応して、その層と強力な化
学結合を形成し、界面の接着強度及び耐溶剤性を改良し
た。また、エポキシの存在は光パターン形成可能なポリ
マーの親水性を改良し、層の湿潤特性を改良し、これに
より、印刷ヘッドの再補充特性が改良される。スルホラ
ンベースのインクジェット組成物、並びに、N−シクロ
ヘキシルピロリジノン及びイミダゾールを含むpH8の
アルカリ性インクに耐性の上記組成物を用いてサーマル
インクジェット印刷ヘッド装置を製造した。
【0245】実施例XXIII 重量平均分子量が約25000であり、繰返し単位当た
り0.75個のアクリロイル基及び0.75個のクロロ
メチル基を有する次の構造のアクリロイル化ポリ(4−
CPK−BPA)を以下のように調製した。
【0246】
【化89】
【0247】ディーン−スターク(バレット)トラッ
プ、冷却器、メカニカルスターラ、アルゴン注入口、及
び栓が備えつけられた1リットルの三つ口丸底フラスコ
をシリコーンオイルバス中に配置した。4、4′−ジク
ロロベンゾフェノン(アルドリッチ11370、アルド
リッチケミカル社、ミルウォーキー、ウィスコンシン
州、53.90グラム)、ビスフェノールA(アルドリ
ッチ23965−8、45.42グラム)、炭酸カリウ
ム(65.56グラム)、無水N、N−ジメチルアセト
アミド(300ミリリットル)及びトルエン(55ミリ
リットル)をフラスコに添加して175℃(オイルバス
温度)に加熱し、揮発性トルエン成分を捕集及び除去し
た。連続的に攪拌しながら175℃で24時間加熱した
後、反応混合物を濾過して炭酸カリウムを除去し、メタ
ノール(2ガロン)中へ沈澱させた。濾過及び真空乾燥
後に、ポリマー(ポリ(4−CPK−BPA))は収率
86%で分離された。反応で使用された化学量論の結
果、このポリマーは4、4−ジクロロベンゾフェノンか
ら誘導される末端基を有するものと考えられる。ゲル浸
透クロマトグラフィ(GPC)(溶離溶媒はテトラヒド
ロフラン)分析は次の通りである:Mn 4334、M
peak10214、Mw 11068、Mz 10214及び
z+1 28915。塩化メチレンからの溶液キャスト膜
は、透明、強靱且つ柔軟であった。こうして調製したポ
リマーを次のようにクロロメチル化した。メカニカルス
ターラ、アルゴン注入口、還流冷却器、及び添加漏斗を
装備した5リットルの3つ口丸底フラスコ中で、28
2.68グラム(256ミリリットル)の塩化アセチル
をジメトキシメタン(313.6グラム、366.8ミ
リリットル)及びメタノール(10ミリリットル)の混
合物へ添加することによってクロロメチルエーテルの酢
酸メチル溶液を製造した。この溶液を1066.8ミリ
リットルの1、1、2、2−テトラクロロエタンで希釈
し、次に、四塩化スズ(2.4ミリリットル)を耐ガス
構造のシリンジによって添加すると共に、添加漏斗を用
いて1、1、2、2−テトラクロロエタン(133.2
ミリリットル)を添加した。反応溶液を500℃へ加熱
した。その後、ポリ(4−CPK−BPA)(160.
8グラム)の1000ミリリットルのテトラクロロエタ
ン溶液をすばやく添加した。次に反応混合物を110℃
に設定したオイルバスで加熱還流した。連続的に攪拌し
ながら4時間還流した後、加熱を停止し、混合物を25
℃まで冷却した。反応混合物を2リットルの丸底フラス
コへ段階的に移し、液体窒素でトラップされた真空ポン
プで減圧を維持しながら、50℃までの緩やかな加熱で
ロータリーエバポレータを用いて濃縮した。濃縮物をメ
タノール(4ガロン)へ添加し、ワーリングブレンダを
用いてポリマーを沈殿させた。ポリマーを濾過により分
離し、真空乾燥させて、繰返し単位当たり1.5個のク
ロロメチル基を有する200グラムのポリ(4−CPK
−BPA)を得た( 1H−NMR分光法を用いて同
定)。塩化メチレン(500グラム)中のポリマー(7
5グラム)をメタノール(3ガロン)中へ再沈殿させた
後、濾過及び真空乾燥して無溶媒ポリマーを得た。ゲル
浸透クロマトグラフィ(GPC)(溶離溶媒はテトラヒ
ドロフラン)分析は次の通りであった:Mn 5580、
peak15242、Mw 17169、Mz 36837及
びMz+1 57851。次に、クロロメチル化ポリマーを
次のようにアクリロイル化した。繰返し単位当たり2個
のクロロメチル基を有する90グラムのクロロメチル化
ポリマーを639ミリリットル(558.5グラム)の
N、N−ジメチルアセトアミド中に含む溶液を調製し、
この溶液をアクリル酸ナトリウム(51.39グラム)
と共に25℃で1週間、磁気的に攪拌した。次に、反応
混合物を遠心分離し、上澄みを、メタノール0.75リ
ットルにつきポリマー溶液25ミリリットルという相対
量で、ワーリングブレンダを用いてメタノール(4.8
ガロン)へ添加した。沈殿した白色粉体を濾過し、湿っ
たフィルタケーキを水(3ガロン)で洗浄し、次にメタ
ノール(3ガロン)で洗浄した。次にポリマーを濾過に
より分離し、真空乾燥させて、白色粉体を得た。ポリマ
ーは、モノマー繰返し単位毎に0.75個のアクリル酸
エステル基と、モノマー繰返し単位毎に0.75個のク
ロロメチル基とを有していた。ゲル浸透クロマトグラフ
ィ(GPC)(溶離溶媒はテトラヒドロフラン)分析は
次の通りであった:Mn 7000、Mpeak17376、
w 22295、Mz 50303及びMz+18099
5。
【0248】重量平均分子量が11000であり、繰返
し単位当たり2個のクロロメチル基を有する次の構造の
ポリ(4−CPK−BPA)を実施例XXIに記載した
ように調製した。
【0249】
【化90】
【0250】その後、重量平均分子量が約25000の
7グラムのアクリロイル化及びクロロメチル化ポリマー
と、重量平均分子量が約11000の3グラムのクロロ
メチル化ポリマーとを合わせて、N−メチルピロリジノ
ン(15グラム)で固形分37重量パーセントに希釈し
た。次式のミヒラーのケトンを、30ミクロン厚膜を現
像するための露光の前に、樹脂固体の約0.3乃至約
0.5重量パーセントの量で添加した。
【0251】
【化91】
【0252】ブレンドは約20800の重量平均分子量
を有し、アクリロイル化度は約1.05ミリ当量/グラ
ムであった。ホスホシリケートガラス層を有するヒータ
ウェハを、3000回転/分で10秒間、Z6020接
着促進剤溶液(メタノール(95部)及び水(5部)中
に0.01重量パーセント、ダウコーニングから入手可
能)でスピンコーティングし、100℃で2乃至10分
間乾燥させた。次に、ポリアリーレンエーテルケトンブ
レンドホトレジスト溶液で、1000乃至3000回転
/分で30乃至60秒間、ウェハ上をスピンコーティン
グする前に、ウェハを25℃で5分以上冷却した。膜を
70℃で10乃至15分間オーブン中で加熱(ソフトベ
ーキング)した。5分かけて25℃まで冷却した後、膜
をマスクで覆い、150及び1500ミリジュール/c
2 の間に達するまで365ナノメートルの紫外光で露
光した。次に露光したウェハを2分間の後露光ベークの
ために70℃で加熱した後、5分かけて25℃まで冷却
した。膜を6:4のクロロホルム/シクロヘキサノン現
像剤で現像し、9:1のヘキサン/シクロヘキサノンで
洗浄し、次に70℃で2分間乾燥させた。清浄な外観の
ウェハを得るために必要であれば第2の現像/洗浄サイ
クルを行った。処理したウェハを25℃のオーブンへ移
し、オーブン温度を2℃/分で25から90℃まで上げ
た。温度を90℃で2時間維持し、次に2℃/分で26
0℃まで上げた。オーブン温度を260℃で2時間維持
し、次にオーブンのスイッチを切って、温度を徐々に2
5℃まで下げた。ホトレジスト膜の熱硬化をアルゴン又
は窒素等の不活性雰囲気中で行う場合、現像膜の酸化は
著しく低減され、得られる装置の熱及び加水分解安定性
が改良された。更に、下部基板への接着が改良された。
所望されるなら、第2層を上面にスピンコーティングす
る前に、第1現像層の熱硬化を80及び260℃の間で
停止してもよい。第2のより厚い層を上記手順を再び繰
り返すことにより付着させた。この方法は、膜厚及びホ
トレジストの分子量によって手順は特定の条件から外れ
得るという点で指針である。30ミクロンの膜は600
dpiで清浄な外観を有して現像された。光パターン形
成可能なポリマーブレンド溶液を、更に、ポリマー約9
0重量部及びエポキシ樹脂EPON1001F(シェル
ケミカル社、ヒューストン、テキサス州から入手可能、
次式を有すると考えられる)約10重量部という相対量
で、エポキシ樹脂と混合させた。
【0253】
【化92】
【0254】「Y」硬化剤(メタ−フェニレンジアミ
ン)を使用して、エポキシ樹脂固体1グラム当たり10
重量パーセントの硬化剤の添加で、エポキシ樹脂を硬化
させた。エポキシ樹脂材料がない場合と同一のスピン条
件、ソフトベーク、露光及び現像条件を、エポキシブレ
ンドの場合に使用した。光パターン形成可能なポリマー
材料にエポキシ樹脂を組み入れると、光パターン形成可
能な層のヒータプレートへの接着が改良された。画像形
成に続いて、光パターン形成可能なポリマーの硬化中
に、エポキシはヒータ層と反応して、その層と強力な化
学結合を形成し、界面の接着強度及び耐溶剤性を改良し
た。また、エポキシの存在は光パターン形成可能なポリ
マーの親水性を改良し、層の湿潤特性を改良し、これに
より、印刷ヘッドの再補充特性が改良される。スルホラ
ンベースのインクジェット組成物、並びに、N−シクロ
ヘキシルピロリジノン及びイミダゾールを含むpH8の
アルカリ性インクに耐性の上記組成物を用いてサーマル
インクジェット印刷ヘッド装置を製造した。
【0255】実施例XXIV 重量平均分子量が60000であり、繰返し単位当たり
0.75個のアクリロイル基及び0.75個のクロロメ
チル基を有する次の一般構造のアクリロイル化ポリ(4
−CPK−BPA)を以下のように調製した。
【0256】
【化93】
【0257】ディーン−スターク(バレット)トラッ
プ、冷却器、メカニカルスターラ、アルゴン注入口、及
び栓が備えつけられた1リットルの三つ口丸底フラスコ
をシリコーンオイルバス中に配置する。4、4′−ジク
ロロベンゾフェノン(アルドリッチ11370、アルド
リッチケミカル社、ミルウォーキー、ウィスコンシン
州、50グラム)、ビスフェノールA(アルドリッチ2
3965−8、48.96グラム)、炭酸カリウム(6
5.56グラム)、無水N、N−ジメチルアセトアミド
(300ミリリットル)及びトルエン(55ミリリット
ル)をフラスコに添加して175℃(オイルバス温度)
に加熱し、揮発性トルエン成分を捕集及び除去する。連
続的に攪拌しながら175℃で24時間加熱した後、メ
タノール中に沈澱させた反応生成物をゲル浸透クロマト
グラフィ(GPC)(溶離溶媒はテトラヒドロフラン)
により分析すれば、おおよそ以下の結果を有するであろ
うと考えられる:Mn 3100、Mw 6250。反応で
使用される化学量論の結果、このポリマーはビスフェノ
ールAから誘導される末端基を有するものと考えられ
る。このポリマーは7モル%のN、N−ジメチルアセト
アミドを残留溶媒として含む。残留N、N−ジメチルア
セトアミドがポリマーの5モル%を越える場合、次のス
テップのクロロメチル化反応は、4つのモノマー繰返し
単位毎に1個のクロロメチル基を最大値として進行する
だけである。メカニカルスターラ、アルゴン注入口、還
流冷却器、及び添加漏斗を装備した500ミリリットル
の3つ口丸底フラスコ中で、35.3グラムの塩化アセ
チルをジメトキシメタン(45ミリリットル)及びメタ
ノール(1.25ミリリットル)の混合物へ添加するこ
とによってクロロメチルエーテルの酢酸メチル溶液を製
造する。この溶液を150ミリリットルの1、1、2、
2−テトラクロロエタンで希釈し、次に、四塩化スズ
(0.3ミリリットル)をシリンジによって添加する。
溶液を110℃に設定したオイルバスで加熱還流する。
その後、125ミリリットルの1、1、2、2−テトラ
クロロエタン中の残留溶媒を含むポリ(4−CPK−B
PA)(10グラムのポリマー)の溶液を8分かけて添
加する。連続的に攪拌しながら2時間還流した後、加熱
を停止し、混合物を25℃まで冷却する。反応混合物を
ロータリーエバポレータへ移し、50℃と55℃の間の
温度で緩やかに加熱する。一時間後、揮発分のほとんど
が除去されたときに、反応混合物をメタノールへ添加し
(0.75リットルのメタノールに対してそれぞれ25
ミリリットルの溶液を添加する)、ワーリングブレンダ
を用いてポリマーを沈殿させる。沈殿したポリマーを濾
過により捕集し、メタノールで洗浄し、空気乾燥させ
て、オフホワイトの粉体を得た。ポリマーは4つの繰返
し単位毎に約1個のCH2 Cl基を有するであろうと考
えられる。次に、100ミリリットル(87.4グラ
ム)のN、N−ジメチルアセトアミド中に11グラムの
クロロメチル化ポリマーを含む溶液を調製し、この溶液
をアクリル酸ナトリウム(30グラム)と共に25℃で
1週間、磁気的に攪拌する。次に、反応混合物を濾過
し、メタノール0.75リットル当たりポリマー溶液2
5ミリリットルという相対量で、ワーリングブレンダを
用いてメタノールへ添加する。沈殿した白色粉体を固形
分20重量パーセントの塩化メチレン溶液からメタノー
ル中へ再沈殿させ、次に空気乾燥させて、白色粉体を得
る。ポリマーは8つの繰返し単位毎に1個のアクリル酸
エステル基と、8つの繰返し単位毎に1個のクロロメチ
ル基とを有するであろうと考えられる。
【0258】次の構造を有するビスフェノールAビスプ
ロピレングリコールジメタクリレート(分子量512)
を、例えば、「ビスメタクリロキシビスフェノールAエ
ポキシネットワーク:合成、キャラクタリゼーション、
熱及び機械特性」(A.バンシアら、Polymer Preprints,
22(1), 209(1981) )に開示されたように調製する。
【0259】
【化94】
【0260】アクリロイル化及びクロロメチル化ポリマ
ー(8グラム)及びビスフェノールAビスプロピレング
リコールジメタクリレートを合わせて、N−メチルピロ
リジノン(15グラム)で固形分37重量パーセントに
希釈する。得られたブレンドは約20000の重量平均
分子量を有し、アクリロイル化度はブレンド1グラム当
たりアクリロイル基約1.27ミリ当量である。ミヒラ
ーのケトンを、30ミクロン厚膜を現像するための露光
の前に、樹脂固体の約0.3乃至約0.5重量パーセン
トの量で添加する。ホスホシリケートガラス層を有する
ヒータウェハを、3000回転/分で10秒間、Z60
20接着促進剤溶液(メタノール(95部)及び水(5
部)中に0.01重量パーセント、ダウコーニングから
入手可能)でスピンコーティングし、100℃で2乃至
10分間乾燥させる。次に、ポリアリーレンエーテルケ
トンブレンドホトレジスト溶液で、1000乃至300
0回転/分で30乃至60秒間、ウェハ上をスピンコー
ティングする前に、ウェハを25℃で5分以上冷却す
る。膜を70℃で10乃至15分間オーブン中で加熱
(ソフトベーキング)する。5分かけて25℃まで冷却
した後、膜をマスクで覆い、150乃至1500ミリジ
ュール/cm2 に達するまで365ナノメートルの紫外
光で露光する。次に露光したウェハを2分間の後露光ベ
ークのために70℃で加熱した後、5分かけて25℃ま
で冷却する。膜を6:4のクロロホルム/シクロヘキサ
ノン現像剤で現像し、9:1のヘキサン/シクロヘキサ
ノンで洗浄し、次に70℃で2分間乾燥させる。清浄な
外観のウェハを得るために必要であれば第2の現像/洗
浄サイクルを行う。処理したウェハを25℃のオーブン
へ移し、オーブン温度を2℃/分で25から90℃まで
上げる。温度を90℃で2時間維持し、次に2℃/分で
260℃まで上げる。オーブン温度を260℃で2時間
維持し、次にオーブンのスイッチを切って、温度を徐々
に25℃まで下げる。ホトレジスト膜の熱硬化をアルゴ
ン又は窒素等の不活性雰囲気中で行う場合、現像膜の酸
化は著しく低減され、得られる装置の熱及び加水分解安
定性が改良される。更に、下部基板への接着が改良され
る。所望されるなら、第2層を上面にスピンコーティン
グする前に、第1現像層の熱硬化を80及び260℃の
間で停止してもよい。第2のより厚い層を上記手順を再
び繰り返すことにより付着させる。この方法は、膜厚及
びホトレジストの分子量によって手順は特定の条件から
外れ得るという点で指針である。30ミクロンの膜は6
00dpiで清浄な外観を有して現像できる。
【0261】実施例XXV 重量平均分子量が25000であり、繰返し単位当たり
0.75個のアクリロイル基及び0.75個のクロロメ
チル基を有し、実施例XXIII に記載したように調製し
た次式の構造のアクリロイル化ポリ(4−CPK−BP
A)(80重量部)と、重量平均分子量が15000の
ポリメタクリル酸メチル(シグマケミカル社、セントル
イス、ミズーリ州から得られる)(20重量部)とを合
わせて、N−メチルピロリジノン(150グラム)で固
形分37重量パーセントに希釈する。
【0262】
【化95】
【0263】得られたブレンドは約23000の重量平
均分子量を有し、アクリロイル化度は約1.20ミリ当
量/グラムであった。ミヒラーのケトンを、30ミクロ
ン厚膜を現像するための露光の前に、樹脂固体の約1.
5重量パーセントの量で添加する。ホスホシリケートガ
ラス層を有するヒータウェハを、3000回転/分で1
0秒間、Z6020接着促進剤溶液(メタノール(95
部)及び水(5部)中に0.01重量パーセント、ダウ
コーニングから入手可能)でスピンコーティングし、1
00℃で2乃至10分間乾燥させる。次に、ポリアリー
レンエーテルケトンブレンドホトレジスト溶液で、10
00乃至3000回転/分で30乃至60秒間、ウェハ
上をスピンコーティングする前に、ウェハを25℃で5
分以上冷却する。膜を70℃で10乃至15分間オーブ
ン中で加熱(ソフトベーキング)する。5分かけて25
℃まで冷却した後、膜をマスクで覆い、150及び15
00ミリジュール/cm2 の間に達するまで365ナノ
メートルの紫外光で露光する。次に露光したウェハを2
分間の後露光ベークのために70℃で加熱した後、5分
かけて25℃まで冷却する。膜を6:4のクロロホルム
/シクロヘキサノン現像剤で現像し、9:1のヘキサン
/シクロヘキサノンで洗浄し、次に70℃で2分間乾燥
させる。清浄な外観のウェハを得るために必要であれば
第2の現像/洗浄サイクルを行う。処理したウェハを2
5℃のオーブンへ移し、オーブン温度を2℃/分で25
から90℃まで上げる。温度を90℃で2時間維持し、
次に2℃/分で260℃まで上げる。オーブン温度を2
60℃で2時間維持し、次にオーブンのスイッチを切っ
て、温度を徐々に25℃まで下げる。ホトレジスト膜の
熱硬化をアルゴン又は窒素等の不活性雰囲気中で行う場
合、現像膜の酸化は著しく低減され、得られる装置の熱
及び加水分解安定性が改良されると考えられる。更に、
下部基板への接着が改良されると考えられる。所望され
るなら、第2層を上面にスピンコーティングする前に、
第1現像層の熱硬化を80及び260℃の間で停止して
もよい。第2のより厚い層を上記手順を再び繰り返すこ
とにより付着させる。この方法は、膜厚及びホトレジス
ト分子量によって手順は特定の条件から外れ得るという
点で指針である。30ミクロンの膜は600dpiで清
浄な外観を有して現像できると考えられる。
【0264】実施例XXVI 次式(ここで、nはモノマー繰返し単位の数を示す)の
ポリマーを次のように調製した。
【0265】
【化96】
【0266】ディーン−スターク(バレット)トラッ
プ、冷却器、メカニカルスターラ、アルゴン注入口、及
び栓が備えつけられた500ミリリットルの三つ口丸底
フラスコをシリコーンオイルバス中に配置した。4、
4′−ジクロロベンゾフェノン(アルドリッチ1137
0、アルドリッチケミカル社、ミルウォーキー、ウィス
コンシン州、16.32グラム、0.065モル)、ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)メタン(アルドリッチ、
14.02グラム、0.07モル)、炭酸カリウム(2
1.41グラム)、無水N、N−ジメチルアセトアミド
(100ミリリットル)及びトルエン(100ミリリッ
トル)をフラスコに添加して175℃(オイルバス温
度)に加熱し、揮発性トルエン成分を捕集及び除去し
た。連続的に攪拌しながら175℃で48時間加熱した
後、反応混合物を濾過し、メタノールへ添加してポリマ
ーを沈澱させ、このポリマーを濾過により捕集し、水洗
し、次にメタノールで洗浄した。真空乾燥した生成物ポ
リ(4−CPK−BPM)の収量は24グラムであっ
た。ポリマーは、N−メチルピロリジノン、N、N−ジ
メチルアセトアミド及び1、1、2、2−テトラクロロ
エタンに加熱により溶解した。ポリマーは溶液が25℃
まで冷却した後でも溶解したままであった。
【0267】実施例XXVII 実施例XXVIで記載したように調製したポリマー、ポ
リ(4−CPK−BPM)を実施例IIで記載した方法に
よって、パラホルムアルデヒドでアクリロイル化した。
同様の結果が得られた。
【0268】実施例XXVIII 実施例XXVIで記載したように調製したポリマー、ポ
リ(4−CPK−BPM)を次のようにクロロメチル化
した。塩化アセチル(35.3グラム)をジメトキシメ
タン(45ミリリットル)及びメタノール(1.25ミ
リリットル)の混合物へ添加することによってクロロメ
チルメチルエーテルの酢酸メチル溶液(6mmol/ミリリ
ットル)を製造した。この溶液を150ミリリットルの
1、1、2、2−テトラクロロエタンで希釈し、次に、
四塩化スズ(0.3ミリリットル)を添加した。110
℃に設定したオイルバスを用いて混合物を還流させた
後、125ミリリットルの1、1、2、2−テトラクロ
ロエタン中のポリ(4−CPK−BPM)(10グラ
ム)の溶液を添加した。還流を2時間維持し、次に、5
ミリリットルのメタノールを添加して反応を停止させ
た。反応溶液をワーリングブレンダを用いて1ガロンの
メタノールへ添加し、生成物、クロロメチル化ポリ(4
−CPK−BPM)を沈澱させ、このポリマーを濾過に
より捕集し、真空乾燥させた。ポリマーの繰返し単位当
たり2個のクロロメチル基を有するポリ(4−CPK−
BPM)9.46グラムが得られた。ポリマーは次の構
造を有していた。
【0269】
【化97】
【0270】実施例XXIX N、N−ジメチルアセトアミド20ミリリットル中の、
繰返し単位当たり2個のクロロメチル基を有するポリ
(4−CPK−BPM)(1グラム、実施例XXVIII
で記載したように調製する)をアクリル酸ナトリウムと
共に25℃で112時間磁気的に攪拌した。溶液をワー
リングブレンダを用いてメタノールへ添加してポリマー
を沈澱させ、このポリマーを濾過及び真空乾燥させた。
58乃至69パーセントのクロロメチル基がアクリロイ
ル基で置換された。生成物は次の式で表された。
【0271】
【化98】
【0272】実施例XXX 次式(ここで、nはモノマー繰返し単位の数を示す)の
ポリマーを次のように調製した。
【0273】
【化99】
【0274】ディーン−スターク(バレット)トラッ
プ、冷却器、メカニカルスターラ、アルゴン注入口、及
び栓が備えつけられた500ミリリットルの三つ口丸底
フラスコをシリコーンオイルバス中に配置した。4、
4′−ジクロロベンゾフェノン(アルドリッチ1137
0、アルドリッチケミカル社、ミルウォーキー、ウィス
コンシン州、16.32グラム、0.065モル)、ヘ
キサフルオロビスフェノールA(アルドリッチ、23.
52グラム、0.07モル)、炭酸カリウム(21.4
1グラム)、無水N、N−ジメチルアセトアミド(10
0ミリリットル)及びトルエン(100ミリリットル)
をフラスコに添加して175℃(オイルバス温度)に加
熱し、揮発性トルエン成分を捕集及び除去した。連続的
に攪拌しながら175℃で48時間加熱した後、反応混
合物を濾過し、メタノールへ添加してポリマーを沈澱さ
せ、このポリマーを濾過により捕集し、水洗し、次にメ
タノールで洗浄した。真空乾燥した生成物ポリ(4−C
PK−HFBPA)の収量は20グラムであった。ポリ
マーをゲル浸透クロマトグラフィ(GPC)(溶離溶媒
はテトラヒドロフラン)により分析し、次の結果を得
た:Mn 1975、Mpeak2281、Mw 3588、及
びMz+1 8918。
【0275】実施例XXXI 実施例XXXで記載したように調製したポリマー、ポリ
(4−CPK−HFBPA)を実施例IIで記載した方法
によって、パラホルムアルデヒドでアクリロイル化し
た。同様の結果が得られた。
【0276】実施例XXXII 実施例XXXで記載したように調製したポリマー、ポリ
(4−CPK−HFBPA)を、実施例XXVIII で記
載した方法によってクロロメチル化する。同様の結果が
得られるであろうと考えられる。
【0277】実施例XXXIII 実施例XXXIIで記載したように調製したクロロメチル
化ポリマー、ポリ(4−CPK−HFBPA)を実施例
XXIXで記載した方法によってアクリロイル化する。
同様の結果が得られるであろうと考えられる。
【0278】実施例XXXIV 次式(ここで、nはモノマー繰返し単位の数を示す)の
ポリマーを以下のように調製した。
【0279】
【化100】
【0280】ディーン−スターク(バレット)トラッ
プ、冷却器、メカニカルスターラ、アルゴン注入口、及
び栓が備えつけられた1リットルの三つ口丸底フラスコ
をシリコーンオイルバス中に配置した。4、4′−ジフ
ルオロベンゾフェノン(アルドリッチケミカル社、ミル
ウォーキー、ウィスコンシン州、43.47グラム、
0.1992モル)、9、9′−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)フルオレノン(ケンセイカ、ラムソン、ニュ
ージャージー州、75.06グラム、0.2145モ
ル)、炭酸カリウム(65.56グラム)、無水N、N
−ジメチルアセトアミド(300ミリリットル)及びト
ルエン(52ミリリットル)をフラスコに添加して17
5℃(オイルバス温度)に加熱し、揮発性トルエン成分
を捕集及び除去した。連続的に攪拌しながら175℃で
5時間加熱した後、反応混合物を25℃に冷却した。凝
固した塊を酢酸(酢)で処理し、塩化メチレンで抽出
し、濾過し、メタノールへ添加してポリマーを沈澱さ
せ、このポリマーを濾過により捕集し、水洗し、次にメ
タノールで洗浄した。真空乾燥した生成物ポリ(4−F
PK−FBPA)の収量は71.7グラムであった。ポ
リマーをゲル浸透クロマトグラフィ(GPC)(溶離溶
媒はテトラヒドロフラン)により分析し、次の結果を得
た:Mn 59100、Mpeak144000、Mw 136
100、Mz 211350、及びMz+1 286100。
【0281】実施例XXXV 次式(ここで、nはモノマー繰返し単位の数を示す)の
ポリマーを以下のように調製した。
【0282】
【化101】
【0283】ディーン−スターク(バレット)トラッ
プ、冷却器、メカニカルスターラ、アルゴン注入口、及
び栓が備えつけられた1リットルの三つ口丸底フラスコ
をシリコーンオイルバス中に配置した。4、4′−ジク
ロロベンゾフェノン(アルドリッチケミカル社、ミルウ
ォーキー、ウィスコンシン州、50.02グラム、0.
1992モル)、9、9′−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)フルオレノン(ケンセイカ、ラムソン、ニュージ
ャージー州、75.04グラム、0.2145モル)、
炭酸カリウム(65.56グラム)、無水N、N−ジメ
チルアセトアミド(300ミリリットル)及びトルエン
(52ミリリットル)をフラスコに添加して175℃
(オイルバス温度)に加熱し、揮発性トルエン成分を捕
集及び除去した。連続的に攪拌しながら175℃で24
時間加熱した後、反応混合物を25℃に冷却した。反応
混合物を濾過し、メタノールへ添加してポリマーを沈澱
させ、このポリマーを濾過により捕集し、水洗し、次に
メタノールで洗浄した。真空乾燥した生成物ポリ(4−
CPK−FBP)の収量は60グラムであった。
【0284】実施例XXXVI 実施例XXXVで記載したように調製したポリマー、ポ
リ(4−CPK−FBP)を次のようにクロロメチル化
した。塩化アセチル(38.8グラム)をジメトキシメ
タン(45ミリリットル)及びメタノール(1.25ミ
リリットル)の混合物へ添加することによってクロロメ
チルメチルエーテルの酢酸メチル溶液(6mmol/ミリリ
ットル)を製造した。この溶液を100ミリリットルの
1、1、2、2−テトラクロロエタンで希釈し、次に、
四塩化スズ(0.5ミリリットル)を50ミリリットル
の1、1、2、2−テトラクロロエタン中で添加した。
100℃に設定したオイルバスを用いて混合物を還流し
た後、125ミリリットルの1、1、2、2−テトラク
ロロエタン中のポリ(4−CPK−FBP)(10グラ
ム)の溶液を添加した。反応温度を100℃で1時間維
持し、次に、5ミリリットルのメタノールを添加して反
応を停止させた。反応溶液をワーリングブレンダを用い
て1ガロンのメタノールへ添加し、生成物、クロロメチ
ル化ポリ(4−CPK−FBP)を沈澱させ、このポリ
マーを濾過により捕集し、真空乾燥させた。ポリマーの
繰返し単位当たり1.5個のクロロメチル基を有するポ
リ(4−CPK−FBP)9.5グラムが得られた。反
応を110℃(オイルバス設定温度)で行った場合、ポ
リマーは80分以内にゲル化した。ポリマーは次の構造
を有していた。
【0285】
【化102】
【0286】実施例XXXVII N、N−ジメチルアセトアミド20ミリリットル中の、
繰返し単位当たり1.5個のクロロメチル基を有するポ
リ(4−CPK−FBP)(1グラム、実施例XXXV
Iで記載したように調製する)をアクリル酸ナトリウム
と共に、25℃で112時間磁気的に攪拌した。溶液を
ワーリングブレンダを用いてメタノールへ添加してポリ
マーを沈澱させ、このポリマーを濾過及び真空乾燥させ
た。約50パーセントのクロロメチル基がアクリロイル
基で置換された。生成物は次の式で表された。
【0287】
【化103】
【0288】実施例XXXVIII 次式(ここで、nはモノマー繰返し単位の数を示す)の
ポリマーを以下のように調製した。
【0289】
【化104】
【0290】ディーン−スターク(バレット)トラッ
プ、冷却器、メカニカルスターラ、アルゴン注入口、及
び栓が備えつけられた1リットルの三つ口丸底フラスコ
をシリコーンオイルバス中に配置した。4、4′−ジフ
ルオロベンゾフェノン(アルドリッチケミカル社、ミル
ウォーキー、ウィスコンシン州、16.59グラム)、
ビスフェノールA(アルドリッチ、14.18グラム、
0.065モル)、炭酸カリウム(21.6グラム)、
無水N、N−ジメチルアセトアミド(100ミリリット
ル)及びトルエン(30ミリリットル)をフラスコに添
加して175℃(オイルバス温度)に加熱し、揮発性ト
ルエン成分を捕集及び除去した。連続的に攪拌しながら
175℃で4時間加熱した後、反応混合物を25℃に冷
却した。凝固した塊を酢酸(酢)で処理し、塩化メチレ
ンで抽出し、濾過し、メタノールへ添加してポリマーを
沈澱させ、このポリマーを濾過により捕集し、水洗し、
次にメタノールで洗浄した。真空乾燥した生成物ポリ
(4−FPK−BPA)の収量は12.22グラムであ
った。ポリマーをゲル浸透クロマトグラフィ(GPC)
(溶離溶媒はテトラヒドロフラン)により分析し、次の
結果を得た:Mn 5158、Mpeak15080、Mw
7260及びMz+1 39287。より低い分子量を得る
には、反応を化学量論では15モル%差し引いて繰り返
すことができる。
【0291】実施例XXXIX N、N−ジメチルアセトアミド(71ミリリットル)中
の55000の重量平均分子量を有するポリ(塩化ビニ
ルベンジル)(サイエンティフィックポリマープロダク
ツ、オンタリオ、ニューヨーク州から得られる、10グ
ラム)及びアクリル酸ナトリウム(5.71グラム)を
250ミリリットルの黄褐色びんの中で磁気的に攪拌し
た。時間に対する置換量を 1H−NMR分光測定法を用
いて測定し、以下の結果を得た(アクリル酸ビニルベン
ジル基を形成するための塩化ビニルベンジル基の置換パ
ーセントが括弧内に与えられる):2日(13%)、6
日(36%)、7日(40%)、8日(43%)、9日
(47%)、10日(51%)、14日(60%)、1
6日(65%)、17日(67%)及び21日(71.
2%)。ホトレジストの用途に最適なアクリル酸エステ
ル基の量は約0.8乃至約2ミリ当量/グラムである
が、これらの範囲外の量も使用することができる。最適
な重量平均分子量は、この実施例で使用される5500
0よりも低いことが予想され、好ましくは約20000
である。多分散度(Mw /Mn )はできるだけ1に近い
ことが好ましい。30ミクロンの厚膜は、600dpi
解像度でパターン形成された。
【0292】実施例XL 次式の4′−メチルベンゾイル−2、4−ジクロロベン
ゼンを以下のように調製した。
【0293】
【化105】
【0294】メカニカルスターラ、アルゴン注入口、デ
ィーンスタークトラップ、冷却器及び栓を備え、オイル
バス中に配置された2リットルのフラスコへ、トルエン
(152グラム)を添加した。オイルバス温度を130
℃まで上げ、12.5グラムのトルエンが除去された。
水の徴候はなかった。フラスコをオイルバスから取り出
し、25℃に冷却した。塩化2、4−ジクロロベンゾイ
ル(0.683モル、143グラム)を添加して溶液を
形成した。その後、無水塩化アルミニウム(0.817
5モル、109グラム)を15分かけて少しずつ添加
し、塩酸ガスが激しく発生した(臭気で確認)。溶液は
オレンジ−黄色になり、次に赤色になった。反応系をア
ルゴン下で16時間攪拌し、溶媒を除去して固体の塊を
得た。塊を塩化メチレン(1リットル)で抽出し、次に
炭酸カリウムで乾燥させ、濾過した。濾液をロータリー
エバポレータ及び真空ポンプを用いて濃縮し、オイルを
得た。オイルは冷えて、固体の結晶塊になった。−15
℃におけるメタノール(1リットル)からの再結晶によ
り、第1群の82.3グラムの4′−メチルベンゾイル
−2、4−ジクロロベンゼン(融点55−56℃)と、
第2群の32グラムの生成物(メタノール500ミリリ
ットルから)と、第3群の16.2グラムの生成物とを
得た。全回収生成物は134.7グラムであり、収率6
5.6%であった。
【0295】実施例XLI 次式のベンゾイル−2、4−ジクロロベンゼンを以下の
ように調製した。
【0296】
【化106】
【0297】メカニカルスターラ、アルゴン注入口、デ
ィーンスタークトラップ、冷却器及び栓を備え、オイル
バス中に配置された2リットルのフラスコへ、ベンゼン
(200グラム)を添加した。オイルバス温度を100
℃まで上げ、19グラムのベンゼンが除去された。水の
徴候はなかった。フラスコをオイルバスから取り出し、
25℃に冷却した。塩化2、4−ジクロロベンゾイル
(0.683モル、143グラム)を添加して溶液を形
成した。その後、無水塩化アルミニウム(0.8175
モル、109グラム)を15分かけて少しずつ添加し、
ガスが激しく発生した。多量の塩酸が発生した(臭気で
確認)。溶液はオレンジ−黄色になり、次に赤色になっ
た。反応系をアルゴン下で16時間攪拌し、次に2リッ
トルビーカー中で1リットルの氷水へ添加した。混合物
を、白色になるまで攪拌し、次に塩化メチレン(1リッ
トル)で抽出した。塩化メチレン層を炭酸水素ナトリウ
ムで乾燥させ、濾過した。濾液をロータリーエバポレー
タ及び真空ポンプを用いて濃縮し、オイルを得た。オイ
ルは冷えて、固体の結晶塊(154.8グラム)になっ
た。メタノールからの再結晶により、第1群に133.
8グラムのベンゾイル−2、4−ジクロロベンゼンを白
色の針状結晶として得た(融点41−43℃)。
【0298】実施例XLII 塩化2、5−ジクロロベンゾイルを次のように調製し
た。氷浴中に配置され、アルゴン注入口、冷却器及びメ
カニカルスターラを備えた2リットルの三つ口丸底フラ
スコへ、400ミリリットルのジクロロメタン中の2、
5−ジクロロ安息香酸(93.1グラム)を添加し、ス
ラリーを形成した。次に、68グラムのジクロロメタン
中の塩化チオニル(85グラム)を添加し、混合物を2
5℃で攪拌した。次に、混合物を徐々に加熱し、16時
間還流を維持した。次に、塩化チオニルを80℃より高
温に加熱しながら、クライゼン蒸留取り出しヘッドを用
いて除去した。反応残渣を500ミリリットルの一つ口
丸底フラスコへ移した後、0.1乃至0.3mmHg及
び70乃至100℃で、クゲルロア(Kugelrohr )装置
及び真空ポンプを用いて蒸留し、氷浴冷却でトラップさ
れた82.1グラムの塩化2、5−ジクロロベンゾイル
を黄色−白色固体として得た。
【0299】実施例XLIII 次式のベンゾイル−2、5−ジクロロベンゼンを以下の
ように調製した。
【0300】
【化107】
【0301】メカニカルスターラ、アルゴン注入口、デ
ィーンスタークトラップ、冷却器及び栓を備え、オイル
バス中に配置された2リットルのフラスコへ、ベンゼン
(140グラム)を添加した。オイルバス温度を100
℃まで上げ、19グラムのベンゼンが除去された。水の
徴候はなかった。フラスコをオイルバスから取り出し、
25℃に冷却した。実施例XLIIで記載したように調製
した塩化2、5−ジクロロベンゾイル(92.6グラ
ム)を添加して溶液を形成した。その後、無水塩化アル
ミニウム(0.8175モル、109グラム)を15分
かけて少しずつ慎重に添加し、ガスが激しく発生した。
多量の塩酸が発生した(臭気で確認)。溶液はオレンジ
−黄色になり、次に赤色になった。反応系をアルゴン下
で16時間攪拌し、次に2リットルビーカー中で1リッ
トルの氷水へ添加した。混合物を、白色になるまで攪拌
し、次に塩化メチレン(1リットル)で抽出した。塩化
メチレン層を炭酸水素ナトリウム上で乾燥させ、濾過し
た。濾液をロータリーエバポレータ及び真空ポンプを用
いて濃縮し、結晶(103.2グラム)を得た。メタノ
ールからの再結晶により、ベンゾイル−2、5−ジクロ
ロベンゼンを白色の針状結晶として得た(融点85−8
7℃)。
【0302】実施例XLIV 次式の4′−メチルベンゾイル−2、5−ジクロロベン
ゼンを以下のように調製した。
【0303】
【化108】
【0304】メカニカルスターラ、アルゴン注入口、デ
ィーンスタークトラップ、冷却器及び栓を備え、オイル
バス中に配置された2リットルのフラスコへ、トルエン
(200グラム)を添加した。その後、無水塩化アルミ
ニウム(64グラム)を15分かけて少しずつ慎重に添
加し、ガスが激しく発生した。多量の塩酸が発生した
(臭気で確認)。溶液はオレンジ−黄色になり、次に赤
色になった。反応系をアルゴン下で16時間攪拌し、次
に2リットルビーカー中で1リットルの氷水へ添加し
た。混合物を、白色になるまで攪拌し、次に塩化メチレ
ン(1リットル)で抽出した。塩化メチレン層を炭酸水
素ナトリウム上で乾燥させ、濾過した。濾液をロータリ
ーエバポレータ及び真空ポンプを用いて濃縮し、結晶を
得た。メタノールからの再結晶により、37.6グラム
の4′−メチルベンゾイル−2、5−ジクロロベンゼン
を淡黄色の針状結晶として得た(融点107−108
℃)。
【0305】実施例XLV 次式(ここで、nはモノマー繰返し単位の数を示す)の
ポリマーを以下のように調製した。
【0306】
【化109】
【0307】ディーン−スターク(バレット)トラッ
プ、冷却器、メカニカルスターラ、アルゴン注入口、及
び栓が備えつけられた250ミリリットルの三つ口丸底
フラスコをシリコーンオイルバス中に配置した。4′−
メチルベンゾイル−2、4−ジクロロベンゼン(0.0
325モル、8.6125グラム、実施例XLで記載し
たように調製する)、ビスフェノールA(アルドリッチ
23965−8、0.035モル、7.99グラム)、
炭酸カリウム(10.7グラム)、無水N、N−ジメチ
ルアセトアミド(60ミリリットル)及びトルエン(6
0ミリリットル、49.1グラム)をフラスコに添加し
て175℃(オイルバス温度)に加熱し、揮発性トルエ
ン成分を捕集及び除去した。連続的に攪拌しながら17
5℃で24時間加熱した後、反応生成物を濾過し、濾液
をメタノールへ添加してポリマーを沈澱させた。湿った
ポリマーケーキを濾過により分離し、水で洗浄し、次に
メタノールで洗浄した後、真空乾燥させた。ポリマー
(7.70グラム、収率48%)をゲル浸透クロマトグ
ラフィ(GPC)(溶離溶媒はテトラヒドロフラン)に
より分析し、次の結果を得た:Mn 1898、Mpeak
154、Mw 2470、Mz 3220及びMz+1 409
5。
【0308】実施例XLVI 次式のポリマー(nはモノマー繰返し単位の数を示す)
を4′−メチルベンゾイル−2、4−ジクロロベンゼン
出発物質の代わりに実施例XLIで記載したように調製
した8.16グラム(0.0325モル)のベンゾイル
−2、4−ジクロロベンゼンを使用し、オイルバスを1
70℃で24時間加熱した点を除いて、実施例XLVの
方法を繰り返して調製した。
【0309】
【化110】
【0310】実施例XLVII アクリロイルメチル側基を有するポリマーを以下のよう
に調製した。実施例XLVで記載したように調製したポ
リマー(5グラム)の1、1、2、2−テトラクロロエ
タン(50ミリリットル、80.95グラム)溶液、パ
ラホルムアルデヒド(2.5グラム)、p−トルエンス
ルホン酸一水和物(0.5グラム)、アクリル酸(7.
9グラム)、及び破砕された4−メトキシフェノール
(MEHQ、0.2グラム)を、マグネティックスター
ラを備えた6.5液量オンスの飲料ボトルに装入した。
ボトルにゴム隔壁で栓をし、次に、このボトルを針状の
差し込みを用いてアルゴン下で、シリコーンオイルバス
中で105℃に加熱した。アルゴンの針状の差し込みを
オイルバスが90℃に達したときに除去した。105℃
での加熱を絶えず磁気的に攪拌しながら1.5時間継続
した。次に、更にMEHQ(0.2グラム)をテトラク
ロロエタン1ミリリットルに溶かした溶液をシリンジに
より添加し、105℃での加熱を攪拌しながらさらに
1.5時間継続した。反応混合物は始めは濁った懸濁液
であったが、加熱により透明になった。反応容器の冷え
た表面でのパラホルムアルデヒドの凝縮を防止するため
に、反応容器を熱いオイルバス中にできるだけ浸した。
次に反応混合物を25℃に戻し、25乃至50ミクロン
の焼結ガラスブフナー漏斗により濾過した。反応溶液を
メタノール(1ガロン)へ添加し、4つの繰返し単位毎
にアクリロイルメチル基を有するポリマーを沈澱させ
た。
【0311】次に、アクリロイルメチル化ポリマーを塩
化メチレンに溶解し、メタノール(1ガロン)中に再沈
澱させて、5グラムのふわふわした白色固体を得た。ポ
リマーは塩素化溶媒及び極性の非プロトン性溶媒に可溶
性であるが、アセトン及びアルコールには不溶性であっ
た。ポリマー膜を、260℃になるまで、0.2℃/分
で熱昇温硬化した後、膜を25℃に冷却する前に260
℃で3時間維持した。
【0312】過剰の塩化メチレンを揮発性希釈剤として
使用して(後で除去した)、固形分50重量パーセント
のN−メチルピロリジノン溶液を調製して光活性組成物
を製造した。ミヒラーのケトンを、樹脂固体の0.5乃
至1重量パーセントで配合物へ添加した。溶液を濾過
し、塩化メチレンをロータリーエバポレータを用いて除
去した。固形分約37重量パーセントの溶液を、予めシ
ラン接着促進剤で処理され且つ70℃で10分間加熱し
たシリコンウエハ上に、乾燥したポリマー膜をキャスト
するために使用した。湿った膜を、紫外光で露光する前
に、80℃で20分間乾燥させた。理想的な露光条件は
約2500ミリジュール/cm2 であった。露光後、N
−メチルピロリジノン、シクロヘキサノン及びメタノー
ルで現像する前に、膜を80℃まで5分間加熱した。1
0ミクロンのスピンコート膜は300dpiの解像度で
パターン形成された。
【0313】実施例XLVIII 実施例XLVIIの方法を、実施例XLVIで記載したよ
うに調製したポリマーを使用した点を除いて繰り返し
た。同様の結果が得られた。
【0314】実施例XLIX 次式(ここで、nは約9である)のポリマー(以下、ポ
リ(4−CPK−BPA)と称す)を以下のように調製
した。
【0315】
【化111】
【0316】ディーン−スターク(バレット)トラッ
プ、冷却器、メカニカルスターラ、アルゴン注入口、及
び栓が備えつけられた500ミリリットルの三つ口丸底
フラスコをシリコーンオイルバス中に配置した。4、
4′−ジクロロベンゾフェノン(アルドリッチ1137
0、アルドリッチケミカル社、ミルウォーキー、ウィス
コンシン州、16.32グラム、0.065モル)、ビ
スフェノールA(アルドリッチ23965−8、15.
98グラム、0.07モル)、炭酸カリウム(21.4
1グラム)、無水N、N−ジメチルアセトアミド(10
0ミリリットル)及びトルエン(100ミリリットル)
をフラスコに添加して175℃(オイルバス温度)に加
熱し、揮発性トルエン成分を捕集及び除去した。連続的
に攪拌しながら175℃で24時間加熱した後、反応混
合物を濾過し、メタノールへ添加してポリマーを沈澱さ
せ、このポリマーを濾過により捕集し、水洗し、次にメ
タノールで洗浄した。真空乾燥した生成物ポリ(4−C
PK−BPA)は10.34グラムであり、ゲル浸透ク
ロマトグラフィ(GPC)(溶離溶媒はテトラヒドロフ
ラン)により分析し、次の結果を得た:Mn 4464、
peak7580、Mw 7930、Mz 12300及びM
z+1 16980。ポリマーのガラス転移温度は155℃
であった(20℃/分の加熱速度で示差走査熱量測定を
用いて決定)。塩化メチレンからの溶液キャスト膜は、
透明、強靱且つ柔軟であった。反応で使用された化学量
論の結果、このポリマーはビスフェノールAから誘導さ
れる末端基を有するものと考えられる。
【0317】こうして調製したポリ(4−CPK−BP
A)(10グラム)の、50%モル過剰のトリエチルア
ミン(水素化ナトリウム上で蒸留された)を含むクロロ
ホルム(90ミリリットル、水で抽出し、ドライエライ
ト上で乾燥させ、濾過し、ドライエライトから新たに蒸
留した)溶液に、塩化4−エチニルベンゾイル(50モ
ル%過剰)のクロロホルム(10ミリリットル)溶液を
アルゴン下で攪拌しながら添加した。3時間後、ポリマ
ーをワーリングブレンダを用いてメタノールへ添加し、
エチニル末端ポリ(4−CPK−BPA)を沈澱させ
た。このポリマーを濾過により捕集して、真空乾燥させ
た。このポリマーは次の式(ここで、nは約9である)
で表されると考えられた。
【0318】
【化112】
【0319】その後、こうして調製したエチニル末端ポ
リ(4−CPK−BPA)(10グラム)の1、1、
2、2−テトラクロロエタン(100ミリリットル、1
61.9グラム)溶液、パラホルムアルデヒド(5グラ
ム)、p−トルエンスルホン酸一水和物(1グラム)、
アクリル酸(15.8グラム)、及び破砕された4−メ
トキシフェノール(MEHQ、0.2グラム)を、マグ
ネティックスターラが備えつけられた6.5液量オンス
の飲料ボトルに装入した。ボトルにゴム隔壁で栓をし、
次に、このボトルを針状の差し込みを用いてアルゴン下
で、シリコーンオイルバス中で105℃に加熱した。ア
ルゴンの針状の差し込みをオイルバスが90℃に達した
ときに除去した。105℃での加熱を、絶えず磁気的に
攪拌しながら1.5時間継続した。次に、更にMEHQ
(0.2グラム)を1、1、2、2−テトラクロロエタ
ン1ミリリットルに溶かした溶液をシリンジにより添加
し、105℃での加熱を攪拌しながらさらに1.5時間
継続した。反応混合物は始めは濁った懸濁液であった
が、加熱により透明になった。反応容器の冷えた表面で
のパラホルムアルデヒドの凝縮を防止するために、反応
容器を熱いオイルバス中にできるだけ浸した。次に反応
混合物を25℃に戻し、25乃至50ミクロンの焼結ガ
ラスブフナー漏斗により濾過した。反応溶液をメタノー
ル(1ガロン)へ添加し、次式(ここでnは約9であ
る)のポリ(アクリロイルメチル−4−CPK−BP
A)に示されるポリマーを沈澱させた。
【0320】
【化113】
【0321】1H−NMR分光測定法を用いて、4つの
モノマー(4−CPK−BPA)繰返し単位毎に約1個
のアクリロイルメチル基(即ち、0.25のアクリロイ
ル化度)を同定した。次に、ポリ(アクリロイルメチル
−4−CPK−BPA)を塩化メチレンに溶解し、メタ
ノール(1ガロン)中へ再沈澱させ、10グラムのふわ
ふわした白色固体を得た。ポリマーは塩素化溶媒及び極
性の非プロトン性溶媒に可溶性であるが、アセトン及び
アルコールには不溶性であった。ポリマー膜を、260
℃になるまで、0.2℃/分で熱昇温硬化した後、膜を
25℃に冷却する前に260℃で3時間維持した。
【0322】過剰の塩化メチレンを揮発性希釈剤として
使用して(後で除去した)、固形分50重量パーセント
のN−メチルピロリジノン溶液を調製して光活性組成物
を製造した。ミヒラーのケトンは、樹脂固体の0.5乃
至1重量パーセントで配合物へ添加した。溶液を濾過
し、塩化メチレンをロータリーエバポレータを用いて除
去した。固形分約37重量パーセントの溶液を、予めシ
ラン接着促進剤で処理し且つ70℃で10分間加熱した
シリコンウエハ上に乾燥したポリマー膜をキャストする
ために使用し、湿った膜を、紫外光で露光する前に、8
0℃で20分間乾燥させた。理想的な露光条件は約25
00ミリジュール/cm2 であった。露光の後、N−メ
チルピロリジノン、シクロヘキサン及びメタノールで現
像する0に、膜を5分間80℃に加熱した。次に、膜を
300℃まで加熱することによって熱硬化を行った。1
0ミクロンのスピンコート膜は300dpiの解像度で
パターン形成された。
【0323】実施例L W.H.ディリーらにより「Polymer Preprints, 20(1), 83
5(1979) 」に記載されたように、未置換ポリマーを四塩
化スズ及び1−クロロメトキシ−4−クロロブタンと反
応させることによってクロロメチル化フェノキシ樹脂、
ポリエーテルスルホン、及びポリフェニレンオキシドを
調製する。また、ポリエーテルスルホン及びポリフェニ
レンオキシドのクロロメチル化を、V.パーセクらにより
「Makromol. Chem., 185, 2319 (1984) 」に記載された
ように、達成することもできる。
【0324】次に、アクリロイル化ポリマーを以下のよ
うに調製する。
【0325】
【化114】
【0326】
【化115】
【0327】所望のアクリロイル化度に応じて3乃至2
0日間、N、N−ジメチルアセトアミド(71ミリリッ
トル)中のクロロメチル化ポリマー(10グラム)をア
クリル酸のナトリウム塩(5.14グラム)と反応させ
ることによってクロロメチル化ポリマーをアクリロイル
化する。反応時間が長くなると、結果的に、アクリル酸
エステルの官能性が増大する。
【0328】実施例LI フェノール末端基を有する次式のポリマー(以下、ポリ
(4−CPK−BPA)と称す、nは約9である)を実
施例XLIXで記載したように調製する。
【0329】
【化116】
【0330】還流冷却器を備えたフラスコ中に、0.2
モルのフェノール末端ポリ(4−CPK−BPA)、
0.23モルの臭化アリル、0.20モルの炭酸カリウ
ム、及び200ミリリットルのN、N−ジメチルアセト
アミドを入れる。反応混合物を60℃で16時間加熱
し、冷却して、濾過する。濾液をメタノールへ添加し、
ポリマー、アリルエーテル末端基を有するポリ(4−C
PK−BPA)を沈澱させる。
【0331】実施例LII 200グラムの塩化メチレン中の実施例LIで記載した
ように調製したアリル末端ポリマー(10グラム)に、
25グラムの塩化メチレン中のm−クロロペルオキシ安
息香酸(2当量)を15分かけて滴加する。反応溶液を
16時間磁気的に攪拌し、次に炭酸水素ナトリウムの5
%水溶液へ添加する。塩化メチレン層をロータリーエバ
ポレータを用いて除去し、凝固したポリマーを塩化メチ
レンに溶解し、メタノール中へ再沈澱させ、濾過及び真
空乾燥させて、8グラムのエポキシ末端ポリ(4−CP
K−BPA)を得る。
【0332】実施例LIII 数平均分子量が2800のヒドロキシ末端ポリエーテル
スルホンを、V.パーセク及びB.C.オーマンの「Makromo
l. Chem., 185, 617 (1984)」に記載された手順に従っ
て製造する。このポリマーを、V.パーセク及びB.C.オー
マンの「Makromol. Chem., 185, 2319 (1984) 」に記載
されたようにクロロメチル化する。N、N−ジメチルア
セトアミド71ミリリットル中の、繰返し単位当たり
1.5個のクロロメチル基を有するポリエーテルスルホ
ン(10グラム)を、アクリル酸ナトリウム(5.74
グラム)と共に、25℃で112時間磁気的に攪拌す
る。混合物を遠心分離し、上澄みをワーリングブレンダ
を用いてメタノールへ添加して、ポリマーを沈澱させ、
このポリマーを濾過及び真空乾燥させる。約50%のク
ロロメチル基がアクリロイル基で置換された。生成物は
次の式で表される。
【0333】
【化117】
【0334】このポリマーは、ミヒラーのケトン約0.
5重量パーセント及びベンゾフェノン3重量パーセント
と共に固形分40重量パーセントで配合する場合、サー
マルインクジェットヘッドを調製するのに適切なホトレ
ジストである。ホスホシリケートガラス層を有するヒー
タウェハを、3000回転/分で10秒間、Z6020
接着促進剤溶液(メタノール(95部)及び水(5部)
中に0.01重量パーセント、ダウコーニングから入手
可能)でスピンコーティングし、100℃で2乃至10
分間乾燥させる。次に、1000乃至3000回転/分
で30乃至60秒間、ポリマーホトレジストでウェハ上
をスピンコーティングする前に、ウェハを25℃で5分
以上冷却する。ホトレジスト溶液は、繰返し単位当たり
0.75個のアクリロイル基及び0.75個のクロロメ
チル基を有し、重量平均分子量が25000のポリアリ
ーレンエーテルスルホンを、ミヒラーのケトン(固形分
40重量パーセント溶液の10部毎に1.2部)と共
に、固形分40重量パーセントでN−メチルピロリジノ
ンに溶解することによって製造される。膜を70℃で1
0乃至15分間オーブン中で加熱(ソフトベーキング)
する。5分かけて25℃まで冷却した後、膜をマスクで
覆い、150及び1500ミリジュール/cm 2 の間に
達するまで365ナノメートルの紫外光で露光する。次
に露光したウェハを2分間の後露光ベークのために70
℃で加熱した後、5分かけて25℃まで冷却する。膜を
6:4のクロロホルム/シクロヘキサノン現像剤で現像
し、9:1のヘキサン/シクロヘキサノンで洗浄し、次
に70℃で2分間乾燥させる。清浄な外観のウェハを得
るために必要であれば第2の現像/洗浄サイクルを行
う。処理したウェハを25℃のオーブンへ移し、オーブ
ン温度を2℃/分で25から90℃まで上げる。温度を
90℃で2時間維持し、次に2℃/分で260℃まで上
げる。オーブン温度を260℃で2時間維持し、次にオ
ーブンのスイッチを切って、温度を徐々に25℃まで冷
却する。ホトレジスト膜の熱硬化をアルゴン又は窒素等
の不活性雰囲気中で行う場合、現像膜の酸化は著しく低
減され、得られる装置の熱及び加水分解安定性が改良さ
れる。更に、下部基板への接着が改良される。第2層を
上面にスピンコーティングする前に、第1現像層の熱硬
化を80及び260℃の間で停止してもよい。第2のよ
り厚い層を上記手順を再び繰り返すことにより付着させ
る。この方法は、膜厚及びホトレジストの分子量によっ
て手順は特定の条件から外れ得るという点で指針であ
る。30ミクロンの膜は300dpiで清浄な外観を有
して現像可能である。
【0335】実施例LIV 数平均分子量が2800のポリ(4−CPK−BPA)
を以下のように製造する。ディーン−スターク(バレッ
ト)トラップ、冷却器、メカニカルスターラ、アルゴン
注入口、及び栓が備えつけられた5リットルの三つ口丸
底フラスコをシリコーンオイルバス中に配置する。4、
4′−ジクロロベンゾフェノン(アルドリッチ1137
0、アルドリッチケミカル社、ミルウォーキー、ウィス
コンシン州、250グラム)、ビスフェノールA(アル
ドリッチ23965−8、244.8グラム)、炭酸カ
リウム(327.8グラム)、無水N、N−ジメチルア
セトアミド(1500ミリリットル)及びトルエン(2
75ミリリットル)をフラスコに添加して175℃(オ
イルバス温度)に加熱し、揮発性トルエン成分を捕集及
び除去する。連続的に攪拌しながら175℃で30時間
加熱した後、反応混合物を濾過して不溶性の塩を除去
し、得られた溶液をメタノール(5ガロン)へ添加して
ポリマーを沈澱させる。ポリマーを濾過により分離し、
湿ったフィルタケーキを水(3ガロン)で洗浄し、次に
メタノール(3ガロン)で洗浄する。真空乾燥したポリ
マーの収量は約360グラムである。ポリマーの分子量
をゲル浸透クロマトグラフィ(GPC)(溶離溶媒はテ
トラヒドロフラン)により決定する場合、次の結果が得
られるであろうと考えられる:Mn 2800、Mpeak
800、Mw 6500、Mz 12000及びMz+1 17
700。反応で使用される化学量論の結果、このポリマ
ーはビスフェノールAから誘導される末端基を有するも
のと考えられる。
【0336】次に、ポリマーを次のようにクロロメチル
化する。メカニカルスターラ、アルゴン注入口、還流冷
却器、及び添加漏斗を装備した5リットルの3つ口丸底
フラスコ中で、282.68グラム(256ミリリット
ル)の塩化アセチルをジメトキシメタン(313.6グ
ラム、366.8ミリリットル)及びメタノール(10
ミリリットル)の混合物へ添加することによってクロロ
メチルエーテルの酢酸メチル溶液を製造する。この溶液
を1066.8ミリリットルの1、1、2、2−テトラ
クロロエタンで希釈し、次に、添加漏斗を用いて1、
1、2、2−テトラクロロエタン(133.2ミリリッ
トル)を添加すると共に、四塩化スズ(2.4ミリリッ
トル)を耐ガス構造のシリンジによって添加する。反応
溶液を50℃に加熱し、ポリ(4−CPK−BPA)
(160.8グラム)の1、1、2、2−テトラクロロ
エタン(1000ミリリットル)溶液をすばやく添加す
る。次に反応混合物を110℃に設定したオイルバスで
加熱還流する。連続的に攪拌しながら4時間還流した
後、加熱を停止し、混合物を25℃まで冷却する。反応
混合物を2リットルの丸底フラスコへ段階的に移し、5
0℃までの緩やかな加熱で、液体窒素でトラップされた
真空ポンプで減圧を維持しながら、ロータリーエバポレ
ータを用いて濃縮する。濃縮物をメタノール(6ガロ
ン)へ添加し、ワーリングブレンダを用いてポリマーを
沈澱させる。ポリマーを濾過により分離し、真空乾燥さ
せて、繰返し単位当たり1.5個のクロロメチル基を有
する200グラムのポリ(4−CPK−BPA)を得
る。塩化メチレン(500グラム)に溶解したポリマー
(75グラム)をメタノール(3ガロン)中で再沈澱さ
せた後、濾過及び真空乾燥することによって、70.5
グラム(収率99.6%)の無溶媒ポリマーが得られ
た。ジオキサン80ミリリットル中のクロロメチル化ポ
リ(4−CPK−BPA)(192mmolのクロロメチル
基)の溶液へ、12グラム(46mmol)のトリフェニル
ホスフィンを添加する。機械的に攪拌しながら15時間
還流し、25℃まで冷却した後、ポリマーは凝固した。
混合物をワーリングブレンダを用いてジエチルエーテル
で抽出する。黄色の生成物を濾過し、ジエチルエーテル
で数回洗浄し、真空乾燥させる。クロロメチル化ポリ
(4−CPK−BPA)の塩化トリフェニルホスホニウ
ム塩(14mmolのホスホニウム基)の200ミリリット
ルメタノール溶液へ、2ミリリットルのトリトン(Trit
on)B(40重量パーセント水溶液)及び11.5ミリ
リットル(140mmol)のホルムアルデヒド(37重量
パーセント水溶液)を添加する。攪拌した反応混合物
を、50重量パーセント水酸化ナトリウム水溶液36ミ
リリットルでゆっくりと処理する。水酸化ナトリウム溶
液の第1滴を添加すると沈澱が現れ始める。25℃で1
0時間反応後、沈澱物を濾過及び真空乾燥させる。分離
したポリマーを塩化メチレンに溶解し、水で数回洗浄し
た後、メタノールで沈澱させた。あるいは、氷水温度に
おける40ミリリットルの塩化メチレン中のクロロメチ
ル化ポリ(4−CPK−BPA)の1.8mmolのホスホ
ニウム基の塩化トリフェニルホスホニウム塩溶液へ、
1.6ミリリットル(19.5mmol)のホルムアルデヒ
ド(37重量パーセント水溶液)及び0.4ミリリット
ルのトリトンB(40重量パーセント水溶液)を添加す
る。攪拌した反応混合物を50重量パーセント水酸化ナ
トリウム水溶液5ミリリットル(62.5mmol)でゆっ
くりと処理する。全ての水酸化物溶液を添加した後、反
応混合物を25℃で反応させる。7時間の反応後、有機
層を分離し、希塩酸で洗浄し、次に水洗した後、クロロ
ホルムからメタノール中へ沈澱させる。ポリマーは次の
構造を有する。
【0337】
【化118】
【0338】ポリマーをm−クロロペルオキシ安息香酸
で更に処理して、次式のエポキシ化生成物を形成するこ
とができる。
【0339】
【化119】
【0340】実施例LV 30ミリリットルの塩化メチレン中のペンダントビニル
基を有するポリ(4−CPK−BPA)(実施例LIV
で記載したように調製する、12.5mmolのビニル基)
溶液を氷水浴中で冷却し、臭素の二重結合への付加及び
エチレン基の1、2−ブロモエチル基への転換を示すオ
レンジ色が持続するまで、臭素で滴定する。25℃で3
0分攪拌した後、ポリマーをメタノールで沈澱させ、濾
過及び真空乾燥させる。25℃の30ミリリットルの塩
化メチレン及び10ミリリットルの50重量パーセント
水酸化ナトリウム水溶液中の、激しく攪拌した3mmolの
1、2−ブロモエチル基の1、2−ジブロモエチル化ポ
リ(4−CPK−BPA)混合物へ、3グラム(9mmo
l)の水酸化テトラブチルアンモニウムを添加する。N
aBr及びH2 Oの発生並びに1、2−ブロモエチル基
のエチニル基への転換を示す発熱反応が起こる。25℃
で1.5時間攪拌した後、有機部分を水、希塩酸、水、
メタノールで洗浄する。白色のポリ(4−CPK−BP
A)を塩化メチレンからメタノール中へ沈澱させる。あ
るいは、25℃で攪拌した溶液、20ミリリットルのD
MSO中の3mmolの1、2−ジブロモエチル基のブロモ
エチル化ポリ(4−CPK−BPA)溶液へ、5ミリリ
ットルのジメチルスルホキシド中の1.4グラム(12
mmol)のカリウムt−ブトキシドを添加する。反応混合
物を25℃で1時間攪拌し、その後メタノール中へ沈澱
させ、濾過及び真空乾燥させる。このポリマーの可溶性
部分を塩化メチレン又はクロロホルムで抽出し、メタノ
ール中へ沈澱させる。生成物は次の式で表される。
【0341】
【化120】
【0342】また、以下の式で表されるポリマーも上記
に記載された手順によって製造することができる。
【0343】
【化121】
【0344】それぞれの実施例において、ポリマーをま
ずエチニル又はビニル基で置換し、次に不飽和エステル
基で置換する。ハロアルキル化ポリマーをトリフェニル
ホスフィンと反応させてトリフェニルホスホニウム置換
ポリマーを発生させた後、塩基の存在下でトリフェニル
ホスホニウム置換ポリマーをホルムアルデヒドと反応さ
せてビニル置換ポリマーを発生させることによって、ポ
リマーをビニル基で置換できる。エチニル及びビニル末
端ポリ(4−CPK−BPA)は、V.パーセク及びB.C.
オーマンの「Makromol. Chem.,185, 1867 (1984)」に記
載された手順で、ヒドロキシ末端ポリエーテルスルホン
の代わりにポリ(4−CPK−BPA)を用いることに
よって製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】娘ボードに搭載され、液滴噴射ノズルを示す印
刷ヘッドの一例の拡大概要等角投影図である。
【図2】図1の2−2線に沿い、電極パッシベーショ
ン、及びマニホルドとインクチャネルとの間のインク流
路を示す拡大断面図である。
【図3】図1の2−2線に沿うような、印刷ヘッドの他
の実施の形態の拡大断面図である。
【符号の説明】 10 印刷ヘッド 18 厚膜絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ティモシー ジェイ.フラー アメリカ合衆国 14534−4023 ニューヨ ーク州 ピッツフォード レイルロード ミルズ ロード 67 (72)発明者 トーマス ダブリュー.スミス アメリカ合衆国 14526 ニューヨーク州 ペンフィールド ヒドゥン メドウ 22 (72)発明者 デイビッド ジェイ.ルカ アメリカ合衆国 14609 ニューヨーク州 ロチェスター ノース ウィントン ロ ード 983 (72)発明者 ラルフ エー.モシャー アメリカ合衆国 14620 ニューヨーク州 ロチェスター ベルモント ストリート 124

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 化学線にさらされたときにポリマーの架
    橋又は鎖延長を可能にする感光性供与置換基を有する少
    なくともいくつかのモノマー繰返し単位を含むポリマー
    を含む組成物であって、前記ポリマーが以下の式で表さ
    れる組成物。 【化1】 式中、xは0又は1の整数であり、nはモノマー繰返し
    単位の数を示す整数であり、Aは以下の構造式又はこれ
    らの混合であり、 【化2】 Bは以下の構造式又はこれらの混合である。 【化3】 【化4】 【化5】 【化6】
  2. 【請求項2】 以下の式で表される架橋又は鎖延長され
    たポリマーを含む組成物であって、前記架橋又は鎖延長
    は、化学線にさらされたときにポリマーに架橋又は鎖延
    長を形成する、ポリマーの少なくともいくつかのモノマ
    ー繰返し単位上に含まれる感光性供与置換基によって生
    じる組成物。 【化7】 式中、xは0又は1の整数であり、nはモノマー繰返し
    単位の数を示す整数であり、Aは以下の構造式又はこれ
    らの混合であり、 【化8】 Bは以下の構造式又はこれらの混合である。 【化9】 【化10】 【化11】 【化12】
  3. 【請求項3】 (a)化学線にさらされたときにポリマ
    ーの架橋又は鎖延長を可能にする感光性供与置換基を有
    する少なくともいくつかのモノマー繰返し単位を含み且
    つ以下の式で表されるポリマーを提供するステップと、
    (b)前記感光性供与基によってポリマーを架橋又は鎖
    延長させるステップと、を含むポリマーの架橋又は鎖延
    長方法。 【化13】 式中、xは0又は1の整数であり、nはモノマー繰返し
    単位の数を示す整数であり、Aは以下の構造式又はこれ
    らの混合であり、 【化14】 Bは以下の構造式又はこれらの混合である。 【化15】 【化16】 【化17】 【化18】
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002040673A (ja) * 2000-07-24 2002-02-06 Jsr Corp 塗膜形成方法およびそれを用いた絶縁膜
US6716956B2 (en) 2002-01-09 2004-04-06 Xerox Corporation Process for preparing polyarylene ethers
EP2147947A1 (en) 2001-11-29 2010-01-27 Ube Industries, Ltd. Process for preparing an aromatic polyether sulfone blockcopolymer

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6124372A (en) * 1996-08-29 2000-09-26 Xerox Corporation High performance polymer compositions having photosensitivity-imparting substituents and thermal sensitivity-imparting substituents
US6179413B1 (en) * 1997-10-31 2001-01-30 Hewlett-Packard Company High durability polymide-containing printhead system and method for making the same
US6235353B1 (en) * 1998-02-24 2001-05-22 Alliedsignal Inc. Low dielectric constant films with high glass transition temperatures made by electron beam curing
US6273985B1 (en) 1998-06-26 2001-08-14 Xerox Corporation Bonding process
US6260956B1 (en) * 1998-07-23 2001-07-17 Xerox Corporation Thermal ink jet printhead and process for the preparation thereof
JP2000056474A (ja) * 1998-08-05 2000-02-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法
US6139920A (en) * 1998-12-21 2000-10-31 Xerox Corporation Photoresist compositions
US6409316B1 (en) * 2000-03-28 2002-06-25 Xerox Corporation Thermal ink jet printhead with crosslinked polymer layer
US6927273B2 (en) 2002-12-17 2005-08-09 Xerox Corporation Process for preparing substituted polyarylene ethers
US7652126B2 (en) * 2003-10-07 2010-01-26 General Electric Company Monomers and polymers comprising conjugated groups and methods for making thereof
US7067593B2 (en) 2003-11-14 2006-06-27 Lumera Corporation Poly(arylene ethers) with pendant crosslinkable groups, and devices incorporating same
US7101957B2 (en) * 2003-11-14 2006-09-05 Lumera Corporation Crosslinked compositions comprising a poly(arylene ether) and a nonlinear optical chromophore, and devices incorporating same
US7001678B2 (en) * 2003-11-14 2006-02-21 Lumera Corporation Crosslinked polymer blends that include a luminescent polymer, and devices incorporating same
US7008556B2 (en) * 2003-11-14 2006-03-07 Lumera Corporation Process for preparing crosslinked polymer blends that include a luminescent polymer
US7038004B2 (en) * 2003-11-14 2006-05-02 Lumera Corporation Process for preparing poly(arylene ethers) with pendant crosslinkable groups
US7001978B2 (en) * 2003-11-19 2006-02-21 Xerox Corporation Unsaturated ester substituted polymers with reduced halogen content
US7396895B2 (en) * 2003-11-25 2008-07-08 Xerox Corporation Branched polyarylene ethers and processes for the preparation thereof
US7067608B2 (en) * 2003-11-25 2006-06-27 Xerox Corporation Process for preparing branched polyarylene ethers
US20050274772A1 (en) * 2004-06-14 2005-12-15 Nelson Curtis L Treating an area to increase affinity for a fluid
US20060221115A1 (en) * 2005-04-01 2006-10-05 Lexmark International, Inc. Methods for bonding radiation curable compositions to a substrate
US7531582B2 (en) * 2006-08-23 2009-05-12 Xerox Corporation Radiation curable phase change inks containing curable epoxy-polyamide composite gellants
WO2008069812A1 (en) * 2006-12-03 2008-06-12 Central Glass Co., Ltd. Photosensitive polybenzoxazines and methods of making the same
US20100216070A1 (en) * 2006-12-04 2010-08-26 Central Glass Co., Ltd. Photosensitive Polyimides and Methods of Making the Same
US9221056B2 (en) 2007-08-29 2015-12-29 Canon U.S. Life Sciences, Inc. Microfluidic devices with integrated resistive heater electrodes including systems and methods for controlling and measuring the temperatures of such heater electrodes
JP2009098681A (ja) * 2007-09-28 2009-05-07 Fujifilm Corp 感光性樹脂組成物、高分子化合物、パターンの製造法、および電子デバイス
US20090155596A1 (en) * 2007-12-12 2009-06-18 3M Innovative Properties Company Nozzle sealing composition and method
US8152290B2 (en) 2008-11-26 2012-04-10 Xerox Corporation Customization of curable ink prints by molding
WO2012050064A1 (ja) * 2010-10-14 2012-04-19 日産化学工業株式会社 ポリエーテル構造を含有する樹脂を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物
US9801277B1 (en) 2013-08-27 2017-10-24 Flextronics Ap, Llc Bellows interconnect
US10466118B1 (en) 2015-08-28 2019-11-05 Multek Technologies, Ltd. Stretchable flexible durable pressure sensor
CN108538799B (zh) * 2017-03-02 2024-02-27 弗莱克斯有限公司 互连部件和互连组件
US10426029B1 (en) 2018-01-18 2019-09-24 Flex Ltd. Micro-pad array to thread flexible attachment
US10687421B1 (en) 2018-04-04 2020-06-16 Flex Ltd. Fabric with woven wire braid
US10575381B1 (en) 2018-06-01 2020-02-25 Flex Ltd. Electroluminescent display on smart textile and interconnect methods

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2125968A (en) * 1935-08-21 1938-08-09 Ernst T Theimer Manufacture of aromatic alcohols
US3367914A (en) * 1964-06-29 1968-02-06 Dow Chemical Co Poly(aminomethyl)diphenyl ether-aldehyde thermoset resin and process of making same
US3455866A (en) * 1964-11-24 1969-07-15 Union Carbide Corp Thermoplastic friction composition and friction element thereof
US3914194A (en) * 1973-04-02 1975-10-21 Dow Chemical Co Unsaturated formaldehyde copolymer resins derived from diaryl oxides, sulfides, dibenzofuran or dibenzothiophene
US4086209A (en) * 1974-02-21 1978-04-25 Teijin Limited Novel nitrogen-containing aromatic polymers and process for their preparation
US4110279A (en) * 1974-02-25 1978-08-29 The Dow Chemical Company High temperature polymers from methoxy functional ether aromatic monomers
JPS6026130B2 (ja) * 1976-12-24 1985-06-21 株式会社クラレ 新規重合体の製造法
JPS5650929A (en) * 1979-10-03 1981-05-08 Teijin Ltd Polysulfone having carbon-carbon double bond on its side chain and its manufacture
JPS5650928A (en) * 1979-10-03 1981-05-08 Teijin Ltd Polysulfone having (meth)acrylate group on its side chain and its manufacture
JPS5657826A (en) * 1979-10-18 1981-05-20 Teijin Ltd Polyether sulfone containing azido group and its preparation
US4435496A (en) * 1982-09-22 1984-03-06 American Hoechst Corporation Photopolymer cleavage imaging system
EP0157732B1 (de) * 1984-03-07 1988-06-01 Ciba-Geigy Ag Vernetzbare, lineare Polyätherharze
JPS6180242A (ja) * 1984-09-28 1986-04-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 放射線硬化型のレジスト材料
DE3500180A1 (de) * 1985-01-04 1986-07-10 Ernst Prof. Dr. 7400 Tübingen Bayer Pfropfcopolymerisate aus vernetzten polymeren und polyoxyethylen, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
US4601777A (en) * 1985-04-03 1986-07-22 Xerox Corporation Thermal ink jet printhead and process therefor
US4623558A (en) * 1985-05-29 1986-11-18 W. R. Grace & Co. Reactive plastisol dispersion
JPS61285201A (ja) * 1985-06-13 1986-12-16 Canon Inc 活性エネルギ−線硬化型樹脂組成物
DE3850689D1 (de) * 1987-03-12 1994-08-25 Siemens Ag Strahlungsvernetzbares Polymersystem zur Anwendung als Photoresist und Dielektrikum für Mikroverdrahtungen.
JPH0284343A (ja) * 1988-03-16 1990-03-26 Canon Inc 液体噴射記録ヘッド
WO1990014379A1 (en) * 1989-05-23 1990-11-29 Teijin Limited Poly(arylene ether ketone), method of its production, and its use
JPH0311350A (ja) * 1989-06-09 1991-01-18 Tosoh Corp ネガ型感光性塗膜材
US5091287A (en) * 1990-04-10 1992-02-25 Minnesota Mining And Manufacturing Company Photoreactive oligomer composition and printing plate
JPH04294148A (ja) * 1991-03-25 1992-10-19 Canon Inc 液体噴射記録ヘッド
US5185209A (en) * 1991-03-28 1993-02-09 Allied-Signal Inc. Photodefinable interlevel dielectrics
US5336720A (en) * 1991-06-05 1994-08-09 Rohm And Haas Company Impact resistant polymers
EP0571883A1 (de) * 1992-05-26 1993-12-01 Hoechst Aktiengesellschaft Polyarylenether mit Xanthoneinheiten, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
EP0574791B1 (de) * 1992-06-13 1999-12-22 Aventis Research & Technologies GmbH & Co. KG Polymerelektrolyt-Membran und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5268444A (en) * 1993-04-02 1993-12-07 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Phenylethynyl-terminated poly(arylene ethers)
JP3281473B2 (ja) * 1994-01-17 2002-05-13 日本化薬株式会社 フレキシブルプリント配線板用レジストインキ組成物及びその硬化物
US5607824A (en) * 1994-07-27 1997-03-04 International Business Machines Corporation Antireflective coating for microlithography
TW318857B (ja) * 1995-01-20 1997-11-01 Sumitomo Chemical Co
US5761809A (en) * 1996-08-29 1998-06-09 Xerox Corporation Process for substituting haloalkylated polymers with unsaturated ester, ether, and alkylcarboxymethylene groups
US5739254A (en) * 1996-08-29 1998-04-14 Xerox Corporation Process for haloalkylation of high performance polymers

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002040673A (ja) * 2000-07-24 2002-02-06 Jsr Corp 塗膜形成方法およびそれを用いた絶縁膜
EP2147947A1 (en) 2001-11-29 2010-01-27 Ube Industries, Ltd. Process for preparing an aromatic polyether sulfone blockcopolymer
US6716956B2 (en) 2002-01-09 2004-04-06 Xerox Corporation Process for preparing polyarylene ethers

Also Published As

Publication number Publication date
US5994425A (en) 1999-11-30
EP0827027A3 (en) 1998-06-17
EP0827027A2 (en) 1998-03-04
US6022095A (en) 2000-02-08

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