JPH0987375A - ポリカーボネート及びその製造方法 - Google Patents
ポリカーボネート及びその製造方法Info
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- JPH0987375A JPH0987375A JP7239481A JP23948195A JPH0987375A JP H0987375 A JPH0987375 A JP H0987375A JP 7239481 A JP7239481 A JP 7239481A JP 23948195 A JP23948195 A JP 23948195A JP H0987375 A JPH0987375 A JP H0987375A
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- C08G64/04—Aromatic polycarbonates
- C08G64/06—Aromatic polycarbonates not containing aliphatic unsaturation
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 流動性及び耐湿性に優れたポリカーボネー
ト、並びにこのものを効率よく製造する方法を提供する
こと。 【解決手段】 主鎖が、一般式（Ｉ） 【化１】（Ｒ1 及びＲ2 は水素原子又は炭素数１〜７の
アルキル基）で表される繰り返し単位からなり、かつそ
の主鎖中に含まれる式（II） 【化２】で表されるサリチル酸フェニル構造単位の量が
１００重量ｐｐｍ以下の粘度平均分子量１０，０００以
上のポリカーボネート、並びに含窒素有機塩基性化合物
と四級ホスホニウム塩との組合せからなる触媒の存在
下、エステル交換反応により、上記ポリカーボネートを
製造する方法である。
ト、並びにこのものを効率よく製造する方法を提供する
こと。 【解決手段】 主鎖が、一般式（Ｉ） 【化１】（Ｒ1 及びＲ2 は水素原子又は炭素数１〜７の
アルキル基）で表される繰り返し単位からなり、かつそ
の主鎖中に含まれる式（II） 【化２】で表されるサリチル酸フェニル構造単位の量が
１００重量ｐｐｍ以下の粘度平均分子量１０，０００以
上のポリカーボネート、並びに含窒素有機塩基性化合物
と四級ホスホニウム塩との組合せからなる触媒の存在
下、エステル交換反応により、上記ポリカーボネートを
製造する方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリカーボネート
及びその製造方法に関する。さらに詳しくは、流動性及
び耐湿性に優れたポリカーボネート、及びこのものを特
定の触媒の存在下でエステル交換反応により効率よく製
造する方法に関するものである。
及びその製造方法に関する。さらに詳しくは、流動性及
び耐湿性に優れたポリカーボネート、及びこのものを特
定の触媒の存在下でエステル交換反応により効率よく製
造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ポリカーボネートは耐衝撃性，耐熱性，
透明性などに優れたエンジニアリングプラスチックであ
って、各種機械部品，光学用ディスク，自動車部品など
に広く用いられているが、近年、光学用ディスクなどの
分野においては、より高い流動性が求められている。こ
のような要望に対して、塩化メチレンなどの溶媒を用い
る界面重縮合法により得られた末端をクミルフェノキシ
基などで変性してなるポリカーボネートが提案されてい
る（特開平１−２４５０１６号公報）。しかしながら、
この界面重縮合法により得られたポリカーボネートは、
ナトリウム分や塩素分などの不純物を完全に除去するこ
とが困難であって光学用途向けとしては、充分なものと
はいえない。
透明性などに優れたエンジニアリングプラスチックであ
って、各種機械部品，光学用ディスク，自動車部品など
に広く用いられているが、近年、光学用ディスクなどの
分野においては、より高い流動性が求められている。こ
のような要望に対して、塩化メチレンなどの溶媒を用い
る界面重縮合法により得られた末端をクミルフェノキシ
基などで変性してなるポリカーボネートが提案されてい
る（特開平１−２４５０１６号公報）。しかしながら、
この界面重縮合法により得られたポリカーボネートは、
ナトリウム分や塩素分などの不純物を完全に除去するこ
とが困難であって光学用途向けとしては、充分なものと
はいえない。
【０００３】これに対し、溶媒を用いずに不純物の少な
いポリカーボネートを得る方法としてエステル交換反応
法（溶融重合法）が知られている。このエステル交換反
応法により、末端位にクミルフェノキシ基を導入したポ
リカーボネートを製造する方法としては、例えば重合触
媒として、含窒素塩基性化合物とアルカリ金属化合物又
はアルカリ土類金属化合物とホウ酸との組合せからなる
触媒を用いる方法（特開平２−１７５７２３号公報）、
触媒としてアルカリ金属化合物又はアルカリ土類金属化
合物を用いて重合を行ったのち、酸性化合物を添加する
方法（特開平５−９２８７号公報）などが提案されてい
る。しかしながら、これらの方法においては、得られた
ポリカーボネートは、高温，高湿下でクラックが発生
し、強度が低下するという問題がある。
いポリカーボネートを得る方法としてエステル交換反応
法（溶融重合法）が知られている。このエステル交換反
応法により、末端位にクミルフェノキシ基を導入したポ
リカーボネートを製造する方法としては、例えば重合触
媒として、含窒素塩基性化合物とアルカリ金属化合物又
はアルカリ土類金属化合物とホウ酸との組合せからなる
触媒を用いる方法（特開平２−１７５７２３号公報）、
触媒としてアルカリ金属化合物又はアルカリ土類金属化
合物を用いて重合を行ったのち、酸性化合物を添加する
方法（特開平５−９２８７号公報）などが提案されてい
る。しかしながら、これらの方法においては、得られた
ポリカーボネートは、高温，高湿下でクラックが発生
し、強度が低下するという問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況下で、流動性及び耐湿性（耐スチームクラック性）
に優れるポリカーボネート、及びこのものを効率よく製
造する方法を提供することを目的とするものである。
状況下で、流動性及び耐湿性（耐スチームクラック性）
に優れるポリカーボネート、及びこのものを効率よく製
造する方法を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、流動性及
び耐湿性に優れるポリカーボネートについて鋭意研究を
重ねた結果、主鎖中に微量含有するサリチル酸フェニル
構造単位が耐湿性（耐スチームクラック性）を低下させ
る原因であり、この単位の含有量を特定の値以下に抑え
ることにより、耐湿性に優れるポリカーボネートが得ら
れること、そしてこの条件を満たし、かつ末端位にｐ−
クミルフェノキシ基，フェノキシ基及び水酸基を特定の
割合で有するものが、特に流動性及び耐湿性に優れてい
ることを見出した。さらに、これらのポリカーボネート
は、特定の触媒を用いるエステル交換反応法により、効
率よく得られることを見出した。本発明は、かかる知見
に基づいて完成したものである。すなわち、本発明は、
（１）主鎖が、一般式（Ｉ）
び耐湿性に優れるポリカーボネートについて鋭意研究を
重ねた結果、主鎖中に微量含有するサリチル酸フェニル
構造単位が耐湿性（耐スチームクラック性）を低下させ
る原因であり、この単位の含有量を特定の値以下に抑え
ることにより、耐湿性に優れるポリカーボネートが得ら
れること、そしてこの条件を満たし、かつ末端位にｐ−
クミルフェノキシ基，フェノキシ基及び水酸基を特定の
割合で有するものが、特に流動性及び耐湿性に優れてい
ることを見出した。さらに、これらのポリカーボネート
は、特定の触媒を用いるエステル交換反応法により、効
率よく得られることを見出した。本発明は、かかる知見
に基づいて完成したものである。すなわち、本発明は、
（１）主鎖が、一般式（Ｉ）
【０００６】
【化４】
【０００７】（式中、Ｒ1 及びＲ2 は、それぞれ水素原
子又は炭素数１〜７のアルキル基を示し、それらはたが
いに同一でも異なっていてもよく、またたがいに結合し
て環構造を形成していてもよい。）で表される繰り返し
単位からなり、かつその主鎖中に含まれる式（II）
子又は炭素数１〜７のアルキル基を示し、それらはたが
いに同一でも異なっていてもよく、またたがいに結合し
て環構造を形成していてもよい。）で表される繰り返し
単位からなり、かつその主鎖中に含まれる式（II）
【０００８】
【化５】
【０００９】で表されるサリチル酸フェニル構造単位の
量が１００重量ｐｐｍ以下であることを特徴とする粘度
平均分子量１０，０００以上のポリカーボネート、特に
好ましくは、（２）末端位にｐ−クミルフェノキシ基５
〜９８モル％，フェノキシ基１〜９４モル％及び水酸基
１〜９４モル％を有する上記（１）記載のポリカーボネ
ート、を提供するものである。また、本発明は、（３）
（Ａ）一般式（III)
量が１００重量ｐｐｍ以下であることを特徴とする粘度
平均分子量１０，０００以上のポリカーボネート、特に
好ましくは、（２）末端位にｐ−クミルフェノキシ基５
〜９８モル％，フェノキシ基１〜９４モル％及び水酸基
１〜９４モル％を有する上記（１）記載のポリカーボネ
ート、を提供するものである。また、本発明は、（３）
（Ａ）一般式（III)
【００１０】
【化６】
【００１１】（式中、Ｒ1 及びＲ2 は上記と同じであ
る。）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物と（Ｂ）炭
酸ジエステルとを、（ａ）含窒素有機塩基性化合物と
（ｂ）四級ホスホニウム塩との組合せからなる重合触媒
を用いて、エステル交換反応させることを特徴とする上
記（１）記載のポリカーボネートの製造方法、及び
（４）上記一般式（III)で表される芳香族ジヒドロキシ
化合物と（Ｂ’）ジフェニルカーボネートとを、ｐ−ク
ミルフェノールの存在下、（ａ）含窒素有機塩基性化合
物と（ｂ）四級ホスホニウム塩との組合せからなる重合
触媒を用いて、エステル交換反応させることを特徴とす
る上記（２）記載のポリカーボネートの製造方法、をも
提供するものである。
る。）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物と（Ｂ）炭
酸ジエステルとを、（ａ）含窒素有機塩基性化合物と
（ｂ）四級ホスホニウム塩との組合せからなる重合触媒
を用いて、エステル交換反応させることを特徴とする上
記（１）記載のポリカーボネートの製造方法、及び
（４）上記一般式（III)で表される芳香族ジヒドロキシ
化合物と（Ｂ’）ジフェニルカーボネートとを、ｐ−ク
ミルフェノールの存在下、（ａ）含窒素有機塩基性化合
物と（ｂ）四級ホスホニウム塩との組合せからなる重合
触媒を用いて、エステル交換反応させることを特徴とす
る上記（２）記載のポリカーボネートの製造方法、をも
提供するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明のポリカーボネートは、主
鎖が、一般式（Ｉ）
鎖が、一般式（Ｉ）
【００１３】
【化７】
【００１４】で表される繰り返し単位からなり、かつそ
の主鎖中に含まれる式（II）
の主鎖中に含まれる式（II）
【００１５】
【化８】
【００１６】で表されるサリチル酸フェニル構造単位の
量が１００重量ｐｐｍ以下のものである。上記一般式
（Ｉ），（II) において、Ｒ1 及びＲ2 はそれぞれ水素
原子又は炭素数１〜７のアルキル基を示す。このアルキ
ル基は、直鎖状，分岐鎖状，環状のいずれであってもよ
く、例えばメチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソ
プロピル基，ブチル基，ペンチル基，ヘキシル基，ヘプ
チル基，シクロペンチル基，シクロヘキシル基などであ
る。該Ｒ1 及びＲ2 はたがいに同一でも異なっていても
よく、またたがいに結合して環構造を形成していてもよ
い。また、このポリカーボネートの粘度平均分子量は１
０，０００以上であることが必要である。粘度平均分子
量が１０，０００未満のものは実用に供するには機械物
性が不充分である。成形性及び機械物性のバランスの点
から、好ましい粘度平均分子量は１０，０００〜１０
０，０００の範囲であり、特に１４，０００〜４０，０
００の範囲が好適である。なお、この粘度平均分子量
（Ｍｖ）は、ポリカーボネートを塩化メチレンに溶解
し、温度２０℃での塩化メチレン溶液の極限粘度〔η〕
を測定して、式 〔η〕＝ 1.２３ × １０-5 × Ｍｖ0.83 より、算出した値である。
量が１００重量ｐｐｍ以下のものである。上記一般式
（Ｉ），（II) において、Ｒ1 及びＲ2 はそれぞれ水素
原子又は炭素数１〜７のアルキル基を示す。このアルキ
ル基は、直鎖状，分岐鎖状，環状のいずれであってもよ
く、例えばメチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソ
プロピル基，ブチル基，ペンチル基，ヘキシル基，ヘプ
チル基，シクロペンチル基，シクロヘキシル基などであ
る。該Ｒ1 及びＲ2 はたがいに同一でも異なっていても
よく、またたがいに結合して環構造を形成していてもよ
い。また、このポリカーボネートの粘度平均分子量は１
０，０００以上であることが必要である。粘度平均分子
量が１０，０００未満のものは実用に供するには機械物
性が不充分である。成形性及び機械物性のバランスの点
から、好ましい粘度平均分子量は１０，０００〜１０
０，０００の範囲であり、特に１４，０００〜４０，０
００の範囲が好適である。なお、この粘度平均分子量
（Ｍｖ）は、ポリカーボネートを塩化メチレンに溶解
し、温度２０℃での塩化メチレン溶液の極限粘度〔η〕
を測定して、式 〔η〕＝ 1.２３ × １０-5 × Ｍｖ0.83 より、算出した値である。
【００１７】さらに、このポリカーボネートにおいて、
主鎖中に含まれる式（II) で表されるサリチル酸フェニ
ル構造単位は、重合中において、熱や触媒作用を受けて
カーボネート基の炭素がオルト位に転移することによ
り、生成するものと推測される。その含有量が１００重
量ｐｐｍを超えると耐湿性が低下し、高温，高湿下でク
ラックが発生し、衝撃強度が低下するなど、好ましくな
い事態を招来する。このような現象は、特に、実用成形
品として最も流動性及び強度のバランスの良い粘度平均
分子量１４，０００〜１７，０００程度において著しく
現れる。なお、このサリチル酸フェニル構造単位の含有
量は、以下に示す方法により測定した値である。ポリマ
ー５００ｍｇを塩化メチレン２５ミリリットルに溶解し
て、３２０ｎｍにおける吸光度を測定した。なお、レフ
ァレンス側には、界面法で製造したポリカーボネート
〔出光石油化学（株）製〕フレークを同様に塩化メチレ
ンに溶解して用いた。一方、サリチル酸フェニルを標準
として検量線を作成し、この検量線と上記吸光度とか
ら、ポリマー中のサリチル酸フェニル構造単位量（重量
ｐｐｍ）を求めた。本発明のポリカーボネートを製造す
る方法については、上記の性状を有するポリカーボネー
トが得られる方法であればよく、特に制限はないが、と
りわけエスエル交換反応法によって製造するのが有利で
ある。本発明の方法によると、（Ａ）一般式（III)
主鎖中に含まれる式（II) で表されるサリチル酸フェニ
ル構造単位は、重合中において、熱や触媒作用を受けて
カーボネート基の炭素がオルト位に転移することによ
り、生成するものと推測される。その含有量が１００重
量ｐｐｍを超えると耐湿性が低下し、高温，高湿下でク
ラックが発生し、衝撃強度が低下するなど、好ましくな
い事態を招来する。このような現象は、特に、実用成形
品として最も流動性及び強度のバランスの良い粘度平均
分子量１４，０００〜１７，０００程度において著しく
現れる。なお、このサリチル酸フェニル構造単位の含有
量は、以下に示す方法により測定した値である。ポリマ
ー５００ｍｇを塩化メチレン２５ミリリットルに溶解し
て、３２０ｎｍにおける吸光度を測定した。なお、レフ
ァレンス側には、界面法で製造したポリカーボネート
〔出光石油化学（株）製〕フレークを同様に塩化メチレ
ンに溶解して用いた。一方、サリチル酸フェニルを標準
として検量線を作成し、この検量線と上記吸光度とか
ら、ポリマー中のサリチル酸フェニル構造単位量（重量
ｐｐｍ）を求めた。本発明のポリカーボネートを製造す
る方法については、上記の性状を有するポリカーボネー
トが得られる方法であればよく、特に制限はないが、と
りわけエスエル交換反応法によって製造するのが有利で
ある。本発明の方法によると、（Ａ）一般式（III)
【００１８】
【化９】
【００１９】（式中、Ｒ1 及びＲ2 は上記と同じであ
る。）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物と（Ｂ）炭
酸ジエステルとを、（ａ）含窒素有機塩基性化合物と
（ｂ）四級ホスホニウム塩との組合せからなる重合触媒
を用いて、エステル交換反応させることにより、所望の
ポリカーボネートを効率よく製造することができる。上
記（Ａ）成分の一般式（III)で表される芳香族ジヒドロ
キシ化合物としては、例えばビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）メタン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン（通常ビスフェノールＡ）；１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）ブタン；１，１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）イソブタン；２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）ブタン；１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ペンタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）ペンタン；３，３−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）ペンタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）ヘキサン；３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘキサン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘプタン；３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘプタン；４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘプタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）オクタン；３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）オクタン；４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）オクタン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロペンタン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）シクロヘキサンなどが挙げられる。この（Ａ）
成分の芳香族ジヒドロキシ化合物は一種用いてもよく、
二種以上を組み合わせて用いてもよいが、これらの中で
特にビスフェノールＡを用いるのが好ましい。
る。）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物と（Ｂ）炭
酸ジエステルとを、（ａ）含窒素有機塩基性化合物と
（ｂ）四級ホスホニウム塩との組合せからなる重合触媒
を用いて、エステル交換反応させることにより、所望の
ポリカーボネートを効率よく製造することができる。上
記（Ａ）成分の一般式（III)で表される芳香族ジヒドロ
キシ化合物としては、例えばビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）メタン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン（通常ビスフェノールＡ）；１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）ブタン；１，１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）イソブタン；２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）ブタン；１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ペンタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）ペンタン；３，３−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）ペンタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）ヘキサン；３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘキサン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘプタン；３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘプタン；４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘプタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）オクタン；３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）オクタン；４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）オクタン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロペンタン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）シクロヘキサンなどが挙げられる。この（Ａ）
成分の芳香族ジヒドロキシ化合物は一種用いてもよく、
二種以上を組み合わせて用いてもよいが、これらの中で
特にビスフェノールＡを用いるのが好ましい。
【００２０】一方、本発明において、（Ｂ）成分として
用いられる炭酸ジエステルは、各種のものがある。例え
ば、炭酸ジアリール化合物，炭酸ジアルキル化合物又は
炭酸アルキルアリール化合物から選択される少なくとも
一種の化合物である。この（Ｂ）成分の一つとして用い
られる炭酸ジアリール化合物は、一般式（IV）
用いられる炭酸ジエステルは、各種のものがある。例え
ば、炭酸ジアリール化合物，炭酸ジアルキル化合物又は
炭酸アルキルアリール化合物から選択される少なくとも
一種の化合物である。この（Ｂ）成分の一つとして用い
られる炭酸ジアリール化合物は、一般式（IV）
【００２１】
【化１０】
【００２２】（式中、Ａｒ1 及びＡｒ2 はそれぞれアリ
ール基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていて
もよい。）で表される化合物、又は一般式（Ｖ）
ール基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていて
もよい。）で表される化合物、又は一般式（Ｖ）
【００２３】
【化１１】
【００２４】（式中、Ａｒ3 及びＡｒ4 はそれぞれアリ
ール基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていて
もよく、Ｄ1 は前記芳香族ジヒドロキシ化合物から水酸
基２個を除いた残基を示す。）で表される化合物であ
る。また、炭酸ジアルキル化合物は、一般式（VI）
ール基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていて
もよく、Ｄ1 は前記芳香族ジヒドロキシ化合物から水酸
基２個を除いた残基を示す。）で表される化合物であ
る。また、炭酸ジアルキル化合物は、一般式（VI）
【００２５】
【化１２】
【００２６】（式中、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ炭素数１
〜６のアルキル基又は炭素数４〜７のシクロアルキル基
を示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよ
い。）で表される化合物、又は一般式（VII)
〜６のアルキル基又は炭素数４〜７のシクロアルキル基
を示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよ
い。）で表される化合物、又は一般式（VII)
【００２７】
【化１３】
【００２８】（式中、Ｒ5 及びＲ6 はそれぞれ炭素数１
〜６のアルキル基又は炭素数４〜７のシクロアルキル基
を示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよ
く、Ｄ2は前記芳香族ジヒドロキシ化合物から水酸基２
個を除いた残基を示す。）で表される化合物である。そ
して、炭酸アルキルアリール化合物は、一般式（VIII)
〜６のアルキル基又は炭素数４〜７のシクロアルキル基
を示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよ
く、Ｄ2は前記芳香族ジヒドロキシ化合物から水酸基２
個を除いた残基を示す。）で表される化合物である。そ
して、炭酸アルキルアリール化合物は、一般式（VIII)
【００２９】
【化１４】
【００３０】（式中、Ａｒ5 はアリール基、Ｒ7 は炭素
数１〜６のアルキル基又は炭素数４〜７のシクロアルキ
ル基を示す。）で表される化合物、又は一般式（IX）
数１〜６のアルキル基又は炭素数４〜７のシクロアルキ
ル基を示す。）で表される化合物、又は一般式（IX）
【００３１】
【化１５】
【００３２】（式中、Ａｒ6 はアリール基，Ｒ8 は炭素
数１〜６のアルキル基又は炭素数４〜７のシクロアルキ
ル基、Ｄ3 は前記芳香族ジヒドロキシ化合物から水酸基
２個を除いた残基を示す。）で表される化合物である。
ここで、炭酸ジアリール化合物としては、例えば、ジフ
ェニルカーボネート，ジトリルカーボネート，ビス（ク
ロロフェニル）カーボネート，ｍ−クレジルカーボネー
ト，ジナフチルカーボネート，ビス（ジフェニル）カー
ボネート，ビスフェノールＡビスフェニルカーボネート
などが挙げられる。また、炭酸ジアルキル化合物として
は、例えば、ジエチルカーボネート，ジメチルカーボネ
ート，ジブチルカーボネート，ジシクロヘキシルカーボ
ネート，ビスフェノールＡビスメチルカーボネートなど
が挙げられる。
数１〜６のアルキル基又は炭素数４〜７のシクロアルキ
ル基、Ｄ3 は前記芳香族ジヒドロキシ化合物から水酸基
２個を除いた残基を示す。）で表される化合物である。
ここで、炭酸ジアリール化合物としては、例えば、ジフ
ェニルカーボネート，ジトリルカーボネート，ビス（ク
ロロフェニル）カーボネート，ｍ−クレジルカーボネー
ト，ジナフチルカーボネート，ビス（ジフェニル）カー
ボネート，ビスフェノールＡビスフェニルカーボネート
などが挙げられる。また、炭酸ジアルキル化合物として
は、例えば、ジエチルカーボネート，ジメチルカーボネ
ート，ジブチルカーボネート，ジシクロヘキシルカーボ
ネート，ビスフェノールＡビスメチルカーボネートなど
が挙げられる。
【００３３】そして、炭酸アルキルアリール化合物とし
ては、例えば、メチルフェニルカーボネート，エチルフ
ェニルカーボネート，ブチルフェニルカーボネート，シ
クロヘキシルフェニルカーボネート，ビスフェノールＡ
メチルフェニルカーボネートなどが挙げられる。本発明
において、（Ｂ）成分の炭酸ジエステルとしては、上記
の化合物一種又は二種以上を適宜選択して用いるが、こ
れらの中では、ジフェニルカーボネートを用いるのが好
ましい。
ては、例えば、メチルフェニルカーボネート，エチルフ
ェニルカーボネート，ブチルフェニルカーボネート，シ
クロヘキシルフェニルカーボネート，ビスフェノールＡ
メチルフェニルカーボネートなどが挙げられる。本発明
において、（Ｂ）成分の炭酸ジエステルとしては、上記
の化合物一種又は二種以上を適宜選択して用いるが、こ
れらの中では、ジフェニルカーボネートを用いるのが好
ましい。
【００３４】本発明の製造方法においては、必要に応じ
て末端停止剤を用いることができる。この末端停止剤と
しては、例えばフェノール；ｏ−ｎ−ブチルフェノー
ル；ｍ−ｎ−ブチルフェノール；ｐ−ｎ−ブチルフェノ
ール；ｏ−イソブチルフェノール；ｍ−イソブチルフェ
ノール；ｐ−イソブチルフェノール；ｏ−ｔ−ブチルフ
ェノール；ｍ−ｔ−ブチルフェノール；ｐ−ｔ−ブチル
フェノール；ｏ−ｎ−ペンチルフェノール；ｍ−ｎ−ペ
ンチルフェノール；ｐ−ｎ−ペンチルフェノール；ｏ−
ｎ−ヘキシルフェノール；ｍ−ｎ−ヘキシルフェノー
ル；ｐ−ｎ−ヘキシルフェノール；ｏ−シクロヘキシル
フェノール；ｍ−シクロヘキシルフェノール；ｐ−シク
ロヘキシルフェノール；ｏ−フェニルフェノール；ｍ−
フェニルフェノール；ｐ−フェニルフェノール；ｏ−ｎ
−ノニルフェノール；ｍ−ｎ−ノニルフェノール；ｐ−
ｎ−ノニルフェノール；ｏ−クミルフェノール；ｍ−ク
ミルフェノール；ｐ−クミルフェノール；ｏ−ナフチル
フェノール；ｍ−ナフチルフェノール；ｐ−ナフチルフ
ェノール；２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，５
−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，４−ジ−ｔ−ブチル
フェノール；３，５−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，
５−ジクミルフェノール；３，５−ジクミルフェノー
ル；式
て末端停止剤を用いることができる。この末端停止剤と
しては、例えばフェノール；ｏ−ｎ−ブチルフェノー
ル；ｍ−ｎ−ブチルフェノール；ｐ−ｎ−ブチルフェノ
ール；ｏ−イソブチルフェノール；ｍ−イソブチルフェ
ノール；ｐ−イソブチルフェノール；ｏ−ｔ−ブチルフ
ェノール；ｍ−ｔ−ブチルフェノール；ｐ−ｔ−ブチル
フェノール；ｏ−ｎ−ペンチルフェノール；ｍ−ｎ−ペ
ンチルフェノール；ｐ−ｎ−ペンチルフェノール；ｏ−
ｎ−ヘキシルフェノール；ｍ−ｎ−ヘキシルフェノー
ル；ｐ−ｎ−ヘキシルフェノール；ｏ−シクロヘキシル
フェノール；ｍ−シクロヘキシルフェノール；ｐ−シク
ロヘキシルフェノール；ｏ−フェニルフェノール；ｍ−
フェニルフェノール；ｐ−フェニルフェノール；ｏ−ｎ
−ノニルフェノール；ｍ−ｎ−ノニルフェノール；ｐ−
ｎ−ノニルフェノール；ｏ−クミルフェノール；ｍ−ク
ミルフェノール；ｐ−クミルフェノール；ｏ−ナフチル
フェノール；ｍ−ナフチルフェノール；ｐ−ナフチルフ
ェノール；２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，５
−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，４−ジ−ｔ−ブチル
フェノール；３，５−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，
５−ジクミルフェノール；３，５−ジクミルフェノー
ル；式
【００３５】
【化１６】
【００３６】で表される化合物や、式
【００３７】
【化１７】
【００３８】で表されるクロマン誘導体などの一価フェ
ノール、さらには、式
ノール、さらには、式
【００３９】
【化１８】
【００４０】で表される化合物などが挙げられる。これ
らの中で、フェノール，ｐ−ｔ−ブチルフェノール，ｐ
−クミルフェノール，ｐ−フェニルフェノールなどが好
ましく、特に得られるポリカーボネートの流動性などの
点から、ｐ−クミルフェノールが好適である。さらに、
本発明では、必要に応じて、フロログルシン；トリメリ
ット酸；１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン；１−〔α−メチル−α−（４’−ヒドロキ
シフェニル）エチル〕−４−〔α’，α’−ビス（４”
−ヒドロキシフェニル）エチル〕ベンゼン；α，α’，
α”−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５
−トリイソプロピルベンゼン；イサチンビス（ｏ−クレ
ゾール）などを分岐剤として用いることもできる。
らの中で、フェノール，ｐ−ｔ−ブチルフェノール，ｐ
−クミルフェノール，ｐ−フェニルフェノールなどが好
ましく、特に得られるポリカーボネートの流動性などの
点から、ｐ−クミルフェノールが好適である。さらに、
本発明では、必要に応じて、フロログルシン；トリメリ
ット酸；１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン；１−〔α−メチル−α−（４’−ヒドロキ
シフェニル）エチル〕−４−〔α’，α’−ビス（４”
−ヒドロキシフェニル）エチル〕ベンゼン；α，α’，
α”−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５
−トリイソプロピルベンゼン；イサチンビス（ｏ−クレ
ゾール）などを分岐剤として用いることもできる。
【００４１】本発明の製造方法においては、エステル交
換反応の際に、重合触媒として、（ａ）含窒素有機塩基
性化合物と（ｂ）四級ホスホニウム塩との組合せが用い
られる。上記（ａ）成分の含窒素有機塩基性化合物とし
ては、特に制限はなく、各種のものがある。例えば、ト
リメチルアミン，トリエチルアミン，トリプロピルアミ
ン，トリブチルアミン，トリペンチルアミン，トリヘキ
シルアミン，ジメチルベンジルアミンなどの脂肪族第三
級アミン化合物、トリフェニルアミンなどの芳香族第三
級アミン化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジ
ン，４−ジエチルアミノピリジン，４−ピロリジノピリ
ジン，４−アミノピリジン，２−アミノピリジン，２−
ヒドロキシピリジン，４−ヒドロキシピリジン，２−メ
トキシピリジン，４−メトキシピリジン，イミダゾー
ル，２−メチルイミダゾール，４−メチルイミダゾー
ル，２−ジメチルアミノイミダゾール，２−メトキシイ
ミダゾール，２−メルカプトイミダゾール，アミノキノ
リン，ジアザビシクロオクタン（ＤＡＢＣＯ）などの含
窒素複素環化合物が挙げられる。
換反応の際に、重合触媒として、（ａ）含窒素有機塩基
性化合物と（ｂ）四級ホスホニウム塩との組合せが用い
られる。上記（ａ）成分の含窒素有機塩基性化合物とし
ては、特に制限はなく、各種のものがある。例えば、ト
リメチルアミン，トリエチルアミン，トリプロピルアミ
ン，トリブチルアミン，トリペンチルアミン，トリヘキ
シルアミン，ジメチルベンジルアミンなどの脂肪族第三
級アミン化合物、トリフェニルアミンなどの芳香族第三
級アミン化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジ
ン，４−ジエチルアミノピリジン，４−ピロリジノピリ
ジン，４−アミノピリジン，２−アミノピリジン，２−
ヒドロキシピリジン，４−ヒドロキシピリジン，２−メ
トキシピリジン，４−メトキシピリジン，イミダゾー
ル，２−メチルイミダゾール，４−メチルイミダゾー
ル，２−ジメチルアミノイミダゾール，２−メトキシイ
ミダゾール，２−メルカプトイミダゾール，アミノキノ
リン，ジアザビシクロオクタン（ＤＡＢＣＯ）などの含
窒素複素環化合物が挙げられる。
【００４２】さらに、一般式（Ｘ） （ＮＲ10 4 ）+ ( Ｘ1 ）- ・・・（Ｉ) で表される四級アンモニウム塩を挙げることができる。
上記一般式（Ｘ）において、Ｒ10は有機基、例えばメチ
ル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，ペンチル基，
ヘキシル基、オクチル基，シクロヘキシル基などのアル
キル基やシクロアルキル基、フェニル基，トリル基，ナ
フチル基，ビフェニル基などのアリール基、ベンジル基
などのアリールアルキル基などを示す。四つのＲ10はた
がいに同一でも異なっていてもよく、また二つのＲ10が
結合して環構造を形成していてもよい。Ｘ1 はハロゲン
原子，水酸基又はＢＲ4 を示す。ここで、Ｒは水素原子
又はアルキル基やアリール基などの炭化水素基を示し、
四つのＲはたがいに同一でも異なっていてもよい。
上記一般式（Ｘ）において、Ｒ10は有機基、例えばメチ
ル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，ペンチル基，
ヘキシル基、オクチル基，シクロヘキシル基などのアル
キル基やシクロアルキル基、フェニル基，トリル基，ナ
フチル基，ビフェニル基などのアリール基、ベンジル基
などのアリールアルキル基などを示す。四つのＲ10はた
がいに同一でも異なっていてもよく、また二つのＲ10が
結合して環構造を形成していてもよい。Ｘ1 はハロゲン
原子，水酸基又はＢＲ4 を示す。ここで、Ｒは水素原子
又はアルキル基やアリール基などの炭化水素基を示し、
四つのＲはたがいに同一でも異なっていてもよい。
【００４３】このような四級アンモニウム塩としては、
例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド，テトラ
エチルアンモニウムヒドロキシド，テトラブチルアンモ
ニウムヒドロキシド，トリメチルベンジルアンモニウム
ヒドロキシドなどのアルキル基，アリール基，アルアリ
ール基などを有するアンモニウムヒドロキシド類、テト
ラメチルアンモニウムボロハイドライド，テトラブチル
アンモニウムボロハイドライド，テトラブチルアンモニ
ウムテトラフェニルボレート，テトラメチルアンモニウ
ムテトラフェニルボレートなどの塩基性塩が挙げられ
る。これらの含窒素有機塩基性化合物の中で、触媒活性
が高く、かつ熱分解が容易でポリマー中に残留しにくい
などの点から、上記一般式（Ｘ）で表される四級アンモ
ニウム塩、具体的にはテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド，テトラブチルアンモニウムヒドロキシド，テト
ラメチルアンモニウムボロハイドライド，テトラブチル
アンモニウムボロハイドライドが好ましく、特にテトラ
メチルアンモニウムヒドロキシドが好適である。この
（ａ）成分の含窒素有機塩基性化合物は一種用いてもよ
く、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド，テトラ
エチルアンモニウムヒドロキシド，テトラブチルアンモ
ニウムヒドロキシド，トリメチルベンジルアンモニウム
ヒドロキシドなどのアルキル基，アリール基，アルアリ
ール基などを有するアンモニウムヒドロキシド類、テト
ラメチルアンモニウムボロハイドライド，テトラブチル
アンモニウムボロハイドライド，テトラブチルアンモニ
ウムテトラフェニルボレート，テトラメチルアンモニウ
ムテトラフェニルボレートなどの塩基性塩が挙げられ
る。これらの含窒素有機塩基性化合物の中で、触媒活性
が高く、かつ熱分解が容易でポリマー中に残留しにくい
などの点から、上記一般式（Ｘ）で表される四級アンモ
ニウム塩、具体的にはテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド，テトラブチルアンモニウムヒドロキシド，テト
ラメチルアンモニウムボロハイドライド，テトラブチル
アンモニウムボロハイドライドが好ましく、特にテトラ
メチルアンモニウムヒドロキシドが好適である。この
（ａ）成分の含窒素有機塩基性化合物は一種用いてもよ
く、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４４】一方、（ｂ）成分の四級ホスホニウム塩と
しては、特に制限はなく、各種のものがあり、例えば一
般式（XI） （ＰＲ11 4) + (Ｘ2 ）- ・・・（XI） で表される化合物が好ましく用いられる。上記一般式
（XI）において、Ｒ11は有機基を示し、この有機基とし
ては、上記一般式（Ｘ）におけるＲ10の説明において例
示したものと同じものを挙げることができる。四つのＲ
11はたがいに同一でも異なっていてもよく、また二つの
Ｒ11が結合して環構造を形成していてもよい。Ｘ2 はハ
ロゲン原子，水酸基，アルキルオキシ基，アリールオキ
シ基，（Ｒ’Ｏ）2 Ｐ（＝Ｏ）Ｏ又はＢＲ''4 を示す。
ここで、Ｒ’はアルキル基やアリール基などの炭化水素
基を示し、二つのＲ’Ｏはたがいに同一でも異なってい
てもよい。またＲ''は水素原子又はアルキル基やアリー
ル基などの炭化水素基を示し、四つのＲ''はたがいに同
一でも異なっていてもよい。
しては、特に制限はなく、各種のものがあり、例えば一
般式（XI） （ＰＲ11 4) + (Ｘ2 ）- ・・・（XI） で表される化合物が好ましく用いられる。上記一般式
（XI）において、Ｒ11は有機基を示し、この有機基とし
ては、上記一般式（Ｘ）におけるＲ10の説明において例
示したものと同じものを挙げることができる。四つのＲ
11はたがいに同一でも異なっていてもよく、また二つの
Ｒ11が結合して環構造を形成していてもよい。Ｘ2 はハ
ロゲン原子，水酸基，アルキルオキシ基，アリールオキ
シ基，（Ｒ’Ｏ）2 Ｐ（＝Ｏ）Ｏ又はＢＲ''4 を示す。
ここで、Ｒ’はアルキル基やアリール基などの炭化水素
基を示し、二つのＲ’Ｏはたがいに同一でも異なってい
てもよい。またＲ''は水素原子又はアルキル基やアリー
ル基などの炭化水素基を示し、四つのＲ''はたがいに同
一でも異なっていてもよい。
【００４５】このような四級ホスホニウム塩としては、
例えばテトラフェニルホスホニウムヒドロキシド，テト
ラナフチルホスホニウムヒドロキシド，テトラ（クロロ
フェニル）ホスホニウムヒドロキシド，テトラ（ビフェ
ニル）ホスホニウムヒドロキシド，テトラトリルホスホ
ニウムヒドロキシド，テトラメチルホスホニウムヒドロ
キシド，テトラエチルホスホニウムヒドロキシド，テト
ラブチルホスホニウムヒドロキシドなどのテトラ（アリ
ール又はアルキル）ホスホニウムヒドロキシド類、さら
にはテトラメチルホスホニウムテトラフェニルボレー
ト，テトラフェニルホスホニウムブロミド，テトラフェ
ニルホスホニウムテトラフェニルボレート，メチルトリ
フェニルホスホニウムテトラフェニルボレート，ベンジ
ルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート，
テトラトリルホスホニウムテトラフェニルボレート，テ
トラフェニルホスホニウムフェノレート，テトラ（ｐ−
ｔ−ブチルフェニル）ホスホニウムジフェニルホスフェ
ート，トリフェニルブチルホスホニウムフェノレート，
トリフェニルブチルホスホニウムテトラフェニルボレー
トなどが挙げられる。
例えばテトラフェニルホスホニウムヒドロキシド，テト
ラナフチルホスホニウムヒドロキシド，テトラ（クロロ
フェニル）ホスホニウムヒドロキシド，テトラ（ビフェ
ニル）ホスホニウムヒドロキシド，テトラトリルホスホ
ニウムヒドロキシド，テトラメチルホスホニウムヒドロ
キシド，テトラエチルホスホニウムヒドロキシド，テト
ラブチルホスホニウムヒドロキシドなどのテトラ（アリ
ール又はアルキル）ホスホニウムヒドロキシド類、さら
にはテトラメチルホスホニウムテトラフェニルボレー
ト，テトラフェニルホスホニウムブロミド，テトラフェ
ニルホスホニウムテトラフェニルボレート，メチルトリ
フェニルホスホニウムテトラフェニルボレート，ベンジ
ルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート，
テトラトリルホスホニウムテトラフェニルボレート，テ
トラフェニルホスホニウムフェノレート，テトラ（ｐ−
ｔ−ブチルフェニル）ホスホニウムジフェニルホスフェ
ート，トリフェニルブチルホスホニウムフェノレート，
トリフェニルブチルホスホニウムテトラフェニルボレー
トなどが挙げられる。
【００４６】また、上記一般式（XI) で表される化合物
以外に、例えば２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパンのビス−テトラフェニルホスホニウム塩，
エチレンビス（トリフェニルホスホニウム）ジブロミ
ド，トリメチレンビス（トリフェニルホスホニウム）−
ビス（テトラフェニルボレート）なども挙げることがで
きる。これらの四級ホスホニウム塩の中で、触媒活性が
高く、かつ熱分解が容易でポリマー中に残留しにくいな
どの点から、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニ
ルボレート，メチルトリフェニルホスホニウムテトラフ
ェニルボレート及びベンジルトリフェニルホスホニウム
テトラフェニルボレートが好適である。
以外に、例えば２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパンのビス−テトラフェニルホスホニウム塩，
エチレンビス（トリフェニルホスホニウム）ジブロミ
ド，トリメチレンビス（トリフェニルホスホニウム）−
ビス（テトラフェニルボレート）なども挙げることがで
きる。これらの四級ホスホニウム塩の中で、触媒活性が
高く、かつ熱分解が容易でポリマー中に残留しにくいな
どの点から、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニ
ルボレート，メチルトリフェニルホスホニウムテトラフ
ェニルボレート及びベンジルトリフェニルホスホニウム
テトラフェニルボレートが好適である。
【００４７】この（ａ）成分の四級アンモニウム塩は一
種用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよ
い。なお、これらの含窒素有機塩基性化合物及び四級ア
ンモニウム塩は、金属不純物の含有量ができるだけ少な
いものが好ましく、特にアルカリ金属及びアルカリ土類
金属化合物の含有量が５０ｐｐｍ以下のものが好適であ
る。本発明においては、重合触媒として、上記（ａ）成
分の含窒素有機塩基性化合物を１０-1〜１０-6モル、好
ましくは１０-2〜１０-5モル用い、（ｂ）成分の四級ホ
スホニウム塩を１０-3〜１０-8モル、好ましくは１０-4
〜１０-7モル用いるのが望ましい。（ａ）成分の使用量
が１０-6モル未満では反応初期での触媒活性が不充分と
なり、また１０-1モルを超えるとコストアップに繋がり
好ましくない。一方、（ｂ）成分の使用量が１０-8モル
未満では反応後期での触媒活性が不充分となり、また１
０-3モルを超えるとコストアップに繋がり好ましくな
い。
種用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよ
い。なお、これらの含窒素有機塩基性化合物及び四級ア
ンモニウム塩は、金属不純物の含有量ができるだけ少な
いものが好ましく、特にアルカリ金属及びアルカリ土類
金属化合物の含有量が５０ｐｐｍ以下のものが好適であ
る。本発明においては、重合触媒として、上記（ａ）成
分の含窒素有機塩基性化合物を１０-1〜１０-6モル、好
ましくは１０-2〜１０-5モル用い、（ｂ）成分の四級ホ
スホニウム塩を１０-3〜１０-8モル、好ましくは１０-4
〜１０-7モル用いるのが望ましい。（ａ）成分の使用量
が１０-6モル未満では反応初期での触媒活性が不充分と
なり、また１０-1モルを超えるとコストアップに繋がり
好ましくない。一方、（ｂ）成分の使用量が１０-8モル
未満では反応後期での触媒活性が不充分となり、また１
０-3モルを超えるとコストアップに繋がり好ましくな
い。
【００４８】また、この重合触媒は、原料である（Ａ）
成分の芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対して、
（ａ）成分と（ｂ）成分との合計量が、通常１０-1〜１
０-8モル、好ましくは１０-2〜１０-7モルになるような
割合で添加される。この触媒の添加量が１０-8モル未満
では、触媒効果が発現されないおそれがある。また、１
０ -1モルを超えると、最終製品であるポリカーボネート
の物性、特に、耐熱性, 耐加水分解性の低下を招くおそ
れがあり、また、コストアップに繋がり、これを超えて
まで添加することはない。
成分の芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対して、
（ａ）成分と（ｂ）成分との合計量が、通常１０-1〜１
０-8モル、好ましくは１０-2〜１０-7モルになるような
割合で添加される。この触媒の添加量が１０-8モル未満
では、触媒効果が発現されないおそれがある。また、１
０ -1モルを超えると、最終製品であるポリカーボネート
の物性、特に、耐熱性, 耐加水分解性の低下を招くおそ
れがあり、また、コストアップに繋がり、これを超えて
まで添加することはない。
【００４９】本発明のポリカーボネートにおいては、特
に流動性及び耐湿性の優れたものとして、前記式（II)
で表されるサリチル酸フェニル構造単位の含有量が１０
０重量ｐｐｍ以下で、かつ末端位にｐ−クミルフェノキ
シ基５〜９８モル％，フェノキシ基１〜９４モル％及び
水酸基１〜９４モル％を有するものが好適である。この
ようなポリカーボネートは、（Ａ）前記一般式（III)で
表される芳香族ジヒドロキシ化合物と（Ｂ’）ジフェニ
ルカーボネートとを、末端停止剤のｐ−クミルフェノー
ルの存在下に、前記の（ａ）含窒素有機塩基性化合物と
（ｂ）四級ホスホニウム塩との組合せからなる重合触媒
を用いてエステル交換反応させることにより、効率よく
製造することができる。本発明においては、末端停止剤
は、予め反応系に全量添加しておいてもよい。また、予
め反応系に一部添加しておき、反応の進行に伴って残部
を添加してもよい。さらに、場合によっては、前記
（Ａ）成分の芳香族ジヒドロキシ化合物と（Ｂ）成分の
炭酸ジエステルとのエステル交換反応が一部進行した後
に、反応系に全量添加してもよい。また、末端停止剤と
してｐ−クミルフェノールを用いる場合、その使用量
は、芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対し、好ましく
は0.０１〜0.２モル、より好ましくは0.０２〜0.１５モ
ル、特に好ましくは0.０２〜0.１モルの範囲である。
に流動性及び耐湿性の優れたものとして、前記式（II)
で表されるサリチル酸フェニル構造単位の含有量が１０
０重量ｐｐｍ以下で、かつ末端位にｐ−クミルフェノキ
シ基５〜９８モル％，フェノキシ基１〜９４モル％及び
水酸基１〜９４モル％を有するものが好適である。この
ようなポリカーボネートは、（Ａ）前記一般式（III)で
表される芳香族ジヒドロキシ化合物と（Ｂ’）ジフェニ
ルカーボネートとを、末端停止剤のｐ−クミルフェノー
ルの存在下に、前記の（ａ）含窒素有機塩基性化合物と
（ｂ）四級ホスホニウム塩との組合せからなる重合触媒
を用いてエステル交換反応させることにより、効率よく
製造することができる。本発明においては、末端停止剤
は、予め反応系に全量添加しておいてもよい。また、予
め反応系に一部添加しておき、反応の進行に伴って残部
を添加してもよい。さらに、場合によっては、前記
（Ａ）成分の芳香族ジヒドロキシ化合物と（Ｂ）成分の
炭酸ジエステルとのエステル交換反応が一部進行した後
に、反応系に全量添加してもよい。また、末端停止剤と
してｐ−クミルフェノールを用いる場合、その使用量
は、芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対し、好ましく
は0.０１〜0.２モル、より好ましくは0.０２〜0.１５モ
ル、特に好ましくは0.０２〜0.１モルの範囲である。
【００５０】本発明の製造方法に従ってエステル交換反
応を行うに当たっては、反応温度は、特に制限はなく、
通常１００〜３３０℃の範囲、好ましくは１８０〜３０
０℃の範囲で選ばれるが、より好ましくは、反応の進行
に合わせて次第に１８０〜３００℃まで温度を上げてい
く方法がよい。このエステル交換反応の温度が１００℃
未満では反応速度が遅くなり、一方３３０℃を超えると
副反応が生じたり、あるいは生成するポリカーボネート
が着色するなどの問題が生じ、好ましくない。また、反
応圧力は、使用するモノマーの蒸気圧や反応温度に応じ
て設定される。これは、反応が効率良く行われるように
設定されればよく、限定されるものではない。通常、反
応初期においては、１〜５０atm （７６０〜３8,０００
torr）までの大気圧（常圧）ないし加圧状態にしてお
き、反応後期においては、減圧状態、好ましくは最終的
には0.０１〜１００torrにする場合が多い。さらに、反
応時間は、目標の分子量となるまで行えばよく、通常、
0.２〜１０時間程度である。
応を行うに当たっては、反応温度は、特に制限はなく、
通常１００〜３３０℃の範囲、好ましくは１８０〜３０
０℃の範囲で選ばれるが、より好ましくは、反応の進行
に合わせて次第に１８０〜３００℃まで温度を上げてい
く方法がよい。このエステル交換反応の温度が１００℃
未満では反応速度が遅くなり、一方３３０℃を超えると
副反応が生じたり、あるいは生成するポリカーボネート
が着色するなどの問題が生じ、好ましくない。また、反
応圧力は、使用するモノマーの蒸気圧や反応温度に応じ
て設定される。これは、反応が効率良く行われるように
設定されればよく、限定されるものではない。通常、反
応初期においては、１〜５０atm （７６０〜３8,０００
torr）までの大気圧（常圧）ないし加圧状態にしてお
き、反応後期においては、減圧状態、好ましくは最終的
には0.０１〜１００torrにする場合が多い。さらに、反
応時間は、目標の分子量となるまで行えばよく、通常、
0.２〜１０時間程度である。
【００５１】そして、上記のエステル交換反応は、通常
不活性溶剤の不存在下で行われるが、必要に応じて、得
られるポリカーボネートの１〜１５０重量％の不活性溶
剤の存在下において行ってもよい。ここで、不活性溶剤
としては、例えば、ジフェニルエーテル，ハロゲン化ジ
フェニルエーテル，ベンゾフェノン，ポリフェニルエー
テル，ジクロロベンゼン，メチルナフタレンなどの芳香
族化合物、トリシクロ（５，２，１０）デカン，シクロ
オクタン，シクロデカンなどのシクロアルカンなどが挙
げられる。また、必要に応じて不活性ガス雰囲気下で行
ってもよく、ここで、不活性ガスとしては、例えばアル
ゴン，二酸化炭素，一酸化二窒素，窒素などのガス、ク
ロロフルオロ炭化水素，エタンやプロパンなどのアルカ
ン、エチレンやプロピレンなどのアルケンなど、各種の
ものが挙げられる。
不活性溶剤の不存在下で行われるが、必要に応じて、得
られるポリカーボネートの１〜１５０重量％の不活性溶
剤の存在下において行ってもよい。ここで、不活性溶剤
としては、例えば、ジフェニルエーテル，ハロゲン化ジ
フェニルエーテル，ベンゾフェノン，ポリフェニルエー
テル，ジクロロベンゼン，メチルナフタレンなどの芳香
族化合物、トリシクロ（５，２，１０）デカン，シクロ
オクタン，シクロデカンなどのシクロアルカンなどが挙
げられる。また、必要に応じて不活性ガス雰囲気下で行
ってもよく、ここで、不活性ガスとしては、例えばアル
ゴン，二酸化炭素，一酸化二窒素，窒素などのガス、ク
ロロフルオロ炭化水素，エタンやプロパンなどのアルカ
ン、エチレンやプロピレンなどのアルケンなど、各種の
ものが挙げられる。
【００５２】また、本発明においては、必要に応じ、酸
化防止剤を反応系に添加してもよい。この酸化防止剤と
しては、リン系酸化防止剤が好ましく、例えばトリメチ
ルホスファイト，トリエチルホスファイト，トリブチル
ホスファイト，トリオクチルホスファイト，トリノニル
ホスファイト，トリデシルホスファイト，トリオクタデ
シルホスファイト，ジステアリルペンタエリスチルジホ
スファイト，トリス（２−クロロエチル）ホスファイ
ト，トリス（２，３−ジクロロプロピル）ホスファイト
などのトリアルキルホスファイト、トリシクロヘキシル
ホスファイトなどのトリシクロアルキルホスファイト、
トリフェニルホスファイト，トリクレジルホスファイ
ト，トリス（エチルフェニル）ホスファイト，トリス
（ブチルフェニル）ホスファイト，トリス（ノニルフェ
ニル）ホスファイト，トリス（ヒドロキシフェニル）ホ
スファイトなどのトリアリールホスファイト、２−エチ
ルヘキシルジフェニルホスファイトなどのモノアルキル
ジアリールホスファイト、トリメチルホスフェート，ト
リエチルホスフェート，トリブチルホスフェート，トリ
オクチルホスフェート，トリデシルホスフェート，トリ
オクタデシルホスフェート，ジステアリルペンタエリス
リチルジホスフェート，トリス（２−クロロエチル）ホ
スフェート，トリス（２，３−ジクロロプロピル）ホス
フェートなどのトリアルキルホスフェート、トリシクロ
ヘキシルホスフェートなどのトリシクロアルキルホスフ
ェート、トリフェニルホスフェート，トリクレジルホス
フェート，トリス（ノニルフェニル）ホスフェート，２
−エチルフェニルジフェニルホスフェートなどのトリア
リールホスフェートなどが挙げられる。
化防止剤を反応系に添加してもよい。この酸化防止剤と
しては、リン系酸化防止剤が好ましく、例えばトリメチ
ルホスファイト，トリエチルホスファイト，トリブチル
ホスファイト，トリオクチルホスファイト，トリノニル
ホスファイト，トリデシルホスファイト，トリオクタデ
シルホスファイト，ジステアリルペンタエリスチルジホ
スファイト，トリス（２−クロロエチル）ホスファイ
ト，トリス（２，３−ジクロロプロピル）ホスファイト
などのトリアルキルホスファイト、トリシクロヘキシル
ホスファイトなどのトリシクロアルキルホスファイト、
トリフェニルホスファイト，トリクレジルホスファイ
ト，トリス（エチルフェニル）ホスファイト，トリス
（ブチルフェニル）ホスファイト，トリス（ノニルフェ
ニル）ホスファイト，トリス（ヒドロキシフェニル）ホ
スファイトなどのトリアリールホスファイト、２−エチ
ルヘキシルジフェニルホスファイトなどのモノアルキル
ジアリールホスファイト、トリメチルホスフェート，ト
リエチルホスフェート，トリブチルホスフェート，トリ
オクチルホスフェート，トリデシルホスフェート，トリ
オクタデシルホスフェート，ジステアリルペンタエリス
リチルジホスフェート，トリス（２−クロロエチル）ホ
スフェート，トリス（２，３−ジクロロプロピル）ホス
フェートなどのトリアルキルホスフェート、トリシクロ
ヘキシルホスフェートなどのトリシクロアルキルホスフ
ェート、トリフェニルホスフェート，トリクレジルホス
フェート，トリス（ノニルフェニル）ホスフェート，２
−エチルフェニルジフェニルホスフェートなどのトリア
リールホスフェートなどが挙げられる。
【００５３】本発明においては、反応が進行するととも
に、使用した炭酸ジエステルに対応するフェノール類，
アルコール類，又はそれらのエステル類及び不活性溶剤
が反応器より脱離してゆく。これら脱離物は、分離、精
製しリサイクル使用も可能であり、これらを除去する設
備があれば好ましい。そして、本発明は、バッチ式又は
連続式に行うことができ、かつ任意の装置を使用するこ
とができる。なお、連続式で製造する場合には、少なく
とも二基以上の反応器を使用し、上記の反応条件を設定
するのが好ましい。本発明で用いられる反応器は、その
材質や構造は、特に制限はされないが、通常の攪拌機能
を有していればよい。ただし、反応後段においては粘度
が上昇するので高粘度型の攪拌機能を有するものが好ま
しい。さらに、反応器の形状は槽型のみならず、押出機
型のリアクターなどでもよい。
に、使用した炭酸ジエステルに対応するフェノール類，
アルコール類，又はそれらのエステル類及び不活性溶剤
が反応器より脱離してゆく。これら脱離物は、分離、精
製しリサイクル使用も可能であり、これらを除去する設
備があれば好ましい。そして、本発明は、バッチ式又は
連続式に行うことができ、かつ任意の装置を使用するこ
とができる。なお、連続式で製造する場合には、少なく
とも二基以上の反応器を使用し、上記の反応条件を設定
するのが好ましい。本発明で用いられる反応器は、その
材質や構造は、特に制限はされないが、通常の攪拌機能
を有していればよい。ただし、反応後段においては粘度
が上昇するので高粘度型の攪拌機能を有するものが好ま
しい。さらに、反応器の形状は槽型のみならず、押出機
型のリアクターなどでもよい。
【００５４】本発明においては、エステル交換反応終了
後、得られるポリカーボネートの品質（着色）を良好な
ものとするために、触媒の分解温度以上、好ましくは３
００℃前後に反応物を熱処理して、触媒を熱分解除去す
るのが好ましい。以上のようにして得られたポリカーボ
ネートは、そのまま造粒してもよく、また、押出機など
を用いて成形することもできる。また、本発明によって
得られるポリカーボネートは、可塑剤，顔料，潤滑剤，
離型剤，安定剤，無機充填剤などのような周知の添加剤
を配合して使用することができる。さらに、このポリカ
ーボネートは、ポリオレフィン，ポリスチレン，ポリエ
ステル，ポリスルホネート，ポリアミド，ポリフェニレ
ンエーテルなどの重合体とブレンドすることが可能であ
る。特に、ＯＨ基，ＣＯＯＨ基，ＮＨ2 基などを末端に
有するポリフェニレンエーテル，ポリエーテルニトリ
ル，末端変性ポリシロキサン化合物，変性ポリプロピレ
ン，変性ポリスチレンなどと併用すると効果的である。
後、得られるポリカーボネートの品質（着色）を良好な
ものとするために、触媒の分解温度以上、好ましくは３
００℃前後に反応物を熱処理して、触媒を熱分解除去す
るのが好ましい。以上のようにして得られたポリカーボ
ネートは、そのまま造粒してもよく、また、押出機など
を用いて成形することもできる。また、本発明によって
得られるポリカーボネートは、可塑剤，顔料，潤滑剤，
離型剤，安定剤，無機充填剤などのような周知の添加剤
を配合して使用することができる。さらに、このポリカ
ーボネートは、ポリオレフィン，ポリスチレン，ポリエ
ステル，ポリスルホネート，ポリアミド，ポリフェニレ
ンエーテルなどの重合体とブレンドすることが可能であ
る。特に、ＯＨ基，ＣＯＯＨ基，ＮＨ2 基などを末端に
有するポリフェニレンエーテル，ポリエーテルニトリ
ル，末端変性ポリシロキサン化合物，変性ポリプロピレ
ン，変性ポリスチレンなどと併用すると効果的である。
【００５５】
【実施例】次に、本発明を実施例及び比較例によりさら
に詳しく説明するが、本発明はこれらの例によってなん
ら限定されるのではない。 実施例１ 内容積1.４リットルの攪拌機付ニッケル鋼製オートクレ
ーブに、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）２２８ｇ（1.００
モル），ジフェニルカーボネート２２6.８ｇ（1.０６モ
ル）及びｐ−クミルフェノール6.１ｇ（0.０２９モル）
を仕込み、さらに触媒としてテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド（ＴＭＡＨ）２０重量％水溶液（Ｎａ＜１
ｐｐｂ，Ｃａ＜１ｐｐｂ，Ｋ＜１ｐｐｂ）及びテトラブ
チルホスホニウムヒドロキシド（ＴＢＰＨ）４０重量％
水溶液（Ｎａ＜４０ｐｐｍ，Ｋ＜５ｐｐｍ）を、それぞ
れＴＭＡＨが2.５×１０-4モル／モルＢＰＡ，ＴＢＰＨ
が１×１０-5モル／モルＢＰＡになるように仕込んだの
ち、窒素置換を５回行った。
に詳しく説明するが、本発明はこれらの例によってなん
ら限定されるのではない。 実施例１ 内容積1.４リットルの攪拌機付ニッケル鋼製オートクレ
ーブに、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）２２８ｇ（1.００
モル），ジフェニルカーボネート２２6.８ｇ（1.０６モ
ル）及びｐ−クミルフェノール6.１ｇ（0.０２９モル）
を仕込み、さらに触媒としてテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド（ＴＭＡＨ）２０重量％水溶液（Ｎａ＜１
ｐｐｂ，Ｃａ＜１ｐｐｂ，Ｋ＜１ｐｐｂ）及びテトラブ
チルホスホニウムヒドロキシド（ＴＢＰＨ）４０重量％
水溶液（Ｎａ＜４０ｐｐｍ，Ｋ＜５ｐｐｍ）を、それぞ
れＴＭＡＨが2.５×１０-4モル／モルＢＰＡ，ＴＢＰＨ
が１×１０-5モル／モルＢＰＡになるように仕込んだの
ち、窒素置換を５回行った。
【００５６】混合物を１８０℃まで加熱し、ビスフェノ
ールＡとジフェニルカーボネートを溶融させ３０分間攪
拌したのち、２１０℃に昇温し、真空度を１００ｍｍＨ
ｇとし、生成するフェノールを留去した。フェノールの
留出速度が低下したところで２４０℃とし、さらにフェ
ノールを留出させた。次いで、次第に真空度を１０ｍｍ
Ｈｇまで上げて１時間反応させたのち、２７０℃に昇温
し、真空度を徐々に上げて0.４ｍｍＨｇにして６０分間
反応させた。次に、オートクレーブ内の粘稠で透明な縮
合物を取り出し、このポリカーボネートについて、次の
方法に従って性状を求めた。ｐ−クミルフェノール量及
び触媒の種類，量を第１表に、結果を第２表に示す。 （１）サリチル酸フェニル構造単位の含有量 明細書本文に記載の方法に従って、主鎖中のサリチル酸
フェニル構造単位の含有量を求めた。 （２）末端モル分率1 Ｈ−ＮＭＲを用いて、末端位のｐ−クミルフェノキシ
基，フェノキシ基及び水酸基のモル分率を求めた。 （３）粘度平均分子量 明細書本文に記載の方法に従って、粘度平均分子量（Ｍ
ｖ）を求めた。 （４）クラック発生数 ポリカーボネートを２８０℃で、５×５ｃｍ、厚さ３ｍ
ｍにプレス成形し、次いで１２１℃で４８時間滅菌器内
でスチームに暴露した後、水中に保存し、２４時間後の
クラック発生量を、５×５ｃｍのプレート当たりのクラ
ック数として次のようにして測定した。万能投影機（Ｏ
ＬＹＭＰＵＳ ＵＰ−３５０）を用い、単色フィルター
を使用して拡大投影写真（１０倍）を撮影し、続いて、
画像解析装置（スタンレー電器（株）画像解析システム
Ｖ2.０）により、２５ｃｍ×２０ｃｍに設定したスキャ
ナーで読み取り、その画像を判別分析法により二値化し
た。１０画素（１画素＝0.３ｍｍ）以上の粒子数をカウ
ントし、この計測値を５倍したものをクラック発生数と
した。 （５）流れ値 ２８０℃，１６０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力下で、径１ｍｍ，
長さ１０ｍｍのノズルから流出する樹脂量（ミリリット
ル／秒）を測定し流れ値とした。 （６）サリチル酸フェニル構造の定性分析 ポリマー５００ｍｇを塩化メチレンに溶解後、２規定Ｋ
ＯＨ−メタノール溶液を用いて加水分解処理した。加水
分解処理後、塩化メチレンを揮発させ、塩酸にて中和し
たのち、高速液体クロマトグラフィーにて分離した。３
１０ｎｍ付近（サリチル酸フェニル構造はメチルエステ
ルになっているため、通常３２０ｎｍから３０８ｎｍに
吸収極大がシフトする）に吸収極大をもつ成分を分取
し、質量分析計にてマススペクトルを測定した。図１に
マススペクトルチャートを示す。なお、上記加水分解処
理における反応式を下記に示す。
ールＡとジフェニルカーボネートを溶融させ３０分間攪
拌したのち、２１０℃に昇温し、真空度を１００ｍｍＨ
ｇとし、生成するフェノールを留去した。フェノールの
留出速度が低下したところで２４０℃とし、さらにフェ
ノールを留出させた。次いで、次第に真空度を１０ｍｍ
Ｈｇまで上げて１時間反応させたのち、２７０℃に昇温
し、真空度を徐々に上げて0.４ｍｍＨｇにして６０分間
反応させた。次に、オートクレーブ内の粘稠で透明な縮
合物を取り出し、このポリカーボネートについて、次の
方法に従って性状を求めた。ｐ−クミルフェノール量及
び触媒の種類，量を第１表に、結果を第２表に示す。 （１）サリチル酸フェニル構造単位の含有量 明細書本文に記載の方法に従って、主鎖中のサリチル酸
フェニル構造単位の含有量を求めた。 （２）末端モル分率1 Ｈ−ＮＭＲを用いて、末端位のｐ−クミルフェノキシ
基，フェノキシ基及び水酸基のモル分率を求めた。 （３）粘度平均分子量 明細書本文に記載の方法に従って、粘度平均分子量（Ｍ
ｖ）を求めた。 （４）クラック発生数 ポリカーボネートを２８０℃で、５×５ｃｍ、厚さ３ｍ
ｍにプレス成形し、次いで１２１℃で４８時間滅菌器内
でスチームに暴露した後、水中に保存し、２４時間後の
クラック発生量を、５×５ｃｍのプレート当たりのクラ
ック数として次のようにして測定した。万能投影機（Ｏ
ＬＹＭＰＵＳ ＵＰ−３５０）を用い、単色フィルター
を使用して拡大投影写真（１０倍）を撮影し、続いて、
画像解析装置（スタンレー電器（株）画像解析システム
Ｖ2.０）により、２５ｃｍ×２０ｃｍに設定したスキャ
ナーで読み取り、その画像を判別分析法により二値化し
た。１０画素（１画素＝0.３ｍｍ）以上の粒子数をカウ
ントし、この計測値を５倍したものをクラック発生数と
した。 （５）流れ値 ２８０℃，１６０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力下で、径１ｍｍ，
長さ１０ｍｍのノズルから流出する樹脂量（ミリリット
ル／秒）を測定し流れ値とした。 （６）サリチル酸フェニル構造の定性分析 ポリマー５００ｍｇを塩化メチレンに溶解後、２規定Ｋ
ＯＨ−メタノール溶液を用いて加水分解処理した。加水
分解処理後、塩化メチレンを揮発させ、塩酸にて中和し
たのち、高速液体クロマトグラフィーにて分離した。３
１０ｎｍ付近（サリチル酸フェニル構造はメチルエステ
ルになっているため、通常３２０ｎｍから３０８ｎｍに
吸収極大がシフトする）に吸収極大をもつ成分を分取
し、質量分析計にてマススペクトルを測定した。図１に
マススペクトルチャートを示す。なお、上記加水分解処
理における反応式を下記に示す。
【００５７】
【化１９】
【００５８】実施例２ 実施例１において、ＴＢＰＨの代わりにメチルトリフェ
ニルホスホニウムテトラフェニルボレート（ＭＴＰＴ
Ｂ，Ｎａ＜７ｐｐｍ，Ｍｇ＜５ｐｐｍ）を１×１０-5モ
ル／モルＢＰＡの割合で用いた以外は、実施例１と同様
にして実施した。ｐ−クミルフェノール量及び触媒の種
類，量を第１表に、結果を第２表に示す。 実施例３ 実施例１において、ｐ−クミルフェノール量を4.１ｇ
（0.０２モル）用い、かつ触媒として、テトラブチルア
ンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ，Ｎａ＜５ｐｐｍ，
Ｋ＜１０ｐｐｍ）を2.５×１０-4モル／モルＢＰＡ及び
テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート
（ＴＰＴＢ，Ｎａ＜１ｐｐｍ，Ｍｇ＜１ｐｐｍ）を１×
１０-5モル／モルＢＰＡの割合で用いた以外は、実施例
１と同様にして実施した。ｐ−クミルフェノール量及び
触媒の種類，量を第１表に、結果を第２表に示す。 実施例４ 実施例１において、ｐ−クミルフェノールの添加時期を
２４０℃に昇温後に行った以外は、実施例１と同様にし
て実施した。ｐ−クミルフェノール量及び触媒の種類，
量を第１表に、結果を第２表に示す。
ニルホスホニウムテトラフェニルボレート（ＭＴＰＴ
Ｂ，Ｎａ＜７ｐｐｍ，Ｍｇ＜５ｐｐｍ）を１×１０-5モ
ル／モルＢＰＡの割合で用いた以外は、実施例１と同様
にして実施した。ｐ−クミルフェノール量及び触媒の種
類，量を第１表に、結果を第２表に示す。 実施例３ 実施例１において、ｐ−クミルフェノール量を4.１ｇ
（0.０２モル）用い、かつ触媒として、テトラブチルア
ンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ，Ｎａ＜５ｐｐｍ，
Ｋ＜１０ｐｐｍ）を2.５×１０-4モル／モルＢＰＡ及び
テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート
（ＴＰＴＢ，Ｎａ＜１ｐｐｍ，Ｍｇ＜１ｐｐｍ）を１×
１０-5モル／モルＢＰＡの割合で用いた以外は、実施例
１と同様にして実施した。ｐ−クミルフェノール量及び
触媒の種類，量を第１表に、結果を第２表に示す。 実施例４ 実施例１において、ｐ−クミルフェノールの添加時期を
２４０℃に昇温後に行った以外は、実施例１と同様にし
て実施した。ｐ−クミルフェノール量及び触媒の種類，
量を第１表に、結果を第２表に示す。
【００５９】比較例１ 実施例１において、触媒として第１表に示したものを用
い、かつ重合終了後にｐ−トルエンスルホン酸ブチルを
ポリマー当たり1.８重量ｐｐｍとなるよに添加し、３０
分間混合攪拌したのち、溶融物を取り出した。結果を第
２表に示す。 比較例２ 実施例１において、触媒として第１表に示したものを用
い、かつ重合終了後にｐ−トルエンスルホン酸ブチルを
ポリマー当たり１０重量ｐｐｍとなるよに添加し、３０
分間混合攪拌したのち、溶融物を取り出した。結果を第
２表に示す。 比較例３ 実施例３において、触媒として第１表に示したものを用
いた以外は、実施例３と同様にして実施した。結果を第
２表に示す。 比較例４ 実施例３において、触媒として第１表に示したものを用
いた以外は、実施例３と同様にして実施した。結果を第
２表に示す。
い、かつ重合終了後にｐ−トルエンスルホン酸ブチルを
ポリマー当たり1.８重量ｐｐｍとなるよに添加し、３０
分間混合攪拌したのち、溶融物を取り出した。結果を第
２表に示す。 比較例２ 実施例１において、触媒として第１表に示したものを用
い、かつ重合終了後にｐ−トルエンスルホン酸ブチルを
ポリマー当たり１０重量ｐｐｍとなるよに添加し、３０
分間混合攪拌したのち、溶融物を取り出した。結果を第
２表に示す。 比較例３ 実施例３において、触媒として第１表に示したものを用
いた以外は、実施例３と同様にして実施した。結果を第
２表に示す。 比較例４ 実施例３において、触媒として第１表に示したものを用
いた以外は、実施例３と同様にして実施した。結果を第
２表に示す。
【００６０】
【表１】
【００６１】〔注〕 ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２０
重量％水溶液（Ｎａ＜１ｐｐｂ，Ｃａ＜１ｐｐｂ，Ｋ＜
１ｐｐｂ） ＴＢＡＨ：テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（Ｎ
ａ＜５ｐｐｍ，Ｋ＜１０ｐｐｍ） ＴＢＰＨ：テトラブチルホスホニウムヒドロキシド４０
重量％水溶液（Ｎａ＜４０ｐｐｍ，Ｋ＜５ｐｐｍ） ＭＴＰＴＢ：メチルトリフェニルホスホニウムテトラフ
ェニルボレート（Ｎａ＜７ｐｐｍ，Ｍｇ＜５ｐｐｍ） ＴＰＴＢ：テトラフェニルホスホニウムテトラフェニル
ボレート（Ｎａ＜１ｐｐｍ，Ｍｇ＜１ｐｐｍ）
重量％水溶液（Ｎａ＜１ｐｐｂ，Ｃａ＜１ｐｐｂ，Ｋ＜
１ｐｐｂ） ＴＢＡＨ：テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（Ｎ
ａ＜５ｐｐｍ，Ｋ＜１０ｐｐｍ） ＴＢＰＨ：テトラブチルホスホニウムヒドロキシド４０
重量％水溶液（Ｎａ＜４０ｐｐｍ，Ｋ＜５ｐｐｍ） ＭＴＰＴＢ：メチルトリフェニルホスホニウムテトラフ
ェニルボレート（Ｎａ＜７ｐｐｍ，Ｍｇ＜５ｐｐｍ） ＴＰＴＢ：テトラフェニルホスホニウムテトラフェニル
ボレート（Ｎａ＜１ｐｐｍ，Ｍｇ＜１ｐｐｍ）
【００６２】
【表２】
【００６３】
【表３】
【００６４】
【発明の効果】本発明のポリカーボネートは、主鎖中の
サリチル酸フェニル構造単位の含有量が少なく、流動性
及び耐湿性に優れ、高温，高湿下でのクラックの発生が
抑制され、光学分野，自動車分野，機械分野などに好適
に用いられる。また、このポリカーボネートは、特定の
触媒を用いるエステル交換反応により、効率よく製造す
ることができる。
サリチル酸フェニル構造単位の含有量が少なく、流動性
及び耐湿性に優れ、高温，高湿下でのクラックの発生が
抑制され、光学分野，自動車分野，機械分野などに好適
に用いられる。また、このポリカーボネートは、特定の
触媒を用いるエステル交換反応により、効率よく製造す
ることができる。
【００６５】
【図１】 実施例１におけるポリマー中のサリチル酸フ
ェニル構造の定性分析において用いたマススペクトルチ
ャートである。
ェニル構造の定性分析において用いたマススペクトルチ
ャートである。
Claims (6)
- 【請求項１】 主鎖が、一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 及びＲ2 は、それぞれ水素原子又は炭素数
１〜７のアルキル基を示し、それらはたがいに同一でも
異なっていてもよく、またたがいに結合して環構造を形
成していてもよい。）で表される繰り返し単位からな
り、かつその主鎖中に含まれる式（II) 【化２】 で表されるサリチル酸フェニル構造単位の量が１００重
量ｐｐｍ以下であることを特徴とする粘度平均分子量１
０，０００以上のポリカーボネート。 - 【請求項２】 末端位にｐ−クミルフェノキシ基５〜９
８モル％，フェノキシ基１〜９４モル％及び水酸基１〜
９４モル％を有する請求項１記載のポリカーボネート。 - 【請求項３】 エステル交換反応で得られた請求項１又
は２記載のポリカーボネート。 - 【請求項４】 （Ａ）一般式（III) 【化３】 （式中、Ｒ1 及びＲ2 は、それぞれ水素原子又は炭素数
１〜７のアルキル基を示し、それらはたがいに同一でも
異なっていてもよく、またたがいに結合して環構造を形
成していてもよい。）で表される芳香族ジヒドロキシ化
合物と（Ｂ）炭酸ジエステルとを、（ａ）含窒素有機塩
基性化合物と（ｂ）四級ホスホニウム塩との組合せから
なる重合触媒を用いて、エステル交換反応させることを
特徴とする請求項１記載のポリカーボネートの製造方
法。 - 【請求項５】 （Ａ）一般式（III)で表される芳香族ジ
ヒドロキシ化合物と（Ｂ’）ジフェニルカーボネートと
を、ｐ−クミルフェノールの存在下、（ａ）含窒素有機
塩基性化合物と（ｂ）四級ホスホニウム塩との組合せか
らなる重合触媒を用いて、エステル交換反応させること
を特徴とする請求項２記載のポリカーボネートの製造方
法。 - 【請求項６】 （Ａ）成分の芳香族ジヒドロキシ化合物
が、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
である請求項４又は５記載の方法。
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