JP2003505546A - ポリカーボネートの製造方法 - Google Patents

ポリカーボネートの製造方法

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、ポリカーボネートを製造するための溶融エステル交換方法に関する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 本発明は、ポリカーボネートを製造するための溶融エステル交換方法に関する
【0002】 溶融エステル交換法を用いた芳香族ポリカーボネートの製造は、文献から公知
であり、例えば、エンサクロペディア・オブ・ポリマー・サイエンス(Encyclope
dia of Polymer Science)、第10巻(1969年)、ケミストリー・アンド・フィジ
ックス・オブ・ポリカーボネーツ(Chemistry & Physics of Polycarbonates)、
ポリマー・レヴューズ、エイチ・シュネル(H. Schnell)著、第9巻、ジョン・ワ
イリー・アンド・サンズ・インコーポレイテッド(John Wiley & Sons Inc.)(19
64年)に記載されており、そしてドイツ特許第1031512号公報を基礎として種々
の特許公報に開示されている。欧州特許第360578号公報には、溶融エステル交換
により生成されたポリカーボネートの末端基が、連鎖停止剤を添加することで交
換され得ることが記されている。とはいえ、連鎖停止剤の導入量の一部のみが、
実際にポリカーボネート中の末端基として残ることが分かった。末端基は、特に
高い連鎖停止剤含量を有するPC種、とりわけ低分子量でかつ分岐したPC種の
機械特性に本質的な影響を及ぼすことから、フェノール末端基をその他のより好
適なフェノールでできる限り完全に置換することを確実にするのが望ましい。さ
らに、重縮合中に生じるフェノールを蒸留によりプロセスから除去する際に、前
述の後者の物質が完全に結合されていないと、連鎖停止剤に汚染される。それゆ
えに、高い反応収率に関してのみならず、蒸留によって除去されるフェノールの
再使用に関しても、最も効果的な完全な結合(incorporation)を確実にすること
が望ましい。
【0003】 従って、本発明の課題は、ポリカーボネートのいくつかの末端基がフェノール
(phenol)以外のフェノール類(phenols)から構成されたポリカーボネートの製造
を可能にする溶融エステル交換法を提供することから発生した。この点で、導入
された連鎖停止剤のうちのできるだけ多くのものが結合されなければならない。
【0004】 本発明の課題は、連鎖停止剤として好適なフェノールの存在下における、ビス
フェノール類、好ましくはビスフェノールA、および炭酸ジエステルからのポリ
カーボネートの製造方法により達成される。ここで、連鎖停止剤として使用され
るフェノールは、遊離体で、あるいは合成の条件下でエステル交換反応性を有す
る化合物として導入されてよい。本発明の方法は、触媒として、ホスホニウム塩
を、任意にその他の触媒(特にナトリウムイオン)と組み合わせて、使用するこ
とを特徴とする。
【0005】 本発明の方法の意図において、ホスホニウム塩は、式(I)で表されるもので
ある。
【化1】 (ここで、R1〜4は、同一または異なって、C〜C18アルキル、C〜C 14 アリール、C〜C12アラルキルまたはC〜Cシクロアルキルであっ
てよく、好ましくはメチルまたはC〜C14アリールであり、特に好ましくは
メチルまたはフェニルであり、およびXはアニオンであってよく、例えば、硫
酸塩(sulfate)、硫酸水素塩(hydrogen sulfate)、炭酸水素塩(hydrogen carbona
te)、炭酸塩(carbonate)、酢酸塩(acetate)、ヒドリドホウ酸塩(hydridoborate)
、リン酸水素塩(hydrogen phosphate)、ハロゲン化物(halide)、好ましくはフッ
化物、塩化物または臭化物、式OR(式中、Rは、C〜C14アリール、C
〜C12アラルキル、好ましくはフェニルである。)のアルコキシドなどが挙げ
られる。) 好ましい触媒は、テトラフェニルホスホニウムフルオライド(tetraphenylphosph
onium fluoride)、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルヒドリドホウ酸
塩(tetraphenylphosphonium tetraphenylhydridoborate)であり、特に好ましく
はテトラフェニルホスホニウムフェノラート(tetraphenylphosphonium phenolat
e)である。
【0006】 使用してよいナトリウムイオン触媒は、水酸化物、炭酸水素塩、炭酸塩、アル
コキシド、酢酸塩、ヒドリドホウ酸塩、リン酸水素塩および水素化物であり、好
ましくは水酸化物およびアルコキシド、特に好ましくは、ビスフェノール類およ
び連鎖停止剤に関する上述のフェノール類およびビスフェノール類のナトリウム
塩、およびフェノール自体のナトリウム塩であって、最も好ましくは2,2-ビス-(
4-ヒドロキシフェニル)プロパンのナトリウム塩である。
【0007】 本発明の方法の意図において連鎖停止剤として好適なアルキルフェノール類は
、式(II):
【化2】 (式中、R、R'およびR''は、互いに独立して、H、任意に分岐されたC
34アルキル/シクロアルキル、C〜C34アルカリールまたはC〜C アリールである。) で表されるものであって、例えば、o-n-ブチルフェノール、m-n-ブチルフェノー
ル、p-n-ブチルフェノール、o-イソブチルフェノール、m-イソブチルフェノール
、p-イソブチルフェノール、o-tert-ブチルフェノール、m-tert-ブチルフェノー
ル、p-tert-ブチルフェノール、o-n-ペンチルフェノール、m-n-ペンチルフェノ
ール、p-n-ペンチルフェノール、o-n-ヘキシルフェノール、m-n-ヘキシルフェノ
ール、p-n-ヘキシルフェノール、o-シクロヘキシルフェノール、m-シクロヘキシ
ルフェノール、p-シクロヘキシルフェノール、o-フェニルフェノール、m-フェニ
ルフェノール、p-フェニルフェノール、o-イソオクチルフェノール、m-イソオク
チルフェノール、p-イソオクチルフェノール、o-n-ノニルフェノール、m-n-ノニ
ルフェノール、p-n-ノニルフェノール、o-クミルフェノール、m-クミルフェノー
ル、p-クミルフェノール、o-ナフチルフェノール、m-ナフチルフェノール、p-ナ
フチルフェノール、2,5-ジ-tert-ブチルフェノール、2,4-ジ-tert-ブチルフェノ
ール、3,5-ジ-tert-ブチルフェノール、2,5-ジクミルフェノール、3,5-ジクミル
フェノール、4-フェノキシフェノール、2-フェノキシフェノール、3-フェノキシ
フェノール、3-ペンタデシルフェノール、2-ペンタデシルフェノール、4-ペンタ
デシルフェノール、2-フェニルフェノール、3-フェニルフェノール、4-フェニル
フェノール、トリチルフェノール、3-トリフェニルメチルフェノール、2-トリフ
ェニルメチルフェノール、並びに式(III):
【化3】 (ここで、R〜Rは、前述のR、R'およびR''と同じ意味を表す。) のベンゾトリアゾール誘導体、および
【化4】 などのクロマン化合物であって、好ましくはトリチルフェノール、クミルフェノ
ール、フェノキシフェノール、ペンタデシルフェノールなどの低沸点フェノール
類またはクロマン類であるか、あるいは合成条件下でエステル交換反応性を有す
る化合物としての、カーボネート(carbonates)、オキサレート(oxalates)、o-カ
ルボン酸エステルなどである。ここで、好ましい化合物は、遊離フェノール類、
または式(IV)および式(V)の炭酸ジエステルである。
【化5】
【化6】 (ここで、R、R'およびR''は、式(II)で表されるものである。) フェノール類またはエステル交換反応性物質は、合成に単独でまたは混合物とし
て添加されてよい。好ましい混合物は、ジフェニルカーボネート(diphenyl carb
onate)を包含するものである。本発明の方法を使用する際、フェノールまたはフ
ェノールを有する化合物を、反応中いつでも、好ましくは反応の開始時に添加す
ることが可能であり、また添加は、2区分以上に分かれていてもよい。全炭酸エ
ステルの割合は、ジヒドロキシ化合物に対して100〜130モル%であり、好
ましくは103〜120モル%である。
【0008】 本発明の方法を用いるポリカーボネートを製造するとき、連鎖停止剤は、(ジ
ヒドロキシ化合物に対して)0.4〜17モル%、好ましくは1.3〜8.6モ
ル%の割合でアルキルフェノールとして好ましく添加される。この添加は、反応
前に行うのみならず、反応中に全部もしくは一部を行ってもよい。
【0009】 本発明の方法の意図において、ジヒドロキシ化合物は、式(VI)で表される
ものである。
【化7】 (ここで、Zは、炭素原子を6個〜30個有する芳香族残基であり、前記残基は
、1個以上の芳香環を含有していてよく、置換されていてよく、そして結合部分
として、脂肪族もしくは脂環式の残基、あるいはアルキルアリールまたはヘテロ
原子を含有していてよい。)
【0010】 式(VI)のジヒドロキシ化合物の例は、以下の化合物である。 ヒドロキノン、レゾルシノール、ジヒドロキシジフェニル、ビス(ヒドロキシフ
ェニル)アルカン、ビス(ヒドロキシフェニル)シクロアルカン、ビス(ヒドロキシ
フェニル)スルフィド、ビス(ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(ヒドロキシフ
ェニル)ケトン、ビス(ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(ヒドロキシフェニル
)スルホキシド、α,α'-ビス(ヒドロキシフェニル)ジイソプロピルベンゼン、並
びにこれらの環アルキル化および環ハロゲン化された化合物。
【0011】 前記ジフェノールおよび更に好適な別のジフェノールは、例えば、米国特許第
3,028,365号公報、同第3,148,172号公報、同第3,275,601号公報、同第2,991,273
号公報、同第3,271,367号公報、同第3,062,781号公報、同第2,970,131号公報お
よび同第2,999,846号公報、ドイツ特許出願公開第OS-1570703号公報、同第O
S-2063050号公報、同第OS-2063052号公報、同第OS-22110956号公報、フラ
ンス特許第1561518号公報、および研究論文「エイチ・シュネル著、ケミストリ
ー・アンド・フィジックス・オブ・ポリカーボネーツ(Chemistry & Physics of
Polycarbonates)、インターサイエンス・パブリッシャーズ、ニューヨーク、196
4年」に開示されている。
【0012】 好ましいジフェノールは、例えば、以下の化合物である。 4,4'-ジヒドロキシジフェニル、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)プロパン、2,4
-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-2-メチルブタン、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニ
ル)シクロヘキサン、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-4-メチルシクロヘキサン
、α,α'-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-p-ジイソプロピルベンゼン、α,α'-ビ
ス(4-ヒドロキシフェニル)-m-ジイソプロピルベンゼン、ビス(4-ヒドロキシフェ
ニル)スルホン、ビス(4-ヒドロキシフェニル)メタン、1,1-ビス(4-ヒドロキシフ
ェニル)-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、2,2-ビス(2,6-ジメチル-4-ヒドロキ
シフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、1,1-(4-ヒドロキシフェニル)-1-フェニルエタン、ビス(4-ヒドロキシフェニ
ル)ジフェニルメタン、ジヒドロキシジフェニルエーテル、4,4'-チオビスフェノ
ール、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-1-(1-ナフチル)エタン、1,1-ビス(4-ヒ
ドロキシフェニル)-1-(2-ナフチル)エタン、2,3-ジヒドロキシ-3-(4-ヒドロキシ
フェニル)-1,1,3-トリメチル-1H-インデン-5-オール、2,3-ジヒドロキシ-1-(4-
ヒドロキシフェニル)-1,3,3-トリメチル-1H-インデン-5-オール、2,2',3,3'-テ
トラヒドロ-3,3,3',3'-テトラメチル-1,1'-スピロビ[1H-インデン]-5,5'-ジオー
ル。
【0013】 特に好ましい化合物は、レゾルシノール、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-1
-(1-ナフチル)エタン、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-1-(2-ナフチル)エタン
、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)プロパン、α,α'-ビス(4-ヒドロキシフェニ
ル)-p-ジイソプロピルベンゼン、α,α'-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-m-ジイソ
プロピルベンゼン、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1-ビス
(4-ヒドロキシフェニル)-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、ビス(4-ヒドロキシ
フェニル)ジフェニルメタン、4,4'-ジヒドロキシジフェニルである。
【0014】 式(VI)のジフェノールを1種使用して、ホモポリカーボネートを形成する
こと、および式(VI)のジフェノールを2種以上使用して、コポリカーボネー
トを形成することが共に可能である。
【0015】 本発明の方法では、更に、枝分かれ剤を(ジヒドロキシ化合物に対して)0.
02〜3.6モル%の割合で添加することも可能である。好適な枝分かれ剤は、
ポリカーボネート製造に適した化合物であって、3個以上の官能基を有するもの
、好ましくはフェノール性OH基を3個または3個以上有するものである。好適
な枝分かれ剤の例は、以下の化合物である。 フロログルシノール、4,6-ジメチル-2,4,6-トリ-(4-ヒドロキシフェニル)ヘプタ
ン、1,3,5-トリ-(4-ヒドロキシフェニル)ベンゼン、1,1,1-トリ-(4-ヒドロキシ
フェニル)エタン、トリ-(4-ヒドロキシフェニル)フェニルメタン、2,2-ビス-[4,
4-ビス(4-ヒドロキシフェニル)シクロヘキシル]プロパン、2,4-ビス-(4-ヒドロ
キシフェニルイソプロピル)フェノール、2,6-ビス-(2-ヒドロキシ-5-メチルベン
ジル)-4-メチルフェノール、2-(4-ヒドロキシフェニル)-2-(2,4-ジヒドロキシフ
ェニル)プロパン、ヘキサ-[4-(4-ヒドロキシフェニルイソプロピル)フェニル]オ
ルトテレフタル酸エステル、テトラ-(4-ヒドロキシフェニル)メタン、テトラ-[4
-(4-ヒドロキシフェニルイソプロピル)フェノキシ]メタン、1,4-ビス-[4',4''-
ジヒドロキシトリフェニル)メチル]ベンゼン、α,α',α''-トリス-(4-ヒドロキ
シフェニル)-1,3,4-トリイソプロペニルベンゼン、イサチンビスクレゾール(isa
tin biscrezol)、ペンタエリスリトール、2,4-ジヒドロキシ安息香酸、トリメシ
ン酸、シアヌール酸。
【0016】 1,1,1-トリ-(4-ヒドロキシフェニル)エタンおよびイサチンビスクレゾールが
特に好ましい。
【0017】 本発明の方法は、一般には、75℃〜325℃の温度および1bar〜0.0
1mbarの圧力で行われる。
【0018】 本発明の方法は、例えば、最初の段階では、ジフェノール、炭酸ジエステルお
よび触媒、そして任意にアルキルフェノール類および枝分かれ剤を75℃〜22
5℃、好ましくは105℃〜235℃、特に好ましくは120℃〜190℃にお
いて標準的な圧力下で0.1〜5時間、好ましくは0.25〜3時間溶解するこ
とにより行われる。次いで、オリゴカーボネートは、真空を適用して温度を上げ
ることによりモノフェノールを留去することによって生成される。最終段階では
、更に240℃〜325℃の温度に昇温して2mbar未満の圧力で重縮合する
ことにより、ポリカーボネートが生成される。
【0019】 本発明の方法は、連続的および非連続的の両者で、具体的には例えば撹拌槽、
薄膜型蒸発缶(thin film evaporators)、連続して接続した撹拌槽、押出機、ニ
ーダー、シンプルディスク反応器(simple disk reactors)または高粘度反応器に
おいて行ってよい。
【0020】 本発明により得られるポリカーボネートは、例えば排出(discharging)、スピ
ニング(spinning)およびペレット成形することにより単離される。
【0021】 本発明の方法を用いて得られるポリカーボネートは、重量平均分子量Mwが約
2000〜150000、好ましくは約4500〜55000であり得る。ここ
でMwは、ジクロロメタン中またはフェノール/o-ジクロロベンゼンの等重量の
混合物中での相対溶液粘度から決定され、較正は、光散乱によって行われる。
【0022】 本発明により得られるポリカーボネートは、文献から公知の通常使用されるO
H末端基含量を表し、これは四塩化チタンを用いて光度測定的に決定されてよい
【0023】 本発明の方法を用いて生成されるポリカーボネートは、良好な機械特性と高い
透明性を示し、しかも溶媒を含まない。
【0024】 導入されたアルキルフェノールの結合は、クミルフェノールの場合は13
NMR分析法で、その他のアルキルフェノールの場合はH NMR分析法で決
定される。これに基づいて、ポリカーボネート中に末端基として存在する導入さ
れた連鎖停止剤の割合を計算した。
【0025】 本発明により製造されるポリカーボネートの特性は、補助物質および強化材料
を添加することによって改良され得る。このような物質および材料は、特に、以
下のものであると考えてよい。安定化剤、流動助剤、離型剤、難燃剤、顔料、微
分散された鉱物、繊維質の材料、熱安定化剤、例えばアルキルおよびアリールホ
スファイト(phosphites)、ホスフェート(phosphates)、ホスファン(phosphanes)
、低分子量のカルボン酸エステル、ハロゲン化合物、塩、チョーク、シリカフラ
ワー、ガラスおよび炭素繊維、顔料、およびこれらの組み合わせ。
【0026】 上記以外のポリマー(例えばポリオレフィン、ポリウレタン、ポリエステルお
よびポリスチレン)を本発明のポリカーボネートに混入してもよい。
【0027】 前記物質は、好ましくは、常套の装置において完成したポリカーボネートに添
加されるが、必要に応じて、本発明の方法の別の段階で添加されてもよい。
【0028】 本発明の方法を用いて得られるポリカーボネートは、押出機または射出成形機
などの常套の機械類において、通常使用される方法を用いて加工されて、所望の
成形体を形成し得る(例えば、フィルムまたはシートを形成してよい)。
【0029】 このようなポリカーボネート成形体は、工業的に、例えば、光学および電気工
学応用に使用され得る。
【0030】実施例 比較例1 ビスフェノールA 45.60g(0.2モル)、ジフェニルカーボネート(d
iphenyl carbonate)47.08g(ビスフェノールAに対して110モル%)、
ホウ酸3.7mg(ビスフェノールAに対して0.03モル%)および4-クミル
フェノール2.12g(ビスフェノールAに対して5モル%)を秤量して、撹拌
機、内部温度計およびブリッジ付きビグルー管(Vigreux column、30cm、ミ
ラーコーティング(mirrored)されたもの)を備えた500mL3つ口フラスコに
分配する。雰囲気酸素を、真空を適用して窒素をパージすること(3回)により
装置から除去し、前記混合物を180℃で溶融させて、30分間撹拌する。次に
、15%水酸化アンモニウム溶液36.5mg(ビスフェノールAに対して0.
03モル%)と炭酸水素ナトリウム0.5mg(ビスフェノールAに対して0.
003モル%)を加えて、更に30分間撹拌を続ける。210℃まで昇温し、真
空を200mbarに高めて、得られたフェノールを蒸留によって取り除く。1
時間後、240℃に昇温し、20分後に150mbarまで真空を高める(impro
ved to 150 mbar)。更に20分後、100mbarまで減圧し(reduced to 100
mbar)、この圧力を20分間保持する。その後、30分間で15mbarまで減
圧する。次に、温度を270℃まで上げ、0.5mbarまで真空を高めて、更
に2時間撹拌を続ける。結果を表1にまとめる。
【0031】比較例2 25%水酸化アンモニア溶液22mg(ビスフェノールAに対して0.03モ
ル%)および1%炭酸水素ナトリウム溶液5mg(ビスフェノールAに対して0
.0003モル%)を添加すること以外は、比較例1と同様に行う。結果を表1
にまとめる。
【0032】比較例3 ビスフェノールA 45.66g(0.2モル)、ジフェニルカーボネート4
7.13g(ビスフェノールAに対して110モル%)、25%水酸化アンモニ
ウム溶液22mg(ビスフェノールAに対して0.03モル%)、1%炭酸水素
ナトリウム溶液5mg(ビスフェノールAに対して0.0003モル%)および
4-クミルフェノール2.12g(ビスフェノールAに対して5モル%)を秤量し
て、撹拌機、内部温度計およびブリッジ付きビグルー管(30cm、ミラーコー
ティングされたもの)を備えた500mL3つ口フラスコに分配する。雰囲気酸
素を、真空を適用して窒素をパージすること(3回)により装置から除去し、前
記混合物を150℃で溶融させる。190℃に昇温して、100mbarまで真
空を高め、得られるフェノールを蒸留により除去する。20分後、235℃まで
昇温し、60mbarまで真空を高める。15分後、250℃まで昇温し、更に
15分後に5mbarまで真空を高める。次いで、280まで昇温し、15分後
に0.5mbarまで減圧する。更に15分後、撹拌を300℃で更に30分間
続ける。結果を表1にまとめる。
【0033】
【表1】
【0034】実施例1 テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド(tetramethylammonium hydroxide)
の代わりにテトラフェニルホスホニウムフェノラート(tetraphenylphosphonium
phenolate、混成結晶として配分されたものであって、フェノールを混成結晶に
対して30重量%含有するもの)4.9mg(ビスフェノールAに対して0.0
04モル%)を添加すること以外は、比較例2と同様に行う。炭酸水素ナトリウ
ムは添加しない。結果を表2にまとめる。
【0035】実施例2 ホウ酸を添加しないこと以外は、実施例1と同様に行う。結果を表2にまとめ
る。
【0036】実施例3 ビスフェノールA 45.66g(0.2モル)、ジフェニルカーボネート4
6.21g(ビスフェノールAに対して108モル%)、テトラフェニルホスホ
ニウムフェノラート(tetraphenylphosphonium phenolate、混成結晶として配分
されたものであって、フェノールを混成結晶に対して30重量%含有するもの)
4.9mg(ビスフェノールAに対して0.004モル%)および4-フェノキシ
フェノール1.49g(ビスフェノールAに対して4モル%)を秤量して分配す
ること以外は、比較例3と同様に行う。
【0037】実施例4 ジフェニルカーボネート45.84g(ビスフェノールAに対して107モル
%)、および4-フェノキシフェノールの代わりに3-ペンタデシルフェノール1.
22g(ビスフェノールAに対して2モル%)を秤量して分配すること以外は、
実施例3と同様に行う。
【0038】実施例5 ジフェニルカーボネート45.51g(ビスフェノールAに対して106モル
%)、および4-フェノキシフェノールの代わりにクミルフェニルフェニルカーボ
ネート(cumylphenylphenyl carbonate)3.32g(ビスフェノールAに対して
5モル%)を秤量して分配すること以外は、実施例3と同様に行う。結果を表2
にまとめる。
【0039】
【表2】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ,UG ,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD, RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM,AT, AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,BZ,C A,CH,CN,CR,CU,CZ,DE,DK,DM ,DZ,EE,ES,FI,GB,GD,GE,GH, GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,K E,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS ,LT,LU,LV,MA,MD,MG,MK,MN, MW,MX,MZ,NO,NZ,PL,PT,RO,R U,SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM ,TR,TT,TZ,UA,UG,US,UZ,VN, YU,ZA,ZW (72)発明者 ロータル・ブンツェル ドイツ連邦共和国デー−47906ケンペン、 オットー−ハーン−シュトラーセ28番 Fターム(参考) 4F071 AA50 AC11 AC15 AE03 AE22 AH19 BB05 BB06 BC01 4J029 AA10 AB01 AB04 AE03 BB05A BB09A BB12A BB13A BE05A BF14A BH02 DB13 HC05A HC05B JB203 JC033 JC283 JC631 JF033

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 連鎖停止剤として適したアルキル基置換フェノールの存在下
    における、ビスフェノール、好ましくはビスフェノールA、および炭酸ジエステ
    ルからのポリカーボネートの製造方法であって、連鎖停止剤として用いられる前
    記フェノールが、遊離体で、または合成の条件下においてエステル交換反応性を
    有する化合物として導入され、そしてホスホニウム塩が触媒として使用されるこ
    とを特徴とするポリカーボネートの製造方法。
  2. 【請求項2】 ホスホニウム触媒が、ジフェノール1モルに対して10−2 モル〜10−6モルの濃度で使用される請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 用いられる前記触媒がテトラフェニルホスホニウムフェノラ
    ート(tetraphenylphosphonium phenolate)である請求項1または2記載の方法。
  4. 【請求項4】 ナトリウムイオンが0〜500ppbの濃度で添加される請
    求項1〜3のいずれかに記載の方法。
  5. 【請求項5】 ナトリウム塩がナトリウムフェノラート(sodium phenolate)
    である請求項4記載の方法。
  6. 【請求項6】 連鎖停止剤として使用される前記フェノールが、ビスフェノ
    ールに対して0.4〜17モル%、好ましくは1.3〜8.6モル%の量で導入
    される請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
  7. 【請求項7】 連鎖停止剤が、トリチルフェノール、クミルフェノール、フ
    ェノキシフェノール、またはペンタデシルフェノールである請求項1記載の方法
  8. 【請求項8】 請求項1〜7のいずれかにおいて定義された材料から製造さ
    れる成形体であって、特に光学記憶媒体、シートまたはフィルムのための成形体
  9. 【請求項9】 請求項1〜7のいずれかに記載の方法で製造されるポリカー
    ボネート。
  10. 【請求項10】 成形体の製造のための、請求項1〜7のいずれかに記載の
    方法で製造されるポリカーボネートの使用。
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