JP2003514043A - ポリエステルカーボネートの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ポリエステルカーボネートを製造するための溶融縮重合法。 【解決手段】この方法は、炭酸ジエステルと触媒を二酸と予備反応させ、こうして反応させた予備反応混合物を１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物と反応させることを含んでなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術的背景】

本発明は、ポリエステルカーボネートの製造方法に関する。具体的には、本発
明は、炭酸ジエステル及び触媒を二酸と予備反応させた後、反応した予備反応混
合物を芳香族ジヒドロキシ化合物と反応させることを含む溶融縮重合法に関する
。

【０００２】 ポリエステルカーボネート及びその製造法は長年にわたって広く研究されてい
る。ポリエステルカーボネートは透明で高い耐衝撃性を有する熱可塑性樹脂であ
る。その光学的透明性と物理的性質のため、ポリエステルカーボネートは射出成
形分野で広く用いられている。ポリエステルカーボネートの製造に一般に用いら
れている合成法は界面重合法と溶融縮重合法である。

【０００３】 界面重合は周知のプロセスである。Ｆｏｎｔａｎａらの米国特許第４９８３７
０６号では、ビスフェノール−Ａのような芳香族ジヒドロキシ化合物とホスゲン
及び二酸との反応が論じられている。二酸を反応混合物中に導入して、射出成形
適したメルトフローを有するポリエステルカーボネートを生じさせる。メルトフ
ローは粘度で記すこともできる。界面法で製造したポリエステルカーボネートで
は射出成形用の優れた粘度が得られるが、粒状物の混入が往々にして問題となる
。さらに、界面法では有害な化学物質であるホスゲンと環境に有害な塩素化溶剤
を使用する。

【０００４】 溶融縮重合は公知の合成プロセスであって、界面法に比べポリマー中の粒状物
が少ないことが多い。溶融縮重合では有害な化学物質を使用しないが、溶融縮重
合法で製造したポリエステルカーボネートは界面法で製造したポリエステルカー
ボネートの流動特性をもっていないことが多い。

【０００５】 溶融縮重合法で製造したポリエステルカーボネートの流動特性を改善するため
に様々な方法が研究されている。阪下らの特開平４−３４５６１６号では、溶融
重合法を用いてポリエステルカーボネート中に脂肪族二酸を直接組み込むポリエ
ステルカーボネートの製造法が論じられている。この方法は、芳香族ジヒドロキ
シ化合物である２，２，２′，２′−テトラヒドロ−３，３，３′，３′−テト
ラメチル−１，１′−スピロビ［１Ｈ−インデン］−６，６′−ジオール（一般
にＳＢＩといわれる）を含有するポリエステルカーボネートのみに関する。阪下
らの溶融縮重合法では、一段階反応で脂肪族二酸、芳香族ジヒドロキシ化合物及
び触媒を加える。

【０００６】 射出成形目的に使用することができる高品質のポリエステルカーボネートを、
溶融縮重合法を用いて製造する方法が求め続けられている。

【０００７】

【発明の概要】

本発明は、ポリエステルカーボネートを製造するための溶融縮重合法を提供す
る。この方法は、 （Ｉ）炭酸ジエステル及び触媒を二酸と予備反応させ、次いで （II）反応した予備反応混合物を１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物と反応さ
せる 段階を含んでいる。

【０００８】

【発明の実施の形態】

本発明は、炭酸ジエステル、触媒及び二酸の予備反応とその後の、そうして反
応した予備反応混合物と１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物との反応を含むポ
リエステルカーボネートを製造するための溶融縮重合法に関する。溶融縮重合は
ポリエステルカーボネートの形成に有効なプロセスであることが判明している。

【０００９】 一実施形態では、本発明の組成物は、次式Ｉの構造単位と次式IIの繰返し又は
反復単位とを含むポリエステルカーボネートを含む。

【００１０】

【化１】

【００１１】 式中、Ｄは二価芳香族基である。 （II） −Ｏ−Ｒ¹−Ｏ−Ｄ− 式中、Ｄは式Ｉについて記載した通りであり、Ｒ¹は次式III、IV及びＶの二価基
から選択される１種以上の二価基である。

【００１２】

【化２】

【００１３】 式中、Ｘは線状脂肪族基、枝分れ脂肪族基又は環式脂肪族基である。線状及び枝
分れ脂肪族基は、炭素原子数２〜約２０のものが好ましく、非限定的な代表例と
してはエチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル
、ネオペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシルがある。環式脂肪族基
としては、シクロアルキル基又はビシクロアルキル基があり、環炭素原子数が３
〜約１２で炭素原子の総数が５０以下であるものが好ましい。これらの環式脂肪
族基の非限定的な代表例を幾つか挙げると、シクロブチル、シクロペンチル、シ
クロヘキシル、メチルシクロヘキシル、及びシクロヘプチルがある。脂肪族基は
炭素原子数７〜約１４のアラルキル基も包含しており、その例としてベンジル、
フェニルブチル、フェニルプロピル及びフェニルエチルがあるが、限定されるこ
とはない。

【００１４】 本発明で使用できるポリエステルカーボネートは、例えば米国特許第３０３０
３３１号、同第３１６９１２１号、同第３２０７８１４号、同第４２３８５９６
号、同第４２３８５９７号、同第４４８７８９６号、同第４５０６０６５号及び
１９９８年１０月２９日出願の本願出願人に譲渡された係属中の米国特許出願第
０９／１８１９０２号に開示されているように当技術分野で周知である。

【００１５】 溶融縮重合法の最初の段階は炭酸ジエステル、触媒及び二酸の予備反応である
。本明細書でいう予備反応とはエステル化プロセスである。この二酸と炭酸ジエ
ステルの予備反応ではカルボン酸ジエステル化合物が生成する。この予備反応に
より、二酸からカルボン酸ジエステル化合物への実質的に完全な変換を起こさせ
る。本明細書で「実質的に完全な変換」とは、二酸と炭酸ジエステルの反応で、
二酸と炭酸ジエステルの９５％以上が反応してカルボン酸ジエステル化合物を形
成することをいう。

【００１６】 炭酸ジエステルは一般式Ｒ₂（ＣＯ₃）で表され、式中Ｒはアルキル基又はアリ
ール基である。炭酸ジエステルの典型的な例としては、炭酸ジフェニル、炭酸ジ
トリル、炭酸ビス（クロロフェニル）、炭酸ｍ−クレジル、炭酸ジナフチル、炭
酸ジエチル、炭酸ジメチル、炭酸ジブチル、炭酸ジシクロヘキシル及びこれらの
組合せがあるが限定されることはない。最も典型的に使用する炭酸ジエステルは
炭酸ジフェニルである。

【００１７】 二酸は一般式Ｒ（ＣＯＯＨ）₂で表され、式中Ｒはアルキル基又はアリール基
である。二酸の例としては、脂肪族二酸、芳香族二酸又はこれらの混合物がある
が限定されることはない。脂肪族二酸の例はアジピン酸、セバシン酸、ドデカン
二酸、Ｃ−１９二酸、Ｃ−３６ダイマー二酸であり、芳香族二酸の例はイソフタ
ル酸、テレフタル酸及び２，６−ナフタレンジカルボン酸などである。

【００１８】 溶融縮重合法に二酸を添加するとポリエステルカーボネートの溶融粘度が有効
に改善される。本明細書で溶融粘度とは、溶融ポリエステルカーボネートが流動
できる能力をいう。溶融粘度が低いと、ポリエステルカーボネートの迅速で効率
的な射出成形が可能になる。

【００１９】 溶融縮重合法で使用する典型的な触媒としては、アルカリ金属化合物、アルカ
リ土類金属化合物、第四級アンモニウム化合物、及びこれらの組合せがあるが限
定されることはない。

【００２０】 触媒として有用なアルカリ金属化合物としては水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、水酸化リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素リチ
ウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、酢酸ナトリウム、酢酸カ
リウム、酢酸リチウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウム、ステ
アリン酸リチウム、ホウ水素化ナトリウム、ホウ水素化リチウム、ナトリウムボ
ロフェノラート、安息香酸ナトリウム、安息香酸カリウム、安息香酸リチウム、
リン酸水素二ナトリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸水素二リチウム、ビス
フェノールＡの二ナトリウム塩、二カリウム塩及び二リチウム塩、並びにフェノ
ールのナトリウム塩、カリウム塩及びリチウム塩がある。

【００２１】 触媒として有用なアルカリ土類金属化合物としては、水酸化カルシウム、水酸
化バリウム、水酸化マグネシウム、水酸化ストロンチウム、炭酸水素カルシウム
、炭酸水素バリウム、炭酸水素マグネシウム、炭酸水素ストロンチウム、炭酸カ
ルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、酢酸カルシ
ウム、酢酸バリウム、酢酸マグネシウム、酢酸ストロンチウム、ステアリン酸カ
ルシウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸マグネシウム及びステアリン酸
ストロンチウムがある。

【００２２】 触媒として有用な第四級アンモニウム化合物としては、水酸化テトラメチルア
ンモニウムや水酸化テトラエチルアンモニウムのようなテトラアルキルアンモニ
ウム化合物がある。

【００２３】 好ましい触媒としては水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化ナトリウム及
びこれらの混合物がある。

【００２４】 ポリエステルカーボネートを形成するには、１モルの二酸に対して２モルの炭
酸ジエステルが必要であり、１モルの芳香族ジヒドロキシ化合物に対して１モル
の炭酸ジエステルが必要である。触媒は、芳香族ジヒドロキシ化合物のモルに対
して約１０^-8〜約１０^-3モルの範囲で存在する。別の実施形態では、芳香族ジヒ
ドロキシ化合物のモルに対して約１０^-7〜約１０^-5モルの範囲で触媒が存在する
。

【００２５】 予備反応工程は通常、約１８０〜約２７０℃の範囲の温度で実施する。一般的
にいって、予備反応は約２２０〜約２６０℃の範囲の温度で実施する。より一般
的には、予備反応を約２３０〜約２５０℃の範囲の温度で実施する。予備反応で
は通常反応容器を大気圧〜約２００トルの範囲に保つ。

【００２６】 炭酸ジエステル、触媒及び二酸の予備反応によってジエステルを形成すること
により、ポリエステルカーボネートへの二酸の実質的に完全な取り込みが確保さ
れる。本明細書で「実質的に完全な取り込み」とは、出発物質として使用した二
酸の９５％以上がポリエステルカーボネート生成物中に組み込まれることを意味
する。二酸からジエステルへの完全な変換をモニターするためには、プロトン核
磁気共鳴分光を用いてジエステルの形成を確認するとよい。

【００２７】 予備反応段階でジエステルが形成された後、溶融縮重合法の第二の段階では予
備反応段階で形成されたジエステル化合物と１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合
物とを反応させる。１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物をジエステル化合物と
反応させる段階は、本明細書では縮合プロセスという。一般に、不活性ガス条件
下で、１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物を、反応した予備反応混合物に加え
る。本明細書で「不活性ガス条件」とは、不活性ガス、例えば窒素、アルゴン又
はヘリウムでパージし再充填した反応容器をいう。

【００２８】 ポリエステルカーボネートを製造するのに適した芳香族ジヒドロキシ化合物と
しては次式VIで表されるものがある。 （VI） ＨＯ−Ｄ−ＯＨ 式中、Ｄは式Ｉで定義した二価芳香族基である。Ｄは次式VIIの構造を有するの
が好ましい。

【００２９】

【化３】

【００３０】 式中、Ａ¹はフェニレン、ビフェニレン及びナフチレンのような芳香族基を表す
。Ｅはメチレン、エチレン、エチリデン、プロピレン、プロピリデン、イソプロ
ピリデン、ブチレン、ブチリデン、イソブチリデン、アミレン、アミリデン及び
イソアミリデンのようなアルキレン基又はアルキリデン基であることができる。
Ｅがアルキレン基又はアルキリデン基である場合には、芳香族結合、第三級アミ
ノ結合、エーテル結合、カルボニル結合、シランやシロキシのようなケイ素含有
結合、又はスルフィド、スルホキシドもしくはスルホンのようなイオウ含有結合
、又はホスフィニルやホスホニルのようなリン含有結合のようにアルキレン又は
アルキリデン以外の原子団で結合した２以上のアルキレン基又はアルキリデン基
かららなるものでもよい。加えて、Ｅは、シクロペンチリデン、シクロヘキシリ
デン、３，３，５−トリメチルシクロヘキシリデン、メチルシクロヘキシリデン
、２−［２．２．１］−ビシクロへプチリデン、ネオペンチリデン、シクロペン
タデシリデン、シクロドデシリデン及びアダマンチリデンのような環式脂肪族基
であってもよい。Ｒ⁵は水素、又はアルキル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルカリール基、シクロアルキル基もしくはビシクロアルキル基のような一価炭化
水素基を表す。「アルキル基」という用語は直鎖アルキル基と枝分れアルキル基
の両方を意味する。直鎖及び枝分れアルキル基は炭素原子数２〜約２０のものが
好ましく、限定するものではない代表例としてはエチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、オクチル
、デシル、ドデシルがある。アリール基としては、フェニルやトリルのような例
がある。シクロアルキル基又はビシクロアルキル基は環炭素原子数が３〜約１２
で炭素原子の総数が５０以下であるものが好ましい。限定するものではないがシ
クロアルキル基の幾つかの代表例としては、シクロブチル、シクロペンチル、シ
クロヘキシル、メチルシクロヘキシル及びシクロヘプチルがある。好ましいアラ
ルキル基は炭素原子数７〜約１４のものであり、限定されることはないがベンジ
ル、フェニルブチル、フェニルプロピル及びフェニルエチルがある。

【００３１】 Ｙ¹はフッ素、臭素、塩素及びヨウ素のようなハロゲン、ジメチルアミノのよ
うな第三級窒素基、上記Ｒ⁵のような有機基、ＯＲ（式中、Ｒはアルキル基又は
アリール基である）のようなアルコキシ基でよい。必要なことは、Ｙ¹がポリエ
ステルカーボネートを製造するのに使用する反応体と反応条件に対して不活性で
あり、これら反応体や反応条件により影響されないということだけである。文字
「ｍ」はゼロからＡ¹上で置換に利用できる位置の数までの整数を表し、「ｐ」
はゼロからＥ上で置換に利用できる位置の数までの整数を表し、「ｔ」は１以上
の整数を表し、「ｓ」は０又は１であり、「ｕ」はゼロを含む整数を表す。

【００３２】 Ｄが上記式VIIで表される芳香族ジヒドロキシフェノール化合物で、２以上の
Ｙ¹置換基が存在する場合、それらは同じでも異なっていてもよい。例えば、Ｙ¹ 置換基は異なるハロゲンの組合せでもよい。Ｒ⁵置換基も、２以上のＲ⁵置換基が
存在する場合同じでも異なっていてもよい。式VIIで「ｓ」が０、「ｕ」が０の
場合、芳香環は直接結合する。炭化水素残基の環炭素原子の２以上がＹ¹基及び
ヒドロキシ基で置換されている場合、芳香核残基Ａ¹上のヒドロキシ基とＹ¹の位
置はオルト位、メタ位又はパラ位で変化することができ、その配置は隣接、非対
称又は対称の関係であることができる。

【００３３】 式VIの芳香族ジヒドロキシ化合物の限定するものではないが幾つかの代表例と
しては、米国特許第４２１７４３８号に一般的又は個別に開示されているジヒド
ロキシ置換芳香族炭化水素がある。芳香族ジヒドロキシ化合物の幾つかの好まし
い例としては、４，４′−（３，３，５−トリメチルシクロヘキシリデン）ジフ
ェノール、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（一般にビスフェ
ノールＡといわれる）、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェ
ニル）プロパン、２，４′−ジヒドロキシジフェニルメタン、ビス（２−ヒドロ
キシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒ
ドロキシ−５−ニトロフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，６−ジメ
チル−３−メトキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル
）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−２−クロロフェニル）エタン、２，
２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）シクロヘキシルメタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−１−フェニルプロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェ
ニル）プロパン（一般にＤＭＢＰＣといわれる）、レゾルシノール、及びＣ_1-3
アルキル置換レゾルシノールがある。

【００３４】 最も一般的には、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンが好まし
い芳香族ジヒドロキシ化合物である。芳香族ジヒドロキシ化合物の組合せも使用
することができる。

【００３５】 反応した予備反応混合物を含有する反応容器に１種以上の芳香族ジヒドロキシ
化合物を加えたら、温度を約２５０〜約３２０℃の範囲、別の実施形態では約２
７０〜約３００℃の範囲、に上げる。反応容器内の圧力は約５０〜約０．０１ト
ルの範囲に次第に下げる。この上昇した温度と低下した圧力でフェノールのよう
な副生物の蒸留が起こる。

【００３６】 予備反応段階及び反応した予備反応混合物への１種以上の芳香族ジヒドロキシ
化合物の添加は回分法、連続法又は半連続法で実施する。例えば、回分式反応の
場合、成分すべてを一緒にし、反応体のほとんどが消費されるまで反応させる。
続行するには、反応を停止し、追加の反応体を添加しなければならない。連続条
件又は半連続条件の場合、追加の反応体を加えるのに反応を停止させる必要はな
い。

【００３７】 溶融縮重合プロセスが完了した後、ポリエステルカーボネートを回収し、慣用
の手順によって単離することができる。例えば、逆溶剤沈殿、洗浄、乾燥及び押
出による揮発分除去−ペレット化の１以上の工程を実施するとよい。

【００３８】 本発明により得られるポリエステルカーボネートは広範囲の用途に使用するこ
とができる。例えば、ポリエステルカーボネートは、コンパクトディスクやカー
トリッジのような光データ記憶成分、屋内と屋外の照明用のレンズ、ハウジング
及びカバー、コンピューター及び通信産業におけるケース、並びに容器、光学レ
ンズ及びアイウェア（メガネ）として使用できる。

【００３９】

【実施例】

当業者がより容易に本発明を実施することができるように、限定する意味では
なく例示の意味で以下に実施例を記載する。

【００４０】 実施例１ ドデカン二酸と炭酸ジフェニル、水酸化テトラメチルアンモニウム及び水酸化ナ トリウムとの予備反応 ガラス管（２．５センチメートル×２０センチメートル）を３モル濃度の塩酸
溶液で予備的に処理し、脱イオン水で濯いだ。この予備処理したガラス管に、炭
酸ジフェニル（３．０９０グラム）、ドデカン二酸（０．２８５グラム）、水酸
化ナトリウム（１ミリモル濃度溶液６．８７マイクロリットル）及び水酸化テト
ラメチルアンモニウム（０．２２モル濃度溶液１５．３０マイクロリットル）を
加えた。ガラス管に磁気攪拌棒を入れ、（二酸化炭素が逃げられるように）非密
閉式の蓋をした。そのガラス管を２４０℃の塩浴に入れた。中味を溶融させた後
混合物を掻き混ぜた。１５分毎にプロトン核磁気共鳴分光分析用のアリコートを
取り出した。９０分後、ドデカン二酸は炭酸ジフェニルに完全に変換された。

【００４１】 実施例２ ドデカン二酸のポリエステルカーボネート中への重合 ガラス管（３．８センチメートル×３．０センチメートル）を３モル濃度の塩
酸溶液で予備的に処理し、脱イオン水で濯いだ。この予備処理したガラス管に、
炭酸ジフェニル（４６．３０３グラム）、ドデカン二酸（４．０７３グラム）、
水酸化ナトリウム（１ミリモル濃度溶液９８．２５マイクロリットル）及び水酸
化テトラメチルアンモニウム（０．２２モル濃度溶液２１８．８マイクロリット
ル）を加えた。スターラーを入れ、そのガラス管を溶融反応系に設置した。ガラ
ス管を排気し、窒素ガスを三回入れ替え、２４０℃の温度に加熱した。反応容器
内の圧力を大気圧に保った。中味を溶融させた後混合物を６０ｒｐｍで掻き混ぜ
た。１５分毎にアリコートを取り出してプロトン核磁気共鳴分光で分析した。９
０分後ドデカン二酸が完全にジアリールジエステルに変換した。窒素正圧下で反
応器ヘッド内の入口を介して２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
（４０．８２１グラム）をガラス管に加えた。温度を２７０℃に上げ、圧力を３
００トルに下げた。その後８０分にわたってフェノールがゆっくりと留出し、一
方圧力が次第に６０トルまで低下すると共に温度が２７０℃に上がった。次に温
度を３００℃に上げ、圧力を１トル未満に下げた。溶融物を９０分間この条件に
保ち、窒素ガスで大気圧に戻し、メルトとして反応器から取り出した。

【００４２】 得られたポリエステルカーボネートは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）で測定し
たＴ_gが１２５℃、クロロホルム中でポリスチレン標準に対してゲルパーミエー
ションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定した分子量が６４９００であり、プ
ロトン核磁気共鳴分光で測定してドデカン二酸が実質的に完全に取り込まれてい
た。

【００４３】 例示の目的で典型的な実施形態について説明して来たが、以上の説明は本発明
の範囲を限定するものではない。したがって、当業者には、本発明の思想と範囲
から逸脱することなく様々な修正、適合及び代替が可能であろう。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｕ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ， ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，Ｌ Ｋ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ， ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，Ｔ Ｍ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 リュイ，ビル・ケングリーム アメリカ合衆国、12078、ニューヨーク州、 グラバーズビル、アーモンド・ストリー ト、９番 Ｆターム(参考） 4J029 AA08 AB04 AC01 AC02 AE01 AE04 AE05 BB12A BB13A BB13B BB13C BD09C BF03 BG08X BH01 CA02 CA06 CA09 CB05A CB06A CC06A DA03 HA01 HB01 HC04A HC05A HC09 JA011 JA091 JA121 JA191 JA261 JA301 JB171 JB201 JC091 JF021 JF031 JF041 JF131 JF141 JF151 JF161 KB02 KB05 KB13 KB16 KB25 KD01 KD05 KE05 KE06 KE07

Claims (29)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ｉ）炭酸ジエステル及び触媒を二酸と予備反応させ、次い
   で （II）反応した予備反応混合物を１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物と反応さ
   せる 段階を含んでなる、ポリエステルカーボネートを製造するための溶融縮重合法。
2. 【請求項２】 二酸がアジピン酸、セバシン酸、ドデカン二酸、Ｃ−１９ダ
   イマー二酸、Ｃ−３６ダイマー二酸、テレフタル酸、イソフタル酸及びこれらの
   組合せからなる群から選択される、請求項１記載の方法。
3. 【請求項３】 二酸がドデカン二酸からなる、請求項２記載の方法。
4. 【請求項４】 芳香族ジヒドロキシ化合物が２，２−ビス（４−ヒドロキシ
   フェニル）プロパンからなる、請求項１記載の方法。
5. 【請求項５】 触媒が第四級アンモニウム化合物、アルカリ金属化合物、ア
   ルカリ土類金属化合物又はこれらの組合せからなる、請求項１記載の方法。
6. 【請求項６】 触媒が水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化ナトリウム
   又はこれらの組合せである、請求項５記載の方法。
7. 【請求項７】 炭酸ジエステルが炭酸ジフェニルからなる、請求項１記載の
   方法。
8. 【請求項８】 予備反応温度が約１８０〜約２７０℃である、請求項１記載
   の方法。
9. 【請求項９】 予備反応温度が約２２０〜約２６０℃である、請求項８記載
   の方法。
10. 【請求項１０】 予備反応温度が約２３０〜約２５０℃である、請求項９記
    載の方法。
11. 【請求項１１】 段階IIを約２５０〜約３２０℃の温度で実施する、請求項
    １記載の方法。
12. 【請求項１２】 段階IIを約２７０〜約３００℃の温度で実施する、請求項
    １１記載の方法。
13. 【請求項１３】 二酸が炭酸ジエステルに対して１：２の比で存在する、請
    求項１記載の方法。
14. 【請求項１４】 芳香族ジヒドロキシ化合物が炭酸ジエステルに対して１：
    １の比で存在する、請求項１記載の方法。
15. 【請求項１５】 触媒が芳香族ジヒドロキシ化合物のモル数に対して約１０ ^-8 〜約１０^-3モルの比で存在する、請求項１記載の方法。
16. 【請求項１６】 触媒が芳香族ジヒドロキシ化合物のモル数に対して約１０ ^-7 〜約１０^-5モルの比で存在する、請求項１記載の方法。
17. 【請求項１７】 炭酸ジエステル、触媒及び二酸の反応が実質的に完全にジ
    エステルに変換するまで進行する、請求項１記載の方法。
18. 【請求項１８】 反応を回分法で実施する、請求項１記載の方法。
19. 【請求項１９】 反応を連続法で実施する、請求項１記載の方法。
20. 【請求項２０】 段階Ｉを略大気圧〜約２００トルの範囲の圧力で実施する
    、請求項１記載の方法。
21. 【請求項２１】 段階IIを約５０〜約０．０１トルの範囲の圧力で実施する
    、請求項１記載の方法。
22. 【請求項２２】 （Ｉ）炭酸ジフェニルを水酸化テトラメチルアンモニウム
    及びドデカン二酸と予備反応させて、反応した予備反応混合物を形成し、 （II）その反応した予備反応混合物に２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
    プロパンを添加する 段階を含んでなる、ポリエステルカーボネートを製造するための縮重合方法。
23. 【請求項２３】 予備反応を約２３０〜約２５０℃の温度で実施する、請求
    項２２記載の方法。
24. 【請求項２４】 予備反応を大気圧で実施する、請求項２２記載の方法。
25. 【請求項２５】 予備反応を連続法で実施する、請求項２２記載の方法。
26. 【請求項２６】 段階IIを約２７０〜３００℃の温度で実施する、請求項２
    ２記載の方法。
27. 【請求項２７】 段階IIを約５０〜約０．０１トルの範囲の圧力で実施する
    、請求項２２記載の方法。
28. 【請求項２８】 請求項１記載の方法で製造されるポリエステルカーボネー
    ト。
29. 【請求項２９】 請求項２２記載の方法で製造されるポリエステルカーボネ
    ート。