JPH0967560A - 電子部品用接着テープ及び液状接着剤 - Google Patents

電子部品用接着テープ及び液状接着剤

Info

Publication number
JPH0967560A
JPH0967560A JP7245150A JP24515095A JPH0967560A JP H0967560 A JPH0967560 A JP H0967560A JP 7245150 A JP7245150 A JP 7245150A JP 24515095 A JP24515095 A JP 24515095A JP H0967560 A JPH0967560 A JP H0967560A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polyimide
general formula
structural unit
bis
adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7245150A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3535281B2 (ja
Inventor
Osamu Oka
修 岡
Takeshi Nishigaya
剛 西ヶ谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tomoegawa Co Ltd
Original Assignee
Tomoegawa Paper Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tomoegawa Paper Co Ltd filed Critical Tomoegawa Paper Co Ltd
Priority to JP24515095A priority Critical patent/JP3535281B2/ja
Priority to US08/704,068 priority patent/US5725948A/en
Publication of JPH0967560A publication Critical patent/JPH0967560A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3535281B2 publication Critical patent/JP3535281B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/12Unsaturated polyimide precursors
    • C08G73/124Unsaturated polyimide precursors the unsaturated precursors containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/12Unsaturated polyimide precursors
    • C08G73/125Unsaturated polyimide precursors the unsaturated precursors containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen or nitrogen in the main chain
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/12Unsaturated polyimide precursors
    • C08G73/126Unsaturated polyimide precursors the unsaturated precursors being wholly aromatic
    • C08G73/127Unsaturated polyimide precursors the unsaturated precursors being wholly aromatic containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22Plastics; Metallised plastics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35Heat-activated
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2479/00Presence of polyamine or polyimide
    • C09J2479/08Presence of polyamine or polyimide polyimide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2479/00Presence of polyamine or polyimide
    • C09J2479/08Presence of polyamine or polyimide polyimide
    • C09J2479/086Presence of polyamine or polyimide polyimide in the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/4826Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73215Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01012Magnesium [Mg]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01018Argon [Ar]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0102Calcium [Ca]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01027Cobalt [Co]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01037Rubidium [Rb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0104Zirconium [Zr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01045Rhodium [Rh]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01077Iridium [Ir]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01088Radium [Ra]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/0665Epoxy resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2804Next to metal
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852Adhesive compositions
    • Y10T428/2878Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer
    • Y10T428/2887Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer including nitrogen containing polymer [e.g., polyacrylonitrile, polymethacrylonitrile, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652Of asbestos
    • Y10T428/31663As siloxane, silicone or silane
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678Of metal
    • Y10T428/31681Next to polyester, polyamide or polyimide [e.g., alkyd, glue, or nylon, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31721Of polyimide

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 比較的低温で接着、硬化ができ、十分な耐熱
性、信頼性等を有する電子部品用接着テープ及び電子部
品用液状接着剤を提供する。 【解決手段】 電子部品用接着テープは、耐熱性フィル
ムの少なくとも一面、又は剥離性フィルムの一面に、下
記式(1)で表される構造単位及び下記式(2)で表さ
れる構造単位の少なくとも1種を含有する1つ以上のポ
リイミドからなる接着層を積層して構成される。 【化1】 [式中、Arは芳香環を有する特定の構造から選ばれた
二価の基。Raはベンゼン環を2〜6個有する二価の
基。Rbは炭素数2〜20のアルキレン基、特定の構造
を有するエーテル鎖又はジメチルシロキサン基。X1
NH、NR(Rは炭素数1〜4のアルキル基又はアルコ
キシ基)、S。X2 はNH、NR、ピペリジン環基、
S。]

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置を構成する
リードフレーム周辺の部材間の接着、例えば、リードピ
ン、半導体チップ搭載用基板、放熱板、半導体チップ自
体等の接着に使用するための電子部品用接着テープ及び
液状接着剤に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置内において
使用される接着テープ等には、リードフレーム固定用接
着テープ、TABテープなどがあり、例えば、リードフ
レーム固定用接着テープの場合には、リードフレームの
リードピンを固定し、リードフレーム自体及び半導体ア
センブリ工程全体の生産歩留まり及び生産性の向上を目
的として使用されており、一般にリードフレームメーカ
ーでリードフレーム上にテーピングされ、半導体メーカ
ーに持ち込まれ、IC搭載後、樹脂封止される。そのた
め、リードフレーム固定用接着テープには、半導体レベ
ルでの一般的な信頼性及びテーピング時の作業性等は勿
論のこと、テーピング直後の十分な室温接着力、半導体
装置組立て工程での加熱に耐える十分な耐熱性などが要
求される。従来、このような用途に使用される接着テー
プとしては、例えば、ポリイミドフィルム等の支持体フ
ィルム上に、ポリアクリロニトリル、ポリアクリル酸エ
ステル或いはアクリロニトリル−ブタジエン共重合体等
の合成ゴム系樹脂等を単独、または他の樹脂で変性した
もの、或いは他の樹脂と混合した接着剤を塗布し、Bス
テージ状態としたものがあげられる。
【0003】近年、図1〜図3に示されるような構造の
樹脂封止型半導体装置(半導体パッケージ)が開発また
は製造されている。図1においては、リードピン3とプ
レーン2とが、接着層6によって接続され、半導体チッ
プ1がプレーン2上に搭載されており、半導体チップ1
とリードピン3との間のボンディングワイヤー4と共
に、樹脂5によって封止された構造を有している。図2
においては、リードフレームのリードピン3が半導体チ
ップ1と接着層6によって固定されており、ボンディン
グワイヤー4と共に、樹脂5によって封止された構造を
有している。また、図3においては、ダイパッド7の上
に半導体チップ1が搭載され、また、電極8が接着層6
によって固定されており、そして、半導体チップ1と電
極8との間及び電極8とリードピン3との間が、それぞ
れボンディングワイヤー4によって連結され、それらが
樹脂5によって封止された構造を有している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】これら図1〜図3に示
される構造の樹脂封止型半導体装置における接着層にお
いて、従来の接着剤を塗布した接着テープを使用した場
合には、耐熱性が十分でないため、発生ガスがリードを
汚染して接着力の低下を招いたり、パッケージクラック
の発生原因になる等の問題点がある。本発明は、従来の
技術における上記のような実情に鑑み、その改善を図る
ためになされたものである。すなわち、本発明の目的
は、十分な耐熱性、信頼性等を有する電子部品用接着剤
及びそれを用いた電子部品用接着テープを提供すること
にある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の電子部品
用接着テープは、耐熱性フィルムの少なくとも一面に、
(I)下記一般式(1)で表される構造単位を含有する
ポリイミド、(II)下記一般式(2)で表される構造単
位を含有するポリイミド及び(III) 下記一般式(1)及
び一般式(2)で表される構造単位を任意の割合で含有
するポリイミドから選ばれた少なくとも1つのポリイミ
ドからなる接着層を積層してなることを特徴とする。
【化6】 [式中、Arは下記一般式(3)または一般式(4)で
表される二価の基を示す。Raはベンゼン環を2〜6個
有する二価の基を示し、Rbは炭素数2〜20のアルキ
レン基、−CH2 CH2 (OCH2 CH2 n −(nは
1〜8の整数である。)で表されるエーテル鎖または−
R′−[Si(CH3 2 O]m Si(CH3 2
R′−(R′は炭素数1〜10のアルキル基または−C
2 OC6 4 −を示し、mは1〜20の整数であ
る。)で表されるジメチルシロキサン基を示す。X1
NH、NR(Rは炭素数1〜4のアルキル基または炭素
数1〜4のアルコキシ基を示す。)またはSを示す。X
2 はNH、NR(Rは炭素数1〜4のアルキル基または
炭素数1〜4のアルコキシ基を示す。)、
【化7】 またはSを示す。]
【化8】 (式中、Yは−O−、−CO−、−S−、−SO2 −、
または−C(CH3 2−を示す。)
【化9】 (式中、R1 、R2 、R3 、R4 は、それぞれ炭素数1
〜4のアルキル基または炭素数1〜4のアルコキシ基を
示す。)
【0006】本発明の第2の電子部品用接着テープは、
剥離性フイルムの一面に、(I)上記一般式(1)で表
される構造単位を含有するポリイミド、(II)上記一般
式(2)で表される構造単位を含有するポリイミド及び
(III) 上記一般式(1)及び一般式(2)で表される構
造単位を任意の割合で含有するポリイミドから選ばれた
少なくとも1つのポリイミドからなる接着層を積層して
なることを特徴とする。
【0007】本発明の電子部品用液状接着剤は、有機溶
剤中に、(I)上記一般式(1)で表される構造単位を
含有するポリイミド、(II)上記一般式(2)で表され
る構造単位を含有するポリイミド及び(III) 上記一般式
(1)及び一般式(2)で表される構造単位を任意の割
合で含有するポリイミドから選ばれた少なくとも1つの
ポリイミドを溶解してなることを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。本発明の電子部品用接着テープ及び
電子部品用液状接着剤に使用されるポリイミドは、上記
(I)〜(III) で示されるポリイミドから選ばれる少な
くとも1種類のポリイミドであって、ビスコハク酸イミ
ド骨格を有することを特徴とするポリイミドである。本
発明においては、これらのポリイミドを2種類以上混合
して使用することも可能である。本発明に使用される第
一のポリイミド(I)は、下記一般式(1)で表される
構造単位を繰り返し構造単位として含有するポリイミド
である。
【化10】 (式中、Ar、Ra及びX1 は、いずれも前記したと同
意義を有する。)
【0009】本発明に使用される第二のポリイミド(I
I)は、下記一般式(2)で表される構造単位を繰り返
し構造単位として含有するポリイミドである。
【化11】 (式中、Ar、Rb及びX2 は、いずれも前記したと同
意義を有する。) この第二のポリイミド(II)は、第一のポリイミド
(I)よりもガラス転移温度、すなわち接着剤の圧着可
能な温度が低いという性質を有するものである。本発明
に使用される第三のポリイミド(III) は、上記一般式
(1)で表される構造単位及び上記一般式(2)で表さ
れる構成単位を繰り返し構造単位として任意の割合で含
有するポリイミドである。この第三のポリイミド(III)
は、一般式(2)で表される構造単位の比率を高くする
ことにより、ガラス転移温度を低下させることができ
る。
【0010】上記した第一ないし第三のポリイミドは、
一般的なマレイミドのマイケル重付加反応を用いて製造
することができる。すなわち、それぞれの構造単位に対
応するビスマレイミドと、それぞれの構造単位に対応す
るジアミンまたはジチオールとから製造することが可能
である。本発明に使用する第一のポリイミド(I)は、
下記一般式(5)で表されるビスマレイミドと下記一般
式(6)で表される化合物とを、活性水素の存在下で反
応させることにより製造することができる。
【化12】 (式中、Arは前記したと同意義を有する。) HX1 −Ra−X1 H (6) [式中、Raはベンゼン環を2〜6個有する二価の基を
表し、X1 はNH、NR(Rは炭素数1〜4のアルキル
基またはアルコキシ基)またはSを示す。]
【0011】また、本発明に使用する第二のポリイミド
は、上記一般式(5)で表されるビスマレイミドと下記
一般式(7)で表される化合物とを、活性水素の存在下
で反応させることにより製造することができる。 HX2 −Rb−X2 H (7) [式中、Rbは炭素数2〜20のアルキレン基、−CH
2 CH2 (OCH2 CH2 n −(nは1〜8の整数で
ある。)エーテル鎖または−R′−[Si(CH3 2
O]m Si(CH3 2 −R′−(R′は炭素数1〜1
0のアルキル基または−CH2 OC6 4 −を示し、m
は1〜20の整数である。)で表されるジメチルシロキ
サン基を表し、X2 はNH、NR(Rは炭素数1〜4の
アルキル基または炭素数1〜4のアルコキシ基)、
【化13】 またはSを示す。] さらに、本発明に使用する第三のポリイミドは、上記一
般式(5)で表されるビスマレイミド、一般式(6)で
表される化合物及び一般式(7)で表される化合物を、
活性水素の存在下で反応させることによって製造するこ
とができる。
【0012】本発明に使用するポリイミドにおいて、ポ
リイミドの基本的な構造単位を構成する下記一般式
(5)で表されるビスマレイミドとしては、Arが下記
一般式(3)または一般式(4)で表されるものであ
り、マレイミド基を分子内に二つ有する化合物である。
【化14】 (式中、Arは下記一般式(3)または一般式(4)で
表される二価の基である。)
【化15】 (式中、Yは−O−、−CO−、−S−、−SO2 −、
または−C(CH3 2−を示す。)
【化16】 (式中、R1 、R2 、R3 、R4 は、それぞれ炭素数1
〜4のアルキル基または炭素数1〜4のアルコキシ基を
示す。)
【0013】上記一般式(5)で表されるビスマレイミ
ドとしては、具体例として、次のようなものを挙げるこ
とができる。Arが一般式(3)で表されるビスマレイ
ミドとしては、4,4′−ビス(3−マレイミドフェノ
キシ)ジフェニルエーテル、4,4′−ビス(3−マレ
イミドフェノキシ)ベンゾフェノン、4,4′−ビス
(3−マレイミドフェノキシ)ジフェニルスルフィド、
4,4′−ビス(3−マレイミドフェノキシ)ジフェニ
ルスルホン、2,2′−ビス(p−マレイミドフェノキ
シフェニル)プロパン等が挙げられる。また、Arが一
般式(4)で表されるビスマレイミドとしては、ビス
(4−マレイミド−2,5−ジメチルフェニル)メタ
ン、ビス(4−マレイミド−2,5−ジエチルフェニ
ル)メタン、ビス(4−マレイミド−2,5−ジプロピ
ルフェニル)メタン、ビス(4−マレイミド−2,5−
ジイソプロピルフェニル)メタン、ビス(4−マレイミ
ド−2,5−ジブチルフェニル)メタン、ビス(4−マ
レイミド−2−メチル−5−エチルフェニル)メタン、
ビス(4−マレイミド−2,5−ジメトキシフェニル)
メタン、ビス(4−マレイミド−2,5−ジエトキシフ
ェニル)メタン、ビス(4−マレイミド−2,5−ジプ
ロポキシフェニル)メタン、ビス(4−マレイミド−
2,5−ジイソプロポキシフェニル)メタン、ビス(4
−マレイミド−2,5−ジブトキシフェニル)メタン、
ビス(4−マレイミド−2−メトキシ−5−エトキシフ
ェニル)メタン等が挙げられる。
【0014】本発明に使用されるポリイミドにおいて、
ポリイミドの他の基本的な構造単位を構成する下記一般
式(6)で表される化合物としては、両末端がアミノ基
であるジアミンまたは両末端がメルカプト基であるジチ
オールの2種類がある。 HX1 −Ra−X1 H (6) [式中、Raはベンゼン環を2〜6個有する二価の基を
示し、X1 はNH、NR(Rは炭素数1〜4のアルキル
基または炭素数1〜4のアルコキシ基を示す。)または
Sを示す。] 一般式(6)で表される化合物を用いて合成されるポリ
イミドにおいて、溶剤に対する溶解性を向上させるため
には、一般式(6)中のRaは、特に2個以上のベンゼ
ン環が−O−、−S−、−CH2 −、−C(=O)−、
−CONH−、−COO−、−SO2 −、−C(C
3 2 −、−C(CF3 2 −等で直鎖状に結合し、
しかも、メタ位またはパラ位で連結されているものであ
ることが好ましい。また、これらの各ベンゼン環の水素
は、適宜置換基で置換されていてもよい。
【0015】一般式(6)で表される化合物中の両末端
がアミノ基であるジアミン化合物としては、X1 がNH
である第1級アミンの場合と、X1 がNR(Rは炭素数
1〜4のアルキル基を示す。)である第2級アミンの場
合とがある。一般式(6)で表される化合物が第1級ジ
アミンである具体例としては、3,4′−オキシジアニ
リン、4,4′−オキシジアニリン、4,4′−ジアミ
ノジフェニルメタン、3,4′−ジアミノジフェニルメ
タン、3,3′−ジアミノジフェニルメタン、4,4′
−ジアミノ−3,3′−ジメチルジフェニルメタン、
4,4′−ジアミノ−3,3′−ジエチルジフェニルメ
タン、4,4′−ジアミノ−3,3′−ジメトキシジフ
ェニルメタン、4,4′−ジアミノ−3,3′−ジエト
キシジフェニルメタン、4,4′−ジアミノベンズアニ
リド、4,4′−ジアミノベンゾフェノン、3,3′−
ジアミノベンゾフェノン、4,4′−ジアミノジフェニ
ルスルホン、3,3′−ジアミノジフェニルスルホン、
4,4′−(イソプロピリデン)ジアニリン、3,3′
−(イソプロピリデン)ジアニリン、4,4′−ジアミ
ノベンゾフェノン、ビス[2−(4−アミノフェニル)
プロパン]ベンゼン、ビス(アミノフェノキシ)ベンゼ
ン、ビス(アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス(アミ
ノフェノキシ)ジフェニルエーテル、ビス(アミノフェ
ノキシフェニル)プロパン、ビス(アミノフェノキシフ
ェニル)スルホン、ビス(アミノフェノキシフェニル)
ケトン、ビス(アミノフェノキシフェニル)ヘキサフル
オロプロパン、ビス(アミノフェノキシフェニル)ビフ
ェニル、ビス(アミノフェノキシフェニル)ジフェニル
エーテル、4,4′−ビス[3−(4−アミノ−α,
α′−ジメチルベンジル)フェノキシ]ジフェニルスル
ホン、4,4′−ビス[3−(4−アミノ−α,α′−
ジメチルベンジル)フェノキシ]ベンゾフェノン、4,
4′−ビス[4−(4−アミノ−α,α′−ジメチルベ
ンジル)フェノキシ]ジフェニルスルホン、4,4′−
ビス[4−(4−アミノ−α,α′−ジメチルベンジ
ル)フェノキシ]ベンゾフェノン、9,9−ビス(4−
アミノフェニル)フルオレン等が挙げられ、これらは混
合して用いることも可能である。
【0016】また、一般式(6)で表される化合物の中
で、官能基X1 がNRで表されるもの、すなわち第2級
ジアミンである具体例としては、4,4′−ジ(N−メ
チルアミノ)ジフェニルメタン、3,4′−ジ(N−メ
チルアミノ)ジフェニルメタン、4,4′−ジ(N−メ
チルアミノ)ジフェニルエーテル、3,4′−ジ(N−
メチルアミノ)ジフェニルエーテル、4,4′−ジ(N
−メチルアミノ)ベンズアニリド、4,4′−ジ(N−
メチルアミノ)ベンゾフェノン、3,3′−ジ(N−メ
チルアミノ)ベンゾフェノン等を挙げることができる。
一方、一般式(6)で表される化合物の中で、官能基X
1 がメルカプト基であるジチオールとしては、3,4′
−ジメルカプトジフェニルエーテル、4,4′−ジメル
カプトジフェニルエーテル等のほか、上記に例示した第
1級ジアミンにおいて、「アミノ」を「メルカプト」に
置き換えたもの、または「アミノ」を「チオール」に置
き換えたものを挙げることができる。
【0017】本発明に使用するポリイミドにおいて、ポ
リイミドのさらに他の基本的な構造単位を構成する下記
一般式(7)で表される化合物としては、両末端がアミ
ノ基であるジアミンまたは両末端がメルカプト基である
ジチオールの2種類がある。 HX2 −Rb−X2 H (7) [式中、Rbは炭素数2〜20のアルキレン基、−CH
2 CH2 (OCH2 CH2 n −(nは1〜8の整数で
ある。)エーテル鎖または−R′−[Si(CH3 2
O]m Si(CH3 2 −R′−(R′は炭素数1〜1
0のアルキル基または−CH2 OC6 4 −を示し、m
は1〜20の整数である。)で表されるジメチルシロキ
サン基を表し、X2 はNH、NR(Rは炭素数1〜4の
アルキル基または炭素数1〜4のアルコキシ基)、
【化17】 またはSを示す。]
【0018】一般式(7)で表される化合物において、
両末端がアミノ基であるジアミン化合物としては、X2
がNHである第1級ジアミン、X2 がNR(Rは炭素数
1〜4のアルキル基を示す。)である第2級ジアミン及
びX2 が環状の第2級ジアミンの場合がある。その第1
級ジアミンとしては、エチレンジアミン、プロピレンジ
アミン、1,4−ジアミノブタン、ヘキサメチレンジア
ミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミ
ン、ヘキサデカメチレンジアミン、ドデカメチレンジア
ミン、ジ(アミノエチル)エーテル、1,8−ジアミノ
−3,6−ジオキサオクタン、1,11−ジアミノ−
3,6,9−トリオキサウンデカン、1,3−ビス(3
−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジ
シロキサン、1,3−ビス(10−アミノデシル)−
1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−
ビス(3−アミノフェノキシメチル)−1,1,3,3
−テトラメチルジシロキサン及び下記構造式で示される
α,ω−ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロ
キサン等が挙げられ、これらを混合して用いることも可
能である。 H2 NCH2 CH2 CH2 [Si(CH3 2 O]n −Si(CH3 2 CH2 CH2 CH2 NH2 (式中、nは3または7である。)
【0019】また、官能基X2 がNRで表される第2級
ジアミンとしては、N,N′−ジメチルエチレンジアミ
ン、N,N′−ジメチルプロピレンジアミン、N,N′
−ジメチル−1,4−ジアミノブタン、N,N′−ジメ
チルヘキサメチレンジアミン、N,N′−ジメチルオク
タメチレンジアミン、N,N′−ジメチルデカメチレン
ジアミン、N,N′−ジメチルヘキサデカメチレンジア
ミン、N,N′−ジメチルドデカメチレンジアミン等を
挙げることができる。また、環状の第2級ジアミンとし
ては、1,3−ジ(4−ピペリジル)プロパン、1,4
−ジ(4−ピペリジル)ブタン、1,6−ジ(4−ピペ
リジル)ヘキサン、1,8−ジ(4−ピペリジル)オク
タン、1,10−ジ(4−ピペリジル)デカン等を挙げ
ることができる。さらに、一般式(7)で表される化合
物において、官能基X2 がメルカプト基であるジチオー
ルとしては、上記に例示した第1級ジアミン及び第2級
ジアミンにおいて、「アミノ」を「メルカプト」に置き
換えたもの、または「アミン」を「チオール」に置き換
えたものを挙げることができる。
【0020】次に、本発明に使用されるポリイミドの製
造方法について説明する。本発明に使用されるポリイミ
ドは、いずれもビスマレイミド化合物とジアミン、ジチ
オールまたはそれらの混合物とを、有機溶媒中、必要に
応じてトリブチルアミン、トリエチルアミン等の第3級
アミン系触媒(反応物の20重量部以下)の存在下、−
10〜200℃、好ましくは0〜130℃の温度範囲で
1〜48時間反応させることによって得ることができ
る。特に、ビスマレイミド化合物と反応させるジアミン
類ないしジチオール類が、一般式(7)で表されるよう
な脂肪族系化合物である場合には、脂肪族系ジアミン等
はマレイミド化合物との反応性が高いために、反応温度
は0〜50℃の比較的低温であることが好ましい。
【0021】上記反応に用いる有機溶媒としては、フェ
ノール、クレゾール、キシレノール、p−クロロフェノ
ール等のプロトン性のフェノール系溶媒であるか、また
はN−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセ
トアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルホキシド、スルホラン、ヘキサメチルリン酸トリアミ
ド、1,3−ジメチル−2−イミダゾリドン等の非プロ
トン性極性溶媒に、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪
酸、吉草酸、ヘキサン酸、安息香酸、p−トルエンスル
ホン酸、カンファースルホン酸等の酸を、非プロトン性
極性溶媒100重量部に対し1〜100重量部添加した
もの等が挙げられる。これらの活性水素を有する有機溶
媒が反応系内に存在しない場合、ビスマレイミド化合物
の反応が制御できないことから、有機溶剤に不溶性のポ
リイミドのみが合成されることとなり、本発明の目的を
達成させるポリイミドを得ることができない。また、上
記した溶媒には、必要に応じて、ベンゼン、トルエン、
キシレン、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、モノグライム、ジグライム、メ
チルセロソルブ、セロソルブアセテート、メタノール、
エタノール、イソプロパノール、塩化メチレン、クロロ
ホルム、トリクレン、ニトロベンゼン等を混合して用い
ることも可能である。本発明に使用されるポリイミドの
製造において、ビスマレイミドとジアミンまたはジチオ
ールとの反応は等モルで行うことにより、高い重合度の
ポリイミドを得ることが可能であるが、必要に応じて、
いずれか一方を10モル%以下の範囲で過剰量用いてポ
リイミドを製造することも可能である。
【0022】本発明に使用されるポリイミドは、N−メ
チル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、スルホラン、ヘキサメチルリン酸トリアミド、
1,3−ジメチル−2−イミダゾリドン等の非プロトン
性極性溶媒、フェノール、クレゾール、キシレノール、
p−クロロフェノール等のフェノール系溶媒、イソホロ
ン、シクロヘキサノン、カルビトールアセテート、ジグ
ライム、ジオキサン、テトラヒドロフラン等の広範囲の
有機溶媒に溶解するものであり、また、ガラス転移温度
が低く、低温成形性に優れており、更に200℃程度の
耐熱性を有するものである。
【0023】本発明に使用される上記(I)〜(III) の
ポリイミドの分子量は、繰り返し構造単位によって成膜
性の発現が異なるので、成膜性に応じて適宜設定するこ
とができる。本発明に使用される場合、液状であって
も、接着層にはある程度の成膜性が必要であり、また、
耐熱性も低下するので、あまり低分子量のものは好まし
くはない。本発明においては、(I)〜(III) のいずれ
の構造を有するポリイミドであっても、一般的には、数
平均分子量は2000以上であることが必要である。ま
た、熱可塑性の接着剤として使用する場合、溶融時の粘
性が高すぎると接着性が著しく悪化する。溶融時の粘性
を規定する要因の一つとして、分子量があるが、本発明
に使用されるポリイミドの場合、(I)〜(III) のいず
れの構造を有するポリイミドであっても、概ね数平均分
子量で400,000以下であり、それ以上になると、
粘性の増加が大きく、接着剤等として使用することが困
難になる。
【0024】本発明の液状接着剤は、上記のポリイミド
より選ばれた少なくとも1つのポリイミド樹脂を有機溶
剤に溶解させることによって作製される。上記ポリイミ
ドを溶解する有機溶剤としては、N−メチル−2−ピロ
リドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラ
ン、ヘキサメチルリン酸トリアミド、1,3−ジメチル
−2−イミダゾリドン等の非プロトン性極性溶媒、フェ
ノール、クレゾール、キシレノール、p−クロロフェノ
ール等のフェノール系溶媒、イソホロン、シクロヘキサ
ノン、カルビトールアセテート、ジグライム、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン等の広範な有機溶媒が挙げられ
る。更に、これにメタノール、エタノール、イソプロパ
ノール等のアルコール系溶媒や、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、アセトニトリル、
ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族系溶媒、クロロホルム、ジクロ
ロメタン等のハロゲン系溶媒等をポリイミド樹脂を析出
させない程度に混合して用いることもできる。本発明の
液状接着剤の溶媒は、液状接着剤の塗布方法や基材によ
って必要な粘度や揮発性が異なるので、それに合わせて
上述の有機溶剤から適宜選択することが可能である。
【0025】本発明の液状接着剤には、貼り合わせ時の
特性を制御する意味で、粒径1μm以下のフィラーを含
ませてもよい。フィラーを含有させる場合の含有量は、
全固形分の1〜50重量%以下が好ましく、より好まし
くは4〜25重量%である。フィラーの量が50重量%
よりも多くなると、接着力の低下が著しくなり、また、
1重量%未満ではフィラー添加の効果が得られなくな
る。フィラーとしては、例えば、シリカ、石英粉、マイ
カ、アルミナ、ダイヤモンド粉、ジルコン粉、炭酸カル
シウム、酸化マグネシウム、フッ素樹脂等が使用され
る。
【0026】本発明の電子部品用接着テープは、上記の
液状接着剤を使用して作製することができる。第1の電
子部品用接着テープは、耐熱性フィルムの片面または両
面に上記の液状接着剤を塗布し、乾燥することにより作
製され、また、第2の電子部品用接着テープは、剥離性
フィルムの片面に上記の液状接着剤を塗布し、乾燥する
ことにより作製される。
【0027】本発明に使用される耐熱性フィルムとして
は、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエ
ーテル、ポリパラバン酸、ポリエチレンテレフタレート
等の耐熱性樹脂フィルムやエポキシ樹脂−ガラスクロ
ス、エポキシ樹脂−ポリイミド−ガラスクロス等の複合
耐熱フィルム等が挙げられるが、特にポリイミドフィル
ムがこの好ましい。これらの耐熱性フイルムの膜厚は、
5〜150μm、好ましくは10〜75μmの範囲であ
るものが使用される。その膜厚は、厚すぎると接着テー
プの打ち抜き作業が困難になり、一方、薄すぎると接着
テープの腰が不十分になる。
【0028】本発明に使用される剥離性フィルムは、仮
の支持体として作用するものであって、膜厚1〜200
μmのものが使用される。該剥離性フィルムとしては、
具体的には、ポリエチレン、ポリプロピレン、フッ素系
樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等の樹
脂フィルムまたは紙、ないしはそれらの表面にシリコー
ン系の離型剤で離型処理を施したものが使用される。
【0029】これら耐熱性フィルムの片面又は両面、及
び剥離性フィルムの片面に形成される接着層の厚みは、
1〜100μm、好ましくは5〜50μmの範囲であ
る。本発明のいずれの接着テープにおいても、接着層の
上に上記剥離性フィルムを保護層として設けることも可
能である。
【0030】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれらの範囲に限定されるものではない。
まず、液状接着剤の作製例を示す。 実施例1 撹拌機を備えたフラスコに、2,2−ビス(p−マレイ
ミドフェノキシフェニル)プロパン28.53g(50
ミリモル)とオクタメチレンジアミン7.21g(50
ミリモル)及びm−クレゾール250mlを室温で導入
し、6時間撹拌を続けた。得られたポリイミドワニスを
メタノール中に注ぎ、得られた沈澱物を分離、粉砕、洗
浄及び乾燥させる工程を経ることにより、一般式(2)
で表される繰り返し構造単位を有する第二のポリイミド
34.0g(収率95%)を得た。得られたポリイミド
の赤外吸収スペクトルを測定したところ、1715cm
-1及び1785cm-1に典型的なコハク酸イミドの吸収
が認められ、また、マレイミド基の二重結合に由来する
690cm-1の吸収は消失していた。また、その分子
量、ガラス転移点及び熱分解開始温度も測定した。それ
らの結果を表1に示す。このポリイミドを、テトラヒド
ロフランに20重量%の濃度になるように溶解させて液
状接着剤を得た。
【0031】実施例2 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)とN,N′−ジメ
チルヘキサメチレンジアミン7.21g(50ミリモ
ル)及びm−クレゾール250mlを用いて、実施例1
と同様の方法で、一般式(2)で表される繰り返し構造
単位を有する第二のポリイミド33.0g(収率92
%)を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトル
を測定したところ、1715cm-1及び1785cm-1
に典型的なコハク酸イミドの吸収が認められ、また、マ
レイミド基の二重結合に由来する690cm-1の吸収は
消失していた。また、その分子量、ガラス転移点及び熱
分解開始温度も測定した。それらの結果を表1に示す。
このポリイミドを、テトラヒドロフランに20重量%の
濃度になるように溶解させて液状接着剤を得た。
【0032】実施例3 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と1,3−ジ(4
−ピペリジル)プロパン9.32g(50ミリモル)及
びm−クレゾール250mlを用いて、実施例1と同様
の方法で、一般式(2)で表される繰り返し構造単位を
有する第二のポリイミド35.0g(収率92%)を得
た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定し
たところ、1710cm-1及び1780cm-1に典型的
なコハク酸イミドの吸収が認められ、また、マレイミド
基の二重結合に由来する690cm-1の吸収は消失して
いた。また、その分子量、ガラス転移点及び熱分解開始
温度も測定した。それらの結果を表1に示す。このポリ
イミドを、テトラヒドロフランに20重量%の濃度にな
るように溶解させて液状接着剤を得た。
【0033】実施例4 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と1,10−ジア
ミノデカン8.62g(50ミリモル)及びm−クレゾ
ール250mlを用いて、実施例1と同様の方法で、一
般式(2)で表される繰り返し構造単位を有する第二の
ポリイミド35.0g(収率94%)を得た。得られた
ポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、1
715cm-1及び1785cm-1に典型的なコハク酸イ
ミドの吸収が認められ、また、マレイミド基の二重結合
に由来する690cm-1の吸収は消失していた。また、
その分子量、ガラス転移点及び熱分解開始温度も測定し
た。それらの結果を表1に示す。このポリイミドを、テ
トラヒドロフランに20重量%の濃度になるように溶解
させて液状接着剤を得た。
【0034】実施例5 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と1,3−ビス
(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチ
ルジシロキサン12.43g(50ミリモル)及びm−
クレゾール250mlを用いて、実施例1と同様の方法
で、一般式(2)で表される繰り返し構造単位を有する
第二のポリイミド40.0g(収率98%)を得た。得
られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、1717cm-1及び1789cm-1に典型的なコハ
ク酸イミドの吸収が認められ、また、マレイミド基の二
重結合に由来する690cm-1の吸収は消失していた。
また、その分子量、ガラス転移点及び熱分解開始温度も
測定した。それらの結果を表1に示す。このポリイミド
を、テトラヒドロフランに20重量%の濃度になるよう
に溶解させて液状接着剤を得た。
【0035】実施例6 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と1,8−ジメル
カプト−3,5−ジオキサオクタン9.11g(50ミ
リモル)及びm−クレゾール250mlを、触媒として
トリエチルアミン1mlを用いて、実施例1と同様の方
法で、一般式(2)で表される繰り返し構造単位を有す
る第二のポリイミド37.0g(収率98%)を得た。
得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したと
ころ、1715cm-1及び1785cm-1に典型的なコ
ハク酸イミドの吸収が認められ、また、マレイミド基の
二重結合に由来する690cm-1の吸収は消失してい
た。また、その分子量、ガラス転移点及び熱分解開始温
度も測定した。それらの結果を表1に示す。このポリイ
ミドを、テトラヒドロフランに20重量%の濃度になる
ように溶解させて液状接着剤を得た。
【0036】実施例7 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と1,6−ジメル
カプトヘキサン7.51g(50ミリモル)及びm−ク
レゾール250mlを、触媒としてトリエチルアミン1
mlを用いて、実施例1と同様の方法で、一般式(2)
で表される繰り返し構造単位を有する第二のポリイミド
35.6g(収率99%)を得た。得られたポリイミド
の赤外吸収スペクトルを測定したところ、1715cm
-1及び1785cm-1に典型的なコハク酸イミドの吸収
が認められ、また、マレイミド基の二重結合に由来する
690cm-1の吸収は消失していた。また、その分子
量、ガラス転移点及び熱分解開始温度も測定した。それ
らの結果を表1に示す。このポリイミドを、テトラヒド
ロフランに20重量%の濃度になるように溶解させて液
状接着剤を得た。
【0037】実施例8 ビス(4−マレイミド−2−エチル−5−メチルフェニ
ル)メタン22.12g(50ミリモル)とオクタメチ
レンジアミン7.21g(50ミリモル)及びm−クレ
ゾール250mlを用いて、実施例1と同様の方法で、
一般式(2)で表される繰り返し構造単位を有する第二
のポリイミド28.0g(収率95%)を得た。得られ
たポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、
1715cm-1及び1785cm-1に典型的なコハク酸
イミドの吸収が認められ、また、マレイミド基の二重結
合に由来する690cm-1の吸収は消失していた。ま
た、その分子量、ガラス転移点及び熱分解開始温度も測
定した。それらの結果を表1に示す。このポリイミド
を、テトラヒドロフランに20重量%の濃度になるよう
に溶解させて液状接着剤を得た。
【0038】実施例9 ビス(4−マレイミド−2−エチル−5−メチルフェニ
ル)メタン22.12g(50ミリモル)とN,N′−
ジメチルヘキサメチレンジアミン7.21g(50ミリ
モル)及びm−クレゾール250mlを用いて、実施例
1と同様の方法で、一般式(2)で表される繰り返し構
造単位を有する第二のポリイミド25.0g(収率85
%)を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトル
を測定したところ、1716cm-1及び1785cm-1
に典型的なコハク酸イミドの吸収が認められ、また、マ
レイミド基の二重結合に由来する690cm-1の吸収は
消失していた。また、その分子量、ガラス転移点及び熱
分解開始温度も測定した。それらの結果を表1に示す。
このポリイミドを、テトラヒドロフランに20重量%の
濃度になるように溶解させて液状接着剤を得た。
【0039】実施例10 ビス(4−マレイミド−2−エチル−5−メチルフェニ
ル)メタン22.12g(50ミリモル)と1,3−ジ
(4−ピペリジル)プロパン9.32g(50ミリモ
ル)及びm−クレゾール250mlを用いて、実施例1
と同様の方法で、一般式(2)で表される繰り返し構造
単位を有する第二のポリイミド30.0g(収率95
%)を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトル
を測定したところ、1710cm-1及び1780cm-1
に典型的なコハク酸イミドの吸収が認められ、また、マ
レイミド基の二重結合に由来する690cm-1の吸収は
消失していた。また、その分子量、ガラス転移点及び熱
分解開始温度も測定した。それらの結果を表1に示す。
このポリイミドを、テトラヒドロフランに20重量%の
濃度になるように溶解させて液状接着剤を得た。
【0040】実施例11 ビス(4−マレイミド−2−エチル−5−メチルフェニ
ル)メタン22.12g(50ミリモル)と1,10−
ジアミノデカン8.62g(50ミリモル)及びm−ク
レゾール250mlを用いて、実施例1と同様の方法
で、一般式(2)で表される繰り返し構造単位を有する
第二のポリイミド28.0g(収率91%)を得た。得
られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、1715cm-1及び1785cm-1に典型的なコハ
ク酸イミドの吸収が認められ、また、マレイミド基の二
重結合に由来する690cm-1の吸収は消失していた。
また、その分子量、ガラス転移点及び熱分解開始温度も
測定した。それらの結果を表1に示す。このポリイミド
を、テトラヒドロフランに20重量%の濃度になるよう
に溶解させて液状接着剤を得た。
【0041】実施例12 ビス(4−マレイミド−2−エチル−5−メチルフェニ
ル)メタン22.12g(50ミリモル)と1,3−ビ
ス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメ
チルジシロキサン12.43g(50ミリモル)及びm
−クレゾール250mlを用いて、実施例1と同様の方
法で、一般式(2)で表される繰り返し構造単位を有す
る第二のポリイミド32.0g(収率93%)を得た。
得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したと
ころ、1715cm-1及び1785cm-1に典型的なコ
ハク酸イミドの吸収が認められ、また、マレイミド基の
二重結合に由来する690cm-1の吸収は消失してい
た。また、その分子量、ガラス転移点及び熱分解開始温
度も測定した。それらの結果を表1に示す。このポリイ
ミドを、テトラヒドロフランに20重量%の濃度になる
ように溶解させて液状接着剤を得た。
【0042】実施例13 ビス(4−マレイミド−2−エチル−5−メチルフェニ
ル)メタン22.12g(50ミリモル)と1,8−ジ
メルカプト−3,5−ジオキサオクタン9.11g(5
0ミリモル)及びm−クレゾール250mlを、触媒と
してトリエチルアミン1mlを用いて、実施例1と同様
の方法で、一般式(2)で表される繰り返し構造単位を
有する第二のポリイミド30.0g(収率96%)を得
た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定し
たところ、1715cm-1及び1785cm-1に典型的
なコハク酸イミドの吸収が認められ、また、マレイミド
基の二重結合に由来する690cm-1の吸収は消失して
いた。また、その分子量、ガラス転移点及び熱分解開始
温度も測定した。それらの結果を表1に示す。このポリ
イミドを、テトラヒドロフランに20重量%の濃度にな
るように溶解させて液状接着剤を得た。
【0043】実施例14 ビス(4−マレイミド−2−エチル−5−メチルフェニ
ル)メタン22.12g(50ミリモル)と1,6−ジ
メルカプトヘキサン7.51g(50ミリモル)及びm
−クレゾール250mlを、触媒としてトリエチルアミ
ン1mlを用いて、実施例1と同様の方法で、一般式
(2)で表される繰り返し構造単位を有する第二のポリ
イミド28.0g(収率94%)を得た。得られたポリ
イミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、171
5cm-1及び1785cm-1に典型的なコハク酸イミド
の吸収が認められ、また、マレイミド基の二重結合に由
来する690cm-1の吸収は消失していた。また、その
分子量、ガラス転移点及び熱分解開始温度も測定した。
それらの結果を表1に示す。このポリイミドを、テトラ
ヒドロフランに20重量%の濃度になるように溶解させ
て液状接着剤を得た。
【0044】上記実施例1〜14で得られた第二のポリ
イミドについて、それぞれ有機溶媒による溶解性試験を
行った。ポリイミドの溶解性は、ポリイミド濃度を5重
量%とし、室温において12時間放置後の溶解状態を観
察することにより確認した。その結果、これらの第二の
ポリイミドは、いずれも、N−メチル−2−ピロリド
ン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ヘ
キサメチルリン酸トリアミド、1,3−ジメチル−2−
イミダゾリドン、フェノール、クレゾール、キシレノー
ル、p−クロロフェノール、シクロヘキサノン、カルビ
トールアセテート、ジグライム、ジオキサン、テトラヒ
ドロフラン及びクロロホルムの各溶媒に可溶であった。
【0045】実施例15 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と3,4′−ジア
ミノジフェニルエーテル10.01g(50ミリモル)
及びm−クレゾール250mlを、100℃で6時間撹
拌を続けた。得られたポリイミドワニスをメタノール中
に注ぎ、得られた沈澱物を分離、粉砕、洗浄及び乾燥さ
せる工程を経ることにより、一般式(1)で表される繰
り返し構造単位を有する第一のポリイミド38.0g
(収率99%)を得た。得られたポリイミドの赤外吸収
スペクトルを測定したところ、1705cm-1及び17
80cm-1に典型的なコハク酸イミドの吸収が認めら
れ、また、マレイミド基の二重結合に由来する690c
-1の吸収は消失していた。また、その分子量、ガラス
転移点及び熱分解開始温度も測定した。それらの結果を
表1に示す。このポリイミドを、テトラヒドロフランに
20重量%の濃度になるように溶解させて液状接着剤を
得た。
【0046】実施例16 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と4,4′−ジア
ミノジフェニルメタン9.91g(50ミリモル)及び
m−クレゾール250mlを用いて、実施例15と同様
の方法で、一般式(1)で表される繰り返し構造単位を
有する第一のポリイミド38.0g(収率99%)を得
た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定し
たところ、1705cm-1及び1780cm-1に典型的
なコハク酸イミドの吸収が認められ、また、マレイミド
基の二重結合に由来する690cm-1の吸収は消失して
いた。また、その分子量、ガラス転移点及び熱分解開始
温度も測定した。それらの結果を表1に示す。このポリ
イミドを、テトラヒドロフランに20重量%の濃度にな
るように溶解させて液状接着剤を得た。
【0047】実施例17 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)とジ(4−アミノ
−2−エチル−5−メチルフェニル)メタン14.12
g(50ミリモル)及びm−クレゾール250mlを用
いて、実施例15と同様の方法で、一般式(1)で表さ
れる繰り返し構造単位を有する第一のポリイミド42.
0g(収率98%)を得た。得られたポリイミドの赤外
吸収スペクトルを測定したところ、1705cm-1及び
1780cm-1に典型的なコハク酸イミドの吸収が認め
られ、また、マレイミド基の二重結合に由来する690
cm-1の吸収は消失していた。また、その分子量、ガラ
ス転移点及び熱分解開始温度も測定した。それらの結果
を表1に示す。このポリイミドを、テトラヒドロフラン
に20重量%の濃度になるように溶解させて液状接着剤
を得た。
【0048】実施例18 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)とジ(4−アミノ
−2,5−ジメチルフェニル)メタン12.7g(50
ミリモル)及びm−クレゾール250mlを用いて、実
施例15と同様の方法で、一般式(1)で表される繰り
返し構造単位を有する第一のポリイミド41.0g(収
率99%)を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを測定したところ、1705cm-1及び1780
cm-1に典型的なコハク酸イミドの吸収が認められ、ま
た、マレイミド基の二重結合に由来する690cm-1
吸収は消失していた。また、その分子量、ガラス転移点
及び熱分解開始温度も測定した。それらの結果を表1に
示す。このポリイミドを、テトラヒドロフランに20重
量%の濃度になるように溶解させて液状接着剤を得た。
【0049】実施例19 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)とジ(4−アミノ
−2,5−ジエチルフェニル)メタン15.5g(50
ミリモル)及びm−クレゾール250mlを用いて、実
施例15と同様の方法で、一般式(1)で表される繰り
返し構造単位を有する第一のポリイミド44.0g(収
率100%)を得た。得られたポリイミドの赤外吸収ス
ペクトルを測定したところ、1705cm-1及び178
0cm-1に典型的なコハク酸イミドの吸収が認められ、
また、マレイミド基の二重結合に由来する690cm-1
の吸収は消失していた。また、その分子量、ガラス転移
点及び熱分解開始温度も測定した。それらの結果を表1
に示す。このポリイミドを、テトラヒドロフランに20
重量%の濃度になるように溶解させて液状接着剤を得
た。
【0050】実施例20 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と4,4′−ジア
ミノジフェニルスルホン12.42g(50ミリモル)
及びm−クレゾール250mlを用いて、実施例15と
同様の方法で、一般式(1)で表される繰り返し構造単
位を有する第一のポリイミド34.0g(収率83%)
を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測
定したところ、1705cm-1及び1780cm-1に典
型的なコハク酸イミドの吸収が認められ、また、マレイ
ミド基の二重結合に由来する690cm-1の吸収は消失
していた。また、その分子量、ガラス転移点及び熱分解
開始温度も測定した。それらの結果を表1に示す。この
ポリイミドを、テトラヒドロフランに20重量%の濃度
になるように溶解させて液状接着剤を得た。
【0051】実施例21 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と4,4′−ジア
ミノベンズアニリド11.37g(50ミリモル)及び
m−クレゾール250mlを用いて、実施例15と同様
の方法で、一般式(1)で表される繰り返し構造単位を
有する第一のポリイミド39.5g(収率99%)を得
た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定し
たところ、1705cm-1及び1780cm-1に典型的
なコハク酸イミドの吸収が認められ、また、マレイミド
基の二重結合に由来する690cm-1の吸収は消失して
いた。また、その分子量、ガラス転移点及び熱分解開始
温度も測定した。それらの結果を表1に示す。このポリ
イミドを、テトラヒドロフランに20重量%の濃度にな
るように溶解させて液状接着剤を得た。
【0052】実施例22 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と2,2−ビス
[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン2
0.53g(50ミリモル)及びm−クレゾール250
mlを用いて、実施例15と同様の方法で、一般式
(1)で表される繰り返し構造単位を有する第一のポリ
イミド48.0g(収率98%)を得た。得られたポリ
イミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、170
5cm-1及び1780cm-1に典型的なコハク酸イミド
の吸収が認められ、また、マレイミド基の二重結合に由
来する690cm-1の吸収は消失していた。また、その
分子量、ガラス転移点及び熱分解開始温度も測定した。
それらの結果を表1に示す。このポリイミドを、テトラ
ヒドロフランに20重量%の濃度になるように溶解させ
て液状接着剤を得た。
【0053】実施例23 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と1,3−ビス
[2−(4−アミノフェニル)イソプロピル]ベンゼン
17.23g(50ミリモル)及びm−クレゾール25
0mlを用いて、実施例15と同様の方法で、一般式
(1)で表される繰り返し構造単位を有する第一のポリ
イミド45.0g(収率98%)を得た。得られたポリ
イミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、170
5cm-1及び1780cm-1に典型的なコハク酸イミド
の吸収が認められ、また、マレイミド基の二重結合に由
来する690cm-1の吸収は消失していた。また、その
分子量、ガラス転移点及び熱分解開始温度も測定した。
それらの結果を表1に示す。このポリイミドを、テトラ
ヒドロフランに20重量%の濃度になるように溶解させ
て液状接着剤を得た。
【0054】実施例24 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と1,4−ビス
[2−(4−アミノフェニル)イソプロピル]ベンゼン
17.23g(50ミリモル)及びm−クレゾール25
0mlを用いて、実施例15と同様の方法で、一般式
(1)で表される繰り返し構造単位を有する第一のポリ
イミド45.0g(収率98%)を得た。得られたポリ
イミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、170
5cm-1及び1780cm-1に典型的なコハク酸イミド
の吸収が認められ、また、マレイミド基の二重結合に由
来する690cm-1の吸収は消失していた。また、その
分子量、ガラス転移点及び熱分解開始温度も測定した。
それらの結果を表1に示す。このポリイミドを、テトラ
ヒドロフランに20重量%の濃度になるように溶解させ
て液状接着剤を得た。
【0055】実施例25 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と4,4′−ビス
(4−アミノフェノキシ)ビフェニル18.42g(5
0ミリモル)及びm−クレゾール250mlを用いて、
実施例15と同様の方法で、一般式(1)で表される繰
り返し構造単位を有する第一のポリイミド46.0g
(収率98%)を得た。得られたポリイミドの赤外吸収
スペクトルを測定したところ、1705cm-1及び17
80cm-1に典型的なコハク酸イミドの吸収が認めら
れ、また、マレイミド基の二重結合に由来する690c
-1の吸収は消失していた。また、その分子量、ガラス
転移点及び熱分解開始温度も測定した。それらの結果を
表1に示す。このポリイミドを、テトラヒドロフランに
20重量%の濃度になるように溶解させて液状接着剤を
得た。
【0056】実施例26 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と1,4−ビス
(4−アミノフェノキシ)ベンゼン14.62g(50
ミリモル)及びm−クレゾール250mlを用いて、実
施例15と同様の方法で、一般式(1)で表される繰り
返し構造単位を有する第一のポリイミド43.0g(収
率99%)を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを測定したところ、1705cm-1及び1780
cm-1に典型的なコハク酸イミドの吸収が認められ、ま
た、マレイミド基の二重結合に由来する690cm-1
吸収は消失していた。また、その分子量、ガラス転移点
及び熱分解開始温度も測定した。それらの結果を表2に
示す。このポリイミドを、テトラヒドロフランに20重
量%の濃度になるように溶解させて液状接着剤を得た。
【0057】実施例27 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と1,4−ビス
(4−アミノフェノキシ)ベンゼン14.62g(50
ミリモル)及びm−クレゾール250mlを用いて、実
施例15と同様の方法で、一般式(1)で表される繰り
返し構造単位を有する第一のポリイミド45.0g(収
率98%)を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを測定したところ、1705cm-1及び1780
cm-1に典型的なコハク酸イミドの吸収が認められ、ま
た、マレイミド基の二重結合に由来する690cm-1
吸収は消失していた。また、その分子量、ガラス転移点
及び熱分解開始温度も測定した。それらの結果を表2に
示す。このポリイミドを、テトラヒドロフランに20重
量%の濃度になるように溶解させて液状接着剤を得た。
【0058】実施例28 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と9,9−ビス
(4−アミノフェノキシ)フルオレン8.71g(50
ミリモル)及びm−クレゾール250mlを用いて、実
施例15と同様の方法で、一般式(1)で表される繰り
返し構造単位を有する第一のポリイミド37.0g(収
率99%)を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを測定したところ、1705cm-1及び1780
cm-1に典型的なコハク酸イミドの吸収が認められ、ま
た、マレイミド基の二重結合に由来する690cm-1
吸収は消失していた。また、その分子量、ガラス転移点
及び熱分解開始温度も測定した。それらの結果を表2に
示す。このポリイミドを、テトラヒドロフランに20重
量%の濃度になるように溶解させて液状接着剤を得た。
【0059】実施例29 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と3,3′−ジメ
トキシ−4,4′−ジアミノビフェニル12.22g
(50ミリモル)及びm−クレゾール250mlを用い
て、実施例15と同様の方法で一般式(1)で表される
繰り返し構造単位を有する第一のポリイミド38.0g
(収率93%)を得た。得られたポリイミドの赤外吸収
スペクトルを測定したところ、1705cm-1及び17
80cm-1に典型的なコハク酸イミドの吸収が認めら
れ、また、マレイミド基の二重結合に由来する690c
-1の吸収は消失していた。また、その分子量、ガラス
転移点及び熱分解開始温度も測定した。それらの結果を
表2に示す。このポリイミドを、テトラヒドロフランに
20重量%の濃度になるように溶解させて液状接着剤を
得た。
【0060】実施例30 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と3,3′−ジメ
チル−4,4′−ジアミノビフェニル10.62g(5
0ミリモル)及びm−クレゾール250mlを用いて、
実施例15と同様の方法で、一般式(1)で表される繰
り返し構造単位を有する第一のポリイミド33.0g
(収率84%)を得た。得られたポリイミドの赤外吸収
スペクトルを測定したところ、1705cm-1及び17
80cm-1に典型的なコハク酸イミドの吸収が認めら
れ、また、マレイミド基の二重結合に由来する690c
-1の吸収は消失していた。また、その分子量、ガラス
転移点及び熱分解開始温度も測定した。それらの結果を
表2に示す。このポリイミドを、テトラヒドロフランに
20重量%の濃度になるように溶解させて液状接着剤を
得た。
【0061】実施例31 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)とビス[4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン21.63g
(50ミリモル)及びm−クレゾール250mlを用い
て、実施例15と同様の方法で、一般式(1)で表され
る繰り返し構造単位を有する第一のポリイミド49.0
g(収率97%)を得た。得られたポリイミドの赤外吸
収スペクトルを測定したところ、1705cm-1及び1
780cm-1に典型的なコハク酸イミドの吸収が認めら
れ、また、マレイミド基の二重結合に由来する690c
-1の吸収は消失していた。また、その分子量、ガラス
転移点及び熱分解開始温度も測定した。それらの結果を
表2に示す。このポリイミドを、テトラヒドロフランに
20重量%の濃度になるように溶解させて液状接着剤を
得た。
【0062】実施例32 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と2,2−ビス
[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフル
オロプロパン25.93g(50ミリモル)及びm−ク
レゾール250mlを用いて、実施例15と同様の方法
で、一般式(1)で表される繰り返し構造単位を有する
第一のポリイミド52.0g(収率95%)を得た。得
られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、1705cm-1及び1780cm-1に典型的なコハ
ク酸イミドの吸収が認められ、また、マレイミド基の二
重結合に由来する690cm-1の吸収は消失していた。
また、その分子量、ガラス転移点及び熱分解開始温度も
測定した。それらの結果を表2に示す。このポリイミド
を、テトラヒドロフランに20重量%の濃度になるよう
に溶解させて液状接着剤を得た。
【0063】実施例33 4,4′−ビス(m−マレイミドフェノキシ)ベンゾフ
ェノン27.83g(50ミリモル)と2,2−ビス
[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン2
0.53g(50ミリモル)及びm−クレゾール250
mlを用いて、実施例15と同様の方法で、一般式
(1)で表される繰り返し構造単位を有する第一のポリ
イミド47.0g(収率97%)を得た。得られたポリ
イミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、171
8cm-1及び1788cm-1に典型的なコハク酸イミド
の吸収が認められ、また、マレイミド基の二重結合に由
来する690cm-1の吸収は消失していた。また、その
分子量、ガラス転移点及び熱分解開始温度も測定した。
それらの結果を表2に示す。このポリイミドを、テトラ
ヒドロフランに20重量%の濃度になるように溶解させ
て液状接着剤を得た。
【0064】実施例34 ビス[4−(3−マレイミドフェノキシ)フェニル]ス
ルフィド28.03g(50ミリモル)と2,2−ビス
[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン2
0.53g(50ミリモル)及びm−クレゾール250
mlを用いて、実施例15と同様の方法で、一般式
(1)で表される繰り返し構造単位を有する第一のポリ
イミド47.5g(収率98%)を得た。得られたポリ
イミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、172
0cm-1及び1790cm-1に典型的なコハク酸イミド
の吸収が認められ、また、マレイミド基の二重結合に由
来する690cm-1の吸収は消失していた。また、その
分子量、ガラス転移点及び熱分解開始温度も測定した。
それらの結果を表2に示す。このポリイミドを、テトラ
ヒドロフランに20重量%の濃度になるように溶解させ
て液状接着剤を得た。
【0065】実施例35 4,4′−ビス(m−マレイミドフェノキシ)ベンゾフ
ェノン29.63g(50ミリモル)と2,2−ビス
[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン2
0.53g(50ミリモル)及びm−クレゾール250
mlを用いて、実施例15と同様の方法で、一般式
(1)で表される繰り返し構造単位を有する第一のポリ
イミド49.0g(収率98%)を得た。得られたポリ
イミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、171
8cm-1及び1788cm-1に典型的なコハク酸イミド
の吸収が認められ、また、マレイミド基の二重結合に由
来する690cm-1の吸収は消失していた。また、その
分子量、ガラス転移点及び熱分解開始温度も測定した。
それらの結果を表2に示す。このポリイミドを、テトラ
ヒドロフランに20重量%の濃度になるように溶解させ
て液状接着剤を得た。
【0066】上記実施例15〜35で得られた第一のポ
リイミドについて、それぞれ有機溶媒による溶解性試験
を行った。ポリイミドの溶解性は、ポリイミド濃度を5
重量%とし、室温において12時間放置後の溶解状態を
観察することにより確認した。その結果、これらの第一
のポリイミドは、いずれも、N−メチル−2−ピロリド
ン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ヘ
キサメチルリン酸トリアミド、1,3−ジメチル−2−
イミダゾリドン、フェノール、クレゾール、キシレノー
ル、p−クロロフェノール、シクロヘキサノン、カルビ
トールアセテート、ジグライム、ジオキサン、テトラヒ
ドロフラン及びクロロホルムの各溶媒に可溶であった。
【0067】実施例36 2,2−ビス(m−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と1,3−ビス
(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチ
ルジシロキサン6.21g(25ミリモル)とをm−ク
レゾール250ml中に導入し、室温において4時間反
応させた後、更に2,2−ビス(p−アミノフェノキシ
フェニル)プロパン10.26g(25ミリモル)を添
加して100℃で4時間反応させた。得られたポリイミ
ドワニスをメタノール中に注入することによって得られ
た沈澱を分離し、次いで粉砕、洗浄及び乾燥させること
により、一般式(1)及び一般式(2)で表される繰り
返し構造単位を有する第三のポリイミド42.0g(収
率93%)を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを測定したところ、1705cm-1及び1780
cm-1に典型的なコハク酸イミドの吸収が認められ、ま
た、マレイミド基の二重結合に由来する690cm-1
吸収は消失していた。また、その分子量、ガラス転移点
及び熱分解開始温度も測定した。それらの結果を表2に
示す。このポリイミドを、テトラヒドロフランに20重
量%の濃度になるように溶解させて液状接着剤を得た。
【0068】実施例37 2,2−ビス(m−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と1,8−ジメル
カプト−3,5−ジオキサオクタン4.56g(25ミ
リモル)とをm−クレゾール250ml中に導入し、室
温において4時間反応させた後、更に2,2−ビス(p
−アミノフェノキシフェニル)プロパン10.26g
(25ミリモル)を添加して100℃で4時間反応させ
た。得られたポリイミドワニスをメタノール中に注入す
ることによって得られた沈澱を分離し、次いで粉砕、洗
浄及び乾燥させることにより、一般式(1)及び一般式
(2)で表される繰り返し構造単位を有する第三のポリ
イミド41.0g(収率95%)を得た。得られたポリ
イミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、170
5cm-1及び1780cm-1に典型的なコハク酸イミド
の吸収が認められ、また、マレイミド基の二重結合に由
来する690cm-1の吸収は消失していた。また、その
分子量、ガラス転移点及び熱分解開始温度も測定した。
それらの結果を表2に示す。このポリイミドを、テトラ
ヒドロフランに20重量%の濃度になるように溶解させ
て液状接着剤を得た。
【0069】実施例38 2,2−ビス(m−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と1,3−ビス
(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチ
ルジシロキサン6.21g(25ミリモル)とをm−ク
レゾール250ml中に導入し、室温において4時間反
応させた後、更に、4,4′−ジアミノジフェニルメタ
ン4.96g(25ミリモル)を添加して、100℃で
4時間反応させた。得られたポリイミドワニスをメタノ
ール中に注入することによって得られた沈澱物を分離
し、次いで粉砕、洗浄及び乾燥させることにより、一般
式(1)及び一般式(2)で表される繰り返し構造単位
を有する第三のポリイミド37.0g(収率93%)を
得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定
したところ、1705cm-1及び1780cm-1に典型
的なコハク酸イミドの吸収が認められ、また、マレイミ
ド基の二重結合に由来する690cm-1の吸収は消失し
ていた。また、その分子量、ガラス転移点及び熱分解開
始温度も測定した。それらの結果を表2に示す。このポ
リイミドを、テトラヒドロフランに20重量%の濃度に
なるように溶解させて液状接着剤を得た。
【0070】実施例39 2,2−ビス(m−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と1,8−ジメル
カプト−3,5−ジオキサオクタン4.56g(25ミ
リモル)とをm−クレゾール250ml中に導入し、室
温において4時間反応させた後、更に、4,4′−ジア
ミノジフェニルメタン4.96g(25ミリモル)を添
加して、100℃で4時間反応させた。得られたポリイ
ミドワニスをメタノール中に注入することにより、得ら
れた沈澱物を分離し、次いで粉砕、洗浄及び乾燥させる
ことにより、一般式(1)及び一般式(2)で表される
繰り返し構造単位を有する第三のポリイミド36.0g
(収率95%)を得た。得られたポリイミドの赤外吸収
スペクトルを測定したところ、1705cm-1及び17
80cm-1に典型的なコハク酸イミドの吸収が認めら
れ、また、マレイミド基の二重結合に由来する690c
-1の吸収は消失していた。また、その分子量、ガラス
転移点及び熱分解開始温度も測定した。それらの結果を
表2に示す。このポリイミドを、テトラヒドロフランに
20重量%の濃度になるように溶解させて液状接着剤を
得た。
【0071】上記実施例36〜39で得られた第三のポ
リイミドについて、それぞれ有機溶媒による溶解性試験
を行った。ポリイミドの溶解性は、ポリイミド濃度を5
重量%とし、室温において12時間放置後の溶解状態を
観察することにより確認した。その結果、これらの第三
のポリイミドは、いずれも、N−メチル−2−ピロリド
ン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ヘ
キサメチルリン酸トリアミド、1,3−ジメチル−2−
イミダゾリドン、フェノール、クレゾール、キシレノー
ル、p−クロロフェノール、シクロヘキサノン、カルビ
トールアセテート、ジグライム、ジオキサン、テトラヒ
ドロフラン及びクロロホルムの各溶媒に可溶であった。
【0072】
【表1】
【0073】
【表2】 表1及び表2において、ポリイミドの分子量測定は、テ
トラヒドロフランを溶離液とし、カラムはShodex
80M×2を使用して行った。分子量値は、GPCによ
る数平均分子量であり、ポリスチレン換算によるもので
ある。ガラス転移点は、示差熱分析(窒素中、10℃/
分で昇温)により測定し、また、熱分解開始温度は、熱
重量分析(窒素中、10℃/分で昇温)により測定した
ものである。
【0074】実施例40 実施例5で得られた液状接着剤50重量部に対し、実施
例16で得られた液状接着剤50重量部を混合すること
によって液状接着剤を得た。 実施例41 実施例5で得られた液状接着剤50重量部に対し、実施
例22で得られた液状接着剤50重量部を混合すること
によって液状接着剤を得た。 実施例42 実施例5で得られた液状接着剤50重量部に対し、実施
例23で得られた液状接着剤50重量部を混合すること
によって液状接着剤を得た。 実施例43 実施例5で得られた液状接着剤60重量部に対し、実施
例26で得られた液状接着剤40重量部を混合すること
によって液状接着剤を得た。
【0075】実施例44 実施例5で得られた液状接着剤100重量部に対し、ア
ルミナフィラー(昭和電工社製、粒径0.05μm)1
0重量部を分散混合することによって液状接着剤を得
た。 実施例45 実施例6で得られた液状接着剤100重量部に対し、ア
ルミナフィラー(昭和電工社製、粒径0.05μm)1
0重量部を分散混合することによって液状接着剤を得
た。 実施例46 実施例22で得られた液状接着剤100重量部に対し、
アルミナフィラー(昭和電工社製、粒径0.05μm)
10重量部を分散混合することによって液状接着剤を得
た。
【0076】実施例47 実施例5で得られた液状接着剤100重量部に対し、シ
リカフィラー(荒川化学社製、粒径0.07μm)10
重量部を分散混合することによって液状接着剤を得た。 実施例48 実施例6で得られた液状接着剤100重量部に対し、シ
リカフィラー(荒川化学社製、粒径0.07μm)10
重量部を分散混合することによって液状接着剤を得た。 実施例49 実施例22で得られた液状接着剤100重量部に対し、
シリカフィラー(荒川化学社製、粒径0.07μm)1
0重量部を分散混合することによって液状接着剤を得
た。 実施例50 実施例27で得られた液状接着剤100重量部に対し、
シリカフィラー(荒川化学社製、粒径0.07μm)1
0重量部を分散混合することによって液状接着剤を得
た。
【0077】
【表3】 表3において、各測定値は、前記したと同様に測定して
求めたものである。「−」は、ポリイミドの混合系であ
るので、平均分子量の意味をなさないため記載しなかっ
た。
【0078】比較例1 ナイロンエポキシ系接着剤(トレジンFS−410、帝
国化学産業(株)製)(固形分率20%、溶剤:イソプ
ロピルアルコール:メチルエチルケトン=2:1)を用
意した。 比較例2 ポリイミド系ワニス(ラークTPI、三井東圧化学
(株)製)のN−メチル−2−ピロリドン20重量%溶
液を用意した。
【0079】(接着テープ作製例)実施例1〜50の液
状接着剤を、乾燥後の接着層の厚さが20μmになるよ
うにポリイミドフィルムの両面に塗布し、これを熱風循
環型乾燥機中にて150℃で5分間乾燥して、接着テー
プを作製した。 比較テープの作製例1 比較例1の接着剤を、乾燥後の接着層の厚さが20μm
になるようにポリイミドフィルムの両面に塗布し、これ
を熱風循環型乾燥機中にて150℃で15分間乾燥し
て、接着テープを作製した。 比較テープの作製例2 比較例2の接着剤を、乾燥後の接着層の厚さが20μm
になるようにポリイミドフィルムの両面に塗布し、これ
を熱風循環型乾燥機中にて150℃で120分間、次い
で250℃で60分間乾燥して、接着テープを作製し
た。
【0080】(リードフレームの組立て)図1に示す半
導体パッケージに用いられるリードフレームを、次に示
す手順で表4に示す作業条件の下で組立てた。 (a)接着テープの打ち抜き 金型による接着テープのリング状打ち抜き。 (b)接着テープの仮接着 ホットプレート上にプレーンを置き、リング状に打ち抜
いたテープをプレーンに金属ロッドで押し付け仮接着し
た。 (c)リードフレームの組立て 上記工程で接着テープを仮接着したプレーンとリードフ
レーム本体を位置合わせし、表4に示した条件で加熱し
たホットプレート上で加熱加圧し、リードフレームとプ
レーンを接着テープを介して貼り合わせた。 (d)接着テープキュアー 比較例1の液状接着剤を使用した場合について行った。
すなわち、熱風循環型オーブン内を窒素置換し、3つの
工程で組立てたリードフレーム上で表4に記載の条件で
接着層を硬化させた。
【0081】
【表4】
【0082】(半導体パッケージの組立て)その後、作
成したリードフレームを使用し、以下の手順で半導体パ
ッケージを組立てた。リードフレーム組立て時に接着条
件および硬化条件が異なるのは、各接着テープの特性が
異なるためである。ここでは、各接着テープに最適の接
着条件を選定し、それに基づいて接着硬化させた。 (a)ダイボンディング 半導体チップをダイボンディング用銀ペーストを用い
て、プレーン部に接着し、150℃で2時間硬化させ
た。 (b)ワイヤーボンディング ワイヤーボンダーにより、金線で半導体チップ上のワイ
ヤーパッドとインナーリード線端部の銀メッキ部分とを
配線する。 (c)モールディング エポキシ系モールド剤でトランスファーモールドする。 (d)仕上げ工程 ホーミング、ダイカット、アウターリード部のメッキ等
の工程を含め、パッケージに仕上げる。
【0083】(接着テープ及び半導体パッケージの評価
結果) (a)リードフレームの酸化 接着剤硬化中に、リードフレーム表面の酸化が起こって
いるか否かの評価を、リードフレーム表面の変色に対す
る視覚判定により行った。その結果、本発明の接着テー
プは、酸化は生じなかったが、比較例2の場合は、接着
に際し長時間高温にさらされるために変色が認められ、
リードフレームの酸化が生じていた。 (b)接着力 銅板にリードフレーム組立て時の条件(表4)で接着テ
ープを貼着(テーピング)した後の、10mm幅のテー
プの室温における90°ピール強度を測定した。その結
果、本発明の接着テープは、35〜50g/10mmで
あるのに対して、比較例1の場合は2〜4g/10mm
であり、また、比較例2の場合は10〜40g/10m
mで変動幅が大きかった。 (c)ボイド 接着剤を硬化させる際に、接着剤内に発生するボイドが
実用上問題になるレベルにあるか否かを顕微鏡による視
覚判定によって評価した。その結果、本発明の接着テー
プは、ボイドの発生は全くなかったが、比較例1の場合
はボイドの発生が認められた。 (d)作業性 リードフレームの組立ての際の接着テープのテーピング
等、使用時のハンドリング性(カール、走行性)及び接
着テープの接着剤表面のタックについて評価を行った。
その結果、本発明の接着テープは、すべてハンドリング
性が良好であり、表面のタックを生じなかったが、比較
例2の場合は、ハンドリング性に問題が生じた。
【0084】(e)ワイヤーボンダビリティー パッケージ組立てに際して、金線のワイヤーボンディン
グ時のリードフレーム上へのワイヤーボンダビリティー
を確認した。その結果、本発明の接着テープを使用した
場合、832ピンの試験において、ボンディング不良は
ゼロであった。一方、比較例1の場合は、832ピン中
123ピンのボンディング不良が確認され、金ワイヤー
のボンディングを十分な強度にすることができなかっ
た。 (f)半導体パッケージの評価 前述のようにして得られたパッケージに対して、PCB
T試験(Pressure Cooker Biase
d Test)を行った。試験条件は5ボルト印加、1
21℃、2atm、100%RHで実施し、電気的信頼
性テストを行った。その結果、本発明の場合は、100
0時間に亘ってショートが生じなかった。
【0085】以上の結果から明らかなように、本発明の
液状接着剤を使用した接着テープの場合は、半導体パッ
ケージを良好に作製することができる。これに対して、
比較例の接着テープの場合には、リードフレームの酸化
が生じる、接着条件がリードフレームの組立てに適さな
い、金線のワイヤーボンディングを行うことができない
等の問題があり、電子部品作製の用途に適していない。
【0086】
【発明の効果】本発明の液状接着剤及びそれらを用いた
電子部品接着テープは、上記した試験結果等から明らか
なように、十分な耐熱性、信頼性等を有しているもので
あり、その液状接着剤は、半導体装置を構成するリード
フレーム周辺の部材間の接着、例えば、リードピン、半
導体チップ搭載用基板、放熱板、半導体チップ自体等の
接着に好適に使用することができ、また、その電子部品
接着テープは、例えば、リードフレーム固定用接着テー
プ、TABテープ等として好適に使用することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明または従来の接着テープを使用した樹
脂封止型半導体装置の一例の断面図である。
【図2】 本発明または従来の接着テープを使用した樹
脂封止型半導体装置の他の一例の断面図である。
【図3】 本発明または従来の接着テープを使用した樹
脂封止型半導体装置のさらに他の一例の断面図である。
【符号の説明】
1…半導体チップ、2…プレーン、3…リードピン、4
…ボンディングワイヤー、5…樹脂、6…接着層、7…
ダイパッド、8…電極。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成8年8月27日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項1
【補正方法】変更
【補正内容】
【化1】 [式中、Arは下記一般式(3)または一般式(4)で
表される二価の基を示す。Raはベンゼン環を2〜6個
有する二価の基を示し、Rbは炭素数2〜20のアルキ
レン基、−CH2 CH2 (OCH2 CH2 n −(nは
1〜8の整数である。)で表されるエーテル鎖または−
R′−[Si(CH3 2 O]m Si(CH3 2
R′−(R′は炭素数1〜10のアルキレン基または
チレン基がSiに結合している−CH2 OC6 4 −を
示し、mは1〜20の整数である。)で表されるジメチ
ルシロキサン基を示す。X1 はNH、NR(Rは炭素数
1〜4のアルキル基または炭素数1〜4のアルコキシ基
を示す。)またはSを示す。X2 はNH、NR(Rは炭
素数1〜4のアルキル基または炭素数1〜4のアルコキ
シ基を示す。)、
【化2】 またはSを示す。]
【化3】 (式中、Yは−O−、−CO−、−S−、−SO2 −、
または−C(CH3 2−を示す。)
【化4】 (式中、R1 、R2 、R3 、R4 は、それぞれ炭素数1
〜4のアルキル基または炭素数1〜4のアルコキシ基を
示す。)
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0005
【補正方法】変更
【補正内容】
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の電子部品
用接着テープは、耐熱性フィルムの少なくとも一面に、
(I)下記一般式(1)で表される構造単位を含有する
ポリイミド、(II)下記一般式(2)で表される構造単
位を含有するポリイミド及び(III) 下記一般式(1)及
び一般式(2)で表される構造単位を任意の割合で含有
するポリイミドから選ばれた少なくとも1つのポリイミ
ドからなる接着層を積層してなることを特徴とする。
【化6】 [式中、Arは下記一般式(3)または一般式(4)で
表される二価の基を示す。Raはベンゼン環を2〜6個
有する二価の基を示し、Rbは炭素数2〜20のアルキ
レン基、−CH2 CH2 (OCH2 CH2 n −(nは
1〜8の整数である。)で表されるエーテル鎖または−
R′−[Si(CH3 2 O]m Si(CH3 2
R′−(R′は炭素数1〜10のアルキレン基または
チレン基がSiに結合している−CH2 OC6 4 −を
示し、mは1〜20の整数である。)で表されるジメチ
ルシロキサン基を示す。X1 はNH、NR(Rは炭素数
1〜4のアルキル基または炭素数1〜4のアルコキシ基
を示す。)またはSを示す。X2 はNH、NR(Rは炭
素数1〜4のアルキル基または炭素数1〜4のアルコキ
シ基を示す。)、
【化7】 またはSを示す。]
【化8】 (式中、Yは−O−、−CO−、−S−、−SO2 −、
または−C(CH3 2−を示す。)
【化9】 (式中、R1 、R2 、R3 、R4 は、それぞれ炭素数1
〜4のアルキル基または炭素数1〜4のアルコキシ基を
示す。)
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】変更
【補正内容】
【0011】また、本発明に使用する第二のポリイミド
は、上記一般式(5)で表されるビスマレイミドと下記
一般式(7)で表される化合物とを、活性水素の存在下
で反応させることにより製造することができる。 HX2 −Rb−X2 H (7) [式中、Rbは炭素数2〜20のアルキレン基、−CH
2 CH2 (OCH2 CH2 n −(nは1〜8の整数で
ある。)エーテル鎖または−R′−[Si(CH3 2
O]m Si(CH3 2 −R′−(R′は炭素数1〜1
0のアルキレン基またはメチレン基がSiに結合してい
−CH2 OC6 4 −を示し、mは1〜20の整数で
ある。)で表されるジメチルシロキサン基を表し、X2
はNH、NR(Rは炭素数1〜4のアルキル基または炭
素数1〜4のアルコキシ基)、
【化13】 またはSを示す。] さらに、本発明に使用する第三のポリイミドは、上記一
般式(5)で表されるビスマレイミド、一般式(6)で
表される化合物及び一般式(7)で表される化合物を、
活性水素の存在下で反応させることによって製造するこ
とができる。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】変更
【補正内容】
【0012】本発明に使用するポリイミドにおいて、ポ
リイミドの基本的な構造単位を構成する下記一般式
(5)で表されるビスマレイミドは、マレイミド基を分
子内に二つ有する化合物である。
【化14】 (式中、Arは下記一般式(3)または一般式(4)で
表される二価の基である。)
【化15】 (式中、Yは−O−、−CO−、−S−、−SO2 −、
または−C(CH3 2−を示す。)
【化16】 (式中、R1 、R2 、R3 、R4 は、それぞれ炭素数1
〜4のアルキル基または炭素数1〜4のアルコキシ基を
示す。)
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0015
【補正方法】変更
【補正内容】
【0015】一般式(6)で表される化合物中の両末端
がアミノ基であるジアミン化合物としては、X1 がNH
である第1級アミンの場合と、X1 がNR(Rは炭素数
1〜4のアルキル基を示す。)である第2級アミンの場
合とがある。一般式(6)で表される化合物が第1級ジ
アミンである具体例としては、3,4′−オキシジアニ
リン、4,4′−オキシジアニリン、4,4′−ジアミ
ノジフェニルメタン、3,4′−ジアミノジフェニルメ
タン、3,3′−ジアミノジフェニルメタン、4,4′
−ジアミノ−3,3′−ジメチルジフェニルメタン、
4,4′−ジアミノ−3,3′−ジエチルジフェニルメ
タン、4,4′−ジアミノ−3,3′−ジメトキシジフ
ェニルメタン、4,4′−ジアミノ−3,3′−ジエト
キシジフェニルメタン、4,4′−ジアミノベンズアニ
リド、4,4′−ジアミノベンゾフェノン、3,3′−
ジアミノベンゾフェノン、4,4′−ジアミノジフェニ
ルスルホン、3,3′−ジアミノジフェニルスルホン、
4,4′−(イソプロピリデン)ジアニリン、3,3′
−(イソプロピリデン)ジアニリン、ビス[2−(4−
アミノフェニル)プロパン]ベンゼン、ビス(アミノフ
ェノキシ)ベンゼン、ビス(アミノフェノキシ)ビフェ
ニル、ビス(アミノフェノキシ)ジフェニルエーテル、
ビス(アミノフェノキシフェニル)プロパン、ビス(ア
ミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(アミノフェ
ノキシフェニル)ケトン、ビス(アミノフェノキシフェ
ニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(アミノフェノキ
シフェニル)ビフェニル、ビス(アミノフェノキシフェ
ニル)ジフェニルエーテル、4,4′−ビス[3−(4
−アミノ−α,α′−ジメチルベンジル)フェノキシ]
ジフェニルスルホン、4,4′−ビス[3−(4−アミ
ノ−α,α′−ジメチルベンジル)フェノキシ]ベンゾ
フェノン、4,4′−ビス[4−(4−アミノ−α,
α′−ジメチルベンジル)フェノキシ]ジフェニルスル
ホン、4,4′−ビス[4−(4−アミノ−α,α′−
ジメチルベンジル)フェノキシ]ベンゾフェノン、9,
9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン等が挙げら
れ、これらは混合して用いることも可能である。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0017
【補正方法】変更
【補正内容】
【0017】本発明に使用するポリイミドにおいて、ポ
リイミドのさらに他の基本的な構造単位を構成する下記
一般式(7)で表される化合物としては、両末端がアミ
ノ基であるジアミンまたは両末端がメルカプト基である
ジチオールの2種類がある。 HX2 −Rb−X2 H (7) [式中、Rbは炭素数2〜20のアルキレン基、−CH
2 CH2 (OCH2 CH2 n −(nは1〜8の整数で
ある。)エーテル鎖または−R′−[Si(CH3 2
O]m Si(CH3 2 −R′−(R′は炭素数1〜1
0のアルキレン基またはメチレン基がSiに結合してい
−CH2 OC6 4 −を示し、mは1〜20の整数で
ある。)で表されるジメチルシロキサン基を表し、X2
はNH、NR(Rは炭素数1〜4のアルキル基または炭
素数1〜4のアルコキシ基)、
【化17】 またはSを示す。]
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0057
【補正方法】変更
【補正内容】
【0057】実施例27 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と1,−ビス
(4−アミノフェノキシ)ベンゼン14.62g(50
ミリモル)及びm−クレゾール250mlを用いて、実
施例15と同様の方法で、一般式(1)で表される繰り
返し構造単位を有する第一のポリイミド45.0g(収
率98%)を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを測定したところ、1705cm-1及び1780
cm-1に典型的なコハク酸イミドの吸収が認められ、ま
た、マレイミド基の二重結合に由来する690cm-1
吸収は消失していた。また、その分子量、ガラス転移点
及び熱分解開始温度も測定した。それらの結果を表2に
示す。このポリイミドを、テトラヒドロフランに20重
量%の濃度になるように溶解させて液状接着剤を得た。
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0058
【補正方法】変更
【補正内容】
【0058】実施例28 2,2−ビス(p−マレイミドフェノキシフェニル)プ
ロパン28.53g(50ミリモル)と9,9−ビス
(4−アミノフェニル)フルオレン8.71g(50ミ
リモル)及びm−クレゾール250mlを用いて、実施
例15と同様の方法で、一般式(1)で表される繰り返
し構造単位を有する第一のポリイミド37.0g(収率
99%)を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペク
トルを測定したところ、1705cm-1及び1780c
-1に典型的なコハク酸イミドの吸収が認められ、ま
た、マレイミド基の二重結合に由来する690cm-1
吸収は消失していた。また、その分子量、ガラス転移点
及び熱分解開始温度も測定した。それらの結果を表2に
示す。このポリイミドを、テトラヒドロフランに20重
量%の濃度になるように溶解させて液状接着剤を得た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C09J 7/02 JLE C09J 7/02 JLE H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 耐熱性フィルムの少なくとも一面に、
    (I)下記一般式(1)で表される構造単位を含有する
    ポリイミド、(II)下記一般式(2)で表される構造単
    位を含有するポリイミド及び(III) 下記一般式(1)及
    び一般式(2)で表される構造単位を任意の割合で含有
    するポリイミドから選ばれた少なくとも1つのポリイミ
    ドからなる接着層を積層してなることを特徴とする電子
    部品用接着テープ。 【化1】 [式中、Arは下記一般式(3)または一般式(4)で
    表される二価の基を示す。Raはベンゼン環を2〜6個
    有する二価の基を示し、Rbは炭素数2〜20のアルキ
    レン基、−CH2 CH2 (OCH2 CH2 n −(nは
    1〜8の整数である。)で表されるエーテル鎖または−
    R′−[Si(CH3 2 O]m Si(CH3 2
    R′−(R′は炭素数1〜10のアルキル基または−C
    2 OC6 4 −を示し、mは1〜20の整数であ
    る。)で表されるジメチルシロキサン基を示す。X1
    NH、NR(Rは炭素数1〜4のアルキル基または炭素
    数1〜4のアルコキシ基を示す。)またはSを示す。X
    2 はNH、NR(Rは炭素数1〜4のアルキル基または
    炭素数1〜4のアルコキシ基を示す。)、 【化2】 またはSを示す。] 【化3】 (式中、Yは−O−、−CO−、−S−、−SO2 −、
    または−C(CH3 2−を示す。) 【化4】 (式中、R1 、R2 、R3 、R4 は、それぞれ炭素数1
    〜4のアルキル基または炭素数1〜4のアルコキシ基を
    示す。)
  2. 【請求項2】 耐熱性フィルムが、ポリイミド樹脂フィ
    ルムであることを特徴とする請求項1に記載の電子部品
    用接着テープ。
  3. 【請求項3】 接着層に粒径1μm以下のフィラーが1
    〜50の重量部含まれていることを特徴とする請求項1
    に記載の電子部品用接着テープ。
  4. 【請求項4】 剥離性フィルムの一面に、(I)上記一
    般式(1)で表される構造単位を含有するポリイミド、
    (II)上記一般式(2)で表される構造単位を含有する
    ポリイミド及び(III) 上記一般式(1)及び一般式
    (2)で表される構造単位を任意の割合で含有するポリ
    イミドから選ばれた少なくとも1つのポリイミドからな
    る接着層を積層してなることを特徴とする電子部品用接
    着テープ。
  5. 【請求項5】 接着層に粒径1μm以下のフィラーが1
    〜50重量%含まれていることを特徴とする請求項4に
    記載の電子部品用接着テープ。
  6. 【請求項6】 有機溶剤中に、(I)下記一般式(1)
    で表される構造単位を含有するポリイミド、(II)下記
    一般式(2)で表される構造単位を含有するポリイミド
    及び(III) 下記一般式(1)及び一般式(2)で表され
    る構造単位を任意の割合で含有するポリイミドから選ば
    れた少なくとも1つのポリイミドを溶解してなることを
    特徴とする電子部品用液状接着剤。 【化5】 (式中、Ar、Ra、Rb、X1 及びX2 は、いずれも
    請求項1に記載したと同意義を有する。)
  7. 【請求項7】 粒径1μm以下のフィラーが全固形分の
    1〜50重量%含まれていることを特徴とする請求項6
    に記載の電子部品用液状接着剤。
JP24515095A 1995-08-31 1995-08-31 電子部品用接着テープ及び液状接着剤 Expired - Fee Related JP3535281B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24515095A JP3535281B2 (ja) 1995-08-31 1995-08-31 電子部品用接着テープ及び液状接着剤
US08/704,068 US5725948A (en) 1995-08-31 1996-08-28 Adhesive tape for electronic parts and liquid adhesive

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24515095A JP3535281B2 (ja) 1995-08-31 1995-08-31 電子部品用接着テープ及び液状接着剤

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0967560A true JPH0967560A (ja) 1997-03-11
JP3535281B2 JP3535281B2 (ja) 2004-06-07

Family

ID=17129371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24515095A Expired - Fee Related JP3535281B2 (ja) 1995-08-31 1995-08-31 電子部品用接着テープ及び液状接着剤

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5725948A (ja)
JP (1) JP3535281B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013522660A (ja) * 2010-03-11 2013-06-13 エルジー ケム. エルティーディ. Oledデバイス用感光性有機絶縁材組成物

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100374872B1 (ko) * 1997-07-18 2003-03-04 히다찌 가세이 고오교 가부시끼가이샤 구멍을 갖는 반도체용 접착테이프, 접착테이프가 부착된 리드프레임의 제조방법, 접착테이프가 부착된 리드프레임 및 이를 사용한 반도체장치
US6818680B2 (en) * 2002-09-23 2004-11-16 Corning Incorporated Curable adhesive compositions
CN103031748B (zh) * 2012-12-31 2015-05-20 江苏天辰新材料有限公司 一种单组份加热固化型丝印硅胶及其制备方法
CN111253572B (zh) * 2018-04-13 2022-06-03 苏州大学 基于双马来酰亚胺的热固性形状记忆树脂的制备方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0628269B2 (ja) * 1987-07-15 1994-04-13 株式会社巴川製紙所 ダイボンデイング用接着テ−プ
JP2574162B2 (ja) * 1988-01-06 1997-01-22 チッソ株式会社 低融点ポリイミド共重合体
JPH01299884A (ja) * 1988-05-28 1989-12-04 Tomoegawa Paper Co Ltd ダイボンディング接着テープ
US5277972B1 (en) * 1988-09-29 1996-11-05 Tomoegawa Paper Co Ltd Adhesive tapes
US5091251A (en) * 1989-05-29 1992-02-25 Tomoegawa Paper Co., Ltd. Adhesive tapes and semiconductor devices
US5514748A (en) * 1989-07-30 1996-05-07 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Polyimide based resin composition comprising cured phenolic resins and liquid crystal polymers
WO1991011821A1 (en) * 1990-01-23 1991-08-08 Tomoegawa Paper Co. Ltd. Tape for tab
US5272247A (en) * 1990-10-19 1993-12-21 Hitachi, Ltd. Polyimide precursor, cured product thereof, and processes for producing them
US5212279A (en) * 1990-10-22 1993-05-18 Hitachi Chemical Co., Ltd. Hot-melt adhesive and its use in polyimide film and printed circuit board
JPH04342786A (ja) * 1991-05-17 1992-11-30 Kanebo Nsc Ltd 耐熱性接着材料
WO1993003184A1 (en) * 1991-08-09 1993-02-18 Mccann Associates, Inc. Method for detecting lyme disease and composition
US5508337A (en) * 1992-02-11 1996-04-16 Bayer Aktiengesellschaft Powder coating compositions, a process for their preparation, and their use for the coating of heat resistant substrates
JP2960281B2 (ja) * 1992-05-25 1999-10-06 三井化学株式会社 ポリイミドおよびその製造方法
JP2732020B2 (ja) * 1993-10-22 1998-03-25 株式会社巴川製紙所 電子部品用接着テープおよび液状接着剤
JP3137518B2 (ja) * 1993-10-29 2001-02-26 株式会社巴川製紙所 電子部品用液状接着剤およびそれを用いる絶縁接着層の形成方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013522660A (ja) * 2010-03-11 2013-06-13 エルジー ケム. エルティーディ. Oledデバイス用感光性有機絶縁材組成物
JP2014225031A (ja) * 2010-03-11 2014-12-04 エルジー ケム. エルティーディ. 絶縁膜

Also Published As

Publication number Publication date
JP3535281B2 (ja) 2004-06-07
US5725948A (en) 1998-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101014483B1 (ko) 접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착시트, 및 그것을이용한 반도체장치
JP3751054B2 (ja) 電子部品用接着剤
JP2961642B2 (ja) 電子部品用接着テープおよび液状接着剤
JP5444986B2 (ja) 半導体用接着組成物、それを用いた半導体装置
JP2992462B2 (ja) 電子部品用接着テープ及び液状接着剤
JPH07126592A (ja) 電子部品用接着テープおよび液状接着剤
JP3347632B2 (ja) 電子部品用接着テープ
JP4012206B2 (ja) Loc用両面テープ及びその製造方法
JP3535281B2 (ja) 電子部品用接着テープ及び液状接着剤
JP3410642B2 (ja) 電子部品用耐熱性接着剤組成物
US5891540A (en) Adhesive tape for electronic parts
US6045886A (en) Adhesive tape for electronic parts
JP3347651B2 (ja) 電子部品用接着テープ
JP3839887B2 (ja) 電子部品用接着テープ
JPH0913001A (ja) 電子部品用液状接着剤および電子部品用接着テープ
JP4445274B2 (ja) 樹脂組成物、フィルム状接着剤及び半導体パッケージ
JP2003253220A (ja) フィルム状接着剤及び半導体接着テープ
JP3532792B2 (ja) 電子部品用接着剤及び接着テープ
JP4406271B2 (ja) 金属積層体および半導体パッケージ
JPH11246840A (ja) 電子部品用接着剤及び接着テープ
JP2000226560A (ja) 電子部品用接着テープ
JP4347941B2 (ja) 接着テープ
JPH10183079A (ja) 電子部品用接着テープ
JP2001019920A (ja) 電子部品用接着剤及び接着テープ
KR20010046265A (ko) 전자부품용 폴리이미드 접착제 및 이를 이용한접착테이프의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20031119

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040114

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20040127

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040309

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040311

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080319

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319

Year of fee payment: 10

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees