JPH092864A - 粒子発生の低い耐プラズマ弗素アルミナセラミック材料及び製造方法 - Google Patents

粒子発生の低い耐プラズマ弗素アルミナセラミック材料及び製造方法

Info

Publication number
JPH092864A
JPH092864A JP8121098A JP12109896A JPH092864A JP H092864 A JPH092864 A JP H092864A JP 8121098 A JP8121098 A JP 8121098A JP 12109896 A JP12109896 A JP 12109896A JP H092864 A JPH092864 A JP H092864A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic material
green body
alumina
sintering
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8121098A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3930920B2 (ja
Inventor
Anand Gupta
ギュプタ アナンド
S Ravi Tirunelveli
エス． ラビ ティルネルベリ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JPH092864A publication Critical patent/JPH092864A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3930920B2 publication Critical patent/JP3930920B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • C04B35/111—Fine ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Pressure Vessels And Lids Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマ弗素に対する高い耐性を示し、且
つ、粒子発生の低減を示す多結晶アルミナセラミック材
料を提供する。 【解決手段】 プラズマ弗素に耐性を有する多結晶アル
ミナセラミック材料は、アルミナとバインダとを備える
未焼結体を形成するステップと、この未焼結体を約８〜
１２時間焼結するステップとにより、製造される。多結
晶アルミナセラミック材料中の未焼結粒子の面積％は、
０．１面積％を越えないため、プラズマ弗素に暴露され
た後の粒子の発生が低減される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弗素プラズマによ
るエッチングに高い耐性を有し、粒子発生が低減された
ことを特徴とする、改良されたアルミナセラミック材料
に関する。本発明は更に、この改良されたセラミック材
料を作るための方法に関するものであり、また、この改
良されたセラミック材料を備えた製造品(article of ma
nufacture)に関する。
【０００２】
【従来の技術】多結晶性のアルミナセラミック材料は、
典型的には、以下の焼結プロセスにより生産される。所
望の粒度分布（典型的には、約１μｍ〜３μｍの平均径
を有する）を有する粉末化アルミナが、バインダと混ぜ
られ、このアルミナとバインダの混合物を圧縮成形し
て、未焼結体（グリーンボディ）(green body)を形成す
る。一般的には、この未焼結体は、アルミナ９９．５％
と、バインダとしてのシリカ、ＭｇＯ及びＣａＯの混合
物を０．５％有する組成を有している。続いて未焼結体
は焼結され、典型的には、常圧の空気中（無加圧焼結）
で約１６５０℃の温度に約４時間行われる。
【０００３】焼結プロセスの最中に、粒子が成長する。
例えば、一般的な焼結プロセスでは、平均粒子サイズが
約６μｍで約１〜３０μｍの範囲をもつ焼結粒子サイズ
の分布が与えられる。ここで、この粒度分布は、ＡＳＴ
Ｍ(American Society ofTesting and Materials)規格Ｅ
１１８１−８７ (determination of duplex grainsiz
es ) 及びＥ １１２−８８ (determination of averag
e grain sizes) に記載された方法等の周知の方法によ
り決定される。アルミナ粒子が成長することにより、バ
インダ相の転移が起こる。転移したバインダ相は、より
小さな粒子が存在する領域へと移動し、この小さな粒子
を取り囲む。アルミナは、典型的なバインダ相の主成分
であるシリカ(J.W.Welch,Nature,vol.186,p546以下、(1
960)を参照) とは非常に混和しにくいため、取り囲んで
いるバインダ相は、孤立して存在している小さな粒子が
更に成長することを阻害する。これらの孤立して存在す
る未焼結粒子は、直径約０．１〜０．５μｍの範囲にあ
るだろう。典型的には、アルミナ粒子の約１％が焼結さ
れずに残ることになる。
【０００４】既知の多結晶アルミナセラミック材料は、
高い強度及び破壊靭性等の所望の性質を有していても、
プラズマ暴露が要求される用途に対して、特定の弗素プ
ラズマに対する耐性が充分だと立証されていない。既知
のアルミナは、化学気相堆積（ＣＶＤ）リアクタにおい
てチャンバクリーニングプロセス中に発生される如き弗
素プラズマによるエッチングを受けやすい。このプロセ
スでは、弗化炭素やその他の弗素含有ガスから遊離した
プラズマ弗素（例えば、ＮＦ3 プラズマ、ＣＦ4 ：Ｏ2
プラズマ及びＣＦ4 ：Ｎ2 Ｏプラズマ）を用いて、リア
クタのチャンバへ堆積した誘電膜残留物を除去する。
【０００５】アルミナはそれ自体では、プラズマ弗素に
対して対して高い耐性を有している；従って、純粋な単
結晶のアルミナであるサファイアは、最もエッチングが
遅く進む物質として知られている物質の１つである。
【０００６】多結晶アルミナセラミック材料のエッチン
グは、主にバインダ相において生じる。バインダ相がエ
ッチングされる結果、焼結されなかった小さな粒子が外
れる。この外れた粒子が、セラミック材料の表面から放
出されることがある。このような多結晶のアルミナセラ
ミック材料がＣＶＤリアクタの中やその他のプラズマ弗
素に暴露される環境に用いられた場合は、これが汚染源
となる。
【０００７】粒子発生の問題に対して考察された解決策
には、以下の事が含まれる：多結晶アルミナセラミック
においてアルミナの割合を高くし、例えば、アルミナ９
９．９％、バインダ０．０１％とする事；弗素プラズマ
に対する影響の少ないバインダを用いる事；アルミナ以
外のセラミック材料を用いる事；及び、未焼結体のアル
ミナ粒子サイズの分布を最初から変更する事。
【０００８】特に粒子発生が問題となるような用途は、
化学気相堆積（ＣＶＤ）システムでの半導体ウエハの処
理であり、例えば、Chang らにより米国特許出願Ｓ．
Ｎ．０８／１３６，５２９号に記載されているアプライ
ドマテリアルズ社の”５０００”装置である。図１及び
２には、従来技術の説明のためのＣＶＤリアクタが例示
されている。図１に示されているように、ＣＶＤシステ
ム１０は、堆積チャンバ１２と、真空チャンネル１３
と、真空排気システム１４と、ガス流入手段１６と、ガ
ス散布シールド(gas distribution shield) １７と、ブ
ロッカ１８と、ウエハリフト２０と、バッフル板２２
と、リフトフィンガ２４と、サセプタリフト２６とを備
えている。基板２８は、半導体ウエハ等であり、サセプ
タ３０の上に配置される。加熱手段３２は、例えば、コ
リメートされた光をクオーツウィンドウ３６を通す方向
へ向けている外部にある１０００ワットのランプのアレ
イであり、処理温度を均一に保っている。堆積ないし反
応ゾーン３４が、基板の情報に存在する。
【０００９】ガス散布シールド１７は、ブロッカ１８の
周りを囲む平坦環状の部品であり、図２に示されるよう
に、複数のアルミニウムクリップ４０によってチャンバ
リッド３８に取り外し可能なように固定されている。ガ
ス散布シールド１７は典型的には、多結晶アルミナセラ
ミック材料を備えている。
【００１０】ここに例示されているＣＶＤシステムにお
いて行われる典型的な堆積プロセスでは、プロセスガス
（即ち、反応ガスとキャリアガス）がガス流入手段１６
と「シャワーヘッド」型のブロッカ１８を介して堆積チ
ャンバ１２内に進入する。ブロッカ１８は、その下の基
板２８の面積に応じた面積にわたって多数の開口を有し
ている。ブロッカ１８と基板２８との間隔は、約２００
〜１０００ｍｉｌｓ（５〜２５ｍｍ）に調節可能であ
り、反応領域３４を画している。堆積反応が遂行され、
そして、チャンバ１２からガスがパージされる。ウエハ
が処理される度に、ＮＦ3 又はＣ2 Ｆ6 ／ＮＦ3 ／Ｏ2
ガス混合物等のクリーニングガスを用いてチャンバはク
リーニングされる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ガス散布シー
ルド１７が多結晶アルミナセラミック材料を備える場合
は、シールドは上述のクリーニングガスないしガス混合
物によるエッチングを受け、その結果、粒子が発生す
る。約０．２〜０．５μｍのサイズを有する粒子が発生
することがあり、これが、ＣＶＤ装置で処理されるシリ
コンウエハを汚染する事がある。シリコンウエハを１０
０枚処理した後、シリコンウエハの表面には、２００／
ｃｍ2 又はそれ以上の粒子の総数が観察されることがあ
る。この粒子の総数は、受容できない高いものである。
【００１２】多結晶アルミナセラミック材料を改良する
必要性と、その材料を製造する方法の必要性が、継続的
に存在している。この材料は、プラズマ弗素に対する高
い耐性を示すものであるべきであり、特に、粒子発生の
低減を示すものであるべきである。特に、ＣＶＤ装置に
用いるためのガス散布シールドがこのような改良された
材料を備えることが必要である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の１つの特徴によ
れば、アルミナとバインダとを備えた未焼結体を形成す
るステップと、約８時間〜１２時間この未焼結体を焼結
するステップとを備える、プラズマ弗素に耐性を有する
多結晶アルミナセラミック材料を製造する方法が提供さ
れる。
【００１４】本発明の別の特徴によれば、アルミナとバ
インダとを備えた未焼結体を形成するステップと、アル
ミナセラミック材料内の未焼結の粒子の面積％が０．１
面積％を越えなくなるような時間、この未焼結体を焼結
するステップとを備える、プラズマ弗素に耐性を有する
多結晶アルミナセラミック材料を製造する方法が提供さ
れる。
【００１５】本発明のまた別の特徴によれば、上述の方
法に従って製造されたセラミック材料が提供され、ま
た、上述のセラミック材料を備えた製造品が提供され
る。本発明の製造品の好ましい具体例には、ＣＶＤチャ
ンバ等の真空処理装置に有用な部品、特に、ガス散布シ
ールド(gas distribution shield) が、含まれる。
【００１６】当業者には、本発明のその他の目的、特徴
及び利点は、以下の詳細説明から明らかになるだろう。
しかし、以下の発明の実施の形態や特定の実施例は、本
発明の好ましい具体例を示唆するものの、例示のために
記載されるものであり、限定のためではない。本発明の
本質を離れることなく、本発明の範囲の中で様々な変更
や変形がなされてもよく、本発明はこのような変形を全
て含んでいるものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】弗素プラズマに対して高い耐性を
有するアルミナセラミック材料を作るためには、アルミ
ナ未焼結体(alumina green body)の焼結操作の時間を従
来の４時間から８〜１２時間に延長すればよく、焼結の
メカニズムに影響を与え得るような、未焼結体の組成や
焼結温度等その他の焼結プロセス因子を変更する必要は
ないことを、我々は見出した。
【００１８】所定の焼結温度及び未焼結体の組成に対し
て、焼結時間を長くすることにより、未焼結の粒子のパ
ーセンテージを一桁下げることができ、即ち、従来から
知られているアルミナセラミック材料に対しては１面積
％であったところを、約０．１面積％以下とすることが
できるようになる。プラズマ弗素に暴露されるセラミッ
ク材料から発せられる粒子の量も、これに対応して減少
する。
【００１９】本発明に従って焼結により多結晶アルミナ
セラミック材料を製造するための未焼結体は、あらゆる
所望の組成を有するアルミナ粉体から形成されてもよ
い。好ましい粉体の組成は、アルミナ約９９．３％〜９
９．７％に、シリカと、酸化カルシウムと、酸化マグネ
シウムと、それらの混合物とから成る群より選択される
バインダ約０．７〜０．３％を有しているものである。
この粉体組成物は、従来から存在する粒子サイズ分布を
有していてもよい。
【００２０】選択されたアルミナ粉体は、従来より周知
の手段によって、未焼結体に成形される。未焼結体の製
造のために用いられる圧力の範囲は、好ましくは、約
５, ０００ｐｓｉａ〜１４, ０００ｐｓｉａであり、更
に好ましくは、約７, ０００ｐｓｉａ〜１０, ０００ｐ
ｓｉａである。未焼結体の初期密度は、好ましくは、約
１．８〜２．２ｇ／ｃｍの範囲にある。
【００２１】続いて、未焼結体は、約８〜１２時間焼結
される。焼結時間が１２時間を越えれば、２次的な相の
結晶核生成が生じることになり、未焼結体の構造を望ま
ない方へに変えてしまう。焼結が８時間よりも短い場合
は、未焼結の粒子の総数を望ましい程度まで減少させる
に至らず、これに対応して、粒子の発生を減らすことが
実現されない。プロセスの経済性の目的のためには、約
８〜１０時間の焼結時間が好ましい。このとき、燃結後
の密度が少くとも３．８ｇ／ｃｍ3 になるように燃結が
行われることが好ましい。
【００２２】ここでの焼結プロセスは、空気中で行われ
る無加圧プロセスが好ましい。また、焼結プロセスが、
不活性ガス雰囲気等その他の従来からある焼結条件にお
いて行われてもよい。焼結プロセスは、好ましくは、約
１４００℃〜１７００℃、更に好ましくは約１６００℃
〜１６５０℃の温度で行われてもよい。ここで、本発明
の改良焼結方法において必要な事は、焼結時間の長さの
みを変更するだけであることを強調する。その他の焼結
プロセスのパラメータは、変更しないままでよい。
【００２３】本発明のプロセスに従って製造される、プ
ラズマ弗素に耐性を有するアルミナセラミック材料にお
いては、図３及び４に例示される材料の比較により証明
される如く、未焼結の粒子の量が著しく低減されること
が示される。
【００２４】未焼結粒子の量は、従来技術において知ら
れている方法に従って決定可能である。典型的な方法の
１つは、複数の、アルミナセラミック材料のランダムに
選択された領域の顕微鏡写真を、検討し、検査によって
未焼結粒子の存在が決定される。未焼結粒子の面積を決
定し、未焼結粒子の面積全体を、アルミナセラミック材
料の顕微鏡撮影した全面積で除す。この商が、面積％で
あり、未焼結粒子の量の尺度を与える。
【００２５】本発明のプロセスに従って製造されるアル
ミナセラミック材料は、未焼結粒子のパーセンテージが
約０．１面積％以下を示し、好ましくは約０．０１面積
％〜０．１面積％を示す。
【００２６】プラズマ弗素に暴露されて本発明のアルミ
ナセラミック材料から発生する粒子も、これに応じて減
少する。例えば、アルミナセラミック材料を備えるＣＶ
Ｄ装置の部品が弗素プラズマに暴露された後に生じる粒
子の移動によって発生する、シリコンウエハの粒子汚染
は、標準的なテクニックを用いて定量化可能である。更
に具体的には、アルミナセラミック材料からの粒子発生
は、ＣＶＤチャンバクリーニング後に行われる堆積ステ
ップ中にウエハ表面の粒子の総数を測定することにより
決定可能である。
【００２７】典型的な標準テクニックに従えば、粒子の
総数は、米国カリフォルニア州マウンテンビューの Ten
cor Instruments Inc.から商業的に入手可能な Tencor
Surfscan 6200 を用いて決定される。 Tencor Surfscan
6200 は、粒子によって散乱する光（波長４８８ｎｍの
３０ｍＷのＡｒ−ｉｏｎレーザーによって与えられる）
の量を測定することにより、表面上の粒子の数を決定す
る。 Tencor Surfscan6200 の動作の原理及び関連の装
置については、 Surface Contamination Detection: An
Introduction (R. Johnson, Ed., Tencor Instruments
Inc, MountainView,CA 1990) に説明されている。材料
の表面上の粒子数の決定のためには、その他の既知の方
法を用いてもよい。
【００２８】本発明のプロセスに従って製造されるアル
ミナセラミック材料からの粒子発生は、これに相当する
従来のプロセス、即ち、焼結時間が約１〜４時間でその
他のパラメータと未焼結体の組成は同じであるプロセス
に従って製造されたアルミナセラミック材料に比べて、
著しく低減される。典型的には、前述の相当の従来プロ
セスによって製造されるセラミック材料と比較した粒子
の発生の減少は、上述の好ましい手順で決定された場合
に、少なくとも約５０％、好ましくは少なくとも約６０
％、非常に好ましくは約６０％〜９０％である。
【００２９】本発明のプロセスは、様々な製造品の製作
に用いることが可能な、プラズマ弗素に堆積を有するア
ルミナセラミック材料を与え、この製造品は、好ましく
は、プラズマ弗素に暴露されるような環境に用いるため
のものである。このような製造品には、例えば、ベルジ
ャー、るつぼ及びその他の真空処理装置に用いられる部
品が含まれる。本発明の範囲の中の製造品は、更に具体
的には、ガス散布シールド、チャック、ノズル、サセプ
タ、ヒータープレート、クランピングリング、ウエハボ
ート、又はチャンバ壁等の真空処理装置に用いられる部
品が含まれる。このような製造品は、全体又は部分的に
本発明のセラミック材料で形成され、又は、本発明のセ
ラミック材料を備えるコーティングを有する１つ以上の
表面を有していてもよい。
【００３０】ここに説明されるような本発明のアルミナ
セラミック材料をガス散布シールドが有していれば、特
に利益がある。ガス散布シールドがこのようなものであ
れば、シリコンウエハやその他の半導体材料の処理のた
めの様々な既知の装置に用いることが可能となる。上記
のガス散布シールドを有利に用いることが可能な既知の
装置には、米国カリフォルニア州サンタクララのアプラ
イドマテリアルズ社により与えられるＣＶＤ装置で、例
えば、Chang らにより米国特許出願Ｓ．Ｎ．０８／１３
６，５２９号に記載される装置、あるいは、Tseng らに
より米国特許Ｓ．Ｎ．０８／３１４，１６１号に記載さ
れる装置が含まれる。更に具体的な例としては、プレシ
ジョン５０００ＣＶＤリアクタ (Precision 5000 CVD r
eactor)（アプライドマテリアルズ社から商業的に入手
可能）が挙げられる。
【００３１】
【実施例】限定のためではない具体例を以下に示し、こ
れを参照して本発明を更に例示する。
【００３２】実施例１ アルミナ粉体（Alcoa 社から商業的に入手可能）を、粉
体のシリカ、ＭｇＯ及びＣａＯと混合して、アルミナ９
９．５ｗｔ％（重量％）、シリカ０．２ｗｔ％、ＭｇＯ
０．１５ｗｔ％及びＣａＯ０．１５ｗｔ％を備える組成
物が得られた。この組成物をボールミルにかけ、平均粒
径を０．２μｍにした。そして、この組成物を圧縮し
て、直径約１３インチ、内孔の直径が約６インチ、厚さ
が０．２５インチ、密度が３ｇ／ｃｍ3 である、ガス散
布シールドの形状の未焼結体を形成した。
【００３３】本発明に従った未焼結体は、空気中で１６
５０℃の下、名目上の焼結時間が８時間（１６５０℃が
実際に８時間維持された）で、無加圧焼結された。
【００３４】そして、ガス散布シールドを焼結する度
に、粒子の発生を測定した。焼結して作られたシールド
はいずれも、プレシジョン５０００ＣＶＤリアクタに設
置され、このシールドが設置されたリアクタで、直径１
５０ｍｍ（６インチ）のシリコンウエハを処理した。
【００３５】チャンバクリーニングを行う従来からのＳ
ｉ3 Ｎ4 化学気相堆積プロセスは、以下の如くＣＶＤリ
アクタによって遂行された。ＣＶＤリアクタの真空堆積
チャンバ内にシリコンウエハが導入され、４００℃に加
熱された。ＳｉＨ4 （１８０ｓｃｃｍ）、Ｎ2 （１８０
０ｓｃｃｍ）及びＮＨ3 （７５ｓｃｃｍ）がチャンバ内
に導入され、チャンバ圧力が４．５トールに安定化され
た。そして、４５０ワットのプラズマがチャンバ内に点
火されて、堆積操作が１分間遂行された。続いて、チャ
ンバは、ベース圧力（１００ミリトール）となるまでポ
ンプによって排気され、ウエハが取り出された。
【００３６】ウエハが取り出された後、プラズマクリー
ニングプロセスを用いてチャンバ内がクリーニングされ
た。チャンバ内にＣＦ4 （１５００ｓｃｃｍ）及びＮ2
Ｏ（７５０ｓｃｃｍ）が導入され、圧力が５トールに安
定化され、チャンバ内に７５０ワットのプラズマが点火
された。プラズマクリーニングは３０秒間行われた。続
いて、ベース圧力になるまで、チャンバ内がポンプで排
気された。
【００３７】次に、チャンバ内でＳｉ3 Ｎ4 を堆積する
ことにより、チャンバは１５秒間シーズニングされた。
このシーズニングのステップは、上述の堆積のステップ
と同様の手法で遂行された。
【００３８】第１番目の実験の手順において、シーズニ
ングのステップは、クリーニングサイクルが終了する度
に行われた。第２番目の実験の手順では、シーズニング
のステップは除外された。
【００３９】ＣＶＤ堆積工程の前後で、シリコンウエハ
の表面上に０．２μｍ以上のサイズを有する粒子の数
が、ここに説明される手法で Tencor Surfscan 6200 ウ
エハ表面スキャナを用いて計数された。
【００４０】その結果が、以下の表１に示される。
【００４１】
【表１】 実施例２−既知のプロセスとの比較 本実施例では、未焼結体は、上述のボールミルにかけら
れたアルミナから形成されるが、その焼結は既知のプロ
セスに従って行われ、即ち、名目上の焼結時間が４時間
であり（実際に１６５０℃に４時間維持する）、比較の
ためのガス散布シールドを製造した。その他のプロセス
条件は、実施例１で用いたと同じであった。
【００４２】そして、この比較のためのシールドはいず
れも、粒子発生について実施例１と全く同じ手法によっ
て測定された。以下の表２に示される結果が見出され
た。
【００４３】
【表２】 実施例１の結果と比較すれば、本発明の方法に従って製
造されたシールドは、プラズマ弗素への暴露による粒子
の発生が著しく改善されていることが特徴となっている
ことが明らかになる。本発明のシールドからの粒子の発
生は、数の上においても少なく、また、ウエハ処理のサ
イクルを何度も行っても、実質的に一定である。
【００４４】本発明によって実現された粒子発生の低減
は、シーズニングのステップを有しない既知の方法と比
較した場合、特に著しい。比較のためのシールドがウエ
ハ処理サイクルを２００回行った後に発生する粒子は、
本発明のシールドが同じ回数ウエハ処理サイクルを行っ
た後に見られる場合よりも８００％も多い。
【００４５】本発明の材料は、従来のアルミナセラミッ
ク材料の粒子の引出しに関係する困難さを克服するもの
であり、製造が容易であり、更に、ガス散布シールドや
その他の製造品等の真空堆積装置の部品を安価に大量生
産するための手段を与えるものである。
【００４６】本発明のアルミナセラミック材料を備えた
部品を用いる真空堆積装置、特にＣＶＤリアクタは、シ
リコンウエハやその他の材料の処理に用いることが可能
であり、粒子の汚染低減を示すものである。
【００４７】
【発明の効果】以上詳細に説明した如く、本発明のアル
ミナセラミック材料及びその製造方法により、プラズマ
弗素に対する高い耐性を示し、且つ、粒子発生の低減を
示す多結晶アルミナセラミック材料が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】多結晶アルミナセラミック材料を備えていても
よいガス散布シールドを用いた、従来技術のＣＶＤ装置
の模式的な断面図である。
【図２】図１に示されたＣＶＤ装置のリッドが開いた状
態の斜視図であって、ガス散布シールドとブロッカとチ
ャンバリッドとの間の関係を表す斜視図である。
【図３】焼結を４時間行った後の多結晶アルミナセラミ
ック材料の顕微鏡写真（倍率ｘ９０００）である。
【図４】図３に示されるものと同じ組成を有する多結晶
アルミナセラミック材料に対して焼結を８時間行った後
の顕微鏡写真（倍率ｘ９０００）であって、本発明に従
って未焼結の粒子の総数が減少することを示す写真であ
る。
【符号の説明】
１０…ＣＶＤシステム、１２…堆積チャンバ、１３…真
空チャンネル、１４…真空排気システム、１６…ガス流
入手段、１７…ガス散布シールド、１８…ブロッカ、２
０…ウエハリフト、２２…バッフル板、２４…リフトフ
ィンガ、２６…サセプタリフト、２８…基板、３０…サ
セプタ、３２…加熱手段、３４…反応ゾーン、３６…ク
オーツウィンドウ、３８…チャンバリッド、４０…アル
ミニウムクリップ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ティルネルベリ エス． ラビ アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95054， サンタ クララ， リバーサイ ド コート 410 ナンバー207

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 プラズマ弗素に耐性を有する多結晶アル
    ミナセラミック材料を製造する方法であって、 （ｉ）アルミナとバインダとを備える未焼結体を形成す
    るステップと、 （ｉｉ）前記未焼結体を約８〜１２時間の間焼結するス
    テップとを備える方法。
  2. 【請求項２】 前記多結晶アルミナセラミック材料の未
    焼結粒子の面積％が、約０．１面積％以下である請求項
    １に記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記多結晶アルミナセラミック材料の未
    焼結粒子の面積％が、約０．０１面積％〜約０．１面積
    ％である請求項２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記（ｉｉ）焼結するステップが、無加
    圧焼結を行うステップである請求項１に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記（ｉｉ）焼結するステップが、約１
    ４００℃〜１７００℃の温度で遂行される請求項１に記
    載の方法。
  6. 【請求項６】 前記（ｉｉ）焼結するステップが、約１
    ６００℃〜１６５０℃の温度で遂行される請求項５に記
    載の方法。
  7. 【請求項７】 前記バインダが、シリカと、酸化カルシ
    ウムと、酸化マグネシウムと、これらの混合物とから成
    る群より選択される材料を備える請求項１に記載の方
    法。
  8. 【請求項８】 前記未焼結体が、アルミナを約９９．３
    ｗｔ％〜９９．７ｗｔ％と、前記バインダを約０．７ｗ
    ｔ％〜０．３ｗｔ％とを備える請求項１に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記（ｉｉ）焼結するステップにおい
    て、前記未焼結体が、密度が少なくとも３．８ｇ／ｃｍ
    3 になるように焼結される請求項１に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 プラズマ弗素に耐性を有する多結晶ア
    ルミナセラミック材料を製造する方法であって、 （ｉ）アルミナとバインダとを備える未焼結体を形成す
    るステップと、 （ｉｉ）前記アルミナセラミック材料の未焼結粒子の面
    積％が０．１面積％を越えなくなるような時間の間、前
    記未焼結体を焼結するステップとを備える方法。
  11. 【請求項１１】 プラズマ弗素に耐性を有する多結晶ア
    ルミナセラミック材料を製造する方法であって、 （ｉ）アルミナを約９９．３ｗｔ％〜９９．７ｗｔ％
    と、シリカと、酸化カルシウムと、酸化マグネシウム
    と、これらの混合物とから成る群より選択されるバイン
    ダを約０．７ｗｔ％〜０．３ｗｔ％とを備える未焼結体
    を形成するステップと、 （ｉｉ）前記未焼結体を約８〜１２時間の間焼結するス
    テップとを備える方法。
  12. 【請求項１２】 プラズマ弗素に耐性を有する多結晶ア
    ルミナセラミック材料を製造する方法であって、 （ｉ）アルミナを約９９．３ｗｔ％〜９９．７ｗｔ％
    と、シリカと、酸化カルシウムと、酸化マグネシウム
    と、これらの混合物とから成る群より選択されるバイン
    ダを約０．７ｗｔ％〜０．３ｗｔ％とを備える未焼結体
    を形成するステップと、 （ｉｉ）前記未焼結体を約８〜１２時間の間焼結するス
    テップとを備え、 前記アルミナセラミック材料の未焼結粒子の面積％が
    ０．１面積％を越えない方法。
  13. 【請求項１３】 プラズマ弗素に耐性を有する多結晶ア
    ルミナセラミック材料を製造する方法であって、 （ｉ）アルミナを約９９．３ｗｔ％〜９９．７ｗｔ％
    と、シリカと、酸化カルシウムと、酸化マグネシウム
    と、これらの混合物とから成る群より選択されるバイン
    ダを約０．７ｗｔ％〜０．３ｗｔ％とを備える未焼結体
    を形成するステップと、 （ｉｉ）前記未焼結体を、約１４００℃〜１７００℃の
    温度で約８〜１２時間の間焼結するステップとを備え、 前記アルミナセラミック材料の未焼結粒子の面積％が
    ０．１面積％を越えない方法。
  14. 【請求項１４】 前記（ｉｉ）焼結するステップが、約
    １６００℃〜１６５０℃の温度で遂行される請求項１３
    に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 セラミック材料であって、 （ｉ）アルミナとバインダとを備える未焼結体を形成す
    るステップと、 （ｉｉ）前記未焼結体を約８〜１２時間の間焼結するス
    テップとを備える、プラズマ弗素に耐性を有する多結晶
    アルミナセラミック材料を製造する方法により製造され
    るセラミック材料。
  16. 【請求項１６】 セラミック材料であって、 （ｉ）アルミナとバインダとを備える未焼結体を形成す
    るステップと、 （ｉｉ）前記未焼結体を約８〜１２時間の間焼結するス
    テップとを備え、前記多結晶アルミナセラミック材料の
    未焼結粒子の面積％が、約０．１面積％以下である、プ
    ラズマ弗素に耐性を有する多結晶アルミナセラミッ材料
    を製造する方法により製造されるセラミック材料。
  17. 【請求項１７】 セラミック材料であって、 （ｉ）アルミナとバインダとを備える未焼結体を形成す
    るステップと、 （ｉｉ）前記未焼結体を約８〜１２時間の間焼結するス
    テップとを備え、前記多結晶アルミナセラミック材料の
    未焼結粒子の面積％が、約０．０１面積％〜約０．１面
    積％である、プラズマ弗素に耐性を有する多結晶アルミ
    ナセラミック材料を製造する方法により製造されるセラ
    ミック材料。
  18. 【請求項１８】 セラミック材料であって、 （ｉ）アルミナを約９９．３ｗｔ％〜９９．７ｗｔ％
    と、シリカと、酸化カルシウムと、酸化マグネシウム
    と、これらの混合物とから成る群より選択されるバイン
    ダを約０．７ｗｔ％〜０．３ｗｔ％とを備える未焼結体
    を形成するステップと、 （ｉｉ）前記未焼結体を約８〜１２時間の間焼結するス
    テップとを備える、プラズマ弗素に耐性を有する多結晶
    アルミナセラミック材料を製造する方法により製造され
    るセラミック材料。
  19. 【請求項１９】 セラミック材料であって、 （ｉ）アルミナを約９９．３ｗｔ％〜９９．７ｗｔ％
    と、シリカと、酸化カルシウムと、酸化マグネシウム
    と、これらの混合物とから成る群より選択されるバイン
    ダを約０．７ｗｔ％〜０．３ｗｔ％とを備える未焼結体
    を形成するステップと、 （ｉｉ）前記未焼結体を約８〜１２時間の間焼結するス
    テップとを備え、 前記アルミナセラミック材料の未焼結粒子の面積％が
    ０．１面積％を越えない、プラズマ弗素に耐性を有する
    多結晶アルミナセラミック材料を製造する方法より製造
    されるセラミック材料。
  20. 【請求項２０】 セラミック材料であって、 （ｉ）アルミナを約９９．３ｗｔ％〜９９．７ｗｔ％
    と、シリカと、酸化カルシウムと、酸化マグネシウム
    と、これらの混合物とから成る群より選択されるバイン
    ダを約０．７ｗｔ％〜０．３ｗｔ％とを備える未焼結体
    を形成するステップと、 （ｉｉ）前記未焼結体を、約１４００℃〜１７００℃の
    温度で約８〜１２時間の間焼結するステップとを備え、 前記アルミナセラミック材料の未焼結粒子の面積％が
    ０．１面積％を越えない、プラズマ弗素に耐性を有する
    多結晶アルミナセラミック材料を製造する方法により製
    造されるセラミック材料。
  21. 【請求項２１】 製造品であって、 （ｉ）アルミナとバインダとを備える未焼結体を形成す
    るステップと、 （ｉｉ）前記未焼結体を約８〜１２時間の間焼結するス
    テップとを備える、プラズマ弗素に耐性を有する多結晶
    アルミナセラミック材料を製造する方法により製造され
    るセラミック材料を備える製造品。
  22. 【請求項２２】 真空処理チャンバに用いるための部品
    である請求項２１に記載の製造品。
  23. 【請求項２３】 ガス散布シールドと、チャックと、ノ
    ズルと、サセプタと、ヒータープレートと、クランピン
    グリングと、ウエハボートと、チャンバ壁とから成る群
    より選択される請求項２２に記載の製造品。
  24. 【請求項２４】 ガス散布シールドである請求項２３に
    記載の製造品。
  25. 【請求項２５】 真空処理装置であって、 （ｉ）アルミナとバインダとを備える未焼結体を形成す
    るステップと、 （ｉｉ）前記未焼結体を約８〜１２時間の間焼結するス
    テップとを備える、プラズマ弗素に耐性を有する多結晶
    アルミナセラミック材料を製造する方法により製造され
    るセラミック材料を備える真空処理チャンバに用いるた
    めの部品である製造品を備える真空装置。
  26. 【請求項２６】 化学気相堆積リアクタであって、 （ｉ）アルミナとバインダとを備える未焼結体を形成す
    るステップと、 （ｉｉ）前記未焼結体を約８〜１２時間の間焼結するス
    テップとを備える、プラズマ弗素に耐性を有する多結晶
    アルミナセラミック材料を製造する方法により製造され
    るセラミック材料を備えるガス散布シールドを備える化
    学気相堆積リアクタ。
JP12109896A 1995-04-18 1996-04-18 粒子発生の低い耐プラズマ弗素アルミナセラミック材料及び製造方法 Expired - Fee Related JP3930920B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/424,772 US6083451A (en) 1995-04-18 1995-04-18 Method of producing a polycrystalline alumina ceramic which is resistant to a fluorine-comprising plasma
US08/424772 1995-04-18

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006287861A Division JP5127196B2 (ja) 1995-04-18 2006-10-23 粒子発生の低い耐プラズマ弗素アルミナセラミック材料及び製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH092864A true JPH092864A (ja) 1997-01-07
JP3930920B2 JP3930920B2 (ja) 2007-06-13

Family

ID=23683801

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12109896A Expired - Fee Related JP3930920B2 (ja) 1995-04-18 1996-04-18 粒子発生の低い耐プラズマ弗素アルミナセラミック材料及び製造方法
JP2006287861A Expired - Lifetime JP5127196B2 (ja) 1995-04-18 2006-10-23 粒子発生の低い耐プラズマ弗素アルミナセラミック材料及び製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006287861A Expired - Lifetime JP5127196B2 (ja) 1995-04-18 2006-10-23 粒子発生の低い耐プラズマ弗素アルミナセラミック材料及び製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6083451A (ja)
EP (1) EP0738697B1 (ja)
JP (2) JP3930920B2 (ja)
AT (1) ATE246157T1 (ja)
DE (1) DE69629231T2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6814917B1 (en) 1998-07-29 2004-11-09 Sumitomo Chemical Company, Limited Alumina sintered body and process for producing the same
US6834613B1 (en) * 1998-08-26 2004-12-28 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Plasma-resistant member and plasma treatment apparatus using the same
JP2005281054A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Kyocera Corp 酸化アルミニウム質焼結体及びその製造方法並びにこれを用いた半導体、液晶製造装置部材
WO2014119177A1 (ja) * 2013-01-30 2014-08-07 京セラ株式会社 ガスノズルおよびこれを用いたプラズマ装置

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3035582B2 (ja) * 1996-12-26 2000-04-24 日本特殊陶業株式会社 アルミナ質焼結体
WO2001024216A2 (en) * 1999-09-30 2001-04-05 Lam Research Corporation Pretreated gas distribution plate
US6296716B1 (en) 1999-10-01 2001-10-02 Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. Process for cleaning ceramic articles
JP2004131215A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Ushio Inc 帯状ワークの搬送装置
US7135426B2 (en) * 2004-05-25 2006-11-14 Applied Materials, Inc. Erosion resistant process chamber components
US20050274396A1 (en) * 2004-06-09 2005-12-15 Hong Shih Methods for wet cleaning quartz surfaces of components for plasma processing chambers
US20050284573A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 Egley Fred D Bare aluminum baffles for resist stripping chambers
JP2006128485A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Asm Japan Kk 半導体処理装置
US20060166159A1 (en) 2005-01-25 2006-07-27 Norbert Abels Laser shaping of green metal body used in manufacturing an orthodontic bracket
US20060163774A1 (en) * 2005-01-25 2006-07-27 Norbert Abels Methods for shaping green bodies and articles made by such methods
US20060228889A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-12 Edelberg Erik A Methods of removing resist from substrates in resist stripping chambers
CN103208439B (zh) * 2012-01-17 2016-11-23 游利 一种用于半导体介质刻蚀机的气体分配加热器的制作方法
US20140097752A1 (en) * 2012-10-09 2014-04-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Inductively Coupled Plasma ION Source Chamber with Dopant Material Shield

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5430002B2 (ja) * 1971-12-10 1979-09-27
GB1597162A (en) * 1977-03-10 1981-09-03 Ngk Insulators Ltd Transparent polycrystalline alumina and high pressure vapour discharge lamp
US4169875A (en) * 1977-03-11 1979-10-02 General Electric Company Method of producing a tubular body of polycrystalline alumina
US4199704A (en) * 1979-03-15 1980-04-22 General Electric Company Alumina, calcia, baria, strontia sealing composition and article of manufacture
JPS6026067B2 (ja) * 1981-01-22 1985-06-21 株式会社村田製作所 透光性多結晶アルミナ組成物およびその製造法
JPS6045147B2 (ja) * 1981-02-02 1985-10-08 株式会社村田製作所 透光性多結晶アルミナ組成物およびその製造法
JPS6026068B2 (ja) * 1981-02-02 1985-06-21 株式会社村田製作所 透光性多結晶アルミナ組成物およびその製造法
US4396595A (en) * 1982-02-08 1983-08-02 North American Philips Electric Corp. Method of enhancing the optical transmissivity of polycrystalline alumina bodies, and article produced by such method
FR2538987A1 (fr) * 1983-01-05 1984-07-06 Commissariat Energie Atomique Enceinte pour le traitement et notamment la gravure de substrats par la methode du plasma reactif
US4797238A (en) * 1985-11-27 1989-01-10 Gte Laboratories Incorporated Rapid-sintering of alumina
US4762655A (en) * 1985-11-27 1988-08-09 Gte Laboratories Incorporated Method of sintering translucent alumina
US4935178A (en) * 1986-06-24 1990-06-19 General Signal Corporation Method of making refractory fiber products
WO1988006575A1 (en) * 1987-03-05 1988-09-07 Olajipari Fo^"Vállalkozó És Tervezo^" Vállalat Process for the preparation of aluminium oxide ceramics having increased abrasion resistance
JP2581174B2 (ja) * 1987-08-27 1997-02-12 住友化学工業株式会社 透光性多結晶アルミナの製造方法
US5242298A (en) * 1988-04-09 1993-09-07 Dentaurum J. P. Winkelstroeter Kg Shaped bodies of transparent, polycrystalline alumina
JP3103646B2 (ja) * 1992-01-31 2000-10-30 東芝セラミックス株式会社 アルミナ質ベルジヤ−
DE69303414T2 (de) * 1992-04-22 1997-01-23 Sumitomo Chemical Co Polykristalliner, lichtdurchlässiger Aluminiumoxidkörper und Verfahren zu seiner Herstellung
US5411583A (en) * 1993-11-15 1995-05-02 E. I. Du Pont De Nemours And Company HF-resistant ceramics and use thereof
EP0657399B1 (en) * 1993-12-10 1997-07-16 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH High-pressure discharge lamp having a ceramic discharge vessel, sintered body suitable therefor, and methods for producing the said sintered body
US5376606A (en) * 1993-12-30 1994-12-27 Korea Institute Of Science And Technology Light-transmissive polycrystalline alumina ceramics
EP0708065A1 (en) * 1994-10-18 1996-04-24 Applied Materials, Inc. Plasma fluorine resistant polycristalline alumina ceramic material and method of making
US5621275A (en) * 1995-08-01 1997-04-15 Osram Sylvania Inc. Arc tube for electrodeless lamp
JP2729204B2 (ja) * 1995-08-14 1998-03-18 東陶機器株式会社 多結晶セラミックス製品及びその製造方法
US5682082A (en) * 1996-07-29 1997-10-28 Osram Sylvania Inc. Translucent polycrystalline alumina and method of making same
US5631201A (en) * 1996-07-29 1997-05-20 Osram Sylvania Inc. Translucent polycrystalline alumina and method of making same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6814917B1 (en) 1998-07-29 2004-11-09 Sumitomo Chemical Company, Limited Alumina sintered body and process for producing the same
US6834613B1 (en) * 1998-08-26 2004-12-28 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Plasma-resistant member and plasma treatment apparatus using the same
JP2005281054A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Kyocera Corp 酸化アルミニウム質焼結体及びその製造方法並びにこれを用いた半導体、液晶製造装置部材
WO2014119177A1 (ja) * 2013-01-30 2014-08-07 京セラ株式会社 ガスノズルおよびこれを用いたプラズマ装置
JP6046752B2 (ja) * 2013-01-30 2016-12-21 京セラ株式会社 ガスノズルおよびこれを用いたプラズマ装置
US9790596B1 (en) 2013-01-30 2017-10-17 Kyocera Corporation Gas nozzle and plasma device employing same

Also Published As

Publication number Publication date
JP5127196B2 (ja) 2013-01-23
DE69629231D1 (de) 2003-09-04
JP2007055896A (ja) 2007-03-08
EP0738697B1 (en) 2003-07-30
JP3930920B2 (ja) 2007-06-13
EP0738697A1 (en) 1996-10-23
US6638886B1 (en) 2003-10-28
ATE246157T1 (de) 2003-08-15
DE69629231T2 (de) 2004-04-15
US6083451A (en) 2000-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5127196B2 (ja) 粒子発生の低い耐プラズマ弗素アルミナセラミック材料及び製造方法
US7410923B2 (en) SiC material, semiconductor device fabricating system and SiC material forming method
KR100953707B1 (ko) 반도체 프로세싱 부품 및 이를 사용하는 반도체 제조방법
JP4786782B2 (ja) 耐食性に優れたＣＶＤ−ＳｉＣおよびそれを用いた耐食性部材、ならびに処理装置
EP0899358B1 (en) Silicon carbide fabrication
CN101053068A (zh) 在等离子体蚀刻处理期间保护硅或碳化硅电极表面免于形态改性的方法
WO2015116455A1 (en) Chamber coatings
JPH11214365A (ja) 半導体素子製造装置用部材
JPH08188468A (ja) 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法
JP3618048B2 (ja) 半導体製造装置用部材
JPH08188408A (ja) 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法
KR100256142B1 (ko) 플라즈마 불소 저항성 다결정질 알루미나 세라믹 재료 및 그 제조방법
JP2004349710A (ja) 金属酸窒化物膜被着方法及び金属酸窒化物膜形成方法
TW201535515A (zh) 用於減少腔室微粒之重大腔室部件表面改良
JPS621565B2 (ja)
JP3500278B2 (ja) 半導体製造用耐食性部材
JP2000239066A (ja) 耐食性部材およびその製造方法、並びにそれを用いたプラズマ処理装置用部材
JP4028274B2 (ja) 耐食性材料
JPH11279761A (ja) 耐食性部材
JP4361177B2 (ja) 炭化ケイ素材料及びｒｔｐ装置用治具
JP2021046336A (ja) 黒鉛製支持基板の表面処理方法、炭化珪素多結晶膜の成膜方法および炭化珪素多結晶基板の製造方法
JP2000327424A (ja) 窒化アルミニウム基焼結体とその製造方法及びそれを用いたサセプター
JPH0477365A (ja) 半導体製造装置用セラミックス材およびその製造方法
JP2002003275A (ja) 光不透過性ＳｉＣ成形体及びその製造方法
JPH06163439A (ja) 半導体拡散炉用ボート及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060104

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060330

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20060404

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060622

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060725

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061023

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20061219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070213

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070312

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100316

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110316

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110316

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120316

Year of fee payment: 5

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees