JPH09221309A - カーボンナノチューブを表面に有する炭素質物及びその製造方法 - Google Patents
カーボンナノチューブを表面に有する炭素質物及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 カーボンナノチューブを含む電子線源素子を
容易に製造可能とする新規な炭素物質及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 炭素質固体表面上の一部にカーボンナノ
チューブを形成させてなることを特徴とする炭素質物。
炭素質固体表面上の一部に、高真空下でイオンビームを
照射し、その照射面にカーボンナノチューブを形成させ
ることを特徴とする炭素質物の製造方法。
容易に製造可能とする新規な炭素物質及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 炭素質固体表面上の一部にカーボンナノ
チューブを形成させてなることを特徴とする炭素質物。
炭素質固体表面上の一部に、高真空下でイオンビームを
照射し、その照射面にカーボンナノチューブを形成させ
ることを特徴とする炭素質物の製造方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は炭素質物及びその製
造方法に関するものである。また、本発明はこの炭素質
物を電子放出体として含む電子線源素子に関するもので
ある。
造方法に関するものである。また、本発明はこの炭素質
物を電子放出体として含む電子線源素子に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】近年、カーボンナノチューブについて研
究、開発が進められており、その製造方法の一つに、1
00Torr程度のヘリウムガス中で炭素棒を電極とし
てアーク放電を行う方法がある。この方法によれば、陰
極先端に成長した炭素堆積物中にカーボンナノチューブ
が生成する。従って生成した炭素堆積物を回収し、それ
からカーボンナノチューブを分離することでカーボンナ
ノチューブを得ている。また、ヘリウムガスの代わりに
アルゴンガスを用いて500Torr程度の圧力下でア
ーク放電を行うことによっても、カーボンナノチューブ
が生成することが確認されている。さらに、アーク放電
の代わりに、100Torr程度のヘリウムガス中で黒
鉛のレーザーアブレーションを行うことによってもカー
ボンナノチューブが生成することが確認されている。
究、開発が進められており、その製造方法の一つに、1
00Torr程度のヘリウムガス中で炭素棒を電極とし
てアーク放電を行う方法がある。この方法によれば、陰
極先端に成長した炭素堆積物中にカーボンナノチューブ
が生成する。従って生成した炭素堆積物を回収し、それ
からカーボンナノチューブを分離することでカーボンナ
ノチューブを得ている。また、ヘリウムガスの代わりに
アルゴンガスを用いて500Torr程度の圧力下でア
ーク放電を行うことによっても、カーボンナノチューブ
が生成することが確認されている。さらに、アーク放電
の代わりに、100Torr程度のヘリウムガス中で黒
鉛のレーザーアブレーションを行うことによってもカー
ボンナノチューブが生成することが確認されている。
【0003】一方、画像表示素子、計測装置、半導体製
造装置等において使用される電子線源素子は、酸化物焼
結体カソードやタングステン等の高融点金属を通電加熱
することにより熱電子を放出するタイプと、先端を鋭く
尖らせたタングステン等の高融点金属に強電界を印加し
て電界放射電子を放出するタイプに大きく分別される。
従来の電子線源素子に関する技術は応用物理、第61
巻、第7号、p.698−701に記載されている。
造装置等において使用される電子線源素子は、酸化物焼
結体カソードやタングステン等の高融点金属を通電加熱
することにより熱電子を放出するタイプと、先端を鋭く
尖らせたタングステン等の高融点金属に強電界を印加し
て電界放射電子を放出するタイプに大きく分別される。
従来の電子線源素子に関する技術は応用物理、第61
巻、第7号、p.698−701に記載されている。
【0004】また、電子線源素子における電界放射電子
放出体として、上記のカーボンナノチューブを用いるこ
とも提案されている。カーボンナノチューブを用いて電
子線源素子を作製する場合、従来の方法では、カーボン
ナノチューブの製造装置からカーボンナノチューブを分
離回収して、このカーボンナノチューブを所定の方向に
配列させて、さらにカーボンナノチューブに電極を設け
る必要がある。しかし、この場合、非常に微小であるカ
ーボンナノチューブを配列させ、そこに電極を設けるこ
とは実際には非常に困難を伴うものであった。
放出体として、上記のカーボンナノチューブを用いるこ
とも提案されている。カーボンナノチューブを用いて電
子線源素子を作製する場合、従来の方法では、カーボン
ナノチューブの製造装置からカーボンナノチューブを分
離回収して、このカーボンナノチューブを所定の方向に
配列させて、さらにカーボンナノチューブに電極を設け
る必要がある。しかし、この場合、非常に微小であるカ
ーボンナノチューブを配列させ、そこに電極を設けるこ
とは実際には非常に困難を伴うものであった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来技術の実情に鑑みてなされたもので、カーボンナノ
チューブを含む電子線源素子を容易に製造可能とする新
規な炭素質物及びその製造方法を提供することをその課
題とする。
従来技術の実情に鑑みてなされたもので、カーボンナノ
チューブを含む電子線源素子を容易に製造可能とする新
規な炭素質物及びその製造方法を提供することをその課
題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、炭素質固体表面上の
一部にカーボンナノチューブを形成させてなることを特
徴とする炭素質物が提供される。また、本発明によれ
ば、炭素質固体表面上の一部に、高真空下でイオンビー
ムを照射し、その照射面にカーボンナノチューブを生成
させることを特徴とする炭素質物の製造方法が提供され
る。また、本発明によれば、上記炭素質物を電子放出体
として含むことを特徴とする電子線源素子が提供され
る。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、炭素質固体表面上の
一部にカーボンナノチューブを形成させてなることを特
徴とする炭素質物が提供される。また、本発明によれ
ば、炭素質固体表面上の一部に、高真空下でイオンビー
ムを照射し、その照射面にカーボンナノチューブを生成
させることを特徴とする炭素質物の製造方法が提供され
る。また、本発明によれば、上記炭素質物を電子放出体
として含むことを特徴とする電子線源素子が提供され
る。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明の炭素質物は、炭素質固体
表面上の一部にカーボンナノチューブを形成させてなる
ことを特徴とする。本発明の炭素質物は、炭素質固体表
面上の一部に、高真空下でイオンビームを照射すること
により作製される。炭素質固体としては、黒鉛、フラー
レン炭素、アモルファスカーボン等を用いることができ
る。炭素質固体は、膜体、板体、棒体、筒体等の各種の
形状であることができる。フラーレン炭素、アモルファ
スカーボンのような膜や粉体は、これをプレス成形して
成形体として使用することができる。本発明で使用する
イオンビームとしては、アルゴン、クリプトン、ネオ
ン、キセノン等の希ガスのイオンビーム、窒素ガスのイ
オンビーム、ガリウムのイオンビーム等が用いられる。
イオンビームの照射角度は、炭素質固体の照射部表面に
垂直に立てた法線に対して0〜20度の範囲とする。こ
の範囲の照射角度では、該固体表面の照射部にスパッタ
された炭素原子が再付着し、カーボンナノチューブを生
成させることができる。照射角度が20度より大きい
と、該固体表面がエッチングされ、凹凸が著しく形成さ
れるだけで、カーボンナノチューブを生成させることは
できない。本発明の炭素質物を作製する場合の条件を示
すと、イオン加速電圧:500〜20000V、好まし
くは3000〜10000V、イオン電流:0.01〜
1000mA、好ましくは1〜100mA、イオンビー
ム照射時間:300〜3600sec、好ましくは60
0〜1800sec、真空度:5×10-4Torr以
下、好ましくは5×10-5Torr以下である。前記の
ようなイオンビーム照射により、炭素質固体表面上のイ
オンビーム照射領域にカーボンナノチューブが形成され
るが、カーボンナノチューブは固体表面から空間に斜め
に直線的に突出するように生成する。このカーボンナノ
チューブは、外見的には細長い筒型の形状を示し、その
外径は2〜50nm、内径は1〜10nmであり、その
平均外径は約20nm程度、平均内径は約5nm程度で
あり、また、その長さは0.01〜5μm、特に0.2
〜1μmであり、その平均長さは約0.5μm程度であ
る。
表面上の一部にカーボンナノチューブを形成させてなる
ことを特徴とする。本発明の炭素質物は、炭素質固体表
面上の一部に、高真空下でイオンビームを照射すること
により作製される。炭素質固体としては、黒鉛、フラー
レン炭素、アモルファスカーボン等を用いることができ
る。炭素質固体は、膜体、板体、棒体、筒体等の各種の
形状であることができる。フラーレン炭素、アモルファ
スカーボンのような膜や粉体は、これをプレス成形して
成形体として使用することができる。本発明で使用する
イオンビームとしては、アルゴン、クリプトン、ネオ
ン、キセノン等の希ガスのイオンビーム、窒素ガスのイ
オンビーム、ガリウムのイオンビーム等が用いられる。
イオンビームの照射角度は、炭素質固体の照射部表面に
垂直に立てた法線に対して0〜20度の範囲とする。こ
の範囲の照射角度では、該固体表面の照射部にスパッタ
された炭素原子が再付着し、カーボンナノチューブを生
成させることができる。照射角度が20度より大きい
と、該固体表面がエッチングされ、凹凸が著しく形成さ
れるだけで、カーボンナノチューブを生成させることは
できない。本発明の炭素質物を作製する場合の条件を示
すと、イオン加速電圧:500〜20000V、好まし
くは3000〜10000V、イオン電流:0.01〜
1000mA、好ましくは1〜100mA、イオンビー
ム照射時間:300〜3600sec、好ましくは60
0〜1800sec、真空度:5×10-4Torr以
下、好ましくは5×10-5Torr以下である。前記の
ようなイオンビーム照射により、炭素質固体表面上のイ
オンビーム照射領域にカーボンナノチューブが形成され
るが、カーボンナノチューブは固体表面から空間に斜め
に直線的に突出するように生成する。このカーボンナノ
チューブは、外見的には細長い筒型の形状を示し、その
外径は2〜50nm、内径は1〜10nmであり、その
平均外径は約20nm程度、平均内径は約5nm程度で
あり、また、その長さは0.01〜5μm、特に0.2
〜1μmであり、その平均長さは約0.5μm程度であ
る。
【0008】本発明の炭素質物は、前記固体表面のイオ
ンビーム照射領域にのみカーボンナノチューブを生成さ
せたものであるので、電子線源素子用電子放出体として
好ましく使用できる。即ち、前記固体表面上のビーム照
射領域にカーボンナノチューブを生成させて、そのカー
ボンナノチューブの存在しない部分に電極を設けること
により、電子線源素子用電子放出体とすることができ、
このものを用いることにより、電子線源素子を容易に作
製することができる。
ンビーム照射領域にのみカーボンナノチューブを生成さ
せたものであるので、電子線源素子用電子放出体として
好ましく使用できる。即ち、前記固体表面上のビーム照
射領域にカーボンナノチューブを生成させて、そのカー
ボンナノチューブの存在しない部分に電極を設けること
により、電子線源素子用電子放出体とすることができ、
このものを用いることにより、電子線源素子を容易に作
製することができる。
【0009】図1に、本発明の電子線源素子の構成図を
示す。この図において、12は炭素質固体基板、11は
その中央部表面に形成されたカーボンナノチューブ層、
13は炭素質固体基板の周端部表面に形成された電極、
14は絶縁体層(アルミナ層)、13はその上に形成さ
れた電極、15はその電極13上に形成された銅製メッ
シュからなる電子線引出し電極を示す。図1に示した本
発明の電子線源素子は、周端部が電極構造に形成された
炭素質固体基板(図1において、電子線引出し電極15
及びカーボンナノチューブ層11を除いた構造物)を用
い、その炭素質固体表面上にイオン照射してカーボンナ
ノチューブ層11を形成した後、電子線引出し電極15
を付設することにより製造することができる。
示す。この図において、12は炭素質固体基板、11は
その中央部表面に形成されたカーボンナノチューブ層、
13は炭素質固体基板の周端部表面に形成された電極、
14は絶縁体層(アルミナ層)、13はその上に形成さ
れた電極、15はその電極13上に形成された銅製メッ
シュからなる電子線引出し電極を示す。図1に示した本
発明の電子線源素子は、周端部が電極構造に形成された
炭素質固体基板(図1において、電子線引出し電極15
及びカーボンナノチューブ層11を除いた構造物)を用
い、その炭素質固体表面上にイオン照射してカーボンナ
ノチューブ層11を形成した後、電子線引出し電極15
を付設することにより製造することができる。
【0010】
【実施例】次に本発明を実施例により詳述する。 実施例1 カウフマン型イオンガンを装備したイオンビーム・スパ
ッタリング装置を用いて、スパッタターゲットの位置に
試料である黒鉛からなる円板(直径:10mm、厚さ:
0.3mm)を設置してイオンビーム照射を行って、本
発明による炭素質物を作製した。このスパッタリング装
置によるイオン照射は黒鉛円板の表面より立てた法線に
対する角度(以下、同じ)で、0〜90度の範囲内の任
意の角度で行うことができるようになっている。イオン
ガスにはアルゴンを用いた。装置内を2×10-7Tor
r以下に真空排気後、アルゴンガスを導入し、イオン照
射を行った。イオン照射中のアルゴンガス圧力は2×1
0-4Torrであった。イオンガンの加速電圧は120
0V、イオン電流は1mA、イオンビーム照射時間は1
800secであった。黒鉛円板へのイオンビームの照
射角度を変えて、黒鉛円板表面の形態変化を調べたとこ
ろ、照射角度が30度より大きい角度では、スパッタリ
ングにより黒鉛表面がエッチングされ、表面の凹凸が著
しくなった。照射角度を黒鉛表面から30度以下の角度
にすると、イオンビームによりスパッタされた炭素原子
の元の黒鉛表面への再付着が見られた。この再付着物を
調べた結果、ダイヤモンド結合(SP3混成結合)を多
く含んだ非晶質の炭素膜であった。さらに、イオンビー
ムの照射角度を0〜20度の角度にすると、黒鉛円板表
面に繊維状の再付着物が観察された。この繊維状の再付
着物を透過型電子顕微鏡を用いて観察したところ、中空
構造を持ったカーボンナノチューブであることが確認さ
れた。また、この繊維状の再付着物につき、電子線エネ
ルギー損失分光を用いて、炭素のK吸収端付近のエネル
ギー損失スペクトルを調べたところ、ヘリウムガス中で
の炭素のアーク放電により得られるカーボンナノチュー
ブの損失スペクトルと同一であった。このことからも繊
維状の再付着物がカーボンナノチューブであることが確
認された。また、イオンビームを照射するターゲット材
料として、黒鉛の代わりにアモルファスカーボン膜やフ
ラーレン炭素粉をプレス成形して形成した板状体を用い
て、上記と同様な方法を実施したところ、黒鉛円板を用
いた場合と同様に、イオンビーム照射領域にカーボンナ
ノチューブの生成が確認された。さらに、照射イオンと
して、アルゴンイオンの代わりにクリプトン、キセノ
ン、ネオンの希ガスイオン及び窒素ガスの各イオンを用
いて、上記と同様な方法を実施したところ、カーボンナ
ノチューブの生成が確認された。
ッタリング装置を用いて、スパッタターゲットの位置に
試料である黒鉛からなる円板(直径:10mm、厚さ:
0.3mm)を設置してイオンビーム照射を行って、本
発明による炭素質物を作製した。このスパッタリング装
置によるイオン照射は黒鉛円板の表面より立てた法線に
対する角度(以下、同じ)で、0〜90度の範囲内の任
意の角度で行うことができるようになっている。イオン
ガスにはアルゴンを用いた。装置内を2×10-7Tor
r以下に真空排気後、アルゴンガスを導入し、イオン照
射を行った。イオン照射中のアルゴンガス圧力は2×1
0-4Torrであった。イオンガンの加速電圧は120
0V、イオン電流は1mA、イオンビーム照射時間は1
800secであった。黒鉛円板へのイオンビームの照
射角度を変えて、黒鉛円板表面の形態変化を調べたとこ
ろ、照射角度が30度より大きい角度では、スパッタリ
ングにより黒鉛表面がエッチングされ、表面の凹凸が著
しくなった。照射角度を黒鉛表面から30度以下の角度
にすると、イオンビームによりスパッタされた炭素原子
の元の黒鉛表面への再付着が見られた。この再付着物を
調べた結果、ダイヤモンド結合(SP3混成結合)を多
く含んだ非晶質の炭素膜であった。さらに、イオンビー
ムの照射角度を0〜20度の角度にすると、黒鉛円板表
面に繊維状の再付着物が観察された。この繊維状の再付
着物を透過型電子顕微鏡を用いて観察したところ、中空
構造を持ったカーボンナノチューブであることが確認さ
れた。また、この繊維状の再付着物につき、電子線エネ
ルギー損失分光を用いて、炭素のK吸収端付近のエネル
ギー損失スペクトルを調べたところ、ヘリウムガス中で
の炭素のアーク放電により得られるカーボンナノチュー
ブの損失スペクトルと同一であった。このことからも繊
維状の再付着物がカーボンナノチューブであることが確
認された。また、イオンビームを照射するターゲット材
料として、黒鉛の代わりにアモルファスカーボン膜やフ
ラーレン炭素粉をプレス成形して形成した板状体を用い
て、上記と同様な方法を実施したところ、黒鉛円板を用
いた場合と同様に、イオンビーム照射領域にカーボンナ
ノチューブの生成が確認された。さらに、照射イオンと
して、アルゴンイオンの代わりにクリプトン、キセノ
ン、ネオンの希ガスイオン及び窒素ガスの各イオンを用
いて、上記と同様な方法を実施したところ、カーボンナ
ノチューブの生成が確認された。
【0011】実施例2 集束イオンビーム加工装置(日立製作所製:FB−20
00)を用いてイオンビーム照射を行った。この装置は
イオン源としてGa液体金属イオン源を装備し、さらに
イオンを集束させるレンズ系および偏向器を備えてお
り、二次イオン像を観察しながら特定の箇所にイオンビ
ームを照射できるようになっている。また、この装置は
試料ホルダーの傾斜機構を使用することにより、イオン
ビームの入射角を変えることができるようになってい
る。黒鉛円板試料を試料ホルダーにセットし、装置内を
2×10-6Torr以下に真空排気後、ガリウムイオン
を黒鉛円板に照射した。イオンガスの加速電圧は10k
V、イオン電流は100mA、イオンビーム照射時間は
600secであった。黒鉛円板表面へのイオンビーム
の照射角度を変えて、黒鉛円板表面の形態変化を調べた
ところ、照射角度が20度より大きい角度では、スパッ
タリングにより黒鉛円板表面がエッチングされ、表面の
凹凸が著しくなったことが観察され、照射角度を20度
以下の角度にすると、黒鉛円板表面に繊維状の付着物が
観察された。この繊維状の付着物を透過型電子顕微鏡を
用いて観察したところ、中空構造を持ったカーボンナノ
チューブであることが確認された。さらに電子線エネル
ギー損失分光を用いて、炭素のK吸収端付近のエネルギ
ー損失スペクトルを調べたところ、ヘリウムガス中での
炭素のアーク放電により得られるカーボンナノチューブ
の損失スペクトルと同一であった。このことからも繊維
状の再付着物がカーボンナノチューブであることが確認
された。また、イオンビームを照射するターゲット材料
として、黒鉛円板の代わりにアモルファスカーボン膜や
フラーレン炭素粉をプレスして形成した円板を用いて、
上記と同様な方法を実施したところ、黒鉛円板を用いた
場合と同様に、イオンビーム照射領域にカーボンナノチ
ューブの生成が確認された。偏向器によりガリウムイオ
ンを走査して特定の箇所にのみイオンビームを照射した
ところ、照射した箇所にのみカーボンナノチューブが生
成した。
00)を用いてイオンビーム照射を行った。この装置は
イオン源としてGa液体金属イオン源を装備し、さらに
イオンを集束させるレンズ系および偏向器を備えてお
り、二次イオン像を観察しながら特定の箇所にイオンビ
ームを照射できるようになっている。また、この装置は
試料ホルダーの傾斜機構を使用することにより、イオン
ビームの入射角を変えることができるようになってい
る。黒鉛円板試料を試料ホルダーにセットし、装置内を
2×10-6Torr以下に真空排気後、ガリウムイオン
を黒鉛円板に照射した。イオンガスの加速電圧は10k
V、イオン電流は100mA、イオンビーム照射時間は
600secであった。黒鉛円板表面へのイオンビーム
の照射角度を変えて、黒鉛円板表面の形態変化を調べた
ところ、照射角度が20度より大きい角度では、スパッ
タリングにより黒鉛円板表面がエッチングされ、表面の
凹凸が著しくなったことが観察され、照射角度を20度
以下の角度にすると、黒鉛円板表面に繊維状の付着物が
観察された。この繊維状の付着物を透過型電子顕微鏡を
用いて観察したところ、中空構造を持ったカーボンナノ
チューブであることが確認された。さらに電子線エネル
ギー損失分光を用いて、炭素のK吸収端付近のエネルギ
ー損失スペクトルを調べたところ、ヘリウムガス中での
炭素のアーク放電により得られるカーボンナノチューブ
の損失スペクトルと同一であった。このことからも繊維
状の再付着物がカーボンナノチューブであることが確認
された。また、イオンビームを照射するターゲット材料
として、黒鉛円板の代わりにアモルファスカーボン膜や
フラーレン炭素粉をプレスして形成した円板を用いて、
上記と同様な方法を実施したところ、黒鉛円板を用いた
場合と同様に、イオンビーム照射領域にカーボンナノチ
ューブの生成が確認された。偏向器によりガリウムイオ
ンを走査して特定の箇所にのみイオンビームを照射した
ところ、照射した箇所にのみカーボンナノチューブが生
成した。
【0012】実施例3 図1に示した構造の中央部にカーボンナノチューブ層1
1を有する電子線源素子を作製した。この場合、炭素質
固体基板12としては黒鉛基板を用い、電極13として
は銅薄膜を用い、絶縁層14としてはアルミナ薄膜を用
いた。また、電子線の引出し電極15としては銅製のメ
ッシュを用いた。この電子線源素子(電子線発生デバイ
ス)において、黒鉛基板12に接した電極13を陰極、
アルミナ薄膜14上に形成した電極13を陽極として電
源に接続し、陽極を接地すると、陰極に負の電位が印加
される。次に、この電子線源素子を真空容器内にセット
し、容器内を2×10-6Torr程度の真空に排気し
た。電子線源素子の電極13、13間に電位を徐々にか
けると、およそ100Vで電流が発生した。更に電位を
かけると発生する電流値は増大し、500Vで10mA
の電流が発生した。
1を有する電子線源素子を作製した。この場合、炭素質
固体基板12としては黒鉛基板を用い、電極13として
は銅薄膜を用い、絶縁層14としてはアルミナ薄膜を用
いた。また、電子線の引出し電極15としては銅製のメ
ッシュを用いた。この電子線源素子(電子線発生デバイ
ス)において、黒鉛基板12に接した電極13を陰極、
アルミナ薄膜14上に形成した電極13を陽極として電
源に接続し、陽極を接地すると、陰極に負の電位が印加
される。次に、この電子線源素子を真空容器内にセット
し、容器内を2×10-6Torr程度の真空に排気し
た。電子線源素子の電極13、13間に電位を徐々にか
けると、およそ100Vで電流が発生した。更に電位を
かけると発生する電流値は増大し、500Vで10mA
の電流が発生した。
【0013】
【発明の効果】本発明によるカーボンナノチューブの形
成は、炭素質固体表面に対してイオンビームを照射する
ことにより行われ、そのカーボンナノチューブは、炭素
質固体表面上のそのイオンビーム照射部(領域)のみに
選択的に形成される。従って、本発明によれば、炭素質
固体表面上の任意の位置にカーボンナノチューブを形成
させることができる。本発明によれば、炭素質基板上に
電子線源素子用の電子放出体としてのカーボンナノチュ
ーブ層と電極を形成させた構造の電子放出体を容易に作
製することができる。そして、このような電子放出体を
用いることにより、電子線源素子を容易に作製すること
ができる。
成は、炭素質固体表面に対してイオンビームを照射する
ことにより行われ、そのカーボンナノチューブは、炭素
質固体表面上のそのイオンビーム照射部(領域)のみに
選択的に形成される。従って、本発明によれば、炭素質
固体表面上の任意の位置にカーボンナノチューブを形成
させることができる。本発明によれば、炭素質基板上に
電子線源素子用の電子放出体としてのカーボンナノチュ
ーブ層と電極を形成させた構造の電子放出体を容易に作
製することができる。そして、このような電子放出体を
用いることにより、電子線源素子を容易に作製すること
ができる。
【図1】本発明の電子線源素子の構成説明図を示す。
11 カーボンナノチューブ層 12 炭素質基板 13 電極 14 絶縁体層 15 電子線引出し電極
Claims (5)
- 【請求項1】 炭素質固体表面上の一部にカーボンナノ
チューブを形成させてなることを特徴とする炭素質物。 - 【請求項2】 該炭素質固体が、黒鉛、フラーレン炭素
又はアモルファスカーボンである請求項1の炭素質物。 - 【請求項3】 炭素質固体表面上の一部に、高真空下で
イオンビームを照射し、その照射面にカーボンナノチュ
ーブを形成させることを特徴とする請求項1又は2の炭
素質物の製造方法。 - 【請求項4】 該イオンビームを、該固体表面の法線方
向に対して0〜20度の角度で照射する請求項3の方
法。 - 【請求項5】 請求項1又は2の炭素質物を電子放出体
として含むことを特徴とする電子線源素子。
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---|---|---|---|
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JPH09221309A true JPH09221309A (ja) | 1997-08-26 |
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