JPH09153457A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
半導体装置の作製方法Info
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- JPH09153457A JPH09153457A JP33813095A JP33813095A JPH09153457A JP H09153457 A JPH09153457 A JP H09153457A JP 33813095 A JP33813095 A JP 33813095A JP 33813095 A JP33813095 A JP 33813095A JP H09153457 A JPH09153457 A JP H09153457A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】金属元素の触媒作用によって結晶化されたシリ
コン膜とゲイト絶縁膜の界面の特性を向上させる。 【解決手段】開孔部１０４ａを有する酸化シリコン膜１
０４により、非晶質シリコン膜１０３中にニッケルを選
択的に導入して、加熱処理をして、結晶性シリコン膜１
０６を形成する。更に、酸化シリコン膜１０４と共に、
結晶性シリコン膜１０６をエッチングして、活性層１０
７を形成する。エッチングされた酸化シリコン膜１０８
はゲイト絶縁膜として機能する。結晶化工程以降、酸化
シリコン膜１０４を除去しないようにすることにより、
結晶化シリコン膜１０６の界面を良好に保つことができ
る。
コン膜とゲイト絶縁膜の界面の特性を向上させる。 【解決手段】開孔部１０４ａを有する酸化シリコン膜１
０４により、非晶質シリコン膜１０３中にニッケルを選
択的に導入して、加熱処理をして、結晶性シリコン膜１
０６を形成する。更に、酸化シリコン膜１０４と共に、
結晶性シリコン膜１０６をエッチングして、活性層１０
７を形成する。エッチングされた酸化シリコン膜１０８
はゲイト絶縁膜として機能する。結晶化工程以降、酸化
シリコン膜１０４を除去しないようにすることにより、
結晶化シリコン膜１０６の界面を良好に保つことができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ等の
利用される半導体装置の作製方法に関するものであり、
特に、金属元素の触媒作用により結晶化された結晶性シ
リコン膜を用いた半導体装置の作製方法に関するもので
ある。
利用される半導体装置の作製方法に関するものであり、
特に、金属元素の触媒作用により結晶化された結晶性シ
リコン膜を用いた半導体装置の作製方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶デバイスに薄膜トランジスタ
を用いる構成が注目されている。これは、アクティブマ
トリクス型液晶表示装置といわれるもので、マトリクス
状に配置された数百万以上の画素毎に薄膜トランジスタ
が接続されており、これらの薄膜トランジスタにより、
画素に保持される電荷の蓄積・放電を制御することを特
徴とする。このアクティブマトリクス型の液晶表示装置
は、高速度で微細な表示が可能であるので、携帯型のワ
ードプロセッサやコンピュータのディスプレに利用され
ている。
を用いる構成が注目されている。これは、アクティブマ
トリクス型液晶表示装置といわれるもので、マトリクス
状に配置された数百万以上の画素毎に薄膜トランジスタ
が接続されており、これらの薄膜トランジスタにより、
画素に保持される電荷の蓄積・放電を制御することを特
徴とする。このアクティブマトリクス型の液晶表示装置
は、高速度で微細な表示が可能であるので、携帯型のワ
ードプロセッサやコンピュータのディスプレに利用され
ている。
【０００３】薄膜トランジスタに利用されるシリコン膜
としては、非晶質シリコン膜を使用するのが簡便である
が、その電気的特性は半導体集積回路に用いられる単結
晶半導体と比較すると非常に低いという問題点がある。
このため、非晶質シリコン膜を使用した薄膜トランジス
タはアクティブマトリクス回路のスイチッング素子等の
限られた用途にしか使用することができない。
としては、非晶質シリコン膜を使用するのが簡便である
が、その電気的特性は半導体集積回路に用いられる単結
晶半導体と比較すると非常に低いという問題点がある。
このため、非晶質シリコン膜を使用した薄膜トランジス
タはアクティブマトリクス回路のスイチッング素子等の
限られた用途にしか使用することができない。
【０００４】薄膜トランジスタの特性を向上するために
は、結晶性を有するシリコン膜を用いればよい。単結晶
シリコン以外で結晶性を有するシリコン膜として、多結
晶シリコン、微結晶シリコン膜が知られている。このよ
うな結晶性を有するシリコン膜を得るには、非晶質シリ
コン膜を成膜して、しかる後に、加熱（熱アニール）に
より、結晶化させればよい。この方法は固体の状態を保
持しつつ、結晶状態が非晶質から結晶状態に変化するの
で、固相成長法と呼ばれている。
は、結晶性を有するシリコン膜を用いればよい。単結晶
シリコン以外で結晶性を有するシリコン膜として、多結
晶シリコン、微結晶シリコン膜が知られている。このよ
うな結晶性を有するシリコン膜を得るには、非晶質シリ
コン膜を成膜して、しかる後に、加熱（熱アニール）に
より、結晶化させればよい。この方法は固体の状態を保
持しつつ、結晶状態が非晶質から結晶状態に変化するの
で、固相成長法と呼ばれている。
【０００５】一般に、液晶表示装置は、基板として透光
性を有するものを用いる必要があるので、基板の材質が
制限されてしまう。一般に透光性を有し、また安価で、
さらに大面積なものが得られるという条件を満足する材
料はガラスしか該当しない。
性を有するものを用いる必要があるので、基板の材質が
制限されてしまう。一般に透光性を有し、また安価で、
さらに大面積なものが得られるという条件を満足する材
料はガラスしか該当しない。
【０００６】シリコンの固相成長においては、加熱温度
が６００℃以上、加熱時間が１０時間以上となる。一般
に、広く使用されているコーニング７０５９ガラスはガ
ラス歪み点が５９３℃であり、基板の大面積化を考慮し
た場合に、６００℃以上の熱アニールを実施することは
困難である。
が６００℃以上、加熱時間が１０時間以上となる。一般
に、広く使用されているコーニング７０５９ガラスはガ
ラス歪み点が５９３℃であり、基板の大面積化を考慮し
た場合に、６００℃以上の熱アニールを実施することは
困難である。
【０００７】
〔発明に至る過程〕 このような問題に対して、本発明
者が研究した結果、アモルファス状態のシリコン膜に微
量の金属元素を添加することにより、金属元素の触媒作
用により、シリコンの結晶化が促進されると共に、結晶
化温度を低下させて、結晶化時間を短縮させることが可
能であることが明らかになった。具体的には、５５０
℃、４時間程度の加熱処理でシリコンを結晶化させるこ
とができることが判明している。このため、ガラス基板
上に結晶性シリコン膜を用いた薄膜トランジスタを作製
することが可能になる。
者が研究した結果、アモルファス状態のシリコン膜に微
量の金属元素を添加することにより、金属元素の触媒作
用により、シリコンの結晶化が促進されると共に、結晶
化温度を低下させて、結晶化時間を短縮させることが可
能であることが明らかになった。具体的には、５５０
℃、４時間程度の加熱処理でシリコンを結晶化させるこ
とができることが判明している。このため、ガラス基板
上に結晶性シリコン膜を用いた薄膜トランジスタを作製
することが可能になる。
【０００８】このような触媒作用を有する金属元素とし
て、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類
を適宜に用いることができる。これら金属元素の中で特
に結晶化その効果が顕著に得られるのはニッケル（Ｎ
ｉ）である。
て、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類
を適宜に用いることができる。これら金属元素の中で特
に結晶化その効果が顕著に得られるのはニッケル（Ｎ
ｉ）である。
【０００９】金属元素を非晶質シリコン膜に導入する方
法として、金属元素を含有する被膜、粒子、クラスタ等
をアモルファスシリコン膜に密着させる方法、金属元素
を含有する水溶液を塗布する方法、あるいはイオン注入
法を採用することできる。金属元素が導入されたアモル
ファスシリコン膜は、４５０℃〜５８０℃の温度で、４
〜８時間加熱することにより、結晶化される。
法として、金属元素を含有する被膜、粒子、クラスタ等
をアモルファスシリコン膜に密着させる方法、金属元素
を含有する水溶液を塗布する方法、あるいはイオン注入
法を採用することできる。金属元素が導入されたアモル
ファスシリコン膜は、４５０℃〜５８０℃の温度で、４
〜８時間加熱することにより、結晶化される。
【００１０】本発明者の研究により、金属元素を添加し
た場合のシリコンの結晶化過程は加熱により、先ず、ア
モルファスシリコンと金属元素との反応から成るシリサ
イドが形成される。このシリサイドが核となって、その
表面にシリコンがヘテロエピタキシャル成長することが
判明された。またシリサイドから成る核の寸法は熱的要
因、及びアモルファスシリコンの膜厚等に依存し、金属
元素としてニッケルを使用した場合には、その寸法は５
００〜２０００Å程度となる。そのため、得られるシリ
コンの結晶形状は核と同程度の幅の柱状結晶であり、そ
の結晶成長は金属元素が添加された領域からその周囲に
向かって進行する。従って、金属元素を添加する領域、
及びその形状をを制御することにより、結晶成長を制御
することが可能である。
た場合のシリコンの結晶化過程は加熱により、先ず、ア
モルファスシリコンと金属元素との反応から成るシリサ
イドが形成される。このシリサイドが核となって、その
表面にシリコンがヘテロエピタキシャル成長することが
判明された。またシリサイドから成る核の寸法は熱的要
因、及びアモルファスシリコンの膜厚等に依存し、金属
元素としてニッケルを使用した場合には、その寸法は５
００〜２０００Å程度となる。そのため、得られるシリ
コンの結晶形状は核と同程度の幅の柱状結晶であり、そ
の結晶成長は金属元素が添加された領域からその周囲に
向かって進行する。従って、金属元素を添加する領域、
及びその形状をを制御することにより、結晶成長を制御
することが可能である。
【００１１】図６は本発明者により、従来開示されてき
た金属元素の触媒作用を利用したシリコンの結晶化過程
の説明図であり、図６（Ａ）に示すように、ガラス基板
１１上に、酸化シリコンから成る下地膜１２、アモルフ
ァスシリコン膜１３を成膜する。
た金属元素の触媒作用を利用したシリコンの結晶化過程
の説明図であり、図６（Ａ）に示すように、ガラス基板
１１上に、酸化シリコンから成る下地膜１２、アモルフ
ァスシリコン膜１３を成膜する。
【００１２】次に、酸化シリコン膜１４を５００Å〜２
０００Åの厚さに成膜して、開孔部１４ａを形成する。
代表的には、開孔部１４ａの形状を紙面に垂直な方向に
長手方向を有する矩形とする。
０００Åの厚さに成膜して、開孔部１４ａを形成する。
代表的には、開孔部１４ａの形状を紙面に垂直な方向に
長手方向を有する矩形とする。
【００１３】開孔部１４ａにおいて、非晶質シリコン膜
１３の表面に図示しない酸化薄膜を１０〜５０Å程度の
厚さに形成する。この酸化薄膜により、非晶質シリコン
膜１３の表面特性が改善されて、水溶液を弾かなくする
ことができる。酸化薄膜の形成方法には、酸素雰囲気中
で紫外線を照射する方法、オゾン水、過酸化水素水に基
板を浸す方法を採用することができる。
１３の表面に図示しない酸化薄膜を１０〜５０Å程度の
厚さに形成する。この酸化薄膜により、非晶質シリコン
膜１３の表面特性が改善されて、水溶液を弾かなくする
ことができる。酸化薄膜の形成方法には、酸素雰囲気中
で紫外線を照射する方法、オゾン水、過酸化水素水に基
板を浸す方法を採用することができる。
【００１４】この状態で、シリコンの結晶化を助長する
金属元素であるニッケルをアモルファスシリコン膜１３
に添加するために、ニッケル酢酸水溶液をスピンコート
法を用いて塗布して、乾燥させる。この結果、酸化シリ
コン膜１４の開孔部１４ａにおいて、アモルファスシリ
コン膜１３の表面にニッケル極薄膜１５が密着して、形
成される。
金属元素であるニッケルをアモルファスシリコン膜１３
に添加するために、ニッケル酢酸水溶液をスピンコート
法を用いて塗布して、乾燥させる。この結果、酸化シリ
コン膜１４の開孔部１４ａにおいて、アモルファスシリ
コン膜１３の表面にニッケル極薄膜１５が密着して、形
成される。
【００１５】図６（Ｂ）に示すように、酸化シリコン膜
１４を除去した後に、温度は４５０℃〜６４０℃、４〜
８時間、代表的には、５５０℃、８時間加熱処理を施す
と、ニッケル極薄膜１５が接触している領域を起点とし
て、矢印で示すような基板１１に平行な方向に結晶成長
が進行して、結晶性シリコン膜１６が形成される。結晶
成長距離は数１０μｍ〜１００μｍ以上とすることがで
きる。なお、基板としてガラス基板を用いる場合には、
ガラス基板の縮みや変形を防ぐために、加熱温度をガラ
ス基板の歪点以下の温度とすることが好ましい。
１４を除去した後に、温度は４５０℃〜６４０℃、４〜
８時間、代表的には、５５０℃、８時間加熱処理を施す
と、ニッケル極薄膜１５が接触している領域を起点とし
て、矢印で示すような基板１１に平行な方向に結晶成長
が進行して、結晶性シリコン膜１６が形成される。結晶
成長距離は数１０μｍ〜１００μｍ以上とすることがで
きる。なお、基板としてガラス基板を用いる場合には、
ガラス基板の縮みや変形を防ぐために、加熱温度をガラ
ス基板の歪点以下の温度とすることが好ましい。
【００１６】図６（Ｃ）に示すように、結晶成長を行わ
せた後に、酸化シリコン膜１４を除去する。この後に、
必要ならば、レーザーアニールを実施して、結晶性シリ
コン膜１６の結晶性をより向上させてもよい。なお、結
晶性シリコン膜１６において、ニッケル薄膜１５の直下
の領域１６ａはガラス基板１１に垂直な方向に結晶成長
しており、その結晶軸は一様ではない。このような成長
を縦成長と呼ぶことにする。他方、縦成長した領域１６
ａの周辺の領域１６ｂはガラス基板１１に平行に、かつ
結晶軸向が概略一様に結晶成長が進行している。このよ
うな結晶成長を横成長と呼ぶことにする。
せた後に、酸化シリコン膜１４を除去する。この後に、
必要ならば、レーザーアニールを実施して、結晶性シリ
コン膜１６の結晶性をより向上させてもよい。なお、結
晶性シリコン膜１６において、ニッケル薄膜１５の直下
の領域１６ａはガラス基板１１に垂直な方向に結晶成長
しており、その結晶軸は一様ではない。このような成長
を縦成長と呼ぶことにする。他方、縦成長した領域１６
ａの周辺の領域１６ｂはガラス基板１１に平行に、かつ
結晶軸向が概略一様に結晶成長が進行している。このよ
うな結晶成長を横成長と呼ぶことにする。
【００１７】図６（Ｄ）に示すように、結晶性シリコン
膜１６をパターニングして、薄膜トランジスタの活性層
１７を形成する。なお、そして、ゲイト絶縁膜として機
能する酸化シリコン膜１８を形成して、公知の作製方法
により、薄膜トランジスタが完成される。なお、ニッケ
ル極薄膜１５の直下の領域、結晶成長の終点の領域はニ
ッケルを高濃度に含有するため、これらの領域がチャネ
ル形成領域に含まれないようにする必要がある。
膜１６をパターニングして、薄膜トランジスタの活性層
１７を形成する。なお、そして、ゲイト絶縁膜として機
能する酸化シリコン膜１８を形成して、公知の作製方法
により、薄膜トランジスタが完成される。なお、ニッケ
ル極薄膜１５の直下の領域、結晶成長の終点の領域はニ
ッケルを高濃度に含有するため、これらの領域がチャネ
ル形成領域に含まれないようにする必要がある。
【００１８】上述の結晶化技術を採用することにより、
図６（Ｂ）に示すように、シリコンを基板１１に水平な
方向に結晶成長（横成長）させることができるため、得
られる結晶性シリコン膜１６の結晶方向は一様であるの
で、このような結晶性シリコン膜１６を使用した薄膜ト
ランジスタは良好な電気的特性を有し、高速動作が可能
になる。
図６（Ｂ）に示すように、シリコンを基板１１に水平な
方向に結晶成長（横成長）させることができるため、得
られる結晶性シリコン膜１６の結晶方向は一様であるの
で、このような結晶性シリコン膜１６を使用した薄膜ト
ランジスタは良好な電気的特性を有し、高速動作が可能
になる。
【００１９】しかしながら、上記の結晶化工程では、結
晶性シリコン膜１６が得られた後に、マスク１４を除去
して、結晶性シリコン膜１６の表面を露出してしまうた
め、その表面を汚染する虞れがある。また、結晶性シリ
コン膜１６の表面を露出している状態でレーザーアニー
ルを実施しているので、リッジが発生する虞れがある。
汚染やリッジは活性層１７と、ゲイト絶縁膜との界面準
位を上げる原因であり、薄膜トランジスタの特性を低下
させてしまう。
晶性シリコン膜１６が得られた後に、マスク１４を除去
して、結晶性シリコン膜１６の表面を露出してしまうた
め、その表面を汚染する虞れがある。また、結晶性シリ
コン膜１６の表面を露出している状態でレーザーアニー
ルを実施しているので、リッジが発生する虞れがある。
汚染やリッジは活性層１７と、ゲイト絶縁膜との界面準
位を上げる原因であり、薄膜トランジスタの特性を低下
させてしまう。
【００２０】本発明の目的は、上述の問題点を解消し
て、活性層の界面準位が良好な半導体装置の作製方法を
提供することにある。
て、活性層の界面準位が良好な半導体装置の作製方法を
提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上述の問題点を解決する
ために、本発明に係る半導体装置の作製方法の構成は、
前記非晶質シリコン膜上に、第１の絶縁膜を形成する工
程と、前記絶縁膜に開孔部を形成して、前記非晶質シリ
コン膜の表面を選択的に露出させる工程と、該工程によ
り露出された表面から前記非晶質シリコン膜に前記金属
元素を導入する工程と、前記非晶質シリコン膜を結晶化
させて、結晶性シリコン膜を形成する工程と、前記第１
の絶縁膜と共に、前記結晶性シリコン膜をエッチングし
て活性層を形成する工程と、第２の絶縁膜を形成する工
程と、を有する。
ために、本発明に係る半導体装置の作製方法の構成は、
前記非晶質シリコン膜上に、第１の絶縁膜を形成する工
程と、前記絶縁膜に開孔部を形成して、前記非晶質シリ
コン膜の表面を選択的に露出させる工程と、該工程によ
り露出された表面から前記非晶質シリコン膜に前記金属
元素を導入する工程と、前記非晶質シリコン膜を結晶化
させて、結晶性シリコン膜を形成する工程と、前記第１
の絶縁膜と共に、前記結晶性シリコン膜をエッチングし
て活性層を形成する工程と、第２の絶縁膜を形成する工
程と、を有する。
【００２２】上記の手段を有する半導体装置の作製方法
は、絶縁基板上に形成された非晶質シリコン膜を金属元
素の触媒作用により結晶化工程において、非晶質シリコ
ン膜に選択的に金属元素を導入するために、第１の絶縁
膜をバリア膜として使用する。このため、第１の絶縁膜
に開孔部を選択的に形成して、非晶質シリコン膜の表面
を部分的に露出させる。
は、絶縁基板上に形成された非晶質シリコン膜を金属元
素の触媒作用により結晶化工程において、非晶質シリコ
ン膜に選択的に金属元素を導入するために、第１の絶縁
膜をバリア膜として使用する。このため、第１の絶縁膜
に開孔部を選択的に形成して、非晶質シリコン膜の表面
を部分的に露出させる。
【００２３】「非晶質シリコン膜に金属元素を導入する
工程」には、金属元素を含んだ溶液を非晶質シリコン膜
上に塗布する工程を採用することができる。溶液を用い
ることにより、非晶質シリコン膜中の金属元素の濃度を
容易に制御することができ、かつ金属元素を非晶質シリ
コン膜の表面に均一に接して保持させることができる。
工程」には、金属元素を含んだ溶液を非晶質シリコン膜
上に塗布する工程を採用することができる。溶液を用い
ることにより、非晶質シリコン膜中の金属元素の濃度を
容易に制御することができ、かつ金属元素を非晶質シリ
コン膜の表面に均一に接して保持させることができる。
【００２４】加熱処理によりシリコンを結晶化させるた
めには、金属元素は１×１０16ｃｍ-3以上の濃度で非晶
質シリコン膜中に含ませることが必要である。しかしな
がら、非晶質シリコン膜中に、例えば、金属元素を５×
１０19ｃｍ-3以上の濃度で含ませた場合には、膜中にシ
リサイドが形成されてしまうので好ましくない。
めには、金属元素は１×１０16ｃｍ-3以上の濃度で非晶
質シリコン膜中に含ませることが必要である。しかしな
がら、非晶質シリコン膜中に、例えば、金属元素を５×
１０19ｃｍ-3以上の濃度で含ませた場合には、膜中にシ
リサイドが形成されてしまうので好ましくない。
【００２５】「結晶性シリコン膜を形成する工程」に
は、４５０〜６００℃程度の加熱温度で加熱する工程を
採用することができる。加熱することにより、金属元素
が拡散するのに伴って、非晶質シリコン膜が横成長し
て、結晶性シリコン膜が形成される。
は、４５０〜６００℃程度の加熱温度で加熱する工程を
採用することができる。加熱することにより、金属元素
が拡散するのに伴って、非晶質シリコン膜が横成長し
て、結晶性シリコン膜が形成される。
【００２６】金属元素が非晶質シリコン膜中に拡散させ
るためには、加熱温度は４００℃以上とする。また、加
熱温度の上限は基板の耐熱温度、即ち歪点で制限され
る。例えば、ガラス基板を使用した場合には、加熱温度
は５５０℃程度の温度とすることが、ガラス基板の耐熱
性や生産性の面から適当である。また、石英基板等の１
０００℃以上の温度にも耐え得るような材料を基板に用
いた場合には、この加熱温度も耐熱温度に伴って高くす
ることができる。
るためには、加熱温度は４００℃以上とする。また、加
熱温度の上限は基板の耐熱温度、即ち歪点で制限され
る。例えば、ガラス基板を使用した場合には、加熱温度
は５５０℃程度の温度とすることが、ガラス基板の耐熱
性や生産性の面から適当である。また、石英基板等の１
０００℃以上の温度にも耐え得るような材料を基板に用
いた場合には、この加熱温度も耐熱温度に伴って高くす
ることができる。
【００２７】本発明においては、マスク膜として機能す
る第１の絶縁膜を除去しないで、第１の絶縁膜が積層さ
れた状態で、結晶性シリコン膜をエッチングして、活性
層を形成することを特徴とする。これにより、活性層を
形成するシリコン膜は第１の絶縁膜が形成された以降、
最終的に半導体装置が完成された状態まで、活性層を形
成するシリコン膜の表面は第１の絶縁膜に被覆されてい
るために、汚染されることがなく、ゲイト絶縁膜と活性
層の界面特性を良好にすることができる。
る第１の絶縁膜を除去しないで、第１の絶縁膜が積層さ
れた状態で、結晶性シリコン膜をエッチングして、活性
層を形成することを特徴とする。これにより、活性層を
形成するシリコン膜は第１の絶縁膜が形成された以降、
最終的に半導体装置が完成された状態まで、活性層を形
成するシリコン膜の表面は第１の絶縁膜に被覆されてい
るために、汚染されることがなく、ゲイト絶縁膜と活性
層の界面特性を良好にすることができる。
【００２８】活性層を形成した後に、第２の絶縁膜を形
成する。これにより、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の２
層から成るゲイト絶縁膜が形成される。このため、第１
の絶縁膜、第２の絶縁膜を酸化シリコン又は窒化シリコ
ンで構成すればよい。しかしながら、第１の絶縁膜の膜
厚は金属元素を導入する際に、バリア膜として機能する
ような膜厚とする必要があり、例えば、第１の絶縁膜を
酸化シリコンで形成する場合には数１０Å程度の膜厚が
必要で、現実的には数１００Åの膜厚とすればよい。
成する。これにより、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の２
層から成るゲイト絶縁膜が形成される。このため、第１
の絶縁膜、第２の絶縁膜を酸化シリコン又は窒化シリコ
ンで構成すればよい。しかしながら、第１の絶縁膜の膜
厚は金属元素を導入する際に、バリア膜として機能する
ような膜厚とする必要があり、例えば、第１の絶縁膜を
酸化シリコンで形成する場合には数１０Å程度の膜厚が
必要で、現実的には数１００Åの膜厚とすればよい。
【００２９】また、第１の絶縁膜を非晶質シリコン膜を
熱酸化して、シリコン熱酸化膜とすると、活性層（結晶
性シリコン膜）／ゲイト絶縁膜（第１の絶縁膜）界面の
特性を結晶性シリコン／ＣＶＤシリコン酸化膜の界面の
特性よりも良好にすることができる。熱酸化工程とし
て、ウェット酸化法、塩酸酸化法等を採用することがで
きる。なお、加熱温度、時間等の条件は非晶質シリコン
膜が結晶化しないようにする必要がある。更に、使用す
る基板が変形しないようにする必要がある。
熱酸化して、シリコン熱酸化膜とすると、活性層（結晶
性シリコン膜）／ゲイト絶縁膜（第１の絶縁膜）界面の
特性を結晶性シリコン／ＣＶＤシリコン酸化膜の界面の
特性よりも良好にすることができる。熱酸化工程とし
て、ウェット酸化法、塩酸酸化法等を採用することがで
きる。なお、加熱温度、時間等の条件は非晶質シリコン
膜が結晶化しないようにする必要がある。更に、使用す
る基板が変形しないようにする必要がある。
【００３０】なお、熱酸化法で十分な膜厚が得られない
場合には、ＣＶＤ法により酸化シリコン膜や窒化シリコ
ン膜を熱酸化シリコン膜を堆積して、第１の絶縁膜が所
望の膜厚に成るようにする。
場合には、ＣＶＤ法により酸化シリコン膜や窒化シリコ
ン膜を熱酸化シリコン膜を堆積して、第１の絶縁膜が所
望の膜厚に成るようにする。
【００３１】更に、本発明に係る半導体装置の作製方法
において、結晶性シリコン膜を形成する工程の後に、レ
ーザーを照射する工程、即ちレーザーアニール工程を追
加することもできる。この工程により、結晶性シリコン
膜の結晶性を向上させることができる。この際に、結晶
性シリコン膜の表面には第１の絶縁膜が存在するため、
レーザーアニールによる発生するリッジを抑制する効果
を得る。
において、結晶性シリコン膜を形成する工程の後に、レ
ーザーを照射する工程、即ちレーザーアニール工程を追
加することもできる。この工程により、結晶性シリコン
膜の結晶性を向上させることができる。この際に、結晶
性シリコン膜の表面には第１の絶縁膜が存在するため、
レーザーアニールによる発生するリッジを抑制する効果
を得る。
【００３２】ＡＦＭによる計測により、従来例のように
キャップ層が存在していない場合には、リッジの大きさ
は５００Å程度であったが、本発明に係る酸化シリコン
膜から成るキャップ層が存在する場合には、リッジの大
きさは約２００Å以下であった。このように、第１の絶
縁膜を積層した状態で結晶性シリコン膜をレーザーアニ
ールすることにより、リッジの発生を抑制することがで
きる。
キャップ層が存在していない場合には、リッジの大きさ
は５００Å程度であったが、本発明に係る酸化シリコン
膜から成るキャップ層が存在する場合には、リッジの大
きさは約２００Å以下であった。このように、第１の絶
縁膜を積層した状態で結晶性シリコン膜をレーザーアニ
ールすることにより、リッジの発生を抑制することがで
きる。
【００３３】更に、本発明では、第１の絶縁膜はリッジ
の発生を抑制するキャップ層として機能させるのみでな
く、レーザー光に対する反射防止膜として機能させるこ
とも可能である。これにより、レーザーエネルギーを結
晶性シリコンにより効果的に供与することができる。
の発生を抑制するキャップ層として機能させるのみでな
く、レーザー光に対する反射防止膜として機能させるこ
とも可能である。これにより、レーザーエネルギーを結
晶性シリコンにより効果的に供与することができる。
【００３４】また、レーザーを照射することにより、第
１の絶縁膜と結晶性シリコン膜との界面の多重反射が生
ずるため、第１の絶縁膜の表面における反射率は、第１
の絶縁膜の膜厚により依存する。従って、第１の絶縁膜
の膜厚を適当に選択することにより、レーザーを結晶性
シリコン膜上に直接に照射するよりも、結晶性シリコン
膜により有効にエネルギーを供与することができる。
１の絶縁膜と結晶性シリコン膜との界面の多重反射が生
ずるため、第１の絶縁膜の表面における反射率は、第１
の絶縁膜の膜厚により依存する。従って、第１の絶縁膜
の膜厚を適当に選択することにより、レーザーを結晶性
シリコン膜上に直接に照射するよりも、結晶性シリコン
膜により有効にエネルギーを供与することができる。
【００３５】具体的には、波長２４８ｎｍの光（ＫｒＦ
エキシマレーザー光）に対する、多結晶シリコン膜上の
酸化シリコン、窒化シリコンからの反射光の強度（大気
中）が計算された。図５に計算結果を示す。図５におい
て、横軸は酸化シリコン膜、窒化シリコン膜の膜厚を示
し、縦軸は反射光の強度の理論値である。図５に示すよ
うに、膜厚に対して、反射光の強度は正弦的に変化す
る。この位相は照射される光の波長にも依存するため、
例えば波長３０８ｎｍの光（ＸｅＣｌエキシマレーザ
ー）に対する反射光の強度の曲線は、横軸方向に数１０
ｎｍ平行移動されたものに略等しい。
エキシマレーザー光）に対する、多結晶シリコン膜上の
酸化シリコン、窒化シリコンからの反射光の強度（大気
中）が計算された。図５に計算結果を示す。図５におい
て、横軸は酸化シリコン膜、窒化シリコン膜の膜厚を示
し、縦軸は反射光の強度の理論値である。図５に示すよ
うに、膜厚に対して、反射光の強度は正弦的に変化す
る。この位相は照射される光の波長にも依存するため、
例えば波長３０８ｎｍの光（ＸｅＣｌエキシマレーザ
ー）に対する反射光の強度の曲線は、横軸方向に数１０
ｎｍ平行移動されたものに略等しい。
【００３６】酸化シリコン膜、窒化シリコン膜を反射防
止膜として機能させるためには、反射光の強度が極小値
をとるように、膜厚を制御すればよい。しかしながら、
第１の絶縁膜が厚すぎると、レーザーのエネルギーが結
晶性シリコン膜に十分に到達できず、レーザーアニール
の効果を得ることができない。また、第１の絶縁膜をゲ
イト絶縁膜として機能させることができなくなる。
止膜として機能させるためには、反射光の強度が極小値
をとるように、膜厚を制御すればよい。しかしながら、
第１の絶縁膜が厚すぎると、レーザーのエネルギーが結
晶性シリコン膜に十分に到達できず、レーザーアニール
の効果を得ることができない。また、第１の絶縁膜をゲ
イト絶縁膜として機能させることができなくなる。
【００３７】これらのことを考慮すると、例えば、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザー光に対して、図５からは、酸化シリ
コン膜の膜厚は３００Å〜５００Å程度にして、窒化シ
リコン膜の膜厚２５０Å〜４００Åとすればよいことが
分かる。ただし、図５の反射光の強度のは理論的なもの
であり、実際の反射光の強度は膜の屈折率、使用するレ
ーザーにより異なる。これらのことを考慮して、第１の
絶縁膜（酸化シリコン膜、窒化シリコン膜）の膜厚を適
宜に決定すればよい。例えは、ＫｒＦエキシマレーザー
光（波長２４８ｎｍ）を照射する場合には、酸化シリコ
ン膜の膜厚を３００〜６００Åとし、窒化シリコン膜の
膜厚を２５０〜５００Åとすればよい。また、ＸｅＣｌ
エキシマレーザー光（波長３０８ｎｍ）を照射する場合
には、酸化シリコン膜の膜厚を４００〜７００Åとし、
窒化シリコン膜の膜厚を３５０〜６００Åとすればよ
い。
Ｆエキシマレーザー光に対して、図５からは、酸化シリ
コン膜の膜厚は３００Å〜５００Å程度にして、窒化シ
リコン膜の膜厚２５０Å〜４００Åとすればよいことが
分かる。ただし、図５の反射光の強度のは理論的なもの
であり、実際の反射光の強度は膜の屈折率、使用するレ
ーザーにより異なる。これらのことを考慮して、第１の
絶縁膜（酸化シリコン膜、窒化シリコン膜）の膜厚を適
宜に決定すればよい。例えは、ＫｒＦエキシマレーザー
光（波長２４８ｎｍ）を照射する場合には、酸化シリコ
ン膜の膜厚を３００〜６００Åとし、窒化シリコン膜の
膜厚を２５０〜５００Åとすればよい。また、ＸｅＣｌ
エキシマレーザー光（波長３０８ｎｍ）を照射する場合
には、酸化シリコン膜の膜厚を４００〜７００Åとし、
窒化シリコン膜の膜厚を３５０〜６００Åとすればよ
い。
【００３８】なお、結晶性シリコン膜を形成する工程に
おいて、加熱処理することより、金属元素は非晶質シリ
コン膜に拡散するのみでなく、第１の絶縁膜の表面から
極浅い領域にも拡散してしまう。本発明では、第１の絶
縁膜と第２の絶縁膜の積層膜によりゲイト絶縁膜を構成
するので、第１の絶縁膜に金属元素が高濃度に存在する
と、ゲイト絶縁膜の特性を劣化してしまう。このため、
金属元素が高濃度に存在する第１の絶縁膜の表面を除去
することが好ましい。
おいて、加熱処理することより、金属元素は非晶質シリ
コン膜に拡散するのみでなく、第１の絶縁膜の表面から
極浅い領域にも拡散してしまう。本発明では、第１の絶
縁膜と第２の絶縁膜の積層膜によりゲイト絶縁膜を構成
するので、第１の絶縁膜に金属元素が高濃度に存在する
と、ゲイト絶縁膜の特性を劣化してしまう。このため、
金属元素が高濃度に存在する第１の絶縁膜の表面を除去
することが好ましい。
【００３９】具体的には、第１の絶縁膜の表面をメガソ
ニック等により洗浄した後に、希フッ酸により数１０〜
数１００Å程度エッチングすればよい。なお、エッチン
グして除去する膜厚は、第１の絶縁膜の膜質、使用する
金属により適宜に決定すればよい。また、この工程は、
結晶性シリコン膜を形成した後に実施すればよい。ま
た、レーザーアニール工程の前に行う場合には、第１の
絶縁膜の膜厚が反射防止膜として機能するように、エッ
チングするとよい。
ニック等により洗浄した後に、希フッ酸により数１０〜
数１００Å程度エッチングすればよい。なお、エッチン
グして除去する膜厚は、第１の絶縁膜の膜質、使用する
金属により適宜に決定すればよい。また、この工程は、
結晶性シリコン膜を形成した後に実施すればよい。ま
た、レーザーアニール工程の前に行う場合には、第１の
絶縁膜の膜厚が反射防止膜として機能するように、エッ
チングするとよい。
【００４０】
〔実施例１〕 図１、図２は本実施例の薄膜トランジス
タの作製工程を説明する断面図であり、本実施例では、
ニッケルを含有する溶液を使用してシリコン膜を結晶化
するようにしている。
タの作製工程を説明する断面図であり、本実施例では、
ニッケルを含有する溶液を使用してシリコン膜を結晶化
するようにしている。
【００４１】図１（Ａ）に示すようにガラス基板１０１
上に下地膜１０２として酸化シリコン膜を３０００Åの
厚さにスパッタ法で成膜する。そしてその上に非晶質シ
リコン膜１０３をプラズマＣＶＤ法または減圧熱ＣＶＤ
法で５００Åの厚さに成膜する。
上に下地膜１０２として酸化シリコン膜を３０００Åの
厚さにスパッタ法で成膜する。そしてその上に非晶質シ
リコン膜１０３をプラズマＣＶＤ法または減圧熱ＣＶＤ
法で５００Åの厚さに成膜する。
【００４２】非晶質シリコン膜１０３の表面を酸化して
図示しない酸化薄膜を１０〜５０Å程度形成する。この
酸化薄膜により、非晶質シリコン膜１０３の表面特性が
改善されて、水溶液を弾かなくすることができる。本実
施例では、酸素雰囲気中で紫外線を照射して、図示しな
い酸化薄膜を２０Åの厚さに形成する。
図示しない酸化薄膜を１０〜５０Å程度形成する。この
酸化薄膜により、非晶質シリコン膜１０３の表面特性が
改善されて、水溶液を弾かなくすることができる。本実
施例では、酸素雰囲気中で紫外線を照射して、図示しな
い酸化薄膜を２０Åの厚さに形成する。
【００４３】さらに、プラズマＣＶＤ法又は減圧ＣＶＤ
法により、酸化シリコン膜１０４を４００〜８００Åの
厚さに成膜する。ここで、下地膜１０２、非晶質シリコ
ン膜１０３、酸化シリコン膜１０４を連続的に成膜する
のが好ましい。特に、非晶質シリコン膜１０３と酸化シ
リコン膜１０４との界面は、最終的な薄膜トランジスタ
の状態までそのまま保持され、この界面特性が薄膜トラ
ンジスタの特性を左右するため、非晶質シリコン膜１０
３、酸化シリコン膜１０４の成膜には、特に注意が必要
である。
法により、酸化シリコン膜１０４を４００〜８００Åの
厚さに成膜する。ここで、下地膜１０２、非晶質シリコ
ン膜１０３、酸化シリコン膜１０４を連続的に成膜する
のが好ましい。特に、非晶質シリコン膜１０３と酸化シ
リコン膜１０４との界面は、最終的な薄膜トランジスタ
の状態までそのまま保持され、この界面特性が薄膜トラ
ンジスタの特性を左右するため、非晶質シリコン膜１０
３、酸化シリコン膜１０４の成膜には、特に注意が必要
である。
【００４４】酸化シリコン膜１０４を形成した後に、公
知のエッチング法により、紙面に垂直な方向に長手方向
を有する矩形状の開孔部１０４ａを形成する。このエッ
チング工程の際に、活性層形成以降の目印としてアライ
メント用のマーカを形成することができる。
知のエッチング法により、紙面に垂直な方向に長手方向
を有する矩形状の開孔部１０４ａを形成する。このエッ
チング工程の際に、活性層形成以降の目印としてアライ
メント用のマーカを形成することができる。
【００４５】酸化シリコン膜１０４のの開孔部１０４ａ
により露出されている非晶質シリコン膜１３の表面を酸
化して、図示しない酸化薄膜を１０〜５０Å程度形成す
る。この酸化薄膜により、非晶質シリコン膜１３の表面
特性が改善されて、水溶液を弾かなくすることができ
る。本実施例では、酸素雰囲気中で紫外線を照射して、
図示しない酸化薄膜を２０Åの厚さに形成する。
により露出されている非晶質シリコン膜１３の表面を酸
化して、図示しない酸化薄膜を１０〜５０Å程度形成す
る。この酸化薄膜により、非晶質シリコン膜１３の表面
特性が改善されて、水溶液を弾かなくすることができ
る。本実施例では、酸素雰囲気中で紫外線を照射して、
図示しない酸化薄膜を２０Åの厚さに形成する。
【００４６】この状態でシリコンの結晶化を助長する金
属元素であるニッケルを含んだ溶液を塗布する。本実施
例では、スピンコート法を用いて、ニッケルを１０ｐｐ
ｍ含有する酢酸ニッケル水溶液を塗布して、乾燥して、
極薄い酢酸ニッケル薄膜１０５を形成する。この際に、
開口部１０４ａにおいて、非晶質シリコン膜１０３の表
面には、図示しない酸化薄膜が形成されているが、その
膜厚は２０Åであるため、非晶質シリコン膜１０３の表
面が実質的に露出している状態である。従って、酸化シ
リコン膜１０４の開孔部１０４ａにおいて、非晶質シリ
コン膜１０３の表面に、ニッケルが接して保持された状
態が実現される。
属元素であるニッケルを含んだ溶液を塗布する。本実施
例では、スピンコート法を用いて、ニッケルを１０ｐｐ
ｍ含有する酢酸ニッケル水溶液を塗布して、乾燥して、
極薄い酢酸ニッケル薄膜１０５を形成する。この際に、
開口部１０４ａにおいて、非晶質シリコン膜１０３の表
面には、図示しない酸化薄膜が形成されているが、その
膜厚は２０Åであるため、非晶質シリコン膜１０３の表
面が実質的に露出している状態である。従って、酸化シ
リコン膜１０４の開孔部１０４ａにおいて、非晶質シリ
コン膜１０３の表面に、ニッケルが接して保持された状
態が実現される。
【００４７】図１（Ｂ）に示すように、窒素雰囲気中に
おいて、５５０℃、８時間の加熱処理をする。酢酸ニッ
ケル薄膜１０５は４００℃で分解して、酸化シリコン膜
１０４の開孔部１０４ａから、ニッケル元素が非晶質シ
リコン膜１０３中に拡散する。ニッケルが拡散するのに
伴って、矢印で示すように非晶質シリコン膜１０３が結
晶化（横成長）されて、結晶性シリコン膜１０６が形成
される。図１（Ｃ）に示すように、結晶性シリコン膜１
０６において、酢酸ニッケル薄膜１０５の直下の領域は
縦成長した領域１０６ａであり、その周辺の領域は横成
長した領域１０６ｂである。なお、この加熱処理は、４
５０℃〜６００℃の温度で行えばよい。基板としてガラ
ス基板を用いる場合には、この加熱処理の温度をガラス
基板の歪点以下の温度とすることが好ましい。これは、
ガラス基板の縮みや変形を防ぐためである。
おいて、５５０℃、８時間の加熱処理をする。酢酸ニッ
ケル薄膜１０５は４００℃で分解して、酸化シリコン膜
１０４の開孔部１０４ａから、ニッケル元素が非晶質シ
リコン膜１０３中に拡散する。ニッケルが拡散するのに
伴って、矢印で示すように非晶質シリコン膜１０３が結
晶化（横成長）されて、結晶性シリコン膜１０６が形成
される。図１（Ｃ）に示すように、結晶性シリコン膜１
０６において、酢酸ニッケル薄膜１０５の直下の領域は
縦成長した領域１０６ａであり、その周辺の領域は横成
長した領域１０６ｂである。なお、この加熱処理は、４
５０℃〜６００℃の温度で行えばよい。基板としてガラ
ス基板を用いる場合には、この加熱処理の温度をガラス
基板の歪点以下の温度とすることが好ましい。これは、
ガラス基板の縮みや変形を防ぐためである。
【００４８】次に、図１（Ｃ）に示すように、酸化シリ
コン膜１０４を除去しないで、レーザーアニールを実施
して、結晶性シリコン膜１６の結晶性をより向上させ
る。本実施例では、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４
８ｎｍ）、又はＸｅＣｌエキシマレーザー（波長３０４
ｎｍ）を照射する。この際に、結晶性シリコン膜１６の
表面には、酸化シリコン膜１０４が存在するため、リッ
ジの発生が抑制される。また、酸化シリコン膜１０４の
膜厚を５００Åとしたため、図５に示すように波長２４
８ｎｍの光に対して反射防止膜として機能するため、結
晶性シリコン膜１０６にレーザーエネルギーを効率良く
供与することができる。
コン膜１０４を除去しないで、レーザーアニールを実施
して、結晶性シリコン膜１６の結晶性をより向上させ
る。本実施例では、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４
８ｎｍ）、又はＸｅＣｌエキシマレーザー（波長３０４
ｎｍ）を照射する。この際に、結晶性シリコン膜１６の
表面には、酸化シリコン膜１０４が存在するため、リッ
ジの発生が抑制される。また、酸化シリコン膜１０４の
膜厚を５００Åとしたため、図５に示すように波長２４
８ｎｍの光に対して反射防止膜として機能するため、結
晶性シリコン膜１０６にレーザーエネルギーを効率良く
供与することができる。
【００４９】なお、レーザーアニール工程の前に、ニッ
ケルが高濃度に存在する酸化シリコン膜１０４の表面を
数１０〜数１００Å程度の厚さ除去するとよい。この場
合には、先ずメガソニック等で洗浄して、希フッ酸によ
りエッチングすればよい。更に、エッチングの際に、酸
化シリコン膜１０４の膜厚を使用するレーザーに対する
反射防止膜として機能するようにするとよい。このた
め、このエッチング工程で除去する厚さを考慮して、酸
化シリコン膜１０４の膜厚を決定するとよい。
ケルが高濃度に存在する酸化シリコン膜１０４の表面を
数１０〜数１００Å程度の厚さ除去するとよい。この場
合には、先ずメガソニック等で洗浄して、希フッ酸によ
りエッチングすればよい。更に、エッチングの際に、酸
化シリコン膜１０４の膜厚を使用するレーザーに対する
反射防止膜として機能するようにするとよい。このた
め、このエッチング工程で除去する厚さを考慮して、酸
化シリコン膜１０４の膜厚を決定するとよい。
【００５０】図１（Ｄ）に示すように、酸化シリコン膜
１０４か積層された状態で、結晶性シリコン膜１０６を
島状にエッチングして、活性層１０７を形成する。な
お、エッチングされた酸化シリコン膜１０４はゲイト絶
縁膜として機能する。エッチングの終了後に、プラズマ
ＣＶＤ法、又は減圧ＣＶＤ法により、酸化シリコン膜１
０９を１０００Åの厚さに成膜する。これらの酸化シリ
コン膜１０４と１０９が一体となって、ゲイト絶縁膜と
して機能する。
１０４か積層された状態で、結晶性シリコン膜１０６を
島状にエッチングして、活性層１０７を形成する。な
お、エッチングされた酸化シリコン膜１０４はゲイト絶
縁膜として機能する。エッチングの終了後に、プラズマ
ＣＶＤ法、又は減圧ＣＶＤ法により、酸化シリコン膜１
０９を１０００Åの厚さに成膜する。これらの酸化シリ
コン膜１０４と１０９が一体となって、ゲイト絶縁膜と
して機能する。
【００５１】本実施例では、ゲイト絶縁膜の下層を酸化
シリコン膜１０４で形成したが、窒化シリコン膜で形成
することも可能である。この場合には、レーザーアニー
ル工程で使用するレーザー光の波長に応じて、窒化シリ
コン膜の膜厚を制御して、反射防止膜として機能できる
ようにする。また、ゲイト絶縁膜の上層を構成する酸化
シリコン１０９の代わりに、窒化シリコン膜を堆積して
もよい。
シリコン膜１０４で形成したが、窒化シリコン膜で形成
することも可能である。この場合には、レーザーアニー
ル工程で使用するレーザー光の波長に応じて、窒化シリ
コン膜の膜厚を制御して、反射防止膜として機能できる
ようにする。また、ゲイト絶縁膜の上層を構成する酸化
シリコン１０９の代わりに、窒化シリコン膜を堆積して
もよい。
【００５２】酸化シリコン膜１０９を形成した後に、図
２（Ａ）に示すように、酸化シリコン膜１０４と１０９
から成るゲイト絶縁膜１１０の表面に、アルミニウム膜
をスパッタ法により４０００Åの厚さに堆積し、パター
ニングしてゲイト電極１１１を形成する。なお、アルミ
ニウムには、予め、スカンジウムが０．２重量％含有さ
せて、後の加熱工程等において、ヒロックやウィスカー
が発生するのを抑制する。
２（Ａ）に示すように、酸化シリコン膜１０４と１０９
から成るゲイト絶縁膜１１０の表面に、アルミニウム膜
をスパッタ法により４０００Åの厚さに堆積し、パター
ニングしてゲイト電極１１１を形成する。なお、アルミ
ニウムには、予め、スカンジウムが０．２重量％含有さ
せて、後の加熱工程等において、ヒロックやウィスカー
が発生するのを抑制する。
【００５３】図２（Ｂ）に示すように、特開平５−２６
７６６７に開示されている陽極酸化技術により、ゲイト
電極１１１の周囲に膜厚が１５００〜２０００Åの陽極
酸化物１１２を形成する。本実施例では、酒石酸を３％
含有するエチレングリコール溶液をアンモニア水でＰＨ
６．９に中和した電解溶液中で、ゲイト電極１０５を陽
極にして、電圧を印加する。この結果、ゲイト電極１１
１の周囲に緻密で強固な陽極酸化物１１２が形成され
る。陽極酸化物１１２の膜厚によりオフセットの長さが
決定され、陽極酸化物１１２の膜厚はゲイト電極１１１
に印加する電圧で制御できる。
７６６７に開示されている陽極酸化技術により、ゲイト
電極１１１の周囲に膜厚が１５００〜２０００Åの陽極
酸化物１１２を形成する。本実施例では、酒石酸を３％
含有するエチレングリコール溶液をアンモニア水でＰＨ
６．９に中和した電解溶液中で、ゲイト電極１０５を陽
極にして、電圧を印加する。この結果、ゲイト電極１１
１の周囲に緻密で強固な陽極酸化物１１２が形成され
る。陽極酸化物１１２の膜厚によりオフセットの長さが
決定され、陽極酸化物１１２の膜厚はゲイト電極１１１
に印加する電圧で制御できる。
【００５４】図２（Ｃ）に示すように、イオンドーピン
グ法によって、ゲイト電極１１１、及びその周囲の陽極
酸化物１１２をマスクにして、活性層１０７に不純物を
注入する。Ｐチャネル型薄膜トランジスタを形成するに
は、燐を注入する。ドーピングガスにフォスフィン（Ｐ
Ｈ3 ）を用いて、燐イオンを注入する。他方、Ｎチャネ
ル型薄膜トランジスタを形成するには、ドーピングガス
にジボラン（Ｂ2 Ｈ6）を使用して、ホウ素イオンを注
入する。この結果、活性層１０７にはソース領域１１
３、ドレイン領域１１４、チャネル領域１１５がそれぞ
れ自己整合的に、形成される。
グ法によって、ゲイト電極１１１、及びその周囲の陽極
酸化物１１２をマスクにして、活性層１０７に不純物を
注入する。Ｐチャネル型薄膜トランジスタを形成するに
は、燐を注入する。ドーピングガスにフォスフィン（Ｐ
Ｈ3 ）を用いて、燐イオンを注入する。他方、Ｎチャネ
ル型薄膜トランジスタを形成するには、ドーピングガス
にジボラン（Ｂ2 Ｈ6）を使用して、ホウ素イオンを注
入する。この結果、活性層１０７にはソース領域１１
３、ドレイン領域１１４、チャネル領域１１５がそれぞ
れ自己整合的に、形成される。
【００５５】本実施例では、ゲイト電極１１１の周囲に
陽極酸化物１１２を形成したため、ソース領域１１３、
ドレイン領域１１４が陽極酸化物１１２の厚さ分だけゲ
イト電極１１１の端部からずれた、オフセット構造とす
ることができる。このオフセット領域は高抵抗領域とし
て機能するために、薄膜トランジスタのオフ電流を低減
することができる。
陽極酸化物１１２を形成したため、ソース領域１１３、
ドレイン領域１１４が陽極酸化物１１２の厚さ分だけゲ
イト電極１１１の端部からずれた、オフセット構造とす
ることができる。このオフセット領域は高抵抗領域とし
て機能するために、薄膜トランジスタのオフ電流を低減
することができる。
【００５６】図２（Ｄ）に示すように、層間絶縁物１１
６として、プラズマＣＶＤ法により酸化シリコン膜を６
０００Åの膜厚に成膜する。なお、層間絶縁物１１６と
して、酸化シリコン膜の単層膜の代わりに、窒化シリコ
ン膜や、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の多層膜を使
用することもできる。層間絶縁物１１６、ゲイト絶縁膜
１１０をエッチングして、ソース領域１０７、ドレイン
領域１０８のコンタクトホールを形成する。これらのコ
ンタクトホールにチタン、アルミニウムの多層膜を形成
して、パターニングして、上層配線・電極１１７、１１
８をそれぞれ形成する。
６として、プラズマＣＶＤ法により酸化シリコン膜を６
０００Åの膜厚に成膜する。なお、層間絶縁物１１６と
して、酸化シリコン膜の単層膜の代わりに、窒化シリコ
ン膜や、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の多層膜を使
用することもできる。層間絶縁物１１６、ゲイト絶縁膜
１１０をエッチングして、ソース領域１０７、ドレイン
領域１０８のコンタクトホールを形成する。これらのコ
ンタクトホールにチタン、アルミニウムの多層膜を形成
して、パターニングして、上層配線・電極１１７、１１
８をそれぞれ形成する。
【００５７】最後に、水素雰囲気中で、３００℃の温度
で加熱処理して、薄膜トランジスタが完成される。
で加熱処理して、薄膜トランジスタが完成される。
【００５８】本実施例では、酸化シリコン１０４を形成
してから、薄膜トランジスタを完成するまで、活性層１
０７（結晶シリコン膜１０６）の表面を露出しないよう
にしたため、表面の汚染を防止することができ、レーザ
ーアニールによって発生するリッジを抑制するためのキ
ャップ層として機能させることができる。
してから、薄膜トランジスタを完成するまで、活性層１
０７（結晶シリコン膜１０６）の表面を露出しないよう
にしたため、表面の汚染を防止することができ、レーザ
ーアニールによって発生するリッジを抑制するためのキ
ャップ層として機能させることができる。
【００５９】更に、酸化シリコン１０４の膜厚を使用す
るレーザー光の波長に対する反射防止膜として機能する
ように制御したため、レーザーエネルギーを有効に供与
することができる。
るレーザー光の波長に対する反射防止膜として機能する
ように制御したため、レーザーエネルギーを有効に供与
することができる。
【００６０】〔実施例２〕 図３、図４は実施例２の薄
膜トランジスタの作製工程を説明する断面図であり、図
３（Ａ）に示すように、ガラス基板２０１（コーニング
１７３７又はコーニング７０５９）上に、スパッタ法に
より、下地膜２０２として酸化シリコン膜を１０００〜
５０００Åの厚さ、例えば、１２００Åの厚さに成膜す
る。次に、プラズマＣＶＤ法により、非晶質シリコン膜
２０３を５００Åの厚さに成膜する。ここで、下地膜２
０２、非晶質シリコン膜２０３を連続的に成膜するのが
好ましい。
膜トランジスタの作製工程を説明する断面図であり、図
３（Ａ）に示すように、ガラス基板２０１（コーニング
１７３７又はコーニング７０５９）上に、スパッタ法に
より、下地膜２０２として酸化シリコン膜を１０００〜
５０００Åの厚さ、例えば、１２００Åの厚さに成膜す
る。次に、プラズマＣＶＤ法により、非晶質シリコン膜
２０３を５００Åの厚さに成膜する。ここで、下地膜２
０２、非晶質シリコン膜２０３を連続的に成膜するのが
好ましい。
【００６１】次に、熱酸化法により、非晶質シリコン膜
２０３の表面に数１０Åの膜厚のシリコン熱酸化膜２０
４を形成する。熱酸化時の雰囲気、圧力等の条件は適宜
に選択すればよいが、加熱温度、時間は非晶質シリコン
膜２０３が結晶化せず、かつガラス基板２０１が変形し
ないように制御する必要がある。この酸化工程におい
て、非晶質シリコン膜２０３と熱酸化シリコン膜２０４
との界面は、最終的な薄膜トランジスタの状態まで、そ
のまま保持されて、この界面特性を良好に保つことがで
きるので、薄膜トランジスタの特性を良好にすることが
できる。
２０３の表面に数１０Åの膜厚のシリコン熱酸化膜２０
４を形成する。熱酸化時の雰囲気、圧力等の条件は適宜
に選択すればよいが、加熱温度、時間は非晶質シリコン
膜２０３が結晶化せず、かつガラス基板２０１が変形し
ないように制御する必要がある。この酸化工程におい
て、非晶質シリコン膜２０３と熱酸化シリコン膜２０４
との界面は、最終的な薄膜トランジスタの状態まで、そ
のまま保持されて、この界面特性を良好に保つことがで
きるので、薄膜トランジスタの特性を良好にすることが
できる。
【００６２】次に、シリコン熱酸化膜２０４の表面に、
プラズマＣＶＤ法又は、減圧ＣＶＤ法により、酸化シリ
コン膜２０５を成膜する。なお、シリコン熱酸化膜２０
４と酸化シリコン膜２０５が一体となって、金属元素を
導入する際のマスク膜として機能させると共に、レーザ
ーアニールの際に、レーザー光に対する反射防止膜とし
て機能させるために、使用するレーザーの波長に対応し
て、シリコン熱酸化膜２０４と酸化シリコン膜２０５と
積層膜の膜厚を制御する必要がある。
プラズマＣＶＤ法又は、減圧ＣＶＤ法により、酸化シリ
コン膜２０５を成膜する。なお、シリコン熱酸化膜２０
４と酸化シリコン膜２０５が一体となって、金属元素を
導入する際のマスク膜として機能させると共に、レーザ
ーアニールの際に、レーザー光に対する反射防止膜とし
て機能させるために、使用するレーザーの波長に対応し
て、シリコン熱酸化膜２０４と酸化シリコン膜２０５と
積層膜の膜厚を制御する必要がある。
【００６３】図３（Ｂ）に示すように、酸化シリコン膜
２０５とシリコン熱酸化膜２０４をエッチングして、紙
面に垂直な方向に長手方向を有する矩形状の開孔部２０
６を形成する。この際に、活性層形成工程以降のアライ
メント用のマーカを形成することもできる。
２０５とシリコン熱酸化膜２０４をエッチングして、紙
面に垂直な方向に長手方向を有する矩形状の開孔部２０
６を形成する。この際に、活性層形成工程以降のアライ
メント用のマーカを形成することもできる。
【００６４】次に、酸化シリコン膜２０５の開孔部２０
６により露出されている非晶質シリコン膜２０３の表面
を酸化して、図示しない酸化薄膜を１０〜５０Å程度形
成する。この酸化薄膜により、非晶質シリコン膜２０３
の表面特性が改善されて、水溶液を弾かなくすることが
できる。酸化薄膜の形成方法には、酸素雰囲気中で紫外
線を照射する方法、オゾン水、過酸化水素水に基板を浸
す方法を採用することができる。
６により露出されている非晶質シリコン膜２０３の表面
を酸化して、図示しない酸化薄膜を１０〜５０Å程度形
成する。この酸化薄膜により、非晶質シリコン膜２０３
の表面特性が改善されて、水溶液を弾かなくすることが
できる。酸化薄膜の形成方法には、酸素雰囲気中で紫外
線を照射する方法、オゾン水、過酸化水素水に基板を浸
す方法を採用することができる。
【００６５】この状態でシリコンの結晶化を助長する金
属元素であるニッケルを含んだ溶液を塗布する。本実施
例では、１〜１００ｐｐｍの酢酸ニッケル水溶液をスピ
ンコート法を用いて塗布して、極薄い酢酸ニッケル薄膜
２０７を形成する。これにより、酸化シリコン膜１０４
の開孔部１０４ａにおいて、非晶質シリコン膜２０３の
表面にニッケルが接して保持された状態が実現される。
属元素であるニッケルを含んだ溶液を塗布する。本実施
例では、１〜１００ｐｐｍの酢酸ニッケル水溶液をスピ
ンコート法を用いて塗布して、極薄い酢酸ニッケル薄膜
２０７を形成する。これにより、酸化シリコン膜１０４
の開孔部１０４ａにおいて、非晶質シリコン膜２０３の
表面にニッケルが接して保持された状態が実現される。
【００６６】図３（Ｃ）に示すように、窒素雰囲気中に
おいて、５５０℃、８時間の加熱処理をする。酢酸ニッ
ケル薄膜２０７は４００℃で分解して、開孔部２０７か
らニッケル元素が非晶質シリコン膜２０３中に拡散す
る。ニッケルが拡散するのに伴って、矢印で示すように
非晶質シリコン膜２０３が結晶化（横成長）されて、結
晶性シリコン膜２０８が形成される。
おいて、５５０℃、８時間の加熱処理をする。酢酸ニッ
ケル薄膜２０７は４００℃で分解して、開孔部２０７か
らニッケル元素が非晶質シリコン膜２０３中に拡散す
る。ニッケルが拡散するのに伴って、矢印で示すように
非晶質シリコン膜２０３が結晶化（横成長）されて、結
晶性シリコン膜２０８が形成される。
【００６７】図３（Ｄ）に示すように、結晶性シリコン
膜２０８において、開口部２０６の直下の領域は縦成長
した領域２０８ａであり、その周辺の領域は横成長した
領域２０８ｂである。
膜２０８において、開口部２０６の直下の領域は縦成長
した領域２０８ａであり、その周辺の領域は横成長した
領域２０８ｂである。
【００６８】図３（Ｄ）に示すようにシリコン熱酸化膜
２０４、酸化シリコン膜２０５を除去しないで、レーザ
ーアニールをして、結晶性シリコン膜２０８の結晶性を
向上させる。本実施例では、ＫｒＦエキシマレーザー
（波長２４８ｎｍ）、又はＸｅＣｌエキシマレーザー
（波長３０４ｎｍ）を照射する。この際に、結晶性シリ
コン膜２０８の表面には、シリコン熱酸化膜２０４、酸
化シリコン膜２０５から成るキャップ層が存在するた
め、リッジが発生するのが抑制される。また、シリコン
熱酸化膜２０４、酸化シリコン膜２０５の積層膜の膜厚
を５００Åとしたため、図５に示すように波長２４８ｎ
ｍの光に対して反射防止膜として機能するため、結晶性
シリコン膜２０８にレーザーエネルギーを効率良く供与
することができる。
２０４、酸化シリコン膜２０５を除去しないで、レーザ
ーアニールをして、結晶性シリコン膜２０８の結晶性を
向上させる。本実施例では、ＫｒＦエキシマレーザー
（波長２４８ｎｍ）、又はＸｅＣｌエキシマレーザー
（波長３０４ｎｍ）を照射する。この際に、結晶性シリ
コン膜２０８の表面には、シリコン熱酸化膜２０４、酸
化シリコン膜２０５から成るキャップ層が存在するた
め、リッジが発生するのが抑制される。また、シリコン
熱酸化膜２０４、酸化シリコン膜２０５の積層膜の膜厚
を５００Åとしたため、図５に示すように波長２４８ｎ
ｍの光に対して反射防止膜として機能するため、結晶性
シリコン膜２０８にレーザーエネルギーを効率良く供与
することができる。
【００６９】なお、レーザーアニール工程の前に、ニッ
ケルが高濃度に存在する酸化シリコン膜２０５の表面を
数１０〜数１００Å程度の厚さ除去するとよい。この場
合には、先ずメガソニック等で洗浄して、希フッ酸によ
りエッチングすればよい。更に、この際に、シリコン熱
酸化膜２０４と酸化シリコン膜２０５との積層膜の膜厚
を使用するレーザーに対する反射防止膜として機能する
ようにエッチングするとよい。このため、このエッチン
グ工程で除去する厚さを考慮して、酸化シリコン膜２０
５の膜厚を決定するとよい。
ケルが高濃度に存在する酸化シリコン膜２０５の表面を
数１０〜数１００Å程度の厚さ除去するとよい。この場
合には、先ずメガソニック等で洗浄して、希フッ酸によ
りエッチングすればよい。更に、この際に、シリコン熱
酸化膜２０４と酸化シリコン膜２０５との積層膜の膜厚
を使用するレーザーに対する反射防止膜として機能する
ようにエッチングするとよい。このため、このエッチン
グ工程で除去する厚さを考慮して、酸化シリコン膜２０
５の膜厚を決定するとよい。
【００７０】次に、図３（Ｅ）に示すように、次に、シ
リコン熱酸化膜２０４、酸化シリコン膜２０５が積層さ
れた状態で、結晶性シリコン膜２０８を島状にエッチン
グして、活性層２０９を形成する。なお、エッチングさ
れたシリコン熱酸化膜２０４、酸化シリコン膜２０５か
らなる積層膜はゲイト絶縁膜を構成する。
リコン熱酸化膜２０４、酸化シリコン膜２０５が積層さ
れた状態で、結晶性シリコン膜２０８を島状にエッチン
グして、活性層２０９を形成する。なお、エッチングさ
れたシリコン熱酸化膜２０４、酸化シリコン膜２０５か
らなる積層膜はゲイト絶縁膜を構成する。
【００７１】図３（Ｆ）に示すように、エッチングの終
了後に、プラズマＣＶＤ法、又は減圧ＣＶＤ法により、
酸化シリコン膜２１０を１０００Åの厚さに成膜する。
これらのシリコン熱酸化膜２０４、酸化シリコン膜２０
５と２１０とが一体となって、ゲイト絶縁膜として機能
する。
了後に、プラズマＣＶＤ法、又は減圧ＣＶＤ法により、
酸化シリコン膜２１０を１０００Åの厚さに成膜する。
これらのシリコン熱酸化膜２０４、酸化シリコン膜２０
５と２１０とが一体となって、ゲイト絶縁膜として機能
する。
【００７２】図４（Ａ）に示すように、シリコン熱酸化
膜２０４、酸化シリコン膜２０５、２１０から成る積層
膜２１１の表面に、ゲイト電極２１２を構成するアルミ
ニウム膜をスパッタ法により５０００Åの厚さに堆積
し、パターニングする。なお、アルミニウムには、予
め、スカンジウムを０．２重量％含有させて、後の加熱
工程等において、ヒロックやウィスカーが発生するのを
抑制するとよい。
膜２０４、酸化シリコン膜２０５、２１０から成る積層
膜２１１の表面に、ゲイト電極２１２を構成するアルミ
ニウム膜をスパッタ法により５０００Åの厚さに堆積
し、パターニングする。なお、アルミニウムには、予
め、スカンジウムを０．２重量％含有させて、後の加熱
工程等において、ヒロックやウィスカーが発生するのを
抑制するとよい。
【００７３】次に、アルミニウム膜の表面を陽極酸化し
て、緻密な陽極酸化物２１３を極薄く形成する。次に、
アルミニウム膜の表面にレジストのマスク２１４を形成
する。この際に、アルミニウム膜の表面に緻密な陽極酸
化物２１３が形成されているため、レジストのマスク２
１３を密着させて形成することができる。レジストのマ
スク２１４を使用して、アルミニウム膜をエッチングし
て、ゲイト電極２１２を形成する。
て、緻密な陽極酸化物２１３を極薄く形成する。次に、
アルミニウム膜の表面にレジストのマスク２１４を形成
する。この際に、アルミニウム膜の表面に緻密な陽極酸
化物２１３が形成されているため、レジストのマスク２
１３を密着させて形成することができる。レジストのマ
スク２１４を使用して、アルミニウム膜をエッチングし
て、ゲイト電極２１２を形成する。
【００７４】図４（Ｂ）に示すように、レジストのマス
ク２１４を残したまま、ゲイト電極２１２を陽極酸化し
て、多孔質の陽極酸化物２１５をゲイト電極２１２の側
面に４０００Åの厚さに形成する。
ク２１４を残したまま、ゲイト電極２１２を陽極酸化し
て、多孔質の陽極酸化物２１５をゲイト電極２１２の側
面に４０００Åの厚さに形成する。
【００７５】図４（Ｃ）に示すように、レジストのマス
ク２１４を剥離して、ゲイト電極２１２を電解溶液中で
再び陽極酸化して、緻密な陽極酸化物２１６を１０００
Åの厚さに形成する。
ク２１４を剥離して、ゲイト電極２１２を電解溶液中で
再び陽極酸化して、緻密な陽極酸化物２１６を１０００
Åの厚さに形成する。
【００７６】陽極酸化物の作り分けは、使用する電解溶
液を変えればよく、多孔質の陽極酸化物２１５を形成す
る場合には、クエン酸、シュウ酸、クロム酸又は硫酸を
３〜２０％含有した酸性溶液を使用する。他方、緻密な
陽極酸化物２１６を形成する場合には、酒石酸、ほう
酸、又は硝酸が３〜１０％含有されたエチレングリコー
ル溶液をＰＨを７程度に調整した電解溶液を使用する。
液を変えればよく、多孔質の陽極酸化物２１５を形成す
る場合には、クエン酸、シュウ酸、クロム酸又は硫酸を
３〜２０％含有した酸性溶液を使用する。他方、緻密な
陽極酸化物２１６を形成する場合には、酒石酸、ほう
酸、又は硝酸が３〜１０％含有されたエチレングリコー
ル溶液をＰＨを７程度に調整した電解溶液を使用する。
【００７７】図４（Ｄ）に示すように、ゲイト電極２１
２及びその周囲の多孔質の陽極酸化物２１５、緻密な陽
極酸化物２１６をマスクにして、シリコン熱酸化膜２０
４、酸化シリコン膜２０５、２１０から成る積層膜２１
１をエッチングして、ゲイト絶縁膜２１７を形成する。
２及びその周囲の多孔質の陽極酸化物２１５、緻密な陽
極酸化物２１６をマスクにして、シリコン熱酸化膜２０
４、酸化シリコン膜２０５、２１０から成る積層膜２１
１をエッチングして、ゲイト絶縁膜２１７を形成する。
【００７８】図４（Ｅ）に示すように、多孔質の陽極酸
化物２１５を除去する。イオンドーピング法により、ゲ
イト電極２１２、緻密な陽極酸化物２１６、及びゲイト
絶縁膜２１７をマスクにして、活性層２０９に不純物を
注入する。本実施例では、Ｐチャネル型ＴＦＴを形成す
るには、ドーピングガスにフォスヒィン（ＰＨ3 ）を使
用して、燐イオンをドーピングする。
化物２１５を除去する。イオンドーピング法により、ゲ
イト電極２１２、緻密な陽極酸化物２１６、及びゲイト
絶縁膜２１７をマスクにして、活性層２０９に不純物を
注入する。本実施例では、Ｐチャネル型ＴＦＴを形成す
るには、ドーピングガスにフォスヒィン（ＰＨ3 ）を使
用して、燐イオンをドーピングする。
【００７９】ドーピング工程において、ゲイト絶縁膜２
１７は半透過なマスクとして機能するために、ゲイト絶
縁膜２１７に覆われていない領域は高濃度に不純物が注
入されて、ソース領域２１８、ドレイン領域２１９が形
成される。また、ゲイト絶縁膜２１７のみに覆われてい
る領域は、低濃度不純物領域２２０、２２１が形成され
て、ゲイト電極２１２の直下の領域は不純物が注入され
ないために、チャネル領域２２２が形成される。
１７は半透過なマスクとして機能するために、ゲイト絶
縁膜２１７に覆われていない領域は高濃度に不純物が注
入されて、ソース領域２１８、ドレイン領域２１９が形
成される。また、ゲイト絶縁膜２１７のみに覆われてい
る領域は、低濃度不純物領域２２０、２２１が形成され
て、ゲイト電極２１２の直下の領域は不純物が注入され
ないために、チャネル領域２２２が形成される。
【００８０】低濃度不純物領域２２０、２２１は高抵抗
領域として機能するため、オフ電流の低減に寄与するこ
とになる。特に、ドレイン領域２１９側の低濃度不純物
領域２２１はＬＤＤ領域と呼ばれいてる。また、緻密な
陽極酸化物２１６を十分に厚くすることにより、緻密な
陽極酸化物２１６の直下の領域をオフセット領域とする
こともでき、オフ電流をより低減することができる。
領域として機能するため、オフ電流の低減に寄与するこ
とになる。特に、ドレイン領域２１９側の低濃度不純物
領域２２１はＬＤＤ領域と呼ばれいてる。また、緻密な
陽極酸化物２１６を十分に厚くすることにより、緻密な
陽極酸化物２１６の直下の領域をオフセット領域とする
こともでき、オフ電流をより低減することができる。
【００８１】ドーピング工程の後に、図４（Ｆ）に示す
ように、プラズマＣＶＤ法によって、層間絶縁物２２３
として酸化シリコン膜を５０００Åの厚さに成膜する。
なお、層間絶縁物２２３には、酸化シリコン膜の単層膜
の代わりに、窒化シリコン膜の単層膜、又は酸化シリコ
ン膜と窒化シリコン膜の積層膜を使用してもよい。
ように、プラズマＣＶＤ法によって、層間絶縁物２２３
として酸化シリコン膜を５０００Åの厚さに成膜する。
なお、層間絶縁物２２３には、酸化シリコン膜の単層膜
の代わりに、窒化シリコン膜の単層膜、又は酸化シリコ
ン膜と窒化シリコン膜の積層膜を使用してもよい。
【００８２】次に、ドライエッチング法によって酸化シ
リコン膜から成る層間絶縁物２２３をエッチングして、
ソース領域２１８、ドレイン領域２１９それぞれにコン
タクトホールを形成する。これらのコンタクトホール
に、アルミニウム膜を４０００Åの厚さにスパッタリン
グ法によって成膜し、これをエッチングして、上層配線
・電極２２４、２２５を形成する。
リコン膜から成る層間絶縁物２２３をエッチングして、
ソース領域２１８、ドレイン領域２１９それぞれにコン
タクトホールを形成する。これらのコンタクトホール
に、アルミニウム膜を４０００Åの厚さにスパッタリン
グ法によって成膜し、これをエッチングして、上層配線
・電極２２４、２２５を形成する。
【００８３】最後に、水素雰囲気中で、３５０℃の温度
で加熱処理する。以上の工程を経て、薄膜トランジスタ
が完成される。
で加熱処理する。以上の工程を経て、薄膜トランジスタ
が完成される。
【００８４】本実施例では、シリコン熱酸化膜２０４を
形成してから、薄膜トランジスタが完成された状態ま
で、活性層２０９（結晶シリコン膜２０８）の表面を露
出しないようにしたため、表面の汚染を防止することが
できる。
形成してから、薄膜トランジスタが完成された状態ま
で、活性層２０９（結晶シリコン膜２０８）の表面を露
出しないようにしたため、表面の汚染を防止することが
できる。
【００８５】また、実施例１では、活性層の表面にＣＶ
Ｄ法によって酸化シリコン膜を形成するようにしている
が、本実施例では、活性層２０９の表面に熱酸化膜を成
長するようにしたため、ゲイト絶縁膜と活性層との界面
をより良好にすることができ、より特性の優れた薄膜ト
ランジスタを得ることができる。
Ｄ法によって酸化シリコン膜を形成するようにしている
が、本実施例では、活性層２０９の表面に熱酸化膜を成
長するようにしたため、ゲイト絶縁膜と活性層との界面
をより良好にすることができ、より特性の優れた薄膜ト
ランジスタを得ることができる。
【００８６】また、本実施例では、レーザーアニールの
際に、シリコン熱酸化膜２０４、酸化シリコン膜２０５
から成る積層膜をリッジの発生を抑制するためのキャッ
プ層して機能させると同時に、使用するレーザー光の波
長に対する反射防止膜として機能するように制御したた
め、レーザーエネルギーを効率良く結晶性シリコン膜２
０８に供与することがてきる。
際に、シリコン熱酸化膜２０４、酸化シリコン膜２０５
から成る積層膜をリッジの発生を抑制するためのキャッ
プ層して機能させると同時に、使用するレーザー光の波
長に対する反射防止膜として機能するように制御したた
め、レーザーエネルギーを効率良く結晶性シリコン膜２
０８に供与することがてきる。
【００８７】〔実施例３〕 本実施例を図１に従って説
明する。図１（Ａ）に示すようにガラス基板１０１上
に、下地膜１０２として酸化シリコン膜を３０００Åの
厚さにスパッタ法で成膜する。そしてその上に非晶質シ
リコン膜１０３をプラズマＣＶＤ法または減圧熱ＣＶＤ
法で５００Åの厚さに成膜する。
明する。図１（Ａ）に示すようにガラス基板１０１上
に、下地膜１０２として酸化シリコン膜を３０００Åの
厚さにスパッタ法で成膜する。そしてその上に非晶質シ
リコン膜１０３をプラズマＣＶＤ法または減圧熱ＣＶＤ
法で５００Åの厚さに成膜する。
【００８８】さらに、プラズマＣＶＤ法又は減圧ＣＶＤ
法により、酸化シリコン膜１０４を成膜する。なお、下
地膜１０２、非晶質シリコン膜１０３、酸化シリコン膜
１０４を連続的に成膜するのが好ましい。特に、非晶質
シリコン膜１０３と酸化シリコン膜１０４との界面は、
最終的な薄膜トランジスタの状態まで、そのまま保持さ
れ、この界面特性が薄膜トランジスタの特性を左右する
ため、非晶質シリコン膜１０３、酸化シリコン膜１０４
の成膜には、特に注意が必要である。
法により、酸化シリコン膜１０４を成膜する。なお、下
地膜１０２、非晶質シリコン膜１０３、酸化シリコン膜
１０４を連続的に成膜するのが好ましい。特に、非晶質
シリコン膜１０３と酸化シリコン膜１０４との界面は、
最終的な薄膜トランジスタの状態まで、そのまま保持さ
れ、この界面特性が薄膜トランジスタの特性を左右する
ため、非晶質シリコン膜１０３、酸化シリコン膜１０４
の成膜には、特に注意が必要である。
【００８９】公知のエッチング法により、酸化シリコン
膜１０４に紙面に垂直な方向に長手方向を有する矩形状
の開孔部１０４ａを形成する。この際に、活性層形成以
降の目印としてのアライメント用のマーカを形成するこ
とができる。
膜１０４に紙面に垂直な方向に長手方向を有する矩形状
の開孔部１０４ａを形成する。この際に、活性層形成以
降の目印としてのアライメント用のマーカを形成するこ
とができる。
【００９０】酸化シリコン膜１０４の開孔部１０４ａに
より露出されている非晶質シリコン膜１０３の表面を酸
化して図示しない酸化薄膜を１０〜５０Å程度形成す
る。この酸化薄膜により、非晶質シリコン膜１０３の表
面特性が改善されて、水溶液を弾かなくすることができ
る。酸化薄膜の形成方法には、酸素雰囲気中で紫外線を
照射する方法、オゾン水、過酸化水素水に基板を浸す方
法を採用することができる。
より露出されている非晶質シリコン膜１０３の表面を酸
化して図示しない酸化薄膜を１０〜５０Å程度形成す
る。この酸化薄膜により、非晶質シリコン膜１０３の表
面特性が改善されて、水溶液を弾かなくすることができ
る。酸化薄膜の形成方法には、酸素雰囲気中で紫外線を
照射する方法、オゾン水、過酸化水素水に基板を浸す方
法を採用することができる。
【００９１】次に、１〜１００ｐｐｍの酢酸ニッケル水
溶液をスピンコート法を用いて塗布して、極薄い酢酸ニ
ッケル薄膜１０５を形成する。これにより、酸化シリコ
ン膜１０４の開孔部１０４ａにおいて、非晶質シリコン
膜１０３の表面に、ニッケルが接して保持された状態が
実現される。
溶液をスピンコート法を用いて塗布して、極薄い酢酸ニ
ッケル薄膜１０５を形成する。これにより、酸化シリコ
ン膜１０４の開孔部１０４ａにおいて、非晶質シリコン
膜１０３の表面に、ニッケルが接して保持された状態が
実現される。
【００９２】図１（Ｂ）に示すように、窒素雰囲気中に
おいて、５５０℃、４時間の加熱処理をする。酢酸ニッ
ケル薄膜１０５は４００℃で分解して、酸化シリコン膜
１０４の開孔部１０４ａから、ニッケル元素が非晶質シ
リコン膜１０３中に拡散する。ニッケルが拡散するのに
伴って、矢印で示すように非晶質シリコン膜１０３が結
晶化（横成長）されて、結晶性シリコン膜１０６が形成
される。
おいて、５５０℃、４時間の加熱処理をする。酢酸ニッ
ケル薄膜１０５は４００℃で分解して、酸化シリコン膜
１０４の開孔部１０４ａから、ニッケル元素が非晶質シ
リコン膜１０３中に拡散する。ニッケルが拡散するのに
伴って、矢印で示すように非晶質シリコン膜１０３が結
晶化（横成長）されて、結晶性シリコン膜１０６が形成
される。
【００９３】図１（Ｃ）に示すように、結晶性シリコン
膜１０６において、酢酸ニッケル薄膜１０５の直下の領
域は縦成長した領域１０６ａであり、その周辺の領域は
横成長した領域１０６ｂである。
膜１０６において、酢酸ニッケル薄膜１０５の直下の領
域は縦成長した領域１０６ａであり、その周辺の領域は
横成長した領域１０６ｂである。
【００９４】図１（Ｄ）に示すように、次に、酸化シリ
コン膜１０４と共に、結晶性シリコン膜１０６をエッチ
ングして、活性層１０７を形成する。なお、エッチング
された酸化シリコン膜１０４はゲイト絶縁膜として機能
する。エッチングの終了後に、プラズマＣＶＤ法、又は
減圧ＣＶＤ法により、酸化シリコン膜１０９を１０００
Åの厚さに成膜する。これらの酸化シリコン膜１０４と
１０９が一体となって、ゲイト絶縁膜として機能する。
コン膜１０４と共に、結晶性シリコン膜１０６をエッチ
ングして、活性層１０７を形成する。なお、エッチング
された酸化シリコン膜１０４はゲイト絶縁膜として機能
する。エッチングの終了後に、プラズマＣＶＤ法、又は
減圧ＣＶＤ法により、酸化シリコン膜１０９を１０００
Åの厚さに成膜する。これらの酸化シリコン膜１０４と
１０９が一体となって、ゲイト絶縁膜として機能する。
【００９５】以下、図２に示す実施例１の薄膜トランジ
スタの作製方法、又は図４に示す実施例２の薄膜トラン
ジスタの作製方法に従って、薄膜トランジスタを完成さ
せればよい。
スタの作製方法、又は図４に示す実施例２の薄膜トラン
ジスタの作製方法に従って、薄膜トランジスタを完成さ
せればよい。
【００９６】また、本実施例では、結晶化工程の後に、
レーザーアニールを実施しないため、ゲイト絶縁膜の最
下層を構成する酸化シリコン膜１０４の膜厚は、酢酸ニ
ッケル溶液を塗布する際のバリア膜として機能する程度
の膜厚であればよい。また、酸化シリコン膜１０４を非
晶質シリコン膜１０３を熱酸化して形成してもよい。こ
の場合に、十分な厚さの酸化シリコン膜１０４を得られ
ない場合には、熱酸化膜の表面に、プラズマＣＶＤ法、
減圧ＣＶＤ法により酸化シリコン膜、窒化シリコン膜を
堆積して、所望の膜厚にすればよい。
レーザーアニールを実施しないため、ゲイト絶縁膜の最
下層を構成する酸化シリコン膜１０４の膜厚は、酢酸ニ
ッケル溶液を塗布する際のバリア膜として機能する程度
の膜厚であればよい。また、酸化シリコン膜１０４を非
晶質シリコン膜１０３を熱酸化して形成してもよい。こ
の場合に、十分な厚さの酸化シリコン膜１０４を得られ
ない場合には、熱酸化膜の表面に、プラズマＣＶＤ法、
減圧ＣＶＤ法により酸化シリコン膜、窒化シリコン膜を
堆積して、所望の膜厚にすればよい。
【００９７】本実施例では、ゲイト絶縁膜の下層を酸化
シリコン膜１０４で形成したが、窒化シリコン膜で形成
することも可能である。また、ゲイト絶縁膜の上層を構
成する酸化シリコン１０９の代わりに、窒化シリコン膜
を堆積してもよい。
シリコン膜１０４で形成したが、窒化シリコン膜で形成
することも可能である。また、ゲイト絶縁膜の上層を構
成する酸化シリコン１０９の代わりに、窒化シリコン膜
を堆積してもよい。
【００９８】本実施例では、酸化シリコン１０４を形成
してから、薄膜トランジスタを完成するまで、活性層１
０７（結晶シリコン膜１０６）の表面を露出しないよう
にしたため、表面の汚染を防止することができる。さら
に、レーザーアニールによって発生するリッジを抑制す
るためのキャップ層として機能させることができる。
してから、薄膜トランジスタを完成するまで、活性層１
０７（結晶シリコン膜１０６）の表面を露出しないよう
にしたため、表面の汚染を防止することができる。さら
に、レーザーアニールによって発生するリッジを抑制す
るためのキャップ層として機能させることができる。
【００９９】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置の作製方法おい
て、ゲイト絶縁膜の最下層を構成する第１の絶縁膜を金
属元素を非晶質シリコン膜に導入する際のバリア膜とし
て機能させて、活性層を形成するシリコン膜は結晶化さ
れた以降は、その表面を第１の絶縁膜に被覆するように
したために、結晶性シリコン膜の表面の汚染防止するこ
とができる。
て、ゲイト絶縁膜の最下層を構成する第１の絶縁膜を金
属元素を非晶質シリコン膜に導入する際のバリア膜とし
て機能させて、活性層を形成するシリコン膜は結晶化さ
れた以降は、その表面を第１の絶縁膜に被覆するように
したために、結晶性シリコン膜の表面の汚染防止するこ
とができる。
【０１００】特に、第１の絶縁膜を非晶質シリコン膜を
熱酸化して、シリコン熱酸化膜とすると、活性層（結晶
性シリコン膜）／ゲイト絶縁膜（第１の絶縁膜）界面の
特性を結晶性シリコン／ＣＶＤシリコン酸化膜の界面の
特性よりも良好にすることが
熱酸化して、シリコン熱酸化膜とすると、活性層（結晶
性シリコン膜）／ゲイト絶縁膜（第１の絶縁膜）界面の
特性を結晶性シリコン／ＣＶＤシリコン酸化膜の界面の
特性よりも良好にすることが
【０１０１】更に、本発明では、結晶性シリコンの表面
に第１の絶縁膜を存在させた状態で、レーザーアニール
を実施するようにしたため、リッジの発生を抑制するこ
とができる。さらに、第１の絶縁膜の膜厚を適宜に制御
することにより、、レーザー光に対する反射防止膜とし
て機能させることができ、レーザーアニールを効率良く
実施することができる。
に第１の絶縁膜を存在させた状態で、レーザーアニール
を実施するようにしたため、リッジの発生を抑制するこ
とができる。さらに、第１の絶縁膜の膜厚を適宜に制御
することにより、、レーザー光に対する反射防止膜とし
て機能させることができ、レーザーアニールを効率良く
実施することができる。
【図１】 実施例１の薄膜トランジスタの作製工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】 実施例１の薄膜トランジスタの作製工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】 実施例２の薄膜トランジスタの作製工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】 実施例２の薄膜トランジスタの作製工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】 波長２４８ｎｍの光に対する酸化シリコン、
窒化シリコンからの反射光の強度の理論曲線図である。
窒化シリコンからの反射光の強度の理論曲線図である。
【図６】従来例のシリコン膜の結晶化工程を示す断面図
である。
である。
１０３ 非晶質シリコン膜 １０４ 酸化シリコン膜 １０５ 酢酸ニッケル薄膜 １０６ 結晶性シリコン膜 １０７ 活性層 １０９ 酸化シリコン膜 ２０３ 非晶質シリコン膜 ２０４ シリコン熱酸化膜 ２０４ 酸化シリコン膜 ２０７ 酢酸ニッケル薄膜 ２０８ 結晶性シリコン膜 ２０９ 活性層 ２１０ 酸化シリコン膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２７Ｇ
Claims (20)
- 【請求項１】絶縁基板上に形成された非晶質シリコン膜
を金属元素の触媒作用により結晶化させる工程を有する
半導体装置の作製方法において、 前記非晶質シリコン膜上に、第１の絶縁膜を形成する工
程と、 前記絶縁膜に開孔部を形成して、前記非晶質シリコン膜
の表面を選択的に露出させる工程と、 該工程により露出された表面から前記非晶質シリコン膜
に前記金属元素を導入する工程と、 前記非晶質シリコン膜を結晶化させて、結晶性シリコン
膜を形成する工程と、 前記絶縁膜と前記結晶性シリコン膜とを積層させた状態
で、前記結晶性シリコン膜を島状にエッチングして活性
層を形成する工程と、 第２の絶縁膜を形成する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項２】絶縁基板上に形成された非晶質シリコン膜
を金属元素の触媒作用により結晶化させる工程を有する
半導体装置の作製方法において、 前記非晶質シリコン膜上に、第１の絶縁膜を形成する工
程と、 前記絶縁膜に開孔部を形成して、前記非晶質シリコン膜
の表面を選択的に露出させる工程と、 該工程により露出された表面から前記非晶質シリコン膜
に前記金属元素を導入する工程と、 前記非晶質シリコン膜を結晶化させて、結晶性シリコン
膜を形成する工程と、 前記金属元素が高濃度に含有する前記第１の絶縁膜の表
面を除去する工程と、 前記絶縁膜と前記結晶性シリコン膜とを積層させた状態
で、前記結晶性シリコン膜を島状にエッチングして活性
層を形成する工程と、 第２の絶縁膜を形成する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項３】請求項１又は請求項２において、前記第１
の絶縁膜は酸化シリコン膜であることを特徴とする半導
体装置の作製方法。 - 【請求項４】請求項１又は請求項２において、前記第１
の絶縁膜は窒化シリコン膜であることを特徴とする半導
体装置の作製方法。 - 【請求項５】請求項１又は請求項２において、前記第１
の絶縁膜を形成する工程において、少なくとも前記第１
の絶縁膜と前記非晶質シリコン膜の界面に、熱酸化によ
り酸化シリコンを形成することを特徴とする半導体装置
の作製方法。 - 【請求項６】請求項１又は請求項２において、前記第２
の絶縁膜は酸化シリコン膜であることを特徴とする半導
体装置の作製方法。 - 【請求項７】請求項１又は請求項２において、前記第２
の絶縁膜は窒化シリコン膜であることを特徴とする半導
体装置の作製方法。 - 【請求項８】請求項１または請求項７において、金属元
素として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏ
ｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複
数種類の元素が用いられることを特徴とする半導体装置
の作製方法。 - 【請求項９】絶縁基板上に形成された非晶質シリコン膜
を金属元素の触媒作用により結晶化させる工程を有する
半導体装置の作製方法において、 前記非晶質シリコン膜上に、第１の絶縁膜を形成する工
程と、 前記絶縁膜に開孔部を形成して、前記非晶質シリコン膜
の表面を選択的に露出させる工程と、 該工程により露出された表面から前記非晶質シリコン膜
に前記金属元素を導入する工程と、 前記非晶質シリコン膜を結晶化させて、結晶性シリコン
膜を形成する工程と、 前記結晶性シリコン膜にレーザーを照射する工程と、 前記絶縁膜と前記結晶性シリコン膜とが積層された状態
で、前記結晶性シリコン膜を島状にエッチングして活性
層を形成する工程と、 第２の絶縁膜を形成する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項１０】絶縁基板上に形成された非晶質シリコン
膜を金属元素の触媒作用により結晶化させる工程を有す
る半導体装置の作製方法において、 前記非晶質シリコン膜上に、第１の絶縁膜を形成する工
程と、 前記絶縁膜に開孔部を形成して、前記非晶質シリコン膜
の表面を選択的に露出させる工程と、 該工程により露出された表面から前記非晶質シリコン膜
に前記金属元素を導入する工程と、 前記非晶質シリコン膜を結晶化させて、結晶性シリコン
膜を形成する工程と、 前記結晶性シリコン膜にレーザーを照射する工程と、 前記絶縁膜と前記結晶性シリコン膜が積層された状態
で、前記結晶性シリコン膜を島状にエッチングして活性
層を形成する工程と、 第２の絶縁膜を形成する工程と、 を有し、 前記第１の絶縁膜の膜厚は、前記レーザーの波長におけ
る反射防止膜として機能する膜厚であることを特徴とす
る半導体装置の作製方法。 - 【請求項１１】絶縁基板上に、結晶性シリコン膜から成
る活性層を形成する工程と、 前記活性層の表面にゲイト絶縁膜を形成する工程とを有
する半導体装置の作製方法において、 前記非晶質シリコン膜上に、前記ゲイト絶縁膜の下層を
構成する第１の絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜に開孔部を形成して、前記非晶質シリコン膜
の表面を選択的に露出させる工程と、 該工程により露出された表面から前記非晶質シリコン膜
に前記金属元素を導入する工程と、 前記非晶質シリコン膜を結晶化させて、結晶性シリコン
膜を形成する工程と、 前記結晶性シリコン膜にレーザーを照射する工程と、 前記絶縁膜と前記結晶性シリコン膜が積層された状態
で、前記結晶性シリコン膜を島状にエッチングして活性
層を形成する工程と、 第２の絶縁膜を形成する工程と、 を有し、 前記ゲイト絶縁膜は、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の積
層膜から構成され、 前記第１の絶縁膜は膜厚は、前記ゲイト絶縁膜の膜厚以
下であり、且つ前記レーザーの波長における反射防止膜
として機能する膜厚であることを特徴とする半導体装置
の作製方法。 - 【請求項１２】請求項９乃至１１において、前記レーザ
ー照射工程は、ＫｒＦエキシマレーザーを照射する工程
であり、前記第１の絶縁膜は膜厚が３００〜６００Åの
酸化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作
製方法。 - 【請求項１３】請求項９乃至１１において、前記レーザ
ー照射工程は、ＫｒＦエキシマレーザーを照射する工程
であり、前記第１の絶縁膜は膜厚が２５０〜５００Åの
窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作
製方法。 - 【請求項１４】請求項９乃至１１において、前記レーザ
ー照射工程は、ＸｅＣｌエキシマレーザーを照射する工
程であり、前記第１の絶縁膜は膜厚が４００〜７００Å
の酸化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の
作製方法。 - 【請求項１５】請求項９乃至１１において、前記レーザ
ー照射工程は、ＸｅＣｌエキシマレーザーを照射する工
程であり、前記第１の絶縁膜は膜厚が３５０〜６００Å
の窒化シリコンであることを特徴とする半導体装置の作
製方法。 - 【請求項１６】請求項９乃至１１において、前記絶縁膜
を形成する工程において、少なくとも前記非晶質シリコ
ン膜の界面に、熱酸化により酸化シリコンを形成するこ
とを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項１７】請求項９乃至１１において、金属元素と
して、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類
の元素が用いられることを特徴とする半導体装置の作製
方法。 - 【請求項１８】絶縁基板上に形成された非晶質シリコン
膜を金属元素の触媒作用により結晶化させる工程を有す
る半導体装置の作製方法において、 前記非晶質シリコン膜上に、第１の絶縁膜を形成する工
程と、 前記絶縁膜に開孔部を形成して、前記非晶質シリコン膜
の表面を選択的に露出させる工程と、 該工程により露出された表面から前記非晶質シリコン膜
に前記金属元素を導入する工程と、 前記非晶質シリコン膜を結晶化させて、結晶性シリコン
膜を形成する工程と、 前記金属元素を高濃度に含有する前記第１の絶縁膜の表
面を除去する工程と、 前記結晶性シリコン膜にレーザーを照射する工程と、 前記絶縁膜と前記結晶性シリコン膜とが積層された状態
で、前記結晶性シリコン膜を島状にエッチングして活性
層を形成する工程と、 第２の絶縁膜を形成する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項１９】絶縁基板上に形成された非晶質シリコン
膜を金属元素の触媒作用により結晶化させる工程を有す
る半導体装置の作製方法において、 前記非晶質シリコン膜上に、第１の絶縁膜を形成する工
程と、 前記絶縁膜に開孔部を形成して、前記非晶質シリコン膜
の表面を選択的に露出させる工程と、 該工程により露出された表面から前記非晶質シリコン膜
に前記金属元素を導入する工程と、 前記非晶質シリコン膜を結晶化させて、結晶性シリコン
膜を形成する工程と、 前記結晶性シリコン膜にレーザーを照射する工程と、 前記金属元素を高濃度に含有する前記第１の絶縁膜の表
面を除去する工程と、 前記絶縁膜と前記結晶性シリコン膜が積層された状態
で、前記結晶性シリコン膜を島状にエッチングして活性
層を形成する工程と、 第２の絶縁膜を形成する工程と、 を有し、 前記第１の絶縁膜の表面を除去する工程において、前記
第１の絶縁膜の膜厚を前記レーザーの波長における反射
防止膜として機能する膜厚とすることを特徴とする半導
体装置の作製方法。 - 【請求項２０】請求項１８又は請求項１９至において、
金属元素として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種ま
たは複数種類の元素が用いられることを特徴とする半導
体装置の作製方法。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP33813095A JP3917205B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 半導体装置の作製方法 |
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| US09/379,702 US7573110B1 (en) | 1995-11-30 | 1999-08-24 | Method of fabricating semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33813095A JP3917205B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153457A true JPH09153457A (ja) | 1997-06-10 |
| JP3917205B2 JP3917205B2 (ja) | 2007-05-23 |
Family
ID=18315200
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|---|---|---|---|
| JP33813095A Expired - Fee Related JP3917205B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 半導体装置の作製方法 |
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| US (2) | US5966596A (ja) |
| JP (1) | JP3917205B2 (ja) |
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